JP2003031660A - デュアルダマシンの配線形成方法 - Google Patents
デュアルダマシンの配線形成方法Info
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- JP2003031660A JP2003031660A JP2002178606A JP2002178606A JP2003031660A JP 2003031660 A JP2003031660 A JP 2003031660A JP 2002178606 A JP2002178606 A JP 2002178606A JP 2002178606 A JP2002178606 A JP 2002178606A JP 2003031660 A JP2003031660 A JP 2003031660A
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- forming
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- H10D64/011—
-
- H10W20/085—
-
- H10P50/283—
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線プロファイルが改善され配線の幅が広く
なることが防止できるデュアルダマシンの配線形成方法
を提供する。 【解決手段】 半導体基板２００上にエッチング静止膜
２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積層した後、第１感
光膜を形成してパターニングし、エッチングすることに
より、バイアホールを形成する段階と、第１感光膜を除
去して反射防止膜２４０を積層した後、配線溝２６０が
形成されるように第２感光膜２５０をパターニングし、
ドライエッチングして反射防止膜２４０を除去する段階
と、ＣＨＦ 3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスを
エッチングガスとして使用して層間絶縁膜２２０をエッ
チングすることにより配線溝を形成する段階と、第２感
光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、エッチン
グ静止膜２１０をエッチングし、バイアホール２３０と
配線溝２６０の内部を金属膜で埋込む段階とを含む。
なることが防止できるデュアルダマシンの配線形成方法
を提供する。 【解決手段】 半導体基板２００上にエッチング静止膜
２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積層した後、第１感
光膜を形成してパターニングし、エッチングすることに
より、バイアホールを形成する段階と、第１感光膜を除
去して反射防止膜２４０を積層した後、配線溝２６０が
形成されるように第２感光膜２５０をパターニングし、
ドライエッチングして反射防止膜２４０を除去する段階
と、ＣＨＦ 3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスを
エッチングガスとして使用して層間絶縁膜２２０をエッ
チングすることにより配線溝を形成する段階と、第２感
光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、エッチン
グ静止膜２１０をエッチングし、バイアホール２３０と
配線溝２６０の内部を金属膜で埋込む段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデュアルダマシンの
配線形成方法に関するもので、より詳しくはデュアルダ
マシンの工程を適用した配線の形成工程において、半導
体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配
線が形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カー
ボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングし
て配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホー
ルの境界領域にポリマーが残留することを防止するデュ
アルダマシンの配線形成方法に関するものである。
配線形成方法に関するもので、より詳しくはデュアルダ
マシンの工程を適用した配線の形成工程において、半導
体基板に接続するバイアホールを形成した後、上層の配
線が形成される配線溝のエッチング時、高圧で単一カー
ボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッチングし
て配線溝を形成することによって、配線溝とバイアホー
ルの境界領域にポリマーが残留することを防止するデュ
アルダマシンの配線形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体素子が段々高集積化になる
ことによって、配線と配線との間の高集積化のために、
バイアホールだけでなく半導体基板上の配線の広さにか
かわる問題が大きく問われている。
ことによって、配線と配線との間の高集積化のために、
バイアホールだけでなく半導体基板上の配線の広さにか
かわる問題が大きく問われている。
【０００３】図１ないし図４は従来のデュアルダマシン
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
【０００４】図１に示すように、半導体基板１０上には
第１エッチング静止膜２０、第１層間絶縁膜３０、第２
エッチング静止膜４０及び第２層間絶縁膜５０を順次に
積層する。その時、第１層間絶縁膜３０と第２層間絶縁
膜５０はシリコン酸化膜で構成する。
第１エッチング静止膜２０、第１層間絶縁膜３０、第２
エッチング静止膜４０及び第２層間絶縁膜５０を順次に
積層する。その時、第１層間絶縁膜３０と第２層間絶縁
膜５０はシリコン酸化膜で構成する。
【０００５】そして、前期第２層間絶縁膜５０の上部に
第１感光膜６０をパターニングした後、これをマスクと
して第１及び第２層間絶縁膜３０と５０を第１エッチン
グ静止膜２０の上部までエッチングし、洗浄工程を施す
ことによってバイアホール７０が形成される。
第１感光膜６０をパターニングした後、これをマスクと
して第１及び第２層間絶縁膜３０と５０を第１エッチン
グ静止膜２０の上部までエッチングし、洗浄工程を施す
ことによってバイアホール７０が形成される。
【０００６】その後、図２に示すように、前記第１感光
膜６０の除去後、第２層間絶縁膜５０に配線溝の形成の
ために第２感光膜８０をパターニングする。
膜６０の除去後、第２層間絶縁膜５０に配線溝の形成の
ために第２感光膜８０をパターニングする。
【０００７】次に、前記第２エッチング静止膜４０の上
部までエッチングして、洗浄工程を施すことによって第
２層間絶縁膜５０内に配線溝９０が形成される。
部までエッチングして、洗浄工程を施すことによって第
２層間絶縁膜５０内に配線溝９０が形成される。
【０００８】そして、図３に示すように、前記第２感光
膜８０をマスクとして大気に露出された第１エッチング
静止膜２０と第２エッチング静止膜４０を除去した後、
第２感光膜８０を除去する。
膜８０をマスクとして大気に露出された第１エッチング
静止膜２０と第２エッチング静止膜４０を除去した後、
第２感光膜８０を除去する。
【０００９】続いて、図４に示すように、前記バイアホ
ール７０と配線溝９０の内部を金属膜９５で埋込んでデ
ュアルダマシン配線を形成する。
ール７０と配線溝９０の内部を金属膜９５で埋込んでデ
ュアルダマシン配線を形成する。
【００１０】ところで、前記のような従来のデュアルダ
マシンの配線形成方法によれば、エッチング率が同一な
層間絶縁膜内に配線溝が形成される。又、層間絶縁膜は
