JP2003031132A - パターン加工物およびその製造方法 - Google Patents
パターン加工物およびその製造方法Info
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- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程数で、深さの異なる加工パターン
を一括形成する製造方法と、深さと幅とが滑らかに変化
するＵ字型の断面形状を有する加工パターンとを提供す
る。 【解決手段】 半円形の断面形状のマスクパターン６２
とＶ字形の断面形状のマスクパターン６５とを、それぞ
れ、異なる開口幅６３、６４を持って形成し、マスクパ
ターン６２、６５をマスクとしてサンドブラスト加工を
行う。半円形の断面形状のマスクパターン６２間には深
い溝が形成されるが、Ｖ字形の断面形状のマスクパター
ン６５間では浅い溝が形成される。
を一括形成する製造方法と、深さと幅とが滑らかに変化
するＵ字型の断面形状を有する加工パターンとを提供す
る。 【解決手段】 半円形の断面形状のマスクパターン６２
とＶ字形の断面形状のマスクパターン６５とを、それぞ
れ、異なる開口幅６３、６４を持って形成し、マスクパ
ターン６２、６５をマスクとしてサンドブラスト加工を
行う。半円形の断面形状のマスクパターン６２間には深
い溝が形成されるが、Ｖ字形の断面形状のマスクパター
ン６５間では浅い溝が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン加工物お
よびその製造方法に関し、特にプラズマディスプレイの
放電セルの隔壁および隔壁に形成される溝などのパター
ン加工物と、噴射流を用いる研磨加工法によるその製造
方法に関するものである。
よびその製造方法に関し、特にプラズマディスプレイの
放電セルの隔壁および隔壁に形成される溝などのパター
ン加工物と、噴射流を用いる研磨加工法によるその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】噴射流を用いた代表的な研磨加工法とし
て、空気と研磨剤を用いた固気２相流のサンドブラスト
法が一般的に使用されている。加工表面上にマスクパタ
ーンを形成後、サンドブラストによりパターン加工を行
う代表的な加工物としては、プラズマディスプレイパネ
ルやＰＡＬＣ（プラズマアドレス液晶）ディスプレイパ
ネルなどの表示パネルの基板上に形成される放電セルパ
ターンが知られている。その際、高さの異なる複数の加
工パターンの形成を必要とする場合が少なくない。
て、空気と研磨剤を用いた固気２相流のサンドブラスト
法が一般的に使用されている。加工表面上にマスクパタ
ーンを形成後、サンドブラストによりパターン加工を行
う代表的な加工物としては、プラズマディスプレイパネ
ルやＰＡＬＣ（プラズマアドレス液晶）ディスプレイパ
ネルなどの表示パネルの基板上に形成される放電セルパ
ターンが知られている。その際、高さの異なる複数の加
工パターンの形成を必要とする場合が少なくない。
【０００３】例えば、特開2000-123747号公報に、基板
上に浅い加工パターン用の被加工材とマスクパターンを
形成後、その上にさらに深い加工パターン用の被加工材
とマスクパターンを再度形成した後、サンドブラストを
行い、表示パネルの基板上に深さの異なる加工パターン
を形成する方法が開示されている。また、特開平7-2827
30号公報には、マスクパターン形成とサンドブラスト加
工と乾燥とを交互に繰り返し、浅い加工パターンのうち
の一部の上にさらに加工パターンを積み重ねることによ
って、浅い加工パターンと深い加工パターンとを形成す
る方法が開示されている。
上に浅い加工パターン用の被加工材とマスクパターンを
形成後、その上にさらに深い加工パターン用の被加工材
とマスクパターンを再度形成した後、サンドブラストを
行い、表示パネルの基板上に深さの異なる加工パターン
を形成する方法が開示されている。また、特開平7-2827
30号公報には、マスクパターン形成とサンドブラスト加
工と乾燥とを交互に繰り返し、浅い加工パターンのうち
の一部の上にさらに加工パターンを積み重ねることによ
って、浅い加工パターンと深い加工パターンとを形成す
る方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術のいずれによるパターン加工物ならびにその製
造方法においても、基板上への被加工材の塗布工程とマ
スクパターンの形成工程を複数回繰り返す必要があり、
工程数が増加するという問題点ならびに浅い加工パター
ンと深い加工パターンとの位置合わせが困難になるとい
う問題点を有している。さらに、後者の従来技術では、
サンドブラストによる研磨工程も複数回必要となるとい
う問題点をも有している。
従来技術のいずれによるパターン加工物ならびにその製
造方法においても、基板上への被加工材の塗布工程とマ
スクパターンの形成工程を複数回繰り返す必要があり、
工程数が増加するという問題点ならびに浅い加工パター
ンと深い加工パターンとの位置合わせが困難になるとい
う問題点を有している。さらに、後者の従来技術では、
サンドブラストによる研磨工程も複数回必要となるとい
う問題点をも有している。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、複数のマスク形成工程を伴うこ
となく、少ない工程数で深さの異なる加工パターンを一
括して製造できる製造方法とそれによって製造されるパ
ターン加工物とを提供することにある。
であって、その目的は、複数のマスク形成工程を伴うこ
となく、少ない工程数で深さの異なる加工パターンを一
括して製造できる製造方法とそれによって製造されるパ
ターン加工物とを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、複数の部屋が隔壁によって隔てら
れ、かつ、隔壁に形成された溝によって各部屋間が連結
されているパターン加工物であって、前記溝の底面がＵ
字状に形成されていることを特徴とするパターン加工
物、が提供される。そして、好ましくは、前記溝は、部
屋間の中心から部屋に向かって徐々に深くなっている。
また、好ましくは、前記溝の幅は、滑らかに変化してい
る。また、本発明によれば、（１）基板上に被加工物を
形成する工程と、（２）前記被加工物上にマスクパター
ンを形成する工程と、（３）前記マスクパターンをマス
クとして、前記被加工物を粘性流を用いた研磨加工法に
て加工する工程と、を備え、少なくとも２つの深さの異
なる加工パターンを同時に形成することを特徴とするパ
ターン加工物の製造方法、が提供される。
め、本発明によれば、複数の部屋が隔壁によって隔てら
れ、かつ、隔壁に形成された溝によって各部屋間が連結
されているパターン加工物であって、前記溝の底面がＵ
字状に形成されていることを特徴とするパターン加工
物、が提供される。そして、好ましくは、前記溝は、部
屋間の中心から部屋に向かって徐々に深くなっている。
また、好ましくは、前記溝の幅は、滑らかに変化してい
る。また、本発明によれば、（１）基板上に被加工物を
形成する工程と、（２）前記被加工物上にマスクパター
ンを形成する工程と、（３）前記マスクパターンをマス
クとして、前記被加工物を粘性流を用いた研磨加工法に
て加工する工程と、を備え、少なくとも２つの深さの異
なる加工パターンを同時に形成することを特徴とするパ
ターン加工物の製造方法、が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する前
に、本発明の原理とその技術背景を説明する。本発明者
は鋭意研究の結果、サンドブラストのような噴射加工を
流体力学を用いて説明することにより、流体と研磨材よ
りなる粘性流の流速分布が被加工物の加工形状に直接影
響することを見出し、また、被加工物を加工するための
マスクパターンの開口幅とマスクパターンの断面形状と
により剥離流の影響が及ぶ最大距離が調整可能であるこ
とを確認し、この現象を利用することによって深さの異
なる加工パターンを一括して形成することに成功した。
図１は、本発明の技術背景を説明するための断面図であ
る。また、図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜図６
（ｂ）は、本発明の原理を説明するための断面図であ
る。図１に示されるように、流体力学において、一様に
流れている粘性流６中に、粘性流６の流れ方向に対して
垂直に有限な大きさの平面５が存在すると、粘性流６の
流れは、平面５の中心付近（淀み点）で放射状に分離
し、平面５に沿って流れた後、平面５端部で粘性流６の
流れ方向に対して垂直な流れ成分を持つ剥離流７と呼ば
れる流れとして放出される。剥離流７が放出される平面
５端部は、剥離点３と呼ばれる。剥離流７は一定の流速
で剥離点３から放出された後、上流より流れてきた一様
な粘性流６と合流する。剥離点３近傍で剥離流７と合流
した粘性流６Ａの流速は、剥離流７の影響を受けて著し
く減速される。しかし、剥離点３から紙面左右方向に離
れるにつれて剥離流７の影響は徐々に少なくなり、最終
的に、ある地点において平面５に到達する前の一様な粘
性流６の流速と等しくなる。即ち、一様な粘性流中に物
体が存在すると剥離流が発生し、物体の近傍を流れる粘
性流に速度勾配が生じる。本発明においては、上記の剥
離流の影響がなくなり、物体の近傍を流れる粘性流の流
速が、一様な粘性流の流速と等しくなる地点を剥離流の
最大影響点１、剥離点から剥離流の最大影響点１までの
紙面左右方向の距離を剥離流の最大影響距離２と定義す
る。上記の説明で用いた一様な粘性流と有限な大きさの
