JP2003017459A - Carrier cleaning method and apparatus - Google Patents
Carrier cleaning method and apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 300mmウエーハ用のボックス型キャリア
に要求される高次元の清浄度を簡単に確保する。
【解決手段】 半導体ウエーハを並列させて収容するウ
エーハキャリア10の少なくとも内面全体に、洗浄液噴
射ノズル21により、洗浄液を粒径50μm以下に微粒
子化して高圧噴射する。洗浄液噴射ノズル21は、洗浄
部位に正対し、且つ洗浄部位までの距離をほぼ一定に保
ちつつ、移動する。ウエーハキャリア10は、そのキャ
リア内面に噴射された洗浄液が逐次外部へ排出されるよ
うに、開口部を下方に向けて支持される。
(57) [Problem] To easily secure high-dimensional cleanliness required for a box-type carrier for a 300 mm wafer. SOLUTION: A cleaning liquid injection nozzle 21 atomizes a cleaning liquid into fine particles having a particle diameter of 50 μm or less and injects it at a high pressure onto at least the entire inner surface of a wafer carrier 10 which accommodates semiconductor wafers in parallel. The cleaning liquid spray nozzle 21 moves while facing the cleaning part and maintaining a substantially constant distance to the cleaning part. The wafer carrier 10 is supported with its opening downward so that the cleaning liquid sprayed on the inner surface of the carrier is sequentially discharged to the outside.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハを
並列させて収容するウエーハキャリアの洗浄方法及び装
置に関し、特にボックス型ウエーハキャリアの内面洗浄
に適したキャリア洗浄方法及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for cleaning a wafer carrier in which semiconductor wafers are accommodated in parallel, and more particularly to a method and apparatus for cleaning a carrier suitable for cleaning the inner surface of a box type wafer carrier.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの素材であるシリコンウ
エーハの生産性を高めるために、そのウエーハの大径
化、具体的には300mmウエーハの生産技術の開発が
進められ、これに合わせてウエーハキャリアも新たに開
発され、その規格化も進められている。2. Description of the Related Art In order to improve the productivity of silicon wafers, which are the material of semiconductor devices, the diameter of the wafers has been increased, and specifically the production technology of 300 mm wafers has been developed. It has been newly developed and its standardization is in progress.
【0003】300mmウエーハに使用されるウエーハ
キャリアは、これまでの200mm以下のウエーハ用と
異なり、ボックスタイプが主流となる。即ち、200m
m以下のウエーハに使用されるウエーハキャリアは、底
が抜けたオープンラック型式が主流であるのに対し、3
00mmウエーハに使用されるウエーハキャリアは、内
部を密閉できるボックスタイプが主流になっている。The wafer carrier used for a 300 mm wafer is mainly a box type, unlike the conventional wafer carriers for 200 mm or less. That is, 200m
Wafer carriers used for wafers of m or less are mainly open rack models with bottoms, while 3
The wafer carrier used for a 00 mm wafer is mainly of a box type capable of hermetically sealing the inside.
【0004】これは、ウエーハに要求されるクリーン度
が非常に高くなり、処理工程間の搬送ラインも含めてク
リーン度を高めようとすると、広大なエリアに高性能な
クリーンルームが必要になり、多大のコストがかかるの
に対し、ボックスタイプのウエーハキャリアを使用すれ
ば、装置内のクリーン度さえ高めておけば、装置間の広
い搬送エリアにおいてはクリーン度を低下させることが
可能となり、そのコストメリットが非常に大きくなるか
らである。This is because the degree of cleanliness required for a wafer becomes extremely high, and if it is attempted to improve the degree of cleanliness including a transfer line between processing steps, a high-performance clean room is required in a vast area, which is very large. However, if a box type wafer carrier is used, it is possible to reduce the cleanliness in a wide transfer area between the machines if the cleanliness inside the machines is improved. Is very large.
