JP2003031662A - 半導体集積回路の配線方法、半導体集積回路、及び配線方法をコンピュータに実行させるプログラム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層構造を有する半導体集積回路において、
回路全体の特性を悪化させることなく良好な層間接続を
実現できる配線方法を提供すること。 【解決手段】 スルーホールを１つ形成することを条件
として配線を決定する工程と、決定した配線のうち異な
る層上に配置され電気的に接続する必要のある配線の組
をピックアップして各配線の占める領域を抽出する工程
と、各配線間に一致する領域が存在するか否かを判断す
る工程と、一致する領域がスルーホールを設定可能な広
さを有するか判断する工程と、一致領域上に新たに他の
スルーホールを設定する工程を含む。一度決定した配線
のパターンを変化させることなく新たに他のスルーホー
ルの設定を行うことで、半導体集積回路の特性を損なう
ことなく層間接続の低抵抗化、エレクトロマイグレーシ
ョン耐性の向上、半導体集積回路の歩留まりの向上を実
現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層構造を有す
る半導体集積回路における異なる層に配置された配線の
接続に使用するスルーホールにおいて、従来の方法によ
る配線を変更することなしに新たなスルーホールを設定
することにより配線における抵抗を軽減させ、あるいは
プロセス歩留まりを向上させる半導体集積回路の配線方
法、半導体集積回路、及び配線方法をコンピュータに実
行させるプログラムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路に搭載される回路素子の
数は、近年、指数関数的に増加しており、例えば１メガ
ビットのダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
（ＤＲＡＭ）においては、２２０万個の回路素子が搭載
されている。回路を構成する平面の面積は有限であり配
線のパターン等により回路の性能は左右されるため、こ
れら多量の回路素子の配置並びに回路素子間を接続する
配線をどのように構成するかはきわめて重要な課題であ
る。この配線工程をすべて人の手で行うことは、開発時
間及び精度の面から適切とはいえず、現在は計算機（Ｃ
ＡＤ）を用いて自動的に回路素子の配置及び配線のパタ
ーンを決定する手法が主流となっている。

【０００３】図１１は、従来の方法で配線が行われた、
多層構造からなる半導体集積回路の一部を示す模式図で
ある。ここで、図１１は第１層及び第２層からなる半導
体集積回路を回路面に対し鉛直上方から見た透過図であ
り、第１層上に配置された配線と第２層上に配置された
配線を同一平面上に表している。すなわち、ａ配線１、
ａ配線２、ｂ配線３、ｃ配線４は第１層上に配置された
配線であり、Ａ配線８、Ｄ配線９、Ｅ配線１０は第２層
上に配置された配線である。また、ａ配線１、２及びＡ
配線８は同一の電気信号を伝送し、その他の配線は、そ
れぞれ異なる電気信号を伝送する。

【０００４】第１層と第２層との間には絶縁層が挟まれ
ており異なる層に属する配線は互いに絶縁されている
が、ａ配線１とＡ配線８、ａ配線２とＡ配線８は同一信
号を扱うため電気的に接続されている必要がある。その
ためａ配線１とＡ配線８はスルーホール５によって、ａ
配線２とＡ配線８はスルーホール６によって接続されて
いる。スルーホールは回路面に対して垂直方向に第１層
と第２層との間に挟まれた絶縁層を貫いて設定されるた
め、第１層と第２層との間の導通を確保することができ
る。このようなスルーホールを設定するために従来の自
動配線では、接続する配線の組に対してスルーホールを
必ず１つ配置することを条件に、配線パターンが設定さ
れる。具体的には自動配線において、電気的に接続する
必要のある配線の組に対して一方の配線上に設定領域を
配置し、他方の配線上には設定領域の射影である対応領
域を配置する。そして絶縁層を貫く形でスルーホールが
設定され、設定領域と対応領域との間を接続する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
装置の微細化の要請により回路素子の小型化並びに配線
の幅の減少が進んでいる。図１１に示したようにスルー
ホールは配線の幅よりも狭い幅で設定されるため、スル
ーホール１つあたりの回路面における断面積は配線幅の
減少に対応して小さくなる。しかも従来の自動配線では
異なる層に配置された配線の組に対して導通させるため
に設定されるスルーホールは１つだけである。

【０００６】一方でスルーホールにおける電気抵抗はス
ルーホールの断面積に反比例するため半導体集積回路の
微細化を進めるに従ってスルーホールの抵抗値は増大
し、電流は流れにくくなる。

【０００７】また、スルーホールの断面積が小さくなる
とその分スルーホールの形成は困難となり、半導体集積
回路の製造工程においてスルーホール部分で断線が生ず
る確率が上昇する。１つのスルーホールが断線したこと
によって、半導体集積回路の他の部分に問題がなくとも
その半導体集積回路は動作不能となり製品としての出荷
が不可能となるため、半導体集積回路の歩留まりの低下
を招くという弊害が生ずる。

【０００８】さらには、一般論としてエレクトロマイグ
レーション耐性は電流密度の２乗に反比例して悪化する
ことが知られている。同じ大きさの電流を流した場合、
断面積の小さいスルーホールの電流密度は増大するため
エレクトロマイグレーション耐性が悪化するという弊害
が生ずる。

【０００９】これに対し、自動配線において異なる層に
配置される配線の組に対して設定されるスルーホールの
数を増やすことが対策として考えられる。例えば今まで
１つのスルーホールで接続していた配線間を２つのスル
ーホールで接続するようにすればその分回路面に対する
スルーホールの断面積は増大するため、抵抗値は減少
し、その他の弊害も防止することができる。このような
技術について特開平９−６２７２４号公報、特開平１０
−１２５７７５号公報、特開平８−３０６７８６号公報
において開示がされている。

【００１０】しかし、上述の通り回路を構成する平面の
面積は有限であるため、スルーホールを設定する領域を
新たに増やすことを条件として自動配線を行うことは得
策ではない。すなわちスルーホール設定領域を増やした
分だけ回路素子及び配線のために用いることのできる領
域は小さくなり、スルーホールを設定する領域を迂回し
て他の配線を配置する必要が生ずるなど配線の自由度が
減少し半導体集積回路の特性が悪化し、ひどい場合には
自動配線を行うことが不可能となるためである。

