JP2003018863A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一形状の電力用半導体装置を２台接続して
使用した場合でも、Ｐ・Ｎ電極間のサージ発生を抑制し
た半導体装置を提供する。 【解決手段】 電力用スイッチング半導体素子を複数個
内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極（１）および
Ｎ電極（２）と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相用出力端
子（３，４，５）とを外部に露出させたパワーモジュー
ルにおいて、上記Ｐ電極とＮ電極のいずれか一方の電極
を２個設け、他方の電極の両側に等ピッチで挟むように
配設したパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士
（１，１）およびＮ電極同士（２，２）をバスバーで接
続した。
使用した場合でも、Ｐ・Ｎ電極間のサージ発生を抑制し
た半導体装置を提供する。 【解決手段】 電力用スイッチング半導体素子を複数個
内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極（１）および
Ｎ電極（２）と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相用出力端
子（３，４，５）とを外部に露出させたパワーモジュー
ルにおいて、上記Ｐ電極とＮ電極のいずれか一方の電極
を２個設け、他方の電極の両側に等ピッチで挟むように
配設したパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士
（１，１）およびＮ電極同士（２，２）をバスバーで接
続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電力用半導体装置に
関し、特に、６素子インバータ結線を有するパワーモジ
ュールを２台接続する際の、外部直流端子の接続を容易
にする半導体装置の電極配置に関するものである。
関し、特に、６素子インバータ結線を有するパワーモジ
ュールを２台接続する際の、外部直流端子の接続を容易
にする半導体装置の電極配置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、６素子インバータ結線を有する
電力用半導体装置は、直流の入力となるＰ電極・Ｎ電極
と、三相交流の出力となるＵ・Ｖ・Ｗ相用電極とを有す
る。このような電力用半導体装置は、１台で使用する場
合は、Ｐ電極には直流の正極を、Ｎ電極には直流の負極
を入力として接続し、Ｕ・Ｖ・Ｗ相用電極には三相交流
の負荷を接続する。
電力用半導体装置は、直流の入力となるＰ電極・Ｎ電極
と、三相交流の出力となるＵ・Ｖ・Ｗ相用電極とを有す
る。このような電力用半導体装置は、１台で使用する場
合は、Ｐ電極には直流の正極を、Ｎ電極には直流の負極
を入力として接続し、Ｕ・Ｖ・Ｗ相用電極には三相交流
の負荷を接続する。
【０００３】例えば図７は、従来の半導体電力変換回路
を使用した例としてインバータ装置の主要回路構成を示
す。１０は半導体スイッチ素子としてのダイオード６個
を三相ブリッジ結線した半導体電力変換回路（モジュー
ル）としてのコンバータ、２０はトランジスタとダイオ
ードとを逆並列接続した半導体スイッチ回路６個を三相
ブリッジ結線した半導体電力変換回路（モジュール）と
してのインバータ、４０はコンバータ１０の整流電圧を
平滑するコンデンサである。図示の交流側端子Ｒ，Ｓ，
Ｔは交流電源に接続され、三相交流端子Ｕ，Ｖ，Ｗはイ
ンバータ装置の出力として負荷に接続される。
を使用した例としてインバータ装置の主要回路構成を示
す。１０は半導体スイッチ素子としてのダイオード６個
を三相ブリッジ結線した半導体電力変換回路（モジュー
ル）としてのコンバータ、２０はトランジスタとダイオ
ードとを逆並列接続した半導体スイッチ回路６個を三相
ブリッジ結線した半導体電力変換回路（モジュール）と
してのインバータ、４０はコンバータ１０の整流電圧を
平滑するコンデンサである。図示の交流側端子Ｒ，Ｓ，
Ｔは交流電源に接続され、三相交流端子Ｕ，Ｖ，Ｗはイ
ンバータ装置の出力として負荷に接続される。
【０００４】上記構成において、各モジュールのＰ端子
およびＮ端子間を接続する接続導体は互いにその形状が
異なり、インバータ装置構成に変更が有る場合、構成部
品も変更する必要があり、組立作業および形状の標準化
に問題があった。
およびＮ端子間を接続する接続導体は互いにその形状が
異なり、インバータ装置構成に変更が有る場合、構成部