第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜に分けられており、そ
の間にはエッチング静止膜である窒化膜を形成して配線
溝の形成のためのエッチング工程を制御しなければなら
ない。従って、配線形成工程の段階が複雑になる問題点
があった。
マシンの配線形成方法によれば、エッチング率が同一な
層間絶縁膜内に配線溝が形成される。又、層間絶縁膜は
第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜に分けられており、そ
の間にはエッチング静止膜である窒化膜を形成して配線
溝の形成のためのエッチング工程を制御しなければなら
ない。従って、配線形成工程の段階が複雑になる問題点
があった。
【００１１】また、エッチング静止膜である窒化膜は誘
電率が６〜７ε程度と大きいので、絶縁膜の誘電常数Ｋ
が低い絶縁膜が形成できず、そのために配線間のキャパ
シタンスが増加され半導体素子の電気的特性が低下する
問題点があった。
電率が６〜７ε程度と大きいので、絶縁膜の誘電常数Ｋ
が低い絶縁膜が形成できず、そのために配線間のキャパ
シタンスが増加され半導体素子の電気的特性が低下する
問題点があった。
【００１２】図１ないし図４に示す従来技術の問題点が
解決できるデュアルダマシン配線を形成するもう一つの
従来の方法として、図５ないし図８に示すような断面図
も提示した。
解決できるデュアルダマシン配線を形成するもう一つの
従来の方法として、図５ないし図８に示すような断面図
も提示した。
【００１３】図５ないし図８は他の従来のデュアルダマ
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
【００１４】図５に示すように、半導体基板１００上に
エッチング静止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に積
層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニ
ングする。
エッチング静止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に積
層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニ
ングする。
【００１５】この後、パターニングされた第１感光膜
（図示しない）をマスクとして用いてエッチング静止膜
１１０の上部までエッチングしバイアホール１３０を形
成した後、第１感光膜（図示しない）を除去して洗浄工
程を行う。
（図示しない）をマスクとして用いてエッチング静止膜
１１０の上部までエッチングしバイアホール１３０を形
成した後、第１感光膜（図示しない）を除去して洗浄工
程を行う。
【００１６】そして、図６に示すように、前記バイアホ
ール１３０が形成された結果物の上に反射防止膜１４０
を積層した後、第２感光膜１５０を形成し、パターニン
グする。
ール１３０が形成された結果物の上に反射防止膜１４０
を積層した後、第２感光膜１５０を形成し、パターニン
グする。
【００１７】次に、パターニングされた第２感光膜１５
０をマスクとしてＣＨＦ3とＣＦ4及びＡｒガスの混合ガ
スをエッチングガスとして使用して大気に露出された反
射防止膜１４０を除去する。
０をマスクとしてＣＨＦ3とＣＦ4及びＡｒガスの混合ガ
スをエッチングガスとして使用して大気に露出された反
射防止膜１４０を除去する。
【００１８】その時、反射防止膜１４０の除去時、バイ
アホール１３０の内部の反射防止膜１４０が完全に除去
されず、バイアホール１３０の内部にスペーサー形態で
反射防止膜１４０が残留するようになる。
アホール１３０の内部の反射防止膜１４０が完全に除去
されず、バイアホール１３０の内部にスペーサー形態で
反射防止膜１４０が残留するようになる。
【００１９】続いて、図７に示すように、前記パターニ
ングされた第２感光膜１５０をマスクとして１００ｍＴ
ｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）以下の低圧でＣ4Ｆ8ガスとＯ
2及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用
して層間絶縁膜１２０内に配線溝１６０を形成する。
ングされた第２感光膜１５０をマスクとして１００ｍＴ
ｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）以下の低圧でＣ4Ｆ8ガスとＯ
2及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用
して層間絶縁膜１２０内に配線溝１６０を形成する。
【００２０】その時、配線溝１６０の形成時に使用され
る多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ4Ｆ8ガスが、
前記バイアホール１３０の内部に残留された反射防止膜
１４０と化学反応を起こして、バイアホール１３０の開
口部の両端に突出した形態のポリマー１７０が形成され
る。
る多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ4Ｆ8ガスが、
前記バイアホール１３０の内部に残留された反射防止膜
１４０と化学反応を起こして、バイアホール１３０の開
口部の両端に突出した形態のポリマー１７０が形成され
る。
【００２１】続いて、図８に示すように、前記第２感光
膜１５０と反射防止膜１４０を除去した後、前記バイア
ホール１３０と配線溝１６０が形成された層間絶縁膜１
２０をマスクとしてエッチング静止膜１１０をエッチン
グする。
膜１５０と反射防止膜１４０を除去した後、前記バイア
ホール１３０と配線溝１６０が形成された層間絶縁膜１
２０をマスクとしてエッチング静止膜１１０をエッチン
グする。
【００２２】以後、前記バイアホール１３０と配線溝１
６０の内部を金属膜１８０で埋込んでデュアルダマシン
配線を形成する。
６０の内部を金属膜１８０で埋込んでデュアルダマシン
配線を形成する。
【００２３】しかし、前記のようなデュアルダマシン配
線を形成する従来の方法では、反射防止膜の除去時、前
記バイアホールの内部の反射防止膜が完全に除去され
ず、バイアホールの両内側壁にスペーサー形態で残留さ
れる問題点があった。
線を形成する従来の方法では、反射防止膜の除去時、前
記バイアホールの内部の反射防止膜が完全に除去され
ず、バイアホールの両内側壁にスペーサー形態で残留さ
れる問題点があった。
【００２４】その結果、後続の配線溝形成のためのエッ
チング工程時、多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ
4Ｆ8ガスが前記バイアホールの内部に残留された反射防
止膜と化学反応を起こしてバイアホールの両端が突出し
た形態のポリマーを形成する。従って、このポリマーを
除去するための工程を更に行う必要があり、これはデュ
アルダマシンの配線形成工程がより複雑化する問題点が
あった。
チング工程時、多重カーボンを含むフッ素ガスであるＣ
4Ｆ8ガスが前記バイアホールの内部に残留された反射防
止膜と化学反応を起こしてバイアホールの両端が突出し
た形態のポリマーを形成する。従って、このポリマーを
除去するための工程を更に行う必要があり、これはデュ
アルダマシンの配線形成工程がより複雑化する問題点が
あった。
【００２５】また、前記ポリマーを除去するための配線
溝形成のエッチング工程時、Ｏ2ガスの流量を増加させ
ると配線の幅が広くなる問題点があった。
溝形成のエッチング工程時、Ｏ2ガスの流量を増加させ
ると配線の幅が広くなる問題点があった。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するための本発明は、デュアルダマシン工程を適用し
た配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイ
