JP2003162962A - Plasma display panel and method of manufacturing the same - Google Patents
Plasma display panel and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルおよびその製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel used for a display device and the like and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ディスプレイの分野において、高
精細な表示(ハイビジョン等)やフラット化といった高
性能化の要求がなされており、それに応じるべく種々の
研究開発がなされている。フラットディスプレイの代表
的なものとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、プラ
ズマディスプレイパネル(PDP)が挙げられるが、こ
のうちPDPは、薄型で且つ大画面に適しており、すで
に50インチクラスの製品が開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of displays, there has been a demand for higher performance such as high-definition display (high-vision etc.) and flattening, and various researches and developments have been made to meet the demand. Typical flat displays include liquid crystal displays (LCD) and plasma display panels (PDP). Among them, PDPs are thin and suitable for large screens, and 50-inch class products have already been developed. Has been done.
【0003】PDPは、大別して直流型(DC型)と交
流型(AC型)とに分けられるが、現在では大型化に適
したAC型が主流となっている。一般的に、PDPは、
各色発光セルがマトリックス状に配列された構成であっ
て、交流面放電型PDPでは、例えば特開平9−356
28号公報に開示されているように、フロントガラス基
板とバックガラス基板とが、隔壁を介して平行に配さ
れ、フロントガラス基板上には表示電極対(走査電極と
維持電極)が平行に配設され、その上を覆って誘電体層
が形成され、バックガラス基板上には走査電極と直交し
てアドレス電極が配され、両プレート間における隔壁で
仕切られた空間内には、赤,緑,青の蛍光体層が配設さ
れ、放電ガスが封入されることによって各色発光セルが
形成されたパネル構造となっている。そして、駆動回路
で各電極に電圧を印加することによって放電すると、紫
外線が放出され、蛍光体層の蛍光体粒子(赤,緑,青)
がこの紫外線を受けて励起発光することによって画像が
表示される。PDPs are roughly classified into a direct current type (DC type) and an alternating current type (AC type). At present, the AC type, which is suitable for upsizing, is the mainstream. Generally, PDP is
In an AC surface discharge type PDP having a structure in which light emitting cells of respective colors are arranged in a matrix, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-356.
As disclosed in Japanese Patent No. 28, the windshield substrate and the back glass substrate are arranged in parallel via a partition wall, and the display electrode pairs (scanning electrodes and sustain electrodes) are arranged in parallel on the windshield substrate. A dielectric layer is formed on the back glass substrate, address electrodes are arranged orthogonal to the scanning electrodes on the back glass substrate, and red and green are provided in the space partitioned by the partition wall between the plates. , A blue phosphor layer is provided, and a discharge gas is filled in to form a panel structure in which each color light emitting cell is formed. Then, when a voltage is applied to each electrode in the drive circuit to discharge, ultraviolet rays are emitted, and phosphor particles (red, green, blue) in the phosphor layer are emitted.
An image is displayed by receiving the ultraviolet rays and exciting and emitting light.
【0004】このようなPDPにおいて、フロントガラ
ス基板やバックガラス基板は、硼硅素ナトリウム系ガラ
ス材料からフロート法で製造されるガラス板が一般的に
用いられ、表示電極やアドレス電極には、Cr−Cu−
Cr電極も用いられているが、比較的安価な銀電極が多
く用いられている。この銀電極は、一般的に厚膜法によ
って形成される。即ち、銀粒子,ガラスフリット,樹
脂,溶剤などを含有する銀ペーストをスクリーン印刷法
でパターニング塗布したり、銀粒子,ガラスフリット,
樹脂などを含有するフィルムをラミネート法で貼付けて
パターニングする。そして、いずれの場合も、樹脂を除
去すると共に銀どうしを融着して導電率を上昇させるた
めに、500℃以上で焼成処理を行う。In such a PDP, a glass plate manufactured from a sodium borosilicate glass material by a float method is generally used for the front glass substrate and the back glass substrate, and Cr-is used for display electrodes and address electrodes. Cu-
Cr electrodes are also used, but relatively inexpensive silver electrodes are often used. This silver electrode is generally formed by a thick film method. That is, a silver paste containing silver particles, glass frit, resin, solvent, etc. is applied by patterning by screen printing, or silver particles, glass frit,
A film containing a resin or the like is attached by a laminating method and patterned. In any case, a firing process is performed at 500 ° C. or higher in order to remove the resin and fuse the silver particles together to increase the conductivity.
【0005】また、誘電体層は通常、低融点鉛ガラスな
どの粉末と樹脂からなるペーストを、スクリーン印刷
法、ダイコート塗布法或はラミネート法などによって塗
工し、500℃以上で加熱、焼成することによって形成
される。The dielectric layer is usually formed by coating a paste composed of a powder such as low melting point lead glass and a resin by a screen printing method, a die coat coating method or a laminating method, and heating and firing at 500 ° C. or higher. Formed by.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
銀電極を用いたPDPにおいては、ガラス基板や誘電体
層にAgがイオンとして拡散し、それが基板や誘電体層
中で還元されてAgコロイドが生じることによって黄変
が発生しやすく、この黄変のために、PDPの駆動時に
白表示時における色温度が低下し、PDPの画質が劣化
してしまうという問題があることが知られている。By the way, in the PDP using the silver electrode as described above, Ag diffuses as ions into the glass substrate or the dielectric layer and is reduced in the substrate or the dielectric layer to generate Ag. It is known that yellowing is likely to occur due to the generation of colloids, and this yellowing causes a problem that the color temperature during white display is lowered when the PDP is driven and the image quality of the PDP is deteriorated. There is.
【0007】そして、このようにガラス基板や誘電体層
に黄変が生じると、青色セルの輝度低下及び白表示時の
色温度が低下する原因となる。このようなPDPにおけ
る黄変問題に対して、例えば特開平10−255669
号公報には、使用するガラス基板の表面を機械的に研磨
することによって、1μm以上1000μm以下の表面
層を除去する技術が示されている。The yellowing of the glass substrate and the dielectric layer in this way causes a decrease in the brightness of the blue cell and a decrease in the color temperature during white display. For such a yellowing problem in the PDP, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-255669
The publication discloses a technique of removing a surface layer of 1 μm or more and 1000 μm or less by mechanically polishing the surface of a glass substrate to be used.
【0008】この技術はガラス基板の黄変抑制に有効で
あると考えられるが、PDPに用いるような大型のガラ
ス基板を、短時間で均一に1μm以上研磨することはき
わめて困難である。例えば、オスカー式研磨装置にてガ
ラス基板の表面を1μm研磨するには、数十分以上を要
する。また、このように研磨を1μm以上行うと、ガラ
ス基板の厚さにバラツキも発生しやすい。This technique is considered to be effective in suppressing yellowing of the glass substrate, but it is extremely difficult to uniformly polish a large glass substrate such as that used in a PDP for 1 μm or more in a short time. For example, it takes several tens of minutes or more to polish the surface of a glass substrate by 1 μm with an Oscar type polishing apparatus. In addition, when the polishing is performed at 1 μm or more, variations in the thickness of the glass substrate are likely to occur.
【0009】従って、銀電極を用いたPDPにおいて、
黄変を抑制するための新たな解決手段が望まれる。本発
明は、このような課題に鑑み、銀電極を用いたPDPに
おいて、パネルの黄変を比較的簡単に抑制する技術を提
供し、それによって、高輝度・高画質で画像表示できる
PDPを提供することを目的とする。Therefore, in a PDP using a silver electrode,
A new solution for suppressing yellowing is desired. In view of such a problem, the present invention provides a technique for suppressing yellowing of a panel in a PDP using a silver electrode relatively easily, thereby providing a PDP capable of displaying an image with high brightness and high image quality. The purpose is to do.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、第1に、銀電極を形成する際に、銀を
主体として、遷移金属(transition metal)(Cu、
Cr、Co、Ni、Mn、Feの中から選択される1種
以上を含む。)を含有する合金で形成することとした。
或は、銀電極を形成する際に、銀と、遷移金属の酸化物
(CuO、CoO、NiO、Cr2O3、MnO、Fe2
O3の中の1種以上を含む。)を含有するガラスとで形
成することとした。銀と、遷移金属の酸化物(CuO、
CoO、NiO、Cr2O3、MnO、Fe2O3の中の1
種以上を含む。)を含有するガラスとで形成することと
した。In order to achieve the above object, in the present invention, firstly, when forming a silver electrode, a transition metal (Cu, Cu,
At least one selected from Cr, Co, Ni, Mn, and Fe is included. ).
Alternatively, when forming a silver electrode, silver and a transition metal oxide (CuO, CoO, NiO, Cr 2 O 3 , MnO, Fe 2
Includes one or more of O 3 . ) Containing glass. Silver and transition metal oxides (CuO,
1 out of CoO, NiO, Cr 2 O 3 , MnO, Fe 2 O 3
Including more than one species. ) Containing glass.
【0011】また本発明は第2に、銀電極を形成する際
に、銀を主体として、金属(Ru、Rh、Ir、Os、
Reのいずれか1種以上を含む。)を含有する合金で形
成することとした。或は、銀電極を形成する際に、銀
と、金属酸化物(RuO2、RhO、IrO2、OsO2、
ReO2或はPdOのいずれか1種以上を含む。)を含
有するガラスとで形成することとした。Secondly, according to the present invention, when a silver electrode is formed, silver is mainly used and metals (Ru, Rh, Ir, Os,
It contains any one or more of Re. ). Alternatively, when forming a silver electrode, silver and a metal oxide (RuO 2 , RhO, IrO 2 , OsO 2 ,
It contains at least one of ReO 2 and PdO. ) Containing glass.
【0012】また本発明は第3に、銀電極を形成する際
に、銀粒子の表面を、金属(Pd、Cu、Cr、Ni、
Ir、Ruなど)、或は金属酸化物(SiO2、Al2O
3、NiO、ZrO2、Fe2O3、ZnO、In2O3、C
uO、TiO2、Pr6O11など)で被覆したものを用い
ることとした。ここで、銀粒子の表面を金属或は金属酸
化物で被覆する方法としては、以下の〜の方法があ
る。Thirdly, according to the present invention, when the silver electrode is formed, the surface of the silver particles is made of metal (Pd, Cu, Cr, Ni,
Ir, Ru, etc.) or metal oxides (SiO 2 , Al 2 O)
3 , NiO, ZrO 2 , Fe 2 O 3 , ZnO, In 2 O 3 , C
uO, TiO 2 , Pr 6 O 11, etc.) is used. Here, as a method of coating the surface of the silver particles with a metal or a metal oxide, there are the following methods.
【0013】 銀粒子表面に、無電解メッキ法にて、
金属を被覆する方法。
銀粒子の表面に、メカノフュージョン法で、金属酸
化物あるいは金属を被覆する方法。
銀粒子の表面に、ゾルゲル法で金属酸化物を被覆さ
せる方法である。
また本発明は第4に、PDPに用いるガラス基板におい
て、表面から深さ5μmまでの領域に、Agイオンに対
して還元性を有する金属イオンが含まれる濃度を100
0ppm以下に規定することとした。On the surface of silver particles, by electroless plating,
Method of coating metal. A method of coating the surface of silver particles with a metal oxide or a metal by the mechanofusion method. In this method, the surface of silver particles is coated with a metal oxide by a sol-gel method. Further, the present invention is fourthly, in a glass substrate used for a PDP, a concentration of a metal ion having a reducing property with respect to Ag ion is 100 in a region from the surface to a depth of 5 μm.
It was decided to regulate it to 0 ppm or less.
【0014】このようなPDP用ガラス基板は、通常の
ガラス基板に対して、Agイオンに対して還元性を有す
る金属イオンをエッチング処理によって除去する工程を
通して、或は、加熱することによってAgイオンに対し
て還元性を有する金属イオンの還元性を失活させる工程
を通して製造することができる。上記第1〜第4のいず
れによっても、ガラス基板や誘電体層の黄変が抑制され
るので、PDPの青色セルの輝度を向上し白表示時の色
温度を向上させることができる。なお、銀電極の導電性
自体は、第1〜第4のいずれの場合も十分に確保でき
る。Such a glass substrate for PDP is converted into Ag ions by a process of removing metal ions having a reducing property to Ag ions by an etching process or by heating the glass substrate for a normal glass substrate. On the other hand, it can be produced through a process of inactivating the reducibility of a metal ion having reducibility. Since yellowing of the glass substrate and the dielectric layer is suppressed by any of the first to fourth aspects, the brightness of the blue cells of the PDP can be improved and the color temperature during white display can be improved. The conductivity itself of the silver electrode can be sufficiently ensured in any of the first to fourth cases.
【0015】ここで、上記本発明によって黄変を防止で
きる理由について説明する。図3は、従来のPDPにお
いてガラス基板や誘電体層に黄変が生じるメカニズムを
説明する図である。本図に示すように、ガラス基板の黄
変はI〜IVの段階を経てなされるものと考えられる。Now, the reason why the present invention can prevent yellowing will be described. FIG. 3 is a diagram for explaining a mechanism in which a glass substrate or a dielectric layer causes yellowing in a conventional PDP. As shown in this figure, it is considered that the yellowing of the glass substrate is performed through steps I to IV.
【0016】I.銀電極を形成する際の焼成工程や誘電
体ガラス層を形成する際の焼成工程中に、電極中のAg
がイオン化される。
II.イオン化されAgイオンが、ガラス基板表面や誘電
体層中に拡散する。
III.この拡散したAgイオンが、基板ガラス表面や誘
電体層中に存在する金属
イオン(Agイオンに対して還元性を有する金属イオン
であって、基板ガラス表面には主にSnイオン、誘電体
ガラス中にはNaイオン、Pbイオンなどが存在す
る。)によって還元される。I. Ag in the electrode during the firing step when forming the silver electrode or the firing step when forming the dielectric glass layer
Are ionized. II. Ionized Ag ions diffuse into the surface of the glass substrate and into the dielectric layer. III. The diffused Ag ions are metal ions existing on the surface of the substrate glass or in the dielectric layer (metal ions having a reducing property with respect to Ag ions, and Sn ions mainly on the surface of the substrate glass, Are present in the atmosphere, and Na ions, Pb ions, etc. are present).
【0017】IV.還元されたAgがAgコロイド粒子と
して折出し成長する。
このAgコロイド粒子は、400nmの波長に吸収域が
あるので、基板や誘電体層が黄変する。なお、銀によっ
てガラスが黄変するメカニズムに関して、ガラスハンド
ブック(朝倉書店:昭和52年7月15日発行)のp.
166には、ガラス中においてAg+とSn2+が共存す
る場合に、熱還元反応として、2Ag+ + Sn2+
→2Ag + Sn4+が生じることや、銀コロイドによ
ってガラスに着色が生じることが記載されている。ま
た、この他に関連する文献として、J.E. SHELBY and J.
VITKO. Jr Journal of Non Crystalline Solids Vol50
(1982) 107-117が挙げられる。IV. The reduced Ag grows as Ag colloidal particles. Since this Ag colloidal particle has an absorption region at a wavelength of 400 nm, the substrate and the dielectric layer turn yellow. For the mechanism of yellowing of glass by silver, see p. Of the Glass Handbook (Asakura Shoten: published July 15, 1977).
166 shows that when Ag + and Sn 2+ coexist in the glass, a thermal reduction reaction of 2Ag + + Sn 2+
→ It is described that 2Ag + Sn 4+ is generated and that glass is colored by silver colloid. In addition, JE SHELBY and J.
VITKO. Jr Journal of Non Crystalline Solids Vol50
(1982) 107-117.
【0018】これに対して、上記第1の場合、銀電極中
に含まれている、遷移金属或は遷移金属酸化物が、Ag
イオンの拡散を抑制するため、Agコロイド粒子の成長
が抑制される。また、これらの遷移金属或は遷移金属酸
化物は緑〜青色に着色するが、この緑〜青色は黄色に対
して補色の関係にあるため、これによっても黄変が防止
される。On the other hand, in the first case, the transition metal or transition metal oxide contained in the silver electrode is Ag.
Since the diffusion of ions is suppressed, the growth of Ag colloid particles is suppressed. Further, these transition metals or transition metal oxides are colored green to blue, but since green to blue have a complementary color relationship with yellow, this also prevents yellowing.