品も変更する必要があり、組立作業および形状の標準化
に問題があった。
【０００５】上記課題を解決するために従来種々の方策
が考えられており、例えば図８は、従来の半導体装置を
１台で使用する場合の外形及び電極配置の模式図を示
す。同図において、８１は半導体装置の直流正極の入力
電極であるＰ電極を示し、８２は直流負極の入力電極で
あるＮ電極を示し、８３，８４，８５はそれぞれ三相交
流の出力となるＵ・Ｖ・Ｗ相電極を示し、８６は半導体
装置の外形を示す筺体（パワーモジュール）である。こ
の従来構成の半導体装置では、半導体装置の外部に露出
しているＰ電極（８１）・Ｎ電極（８２）がそれぞれ１
箇所ずつ設けられている。
が考えられており、例えば図８は、従来の半導体装置を
１台で使用する場合の外形及び電極配置の模式図を示
す。同図において、８１は半導体装置の直流正極の入力
電極であるＰ電極を示し、８２は直流負極の入力電極で
あるＮ電極を示し、８３，８４，８５はそれぞれ三相交
流の出力となるＵ・Ｖ・Ｗ相電極を示し、８６は半導体
装置の外形を示す筺体（パワーモジュール）である。こ
の従来構成の半導体装置では、半導体装置の外部に露出
しているＰ電極（８１）・Ｎ電極（８２）がそれぞれ１
箇所ずつ設けられている。
【０００６】また、従来、電力用半導体装置（以下、
「パワーモジュール」とも呼ぶ）を２台接続して使用する
場合は、それぞれのＰ電極・Ｎ電極同士をバスバー等の
直流入力接続導体を用いて接続した上で、このＰ・Ｎ電
極にそれぞれ直流の正極及び負極を入力として接続し、
Ｕ・Ｖ・Ｗ相電極には各々の三相交流の負荷を接続して
いた。
「パワーモジュール」とも呼ぶ）を２台接続して使用する
場合は、それぞれのＰ電極・Ｎ電極同士をバスバー等の
直流入力接続導体を用いて接続した上で、このＰ・Ｎ電
極にそれぞれ直流の正極及び負極を入力として接続し、
Ｕ・Ｖ・Ｗ相電極には各々の三相交流の負荷を接続して
いた。
【０００７】しかし、このような構成のＰ・Ｎ電極間に
は、半導体装置内部及び、バスバー等の直流入力接続導
体のインダクタンスにより、サージが発生しやすい。そ
のため、半導体装置を設計する際は、半導体装置の外部
に露出するＰ・Ｎ電極の間隔を極力最小にしてサージの
低減を図っている。更に、バスバー等の直流入力接続導
体についても、同様の手法を用いている。
は、半導体装置内部及び、バスバー等の直流入力接続導
体のインダクタンスにより、サージが発生しやすい。そ
のため、半導体装置を設計する際は、半導体装置の外部
に露出するＰ・Ｎ電極の間隔を極力最小にしてサージの
低減を図っている。更に、バスバー等の直流入力接続導
体についても、同様の手法を用いている。
【０００８】しかしながら、このように電力用半導体装
置を２台接続する場合は、サージ低減のために、半導体
装置のＰ・Ｎ電極が位置する部分を近接配置してＰ・Ｎ
電極の間隔を極力最小にしても、同一の半導体装置の場
合はそれぞれのＰ・Ｎ電極は、点対称に位置することに
なり、その結果、Ｐ・Ｎ電極間隔が広くなっていた。
置を２台接続する場合は、サージ低減のために、半導体
装置のＰ・Ｎ電極が位置する部分を近接配置してＰ・Ｎ
電極の間隔を極力最小にしても、同一の半導体装置の場
合はそれぞれのＰ・Ｎ電極は、点対称に位置することに
なり、その結果、Ｐ・Ｎ電極間隔が広くなっていた。
【０００９】この対策として、従来では、図９に示すよ
うに、電力用半導体装置を２台（８６，８６’）接続す
る場合は、Ｐ・Ｎ電極の配置を入れ替えた半導体装置、
即ち、Ｐ電極とＮ電極とを接続した上で、このＰ・Ｎ電
極にそれぞれ直流の正極及び負極を入力として接続した
半導体装置を新たに作成するといったことが考えられて
いた。しかし、その実施に当たっては、電極や外装筺体
の金型を新規に制作する必要があり、金型費用がかさむ
ためコスト高になってしまうといった課題があった。ま
た、半導体装置の電極配置構成において、外部直流端子
を接続する作業工程の容易さも考慮しなければならなか
った。
うに、電力用半導体装置を２台（８６，８６’）接続す
る場合は、Ｐ・Ｎ電極の配置を入れ替えた半導体装置、
即ち、Ｐ電極とＮ電極とを接続した上で、このＰ・Ｎ電
極にそれぞれ直流の正極及び負極を入力として接続した
半導体装置を新たに作成するといったことが考えられて
いた。しかし、その実施に当たっては、電極や外装筺体
の金型を新規に制作する必要があり、金型費用がかさむ
ためコスト高になってしまうといった課題があった。ま
た、半導体装置の電極配置構成において、外部直流端子
を接続する作業工程の容易さも考慮しなければならなか
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解決するためになされたもので、同一形状の電力用半導