【0005】そして、ウエーハキャリアの洗浄処理とし
て、従来のオープンラックタイプのウエーハキャリアに
対しては、洗浄液中でのブラッシングが有効とされ、と
りわけ、その洗浄液をオーバーフローさせることによる
流水処理を組み合わせた複合処理が効果的とされてい
る。As a cleaning treatment for a wafer carrier, brushing in a cleaning liquid is effective for a conventional open rack type wafer carrier, and in particular, a combination of running water treatment by overflowing the cleaning liquid is combined. The treatment is said to be effective.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、300
mmウエーハに使用されるボックスタイプのウエーハキ
ャリアに対しては、洗浄液中でのブラッシング処理だけ
では十分と言えず、有効な洗浄方法は未だ開発されてい
ない。ボックスタイプのウエーハキャリアに対してブラ
シ洗浄が不適な理由は以下のとおりである。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
For a box type wafer carrier used for mm wafers, brushing treatment in a cleaning solution is not sufficient, and an effective cleaning method has not been developed yet. The reasons why brush cleaning is not suitable for a box type wafer carrier are as follows.
【0007】ボックスタイプのウエーハキャリアでは、
オープンラックタイプの場合と異なり、ブラッシングに
より掻き出したパーティクルをキャリア外へ排出する、
所謂掃き出しが、構造上困難であり、ブラッシング処理
に組み合わせられるオーバーフローによる流水洗浄につ
いても、通水性が悪いため、大きな効果を期待できな
い。In a box type wafer carrier,
Unlike the open rack type, the particles scraped out by brushing are discharged to the outside of the carrier.
So-called sweeping is structurally difficult, and it is not possible to expect a great effect even with running water washing by overflow that is combined with brushing processing, because the water permeability is poor.
【0008】そして何よりも、配線構造の微細化に伴
い、300mmウエーハ用のボックス型キャリアでは、
0.1μmレベルのパーティクルを除去することが求め
られるが、ブラッシング洗浄では、オーバーフローによ
る流水処理を組み合わせても、1μmレベルまでのパー
ティクルしか除去することができないのである。Above all, with the miniaturization of the wiring structure, in the box type carrier for 300 mm wafers,
Although it is required to remove particles at the level of 0.1 μm, in the brushing cleaning, even if the flowing water treatment by overflow is combined, only particles at the level of 1 μm can be removed.
【0009】本発明の目的は、300mmウエーハ用の
ボックス型キャリアに要求される高次元の清浄度を簡単
に確保できるキャリア洗浄方法及び装置を提供すること
にある。An object of the present invention is to provide a carrier cleaning method and device which can easily secure the high-dimensional cleanliness required for a box type carrier for 300 mm wafers.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは様々な洗浄方法を比較検討した。その
結果、物理的な洗浄手段は不可欠であるが、ブラシ洗浄
のような純機械的な洗浄手段のみでは不十分であるこ
と、有効性が高いのは高圧ジェット洗浄、特に洗浄液を
微細な液滴にして高圧噴射する高圧微粒子ジェット洗浄
であること、その高圧微粒子ジェット洗浄では粒子径が
パーティクルの除去性能に大きな影響を及ぼすことが判
明した。In order to achieve the above object, the present inventors have comparatively examined various cleaning methods. As a result, physical cleaning means is indispensable, but pure mechanical cleaning means such as brush cleaning is not enough. High effectiveness is high pressure jet cleaning, especially cleaning liquid with fine droplets. It was found that the high-pressure fine particle jet cleaning is performed by high-pressure jetting, and that the particle size greatly affects the particle removal performance in the high-pressure fine particle jet cleaning.
【0011】本発明はかかる知見に基づいて完成された
ものであり、そのキャリア洗浄方法は、半導体ウエーハ
を並列させて収容するウエーハキャリアの少なくとも内
面全体に、洗浄液を粒径50μm以下に微粒子化して高
圧噴射するものである。The present invention has been completed based on the above findings, and a carrier cleaning method for the same is that a cleaning liquid is finely divided into particles having a particle size of 50 μm or less on at least the entire inner surface of a wafer carrier in which semiconductor wafers are accommodated in parallel. It is a high-pressure jet.