アホールを形成した後、上層の配線で形成される配線溝
のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素
ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成するこ
とによって、配線溝とバイアホールとの境界領域にポリ
マーが残留することを防止できるだけでなく、バイアホ
ールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の
埋込みが容易であり、その結果、配線プロファイルが改
善され配線の幅が広くなることを防止できるようにする
デュアルダマシンの配線形成方法を提供することが目的
である。
決するための本発明は、デュアルダマシン工程を適用し
た配線の形成工程において、半導体基板に接続するバイ
アホールを形成した後、上層の配線で形成される配線溝
のエッチング時、高圧で単一カーボンが含まれたフッ素
ガスを用いて横軸へエッチングして配線溝を形成するこ
とによって、配線溝とバイアホールとの境界領域にポリ
マーが残留することを防止できるだけでなく、バイアホ
ールエッジの領域が傾斜しているため、後続の金属膜の
埋込みが容易であり、その結果、配線プロファイルが改
善され配線の幅が広くなることを防止できるようにする
デュアルダマシンの配線形成方法を提供することが目的
である。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、デュアルダマシンの配線形成方法は半導体基板
上にエッチング静止膜と層間絶縁膜を順次に積層した
後、第１感光膜を塗布してバイアホールが形成できるよ
うにパターニングし、これをマスクとして用いてエッチ
ング静止膜の上部までエッチングすることによってバイ
アホールを形成する段階と、前記第１感光膜を除去して
反射防止膜を積層した後、配線溝が形成されるように第
２感光膜をパターニングし、これをマスクとしてドライ
エッチングして反射防止膜を除去する段階と、前記第２
感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒ
ガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶
縁膜をエッチングすることによって配線溝を形成する段
階と、前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記
バイアホールが形成された層間絶縁膜をマスクとしてエ
ッチング静止膜をエッチングし、バイアホールと配線溝
の内部を金属膜で埋込む段階と、を含むことを特徴とす
るデュアルダマシンの配線形成方法を提供する。
ために、デュアルダマシンの配線形成方法は半導体基板
上にエッチング静止膜と層間絶縁膜を順次に積層した
後、第１感光膜を塗布してバイアホールが形成できるよ
うにパターニングし、これをマスクとして用いてエッチ
ング静止膜の上部までエッチングすることによってバイ
アホールを形成する段階と、前記第１感光膜を除去して
反射防止膜を積層した後、配線溝が形成されるように第
２感光膜をパターニングし、これをマスクとしてドライ
エッチングして反射防止膜を除去する段階と、前記第２
感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒ
ガスの混合ガスをエッチングガスとして使用して層間絶
縁膜をエッチングすることによって配線溝を形成する段
階と、前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記
バイアホールが形成された層間絶縁膜をマスクとしてエ
ッチング静止膜をエッチングし、バイアホールと配線溝
の内部を金属膜で埋込む段階と、を含むことを特徴とす
るデュアルダマシンの配線形成方法を提供する。
【００２８】また、前記バイアホールの形成段階では１
０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程
度の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガ
スをエッチングガスとして使用してエッチングを行うこ
とが望ましく、その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０
〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／
ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０
-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを３０
０〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０-5〜３０００×１
０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスと
して使用することが好ましい。
０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程
度の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガ
スをエッチングガスとして使用してエッチングを行うこ
とが望ましく、その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス１０
〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／
ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜４０ｓｃｃｍ（６０×１０
-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを３０
０〜５００ｓｃｃｍ（１８００×１０-5〜３０００×１
０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスと
して使用することが好ましい。
【００２９】また、前記配線溝のエッチング時、５００
〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐ
ａ）程度の高圧の雰囲気下でエッチングを行い、その
時、前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ
（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｃ
Ｆ４ガス１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１
２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００
〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガス
として使用することが好ましい。
〜１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐ
ａ）程度の高圧の雰囲気下でエッチングを行い、その
時、前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ
（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｃ
Ｆ４ガス１００〜２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１
２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００
〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガス
として使用することが好ましい。
【００３０】また、前記エッチング静止膜は、１０〜１
００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧
力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによ
ってエッチングされることが望ましく、その時前記混合
ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5
〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガス１０〜５
０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）
程度及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００
×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混
合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧
力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによ
ってエッチングされることが望ましく、その時前記混合
ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5
〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガス１０〜５
０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）
程度及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２００
×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混
合してエッチングガスとして使用することが好ましい。
【００３１】また、前記反射防止膜は、１０００〜２０
００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）程
度の圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合
ガスによってエッチングされることが望ましく、その時
前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６
０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガ
ス１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００
×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００〜２０
００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5
ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスとして
使用することが好ましい。
００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）程
度の圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合
ガスによってエッチングされることが望ましく、その時
前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６
０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガ
ス１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００
×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００〜２０
００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5
ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスとして
使用することが好ましい。
【００３２】また、前記バイアホールを形成する時には
２段階に分けてエッチングすることが望ましく、その時
第１段階のエッチングでは３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．
００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガ
ス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングが行われ
ることが望ましい。その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス
１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ
3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１
０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを３
５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３０００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガス
として使用することが好ましい。
２段階に分けてエッチングすることが望ましく、その時
第１段階のエッチングでは３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．
００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガ
ス及びＡｒガスの混合ガスによってエッチングが行われ
ることが望ましい。その時、前記混合ガスはＣ4Ｆ8ガス
１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ
3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１
０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを３
５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３０００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガス
として使用することが好ましい。
【００３３】次に、前記バイアホールを形成する時の第
２段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．
３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2
ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることが望
ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０
ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程
度と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３
００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８
