JP2003017040A - リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池用電極 - Google Patents
リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池用電極Info
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- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 63
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007600 charging Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- -1 LiBFFour Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxol-2-one Chemical compound O=C1OC=CO1 VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016855 F9SO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910010903 Li2B12Cl12 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000552 LiCF3SO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013595 LiCo0.5Ni0.5O2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013716 LiNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013290 LiNiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- OMYOBDYSDXYBAL-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;diethyl carbonate Chemical compound OC(O)=O.CCOC(=O)OCC OMYOBDYSDXYBAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005678 chain carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010280 constant potential charging Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQVSTLUFSYVLTO-UHFFFAOYSA-N ethyl n-ethoxycarbonylcarbamate Chemical compound CCOC(=O)NC(=O)OCC PQVSTLUFSYVLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethyl ether Natural products COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001540 lithium hexafluoroarsenate(V) Inorganic materials 0.000 description 1
- GLXDVVHUTZTUQK-UHFFFAOYSA-M lithium hydroxide monohydrate Substances [Li+].O.[OH-] GLXDVVHUTZTUQK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940040692 lithium hydroxide monohydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Secondary Cells (AREA)
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Abstract
れたリチウム二次電池用電極であって、充放電に伴う活
物質薄膜の膨張により集電体に変形やしわが発生するの
を抑制する。 【解決手段】 リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜1
1を集電体10上に堆積して形成した後、エッチングに
より活物質薄膜11の低密度領域11bをエッチングす
ることにより、厚み方向に空隙12を形成し、この空隙
12の形成によって、活物質薄膜11を微小領域に分割
することを特徴としている。
Description
用電極の製造方法及びリチウム二次電池用電極に関する
ものである。
