[go: up one dir, main page]

JP2003039395A - 懸架微細構造を形成する方法 - Google Patents

懸架微細構造を形成する方法

Info

Publication number
JP2003039395A
JP2003039395A JP2002120034A JP2002120034A JP2003039395A JP 2003039395 A JP2003039395 A JP 2003039395A JP 2002120034 A JP2002120034 A JP 2002120034A JP 2002120034 A JP2002120034 A JP 2002120034A JP 2003039395 A JP2003039395 A JP 2003039395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
platform
substrate
dielectric layer
base substrate
suspension
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002120034A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003039395A5 (ja
Inventor
David Horsley
デイビッド・ホースレイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JP2003039395A publication Critical patent/JP2003039395A/ja
Publication of JP2003039395A5 publication Critical patent/JP2003039395A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00142—Bridges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/05—Temporary protection of devices or parts of the devices during manufacturing
    • B81C2201/056—Releasing structures at the end of the manufacturing process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/033—Thermal bonding
    • B81C2203/036—Fusion bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】懸架微細構造の下方から材料の層を除去するた
めのエッチンク゛ホールを要しない懸架微細構造を形成する方法
を提供すること。 【解決手段】ヘ゛ース基板21の支持面22上に誘電体層23を形
成し、誘電体層23の接触面27をハ゜ターニンク゛してウェル形状を
画定する。ウェル31が支持面22を覆う誘電体層23の薄い保
護層32を残す厚さDWを有するまでウェル形状をエッチンク゛す
る。フ゜ラットフォーム基板11をヘ゛ース基板21に圧着し、ヘ゛ース基板
とフ゜ラットフォーム基板をアニールして接触面27とフ゜ラットフォーム基板11
の取付面24を融着する。CMPなどによりフ゜ラットフォーム基板11
を薄厚化し、ウェル31と取付面24により画定される密閉空
洞部33を覆う膜11を形成する。膜11をハ゜ターニンク゛およびエッ
チンク゛し、膜11を貫通して密閉空洞部33まで延び、懸架フ゜
ラットフォーム17と可撓部材15を画定する複数のトレンチ13を形成
する。HFなどの選択的腐食剤を用いて懸架フ゜ラットフォーム17
および可撓部材15の下から残った誘電体層23を除去し、
懸架フ゜ラットフォームおよび可撓部材15を分離する。除去の
間、支持面22は薄い誘電体層23に保護される。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、概して、懸架微細
構造を形成する方法に関する。より詳しくは、本発明
は、懸架微細構造の有効な表面積を低減するスルーホー
ルを形成する必要がない懸架微細構造を形成する方法に
関する。 【０００２】 【従来の技術】懸架プラットフォームは、微細構造製造
技術の利点を用いて加速度計、圧力センサ、アクチュエ
ータ、流体装置、生物化学装置および小型機械などの微
細構造を形成する場合の用途に有用である。超小型電気
機械システム（ＭＥＭＳ）は、懸架プラットフォームを
組み込むことができるシステムの一例である。 【０００３】たとえば、ＭＥＭＳは、シリコンウェーハ
などの共通の基板材料上に、超小型機械要素および電子
要素を組み込むことができる。例えば、マイクロエレク
トロニクス製造技術を用いて、ＣＭＯＳ回路などの電子
部品を製造することができる。一方、超小型機械要素
は、微細加工技術を用いて製造することができ、材料の
層を堆積させて機械素子および電気機械素子を形成する
か、または、シリコンの層あるいはシリコン酸化物の層
などの１つ以上の層を選択的にエッチングすることによ
り機械素子および電気機械素子を形成することができ
る。 【０００４】単結晶シリコン（Ｓｉ）から懸架構造を形
成するための従来の方法を図１ａ〜図１ｄに示す。図１
ａは、プラットフォーム１０２を有する上側ウェーハ１
０８を含む従来の構造１００を示しており、プラットフ
ォーム１０２は可撓部材１０４によって宙づりになって
いる。プラットフォーム１０２は、プラットフォーム１
０２を完全に突き通して延びる複数の孔１１４を含む。
すなわち、孔１１４はプラットフォーム１０２を貫通し
ている。 【０００５】図１ｂ〜図１ｄは、図１ａを線ＡＡに沿っ
て切った断面図であり、従来の構造１００を形成するた
めのプロセスを示している。このプロセスは、薄いシリ
コン酸化物（ＳｉＯ２）層１１２（すなわち、誘電体材
料の層）によって下側ウェーハ１１０と化学結合された
上側ウェーハ１０８を含む接合型ＳＯＩ（シリコン・オ
ン・インシュレータ）１０６から開始する。接合型ＳＯ
Ｉ１０６を形成するプロセスは、マイクロエレクトロニ
クスの分野においてよく知られている。 【０００６】次に、従来のフォトリソグラフィ技術を用
いて上側ウェーハ１０８の上面１２４をパターニング
し、その後、上側ウェーハ１０８をエッチングして、図
１ｃに示すように、可撓部材１０４およびプラットフォ
ーム１０２を画定するトレンチ１０３と共に規則的に離
隔して配置された一連の孔１１４を形成する。トレンチ
１０３は上側ウェーハ１０８を貫通している。 【０００７】孔１１４はスルーホールであり（すなわ
ち、孔はプラットフォーム１０２を貫通している）、後
続のエッチングステップにおいて、シリコン酸化物（Ｓ
ｉＯ２）層１１２をプラットフォーム１０８の下方から
除去できるようにするために必要とされる。 【０００８】図１ｄにおいて、接合型ＳＯＩ１０６をフ
ッ化水素酸（ＨＦ）などの選択的腐食剤にさらす。腐食
剤は、孔１１４を通して流入し、プラットフォーム１０
２の下方にあるシリコン酸化物層１１２を溶解し、これ
によりプラットフォーム１０２をシリコン酸化物層１１
２から分離する。孔１１４は、腐食剤の先端がプラット
フォーム１０２を分離するために移動しなければならな
