JP2003149740A - 光投影装置 - Google Patents
光投影装置Info
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- JP2003149740A JP2003149740A JP2001351065A JP2001351065A JP2003149740A JP 2003149740 A JP2003149740 A JP 2003149740A JP 2001351065 A JP2001351065 A JP 2001351065A JP 2001351065 A JP2001351065 A JP 2001351065A JP 2003149740 A JP2003149740 A JP 2003149740A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
投影装置を提供する。 【解決手段】 反射面の傾きを独立制御可能な複数のミ
ラーを含んで構成される空間光変調器を設け、前記空間
光変調器に光源からの光を照射し、前記空間光変調器で
反射した光を対象物に対して投影する光投影装置におい
て、前記空間光変調器のそれぞれを互いに隙間を隔てて
複数設け、前記複数の空間光変調器と前記対象物との間
に、前記複数の空間光変調器で反射した光を入射して互
いに平行な光として出射する第1の光学手段と、前記平
行な光を屈折させて隣り合う前記空間光変調器の隙間の
光像を消去する第2の光学手段とを備える。
Description
いる光投影装置に関する。
装置の1つ)として、マスクアライナとステッパ(縮小
投影露光装置)とがある。前者は、ワイドエリアのレチ
クルマスクパターンを一括露光する装置である。また、
後者のステッパは、半導体プロセス専用のもので、デバ
イスサイズ毎にレチクルマスクパターンを縮小結像させ
て露光する装置となっている。
バイスの研究開発に用いようとすると、レチクルが非常
に高価となり、またレチクルの納期が非常に長くなる。
一方、後者のステッパについても、レチクルの作製につ
いて上記と同様の問題がある。
御可能な複数のミラーを含んで構成されるDMD(デジ
タル・ミラーデバイス:空間光変調器の1つ)を設け、
制御コンピュータによる静電界作用によってマイクロミ
ラーをそれぞれ回転制御し、この回転制御により、所定
のパターンをDMDに担持させ、この所定のパターンを
露光対象物に投影する投影露光装置が出現している。
MDを使用する投影露光装置にあっては、ワイドエリア
の光像形成には難点がある。すなわち、DMD自体の大
きさには費用的な面での上限値がある一方で、マイクロ
ミラーの大きさには物理的な面での下限値の限界がある
ため、DMDでワイドエリアの光像形成をしようとする
場合には微細な光像の形成ができないという問題があ
る。
ので、微細で且つワイドエリアの光投影が行える光投影
装置を提供することを目的とする。
反射面の傾きを独立制御可能な複数のミラーを含んで構
成される空間光変調器を設け、前記空間光変調器に光源
からの光を照射し、前記空間光変調器で反射した光を対
象物に対して投影する光投影装置において、前記空間光
変調器のそれぞれを互いに隙間を隔てて複数設け、前記
複数の空間光変調器と前記対象物との間に、前記複数の
空間光変調器で反射した光を入射して互いに平行な光と
して出射する第1の光学手段と、前記平行な光を屈折さ
せて隣り合う前記空間光変調器の隙間の光像を消去する
第2の光学手段とを備えるものである。
よって制御可能に構成されていることが好ましい。ま
た、「第1の光学手段」としては、例えば結像テレセン
トリック光学系を使用することができる。さらに、「第
2の光学手段」としては、例えば光軸オフセット用光学
プレートを使用することができる。「光軸オフセット用
光学プレート」を用いる場合には、空間光変調器の隙間
に対応した厚さのものが使用され、且つ隣り合う空間光
変調器の隙間の光像が消去される角度で設置されること
が必要である。
調器に担持されているパターンを隙間なく一度に対象物
に照射できるので(つまりワイドエリアの照射ができる
ので)、スループットの向上が図れる。この光投影装置
は、半導体基板上に回路パターンを形成する場合の投影
露光に使用して特に有効である。
を独立制御可能な複数のミラーを含んで構成される空間
光変調器を設け、前記空間光変調器に光源からの光を照
射し、前記空間光変調器で反射した光を対象物に対して