平面とは、サンドブラスト加工において、それぞれ、圧
送エアーと研磨剤よりなる固気２相流と、サンドブラス
ト用の表面が平坦なマスクとに相当する。
に、本発明の原理とその技術背景を説明する。本発明者
は鋭意研究の結果、サンドブラストのような噴射加工を
流体力学を用いて説明することにより、流体と研磨材よ
りなる粘性流の流速分布が被加工物の加工形状に直接影
響することを見出し、また、被加工物を加工するための
マスクパターンの開口幅とマスクパターンの断面形状と
により剥離流の影響が及ぶ最大距離が調整可能であるこ
とを確認し、この現象を利用することによって深さの異
なる加工パターンを一括して形成することに成功した。
図１は、本発明の技術背景を説明するための断面図であ
る。また、図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜図６
（ｂ）は、本発明の原理を説明するための断面図であ
る。図１に示されるように、流体力学において、一様に
流れている粘性流６中に、粘性流６の流れ方向に対して
垂直に有限な大きさの平面５が存在すると、粘性流６の
流れは、平面５の中心付近（淀み点）で放射状に分離
し、平面５に沿って流れた後、平面５端部で粘性流６の
流れ方向に対して垂直な流れ成分を持つ剥離流７と呼ば
れる流れとして放出される。剥離流７が放出される平面
５端部は、剥離点３と呼ばれる。剥離流７は一定の流速
で剥離点３から放出された後、上流より流れてきた一様
な粘性流６と合流する。剥離点３近傍で剥離流７と合流
した粘性流６Ａの流速は、剥離流７の影響を受けて著し
く減速される。しかし、剥離点３から紙面左右方向に離
れるにつれて剥離流７の影響は徐々に少なくなり、最終
的に、ある地点において平面５に到達する前の一様な粘
性流６の流速と等しくなる。即ち、一様な粘性流中に物
体が存在すると剥離流が発生し、物体の近傍を流れる粘
性流に速度勾配が生じる。本発明においては、上記の剥
離流の影響がなくなり、物体の近傍を流れる粘性流の流
速が、一様な粘性流の流速と等しくなる地点を剥離流の
最大影響点１、剥離点から剥離流の最大影響点１までの
紙面左右方向の距離を剥離流の最大影響距離２と定義す
る。上記の説明で用いた一様な粘性流と有限な大きさの
平面とは、サンドブラスト加工において、それぞれ、圧
送エアーと研磨剤よりなる固気２相流と、サンドブラス
ト用の表面が平坦なマスクとに相当する。
【０００８】サンドブラスト加工時、粘性流がマスクの
高さまで流れてくると、粘性流の紙面上下方向の流速
は、マスク端部から放出された速度の遅い剥離流の合流
により、マスク端部で小さく、マスク端部から離れるに
従って大きくなり、剥離流の影響のなくなる剥離流の最
大影響点1において、マスクに到達する前の一様な固気
２相流の流速と等しくなるという流速分布を持つ。この
とき、マスクより下流に被加工物があれば、研磨レート
は流速に比例するため、マスク端部近傍の研磨レートは
低く、紙面左右方向のマスクとの距離が大きくなるに従
って徐々に研磨レートは高くなり、剥離流の最大影響点
1を過ぎると研磨レートは一定となる。これにより被加
工物の断面形状は、裾野４を引いた富士山型となる。
高さまで流れてくると、粘性流の紙面上下方向の流速
は、マスク端部から放出された速度の遅い剥離流の合流
により、マスク端部で小さく、マスク端部から離れるに
従って大きくなり、剥離流の影響のなくなる剥離流の最
大影響点1において、マスクに到達する前の一様な固気
２相流の流速と等しくなるという流速分布を持つ。この
とき、マスクより下流に被加工物があれば、研磨レート
は流速に比例するため、マスク端部近傍の研磨レートは
低く、紙面左右方向のマスクとの距離が大きくなるに従
って徐々に研磨レートは高くなり、剥離流の最大影響点
1を過ぎると研磨レートは一定となる。これにより被加
工物の断面形状は、裾野４を引いた富士山型となる。
【０００９】次に、図２を参照して、マスク形状が剥離
流と剥離流の最大影響距離とに及ぼす効果について説明
する。マスク上面が平坦な場合、すなわちマスク断面形
状が矩形の場合、剥離流７Ｂは、マスク端部の剥離点３
Ｂから水平方向に噴出されて固気２相流の粘性流６Ｂと
合流するため、上述のようにある一定の剥離流の最大影
響距離２Ｂを持つ〔図２（ａ）〕。マスク断面形状がＶ
字溝形（またはＵ字溝形またはＷ字溝形）の場合、剥離
流７Ｃは、マスク端部の剥離点３Ｃで固気２相流の粘性
流６Ｃの流れ方向に逆らって斜め上方に噴出されるた
め、固気２相流の粘性流６Ｃの流速は著しく減速され、
剥離流の最大影響距離２Ｃは、マスク断面形状が矩形の
場合に比して長くなる〔図２（ｂ）〕。マスク断面形状
が三角形の場合、剥離流７Ｄは三角形の傾斜に沿った斜
め下に噴出され、剥離流の最大影響距離２Ｄは、マスク
断面形状が矩形の場合に比して短くなる〔図２
（ｃ）〕。マスクの断面形状が半円形の場合、剥離流７
Ｅは下方に発生するため、剥離流の最大影響距離２Ｅは
更に短くなり、できたパターン加工物の形状は富士山型
から柱状に近づく。
流と剥離流の最大影響距離とに及ぼす効果について説明
する。マスク上面が平坦な場合、すなわちマスク断面形
状が矩形の場合、剥離流７Ｂは、マスク端部の剥離点３
Ｂから水平方向に噴出されて固気２相流の粘性流６Ｂと
合流するため、上述のようにある一定の剥離流の最大影
響距離２Ｂを持つ〔図２（ａ）〕。マスク断面形状がＶ
字溝形（またはＵ字溝形またはＷ字溝形）の場合、剥離
流７Ｃは、マスク端部の剥離点３Ｃで固気２相流の粘性
流６Ｃの流れ方向に逆らって斜め上方に噴出されるた
め、固気２相流の粘性流６Ｃの流速は著しく減速され、
剥離流の最大影響距離２Ｃは、マスク断面形状が矩形の
場合に比して長くなる〔図２（ｂ）〕。マスク断面形状
が三角形の場合、剥離流７Ｄは三角形の傾斜に沿った斜
め下に噴出され、剥離流の最大影響距離２Ｄは、マスク
断面形状が矩形の場合に比して短くなる〔図２
（ｃ）〕。マスクの断面形状が半円形の場合、剥離流７
Ｅは下方に発生するため、剥離流の最大影響距離２Ｅは
更に短くなり、できたパターン加工物の形状は富士山型
から柱状に近づく。
【００１０】次に、一様に流れている固気２相流の粘性
流の流れ方向に対して垂直にライン状のマスクパターン
が２本並んで存在する場合について説明する。図３〜図
６は、２本のライン状のマスクパターンの開口幅を狭め
たときにできるパターン加工物の断面図である。各図に
おいて、（ａ）は断面形状が矩形のマスクパターンを用
いた場合の断面を、（ｂ）は断面形状が三角形のマスク
パターンを用いた場合の断面を、それぞれ、示してい
る。両マスクパターン間の開口幅が、剥離流の最大影響
距離以上離れている場合、被加工物の断面形状は裾野の
広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状となる〔図３
（ａ）、図３（ｂ）〕。両マスクパターン間の開口幅を
狭めていくと、断面形状が矩形のマスクパターンを用い
た場合、その開口幅が剥離流の最大影響距離に等しくな
ったときに、被加工物の断面形状はＵ字溝形状となる
〔図４（ａ）〕。一方、断面形状が三角形のマスクパタ
ーンを用いた場合は、その剥離流の最大影響距離が、断
面形状が矩形のマスクパターンを用いた場合よりも短い
ので、被加工物の断面形状は依然として鍋底形状のまま
である〔図４（ｂ）〕。さらに開口幅を狭めていくと、
断面形状が矩形のマスクパターンを用いた場合、開口幅
が剥離流の最大影響距離の２倍以下になり、一方のマス
クパターンの端部から放出される剥離流が他方のマスク
パターンの下の被加工物に対する粘性流にまで影響を与
えるようになり、その部分の被加工物の研磨レートがさ
らに減少し、被加工物の断面形状は裾が詰まった富士山
型が二つ並んだＶ字溝に近いＵ字溝の断面形状となり、
また、加工の深さが浅くなる〔図５（ａ）〕。一方、断
面形状が三角形のマスクパターンを用いた場合は、被加
工物の断面形状は依然として鍋底形状のままか、やっと
Ｕ字溝形状に達する状態である〔図５（ｂ）〕。さらに
開口幅を狭めていくと、断面形状が矩形のマスクパター
ンを用いた場合、被加工物の断面形状の裾野がますます
詰まり、加工の深さがますます浅くなる〔図６
（ａ）〕。一方、断面形状が三角形のマスクパターンを
用いた場合は、被加工物の加工の深さがやっと浅くなり
はじめる段階である〔図６（ｂ）〕。以上のように、マ
スクパターンの断面形状および／またはマスクパターン
間の開口幅を調整することによって、被加工物を種々の
深さに加工することが可能である。
流の流れ方向に対して垂直にライン状のマスクパターン
が２本並んで存在する場合について説明する。図３〜図
６は、２本のライン状のマスクパターンの開口幅を狭め
たときにできるパターン加工物の断面図である。各図に
おいて、（ａ）は断面形状が矩形のマスクパターンを用
いた場合の断面を、（ｂ）は断面形状が三角形のマスク
パターンを用いた場合の断面を、それぞれ、示してい
る。両マスクパターン間の開口幅が、剥離流の最大影響
距離以上離れている場合、被加工物の断面形状は裾野の
広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状となる〔図３
（ａ）、図３（ｂ）〕。両マスクパターン間の開口幅を
狭めていくと、断面形状が矩形のマスクパターンを用い
た場合、その開口幅が剥離流の最大影響距離に等しくな
ったときに、被加工物の断面形状はＵ字溝形状となる
〔図４（ａ）〕。一方、断面形状が三角形のマスクパタ
ーンを用いた場合は、その剥離流の最大影響距離が、断
面形状が矩形のマスクパターンを用いた場合よりも短い
ので、被加工物の断面形状は依然として鍋底形状のまま
である〔図４（ｂ）〕。さらに開口幅を狭めていくと、
断面形状が矩形のマスクパターンを用いた場合、開口幅
