JP2003031375A - Organic el display device - Google Patents
Organic el display deviceInfo
- Publication number
- JP2003031375A JP2003031375A JP2001215264A JP2001215264A JP2003031375A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- organic
- display device
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHNOPFHAYQECDO-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O ZHNOPFHAYQECDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Poly (p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical class [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- RZTDESRVPFKCBH-UHFFFAOYSA-N p-Tol-Tol-p Natural products C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=C(C)C=C1 RZTDESRVPFKCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセント）層に電界を与えて発光させる表
示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device which emits light by applying an electric field to an organic EL (electroluminescent) layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセントを利用
したＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。ＥＬ表
示装置は、アノードとカソードとの間に発光層を設けた
構成を有している。ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と
同様に、各画素毎にＴＦＴなどのスイッチを設けて各画
素を個別に駆動するアクティブ駆動方式の他、線順次方
式に代表されるパッシブ駆動方式を採用することができ
る。このようなＥＬ表示装置は、使用される発光性化合
物の種類により、無機ＥＬ表示装置と有機ＥＬ表示装置
に分類することができる。2. Description of the Related Art In recent years, EL display devices utilizing electroluminescence have been actively developed. The EL display device has a structure in which a light emitting layer is provided between an anode and a cathode. Similar to the liquid crystal display device, the EL display device adopts a passive drive system represented by a line sequential system in addition to an active drive system in which a switch such as a TFT is provided for each pixel to drive each pixel individually. You can Such an EL display device can be classified into an inorganic EL display device and an organic EL display device depending on the type of the luminescent compound used.
【０００３】図５に示したように、有機ＥＬ表示装置９
は、基板９０上に、アノード９１、有機層９２、および
カソード９３を積層した形態を有するものである。有機
層９２は、発光層９２ａを有しており、アノード９１か
ら供給される正孔（ホール）およびカソード９３から供
給される電子を発光層９２ａに効率良く閉じ込めるため
に、発光層９２ａを電子輸送層９２ｂおよび正孔（ホー
ル）輸送層９２ｃにより挟み込んで有機層９２を構成す
るのが一般的である。また、アノード９１からの正孔の
取り出し効率を高めるためにアノード９１の表面にホー
ル注入層９２ｄを設け、カソード９３からの電子の取り
出し効率を高めるためにカソード９３の表面に電子注入
層９２ｅを設けることもある。As shown in FIG. 5, the organic EL display device 9
Has a configuration in which an anode 91, an organic layer 92, and a cathode 93 are laminated on a substrate 90. The organic layer 92 has a light emitting layer 92a, and in order to efficiently confine the holes (holes) supplied from the anode 91 and the electrons supplied from the cathode 93 into the light emitting layer 92a, the organic layer 92 transports electrons through the light emitting layer 92a. The organic layer 92 is generally formed by being sandwiched between the layer 92b and the hole transport layer 92c. In addition, a hole injection layer 92d is provided on the surface of the anode 91 to enhance the extraction efficiency of holes from the anode 91, and an electron injection layer 92e is provided on the surface of the cathode 93 to enhance the extraction efficiency of electrons from the cathode 93. Sometimes.
【０００４】有機ＥＬ表示装置９では、無機ＥＬ表示装
置と比較した場合に発光効率が高く、発光性化合物を発
光させるのに必要な電圧が小さくて済むといった長所を
有する反面、装置寿命が短いといった欠点を有してい
る。したがって、携帯電話などのディスプレイとして使
用する場合には、有機ＥＬ表示装置のほうが有望視され
るが、実用性を考慮した場合、有機ＥＬ表示装置の装置
寿命を長くする必要がある。The organic EL display device 9 has the advantages that the luminous efficiency is higher than that of the inorganic EL display device and the voltage required for causing the light emitting compound to emit light is small, but the device life is short. It has drawbacks. Therefore, the organic EL display device is more promising when used as a display of a mobile phone or the like, but in consideration of practicality, it is necessary to extend the device life of the organic EL display device.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ表示装置の寿
命が短い理由の１つとしては、有機層９２の酸化が挙げ
られる。有機層９２が酸化する原因としては、製造時お
よび電圧印加時の熱エネルギが挙げられる。とくに、ア
ノード９１をＩＴＯなどの酸化物により形成した場合に
は、アノード９１の抵抗が大きくなって発熱量が大きく
なる上に、アノード９１が酸化されやすくなってしま
う。したがって、アノード９１を酸化物により形成した
場合には、アノード９１が酸素供給源として機能して有
機層９２を酸化してしまうばかりか、アノード９１で生
じる大きな熱エネルギによって有機層９２の酸化を助長
してしまうといった悪循環が生じる。One of the reasons why the life of the organic EL display device is short is oxidation of the organic layer 92. The cause of oxidation of the organic layer 92 may be thermal energy during manufacturing and voltage application. In particular, when the anode 91 is formed of an oxide such as ITO, the resistance of the anode 91 increases, the amount of heat generated increases, and the anode 91 is easily oxidized. Therefore, when the anode 91 is formed of an oxide, the anode 91 not only functions as an oxygen supply source and oxidizes the organic layer 92, but also the large thermal energy generated in the anode 91 promotes the oxidation of the organic layer 92. There is a vicious cycle of doing so.
