JP2003035611A - 反応熱検出器および反応熱検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微小空間におけるバイオ・ケミカル反応等に
伴う微少な反応熱を検出するに好適な反応熱検出器を提
供する。 【解決手段】 半導体基板１に熱的に絶縁して形成され
る薄膜状のメンブラン（ブリッジ）３に複数の薄膜温度
センサ４ａ,４ｂを設け、これらの各薄膜温度センサ上
にそれぞれ流体を導く複数のマイクロチャネル５ａ,５
ｂを前記メンブラン（ブリッジ）を経由して前記半導体
基板に形成する。そして各マイクロチャネルにインレッ
ト６ａ,６ｂおよびアウトレット７ａ,７ｂを介して流体
を通流させ、例えばその一方のチャネルに被検出流体と
その反応試薬を混合して、他方のチャネルに上記被検出
流体と上記反応試薬に変わるダミー流体とを混合して通
流させてその温度を、特にその温度差を各薄膜温度セン
サを介して検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微小空間における
バイオ・ケミカル反応等に伴う微少な反応熱を検出する
に好適な反応熱検出器および反応熱検出装置に関する。

【０００２】

【関連する背景技術】物質が持つ性質を分析したり、或
る標本中から特定の物質を検出する場合、一般的にはク
ロマトグラフィ等の化学的分離手法を用いたり、遠心分
離等の物理的な手法が用いられる。また検出対象とする
特定の物質に選択的に反応する試薬を用いて、その反応
の有無を検出することも行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来一般的な分析手法においては、その設備が大掛か
りなものとなり易く、またその分析精度が周囲環境によ
り左右され易いと言う問題がある。しかも試薬との反応
をどのようにして高精度に検出するかと言う点でも問題
がある。またこのような分析手法は、一般的に、微小空
間におけるバイオ・ケミカル反応の分析には不向きであ
る。

【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、微小空間におけるバイオ・ケミ
カル反応等に伴う微少な反応熱を高感度に検出すること
ができ、特定物質の検出やマイクロ領域での化学反応メ
カニズムを分析するに好適な反応熱検出器および反応熱
検出装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明の係る反応熱検出器は、マイクロマシンニン
グ技術を用いて実現されるものであって、半導体基板に
該半導体基板と熱的に絶縁して形成される薄膜状のメン
ブランまたはブリッジに複数の薄膜温度センサを設け、
これらの各薄膜温度センサ上にそれぞれ流体を導く複数
のマイクロチャネルを前記メンブランまたはブリッジを
経由して前記半導体基板に形成すると共に、これらの各
マイクロチャネルにそれぞれ流体を通流させる為のイン
レットおよびアウトレットを設けた構造を有し、例えば
その一方のチャネルに被検出流体を、他方のチャネルに
上記被検出流体とその反応試薬とを混合した流体を反応
させながら通流させて、前記各マイクロチャネルをそれ
ぞれ通流する流体の温度を、特にその温度差を前記各薄
膜温度センサを介して検出するようにしたことを特徴と
するものである。

【０００６】好ましくは前記インレットおよびアウトレ
ットを、前記各マイクロチャネルにそれぞれ連通して前
記半導体基板の裏面側に設けることで、前記各マイクロ
チャネルに対する流体の供給とその排出の容易化を図る
ことが望ましい。また前記薄膜状のメンブランまたはブ
リッジを、前記半導体基板に形成された凹部を跨いで設
けることで前記半導体基板と熱的に絶縁し、これによっ
て複数の薄膜温度センサをそれぞれその外部から熱的に
隔離することが望ましい。

【０００７】また好ましくは、更に前記半導体基板の前
記複数のマイクロチャネルを形成した面側を覆うカバー
体を備えることでその内部空間を外界から隔離し、また
該カバー体にその内部空間と外部（外界）とを繋ぐ連通
部を設けることで、この連通部を介してカバー体の内部
（検出器の内部空間）と外部（外界）との圧力を平衡に
保つ構造とすることが望ましい。

【０００８】より具体的には前記インレットは、被検出
流体が導入される第１のインレットと上記被検出流体に
対する反応試薬が導入される第２のインレットとからな
り、上記第１および第２のインレットからそれぞれ導入
された前記被検出流体とその反応試薬との混合流体を複
数のマイクロチャネルの一方に導き、他方のマイクロチ
ャネルには前記第１のインレットから導入された被検出
流体だけを導くように構成される。

