JP2003017643A - Semiconductor device manufacturing method and cutting device - Google Patents
Semiconductor device manufacturing method and cutting deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジンバリ脱落の防止。
【解決手段】 リードフレームの一部を絶縁性樹脂でモ
ールドして封止体を形成する工程と、前記封止体の側面
から突出する複数のリードを連結するダムバーを所定長
さに亘ってパンチとダイで切断除去するとともに前記パ
ンチによって前記リード間のレジンバリをも切断除去す
る工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記
ダムバーと前記封止体との間のリード部分を支持するダ
イ部分の側縁を前記リードの側縁よりも内側に位置させ
て前記ダムバーの切断を行う。
(57) [Summary] [Problem] To prevent resin burrs from falling off. SOLUTION: A step of molding a part of a lead frame with an insulating resin to form a sealing body, and punching a dam bar connecting a plurality of leads projecting from a side surface of the sealing body over a predetermined length. And a step of cutting and removing resin burrs between the leads by the punch with the die, and a die for supporting a lead portion between the dam bar and the sealing body. The dam bar is cut by setting the side edge of the portion inside the side edge of the lead.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造技術
に関し、特に、樹脂封止型半導体装置の製造におけるト
ランスファモールド後のダムバー切断技術に適用して有
効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly to a technique effectively applied to a dam bar cutting technique after transfer molding in the production of a resin-sealed semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】IC(集積回路装置)等の半導体装置に
おいて、半導体チップやワイヤ等を樹脂製の封止体(パ
ッケージ)によって封止する構造が知られている。樹脂
封止型半導体装置は、その製造においてリードフレーム
が使用される。半導体チップの固定およびワイヤボンデ
ィングが終了したリードフレームは、トランスファモー
ルド装置によってモールドが行われる。この結果、前記
半導体チップやワイヤ等は樹脂(レジン)による封止体
で被われる。2. Description of the Related Art In a semiconductor device such as an IC (integrated circuit device), a structure is known in which a semiconductor chip, a wire and the like are sealed with a resin sealing body (package). A lead frame is used in the manufacture of the resin-sealed semiconductor device. After the semiconductor chip is fixed and the wire bonding is completed, the lead frame is molded by a transfer molding device. As a result, the semiconductor chip, wires, etc. are covered with a sealing body made of resin (resin).
【0003】また、その後、前記パッケージからはみ出
したレジンバリや不要樹脂体部分の除去、リードを連結
するダムバー(タイバー)の切断除去,前記半導体チッ
プが固定されるタブを支持するタブ吊りリードの切断,
リード切断,リード成形等が行われ、所望の半導体装置
が製造される。After that, resin burrs and unnecessary resin portions protruding from the package are removed, dam bars (tie bars) for connecting the leads are cut and removed, and tab suspension leads for supporting the tabs to which the semiconductor chip is fixed are cut.
Lead cutting, lead molding, etc. are performed to manufacture a desired semiconductor device.
【0004】日経BP社発行「VLSIパッケージング
技術(下)」1993年5月15日発行、P41〜P50には、バ
リ取り, 外装,T/F(trimming and forming:リード
成形)について記載されている。この文献には、モール
ド樹脂封止時、アウタ・リードとダム・バー(ダム)に
囲まれた空間にはリードフレームの厚さ分の樹脂が充填
され、この樹脂部分をバリ(樹脂バリ)と呼称している
旨記載されている。"VLSI packaging technology (below)" issued by Nikkei BP, issued May 15, 1993, P41 to P50 describes deburring, exterior, and T / F (trimming and forming). There is. According to this document, when molding resin is sealed, the space surrounded by the outer lead and the dam bar (dam) is filled with resin for the thickness of the lead frame, and this resin portion is referred to as a burr (resin burr). It is stated that it is called.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の製造において、トランスファモールド後、半田メッキ
処理を行い、その後ダムバー切断や切断成形を行って所
定リード構造の半導体装置を製造している。In manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, solder molding is performed after transfer molding, and then dam bar cutting and cut molding are performed to manufacture a semiconductor device having a predetermined lead structure.
【0006】この場合、ダムバーの切断は、図13に記
載されているように、ダイ3上のリードフレーム1のダ
ムバー2をパンチ4で剪断して切断する。即ち、さらに
詳述するならば、ダイ3のダイブロック10から所定間
隔で突出する受け刃5とパンチ4とによってダムバー2
を切断する。受け刃5はリード7に沿って延在し、受け
刃5の両側縁はリード7の全幅に亘って支持するためリ
ード7の外側に位置するようになる。パンチ4はダムバ
ー2に交差する矩形状パターンとなるとともに、封止体
(パッケージ)6に接触しないように封止体6から少し
離れる構成になる。この結果、隣り合うリード7とこれ
ら隣り合うリード7を繋ぐダムバー2に囲まれた領域に
形成されるレジンバリ(樹脂バリ)11は、パンチ4の
形状通りに切断され、図14に示すようにコの字状に封
止体6及びリード7について残留するようになる(残留
レジンバリ12)。In this case, the dam bar is cut by cutting the dam bar 2 of the lead frame 1 on the die 3 with a punch 4 as shown in FIG. That is, to be more specific, the dam bar 2 is formed by the receiving blade 5 and the punch 4 which project from the die block 10 of the die 3 at a predetermined interval.