体装置を２台接続して使用した場合でも、Ｐ・Ｎ電極間
のサージ発生を抑制し、且つ、金型を新規に作成する必
要がなく低コストの電力用半導体装置を提供することを
目的とする。
解決するためになされたもので、同一形状の電力用半導
体装置を２台接続して使用した場合でも、Ｐ・Ｎ電極間
のサージ発生を抑制し、且つ、金型を新規に作成する必
要がなく低コストの電力用半導体装置を提供することを
目的とする。
【００１１】また、電力用半導体装置を２台接続して使
用した場合でも、外部直流端子の接続を容易にする半導
体装置の電極配置構成を提供することを目的とする。
用した場合でも、外部直流端子の接続を容易にする半導
体装置の電極配置構成を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様による電力用半導体装置は、６
素子インバータ結線を内蔵し、半導体装置の直流入力端
子となるＰ電極またはＮ電極の一方の電極の外部露出箇
所を２箇所に構成したことを特徴とする。
に、本発明の第１の態様による電力用半導体装置は、６
素子インバータ結線を内蔵し、半導体装置の直流入力端
子となるＰ電極またはＮ電極の一方の電極の外部露出箇
所を２箇所に構成したことを特徴とする。
【００１３】即ち、電力用スイッチング半導体素子を複
数個内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極およびＮ
電極と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相出力端子とを外部
に露出させたパワーモジュールにおいて、上記Ｐ電極と
Ｎ電極のいずれか一方の電極を２個設け、他方の電極の
両側に配置した構成である。
数個内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極およびＮ
電極と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相出力端子とを外部
に露出させたパワーモジュールにおいて、上記Ｐ電極と
Ｎ電極のいずれか一方の電極を２個設け、他方の電極の
両側に配置した構成である。
【００１４】上記構成において、パワーモジュールの一
辺に沿ってＰ電極とＮ電極とを交互に配列し、上記Ｐ電
極とＮ電極の何れか一方を２個設け、他方の電極を等ピ
ッチで挟むように配設している。上記構成のパワーモジ
ュールを２台用意し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバ
スバーで接続してもよい。
辺に沿ってＰ電極とＮ電極とを交互に配列し、上記Ｐ電
極とＮ電極の何れか一方を２個設け、他方の電極を等ピ
ッチで挟むように配設している。上記構成のパワーモジ
ュールを２台用意し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバ
スバーで接続してもよい。
【００１５】本発明の第２の態様による電力用半導体装
置は、前記Ｐ電極またはＮ電極の一方の電極上に接続子
を付加したことを特徴とする。上記構成のパワーモジュ
ールを２台用意し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバス
バーで接続してもよい。
置は、前記Ｐ電極またはＮ電極の一方の電極上に接続子
を付加したことを特徴とする。上記構成のパワーモジュ
ールを２台用意し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバス
バーで接続してもよい。
【００１６】本発明の第３の態様による電力用半導体装
置は、前記半導体装置の外部に露出する前記Ｐ電極また
はＮ電極のうち、前記２箇所の外部露出箇所に設けられ
た１組の電極のうちいずれか一方を上記半導体装置の外
形より外側にオーバーハングさせたことを特徴とする。
上記構成のパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士
およびＮ電極同士をバスバーで接続してもよい。
置は、前記半導体装置の外部に露出する前記Ｐ電極また
はＮ電極のうち、前記２箇所の外部露出箇所に設けられ
た１組の電極のうちいずれか一方を上記半導体装置の外
形より外側にオーバーハングさせたことを特徴とする。
上記構成のパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士
およびＮ電極同士をバスバーで接続してもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の態様によるパワー