【0019】また、上記第2の場合、銀電極中に含まれ
る白金族金属(またはRe)或はこれら金属の酸化物に
よるピンニング効果によって、焼成時にAgイオンがガ
ラス基板中あるいは誘電体ガラス中に拡散されにくくな
ると共に、Agイオンが還元されにくくなる。従って、
Agコロイド粒子の成長が抑制され、黄変が防止され
る。In the second case, the Ag ions in the glass substrate or the dielectric glass during firing are caused by the pinning effect of the platinum group metal (or Re) contained in the silver electrode or the oxide of these metals. Not only is it difficult to diffuse, but also Ag ions are less likely to be reduced. Therefore,
Growth of Ag colloidal particles is suppressed and yellowing is prevented.
【0020】また、上記第3の場合、銀粒子の表面に存
在する金属酸化物あるいは金属が、焼成時にAgイオン
が拡散されるのを抑制する。従って、Agコロイド粒子
の成長が抑制される。また、上記第4の場合、PDP用
基板の表面近傍において、Agイオンに対して還元性を
有する金属イオンの濃度が1000ppm以下に規定さ
れているため、銀電極からAgイオンが基板表面に拡散
したとしてもそれが還元されにくい。従って、Agコロ
イド粒子の成長が抑制される。In the third case, the metal oxide or metal present on the surface of the silver particles suppresses the diffusion of Ag ions during firing. Therefore, the growth of Ag colloidal particles is suppressed. In the fourth case, since the concentration of metal ions having a reducing property with respect to Ag ions is regulated to 1000 ppm or less in the vicinity of the surface of the PDP substrate, Ag ions diffused from the silver electrode to the substrate surface. However, it is hard to be reduced. Therefore, the growth of Ag colloidal particles is suppressed.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】〔実施の形態1〕図1は、実施の
形態に係るAC面放電型PDPを示す要部斜視図であっ
て、PDP表示領域の一部を示している。このPDP
は、前面パネル板10と背面パネル板20とが、互いに
平行に間隔をおいて配されて構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [First Embodiment] FIG. 1 is a perspective view of a main part of an AC surface discharge PDP according to an embodiment, showing a part of a PDP display region. This PDP
Includes a front panel plate 10 and a rear panel plate 20 which are arranged in parallel with each other at intervals.
【0022】前面パネル板10は、前面ガラス基板11
の対向面上に、第1電極としての表示電極12(走査電
極12a,維持電極12b)、透明誘電体層13、保護
層14が順に配されてなる。一方、背面パネル板20
は、背面ガラス基板21の対向面上に第2電極としての
アドレス電極22、白色誘電体層23、隔壁30が順に
配され、隔壁30どうしの間に蛍光体層31が配設され
ている。なお、蛍光体層31は、赤,緑,青の順で繰返
し並べられている。The front panel board 10 is a front glass substrate 11.
The display electrode 12 (scan electrode 12a, sustain electrode 12b) as the first electrode, the transparent dielectric layer 13, and the protective layer 14 are sequentially arranged on the opposing surface of. On the other hand, the back panel plate 20
The address electrode 22, the white dielectric layer 23, and the partition wall 30 as the second electrode are sequentially arranged on the facing surface of the rear glass substrate 21, and the phosphor layer 31 is disposed between the partition walls 30. The phosphor layers 31 are repeatedly arranged in the order of red, green and blue.
【0023】上記前面ガラス基板11、背面ガラス基板
21には、フロート法によって製造されるガラス板が用
いられている。そして、前面パネル板10と背面パネル
板20との間隙は、ストライプ状の隔壁30で仕切られ
ることによって放電空間40が形成され、当該放電空間
40内には放電ガスが封入されている。As the front glass substrate 11 and the rear glass substrate 21, glass plates manufactured by the float method are used. The space between the front panel plate 10 and the back panel plate 20 is partitioned by the partition walls 30 in stripes to form a discharge space 40, and the discharge space 40 is filled with a discharge gas.
【0024】上記表示電極12及びアドレス電極22
は、共にストライプ状であって、表示電極12は隔壁3
0と直交する方向に、アドレス電極22は隔壁30と平
行に配されている。そして、表示電極12とアドレス電
極22が交差するところに、赤,緑,青の各色を発光す
るセルが形成されたパネル構成となっている。図2は、
前面パネル板10の一例の部分断面図である。The display electrode 12 and the address electrode 22
Are stripes, and the display electrode 12 is a partition wall 3
The address electrodes 22 are arranged in parallel with the partition walls 30 in a direction orthogonal to 0. A cell structure is formed in which cells for emitting red, green, and blue colors are formed at the intersections of the display electrodes 12 and the address electrodes 22. Figure 2
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of an example of the front panel board 10.
【0025】前面パネル板10において、表示電極12
a,12bの各々は、図2(a)に示すように銀電極膜
だけで形成することもできるし、図2(b)に示すよう
に、ITO,SnO2,ZnO等の導電性金属酸化物か
らなる幅広の透明電極膜の上に、バス電極として細幅の
銀電極膜を積層させた電極構成とすることもできるが、
表示電極に幅広の透明電極を設けると、セル内の放電面
積を広く確保する上では好ましい。一方、表示電極を銀
電極膜だけで形成する方が、製造が簡単である。また、
精細なセル構造の場合は、表示電極の幅を小さく、例え
ば50μm以下に設定する必要があるため、銀電極膜だ
けで形成するのが適しているということができる。On the front panel 10, a display electrode 12 is provided.
Each of a and 12b can be formed only by a silver electrode film as shown in FIG. 2 (a), or as shown in FIG. 2 (b), a conductive metal oxide such as ITO, SnO 2 or ZnO can be formed. It is also possible to have an electrode configuration in which a thin silver electrode film is laminated as a bus electrode on a wide transparent electrode film made of a material,
Providing a wide transparent electrode for the display electrode is preferable for ensuring a large discharge area in the cell. On the other hand, it is easier to manufacture the display electrodes by using only the silver electrode film. Also,
In the case of a fine cell structure, since it is necessary to set the width of the display electrode to be small, for example, 50 μm or less, it can be said that it is suitable to form only the silver electrode film.
【0026】透明誘電体層13は、前面ガラス基板11
の表示電極12が配された表面全体を覆って配設された
誘電物質からなる層であって、一般的に、鉛系低融点ガ
ラスが用いられているが、ビスマス系低融点ガラス、或
は鉛系低融点ガラスとビスマス系低融点ガラスの積層物
で形成しても良い。保護層14は、酸化マグネシウム
(MgO)からなる薄層であって、透明誘電体層13の
表面全体を覆っている。The transparent dielectric layer 13 is the front glass substrate 11
Is a layer made of a dielectric material, which is arranged so as to cover the entire surface on which the display electrode 12 of FIG. 1 is arranged. Lead-based low-melting glass is generally used, but bismuth-based low-melting glass or It may be formed of a laminate of lead low melting glass and bismuth low melting glass. The protective layer 14 is a thin layer made of magnesium oxide (MgO) and covers the entire surface of the transparent dielectric layer 13.
【0027】一方、背面パネル板20において、アドレ
ス電極22は、銀電極膜で形成されている。白色誘電体
層23は、透明誘電体層13と同様のものであるが、可
視光を反射する反射層としての働きも兼ねるようにTi
O2粒子が混合されている。隔壁30は、ガラス材料か
らなり、背面パネル板20の白色誘電体層23の表面上
に突設されている。On the other hand, on the rear panel 20, the address electrode 22 is formed of a silver electrode film. The white dielectric layer 23 is similar to the transparent dielectric layer 13, but Ti is also used as a reflective layer that reflects visible light.
O 2 particles are mixed. The partition wall 30 is made of a glass material and is provided on the surface of the white dielectric layer 23 of the rear panel 20 in a protruding manner.
【0028】蛍光体層31を構成する蛍光体材料とし
て、ここでは、
青色蛍光体: BaMgAl10O17:Eu
緑色蛍光体: Zn2SiO4:Mn
赤色蛍光体: (Y、Gd)BO3:Eu
を用いることとする。As the phosphor material forming the phosphor layer 31, here, a blue phosphor: BaMgAl 10 O 17 : Eu green phosphor: Zn 2 SiO 4 : Mn red phosphor: (Y, Gd) BO 3 : Eu will be used.
【0029】このPDPの表示電極12及びアドレス電
極22に、駆動回路(不図示)が接続されることによっ
てPDP表示装置が構成される。そして、当該駆動回路
で、走査電極12aとアドレス電極22とにアドレス放
電パルスを印加することによって、発光させようとする
セルに壁電荷を蓄積し、その後、表示電極対12a,1
2bに維持放電パルスを印加することによって壁電荷が
蓄積されたセルで維持放電を行うという動作を繰り返す
ことによって、画像を表示を行う。A drive circuit (not shown) is connected to the display electrodes 12 and the address electrodes 22 of the PDP to form a PDP display device. Then, by applying an address discharge pulse to the scan electrode 12a and the address electrode 22 in the drive circuit, wall charges are accumulated in the cell to be made to emit light, and then the display electrode pair 12a, 1
An image is displayed by repeating the operation of performing sustain discharge in the cells in which the wall charges are accumulated by applying the sustain discharge pulse to 2b.
【0030】〔PDPの作製方法について〕以下、上記
構成のPDPを製造する方法について説明する。
(前面パネル板の作製)前面ガラス基板11上に、必要
に応じて透明電極を形成し、銀電極用のペーストをスク
リーン印刷で塗布した後に焼成することにより、表示電
極12を形成する。ここで、使用する銀ペーストについ
ては、後で詳述する。[Production Method of PDP] A method of producing the PDP having the above structure will be described below. (Production of Front Panel Plate) A display electrode 12 is formed by forming a transparent electrode on the front glass substrate 11 if necessary, applying a silver electrode paste by screen printing, and then baking the paste. The silver paste used here will be described later in detail.
【0031】そして、表示電極12の上を覆うように、
軟化点が600℃以下のガラス粉末(その組成は、例え
ば、酸化鉛[PbO]70重量%,酸化硼素[B2O3]
15重量%,酸化硅素[SiO2]15重量%)を含む
ペーストを、ダイコート法或はスクリーン印刷法で塗布
し、焼成することによって、透明誘電体層13を形成す
る。Then, so as to cover the display electrodes 12,
Glass powder having a softening point of 600 ° C. or lower (the composition is, for example, lead oxide [PbO] 70% by weight, boron oxide [B 2 O 3 ]
A transparent dielectric layer 13 is formed by applying a paste containing 15% by weight and silicon oxide [SiO 2 ] 15% by weight) by a die coating method or a screen printing method and baking it.
【0032】ダイコート法で透明誘電体層13を形成す
る場合、先ず、誘電体用ガラスをジェットミルで平均粒
径が1.5μmまで粉砕する。次に、このガラス粉末3
5重量%〜70重量%とエチルセルロースを5重量%〜
15重量%を含むターピネオール、ブチルカルビトール
アセテート、あるいはペンタンジオールから成るバイン
ダー成分30重量%〜65重量%を、ジェットミルでよ
く混練し、ダイコート用ペーストを作成する。なお、ペ
ースト混練中には、ガラス粉体の分散性や沈降防止効果
を向上させる目的で陰イオン系界面活性剤を0.1重量
%〜3.0重量%程度添加してもよい。When the transparent dielectric layer 13 is formed by the die coating method, first, the dielectric glass is pulverized with a jet mill to an average particle size of 1.5 μm. Next, this glass powder 3
5% by weight to 70% by weight and ethyl cellulose 5% by weight to
A binder for 30 wt% to 65 wt% of terpineol, butyl carbitol acetate, or pentanediol containing 15 wt% is well kneaded with a jet mill to prepare a die coat paste. During the paste kneading, an anionic surfactant may be added in an amount of about 0.1 wt% to 3.0 wt% for the purpose of improving the dispersibility of glass powder and the effect of preventing sedimentation.
【0033】そして、ペースト粘度を30万センチポイ
ズ以下に調整して塗布する。次に乾燥後、ガラスの軟化
点より少し高い温度(550℃〜590℃)で焼成す
る。このように形成された透明誘電体層13の表面に、
例えばスパッタ法によってMgO保護層14を形成す
る。Then, the paste viscosity is adjusted to 300,000 centipoise or less and applied. Next, after drying, it is fired at a temperature (550 ° C to 590 ° C) slightly higher than the softening point of the glass. On the surface of the transparent dielectric layer 13 thus formed,
For example, the MgO protective layer 14 is formed by the sputtering method.
【0034】(背面パネル板の作製)背面ガラス基板2
1上に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後
焼成する方法によってアドレス電極22を形成し、その
上に、TiO2粒子(平均粒子径:平均粒子径が0.1
μm〜0.5μm)と誘電体ガラス粒子(平均粒子径:
1.5μm)とを含むペーストをスクリーン印刷法で塗
布して焼成することによって白色誘電体層23を形成
し、隔壁用のガラスペーストをスクリーン印刷法で塗布
した後、焼成することによって、もしくはサンドブラス
ト法によって、隔壁30を形成する。(Preparation of Rear Panel Plate) Rear glass substrate 2
1, an address electrode 22 was formed by a method of screen-printing a silver electrode paste and then firing it, and TiO 2 particles (average particle diameter: average particle diameter of 0.1) were formed on the address electrode 22.
μm to 0.5 μm) and dielectric glass particles (average particle diameter:
1.5 μm) is applied by a screen printing method and baked to form the white dielectric layer 23, and the glass paste for the barrier ribs is applied by a screen printing method and then baked, or by sandblasting. The partition 30 is formed by the method.
【0035】そして、赤色,緑色,青色の各色蛍光体ペ
ースト(または蛍光体インキ)を作製し、これを隔壁3
0どうしの間隙に塗布し、空気中で焼成(例えば500
℃で10分間焼成)することによって各色蛍光体層31
を形成する。隔壁間ヘの蛍光体ペーストの塗布は、一般
的にはスクリーン印刷法で行うが、パネル構造が精細な
場合には、1.0Pas(パスカル、セック)程度の蛍
光体インキをノズルから噴射しながら走査する方法(イ
ンキジェット法)を用いれば、精度よく均一的に塗布す
ることができるので好ましい。Then, a phosphor paste (or phosphor ink) for each color of red, green and blue is prepared, and this is used as a partition 3
It is applied to the gap between 0 and baked in air (for example, 500
The phosphor layer 31 of each color is formed by baking at 10 ° C. for 10 minutes.
To form. The phosphor paste is generally applied to the space between the partition walls by a screen printing method. However, when the panel structure is fine, a phosphor ink of about 1.0 Pas (Pascal, sec) is jetted from a nozzle. It is preferable to use a scanning method (ink jet method) because uniform coating can be performed accurately.
【0036】なお、各色蛍光体層31は、各色の蛍光体
材料を含有する感光性樹脂のシートを作製し、これを背
面ガラス基板21の隔壁30を配した側の面に貼り付
け、フォトリソグラフィでパターニングし現像すること
により不要な部分を除去する方法によっても形成するこ
とができる。
(前面パネル板と背面パネル板の封着)このように作製
した前面パネル板10及び背面パネル板20のどちらか
一方または両方に封着用ガラス(ガラスフリット)を塗
布し、仮焼成して封着ガラス層を形成し、前面パネル板
10の表示電極12と背面パネル板20のアドレス電極
22とが直交して対向するように重ね合わせ、両基板2
0及び30を加熱して封着ガラス層を軟化させることに
よって封着する。For each color phosphor layer 31, a sheet of a photosensitive resin containing a phosphor material of each color is prepared and attached to the surface of the rear glass substrate 21 on the side where the partition wall 30 is arranged, and photolithography is performed. It can also be formed by a method of removing unnecessary portions by patterning and developing with. (Sealing of front panel plate and back panel plate) Either one or both of the front panel plate 10 and the back panel plate 20 thus produced are coated with glass for sealing (glass frit), and calcined to seal. A glass layer is formed, and the display electrodes 12 of the front panel plate 10 and the address electrodes 22 of the rear panel plate 20 are laminated so as to face each other at right angles.
Sealing is performed by heating 0 and 30 to soften the sealing glass layer.