が剥離流の最大影響距離の２倍以下になり、一方のマス
クパターンの端部から放出される剥離流が他方のマスク
パターンの下の被加工物に対する粘性流にまで影響を与
えるようになり、その部分の被加工物の研磨レートがさ
らに減少し、被加工物の断面形状は裾が詰まった富士山
型が二つ並んだＶ字溝に近いＵ字溝の断面形状となり、
また、加工の深さが浅くなる〔図５（ａ）〕。一方、断
面形状が三角形のマスクパターンを用いた場合は、被加
工物の断面形状は依然として鍋底形状のままか、やっと
Ｕ字溝形状に達する状態である〔図５（ｂ）〕。さらに
開口幅を狭めていくと、断面形状が矩形のマスクパター
ンを用いた場合、被加工物の断面形状の裾野がますます
詰まり、加工の深さがますます浅くなる〔図６
（ａ）〕。一方、断面形状が三角形のマスクパターンを
用いた場合は、被加工物の加工の深さがやっと浅くなり
はじめる段階である〔図６（ｂ）〕。以上のように、マ
スクパターンの断面形状および／またはマスクパターン
間の開口幅を調整することによって、被加工物を種々の
深さに加工することが可能である。
【００１１】次に、本発明の実施の形態について図面を
参照して詳細に説明する。図７〜図１１は、本発明の製
造方法において用いられるマスクパターンの断面図
〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作製するための露光
用マスクの平面図〔（ａ）〕である。本実施の形態にお
いては、サンドブラストによって被加工物を加工する際
のマスクパターンをフォトリソグラフィー技術によって
作製するための露光マスクが製造される。本実施の形態
のマスクパターン作製用露光マスクは、マスクパターン
露光部に複数のスリット状の孔を有している。ここで、
マスクパターンを形成するレジスト材料としてネガ型の
ものを想定している。ポジ型のレジスト材料を用いるの
であれば、以下に説明する露光用マスクに形成されるス
リットの疎密の位置を反転させればよい。最初に、断面
形状がＶ字溝形のマスクパターン〔図７（ｂ）〕を形成
する露光マスク〔図７（ａ）〕について説明する。図７
（ａ）に示されるように、断面形状がＶ字溝形のマスク
パターンを形成する露光マスクは、遮光体１０に多数の
スリット１１を形成することによって構成されている。
スリット１１の幅は一定であるが、その空間密度が、遮
光体１０の紙面左右方向の中央から外側に向かって高く
なっている。断面形状がＶ字溝形のマスクパターンを形
成する露光マスクとしては、遮光体１０の紙面左右方向
の中央から外側に向かって距離に比例してスリット１１
の形成される空間密度を高くするのが適当である。図８
（ｂ）に示す断面形状がＵ字溝形のマスクパターンを形
成する露光マスクとしては、図８（ａ）に示されるよう
に、遮光体１２の紙面左右方向の外側から中央に向かっ
て距離の１／２乗に反比例してスリット１３の形成され
る空間密度を低くするのが適当である。図９（ｂ）に示
す断面形状がＷ字溝形のマスクパターンを形成する露光
マスクとしては、図９（ａ）に示されるように、図７
（ａ）に示される断面形状がＶ字溝形のマスクパターン
を形成する露光マスクを紙面左右方向に２つ並べたよう
なスリット配列が適当である。図１０（ｂ）に示す断面
形状が三角形のマスクパターンを形成する露光マスクと
しては、図１０（ａ）に示されるように、遮光体１６の
紙面左右方向の外側から中央に向かって距離に比例して
スリット１７の形成される空間密度を高くするのが適当
である。図１１（ｂ）に示す断面形状が半円形のマスク
パターンを形成する露光マスクとしては、図１１（ａ）
に示されるように、遮光体１８の紙面左右方向の外側か
ら中央に向かって距離の１／２乗から１／５乗程度まで
の冪に比例してスリット１９の形成される空間密度を高
くするのが適当である。ここで、上記で用いた、紙面左
右方向の外側から中央に向かっての、あるいは、中央か
ら外側に向かっての距離とは、紙面左右方向の外側端と
中央との距離で正規化した距離のことである。
参照して詳細に説明する。図７〜図１１は、本発明の製
造方法において用いられるマスクパターンの断面図
〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作製するための露光
用マスクの平面図〔（ａ）〕である。本実施の形態にお
いては、サンドブラストによって被加工物を加工する際
のマスクパターンをフォトリソグラフィー技術によって
作製するための露光マスクが製造される。本実施の形態
のマスクパターン作製用露光マスクは、マスクパターン
露光部に複数のスリット状の孔を有している。ここで、
マスクパターンを形成するレジスト材料としてネガ型の
ものを想定している。ポジ型のレジスト材料を用いるの
であれば、以下に説明する露光用マスクに形成されるス
リットの疎密の位置を反転させればよい。最初に、断面
形状がＶ字溝形のマスクパターン〔図７（ｂ）〕を形成
する露光マスク〔図７（ａ）〕について説明する。図７
（ａ）に示されるように、断面形状がＶ字溝形のマスク
パターンを形成する露光マスクは、遮光体１０に多数の
スリット１１を形成することによって構成されている。
スリット１１の幅は一定であるが、その空間密度が、遮
光体１０の紙面左右方向の中央から外側に向かって高く
なっている。断面形状がＶ字溝形のマスクパターンを形
成する露光マスクとしては、遮光体１０の紙面左右方向
の中央から外側に向かって距離に比例してスリット１１
の形成される空間密度を高くするのが適当である。図８
（ｂ）に示す断面形状がＵ字溝形のマスクパターンを形
成する露光マスクとしては、図８（ａ）に示されるよう
に、遮光体１２の紙面左右方向の外側から中央に向かっ
て距離の１／２乗に反比例してスリット１３の形成され
る空間密度を低くするのが適当である。図９（ｂ）に示
す断面形状がＷ字溝形のマスクパターンを形成する露光
マスクとしては、図９（ａ）に示されるように、図７
（ａ）に示される断面形状がＶ字溝形のマスクパターン
を形成する露光マスクを紙面左右方向に２つ並べたよう
なスリット配列が適当である。図１０（ｂ）に示す断面
形状が三角形のマスクパターンを形成する露光マスクと
しては、図１０（ａ）に示されるように、遮光体１６の
紙面左右方向の外側から中央に向かって距離に比例して
スリット１７の形成される空間密度を高くするのが適当
である。図１１（ｂ）に示す断面形状が半円形のマスク
パターンを形成する露光マスクとしては、図１１（ａ）
に示されるように、遮光体１８の紙面左右方向の外側か
ら中央に向かって距離の１／２乗から１／５乗程度まで
の冪に比例してスリット１９の形成される空間密度を高
くするのが適当である。ここで、上記で用いた、紙面左
右方向の外側から中央に向かっての、あるいは、中央か
ら外側に向かっての距離とは、紙面左右方向の外側端と
中央との距離で正規化した距離のことである。
【００１２】以上の本実施の形態においては、スリット
の幅を一定にし、その空間密度に分布を与えることによ
って露光マスクを形成したが、スリットの空間密度を一
定にして、スリット幅に分布を持たせてもよい。即ち、
上述の露光マスクにおける空間密度の高さをスリット幅
の広さに置き換えて、スリットを形成すればよい。これ
により、上述の露光マスクと同様の効果を持つ露光マス
クの製造が可能である。あるいは、スリット幅とスリッ
トの空間密度との両方に分布を持たせてもよい。また、
露光マスクの基板を半透明の基板とし、その半透明の基
板に位置に応じて深さの異なる複数の溝を形成してもよ
い。即ち、上述の露光マスクにおける空間密度の高さを
溝の深さに置き換えて、スリット状の溝を形成すればよ
い。あるいは、Ｃｒなどの遮光膜材料の膜厚を変化させ
ることにより同様の効果を得るようにしてもよい。この
ような露光マスクによっても、サンドブラスト加工用マ
スク母材への露光量を、そのマスク母材の位置に応じて
制御して、上述の断面形状を持つマスクパターンを形成
することが可能である。
の幅を一定にし、その空間密度に分布を与えることによ
って露光マスクを形成したが、スリットの空間密度を一
定にして、スリット幅に分布を持たせてもよい。即ち、
上述の露光マスクにおける空間密度の高さをスリット幅
の広さに置き換えて、スリットを形成すればよい。これ
により、上述の露光マスクと同様の効果を持つ露光マス
クの製造が可能である。あるいは、スリット幅とスリッ
トの空間密度との両方に分布を持たせてもよい。また、
露光マスクの基板を半透明の基板とし、その半透明の基
板に位置に応じて深さの異なる複数の溝を形成してもよ
い。即ち、上述の露光マスクにおける空間密度の高さを
溝の深さに置き換えて、スリット状の溝を形成すればよ
い。あるいは、Ｃｒなどの遮光膜材料の膜厚を変化させ
ることにより同様の効果を得るようにしてもよい。この
ような露光マスクによっても、サンドブラスト加工用マ
スク母材への露光量を、そのマスク母材の位置に応じて
制御して、上述の断面形状を持つマスクパターンを形成
することが可能である。
【００１３】図１２（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法
を説明するための工程順の断面図である。本実施の形態
では、マスク基材としてサンドブラストに耐性を持つ厚
さ４０μｍドライフイルムレジストを使用した。また、
サンドブラストの研磨剤として炭酸カルシウムを、被加
工物としてガラスとフイラーの混合ペーストを用いた。
を説明するための工程順の断面図である。本実施の形態
では、マスク基材としてサンドブラストに耐性を持つ厚
さ４０μｍドライフイルムレジストを使用した。また、
サンドブラストの研磨剤として炭酸カルシウムを、被加
工物としてガラスとフイラーの混合ペーストを用いた。