【００１１】この発明は上記に鑑みてなされたもので、
配線のパターンを決定した後に、その配線パターンを変
更することなく新たにスルーホールを配置する半導体集
積回路の配線方法、半導体集積回路及び配線方法をコン
ピュータに実行させるプログラムを得ることを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる半導体集積回路の配線方法は、多
層構造を有する半導体集積回路における第１の層上に配
置された第１の配線と、第２の層上に配置された第２の
配線を電気的に接続する半導体集積回路の配線方法にお
いて、前記第１の配線と前記第２の配線との間に所定の
数のスルーホールを設定することを条件として前記第１
の配線及び前記第２の配線を配置する配線工程と、決定
された前記第１の配線と前記第２の配線との間に新たな
他のスルーホールの設定が可能な、前記第１及び第２の
層のうちの一方の層における設定領域と、該設定領域の
他方の層における射影領域である対応領域を検索する領
域検索工程と、前記設定領域と前記対応領域との間に新
たな他のスルーホールを設定するスルーホール設定工程
とを含むことを特徴とする。

【００１３】この発明によれば、第１の配線と第２の配
線を決定した後、新たにスルーホールを設定できる領域
を検索するため、いったん決定された配線のパターンが
変更されることがない。従って配線工程で決定された他
の配線を犠牲にせずに新たにスルーホールを設定するこ
とができる。

【００１４】つぎの発明に係る半導体集積回路の配線方
法は、多層構造を有する半導体集積回路における第１の
層上に配置された第１の配線と、第２の層上に配置され
た第２の配線を電気的に接続する半導体集積回路の配線
方法において、前記第１の配線と前記第２の配線との間
に所定の数のスルーホールを設定することを条件として
前記第１の配線及び前記第２の配線を配置する第１の配
線工程と、決定された前記第１の配線と前記第２の配線
との間に新たな他のスルーホールの設定が可能な、前記
第１の層における設定領域と、該設定領域の前記第２の
層における射影領域である対応領域を検索する領域検索
工程と、前記検索した設定領域上または前記対応領域上
に前記他のスルーホールを設定するための追加配線を配
置する第２の配線工程と、前記設定領域と前記対応領域
との間に新たな他のスルーホールを設定するスルーホー
ル設定工程とを含むことを特徴とする。

【００１５】この発明によれば、第２の配線工程におい
て追加配線を配置するため、第１の配線工程において配
線が配置されていない領域についても設定領域及び対応
領域に用いることができ、第１の配線工程において利用
されていない領域を有効活用することができる。

【００１６】つぎの発明にかかる半導体集積回路の配線
方法は、上記の発明において、前記領域検索工程では、
前記設定領域においては前記第１の配線が配置された領
域の一部であることを検索の条件とし、前記対応領域に
おいては前記第２の配線と近接し、かつあらゆる配線及
び回路素子が存在しない領域であることを検索の条件と
し、前記第２の配線工程において、前記対応領域まで前
記第２の配線を延伸させることを特徴とする。

【００１７】この発明によれば、第１の配線の配置され
た領域上に新たな他のスルーホールは設定されるため、
新たな他のスルーホールを設定するために他の配線パタ
ーンを変更する必要がない。また検索が必要な領域も第
１の配線が配置された領域のみですむため、迅速に設定
領域を決定することができる。

【００１８】つぎの発明にかかる半導体集積回路の配線
方法は、上記の発明において、前記領域検索工程では、
前記設定領域においては前記第１の層上で前記第１の配
線に近接し、かつあらゆる配線及び回路素子が存在しな
い領域であることを検索の条件とし、前記対応領域にお
いては前記第２の層上で前記第２の配線に近接し、かつ
あらゆる配線及び回路素子が存在しない領域であること
を検索の条件とし、前記第２の配線工程において、前記
第１の層において前記第１の配線を前記設定領域まで延
伸させ、前記第２の層において前記第２の配線を前記対
応領域まで延伸させることを特徴とする。

【００１９】この発明によれば、他の配線や回路素子の
存在しない領域を使って新たにスルーホールを設定する
ため、通常の配線方法では使用することのない領域を有
効活用することができる。また、既に配置された他の配
線には影響を及ぼすことを防止できる。

【００２０】つぎの発明にかかる半導体集積回路の配線
方法は、上記の発明において、前記スルーホール設定工
程では、前記新たな他のスルーホールの形状を、前記第
１の配線工程で設定した所定の数のスルーホールと同一
の形状とすることを特徴とする。

【００２１】この発明によれば、最初に配線した際に設
定されたスルーホールの形状と新たに設定するスルーホ
ールの形状とが同一の形状からなるため、半導体集積回
路の製造プロセスで行われるスルーホールの形成におい
て、最初に設定したスルーホールと、新たに設定したス
ルーホールを同一手段によって形成することができる。

【００２２】つぎの発明にかかる半導体集積回路の配線
方法は、上記の発明において、前記第４の工程では、前
記新たな他のスルーホールの形状は、前記設定領域の形
状に対応する形状とすることを特徴とする。

【００２３】この発明によれば、スルーホールの設定が
可能な領域を余すことなくスルーホールの設定に用いる
ことが可能であり、他の配線等に影響を与えずに断面積
の大きなスルーホールを設定することができる。

【００２４】つぎの発明にかかる半導体集積回路は、第
１の層及び第２の層を含む多層構造を有し、各層の配線
間をスルーホールにより電気的に接続する半導体集積回
路において、前記第１の層上に配置された設定領域と、
前記第２の層上に配置され、前記設定領域の射影領域で
ある対応領域と、前記設定領域及び前記対応領域の形状
に対応した形状からなるスルーホールとを備えたことを
特徴とする。

【００２５】この発明によれば、可能な限り大きな断面
積を有するスルーホールを備えた半導体集積回路が提供
できるという利点を有する。

【００２６】つぎの発明にかかるプログラムは、上述し
た発明のいずれか一つに記載された方法をコンピュータ
に実行させるプログラムであり、これによって、上記の
発明のいずれか一つの動作をコンピュータによって実行
することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかる半導体集積回路の配線方法、半導体集積回
路及び配線方法をコンピュータに実行させるプログラム
の好適な実施の形態を詳細に説明する。

【００２８】実施の形態１．図１は、この発明の実施の
形態１である半導体集積回路の配線方法によって配線さ
れた回路の模式図であり、図２は半導体集積回路の配線
方法の概要を示すフローチャートである。また、図１に
おいて、従来例を示す図１１と同一あるいは類似の部分
については同一の符号を用いている。このことは他の図
面においても同様である。最初に実施の形態１にかかる
配線方法により形成された半導体集積回路について説明
を行う。