【0037】そして、付着したパネル板の内部空間から
排気しながらパネルを焼成することによって、この内部
空間からガスを抜く。そして、この内部空間を高真空
(1.1×10-4Pa(8×10-7Torr))に排気
した後、放電ガスを封入することによってPDPが作製
される。
(表示電極12・アドレス電極22の特徴及びその製造
方法について)表示電極12は、上記のように、透明電
極膜の上に、バス電極として細幅の銀電極膜を積層させ
た電極、または銀電極膜だけで構成されるが、この銀電
極膜に特徴がある。Then, the gas is released from this internal space by firing the panel while exhausting the internal space of the attached panel plate. Then, this internal space is evacuated to a high vacuum (1.1 × 10 −4 Pa (8 × 10 −7 Torr)), and then a discharge gas is filled in to produce a PDP. (Characteristics of Display Electrode 12 and Address Electrode 22 and Manufacturing Method Thereof) The display electrode 12 is, as described above, an electrode in which a thin silver electrode film is laminated as a bus electrode on a transparent electrode film, or silver. Although it is composed of only an electrode film, this silver electrode film is characterized.
【0038】即ち、従来の一般的な銀電極は、Ag粒子
とガラス成分との混合物が焼成されたものが一般的であ
るが、本実施の形態の銀電極膜は、次の(1),(2)
いずれかの特徴を持っている。
(1)Agを主体とし、遷移金属(銅(Cu)、コバル
ト(Co)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、マン
ガン(Mn)、鉄(Fe)の中の1種以上を含む。)を
含むAg合金で形成された銀電極膜である。That is, a conventional general silver electrode is generally one in which a mixture of Ag particles and a glass component is fired, but the silver electrode film of the present embodiment has the following (1), (2)
Has any of the characteristics. (1) Mainly composed of Ag, and a transition metal (including at least one of copper (Cu), cobalt (Co), nickel (Ni), chromium (Cr), manganese (Mn), and iron (Fe)). It is a silver electrode film formed of an Ag alloy containing.
【0039】このようなAg合金からなる銀電極膜は、
薄膜形成法で形成することもできるし、厚膜形成法でも
形成することができる。薄膜形成法で形成する場合、上
記Ag合金を薄膜形成法(スパッタ法)で製膜し、フォ
トリソグラフィー法でストライプ状にパターニングする
ことによって形成することができる。The silver electrode film made of such an Ag alloy is
It can be formed by a thin film forming method or a thick film forming method. When the thin film is formed by the thin film forming method, it can be formed by forming the Ag alloy by the thin film forming method (sputtering method) and patterning it in a stripe shape by the photolithography method.
【0040】図4は、このAg合金からなる銀電極膜を
形成する方法を説明する図である。前面ガラス基板11
の全面上に、Agと遷移金属との合金(例えばAg−C
u合金)をターゲットとして用い、スパッタリング法に
よってAg合金からなる銀電極膜を形成する(図4
(a),(b))。その後、銀電極膜の全面上に、フォ
トレジストを塗布し(図4(c))、電極を形成しよう
とする領域をパターンマスクで覆って露光する(図4
(d))。そして、これを現像することによって、露光
された部分のフォトレジストを除去する。この状態で、
銀電極膜をエッチングすることによって、前面ガラス基
板11上にストライプ状の銀電極膜が形成される。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a silver electrode film made of this Ag alloy. Front glass substrate 11
An alloy of Ag and a transition metal (for example, Ag-C
u alloy) is used as a target to form a silver electrode film made of Ag alloy by the sputtering method (FIG. 4).
(a), (b)). After that, a photoresist is applied on the entire surface of the silver electrode film (FIG. 4C), and a region where an electrode is to be formed is covered with a pattern mask and exposed (FIG. 4C).
(d)). Then, by developing this, the photoresist in the exposed portion is removed. In this state,
By etching the silver electrode film, a striped silver electrode film is formed on the front glass substrate 11.
【0041】以上のようにして、Ag合金の緻密な薄膜
からなる銀電極が形成される。次に、Ag合金からなる
銀電極膜を厚膜形成法で形成する場合について、図5,
図6を参照しながら説明する。図5に示すように、Ag
と遷移金属との合金からなる粒子(例えばAg−Cu合
金粒子)とガラスフリットと感光性樹脂などが混合され
た感光性銀ペースト(もしくは感光性銀フィルム)を、
前面ガラス基板11上に全面塗布し(図5(b))、上
記(1)で説明したフォトリソグラフィー法(もしくは
リフトオフ法)でストライプ状にパターニングして(図
5(c))、銀電極前駆体を形成する(図5(d))。
そして、この銀電極前駆体を焼成することによって銀電
極を形成する(図5(e))。As described above, the silver electrode composed of a dense thin film of Ag alloy is formed. Next, FIG. 5 shows a case where the silver electrode film made of Ag alloy is formed by the thick film forming method.
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG.
A photosensitive silver paste (or a photosensitive silver film) obtained by mixing particles (for example, Ag-Cu alloy particles) made of an alloy of a transition metal with a glass frit and a photosensitive resin,
The entire surface is coated on the front glass substrate 11 (FIG. 5B), and is patterned into stripes by the photolithography method (or lift-off method) described in (1) above (FIG. 5C). A body is formed (FIG. 5 (d)).
Then, a silver electrode is formed by firing this silver electrode precursor (FIG. 5E).
【0042】或は、図6に示すように、Ag合金粒子と
ガラスフリットとを含む印刷用銀ペーストを、スクリー
ン印刷法によってストライプ状に塗布して(図6
(b))、電極前駆体を形成する(図6(c))。そし
て、この銀電極前駆体を焼成することによって銀電極を
形成する(図6(d))。このように厚膜形成法で形成
された銀電極は、図7(a)に示すようにAg合金粒子
がガラスフリットによって焼結された構成となってい
る。
(2)銀粒子が、遷移金属の酸化物(酸化銅(Cu
O)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ニッケル(Ni
O)、酸化マンガン(Mn2O3)、酸化コバルト(Co
2O3)、酸化鉄(Fe2O3)の中の1種以上を含む。)
を含有するガラスで焼結されてなる銀電極膜である。Alternatively, as shown in FIG. 6, Ag alloy particles and
Screen printing silver paste, including glass frit
It is applied in a stripe pattern by the printing method (Fig. 6).
(B)), An electrode precursor is formed (FIG.6 (c)). That
By firing this silver electrode precursor.
Formed (FIG. 6D). Formed by thick film formation method
As shown in FIG. 7 (a), the formed silver electrode is made of Ag alloy particles.
Is sintered with glass frit
It
(2) Silver particles are oxides of transition metals (copper oxide (Cu
O), chromium oxide (Cr2O3), Nickel oxide (Ni
O), manganese oxide (Mn2O3), Cobalt oxide (Co
2O3), Iron oxide (Fe2O3). )
It is a silver electrode film obtained by sintering with a glass containing.
【0043】このような銀電極膜は、Ag粒子と、遷移
金属の酸化物を添加したガラスフリットとを含む銀ペー
スト或は銀フィルムを用いて、上記(1)の図5,図6
で説明したのと同様の厚膜形成法によって形成すること
ができる。ここで、遷移金属の酸化物をガラスフリット
に添加する形態としては、ガラスフリットの組成に遷移
金属の酸化物を含有させておいてもよいし、ガラスフリ
ット粉末に遷移金属の酸化物粉末を混合添加してもよ
い。For such a silver electrode film, a silver paste or a silver film containing Ag particles and a glass frit added with an oxide of a transition metal is used, and the silver electrode film shown in FIG.
It can be formed by a thick film forming method similar to that described above. Here, as a form of adding the transition metal oxide to the glass frit, the composition of the glass frit may contain the transition metal oxide, or the glass frit powder may be mixed with the transition metal oxide powder. You may add.
【0044】何れの場合も、焼結後の銀電極は、図7
(b)に示すようにAg粒子が、遷移金属の酸化物を含
有するガラスフリットによって焼結された構成となって
いる。透明電極膜上に銀電極膜を積層させた積層型電極
を形成する場合は、透明電極膜を形成した後に、上記い
ずれかの方法で銀電極を形成すればよい。以上のような
表示電極12上に透明誘電体層13を形成すると両者は
緻密に結合する。In each case, the silver electrode after sintering was as shown in FIG.
As shown in (b), the Ag particles are sintered by a glass frit containing a transition metal oxide. When forming a laminated electrode in which a silver electrode film is laminated on a transparent electrode film, the silver electrode may be formed by any of the above methods after forming the transparent electrode film. When the transparent dielectric layer 13 is formed on the display electrode 12 as described above, the two are closely coupled.
【0045】なお、アドレス電極22についても、表示
電極12と同様、上記(1)又は(2)の特徴を有す
る。
(本実施形態の効果について)従来の銀電極を配したP
DPと比べると、本実施形態のPDPではパネルの黄変
が抑えられる。As with the display electrode 12, the address electrode 22 also has the characteristics (1) or (2). (Effect of this embodiment) P with a conventional silver electrode
Compared with DP, the PDP of this embodiment suppresses yellowing of the panel.
【0046】その理由として、先ず、従来の銀電極にお
いては、図3(II)に示したように、電極あるいは誘電
体層を焼成する時にAgイオンがガラス基板中あるいは
誘電体層中に拡散しやすいが、本実施形態のように、銀
電極中に、遷移金属であるCu、Cr、Co、Ni、M
n、Fe或はこれら遷移金属の酸化物が含まれている
と、これらの遷移金属がAgイオンの拡散を抑制する点
が挙げられる。The reason is that, in the conventional silver electrode, as shown in FIG. 3 (II), Ag ions diffuse into the glass substrate or the dielectric layer when firing the electrode or the dielectric layer. Although it is easy, as in the present embodiment, Cu, Cr, Co, Ni and M which are transition metals are contained in the silver electrode.
When n, Fe or oxides of these transition metals are contained, these transition metals suppress the diffusion of Ag ions.
【0047】次に、これらの遷移金属や遷移金属酸化物
は、ガラスを緑〜青色に着色させる性質を有するが、こ
の緑〜青色は黄色に対して補色の関係にあるので、Ag
コロイドによる黄変を打ち消す働き(即ち、L*a*b*
表色系による色差のb値を、マイナス方向にシフトさせ
る働き)がある点も挙げられる。Ag合金中における遷
移金属の含有量は、黄変抑制効果を十分得るために、5
重量%以上とすることが好ましく、ガラスフリットにお
ける遷移金属酸化物の含有量についても5重量%以上と
することが好ましい。Next, these transition metals and transition metal oxides have the property of coloring glass from green to blue, but since this green to blue has a complementary color relationship with yellow, Ag
Ability to counteract yellowing due to colloids (ie L * a * b *
It also has a function of shifting the b value of the color difference due to the color system in the negative direction). The content of the transition metal in the Ag alloy is 5 in order to obtain a sufficient yellowing suppression effect.
The content of the transition metal oxide in the glass frit is preferably 5% by weight or more.
【0048】ただし、Ag合金中における遷移金属成分
の割合は、多くなりすぎると、銀電極の抵抗値が高くな
りやすく、従って、銀電極の導電性確保する上で20重
量%以下に抑えることが望ましい。また、遷移金属成分
の割合が多くなると、遷移金属による着色でパネルの光
透過率が低下しやすい点でも、20重量%以下に抑える
ことが望ましい。However, if the proportion of the transition metal component in the Ag alloy is too large, the resistance value of the silver electrode tends to be high, and therefore, in order to secure the conductivity of the silver electrode, it can be suppressed to 20% by weight or less. desirable. Further, from the viewpoint that when the proportion of the transition metal component increases, the light transmittance of the panel tends to decrease due to the coloring by the transition metal, it is desirable to suppress it to 20% by weight or less.
【0049】一方、ガラスフリットに含まれる遷移金属
酸化物の量についても、多すぎると遷移金属による着色
でパネルの光透過率が低下しやすいため、20重量%以
下に抑えることが望ましい。また、本実施形態によれ
ば、添加する遷移金属或は遷移金属酸化物としては、上
で列挙した数種の金属及び数種の遷移金属酸化物の中か
ら、PDPの製造条件や材料の入手しやすさなどを考慮
して、適当なものを選択すればよい。従って、この点で
も実用的価値が高い。On the other hand, when the amount of the transition metal oxide contained in the glass frit is too large, the light transmittance of the panel is apt to decrease due to the coloring by the transition metal, so that it is desirable to keep it to 20% by weight or less. Further, according to the present embodiment, as the transition metal or transition metal oxide to be added, PDP production conditions and materials can be obtained from among the several metals and several transition metal oxides listed above. An appropriate one may be selected in consideration of ease of use. Therefore, also in this respect, the practical value is high.
【0050】〔実施例1〕[Example 1]
【0051】[0051]
【表1】 [Table 1]
【0052】[0052]
【表2】 [Table 2]
【0053】[0053]
【表3】 [Table 3]
【0054】[0054]
【表4】 [Table 4]
【0055】表1に示すNo.1〜12のPDPは、表
示電極(第1電極)及びアドレス電極(第2電極)を形
成する際に、Agと遷移金属(Cu、Co、Ni、C
r、Mn、Fe)とを含むAg合金を用いスパッタ法と
フォトリソグラフィー法により銀電極を形成した実施例
である。表2に示すNo.14〜25、表3に示すN
o.27〜38、表4に示すNo.40〜51のPDP
は、PbO−B2O3−SiO2からなるガラスフリット
中に遷移金属の酸化物(CuO、CoO、NiO、Cr
2O3、MnO、Fe2O3)を添加したAgペーストを用
いて表示電極(第1電極)及びアドレス電極(第2電
極)を形成した実施例である。No. shown in Table 1 The PDPs 1 to 12 have Ag and transition metals (Cu, Co, Ni, C) when forming the display electrode (first electrode) and the address electrode (second electrode).
This is an example in which a silver electrode is formed by a sputtering method and a photolithography method using an Ag alloy containing r, Mn, Fe). No. shown in Table 2 14 to 25, N shown in Table 3
o. Nos. 27 to 38 and Nos. 40-51 PDP
The oxide of the transition metals in the glass frit consisting of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 (CuO, CoO, NiO, Cr
This is an example in which a display electrode (first electrode) and an address electrode (second electrode) are formed by using an Ag paste to which 2 O 3 , MnO, Fe 2 O 3 ) is added.
【0056】この中で、表2のNo.14〜25は、感
光性銀ペースト〔Ag粒子と、PbO−B2O3−SiO
2−MO(ただし、MOは遷移金属の酸化物から成る)
ガラスフリットと、感光有機成分(感光性モノマー、感
光性ポリマーと光重合開始剤、増感剤および有機溶剤か
らなる)とを含む。〕を用い、フォトリソグラフィー法
でパターニングし、550℃で焼成することによって銀
電極を形成したものである。Among these, No. 2 in Table 2 was used. 14-25 includes a photosensitive silver paste [Ag particles, PbO-B 2 O 3 -SiO
2- MO (where MO is an oxide of a transition metal)
It contains a glass frit and a photosensitive organic component (consisting of a photosensitive monomer, a photosensitive polymer, a photopolymerization initiator, a sensitizer and an organic solvent). ], And the silver electrode was formed by patterning by the photolithography method and baking at 550 degreeC.
【0057】また、表3のNo.27〜38では、印刷
用Agペースト〔Ag粒子と、Bi 2O3−B2O3−Si
O2−MO(ただしMOは遷移金属の酸化物)から成る
ガラスフリットと、有機ビヒクル(エチルセルロースと
ブチルカルビトールアセテートおよびターピネオールか
ら成る)とを含む。〕を、スクリーン印刷法によって塗
布し、550℃で焼成することによって銀電極を形成し
たものである。Further, in Table 3, No. In 27-38, print
Ag paste [Ag particles and Bi 2O3-B2O3-Si
O2-MO (where MO is a transition metal oxide)
Glass frit and organic vehicle (ethyl cellulose
Butyl carbitol acetate and terpineol
Consisting of) and. ] By the screen printing method
Fabricate and fire at 550 ° C to form silver electrodes
It is a thing.
【0058】また、表4のNo.40〜51では、酸化
インジウム−酸化スズ(ITO)膜をスパッタリ法で成
膜し、その後、フォトリソグラフィー法にてパターニン
グすることによって太幅のITO透明電極を形成し、そ
の透明電極上に、感光性銀ペーストを塗布し、フォトリ
ソ法でパターニングして550℃で焼成することによっ
て銀電極を形成することによって表示電極(第1電極)
を形成したものである。Further, in Table 4, No. In Nos. 40 to 51, an indium oxide-tin oxide (ITO) film was formed by a sputtering method, and then patterned by a photolithography method to form a wide ITO transparent electrode, and a photosensitive ITO was formed on the transparent electrode. Display electrode (first electrode) by applying a conductive silver paste, patterning by photolithography, and baking at 550 ° C. to form a silver electrode
Is formed.