【０００６】電圧印加による有機層９２の酸化は、パッ
シブ駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置９においてよ
り顕著に現れる。パッシブ駆動方式は、たとえば高電圧
を印加するアノードまたはカソード（走査電極）が順次
切り替えられ、高電圧が印加された画素（発光層）が瞬
間的に発光させられる。そのため、ある画素が所定の輝
度で常時発光しているように視認させるためには、先に
高電圧が付与されてから次の高電位が付与までに輝度が
所定値よりも小さくならないように、当該所定値よりも
相当大きな輝度をもって画素を発光させる必要が生じ
る。したがって、パッシブ駆動を採用した場合には、繰
り返し大きな電位を付与する必要がある結果、各画素で
の通電量、ひいては発熱量が大きくなって有機層９２の
酸化の問題がより顕著に現れる。Oxidation of the organic layer 92 due to application of a voltage becomes more prominent in the organic EL display device 9 adopting the passive driving method. In the passive driving method, for example, an anode or a cathode (scan electrode) to which a high voltage is applied is sequentially switched, and a pixel (light emitting layer) to which the high voltage is applied instantaneously emits light. Therefore, in order to visually recognize that a certain pixel always emits light with a predetermined brightness, the brightness does not become smaller than a predetermined value before a high voltage is applied before the next high potential is applied. It is necessary to cause the pixels to emit light with a brightness considerably higher than the predetermined value. Therefore, in the case of adopting the passive drive, it is necessary to repeatedly apply a large potential, and as a result, the energization amount in each pixel, and hence the calorific value is increased, and the problem of oxidation of the organic layer 92 becomes more prominent.
【０００７】本願発明は、このような事情のもとに考え
だされたものであって、有機層の酸化を抑制して有機Ｅ
Ｌ表示装置の寿命を長くすることをその課題としてい
る。The present invention has been devised under such circumstances, and it is possible to suppress the oxidation of the organic layer and
The problem is to extend the life of the L display device.
【０００８】[0008]
【発明の開示】すなわち、本願発明により提供される有
機ＥＬ表示装置は、透明基板上に、複数のアノード、有
機層、および複数のカソードがこの順序で積層され、か
つ上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基
板を透過してから出射するように構成された有機ＥＬ表
示装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも
仕事関数が大きい非酸化物たる金属材料により、厚みが
２０ｎｍ以下に形成されていることを特徴としている。DISCLOSURE OF THE INVENTION That is, in the organic EL display device provided by the present invention, a plurality of anodes, an organic layer, and a plurality of cathodes are laminated in this order on a transparent substrate, and light from the organic layer is emitted. An organic EL display device configured to pass through the anode and the transparent substrate and then exit, wherein the anode is made of a non-oxide metal material having a work function larger than that of the cathode and has a thickness of 20 nm or less. It is characterized by being formed in.