モジュールは、電力用スイッチング半導体素子を複数個
内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極およびＮ電極
と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相用出力端子とを外部に
露出させた構成であり、このようなパワーモジュールの
一辺に沿ってＰ電極とＮ電極を交互に３個配列し、Ｐ電
極とＮ電極のいずれか一方の電極を２個設け、他方の電
極の両側に等ピッチで挟むように配設したことを特徴と
する。
モジュールは、電力用スイッチング半導体素子を複数個
内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極およびＮ電極
と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相用出力端子とを外部に
露出させた構成であり、このようなパワーモジュールの
一辺に沿ってＰ電極とＮ電極を交互に３個配列し、Ｐ電
極とＮ電極のいずれか一方の電極を２個設け、他方の電
極の両側に等ピッチで挟むように配設したことを特徴と
する。
【００１８】また、本発明の電力用半導体装置は、上記
構成のパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士およ
びＮ電極同士をバスバーで接続した構成を有する。
構成のパワーモジュールを２台用意し、Ｐ電極同士およ
びＮ電極同士をバスバーで接続した構成を有する。
【００１９】上記構成により、接続される一組のパワー
モジュールが同一品で対応できるので、パワーモジュー
ルの標準化が可能となるとともに、バスバーの長さを短
くできるのでインダクタンスの低減を図ることができ
る。また、Ｐ・Ｎ電極間のサージを低減することができ
るとともに、同一外形で２台の半導体装置を接続使用す
ることが容易となる。
モジュールが同一品で対応できるので、パワーモジュー
ルの標準化が可能となるとともに、バスバーの長さを短
くできるのでインダクタンスの低減を図ることができ
る。また、Ｐ・Ｎ電極間のサージを低減することができ
るとともに、同一外形で２台の半導体装置を接続使用す
ることが容易となる。
【００２０】本発明の第２の態様によれば、２台のパワ
ーモジュールのうち一方の半導体装置のＰ・Ｎ電極配置
部のＰ電極またはＮ電極のいずれか一方の電極上に接続
子を付加した構成である。上記構成により、バスバー等
の直流入力導体との接続を容易にすることができる。
ーモジュールのうち一方の半導体装置のＰ・Ｎ電極配置
部のＰ電極またはＮ電極のいずれか一方の電極上に接続
子を付加した構成である。上記構成により、バスバー等
の直流入力導体との接続を容易にすることができる。
【００２１】本発明の第３の態様によれば、前記交互に
配列したＰ電極とＮ電極のいずれか一方の電極をＰ・Ｎ
電極配置部の中央に配置し、この中央位置の電極の両側
に他方の電極を等ピッチで配設し、上記両側配設の他方
の電極のうちいずれか一方を、前記モジュールの前記一
辺より外側に延在させ、この延在した電極がバスバーの
役目をすることを特徴とする。
配列したＰ電極とＮ電極のいずれか一方の電極をＰ・Ｎ
電極配置部の中央に配置し、この中央位置の電極の両側
に他方の電極を等ピッチで配設し、上記両側配設の他方
の電極のうちいずれか一方を、前記モジュールの前記一
辺より外側に延在させ、この延在した電極がバスバーの
役目をすることを特徴とする。
【００２２】上記構成により、独立したバスバーが１本
に減るため、バスバーのボルト締め箇所が少なくなり、
分解・組立を短時間で行うことができるとともに、接触
抵抗の低減による電気的ロスを低減できる。また、新た
に接続子を付加することなく、バスバー等の直流入力導
体との接続を容易にすることができる。
に減るため、バスバーのボルト締め箇所が少なくなり、
分解・組立を短時間で行うことができるとともに、接触
抵抗の低減による電気的ロスを低減できる。また、新た
に接続子を付加することなく、バスバー等の直流入力導
体との接続を容易にすることができる。
【００２３】以下、図１乃至図６を用いて本発明の実施
例について説明する。なお、各図において共通する要素
には同一の符号を付し、重複する説明については省略し
ている。
例について説明する。なお、各図において共通する要素
には同一の符号を付し、重複する説明については省略し
ている。
【００２４】
【実施例１】図１は本発明の第１の実施例に係る半導体
装置の外形と電極配置構成を示すもので、同図におい
て、半導体装置の筺体（外形）６から外部に露出するＰ
電極１またはＮ電極２の一方を半導体装置のＰ・Ｎ電極