００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０ -5ｍ
3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスとして使
用することが好ましい。
２段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．
３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2
ガス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることが望
ましく、その時前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０
ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程
度と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３
００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８
００ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０ -5ｍ
3／ｈ）程度の流量で混合してエッチングガスとして使
用することが好ましい。
【００３４】本発明は、配線溝のエッチング時、高圧で
単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッ
チングして配線溝が形成されることによって、配線溝と
バイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防
止する事を特徴とする。
単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエッ
チングして配線溝が形成されることによって、配線溝と
バイアホールの境界領域にポリマーが残留することを防
止する事を特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の望ましい実施の形態について詳細に説明する。ま
た、この発明ならびにそれ以外の関連目的と特徴は添付
図面に基づく次の説明と請求範囲中で指摘したその新規
事項を読めば明白になる。
発明の望ましい実施の形態について詳細に説明する。ま
た、この発明ならびにそれ以外の関連目的と特徴は添付
図面に基づく次の説明と請求範囲中で指摘したその新規
事項を読めば明白になる。
【００３６】図９ないし図１２は本発明によるデュアル
ダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断
面図である。
ダマシンの配線形成方法を説明するために順次に示す断
面図である。
【００３７】図９に示すように、半導体基板２００上に
エッチング静止膜２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積
層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニ
ングする。
エッチング静止膜２１０と層間絶縁膜２２０を順次に積
層した後、第１感光膜（図示しない）を形成しパターニ
ングする。
【００３８】その時、エッチング静止膜２１０はシリコ
ン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０内に後続のバイアホ
ールを形成する際、エッチングにより半導体基板２００
の損失を防止するために、シリコン酸化膜からなる層間
絶縁膜２２０に対してエッチング選択比の優れた窒化膜
を使用する。
ン酸化膜からなる層間絶縁膜２２０内に後続のバイアホ
ールを形成する際、エッチングにより半導体基板２００
の損失を防止するために、シリコン酸化膜からなる層間
絶縁膜２２０に対してエッチング選択比の優れた窒化膜
を使用する。
【００３９】以後、前記パターニングされた第１感光膜
（図示しない）をマスクとして用いて、エッチング静止
膜２１０の上部まで１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３
〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣ4Ｆ8ガスとＯ2ガス
及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用し
てドライエッチングしてバイアホール２３０を形成す
る。
（図示しない）をマスクとして用いて、エッチング静止
膜２１０の上部まで１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３
〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣ4Ｆ8ガスとＯ2ガス
及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使用し
てドライエッチングしてバイアホール２３０を形成す
る。
【００４０】前記ドライエッチング時に使用された混合
ガスは、Ｃ4Ｆ8ガスを１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０
-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ｏ2ガスが１０〜４
０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）
程度、Ａｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×
１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量比で混
合して使用する。
ガスは、Ｃ4Ｆ8ガスを１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０
-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ｏ2ガスが１０〜４
０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／ｈ）
程度、Ａｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８００×
１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量比で混
合して使用する。
【００４１】以後、第１感光膜（図示しない）を除去し
た後、ＮＨ4ＯＨとＣＨ3ＣＯＯＨ及びＨ2Ｏを約２：
３：３０の割合で混合した洗浄液を使用して湿式洗浄工
程を行う。
た後、ＮＨ4ＯＨとＣＨ3ＣＯＯＨ及びＨ2Ｏを約２：
３：３０の割合で混合した洗浄液を使用して湿式洗浄工
程を行う。
【００４２】一方、前記バイアホールのエッチングは２
段階に分けてエッチングすることもできる。
段階に分けてエッチングすることもできる。
【００４３】まず、第１段階では前記パターニングされ
た第１感光膜（図示しない）をマスクとして３０〜５０
ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ
4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×
１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６
０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガス
を３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３００