【0012】また、本発明のキャリア洗浄装置は、半導
体ウエーハを並列させて収容するウエーハキャリアを支
持するキャリア支持手段と、該支持手段により支持され
たウエーハキャリアの少なくとも内面全体に、洗浄液を
微粒子化、好ましくは粒径50μm以下に微粒子化して
噴射する洗浄液噴射手段とを具備している。Further, the carrier cleaning apparatus of the present invention comprises carrier supporting means for supporting a wafer carrier which accommodates semiconductor wafers arranged in parallel, and fine particles of the cleaning liquid on at least the entire inner surface of the wafer carrier supported by the supporting means. It is preferably provided with a cleaning liquid ejecting means for ejecting the fine particles having a particle diameter of 50 μm or less.
【0013】ウエーハキャリアは主にボックス型である
が、オープンラック型でもよい。ボックス型の場合、キ
ャリア内面に噴射された洗浄液が逐次外部へ排出される
ように、そのウエーハキャリアを横向きより下に向けて
支持するのが好ましい。The wafer carrier is mainly a box type, but may be an open rack type. In the case of the box type, it is preferable to support the wafer carrier in a laterally downward direction so that the cleaning liquid sprayed on the inner surface of the carrier is sequentially discharged to the outside.
【0014】洗浄液の粒子径が50μmを超える場合
は、1μm以下のパーティクルを十分に除去できない。
粒子径の下限については、粒子径が小さいほど小さなパ
ーティクルを除去できるので、特に規定しない。特に好
ましい粒子径は10μm以下である。When the particle size of the cleaning liquid exceeds 50 μm, particles of 1 μm or less cannot be sufficiently removed.
The lower limit of the particle size is not specified because a smaller particle can remove smaller particles. A particularly preferable particle size is 10 μm or less.
【0015】洗浄液の噴射圧力は3〜50MPaが好ま
しく、10〜40MPaが特に好ましい。この圧力が小
さいと、ウエーハキャリアに対しては十分な洗浄力が得
られない。大きすぎる場合は耐圧を増すために装置が大
型になる。また、ウエーハキャリアにダメージを与える
おそれがある。The injection pressure of the cleaning liquid is preferably 3 to 50 MPa, particularly preferably 10 to 40 MPa. If this pressure is low, sufficient cleaning power cannot be obtained for the wafer carrier. If it is too large, the device becomes large in order to increase the pressure resistance. In addition, there is a risk of damaging the wafer carrier.
【0016】洗浄液噴射手段の構成としては、ウエーハ
キャリアの洗浄部位に洗浄液噴射ノズルを正対させ、且
つ洗浄部位から洗浄液噴射ノズルまでの距離を一定に保
ちつつ、洗浄液噴射ノズルを移動させる構成が好まし
い。洗浄液噴射ノズルを移動させる代わりに、或いはそ
の移動と共に、ウエーハキャリアを移動させることも可
能である。As a structure of the cleaning liquid ejecting means, it is preferable that the cleaning liquid ejecting nozzle faces the cleaning part of the wafer carrier, and the cleaning liquid ejecting nozzle is moved while keeping a constant distance from the cleaning part to the cleaning liquid ejecting nozzle. . It is also possible to move the wafer carrier instead of moving the cleaning liquid injection nozzle or together with the movement.
【0017】洗浄液には界面活性剤を添加するのが好ま
しい。なぜなら、界面活性剤により洗浄液のキャリア表
面及び付着物質への濡れ性が良くなり、洗浄効果が向上
する。特に、0.1μmレベルのパーティクル除去に効
果がある。It is preferable to add a surfactant to the cleaning liquid. This is because the surfactant improves the wettability of the cleaning liquid with respect to the carrier surface and the adhered substance, and improves the cleaning effect. In particular, it is effective for removing particles at the level of 0.1 μm.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態を示すキ
ャリア洗浄装置の概略構成図、図2は同キャリア洗浄装
置における駆動手段の概略構成図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a carrier cleaning device showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of driving means in the carrier cleaning device.
【0019】ウエーハキャリア10は、複数枚の300
mmシリコンウエーハを厚み方向に整列させて収容する
ボックスタイプである。このキャリア10は、下方へ凸
の方向へ湾曲したドーム型の底板部11と、底板部11
の両側縁部から上方へ延出した両側の側壁部12,12
と、底板部11のウエーハ整列方向両端部から上方へ延
出して両側の側壁部12,12を接続する端板部13,
13とからなり、側壁部12,12の各内面には、ウエ
ーハの両側縁部が嵌合する複数の縦溝14が設けられて
いる。The wafer carrier 10 comprises a plurality of 300 wafers.