Disconnect. The receiving blade 5 extends along the lead 7, and both side edges of the receiving blade 5 are positioned outside the lead 7 to support the lead 7 over the entire width thereof. The punch 4 has a rectangular pattern intersecting with the dam bar 2 and is separated from the sealing body 6 so as not to contact the sealing body (package) 6. As a result, the resin burrs (resin burrs) 11 formed in the region surrounded by the adjacent leads 7 and the dam bar 2 connecting the adjacent leads 7 are cut in the shape of the punch 4, and as shown in FIG. The sealing body 6 and the leads 7 are left in a V shape (residual resin burr 12).
【0007】しかし、残留レジンバリ12は、剪断時の
衝撃で各部にクラックが発生したり、欠けが発生し易く
なる。即ち、残留レジンバリ12は封止体6とは一体で
あることから、残留レジンバリ12と封止体6との間に
は剥離によるクラック等は発生し難い。しかし、残留レ
ジンバリ12とリード7との界面では、リード7が金属
であることから接着性が低く、残留レジンバリ12とリ
ード7との間で剥離が発生したり、あるいは欠けが発生
し易くなる。However, the residual resin burr 12 is liable to be cracked or chipped at various portions due to the impact during shearing. That is, since the residual resin burr 12 is integrated with the sealing body 6, a crack or the like due to peeling is unlikely to occur between the residual resin burr 12 and the sealing body 6. However, at the interface between the residual resin burr 12 and the lead 7, since the lead 7 is made of metal, the adhesiveness is low, and peeling or chipping is likely to occur between the residual resin burr 12 and the lead 7.
【0008】この結果、その後に加わる振動や衝撃で残
留するレジンバリがリード7から容易に脱落するように
なる。脱落したレジンバリ、即ち、レジン塊は後続の製
品の加工時つぎのような弊害をもたらす。即ち、レジン
バリが脱落してリードフレーム(リード)やパッケージ
に付着すると、切断金型等リードフレームをクランプし
た際、付着したレジン塊の介在によって段差が生じ、リ
ードの付け根のパッケージ部分に大きな力が作用してパ
ッケージにクラック(割れ)や欠け等を発生させる場合
がある。また、前記応力はパッケージの内部にまで及
び、半導体チップにクラックや割れが発生することもあ
る。これらの現象は製品不良の原因となる。As a result, the resin burr remaining due to the vibration or shock applied thereafter easily comes off from the lead 7. The resin burr that has fallen off, that is, the resin lump, causes the following problems during the processing of subsequent products. That is, when the resin burr drops off and adheres to the lead frame (lead) or the package, when the lead frame such as a cutting die is clamped, a step is created due to the interposition of the adhered resin block, and a large force is exerted on the package portion at the base of the lead. It may act to cause cracks or chips in the package. Further, the stress may reach the inside of the package, and cracks or breaks may occur in the semiconductor chip. These phenomena cause defective products.
【0009】また、リードフレームのリード部分にレジ
ン塊が付着すると、金型の型締め時リードの表面に打痕
が付いたり、曲がったりする。この打痕やリード曲がり
は外観不良となる。また、金型内の搬送レール,装置の
搬送レールにレジン塊が付着すると、搬送不良を引き起
こし、金型破損やリードフレーム(半導体装置)破損が
発生し、生産不能や歩留り低下等の製造不良を引き起こ
す。Further, when the resin block adheres to the lead portion of the lead frame, the surface of the lead is dented or bent when the die is clamped. The dents and bends in the lead lead to poor appearance. In addition, if resin blocks adhere to the transfer rails inside the mold or the transfer rails of the device, it may cause transfer failures, resulting in damage to the mold or lead frame (semiconductor device), which may lead to manufacturing defects such as unavailability or reduced yield. cause.
【0010】本発明の目的は、レジンバリの脱落が起き
難い半導体装置の製造技術を提供することにある。本発
明の他の目的は、半導体装置の品質の向上及び製造コス
ト低減を図ることにある。本発明の前記ならびにそのほ
かの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図
面からあきらかになるであろう。An object of the present invention is to provide a technique for manufacturing a semiconductor device in which resin burr is less likely to fall off. Another object of the present invention is to improve the quality of semiconductor devices and reduce manufacturing costs. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0012】(1)リードフレームの一部を絶縁性樹脂
でモールドして封止体を形成する工程と、前記封止体の
側面から突出する複数のリードを連結するダムバーを所
定長さに亘ってパンチとダイで切断除去するとともに前
記パンチによって前記リード間のレジンバリをも切断除
去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記ダムバーと前記封止体との間のリード部分を支持す
るダイ部分の側縁を前記リードの側縁よりも内側に位置
させて前記ダムバーの切断を行う。(1) A step of molding a part of the lead frame with an insulating resin to form a sealing body, and a dam bar connecting a plurality of leads protruding from the side surface of the sealing body for a predetermined length. A method of manufacturing a semiconductor device, the method including: cutting and removing with a punch and a die, and also cutting and removing resin burrs between the leads by the punch,
The dam bar is cut with the side edge of the die portion supporting the lead portion between the dam bar and the sealing body positioned inside the side edge of the lead.