【0059】これらのPDPはいずれも、以下の仕様で
作製した。セルサイズは、42インチのVGA用のディ
スプレイに合わせて、隔壁30の高さは0.15mm、
隔壁30の間隔(セルピッチ)は0.36mmに設定し
た。表示電極対の電極間距離dは0.10mm、銀電極
の幅を100μmに設定した。透明電極を形成する場合
は、その巾を150μmに設定した。Each of these PDPs was manufactured with the following specifications. The cell size is 42 inches, and the height of the partition wall 30 is 0.15 mm according to the VGA display.
The interval (cell pitch) between the partition walls 30 was set to 0.36 mm. The distance d between the display electrode pairs was set to 0.10 mm, and the width of the silver electrode was set to 100 μm. When forming a transparent electrode, its width was set to 150 μm.
【0060】また、放電ガスとしては、Xeの含有量が
5体積%のNe−Xe系混合ガスを、封入圧80000
Pa(600Torr)で封入した。透明誘電体層13
は、日本電気硝子(株)製 PLS−3244(PbO
−B 2O3−SiO3−CaO系ガラス)を、ダイコート
法またはスクリーン印刷法で塗布し焼成することによっ
て形成し、その膜厚は30μm〜40μmとした。Further, as the discharge gas, the content of Xe is
5% by volume of Ne-Xe mixed gas was introduced at a filling pressure of 80,000.
It was sealed with Pa (600 Torr). Transparent dielectric layer 13
PLS-3244 (PbO manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.)
-B 2O3-SiO3-CaO-based glass)
Method or screen printing method
The thickness was 30 μm to 40 μm.
【0061】MgO保護層14は、スパッタ法により形
成し、厚みは1.0μmとした。背面パネル側の白色誘
電体層23は、透明誘電体層13と同様のガラスに酸化
チタン(TiO2)を添加したものを、ダイコート法で
塗布し焼成することによって形成した。No.13、2
6、39、52のPDPは、比較例にかかるものであ
り、Ag粒子及びガラスフリットのいずれにも遷移金属
が含まれないが、他の作成条件については上記の試料N
o1〜12、14〜25、27〜38、40〜51と同
じである。The MgO protective layer 14 was formed by the sputtering method and had a thickness of 1.0 μm. The white dielectric layer 23 on the back panel side was formed by applying the same glass as the transparent dielectric layer 13 to which titanium oxide (TiO 2 ) was added by the die coating method and baking. No. 13, 2
The PDPs Nos. 6, 39, and 52 are according to the comparative example, and neither transition metal is contained in the Ag particles nor the glass frit.
It is the same as o1-12, 14-25, 27-38, 40-51.
【0062】〔実験1〕上記No.1〜52のPDPを
作成する途中の前面パネル板10について、色差計〔日
本電色工業(株)品番NF777〕を用いて、a値及び
b値〔JISZ8730色差表示方法〕を測定した。こ
のa値及びb値は、前面パネル板10の着色度合や着色
傾向を示す指標となり、a値が+方向に大きくなるほど
赤色が強くなり、−方向に大きくなるほど緑色が強くな
る。一方、b値は+方向に大きくなるほど黄色が強くな
り、−方向に大きくなるほど青色が強くなる。[Experiment 1] The a value and the b value [JIS Z8730 color difference display method] were measured using a color difference meter [Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. product number NF777] for the front panel plate 10 in the process of producing PDPs 1 to 52. The a value and the b value serve as indicators of the degree of coloring and the coloring tendency of the front panel 10, and the larger the a value in the + direction, the stronger the red color, and the larger the a value, the stronger the green color. On the other hand, as the b value increases in the + direction, yellow becomes stronger, and as it increases in the − direction, blue becomes stronger.
【0063】そして、a値が−5〜+5の範囲、b値が
−5〜+5の範囲であれば、肉眼でもガラス基板の着色
(黄変)はほとんど見られないが、b値が10をこえる
と黄変が目立って来る。また、上記No.1〜52のP
DPについて、画面全白表示時の色温度を、マルチチャ
ンネル分光計〔大塚電子(株)MCPD−7000〕で
測定した。When the a value is in the range of -5 to +5 and the b value is in the range of -5 to +5, almost no coloring (yellowing) of the glass substrate is seen by the naked eye, but the b value is 10. If it exceeds, yellowing will be noticeable. In addition, the above No. 1 to 52 P
Regarding DP, the color temperature at the time of displaying all white on the screen was measured with a multi-channel spectrometer [MCPD-7000, Otsuka Electronics Co., Ltd.].
【0064】上記表1〜表4には、これらの実験結果が
記載されている。
(考察)比較例の試料No.13、26、39、52で
は、b値が+14〜+16.2であって、かなり黄変し
ていることがわかるのに対して、実施例の試料No.1
〜12、14〜25、27〜38、40〜51では、b
値が0〜+4.5と低い値になっており、黄変色の少な
い優れたPDPであることがわかる。Tables 1 to 4 above show the results of these experiments. (Discussion) Sample No. of the comparative example. In Sample Nos. 13, 26, 39, and 52, the b value is +14 to +16.2, which indicates that the yellowing has occurred considerably. 1
-12, 14-25, 27-38, 40-51, b
The value is as low as 0 to +4.5, which shows that it is an excellent PDP with little yellowing.
【0065】又、比較例のPDPでは、色温度の値が6
290〜6500°Kであるのに対して、実施例のPD
Pでは、色温度が8300〜9200°Kと高い。これ
は、実施例のPDPは、比較例のPDPと比べて色再現
性が良く、鮮やかな表示ができることを示している。な
お、透明誘電体層を形成するガラスについては、上記P
bO系以外にBi2O3系やZnO系の誘電体ガラスを用
いた場合においても同様の結果が得られた。In the PDP of the comparative example, the color temperature value is 6
290 to 6500 ° K, while the PD of the example
In P, the color temperature is as high as 8300 to 9200 ° K. This indicates that the PDP of the example has better color reproducibility and vivid display than the PDP of the comparative example. For the glass forming the transparent dielectric layer, see P.
Similar results were obtained when Bi2O3 or ZnO dielectric glass was used in addition to bO.
【0066】〔実施の形態2〕本実施形態は、上記実施
の形態1と同様であるが、銀電極に添加されている金属
の種類が異なっており、白金族金属またはReあるいは
これら金属の酸化物が添加されている。即ち、本実施の
形態において、表示電極12及びアドレス電極に用いら
れている銀電極膜は、(1)Agを主体とし、金属(ル
テニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、イリジウム(I
r)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)の中の1
種以上を含む。)を含むAg合金で形成された銀電極膜
であるか、又は(2)Ag粒子が、金属酸化物(酸化ル
テニウム(RuO2)、酸化ロジウム(RhO)、酸化
イリジウム(IrO2)、酸化オスミウム(OsO2)、
酸化レニウム(ReO2)あるいは酸化パラジウム(P
dO)のいずれか1種以上を含む。)を含有するガラス
で焼結されてなる銀電極膜である。[Embodiment 2] This embodiment is the same as Embodiment 1 above, except that the type of metal added to the silver electrode is different, and platinum group metal or Re or oxidation of these metals is used. Things have been added. That is, in the present embodiment, the silver electrode film used for the display electrode 12 and the address electrode is mainly composed of (1) Ag and contains a metal (ruthenium (Ru), rhodium (Rh), iridium (I).
r), osmium (Os), 1 of rhenium (Re)
Including more than one species. ) Or a silver electrode film formed of an Ag alloy, or (2) Ag particles are metal oxides (ruthenium oxide (RuO 2 ), rhodium oxide (RhO), iridium oxide (IrO 2 ), osmium oxide). (OsO 2 ),
Rhenium oxide (ReO 2 ) or palladium oxide (P
dO) is included. ) Is a silver electrode film obtained by sintering with a glass containing.
【0067】このような銀電極の作製方法については、
(1)の場合は薄膜形成法、厚膜形成法のいずれでも形
成することができ、(2)の場合は、厚膜形成法で形成
することができる。その詳細は、実施の形態1で説明し
たのと同様である。このように、銀電極に、金属(R
u、Rh、Ir、Os、Reの中の1種以上を含
む。)、或は金属酸化物(RuO2、RhO、IrO2、
OsO2、ReO2、PdOの1種以上を含む。)が添加
されていると、パネルの黄変が抑制される。その理由
は、上記の金属(主に白金族)或はこれら金属の酸化物
によるピンニング効果によって、電極焼成時あるいは誘
電体層焼成時に、Agイオンがガラス基板中あるいは誘
電体層中に拡散されにくくなると共に、Agイオンが還
元されにくくなり(即ち、図3のII,IIIステップの進
行が抑制される。)、それによって、Agコロイド粒子
の成長が抑制され、黄変が防止されると考えられる。Regarding the method for producing such a silver electrode,
In the case of (1), it can be formed by either a thin film forming method or a thick film forming method, and in the case of (2), it can be formed by a thick film forming method. The details are the same as those described in the first embodiment. In this way, the metal (R
It includes at least one of u, Rh, Ir, Os and Re. ), Or a metal oxide (RuO 2 , RhO, IrO 2 ,
At least one of OsO 2 , ReO 2 , and PdO is included. ) Is added, the yellowing of the panel is suppressed. The reason is that Ag ions are less likely to diffuse into the glass substrate or the dielectric layer during electrode firing or dielectric layer firing due to the pinning effect of the above-mentioned metals (mainly platinum group) or oxides of these metals. At the same time, Ag ions are less likely to be reduced (that is, the progress of Steps II and III in FIG. 3 is suppressed), which suppresses the growth of Ag colloidal particles and prevents yellowing. .
【0068】Ag合金中における金属(Ru、Rh、I
r、Os、Re)の含有量、並びにガラスフリットにお
ける金属酸化物の含有量については、実施の形態1の場
合と同様の理由で、5重量%以上とすることが好まし
く、20重量%以下に抑えることが望ましい。また、本
実施形態によれば、Agに添加する金属或は金属酸化物
としては、上で列挙した数種の金属及び数種の金属酸化
物の中から、PDPの製造条件や材料の入手しやすさな
どを考慮して、適当なものを選択すればよい。従って、
この点でも実用的価値が高い。Metals (Ru, Rh, I in Ag alloy)
The content of r, Os, Re) and the content of the metal oxide in the glass frit are preferably 5% by weight or more and 20% by weight or less for the same reason as in the first embodiment. It is desirable to suppress it. Further, according to the present embodiment, as the metal or metal oxide to be added to Ag, the production conditions and materials of PDP are available from the several metals and the several metal oxides listed above. An appropriate one may be selected in consideration of ease and the like. Therefore,
Also in this respect, the practical value is high.
【0069】(銀電極前駆体と誘電体前駆体層との同時
焼成について)厚膜形成法で銀電極膜を形成する場合、
以下に説明するように、銀電極前駆体と誘電体前駆体層
とを同時焼成すれば、更なる黄変抑制効果を得ることが
できる。図8は、銀電極前駆体及び誘電体前駆体層の同
時焼成法を説明する工程図である。(Regarding Simultaneous Firing of Silver Electrode Precursor and Dielectric Precursor Layer) When a silver electrode film is formed by a thick film forming method,
As described below, when the silver electrode precursor and the dielectric precursor layer are co-fired, a further yellowing suppression effect can be obtained. FIG. 8 is a process diagram illustrating a simultaneous firing method for a silver electrode precursor and a dielectric precursor layer.
【0070】第1工程:銀電極前駆体形成工程
前面ガラス基板11に対し、Agペーストまたは銀電極
フィルムを用いて、図8(a)に示すように、ストライ
プ状の銀電極前駆体120a,120bを形成する。使
用する銀電極ペーストに含まれる有機バインダとして
は、エチルセルロースなどのセルロース化合物やメチル
メタクリレートなどのアクリル重合体などが好ましい
が、これに限定するものではない。Step 1: Silver electrode precursor forming step Stripe silver electrode precursors 120a, 120b are formed on the front glass substrate 11 by using Ag paste or silver electrode film, as shown in FIG. 8 (a). To form. The organic binder contained in the silver electrode paste to be used is preferably a cellulose compound such as ethyl cellulose or an acrylic polymer such as methyl methacrylate, but is not limited thereto.
【0071】Agペーストを用いる場合は、スクリーン
印刷法を用いて、電極パターン形状に塗布し乾燥しても
よいし、スクリーン印刷法やダイコート法などを用いて
ベタで塗布し乾燥した後、フォトリソグラフィー法(或
はリフトオフ法)でパターニングを行っても良い。一
方、銀電極フィルムは、上記Agペーストと同様の成分
を、例えばブレード法を用いてフィルム状に加工したも
のである。この銀電極フィルムを用いる場合は、ベタで
塗布した後、フォトリソグラフィー法(或はリフトオフ
法)によってパターニングを行っても良い。When the Ag paste is used, it may be applied to the electrode pattern shape by screen printing and then dried, or it may be solidly applied and dried by screen printing or die coating, followed by photolithography. The patterning may be performed by a method (or lift-off method). On the other hand, the silver electrode film is obtained by processing the same components as the above Ag paste into a film by using, for example, a blade method. When this silver electrode film is used, it may be applied by solid coating and then patterned by a photolithography method (or a lift-off method).
【0072】第2工程:誘電体前駆体層形成工程
上記のように電極パターン形状に形成された銀電極前駆
体120を覆うように、誘電体前駆体層130を形成す
る(図8(b))。この誘電体前駆体層130は、ガラ
スと有機バインダーを必須成分とし、溶剤を加えた誘電
体ペーストを、スクリーン印刷法あるいはダイコート法
を用いて塗布し乾燥することにより形成する。また、上
記必須成分をフィルム状に加工した誘電体フィルムを、
ラミネート法で貼付することによっても形成することが
できる。Second Step: Dielectric Precursor Layer Forming Step A dielectric precursor layer 130 is formed so as to cover the silver electrode precursor 120 formed in the electrode pattern shape as described above (FIG. 8B). ). The dielectric precursor layer 130 is formed by applying a solvent and a dielectric paste containing glass and an organic binder as essential components, using a screen printing method or a die coating method, and drying. In addition, a dielectric film obtained by processing the above essential components into a film,
It can also be formed by sticking by a laminating method.
【0073】第3工程:樹脂分解工程
焼成炉中で、銀電極前駆体120a,120b及び誘電
体前駆体層130に含まれる樹脂が分解する温度まで昇
温して樹脂を焼失させる。好ましくは、樹脂の分解開始
温度以上で、昇温速度を遅くしたり昇温を停止したりす
ることによって、誘電体前駆体層130中の樹脂を完全
に分解する(図8(c))。Third Step: Resin Decomposition Step In the baking furnace, the resin contained in the silver electrode precursors 120a and 120b and the dielectric precursor layer 130 is heated to a temperature at which it decomposes to burn off the resin. Preferably, the resin in the dielectric precursor layer 130 is completely decomposed by slowing the temperature rising rate or stopping the temperature rising above the decomposition start temperature of the resin (FIG. 8C).
【0074】また、この工程において、酸化を促進させ
るために、酸素などの酸化性ガスを供給したり、金属な
どの酸化を防ぐために、水素などの還元性ガスを供給し
てもよい。また、より安価に酸化を促進させるために、
乾燥空気を供給したり、加熱雰囲気を減圧することによ
って、樹脂の酸化に伴って発生するガスを速やかに系外
に除去するようにしてもよい。In this step, an oxidizing gas such as oxygen may be supplied to accelerate the oxidation, or a reducing gas such as hydrogen may be supplied to prevent the oxidation of the metal. In addition, in order to promote oxidation at a lower cost,
By supplying dry air or reducing the pressure of the heating atmosphere, the gas generated by the oxidation of the resin may be promptly removed to the outside of the system.
【0075】第4工程:焼成工程
前記熱処理工程に続いて、さらに昇温を行うことによっ
て、銀電極前駆体120a,120bに含まれるガラス
成分、及び誘電体前駆体層130に含まれるガラス成分
を軟化させる。そして、これらガラス成分軟化点以上の
温度で数分から数10分放置することによって焼結させ
る。Fourth Step: Firing Step The glass component contained in the silver electrode precursors 120a and 120b and the glass component contained in the dielectric precursor layer 130 are further heated after the heat treatment step. Soften. Then, the glass component is left to stand for several minutes to several tens of minutes at a temperature equal to or higher than the softening point of the glass component to be sintered.