投影する光投影装置において、前記光源及び前記空間光
変調器のそれぞれを互いに対応させて複数設け、各空間
光変調器を別々の角度から照射するように構成し、前記
複数の空間光変調器と前記対象物との間に、前記複数の
空間光変調器で反射した光を入射して互いに平行な光と
して出射する第3の光学手段を設け、隣り合う前記空間
光変調器の隙間の光像が消去されるように前記複数の空
間光変調器で反射した光を集めて前記第3の手段に入射
するように構成したものである。
よって制御可能に構成されていることが好ましい。ま
た、「第3の光学手段」としては、例えば結像テレセン
トリック光学系を使用することができる。
調器に担持されているパターンを隙間なく一度に対象物
に照射できるので(つまりワイドエリアの照射ができる
ので)、スループットの向上が図れる。この光投影装置
は、半導体基板上に回路パターンを形成する場合の投影
露光に使用して特に有効である。
施形態の光投影装置が示されている。この第1実施形態
の光投影装置100は次の通り構成されている。
この光源1としては特に制限はされないがメタルハライ
ドランプ、ハロゲンランプ又はキセノンランプ等が用い
られる。光源1の近くにはリフレクタ2が設置される。
このリフレクタ2は光源1からの光を反射して集束光に
して次段の4つのDMD3a〜3d(同図円内参照、な
お「DMD」を総称する場合には符号3を使用する。)
に向ける作用をなす。なお、ここでは、1つの光源1に
よって4つのDMD3a〜3dを照射しているが、複
数、例えば各DMDに対応して光源及びリフレクタの組
を設けてもよい。また、集束光とせずに平行光であって
もよい。
ス)3a〜3dは縦横2行2列に設置されている。この
DMD3a〜3dにはリフレクタ2からの平行光が斜方
から入射する。各DMDは全体として方形状又は矩形状
を呈しており、マイクロミラーがマトリクス状に並べら
れた構造となっている。各マイクロミラーは、図示しな
い制御コンピュータによる静電界作用によってそれぞれ
回転制御され、この回転制御により、所定の(ミラー)
パターンを担持できるようになっている。パターンの担
持では、4つのDMD3a〜3dに同一パターンを担持
させてもよいし、互いに異なるパターンを担持させても
よい。前者の場合は、対象物に同一パターンを複数形成
する場合に有利である。例えば半導体基板上にチップ毎
に同一の回路パターンを形成する場合に有利である。一
方、後者の場合は、対象物の異なる場所に異なるパター
ンを形成する場合に有利である。例えば少量他品種の回
路パターンを半導体基板上に同時に形成する場合に有利
である。また、場合によっては異なるパターンを組み合
わせることにより1つのチップの回路パターンを形成す
ることもできる。なお、実施形態の光投影装置100の
場合、縦横のDMDの間には所定の隙間が設けられる。
この隙間はDMDの枠の構造上或いはDMDの設置上で
不可避的に生じる隙間であるが、場合によっては意図的
に隙間間隔を調整することもできる。
リック光学系を示している。この等倍結像テレセントリ
ック光学系4は前記DMD3a〜3dの法線方向に平行
な光軸を持つ。この等倍結像テレセントリック光学系4
はDMD3a〜3dで反射された光(反射光)を平行に
して次段の2組の光軸オフセット用光学プレート5,6
に向けて出力する作用をなす。なお、この等倍結像テレ
セントリック光学系4は複数のレンズを含んで構成され
ているが、ここでは便宜上1枚のレンズとして示してあ
る。
6は各2枚の光軸オフセット用光学プレート5a,5b
及び6a,6bから構成されている。
5は等倍結像テレセントリック光学系4からの光が最初
に入射するもので、同図上で上下に配設された2枚の光
軸オフセット用光学プレート5a,5bが等倍結像テレ
セントリック光学系4側に向けて凸となるように屈曲状
態で並べられたものである。この一方の組の光軸オフセ
ット用光学プレート5への光の入射方向は等倍結像テレ
セントリック光学系4の光軸と平行であり、また、この
一方の組の光軸オフセット用光学プレート5の屈曲部分
はちょうど(同図上で)上下のDMDの隙間部分に対応
した位置となっているので、この2枚の光軸オフセット
用光学プレート5a,5bでの光の屈折作用によって、
(同図上で)上下のDMDの隙間に対応する光像が消去
される。なお、この一方の組の光軸オフセット用光学プ
レート5から出た光は、等倍結像テレセントリック光学