【００１４】まず、ガラス基板２０上にガラスとフイラ
ーの混合ペーストを塗布し乾燥させて被加工物２１を形
成した後、平坦なドライフイルムレジストを圧着して貼
り付けてレジスト層２２とし、このレジスト層２２の上
に露光マスク２３を密着した後、露光マスク２３をマス
クとして、レジスト層２２のＵＶ光による露光を行う
〔図１２（ａ）〕。次に、これを現像することによっ
て、ドライフイルムレジストよりなるマスクパターン２
４を得る。現像は、０．２重量％炭酸ナトリウム水溶液
を低圧で吹きつけて行った。次いで、このマスクパター
ン２４をマスクとして被加工物２１にサンドブラスト加
工を施して〔図１２（ｂ）〕、パターン加工物２５を形
成する。次に、マスクパターンを除去して、本発明のパ
ターン加工物の製造工程を完了する〔図１２（ｃ）〕。
露光マスクとして第1の実施の形態に示された種々のパ
ターンを使用し、また、露光マスクパターンの間隔を種
々に選択することによって、種々の深さや断面形状を持
つパターン加工物の製造が可能になる。
ーの混合ペーストを塗布し乾燥させて被加工物２１を形
成した後、平坦なドライフイルムレジストを圧着して貼
り付けてレジスト層２２とし、このレジスト層２２の上
に露光マスク２３を密着した後、露光マスク２３をマス
クとして、レジスト層２２のＵＶ光による露光を行う
〔図１２（ａ）〕。次に、これを現像することによっ
て、ドライフイルムレジストよりなるマスクパターン２
４を得る。現像は、０．２重量％炭酸ナトリウム水溶液
を低圧で吹きつけて行った。次いで、このマスクパター
ン２４をマスクとして被加工物２１にサンドブラスト加
工を施して〔図１２（ｂ）〕、パターン加工物２５を形
成する。次に、マスクパターンを除去して、本発明のパ
ターン加工物の製造工程を完了する〔図１２（ｃ）〕。
露光マスクとして第1の実施の形態に示された種々のパ
ターンを使用し、また、露光マスクパターンの間隔を種
々に選択することによって、種々の深さや断面形状を持
つパターン加工物の製造が可能になる。
【００１５】図１３は、本発明の製造方法におけるマス
クパターンの開口幅と加工深さとの関係を示す特性図で
ある。図１３は、断面形状が矩形のマスクパターンで得
られた特性図である。図１３に示されるように、断面形
状が矩形のマスクパターンの開口幅を１００μｍ以下か
ら徐々に増加させていくと、開口幅２２０μｍ近傍にお
いて加工深さが飽和する。したがって、本実施の形態に
おける断面形状が矩形のマスクパターンに対する剥離流
の最大影響距離は、開口幅２２０μｍの半分の１１０μ
ｍと推定できる。次に、断面形状が半円形、三角形、Ｕ
字溝形、Ｖ字溝形、Ｗ字溝形のマスクパターンを用いた
試料を作製して同様の測定を行い、それぞれのマスクパ
ターンの断面形状に対して剥離流の最大影響距離を算出
した。下記の表１に、それぞれの断面形状のマスクパタ
ーンに対して算出した剥離流の最大影響距離の値を示
す。
クパターンの開口幅と加工深さとの関係を示す特性図で
ある。図１３は、断面形状が矩形のマスクパターンで得
られた特性図である。図１３に示されるように、断面形
状が矩形のマスクパターンの開口幅を１００μｍ以下か
ら徐々に増加させていくと、開口幅２２０μｍ近傍にお
いて加工深さが飽和する。したがって、本実施の形態に
おける断面形状が矩形のマスクパターンに対する剥離流
の最大影響距離は、開口幅２２０μｍの半分の１１０μ
ｍと推定できる。次に、断面形状が半円形、三角形、Ｕ
字溝形、Ｖ字溝形、Ｗ字溝形のマスクパターンを用いた
試料を作製して同様の測定を行い、それぞれのマスクパ
ターンの断面形状に対して剥離流の最大影響距離を算出
した。下記の表１に、それぞれの断面形状のマスクパタ
ーンに対して算出した剥離流の最大影響距離の値を示
す。
【００１６】
【表１】
【００１７】上記の表１に示されるように、半円形、三
角形、矩形（平坦）、Ｕ字溝形（Ｖ字溝形）、Ｗ字溝形
の順で剥離流の最大影響距離が長くなる。以上の結果よ
り、種々のマスクパターンの断面形状の組み合わせによ
り、任意の開口幅と深さとの組合せの加工パターンを、
１枚の被加工物に同時に形成可能であることが分かる。
角形、矩形（平坦）、Ｕ字溝形（Ｖ字溝形）、Ｗ字溝形
の順で剥離流の最大影響距離が長くなる。以上の結果よ
り、種々のマスクパターンの断面形状の組み合わせによ
り、任意の開口幅と深さとの組合せの加工パターンを、
１枚の被加工物に同時に形成可能であることが分かる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。 〔第１の実施例〕図１４は、本発明の第１の実施例のパ
ターン加工物の断面図である。図１４に示す本実施例の
パターン加工物は、図１２を参照して説明した製造方法
によって製造された（第２〜第４の実施例についても同
じ）。マスクパターンの開口幅は２種類に設定し、領域
３３では３５０μｍ、領域３４では８０μｍである。図
１４に示すように、マスクパターン３２の開口幅が３５
０μｍの領域３３では、被加工物３１の断面は、裾の広
がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を有している。サ
ンドブラスト加工はガラス基板３０の表面まで及んでお
り、その加工の深さはサンドブラスト加工前の被加工物
の厚さに等しい。一方、マスクパターンの開口幅が８０
μｍの領域３４では、被加工物３１の断面は、裾野が詰
まった富士山型が二つ並んだＵ字型の溝を有する断面形
状となっている。この領域では、サンドブラスト加工は
ガラス基板３０の表面まで及んでおらず、その加工の深
さは前者の場合よりも浅くなる。したがって、同一のマ
スクパターンを用いても、マスクパターンの開口幅を調
整することによって、深さの異なる加工パターンを形成
することが可能である。このことは、また、平坦なマス
クパターンを用いてサンドブラストを行った場合には、
剥離流の最大影響距離が１７５μｍと４０μｍとの間に
あるということを意味している。
て詳細に説明する。 〔第１の実施例〕図１４は、本発明の第１の実施例のパ
ターン加工物の断面図である。図１４に示す本実施例の
パターン加工物は、図１２を参照して説明した製造方法
によって製造された（第２〜第４の実施例についても同
じ）。マスクパターンの開口幅は２種類に設定し、領域
３３では３５０μｍ、領域３４では８０μｍである。図
１４に示すように、マスクパターン３２の開口幅が３５
０μｍの領域３３では、被加工物３１の断面は、裾の広
がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を有している。サ
ンドブラスト加工はガラス基板３０の表面まで及んでお
り、その加工の深さはサンドブラスト加工前の被加工物
の厚さに等しい。一方、マスクパターンの開口幅が８０
μｍの領域３４では、被加工物３１の断面は、裾野が詰
まった富士山型が二つ並んだＵ字型の溝を有する断面形
状となっている。この領域では、サンドブラスト加工は
ガラス基板３０の表面まで及んでおらず、その加工の深
さは前者の場合よりも浅くなる。したがって、同一のマ
スクパターンを用いても、マスクパターンの開口幅を調
整することによって、深さの異なる加工パターンを形成
することが可能である。このことは、また、平坦なマス
クパターンを用いてサンドブラストを行った場合には、
剥離流の最大影響距離が１７５μｍと４０μｍとの間に
あるということを意味している。
【００１９】〔第２の実施例〕図１５は、本発明の第２
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、マスクパターンの開口幅を一定としながら、
矩形の断面形状のマスクパターンとＶ字溝形の断面形状
のマスクパターンとを組み合わせてパターン加工物が形
成された。マスクパターンの開口幅は、１２０μｍ一定
に設定した。図１５に示されるように、マスクパターン
の開口幅がどの領域においても１２０μｍ一定であるの
に、隣り合うマスクパターンの一方が矩形の断面形状の
マスクパターン４２である領域４３では、被加工物４１
の断面は裾の広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を
有している。サンドブラスト加工はガラス基板４０の表
面まで及んでおり、その加工の深さはサンドブラスト加
工前の被加工物の厚さに等しい。一方、隣り合うマスク
パターンのいずれもがＶ字溝形の断面形状のマスクパタ
ーン４５である領域４４では、被加工物４１の断面は、
裾野が詰まった富士山型が二つ並んだＵ字溝型の断面形
状を有している。サンドブラスト加工はガラス基板４０
の表面まで及んでおらず、その加工の深さは前者の場合
よりも浅くなる。本実施例においては、図１４に示した
第１の実施例の加工深さがマスクパターンの開口幅で制
御されていたのに対して、複数の異なる断面形状を持つ
マスクパターンを用いることによって、マスクパターン
の開口幅が一定でありながら、加工深さを変化させてい
る。
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、マスクパターンの開口幅を一定としながら、
矩形の断面形状のマスクパターンとＶ字溝形の断面形状
のマスクパターンとを組み合わせてパターン加工物が形
成された。マスクパターンの開口幅は、１２０μｍ一定
に設定した。図１５に示されるように、マスクパターン
の開口幅がどの領域においても１２０μｍ一定であるの
に、隣り合うマスクパターンの一方が矩形の断面形状の
マスクパターン４２である領域４３では、被加工物４１
の断面は裾の広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を
有している。サンドブラスト加工はガラス基板４０の表