【0076】焼成工程終了後に、降温することによっ
て、電極12a,12b及び透明誘電体層13が形成さ
れる(図8(d))。
(銀電極前駆体と誘電体前駆体層との同時焼成による効
果)従来、一般的にガラス基板上に銀電極を形成する場
合、ガラス基板上に銀電極前駆体を形成した後、これを
焼成するが、この場合、銀電極前駆体が被覆されていな
い状態で焼成されるので、Agイオンがガラス基板上に
拡散しやすい。After the firing process is completed, the temperature is lowered to form the electrodes 12a and 12b and the transparent dielectric layer 13 (FIG. 8 (d)). (Effect of Simultaneous Firing of Silver Electrode Precursor and Dielectric Precursor Layer) Conventionally, when a silver electrode is generally formed on a glass substrate, after the silver electrode precursor is formed on the glass substrate, it is fired. However, in this case, since the silver electrode precursor is baked in a state where it is not coated, Ag ions are likely to diffuse onto the glass substrate.
【0077】そして、ガラス基板上には、スズなどの還
元性物質が存在するため、拡散したAgイオンが銀に還
元され、Agコロイドが生成して黄色に着色しやすい。
これに対し、上記のように銀電極前駆体と誘電体前駆体
層とを同時に焼成すれば、銀電極前駆体を焼成する時に
は、誘電体前駆体層によって被覆された状態になってい
るため、ガラス基板上に拡散されるAgイオンは少なく
なる。Since a reducing substance such as tin is present on the glass substrate, the diffused Ag ions are reduced to silver, Ag colloids are easily generated, and yellowing is likely to occur.
On the other hand, if the silver electrode precursor and the dielectric precursor layer are fired at the same time as described above, when the silver electrode precursor is fired, it is in a state of being covered with the dielectric precursor layer, Fewer Ag ions are diffused on the glass substrate.
【0078】ここで、誘電体前駆体層中にもAgイオン
は拡散されるが、ガラス基板上と比較して、誘電体前駆
体層中には還元性物質は少ないため、Agイオンは還元
されにくい。よって、銀電極前駆体と誘電体前駆体層と
を同時焼成すれば、全体的にはAgコロイドの生成が抑
制され、黄変が抑制されることになる。Here, Ag ions are also diffused in the dielectric precursor layer, but since there are less reducing substances in the dielectric precursor layer than on the glass substrate, the Ag ions are reduced. Hateful. Therefore, if the silver electrode precursor and the dielectric precursor layer are co-fired, the production of Ag colloid is suppressed and yellowing is suppressed as a whole.
【0079】〔実施例2〕[Example 2]
【0080】[0080]
【表5】 [Table 5]
【0081】[0081]
【表6】 [Table 6]
【0082】表5に示した試料No.61〜No.72
のPDPは、上記実施の形態2に基づいて、Agと金属
(Ru、Rh、Ir、Os、Pd、Reの少なくとも1
種を含む。)とを含むAg合金を用いて、表示電極(第
1電極)・アドレス電極(第2電極)を形成した実施例
である。但し、試料No.66は、Ag−Pd合金粉末
を用いた参考例である。Sample No. shown in Table 5 61-No. 72
The PDP of the present invention is based on the above-described second embodiment, and at least one of Ag and metal (Ru, Rh, Ir, Os, Pd, Re is used.
Including seeds. ) Is used to form the display electrode (first electrode) and the address electrode (second electrode). However, the sample No. 66 is a reference example using Ag-Pd alloy powder.
【0083】試料No.61〜No.72における前面
パネル板の製造方法は次の通りである。Ag合金粉末
と、エチルセルロース、ブチルカルビトールアセテート
及びターピネオールを主成分とする有機ビヒクル、Bi
2O3−B2O3−SiO2を主成分とするガラスフリット
とを、所定の重量比にて混練し、スクリーン印刷法によ
って電極前駆体をパターン形成した。Sample No. 61-No. The method of manufacturing the front panel plate at 72 is as follows. Ag alloy powder and an organic vehicle containing ethyl cellulose, butyl carbitol acetate and terpineol as main components, Bi
A glass frit containing 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 as a main component was kneaded at a predetermined weight ratio, and an electrode precursor was patterned by a screen printing method.
【0084】そして、上記電極前駆体を被覆するよう
に、誘電体用ガラスペースト(表5に示すように、Pb
O−B2O3−SiO2−CaO系ガラス、Bi2O3−Z
nO−SiO2系ガラスまたはZnO−B2O3−SiO2
−K2O系ガラス)を、印刷法で約30μmの厚みに形
成した。そして、電極前駆体及び誘電体前駆体層を59
0℃で加熱、焼成することによって、前面パネル板を作
製した。Then, a glass paste for a dielectric material (Pb as shown in Table 5) was formed so as to cover the above electrode precursor.
O-B 2 O 3 -SiO 2 -CaO -based glass, Bi 2 O 3 -Z
nO-SiO 2 based glass or ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
-K 2 O based glass) was formed by a printing method to a thickness of about 30 μm. Then, the electrode precursor and the dielectric precursor layer are formed into 59 layers.
A front panel plate was produced by heating and firing at 0 ° C.
【0085】表6に示した試料No.74〜85のPD
Pは、実施の形態2に基づいて、銀電極を形成する際
に、RuO2、ReO2、IrO2、RhO、OsO2また
はPdOを含むガラスフリットを用いて、表示電極(第
1電極)・アドレス電極(第2電極)を形成した実施例
である。この試料No.74〜85では、感光性Agペ
ースト(フォトAgペースト)を用いて、フォトリソグ
ラフィー法によって銀電極を形成した。感光性Agペー
スト中のガラスフリットは、PbO−B2O3−SiO2
系、Bi2O3−B2O3−SiO2系或はP2O5−B2O3
−SiO2系のガラス粉末に、RuO2、ReO2、Ir
O2、RhO、OsO2、PdOをそれぞれ5重量%添加
したものを用い、それ以外については、上記試料No.
61〜No.72と同様にして前面パネルを作製した。Sample No. shown in Table 6 74-85 PD
P is a display electrode (first electrode) using a glass frit containing RuO 2 , ReO 2 , IrO 2 , RhO, OsO 2 or PdO when forming a silver electrode based on the second embodiment. This is an example in which an address electrode (second electrode) is formed. This sample No. In Nos. 74 to 85, a silver electrode was formed by a photolithography method using a photosensitive Ag paste (photo Ag paste). Glass frit in the photosensitive Ag paste, PbO-B 2 O 3 -SiO 2
System, Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system or P 2 O 5 -B 2 O 3
RuO 2 , ReO 2 and Ir are added to —SiO 2 glass powder.
O 2, RhO, using what OsO 2, PdO was added each 5 wt%, except for it, the sample No.
61-No. A front panel was prepared in the same manner as 72.
【0086】また、試料No.73、86は、比較例で
あって、Ag粒子にはRu,Re,Ir,Rh,Osが
含まれず、ガラスフリットにも、RuO2、ReO2、I
rO2、RhO、OsO2が含まれない例である。表5,
表6の試料No.61〜No.86において、PDPの
セルサイズや誘電体層、保護層、放電ガスについては、
上記実施例1と同様に設定した。Sample No. Nos. 73 and 86 are comparative examples, and Ag particles do not contain Ru, Re, Ir, Rh, and Os, and the glass frit also has RuO 2 , ReO 2 , and I.
In this example, rO 2 , RhO, and OsO 2 are not included. Table 5,
Sample No. of Table 6 61-No. 86, regarding the cell size of the PDP, the dielectric layer, the protective layer, and the discharge gas,
The settings were made in the same manner as in Example 1 above.
【0087】(実験2)上記No61〜86のPDPを
作成する途中の前面パネル板10について、上記実験1
と同様にして、a値及びb値を測定した。また、上記N
o61〜86のPDPについて、画面全白表示時の色温
度を測定した。実験結果は、表6に示されている。(Experiment 2) With respect to the front panel plate 10 in the process of producing the PDPs No. 61 to 86, the experiment 1
The a value and the b value were measured in the same manner as in. Also, the above N
With respect to the PDPs of o61 to 86, the color temperature was measured when the screen was displayed in all white. The experimental results are shown in Table 6.
【0088】(考察)比較例の試料No.73、86で
は、b値が10を大きく上回っており、パネルがかなり
黄変していることがわかるのに対して、実施例及び参考
例の試料No.61〜72、74〜85では、b値が0
〜+4.0と低い値になっており、黄変色の少ない優れ
たPDPであることがわかる。(Discussion) Sample No. of the comparative example. In Nos. 73 and 86, the b value is much higher than 10, indicating that the panel is considerably yellowed, whereas the sample Nos. In 61 to 72 and 74 to 85, the b value is 0.
It is a low value of up to +4.0, which shows that it is an excellent PDP with little yellowing.
【0089】また、比較例のPDPでは、色温度の値が
6500°K以下であるのに対して、実施例及び参考例
のPDPでは、色温度が8300〜9200°Kと高い
こともわかる。なお、参考例の試料No.66は、比較
例の試料No.73と比べてb値がかなり小さいが、実
施例のNo61〜65、No67〜71と比べるとb値
が若干高めであることがわかる。It can also be seen that the color temperature value of the PDP of the comparative example is 6500 ° K or less, whereas the color temperature of the PDPs of the examples and reference examples is as high as 8300 to 9200 ° K. The sample No. of the reference example. 66 is the sample No. of the comparative example. Although the b value is considerably smaller than that of No. 73, it can be seen that the b value is slightly higher than that of Nos. 61 to 65 and Nos. 67 to 71 of the examples.
【0090】〔実施の形態3〕本実施形態は、上記実施
の形態1と同様であるが、表示電極12及びアドレス電
極22を形成する際に、表面に金属あるいは金属酸化物
が被覆されたAg粒子を用いて銀電極膜を形成する点が
異なっている。ここで、表面コートする好ましい金属と
しては、パラジウム(Pb)、銅(Cu)、ニッケル
(Ni)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ロジウ
ム(Rh)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)
が挙げられ、表面コートする好ましい金属酸化物とし
て、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ニッケル(N
iO)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化コバルト
(CoO)、酸化鉄(Fe2O 3)、酸化亜鉛(Zn
O)、酸化インジウム(In2O3)、酸化銅(Cu
O)、酸化チタン(TiO2)、酸化プラセオジウム
(Pr6O11)、酸化硅素(SiO 2)が挙げられる。[Embodiment 3] This embodiment is the same as the above embodiment.
Of the display electrode 12 and the address electrode.
When forming the pole 22, a metal or metal oxide is formed on the surface.
The point that a silver electrode film is formed using Ag particles coated with
Is different. Here, the preferred metal for surface coating
Then, palladium (Pb), copper (Cu), nickel
(Ni), cobalt (Co), chromium (Cr), lodge
Mu (Rh), Iridium (Ir), Ruthenium (Ru)
As a preferred metal oxide to be surface-coated,
Aluminum oxide (Al2O3), Nickel oxide (N
iO), zirconium oxide (ZrO2), Cobalt oxide
(CoO), iron oxide (Fe2O 3), Zinc oxide (Zn
O), indium oxide (In2O3), Copper oxide (Cu
O), titanium oxide (TiO2), Praseodymium oxide
(Pr6O11), Silicon oxide (SiO 2) Is mentioned.
【0091】このような銀電極膜を形成する方法につい
て説明する。先ず、Ag粒子に、上記金属あるいは金属
酸化物を被覆する。この被覆方法として、以下のよう
に、無電解メッキ法、メカノフュージョン法、ゾ
ルゲル法の3種類が挙げられる。
無電解メッキ法:例えばAg粒子の表面にPdを付着
させる場合、塩化パラジウム(PbCl2)水溶液中に
Ag粒子を投入し、攪拌することによって、図9(a)
に示すように、Ag粒子の表面にPd粒子を付着させ
る。A method of forming such a silver electrode film will be described. First, Ag particles are coated with the above metal or metal oxide. As the coating method, there are three types of electroless plating method, mechanofusion method and sol-gel method as described below. Electroless plating method: For example, when Pd is attached to the surface of Ag particles, the Ag particles are put into an aqueous solution of palladium chloride (PbCl 2 ) and the mixture is agitated, as shown in FIG.
As shown in, Pd particles are attached to the surface of Ag particles.
【0092】Cu、Ni、Co、Cr、Rh、Ir、R
u等の金属を付着させる場合も、それらの塩化物の水溶
液を作成し、Ag粒子を投入後攪拌することによって、
Ag粒子上にこれらの金属を付着させることができる。
この場合、Cu、Ni、Co、Cr、Ir、Ru等の金
属がAg粒子へ付着する力を増加させるために、先ず塩
化パラジウム水溶液を用いてPd粒子を付着させた後
に、これらの金属を付着させるのが良い。Cu, Ni, Co, Cr, Rh, Ir, R
In the case of adhering a metal such as u, an aqueous solution of such a chloride is prepared, Ag particles are added, and the mixture is stirred.
These metals can be deposited on Ag particles.
In this case, in order to increase the force of adhesion of metals such as Cu, Ni, Co, Cr, Ir and Ru to the Ag particles, first, Pd particles are attached using an aqueous solution of palladium chloride, and then these metals are attached. It is good to let
【0093】メカノフュージョン法:金属酸化物ある
いは金属の粉末を、Ag粉末と混合し、機械エネルギー
を加えることにより、Ag粒子表面でメカノケミカル的
な反応させ、これら金属酸化物あるいは金属の粉末を、
Ag粒子上に付着させる方法である。このメカノフュー
ジョン法によれば、Ag粒子の表面に金属酸化物を付着
させて金属酸化物層を形成することもできるし、Ag粒
子の表面に金属粒子を付着させて金属層を形成すること
も可能である。Mechanofusion method: A metal oxide or a metal powder is mixed with Ag powder and mechanical energy is applied to cause a mechanochemical reaction on the surface of the Ag particles.
This is a method of adhering onto Ag particles. According to this mechanofusion method, a metal oxide can be deposited on the surface of Ag particles to form a metal oxide layer, or metal particles can be deposited on the surface of Ag particles to form a metal layer. It is possible.
【0094】具体的には、Ag粒子及び、上記の金属酸
化物の粉末(例えば平均粒径0.1μmのSiO2)を
用意する。このAg粒子は球状のものが好ましい。そし
て、メカノフュージョン装置(例えば、ホソカワミクロ
ン(株)製,メカノフュージョン装置AMS)で処理す
る。これによって、図9(b)に示すように、母粒子で
あるAg粒子の表面に、子粒子である金属酸化物が融合
し、母粒子が子粒子によって被覆される。Specifically, Ag particles and the above-mentioned metal oxide powder (for example, SiO 2 having an average particle diameter of 0.1 μm) are prepared. The Ag particles are preferably spherical. Then, it is processed by a mechanofusion device (for example, mechanofusion device AMS manufactured by Hosokawa Micron Co., Ltd.). As a result, as shown in FIG. 9B, the metal oxide, which is a child particle, fuses with the surface of the Ag particle, which is a mother particle, and the mother particle is covered with the child particle.
【0095】ゾルゲル法:Ag粒子を金属酸化物のア
ルコキシドをアルコール溶液中に投入し、これを加水分
解させることによって金属酸化物を付着させる。即ち、
Ag粉末と、金属アルコキシドM・(O・R)n、(但
し、Mは金属、Oは酸素、Rはアルキシ基、nは整数、
例えばSi(OC2H5)4)とを、アルコール溶液中に
投入して、金属アルコキシドを加水分解させることによ
って、図9(c)に示すように、Ag粒子表面上に金属
酸化物層(SiO2層)が形成される。Sol-gel method: Ag particles are charged with an alkoxide of a metal oxide in an alcohol solution, and this is hydrolyzed to attach the metal oxide. That is,
Ag powder and metal alkoxide M. (O.R) n (where M is a metal, O is oxygen, R is an alkoxy group, n is an integer,
For example, Si (OC 2 H 5 ) 4 ) is put into an alcohol solution to hydrolyze the metal alkoxide, and as shown in FIG. 9C, the metal oxide layer ( SiO 2 layer) is formed.