い距離を低減するために必要とされる。プラットフォー
ム１０２を取り囲むシリコン酸化物層１１２は、孔間の
間隔１２０（すなわち、孔１１４間の間隔、図１ａ参
照）の半分に概ね等しい距離１２２だけアンダーカット
される。 【０００９】従来の構造１００についての主な問題点
は、孔１１４がプラットフォーム１０２の利用可能な表
面積を低減させてしまうことである。たとえば、超高密
度データ記憶装置の用途において、プラットフォーム１
０２は、１つ以上の記憶媒体の層を含む場合があり、変
更可能な記憶媒体の状態としてデータを格納する場合が
ある。光学的手段または電子放出手段（即ちレーザまた
は電子ビーム）を用いて、記憶媒体に対してデータの読
み出しおよび／または書き込みを行うことができる。孔
１１４は、記憶媒体として利用可能なプラットフォーム
１０２の表面積を低減させるため、プラットフォーム１
０２に孔１１４を空けることは望ましくない。さらに、
記憶媒体に対してデータの読み出しまたは書き込みを行
うためのアドレス指定方式は、記憶媒体が存在しない領
域への読み出しまたは書き込みを避けるため、孔１１４
の位置を考慮しなければならない。孔１１４は、シリコ
ン酸化物層１１２をプラットフォーム１０２の下方から
除去することを容易にする働きしかないため、これらは
プラットフォーム１０２の非機能的な特徴である。孔１
１４は、いったんプラットフォーム１０２が形成された
後は、何ら有用な目的を果たさないため、削除すること
が望ましい。 【００１０】単結晶シリコン（Ｓｉ）から懸架構造を形
成する別の従来の方法を図２ａ〜図２ｃに示す。図２ａ
は、プラットフォーム２０２を有する上側ウェーハ２０
８を含む従来の構造２００を示しており、プラットフォ
ーム２０２は可撓部材２０４により宙づりになってい
る。 【００１１】図２ｂおよび図２ｃは、図２ａを線ＡＡに
沿って切った断面図であり、従来の構造２００を形成す
るためのプロセスを示している。このプロセスは、薄い
シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層２１２によって下側ウェ
ーハ２１０と化学的に結合された上側ウェーハ２０８を
含む接合型ＳＯＩ２０６から開始する。図２ｂにおい
て、上側ウェーハ２０８を下側ウェーハ２１０に結合す
る前に、薄いシリコン酸化物層２１２をパターニング
し、その後エッチングしてウェルを形成する。ウエル
は、上側ウェーハと下側ウェーハ（２０８、２１０）と
を互いに結合した後、密閉空洞部２１６になる。 【００１２】次に、図２ｃにおいて、上側ウェーハ２０
８の上面２２０をパターニングし、その後エッチングし
て、可撓部材２０４およびプラットフォーム２０２を画
定するトレンチ２０３を形成する。トレンチ２０３は上
側ウェーハ２０８を貫通して密閉空洞部２１６まで延び
ている。エッチングの結果、下側ウェーハ２１０の上面
２２２が腐食剤にさらされ、続いてエッチングされるた
め、図２ｃに示すように、上面２２２の内側にわたって
浅い凹部２１８が形成される。 【００１３】したがって、従来の構造２００を形成する
方法の１つの問題点は、形成の結果、下側ウェーハ２１
０の上面２２２が損傷してしまうことである。用途によ
っては、下側ウェーハ２１０は、電極、相互接続構造、
回路または何らかの他の素子など、構造２００を機能さ
せるのに不可欠な埋め込み構成要素を含む場合がある。
それゆえ、製造プロセス中に、これらの構成要素を保護
することが望ましい。これに反して、従来の構造２００
を形成するための方法は、上面２２２が製造プロセス中
に腐食剤から保護されないため、これらの構成要素を損
傷してしまう結果となる。 【００１４】 【発明が解決しようとする課題】したがって、懸架微細
構造の下方から材料の層を除去するためのエッチングホ
ールを必要としない懸架微細構造を形成する方法が必要
とされている。 【００１５】また、製造プロセス中に下側ウェーハの上
面を腐食剤から保護（損傷されないように）し、下側ウ
ェーハに埋め込まれる構成要素が腐食剤により損傷しな
いようにする懸架微細構造を形成する方法も必要とされ
ている。 【００１６】 【課題を解決するための手段】本発明の懸架プラットフ
ォームを形成する方法は、上記の問題を解決する。本発
明による懸架プラットフォームを形成する方法は、懸架
プラットフォームの下方から材料の層を除去するための
エッチングホールを懸架プラットフォーム内に必要とし
ない。そのため、懸架プラットフォームには孔が無く、
懸架プラットフォームの概ね全ての表面積が利用可能で
ある。 【００１７】さらに、本発明による懸架プラットフォー
ムを形成する方法は、エッチングの間、上面を保護する
薄い材料の層で上面を覆うことにより、下側ウェーハの
上面に凹部が形成されるのを防止する。 【００１８】本発明は、概して、結合基板上に懸架プラ
ットフォームを作成する方法として実施される。結合基
板は、ベース基板に結合されたプラットフォーム基板を
含んでいる。本方法は、ベース基板の支持面に誘電体層
を形成するステップと、その後誘電体層をパターニング
およびエッチングして接触面の内側に広がるウエルを形
成するステップとを含む。ウエルは、支持面を覆う薄い
誘電体の層を残すように予め選択された深さを有する。
その後、接触面とプラットフォーム基板の取り付け面と
を圧着し、ベース基板とプラットフォーム基板とをアニ
ール（熱処理）して接触面を取りつけ面に融着すること
により、ベース基板とプラットフォーム基板とを互いに
結合して結合基板を形成する。結合されると、ウェルと
取り付け面により密閉空洞部が形成される。プラットフ
ォーム基板を薄厚化し、密閉空洞部を覆う（プラットフ
ォーム基板材料からなる）薄い膜を形成する。膜をパタ
ーニングし、プラットフォーム形状および可撓部材形状
を画定する。その後、膜をエッチングし、膜を完全に貫
通して密閉空洞部まで延びるトレンチを形成する。この
トレンチにより、プラットフォーム（微細構造とも呼ば
れる）と、プラットフォームをプラットフォーム基板に
接続する１つ以上の可撓部材とが画定される。最後に、
選択的腐食剤を用いて、プラットフォーム下方の誘電体
材料を除去する。この選択的腐食剤は、インタフェース
層と取り付け面との間の境界を大きくアンダーカットす
ることなくプラットフォーム下方から概ね全ての誘電体
材料を除去し、ベース基板とプラットフォーム基板との
間の化学結合が、選択的腐食剤によって損傷を受けない
ようにしている。 【００１９】本発明の１つの利点は、誘電体材料の薄い
層が、プラットフォームと可撓部材とを画定するトレン
チを形成するための膜のエッチングに起因する凹部の形
成から支持面を保護することである。そのため、懸架構
造を形成する従来の方法の凹部形成に関する問題は、本
発明によって解決される。 【００２０】さらに、本発明は、腐食剤がプラットフォ
ーム下方の誘電体層へ到達するための経路を設けるため
に、プラットフォームに孔をあける必要を無くしてい
る。トレンチは、腐食剤が誘電体層へ到達するために必
要な経路を提供する。そのため、本発明のプラットフォ
ームは、プラットフォームの表面積を低減させる孔、貫
通孔等を持たない。 【００２１】本発明の一実施形態では、ウエルを形成す
る前に誘電体層を平坦化し、実質的に平坦な接触面を形
成する。 【００２２】本発明の別の実施形態では、誘電体層はシ
リコン酸化物である。 【００２３】本発明のさらに別の実施形態では、ベース
基板の背面を薄厚化することにより、ベース基板の厚さ