チウム二次電池は、用いられる電極により充放電電圧、
充放電サイクル寿命特性、保存特性などの電池特性が大
きく左右される。このことから、電極に用いる活物質を
改善することにより、電池特性の向上が図られている。
と、重量当たり及び体積当たりともに高いエネルギー密
度の電池を構成することができるが、充電時にリチウム
がデンドライト状に析出し、内部短絡を引き起こすとい
う問題があった。
ウムと合金化するアルミニウム、シリコン、錫などを電
極として用いるリチウム二次電池が報告されている(So
lidState Ionics,113-115,p57(1998)) 。これらのう
ち、特にシリコンは理論容量が大きく、高い容量を示す
電池用負極として有望であり、これを負極とする種々の
二次電池が提案されている(特開平10−255768
号公報)。しかしながら、この種の合金負極は、電極活
物質である合金自体が充放電により微粉化し集電特性が
悪化することから、十分なサイクル特性は得られていな
い。
等を電極活物質とし、良好な充放電サイクル特性を示す
リチウム二次電池用電極として、CVD法またはスパッ
タリング法などの薄膜形成方法により、集電体上に微結
晶薄膜または非晶質薄膜を形成したリチウム二次電池用
電極を提案している(特願平11−301646号な
ど)。
ては、集電体の成分が活物質薄膜に拡散することによ
り、集電体と活物質薄膜との密着性が保たれ、充放電サ
イクル特性が向上することがわかっている。
池用電極においては、活物質薄膜と集電体との密着性が
良好であるため、充放電によって活物質が膨張・収縮
し、これに伴い集電体が延びることによってしわなどの
変形が電極に発生する場合があった。特に銅箔などの延
性に富んだ金属箔を集電体として用いた場合、電極の変
形の度合いが大きくなる。電極が変形すると、これを収
納する電池内において体積が増加するため、電池の体積
当りのエネルギー密度が低下し、問題となる。
電サイクル特性に優れたリチウム二次電池用電極であっ
て、充放電に伴う活物質薄膜の膨張により集電体に変形
やしわが発生するのを抑制することができるリチウム二
次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池用電極並
びにこれを用いたリチウム二次電池を提供することにあ
る。
うリチウム二次電池用電極の製造方法は、リチウムを吸
蔵・放出する活物質薄膜を集電体上に堆積して形成する
工程と、エッチングにより活物質薄膜の厚み方向に空隙
を形成し、活物質薄膜を微小領域に分割する工程とを備
えることを特徴としている。
薄膜の厚み方向に空隙を形成し、活物質薄膜を微小領域
に分割している。このため、活物質薄膜の微小領域の周
囲には、充放電反応前において、すでに空隙が形成され
ている。従って、初回の充放電反応の際の活物質薄膜の
膨張を、その周囲の空隙により吸収することができ、初
回の充放電反応に伴う活物質薄膜の膨張による応力の発
生を緩和することができる。このため、充放電反応の際
に集電体に変形やしわが発生するのを抑制することがで
きる。
方向に延びる低密度領域が活物質薄膜に形成されてお
り、該低密度領域におけるエッチング速度が他の領域に
おけるエッチング速度よりも速いことを利用して、上記
エッチングがなされることが好ましい。このような低密
度領域は、表面に凹凸が形成された集電体の上に活物質
薄膜をCVD法やスパッタリング法などにより堆積して
形成する場合に形成されることがわかっている。集電体
表面の凹凸の谷部においては、その両側の凸部の斜面上
に薄膜が堆積して成長し、その成長部分が集電体表面の
凹凸の谷部の上方で出会うため、このような低密度領域
が形成されるものと思われる。従って、このような低密
度領域は、集電体表面の凹凸の谷部の上方に延びるよう
に形成され、この結果、集電体表面の凹凸の谷部と活物
質薄膜表面の凹凸の谷部を結ぶ領域に形成される。
密度が低いため、エッチング速度が、他の領域に比べ速
くなる。このため、低密度領域において選択的にエッチ
ングを進行させることができる。低密度領域は、厚み方
向に延びるように形成されているので、このような低密
度領域をエッチングすることにより、厚み方向に空隙を
形成し、活物質薄膜を微小領域に分割することができ
る。
化学的反応によるエッチングが好ましいが、物理的エッ
チングであってもよい。また、エッチャントを用いた湿
式エッチング(ウェットエッチング)であることが好ま
しいが、CF4によるエッチングや、プラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチングなどのような乾式エッチン
グ(ドライエッチング)であってもよい。
料は、リチウムを吸蔵・放出することができるものであ
れば、特に限定されるものではないが、リチウムと合金
化することによりリチウムを吸蔵する材料が好ましく用
いられる。このような材料としては、シリコン、ゲルマ
ニウム、錫、鉛、亜鉛、マグネシウム、ナトリウム、ア
ルミニウム、カリウム、インジウム及びこれらの合金な
どが挙げられる。これらの中でも、シリコン、ゲルマニ