【０００９】更に好ましくは前記インレットとして、被
検出流体が導入される第１のインレットと、上記被検出
流体に対する反応試薬およびこの反応試薬と流体特性を
同じくし、前記被検出流体と反応することのないダミー
流体がそれぞれ導入される２つの第２のインレットとを
設け、前記マイクロチャネルの一方には上記第１および
第２のインレットからそれぞれ導入された前記被検出流
体とその反応試薬との混合流体を導き、他方のマイクロ
チャネルには前記第１のインレットから導入された被検
出流体と前記ダミー流体との混合流体を導くように構成
することが望ましい。

【００１０】また本発明に係る反応熱検出装置は、上述
した構造の反応熱検出器と、前記第１のインレットに対
する前記被検出流体の導入をオン・オフ制御する制御手
段とを備えることを特徴とする。特に被検出流体の導入
を周期的にオン・オフ制御する手段を設ける。そして前
記第１のインレットへの前記被検出流体の導入停止時に
前記薄膜温度センサにより検出される温度に基づいて、
前記被検出流体の導入時に前記薄膜温度センサにより検
出される温度を補正する補正手段を備え、反応試薬とダ
ミー流体との温度差や、複数の薄膜温度センサの測温特
性のバラツキを補正して前記被検出流体と反応試薬との
反応熱を高精度に検出することを特徴としている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係る反応熱検出器について説明する。この反
応熱検出器はマイクロマシンニング技術を用いて製作さ
れるものであって、概略的には図１に示すように、Ｓi
等の半導体基板１に設けた凹部２を跨いで該半導体基板
１から熱的に絶縁して形成した、例えば厚み１μｍ程度
の薄膜状のメンブラン（ブリッジ）３に、Ｐt等からな
る複数（２つ）の薄膜温度センサ４ａ,４ｂを埋め込み
形成し、これらの各薄膜温度センサ４ａ,４ｂ上にそれ
ぞれ流体を導く為の複数（２つ）のマイクロチャネル５
ａ,５ｂを形成した構造を有する。

【００１２】ちなみに前記薄膜温度センサ４ａ,４ｂ
は、図２にその平面配置構造を示すように前記凹部２を
跨いで形成されたメンブラン（ブリッジ）３上にその幅
方向に所定の距離を隔てて対称に、且つ相互に熱絶縁し
て設けられる。そして前記各マイクロチャネル５ａ,５
ｂは、上記各薄膜温度センサ４ａ,４ｂ上をそれぞれ通
過する、例えば幅が２０μｍ、高さが１０μｍからなる
断面積２００μｍ²程度の微小空間をなす流路を形成し
て前記メンブラン（ブリッジ）３上に平行に架設され
る。

【００１３】尚、これらのマイクロチャネル５ａ,５ｂ
は、上記メンブラン（ブリッジ）３の上から前記半導体
基板１上の前記凹部２を挟む領域までそれぞれ延ばして
形成される。そしてこれらの各マイクロチャネル５ａ,
５ｂは、図３にその断面構造を示すように該半導体基板
１に穿たれた透孔からなるインレット６およびアウトレ
ット７にそれぞれ結合され、上記インレット６からそれ
ぞれ導入される流体をアウトレット７に導く流路を形成
する。これらのインレット６およびアウトレット７につ
いては、その圧損とマイクロチャネル５ａ,５ｂに対す
るアライメント性等を考慮して、図３に模式的に示すよ
うにテーパー状に形成することが望ましい。このような
インレット６およびアウトレット７をテーパー状に加工
するには、例えばこれらのインレット６およびアウトレ
ット７が形成されるＳi基板を部分的に異方性エッチン
グするようにすれば良い。

【００１４】ところでこの実施形態においては、図２に
示すように前記半導体基板１には３つのインレット６
ａ,６ｂ,６ｃと１つのアウトレット７とが設けられてお
り、上記２つのマイクロチャネル５ａ,５ｂは、その下
流側において合流部を介して１つの流路にまとめられて
アウトレット７に連結されている。また２つのマイクロ
チャネル５ａ,５ｂは、その上流側において分流部を介
して第１のインレット６ａに共通に連結され、また第２
のインレット６ｂ,６ｃは上記分流部の下流側において
それぞれ合流部を介してマイクロチャネル５ａに連結さ
れている。