面まで及んでおり、その加工の深さはサンドブラスト加
工前の被加工物の厚さに等しい。一方、隣り合うマスク
パターンのいずれもがＶ字溝形の断面形状のマスクパタ
ーン４５である領域４４では、被加工物４１の断面は、
裾野が詰まった富士山型が二つ並んだＵ字溝型の断面形
状を有している。サンドブラスト加工はガラス基板４０
の表面まで及んでおらず、その加工の深さは前者の場合
よりも浅くなる。本実施例においては、図１４に示した
第１の実施例の加工深さがマスクパターンの開口幅で制
御されていたのに対して、複数の異なる断面形状を持つ
マスクパターンを用いることによって、マスクパターン
の開口幅が一定でありながら、加工深さを変化させてい
る。
【００２０】〔第３の実施例〕図１６は、本発明の第３
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、マスクパターンの開口幅を一定としながら、
矩形の断面形状のマスクパターンと半円形の断面形状の
マスクパターンとを組み合わせてパターン加工物が形成
された。マスクパターンの開口幅は、８０μｍ一定に設
定された。図１６に示されるように、マスクパターンの
開口幅がどの領域においても８０μｍであるのに、隣り
合うマスクパターンの少なくとも一方が半円形の断面形
状のマスクパターン５２である領域５３では、被加工物
５１の断面は裾の広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形
状を有しており、その加工の深さはサンドブラスト加工
前の被加工物の厚さに等しい。一方、隣り合うマスクパ
ターンのいずれもが矩形の断面形状のマスクパターン５
５である領域５４では、被加工物の断面は裾野が詰まっ
た富士山型が二つ並んだＵ字の断面形状を有しており、
その加工の深さは前者の場合よりも浅くなり、加工底部
がガラス基板５０に達していない。したがって、現象的
には第２の実施例と同じであるが、第２の実施例よりも
高密度に被加工物をパターン化できる。
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、マスクパターンの開口幅を一定としながら、
矩形の断面形状のマスクパターンと半円形の断面形状の
マスクパターンとを組み合わせてパターン加工物が形成
された。マスクパターンの開口幅は、８０μｍ一定に設
定された。図１６に示されるように、マスクパターンの
開口幅がどの領域においても８０μｍであるのに、隣り
合うマスクパターンの少なくとも一方が半円形の断面形
状のマスクパターン５２である領域５３では、被加工物
５１の断面は裾の広がった富士山型が二つ並んだ鍋底形
状を有しており、その加工の深さはサンドブラスト加工
前の被加工物の厚さに等しい。一方、隣り合うマスクパ
ターンのいずれもが矩形の断面形状のマスクパターン５
５である領域５４では、被加工物の断面は裾野が詰まっ
た富士山型が二つ並んだＵ字の断面形状を有しており、
その加工の深さは前者の場合よりも浅くなり、加工底部
がガラス基板５０に達していない。したがって、現象的
には第２の実施例と同じであるが、第２の実施例よりも
高密度に被加工物をパターン化できる。
【００２１】〔第４の実施例〕図１７は、本発明の第４
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、半円形の断面形状のマスクパターンとＶ字溝
形の断面形状のマスクパターンとを組み合わせてパター
ン加工物が形成された。マスクパターンの開口幅は、半
円形の断面形状のマスクパターン間では９０μｍに、Ｖ
字溝形の断面形状のマスクパターン間では１２０μｍ
に、それぞれ、設定した。図１７に示されるように、隣
り合うマスクパターンの両方が半円形の断面形状のマス
クパターン６２である領域６３では、９０μｍのマスク
パターンの開口幅で、被加工物６１の断面は、裾野の広
がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を有しており、そ
の加工深さはサンドブラスト加工前の被加工物の厚さに
等しい。一方、隣り合うマスクパターンの少なくとも一
方がＶ字溝形の断面形状のマスクパターン６５である領
域６４では、１２０μｍのマスクパターンの開口幅で、
被加工物６１の断面は裾が詰まった富士山型が二つ並ん
だＵ字型の断面形状を有しており、その加工の深さは前
者の場合よりも浅くなり、加工底部がガラス基板６０に
達していない。したがって、本実施例においては、第３
の実施例が開口幅の広い深い加工パターンと開口幅の狭
い浅い加工パターンとの組合せを得るものであったのに
対して、開口幅の狭い深い加工パターンと開口幅の広い
浅い加工パターンとの組合せが得られる。
の実施例のパターン加工物の断面図である。本実施例に
おいては、半円形の断面形状のマスクパターンとＶ字溝
形の断面形状のマスクパターンとを組み合わせてパター
ン加工物が形成された。マスクパターンの開口幅は、半
円形の断面形状のマスクパターン間では９０μｍに、Ｖ
字溝形の断面形状のマスクパターン間では１２０μｍ
に、それぞれ、設定した。図１７に示されるように、隣
り合うマスクパターンの両方が半円形の断面形状のマス
クパターン６２である領域６３では、９０μｍのマスク
パターンの開口幅で、被加工物６１の断面は、裾野の広
がった富士山型が二つ並んだ鍋底形状を有しており、そ
の加工深さはサンドブラスト加工前の被加工物の厚さに
等しい。一方、隣り合うマスクパターンの少なくとも一
方がＶ字溝形の断面形状のマスクパターン６５である領
域６４では、１２０μｍのマスクパターンの開口幅で、
被加工物６１の断面は裾が詰まった富士山型が二つ並ん
だＵ字型の断面形状を有しており、その加工の深さは前
者の場合よりも浅くなり、加工底部がガラス基板６０に
達していない。したがって、本実施例においては、第３
の実施例が開口幅の広い深い加工パターンと開口幅の狭
い浅い加工パターンとの組合せを得るものであったのに
対して、開口幅の狭い深い加工パターンと開口幅の広い
浅い加工パターンとの組合せが得られる。
【００２２】〔第５の実施例〕図１８、図１９を参照し
て本発明の第５の実施例について説明する。本実施例に
おいては、プラズマディスプレイ表示パネルの放電空間
部と排気溝部とを構成するための隔壁を作製した。図１
８（ａ）、（ｂ）は本実施例の製造方法を説明するため
の工程順の斜視図である。図１９（ａ）は本実施例にお
ける表示パネルの放電空間部と排気溝部の平面図と断面
図、図１９（ｂ）は従来技術における表示パネルの放電
空間部と排気溝部の平面図と断面図である。図１８
（ａ）に示すように、まず、ガラス基板１０１上に、ガ
ラスとフイラーとの混合ペーストを塗布し乾燥させて被
加工物１０２を形成した後、サンドブラストに耐性を持
つ平坦なドライフイルムレジストを圧着して貼り付けて
レジスト層１０３とする。レジスト層１０３の厚さは４
０μｍである。次に、レジスト層１０３の上に露光マス
ク１０４を密着させる。露光マスク１０４は、紙面左右
方向の幅が広く紙面奥行き方向に長く伸びる露光マスク
パターン１０４Ａと、紙面左右方向の幅が狭くかつ紙面
奥行き方向に短い露光マスクパターン１０４Ｂと、の２
つのパターンの繰り返しから成る。この後の工程によっ
て、露光マスクパターン１０４Ａの直下の被加工物１０
２には、放電空間部となる深い溝が形成され、露光マス
クパターン１０４Ｂの直下の被加工物１０２には、排気
溝部となる浅い溝が形成される。ここで、露光マスクパ
ターン１０４Ａと露光マスクパターン１０４Ｂとは、ベ
タの遮光膜でもよいが、図７〜図１１の（ａ）に示した
ような、スリットの入った遮光膜パターンを用いること
もできる。本実施例においては、露光マスクパターン１
０４Ａには左右端部にスリットが入れられており、露光
マスクパターン１０４Ｂはベタの遮光膜とした。
て本発明の第５の実施例について説明する。本実施例に
おいては、プラズマディスプレイ表示パネルの放電空間
部と排気溝部とを構成するための隔壁を作製した。図１
８（ａ）、（ｂ）は本実施例の製造方法を説明するため
の工程順の斜視図である。図１９（ａ）は本実施例にお
ける表示パネルの放電空間部と排気溝部の平面図と断面
図、図１９（ｂ）は従来技術における表示パネルの放電
空間部と排気溝部の平面図と断面図である。図１８
（ａ）に示すように、まず、ガラス基板１０１上に、ガ
ラスとフイラーとの混合ペーストを塗布し乾燥させて被
加工物１０２を形成した後、サンドブラストに耐性を持
つ平坦なドライフイルムレジストを圧着して貼り付けて
レジスト層１０３とする。レジスト層１０３の厚さは４
０μｍである。次に、レジスト層１０３の上に露光マス
ク１０４を密着させる。露光マスク１０４は、紙面左右
方向の幅が広く紙面奥行き方向に長く伸びる露光マスク
パターン１０４Ａと、紙面左右方向の幅が狭くかつ紙面
奥行き方向に短い露光マスクパターン１０４Ｂと、の２
つのパターンの繰り返しから成る。この後の工程によっ
て、露光マスクパターン１０４Ａの直下の被加工物１０
２には、放電空間部となる深い溝が形成され、露光マス
クパターン１０４Ｂの直下の被加工物１０２には、排気
溝部となる浅い溝が形成される。ここで、露光マスクパ
ターン１０４Ａと露光マスクパターン１０４Ｂとは、ベ
タの遮光膜でもよいが、図７〜図１１の（ａ）に示した
ような、スリットの入った遮光膜パターンを用いること
もできる。本実施例においては、露光マスクパターン１
０４Ａには左右端部にスリットが入れられており、露光
マスクパターン１０４Ｂはベタの遮光膜とした。
【００２３】次に、露光マスク１０４をマスクとしてＵ
Ｖ光によるレジスト層１０３の露光、現像を行った後、
露光マスク１０４を除去することによって、マスク１１
