JP2003162231A

JP2003162231A - 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003162231A
Application number: JP2001359780A
Authority: JP
Inventors: Masato Doi; 正人土居; Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-11-26
Filing date: 2001-11-26
Publication date: 2003-06-06

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、本発明は、微小な素子の形成にも対
応することができ、且つ、素子が埋め込まれた樹脂の表
面に配設される配線との接続を容易に行うことができる
素子の製造方法及びこれを応用した画像表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、離型材層の表面に配置された素
子の周囲に樹脂を充填して樹脂層を形成し、前記樹脂層
を前記離型材層より剥離することにより前記素子と前記
樹脂層の剥離面を同一平面に形成することにより、接続
不良を極力抑えながら電極パッド及び配線を容易に形成
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、素子の製造方法、
素子の配列方法及びこれらを応用した画像表示装置の製
造方法に関する。更に詳しくは、配線や電極を平坦な面
に形成することができる素子の製造方法、素子の配列方
法及びこれらを応用した画像表示装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は小型化が進んでおり、これら
電子機器に搭載される電子部品も小型化が進んでいる。
更に、これら電子部品の製造工程において、微小、且つ
煩雑な配線等を高精度で配設することが重要になってき
ている。素子の製造工程において実装されたチップに再
配線を行う場合、一度絶縁層となる樹脂やフィルムにチ
ップを埋め込み、その後フォトリソグラフィー、エッチ
ング及びレーザー加工などによりビアホールを必要な領
域に形成し、ビアホール内に金属材料を被着させること
により電極及び配線が形成されている。

【０００３】また、ビアホールを形成することなく樹脂
などに埋め込まれたチップが露出するまで樹脂全体をエ
ッチバックする方法も行われており、チップの電極形成
領域或いは配線形成領域を露出させた後、電極或いは配
線などが配設されている。

【０００４】一方、発光素子をマトリクス状に配列して
画像表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装
置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよ
うに基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイ
オードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単
体のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。
例えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置において
は、素子分離ができないために、製造プロセスの当初か
ら各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空
けて形成することが通常行われている。

【０００５】ＬＥＤディスプレイの場合には、樹脂など
によりパッケージされた発光素子をダイシング後に取り
出し、個別にビアホールを形成することにより発光素子
と電気的なコンタクトを行うための電極パッドが形成さ
れ、その後、所望の素子間隔で再配列することにより画
像表示装置が形成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ここで、樹脂部にビア
ホール形成し、そこに金属を被着させて電極パッドや配
線を形成する方法では、煩雑な工程となり、製造工程数
も増大する。また、素子のサイズが小さくなるととも
に、配線などを形成するためのビアホールを精度良く形
成することが困難になる。

【０００７】また、ビアホールを形成することなく、樹
脂に埋め込まれたチップが露出するまで樹脂部全体をエ
ッチバックしてチップ表面を露出させる場合、チップ表
面とエッチバックした樹脂部の表面の高さが合わせにく
いため、露出されたチップ表面と樹脂部の表面の境界に
段差が生じ、チップ表面と樹脂部の表面が同一平面に形
成されない場合がある。露出させた表面に段差が生じる
ことにより、その後の工程で樹脂部の表面に配設される
配線及びチップ表面に形成される電極等との電気的接続
が困難になる場合がある。

【０００８】更に、複数の素子を同時に作製する際、樹
脂に埋め込まれたチップ毎にビアホールを形成する必要
があり、製造効率や歩留まりの著しい向上は望むべくも
なく、多数の素子を一括処理により精度良く電極或いは
配線を形成する技術が望まれている。

【０００９】よって、上述の問題に鑑み、本発明は、微
小な素子の製造にも適用であり、且つ、容易に電極又は
配線を形成することができる素子の製造方法、素子の配
列方法及びこれらを応用した画像表示装置の製造方法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の素子の製造方法
は、離型材層の表面に配置されたチップの周囲に樹脂部
を形成し、前記樹脂部とともに前記チップを前記離型材
層より剥離することを特徴とする。

【００１１】このとき、予め離型材層の表面を平坦に形
成し、チップと当該チップの周囲に形成された樹脂部が
前記離型材層から剥離されることにより、チップと樹脂
部の境界に段差を生じることなく、それぞれの表面を同
一平面に形成することができる。よって、チップと樹脂
部に亘って形成される電極及び当該電極に接続される樹
脂部表面の配線を容易に形成することが可能となる。

【００１２】更に、チップの周囲に形成される樹脂部を
接着剤で形成することにより、当該樹脂部を一時保持用
部材に接着固定することができ、当該樹脂部を一時保持
用部材に固定したまま離型材層から剥離することによ
り、チップの剥離面と樹脂部の剥離面を同一平面に形成
することができる。

【００１３】また、離型材層が形成される基板と、樹脂
部が接着固定される一時保持用部材に熱膨張係数が互い
に略等しい材料を用いることにより、樹脂部と一時保持
用部材を接着する際にこれらを高温に曝した際に、素子
の位置ずれや各接着領域の接着力低下を抑制することが
できる。

【００１４】本発明の素子の配列方法は、第１基板上に
配列された複数のチップを第二基板上に再配列する素子
の配列方法において、前記第一基板上で前記チップが配
列された状態よりは離間した状態となるように前記チッ
プを転写して一時保持用部材に前記チップを保持させる
第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記
チップを更に離間して前記第二基板上に転写する工程を
有し、前記第一転写工程及び第二転写工程の少なくとも
一方において、離型材層の表面に配置されたチップの周
囲に樹脂部を形成し、前記離型材層から前記チップと前
記樹脂部を剥離することを特徴とする。

【００１５】更に、本発明の画像表示装置の製造方法
は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の
製造方法において、前記第一基板上で前記発光素子が配
列された状態よりは離間した状態となるように前記発光
素子を転写して一時保持用部材に前記発光素子を保持さ
せる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された
前記発光素子を更に離間して前記第二基板上に転写する
第二転写工程を有し、前記第一転写工程及び第二転写工
程の少なくとも一方において、離型材層の表面に配置さ
れた発光素子の周囲に樹脂部を形成し、前記離型材層か
ら前記発光素子と前記樹脂部を剥離することを特徴とす
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図１６を参照しな
がら本発明の素子の製造方法について説明する。本実施
形態では、素子として発光ダイオードを例に挙げて説明
を行うが、本発明は、発光ダイオードに限定されず、Ｉ
Ｃ、トランジスタ素子などのチップの周囲に樹脂部を形
成した後、電極或いは配線が形成される素子であれば如
何なる素子にも適用可能である。