を低減させる。 【００２４】本発明の一実施形態では、選択的腐食剤は
フッ化水素酸である。 【００２５】本発明の他の態様および利点は、本発明の
原理を例示する添付の図面とともに取り上げる以下の詳
細な説明から明らかになるであろう。 【００２６】 【発明の実施の形態】以下の詳細な説明および図面につ
いて、同じ構成要素は同じ符号で識別される。 【００２７】例示目的の図面に示すように、本発明は、
ベース基板に結合されたプラットフォーム基板を含む結
合基板上に懸架プラットフォームを形成する方法として
実施される。この懸架プラットフォームを形成する方法
は、孔の無い懸架プラットフォームを生成する。すなわ
ち、懸架プラットフォームは、懸架プラットフォームの
表面積を低減させる孔等を含まない。さらに、懸架プラ
ットフォームを形成する方法は、ベース基板の支持面を
保護し、懸架プラットフォームを形成するのに必要とさ
れるエッチングプロセスに起因する凹部が支持面に形成
されないようにする。 【００２８】結合基板上に懸架プラットフォームを作成
する方法は、ベース基板に結合されたプラットフォーム
基板を含む。ベース基板の支持面に誘電体層を形成し、
その後、誘電体層の接触面をパターニングおよびエッチ
ングし、接触面の内側に広がるウエルを形成する。ウエ
ルは、支持面を覆う誘電体層の薄い層を残すように予め
選択された深さを有する。その後、ベース基板とプラッ
トフォーム基板とを互いに化学結合させ、結合基板を形
成する。接触面とプラットフォーム基板の取り付け面と
を互いに圧着し、その後、ベース基板とプラットフォー
ム基板とをアニールして接触面を取り付け面に融着す
る。 【００２９】結合されると、ウエルと取り付け面との間
に密閉空洞部が形成される。プラットフォーム基板を薄
厚化し、プラットフォーム基板を形成する材料が密閉空
洞部を覆う薄い膜を形成するようにする。その後、薄い
膜をパターニングし、プラットフォーム形状と可撓部材
形状とを画定する。次に、薄い膜をエッチングし、薄い
膜を完全に貫通して密閉空洞部まで延びる深いトレンチ
を形成する。トレンチは、懸架プラットフォーム（微細
構造とも呼ばれる）と、懸架プラットフォームとプラッ
トフォーム基板とを結合する１つ以上の可撓部材とを画
定する。最後に、選択的腐食剤を用いて、懸架プラット
フォームおよび可撓部材の下方の誘電体材料を除去す
る。選択的腐食剤は、インタフェース層と取り付け面と
の間の境界を大きくアンダーカットすることなく、懸架
プラットフォームおよび可撓部材の下方から概ね全ての
誘電体材料を除去し、ベース基板とプラットフォーム基
板との間の化学結合が、選択的腐食剤によって損傷を受
けないようにする。さらに、選択的腐食剤は、懸架プラ
ットフォームおよび可撓部材を誘電体層から分離する。 【００３０】図３ａにおいて、システム１０は、内部に
トレンチ１３が形成され、トレンチ１３は、少なくとも
１つの可撓部材１５（４つが図示されている）と、可撓
部材１５によりプラットフォーム基板１１に接続された
懸架プラットフォーム１７とを画定している。トレンチ
１３は、プラットフォーム基板１１を貫通し、プラット
フォーム基板１１の下方に位置する空洞部（図示せず）
まで延びている。空洞部は、懸架プラットフォーム１７
と可撓部材１５とを合わせた面積以上の領域１９（破
線）を有する。 【００３１】従来の懸架構造とは異なり、本発明の懸架
プラットフォーム１７は穿孔されない。すなわち、本発
明の懸架プラットフォーム１７には、懸架プラットフォ
ーム１７を貫通し、空洞部まで下方へ延びる孔、貫通孔
等が存在しない。したがって、懸架プラットフォーム１
７の実質的に全ての表面積が、貫通孔などの表面の変形
部を持たない懸架プラットフォームを必要とする用途に
利用可能である。たとえば、懸架プラットフォーム１７
がデータ記憶装置に用いられる場合には、懸架プラット
フォーム１７の表面積と同じだけの面積が、データを格
納するのに利用可能であることが望ましい。一方、貫通
孔等は、データ記憶のために利用可能な表面積から差し
引かれる。たとえば、懸架プラットフォーム１７にデー
タを格納するための相変化媒体をコーティングする場合
には、貫通孔は、相変化媒体を支持することができない
領域を表す。 【００３２】図３ｂに、システム１０を図３ａの線ＢＢ
に沿って切った断面図を示す。空洞部３７は、懸架プラ
ットフォーム１７および可撓部材１５の下方に位置す
る。空洞部３７は、破線矢印１９に示すように、懸架プ
ラットフォーム１７および可撓部材１５の領域を越えて
延在することができ、空洞部３７は、懸架プラットフォ
ーム１７と可撓部材１５を合わせた面積以上の面積を有
するようになる。空洞部３７は、ベース基板２１の支持
面２２とプラットフォーム基板１１の取り付け面２４に
よって画定される。システム１０は、ベース基板２１と
誘電体層２３を含み、誘電体層２３は、ベース基板２１
とプラットフォーム基板１１とを互いに結合して結合基
板２５を形成する。 【００３３】従来の懸架構造に対して、本発明の懸架プ
ラットフォーム１７および可撓部材１５の形成方法で
は、支持面２２に凹部が形成されることはない。なぜな
ら、支持面２２が、以下に説明するように、誘電体材料
２３の薄い層によって保護されるからである。 【００３４】図４ａ〜図４ｇは、本発明による結合され
た基板上に懸架プラットフォームを形成する方法を示し
ている。図４ａにおいて、ベース基板２１の支持面２２
上に薄い誘電体層２３を堆積させることにより、図３ｂ
で例示した結合基板２５を形成することができる。誘電
体層２３は電気的絶縁材料であり、シリコン酸化物（Ｓ
ｉＯ２）が好ましい。誘電体層２３は、約０．５〜２．
０μｍの厚さＤ１を有することができる。 【００３５】誘電体層２３をパターニングし、その後エ
ッチングすることにより、誘電体層２３内にウエル３１
を形成する。たとえば、フォトレジストパターン２９を
用いてウエル３１を画定し、誘電体層２３の覆われてい
ない部分を腐食剤にさらし、誘電体層２３の覆われてい
ない部分を溶解することにより、ウエル３１を形成する
ことができる。フッ化水素酸（ＨＦ）溶液などの腐食剤
を用いて、ウエル３１をエッチングすることができる。
誘電体層２３がＳｉＯ２である場合には、ＨＦが好まし
い腐食剤である。しかしながら、用いられる腐食剤はＨ
Ｆに限定されるわけではなく、ＣＨＦ３またはその他フ
ッ素系プラズマ腐食剤など、他の腐食剤を用いることも
できる。 【００３６】ウエル３１を形成する前に、誘電体層２３
を平坦化し、誘電体層２３が、以下で説明するように取
り付けられるプラットフォーム基板（図示せず）に対し
て、実質的に平坦な接触面２７を有するようにすること
が望ましい。平坦化により、誘電体層２３は、堆積した
厚さＤ１より薄い厚さＤ２（図４ｂ参照）を有すること
になる。マイクロエレクトロニクスの製造分野で周知の
プロセスを用いて、誘電体層２３を平坦化することがで
きる。たとえば、グラインディング、ポリッシング、ラ
ッピングおよび化学機械平坦化（ＣＭＰ）を用いること
ができる。好ましくは、ＣＭＰを用いて実質的に平坦な
接触面２７（これ以降、接触面２７）を形成する。平坦
化の後、誘電体層２３は、約０．５〜２．０μｍの厚さ
Ｄ２を有することができる。 【００３７】図４ｂにおいて、ウェル３１をエッチング
し、支持面２２を覆う誘電体層２３の薄い保護層３２を
残すように、予め選択された深さＤＷまでエッチングす
る。薄い保護層３２は、図４ｆおよび図４ｇを参照して
以下で説明する後続のエッチングプロセスによって支持