ウム、シリコンゲルマニウムが特に好ましく用いられ
る。また、シリコン、ゲルマニウム、またはシリコンゲ
ルマニウムの非晶質もしくは微結晶薄膜が好ましく用い
られる。
する方法としては、気相または液相から集電体の上に原
子またはイオンを移動し堆積するような方法が好ましく
用いられる。具体的には、CVD法、スパッタリング
法、蒸着法、溶射法、またはめっき法などが挙げられ
る。
ウムと合金化しない金属から形成されていることが好ま
しく、このような材料としては、銅、銅を含む合金、ニ
ッケル、ステンレスなどが挙げられる。集電体の少なく
とも表面部分は、銅または銅を主体とする合金から形成
されていることが好ましい。集電体の表面部分を銅また
は銅を主体とする合金から形成することにより、活物質
薄膜が、シリコンまたはゲルマニウムを含む薄膜である
場合、活物質薄膜中に集電体成分である銅を拡散させる
ことができ、集電体と活物質薄膜との密着性を高めるこ
とができる。
して集電体上に活物質薄膜を形成した後、行うことがで
きる。湿式エッチング(ウェットエッチング)によりエ
ッチングする場合、エッチャントを含むエッチング液中
に、集電体上に形成した活物質薄膜を浸漬することによ
り行うことができる。活物質薄膜が、例えば、シリコ
ン、ゲルマニウム、及びシリコンゲルマニウムなどであ
る場合、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶
液、及びアンモニア水溶液などをエッチング液として用
いることができる。必要に応じて、加熱したエッチング
液中に浸漬して、エッチングを行うことができる。エッ
チングの量は、エッチング液の種類や濃度、エッチング
液の温度、エッチングの時間などにより適宜制御するこ
とができる。
池用電極の製造方法は、リチウムを吸蔵・放出する活物
質薄膜であって、厚み方向に形成された空隙によって微
小領域に分割された活物質薄膜を集電体上に設ける工程
と、空隙が形成された上記活物質薄膜をマスクとして集
電体表面をエッチングすることにより、活物質薄膜の空
隙に対応した溝を集電体に形成する工程とを備えること
を特徴としている。
れた空隙によって微小領域に分割された活物質薄膜をマ
スクとして、集電体の表面をエッチングすることによ
り、活物質薄膜の空隙に対応した溝を集電体表面に形成
する。活物質薄膜の微小領域の周りには、空隙が形成さ
れており、該空隙の下方の集電体表面には溝が形成れて
いる。このため、充放電に伴う活物質薄膜の膨張・収縮
を微小領域の周りに形成されている空隙により吸収する
ことができ、活物質薄膜の膨張・収縮による応力を低減
することができる。さらには、活物質薄膜の微小領域の
周囲の集電体の表面に溝が形成されているため、活物質
薄膜の膨張により集電体にかかる応力を、この集電体の
溝の部分で緩和することができる。従って、充放電に伴
う活物質薄膜の膨張により集電体に変形やしわが発生す
るのを抑制することができる。
領域の周りに空隙が形成されており、さらに、活物質薄
膜の微小領域の周りの集電体の表面にも溝が形成されて
いる。このため、第1の局面よりもさらに集電体の変形
やしわの発生をより有効に抑制することができる。
チングは、化学的反応によるエッチングであることが好
ましいが、物理的エッチングであってもよい。また、湿
式エッチング(ウェットエッチング)であることが好ま
しいが、乾式エッチング(ドライエッチング)であって
もよい。
としては、活物質薄膜よりも速い速度で集電体をエッチ
ングするものが好ましく用いられる。活物質薄膜とし
て、シリコン、ゲルマニウム、またはシリコンゲルマニ
ウムを用い、集電体として銅等を用いる場合には、エッ
チャントとしては、塩化第2鉄、塩化第2銅、過硫酸ア
ンモニウムなどが好ましく用いられる。
物質薄膜を集電体上に設ける工程は、活物質薄膜を集電
体上に堆積して形成する工程と、エッチングにより活物
質薄膜に空隙を形成する工程とからなるものでもよい。
すなわち、厚み方向に空隙を形成することにより活物質
薄膜を微小領域に分割する第1の局面の工程であっても
よい。この場合、第1の局面と同様に、活物質薄膜の厚
み方向に形成された低密度領域に沿ってエッチングがな
され、厚み方向に空隙が形成されてもよい。
により活物質薄膜をエッチングすることができる。活物
質薄膜及び集電体は、第1の局面と同様の材質のものを
用いることができる。
池用電極は、リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜を集
電体上に堆積して形成したリチウム二次電池用電極であ
り、活物質薄膜が厚み方向に形成された空隙によって微
小領域に分割されており、かつ集電体表面に活物質薄膜
の空隙に対応した溝が形成されていることを特徴として
いる。
は、上記第2の局面に従う製造方法により製造すること
ができる電極であるが、上記第2の局面の方法により製
造された電極に限定されるものではない。
いては、第2の局面の方法により製造されたリチウム二
次電池用電極と同様に、活物質薄膜が厚み方向に形成さ
れた空隙によって微小領域に分割されている。従って、