配置部の中央に配置し、他方の電極をその両側２箇所に
等ピッチで前記電極を挟むように均等に配置する。図１
に示す配置例では、Ｐ電極１をＰ・Ｎ電極配置部の中央
に配置し、Ｎ電極２をＰ電極１の両側２箇所に均等な間
隔をもって配置している。
装置の外形と電極配置構成を示すもので、同図におい
て、半導体装置の筺体（外形）６から外部に露出するＰ
電極１またはＮ電極２の一方を半導体装置のＰ・Ｎ電極
配置部の中央に配置し、他方の電極をその両側２箇所に
等ピッチで前記電極を挟むように均等に配置する。図１
に示す配置例では、Ｐ電極１をＰ・Ｎ電極配置部の中央
に配置し、Ｎ電極２をＰ電極１の両側２箇所に均等な間
隔をもって配置している。
【００２５】図２は、図１に示す半導体装置と同一外形
のものを２台（６、６’として図示）使用する場合の半
導体装置の配置構成を示す。上記のように構成すること
により、図２に示すごとく、２台の半導体装置をＰ・Ｎ
電極が位置する部分を近接して配置した場合でも、それ
ぞれの半導体装置のＰ・Ｎ電極が隣接した配置構成とな
る。
のものを２台（６、６’として図示）使用する場合の半
導体装置の配置構成を示す。上記のように構成すること
により、図２に示すごとく、２台の半導体装置をＰ・Ｎ
電極が位置する部分を近接して配置した場合でも、それ
ぞれの半導体装置のＰ・Ｎ電極が隣接した配置構成とな
る。
【００２６】従って、Ｐ・Ｎ電極間のサージを低減する
ことができるとともに、同一外形で２台の半導体装置を
接続使用することが容易となる。
ことができるとともに、同一外形で２台の半導体装置を
接続使用することが容易となる。
【００２７】
【実施例２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置に
ついて、図３および図４を用いて以下に説明する。本実
施例の特徴は、実施例１で説明した図２に示す２台の半
導体装置６，６’の一方の半導体装置のＰ・Ｎ電極配置
部のＰ電極またはＮ電極上に接続子を付加したことであ
る。
ついて、図３および図４を用いて以下に説明する。本実
施例の特徴は、実施例１で説明した図２に示す２台の半
導体装置６，６’の一方の半導体装置のＰ・Ｎ電極配置
部のＰ電極またはＮ電極上に接続子を付加したことであ
る。
【００２８】図３に示す構成例では、同一外形の２台の
半導体装置６，６’のＰ・Ｎ電極配置部を近接配置し、
その一方の半導体装置（６または６’）のＰ・Ｎ電極配
置部の中央に配置したＰまたはＮ電極上に接続子を付加
している。即ち、図３に示す例では、中央に配置したＰ
電極１上に接続子７ａを付加した構成例を示している。
半導体装置６，６’のＰ・Ｎ電極配置部を近接配置し、
その一方の半導体装置（６または６’）のＰ・Ｎ電極配
置部の中央に配置したＰまたはＮ電極上に接続子を付加
している。即ち、図３に示す例では、中央に配置したＰ
電極１上に接続子７ａを付加した構成例を示している。
【００２９】図４に示す構成例では、Ｐ・Ｎ電極配置部
の両側に配置したＰまたはＮ電極上に接続子を付加した
構成である。図４に示す例では、両側に配置した１組の
Ｎ電極２上に接続子７ｂを付加した構成例を示してい
る。
の両側に配置したＰまたはＮ電極上に接続子を付加した
構成である。図４に示す例では、両側に配置した１組の
Ｎ電極２上に接続子７ｂを付加した構成例を示してい
る。
【００３０】上記のように構成することにより、バスバ
ー等の直流入力導体との接続を容易にすることができ
る。
ー等の直流入力導体との接続を容易にすることができ
る。
【００３１】
【実施例３】本発明の第３の実施例に係る半導体装置に
ついて、図５および図６を用いて以下に説明する。本実
施例の特徴は、実施例１で説明した図１に示す半導体装
置のＰ・Ｎ電極配置部の両側に配置したＰ電極またはＮ
電極の右側または左側のいずれか一方の電極を半導体装
置の筺体（外形）６より外側にオーバーハングさせたこ
とである。図５に示す例では、２個のＮ電極８ａ，８ｂ
のうち右側配置のＮ電極８ｂを半導体装置の筺体（外
形）６より外側にオーバーハングさせた構成としてい
る。
ついて、図５および図６を用いて以下に説明する。本実
施例の特徴は、実施例１で説明した図１に示す半導体装
置のＰ・Ｎ電極配置部の両側に配置したＰ電極またはＮ
電極の右側または左側のいずれか一方の電極を半導体装
置の筺体（外形）６より外側にオーバーハングさせたこ
とである。図５に示す例では、２個のＮ電極８ａ，８ｂ
のうち右側配置のＮ電極８ｂを半導体装置の筺体（外
形）６より外側にオーバーハングさせた構成としてい
る。
【００３２】図６は、図５に示す半導体装置と同一外形
のものを２台（６、６’）使用する場合の半導体装置の
配置構成を示す。図６に示す構成例では、２台の半導体