【００２９】図１は、多層構造からなる半導体集積回路
において、任意の２つの層における上面図を重ねたもの
である。従って一方の層（以下「第１の層」という）に
配置された配線と、他方の層（以下「第２の層」とい
う）に配置された配線が重なり合って示されている。こ
こで、ａ配線１、ａ配線２、ｂ配線３、ｃ配線４は第１
の層上に配置された配線であり、いずれも縦方向に延伸
した配置となっている。また、ａ配線１とａ配線２は同
一の電気信号を伝送し、ｂ配線３とｃ配線４は他の配線
とは異なる電気信号を伝送する。また、Ａ配線８、Ｄ配
線９、Ｅ配線１０は第２の層上に配置された配線であ
り、基本的に横方向に延伸した配置となっているが、Ａ
配線８は縦方向に一定の長さだけ延伸したパターンを有
し、この縦方向に延伸したパターン部分においてＡ配線
８はａ配線１と重なりあっている。さらに、第２の層上
に配置された配線もそれぞれ電気信号を伝送し、Ａ配線
８は第１の層上に配置されたａ配線１及びａ配線２と同
一の電気信号を伝送する。なおＤ配線９、Ｅ配線１０は
他の配線とは異なる電気信号を伝送する。

【００３０】また、ａ配線２とＡ配線８が重なり合った
領域にはスルーホール６が設定され、ａ配線２とＡ配線
８とは電気的に接続されている。一方で異なる電気信号
を伝送する配線の対、例えばａ配線１とＤ配線９との間
では重なり合った領域が存在するものの、スルーホール
で電気的に接続される必要はなく、絶縁された状態とな
っている。

【００３１】一方ａ配線１とＡ配線８との間では、２カ
所にスルーホール５及びスルーホール７が設定されてお
り、１カ所にスルーホール５のみが設定された従来の回
路と異なっている。このように異なる層に配置された配
線の組の間を接続するスルーホールの数を、従来の１カ
所から２カ所に増やすことにより次の効果が生ずる。

【００３２】第１に、スルーホールの数を増やした分だ
けスルーホール全体として回路面に対する断面積が増大
し、抵抗値を低く抑えることが可能となる。

【００３３】第２に、同様に断面積が増大することから
エレクトロマイグレーション耐性も良好となる。

【００３４】さらに第３として、実際の製造工程におい
て歩留まりの向上を果たすことができる。もし実際の製
造工程においてスルーホール５とスルーホール７のいず
れか一方が設計通りに形成されず、スルーホールとして
の機能を果たせない場合であっても他方のスルーホール
が存在することで、最低限ａ配線１とＡ配線８の間の電
気的接続は維持され、半導体集積回路として機能を果た
すことができるためである。

【００３５】次に、実施の形態１である半導体集積回路
の配線方法について、図１を適宜参照しながら図２に示
すフローチャートを用いて説明する。半導体集積回路の
配線は、次の手順で行われる。なお、理解を容易にする
ため配線方法の説明は図１におけるａ配線１とＡ配線８
との間にスルーホールを設定する場合について行う。

【００３６】まず、従来の手法を用いて半導体集積回路
の各層上に自動配線を行う（ステップＳ２０１）。ＣＡ
Ｄを使用することによりコンピュータ上で自動的にすべ
ての回路素子の配置並びにすべての配線のパターンが決
定される。配線の条件は対象となる半導体集積回路によ
って異なるが、最低限スルーホールに関しては、異なる
層に配置され、接続される必要がある一対の配線の組に
対して必ず１つのスルーホールが設定されることを自動
配線の条件とする。図１においては、ａ配線１とＡ配線
８を接続するためスルーホール５が設定され、ａ配線２
とＡ配線８を接続するためスルーホール６が設定されて
いる。なお、接続する配線の組に対して１つのスルーホ
ールを設定するのが自動配線の条件のため、ステップＳ
２０１においてａ配線１とＡ配線８との間にスルーホー
ル７はこの段階では設定されない。また、自動配線によ
って決定された回路素子の配置並びに配線のパターンは
後のステップにおいても変更されることはない。

【００３７】次に、電気的に接続される１対の配線の組
をピックアップし、それらの配線が占める領域を抽出す
る（ステップＳ２０２）。図１の例においては第１の層
上に配置されたａ配線１と第２の層上に配置されたＡ配
線８が選択され、それぞれの配線が占めている領域が抽
出される。

【００３８】次に、抽出された双方の配線のパターンを
比較し、一致する領域が存在するか否かを判断する（ス
テップＳ２０３）。具体的には第１の層と第２の層を重
ね合わせ、ステップＳ２０２で抽出された双方の配線の
パターン間に一致する領域が存在するか判断し、存在す
る場合は一致領域を抽出する。図１の例においてはａ配
線１を抽出した第１の層と、Ａ配線８を抽出した第２の
層を重ね合わせ、ａ配線１のパターンとＡ配線８のパタ
ーンが一致する領域を探す。ａ配線１とＡ配線８は、Ａ
配線８が縦方向に延伸した領域において互いに重なり合
っており、一致する領域が存在すると判断される。な
お、一致する領域のうち既にスルーホール５が設置され
ている部分についてはステップＳ２０３において一致領
域から除外して考える。このような部分には新たにスル
ーホールを設定する必要がないためである。なお、一致
する領域が存在しない場合は、新たにスルーホールを設
定することが不可能であり、配線工程は終了する。

【００３９】次に、ステップＳ２０３において探し出さ
れた一致領域がスルーホールを設定するのに十分な広さ
を有するかを判断する（ステップＳ２０４）。たとえ一
致領域が存在しても、十分な面積を有さない場合、新た
にスルーホールを設定することが不可能なためである。
従って一致領域が十分な広さを有さない場合、抽出した
配線の組に関して配線工程は終了する。一致領域が十分
な広さを有する場合、一致領域の第１の層への射影を設
定領域、第２の層への射影を対応領域と決定し、次のス
テップＳ２０５へ移行する。図１の例においてはステッ
プＳ２０３で探し出された一致領域は十分な広さを有す
るため、一致領域のうちａ配線１の一部の領域を設定領
域、Ａ配線８の一部の領域を対応領域とする。

【００４０】最後に、一致領域上、実際には第１の層に
おける設定領域と第２の層における対応領域との間にス
ルーホールを設定する（ステップＳ２０５）。図１の例
においてはａ配線１上の設定領域とＡ配線８上の対応領
域との間に、自動配線で設定されたスルーホール５の他
に新たにスルーホール７が設定される。

【００４１】このステップＳ２０２〜Ｓ２０５の工程は
半導体集積回路上における異なる層に配置された配線の
あらゆる組に対して行われる。例えば図１の例ではａ配
線１とＡ配線８との間のスルーホールの設定が終わった
後、第１の層上に配置されたａ配線２と第２の層上に配
置されたＡ配線８との間においても同様の工程が行わ
れ、他の図示を省略した配線の組に対しても順次行われ
る。なお、ａ配線２とＡ配線８との間においては一致す
る領域が存在しないため、結局自動配線で設定されたス
ルーホール６以外のスルーホールは設定されない。