【００１７】先ず、図１に示すように、素子形成基板１
上に発光ダイオード２が形成され、発光ダイオード２の
上面にはｐ側電極或いはｎ側電極となる上側電極３が形
成されている。発光ダイオード２は、素子形成基板１上
に形成された後、ダイシングなどにより素子分離溝４が
形成され、素子分離される。発光ダイオード２は、例え
ば、ＧａＮ系発光ダイオードやＧａＡｓ系発光ダイオー
ドであり、発光ダイオード２がＧａＮ系発光ダイオード
の場合は、素子形成基板１はサファイア基板とされ、素
子形成基板１上に結晶成長されて発光ダイオード２が形
成される。また、発光ダイオード２がＧａＡｓ系発光ダ
イオードである場合は、素子形成基板１はＧａＡｓ基板
とされる。発光ダイオード２を形成する結晶層の結晶面
は、素子形成基板１の主面に平行であるプレーナー型の
発光ダイオードに限定されず、素子形成基板１の主面に
対して傾斜した傾斜結晶面を有する発光ダイオードでも
良い。特に、ＧａＮ系発光ダイオードの場合、選択成長
により素子形成基板１の主面に対して傾斜したＳ面を有
するように結晶成長させることにより高品質のＧａＮ系
発光ダイオードを形成することができる。

【００１８】次に、発光ダイオード２を覆うように上側
から樹脂を塗布し、図２に示すように樹脂層５を形成す
る。樹脂層５は光透過性を有する樹脂により形成され、
例えば、ポリイミドなどを塗布して形成することができ
る。発光ダイオード２を覆う樹脂層５は接着剤層６を介
して一旦第１の一時保持用部材７に接着される。接着剤
層６は熱硬化性接着剤を用いることができ、図３に示す
ように、加熱することにより樹脂層５と接着剤層６を接
着するとともに素子形成基板１の裏面から紫外線（ＵＶ
光）８を照射し、樹脂層５を硬化させる。また、後の工
程で説明するように、第１の一時保持用部材７には光透
過性を有する基板を用いることができ、特にサファイア
基板が好適である。

【００１９】次に、発光ダイオード２を素子形成基板１
から分離する。発光ダイオード２がＧａＮ系発光ダイオ
ードの場合には、素子形成基板１の裏面側からレーザー
光９を照射し、レーザーアブレーションにより発光ダイ
オード２と素子形成基板１を分離することができる。レ
ーザー光９は、発光ダイオード２を形成するＧａＮ系半
導体と素子形成基板１との接合領域の化学結合を切断す
ることができる程度のエネルギー密度を有していれば良
く、例えば、図４に示すように、ＫｒＦエキシマレーザ
ーを約４００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー密度で照射する
ことにより、素子形成基板１と発光ダイオード２を形成
するＧａＮの結合を切断することが可能となる。このと
き、素子形成基板１を形成するサファイアとの界面でＧ
ａＮが金属Ｇａと窒素に分解することから、比較的簡単
に剥離することが可能である。また、素子形成基板１が
ＧａＡｓで形成され、発光ダイオード２がＧａＡｓ系発
光ダイオードである場合には、素子形成基板１の裏面側
から素子形成基板１を研磨することにより素子形成基板
１を除去し、発光ダイオード２を露出させる。

【００２０】次に、発光ダイオード２及び樹脂部５の素
子形成基板１との分離面を洗浄する。例えば、酸素プラ
ズマで発光ダイオード２及び樹脂部５の露出させた分離
面はエッチング若しくはＵＶオゾン照射にて図５に示す
ように洗浄される。レーザーアブレーションを利用して
ＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板から剥離した
ときには、ＧａＮ系発光ダイオードはサファイアとの界
面で金属のＧａと窒素に分解することから、その分離面
に析出したＧａをエッチングすることが必要であり、Ｎ
ａＯＨ水溶液もしくは希硝酸などにより余分な金属Ｇａ
を除去する。ＧａＡｓ系発光ダイオードの場合は、素子
形成基板１の研磨後の研磨くずなどが樹脂部５や発光ダ
イオード２の分離面に付着することがあることから、Ｇ
ａＮ系発光ダイオードの場合と同様に、酸素プラズマな
どを用いて洗浄を行う。

【００２１】次に、樹脂層５及び接着剤層６をダイシン
グすることにより素子分離溝１０を形成し、図６に示す
ように発光ダイオード２毎に素子分離が行われる。素子
分離はダイシングプロセスまたは通常のブレードを用い
たダイシングにより行われ、２０μｍ以下の幅の狭い切
り込みが必要な場合にはレーザー光を用いた加工を行
い、素子の形状を形成するように素子分離溝１０が形成
される。

【００２２】次に、樹脂層５に埋め込まれ発光ダイオー
ド２を接着剤層６から選択分離し、離型材層１１の表面
に転写する。先ず、図７に示すように、第一基板１２上
に離型材層１１を形成し、離型材層１１の表面と発光ダ
イオード２の下側の面とを密着させる。離型材層１１
は、シリコーン樹脂をスピンコートなどにより第一基板
１２上に塗布して形成され、離型材層１１の表面は平坦
に形成される。また、加熱することにより第一基板１２
と離型材層１１の接着強度を高めることもできる。この
とき、離型材層１１は、シリコーン樹脂に限定されず、
一旦発光ダイオード２を接着固定した後、再び発光ダイ
オード２を剥離することができる材料で形成されていれ
ば良い。第一基板１２は、第１の一時保持用部材７と略
等しい熱膨張係数を有する材料で形成されることが好ま
しく、例えば、第１の一時保持用部材７がサファイア基
板である場合は、ソーダライムガラスなどを用いること
により、加熱処理をした際の素子の位置ずれを防止する
ことができる。

【００２３】ここで、図８に示すように、樹脂層５とと
もに素子分離された発光ダイオード２を選択的に離型材
層１１に転写する。第１の一時保持用部材７の上側から
所望の素子間隔になるように選択的に光１４を照射し、
樹脂層５を硬化させることにより樹脂層５と接着剤層６
の接着強度を低下させる。その後、第１の一時保持用部
材７を引き離すことにより発光ダイオード２と樹脂層５
からなる樹脂形成チップ１３を選択的に離型材層１１に
転写する。光１４は、例えば、高調波ＹＡＧレーザー
光、ＵＶ光を用いることが可能であり、樹脂層５が速や
かに硬化され、樹脂部５と接着剤層６の接合強度を低下
させることができる。よって、光１４が選択的に照射さ
れた領域の樹脂形成チップ１３が第１の一時保持用部材
７から分離され、離型材層１１に転写される。