装置６，６’のＰ・Ｎ電極配置部を近接配置し、その一
方の半導体装置６のＰ・Ｎ電極配置部の右側に配置した
Ｎ電極８ｂを筺体（外形）６より外側にオーバーハング
させて他方の半導体装置６’のＮ電極と接続し、同様
に、他方の半導体装置６’のＰ・Ｎ電極配置部の右側に
配置したＮ電極８ｂ’を筺体（外形）６’より外側にオ
ーバーハングさせて一方の半導体装置６のＮ電極８ａと
接続している。
のものを２台（６、６’）使用する場合の半導体装置の
配置構成を示す。図６に示す構成例では、２台の半導体
装置６，６’のＰ・Ｎ電極配置部を近接配置し、その一
方の半導体装置６のＰ・Ｎ電極配置部の右側に配置した
Ｎ電極８ｂを筺体（外形）６より外側にオーバーハング
させて他方の半導体装置６’のＮ電極と接続し、同様
に、他方の半導体装置６’のＰ・Ｎ電極配置部の右側に
配置したＮ電極８ｂ’を筺体（外形）６’より外側にオ
ーバーハングさせて一方の半導体装置６のＮ電極８ａと
接続している。
【００３３】上記のように構成することにより、実施例
２で説明した接続子を付加する場合と同等の効果を得る
ことができる。即ち、新たに接続子を付加することな
く、バスバー等の直流入力導体との接続を容易にするこ
とができる。
２で説明した接続子を付加する場合と同等の効果を得る
ことができる。即ち、新たに接続子を付加することな
く、バスバー等の直流入力導体との接続を容易にするこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明の第１の態様によ
れば、パワーモジュールの一辺に沿ってＰ電極とＮ電極
を交互に３個配列し、Ｐ電極とＮ電極のいずれか一方の
電極を２個設け、他方の電極の両側に等ピッチで挟むよ
うに配設したことにより、Ｐ・Ｎ電極間のサージを低減
することができるとともに、同一外形で２台の半導体装
置を接続使用することが容易となる。
れば、パワーモジュールの一辺に沿ってＰ電極とＮ電極
を交互に３個配列し、Ｐ電極とＮ電極のいずれか一方の
電極を２個設け、他方の電極の両側に等ピッチで挟むよ
うに配設したことにより、Ｐ・Ｎ電極間のサージを低減
することができるとともに、同一外形で２台の半導体装
置を接続使用することが容易となる。
【００３５】また、本発明の第２の態様によれば、Ｐ・
Ｎ電極配置部の両側に配置したＰまたはＮ電極上に接続
子を付加した構成とすることにより、バスバー等の直流
入力導体との接続を容易にすることができる。
Ｎ電極配置部の両側に配置したＰまたはＮ電極上に接続
子を付加した構成とすることにより、バスバー等の直流
入力導体との接続を容易にすることができる。
【００３６】また、本発明の第３の態様によれば、Ｐ・
Ｎ電極配置部の両側に配置したＰ電極またはＮ電極の右
側または左側のいずれか一方の電極を半導体装置の外形
より外側にオーバーハングさせたことにより、バスバー
等の直流入力導体との接続を容易にすることができる。
Ｎ電極配置部の両側に配置したＰ電極またはＮ電極の右
側または左側のいずれか一方の電極を半導体装置の外形
より外側にオーバーハングさせたことにより、バスバー
等の直流入力導体との接続を容易にすることができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る半導体装置の外
形と電極配置を示す模式図
形と電極配置を示す模式図
【図２】 本発明の第１の実施例に係る半導体装置を２
台使用する場合の電極配置を示す模式図
台使用する場合の電極配置を示す模式図
【図３】 本発明の第２の実施例に係る半導体装置を２
台使用する場合の電極配置と接続子の配置を示す模式図
台使用する場合の電極配置と接続子の配置を示す模式図
【図４】 本発明の第２の実施例に係る半導体装置を２
台使用する場合の電極配置と接続子の配置を示す模式図
台使用する場合の電極配置と接続子の配置を示す模式図
【図５】 本発明の第３の実施例に係る半導体装置の外
形と電極配置を示す模式図
形と電極配置を示す模式図
【図６】 本発明の第３の実施例に係る半導体装置を２
台使用する場合の電極配置を示す模式図
台使用する場合の電極配置を示す模式図
【図７】 従来の半導体電力変換回路の一例を説明する
ための回路構成図
ための回路構成図
【図８】 従来の半導体装置の外形と電極配置を示す模
式図
式図
【図９】 従来の半導体装置を２台使用する場合の電極
配置を示す模式図。
配置を示す模式図。
１ Ｐ電極
２ Ｎ電極
３ Ｕ相端子
４ Ｖ相端子
５ Ｗ相端子
６，６’ パワーモジュール外形
７ａ，７ｂ 接続子
８ｂ，８ｂ’ オーバーハング電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ６素子インバータ結線を内蔵する電力用