【0013】このような半導体装置の製造方法において
は下記の切断装置が使用される。切断装置は、一部に封
止体を有するリードフレームの前記封止体の側面から並
んで突出する複数のリードを連結するダムバーを、切断
金型のダイとパンチの切断動作によって切断する半導体
装置製造用切断装置であって、前記ダムバーと前記封止
体との間のリード部分を支持するダイ部分は、その側縁
が前記リードの側縁よりも内側に位置する構造になって
いる。In the method of manufacturing such a semiconductor device, the following cutting device is used. The cutting device is a semiconductor device for cutting a dam bar connecting a plurality of leads juxtaposed from a side surface of the sealing body of a lead frame partially having a sealing body by a cutting die die and a punch cutting operation. In the cutting device for manufacturing, the die portion supporting the lead portion between the dam bar and the sealing body has a structure in which the side edge is located inside the side edge of the lead.
【0014】前記(1)の手段によれば、(a)ダムバ
ーを切断する切断金型において、ダムバーと封止体との
間のリード部分を支持するダイ部分は、その側縁が前記
リードの側縁よりも内側に位置する構造になっている。
このため、パンチでリード間等のレジンバリを叩いて切
断する際、リードの側面に接着されているレジンバリは
ダイ部分で支持されていないことから、リード側面との
界面で剥離するようになり、落下しやすいリードに付着
する残留レジンバリの発生が抑えられる。従って、脱落
するレジン塊に起因するパッケージや半導体チップの割
れ欠け、リード曲がりやリード表面への打痕、生産不能
や歩留り低下等を防止できる。この結果、品質の優れた
半導体装置を安価に製造することができる。According to the above-mentioned means (1), (a) in the cutting die for cutting the dam bar, the die portion supporting the lead portion between the dam bar and the sealing body has a side edge of the lead. The structure is located inside the side edge.
For this reason, when cutting the resin burr between the leads with a punch to cut it, the resin burr adhered to the side surface of the lead is not supported by the die part, so it peels off at the interface with the side surface of the lead and falls. It is possible to suppress the occurrence of residual resin burr that adheres to the leads. Therefore, it is possible to prevent cracking and chipping of the package and the semiconductor chip, lead bending, dents on the surface of the lead, unavailability of production, and reduction in yield due to the resin mass that falls off. As a result, a semiconductor device with excellent quality can be manufactured at low cost.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In all the drawings for explaining the embodiments of the invention, components having the same function are designated by the same reference numeral, and the repeated description thereof will be omitted.
【0016】(実施形態1)本実施形態1ではSOP
(Small Outline Package )型の樹脂封止型半導体装置
の製造におけるモールド後のダムバー切断に本発明を適
用した例について説明する。(First Embodiment) In the first embodiment, the SOP
An example in which the present invention is applied to cutting a dam bar after molding in manufacturing a (Small Outline Package) type resin-sealed semiconductor device will be described.
【0017】図3は半導体装置製造用切断装置の切断金
型20を示す斜視図である。切断金型20は下金型ベー
ス21と上金型ベース22を有している。前記下金型ベ
ース21の四隅上面にはそれぞれ支柱23が設けられ、
前記上金型ベース22の四隅下面には前記支柱23に対
して摺動自在に嵌合される嵌合部24が固定されてい
る。FIG. 3 is a perspective view showing a cutting die 20 of the cutting device for manufacturing a semiconductor device. The cutting die 20 has a lower die base 21 and an upper die base 22. Pillars 23 are provided on the upper surfaces of the four corners of the lower mold base 21,
Fitting portions 24 slidably fitted to the columns 23 are fixed to the lower surfaces of the four corners of the upper mold base 22.
【0018】前記下金型ベース21の上面中央には取付
部25が設けられ、図示しないダイが取り付けられてい
る。また、前記上金型ベース22の下面中央には取付部
26が設けられ、図示しないパンチが取り付けられてい
る。前記上金型ベース22の上面中央には昇降用ラム2
7の下端が固定されている。An attachment portion 25 is provided at the center of the upper surface of the lower mold base 21, and a die (not shown) is attached. A mounting portion 26 is provided at the center of the lower surface of the upper die base 22, and a punch (not shown) is mounted. At the center of the upper surface of the upper mold base 22, a lifting ram 2 is provided.
The lower end of 7 is fixed.
【0019】また、前記下金型ベース21と上金型ベー
ス22との間にはリードフレーム1を案内するフィード
プレート30が水平に配置されている。リードフレーム
1は前記フィードプレート30上に載置され、図示しな
いフィード機構によって間欠的に移送される。移送は、
たとえば右側から左側に向けて行われる。従って、前記
昇降用ラム27の降下によってダイとパンチによって切
断が行われる。A feed plate 30 for guiding the lead frame 1 is horizontally arranged between the lower mold base 21 and the upper mold base 22. The lead frame 1 is placed on the feed plate 30 and is intermittently transferred by a feed mechanism (not shown). Transport is
For example, from right to left. Therefore, the lowering of the lifting ram 27 causes cutting by the die and the punch.