面２２に凹部が形成されるのを防ぐように、選択された
厚さｔＰを有しなければならない。予め選択された深さ
ＤＷは、誘電体層２３の材料の種類、ウエル３１をエッ
チングするのに用いる腐食剤、およびエッチング時間等
の処理パラメータに基づいて異なる。 【００３８】たとえば、誘電体層２３が、約０．５〜
２．０μｍの厚さ（Ｄ１またはＤ２）である場合には、
予め選択された深さＤＷは、約０．４〜１．９μｍにす
ることができる。 【００３９】別の例として、誘電体層２３が１．８μｍ
に等しい厚さ（Ｄ１またはＤ２）である場合には、予め
選択された深さＤＷは１．６μｍにすることができ、薄
い保護層３２は約０．２０μｍ以下の厚さｔＰにするこ
とができる。予め選択された深さＤＷは、厚さｔＰが、
以下に説明するような誘電体層２３を完全に除去する後
続のエッチングステップに起因する凹部形成または損傷
から支持面２２を保護するのに十分な厚さであるように
選択しなければならない。一般に、厚さｔＰは、（Ｄ１
−ＤＷ）または（Ｄ２−ＤＷ）に概ね等しくなる。 【００４０】図４ｃにおいて、接触面２７とプラットフ
ォーム基板１１の取り付け面２４とを圧着し、ベース基
板２１とプラットフォーム基板１１とを結合して結合基
板２５（図３ｂを参照）を形成する。その後、ベース基
板２１およびプラットフォーム基板１１を加熱し（即
ち、アニールし）、接触面２７と取り付け面２４とを融
着する。ベース基板２１とプラットフォーム基板１１と
は、マイクロエレクトロニクス技術の分野において周知
の基板結合プロセスを用いて、互いに結合させることが
できる。たとえば、ベース基板２１およびプラットフォ
ーム基板１１が単結晶シリコン材料から形成され、誘電
体層２３がＳｉＯ２である場合には、ベース基板２１お
よびプラットフォーム基板１１は、約７００℃〜約９０
０℃の温度で不活性環境においてアニールし、ベース基
板２１とプラットフォーム基板１１との間に、これらの
基板を互いに化学的に結合する溶融ＳｉＯ２層を形成す
ることができる。 【００４１】ベース基板２１とプラットフォーム基板１
１とを互いに結合した結果、ウエル３１と接触面２７に
より画定される密閉空洞部３３が形成される。 【００４２】図４ｄにおいて、プラットフォーム基板１
１を初期の厚さＴ１（図４ｃを参照）から低減された厚
さＴ３に薄厚化し、密閉空洞部３３を覆うプラットフォ
ーム基板１１の薄い膜を形成する（以後、この膜および
プラットフォーム基盤は、符号１１で示す）。用途によ
っては、ベース基板２１の背面３０を厚さＴ２（図４ｃ
を参照）から厚さＴ４へ薄厚化することにより、ベース
基板２１の厚さを減らすことが望ましい場合がある。プ
ラットフォーム基板１１上に形成する基板のタイプによ
っては、プラットフォーム基板１１上にこれらの構造を
画定および形成する前にベース基板２１を薄厚化し、背
面薄厚化のプロセスによってこれらの構造に損傷を与え
ないようにすることが望ましい場合がある。膜１１の厚
さＴ３は、約１０．０〜２００．０μｍであることが好
ましい。もちろん他の厚さも可能であり、膜１１の厚さ
Ｔ３は、上記の範囲に限定されない。膜１１が薄すぎる
場合（すなわち＜１０．０μｍ）、膜１１が損傷をうけ
やすい可能性がある。逆に、膜１１が厚すぎる場合（す
なわち＞２００μｍ）、任意の構造を膜１１にエッチン
グすることが益々難しくなる。 【００４３】プラットフォーム基板１１の薄厚化および
ベース基板２１の背面薄厚化は、研削、ポリシング、ラ
ッピングおよび化学機械平坦化（ＣＭＰ）などのプロセ
スを用いて行うことができる。ＣＭＰを用いて、プラッ
トフォーム基板１１を薄厚化し、および、ベース基板２
１を背面薄厚化することが好ましい。 【００４４】ベース基板２１の厚さＴ４は、約２００．
０〜６００．０μｍに形成することができる。通常、ベ
ース基板２１には単結晶シリコン（Ｓｉ）ウェーハが用
いられる。約３００．０μｍより薄いウェーハは脆弱で
あり、取り扱うのが難しい場合がある。それゆえ、ベー
ス基板２１の実際の厚さは、ベース基板２１の材料のタ
イプによって、および、取扱いおよび破損を考慮して決
めることができる。さらに単結晶シリコン（Ｓｉ）ウェ
ーハは、プラットフォーム基板１１にも用いることがで
きる。ベース基板２１またはプラットフォーム基板１１
に用いられる単結晶シリコン（Ｓｉ）ウェーハ材料につ
いて、好ましい結晶配向は存在しない。たとえば、（１
０ ０）または（１ １ １）の結晶配向を有する単
結晶シリコン（Ｓｉ）ウェーハを用いることができる。 【００４５】図４ｅにおいて、膜１１の一部をパターニ
ングし、可撓部材形状およびプラットフォーム形状を画
定する。たとえば、フォトレジストパターン４１を用い
て、可撓部材形状およびプラットフォーム形状を画定す
ることができる。 【００４６】その後、図４ｆにおいて、可撓部材形状お
よびプラットフォーム形状をエッチングし（破線矢印４
９参照）、膜１１を貫通して密閉空洞部３３まで延在す
るトレンチ１３を形成し、これにより開口空洞部３５が
形成される。薄い保護層３２は、トレンチ１３のエッチ
ングに用いられる材料から支持面２２を保護する。前述
のように、本発明の利点の１つは、支持面２２が上記の
エッチングプロセスによって損傷を受けることがないた
め、ベース基板に保持されたまたは埋め込まれた構成要
素に損傷を与える可能性のある凹部などが存在しないこ
とである。また、トレンチ１３は、懸架プラットフォー
ム１７および可撓部材１５も画定する。 【００４７】図４ｇにおいて、選択的腐食剤を結合基板
２５に適用することにより、懸架プラットフォーム１７
および可撓部材１５の下方に残る誘電体層２３の一部
（即ち、開口空洞部３５の部分）を除去する。選択的腐
食剤は、トレンチ１３を介して開口空洞部３５へ流入す
る。この選択的腐食剤は、接触面２７と取り付け面２４
との間の境界Ｉにおける誘電体層２３よりも実質的にに
速いエッチング速度で懸架プラットフォーム１７および
可撓部材１５の下方の誘電体層２３をエッチングするよ
うに選択された異方性エッチング速度を有する。したが
って、このエッチングは、矢印ＸＰで示すように懸架プ
ラットフォーム１７および可撓部材１５の下方にある開
口空洞部３５の部分の方が実質的に速い速度で進行し、
誘電体層を懸架プラットフォーム１７および可撓部材１
５の下方から完全に除去するようにする。これに対し
て、エッチングは、境界Ｉの方が実質的に遅い速度で進
行し、境界Ｉにおける誘電体層２３が矢印ＸＩに示すよ
うに最小限の距離しかアンダーカット（３９）されない
ようにする。 【００４８】好ましくは、この選択的腐食剤として、フ
ッ化水素酸（ＨＦ）などのウエットエッチング腐食剤を
用いる。フッ化水素酸（ＨＦ）は、開口空洞部３５にわ
たって（矢印ＸＩ参照）境界Ｉにおける異方性エッチン
グ速度の約×１０（即ち約１０倍）の異方性エッチング
速度（矢印ＸＰを参照）を有する等方性の腐食剤であ
る。たとえば、誘電体層２３としてシリコン酸化物（Ｓ
ｉＯ２）を用いる場合、（ＨＦ腐食剤を用いる）この異
方性エッチング速度により、誘電体層２３の約１００マ
イクロメートル（即ちＸＩ≒１００．０μｍ）が境界Ｉ
からアンダーカットされるだけで、懸架プラットフォー
ム１７の下方２ミリメートル（ｍｍ）の誘電体層２３を
完全に除去することが可能になる。アンダーカットの結
果として、空洞部３５の領域１９は、懸架プラットフォ
ーム１７の領域より大きくなる。 【００４９】したがって、ＨＦは等方性腐食剤であり、
懸架プラットフォーム１７および可撓部材１５の下方に