半導体装置において、半導体装置の直流入力端子となる
Ｐ電極またはＮ電極の一方の電極の外部露出箇所を２箇
所に構成したことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】 電力用スイッチング半導体素子を複数個
内蔵し、外部直流電源に接続されるＰ電極およびＮ電極
と、三相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相出力端子とを外部に露
出させたパワーモジュールにおいて、上記Ｐ電極とＮ電
極のいずれか一方の電極を２個設け、他方の電極の両側
に配置したことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項３】 前記パワーモジュールの一辺に沿ってＰ
電極とＮ電極とを交互に配列し、上記Ｐ電極とＮ電極の
何れか一方を２個設け、他方の電極を等ピッチで挟むよ
うに配設したことを特徴とする請求項２記載の電力用半
導体装置。 - 【請求項４】 上記構成のパワーモジュールを２台用意
し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバスバーで接続した
請求項２記載の電力用半導体装置。 - 【請求項５】 前記Ｐ電極またはＮ電極の一方の電極上
に接続子を付加したことを特徴とする請求項１または２
記載の電力用半導体装置。 - 【請求項６】 上記構成のパワーモジュールを２台用意
し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバスバーで接続した
請求項５記載の電力用半導体装置。 - 【請求項７】 前記半導体装置の外部に露出する前記Ｐ
電極またはＮ電極のうち、前記２箇所の外部露出箇所に
設けられた１組の電極のうちいずれか一方を上記半導体
装置の外形より外側にオーバーハングさせたことを特徴
とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。 - 【請求項８】 上記構成のパワーモジュールを２台用意
し、Ｐ電極同士およびＮ電極同士をバスバーで接続した
請求項７記載の電力用半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001202154A JP4468614B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001202154A JP4468614B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 電力用半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003018863A true JP2003018863A (ja) | 2003-01-17 |
| JP4468614B2 JP4468614B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=19039008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001202154A Expired - Lifetime JP4468614B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 電力用半導体装置 |
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-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001202154A patent/JP4468614B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| DE102015213491B4 (de) | 2014-07-29 | 2022-12-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
| WO2018138889A1 (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
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| CN110214412A (zh) * | 2017-01-27 | 2019-09-06 | 三菱电机株式会社 | 功率转换装置 |
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