【0020】リードフレーム1は、単位リードフレーム
パターンが直列に複数並べられた短冊体となり、その両
側には移送時や位置決め時に使用される円形や楕円形あ
るいは長孔等からなるガイド孔35a〜35eが設けら
れている(図10参照)。The lead frame 1 is a strip body in which a plurality of unit lead frame patterns are arranged in series, and guide holes 35a to 35e each having a circular or elliptical shape or an elongated hole or the like used at the time of transfer or positioning are formed on both sides thereof. Are provided (see FIG. 10).
【0021】単位リードフレームパターン部分は、図1
0に示すように枠体36からなり、中央には封止体6が
形成されている。この封止体6の両側からは複数のリー
ド7が平行に延在している。リード7の先端はそれぞれ
枠体36に連なっている。また、封止体6の両側には封
止体6に沿うようにダムバー2が設けられている。この
ダムバー2は隣接するリード7を連結している。最も外
れのダムバー2はリード7と枠体36を連結している。
また、前記封止体6の両端(図10で上下端)からは、
それぞれ2本のタブ吊りリード37が突出している。こ
のタブ吊りリード37は枠体36に連結されている。The unit lead frame pattern portion is shown in FIG.
As shown in 0, the frame body 36 is formed, and the sealing body 6 is formed in the center. A plurality of leads 7 extend in parallel from both sides of the sealing body 6. The tips of the leads 7 are connected to the frame 36, respectively. Further, dam bars 2 are provided on both sides of the sealing body 6 along the sealing body 6. The dam bar 2 connects adjacent leads 7. The outermost dam bar 2 connects the lead 7 and the frame body 36.
Further, from both ends (upper and lower ends in FIG. 10) of the sealing body 6,
Two tab suspension leads 37 are projected from each. The tab suspension lead 37 is connected to the frame body 36.
【0022】図示はしないが、前記封止体6の中央部分
にはタブが位置し、このタブ上に半導体チップが固定さ
れている。タブはその両端をそれぞれ2本のタブ吊りリ
ード37で支持されている。半導体チップの電極とリー
ド7の内端部分は導電性のワイヤで電気的に接続されて
いる。封止体6はタブ,半導体チップ,ワイヤ及びリー
ド内端部分を封止している。Although not shown, a tab is located at the center of the sealing body 6, and a semiconductor chip is fixed on the tab. Both ends of the tab are supported by two tab suspension leads 37, respectively. The electrodes of the semiconductor chip and the inner end portions of the leads 7 are electrically connected by a conductive wire. The sealing body 6 seals the tab, the semiconductor chip, the wire, and the inner end portion of the lead.
【0023】封止はトランスファモールドによって行わ
れている。従って、このトランスファモールドによって
絶縁性の樹脂による硬化部分がリードフレームの各箇所
に形成されることになる。即ち、封止体6の一端側には
ゲート硬化部38が形成されているとともに、その反対
側にはフローキャビティ硬化部39が形成されている。
ゲート硬化部38はトランスファモールドにおいてゲー
ト部分で硬化した絶縁性樹脂によって形成され、フロー
キャビティ硬化部39はトランスファモールドにおいて
フローキャビティ部分で硬化した絶縁性樹脂によって形
成されたものである。なお、図10において、封止体6
の外周とダムバー2との間の薄黒に着色した部分がレジ
ンバリ(樹脂バリ)11である。The sealing is performed by transfer molding. Therefore, by this transfer molding, a cured portion made of an insulating resin is formed at each position of the lead frame. That is, the gate hardening portion 38 is formed on one end side of the sealing body 6, and the flow cavity hardening portion 39 is formed on the opposite side.
The gate curing portion 38 is formed of an insulating resin cured in the gate portion of the transfer mold, and the flow cavity curing portion 39 is formed of an insulating resin cured in the flow cavity portion of the transfer mold. In addition, in FIG.
A portion colored in a light black between the outer periphery of and the dam bar 2 is a resin burr (resin burr) 11.
【0024】前記切断金型20には、リードフレーム1
の移送方向に沿ってダイとパンチが複数組み込まれてい
る。例えば、本実施形態1では打抜き部が3箇所設けら
れている。すなわち、打抜き部は、図4および図5に示
すように、左から右に向かってフローキャビティ・ゲー
ト打抜き部40,レジンダムバー打抜き部41,エアー
ベント打抜き部42になっている。The cutting die 20 includes a lead frame 1
A plurality of dies and punches are incorporated along the transfer direction of. For example, in the first embodiment, three punched portions are provided. That is, as shown in FIG. 4 and FIG. 5, the punching portion is a flow cavity / gate punching portion 40, a resin dam bar punching portion 41, and an air vent punching portion 42 from left to right.
【0025】フローキャビティ・ゲート打抜き部40で
は、ゲート硬化部38とフローキャビティ硬化部39が
切断除去され、レジンダムバー打抜き部41ではダムバ
ー2とレジンバリ(樹脂バリ)11が切断除去され、エ
アーベント打抜き部42ではエアーベント硬化部が切断
除去される。In the flow cavity / gate punching section 40, the gate hardening section 38 and the flow cavity hardening section 39 are cut and removed, and in the resin dam bar punching section 41, the dam bar 2 and the resin burr (resin burr) 11 are cut and removed, and the air vent punching section. At 42, the air vent cured portion is cut and removed.