流れ込み、誘電体層２３を除去するため、ＨＦは良好に
作用する。誘電体層２３はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）
から形成されることが好ましい。またＨＦは、シリコン
（Ｓｉ）に対して非常に選択的であり、支持面２２の凹
部の形成を生じない。他の等方性ＳｉＯ２腐食剤を用い
ることもできる。たとえば、（従来のＨＦ水溶液ではな
く）気相ＨＦ腐食剤を用いることもできる。 【００５０】本発明のいくつかの実施形態を開示および
例示してきたが、本発明は、説明および例示したような
構成要素の形態または構成に限定されるわけではない。
本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される。 【００５１】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。 １．ベース基板(21)に結合されたプラットフォーム基板
(11)を含む結合基板(25)上に懸架プラットフォーム(17)
を形成する方法であって、ベース基板(21)の支持面(22)
上に誘電体層(23)を形成するステップと、前記誘電体層
(23)の接触面(27)をパターニングし、ウェル形状を画定
するステップと、前記支持面(22)を覆う前記誘電体層(2
3)の薄い保護層(32)を残す所定の深さＤ wを有するウェ
ル(31)が形成されるまで、前記ウェル形状をエッチング
するステップと、前記接触面(27)と前記プラットフォー
ム基板(11)の取り付け面とを圧着することにより前記ベ
ース基板と前記プラットフォーム基板(21,11)とを互い
に結合し、前記ベース基板および前記プラットフォーム
基板(21,11)をアニールして前記接触面(27)と前記取り
付け面(24)とを融着するステップと、前記プラットフォ
ーム基板(11)を薄厚化し、前記ウェル(31)と前記取り付
け面(24)により画定される密閉空洞部(33)を覆う膜(11)
を形成するステップと、前記膜(11)をパターニングして
可撓部材形状およびプラットフォーム形状を画定するス
テップと、前記可撓部材形状および前記プラットフォー
ム形状をエッチングし、前記膜(11)を貫通して前記密閉
空洞部(33)まで延び、かつ、懸架プラットフォーム(17)
および可撓部材(15)を画定する複数のトレンチ(13)を形
成するステップと、選択的腐食剤を適用し、前記懸架プ
ラットフォーム(17)および前記可撓部材(15)の下方から
前記誘電体層(23)を除去するステップと、からなる方
法。 ２．前記接触面(27)をパターニングする前に前記誘電体
層(23)を平坦化し、実質的に平坦な接触面(27)を形成す
る、項番１の方法。 ３．前記誘電体層(23)は約０．５０〜２．０μｍの厚さ
を有する、項番２の方法。 ４．前記誘電体層(23)はシリコン酸化物である、項番３
の方法。 ５．前記平坦化は、研削、ポリシングおよび化学機械平
坦化からなるグループから選択されるプロセスによって
成される、項番２の方法。 ６．前記プラットフォーム基板(11)を薄厚化するステッ
プは、研削、ポリシング、ラッピングおよび化学機械平
坦化からなるグループから選択されるプロセスによって
成される、項番１の方法。 ７．前記誘電体層(23)はシリコン酸化物であり、前記プ
ラットフォーム基板(11)は、シリコン酸化物の融着によ
り前記ベース基板(21)と化学結合される、項番１の方
法。 ８．前記シリコン酸化物は、約０．５０〜２．０μｍの
厚さを有する、項番７の方法。 ９．前記ベース基板(21)の背面(30)を薄厚化し、前記ベ
ース基板(21)の厚さを低減するステップをさらに含む、
項番１の方法。 １０．前記背面を薄厚化するステップは、ラッピング、
ポリシング、研削および化学機械平坦化からなるグルー
プから選択されるプロセスによって成される、項番９の
方法。 １１．前記選択的腐食剤は異方性エッチング速度を有
し、前記懸架プラットフォーム(17)および前記可撓部材
(15)の下方の前記誘電体層(23)は、前記接触面(27)と前
記取り付け面(24)との間の境界Ｉにおける前記誘電体層
(23)よりも実質的に速いエッチング速度でエッチングさ
れる、項番１の方法。 １２．前記プラットフォーム基板(11)および前記ベース
基板(21)のうちのいずれか一方または両方は単結晶シリ
コンから形成される、項番１の方法。 【００５２】 【発明の効果】上記のように、本発明によれば、懸架微
細構造の下方から材料の層を除去するために、エッチン
グホールを必要としない懸架微細構造を形成するための
方法が実現される。また、本発明によれば、下側ウェー
ハに埋め込まれた構成要素が、腐食剤によって損傷を受
けないように、製造プロセス中に腐食剤から下側ウェー
ハの上面を保護する懸架微細構造を形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】 【図１ａ】プラットフォームを貫通する孔を含む従来の
構造を示す平面図である。 【図１ｂ】図１ａの線ＡＡに沿って切った断面図であ
り、図１ａの従来の構造を形成するための一プロセスを
示す。 【図１ｃ】図１ａの線ＡＡに沿って切った断面図であ
り、図１ａの従来の構造を形成するための一プロセスを
示す。 【図１ｄ】図１ａの線ＡＡに沿って切った断面図であ
り、図１ａの従来の構造を形成するための一プロセスを
示す。 【図２ａ】下側ウェーハの上面に凹部を含む従来の構造
を示す平面図である。 【図２ｂ】図２ａの線ＡＡに沿って切った断面図であ
り、図２ａの従来の構造を形成するための一プロセスを
示す。 【図２ｃ】図２ａの線ＡＡに沿って切った断面図であ
り、図２ａの従来の構造を形成するための一プロセスを
示す。 【図３ａ】本発明による貫通孔のない懸架プラットフォ
ームを示す平面図である。 【図３ｂ】図３ａの線ＢＢに沿って切った断面図であ
り、本発明による懸架プラットフォーム、可撓部材、お
よび凹部の無いベース基板の支持面を示している。 【図４ａ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｂ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｃ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｄ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｅ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｆ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【図４ｇ】本発明による懸架プラットフォームを形成す
るための一プロセスを示す断面図である。 【符号の説明】 １１ プラットフォーム基板 １３ トレンチ １５ 可撓部材 １７ 懸架プラットフォーム ２１ ベース基板 ２２ 支持面 ２３ 誘電体層 ２４ 取り付け面 ２５ 結合基板 ２７ 接触面 ３０ ベース基板の背面 ３１ ウエル ３２ 薄い保護層 ３３ 密閉空洞部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M112 AA01 AA02 BA01 CA21 CA24 CA36 DA03 DA04 DA05 DA13 DA14 DA15 DA18 EA03 EA06 FA20