０×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合された混合ガス
を使用して層間絶縁膜２２０をエッチングしてバイアホ
ール２３０を形成する。
た第１感光膜（図示しない）をマスクとして３０〜５０
ｍＴｏｒｒ（４．００〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ
4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×
１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ｏ2ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６
０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガス
を３５０〜５００ｓｃｃｍ（２１００×１０-5〜３００
０×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合された混合ガス
を使用して層間絶縁膜２２０をエッチングしてバイアホ
ール２３０を形成する。
【００４４】そして、第２段階では前記パターニングさ
れた第１感光膜（図示しない）をマスクとして１０〜１
００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧
力でＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜
３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓ
ｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度
及びＡｒガスを２００〜８００（１２００×１０-5〜４
８００×１０-5ｍ3／ｈ）ｓｃｃｍ程度の流量で混合し
た混合ガスをエッチングガスとして使用して、もう一度
エッチングすることによってプロファイルの優れたバイ
アホール２３０を形成する。
れた第１感光膜（図示しない）をマスクとして１０〜１
００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧
力でＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜
３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜５０ｓ
ｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度
及びＡｒガスを２００〜８００（１２００×１０-5〜４
８００×１０-5ｍ3／ｈ）ｓｃｃｍ程度の流量で混合し
た混合ガスをエッチングガスとして使用して、もう一度
エッチングすることによってプロファイルの優れたバイ
アホール２３０を形成する。
【００４５】そして、図１０に示すように、前記バイア
ホール２３０が形成された結果物の上に反射防止膜２４
０を積層した後、第２感光膜２５０を形成しパターニン
グする。
ホール２３０が形成された結果物の上に反射防止膜２４
０を積層した後、第２感光膜２５０を形成しパターニン
グする。
【００４６】次に、パターニングされた第２感光膜２５
０をマスクとして大気に露出された反射防止膜２４０を
除去する。
０をマスクとして大気に露出された反射防止膜２４０を
除去する。
【００４７】その時、反射防止膜２４０のエッチング
時、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２
６６．６４Ｐａ）範囲の圧力でＣＨＦ3ガスは１０〜１
００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／
ｈ）程度、ＣＦ4ガスは１００〜２００ｓｃｃｍ（６０
０×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガ
スは１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜
１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量を混合したエ
ッチングガスとして使用してエッチングする。
時、１０００〜２０００ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２
６６．６４Ｐａ）範囲の圧力でＣＨＦ3ガスは１０〜１
００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／
ｈ）程度、ＣＦ4ガスは１００〜２００ｓｃｃｍ（６０
０×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒガ
スは１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜
１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量を混合したエ
ッチングガスとして使用してエッチングする。
【００４８】続いて、図１１に示すように、前記パター
ニングされた第２感光膜２５０をマスクとして５００〜
１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）
範囲の高圧で単一カーボンを含むフッ素ガスであるＣＨ
Ｆ3ガスとＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチン
グガスとして使用して層間絶縁膜２２０内に配線溝２６
０を形成する。 その時、混合ガスはＣＨＦ3ガスを１
０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ
3／ｈ）程度、ＣＦ4ガスを１００〜２００ｓｃｃｍ（６
００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒ
ガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5
〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合して
使用する。
ニングされた第２感光膜２５０をマスクとして５００〜
１５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）
範囲の高圧で単一カーボンを含むフッ素ガスであるＣＨ
Ｆ3ガスとＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガスをエッチン
グガスとして使用して層間絶縁膜２２０内に配線溝２６
０を形成する。 その時、混合ガスはＣＨＦ3ガスを１
０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜６００×１０-5ｍ
3／ｈ）程度、ＣＦ4ガスを１００〜２００ｓｃｃｍ（６
００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ3／ｈ）程度、Ａｒ
ガスを１０００〜２０００ｓｃｃｍ（６０００×１０-5
〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度の流量で混合して
使用する。
【００４９】それによって、前記バイアホールの開口部
２３０の周辺において、エッチングガスに含まれた多重
カーボンと反射防止膜２４０が化学結合し形成されるポ
リマーの生成を防止する。
２３０の周辺において、エッチングガスに含まれた多重
カーボンと反射防止膜２４０が化学結合し形成されるポ
リマーの生成を防止する。
【００５０】続いて、図１２に示すように、前記第２感
光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、バイアホ