系4から出た光と比べ、同図上で上下の幅が狭くはなる
が平行光となって、他方の組の光軸オフセット用光学プ
レート6に入射する。
6は前記一方の組の光軸オフセット用光学プレート5を
通過した光が入射するもので、同図上で紙面前後に配設
された2枚の光軸オフセット用光学プレート6a,6b
が等倍結像テレセントリック光学系4に向けて凸となる
ように屈曲状態で並べられたものである(図1の「上か
ら見た図参照)。この他方の組の光軸オフセット用光学
プレート6への光の入射方向は等倍結像テレセントリッ
ク光学系4の光軸と平行であり、また、この他方の組の
光軸オフセット用光学プレート6の屈曲部分はちょうど
(同図上で)紙面前後のDMDの隙間部分に対応した位
置となっているので、この2枚の光軸オフセット用光学
プレート6a,6bでの光の屈折作用によって、(同図
上で)紙面前後のDMDの隙間に対応する光像が消去さ
れる。なお、この他方の組の光軸オフセット用光学プレ
ート6から出た光は、光軸オフセット用光学プレート5
から出た光と比べ、同図上で紙面前後の幅が狭くはなる
が平行光となって、次段の全反射ミラー7に入射する。
曲させる作用をなす。この全反射ミラー7は必ずしも必
要ではないが、装置のコンパクト化や装置の操作性を向
上させるのに適している。この全反射ミラー7で反射さ
れた光は等倍結像テレセントリックリレー光学系8に入
射する。
は複数のレンズを含んで構成されているが、ここでは便
宜上1枚のレンズとして示してある。この等倍結像テレ
セントリックリレー光学系8からの光は次段の無限遠補
正対物レンズ光学系9に入射される。なお、この等倍結
像テレセントリックリレー光学系8は必ずしも必要ない
が、全反射ミラー7から対象物(例えば露光対象物)ま
での距離が大きい場合や大きく変化する場合に適してい
る。
に使用されているものであり、各種収差等を補正を行う
作用をなす。この無限遠補正対物レンズ光学系9は、対
物レンズと、結像のための補助レンズを含んで構成さ
れ、この無限遠補正対物レンズ9を出た光は対象物(例
えば露光対象物)10に照射(投影)される。
され、このステージによって無限遠補正対物レンズ9の
光軸に平行な方向とその光軸に直交する面内で移動でき
るようにされている。
ば、縦横2行2列に並べられたDMD3a〜3dに担持
されたパターンを反映した光は光源1によって照射さ
れ、等倍結像テレセントリック光学系4を経て光軸オフ
セット用光学プレート5,6に入射される。そして、こ
の光軸オフセット用光学プレート5,6によって縦横の
DMDの間の隙間の光像が消去される。これによって、
縦横2行2列に並べられたDMD3a〜3dに担持され
たパターンが実質的に繋がることになる。そして、繋が
ったパターンを反映した光は全反射ミラー7、等倍結像
テレセントリックリレー光学系8,無限遠補正対物レン
ズ光学系9を経て対象物10に投影される。
における光像はDMDのパターンと同様にパターン同士
が離れた状態にあり、第2像位置における光像はパター
ン同士が接した状態(図1の円内参照)にある。
光投影装置が示されている。この第2実施形態の光投影
装置200は次の通り構成されている。
全反射ミラー7、等倍結像テレセントリックリレー光学
系8及び無限遠補正対物レンズ光学系9の構成は、前記
第1実施形態の光学形成装置100と同じである。した
がって、それらの詳細な説明は省略し、以下、相違する
点を中心に説明する。
D3a〜3dに対応して光源21が4つ設けられてい
る。光源21としては、特に限定はされないが、第1実
施形態の光投影装置100と同様にメタルハライドラン
プ、ハロゲンランプ又はキセノンランプが使用されてい
る。
2が設けられている。このリフレクタ22は光源21か
らの光を反射して平行光にして次段の4つのDMD3a
〜3dに向ける作用をなす。
ス)3a〜3dは縦横2行2列で設置されているが、第
1実施形態の光投影装置100の場合よりも、縦横のD
MDの間の隙間が大きくなっている(同図円内参照)。
このDMD3a〜3dにはリフレクタ22からの平行光
が斜方から入射する。この場合、リフレクタ22からの
平行光は対応するDMDで反射されて次段の等倍結像テ
レセントリック光学系4の絞り位置に向かうように設定
され、4つのDMD3a〜3dからの光が等倍結像テレ
セントリック光学系4の直前で集まり、縦横のDMD3
のパターンが実質的に繋がった状態の光が等倍結像テレ
セントリック光学系4に入射されるようになっている。