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】ベース基板(21)に結合されたプラットフォ
    ーム基板(11)を含む結合基板(25)上に懸架プラットフォ
    ーム(17)を形成する方法であって、 ベース基板(21)の支持面(22)上に誘電体層(23)を形成す
    るステップと、 前記誘電体層(23)の接触面(27)をパターニングし、ウェ
    ル形状を画定するステップと、 前記支持面(22)を覆う前記誘電体層(23)の薄い保護層(3
    2)を残す所定の深さＤ wを有するウェル(31)が形成され
    るまで、前記ウェル形状をエッチングするステップと、 前記接触面(27)と前記プラットフォーム基板(11)の取り
    付け面とを圧着することにより前記ベース基板と前記プ
    ラットフォーム基板(21,11)とを互いに結合し、前記ベ
    ース基板および前記プラットフォーム基板(21,11)をア
    ニールして前記接触面(27)と前記取り付け面(24)とを融
    着するステップと、 前記プラットフォーム基板(11)を薄厚化し、前記ウェル
    (31)と前記取り付け面(24)により画定される密閉空洞部
    (33)を覆う膜(11)を形成するステップと、 前記膜(11)をパターニングして可撓部材形状およびプラ
    ットフォーム形状を画定するステップと、 前記可撓部材形状および前記プラットフォーム形状をエ
    ッチングし、前記膜(11)を貫通して前記密閉空洞部(33)
    まで延び、かつ、懸架プラットフォーム(17)および可撓
    部材(15)を画定する複数のトレンチ(13)を形成するステ
    ップと、 選択的腐食剤を適用し、前記懸架プラットフォーム(17)
    および前記可撓部材(15)の下方から前記誘電体層(23)を
    除去するステップと、 からなる方法。
JP2002120034A 2001-04-27 2002-04-23 懸架微細構造を形成する方法 Pending JP2003039395A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/844,356 US6465355B1 (en) 2001-04-27 2001-04-27 Method of fabricating suspended microstructures
US09/844356 2001-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003039395A true JP2003039395A (ja) 2003-02-13
JP2003039395A5 JP2003039395A5 (ja) 2005-04-07