３を形成した。マスク１１３は、紙面奥行き方向に長く
伸びるマスクパターン１１３Ａと、紙面奥行き方向に周
期的な間隔を置いてマスクパターン１１３Ａの左右から
突き出したマスクパターン１１３Ｂと、から成る。そし
て、マスクパターン１１３Ａにマスクパターン１１３Ｂ
が付加された部分では平坦なマスクパターンが形成され
（断面形状が矩形）、マスクパターン１１３Ａのみから
なる部分では断面形状が半円形に形成されている。
Ｖ光によるレジスト層１０３の露光、現像を行った後、
露光マスク１０４を除去することによって、マスク１１
３を形成した。マスク１１３は、紙面奥行き方向に長く
伸びるマスクパターン１１３Ａと、紙面奥行き方向に周
期的な間隔を置いてマスクパターン１１３Ａの左右から
突き出したマスクパターン１１３Ｂと、から成る。そし
て、マスクパターン１１３Ａにマスクパターン１１３Ｂ
が付加された部分では平坦なマスクパターンが形成され
（断面形状が矩形）、マスクパターン１１３Ａのみから
なる部分では断面形状が半円形に形成されている。
【００２４】次に、マスク１１３をマスクとして被加工
物１０２にサンドブラスト加工を施して、被加工物のパ
ターン化を行う。サンドブラストの研磨剤としては炭酸
カルシウムを用いた。次に、マスク１１３を除去して、
本実施例のプラズマディスプレイ表示パネルの放電空間
部と排気溝部とを構成するための隔壁の製造工程を完了
する。
物１０２にサンドブラスト加工を施して、被加工物のパ
ターン化を行う。サンドブラストの研磨剤としては炭酸
カルシウムを用いた。次に、マスク１１３を除去して、
本実施例のプラズマディスプレイ表示パネルの放電空間
部と排気溝部とを構成するための隔壁の製造工程を完了
する。
【００２５】マスクパターン１１３Ａは半円形の断面形
状を有するために、その剥離流の最大影響距離は短い。
また、隣接する２つのマスクパターン１１３Ａ間の間隔
は長い。したがって、マスクパターン１１３Ａにおける
剥離流の最大影響距離を２倍しても隣接する２つのマス
クパターン１１３Ａ間の間隔よりも短くなり、隣接する
２つのマスクパターン１１３Ａ間では、マスクパターン
１１３Ｂが突き出している部分を除いて、サンドブラス
ト加工による加工深さがガラス基板にまで及ぶ。この部
分が、放電空間部となる。一方、マスクパターン１１３
Ｂは矩形の断面形状を有するために、その剥離流の最大
影響距離は比較的長い。また、紙面左右方向に隣接する
２つのマスクパターン１１３Ｂ間の間隔は短い。したが
って、マスクパターン１１３Ｂにおける剥離流の最大影
響距離を２倍すると紙面左右方向に隣接する２つのマス
クパターン１１３Ｂ間の間隔よりも長くなるために、紙
面左右方向に隣接する２つのマスクパターン１１３Ｂ間
では、サンドブラスト加工による加工深さがガラス基板
まで及ばず、浅いものとなる。この部分が、排気溝部と
なる。
状を有するために、その剥離流の最大影響距離は短い。
また、隣接する２つのマスクパターン１１３Ａ間の間隔
は長い。したがって、マスクパターン１１３Ａにおける
剥離流の最大影響距離を２倍しても隣接する２つのマス
クパターン１１３Ａ間の間隔よりも短くなり、隣接する
２つのマスクパターン１１３Ａ間では、マスクパターン
１１３Ｂが突き出している部分を除いて、サンドブラス
ト加工による加工深さがガラス基板にまで及ぶ。この部
分が、放電空間部となる。一方、マスクパターン１１３
Ｂは矩形の断面形状を有するために、その剥離流の最大
影響距離は比較的長い。また、紙面左右方向に隣接する
２つのマスクパターン１１３Ｂ間の間隔は短い。したが
って、マスクパターン１１３Ｂにおける剥離流の最大影
響距離を２倍すると紙面左右方向に隣接する２つのマス
クパターン１１３Ｂ間の間隔よりも長くなるために、紙
面左右方向に隣接する２つのマスクパターン１１３Ｂ間
では、サンドブラスト加工による加工深さがガラス基板
まで及ばず、浅いものとなる。この部分が、排気溝部と
なる。
【００２６】図１９（ａ）は、こうしてできあがった隔
壁内の２つの放電空間部１０５と１つの排気溝部１０６
とを示す平面図とそのＸ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での断面図で
ある。Ｘ−Ｘ線での断面図から分かるように、溝のいず
れの部分においても排気溝底部１０７はＵ字形をなして
いる。加えて、マスクパターン１１３Ｂ端部の中央１１
５の直下の被加工物１０２の方が、マスクパターン１１
３Ｂ端部の頂点１１６の直下の被加工物１０２よりも、
サンドブラスト加工時に、紙面左右方向に対向するマス
クパターン１１３Ｂからの剥離流の影響を強く受けるた
めに、排気溝部の中央の方が、放電空間部近くよりも、
加工深さが浅くなる。これを、Ｙ−Ｙ線に沿う断面図で
見ると、排気溝底部１０７は、排気溝部の中央で最も高
く、放電空間部の内部に至って放電空間部の底面にまで
低くなる。全体としてみれば、排気溝底部１０７は、ち
ょうど馬の鞍のような形状をしている。
壁内の２つの放電空間部１０５と１つの排気溝部１０６
とを示す平面図とそのＸ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での断面図で
ある。Ｘ−Ｘ線での断面図から分かるように、溝のいず
れの部分においても排気溝底部１０７はＵ字形をなして
いる。加えて、マスクパターン１１３Ｂ端部の中央１１
５の直下の被加工物１０２の方が、マスクパターン１１
３Ｂ端部の頂点１１６の直下の被加工物１０２よりも、
サンドブラスト加工時に、紙面左右方向に対向するマス
クパターン１１３Ｂからの剥離流の影響を強く受けるた
めに、排気溝部の中央の方が、放電空間部近くよりも、
加工深さが浅くなる。これを、Ｙ−Ｙ線に沿う断面図で
見ると、排気溝底部１０７は、排気溝部の中央で最も高
く、放電空間部の内部に至って放電空間部の底面にまで
低くなる。全体としてみれば、排気溝底部１０７は、ち
ょうど馬の鞍のような形状をしている。
【００２７】図１９（ｂ）は、従来のプラズマディスプ
レイの隔壁内の２つの放電空間部１０８と１つの排気溝
部１０９とを示す平面図とそのＸ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での
断面図である。Ｘ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での断面図から分か
るように、従来の技術においては、本発明のような剥離
流の最大影響距離という概念を考慮して製造されておら
ず、排気溝部の作製に剥離流の影響が存在しないため
に、排気溝部は、排気溝部全体にわたって矩形に近い形
状となっており、また溝底面はその全長にわたって平坦
となっている。従来の技術においては、このような排気
溝形状のために、排気時に排気溝部と放電空間部との境
界において気流が乱れて、乱流を引き起こす原因となっ
ている。
レイの隔壁内の２つの放電空間部１０８と１つの排気溝
部１０９とを示す平面図とそのＸ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での
断面図である。Ｘ−Ｘ線とＹ−Ｙ線での断面図から分か
るように、従来の技術においては、本発明のような剥離
流の最大影響距離という概念を考慮して製造されておら
ず、排気溝部の作製に剥離流の影響が存在しないため
に、排気溝部は、排気溝部全体にわたって矩形に近い形
状となっており、また溝底面はその全長にわたって平坦
となっている。従来の技術においては、このような排気
溝形状のために、排気時に排気溝部と放電空間部との境
界において気流が乱れて、乱流を引き起こす原因となっ
ている。
【００２８】それに対して、上述の如く、本発明の加工
パターンでは、排気溝底部１０７は、その深さが滑らか
に変化するＵ字型の断面形状をしているために、排気時
の空気の移動に際して、排気溝部と放電空間部との境界
において気流の乱れが発生することがない。したがっ
て、乱流の発生を抑制し、排気抵抗を下げることができ
る。
パターンでは、排気溝底部１０７は、その深さが滑らか
に変化するＵ字型の断面形状をしているために、排気時
の空気の移動に際して、排気溝部と放電空間部との境界
において気流の乱れが発生することがない。したがっ
て、乱流の発生を抑制し、排気抵抗を下げることができ
る。
【００２９】〔第６の実施例〕図２０は、本発明の第６
の実施例の表示パネルの排気溝部の平面図とそのＸ−Ｘ
線とＹ−Ｙ線での断面図である。本実施例においては、
図１８に示す第５の実施例における露光マスクパターン
１０４Ｂに対しその幅が溝の長手方向に沿って漸減し、
漸増する露光マスクパターンが用いられる。この露光マ
スクパターンにより第５の実施例と同様に露光を行い、
現像を行うと、隣接する２つのマスクパターン１１３Ｂ
端部は、中央部間の間隔が頂点間の間隔よりも小さくな
る。このようなマスクパターンをマスクとしてサンドブ
ラスト加工を行ってできる排気溝部は、その平面図に示
されるように、排気溝中央部で溝幅が狭くなる。また、
両断面図に示されるように、排気溝中央部で溝深さが浅
くなり、排気溝底面の溝長手方向に沿った断面は正規分
布曲線状となる。すなわち、排気溝底部は、図１９
（ａ）に示された第５の実施例の排気溝底部に比して、
排気溝中央部においてより高く放電空間部近くにおいて
より低くなっている。
の実施例の表示パネルの排気溝部の平面図とそのＸ−Ｘ
線とＹ−Ｙ線での断面図である。本実施例においては、
図１８に示す第５の実施例における露光マスクパターン
１０４Ｂに対しその幅が溝の長手方向に沿って漸減し、
漸増する露光マスクパターンが用いられる。この露光マ
スクパターンにより第５の実施例と同様に露光を行い、
現像を行うと、隣接する２つのマスクパターン１１３Ｂ