【００２４】次に、離型材層１１の表面に転写された樹
脂形成チップ１３の周囲に樹脂部１７を形成し、樹脂形
成チップ１３と樹脂部１７を離型材層１１から剥離する
ことにより、樹脂形成チップ１３と樹脂部１７の剥離面
を同一平面上に形成する。先ず、離型材層１１に転写さ
れた樹脂形成チップ１３を被うように接着剤を塗布し、
樹脂部１７を形成する。更に、剥離層１６を介して第２
の一時保持用部材１５を樹脂部１７の上側に密着させ
る。この状態で、図９に示すように、第２の一時保持用
部材１５の上側から光１８を照射し、樹脂部１７と剥離
層１６が接着される。樹脂部１７は、紫外線硬化型の接
着剤を用いて形成することができ、光１８としてＵＶ光
を用いることにより樹脂部１７が速やかに硬化され、剥
離層１６と接着される。このとき、第２の一時保持用部
材１５は、光１８を透過する材料が用いられる。また、
樹脂部１７が熱硬化型の接着剤により形成される場合
は、加熱処理をすることにより第２の一時保持用部材１
５と第一基板１２間で熱膨張係数の差による寸法変化の
差が生じることを極力抑制するために、第一基板１２と
熱膨張係数が略等しい材料を用いることが望ましい。本
実施形態のように、例えば、第２の一時保持用部材１５
にサファイア基板を用いた場合、第一基板１２はソーダ
ライムガラスを用いることができる。第２の一時保持用
部材１５、剥離層１６及び樹脂部１７は一体となるよう
に接着されるので、図１０に示すように、第一基板１２
とともに離型材層１１を樹脂部１７と発光ダイオード２
から剥離し、発光ダイオード２と樹脂部１７の離型材層
１１からの剥離面を同一平面に形成することができる。
ここで、離型材層１１は予めその表面が平坦となるよう
に形成されていることから、発光ダイオード２と樹脂部
１７を離型材層１１から剥離するとともに、発光ダイオ
ード２と樹脂部１７の境界に段差を生じることなく平坦
な面を一回の処理で形成することが可能となる。ここ
で、離型材層１１と、それが形成された第一基板１２
は、繰り返し使用することができるので、製造コストを
抑制することもできる。

【００２５】更に、上述のようにして形成された発光ダ
イオード２と樹脂部１７の剥離面に亘って裏面電極１９
が形成される。図１１に示すように、樹脂形成チップ１
３の内部に埋め込まれた発光ダイオード２を露出させた
剥離面から樹脂部１７の剥離面にかけて裏面電極１９が
形成される。裏面電極１９は、蒸着法により形成するこ
とができ、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料若
しくは透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）などから形成
される。特に、透明電極を形成した場合は、発光ダイオ
ード２の裏面を大きく覆っても発光を遮ることがないの
で、パターニング精度が粗く、大きな電極形成を行うこ
とができ、パターニングプロセスが容易となる。このと
き、発光ダイオード２を露出させた剥離面と樹脂部１７
の剥離面がこれらの境界で段差を形成せず、同一平面上
に形成されていることにより発光ダイオード２を露出さ
せた剥離面と樹脂部１７の剥離面の境界において、裏面
電極１９の接続不良を抑制することが可能となる。更
に、裏面電極１９から樹脂部１７の剥離面に亘り連続し
て配線を形成するもできる。よって、ビアホールの形成
或いは発光ダイオード２の周囲に形成された樹脂部１７
を除去することなく、発光ダイオード２から樹脂部１７
に亘って電極或いは配線を容易に形成することが可能と
なる。

【００２６】続いて、図１２に示すように、第二基板２
１に接着剤を塗布して接着剤層２０を形成し、その上側
から裏面電極１９が形成された発光ダイオード２を内包
する樹脂部１７を接着する。このとき、接着剤層２０に
はエポキシ系の熱硬化性樹脂を用いることができ、加熱
処理することにより接着剤層２０を硬化させ、接着が行
われる。

【００２７】次に、図１３に示すように、第２の一時保
持用部材１５を剥離層１６から剥離する。第２の一時保
持用部材１５の上側からレーザー光２２を照射し、剥離
層１６を硬化させることにより剥離層１６と第２の一時
保持用部材１５の接着力を低下させ、第２の一時保持用
部材１５を容易に引き剥がすことが可能となる。剥離層
１６は、レーザー光２２を照射することにより接着力が
低下する材料で形成されていれば良く、例えば、本実施
形態では、ポリイミドを用いることができる。レーザー
光２２としてＫｒＦエキシマレーザー光を用いることに
よりポリイミドが硬化され、容易に第２の一時保持用部
材１５を剥離層１６から引き剥がすことが可能となる。

【００２８】次に、図１４乃至図１６を参照しながら上
側電極３に電極パッド或いは配線を形成する工程につい
て説明する。先ず、剥離層１６の上側からＯ_２プラズマ
処理などにより剥離層１６、樹脂部１７及び樹脂層５を
除去し、図１４に示すように、発光ダイオード２の上側
電極３を露出させる。

【００２９】続いて、一旦裏面電極１９、発光ダイオー
ド２及び上側電極３を覆うように絶縁材料を用いて保護
層２３を形成した後、発光ダイオード２に対応する位置
にレーザー光を照射し、ビアホール２４を形成する。保
護層２３には、発光ダイオードからの光を遮らないよう
に透明エポキシ接着剤などの材料を使用することができ
る。この保護層２３は加熱硬化され、発光ダイオード２
を覆う。ビアホール２４は、エキシマレーザー光、高調
波ＹＡＧレーザー光、及び炭酸ガスレーザー光などによ
り保護層２３を選択的に除去することにより形成され
る。更に、ビアホール２４を形成した後、その上に第２
の保護層２５を形成する。保護層２５は、保護層２３を
形成する材料と同じ材料を使用すれば良く、透明エポキ
シ接着剤などの材料を塗布した後、加熱硬化させること
により形成することができる。ビアホール２４を形成し
た場合と同様に、保護層２５を形成した後、エキシマレ
ーザー光、高調波ＹＡＧレーザー光、及び炭酸ガスレー
ザー光などにより保護層２５を選択的に除去することに
より、図１５に示すように、ビアホール２６が形成さ
れ、上側電極３を露出させる。

【００３０】上述のようにビアホール２６を形成した
後、ビアホール２６に臨む上側電極３に電極パッド２７
を形成する。電極パッド２７は、スパッタリングなどに
より金属層を形成した後、選択的にエッチングされ、図
１６に示すように、所望のサイズの電極パッド２７が形
成される。電極パッド２７は、例えば、Ｔｉ/Ａｌなど
のように複数の金属を積層して形成することができる。
また、発光ダイオード２が第１の一時保持用部材１から
所望の素子間隔で選択的に剥離されることから、発光ダ
イオード２間の間隔を十分確保することができ、電極パ
ッド２７を所望のサイズ、形状になるように形成するこ
とができる。また、電極パッド２７に限定されず、上側
電極３から保護層２５の表面に亘って直接配線を形成す
ることもできる。