【０００９】透明電極は、従来よりＩＴＯなどの酸化物
により形成されているが、ＩＴＯなどは抵抗率が大きい
ために温度上昇が大きい上に、酸化されやすいといった
欠点がある。したがって、アノードを抵抗率の小さい金
属材料により形成すれば、アノードで発生する熱量を低
減できる結果、アノードの酸化を抑制することができ
る。アノードが非酸化物により形成され、しかもその酸
化が抑制されれば、アノードが有機層への酸素供給源と
して機能することを抑制することができるようになる。
これにより、有機層の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置
の長寿命化を図ることができるようになる。しかも、厚
みが２０ｎｍ以下の金属薄膜としてアノードを形成すれ
ば、アノードの光透過性を高めることができるため、有
機層からの光をアノードおよび透明基板を介して表示装
置の外部に出射することができるようになる。The transparent electrode is conventionally formed of an oxide such as ITO. However, since ITO has a large resistivity, it has a drawback that the temperature rise is large and it is easily oxidized. Therefore, if the anode is made of a metal material having a low resistivity, the amount of heat generated in the anode can be reduced, and as a result, the oxidation of the anode can be suppressed. If the anode is formed of a non-oxide and its oxidation is suppressed, it becomes possible to prevent the anode from functioning as an oxygen supply source to the organic layer.
This makes it possible to suppress the oxidation of the organic layer and prolong the life of the organic EL display device. Moreover, if the anode is formed as a metal thin film having a thickness of 20 nm or less, the light transmissivity of the anode can be enhanced, so that the light from the organic layer can be emitted to the outside of the display device through the anode and the transparent substrate. become able to.
【００１０】アノードは、有機層に対して正孔（ホー
ル）を供給する役割を有するため、アノードを仕事関数
の大きな材料により形成する必要がある。アノード形成
材料としては、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金属材
料を用いるのが好ましい。その一方で、 アノード抵抗
が大きければ、通電時におけるアノードでの発熱量が大
きくなって有機層が酸化される虞があるため、たとえば
アノードはシート抵抗が２．５Ω以下となるように形成
するのが好ましい。仕事関数や抵抗面を考慮した場合に
は、金属材料としては、Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕが好
ましく使用される。Since the anode has a role of supplying holes to the organic layer, it is necessary to form the anode with a material having a large work function. As the anode forming material, it is preferable to use a metal material having a work function of 4.5 eV or more. On the other hand, if the anode resistance is large, the amount of heat generated by the anode during energization may be large and the organic layer may be oxidized. Therefore, for example, the anode is formed so that the sheet resistance is 2.5Ω or less. Is preferred. Considering the work function and the resistance surface, Au, Ag, or Cu is preferably used as the metal material.
【００１１】上述したように、有機層の酸化は、パッシ
ブ駆動される有機ＥＬ表示装置においてより顕著に現れ
る。したがって、有機層の酸化を抑制できる本願発明の
技術思想は、パッシブ駆動可能に構成された有機ＥＬ表
示装置に対して、より有効である。As described above, the oxidation of the organic layer becomes more prominent in the passively driven organic EL display device. Therefore, the technical idea of the present invention that can suppress the oxidation of the organic layer is more effective for the organic EL display device configured to be passively driven.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。ここで、
図１は本願発明に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す一
部破断要部斜視図、図２は図１の有機ＥＬ表示装置の平
面図、図３および図４は図２のIII−III線およびIV−IV
線に沿う断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. here,
1 is a partially broken perspective view showing an example of an organic EL display device according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the organic EL display device of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are lines III-III of FIG. And IV-IV
It is sectional drawing which follows the line.
【００１３】有機ＥＬ表示装置Ｘは、線順次方式による
パッシブ駆動によりカラー表示可能に構成されたもので
あり、透明基板１上に、複数のアノード２、複数の有機
層３、および複数のカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが設けら
れている。The organic EL display device X is configured to be capable of color display by passive driving by a line-sequential system, and has a plurality of anodes 2, a plurality of organic layers 3, and a plurality of cathodes 4R on a transparent substrate 1. , 4G, 4B are provided.