端部は、中央部間の間隔が頂点間の間隔よりも小さくな
る。このようなマスクパターンをマスクとしてサンドブ
ラスト加工を行ってできる排気溝部は、その平面図に示
されるように、排気溝中央部で溝幅が狭くなる。また、
両断面図に示されるように、排気溝中央部で溝深さが浅
くなり、排気溝底面の溝長手方向に沿った断面は正規分
布曲線状となる。すなわち、排気溝底部は、図１９
（ａ）に示された第５の実施例の排気溝底部に比して、
排気溝中央部においてより高く放電空間部近くにおいて
より低くなっている。
【００３０】〔第７の実施例〕図２１は、本発明の第７
の実施例の表示パネルの排気溝部の平面図とそのＸ−Ｘ
線とＹ−Ｙ線での断面図である。本実施例においては、
第６の実施例とは逆に、図１８に示す第５の実施例にお
ける露光マスクパターン１０４Ｂに対しその幅が溝の長
手方向に沿って漸増し、漸減する露光マスクパターンが
用いられる。この露光マスクパターンにより第５の実施
例と同様に露光を行い、現像を行って、マスクパターン
を形成した。このマスクパターンをマスクとしてサンド
ブラスト加工を行ってできる排気溝部は、図２１中の平
面図に示されるように、排気溝中央部で溝幅が広くな
る。また、排気溝底部は、図１９（ａ）に示された第５
の実施例の排気溝底部に比して、排気溝中央部で低くか
つ平坦になる。すなわち、排気溝底部は、図２１に示さ
れるように、排気溝の放電空間部近くにおいては深さが
滑らかに変化するＵ字型形状をなし、中央部においては
深さが一定で幅が変化するＵ字型構造となる。
の実施例の表示パネルの排気溝部の平面図とそのＸ−Ｘ
線とＹ−Ｙ線での断面図である。本実施例においては、
第６の実施例とは逆に、図１８に示す第５の実施例にお
ける露光マスクパターン１０４Ｂに対しその幅が溝の長
手方向に沿って漸増し、漸減する露光マスクパターンが
用いられる。この露光マスクパターンにより第５の実施
例と同様に露光を行い、現像を行って、マスクパターン
を形成した。このマスクパターンをマスクとしてサンド
ブラスト加工を行ってできる排気溝部は、図２１中の平
面図に示されるように、排気溝中央部で溝幅が広くな
る。また、排気溝底部は、図１９（ａ）に示された第５
の実施例の排気溝底部に比して、排気溝中央部で低くか
つ平坦になる。すなわち、排気溝底部は、図２１に示さ
れるように、排気溝の放電空間部近くにおいては深さが
滑らかに変化するＵ字型形状をなし、中央部においては
深さが一定で幅が変化するＵ字型構造となる。
【００３１】以上のように形成された第６、第７の実施
例の溝形状は、第５の実施例の溝形状と同様に、深い加
工パターンの放電空間部と浅い加工パターンの排気溝部
の接続形状が深さと大きさを滑らかに変化させたＵ字型
の断面形状をしているため、排気時の空気が移動する際
に接続部で発生する気流の乱れを抑制でき、乱流の発生
を抑制し、排気抵抗を下げることができる。これらの溝
形状の内いずれを採用するかは、用途に応じて適宜選択
される。
例の溝形状は、第５の実施例の溝形状と同様に、深い加
工パターンの放電空間部と浅い加工パターンの排気溝部
の接続形状が深さと大きさを滑らかに変化させたＵ字型
の断面形状をしているため、排気時の空気が移動する際
に接続部で発生する気流の乱れを抑制でき、乱流の発生
を抑制し、排気抵抗を下げることができる。これらの溝
形状の内いずれを採用するかは、用途に応じて適宜選択
される。
【００３２】以上、本発明をその好適な実施の形態、実
施例に基づいて説明したが、本発明のパターン加工物お
よびその製造方法は、上述した実施の形態と実施例のみ
に制限されるものではなく、本願発明の要旨を変更しな
い範囲で種々の変化を施したパターン加工物およびその
製造方法も、本発明の範囲に含まれる。例えば、研磨剤
に炭酸カルシウムを使用したが、アルミナや炭化珪素等
の砥粒であってもよい。また、被加工物としてガラスと
フイラーの混合ペーストを使用したが、低融点ガラス粉
末に樹脂を混合したもの一般が用いられ得る。研磨剤と
被加工物は、これらの任意の組合せで用いることができ
る。さらに、マスク材料にはネガ型のドライフィルムレ
ジストを用いたが、ポジ型であってもよいし、また、液
状のレジストであってもよい。また、サンドブラスト
は、液体ホーニング等の、他の噴射加工法であってもよ
い。また、加工の深さを２種類としたが、３種類以上有
ってもよく、数に限定されるものではない。
施例に基づいて説明したが、本発明のパターン加工物お
よびその製造方法は、上述した実施の形態と実施例のみ
に制限されるものではなく、本願発明の要旨を変更しな
い範囲で種々の変化を施したパターン加工物およびその
製造方法も、本発明の範囲に含まれる。例えば、研磨剤
に炭酸カルシウムを使用したが、アルミナや炭化珪素等
の砥粒であってもよい。また、被加工物としてガラスと
フイラーの混合ペーストを使用したが、低融点ガラス粉
末に樹脂を混合したもの一般が用いられ得る。研磨剤と
被加工物は、これらの任意の組合せで用いることができ
る。さらに、マスク材料にはネガ型のドライフィルムレ
ジストを用いたが、ポジ型であってもよいし、また、液
状のレジストであってもよい。また、サンドブラスト
は、液体ホーニング等の、他の噴射加工法であってもよ
い。また、加工の深さを２種類としたが、３種類以上有
ってもよく、数に限定されるものではない。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるパタ
ーン加工物の製造方法は、粘性流を用いた噴射研磨加工
において、マスクの開口幅とマスクの断面形状を変化さ
せることにより、剥離流の最大影響距離を調整すること
ができるという特徴を有するものであるので、少ない工
程数で、深さの異なる加工パターンを一括して製作する
ことが可能になる。また、本発明によるパターン加工物
は、深さと幅とが滑らかに変化するＵ字型の断面形状を
有するという特徴を有するものであるので、表示デバイ
スの放電空間部と排気溝部との溝形成への応用におい
て、排気時の空気が移動する際に放電空間部と排気溝部
との接続部で発生する気流の乱れを回避でき、それによ
り乱流の発生を抑制し、排気抵抗を下げることが可能に
なる。
ーン加工物の製造方法は、粘性流を用いた噴射研磨加工
において、マスクの開口幅とマスクの断面形状を変化さ
せることにより、剥離流の最大影響距離を調整すること
ができるという特徴を有するものであるので、少ない工
程数で、深さの異なる加工パターンを一括して製作する
ことが可能になる。また、本発明によるパターン加工物
は、深さと幅とが滑らかに変化するＵ字型の断面形状を
有するという特徴を有するものであるので、表示デバイ
スの放電空間部と排気溝部との溝形成への応用におい
て、排気時の空気が移動する際に放電空間部と排気溝部
との接続部で発生する気流の乱れを回避でき、それによ
り乱流の発生を抑制し、排気抵抗を下げることが可能に
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の技術背景を説明するための断面図。
【図２】 本発明の原理を説明するための断面図（その
１）。
１）。
【図３】 本発明の原理を説明するための断面図（その
２）。
２）。
【図４】 本発明の原理を説明するための断面図（その
３）。
３）。
【図５】 本発明の原理を説明するための断面図（その
４）。
４）。
【図６】 本発明の原理を説明するための断面図（その
５）。
５）。
【図７】 本発明の製造方法において用いられるマスク
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
１）。
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
１）。
【図８】 本発明の製造方法において用いられるマスク
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
２）。
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
２）。
【図９】 本発明の製造方法において用いられるマスク
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
３）。
パターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを作
製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
３）。
【図１０】 本発明の製造方法において用いられるマス
クパターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを
作製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
４）。
クパターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを
作製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
４）。
【図１１】 本発明の製造方法において用いられるマス
クパターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを
作製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
５）。
クパターンの断面図〔（ｂ）〕とそのマスクパターンを
作製するための露光マスクの平面図〔（ａ）〕（その
５）。
【図１２】 本発明の製造方法を説明するための工程順
の断面図。
の断面図。
【図１３】 本発明の製造方法によって得られるマスク
パターンの開口幅−加工深さの関係を示す特性図。