【００４２】以上説明したように実施の形態１である半
導体集積回路の配線方法によれば、自動配線によって配
置された配線を変更せずに、配線の占める領域の中から
スルーホール設定可能な領域を検索する手法を用いるた
め、スルーホールを新たに設定するために配線のパター
ンを変更する必要がないという利点を有する。従って、
自動配線を行った後に、配線のパターンを変更してスル
ーホールを新たに設定する方法と比較すると配線にかか
る時間が短くすむという利点を有する。

【００４３】また、他の配線については何ら変更がなさ
れていないため、新たに他のスルーホールを設定するこ
とで他の配線が断線するとか、複数の回路素子の間で同
期がとれなくなるといった半導体集積回路の特性が悪化
することがないという利点を有する。

【００４４】さらに、新たに設定されるスルーホールは
ステップＳ２０１において設定されるスルーホールと同
じ形状としているため、実際の半導体集積回路の製造工
程において既存の装置を用いて容易に形成可能という利
点を有する。

【００４５】なお、実施の形態１において、ステップＳ
２０１において必ずしも自動配線によって最初の配線を
行う必要はなく、手動で配線を行っても良い。この場合
作業時間は長くかかるが、できあがった配線からなる半
導体集積回路は高性能のものとなる。また、半導体集積
回路のうち重要な部分の配線について手動で行い、残り
の部分を自動配線によって行ってもよい。

【００４６】また、ステップＳ２０２以降の工程を手動
で行ってもよいが、コンピュータを用いて自動的に行う
ことも望ましい。この場合、実施の形態１の配線方法を
組み込んだ自動配線プログラムをコンピュータ上で用い
ても良いし、自動配線のプログラムから独立した別個の
プログラムとしても良い。

【００４７】また、新たに設定するスルーホールは、配
線の組に対して１つに限定されるのではない。例えば図
１において、可能であるならばスルーホール５とスルー
ホール７の間にさらにもう１つスルーホールを設定して
も良い。設定されるスルーホールの数が多いほど、低抵
抗でエレクトロマイグレーション耐性が高く、歩留まり
が改善された半導体集積回路を実現することができる。

【００４８】さらに、実施の形態１である半導体集積回
路の配線方法において、第１の層と第２の層は絶縁層を
挟んで隣り合う層の間におけるスルーホールの設定に限
定されず、例えば第１の層と第２の層との間に回路面を
構成する他の層を挟んでいても良い。ただしその場合
は、ステップＳ２０３において一致する領域を発見した
後、間に挟まれた回路面上であってこの領域に対応する
領域上に他の配線及び回路素子が存在しないことを確認
するステップが新たに必要となる。

【００４９】また、半導体集積回路上の配線の数は膨大
であるため、配線の組をピックアップする際にあらゆる
配線の組について行うのではなく、自動配線によってあ
らかじめスルーホールが設定された配線の組をデータと
して記憶しておき、その組についてのみ、実施の形態１
に係る配線方法を用いることも有効である。これにより
例えばｃ配線４とＤ配線９のように異なる電気信号を伝
送し、スルーホールで接続する必要のない配線の組につ
いてステップＳ２０２〜Ｓ２０５の対象から除外するこ
とができるためスルーホールの設定に係る時間を短縮化
することができる。

【００５０】実施の形態２．次に、実施の形態２である
半導体集積回路の配線方法について説明する。図３は、
この発明の実施の形態２によって配線された回路の模式
図であり、図４は半導体集積回路の配線方法の概要を示
すフローチャートである。最初に実施の形態２にかかる
配線方法により形成された半導体集積回路について説明
を行う。

【００５１】図３は、図１と同様に第１の層と第２の層
にそれぞれ配置された配線を重ねて表したものである。
図３においては、新たに追加配線１１、スルーホール１
２、追加配線１３、スルーホール１４が設けられてい
る。

【００５２】追加配線１１は第１の層上に配置されたも
のであり、ａ配線１の下端から右方向に延伸した金属配
線からなる。また、追加配線１１は第２の層上に配置さ
れたＡ配線８と図３において重なり合っている。一方、
追加配線１３は第２の層上に配置されたものでありＡ配
線８の右端部から縦方向に延伸した金属配線からなる。
なお追加配線１３は第１の層上に配置されたａ配線２と
重なるように配置されている。追加配線１１、１３を新
たに配置することによってスルーホールをさらに設定す
ることが可能である。すなわち、追加配線１１を新たに
配置したことによりａ配線１とＡ配線８はスルーホール
５の右側の領域においても重なるため、重なる領域上に
スルーホール１２を設定できる。同様に、追加配線１３
を配置することでａ配線２とＡ配線８の間にスルーホー
ル１４を設定することができる。

【００５３】従ってａ配線１とＡ配線８はスルーホール
５、７、１２によって３カ所で電気的に接続され、ａ配
線２とＡ配線８はスルーホール６、１４により２カ所で
接続されている。そのため異なる層に配置された１組の
配線の接続においてスルーホール１つのみを設定する従
来の場合に比べスルーホール全体の断面積がさらに大き
くなり、ａ配線１及び２と、Ａ配線８との間の接続にお
ける抵抗値の低下、エレクトロマイグレーション耐性の
一層の向上が実現できる。さらに、スルーホールのいず
れかが半導体集積回路の製造工程等において断線して
も、他のスルーホールにより電気的接続を維持できるこ
とから半導体集積回路の歩留まりが向上する。

【００５４】次に、実施の形態２である半導体集積回路
の配線方法について、図３におけるａ配線２とＡ配線８
との間の関係を適宜参照しながら図４に示すフローチャ
ートを用いて説明する。

【００５５】まず、従来の方法を用いて自動配線を行う
（ステップＳ４０１）。この工程は実施の形態１の場合
と同様に行われ、異なる層上に配置され、電気的に接続
する必要のある配線の対の間に１つのスルーホールが設
定されることを条件として配線が行われる。

【００５６】次に、自動配線によってパターンが決定さ
れた配線のうち、電気的に接続する必要がある配線の１
組を選択し、第１の層上に配置された第１の配線のパタ
ーンと第２の層上に配置された第２の配線の周辺空白領
域とを抽出する（ステップＳ４０２）。ここで周辺空白
領域とは、スルーホール設定の対象となる配線に近接し
た領域であって、配線が配置されている層上に他の配線
及び回路素子が配置されておらず、他の配線等から一定
の距離だけ離れた領域をいう。他の配線等から一定の距
離だけ離れた領域としたのは、たとえ他の配線等が配置
されていない領域であっても他の配線等と非常に接近し
ている場合は、各配線間の絶縁性の確保及び寄生容量の
発生防止の観点から新たに追加配線を設けることができ
ないためである。