【００１４】透明基板１は、たとえば図２に示したよう
に透明なガラスや樹脂製フィルムにより矩形状に形成さ
れている。アノード２は、透明基板１の表面１０におい
て、図１および図２の矢印ＡＢ方向に延びる帯状に形成
されており、複数のアノード２が、それらの幅方向に並
んでいる。これらのアノード２は、たとえば非酸化物で
ある金属材料を用いた蒸着やスパッタリングなどの公知
の手法により、厚さが２０ｎｍ以下となるように金属薄
膜を形成した後に、エッチング処理を施すことにより形
成することができる。厚みが２０ｎｍ以下の金属薄膜
（アノード２）は、光透過率が高く、比較的に高い透明
性を有している。アノード２は有機層にホールを供給す
るもの役割を果たすものであるから、仕事関数が比較的
に高い金属材料、たとえば仕事関数が４．５ｅＶ以上の
Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕを用いて形成するのが好まし
い。これらの材料は、抵抗率の小さいものであるから、
これらの材料を用いることにより、アノード２のシート
抵抗を２．５Ω以下とすることができる。The transparent substrate 1 is formed of a transparent glass or resin film in a rectangular shape as shown in FIG. The anode 2 is formed on the surface 10 of the transparent substrate 1 in a band shape extending in the arrow AB direction in FIGS. 1 and 2, and the plurality of anodes 2 are arranged in the width direction thereof. These anodes 2 are formed by forming a metal thin film to a thickness of 20 nm or less by a known method such as vapor deposition or sputtering using a non-oxide metal material, and then performing etching treatment. can do. The metal thin film (anode 2) having a thickness of 20 nm or less has high light transmittance and relatively high transparency. Since the anode 2 plays a role of supplying holes to the organic layer, it is formed by using a metal material having a relatively high work function, for example, Au, Ag, or Cu having a work function of 4.5 eV or more. Is preferred. Since these materials have low resistivity,
By using these materials, the sheet resistance of the anode 2 can be 2.5Ω or less.
【００１５】カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、Ｒ用カソー
ド４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、Ｂ用カソード４Ｂからな
る。これらのカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、複数のアノ
ード２に直交して図１および図２の矢印ＣＤ方向に延び
る帯状に形成され、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４
Ｇ、およびＢ用カソード４Ｂの順序で図１および図２の
矢印ＡＢ方向に並んで互いに平行に延びている。図２に
示したように、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、
およびＢ用カソード４Ｂとアノード２とが交差する領域
Ｒ，Ｇ，Ｂは、赤色光発光画素Ｒ、緑色光発光画素Ｇお
よび青色光発光画素Ｂを構成している。このようなカソ
ード４は、たとえばアルミニウム膜を蒸着した後にエッ
チング処理を施すことにより形成することができる。The cathodes 4R, 4G and 4B are composed of an R cathode 4R, a G cathode 4G and a B cathode 4B. These cathodes 4R, 4G, 4B are formed in a strip shape orthogonal to the plurality of anodes 2 and extending in the direction of arrow CD in FIGS.
The G and B cathodes 4B are arranged in this order in the direction of arrow AB in FIGS. 1 and 2 and extend parallel to each other. As shown in FIG. 2, R cathode 4R, G cathode 4G,
Regions R, G, and B where the cathode 4B for B and the anode 2 intersect form a red light emitting pixel R, a green light emitting pixel G, and a blue light emitting pixel B. Such a cathode 4 can be formed by, for example, depositing an aluminum film and then performing an etching process.
【００１６】有機層３は、複数のホール注入層３０、複
数のホール輸送層３１、複数の発光層３２Ｒ，３２Ｇ，
３２Ｂ、複数の電子輸送層３３、および複数の電子注入
層３４からなる。The organic layer 3 comprises a plurality of hole injection layers 30, a plurality of hole transport layers 31, a plurality of light emitting layers 32R, 32G,
32B, a plurality of electron transport layers 33, and a plurality of electron injection layers 34.
【００１７】ホール注入層３０は、アノード２からのホ
ールの取り出し効率、つまり有機層３へのホール注入効
率を向上させる役割を有するものである。ホール輸送層
３１は、発光層３２へのホールの移動を効率良く行うと
ともに、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子が発光層
３２を超えてアノード２へ移動するのを抑制し、発光層
３２おける電子とホールとの再結合効率を高める役割を
有するものである。The hole injection layer 30 has a role of improving the extraction efficiency of holes from the anode 2, that is, the efficiency of hole injection into the organic layer 3. The hole transport layer 31 efficiently moves the holes to the light emitting layer 32, and suppresses the electrons from the cathodes 4R, 4G, and 4B from moving over the light emitting layer 32 to the anode 2, and thus the light emitting layer 32 is provided. It has a role of increasing the recombination efficiency of electrons and holes.