そして、等倍結像テレセントリック光学系4から出射し
た際にはDMD間の隙間の光像が消去されるようになっ
ている。
呈しており、マイクロミラーがマトリクス状に並べられ
た構造となっている点、各マイクロミラーは、図示しな
い制御コンピュータによる静電界作用によってそれぞれ
回転制御され、この回転制御により、所定のパターンを
担持できるようになっている点、4つのDMD3a〜3
dに同一パターンを担持させてもよいし、互いに異なる
パターンを担持させてもよい点は、第1実施形態の光投
影装置100の場合と同じである。
は、等倍結像テレセントリック光学系4と全反射ミラー
7との間に光軸オフセット用光学プレート5,6は設け
られていない。
よれば、縦横2行2列に並べられたDMD3a〜3dに
担持されたパターンは光源21によって照射され、等倍
結像テレセントリック光学系4に入射される。この場
合、縦横2行2列に並べられたDMD3a〜3dに担持
されたパターンが繋がった状態の光が等倍結像テレセン
トリック光学系4に入射される。換言すれば、縦横のD
MDの間の隙間の光像が消去された光が等倍結像テレセ
ントリック光学系4に入射される。これによって、そし
て、等倍結像テレセントリック光学系4から出射された
光は全反射ミラー7、等倍結像テレセントリックリレー
光学系8,無限遠補正対物レンズ光学系9を経て対象物
10に投影される。
及び第2像位置における光像はパターン同士が接した状
態(図2円内参照)にある。
光投影装置が示されている。この第3実施形態の光投影
装置300は次の通り構成されている。
の光投影装置200と異なる点は、各DMD3とそのD
MD3に対応する等倍結像テレセントリック光学系4と
の間に2つの両側テレセントリックレンズ31,32を
隔離して設けた点である。その他の点は、第2実施形態
の光投影装置200と同じであるので、第2実施形態の
場合と同じ符号を付し、その説明は省略する。
ないが、DMD3と等倍結像テレセントリック光学系4
との間の距離を大きくしなければならない場合に使用さ
れる。
MD相互の位置決め方法について、DMD3aとDMD
3bを例に図4を用いて説明すれば、DMD3aの右端
の1ラインとDMD3bの左端の1ラインが重なるよう
に位置合わせをする。具体的には、中間像の所に、反射
率の小さなハーフミラー50を設け、それぞれのDMD
の重なるべきラインのみを明状態にする。この場合、D
MDのタイリング(重ね合わせ)が正しく行われている
と、DMD3aの右端ラインからの光は、ハーフミラー
50で反射して3bの左端ラインに転写され、一方、D
MD3bの左端ラインからの光は、ハーフミラー50で
反射して3aの右端ラインに転写される。そして、DM
Dからの逆反射は、このときに最高となる。このこと
は、最高となる位置を見つけることにより、DMD相互
の位置決めがなされることを意味する。
光投影装置が示されている。この第4実施形態の光投影
装置400は次の通り構成されている。
の光投影装置200と異なる点は、4つのDMD3で反
射した光をそれぞれ別の等倍結像テレセントリック光学
系44に入射させ、その等倍結像テレセントリック光学
系44から出射した光を全反射ミラー45で反射させた
後、まとめた状態で1の等倍結像テレセントリックリレ
ー光学系46に入射させるようにした点である。なお、
全反射ミラー7、等倍結像テレセントリックリレー光学
系8及び無限遠補正対物レンズ光学系9の構成は、前記
第1実施形態の光学形成装置100と同じである。した
がって、第2実施形態の場合と同じ符号を付し、その説
明は省略する。
テレセントリックリレー光学系46を出射した光は、縦
横のDMD3の隙間の光像が消去されたものとなるが、
各DMD3の光像が傾斜することになる。しかし、縮小
率が大きい場合にはその傾斜の影響が少ないので十分に
実用的なものとなる。
が、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である
ことはいうまでもない。
0,200では無限補正対物レンズ光学系9を経て対象
物10に投影するようにしているが、無限補正対物レン
ズ光学系9の代わりに、有限補正対物レンズ系を設置し
てもよい。
に照射し、この反射光を対象物に照射する場合について
説明したが、制御コンピュータによってパターン制御可
能な液晶板に光源からの光を照射し、その反射光又は透
過光を、光を屈折する光学部品例えば光軸オフセット用