【００５７】次に、一致する領域が存在するか否かを判
断する（ステップＳ４０３）。具体的には第１の配線の
パターンを抽出した第１の層と第２の配線の周辺空白領
域を抽出した第２の層を重ね合わせ、第１の配線と第２
の配線が一致する領域の抽出を行う。図３の例ではａ配
線２と、Ａ配線８の周辺空白領域は、Ａ配線８の右端部
の上部領域において重なり合うため、本ステップでは一
致する領域が存在するものとして抽出が行われる。一方
で一致する領域が存在しないと判断された場合は、ステ
ップＳ４０７へと移行する。

【００５８】次に、一致領域が十分な広さを有するか、
判断を行う（ステップＳ４０４）。具体的にはステップ
Ｓ４０３で抽出された一致領域が、スルーホールを設定
するのに十分な広さを有するかの判断を行う。抽出され
た一致領域が十分な広さを有する場合、一致領域の第１
の層への射影を設定領域とし、第２の層への射影を対応
領域と決定して次のステップＳ４０５に移行する。一方
でこのステップで十分な広さを有さないと判断された場
合はステップＳ４０７へと移行する。図３の例ではａ配
線２とＡ配線８の周辺空白領域との一致領域は十分な広
さを有するため、ステップＳ４０５に移行する。

【００５９】次に、一致領域まで配線を延伸させる（ス
テップＳ４０５）。第１の層においては設定領域まで一
方の配線があらかじめ配置されているが、第２の層にお
ける対応領域は他方の配線に近接した領域であり、この
ままの状態で設定領域と対応領域との間にスルーホール
を設定しても他方の配線とは電気的に接続されないため
である。従って本ステップにおいては第２の層上におい
て、第２の配線から一致領域にまで追加配線を配置す
る。図３の例でいうと、第２の層上においてＡ配線８の
右端部から上方に追加配線１３が配置される。

【００６０】次に、一致領域に対してスルーホールを設
定する（ステップＳ４０６）。ステップＳ４０５におい
て一致領域に対して配線を延伸したため、一致領域にス
ルーホールを設定することで第１の層上の一方の配線と
第２の層上の他方の配線が電気的に接続される。図３の
例でいうと、追加配線１３の上端部にスルーホール１４
が設定される。

【００６１】次に、第１の層上に配置された第１の配線
の周辺空白領域と、第２の層上に配置された第２の配線
のパターンを抽出する（ステップＳ４０７）。

【００６２】次に、第１の層と第２の層を重ね合わせ、
ステップＳ４０７で抽出した領域のうち、一致する領域
が存在するか否かを判断する（ステップＳ４０８）。一
致領域が存在する場合はその領域を抽出して次のステッ
プＳ４０９に進み、存在しない場合はその配線の組につ
いて配線工程を終了する。図３の例ではＡ配線８とａ配
線２の周辺空白領域との間には一致領域が存在しないた
め、ここで配線が終了する。

【００６３】次に、一致領域が存在する場合一致領域が
十分な広さを有するか否かの判断を行う（ステップＳ４
０９）。スルーホールの設定が可能な程度の広さを一致
領域が有する必要があるためである。ここで、一致領域
が十分な広さを有さない場合はその配線の組についての
配線工程を終了する。

【００６４】次に、第１の層上の第１の配線の周辺空白
領域のうち、設定領域まで第１の配線から配線を延伸す
る（ステップＳ４１０）。ステップＳ４０５の場合と同
様スルーホールを設定した際の両配線間の導通を確保す
るためである。

【００６５】最後に、一致領域にスルーホールを設定し
て（ステップＳ４１１）、配線は終了する。実施の形態
１の場合と同様に、ステップＳ４０２〜Ｓ４１１は異な
る層に配置されたあらゆる配線の組に対して行われる。
例えば図３の例ではａ配線１とＡ配線８との間で同様の
工程が行われ、スルーホール１２が新たに設定される。
なおあらゆる配線の組のうち、自動配線において１つス
ルーホールを設定された配線の組についてのみステップ
Ｓ４０２〜Ｓ４１１を行うことも有効である。

【００６６】（変形例）実施の形態２である半導体集積
回路の配線方法を用いて、２つの異なる層に配置された
配線の間にスルーホールを設定するだけでなく、３つの
異なる層に配置された配線の間にスルーホールを設定す
ることも可能である。図５は従来の方法で配線された半
導体集積回路を模式的に表し、第１の層、第２の層に加
えて第３の層上に配置されたα配線２１も重ねて示して
いる。ここでα配線２１は、第１の層上のａ配線１、第
２の層上のＡ配線８と同一の電気信号を伝送する。従っ
てα配線２１はＡ配線８と電気的に接続されている必要
があり、スルーホール２２が自動配線によって設定され
ている。図６は図５の半導体集積回路において、実施の
形態２である配線方法を用いてα配線２１を上端部から
左方向にＡ配線８に沿って延伸し、第３の層上のα配線
２１と第２の層上のＡ配線８との間に新たに２つのスル
ーホール２４、２５が設定されている。ここで、スルー
ホール２４、２５が設定された領域は第１の層と第２の
層との間にも既にスルーホール５、７が設定されてい
る。従って、実際の製造工程において第１の層から第３
の層まで貫いた構造のスルーホールを設定することで、
異なる３つの層に属する配線の間にスルーホールを設定
することが可能である。

【００６７】実施の形態３．次に、実施の形態３である
半導体集積回路の配線方法について図７及び図８を用い
て説明する。図７は、この発明の実施の形態３である半
導体集積回路の配線方法によって配線された回路の模式
図であり、図８は半導体集積回路の配線方法の概要を示
すフローチャートである。まず、実施の形態３である配
線方法によって得られた半導体集積回路について図７を
用いて説明する。

【００６８】図７の回路においてａ配線１、ｂ配線３、
Ａ配線８、Ｄ配線９により囲まれた領域内に、Ａ配線８
から延伸して第２の層上に追加配線２６が配置され、追
加配線２６上にスルーホール２７が設定されている。ま
た、追加配線２６の第１の層への射影領域（対応領域）
にはａ配線１からやはり追加配線３０が延伸されてお
り、スルーホールは第１の層上の追加配線と第２の層上
の追加配線２６との間を電気的に接続している。この結
果ａ配線１とＡ配線８との間は４つのスルーホール５、
７、１２、２７によって電気的に接続され、互いの配線
の間の抵抗がより一層低くなり、エレクトロマイグレー
ション耐性が向上し、製造の際の歩留まりが向上する構
造となる。