【００１８】ホール注入層３０およびホール輸送層３１
は、アノード２と同一方向（図１の矢印ＡＢ方向）に延
びる帯状に形成されている。ホール注入層３０はアノー
ド２上に、ホール輸送層３１はホール注入層３０上に積
層形成され、複数のものがアノード２の幅方向（図１の
矢印ＣＤ方向）に並んで平行に延びている。Hole injection layer 30 and hole transport layer 31
Is formed in a strip shape extending in the same direction as the anode 2 (direction of arrow AB in FIG. 1). The hole injection layer 30 is laminated on the anode 2, and the hole transport layer 31 is laminated on the hole injection layer 30, and a plurality of layers are arranged in parallel in the width direction of the anode 2 (direction of arrow CD in FIG. 1). .
【００１９】ホール注入層３０およびホール輸送層３１
は、たとえばスパッタリングや蒸着により形成すること
ができ、ホール注入層３０は厚さが数〜１０Åに、ホー
ル輸送層３０は、厚さが１００〜１０００Åに形成され
る。Hole injection layer 30 and hole transport layer 31
Can be formed by, for example, sputtering or vapor deposition, and the hole injection layer 30 is formed with a thickness of several to 10 Å, and the hole transport layer 30 is formed with a thickness of 100 to 1000 Å.
【００２０】ホール注入層３０を構成する材料として
は、たとえば銅フタロシアニン、無金属フタロシアニ
ン、芳香族アミン（ＴＰＡＣ、２Ｍｅ−ＴＰＤ、α−Ｎ
ＰＤなど）を用いることができる。一方、ホール輸送層
３１を構成する材料としては、たとえば１，１−ビス
（４−ジ−ｐ−アミノフェニル）シクロヘキサン、ガル
バゾールおよびその誘導体、トリフェニルアミンおよび
その誘導体を用いることができる。Examples of the material forming the hole injection layer 30 include copper phthalocyanine, metal-free phthalocyanine, aromatic amines (TPAC, 2Me-TPD, α-N).
PD, etc.) can be used. On the other hand, as the material forming the hole transport layer 31, for example, 1,1-bis (4-di-p-aminophenyl) cyclohexane, galbazole and its derivative, triphenylamine and its derivative can be used.
【００２１】発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、赤色光
を発光するＲ発光層３２Ｒ、緑色光を発光するＧ発光層
３２Ｇ、および青色光を発光するＢ発光層３２Ｂからな
る。これらの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、アノー
ド２の延びる方向（図１の矢印ＡＢ方向）と直交する方
向（図１の矢印ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されてい
る。Ｒ発光層３２Ｒ、Ｇ発光層３２Ｇ、およびＢ発光層
３２Ｂは、この順序でアノード２の延びる方向（図１の
矢印ＡＢ方向）に並んで互いに平行に延びている。これ
らの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、発光色に応じた
発光物質を含んでおり、アノード２からのホールとカソ
ード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子との再結合により励起
子を生成する場である。励起子は、発光層３２Ｒ，３２
Ｇ，３２Ｂを移動するが、その過程において発光物質が
発光する。なお、赤色、緑色および青色のフィルタを発
光層３２と第２基板１２との間に設けることにより、赤
色光、緑色光および青色光を発光させてカラー表示を行
うように構成してもよい。The light emitting layers 32R, 32G, 32B are composed of an R light emitting layer 32R for emitting red light, a G light emitting layer 32G for emitting green light, and a B light emitting layer 32B for emitting blue light. These light emitting layers 32R, 32G, 32B are formed in a strip shape extending in a direction (arrow CD direction in FIG. 1) orthogonal to a direction in which the anode 2 extends (arrow AB direction in FIG. 1). The R light emitting layer 32R, the G light emitting layer 32G, and the B light emitting layer 32B are arranged in this order in the direction in which the anode 2 extends (the arrow AB direction in FIG. 1) and extend parallel to each other. These light emitting layers 32R, 32G, 32B contain a light emitting substance according to the color of emitted light, and in the field where excitons are generated by recombination of holes from the anode 2 and electrons from the cathodes 4R, 4G, 4B. is there. The excitons are the light emitting layers 32R, 32
While moving through G and 32B, the luminescent substance emits light in the process. Note that red, green, and blue filters may be provided between the light emitting layer 32 and the second substrate 12 to emit red light, green light, and blue light to perform color display.