【0096】以上のように、Ag粒子の表面上に、金属
または金属酸化物を表面に被覆(付着)させたAg粒子
を用いて、銀電極を作製する。ここで、銀電極を作製す
る際には、実施の形態1の図5で説明したように、感光
性銀ペースト(もしくは感光性銀フィルム)を作製し
て、フォトリソグラフィー法(もしくはリフトオフ法)
を用いても良いし、実施の形態1の図6で説明したよう
に、印刷用銀ペーストを作製してスクリーン印刷法を用
いても良い。As described above, a silver electrode is prepared by using Ag particles in which a metal or a metal oxide is coated (attached) on the surface of Ag particles. Here, when the silver electrode is manufactured, a photosensitive silver paste (or a photosensitive silver film) is manufactured and the photolithography method (or lift-off method) is used, as described in FIG. 5 of the first embodiment.
Alternatively, as described in FIG. 6 of the first embodiment, a silver paste for printing may be prepared and a screen printing method may be used.
【0097】このようにして作製された銀電極は、図9
(d)に示されるように、金属或は金属酸化物層で表面
が被覆されたAg粒子が、ガラスフリットによって焼結
された構成となっている。
(本実施形態の効果について)本実施形態においては、
銀電極成形に用いるAg粒子の表面が、金属や金属酸化
物で被覆されているため、Ag粒子からAgイオンが周
囲に拡散しにくい。従って、電極を焼成する工程や誘電
体層を焼成する工程において、ガラス基板表面や誘電体
層にAgコロイドが生成するのが抑制される。The silver electrode thus produced is shown in FIG.
As shown in (d), the Ag particles whose surface is coated with a metal or metal oxide layer are sintered with a glass frit. (Effects of this Embodiment) In this embodiment,
Since the surface of the Ag particles used for forming the silver electrode is coated with a metal or a metal oxide, Ag ions are less likely to diffuse from the Ag particles to the surroundings. Therefore, in the step of firing the electrode or the step of firing the dielectric layer, generation of Ag colloid on the surface of the glass substrate or the dielectric layer is suppressed.
【0098】また、上記の金属や金属酸化物は、実施の
形態1で用いた遷移金属又は遷移金属酸化物、もしくは
実施の形態2で用いた金属又は金属酸化物と同じものな
ので、実施の形態1で説明した遷移金属(遷移金属酸化
物)の補色による黄変抑制効果及びAgイオンの拡散抑
制効果(図3のIIステップの進行抑制)、或は実施の形
態2で説明した金属(金属酸化物)によるAgイオンの
還元抑制効果(図3のIIIステップの進行抑制)を奏す
る。更に、本実施形態においては、これらの金属や金属
酸化物がAg粒子の表面に偏在しているため、Ag粒子
の表面に偏在しているため、Agに対する添加量が少な
くても、大きなAgコロイド生成抑制効果を得ることが
できる。Since the above-mentioned metals and metal oxides are the same as the transition metals or transition metal oxides used in the first embodiment or the metals or metal oxides used in the second embodiment, The yellowing suppression effect by the complementary color of the transition metal (transition metal oxide) and the diffusion suppression effect of Ag ions (suppressing the progress of step II in FIG. 3) described in 1 or the metal (metal oxidation described in the second embodiment. Object) has an effect of suppressing reduction of Ag ions (inhibition of progress of step III in FIG. 3). Further, in the present embodiment, since these metals and metal oxides are unevenly distributed on the surface of the Ag particles, they are unevenly distributed on the surface of the Ag particles. Therefore, even if the amount added to Ag is small, a large Ag colloid is obtained. A production suppression effect can be obtained.
【0099】よって、本実施形態によれば、銀電極の導
電性を確保しつつ、パネル黄変を抑制することができ
る。Ag粒子の表面を、金属或いは金属酸化物で被覆す
る量については、Agイオンの拡散を十分抑制するため
に、被覆層の平均厚み(表面に粒子が付着している場合
は、それを均一層に換算した場合の厚み)を0.1μm
以上に設定することが望ましい。一方、当該被覆層の厚
みが大きすぎると導電性が低くなってしまうので、当該
被覆層の厚みは1μm以下に設定することが望ましい。Therefore, according to this embodiment, it is possible to suppress the yellowing of the panel while ensuring the conductivity of the silver electrode. Regarding the amount of coating the surface of the Ag particles with a metal or a metal oxide, in order to sufficiently suppress the diffusion of Ag ions, the average thickness of the coating layer (if the particles are attached to the surface, the average thickness of the coating is Thickness when converted to 0.1 μm
It is desirable to set the above. On the other hand, if the thickness of the coating layer is too large, the conductivity becomes low, so it is desirable to set the thickness of the coating layer to 1 μm or less.
【0100】また本実施形態においては、被覆する金属
や金属酸化物としては、上で列挙した金属及び金属酸化
物の中から、PDPの製造条件や材料の入手しやすさな
どを考慮して、適当なものを選択すればよい。従って、
この点でも実用的価値が高い。
〔実施例3〕In the present embodiment, the metal or metal oxide to be coated is selected from the metals and metal oxides listed above in consideration of the manufacturing conditions of PDP, availability of materials, and the like. You may select an appropriate one. Therefore,
Also in this respect, the practical value is high. [Example 3]
【0101】[0101]
【表7】 [Table 7]
【0102】[0102]
【表8】 [Table 8]
【0103】表7,8に示した試料No91〜No11
2のPDPは、本実施の形態に基づき、Ag粒子(平均
粒径2μm)に対して金属あるいは金属酸化物を被覆し
たものを用いて表示電極(第1電極)・アドレス電極
(第2電極)を形成した。本実施例において、Ag粒子
に対して金属をコーティングする場合、金属層の平均厚
みは0.1μm〜1.0μmの範囲、Ag粒子に対して
金属酸化物をコーティングする場合、金属酸化物層の平
均厚みは0.1μm〜0.5μmの範囲内に設定した。Samples No. 91 to No. 11 shown in Tables 7 and 8
The PDP of No. 2 is a display electrode (first electrode) / address electrode (second electrode) using Ag particles (average particle size 2 μm) coated with metal or metal oxide according to the present embodiment. Was formed. In this example, when the Ag particles were coated with a metal, the average thickness of the metal layer was in the range of 0.1 μm to 1.0 μm, and when the Ag particles were coated with the metal oxide, the average thickness of the metal oxide layer was 0.1 μm to 1.0 μm. The average thickness was set within the range of 0.1 μm to 0.5 μm.
【0104】フォトリソグラフィ法で作製する場合、金
属あるいは金属酸化物で被覆されたAg粒子の粉末と、
PbO−B2O3−SiO2系ガラスフリットと、感光性
バインダー(主成分としてバインダー樹脂、光重合開始
剤、感光性モノマー、溶剤および少量副成分として、色
素、可塑剤、重合禁止剤等を含むバインダー)とを、三
本ロールで混練して感光性銀ペーストを作製した。そし
て、この感光性銀ペーストを塗布した後、フォトリソグ
ラフィー法でパターニングし、450℃〜600℃で焼
成することによって銀電極を形成した。When the photolithography method is used, a powder of Ag particles coated with a metal or a metal oxide,
And PbO-B 2 O 3 -SiO 2 based glass frit, photosensitive binder (binder resin as a main component, a photopolymerization initiator, photosensitive monomer, a solvent and minor subcomponent, dyes, plasticizers, polymerization inhibitors, etc. And a binder contained therein) were kneaded with a triple roll to prepare a photosensitive silver paste. Then, after applying this photosensitive silver paste, patterning was performed by a photolithography method, and baking was performed at 450 ° C. to 600 ° C. to form a silver electrode.
【0105】スクリーン印刷法の場合は、金属あるいは
金属酸化物で被覆されたAg粒子の粉末と、PbO−B
2O3−SiO2系ガラスフリットと、有機ビヒクル(エ
チルセルロース5〜10重量%、ターピネオール、可塑
剤を含む)とを三本ロールで混練して印刷用銀ペースト
を作製した。そして、このペーストを、スクリーン印刷
法によってパターニングし、450℃〜600℃で焼成
することによって銀電極を形成した。In the case of the screen printing method, a powder of Ag particles coated with a metal or a metal oxide and PbO-B are used.
A 2 O 3 —SiO 2 -based glass frit and an organic vehicle (containing 5 to 10% by weight of ethyl cellulose, terpineol and a plasticizer) were kneaded with a three-roll to prepare a silver paste for printing. Then, this paste was patterned by a screen printing method and baked at 450 ° C. to 600 ° C. to form a silver electrode.
【0106】試料No.113は比較例であって、被覆
していないAg粒子を用いた例である。表7,8に示し
た試料No91〜No113において、PDPのセルサ
イズや誘電体層、保護層、放電ガスについては、上記実
施例1と同様に設定した。
(実験3)上記試料No.91〜113のPDPを作成
する途中の前面パネル板10について、上記実験1と同
様にして、a値及びb値を測定した。また、上記No.
91〜113のPDPについて、画面全白表示時の色温
度を測定した。Sample No. Reference numeral 113 is a comparative example, which is an example using uncoated Ag particles. In Samples No. 91 to No. 113 shown in Tables 7 and 8, the cell size of the PDP, the dielectric layer, the protective layer, and the discharge gas were set in the same manner as in Example 1 above. (Experiment 3) The sample No. The a value and the b value were measured in the same manner as in Experiment 1 for the front panel plate 10 on the way of making PDPs 91 to 113. In addition, the above No.
With respect to the PDPs 91 to 113, the color temperature when the screen was displayed in all white was measured.
【0107】この実験結果は、表7,8に示されてい
る。
(考察)従来例の試料No.113ではb値が+16.
3であって、かなり黄変していることがわかるのに対し
て、実施例の試料No.91〜112では、b値が−
0.2〜2.1と低い値になっており、黄変色の少ない
優れたPDPであることがわかる。The results of this experiment are shown in Tables 7 and 8. (Discussion) Conventional sample No. In 113, the b value is +16.
No. 3, which is considerably yellowed, while the sample No. 3 of the example was used. In 91 to 112, the b value is −
The value is as low as 0.2 to 2.1, which shows that it is an excellent PDP with little yellowing.
【0108】また、従来のPDP(No.113)で
は、色温度の値が6300°Kであるのに対して、実施
例のPDPでは、色温度が8950〜9720°Kと色
温度が高い。これは、実施例のPDPは、比較例のPD
Pと比べて色再現性が良く、鮮やかな表示ができること
を示している。なお、透明誘電体層を形成するガラスに
ついては、上記PbO系以外にBi2O3系やZnO系の
誘電体ガラスを用いても同様の結果が得られた。Further, in the conventional PDP (No. 113), the color temperature value is 6300 ° K, whereas in the PDP of the embodiment, the color temperature is as high as 8950-9720 ° K. This is because the PDP of the example is the PD of the comparative example.
This shows that the color reproducibility is better than that of P and vivid display is possible. Regarding the glass forming the transparent dielectric layer, similar results were obtained even when Bi 2 O 3 based or ZnO based dielectric glass was used in addition to the above PbO based glass.
【0109】〔実施の形態4〕本実施形態のPDPは、
その全体構成は、実施の形態1と同様であるが、表示電
極には、一般的なAg粒子で形成した銀電極を用い、そ
の代りに、前面パネル板10を作製する際に、先ず前面
ガラス基板11の表面近傍に存在する金属イオン(Ag
イオンに対する還元作用を有する金属イオン)を低減す
る処理した後、表示電極12(銀電極)を形成する。[Embodiment 4] The PDP of the present embodiment is
The overall structure is the same as that of the first embodiment, but a silver electrode formed of general Ag particles is used as the display electrode, and instead, when the front panel plate 10 is manufactured, first, the front glass is used. Metal ions existing near the surface of the substrate 11 (Ag
The display electrode 12 (silver electrode) is formed after the treatment for reducing the metal ions having a reducing action on the ions).
【0110】通常のガラス基板において、特にフロート
法によって製造したガラス基板においては、そのままで
は表面近傍(表面から5μmの深さまでの範囲)に銀に
対する還元作用を有する金属イオンがかなり存在する。
ここで、「銀に対する還元作用を有する金属イオン」と
いうのは、具体的には、4価未満のスズ、4価未満のケ
イ素、3価未満のアルミニウム、1価未満のナトリウ
ム、1価未満のカリウム、2価未満のマグネシウム、2
価未満のカルシウム、2価未満のストロンチウム、2価
未満のバリウム、2価未満のジルコニウム、4価未満マ
ンガン、4価未満のインジウム、3価未満の鉄などを指
す。In a normal glass substrate, particularly in a glass substrate manufactured by the float method, metal ions having a reducing action on silver are present in the vicinity of the surface (in the range from the surface to a depth of 5 μm) as they are.
Here, “metal ion having a reducing action on silver” specifically means tin having a valence of less than 4, silicon having a valence of less than 4, aluminum having a valence of less than 3, aluminum having a valence of less than 1, sodium having a valence of less than 1, Potassium, magnesium less than 2
It refers to calcium less than valence, strontium less than valence 2, barium less than valence 2, zirconium less than valence 4, manganese less than valence 4, indium less than valence 4, iron less than valence 3, and the like.
【0111】しかし、上記のように、Agイオンに対す
る還元作用を有する金属イオンを低減する処理を施した
後に、銀電極を形成すれば、前面ガラス基板11の表面
におけるAgイオンの還元が抑制されるので、Agコロ
イドの生成が抑制され、黄変が抑制される。このように
前面ガラス基板表面の金属イオンを低減させる処理の具
体的方法としては、(1)前面ガラス基板の表面をエッ
チングするする方法、及び(2)前面ガラス基板を焼成
する方法が挙げられる。各々について以下に説明する。However, as described above, if the silver electrode is formed after the treatment for reducing the metal ions having a reducing action on Ag ions, the reduction of Ag ions on the surface of the front glass substrate 11 is suppressed. Therefore, generation of Ag colloid is suppressed and yellowing is suppressed. Specific methods of the treatment for reducing the metal ions on the surface of the front glass substrate include (1) a method of etching the surface of the front glass substrate and (2) a method of baking the front glass substrate. Each will be described below.
【0112】(1)エッチング方法について
図10は、前面ガラス基板11の表面に対して、エッチ
ングによって金属イオンを低減する処理を行い、その
後、表示電極12を形成する工程を説明する図である。
第1工程:エッチング工程前面ガラス基板11に対し、
エッチング処理を行う。このエッチング処理は、エッチ
ング液(例えばフッ酸及び硫酸からなるフッ硫酸)を貯
蔵したエッチング槽101の中に、前面ガラス基板11
を浸漬した後、洗浄装置102によって洗浄して乾燥を
行う(図10(a))。(1) About Etching Method FIG. 10 is a diagram for explaining a step of performing a treatment for reducing metal ions on the surface of the front glass substrate 11 by etching and then forming the display electrode 12. First step: etching step For the front glass substrate 11,
An etching process is performed. In this etching process, the front glass substrate 11 is placed in an etching tank 101 that stores an etching solution (for example, hydrofluoric acid and sulfuric acid containing hydrofluoric acid and sulfuric acid).
After being dipped, it is washed by the washing device 102 and dried (FIG. 10A).
【0113】本工程により、表面近傍に存在する金属イ
オン(銀に対する還元作用を有する金属イオン)が除去
される。エッチング処理の深さは、5μm以上行うのが
望ましい。これは、後述する実験からわかるように、黄
変抑制効果は、5μm以上の深さまでエッチングをする
と顕著に現われるためである。By this step, metal ions existing near the surface (metal ions having a reducing action on silver) are removed. The depth of the etching process is preferably 5 μm or more. This is because, as will be understood from an experiment described later, the yellowing suppression effect is remarkably exhibited when etching is performed to a depth of 5 μm or more.
【0114】一方、それ以上エッチングしても黄変抑制
効果は余り変わらない。また、エッチング所要時間は、
フッ硫酸の濃度にも依存するが、エッチング深度にほぼ
比例するので、エッチング深さは小さい方が量産性の点
で有利である。この点から、エッチング深さは15μm
以下とするのが好ましい。なお、エッチング液は、ガラ
ス表面のエッチングを行うことができれば、フッ硫酸以
外のものを用いてもよく、例えばフッ化カルシウム、フ
ッ化アルミニウムソーダ、フッ化アンモニウムなどのフ
ッ化物と硫酸や塩酸などの酸を組み合わせることによっ
て生成されるフッ化水素を用いることも可能である。On the other hand, the effect of suppressing yellowing does not change much even if the etching is further performed. Also, the time required for etching is
Although it depends on the concentration of hydrofluoric acid, it is almost proportional to the etching depth. Therefore, the smaller etching depth is advantageous in terms of mass productivity. From this point, the etching depth is 15 μm
The following is preferable. Note that the etching liquid may be one other than hydrofluoric sulfuric acid as long as it can etch the glass surface. For example, a fluoride such as calcium fluoride, sodium aluminum fluoride, or ammonium fluoride and sulfuric acid, hydrochloric acid, or the like. It is also possible to use hydrogen fluoride produced by combining acids.