【００６９】次に、配線方法を説明する。まず、自動配
線により半導体集積回路を構成する各層の回路素子の配
置及び配線のパターンを決定する（ステップＳ８０
１）。この際、異なる層に属し、互いに電気的に接続す
る必要がある配線の組の間にスルーホールが１つ設定す
ることを条件とするのは実施の形態１及び２と同様であ
る。また、一度決定した回路素子及び配線パターンは後
の工程において変更されることがないのも同様である。

【００７０】次に、異なる層上に配置され、電気的に接
続されている必要のある配線の組をピックアップし、両
配線の周辺空白領域を抽出する（ステップＳ８０２）。
ここで周辺空白領域とは実施の形態２と同様、対象とな
る配線に近接した領域であって、配線の属する層上に他
の配線及び回路素子が配置されておらず他の配線等から
一定の距離だけ離れた領域をいう。

【００７１】次に、抽出した両配線の周辺空白領域の間
に、一致する領域が存在するか否かの判断を行う（ステ
ップＳ８０３）。一致する領域とは、両配線のそれぞれ
配置された層を重ね合わせた際に、上方から見て一致す
る領域のことをいう。一致する領域が存在する場合は、
一致領域が抽出され、次のステップＳ８０４へ移行す
る。

【００７２】次に、ステップＳ８０３で抽出された一致
領域が十分な広さを有するかの判断を行う（ステップＳ
８０４）。一致領域が十分な広さを有さない場合はもは
やスルーホールの設定ができず、配線は終了する。十分
な広さを有する場合は一致領域の第１の層への射影を設
定領域、第２の層への射影を対応領域と決定し、次のス
テップＳ８０５に移行する。

【００７３】次に、一致領域まで配線を延伸させる（ス
テップＳ８０５）。具体的には一致領域の第１の層への
射影である設定領域に対して第１の配線を延伸させ、第
２の層への射影である対応領域に対して第２の配線を延
伸させる。図７においてはステップＳ８０５で第２の層
上の設定領域においてＡ配線８に接続して追加配線２６
を配置し、第１の層上の対応領域において追加配線３０
をａ配線１に接続させて配置している。

【００７４】次に、一致領域にスルーホールを設定する
（ステップＳ８０６）。具体的には一致領域の第１の層
への射影である設定領域と、第２の層への射影である対
応領域との間をスルーホールによって接続する。ステッ
プＳ８０６により、図７の例でもスルーホール２７が設
定される。以上のステップＳ８０２〜Ｓ８０６を異なる
層に配置されたあらゆる配線の組に行うことにより、実
施の形態３である配線方法は終了する。

【００７５】実施の形態３である半導体集積回路の配線
方法によれば、従来の方法で行った配線のパターンを変
更することなく新たに追加配線及びスルーホールの設定
を行うため層間の接続を除く半導体集積回路の特性に影
響を与えることがないという利点を有する。

【００７６】また、自動配線を行った結果、回路素子及
び配線が配置されず何ら役割を有さない空白領域上に新
たに追加配線を配置することから、空白領域を有効に活
用して層間接続の改善を実現することが可能である。

【００７７】さらに、対象となる配線から延伸した追加
配線は他の配線及び回路素子から一定の距離だけ離れて
配置されているため、他の配線との絶縁性も維持でき、
寄生容量の発生も抑えられる。

【００７８】実施の形態４．図９は、この発明の実施の
形態４である半導体集積回路の配線方法によって配線さ
れた回路の模式図であり、図１０は半導体集積回路の配
線方法の概要を示すフローチャートである。最初に図９
を用いて実施の形態４によって配線された半導体集積回
路について説明する。

【００７９】図９は多層構造を有する半導体集積回路の
第１の層の上面図と第２の層の上面図を重ねて表示した
ものであり、それぞれの層上に配置された配線が重ね合
わさる形で示されている。ここで、ａ配線１、２、ｂ配
線３、ｃ配線４は第１の層上に配置された配線であり、
Ａ配線８、Ｄ配線９、Ｅ配線１０は第２の層上に配置さ
れた配線である。第１の層上のａ配線１、２と第２の層
上のＡ配線８は同一信号を伝送するため互いの間が電気
的に接続される必要があり、それぞれスルーホール２
８、２９によって互いの配線が接続されている。

【００８０】ここでスルーホール２８及び２９の断面
は、接続の対象となる配線のパターンが一致している領
域に対応する形状からなる。なお図９ではスルーホール
２８とスルーホール２９は同一の形状となっているが、
これは各配線間におけるそれぞれの一致領域が互いに同
一形状であることによるものであり、すべてのスルーホ
ールが図９に示す形状に限定される趣旨ではない。スル
ーホールの形状は現実の製造が可能である限り、一致領
域の形状に対応するように設定することが可能である。
半導体集積回路におけるスルーホールの形状を上記のよ
うに設定することにより、以下の利点を有する。

【００８１】まず、一致領域が広い面積を有する場合に
はそれに応じて断面積の大きなスルーホールを設定する
ことが可能である。スルーホールの断面の形状が一律に
決まっている場合、一致領域のうちスルーホールを設定
した部分以外の領域は配線間を接続するためには何ら用
いられず無駄となる。これは層間接続における電気抵抗
の低減、エレクトロマイグレーション耐性の向上等の観
点からは好ましくない。一方、スルーホールの形状を一
致領域に対応させることでスルーホールは広い断面積を
有することが可能で、その結果電気抵抗が小さくなり、
またスルーホールを流れる電流の密度が低くなることか
らエレクトロマイグレーション耐性も向上するという利
点がある。

【００８２】また、一致領域がせまい面積しか有さない
場合であってもスルーホールの設定が可能となる利点を
有する。スルーホールの断面の形状が一律に決まってい
る場合、その形状よりも小さい面積からなる一致領域上
にはスルーホールを設定することはできない。一方実施
の形態３によれば従来スルーホールの設定が不可能だっ
た領域上にも形状を変化させることでスルーホールの設
定が可能となり、配線間の接続において電気抵抗の減少
等の利点が生ずる。

【００８３】次に、実施の形態４である半導体集積回路
の配線の方法について、説明する。まず、自動配線を行
う（ステップＳ９０１）。自動配線は従来の方法を用い
て行い、異なる層に配置され、電気的に接続する必要の
ある配線の間に１つのスルーホールを設定することを条
件として各回路素子の配置及び配線のパターンを決定す
る。ここで、自動配線する際のスルーホールは従来の配
線方法の場合と同様に、同一形状のものとする。図９の
例においては、図示を省略したがａ配線１とＡ配線８と
の間にはａ配線１の下端においてスルーホールが設定さ
れている。なお、ステップＳ９０１で決定された配線の
パターン等は、後の工程において変更されることはな
い。