【００３１】次に、発光ダイオード２を個別に切り出
し、樹脂形成素子の状態にする。切り出しは、例えばレ
ーザーダイシングにより行うことができる。レーザーダ
イシングはレーザー光のラインビームを照射することに
より行われ、保護膜２３、２５、樹脂層２０を基板２１
が露出するまで切断する。このレーザーダイシングによ
り、発光ダイオード２は電極パッドや配線が形成された
所定のサイズの樹脂形成素子として切り出される。

【００３２】上記素子の製造方法は、例えば、発光素子
を樹脂中に埋め込んでチップ化した後、拡大転写して再
配列する素子の配列方法及びこれを応用した画像表示装
置の製造方法などに応用することができる。以下、この
素子の配列方法、これを応用した画像表示装置の製造方
法について説明する。

【００３３】例えば発光ダイオードを用いて画像表示装
置を作製する場合、発光ダイオードを離間して配列する
必要がある。この配列方法としては種々の方法がある
が、ここでは二段階拡大転写法を例にして説明する。二
段階拡大転写法では、先ず、高集積度をもって第一基板
上に作成されたチップを第一基板上でチップが配列され
た状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材
に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記チッ
プをさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大
転写を行う。なお、本実施形態では転写を２段階として
いるが、チップを離間して配置する拡大度に応じて転写
を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。

【００３４】従って、多段階の転写工程の何れかの転写
工程において、上述の素子の製造方法を用いることによ
り、容易に素子に電極又は配線を形成することが可能と
なる。

【００３５】図１７は二段階拡大転写法の基本的な工程
を示す全体工程図である。まず、図１７の（ａ）に示す
第一基板３０上に、例えば発光素子のようなチップ３２
を密に形成する。チップを密に形成することで、各基板
当たりに生成されるチップの数を多くすることができ、
製品コストを下げることができる。第一基板３０は例え
ば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファ
イア基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な
基板であるが、各チップ３２は第一基板３０上に直接形
成したものであっても良く、他の基板上で形成されたも
のを配列したものであっても良い。

【００３６】次に図１７の（ｂ）に示すように、第一基
板３０から各チップ３２が図中破線で示す一時保持用部
材３１に転写され、この一時保持用部材３１の上に各チ
ップ３２が保持される。ここで隣接するチップ３２は離
間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわ
ちチップ３２はｘ方向にもそれぞれチップの間を広げる
ように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞ
れチップの間を広げるように転写される。このとき離間
される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程
での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とす
ることができる。一時保持用部材３１上に第一基板３０
から転写した際に第一基板３０上の全部のチップが離間
されて転写されるようにすることもできる。この場合に
は、一時保持用部材３１のサイズはマトリクス状に配さ
れたチップ３２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離
間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、一
時保持用部材３１上に第一基板３０上の一部のチップが
離間されて転写されるようにすることも可能である。

【００３７】このような第一転写工程の後、図１７の
（ｃ）に示すように、一時保持用部材３１上に存在する
チップ３２は離間されていることから、チップ３２を樹
脂で覆う。更に、レーザーダイシングなどにより樹脂を
除去し、素子分離が行われ、樹脂形成チップ３４が形成
される。チップ３２は平面上、樹脂形成チップ３４の略
中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在
するものであっても良い。

【００３８】次に、図１７の（ｄ）に示すように、第二
転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用
部材３１上でマトリクス状に配されるチップ３２が樹脂
形成チップ３４ごと更に離間するように第二基板３５上
に転写される。このとき、チップ３２が樹脂形成チップ
３４ごと選択的に離間され、図示のようにマトリクス状
に配される。すなわちチップ３２はｘ方向にもそれぞれ
チップの間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直
なｙ方向にもそれぞれチップの間を広げるように転写さ
れる。第二転写工程によって配置されたチップの位置が
画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であ
るとすると、当初のチップ３２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程によって配置されたチップ３２のピッチと
なる。ここで第一基板３０から一時保持用部材３１での
離間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材３１
から第二基板２５での離間したピッチの拡大率をｍとす
ると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。

【００３９】このとき、第二基板３５上に離型材層３６
が予め形成され、第二基板３５上に樹脂形成チップ３４
ごと離間された各チップ３２の周囲に樹脂部を形成し、
樹脂部とともに離型材層３６からチップ３２を剥離する
ことにより、チップ３２の剥離面と樹脂部の剥離面を同
一平面に形成することができる。従って、チップ３２と
樹脂部の境界における段差の発生を極力抑制することが
でき、チップ３２の剥離面と樹脂部の剥離面に亘る裏面
電極又は配線を同一平面上に形成することが可能とな
り、接続不良を極力抑えながらこれら裏面電極又は配線
を形成することができる。この配線は例えばチップ３２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含む。また、一時保持用部材３１に離
型材層を形成しておき、樹脂形成チップ３４を一時保持
用部材３１から剥離する段階で、チップ３２とチップ３
２の周りに形成された樹脂部の剥離面を同一平面に形成
することもできる。従って、第二基板３５に限定され
ず、一時保持用部材３１などの何れかの転写先に離型材
層が形成されていれば良い。

【００４０】図１７に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後のチップが離間されたスペースと、チッ
プと接着剤層の平坦な剥離面を利用して裏面電極を容易
に形成することができる。従って、画像表示装置の歩留
まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡
大転写法においては、チップ間の距離を離間する工程が
２工程であり、このようなチップ間の距離を離間する複
数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減る
ことになる。すなわち、例えば、ここで第一基板３０か
ら一時保持用部材３１での離間したピッチの拡大率を２
（ｎ＝２）とし、一時保持用部材３１から第二基板３５
での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、
仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたとき
では、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回
の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必
要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメ
ントの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と
第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えた
だけの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を
意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）^２＝ｎ^２＋２ｎｍ
＋ｍ^２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減
らすことができることになる。従って、製造工程も回数
分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場
合に有益となる。

【００４１】なお、図１７に示した二段階拡大転写法に
おいては、チップ３２を例えば発光素子としているが、
これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電
変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイ
オード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素
子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、
これらの組み合わせなどであっても良い。

【００４２】上記第二転写工程においては、チップは樹
脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上から
第二基板にそれぞれ転写される。例えば、図１８にチッ
プが発光素子の場合を示すと、樹脂形成チップ４０は、
離間して配置されている発光素子４１の周りを樹脂４２
で固めたものであり、このような樹脂形成チップ４０
は、一時保持用部材から第二基板に発光素子４１を転写
する場合に使用できるものである。樹脂形成チップ４０
は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この
樹脂形成チップ４０の形状は樹脂４２を固めて形成され
た形状であり、具体的には各発光素子４１を含むように
未硬化の樹脂を全面に塗布し、これを硬化した後で縁の
部分をダイシング等で切断することで得られる形状であ
る。