【００２２】電子注入層３４は、カソード４Ｒ，４Ｇ，
４Ｂからの電子の取り出し効率、つまり有機層３への電
子注入効率を向上させる役割を有するものである。電子
輸送層３３は、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂへの電子
の移動を効率良く行うとともに、アノード２からのホー
ルが発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを超えてカソード４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂへ移動するのを抑制し、発光層３２Ｇ，
３２Ｂ，３２Ｅおける電子とホールとの再結合効率を高
める役割を有するものである。The electron injection layer 34 includes cathodes 4R, 4G,
It has a role of improving the electron extraction efficiency from 4B, that is, the electron injection efficiency into the organic layer 3. The electron transport layer 33 efficiently transfers electrons to the light emitting layers 32R, 32G, 32B, and the holes from the anode 2 exceed the light emitting layers 32R, 32G, 32B to cause the cathode 4
R, 4G, 4B is suppressed to move to the light emitting layer 32G,
It has a role of enhancing the recombination efficiency of electrons and holes in 32B and 32E.
【００２３】電子輸送層３３および電子注入層３４は、
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと同一方向（図１の矢印
ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されている。電子輸送層
３３は発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に、電子注入層
３４は電子輸送層３３上に積層形成され、複数のものが
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの幅方向（図１の矢印Ａ
Ｂ方向）に並んで互いに平行に延びている。The electron transport layer 33 and the electron injection layer 34 are
The light emitting layers 32R, 32G, and 32B are formed in a strip shape extending in the same direction (the arrow CD direction in FIG. 1). The electron transport layer 33 is laminated on the light emitting layers 32R, 32G, 32B, and the electron injection layer 34 is laminated on the electron transport layer 33. A plurality of layers are formed in the width direction of the light emitting layers 32R, 32G, 32B (arrow A in FIG. 1).
In the B direction) and extend parallel to each other.
【００２４】発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ、電子輸送
層３３および電子注入層３４は、たとえば蒸着により形
成することができ、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂおよ
び電子輸送層３３は厚さが１００〜１０００Åに、電子
注入層３４は厚さが数〜１０Åに形成される。The light emitting layers 32R, 32G, 32B, the electron transport layer 33 and the electron injection layer 34 can be formed by, for example, vapor deposition, and the light emitting layers 32R, 32G, 32B and the electron transport layer 33 have a thickness of 100 to 1000Å. In addition, the electron injection layer 34 is formed with a thickness of several to 10 Å.
【００２５】発光物質としては、たとえばトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリ
ノラト）ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニ
ル、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユー
ロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ） 3（Ｐｈｅｎ））、およ
びフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光または
りん光性発光物質を使用することができる。もちろん、
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフ
ェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのよ
うな高分子発光物質を用いてもよい。発光物質は、発光
層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂにおける発光色に応じて１ま
たは複数が選択され、また色調を調整するために無機化
合物を併用してもよい。なお、複数種の物質を用いて発
光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する場合には、これ
らの物質を共蒸着するのが好ましい。As the luminescent substance, for example, tris (8-
Quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinoli)
Norato) beryllium complex, ditoluyl vinyl bipheni
Le, tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline yu
Ropium complex (Eu (DBM) 3(Phen)), and
And phenylpyridine iridium compounds such as fluorescence or
Phosphorescent materials can be used. of course,
Poly (p-phenylene vinylene), polyalkylthiof
Such as benzene, polyfluorene, and their derivatives.
Such a polymer light emitting substance may be used. Luminescent material emits light
Depending on the emission color of the layers 32R, 32G, 32B, 1 or
Or multiple selected and mineralized to adjust color
You may use together. It should be noted that using multiple types of substances
When forming the optical layers 32R, 32G, 32B, this
It is preferred to co-evaporate these materials.
【００２６】一方、電子輸送層３３および電子注入層３
４を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメ
タン、ジフェニルキノン、ぺリレンテトラカルボン酸、
トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベン
ズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることが
できる。電子注入層３４は、ＬｉＦのような無機材料に
より形成することもできる。この場合には、電子注入層
３４は、有機層３の構成要素とはならない。On the other hand, the electron transport layer 33 and the electron injection layer 3
Examples of the material constituting 4 include anthraquinodimethane, diphenylquinone, perylene tetracarboxylic acid,
Triazoles, oxazoles, oxadiazoles, benzoxazoles, and their derivatives can be used. The electron injection layer 34 can also be formed of an inorganic material such as LiF. In this case, the electron injection layer 34 does not become a constituent element of the organic layer 3.