光学プレートに入射した後に対象物に照射するようにし
てもよい。
明すれば、反射面の傾きを独立制御可能な複数のミラー
を含んで構成される空間光変調器を設け、前記空間光変
調器に光源からの光を照射し、前記空間光変調器で反射
した光を対象物に対して投影する光投影装置において、
前記空間光変調器のそれぞれを互いに隙間を隔てて複数
設け、前記複数の空間光変調器と前記対象物との間に、
前記複数の空間光変調器で反射した光を入射して互いに
平行な光として出射する第1の光学手段と、前記平行な
光を屈折させて隣り合う前記空間光変調器の隙間の光像
を消去する第2の光学手段とを備えるので、微細且つワ
イドエリアの光像形成のスループットが向上することに
なる。
る。
る。
る。
る。
る。
光学系 9 無限遠補正対物レンズ光学系 10 対象物
Claims (5)
- 【請求項1】 反射面の傾きを独立制御可能な複数のミ
ラーを含んで構成される空間光変調器を設け、前記空間
光変調器に光源からの光を照射し、前記空間光変調器で
反射した光を対象物に対して投影する光投影装置におい
て、前記空間光変調器のそれぞれを互いに隙間を隔てて
複数設け、前記複数の空間光変調器と前記対象物との間
に、前記複数の空間光変調器で反射した光を入射して互
いに平行な光として出射する第1の光学手段と、前記平
行な光を屈折させて隣り合う前記空間光変調器の隙間の
光像を消去する第2の光学手段とを備えることを特徴と
する光投影装置。 - 【請求項2】 第1の光学手段は等倍結像テレセントリ
ック光学系であることを特徴とする請求項1記載の光投
影装置。 - 【請求項3】 第2の光学手段は光軸オフセット用光学
プレートであることを特徴とする請求項1又は2記載の
光投影装置。 - 【請求項4】 反射面の傾きを独立制御可能な複数のミ
ラーを含んで構成される空間光変調器を設け、前記空間
光変調器に光源からの光を照射し、前記空間光変調器で
反射した光を対象物に対して投影する光投影装置におい
て、前記光源及び前記空間光変調器のそれぞれを互いに
対応させて複数設け、各空間光変調器を別々の角度から
照射するように構成し、前記複数の空間光変調器と前記
対象物との間に、前記複数の空間光変調器で反射した光
を入射して互いに平行な光として出射する第3の光学手
段を設け、隣り合う前記空間光変調器の隙間の光像が消
去されるように前記複数の空間光変調器で反射した光を
集めて前記第3の手段に入射するように構成したことを
特徴とする光投影装置。 - 【請求項5】 第3の光学手段は等倍結像テレセントリ
ック光学系であることを特徴とする請求項4記載の光投
影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351065A JP2003149740A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 光投影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351065A JP2003149740A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 光投影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003149740A true JP2003149740A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19163443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001351065A Pending JP2003149740A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 光投影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003149740A (ja) |
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- 2001-11-16 JP JP2001351065A patent/JP2003149740A/ja active Pending
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