【００４３】略平板状の樹脂４２の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド４３，４４が形成される。これら電
極パッド４３，４４の形成は全面に電極パッド４３，４
４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層
を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極
形状にパターンニングすることで形成される。これら電
極パッド４３，４４は発光素子４１のｐ電極とｎ電極に
それぞれ接続するように形成される。

【００４４】ここで電極パッド４３，４４は樹脂形成素
子４０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、
一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であ
り、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲー
ト、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３
つ或いはそれ以上形成しても良い。また、図１９に示す
ように、電極パッド４３，４４の位置が平板上ずれてい
るのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをと
っても重ならないようにするためである。電極パッド４
３，４４の形状も正方形に限定されず他の形状としても
良い。

【００４５】このような樹脂形成チップを構成すること
で、発光素子４１の周りが樹脂４２で被覆され平坦化さ
れることにより精度良く電極パッド４３，４４を形成で
きるとともに発光素子４１に比べて広い領域に電極パッ
ド４３，４４を延在でき、次の第二転写工程での転写を
吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述
するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行
われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド４３，
４４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防
止される。

【００４６】次に、図２０に本例の二段階拡大転写法で
使用される発光素子の一例を示す。図２０の（ａ）が素
子断面図であり、図２０の（ｂ）が素子平面図である。
この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例え
ばサファイア基板上に結晶成長される素子である。この
ようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過する
レーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、Ｇａ
Ｎの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板と
ＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分
離を容易なものにできる特徴を有している。

【００４７】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層５１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層５２が形成されている。なお、下地成長
層５１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層５２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層５２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層５２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層５２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層４３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層５４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層５４
もクラッドとして機能する。

【００４８】このような発光ダイオードには、ｐ電極５
５とｎ電極５６が形成される。ｐ電極５５はマグネシウ
ムドープのＧａＮ層５４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸
着して形成される。ｎ電極５６は前述の図示しない絶縁
膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属
材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層５１の裏
面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極５６の形
成は下地成長層５１の表面側には不要となる。

【００４９】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐台
構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素
子や化合物半導体素子などであっても良い。

【００５０】次に、図１７に示す素子の配列方法を応用
した画像表示装置の製造方法を具体的に説明する。発光
素子は、一例として、図２０に示したＧａＮ系の発光ダ
イオードを用いている。先ず、図２１に示すように、第
一基板６１の主面上には複数の発光ダイオード６２が密
な状態で形成されている。発光ダイオード６２のサイズ
は微小なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ
程度とすることができる。第一基板６１の構成材料とし
てはサファイア基板などのように発光ダイオード６２に
照射するレーザの波長に対して透過率の高い材料が用い
られる。発光ダイオード６２にはｐ電極などまでは形成
されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子
間分離の溝５２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオ
ード６２は分離できる状態にある。この溝６２ｇの形成
は例えば反応性イオンエッチングで行う。

【００５１】次いで、第一基板６１上に発光ダイオード
６２を覆うに足る接着剤（例えば紫外線硬化型の接着
剤）を塗布して接着剤層６３を形成し、発光ダイオード
６２で支持されるように第１の一時保持用部材６５を重
ね合わせる。この状態で、図２２に示すように第一基板
６１の裏面側から接着剤層６３に紫外線（ＵＶ光）６６
を照射し、これを硬化する。第一基板６１はサファイア
基板であり、ＵＶ光６６はこれを透過して接着剤層６３
を速やかに硬化する。このとき、接着剤層６３と第１の
一時保持用部材６５は、後の工程で第１の一時保持用部
材６５を剥離し易いように剥離層６４を介して接着され
る。ここで第１の一時保持用部材６５の例としては、ガ
ラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板、サファ
イア基板などを用いることができ、本実施形態ではサフ
ァイア基板を用いた。剥離層６４には、フッ素コート、
シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアル
コール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができ
るが、ここではポリイミドを用いた。このとき、第１の
一時保持用部材６５が発光ダイオード６２により支持さ
れることから接着剤層６３の厚さは第一基板６１と第１
の一時保持用部材６５との間隔によって規制されること
になり、発光ダイオード６２がスペーサとしての役割を
果たす。即ち、一定の厚さの接着剤層６３が第一基板６
１と第１の一時保持用部材６５の間に形成されることに
なる。よって、発光ダイオード６２の高さにより接着剤
層６３の厚みが決まるため、厳密に圧力を制御すること
なく一定の厚さの接着剤層を形成することが可能であ
る。

【００５２】接着剤層６３を硬化した後、図２３に示す
ように、発光ダイオード６２に対しレーザ光６８を第一
基板６１の裏面から照射し、発光ダイオード６２を第一
基板６１からレーザアブレーションを利用して剥離す
る。ＧａＮ系の発光ダイオード６２はサファイアとの界
面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単
に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレー
ザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。このレーザ
アブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオー
ド６２は第一基板５１の界面で分離し、第１の一時保持
用部材６５上に接着剤層６３に埋め込まれた状態で転写
される。このとき、発光ダイオード６２の第一基板６１
との剥離面６７には、レーザーアブレーションにより金
属Ｇａが析出しており、これをエッチングすることが必
要である。

【００５３】そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸な
どによりウエットエッチングを行い、図２４に示すよう
に、剥離面６７に析出したＧａ５６を除去する。更に、
図２５に示すように、酸素プラズマ（Ｏ_２プラズマ）７
０により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤層６
３、剥離層６４をダイシング溝６９によって切断し、発
光ダイオード６２毎にダイシングした後、発光ダイオー
ド６２の選択分離を行う。ダイシングプロセスは通常の
ブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い
切り込みが必要なときにはレーザー光による加工を行
う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤層
６３で覆われた発光ダイオード６２の大きさに依存する
が、一例として、エキシマレーザにて溝加工を行い、チ
ップの形状を形成する。

