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JP2003158169A - 基板真空吸着ハンド - Google Patents

基板真空吸着ハンド

Info

Publication number
JP2003158169A
JP2003158169A JP2001355717A JP2001355717A JP2003158169A JP 2003158169 A JP2003158169 A JP 2003158169A JP 2001355717 A JP2001355717 A JP 2001355717A JP 2001355717 A JP2001355717 A JP 2001355717A JP 2003158169 A JP2003158169 A JP 2003158169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
suction
substrate
semiconductor wafer
vacuum
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001355717A
Other languages
English (en)
Inventor
Itsuo Tanaka
逸男 田中
Akihiro Kurashige
陽宏 倉繁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOMUKO KK
Original Assignee
TOMUKO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOMUKO KK filed Critical TOMUKO KK
Priority to JP2001355717A priority Critical patent/JP2003158169A/ja
Publication of JP2003158169A publication Critical patent/JP2003158169A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manipulator (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 両面に加工部分を有する基板を保持する。 【解決手段】 円形状の吸着部1に柄部2を取り付け、
吸着部1の直径を吸着すべき半導体ウェハの直径とほぼ
同一とし、吸着部1の外周部に円環状の吸着面3を設
け、吸着面3を吸着部1の他の部分から突出させ、吸着
面3に複数の吸引孔4を設け、吸着部1および柄部2に
真空通路5を設け、真空通路5の一端を吸引孔4に接続
し、真空通路5の他端をそれぞれ電磁弁6の一方のポー
トに接続し、それぞれの電磁弁6を独立して操作可能と
し、電磁弁6の他方のポートに真空チャンバ7を接続
し、真空チャンバ7に真空ポンプ8を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ等の基
板を真空吸着する基板真空吸着ハンドに関するものであ
る。 【0002】 【従来の技術】最近においては、半導体装置を製造する
場合には、半導体ウェハの各種の加工を専門の工場で行
なっているから、工場間で半導体ウェハを搬送する必要
がある。そして、各工場内において半導体ウェハを加工
する場合には、半導体ウェハを石英などからなるカセッ
トに収納しており、半導体ウェハを搬送する場合には、
半導体ウェハを搬送容器(プロストキャリア)に収納し
ている。したがって、半導体ウェハを搬送する場合に
は、半導体ウェハをカセットから搬送容器に移載する必
要があり、基板移載装置が使用されている。そして、こ
のような基板移載装置には半導体ウェハを保持する基板
保持ハンドが設けられている。 【0003】従来の基板保持ハンドとしては、複数の吸
着パッドを有するものが使用されている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかし、このような基
板保持ハンドにおいては、両面に加工部分を有する半導
体ウェハを保持することができない。 【0005】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、両面に加工部分を有する基板を保持するこ
とができる基板真空吸着ハンドを提供することを目的と
する。 【0006】 【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、基板を真空吸着する基板真空吸
着ハンドにおいて、吸着部の外縁部に上記吸着部の他の
部分から突出した吸着面を設け、上記吸着面に複数の吸
引孔を設ける。 【0007】 【発明の実施の形態】図1は本発明に係る基板真空吸着
ハンドを示す図、図2は図1のA−A拡大断面図であ
る。図に示すように、円形状の吸着部1に柄部2が取り
付けられ、吸着部1の直径は吸着すべき半導体ウェハの
直径とほぼ同一である。また、吸着部1の外周部(外縁
部)に円環状の吸着面3が設けられ、吸着面3は吸着部
1の他の部分から突出している。また、吸着面3に複数
の吸引孔4が設けられ、吸着部1および柄部2に真空通
路5が設けられ、真空通路5の一端は吸引孔4に接続さ
れている。また、真空通路5の他端はそれぞれ電磁弁6
の一方のポートに接続されており、それぞれの電磁弁6
は独立して操作が可能である。また、電磁弁6の他方の
ポートに真空チャンバ7が接続され、真空チャンバ7に
真空ポンプ8が接続されている。 【0008】つぎに、図1、図2に示した基板真空吸着
ハンドを使用してカセットに収納された半導体ウェハを
搬送容器(プロストキャリア)に移載する方法を説明す
る。まず、電磁弁6を全て閉とした状態で吸着部1を移