【0026】取付部25及び取付部26には、図5及び
図4に示すようにダイやパンチ等が組み込まれている。
ここでは、図4乃至図9を参照しながらレジンダムバー
打抜き部41について説明する。As shown in FIGS. 5 and 4, a die, a punch and the like are incorporated in the mounting portions 25 and 26.
Here, the resin dam bar punching section 41 will be described with reference to FIGS. 4 to 9.
【0027】レジンダムバー打抜き部41では、ダイ3
としてダムバー打抜き部分3bが対面するように一対設
けられ、パンチ4としてダムバー打抜きパンチ4bが設
けられている。図7はレジンダムバー打抜き部41の一
方のダムバー打抜き部分3b(ダイ3)およびダムバー
打抜きパンチ4b(パンチ4)とリードフレーム1を示
す斜視図である。図7ではリードフレーム1を模式的に
示してある。In the resin dam bar punching section 41, the die 3
As a punch 4, a dam bar punching punch 4b is provided as a punch 4. FIG. 7 is a perspective view showing the dam bar punching portion 3b (die 3) and the dam bar punching punch 4b (punch 4) on one side of the resin dam bar punching portion 41 and the lead frame 1. In FIG. 7, the lead frame 1 is schematically shown.
【0028】また、図6に示すように、前記一対のダム
バー打抜き部分3bの間には封止体6を受け、かつ前記
一対のダムバー打抜き部分3bの間隔を所定の寸法に維
持するための受け3fが設けられている。同図におい
て、46,47は寸法調整用のステー、48,49は切
断されたダムバーやレジンバリが落下する通過穴48,
49である。Further, as shown in FIG. 6, a sealing body 6 is received between the pair of dam bar punched portions 3b, and a receiver for maintaining the distance between the pair of dam bar punched portions 3b at a predetermined size. 3f is provided. In the figure, 46 and 47 are stays for size adjustment, 48 and 49 are passage holes 48 through which cut dam bars and resin burrs fall.
49.
【0029】ダムバー2の切断においては、図3に示す
ように、昇降用ラム27を降下させることによってパン
チ4とダイ3との間の剪断加工によってダムバー2がレ
ジンバリ(樹脂バリ)11と共に切断除去されることに
なる。In cutting the dam bar 2, as shown in FIG. 3, the dam ram 2 is cut and removed together with the resin burr (resin burr) 11 by lowering the elevating ram 27 and shearing between the punch 4 and the die 3. Will be done.
【0030】この際、図2に示すように、ダムバー2と
封止体6との間のリード7部分を支持するダイ3の受け
刃5は、リード7部分しか支持しないため、リード7の
側面に接着されているレジンバリ(樹脂バリ)11は封
止体6に連なる部分を除いて欠き落とされることにな
る。即ち、受け刃5の先端から外れたレジンバリ(樹脂
バリ)11は、図1に示すように、封止体6に連なって
残留するとともに、この残留レジンバリ12は受け刃5
から外れた先端延長側(封止体寄り)では、リード7の
封止体6からのつけ根部分に残留することもあるが、こ
の残留レジンバリ12は封止体6に近接し、かつ封止体
6との一体化の力が大きいため、残留レジンバリ12と
リード7との界面での剥離(クラック)は発生し難くな
り、その後の搬送等においても脱落し難くなる。At this time, as shown in FIG. 2, since the receiving blade 5 of the die 3 which supports the lead 7 portion between the dam bar 2 and the sealing body 6 supports only the lead 7 portion, the side surface of the lead 7 is supported. The resin burrs (resin burrs) 11 adhered to the above will be cut off except for the portion continuous with the sealing body 6. That is, as shown in FIG. 1, the resin burr (resin burr) 11 separated from the tip of the receiving blade 5 remains in a continuous manner with the sealing body 6, and the residual resin burr 12 is the remaining resin burr 12.
On the extension side of the tip (closer to the sealing body) separated from the above, the residual resin burr 12 may remain at the root of the lead 7 from the sealing body 6, but the residual resin burr 12 is close to the sealing body 6 and Since the force of integration with 6 is large, peeling (cracks) at the interface between the residual resin burr 12 and the lead 7 is less likely to occur, and is less likely to fall off during subsequent transportation or the like.
【0031】換言するならば、パンチ4の封止体6寄り
の先端部分では、レジンバリ11はパンチ4に叩かれて
脱落する。また、この際パンチ4の先端のレジンバリ1
1もリード7の側面から剥離して脱落するが、パンチ4
の先端から外れたレジンバリ11は封止体6に連なり、
封止体6と一体になっていることから封止体6に続いて
残留する。図1に示す残留レジンバリ12はその長手方
向全域で封止体6に連なるため脱落し難い残留レジンバ
リ12となる。In other words, at the tip of the punch 4 near the sealing body 6, the resin burr 11 is hit by the punch 4 and falls off. At this time, the resin burr 1 at the tip of the punch 4
1 also peels from the side surface of the lead 7 and falls off, but punch 4
The resin burr 11 removed from the tip of is connected to the sealing body 6,
Since it is integrated with the sealing body 6, it remains after the sealing body 6. Since the residual resin burr 12 shown in FIG. 1 is continuous with the sealing body 6 in the entire longitudinal direction, the residual resin burr 12 is hard to drop off.