【００５４】次いで、発光ダイオード６２の選択分離を
行う。先ず、図２６に示すように、離型材層７２が形成
された第二基板７１に接着剤層６３に覆われた発光ダイ
オード６２の剥離面を密着させる。このとき、離型材層
７２はスピンコートなどによりシリコーン樹脂を塗布し
て形成され、その表面は平坦される。続いて、第１の一
時保持用部材６５の発光ダイオード６２が接着されない
裏面側から選択的に光が照射され、剥離層６４が硬化さ
れる。よって、離型材層７２に転写させる発光ダイオー
ド６２を覆う接着剤層６３と剥離層６４の境界領域に選
択的に光７３を照射し、第１の一時保持用部材６５を引
き離すことにより、図２７に示すように、光７３が照射
された領域の発光ダイオード６２が離型材層７２に転写
される。光７３は、剥離層６４を硬化させることがで
き、剥離層７３と接着剤層６３の接着強度を低下させる
ことが出来れば良く、例えば、エキシマレーザー光、高
調波ＹＡＧレーザー光などを用いることが出来る。ま
た、発光ダイオード６２は接着剤層６３に被覆された樹
脂形成チップ７４として離型材層７２に選択的に転写さ
れる。

【００５５】次いで、離型材層７２に転写された樹脂形
成チップ７４を覆うように再度接着剤を塗布し、樹脂部
として接着剤層７５を形成する。接着剤層７５は後工程
で離型材層から樹脂形成チップ７４とともに剥離される
樹脂部であり、ここで一旦剥離層７６を介して第２の一
時保持用部材７７と接着剤層７５を接着する。このと
き、第２の一時保持用部材７７の上側から光７８を照射
することに剥離層７６を硬化し、図２８に示すように接
着が行われる。よって、第２の一時保持用部材７７に樹
脂形成チップ７４を内包する接着剤層７５が強固に接着
されることにより、図２９に示すように、離型材層７２
を接着剤層７５から剥離することが可能となる。このと
き、離型材層７２の表面は予め平坦に形成されているこ
とから、離型材層７２から剥離された接着剤層７５の剥
離面７９と樹脂形成チップ７４の剥離面８０は同一平面
を形成するように平坦な形状を有し、樹脂形成チップ７
４と接着剤層７５の境界において段差が生じることを極
力抑えることができる。ここで、樹脂形成チップ７４の
剥離面８０は、発光ダイオード６２の下側の面が露出し
た面であり、剥離面８０に直接電極を形成することによ
り発光ダイオード６２と電気的なコンタクトを行うこと
ができる。

【００５６】次いで、図３０に示すように、樹脂形成チ
ップ７４の剥離面８０から接着剤層７５の剥離面７９に
亘って電極パッド８１が形成される。電極パッド８１
は、蒸着法などにより形成され、例えば、透明電極（Ｉ
ＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの
材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオード６２の
裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、
パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パタ
ーニングプロセスが容易になる。また、発光ダイオード
６２の裏面である剥離面８０と、絶縁材でもある接着剤
層７５の境界に段差が殆ど生じることがないことから、
発光ダイオード６２の裏面から剥離面７９に亘って電極
パッドや配線を形成した場合、接続不良を生じることが
ない。更に、複数の発光ダイオード６２に個別にビアホ
ールを形成することなく、一括処理により電極パッドを
形成することができる。よって、電極パッド８１の接続
不良を抑制できるうえに、簡便なプロセスにより発光ダ
イオード６２の裏面への電極パッドの形成を行うことが
可能となる。

【００５７】更に、図３１に示すように、基板９１に形
成された接着剤層９０に樹脂形成チップ７４を内包する
接着剤層７５を接着した後、図３２に示すように、第２
の一時保持用部材７７の上側から光９２を照射し、第２
の一時保持用部材７７を剥離層７６から剥離する。剥離
層７６をポリイミドで形成することにより、光９２とし
てＵＶ光を照射することにより剥離層７６が速やかに硬
化され、第２の一時保持用部材７７を容易に剥離するこ
とができる。

【００５８】次いで、図３３に示すように、剥離層７６
の上側からレーザー光などによりビアホール９２の形成
し、発光ダイオード６２の上側電極９３を露出させる。
ビアホール９２の形成には、エキシマレーザー光、高調
波ＹＡＧレーザー光、炭酸ガスレーザー光などを用いる
ことができる。このとき、剥離層７６をエッチバックし
て除去しておいても良い。

【００５９】次に、ビアホール９２を介して発光ダイオ
ード６２のｐ側電極と接続されるアノード側電極パッド
９４を形成する。このアノード側電極パッド９４は、例
えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。図３４は、発光
ダイオード６２を基板９１に転写して、アノード電極
（ｐ電極）側のビアホール９２を形成した後、アノード
側電極パッド９４を形成した状態を示している。

【００６０】アノード側電極パッド９４を形成した後、
図３５に示すように、接着剤層７５、９０を例えばレー
ザダイシングによりダイシング分離溝９５を形成し、電
極パッド８１、９４が形成された樹脂形成素子９６を切
り出す。レーザーダイシングは、レーザのラインビーム
を照射することにより行われ、接着剤層７５、９０を基
板９１が露出するまで切断する。このレーザダイシング
により各発光ダイオード６２は電極パッド８１、９４が
形成された所定の大きさの樹脂形成素子９６として切り
出され、後述の実装工程へと移行される。

【００６１】実装工程では、機械的手段（真空吸引によ
る素子吸着）とレーザーアブレーションの組み合わせに
より発光ダイオード６２を内包する樹脂形成素子９６が
基板９１から剥離される。図３６は、基板９１上に配列
している樹脂形成素子９６を吸着装置１０３でピックア
ップするところを示した図である。このときの吸着孔１
０５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口
していて、樹脂形成素子９６を一括で多数個吸着できる
ようになっている。このときの開口径は、例えば直径約
１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口さ
れて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着
孔１０５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したも
の、もしくはステンレス（ＳＵＳ）などの金属板をエッ
チングで穴加工したものが使用され、吸着孔１０５の奥
には吸着チャンバ１０４が形成されており、この吸着チ
ャンバ１０４を負圧に制御することで樹脂形成素子９６
の吸着が可能になる。このとき、樹脂形成素子９６の上
面は略平坦化されているため、吸着装置１０３による選
択的な吸着を容易に進めることができる。

【００６２】尚、吸着装置１０３には、真空吸引による
素子吸着の際に、樹脂形成素子９６を一定の位置に安定
して保持できるように、素子位置ずれ防止手段を形成し
ておくことが好ましい。本実施形態では、素子位置ずれ
防止手段は、樹脂形成素子９６の周面に当接する位置決
めピンとして形成することができ、これが樹脂形成素子
の周面（具体的にはレーザダイシングにより切断された
接着剤層７５の切断面）に当接することにより、吸着装
置１０３と樹脂形成素子９６（すなわち発光ダイオード
６２）とが互いに正確に位置合わせされる。このとき、
素子分離溝９５の切断面にテーパーを持たせておけば、
吸着装置１０３と樹脂形成素子９６間に若干の位置ずれ
があったとしても、速やかに矯正される。