【００１５】そして第１のインレット６ａを介して導入
された流体は、２つのマイクロチャネル５ａ,５ｂに分
流されてそれぞれ通流され、また第２のインレット６
ｂ,６ｃを介してそれぞれ導入された流体（反応試薬）
はマイクロチャネル５ａ,５ｂにだけそれぞれ導入され
るようになっている。尚、インレット６ａには被検出流
体が導入され、インレット６ｂには上記被検出流体に反
応させるべき反応試薬が、またインレット６ｃには上記
反応試薬に近い流体特性を持ち、前記被検出流体とは反
応することのない流体（ダミー流体）が、それぞれ同じ
流量だけ導入される。

【００１６】この結果、一方のマイクロチャネル５ａに
は２つのインレット６ａ,６ｂを介してそれぞれ導入さ
れた流体（被検出流体と反応試薬）が混合され、所定の
反応が促された状態で通流され、また他方のマイクロチ
ャネル５ｂには２つのインレット６ａ,６ｃを介してそ
れぞれ導入された流体（被検出流体とダミー流体）が混
合されて通流される。そして前記薄膜温度センサ４ａ,
４ｂは、上記各マイクロチャネル５ａ,５ｂにそれぞれ
流れる流体の温度、即ち、第１の薄膜温度センサ４ａは
被検出流体と反応試薬との反応に伴う反応温度を検出
し、また第２の薄膜温度センサ４ｂは被検出流体とダミ
ー流体との反応を伴うことのない温度を検出するものと
なっている。

【００１７】尚、上述したようにメンブラン（ブリッ
ジ）３に２つの薄膜温度センサ４ａ,４ｂを形成し、更
にこれらの薄膜温度センサ４ａ,４ｂの上にそれぞれマ
イクロチャネル５ａ,５ｂを形成した半導体基板１の表
面側は、図３に示すように所定の凹部空間８ａを形成し
たカバー体８により覆われる。このカバー体８は、上記
薄膜温度センサ４ａ,４ｂを主体とするセンシング部を
囲繞する内部空間８ａを形成してその外部と隔離し、前
述したマイクロチャネル５ａ,５ｂ等を機械的に保護す
ると共に、薄膜温度センサ４ａ,４ｂが外部環境の変化
の影響を受け難くする役割を担う。また上記カバー体８
の周縁部には、微小な溝等からなる連通部９が設けられ
ている。この連通部９は、水等の進入を防ぎ得る大きさ
のもので、該カバー体８が形成する内部空間８ａとその
外部（外界）との間で空気だけを通流することで、その
内部空間８ａと外部とを圧力的に平衡化する役割を担
う。

【００１８】更に前記半導体基板１の周縁部には、前述
した薄膜温度センサ４ａ,４ｂとは独立して、第３の薄
膜温度センサ４ｃが設けられる。この第３の薄膜温度セ
ンサ４ｃは、半導体基板１を通して外部環境の温度を検
出するもので、例えば前述した薄膜温度センサ４ａ,４
ｂにより検出される温度（被検出流体と反応試薬との反
応温度）を外部環境に応じて補正する為に利用される。

【００１９】ところで反応試薬とダミー流体とは、別々
の系から反応熱検出器に導入されるので、これらの各温
度自体が異なっている可能性がある。しかも各マイクロ
チャネル５ａ,５ｂにそれぞれ設けた薄膜温度センサ４
ａ,４ｂにも、その測温特性にバラツキがある可能性も
ある。従って実際的には、例えばインレット６ａから被
検出流体（サンプル）を導入しない状態においてインレ
ット６ｂ,６ｃからそれぞれ反応試薬とダミー流体とを
同じ流量ずつ流し、インレット６ａからの被検出流体の
導入をオン・オフ制御する。そして被検出流体の導入を
オン・オフしたときに前記各薄膜温度センサ４ａ,４ｂ
にてそれぞれ検出される温度から、反応試薬とダミー流
体との温度差や薄膜温度センサ４ａ,４ｂの測温特性の
バラツキを補正するようにすれば良い。

【００２０】ちなみにこの反応熱検出器に組み込まれる
温度センシング回路は、例えば図４に示すように、メン
ブラン（ブリッジ）３に形成されてチャネル５ａ,５ｂ
を通流する流体の温度をそれぞれ検出する第１および第
２の薄膜温度センサ４ａ,４ｂの各出力の差分を、その
温度差として求める差動増幅器１１を備える。そしてこ
の差動増幅器１１の出力（温度差）を、被検出流体（サ
ンプル）を導入した状態においては第１のサンプルホー
ルド回路１２ａを用いて検出し、また被検出流体（サン
プル）を導入しない状態においては第２のサンプルホー
ルド回路１２ｂを用いて検出する。その上で温度補正回
路１３において第１のサンプルホールド回路１２ａの出
力を第２のサンプルホールド回路１２ｂの出力にて補正
し、更には前記第３の薄膜温度センサ４ｃにより検出さ
れた環境温度に応じて補正して、その検出出力（温度
差）を求めるように構成される。そしてマイクロチャネ
ル５ａ内において生じる被検出流体と反応試薬との反応
に伴う、例えばｍＫオーダ、若しくはそれ以下の微小な
反応熱を、前記各薄膜温度センサ４ａ,４ｂにより検出
される温度差として高精度に検出するものとなってい
る。