【0032】半導体装置の製造においては、リードフレ
ーム1の所定部分に半導体チップを固定した後、前記半
導体チップの電極とリード7の先端を導電性のワイヤで
接続し、その後トランスファモールドによって前記半導
体チップ,ワイヤ,リード内端部分を樹脂からなる封止
体6で被うとともに、フローキャビティ部分等をも被い
フロー封止部等をも形成する。In the manufacture of a semiconductor device, after fixing a semiconductor chip to a predetermined portion of the lead frame 1, the electrode of the semiconductor chip and the tip of the lead 7 are connected by a conductive wire, and then the semiconductor chip is transferred by transfer molding. , The wires and the inner end portions of the leads are covered with the sealing body 6 made of resin, and the flow cavity portion and the like are also covered to form the flow sealing portion and the like.
【0033】その後、たとえば、本実施形態1の半導体
装置製造用切断装置を用いて、レジンダムバー打抜き、
エアーベント打抜きを行い、その後、図示しない加工装
置を用いてリード切断,リード成形,リード寸法出し切
断を行い、図11に示すようなリード7がガルウィング
型となる半導体装置50を製造する。After that, for example, using the semiconductor device manufacturing cutting apparatus according to the first embodiment, the resin dam bar is punched,
Air vent punching is performed, and thereafter, lead cutting, lead molding, and lead size determination cutting are performed using a processing device (not shown) to manufacture a semiconductor device 50 in which the lead 7 is a gull wing type as shown in FIG.
【0034】本実施形態1の半導体装置製造技術によれ
ば以下の効果を奏する。(1)ダムバー2を切断する切
断金型20において、ダムバー2と封止体6との間のリ
ード部分を支持するダイ部分は、その側縁が前記リード
7の側縁よりも内側に位置する構造になっている。この
ため、パンチ4でリード間等のレジンバリ11を叩いて
切断する際、リード7の側面に接着されているレジンバ
リ11はダイ部分で支持されていないことから、リード
側面との界面で剥離するようになる。この結果、落下し
やすいリード7に付着する残留レジンバリ12の発生が
抑えられる。The semiconductor device manufacturing technique according to the first embodiment has the following effects. (1) In the cutting die 20 for cutting the dam bar 2, the side edge of the die portion supporting the lead portion between the dam bar 2 and the sealing body 6 is located inside the side edge of the lead 7. It is structured. Therefore, when the resin burrs 11 such as between the leads are struck and cut by the punch 4, the resin burrs 11 adhered to the side surfaces of the leads 7 are not supported by the die part, and therefore peel off at the interface with the side surfaces of the leads. become. As a result, it is possible to prevent the residual resin burr 12 from adhering to the leads 7 that easily fall off.
【0035】(2)上記(1)により、残留レジンバリ
12の脱落が防止できることから、レジンバリによるレ
ジン塊がリードフレーム(リード)やパッケージに付着
しなくなり、切断金型等でリードフレームをクランプし
た場合でもレジン塊を含んでクランプすることがなくな
り、パッケージクラックや半導体チップクラック等の発
生を抑止でき、品質の優れた半導体装置を高歩留りで製
造することができるようになる。(2) Since the residual resin burr 12 can be prevented from falling off by the above (1), the resin block due to the resin burr does not adhere to the lead frame (lead) or the package, and the lead frame is clamped by a cutting die or the like. However, it is possible to prevent the occurrence of package cracks, semiconductor chip cracks, and the like, because the resin lumps are not included and clamped, and it is possible to manufacture semiconductor devices of excellent quality with high yield.
【0036】(3)上記(1)により、残留レジンバリ
12の脱落が防止できることから、レジンバリによるレ
ジン塊がリードフレームのリード部分に付着することも
なく、金型の型締め時リードの表面に打痕が付いたり、
曲がったりすることもなくなる。(3) Since the residual resin burr 12 can be prevented from falling off by the above (1), the resin block due to the resin burr does not adhere to the lead portion of the lead frame, and the surface of the lead is struck when the mold is clamped. There are marks,
It will not bend or bend.
【0037】(4)上記(1)により、残留レジンバリ
12の脱落が防止できることから、レジンバリによるレ
ジン塊が金型内の搬送レール,装置の搬送レールに付着
することもなくなり、レジン塊に起因する搬送不良、金
型破損やリードフレーム(半導体装置)破損も発生し難
くなり、生産性向上、歩留り向上が図れることになり、
半導体装置の製造コスト低減を達成することができる。(4) According to the above (1), the residual resin burr 12 can be prevented from falling off, so that the resin block due to the resin burr does not adhere to the transfer rail in the mold or the transfer rail of the apparatus, which is caused by the resin block. Poor conveyance, damage to the mold and damage to the lead frame (semiconductor device) are less likely to occur, and productivity and yield can be improved.
It is possible to reduce the manufacturing cost of the semiconductor device.