【0115】第2工程:研磨工程
上記エッチング工程におけるエッチングによって、前面
ガラス基板の表面には不均一性(エッチングムラ)が生
じるので、本工程ではこの表面を研磨することによっ
て、エッチングによる不均一性を是正する。この研磨
は、前面ガラス基板11の表面残渣及びエッチングムラ
などを除去するためのものなので、短時間研磨すれば十
分である。即ち、研磨量はわずかでよいので、この研磨
によってガラス基板の厚さが不均一になることもない。Second Step: Polishing Step Since the etching in the above etching step causes nonuniformity (unevenness in etching) on the surface of the front glass substrate, in this step, the nonuniformity due to etching is caused by polishing the surface. To correct. Since this polishing is for removing the surface residue of the front glass substrate 11 and etching unevenness, polishing for a short time is sufficient. That is, since the polishing amount may be small, the thickness of the glass substrate does not become non-uniform due to this polishing.
【0116】この研磨は、例えば、図10(b)に示す
ようにベルト方式研磨機を用いて行われる。当該研磨器
には、研磨シート103及びシリンダー104が備えら
れており、シリンダー104によってガラス基板11に
研磨シート103を押さえつけることによって行う。This polishing is performed, for example, by using a belt type polishing machine as shown in FIG. The polishing machine is equipped with a polishing sheet 103 and a cylinder 104, and the polishing sheet 103 is pressed against the glass substrate 11 by the cylinder 104.
【0117】但し、使用する研磨器は、ガラス表面を物
理的に研磨できるものであればよく、例えばオスカー式
研磨装置などを用いても良い。また、この第2工程は、
エッチング工程において生じたエッチングムラをなくし
て均一性の高いPDPを製造するためには行うのが好ま
しいが、必須というわけではない。However, the polishing machine used may be one capable of physically polishing the glass surface, and for example, an Oscar type polishing machine may be used. In addition, this second step,
It is preferable, but not essential, to produce a highly uniform PDP by eliminating the etching unevenness generated in the etching step.
【0118】次に、(2)基板焼成による処理方法につ
いて説明する。
第1工程:焼成による失活工程:図11に示すように、
製造した前面ガラス基板11に対し、加熱装置110中
で、ガラス基板を500℃以上の温度で加熱した後、冷
却する。この工程によって、ガラス基板表面近傍に存在
する金属イオン(銀に対する還元作用を有する金属イオ
ン)は、酸化されて失活する(銀に対する還元作用が失
われる)。Next, (2) a processing method by baking the substrate will be described. First step: Deactivation step by firing: As shown in FIG.
The manufactured front glass substrate 11 is heated in the heating device 110 at a temperature of 500 ° C. or higher and then cooled. By this step, metal ions (metal ions having a reducing action on silver) existing near the surface of the glass substrate are oxidized and deactivated (the reducing action on silver is lost).
【0119】前面ガラス基板11の加熱は、通常の空気
中で行ってもよいが、図7に示すように加熱装置110
にガス供給管111及びガス排気管112を設け、ガス
供給管111から酸化性ガス(酸素あるいは酸素分圧を
高めた空気など)を供給しながら加熱すれば、より短時
間での表面酸化処理を行うことができる。以上の(1)
または(2)の処理方法によって、ガラス基板11の表
面における金属イオンの濃度を低減させることができ
る。The front glass substrate 11 may be heated in normal air, but as shown in FIG.
If a gas supply pipe 111 and a gas exhaust pipe 112 are provided in the chamber and heating is performed while supplying an oxidizing gas (such as oxygen or air with an increased oxygen partial pressure) from the gas supply pipe 111, surface oxidation treatment can be performed in a shorter time. It can be carried out. Above (1)
Alternatively, the treatment method of (2) can reduce the concentration of metal ions on the surface of the glass substrate 11.
【0120】なお、ガラス基板の表面近傍(例えば表面
から5μmの深さまでの領域)における、Agイオンに
対して還元性を有する金属イオンの濃度は、1000p
pm以下に低減させることが、黄変抑制効果を得る際の
目安と考えられる。なお、この濃度は、SIMS(seco
ndary-ionization mass spectroscopy)で測定するこ
とができる。In the vicinity of the surface of the glass substrate (for example, a region from the surface to a depth of 5 μm), the concentration of the metal ion having a reducing property with respect to Ag ion is 1000 p.
It is considered that the reduction to pm or less is a standard for obtaining the yellowing suppression effect. This concentration is SIMS (seco
ndary-ionization mass spectroscopy).
【0121】このように前面ガラス基板11の表面を処
理した後、電極前駆体120を形成する(図10
(c))。この電極前駆体は、銀を主体とする銀粉末、
ガラスフリット及び有機バインダを含む電極ペーストあ
るいは銀電極フィルムを用いて形成する。そして、この
電極前駆体120を焼成することによって、銀電極(表
示電極12)が形成される。After treating the surface of the front glass substrate 11 as described above, the electrode precursor 120 is formed (FIG. 10).
(C)). This electrode precursor is a silver powder mainly composed of silver,
It is formed by using an electrode paste containing a glass frit and an organic binder or a silver electrode film. Then, the silver electrode (display electrode 12) is formed by firing the electrode precursor 120.
【0122】(本実施形態の効果についての説明)銀電
極の焼成時には、前面ガラス基板11の銀電極周囲にA
gイオンが拡散するが、Agイオンに対して還元性を有
する金属イオンの濃度が低減されているので、Agコロ
イドの成長は抑えられる。よって、前面ガラス基板11
の黄変は抑制される。(Explanation of Effects of the Present Embodiment) At the time of firing the silver electrode, A around the silver electrode of the front glass substrate 11
Although g ions diffuse, the growth of Ag colloids is suppressed because the concentration of metal ions that have a reducing property with respect to Ag ions is reduced. Therefore, the front glass substrate 11
Yellowing is suppressed.
【0123】そして、この表示電極12(銀電極)の上
に、実施の形態1で説明したように、透明誘電体層1
3、MgO保護層14を形成することによって、黄変の
少ない前面パネル板10が作製できる。従って、この前
面パネル板10を用いて、良好な色温度特性を示すPD
Pを作製することができる。
(基板表面処理の程度についての実験と考察)図12
(a)は、ガラス基板のエッチング深度と、銀電極及び
誘電体層を形成したときの着色色度bとの関係を示す実
験データであって、次のようにして測定したものであ
る。Then, on the display electrode 12 (silver electrode), as described in the first embodiment, the transparent dielectric layer 1 is formed.
3. By forming the MgO protective layer 14, the front panel plate 10 with less yellowing can be manufactured. Therefore, by using this front panel plate 10, a PD showing good color temperature characteristics
P can be produced. (Experiment and Consideration on Degree of Substrate Surface Treatment) FIG.
(A) is experimental data showing the relationship between the etching depth of the glass substrate and the coloring chromaticity b when the silver electrode and the dielectric layer are formed, and is measured as follows.
【0124】ガラス基板(旭硝子製PD200)に対し
て、エッチング深度いろいろと変えながらHFエッチン
グを行ったものを準備した。その各々に、スクリーン印
刷法でAgペーストを印刷し焼成することによって銀電
極を形成した。更に、誘電体ガラス(#PLS−324
4)を塗布し、所定温度(520℃,545℃,560
℃,593℃)で2回焼成することによって、厚さ23
μmの誘電体層を形成した。A glass substrate (PD200 manufactured by Asahi Glass) was subjected to HF etching while changing the etching depth. A silver electrode was formed by printing an Ag paste on each of them by screen printing and firing. Furthermore, dielectric glass (# PLS-324
4) is applied and predetermined temperature (520 ℃, 545 ℃, 560 ℃
C., 593.degree. C.) to obtain a thickness of 23
A μm dielectric layer was formed.
【0125】その後、各ガラス基板の着色色度bを測定
した。図12(a)より、エッチング深度が5μm以上
では、5μm未満の範囲と比べて、着色色度bが低い値
を示しており、また、5μm以上の範囲では着色色度b
はあまり変わらないことがわかる。図12(b)は、1
0%HF水溶液を用いて225.5℃でガラス基板をエ
ッチングしたときのエッチング時間とエッチング深さの
関係を示す実験データである。Then, the coloring chromaticity b of each glass substrate was measured. From FIG. 12 (a), when the etching depth is 5 μm or more, the coloring chromaticity b shows a lower value than in the range of less than 5 μm, and in the range of 5 μm or more, the coloring chromaticity b
It turns out that does not change much. FIG. 12B shows 1
3 is experimental data showing the relationship between etching time and etching depth when a glass substrate is etched at 225.5 ° C. using a 0% HF aqueous solution.
【0126】この図12(b)より、エッチング深さ
は、エッチング時間にほぼ比例していることがわかる。
〔実施例4〕From FIG. 12B, it is understood that the etching depth is almost proportional to the etching time. [Example 4]
【0127】[0127]
【表9】 [Table 9]
【0128】表9に示す試料No.121〜No.12
7のPDPは、本実施の形態に基づいて前面ガラス基板
の表面をエッチング・研磨処理した実施例である。前面
ガラス基板としては、フロート法で形成された旭硝子製
PD200を用い、エッチングには、5%のフッ酸と5
%の硫酸を混合したフッ硫酸を用いた。また、研磨装置
としては、酸化セリウムを研磨材としたオスカー式研磨
機を用いた。Sample No. shown in Table 9 121-No. 12
The PDP No. 7 is an example in which the surface of the front glass substrate is etched and polished based on the present embodiment. As the front glass substrate, PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. formed by the float method was used, and 5% hydrofluoric acid and 5% were used for etching.
Hydrofluoric acid mixed with% sulfuric acid was used. An Oscar type polishing machine using cerium oxide as a polishing material was used as the polishing device.
【0129】表示電極は、Ag粒子、エチルセルロー
ス、ブチルカルビトールアセテート及びターピネオール
を主成分とする有機ビヒクル、Bi2O3−B2O3−Si
O2を主成分とするガラスフリットを混練して銀ペース
トを作製し、これを印刷・焼成する方法で形成した。試
料No.128〜131は比較例であって、前面ガラス
基板に対して、Agイオンに対して還元性を有する金属
イオンの濃度を低減する処理が行われていないもしくは
十分に行われていないものである。The display electrode is an organic vehicle containing Ag particles, ethyl cellulose, butyl carbitol acetate and terpineol as main components, and Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —Si.
A glass frit containing O 2 as a main component was kneaded to prepare a silver paste, which was printed and fired. Sample No. Reference numerals 128 to 131 are comparative examples, in which the front glass substrate is not or has not been sufficiently treated to reduce the concentration of metal ions having reducing properties for Ag ions.
【0130】なお、表9に示した試料No.121〜N
o.131において、PDPのセルサイズや誘電体層、
保護層、放電ガスについては、上記実施例1と同様に設
定した。
(実験4)上記試料No.121〜131のPDPを作
成する途中の前面パネル板10について、上記実験1と
同様にして、a値及びb値を測定した。また、上記N
o.121〜No.131のPDPについて、画面全白
表示時の色温度を測定した。The sample No. shown in Table 9 was used. 121-N
o. 131, PDP cell size and dielectric layer,
The protective layer and discharge gas were set in the same manner as in Example 1 above. (Experiment 4) The sample No. The a value and the b value of the front panel plate 10 on the way of producing PDPs 121 to 131 were measured in the same manner as in Experiment 1. Also, the above N
o. 121-No. For 131 PDPs, the color temperature was measured when the screen was displayed in all white.
【0131】その実験結果は、表9に示されている。な
お、実施例のNo.121〜No127について、前面
ガラス基板の表面から5μm領域では、4価未満のス
ズ、4価未満のマンガン、2価未満の鉄、2価未満のイ
ンジウムの濃度は1000ppm以下に低減されてい
た。
(考察)表面処理を行っていない試料No.129、機
械研磨のみを行った試料No.130ではb値が10を
大きく上回っており、かなり黄変していることがわか
る。The experimental results are shown in Table 9. In addition, No. of the example. Regarding Nos. 121 to No. 127, in the region of 5 μm from the surface of the front glass substrate, the concentration of tin less than tetravalent, manganese less than tetravalent, iron less than divalent, iron less than divalent, and indium less than divalent was reduced to 1000 ppm or less. (Discussion) Sample No. which is not surface treated. 129, sample No. 129 subjected only to mechanical polishing. In the case of 130, the b value is much higher than 10 and it can be seen that it has turned yellow considerably.
【0132】これに対して、エッチングを5μ以上行い
機械研磨を行った実施例の試料No.121〜No.1
25では、b値が0.5〜+3.8と低い値になってお
り、黄変の少ない優れたPDPであることがわかる。ま
た、400℃で焼成を行った比較例(試料No.12
8)では、b値が15.0と高いが、500℃以上で焼
成を行った実施例(試料No.126、127)では、
b値が2.5〜3.8と低い値になっており、黄変の少
ない優れたPDPであることがわかる。On the other hand, the sample No. of the example in which etching was performed for 5 μm or more and mechanical polishing was performed. 121-No. 1
In No. 25, the b value is as low as 0.5 to +3.8, which means that the PDP has little yellowing. In addition, a comparative example (Sample No. 12) that was fired at 400 ° C.
In Example 8), the b value is as high as 15.0, but in Examples (Sample Nos. 126 and 127) in which firing was performed at 500 ° C or higher,
The b value is as low as 2.5 to 3.8, which shows that it is an excellent PDP with little yellowing.
【0133】これは、基板を加熱することによって、銀
に対する還元作用を有する金属イオンを失活させる場
合、500℃以上で加熱するのが望ましいことを示して
いる。また、比較例の試料No.128〜131では、
色温度の値が6900K以下であるのに対して、実施例
のPDPでは、色温度が8900〜9600Kと高く、
色再現性の良い、鮮やかな画面のパネルであることを示
している。This indicates that it is preferable to heat at 500 ° C. or higher when the metal ions having a reducing action on silver are deactivated by heating the substrate. In addition, the sample No. of the comparative example. In 128-131,
While the color temperature value is 6900K or less, in the PDP of the embodiment, the color temperature is as high as 8900 to 9600K,
This shows that the panel has a vivid screen with good color reproducibility.
【0134】深さ1μmだけエッチングを行った試料N
o.131では、b値が10を大きく上回っている。こ
れは、エッチングの深さが1μmと小さいので、表面近
傍の金属イオン濃度が1000ppm以下に低減されて
いないためと考えられる。
(実施の形態に関する変形例など)背面パネル板の黄変
と比べて、前面パネル板の黄変は、画質に大きな影響を
及ぼすことを考慮すると、上記実施形態4のように前面
ガラス基板の表面に処理を施して黄変を抑制すれば、P
DPの色温度など画質向上に十分な効果を奏するが、背
面ガラス基板の表面にも同様の処理を施せば、背面パネ
ル板の黄変も抑制できるので、より効果的と考えられ
る。Sample N etched to a depth of 1 μm
o. In 131, the b value greatly exceeds 10. It is considered that this is because the etching depth is as small as 1 μm and the metal ion concentration near the surface is not reduced to 1000 ppm or less. Considering that the yellowing of the front panel plate greatly affects the image quality as compared with the yellowing of the rear panel plate (such as the modified example of the embodiment), the surface of the front glass substrate is the same as in the fourth embodiment. If yellowing is suppressed by treating
Although it has a sufficient effect of improving the image quality such as the color temperature of DP, it is considered to be more effective if the same treatment is applied to the surface of the rear glass substrate, because the yellowing of the rear panel plate can be suppressed.
【0135】実施の形態4で説明したガラス基板の表面
処理と、実施の形態1〜3で説明した銀電極とを組み合
わせて適用すれば、更に顕著な黄変抑制効果が期待でき
る。銀電極前駆体と誘電体前駆体層の同時焼成について
は,実施の形態2において説明したが、実施の形態1,
3において適用することもでき、その場合も、黄変抑制
効果の向上が期待できる。When the surface treatment of the glass substrate described in the fourth embodiment and the silver electrode described in the first to third embodiments are applied in combination, a more remarkable yellowing suppressing effect can be expected. The simultaneous firing of the silver electrode precursor and the dielectric precursor layer has been described in the second embodiment.