【００２７】複数のアノード２および複数のカソード４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、図外のドライバＩＣと導通接続され
ている。ドライバＩＣからは、複数のアノード２に対し
て順次走査電圧が印加され、複数のカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂに対して表示画像に応じた信号電圧がクロック
パルスに同期して入力される。A plurality of anodes 2 and a plurality of cathodes 4
R, 4G, and 4B are electrically connected to a driver IC (not shown). A scanning voltage is sequentially applied from the driver IC to the plurality of anodes 2, and the plurality of cathodes 4R, 4
A signal voltage corresponding to the display image is input to G and 4B in synchronization with the clock pulse.
【００２８】ドライバＩＣにより、選択された画素Ｒ，
Ｇ，Ｂに対応するアノード２およびカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂ間に一定値以上の電圧が付与された場合には、
アノード２からはホール注入層３０にホールが注入さ
れ、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからは電子注入層３に電
子が注入される。ホールは、ホール輸送層３１を介して
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸送され、電子は電子
輸送層３３を介して発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸
送される。発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂでは、電子と
ホールが再結合して励起子が生成し、この励起子が発光
層３２を移動する。発光層３２では、励起子が発光性物
質における所定のバンド間を移動したときに放出するエ
ネルギにより発光が生じる。このときの光は、ホール輸
送層３３、ホール注入層３４、アノード２、透明基板１
を透過して有機ＥＬ表示装置Ｘの外部に出射される。こ
のようにして、選択された画素Ｒ，Ｇ，Ｂが発光するこ
とによりカラー画像が表示される。By the driver IC, the selected pixel R,
Anode 2 and cathode 4R, 4 corresponding to G and B
When a voltage above a certain value is applied between G and 4B,
Holes are injected from the anode 2 into the hole injection layer 30, and electrons are injected into the electron injection layer 3 from the cathodes 4R, 4G, and 4B. The holes are transported to the light emitting layers 32R, 32G, 32B via the hole transport layer 31, and the electrons are transported to the light emitting layers 32R, 32G, 32B via the electron transport layer 33. In the light emitting layers 32R, 32G, 32B, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and the excitons move in the light emitting layer 32. In the light emitting layer 32, light emission occurs due to energy emitted when excitons move between predetermined bands in the light emitting substance. The light at this time is the hole transport layer 33, the hole injection layer 34, the anode 2, and the transparent substrate 1.
And is emitted to the outside of the organic EL display device X. In this way, the selected pixels R, G, B emit light to display a color image.
【００２９】以上に説明した有機ＥＬ表示装置Ｘでは、
アノード２が非酸化物によりシート抵抗が２．５Ω以下
となるように形成されている。そのため、アノード２が
ＩＴＯのような抵抗率の大きな酸化物により形成される
場合のように、通電時にアノード２において大きな熱エ
ネルギが生じることはなく、またアノード２が酸化して
しまうことを抑制することができる。その上、アノード
２が非酸化物により形成され、しかもその酸化が抑制さ
れれば、アノード２が有機層３への酸素供給源として機
能することを抑制することができるようになる。これに
より、有機層３の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置Ｘの
長寿命化を図ることができるようになる。In the organic EL display device X described above,
The anode 2 is formed of a non-oxide so that the sheet resistance is 2.5Ω or less. Therefore, unlike the case where the anode 2 is formed of an oxide having a large resistivity such as ITO, a large amount of heat energy is not generated in the anode 2 during energization, and the oxidation of the anode 2 is suppressed. be able to. Moreover, if the anode 2 is formed of a non-oxide and its oxidation is suppressed, it becomes possible to prevent the anode 2 from functioning as an oxygen supply source to the organic layer 3. This makes it possible to suppress the oxidation of the organic layer 3 and prolong the life of the organic EL display device X.
【００３０】本実施の形態では、電子注入層、電子輸送
層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層により有
機層が構成された有機ＥＬ表示装置を例にとって説明し
たが、有機層の構成は種々に設計変更可能である。たと
えば、ホール輸送層と発光層、あるいは電子輸送層と発
光層からなる２層構造であってもよいし、ホール輸送
層、電子輸送層および発光層からなる３層構造であって
もよい。また、モノクロ表示用として構成された有機Ｅ
Ｌ表示装置に対しても本願発明の技術思想を適用可能す
ることができる。In this embodiment, the organic EL display device in which the organic layer is composed of the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer and the hole injection layer has been described as an example. Various design changes are possible. For example, it may have a two-layer structure including a hole transport layer and a light emitting layer, or an electron transport layer and a light emitting layer, or a three layer structure including a hole transport layer, an electron transport layer and a light emitting layer. In addition, the organic E configured for monochrome display
The technical idea of the present invention can be applied to the L display device.