【0038】(実施形態2)図12は本発明の他の実施
形態(実施形態2)である半導体装置の製造方法におけ
るダムバー切断を行うパンチとダイとの相関を示す模式
的平面図である。本実施形態2では、ダムバー2と封止
体6との間のリード7を支持するダイ部分(受け刃5)
の側縁をリード7の側縁よりも内側にすることから、ダ
ムバー2を切断するパンチ4の幅を、ダムバー2と封止
体6との間において部分的に広くしてある。(Embodiment 2) FIG. 12 is a schematic plan view showing a correlation between a punch and a die for cutting a dam bar in a semiconductor device manufacturing method according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention. In the second embodiment, a die portion (receiving blade 5) that supports the lead 7 between the dam bar 2 and the sealing body 6.
Since the side edge of the punch 4 is located inside the side edge of the lead 7, the width of the punch 4 for cutting the dam bar 2 is partially widened between the dam bar 2 and the sealing body 6.
【0039】本実施形態2では、ダムバー2と封止体6
との間に位置するパンチ部分の幅b,cを、ダムバー2
切断する部分のパンチ幅aよりも部分的に広くしてダム
バー2及びレジンバリ11を切断除去するものである。
これにより、レジンバリはリード7から一層確実に分離
するようになり、脱落し易い残留レジンバリ12が発生
し難くなる。In the second embodiment, the dam bar 2 and the sealing body 6 are used.
The widths b and c of the punch portion located between the
The dam bar 2 and the resin burr 11 are cut and removed by partially widening the punch width a of the portion to be cut.
As a result, the resin burrs are more reliably separated from the leads 7, and the residual resin burrs 12 that easily fall off are less likely to occur.
【0040】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。前記実
施形態ではSOP型の半導体装置の製造技術に適用した
が、四角形状の封止体の4辺からそれぞれ複数のリード
を突出させるQFP(Quad Flatpack Package )型の半
導体装置の製造技術に対しても同様に適用でき同様の効
果を有する。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. In the above-described embodiment, the manufacturing technique of the SOP type semiconductor device is applied. However, the manufacturing technique of the QFP (Quad Flatpack Package) type semiconductor device in which a plurality of leads are respectively projected from the four sides of the rectangular sealing body is applied. Can be applied in the same manner and has the same effect.
【0041】この場合、タブを支持するタブ吊りリード
と隣接するリード間のダムバーも同様にパンチによって
切断する必要があるが、この場合でもダムバーと封止体
との間におけるタブ吊りリードであるリードを支持する
ダイ部分の側縁を、リードの側縁よりも内側となるよう
にして、レジンバリをリード(タブ吊りリード)の側面
から確実に分離させるものである。In this case, it is necessary to similarly cut the dam bar between the tab suspension lead supporting the tab and the adjacent lead by punching. In this case as well, the lead which is the tab suspension lead between the dam bar and the sealing body. The side edge of the die portion that supports the inner side of the lead is located inside the side edge of the lead so that the resin burr is reliably separated from the side surface of the lead (tab suspension lead).
【0042】[0042]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
(1)レジンバリの脱落が起き難い半導体装置の製造技
術を提供することができる。
(2)レジン塊付着に起因する弊害が防止できることか
ら、半導体装置の品質の向上及び製造コスト低減を達成
することができる。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. (1) It is possible to provide a manufacturing technique of a semiconductor device in which the resin burr is less likely to fall off. (2) Since the adverse effect caused by the adhesion of the resin block can be prevented, the quality of the semiconductor device can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)である半導
体装置の製造方法において、ダムバーを切断した状態の
リードフレームの一部を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a part of a lead frame in a state where a dam bar is cut in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【図2】前記ダムバー切断を行うパンチとダイとの相関
を示す模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a correlation between a punch and a die for cutting the dam bar.
【図3】本実施形態1の半導体装置の製造で使用する切
断装置の一部を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a part of a cutting device used in manufacturing the semiconductor device of the first embodiment.
【図4】前記切断装置の下金型を示す模式的平面図であ
る。FIG. 4 is a schematic plan view showing a lower mold of the cutting device.
【図5】前記切断装置の下金型を示す模式的断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a lower mold of the cutting device.
【図6】前記切断装置におけるダムバー切断部分を示す
模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a dam bar cutting portion in the cutting device.
【図7】前記ダムバー切断用のパンチとダイ等を示す模
式的分解斜視図である。FIG. 7 is a schematic exploded perspective view showing a punch, a die and the like for cutting the dam bar.
【図8】前記ダムバー切断用のダイの斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a die for cutting the dam bar.
【図9】前記ダムバー切断用のダイの一部の平面図であ
る。FIG. 9 is a plan view of a part of the dam bar cutting die.
【図10】本実施形態1の半導体装置の製造においてモ
ールドが終了したリードフレームの一部を示す平面図で
ある。FIG. 10 is a plan view showing a part of the lead frame that has been molded in the manufacturing of the semiconductor device of the first embodiment.
【図11】本実施形態1の半導体装置の製造方法におい
て製造された半導体装置の斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of a semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.
【図12】本発明の他の実施形態(実施形態2)である
半導体装置の製造方法におけるダムバー切断を行うパン
チとダイとの相関を示す模式的平面図である。FIG. 12 is a schematic plan view showing the correlation between a punch and a die for cutting a dam bar in a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment (second embodiment) of the present invention.
【図13】本発明に先立つ半導体装置の製造においてダ
ムバー切断を行うパンチとダイとの相関を示す模式的平
面図である。FIG. 13 is a schematic plan view showing the correlation between a punch and a die for dambar cutting in the manufacture of a semiconductor device prior to the present invention.