【００２１】かくして上述した如く構成された反応熱検
出器（反応熱検出装置）によれば、２つの薄膜温度セン
サ４ａ,４ｂは、半導体基板１に穿たれた凹部２を跨い
で形成されて該半導体基板１から熱的に絶縁されたメン
ブラン（ブリッジ）３に形成されており、またこれらの
薄膜温度センサ４ａ,４ｂを互いに熱的に分離して対称
に設けている。そして前述した２つのチャネル５ａ,５
ｂは、上記各薄膜温度センサ４ａ,４ｂの上を通ってそ
れぞれ設けられているので、前記各薄膜温度センサ４
ａ,４ｂは上記２つのチャネル５ａ,５ｂにそれぞれ通流
する流体の温度だけをそれぞれ検出する。従って前述し
たように一方のマイクロチャネル５ａに被検出流体と反
応試薬とを混合した流体を通流し、他方のマイクロチャ
ネル５ｂに被検出流体とダミー流体とを混合して通流さ
せることで、前記各薄膜温度センサ４ａ,４ｂにより上
記被検出流体と反応試薬との反応に伴う微小な反応熱
と、被検出流体とダミー流体の温度、ひいてはその温度
差を高精度に検出することが可能となる。

【００２２】特に薄膜温度センサ４ａ,４ｂを主体とす
るセンシング部が、カバー体８により覆われて外部環境
とは隔離された状態にあり、しかも前述したようにメン
ブラン（ブリッジ）３に設けられて外部から熱的に絶縁
された状態にあるので、マイクロチャネル５ａ内の微小
空間において生じる被検出流体と反応試薬との反応に伴
う反応熱が微小であっても、その反応熱を外乱要因に左
右されることなしに高精度に検出することが可能とな
る。特にマイクロチャネル５ｂに流れる被検出流体とダ
ミー流体の温度を基準として、その温度差として上記被
検出流体と反応試薬との反応熱を検出するので、その検
出精度を十分に高めることが可能となる等の効果が奏せ
られる。従って微小空間において生じる被検出流体と反
応試薬との反応に伴う微小な反応熱を高精度に検出する
ことが可能となり、種々の流体分析に大きく寄与する。

【００２３】ちなみに上述した構造の反応熱検出器を製
作するに際しては、例えば先ず図５(ａ)に示すようにＳ
i等の半導体基板１上に窒化シリコン（ＳiＮx）膜２０
を堆積形成し、この絶縁性薄膜２０上に図５(ｂ)に示す
ように第１および第２の薄膜温度センサ４ａ,４ｂをな
すＰtの薄膜２１を蒸着形成する。このＰt薄膜２１につ
いては、パターニングによりメンブラン（ブリッジ）３
を形成する部位の、例えば中央部に設ける。その後、図
５(ｃ)に示すようにその全面を覆って更にＳiＮx膜２２
を形成する。

【００２４】次いで図５(ｄ)に示すように上記ＳiＮx膜
２２上に、所定の流路断面積を有するチャネル５ａ,５
ｂを形成する為の犠牲層としてＡl層２３を形成する。
このＡl層２３は、前記Ｐt薄膜２１の上部に位置付けて
前記メンブラン（ブリッジ）３を形成する部位に、該メ
ンブラン（ブリッジ）３を通過するように、前述した図
２に示すパターンを形成して設けられる。しかる後、図
５(ｅ)に示すように、Ａl層２３の全体を覆ってチャネ
ル５ａ,５ｂを形成するＳiＮx膜２４を形成する。この
段階において上記ＳiＮx膜２０,２２に、後述するよう
にチャネル５ａ,５ｂの下部に凹部２を穿いてメンブラ
ン（ブリッジ）３を形成する為のエッチング用の開口部
（図示せず）を、メンブラン（ブリッジ）３を形成する
部位の側部に形成しておく。