It is a box type that accommodates mm silicon wafers aligned in the thickness direction. The carrier 10 includes a dome-shaped bottom plate portion 11 that is curved in a downward convex direction, and a bottom plate portion 11
Side wall portions 12, 12 extending upward from both side edge portions of the
And an end plate portion 13 that extends upward from both end portions of the bottom plate portion 11 in the wafer alignment direction and connects the side wall portions 12 on both sides,
A plurality of vertical grooves 14 into which the side edges of the wafer are fitted are provided on each inner surface of the side wall portions 12, 12.
【0020】本実施形態では、上記ウエーハキャリア1
0は、第1の駆動手段40により開口部を下方に向けた
反転姿勢で洗浄槽60内に支持され、この状態で、内面
全体が洗浄液噴射手段20により洗浄される。In this embodiment, the wafer carrier 1 described above is used.
0 is supported in the cleaning tank 60 by the first driving means 40 in an inverted posture with the opening facing downward, and in this state, the entire inner surface is cleaned by the cleaning liquid ejecting means 20.
【0021】洗浄液噴射手段20は、第2の駆動手段5
0に取り付けられた洗浄液噴射ノズル21、ノズル21
にフレキシブル管を介して接続されたポンプ22、ポン
プ22の上流側に接続されたエアコンプレッサ23及び
洗浄液タンク24を備えており、ノズル21から洗浄液
を粒径50μm以下に微粒子化して高圧微粒子ジェット
30として3〜50MPaの圧力で噴射する。The cleaning liquid jetting means 20 is the second driving means 5
Cleaning liquid injection nozzle 21 and nozzle 21 attached to 0
Is equipped with a pump 22, which is connected via a flexible pipe, to the upstream side of the pump 22, and a cleaning liquid tank 24. The cleaning liquid is atomized from the nozzle 21 into particles having a particle size of 50 μm or less, and a high-pressure particle jet 30 is provided. Is injected at a pressure of 3 to 50 MPa.
【0022】第1の駆動手段40は、ウエーハキャリア
10を逆さに保持するチャック41と、チャック41を
X−Y方向に直線駆動する駆動部42とを有している。
第2の駆動手段50は、洗浄槽60の底面中央部を貫通
して槽内へ垂直に挿入されたノズル支持部51と、ノズ
ル支持部51をZ方向に直進駆動する第1駆動部52
と、駆動部52をZ軸回りのθ方向に回転させる第2駆
動部53とを有しており、ノズル支持部51は、洗浄液
噴射ノズル21を上端部に支持しており、且つ、そのノ
ズル21を水平軸回りのα方向に回転させる第3駆動部
54を内蔵している。The first drive means 40 has a chuck 41 for holding the wafer carrier 10 upside down, and a drive section 42 for linearly driving the chuck 41 in the XY directions.
The second drive means 50 includes a nozzle support portion 51 which is vertically inserted into the tank by penetrating the central portion of the bottom surface of the cleaning tank 60, and a first drive portion 52 which drives the nozzle support portion 51 to move straight in the Z direction.
And a second drive unit 53 that rotates the drive unit 52 in the θ direction around the Z axis, and the nozzle support unit 51 supports the cleaning liquid injection nozzle 21 at the upper end and It incorporates a third drive unit 54 for rotating 21 in the α direction around the horizontal axis.
【0023】第1の駆動手段40及び第2の駆動手段5
0による5軸(X,Y,Z,θ,α)駆動により、洗浄
液噴射ノズル21は、ウエーハキャリア10の内側で任
意の位置へ移動し、また任意の方向を向くことができ
る。First drive means 40 and second drive means 5
By the 5-axis (X, Y, Z, θ, α) drive by 0, the cleaning liquid injection nozzle 21 can be moved to any position inside the wafer carrier 10 and can be oriented in any direction.