【００６３】上記樹脂形成素子９６の剥離に際しては、
上記吸着装置１０３による素子吸着と、ＵＶ光照射によ
る樹脂形成素子の剥離を組み合わせ、剥離が円滑に進む
ようにしている。樹脂形成素子の剥離は、基盤９１の裏
面側からＵＶ光を照射することにより行う。このＵＶ光
の照射によって、基板９１と接着剤層９０の界面で剥離
が生ずる。

【００６４】図３７は、樹脂形成素子９６を配線基板１
１０に転写するところを示した図である。素子形成基板
１１０は、電極層１１７を有する配線基板であり、樹脂
形成素子９６を装着する際に配線基板１１０にあらかじ
め接着剤層１１６が塗布されており、樹脂形成素子９６
下面の接着剤層１１６を硬化させ、樹脂形成素子９６を
配線基板１１０に固着して配列させることができる。こ
の装着時には、吸着装置１０３の吸着チャンバ１０４が
圧力の高い状態となり、吸着装置１０３と樹脂形成素子
９６との吸着による結合状態は解放される。接着剤層１
１６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接
着剤などによって構成することができる。素子形成基板
１１０上で樹脂形成素子９６が配置される位置は、第１
の一時保持用部材６５上での配列よりも離間したものと
なる。接着剤層１１６の樹脂を硬化させるエネルギーは
素子形成基板１１０の裏面から供給される。ＵＶ硬化型
接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場
合は赤外線加熱などによって樹脂形成素子９６の下面の
み硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、赤外線やレーザの
照射によって接着剤を溶融させ接着を行う。

【００６５】また、配線基板１１０上のシャドウマスク
としても機能する電極層１１７は、その画面側の面に黒
クロム層１１８を形成しておくことにより、画像のコン
トラストを向上させることができる。更に、黒クロム層
１１８でのエネルギー吸収率を高くすることができ、選
択的に照射されるエネルギービーム１１３により接着剤
層１１６の硬化を速やかに行うことが可能となる。

【００６６】図３８は、複数の樹脂形成素子を素子形成
基板１１０に配列させ絶縁層１１９を塗布した状態を示
す図である。図３６及び図３７に使用した吸着装置１０
３をそのまま使用し、素子形成基板１１０にマウントす
る位置をずらすだけで、ピッチが一定のままは各画素を
形成することができる。絶縁層１１９としては、透明エ
ポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用
いることができる。

【００６７】次に、図３９に示すように、発光ダイオー
ド６２の電極パッド８１、９４や配線基板１１０上の電
極層１１７に対応して、これらを電気的に接続するため
にビアホール１２５、１２６、１２７、１２８、１２
９，１３０を形成し、更に配線を形成する。これらビア
ホールの形成もレーザービームを用いて行う。ビアホー
ルの深さは、それぞれ配線基板と接続するもの、アノー
ド電極と接続するもの及びカソード電極と接続するもの
の３種類の深さがあるので、例えば、レーザービームの
パルス数でこれを制御し、最適な深さのビアホールを形
成する。

【００６８】絶縁層１１９にビアホール１２５、１２
６、１２７、１２８、１２９、１３０を形成した後、発
光ダイオード６２のアノード電極パッド９４、カソード
電極パッド８１と素子形成基板１１０の配線用の電極層
１１７を接続する配線１３３、１３４、１３５を形成す
る。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置の
パネルが完成する。このときの保護層は絶縁層１１７と
同様、透明エポキシ接着剤などの材料を使用することが
できる。この保護層を加熱硬化し、配線を完全に覆う。
この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続し
て駆動パネルを製作することになる。

【００６９】上述のような素子配列方法においては、一
時保持用部材に発光ダイオードを保持させた時点で既
に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利
用して比較的サイズの大きな電極パッド８１、９４を設
けることが可能となる。それら比較的サイズの大きな電
極パッド８１、９４を利用した配線が行われるため、素
子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大き
な場合であっても容易に配線を形成することができる。
また、本実施形態の素子の配列方法では、発光ダイオー
ドと発光ダイオードを内包する接着剤層の基板からの剥
離面が同一平面上に形成されることにより、発光ダイオ
ードから接着剤層に亘る広い範囲に電極パッドを形成す
ることができ、発光ダイオードと接着剤層の境界におけ
る接続不良を抑制できる。また、一括処理に複数の発光
ダイオードに電極パッドを形成することができることに
より、製造工程を簡略化することができ、製造コストを
抑えることも可能となる。

【００７０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、樹脂に埋め込まれた素子に接続不良を抑制し
ながら電極パッドを形成することができる素子を製造す
ることが可能となる。また、本発明の素子の製造方法を
応用することにより、素子の接続不良を極力抑えること
ができる素子配列方法及びこれを利用した画像表示装置
の製造方法を提供することができる。よって、本発明に
よれば、多大な製造コストを要することなく電極パッド
や配線の素子本体との接続不良が殆どない高品質の画像
表示装置を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光ダイオードが配置された配置図である。