3 can also be applied, and in that case, improvement of the yellowing suppression effect can be expected.
【0136】同様に、上記実施の形態1〜3において
も、表示電極及びアドレス電極の両方に、本発明にかか
る銀電極を用いる例を示したが、前面パネル板側の表示
電極だけに本発明の銀電極を適用すれば、PDPの色温
度向上などの画質向上効果を奏する。一方、アドレス電
極だけに本発明の銀電極を適用した場合は、黄変抑制効
果は劣るものの、ある程度の効果は奏するものと考えら
れる。Similarly, in the above-described first to third embodiments, the example in which the silver electrode according to the present invention is used as both the display electrode and the address electrode is shown, but the present invention is applied only to the display electrode on the front panel side. If the silver electrode is applied, the image quality improving effect such as improving the color temperature of the PDP can be obtained. On the other hand, when the silver electrode of the present invention is applied only to the address electrodes, the yellowing suppression effect is inferior, but it is considered that some effect is achieved.
【0137】また、上記実施の形態1〜4においては、
銀電極上を誘電体層で蔽ったAC面放電型のPDPを例
にとって説明したが、放電空間に露出する銀電極がガラ
ス基板上に形成されたDC型のPDPにおいても、本発
明を適用することによって、同様にガラス基板の黄変抑
制効果を奏する。また、銀電極を用いたPDPに限ら
ず、ガラス基板上に銀電極が配設された蛍光表示管やE
L等においても、本発明を適用することによって、同様
にガラス基板の黄変を抑制することができる。Further, in the above first to fourth embodiments,
Although the AC surface discharge type PDP in which the silver electrode is covered with the dielectric layer has been described as an example, the present invention is also applied to the DC type PDP in which the silver electrode exposed in the discharge space is formed on the glass substrate. By doing so, the effect of suppressing yellowing of the glass substrate is similarly exhibited. Further, it is not limited to a PDP using a silver electrode, and a fluorescent display tube or an E having a silver electrode arranged on a glass substrate.
Also in L and the like, yellowing of the glass substrate can be similarly suppressed by applying the present invention.
【0138】[0138]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、銀電極
を用いたPDPにおいて、パネルの黄変を比較的簡単に
抑制する技術を提供し、それによって、高輝度・高画質
で画像表示できるPDPを提供することができる。As described above, according to the present invention, in a PDP using a silver electrode, a technique for suppressing yellowing of a panel is relatively easily provided, thereby providing an image with high brightness and high image quality. A displayable PDP can be provided.
【図1】実施の形態に係るAC面放電型PDPを示す要
部斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing an AC surface discharge PDP according to an embodiment.
【図2】上記PDPにおける前面パネル板の一例の部分
断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of an example of a front panel plate of the PDP.
【図3】パネル黄変発生のメカニズムを説明する図であ
る。FIG. 3 is a diagram illustrating a mechanism of yellowing of a panel.
【図4】スパッタ法で銀合金からなる銀電極膜を形成す
る方法を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a method of forming a silver electrode film made of a silver alloy by a sputtering method.
【図5】Ag合金からなる銀電極膜を厚膜形成法で形成
する方法を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a method of forming a silver electrode film made of an Ag alloy by a thick film forming method.
【図6】Ag合金からなる銀電極膜を厚膜形成法で形成
する方法を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a method of forming a silver electrode film made of an Ag alloy by a thick film forming method.
【図7】厚膜形成法で形成された銀電極の構成を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a silver electrode formed by a thick film forming method.
【図8】銀電極前駆体及び誘電体前駆体層の同時焼成法
を説明する工程図である。FIG. 8 is a process diagram illustrating a simultaneous firing method for a silver electrode precursor and a dielectric precursor layer.
【図9】Ag粒子の表面を金属あるいは金属酸化物で被
覆した銀電極について説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a silver electrode in which the surface of Ag particles is coated with a metal or a metal oxide.
【図10】前面ガラス基板の表面エッチング処理工程を
説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a surface etching treatment step of a front glass substrate.
【図11】前面ガラス基板の焼成による失活工程を説明
する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a deactivation process by firing a front glass substrate.
【図12】ガラス基板のエッチング深度に関する実験デ
ータである。FIG. 12 is experimental data on the etching depth of a glass substrate.
10 前面パネル板 11 前面ガラス基板 12a,12b 表示電極 13 透明誘電体層 14 保護層 20 背面パネル板 21 背面ガラス基板 22 アドレス電極 23 白色誘電体層 30 隔壁 31 蛍光体層 120 銀電極前駆体 130 誘電体前駆体層 10 Front panel board 11 Front glass substrate 12a, 12b display electrodes 13 Transparent dielectric layer 14 Protective layer 20 Rear panel board 21 Rear glass substrate 22 Address electrode 23 White dielectric layer 30 bulkheads 31 phosphor layer 120 Silver electrode precursor 130 Dielectric precursor layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日比野 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 住田 圭介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 芦田 英樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藤原 伸也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 丸中 英喜 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 仲川 整 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5C027 AA02 AA06 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC18 GC19 GD07 HA04 JA02 JA09 JA12 JA15 JA21 JA22 KA09 KA10 KB03 KB13 KB28 MA03 MA05 MA30 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Junichi Hibino 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Keisuke Sumita 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Ashida 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Shinya Fujiwara 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Marunaka 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Sei Nakagawa 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5C027 AA02 AA06 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC18 GC19 GD07 HA04 JA02 JA09 JA12 JA15 JA21 JA22 KA09 KA10 KB03 KB13 KB28 MA03 MA05 MA30
Claims (12)
と、表面に第2電極が配設されている第2プレートと
が、前記第1及び第2電極を対向させた状態で、間隙を
おいて配置されると共に、当該間隙にガス媒体が封入さ
れてなるプラズマディスプレイパネルであって、 前記第1電極及び第2電極の中、少なくとも第1電極
は、 銀(Ag)と、遷移金属酸化物を含有するガラスとから
成る銀電極を有し、 遷移金属酸化物には、 酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ニッ
ケル(NiO)、酸化マンガン(Mn2O3)、酸化コバ
ルト(Co2O3)、酸化鉄(Fe2O3)の中から選択さ
れた1種以上が含まれることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル。1. A first plate having a first electrode on its surface and a second plate having a second electrode on its surface with the first and second electrodes facing each other, A plasma display panel which is arranged with a gap and in which a gas medium is enclosed, wherein at least a first electrode of the first electrode and the second electrode is a transition layer of silver (Ag) and It has a silver electrode composed of a glass containing a metal oxide, and the transition metal oxide includes copper oxide (CuO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), nickel oxide (NiO), manganese oxide (Mn 2 O). 3 ), cobalt oxide (Co 2 O 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), and at least one selected from the plasma display panels.
ていることを特徴とする請求項1記載のプラズマディス
プレイパネル。2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the transition metal oxide is contained in the glass in an amount of 5% by weight or more and 20% by weight or less.
いは酸化亜鉛(ZnO)系であることを特徴とする請求
項1記載のプラズマディスプレイパネル。3. The plasma display panel according to claim 1, wherein the glass is a lead oxide (PbO) type, a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) type or a zinc oxide (ZnO) type.
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載のプラ
ズマディスプレイパネル。4. The plasma display panel according to claim 1, wherein the first electrode is formed by laminating the silver electrode on a transparent electrode film.
とを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載のプラズマ
ディスプレイパネル。5. The plasma display panel according to claim 1, wherein the first electrode is covered with a dielectric layer made of a dielectric glass material.
と、表面に第2電極が配設されている第2プレートと
が、前記第1及び第2電極を対向させた状態で、間隙を
おいて配置されると共に、当該間隙にガス媒体が封入さ
れてなるプラズマディスプレイパネルであって、 前記第1電極及び第2電極の中、少なくとも第1電極
は、 銀(Ag)と、金属酸化物を含有するガラスとから成る
銀電極を有し、 前記金属酸化物には、 酸化ルテニウム(RuO2),酸化ロジウム(Rh
O),酸化イリジウム(IrO2),酸化オスミウム
(OsO2),酸化レニウム(ReO2)及び酸化パラジ
ウム(PdO)から選択される1種以上が含まれること
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。6. A first plate having a first electrode on the surface thereof and a second plate having a second electrode on the surface thereof, wherein the first and second electrodes are opposed to each other, A plasma display panel which is disposed with a gap and in which a gas medium is enclosed, wherein at least the first electrode of the first electrode and the second electrode is silver (Ag) and a metal. And a silver electrode made of glass containing an oxide, wherein the metal oxide includes ruthenium oxide (RuO 2 ), rhodium oxide (Rh
O), iridium oxide (IrO 2 ), osmium oxide (OsO 2 ), rhenium oxide (ReO 2 ) and palladium oxide (PdO).
ていることを特徴とする請求項6記載のプラズマディス
プレイパネル。7. The plasma display panel according to claim 6, wherein the glass contains the metal oxide in an amount of 5% by weight or more and 20% by weight or less.
O2系、或はP2O5−B 2O3−SiO2系であることを特
徴とする請求項6記載のプラズマディスプレイパネル。8. The glass comprises: PbO-B2O3-SiO2System, Bi2O3-B2O3-Si
O2System or P2OFive-B 2O3-SiO2Special system
The plasma display panel according to claim 6, which is a characteristic.
とを特徴とする請求項6〜8のいずれか記載のプラズマ
ディスプレイパネル。9. The plasma display panel according to claim 6, wherein the first electrode is covered with a dielectric layer made of a dielectric glass material.
する第1電極配設工程と、 第2プレートの表面に第2電極を配設する第2電極配設
工程と、 第1プレート及び第2プレートを、前記第1電極及び第
2電極を対向させた状態で間隙をおいて配置すると共
に、当該間隙にガス媒体を封入する配置工程とを備える
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前記第1電極配設工程及び第2電極配設工程の中、少な
くとも第1電極配設工程では、 銀と、遷移金属酸化物を含むガラスフリットとが混合さ
れた膜を形成した後、形成された膜をパターニングし、
焼成することによって銀電極を形成する銀電極形成ステ
ップを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。10. A first electrode disposing step of disposing a first electrode on a surface of a first plate, a second electrode disposing step of disposing a second electrode on a surface of a second plate, and a first plate. And a step of arranging the second plate with a gap in a state where the first electrode and the second electrode face each other and enclosing a gas medium in the gap, the method for manufacturing a plasma display panel. Of the first electrode disposing step and the second electrode disposing step, at least in the first electrode disposing step, after forming a film in which silver and glass frit containing a transition metal oxide are mixed, a film is formed. The patterned film,
A method of manufacturing a plasma display panel, comprising: a silver electrode forming step of forming a silver electrode by firing.
する第1電極配設工程と、 第2プレートの表面に第2電極を配設する第2電極配設
工程と、 第1プレート及び第2プレートを、前記第1電極及び第
2電極を対向させた状態で間隙をおいて配置すると共
に、当該間隙にガス媒体を封入する配置工程とを備える
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前記第1電極配設工程及び第2電極配設工程の中、少な
くとも第1電極配設工程では、 銀と、 酸化ルテニウム(RuO2),酸化ロジウム(Rh
O),酸化イリジウム(IrO2),酸化オスミウム
(OsO2),酸化レニウム(ReO2)及び酸化パラジ
ウム(PdO)から選択される1種以上の金属酸化物を
含むガラスフリットとが混合された膜を形成した後、形
成された膜をパターニングし、焼成することによって銀
電極を形成する銀電極形成ステップを備えることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。11. A first electrode disposing step of disposing a first electrode on a surface of a first plate, a second electrode disposing step of disposing a second electrode on a surface of a second plate, and a first plate. And a step of arranging the second plate with a gap in a state where the first electrode and the second electrode face each other, and arranging a gas medium in the gap, the method for manufacturing a plasma display panel. Of the first electrode disposing step and the second electrode disposing step, at least in the first electrode disposing step, silver, ruthenium oxide (RuO 2 ), rhodium oxide (Rh)
O), iridium oxide (IrO 2 ), osmium oxide (OsO 2 ), rhenium oxide (ReO 2 ) and a glass frit containing one or more metal oxides selected from palladium oxide (PdO). A method of manufacturing a plasma display panel, comprising: forming a silver electrode by patterning the formed film and baking the formed film after forming the silver electrode.
ットとが混合された材料からなる銀電極前駆体を形成す
る銀電極前駆体形成ステップと、 第1プレートの表面に、前記銀電極前駆体を覆って誘電
体ガラスからなる誘電体層前駆体を形成する誘電体層前
駆体形成ステップと、 前記銀電極前駆体及び誘電体層前駆体を共に焼成するこ
とによって第1電極及び誘電体層を形成する焼成ステッ
プと、 前記第1プレートと、第2電極が配設された第2プレー
トとを、前記第1電極及び第2電極を対向させた状態で
間隙をおいて配置すると共に、当該間隙にガス媒体を封
入する配置工程とを備えることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。12. A silver electrode precursor forming step of forming a silver electrode precursor made of a material in which silver and glass frit are mixed on the surface of the first plate, and the silver electrode precursor on the surface of the first plate. A dielectric layer precursor forming step of forming a dielectric layer precursor made of a dielectric glass covering the first electrode and the dielectric layer by firing the silver electrode precursor and the dielectric layer precursor together. The forming step, the first plate, and the second plate on which the second electrode is disposed are arranged with a gap in a state where the first electrode and the second electrode are opposed to each other, and the gap is formed. And a disposing step of enclosing a gas medium therein.
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005235735A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Lg Electronics Inc | Dielectric composition of plasma display panel |
| JP2007042554A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| WO2007040120A1 (en) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| JP2007128888A (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-24 | Lg Electronics Inc | Flat display panel and manufacturing method thereof |
| WO2007094202A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| WO2007094239A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| JP2007329117A (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Lg Electronics Inc | Plasma display device |
| JP2008047507A (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Lg Electronics Inc | Plasma display panel |
| JP2008537581A (en) * | 2005-03-31 | 2008-09-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Matrix and layer systems |
| JP2009037938A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | E I Du Pont De Nemours & Co | Conductive composition for black bus electrode and front board of plasma display panel |
| KR100898298B1 (en) * | 2007-10-04 | 2009-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Plasma display panel |
| JP2009158133A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Noritake Co Ltd | Material for forming bus electrode of plasma display panel and its utilization |
| JP2010238570A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Noritake Co Ltd | Plasma display panel, and electrode forming paste for the same |
| WO2011019040A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 旭硝子株式会社 | Substrate having transparent conductive film attached thereto, and substrate for plasma display panel |
| WO2011019039A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 旭硝子株式会社 | Substrate having transparent conductive film attached thereto, and substrate for plasma display panel |
-
2002
- 2002-10-21 JP JP2002306406A patent/JP2003162962A/en active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005235735A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Lg Electronics Inc | Dielectric composition of plasma display panel |
| JP2008537581A (en) * | 2005-03-31 | 2008-09-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Matrix and layer systems |
| JP2007042554A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| WO2007040120A1 (en) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| US7902757B2 (en) | 2005-10-03 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP2007128888A (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-24 | Lg Electronics Inc | Flat display panel and manufacturing method thereof |
| US8038499B2 (en) | 2005-11-03 | 2011-10-18 | Lg Electronics Inc. | Flat display panel and method for manufacturing a flat panel display |
| US8072142B2 (en) | 2006-02-14 | 2011-12-06 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with improved light transmittance |
| WO2007094202A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| WO2007094239A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| US7932675B2 (en) | 2006-02-14 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP2007329117A (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Lg Electronics Inc | Plasma display device |
| JP2008047507A (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Lg Electronics Inc | Plasma display panel |
| JP2009037938A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | E I Du Pont De Nemours & Co | Conductive composition for black bus electrode and front board of plasma display panel |
| KR100898298B1 (en) * | 2007-10-04 | 2009-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Plasma display panel |
| EP2045832A3 (en) * | 2007-10-04 | 2010-06-09 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel |
| JP2009158133A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Noritake Co Ltd | Material for forming bus electrode of plasma display panel and its utilization |
| JP2010238570A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Noritake Co Ltd | Plasma display panel, and electrode forming paste for the same |
| WO2011019039A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 旭硝子株式会社 | Substrate having transparent conductive film attached thereto, and substrate for plasma display panel |
| WO2011019040A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 旭硝子株式会社 | Substrate having transparent conductive film attached thereto, and substrate for plasma display panel |
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