【００２５】しかる後、前記半導体基板１の下面にＳi
Ｎx膜２５を形成し、このＳiＮx膜２５をバターニング
して半導体基板１を選択的にエッチングする為の開口を
形成する。そして図５(ｆ)に示すようにＳiＮx膜２５を
マスクとして半導体基板１をその下面側からエッチング
して、該半導体基板１にインレット６ａ,６ｂ,６ｃ、お
よびアウトレット７をそれぞれ形成する為の孔２６をそ
れぞれ形成する。次いでこのＳiからなる半導体基板１
のエッチングに引き続いて、図５(ｇ)に示すように該半
導体基板１の裏面側から前記Ａl層２３に到達するまで
前述したＳiＮx膜２０,２２を順にエッチングして前記
孔２６を掘り下げて、インレット６ａ,６ｂ,６ｃおよび
アウトレット７をそれぞれ形成する。

【００２６】その後、半導体基板１の表面側に設けたＳ
iＮx膜２０,２２をマスクとし、該ＳiＮx膜２０,２２に
設けた開口部を介して半導体基板１を異方性エッチング
して図５(ｈ)に示すように前記第１および第２の薄膜温
度センサ４ａ,４ｂをなすＰtの薄膜２１の下方に、前述
したメンブラン（ブリッジ）３を形成する凹部２を形成
する。次いで前記インレット６ａ,６ｂ,６ｃおよびアウ
トレット７をそれぞれなす孔２６を通して、前述したＡ
l層２３をエッチング除去し、図５(ｉ)に示すようにメ
ンブラン（ブリッジ）３上に、前記ＳiＮx膜２４にて囲
まれたチャネル５ａ,５ｂを形成する。

【００２７】尚、チャネル５ａ,５ｂを覆ってカバー体
８を設ける場合には、前記薄膜温度センサ４ａ,４ｂの
各電極リード（図示せず）を半導体基板１の裏面側から
取り出すように電極成形しておく。その後、別工程にお
いて別の半導体基板をエッチング加工して製作され、前
述した貫通孔９を備えたカバー体８を、上記半導体基板
１の上面に接合して図３に示す断面構造の反応熱検出器
を完成させる。尚、半導体基板１とカバー体８との接合
については、例えばその接合面にＡu膜をそれぞれ設け
ておき、これらの各Ａu膜を互いに接合するようにすれ
ば良い。

【００２８】このように本発明に係る反応熱検出器は、
半導体基板に対するエッチング処理や、ＣＶＤ（chemic
al vapor deposition）等の薄膜成長を用いたマイクロ
マシンニング技術を用いて比較的簡単に製作することが
できる。しかも薄膜温度センサ４ａ,４ｂを形成したメ
ンブラン（ブリッジ）３を、半導体基板１とカバー体８
とにより形成される内部空間に埋め込むことができるの
で、外力の影響を受けることのない構造的に優れたもの
とすることができる等の利点がある。

【００２９】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。例えばここでは凹部２を跨ぐブリッジ
３を形成し、このブリッジ３上に薄膜温度センサ４ａ,
４ｂを形成したが、半導体基板１の中央部に薄膜ダイヤ
フラムを形成し、このダイヤフラム上に薄膜温度センサ
４ａ,４ｂを形成することも可能である。また薄膜温度
センサ４ａ,４ｂとして上述したＰtからなる測温抵抗体
を形成することのみならず、サーモパイル（熱電対）の
温接点と冷接点と２つの薄膜温度センサ４ａ,４ｂとし
て形成することも可能である。更にはマイクロチャネル
５ａ,５ｂに連通させるインレット６ａ,６ｂおよびアウ
トレット７を、カバー体８側に設けるようにすることも
可能である。また薄膜温度センサ４ａ,４ｂに対する電
極取出についても特に限定されず、種々の仕様に合わせ
れば良い。

【００３０】またここでは２つのマイクロチャネル５
ａ,５ｂを形成し、各マイクロチャネル５ａ,５ｂを通流
させる流体の温度を計測するものとしたが、３つ以上の
マイクロチャネルを平行に形成して各マイクロチャネル
を流れる流体の温度をそれぞれ計測するように反応熱検
出器を構成することも可能である。またダミー流体を用
いない場合には、２つのマイクロチャネル５ａ,５ｂの
一方に、被検出流体とその反応試薬との混合流体を通流
させ、他方のマイクロチャネルには被検出流体だけを通
流させてその温度差を検出するようにしても良い。その
他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板と熱的に絶縁して形成された薄膜状のメンブラ
ンまたはブリッジに複数の薄膜温度センサを設け、これ
らの各薄膜温度センサ上にそれぞれ流体を導く複数のマ
イクロチャネルを形成して各マイクロチャネルにそれぞ
れ通流させる流体の温度を検出するので、微小空間にお
ける被検出流体と反応試薬との反応に伴う微小な反応熱
を高精度に、しかも容易に検出することができる。従っ
てバイオ・ケミカル反応等に伴う微小な反応熱を検出し
て、その性質を分析したり、特定の物質を抽出する等の
用途に多大なる効果が奏せられる。しかも外部環境の影
響を受けることなしに、その反応熱を高精度に検出する
ことができる等の利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る反応熱検出器の要部
概略構成を示す部分断面化した斜視図。