【図２】樹脂層が形成された断面図である。

【図３】樹脂層を第１の一時保持用部材に接着する工程
図ある。

【図４】発光ダイオードから基板を剥離する工程図であ
る。

【図５】発光ダイオードを第１の一時保持用部材に保持
する工程図である。

【図６】樹脂形成チップを分離する工程図である。

【図７】樹脂形成チップを離型材層に密着させる工程図
である。

【図８】樹脂形成チップを転写する工程図である。

【図９】樹脂形成チップの周囲に樹脂部を形成する工程
図である。

【図１０】樹脂形成チップと樹脂部を離型材層から剥離
する工程図である。

【図１１】樹脂形成チップの剥離面に電極パッドを形成
する工程図である。

【図１２】電極パッドが形成された面を接着剤層を介し
て基板と接着する工程図である。

【図１３】第２の一時保持用部材を剥離する工程図であ
る。

【図１４】発光ダイオードを露出させる工程図である。

【図１５】ビアホールを形成する工程図である。

【図１６】上側電極パッドを形成する工程図である。

【図１７】本発明の素子配列方法の工程の流れを示した
全体工程図である。

【図１８】樹脂形成チップの構造の概略を示した構造図
である。

【図１９】樹脂形成チップの平面構造の概略を示した構
造図である。

【図２０】発光ダイオードの構造を示した構造図であっ
て、（ａ）は断面構造図、（ｂ）は平面構造図である。

【図２１】発光ダイオードが基板に形成された図であ
る。

【図２２】発光ダイオードに接着剤層を塗布した後、一
時保持用部材に保持する工程図である。

【図２３】樹脂形成チップを接着剤層とともに基板から
剥離する工程図である。

【図２４】樹脂形成チップの剥離面が洗浄された状態を
示す図である。

【図２５】樹脂形成チップが素子分離された状態を示す
図である。

【図２６】樹脂形成チップを離型材層に接着する工程図
である。

【図２７】樹脂形成チップを離型材層に転写する工程図
である。

【図２８】樹脂形成チップと接着剤層を一時保持用部材
に接着する工程図である。

【図２９】樹脂形成チップと接着剤層を基板から剥離す
る工程図である。

【図３０】発光ダイオードの剥離面に電極パッドを形成
する工程図である。

【図３１】発光ダイオードを接着剤層と接着する工程図
である。

【図３２】剥離層から第２の一時保持用部材を剥離する
工程図である。

【図３３】接着剤層にビアホールを形成する工程図であ
る。

【図３４】発光ダイオードに上側電極パッドを形成する
工程図である。

【図３５】樹脂形成素子を素子分離する工程図である。

【図３６】樹脂形成素子をピックアップする工程図であ
る。

【図３７】樹脂形成素子を基板に実装する工程図であ
る。

【図３８】絶縁層を形成した状態を示す図である。

【図３９】発光ダイオードに配線を施した状態を示す図
である。

【符号の説明】

１素子形成基板、２発光ダイオード、３上側電極、
４素子分離溝、５樹脂層、６接着剤層、７第１の一
時保持用部材、８ＵＶ光、９レーザー光、１０素子分
離溝、１１離型材層、１２第一基板、１３樹脂形成
チップ、１４光、１５第２の一時保持用部材、１６
剥離層、１７樹脂部、１８光、１９裏面電極、２０
接着剤層、２１第二基板、２２レーザー光、２３保
護層、２４ビアホール、２５保護層、２６ビアホー
ル、２７電極パッド、３０第一基板、３１一時保持
用部材、３２チップ、３３樹脂、３４樹脂形成チッ
プ、３５第二基板、４０樹脂形成チップ、４１素
子、４２樹脂、４３，４４電極パッド、５１下地成
長層、５２ＧａＮ層、５４ＧａＮ層、５５ｐ電極、
５６ｎ電極、６１第一基板、６２発光ダイオード、６
２ｇ溝、６３接着剤層、６４剥離層、６５第１の
一時保持用部材、６６ＵＶ光、６７剥離面、６９ダイ
シング溝、７１第二基板、７２離型材層、７３光、
７４樹脂形成チップ、７５接着剤層、７６剥離層、
７７第２の一時保持用部材、７８光、７９剥離面、８
０剥離面、８１カソード電極パッド、８１電極パッ
ド、９０接着剤層、９１基板、９２光、９３上側電
極、９４アノード電極パッド、９５素子分離溝、９６
樹脂形成素子、１０３吸着装置、１０４吸着チャ
ンバ、１０５吸着孔、１１０基板、１１３エ
ネルギービーム、１１６接着剤層、１１７絶縁層、
１１７電極層、１１８黒クロム層、１１９絶縁
層、１２５ビアホール、１３３配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C094 AA32 AA43 AA44 BA23 CA19 DA13 DB01 FA10 GB01 5F041 AA42 CA40 CA46 CA65 CA76 CA77 CA98 DA20 DB08 FF06 5G435 AA17 BB04 CC09 EE12 KK05 LL01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】離型材層の表面に配置されたチップの周囲
に樹脂部を形成し、前記樹脂部とともに前記チップを前
記離型材層より剥離することを特徴とする素子の製造方
法。
【請求項２】前記離型材層の表面は平坦であることを特
徴とする請求項１記載の素子の製造方法。
【請求項３】前記離型材層をシリコーン系樹脂により形
成することを特徴とする請求項１記載の素子の製造方
法。
【請求項４】前記離型材層を基板上に形成することを特
徴とする請求項１記載の素子の製造方法。
【請求項５】前記樹脂部を形成する樹脂は接着剤である
ことを特徴とする請求項１記載の素子の製造方法。
【請求項６】前記樹脂部を一時保持用部材に接着した
後、前記離型材層から前記樹脂部とともに前記チップを
剥離することを特徴とする請求項１記載の素子の製造方
法。
【請求項７】前記樹脂部を、剥離層を介して前記一時保
持用部材に接着することを特徴とする請求項６記載の素
子の製造方法。
【請求項８】前記チップの剥離面に電極若しくは配線を
形成することを特徴とする請求項１記載の素子の製造方
法。
【請求項９】前記電極若しくは配線を前記チップの剥離
面と前記樹脂部の剥離面に亘って形成することを特徴と
する請求項８記載の素子の製造方法。
【請求項１０】前記接着剤は熱硬化性接着剤若しくは光
硬化性接着剤であることを特徴とする請求項５記載の素
子の製造方法。
【請求項１１】前記一時保持用部材はサファイア基板で
あることを特徴とする請求項６記載の素子の製造方法。
【請求項１２】前記チップは発光素子であることを特徴
とする請求項１記載の素子の製造方法。
【請求項１３】前記発光素子は発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１２記載の素子の製造方法。
【請求項１４】前記基板は前記一時保持用部材と略等し
い熱膨張係数を有することを特徴とする請求項４記載の
素子の製造方法。
【請求項１５】前記基板をソーダライムガラスにより形
成することを特徴とする請求項１４記載の素子の製造方
法。
【請求項１６】第１基板上に配列された複数のチップを
第二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第一基板上で前記チップが配列された状態よりは離
間した状態となるように前記チップを転写して一時保持
用部材に前記チップを保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記チップを更に離間
して前記第二基板上に転写する工程を有し、前記第一転写工程及び第二転写工程の少なくとも一方に
おいて、離型材層の表面に配置されたチップの周囲に樹
脂部を形成し、前記離型材層から前記チップと前記樹脂部を剥離するこ
とを特徴とする素子の配列方法。
【請求項１７】発光素子をマトリクス状に配置した画像
表示装置の製造方法において、前記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは
離間した状態となるように前記発光素子を転写して一時
保持用部材に前記発光素子を保持させる第一転写工程
と、前記一時保持用部材に保持された前記発光素子を更に離
間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、前記第一転写工程及び第二転写工程の少なくとも一方に
おいて、離型材層の表面に配置された発光素子の周囲に
樹脂部を形成し、前記離型材層から前記発光素子と前記樹脂部を剥離する
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１８】前記発光素子は窒化物半導体により形成
されることを特徴とする請求項１７記載の画像表示装置
の製造方法。
【請求項１９】前記窒化物半導体は素子形成基板の主面
に対して傾斜した傾斜結晶面を有することを特徴とする
請求項１８記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項２０】前記傾斜結晶面はＳ面であることを特徴
とする請求項１９記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項２１】前記発光素子は発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１７記載の画像表示装置の製造方
法。