ール２３０と配線溝２６０が形成された層間絶縁膜２２
０をマスクとしてエッチング静止膜２１０をエッチング
する。
光膜２５０と反射防止膜２４０を除去した後、バイアホ
ール２３０と配線溝２６０が形成された層間絶縁膜２２
０をマスクとしてエッチング静止膜２１０をエッチング
する。
【００５１】その時、前記エッチング静止膜２１０のエ
ッチング時、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１
３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓ
ｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度
と、ＣＦ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３
００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガス２００〜８０
０ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3
／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスをエッチングガ
スとして使用してエッチングする。
ッチング時、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１
３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓ
ｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度
と、ＣＦ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３
００×１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガス２００〜８０
０ｓｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3
／ｈ）程度の流量で混合された混合ガスをエッチングガ
スとして使用してエッチングする。
【００５２】そして、前記バイアホール２３０と配線溝
２６０の内部を金属膜２８０で埋込んでデュアルダマシ
ン配線を形成する。
２６０の内部を金属膜２８０で埋込んでデュアルダマシ
ン配線を形成する。
【００５３】
【発明の効果】本発明によるデュアルダマシンの配線形
成方法を用いれば、上層の配線の配線溝の形成時、高圧
で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエ
ッチングすることで、前記配線溝とバイアホールの境界
領域にポリマーが残留されることが防止できるだけでな
く、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後
続の金属膜の埋込み時、容易に埋込むことができる。
成方法を用いれば、上層の配線の配線溝の形成時、高圧
で単一カーボンが含まれたフッ素ガスを用いて横軸へエ
ッチングすることで、前記配線溝とバイアホールの境界
領域にポリマーが残留されることが防止できるだけでな
く、バイアホールエッジの領域が傾斜しているため、後
続の金属膜の埋込み時、容易に埋込むことができる。
【００５４】また、その結果、配線プロファイルが改善
され配線の幅が広くなることも防止できる。
され配線の幅が広くなることも防止できる。
【図１】 従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説
明するために順次に示す断面図である。
明するために順次に示す断面図である。
【図２】 従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説
明するために順次に示す断面図である。
明するために順次に示す断面図である。
【図３】 従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説
明するために順次に示す断面図である。
明するために順次に示す断面図である。
【図４】 従来のデュアルダマシンの配線形成方法を説
明するために順次に示す断面図である。
明するために順次に示す断面図である。
【図５】 従来の、もう一つの異なるデュアルダマシン
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
【図６】 従来の、もう一つの異なるデュアルダマシン
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
【図７】 従来の、もう一つの異なるデュアルダマシン
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
【図８】 従来の、もう一つの異なるデュアルダマシン
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
の配線形成方法を説明するために順次に示す断面図であ
る。
【図９】 本発明の実施例の形態に係るデュアルダマシ
ンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図で
ある。
ンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図で
ある。
【図１０】 本発明の実施例の形態に係るデュアルダマ
シンの配線形成方法説明するために順次に示す断面図で
ある。
シンの配線形成方法説明するために順次に示す断面図で
ある。
【図１１】 本発明の実施例の形態に係るデュアルダマ
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
【図１２】 本発明の実施例の形態に係るデュアルダマ
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
シンの配線形成方法を説明するために順次に示す断面図
である。
２００ 半導体基板、２１０ エッチング静止膜、２２
０ 層間絶縁膜、２３０ バイアホール、２４０ 反射
防止膜、２５０ 第２感光膜、２６０ 配線溝、２８０
金属膜。
０ 層間絶縁膜、２３０ バイアホール、２４０ 反射
防止膜、２５０ 第２感光膜、２６０ 配線溝、２８０
金属膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4M104 DD07 DD08 DD16 DD17 HH20
5F004 CA01 CA02 DA00 DA01 DA16
DA23 DA26 DB03 DB07 EA28
EB01 EB03
5F033 MM02 QQ03 QQ04 QQ09 QQ11
QQ15 QQ21 QQ25 QQ37 RR04
RR06 XX00
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体基板上にエッチング静止膜と層間
絶縁膜を順次に積層した後、第１感光膜を形成してパタ
ーニングし、前記第１感光膜をマスクとして用いて前記
エッチング静止膜の上部までエッチングすることによっ
てバイアホールを形成する段階と、 前記第１感光膜を除去して反射防止膜を積層した後に、
第２感光膜を形成してパターニングし、前記第２感光膜
をマスクとして用いてドライエッチングすることによっ
て反射防止膜を除去する段階と、 前記第２感光膜をマスクとしてＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガ
ス、及びＡｒガスの混合ガスをエッチングガスとして使
用して前記層間絶縁膜をエッチングすることによって配
線溝を形成する段階と、 前記第２感光膜と反射防止膜を除去した後、前記バイア
ホールが形成された前記層間絶縁膜をマスクとして前記