動して、カセットに収納された半導体ウェハのうちの移
載すべき半導体ウェハの裏面に吸着部1を当接する。こ
の場合、半導体ウェハの中心と吸着部1の中心とを一致
させる。つぎに、電磁弁6を全て開として、吸着部1に
半導体ウェハの裏面の周辺部を吸着する。つぎに、吸着
部1を移動して、吸着部1に吸着された半導体ウェハを
搬送容器に載置する。つぎに、電磁弁6を全て閉とした
のち、吸着部1を移動して、吸着部1を元の位置に戻
す。 【0009】つぎに、図1、図2に示した基板真空吸着
ハンドを使用して搬送容器に保護シートを挟んで収納さ
れた半導体ウェハをカセットに移載する方法を説明す
る。まず、電磁弁6を全て閉とした状態で吸着部1を移
動して、搬送容器に収納された1番上の半導体ウェハの
表面に吸着部1を当接する。この場合、半導体ウェハの
中心と吸着部1の中心とを一致させる。つぎに、電磁弁
6を全て開として、吸着部1に半導体ウェハの表面を吸
着する。この場合、光検出器を有する検査装置により各
吸引孔4が設けられた部分の保護シートが吸引孔4に吸
引されて変形しているか否かを検査する。そして、検査
装置の検査結果に基づいて各電磁弁6を独立して操作す
る。すなわち、検出装置が変形を検出した保護シートの
部分の吸引孔4に接続された電磁弁6を閉とする。つぎ
に、吸着部1を移動して、吸着部1に吸着された半導体
ウェハをカセットに載置する。つぎに、電磁弁6を全て
閉としたのち、吸着部1を移動して、吸着部1を元の位
置に戻す。 【0010】図1、図2に示した基板真空吸着ハンドに
おいては、半導体ウェハの中心と吸着部1の中心とを一
致させて、吸着部1に半導体ウェハを吸着すれば、半導
体ウェハの両面に加工がなされていたとしても、半導体
ウェハの周辺部の加工がなされていない部分を吸着する
ことができ、半導体ウェハの加工部分に吸着面3が接触
することはないから、両面に加工部分を有する半導体ウ
ェハを保持することができる。また、搬送容器に保護シ
ートを挟んで収納されたオリエンテーションフラットを
有する半導体ウェハをカセットに移載する場合に、検査
装置により各吸引孔4が設けられた部分の保護シートが
吸引孔4に吸引されて変形しているか否かを検査し、検
出装置が変形を検出した保護シートの部分の吸引孔4に
接続された電磁弁6を閉とすれば、半導体ウェハととも
に保護シートがカセットに搬送されるのを防止すること
ができる。また、半導体ウェハの外周部を両側から挟ん
で半導体ウェハを保持する装置を用いたときには、半導
体ウェハがたとえば100μmと薄いと、半導体ウェハ
が変形するから、半導体ウェハを保持する作業を円滑に
行なうことができない場合があるが、図1、図2に示し
た基板真空吸着ハンドにおいては、半導体ウェハを保持
する作業を円滑に行なうことができる。また、吸引孔4
が複数設けられているから、オリエンテーションフラッ
トを有する半導体ウェハを移載するときに、吸引孔4の
うちの1つがオリエンテーションフラット部に位置した
としても、他の吸引孔4により半導体ウェハを吸着する
ことができる。 【0011】図3は本発明に係る他の基板真空吸着ハン
ドを示す図である。図に示すように、円形の両側部を切
断した形状の吸着部11に柄部12が取り付けられ、吸
着部11の円弧の直径は吸着すべき半導体ウェハの直径
とほぼ同一である。また、吸着部11の外周部(外縁
部)に円弧状の吸着面13a、13bが設けられ、吸着
面13a、13bは吸着部11の他の部分から突出して
いる。また、吸着面13a、13bにそれぞれ複数の吸
引孔14が設けられ、吸着部11および柄部12に真空
通路15が設けられ、真空通路15の一端は吸引孔14
に接続されている。また、真空通路15の他端はそれぞ
れ電磁弁16の一方のポートに接続されており、それぞ
れの電磁弁16は独立して操作が可能である。また、電
磁弁16の他方のポートに真空チャンバ17が接続さ
れ、真空チャンバ17に真空ポンプ18が接続されてい
る。 【0012】なお、上述実施の形態においては、基板が
半導体ウェハの場合について説明したが、他の基板を吸
着する基板真空吸着ハンドに本発明を適用することがで
きる。また、上述実施の形態においては、円形状の吸着
部1、円形の両側部を切断した形状の吸着部11を用い
たが、四角形状等の吸着部を用いてもよい。 【0013】 【発明の効果】本発明に係る基板真空吸着ハンドにおい
ては、基板の両面に加工がなされていたとしても、基板
の周辺部の加工がなされていない部分を吸着することが
できるから、両面に加工部分を有する基板を保持するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に係る基板真空吸着ハンドを示す図であ
る。 【図2】図1のA−A拡大断面図である。 【図3】本発明に係る他の基板真空吸着ハンドを示す図
である。 【符号の説明】 1…吸着部 3…吸着面 4…吸引孔 11…吸着部 13a…吸着面 13b…吸着面 14…吸引孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C007 AS24 DS02 FS01 FT10 FU03 NS13 5F031 CA02 DA01 DA15 FA01 FA07 FA11 GA08

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】基板を真空吸着する基板真空吸着ハンドに
    おいて、吸着部の外縁部に上記吸着部の他の部分から突
    出した吸着面を設け、上記吸着面に複数の吸引孔を設け
    たことを特徴とする基板真空吸着ハンド。
JP2001355717A 2001-11-21 2001-11-21 基板真空吸着ハンド Pending JP2003158169A (ja)

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