Family

ID=25292493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002120034A Pending JP2003039395A (ja) 2001-04-27 2002-04-23 懸架微細構造を形成する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6465355B1 (ja)
EP (1) EP1253108B1 (ja)
JP (1) JP2003039395A (ja)
CN (1) CN1384042A (ja)
DE (1) DE60203431T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010104064A1 (ja) * 2009-03-13 2010-09-16 アルプス電気株式会社 Ｍｅｍｓセンサ

Families Citing this family (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US8014059B2 (en) 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
KR100703140B1 (ko) 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
JP4722333B2 (ja) * 2001-07-02 2011-07-13 富士通株式会社 静電アクチュエータおよびその製造方法
US6589625B1 (en) * 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
US6884732B2 (en) * 2001-10-15 2005-04-26 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a device having a desired non-planar surface or profile and device produced thereby
US6751395B1 (en) * 2001-11-09 2004-06-15 Active Optical Networks, Inc. Micro-electro-mechanical variable optical attenuator
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
JP4275395B2 (ja) * 2002-12-11 2009-06-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6770506B2 (en) * 2002-12-23 2004-08-03 Motorola, Inc. Release etch method for micromachined sensors
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US7018862B2 (en) * 2003-07-15 2006-03-28 Agency For Science, Technology And Research Micromachined electromechanical device
US6930368B2 (en) * 2003-07-31 2005-08-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS having a three-wafer structure
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US7012726B1 (en) 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7142346B2 (en) 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7532194B2 (en) 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7026189B2 (en) * 2004-02-11 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wafer packaging and singulation method
JP4422624B2 (ja) * 2004-03-03 2010-02-24 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイス及びその作製方法
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7706050B2 (en) 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7056759B2 (en) * 2004-04-27 2006-06-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for making a microelectromechanical system using a flexure protection layer
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7060895B2 (en) 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7164520B2 (en) 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7256922B2 (en) 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
KR101313117B1 (ko) 2004-07-29 2013-09-30 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7239774B1 (en) * 2004-08-13 2007-07-03 Lightconnect, Inc. Optical steering element and method
US7499208B2 (en) 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7560299B2 (en) 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7515147B2 (en) 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7889163B2 (en) 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7551159B2 (en) 2004-08-27 2009-06-23 Idc, Llc System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator
US7623142B2 (en) 2004-09-14 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flexure
US7602375B2 (en) 2004-09-27 2009-10-13 Idc, Llc Method and system for writing data to MEMS display elements
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7405861B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7417735B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7136213B2 (en) 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7405924B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US7446927B2 (en) 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7368803B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7626581B2 (en) 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US7289256B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7679627B2 (en) 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7299681B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7161730B2 (en) 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US8878825B2 (en) 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7653371B2 (en) 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7710629B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7724993B2 (en) 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7916103B2 (en) 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7573547B2 (en) * 2004-09-27 2009-08-11 Idc, Llc System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device
US7415186B2 (en) 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7675669B2 (en) 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7373026B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7359066B2 (en) 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7843410B2 (en) 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7317568B2 (en) 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
TW200628833A (en) 2004-09-27 2006-08-16 Idc Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7417783B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7553684B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7259449B2 (en) 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7310179B2 (en) 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7813026B2 (en) 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7492502B2 (en) 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7420728B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7349136B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7545550B2 (en) 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7532195B2 (en) 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7369294B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7345805B2 (en) 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7446926B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device
US20060176487A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7422962B2 (en) * 2004-10-27 2008-09-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of singulating electronic devices
TW200628877A (en) 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US7920136B2 (en) 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
US7948457B2 (en) 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
EP1878001A1 (en) 2005-05-05 2008-01-16 QUALCOMM Incorporated, Inc. Dynamic driver ic and display panel configuration
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
US20070020794A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Debar Michael J Method of strengthening a microscale chamber formed over a sacrificial layer
CN101228091A (zh) 2005-07-22 2008-07-23 高通股份有限公司 用于mems装置的支撑结构及其方法
CA2616268A1 (en) * 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
KR20080041663A (ko) 2005-07-22 2008-05-13 콸콤 인코포레이티드 Ｍｅｍｓ 장치를 위한 지지 구조물 및 그 방법들
CN100422070C (zh) * 2005-08-12 2008-10-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及制作方法
US7355779B2 (en) 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
CN1325367C (zh) * 2005-09-16 2007-07-11 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种mems传感器悬梁结构的制造方法
US7630114B2 (en) 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US8391630B2 (en) 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7636151B2 (en) 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8194056B2 (en) 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7582952B2 (en) 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7785913B2 (en) * 2006-02-23 2010-08-31 Innovative Micro Technology System and method for forming moveable features on a composite substrate
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7643203B2 (en) 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
WO2007120885A2 (en) 2006-04-13 2007-10-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems devices and processes for packaging such devices
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7527996B2 (en) 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US8049713B2 (en) 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7369292B2 (en) 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7388704B2 (en) 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7808061B2 (en) * 2006-07-28 2010-10-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-die apparatus including moveable portions
JP4327183B2 (ja) * 2006-07-31 2009-09-09 株式会社日立製作所 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
CN101121498B (zh) * 2006-08-07 2011-01-26 探微科技股份有限公司 制作微扭转轴的方法
US7983138B2 (en) * 2006-10-11 2011-07-19 Seagate Technology Llc Surface spacing using rigid spacers
US7903532B2 (en) * 2006-10-11 2011-03-08 Seagate Technology Llc Elevated electrodes for probe position sensing
US7545552B2 (en) 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US8736590B2 (en) 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US8379392B2 (en) 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging
EP2523895B1 (de) * 2010-01-11 2014-06-04 ELMOS Semiconductor AG Mikroelektromechanisches halbleiterbauelement
KR20130100232A (ko) 2010-04-09 2013-09-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8984942B2 (en) * 2012-02-10 2015-03-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Suspended masses in micro-mechanical devices
US9176089B2 (en) 2013-03-29 2015-11-03 Stmicroelectronics Pte Ltd. Integrated multi-sensor module
US9082681B2 (en) 2013-03-29 2015-07-14 Stmicroelectronics Pte Ltd. Adhesive bonding technique for use with capacitive micro-sensors
US9618653B2 (en) 2013-03-29 2017-04-11 Stmicroelectronics Pte Ltd. Microelectronic environmental sensing module
US9000542B2 (en) 2013-05-31 2015-04-07 Stmicroelectronics Pte Ltd. Suspended membrane device
US9878899B2 (en) * 2015-10-02 2018-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for reducing in-process and in-use stiction for MEMS devices
US10254261B2 (en) 2016-07-18 2019-04-09 Stmicroelectronics Pte Ltd Integrated air quality sensor that detects multiple gas species
US10429330B2 (en) 2016-07-18 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd Gas analyzer that detects gases, humidity, and temperature
US10800649B2 (en) 2016-11-28 2020-10-13 Analog Devices International Unlimited Company Planar processing of suspended microelectromechanical systems (MEMS) devices
US10557812B2 (en) 2016-12-01 2020-02-11 Stmicroelectronics Pte Ltd Gas sensors
CN109721021B (zh) * 2017-10-30 2021-02-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems器件及制备方法、电子装置
WO2019201570A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Abedin Ahmad Semiconductor devices for lasing applications and methods of manufacturing such devices
US10843920B2 (en) 2019-03-08 2020-11-24 Analog Devices International Unlimited Company Suspended microelectromechanical system (MEMS) devices
US20240329389A1 (en) * 2022-07-15 2024-10-03 Quantinuum Llc Spatial period converter with monolithic zoom