エッチング静止膜をエッチングし、前記バイアホールと
前記配線溝の内部を金属膜で埋込む段階と、 を含むことを特徴とするデュアルダマシンの配線形成方
法。 - 【請求項２】 前記バイアホールの形成段階では、１０
〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度
の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス、及びＡｒガスの混合ガ
スをエッチングガスとして使用してエッチングを行うこ
とを特徴とする請求項１に記載のデュアルダマシンの配
線形成方法。 - 【請求項３】 前記バイアホールを形成するための前記
混合ガスは、Ｃ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×１
０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０〜
４０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜２４０×１０-5ｍ3／
ｈ）程度及びＡｒガスを３００〜５００ｓｃｃｍ（１８
００×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度を含む
ことを特徴とする請求項２に記載のデュアルダマシンの
配線形成方法。 - 【請求項４】 前記配線溝の形成段階では、５００〜１
５００ｍＴｏｒｒ（６６．６６〜１９９．９８Ｐａ）程
度の高圧の雰囲気下でエッチングを行うことを特徴とす
る請求項１に記載のデュアルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項５】 前記配線溝を形成するための前記混合ガ
スはＣＨＦ3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０×１０-5
〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガス１００〜
２００ｓｃｃｍ（６００×１０-5〜１２００×１０-5ｍ
3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００〜２０００ｓｃｃ
ｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ3／ｈ）
程度を含むことを特徴とする請求項４に記載のデュアル
ダマシンの配線形成方法。 - 【請求項６】 前記エッチング静止膜は、１０〜１００
ｍＴｏｒｒ（１．３３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力で
ＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの混合ガスによって
エッチングされることを特徴とする請求項１に記載のデ
ュアルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項７】 前記エッチング静止膜のエッチングのた
めの前記混合ガスはＣＨＦ3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ
（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｃ
Ｆ4ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８００ｓ
ｃｃｍ（１２００×１０-5〜４８００×１０ -5ｍ3／
ｈ）程度を含むことを特徴とする請求項６に記載のデュ
アルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項８】 前記反射防止膜は、１０００〜２０００
ｍＴｏｒｒ（１３３．３２〜２６６．６４Ｐａ）程度の
圧力でＣＨＦ3ガス、ＣＦ4ガス及びＡｒガスの混合ガス
によってエッチングされることを特徴とする請求項１に
記載のデュアルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項９】 前記反射防止膜のエッチングのための前
記混合ガスはＣＨＦ 3ガス１０〜１００ｓｃｃｍ（６０
×１０-5〜６００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、ＣＦ4ガス
１５０〜２００ｓｃｃｍ（９００×１０-5〜１２００×
１０-5ｍ3／ｈ）程度及びＡｒガスを１０００〜２００
０ｓｃｃｍ（６０００×１０-5〜１２０００×１０-5ｍ
3／ｈ）程度を含むことを特徴とする請求項８に記載の
デュアルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項１０】 前記バイアホールの形成時、２段階に
分けてエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記
載のデュアルダマシンの配線形成方法。 - 【請求項１１】 前記バイアホールの形成のための第１
段階のエッチングは、３０〜５０ｍＴｏｒｒ（４．００
〜６．６７Ｐａ）程度の圧力でＣ4Ｆ8ガス、Ｏ2ガス及
びＡｒガスの混合ガスによって行われることを特徴とす
る請求項１０に記載のデュアルダマシンの配線形成方
法。 - 【請求項１２】 前記第１段階のエッチングのための前
記混合ガスは、Ｃ4Ｆ8ガス１０〜３０ｓｃｃｍ（６０×
１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｏ2ガス１０
〜３０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜１８０×１０-5ｍ3／
ｈ）程度及びＡｒガスを３５０〜５００ｓｃｃｍ（３０
０×１０-5〜３０００×１０-5ｍ3／ｈ）程度を含むこ
とを特徴とする請求項１１に記載のデュアルダマシンの
配線形成方法。 - 【請求項１３】 前記バイアホールの形成のための第２
段階のエッチングは、１０〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３
３〜１３．３３Ｐａ）程度の圧力でＣＨＦ3ガス、Ｏ2ガ
ス及びＡｒガスの混合ガスによって行われることを特徴
とする請求項１０に記載のデュアルダマシンの配線形成
方法。 - 【請求項１４】 前記第２段階のエッチングのための前
記混合ガスはＣＨＦ 3ガス１０〜５０ｓｃｃｍ（６０×
１０-5〜３００×１０-5ｍ3／ｈ）程度と、Ｏ 2ガス１０
〜５０ｓｃｃｍ（６０×１０-5〜３００×１０-5ｍ3／
ｈ）程度及びＡｒガスを２００〜８００ｓｃｃｍ（１２
００×１０-5〜４８００×１０-5ｍ3／ｈ）程度を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載のデュアルダマシン
の配線形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0035488A KR100404479B1 (ko) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 듀얼 다마신 배선 형성방법 |
| KR2001-35488 | 2001-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=19711191
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002178606A Expired - Fee Related JP3585901B2 (ja) | 2001-06-21 | 2002-06-19 | デュアルダマシンの配線形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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