【0024】洗浄処理では、ノズル21が高圧微粒子ジ
ェット30を噴射しながらウエーハキャリア10の内側
でウエーハ整列方向に直角な面内を移動する。より具体
的には、ノズル21がキャリア内面に直角に正対すると
共に、ノズル21からキャリア内面からの距離Lが一定
に保たれた状態で、図1中の矢示の経路上を移動する。In the cleaning process, the nozzle 21 jets the high-pressure fine particle jet 30 and moves inside the wafer carrier 10 in a plane perpendicular to the wafer alignment direction. More specifically, the nozzle 21 faces the carrier inner surface at a right angle, and moves on the path indicated by the arrow in FIG. 1 with the distance L from the nozzle 21 to the carrier inner surface kept constant.
【0025】即ち、1)一方の側壁部12の開口縁部に
正対する位置から縦溝14に沿って上昇する。2)底板
部11の内面アールに沿って移動する。3)他方の側壁
部12の縦溝14に沿って開口縁部まで下降する。これ
をウエーハ整列方向(縦溝14の整列方向)に所定ピッ
チずつ行なう。1回おきに逆方向移動を組み合わせても
よい。That is, 1) Ascend along the vertical groove 14 from the position directly facing the opening edge of the one side wall 12. 2) Move along the inner radius of the bottom plate portion 11. 3) It descends to the opening edge along the vertical groove 14 of the other side wall 12. This is performed by a predetermined pitch in the wafer alignment direction (the alignment direction of the vertical grooves 14). The reverse movement may be combined every other time.
【0026】ウエーハ整列方向における移動ピッチは、
ウエーハキャリア10における縦溝14の整列ピッチ
と、ノズル21からの高圧微粒子ジェット30の広がり
角度との関係に基づいて適宜決定される。両者の関係を
図5に示す。The movement pitch in the wafer alignment direction is
It is appropriately determined based on the relationship between the alignment pitch of the vertical grooves 14 on the wafer carrier 10 and the spread angle of the high-pressure fine particle jet 30 from the nozzle 21. The relationship between the two is shown in FIG.
【0027】縦溝14の整列ピッチはSEMI規格で1
0mmである。ウエーハ整列方向における移動ピッチを
10mmとすれば、縦溝14を1つずつ厳密に洗浄でき
るが、スループット性が著しく低下する。ノズル21か
ら噴射される高圧微粒子ジェット30には通常45〜9
0度程度の広がりあるので、縦溝14を複数本ずつ洗浄
するよう移動ピッチを設定してもよく、例えば50mm
ずつ移動させても、全ての縦溝14の両側面に高圧微粒
子30が衝突するため、高い清浄性が得られる。縦溝1
4の整列方向に複数のノズル21を配列するならば、ス
ループット性が更に向上する。The vertical groove 14 has an alignment pitch of 1 according to the SEMI standard.
It is 0 mm. If the movement pitch in the wafer alignment direction is 10 mm, the vertical grooves 14 can be cleaned exactly one by one, but the throughput is significantly reduced. The high pressure fine particle jet 30 jetted from the nozzle 21 is usually 45 to 9
Since there is a spread of about 0 degrees, the movement pitch may be set so as to wash the vertical grooves 14 in plurals, for example, 50 mm.
Even if they are moved one by one, the high-pressure fine particles 30 collide with both side surfaces of all the vertical grooves 14, so that high cleanliness can be obtained. Flute 1
If a plurality of nozzles 21 are arranged in the alignment direction of 4, the throughput is further improved.
【0028】このような高圧微粒子ジェット洗浄処理に
より、ウエーハキャリア10の内面全体から0.1μm
レベルのパーティクルも除去される。即ち、第1に、洗
浄液を粒径50μm以下に微粒子化した高圧微粒子ジェ
ット30により微細パーティクルが除去される。第2
に、ノズル21がキャリア内面に直角に正対しつつ移動
することにより、縦溝14の部分においても影(死角)
が生じない。第3に、縦溝14の方向へノズル21が移
動することにより、掃き出し効果が得られる。第4に、
ウエーハキャリア10が裏向きのため、内面に噴射され
た洗浄液が外部へ効率的に排出され、掃き出し効果が増
長される。By such high-pressure fine particle jet cleaning treatment, 0.1 μm from the entire inner surface of the wafer carrier 10 is obtained.