【図２】図１に示す反応熱検出器における薄膜温度セン
サとマイクロチャネルの配置構造を示す平面図。

【図３】図１に示す反応熱検出器の概略構造を示す断面
図。

【図４】図１に示す反応熱検出器に組み込まれる温度セ
ンシング回路の例を示す図。

【図５】図１に示す反応熱検出器の概略的な製造過程の
例を分解して示す図。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 凹部 ３ 薄膜状のメンブラン（ブリッジ） ４ａ,４ｂ 薄膜温度センサ ５ａ,５ｂ マイクロチャネル ６ａ,６ｂ インレット ７ アウトレット ８ カバー体 ９ 連通部

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板に該半導体基板と熱的に絶縁
   して形成された薄膜状のメンブランまたはブリッジと、 このメンブランまたはブリッジに設けられた複数の薄膜
   温度センサと、 前記メンブランまたはブリッジを経由して前記半導体基
   板に形成されて前記各薄膜温度センサ上にそれぞれ流体
   を導く複数のマイクロチャネルと、 これらのマイクロチャネルにそれぞれ流体を通流させる
   為のインレットおよびアウトレットとを具備したことを
   特徴とする反応熱検出器。
2. 【請求項２】 前記インレットおよびアウトレットは、
   前記各マイクロチャネルにそれぞれ連通して前記半導体
   基板の裏面側に設けられるものである請求項１に記載の
   反応熱検出器。
3. 【請求項３】 前記薄膜状のメンブランまたはブリッジ
   は、前記半導体基板に形成された凹部を跨いで設けられ
   るものである請求項１に記載の反応熱検出器。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の反応熱検出器におい
   て、 更に前記半導体基板の前記複数のマイクロチャネルを形
   成した面側を覆うカバー体を備え、該カバー体は、その
   内部空間と外部とを繋ぐ連通部を備えることを特徴とす
   る反応熱検出器。
5. 【請求項５】 前記インレットは、被検出流体が導入さ
   れる第１のインレットと上記被検出流体に対する反応試
   薬が導入される第２のインレットとを備え、 前記マイクロチャネルは、その一方に上記第１および第
   ２のインレットからそれぞれ導入された前記被検出流体
   とその反応試薬との混合流体を導き、他方のマイクロチ
   ャネルに前記第１のインレットから導入された被検出流
   体だけを導く流路を形成したものである請求項１に記載
   の反応熱検出器。
6. 【請求項６】 前記インレットは、被検出流体が導入さ
   れる第１のインレットと、上記被検出流体に対する反応
   試薬およびこの反応試薬と流体特性を同じくし、前記被
   検出流体と反応することのないダミー流体がそれぞれ導
   入される２つの第２のインレットとを備え、 前記マイクロチャネルは、その一方に上記第１および第
   ２のインレットからそれぞれ導入された前記被検出流体
   とその反応試薬との混合流体を導き、他方のマイクロチ
   ャネルに前記第１のインレットから導入された被検出流
   体と前記ダミー流体との混合流体を導く流路を形成した
   ものである請求項１に記載の反応熱検出器。
7. 【請求項７】 請求項５または６に記載の反応熱検出器
   と、前記第１のインレットに対する前記被検出流体の導
   入をオン・オフ制御する制御手段とを備えたことを特徴
   とする反応熱検出装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の反応熱検出装置におい
   て、 更に前記第１のインレットへの前記被検出流体の導入停
   止時に前記薄膜温度センサにより検出される温度に基づ
   いて、前記被検出流体の導入時に前記薄膜温度センサに
   より検出される温度を補正する手段を備えることを特徴
   とする反応熱検出装置。
9. 【請求項９】 前記制御手段は、前記第１のインレット
   に対する前記被検出流体の導入を所定の周期でオン・オ
   フするものである請求項７に記載の反応熱検出装置。