【００３１】本実施の形態においては、線順次方式によ
りパッシブ駆動される有機ＥＬ表示装置を例にとって説
明したが、その他の駆動方式を採用することも可能であ
る。In this embodiment, the organic EL display device driven passively by the line sequential method has been described as an example, but other driving methods can be adopted.
【図１】本願発明に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す
一部破断要部斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an example of an organic EL display device according to the present invention.
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the organic EL display device of FIG.
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG.
【図４】図２のIV−IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図５】従来の有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a main part of a conventional organic EL display device.
Ｘ 有機ＥＬ表示装置 １ 透明基板 ２ アノード ３ 有機層 ４ カソード X Organic EL display device 1 transparent substrate 2 anode 3 organic layers 4 cathode
Claims (4)
層、および複数のカソードがこの順序で積層され、かつ
上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基板
を透過してから出射するように構成された有機ＥＬ表示
装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも仕
事関数が大きい非酸化物である金属材料により、厚みが
２０ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする、有機
ＥＬ表示装置。1. A plurality of anodes, an organic layer, and a plurality of cathodes are stacked in this order on a transparent substrate, and light from the organic layer is transmitted through the anode and the transparent substrate before being emitted. 2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the anode has a thickness of 20 nm or less made of a non-oxide metal material having a work function larger than that of the cathode. Display device.
以上である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。2. The work function of the metal material is 4.5 eV.
The organic EL display device according to claim 1, which is as described above.
ｕから選ばれる、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表
示装置。3. The metal material is Au, Ag, or C.
The organic EL display device according to claim 1, which is selected from u.
求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。4. The organic EL display device according to claim 1, which is configured to be passively driven.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A JP2003031375A (en) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | Organic el display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A JP2003031375A (en) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | Organic el display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031375A true JP2003031375A (en) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A Pending JP2003031375A (en) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | Organic el display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031375A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768506B1 (en) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
| US9722201B2 (en) | 2001-08-31 | 2017-08-01 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (en) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | Organic electroluminescent element and it manufacture |
| JPH10308286A (en) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic EL light emitting device |
| JP2001076884A (en) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | Organic el panel |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215264A patent/JP2003031375A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (en) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | Organic electroluminescent element and it manufacture |
| JPH10308286A (en) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic EL light emitting device |
| JP2001076884A (en) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | Organic el panel |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9722201B2 (en) | 2001-08-31 | 2017-08-01 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
| US10020460B2 (en) | 2001-08-31 | 2018-07-10 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
| US10522781B2 (en) | 2001-08-31 | 2019-12-31 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
| KR100768506B1 (en) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4734368B2 (en) | Organic light emitting display | |
| CN100364136C (en) | Organic Light Emitting Devices and Displays | |
| US8507314B2 (en) | Organic light emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR101356096B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP5094477B2 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same | |
| JP4181795B2 (en) | Electroluminescence element | |
| US20120235131A1 (en) | Organic electroluminescence element, manufacturing method thereof, and organic electroluminescence display device | |
| JP2003077651A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
| KR100571949B1 (en) | Electroluminesence display device | |
| JPH11297477A (en) | Organic EL color display | |
| JP2002260843A (en) | Organic light emitting devices | |
| JP4718768B2 (en) | Light emitting device | |
| JP4647134B2 (en) | Organic EL display device | |
| JP2001076882A (en) | Organic EL element, method for producing the same, and display device | |
| US20060250079A1 (en) | Intermediate layers treated by cf4-plasma for stacked organic light-emitting devices | |
| JP7672808B2 (en) | Self-luminous element and self-luminous display panel | |
| JP3143362B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP2002343555A (en) | Organic el display device | |
| JP2003115393A (en) | Organic electroluminescence element, method of manufacturing the same, and image display device | |
| JP2000048964A (en) | Organic el display | |
| JP2002260858A (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP2000082582A (en) | Manufacturing method of organic EL display | |
| JP3143350B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| KR101259532B1 (en) | White organic light-emitting diode with two organic layers and method of manufacturing the same | |
| JPH11312584A (en) | Organic el element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111129 |