Level particles are also removed. That is, first, fine particles are removed by the high-pressure fine particle jet 30 in which the cleaning liquid is made into fine particles having a particle size of 50 μm or less. Second
In addition, since the nozzle 21 moves while facing the inner surface of the carrier at a right angle, a shadow (blind spot) is also generated in the vertical groove 14.
Does not occur. Thirdly, by moving the nozzle 21 in the direction of the vertical groove 14, a sweeping effect can be obtained. Fourth,
Since the wafer carrier 10 faces down, the cleaning liquid sprayed on the inner surface is efficiently discharged to the outside, and the sweeping effect is enhanced.
【0029】ウエーハキャリア10の外面に対しては、
内面ほどの清浄度が要求されないのが通例であるので、
通常のジェット洗浄やシャワー洗浄等でもよく、特にそ
の洗浄方法を限定しないが、内面と同様に、洗浄液を粒
径50μm以下に微粒子化した高圧微粒子ジェットによ
る洗浄を用いてよいことは当然である。For the outer surface of the wafer carrier 10,
Since it is customary that the cleanliness of the inner surface is not required,
Ordinary jet cleaning or shower cleaning may be used, and the cleaning method is not particularly limited, but it is natural that cleaning with a high-pressure fine particle jet in which the cleaning liquid is made into fine particles having a particle size of 50 μm or less may be used, like the inner surface.
【0030】図3は本発明の他の実施形態を示すキャリ
ア洗浄装置の主に駆動手段の構成を示す概略斜視図、図
4は同駆動手段によるノズルの移動軌跡を示す模式図で
ある。FIG. 3 is a schematic perspective view mainly showing the structure of a driving means of a carrier cleaning apparatus showing another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic view showing a movement locus of a nozzle by the driving means.
【0031】本実施形態のキャリア洗浄装置は、オープ
ンラックタイプのウエーハキャリア10の洗浄に使用さ
れる。このウエーハキャリア10は、両側の側壁部1
2,12と、両側の側壁部12,12を接続する端板部
13,13とからなり、上面及び下面は開放している。
両側の側壁部12,12は、ウエーハ支持のために下部
で内側へ変位しており、側壁部12,12の各内面に
は、ウエーハの両側縁部が嵌合する複数の縦溝14が設
けられている。The carrier cleaning apparatus of this embodiment is used for cleaning the open rack type wafer carrier 10. This wafer carrier 10 has side walls 1 on both sides.
2, 12 and end plate portions 13, 13 connecting the side wall portions 12, 12 on both sides, and the upper and lower surfaces are open.
The side walls 12 and 12 on both sides are displaced inward at the lower part for supporting the wafer, and a plurality of vertical grooves 14 into which both side edges of the wafer are fitted are provided on the inner surfaces of the side walls 12 and 12, respectively. Has been.
【0032】そして、このウエーハキャリア10は、洗
浄槽60内の支持台61上に上面開口部を上方へ向けて
載置され、両側のホルダー62,62により上端のフラ
ンジ部を固定される。The wafer carrier 10 is placed on the support 61 in the cleaning tank 60 with the upper opening facing upward, and the upper end flange portion is fixed by the holders 62, 62 on both sides.
【0033】洗浄液噴射手段20の洗浄液噴射ノズル2
1は、駆動手段70により上方から支持されている。こ
の駆動手段70は、第1モータ71AによりZ方向に昇
降駆動される第1の水平アーム71Bと、第1の水平ア
ーム71Bの先端部に連結され、第2モータ72Aによ
り鉛直軸回り(θ1方向)に旋回駆動される第2の水平
アーム72Bと、第2の水平アーム72Bの先端部に連
結され、第3モータ73Aにより鉛直軸回り(θ2方
向)に旋回駆動される第3の水平アーム73Bと、第3
の水平アーム73Bの先端部に連結され、第4モータ7
4Aにより鉛直軸回り(θ3方向)に回転駆動される垂
直なノズル支持部75Bとを備えている。ノズル支持部
75Bは、下端部にノズル21を支持し、そのノズル2
1を第5モータ75Aにより水平軸回り(α方向)に回
転駆動する。そして第1モータ71A、第2モータ72
A及び第3モータ73Aは、ノズル21をX−Y−Z方
向で位置制御し、第4モータ74B及び第5モータ75
Aは、ノズル21自体の姿勢制御を行う。Cleaning liquid injection nozzle 2 of the cleaning liquid injection means 20
1 is supported from above by a driving means 70. The drive means 70 is connected to a first horizontal arm 71B that is vertically moved in the Z direction by a first motor 71A, and a tip portion of the first horizontal arm 71B, and is rotated around a vertical axis (in the θ1 direction by a second motor 72A). ) And a third horizontal arm 73B that is connected to the tip of the second horizontal arm 72B and is driven to rotate about the vertical axis (θ2 direction) by the third motor 73A. And the third
Connected to the tip of the horizontal arm 73B of the fourth motor 7
4A and a vertical nozzle support portion 75B that is rotationally driven about the vertical axis (θ3 direction). The nozzle support portion 75B supports the nozzle 21 at the lower end, and the nozzle 2
1 is driven to rotate about the horizontal axis (direction α) by the fifth motor 75A. Then, the first motor 71A and the second motor 72
The A and the third motor 73A position control the nozzle 21 in the XYZ directions, and the fourth motor 74B and the fifth motor 75.