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5314572A (en) 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
US5198390A (en) * 1992-01-16 1993-03-30 Cornell Research Foundation, Inc. RIE process for fabricating submicron, silicon electromechanical structures
DE69420481T2 (de) * 1993-01-29 2000-05-18 Murata Mfg. Co., Ltd. Winkelgeschwindigkeitsmessaufnehmer
US5364497A (en) 1993-08-04 1994-11-15 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures using temporary bridges
US5658698A (en) 1994-01-31 1997-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
JPH0832090A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Mitsubishi Electric Corp 慣性力センサおよびその製造方法
US5543013A (en) * 1994-12-01 1996-08-06 Analog Devices, Inc. Method of forming a microstructure with bare silicon ground plane
US5639542A (en) * 1995-06-07 1997-06-17 Analog Devices, Inc. Sub-ground plane for micromachined device
JP3496347B2 (ja) * 1995-07-13 2004-02-09 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
US5637539A (en) * 1996-01-16 1997-06-10 Cornell Research Foundation, Inc. Vacuum microelectronic devices with multiple planar electrodes
US5747353A (en) * 1996-04-16 1998-05-05 National Semiconductor Corporation Method of making surface micro-machined accelerometer using silicon-on-insulator technology
JPH10256568A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Mitsubishi Materials Corp 半導体慣性センサの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010104064A1 (ja) * 2009-03-13 2010-09-16 アルプス電気株式会社 Ｍｅｍｓセンサ
JPWO2010104064A1 (ja) * 2009-03-13 2012-09-13 アルプス電気株式会社 Ｍｅｍｓセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP1253108A2 (en) 2002-10-30
DE60203431T2 (de) 2006-02-16
DE60203431D1 (de) 2005-05-04
EP1253108A3 (en) 2003-12-10
EP1253108B1 (en) 2005-03-30
CN1384042A (zh) 2002-12-11
US20020160611A1 (en) 2002-10-31
US6465355B1 (en) 2002-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003039395A (ja) 懸架微細構造を形成する方法
US7463454B2 (en) Micro-actuator for hard drive utilizing insulating portions to separate biasing regions from adjacent regions of the micro-actuator and simplified manufacture process therefore
US7723141B2 (en) Encapsulation in a hermetic cavity of a microelectronic composite, particularly of a MEMS
EP1419990B1 (en) Method of forming a via hole through a glass wafer
KR101291086B1 (ko) 2개의 플레이트들의 어셈블리에 의해 얻어진 구조물을트리밍하는 방법
US8193550B2 (en) Method for manufacturing a micro-electro-mechanical device, in particular an optical microswitch, and micro-electro-mechanical device thus obtained
US7655538B2 (en) MEMS device and interposer and method for integrating MEMS device and interposer
JP2003039395A5 (ja)
US20070281381A1 (en) Method for sealing and backside releasing of microelectromechanical systems
US20040219765A1 (en) Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member
TW200832615A (en) Formation of through-wafer electrical interconnections and other structures using a thin dielectric membrane
KR100889115B1 (ko) Ｓｏｉ 기판상에 공동구조를 형성하는 방법 및 ｓｏｉ기판상에 형성된 공동구조
CN105339297A (zh) 用于制造包括填充有牺牲材料的腔体的半导体结构的方法
JP2001038699A (ja) 接合基板素子および接合基板素子製造方法
JP7689138B2 (ja) 積層構造を製造するための方法
WO2001024228A2 (en) Temporary bridge for micro machined structures
JP3983176B2 (ja) ミラー基板の製造方法及び光スイッチ装置の製造方法
JP4478190B2 (ja) 光スイッチ装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040512

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060920

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060926

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061226

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070717

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070809

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080826