【００８４】次に、異なる層上に配置され、電気的に接
続する必要のある１対の配線の組をピックアップし、そ
れらの配線が占める領域を抽出する（ステップＳ９０
２）。図９の例においては第１の層上に配置されたａ配
線１と第２の層上に配置されたＡ配線８が選択され、そ
れぞれの配線が占めている領域が抽出される。

【００８５】次に、一致する領域が存在するか否かの判
断を行う（ステップＳ９０３）。基本的に実施の形態１
における配線方法のステップＳ２０３と同様に行うこと
が可能であるが、ステップＳ９０３では自動配線によっ
て既にスルーホールが設定されている領域についても一
致する領域として抽出する。自動配線により設定された
スルーホールはすべて同一形状からなるため、一致領域
がスルーホールの断面よりも広い面積を有する場合、一
致領域に対応してスルーホールの形状を設定し直す必要
があるためである。従って実施の形態４においてはａ配
線１の下端部についても、一致領域であるとして後のス
テップを行う。

【００８６】次に、一致領域が十分な広さを有するか、
判断する（ステップＳ９０４）。ここでの十分な広さは
実施の形態１〜３の場合と異なり、物理的にスルーホー
ルの設定が可能な広さをいう。従って一致領域が自動配
線で設定されたスルーホールの断面積より小さくともス
テップＳ９０４において一致領域が十分な広さを有する
と判断される場合がある。図９の例でａ配線１とＡ配線
８とが一致する領域は十分な広さを有するため、次のス
テップＳ９０５に移行する。

【００８７】次に、一致領域内に既にスルーホールを有
するか判断を行う（ステップＳ９０５）。自動配線の際
にスルーホールが設定されている領域では、いったんス
ルーホールを除去して改めて一致領域の形状に対応する
ようにスルーホールの設定をやり直す必要があるためで
ある。図９の例では一致領域に既にスルーホールが設定
されているため、次のステップＳ９０６へ移行する。な
お、スルーホールが存在しない場合はステップＳ９０７
へ移行する。

【００８８】次に、スルーホールを除去する（ステップ
Ｓ９０６）。自動配線によって設定されたスルーホール
を除去することで、改めて一致領域の形状に対応するス
ルーホールの設定を行うことができるためである。図９
の例においては自動配線時にａ配線１の下端部において
スルーホールが設定されているためこれを除去する。

【００８９】次に、一致領域の形状に対応する形状のス
ルーホールを設定する（ステップＳ９０７）。図９の例
では一致領域が縦方向に長辺を有する長方形からなるた
め、それに対応する形状を有するスルーホール２８が設
定される。その後異なる層に属し、電気的に接続する必
要があるあらゆる配線の組についてステップＳ９０２〜
Ｓ９０７を行い、終了する。

【００９０】なお、実施の形態４では接続する配線の組
において、配線パターンの一致する領域上についてのみ
スルーホールの設定を行ったが、実施の形態２、３と同
様に、自動配線により決定された配線等に影響を与えな
い範囲で新たに追加配線を配置してスルーホールを設定
しても良い。例えば図９において、自動配線時にはａ配
線２とＡ配線８はａ配線２の下端部（Ａ配線８の右端
部）においてのみ一致ししていたが、追加配線１３を新
たに配置することにより一致領域が縦方向に延伸する。
従って改めて追加配線１３の領域を含めた一致領域の形
状に対応するようにスルーホール２９が設定される。同
様にａ配線１、ｂ配線３、Ｄ配線９、Ａ配線８に囲まれ
た領域にａ配線１及びＡ配線８のそれぞれから追加配線
を延伸し、追加配線を含んだ一致領域の形状に対応して
スルーホールの形状を設定しても良い。

【００９１】その他の実施の形態．上記した実施の形態
１〜４以外にも、本発明により様々な実施の形態を考え
ることが可能である。例えば、実施の形態１〜３を組み
合わせて半導体集積回路の配線を行っても良い。実施の
形態１である配線方法のステップＳ２０１〜Ｓ２０５を
行った後、同一の配線の組に対して実施の形態２である
配線方法のステップＳ４０２〜Ｓ４１１まで行う。さら
に、実施の形態３である配線方法のステップＳ８０２〜
Ｓ８０６まで行って半導体集積回路の配線を行うことが
可能である。他に任意の２つの実施の形態を組み合わせ
ても良い。これらの場合、自動配線により決定された配
線のパターン等を変化させることなくさらに多くのスル
ーホールの設定が可能となる。

【００９２】さらに、実施の形態１〜４において、最初
に自動配線を行う際に、異なる層に配置され、接続され
る必要がある一対の配線の組に対して１つのスルーホー
ルのみならず、２つ以上の所定数のスルーホールを設定
することを条件として、自動配線を行うことも可能であ
る。設定するスルーホールの数を１つとした場合と比較
して、配線の効率及び自由度は悪化するものの、１対の
配線の組に対する導通の確実性が増すという利点を有す
る。例えば、２個以上のスルーホールを持ったスルーホ
ールセル１個が必ず設定されるように自動配線を行えば
良い。また、自動配線において特定の配線の組に対して
他の配線の組とは異なる数のスルーホールを設定しても
良い。なお、これらのことは自動配線に変えて手動で配
線を行った場合においても同様である。

【００９３】また、実施の形態１〜４の配線方法は、あ
らかじめ用意されたプログラムをパーソナル・コンピュ
ータやワークステーションなどのコンピュータで実行す
ることによって実現することができる。このプログラム
は、フロッピー（登録商標）ディスクやＣＤ−ＲＯＭ等
のコンピュータで読みとり可能な記録媒体に記録し、コ
ンピュータで読み出されることで実行される。また、こ
のプログラムはインターネットなどのネットワークを介
して配布することができる。

【００９４】また、プログラムをコンピュータ上で実行
する場合において、プログラムが従来の方法による自動
配線方法と本発明における配線方法の双方を含んだもの
としても良いし、自動配線方法のプログラムとは別に本
発明における配線方法についてのみのプログラムとして
もよい。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、あらかじめ決定した配線のパターン等を変更するこ
となく新たに他のスルーホールの設定が可能な領域を検
索するため、半導体集積回路の特性を悪化させることな
くスルーホールの設定を行えるという効果を奏する。

【００９６】つぎの発明によれば、第２の配線工程にお
いて追加配線を配置するため、第１の配線工程において
配線が配置されていない領域についても設定領域及び対
応領域に用いることができ、第１の配線工程において利
用されていない領域を有効活用することができる

【００９７】つぎの発明によれば、第１の配線上に設定
領域を設け、第２の配線に近接し、かつ他の回路素子等
が存在しない領域に対応領域を設けることで既存の配線
に影響を与えることがなく、かつ回路素子等が存在しな
い領域を有効に活用することができるという効果を奏す
る。