A controls the attitude of the nozzle 21 itself.
【0034】この駆動手段70によると、ノズル21
は、キャリア表面に直角に正対すると共に、キャリア表
面までの距離Lが一定に保たれた状態で、図4に1〜9
で示す順に移動する。即ち、ウエーハキャリア10の一
方の側壁部12の外面の下端部から上端部へ移動した
後、その側壁部12の内面の上端部から下端部へ移動す
る。引き続き、ウエーハキャリア10の他方の側壁部1
2の内面の下端部から上端部へ移動した後、その側壁部
12の外面の上端部から下端部へ移動する。According to the driving means 70, the nozzle 21
1 to 9 in FIG. 4 while facing the carrier surface at right angles and keeping the distance L to the carrier surface constant.
Move in the order shown in. That is, after moving from the lower end of the outer surface of one side wall 12 of the wafer carrier 10 to the upper end thereof, it moves from the upper end of the inner surface of the side wall 12 to the lower end thereof. Next, the other side wall portion 1 of the wafer carrier 10
After moving from the lower end to the upper end of the inner surface of 2, the side wall 12 moves from the upper end to the lower end of the outer surface.
【0035】このようなノズル21の移動により、ウエ
ーハキャリア10の両側の側壁部12,12が、ウエー
ハ整列方向の所定領域につき高圧微粒子ジェット30に
より連続して洗浄される。これをウエーハ整列方向に所
定ピッチずつ繰り返すことにより、両側の側壁部12,
12の内外面全体が効率的に洗浄される。By such movement of the nozzle 21, the side wall portions 12, 12 on both sides of the wafer carrier 10 are continuously cleaned by the high-pressure fine particle jet 30 in a predetermined region in the wafer alignment direction. By repeating this for every predetermined pitch in the wafer alignment direction, the side wall portions 12 on both sides,
The entire inner and outer surfaces of 12 are efficiently cleaned.
【0036】本実施形態でも、洗浄液噴射ノズル21を
ウエーハ整列方向に複数並列することにより、スループ
ット性を一層改善できることは言うまでもない。Needless to say, in this embodiment as well, the throughput can be further improved by arranging a plurality of cleaning liquid injection nozzles 21 in parallel in the wafer alignment direction.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明のキャリ
ア洗浄方法及び装置は、洗浄液を微細化して高圧噴射す
る高圧微粒子ジェット洗浄を用いることにより、既存洗
浄法の適用が困難で且つ既存レベルより高い清浄度を要
求される300mmウエーハ用のボックス型キャリアに
対しても、満足のいく高次元の洗浄を、複雑・大型の設
備を用いることなく簡単に実施できる。As described above, the carrier cleaning method and apparatus of the present invention uses the high-pressure fine particle jet cleaning in which the cleaning liquid is atomized and injected at high pressure. Satisfactory high-dimensional cleaning can be easily performed without using complicated and large-scale equipment even for a box type carrier for 300 mm wafers, which requires high cleanliness.
【図1】本発明の一実施形態を示すキャリア洗浄装置の
概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a carrier cleaning apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図2】同キャリア洗浄装置における駆動手段の概略構
成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of drive means in the carrier cleaning apparatus.