パターンの開口幅−加工深さの関係を示す特性図。
【図１４】 本発明の第１の実施例のパターン加工物の
断面図。
断面図。
【図１５】 本発明の第２の実施例のパターン加工物の
断面図。
断面図。
【図１６】 本発明の第３の実施例のパターン加工物の
断面図。
断面図。
【図１７】 本発明の第４の実施例のパターン加工物の
断面図。
断面図。
【図１８】 本発明の第５の実施例の製造方法を説明す
るための工程順の斜視図。
るための工程順の斜視図。
【図１９】 本発明の第５の実施例〔（ａ）〕および従
来技術〔（ｂ）〕における表示パネルの放電空間部と排
気溝部の平面図と断面図。
来技術〔（ｂ）〕における表示パネルの放電空間部と排
気溝部の平面図と断面図。
【図２０】 本発明の第６の実施例の表示パネルの排気
溝部の平面図と断面図。
溝部の平面図と断面図。
【図２１】 本発明の第７の実施例の表示パネルの排気
溝部の平面図と断面図。
溝部の平面図と断面図。
１ 剥離流の最大影響点
２、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ 剥離流の最大影響距離
３、３Ｂ、３Ｃ 剥離点
４ 裾野
５ 平面
６、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ 粘性流
７、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ 剥離流
１０、１２、１６、１８ 遮光体
１１、１３、１７、１９ スリット
２０、３０、４０、５０、６０、１０１ ガラス基板
２１、３１、４１、５１、６１、１０２ 被加工物
２２、１０３ レジスト層
２３、１０４ 露光マスク
２４ マスクパターン
２５ パターン加工物
３２、４２、４５、５２、５５、６２、６５ マスクパ
ターン ３３、３４、４３、４４、５３、５４、６３、６４ 領
域 １０４Ａ、１０４Ｂ 露光マスクパターン １０５、１０８ 放電空間部 １０６、１０９ 排気溝部 １０７、１１０ 排気溝底部 １１３ マスク １１３Ａ、１１３Ｂ マスクパターン １１５ マスクパターン端部中央 １１６ マスクパターン端部頂点
ターン ３３、３４、４３、４４、５３、５４、６３、６４ 領
域 １０４Ａ、１０４Ｂ 露光マスクパターン １０５、１０８ 放電空間部 １０６、１０９ 排気溝部 １０７、１１０ 排気溝底部 １１３ マスク １１３Ａ、１１３Ｂ マスクパターン １１５ マスクパターン端部中央 １１６ マスクパターン端部頂点
Claims (16)
- 【請求項１】 複数の部屋が隔壁によって隔てられ、か
つ、隔壁に形成された溝によって各部屋間が連結されて
いるパターン加工物であって、前記溝は、部屋間の中心
から部屋に向かって徐々に深くなっていることを特徴と
するパターン加工物。 - 【請求項２】 前記溝の底面がＵ字状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン加工物。 - 【請求項３】 前記溝の幅が、滑らかに変化しているこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のパターン加工
物。 - 【請求項４】 （１）基板上に被加工物を形成する工程
と、 （２）前記被加工物上にマスクパターンを形成する工程
と、 （３）前記マスクパターンをマスクとして、前記被加工
物を粘性流を用いた研磨加工法にて加工する工程と、を
備え、前記第（２）の工程で形成された１層のみの前記
マスクパターンにより少なくとも２つの深さの異なる加
工パターンを同時に形成することを特徴とするパターン
加工物の製造方法。 - 【請求項５】 前記マスクパターンが、少なくとも２つ
の異なるマスクパターン間間隔を有することを特徴とす
る請求項４に記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項６】 前記マスクパターンの前記間隔の少なく
とも１つの間隔は、該間隔を挟む少なくとも１つのマス
クパターンの端部で前記被加工物加工時に発生する剥離
流の最大影響距離の２倍よりも短いことを特徴とする請
求項５に記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項７】 前記マスクパターンが、少なくとも２つ
の異なる断面形状を有することを特徴とする請求項４か
ら６のいずれかに記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項８】 前記マスクパターンの少なくとも一部の
領域の上面が、平坦面ではないことを特徴とする請求項
４から７のいずれかに記載のパターン加工物の製造方
法。 - 【請求項９】 前記マスクパターンの上面の断面形状
が、概略、平坦、Ｕ字形、Ｖ字形、Ｗ字形、半円形、三
角形のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載
のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項１０】 隣接する２つの前記マスクパターンの
相対する２つの稜の間の間隔が、稜に沿って変化するこ
とを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載のパタ
ーン加工物の製造方法。 - 【請求項１１】 前記粘性流を用いた研磨加工法が、サ
ンドブラスト法であることを特徴とする請求項４から１
０のいずれかに記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項１２】 前記マスクパターンが感光性材料によ
り形成されていることを特徴とする請求項４から１１の
いずれかに記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項１３】 前記感光性材料がドライフィルムレジ
ストであることを特徴とする請求項１２に記載のパター
ン加工物の製造方法。 - 【請求項１４】 前記マスクパターンを形成するための
露光用マスクはハーフトーン露光領域を有しており、該
ハーフトーン露光領域の光透過量は、前記露光用マスク
の領域に対応したマスクパターンの領域の必要な膜厚に
対応して変化していることを特徴とする請求項１２また
は１３に記載のパターン加工物の製造方法。 - 【請求項１５】 前記露光用マスクの前記ハーフトーン
領域の遮光膜には、スリットが形成されていることを特
徴とする請求項１４に記載のパターン加工物の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記ハーフトーン露光領域の光透過量
が、前記スリットの幅、および／または、密度により決
定されることを特徴とする請求項１５に記載のパターン
加工物の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001211555A JP2003031132A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | パターン加工物およびその製造方法 |
| KR1020020040145A KR100562735B1 (ko) | 2001-07-12 | 2002-07-11 | 패턴 가공물 및 그 제조 방법 |
| US10/194,542 US7041229B2 (en) | 2001-07-12 | 2002-07-12 | Patterned product and its manufacturing method |
| TW091115666A TW537948B (en) | 2001-07-12 | 2002-07-12 | Patterned product and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001211555A JP2003031132A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | パターン加工物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031132A true JP2003031132A (ja) | 2003-01-31 |
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|---|---|---|---|
| JP2001211555A Pending JP2003031132A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | パターン加工物およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7041229B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003031132A (ja) |
| KR (1) | KR100562735B1 (ja) |
| TW (1) | TW537948B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006167937A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toppan Printing Co Ltd | パターン毎に版深が異なる刷版用凹版及びその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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