活物質薄膜の微小領域の周囲には空隙が存在しており、
充放電に伴う活物質薄膜の膨張を吸収することができる
ので、応力の発生を抑制することができる。また、活物
質薄膜の微小領域の周囲の集電体の表面には溝が形成さ
れているので、充放電に伴う活物質薄膜の膨張により集
電体に応力がかかっても、この応力を活物質薄膜の微小
領域の周囲の集電体の溝部分で吸収することができる。
従って、集電体に変形やしわが発生するのを抑制するこ
とができる。
及び集電体の材質としては、上記第1の局面及び第2の
局面と同様の材質のものを用いることができる。集電体
の表面粗さRaは、0.01μm以上であることが好ま
しく、さらに好ましくは0.1μm以上である。好まし
くは0.01〜2μmの範囲内であり、さらに好ましく
は0.1〜2μmの範囲内である。
吸蔵または添加されていてもよい。リチウムは、薄膜を
形成する際に添加してもよい。すなわち、リチウムを含
有する薄膜を形成することにより、薄膜にリチウムを添
加してもよい。また、薄膜を形成した後に、薄膜にリチ
ウムを吸蔵または添加させてもよい。薄膜にリチウムを
吸蔵または添加させる方法としては、電気化学的にリチ
ウムを吸蔵または添加させる方法が挙げられる。
の第1の局面または第2の局面の方法により製造された
電極または上記本発明の第3の局面に従う電極からなる
負極と、正極と、非水電解質とを備えることを特徴とし
ている。
の溶媒は、特に限定されるものではないが、エチレンカ
ーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボ
ネート、ビニレンカーボネートなどの環状カーボネート
と、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネー
ト、ジエチルカーボネートなどの鎖状カーボネートとの
混合溶媒が例示される。また、前記環状カーボネートと
1,2−ジメトキシエタン、1,2−ジエトキシエタン
などのエーテル系溶媒や、γ−ブチロラクトン、スルホ
ラン、酢酸メチル等の鎖状エステル等との混合溶媒も例
示される。また、電解質の溶質としては、LiPF6、
LiBF4、LiCF3SO3、LiN(CF 3SO2)2、
LiN(C2F5SO2)2、LiN(CF3SO2)(C4
F9SO2)、LiC(CF3SO2)3、LiC(C2F5
SO2)3、LiAsF6、LiClO4、Li2B10Cl
10、Li2B12Cl12など及びそれらの混合物が例示さ
れる。さらに電解質として、ポリエチレンオキシド、ポ
リアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデンなどのポリ
マー電解質に電解液を含浸したゲル状ポリマー電解質
や、LiI、Li3Nなどの無機固体電解質が例示され
る。本発明のリチウム二次電池の電解質は、イオン導電
性を発現させる溶質としてのLi化合物とこれを溶解・
保持する溶媒が電池の充電時や放電時あるいは保存時の
電圧で分解しない限り、制約なく用いることができる。
しては、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、L
iMnO2、LiCo0.5Ni0.5O2、LiNi0.7Co
0.2Mn0.1O2などのリチウム含有遷移金属酸化物や、
MnO2などのリチウムを含有していない金属酸化物が
例示される。また、この他にも、リチウムを電気化学的
に挿入・脱離する物質であれば、制限なく用いることが
できる。
う製造工程の一例を説明するための断面図である。
に、活物質薄膜11が堆積して形成されている。集電体
10の表面10aには凹凸が形成されており、この凹凸
に対応して、活物質薄膜11の表面11aにも凹凸が形
成されている。
活物質薄膜表面11aの凹凸の谷部11cとを結ぶ領域
に、低密度領域11bが形成されている。低密度領域1
1bは、集電体表面10aの上に薄膜が堆積される際、
両側の斜面からの成長表面がぶつかり合うことにより形
成される領域である。従って、低密度領域11bは、集
電体表面10aの凹凸の谷部10cから上方に厚み方向
に延びるように形成されている。
他の領域に比べ、エッチング速度が速くなる。このた
め、低密度領域11bにおいて、選択的にエッチングが
速く進行する。従って、低密度領域11bを選択的にエ
ッチングすることができる。例えば、活物質薄膜11を
集電体10とともに、エッチング液中に浸漬させること
により、活物質薄膜11の低密度領域11bをエッチン
グすることができる。
11bをエッチングした後の状態を示す断面図である。
図1(b)に示すように、低密度領域11bを選択的に
エッチングすることにより、厚み方向に空隙12が形成
され、この空隙12によって、活物質薄膜11を微小領
域に分割することができる。活物質薄膜11の微小領域
の周囲には、空隙12が存在しているため、充放電によ
り活物質薄膜の微小領域11が膨張しても、これをその
周囲の空隙12で吸収することができ、活物質薄膜の膨
張による応力の発生を抑制することができる。従って、