【図3】本発明の他の実施形態を示すキャリア洗浄装置
の主に駆動手段の構成を示す概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view mainly showing the configuration of drive means of a carrier cleaning apparatus showing another embodiment of the present invention.
【図4】同駆動手段によるノズルの移動軌跡を示す模式
図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a movement trajectory of a nozzle by the driving means.
【図5】ウエーハキャリアにおける縦溝の整列ピッチ
と、ノズルからの高圧微粒子ジェットの広がり角度との
関係を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a relationship between an alignment pitch of vertical grooves in a wafer carrier and a spread angle of a high-pressure fine particle jet from a nozzle.
10 ウエーハキャリア 20 洗浄液噴射手段 21 ノズル 30 高圧微粒子ジェット 40,50,70 駆動手段 60 洗浄槽 10 Waha Carrier 20 Cleaning liquid jetting means 21 nozzles 30 High pressure particle jet 40, 50, 70 drive means 60 washing tank
Claims (7)
エーハキャリアの少なくとも内面全体に、洗浄液を粒径
50μm以下に微粒子化して高圧噴射することを特徴と
するキャリア洗浄方法。1. A carrier cleaning method characterized in that a cleaning liquid is atomized into particles having a particle size of 50 μm or less and is injected under high pressure onto at least the entire inner surface of a wafer carrier containing semiconductor wafers arranged in parallel.
載のキャリア洗浄方法。2. The carrier cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning liquid contains a surfactant.
る請求項1又は2に記載のキャリア洗浄方法。3. The carrier cleaning method according to claim 1, wherein the spraying pressure of the cleaning liquid is 3 to 50 MPa.
そのキャリア内面に噴射された洗浄液が逐次外部へ排出
されるように、ウエーハキャリアを横向きより下方へ向
けて支持する請求項1、2又は3に記載のキャリア洗浄
方法。4. The wafer carrier is a box type carrier,
The carrier cleaning method according to claim 1, 2 or 3, wherein the wafer carrier is supported laterally downward so that the cleaning liquid sprayed onto the inner surface of the carrier is sequentially discharged to the outside.
エーハキャリアを支持するキャリア支持手段と、該支持
手段により支持されたウエーハキャリアの少なくとも内
面全体に、洗浄液を微粒子化して噴射する洗浄液噴射手
段とを具備することを特徴とするキャリア洗浄装置。5. A carrier supporting means for supporting a wafer carrier for accommodating semiconductor wafers arranged in parallel, and a cleaning liquid ejecting means for atomizing and injecting the cleaning liquid onto at least the entire inner surface of the wafer carrier supported by the supporting means. A carrier cleaning device comprising:
射ノズルを正対させ、且つ洗浄部位から洗浄液噴射ノズ
ルまでの距離をほぼ一定に保ちつつ、ウエーハキャリア
及び洗浄液噴射ノズルの少なくとも一方を移動させる駆
動手段を具備する請求項5に記載のキャリア洗浄装置。6. A drive means for moving at least one of the wafer carrier and the cleaning liquid injection nozzle while directly facing the cleaning liquid injection nozzle to the cleaning part of the wafer carrier and keeping the distance from the cleaning part to the cleaning liquid injection nozzle substantially constant. The carrier cleaning device according to claim 5, further comprising:
キャリア支持手段はそのウエーハキャリアを横向きより
下方へ向けて支持する請求項5又は6に記載のキャリア
洗浄装置。7. The wafer carrier is a box type,
7. The carrier cleaning device according to claim 5, wherein the carrier support means supports the wafer carrier downward from the side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201974A JP2003017459A (en) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | Carrier cleaning method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201974A JP2003017459A (en) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | Carrier cleaning method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017459A true JP2003017459A (en) | 2003-01-17 |
Family
ID=19038859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201974A Pending JP2003017459A (en) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | Carrier cleaning method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017459A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100241A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Washing apparatus, washing system, and washing method |
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| CN120432414A (en) * | 2025-07-04 | 2025-08-05 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | Cleaning device and cleaning method for semiconductor wafer |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001201974A patent/JP2003017459A/en active Pending
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