【００９８】つぎの発明によれば、第１の配線に近接
し、他の回路素子等が存在しない領域に設定領域を設
け、第２の配線に近接し、他の回路素子等が存在しない
領域に対応領域を設けることにより既存の配線に影響を
与えることがなく、かつ回路素子等が存在しない領域を
有効に活用することができるという効果を奏する。

【００９９】つぎの発明によれば、新たな他のスルーホ
ールの形状をすべて同一形状とすることでスルーホール
の設定を画一的に行うことができ、製造コストを低減で
きるという効果を奏する。

【０１００】つぎの発明によれば、新たな他のスルーホ
ールの形状を設定領域の形状に対応して形成すること
で、設定領域に対して可能な限り断面積の大きなスルー
ホールを形成できるという効果を奏する。

【０１０１】つぎの発明によれば、第１の配線と第２の
配線とを接続するためのスルーホールの形状を、スルー
ホールを設定することが可能な領域に対応させること
で、層間接続における電気抵抗が低く、エレクトロマイ
グレーション耐性が高く、歩留まりの大きい半導体集積
回路を提供できるという効果を奏する。

【０１０２】つぎの発明によれば、上記発明のいずれか
１つに記載された配線方法をコンピュータに実行させる
プログラムとしたことで、上記発明のいずれか１つの方
法をコンピュータによって実行することが可能となると
いう効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１である配線方法によ
って配線された半導体集積回路の配線パターンを示す図
である。

【図２】 この発明の実施の形態１である半導体集積回
路の配線方法の手順を示すフローチャートである。

【図３】 この発明の実施の形態２である配線方法によ
って配線された半導体集積回路の配線パターンを示す図
である。

【図４】 この発明の実施の形態２である半導体集積回
路の配線方法の手順を示すフローチャートである。

【図５】 この発明の実施の形態２である配線方法によ
って配線された半導体集積回路の他の配線パターンを示
す図である。

【図６】 この発明の実施の形態２である配線方法によ
って配線された半導体集積回路の他の配線パターンを示
す図である。

【図７】 この発明の実施の形態３である配線方法によ
って配線された半導体集積回路の配線パターンを示す図
である。

【図８】 この発明の実施の形態３である半導体集積回
路の配線方法の手順を示すフローチャートである。

【図９】 この発明の実施の形態４である半導体集積回
路の配線パターンを示す図である。

【図１０】 この発明の実施の形態４である半導体集積
回路の配線方法の手順を示すフローチャートである。

【図１１】 従来例にかかる半導体集積回路の配線を示
す図である。

【符号の説明】

１,２ ａ配線、３ ｂ配線、 ４ ｃ配線、５,６,７,
１２,１４,２２,２３,２４,２５,２７,２８,２９ スル
ーホール、８ Ａ配線、９ Ｄ配線、１０ Ｅ配線、１
１,１３,２６,３０ 追加配線、２１ α配線。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多層構造を有する半導体集積回路におけ
   る第１の層上に配置された第１の配線と、第２の層上に
   配置された第２の配線を電気的に接続する半導体集積回
   路の配線方法において、 前記第１の配線と前記第２の配線との間に所定の数のス
   ルーホールを設定することを条件として前記第１の配線
   及び前記第２の配線を配置する配線工程と、 決定された前記第１の配線と前記第２の配線との間に新
   たな他のスルーホールの設定が可能な、前記第１及び第
   ２の層のうちの一方の層における設定領域と、該設定領
   域の他方の層における射影領域である対応領域を検索す
   る領域検索工程と、 前記設定領域と前記対応領域との間に新たな他のスルー
   ホールを設定するスルーホール設定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
2. 【請求項２】 多層構造を有する半導体集積回路におけ
   る第１の層上に配置された第１の配線と、第２の層上に
   配置された第２の配線を電気的に接続する半導体集積回
   路の配線方法において、 前記第１の配線と前記第２の配線との間に所定の数のス
   ルーホールを設定することを条件として前記第１の配線
   及び前記第２の配線を配置する第１の配線工程と、 決定された前記第１の配線と前記第２の配線との間に新
   たな他のスルーホールの設定が可能な、前記第１の層に
   おける設定領域と、該設定領域の前記第２の層における
   射影領域である対応領域を検索する領域検索工程と、 前記検索した設定領域上または前記対応領域上に前記他
   のスルーホールを設定するための追加配線を配置する第
   ２の配線工程と、 前記設定領域と前記対応領域との間に新たな他のスルー
   ホールを設定するスルーホール設定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
3. 【請求項３】 前記領域検索工程では、前記設定領域に
   おいては前記第１の配線が配置された領域の一部である
   ことを検索の条件とし、前記対応領域においては前記第
   ２の配線と近接し、かつあらゆる配線及び回路素子が存
   在しない領域であることを検索の条件とし、 前記第２の配線工程において、前記対応領域まで前記第
   ２の配線を延伸させることを特徴とする請求項１または
   ２に記載の半導体集積回路の配線方法。
4. 【請求項４】 前記領域検索工程では、前記設定領域に
   おいては前記第１の層上で前記第１の配線に近接し、か
   つあらゆる配線及び回路素子が存在しない領域であるこ
   とを検索の条件とし、前記対応領域においては前記第２
   の層上で前記第２の配線に近接し、かつあらゆる配線及
   び回路素子が存在しない領域であることを検索の条件と
   し、 前記第２の配線工程において、前記第１の層において前
   記第１の配線を前記設定領域まで延伸させ、前記第２の
   層において前記第２の配線を前記対応領域まで延伸させ
   ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体集
   積回路の配線方法。
5. 【請求項５】 前記スルーホール設定工程において、前
   記新たな他のスルーホールの形状を、前記第１の配線工
   程で設定したスルーホールと同一の形状とすることを特
   徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体集
   積回路の配線方法。
6. 【請求項６】 前記スルーホール設定工程において、前
   記新たな他のスルーホールの形状を、前記設定領域の形
   状に対応する形状とすることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれか一つに記載の半導体集積回路の配線方法。
7. 【請求項７】 第１の層及び第２の層を含む多層構造を
   有し、各層の配線間をスルーホールにより電気的に接続
   する半導体集積回路において、 前記第１の層上に配置された設定領域と、 前記第２の層上に配置され、前記設定領域の射影領域で
   ある対応領域と、 前記設定領域と前記対応領域の間を接続し、前記設定領
   域及び前記対応領域の形状に対応した形状からなるスル
   ーホールと、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
8. 【請求項８】 前記請求項１〜６のいずれか一つに記載
   された方法をコンピュータに実行させることを特徴とし
   たプログラム。