【図14】前記ダムバー切断されたリードフレームの一
部を示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view showing a part of the lead frame cut by the dam bar.
1…リードフレーム、2…ダムバー、3…ダイ、4…パ
ンチ、5…受け刃、6…封止体、7…リード、10…ダ
イブロック、11…レジンバリ(樹脂バリ)、12…残
留レジンバリ、20…切断金型、21…下金型ベース、
22…上金型ベース、23…支柱、24…嵌合部、25
…取付部、27…昇降用ラム、30…フィードプレー
ト、35a〜35e…ガイド孔、36…枠体、37…タ
ブ吊りリード、38…ゲート硬化部、39…フローキャ
ビティ硬化部、40…フローキャビティ・ゲート打抜き
部、41…レジンダムバー打抜き部、42…エアーベン
ト打抜き部、46,47…ステー、48,49…通過
穴、50…半導体装置。1 ... Lead frame, 2 ... Dam bar, 3 ... Die, 4 ... Punch, 5 ... Receiving blade, 6 ... Sealing body, 7 ... Lead, 10 ... Die block, 11 ... Resin burr (resin burr), 12 ... Residual resin burr, 20 ... Cutting mold, 21 ... Lower mold base,
22 ... Upper mold base, 23 ... Struts, 24 ... Fitting portion, 25
... Attachment part, 27 ... Lifting ram, 30 ... Feed plate, 35a to 35e ... Guide hole, 36 ... Frame body, 37 ... Tab suspension lead, 38 ... Gate hardening part, 39 ... Flow cavity hardening part, 40 ... Flow cavity -Gate punching portion, 41 ... Resin dam bar punching portion, 42 ... Air vent punching portion, 46, 47 ... Stays, 48, 49 ... Passage hole, 50 ... Semiconductor device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C060 AA10 AB01 BA01 BB11 BD01 BE07 5F067 AA09 DB01 DE19 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 3C060 AA10 AB01 BA01 BB11 BD01 BE07 5F067 AA09 DB01 DE19
Claims (5)
ールドして封止体を形成する工程と、 前記封止体の側面から突出する複数のリードを連結する
ダムバーを所定長さに亘ってパンチとダイで切断除去す
るとともに前記パンチによって前記リード間のレジンバ
リをも切断除去する工程とを有する半導体装置の製造方
法であって、 前記ダムバーと前記封止体との間のリード部分を支持す
るダイ部分の側縁を前記リードの側縁よりも内側に位置
させて前記ダムバーの切断を行うことを特徴とする半導
体装置の製造方法。1. A step of molding a part of a lead frame with an insulating resin to form a sealing body, and a dam bar for connecting a plurality of leads protruding from a side surface of the sealing body over a predetermined length. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of cutting and removing with a punch and a die and also cutting and removing resin burrs between the leads by the punch, wherein a lead portion between the dam bar and the sealing body is supported. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the side edge of a die portion is located inside the side edge of the lead, and the dam bar is cut.
するパンチ部分の幅を、前記ダムバーを切断する部分の
パンチ幅よりも部分的に広くして前記ダムバー及びレジ
ンバリを切断除去することを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置の製造方法。2. A punch portion located between the dam bar and the sealing body is partially wider than a punch width of a portion for cutting the dam bar to cut and remove the dam bar and the resin burr. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising:
前記封止体の側面から並んで突出する複数のリードを連
結するダムバーを、切断金型のダイとパンチの切断動作
によって切断する半導体装置製造用切断装置であって、
前記ダムバーと前記封止体との間のリード部分を支持す
るダイ部分は、その側縁が前記リードの側縁よりも内側
に位置する構造になっていることを特徴とする切断装
置。3. A semiconductor in which a dam bar connecting a plurality of leads juxtaposed from a side surface of the encapsulation body of a lead frame partially having the encapsulation body is cut by a cutting die die and a punch cutting operation. A cutting device for manufacturing a device,
The cutting device having a structure in which a side edge of a die portion supporting a lead portion between the dam bar and the sealing body is located inside a side edge of the lead.
移送方向に沿って前記ダイとパンチが複数箇所配置さ
れ、それぞれの箇所では異なるリードフレーム部分の切
断が行われるように構成されていることを特徴とする請
求項3に記載の切断装置。4. The die and punch are arranged at a plurality of positions along the transfer direction of the lead frame in the cutting die, and different lead frame parts are cut at the respective positions. The cutting device according to claim 3, wherein:
するパンチ部分の幅は、前記ダムバーを切断する部分の
パンチ幅よりも部分的に広くなっていることを特徴とす
る請求項3に記載の切断装置。5. The punch portion located between the dam bar and the sealing body has a width that is partially wider than a punch width of a portion that cuts the dam bar. The cutting device described in 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196916A JP2003017643A (en) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | Semiconductor device manufacturing method and cutting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196916A JP2003017643A (en) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | Semiconductor device manufacturing method and cutting device |
Publications (1)
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|---|---|
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ID=19034633
Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003017643A (en) |
Cited By (4)
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2001
- 2001-06-28 JP JP2001196916A patent/JP2003017643A/en active Pending
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