集電体の変形やしわの発生を抑制することができる。
の充放電の前に、予め形成させておくことができるの
で、初回の充放電の際の活物質薄膜の膨張による集電体
の変形やしわの発生を防止することができる。従来の活
物質薄膜においても、初回の充放電反応以降において、
活物質薄膜の膨張収縮により厚み方向に切れ目が形成さ
れ、微小領域に分割される。しかしながら、集電体の変
形やしわの発生が初回の充放電反応で発生するため、集
電体に変形やしわの発生が認められるものと思われる。
本発明では、初回の充放電前に、すでに空隙が形成され
ているので、初回の充放電の際にも、活物質薄膜の膨張
による応力を緩和することができ、集電体に変形やしわ
が発生するのを抑制することができるものと思われる。
程の一例を説明するための断面図である。図2(a)及
び(b)は、図1(a)及び(b)と同様であり、活物
質薄膜11の厚み方向に延びる低密度領域11bをエッ
チングすることにより、空隙12が形成され、この空隙
12によって、活物質薄膜11が微小領域に分割されて
いる。
成された活物質薄膜11をマスクとして、集電体10の
表面10aをエッチングすることにより、図2(c)に
示すように、集電体10の表面10aに、溝13を形成
する。溝13は、空隙12に対応して形成されている。
すなわち、空隙12の下方に連通するように形成されて
いる。
小領域の周囲に空隙12が存在しているので、充放電に
伴う活物質薄膜の膨張を吸収することができ、活物質薄
膜の膨張による応力を低減することができる。さらに、
空隙12の下方の集電体10の表面10aには、溝13
が形成されている。活物質薄膜11は、集電体10の表
面10aと密着しているので、活物質薄膜11が膨張す
ると、集電体10の表面付近においても、図2(c)に
おいて矢印で示すような応力が働く、本発明の第2の局
面及び第3の局面においては、このような応力を、溝1
3によって吸収することができるので、集電体10に働
く応力を低減することができ、集電体に変形やしわが発
生するのをさらに抑制することができる。
活物質薄膜の微小領域の幅は、0.5〜200μmであ
ることが好ましく、さらに好ましくは1〜100μmで
ある。この微小領域の幅は、微小領域の水平方向(膜面
方向)の幅である。
における集電体表面の溝の深さは、2〜5μm程度であ
ることが好ましい。また、集電体表面の溝の幅は、0.
1〜5μmであることが好ましい。
に説明するが本発明は以下の実施例に何ら限定されるも
のではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変
更して実施することが可能なものである。
ついて説明する。 (実施例1及び比較例1) 〔負極の作製〕単結晶シリコン(P型、導電率1Ωcm
以下)をターゲットとして、DCマグネトロンスパッタ
装置により、集電体の上に非晶質シリコン薄膜を堆積し
て形成した。集電体としては、厚み18μmの電解銅箔
(表面粗さRa=0.188μm)を用いた。集電体を
冷却可能な支持基体上に貼り付け、スパッタ装置内部を
1×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、アルゴ
ンガスを導入口から圧力が0.5Paになるまで導入
し、パワー密度:3W/cm2、ターゲット−基板間距
離:15cmのスパッタリング条件で、厚み11μmの
非晶質シリコン薄膜を形成した。
薄膜を水酸化リチウム水溶液によりエッチングした。水
酸化リチウム水溶液は、純水1リットルに対して水酸化
リチウム・1水和物を20gの割合で添加し撹拌するこ
とにより調製した。水酸化リチウム水溶液の温度を70
℃とし、この中に集電体上に形成したシリコン薄膜を1
分間浸漬することにより、シリコン薄膜をエッチングし
た。エッチング後、流水で洗浄し乾燥した。
型電子顕微鏡で観察した。図3は、エッチング後のシリ
コン薄膜の表面を斜め方向から見たときの走査型電子顕
微鏡写真(倍率7000倍)である。図3から明らかな
ように、シリコン薄膜表面の凹凸の谷部に沿って厚み方
向に空隙が形成されており、この空隙によりシリコン薄
膜が柱状の微小領域に分割されている。柱状の微小領域
の水平方向(膜面方向)における幅は1〜4μm程度で
ある。
は水酸化リチウム水溶液を用いているが、例えば、水酸
化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、アンモニ
ア水溶液などを用いても同様にエッチングすることがで
きる。
蛍光X線分析により単位面積当りのシリコン重量を測定
したところ、1117μg/cm2であることが確認さ
れた。
もに2.5cm×2.5cmの大きさに切り出し、これ
を150℃で2時間真空加熱処理して、実施例1の負極
とした。
厚みを6μmとする以外は、上記と同様にして電解銅箔
の集電体上に非晶質シリコン薄膜を形成した。得られた
シリコン薄膜について、走査型電子顕微鏡で観察した。
図4は、得られたシリコン薄膜の表面を斜め方向から見
たときの走査型電子顕微鏡写真(倍率7000倍)であ
る。図4から明らかなように、集電体表面の凹凸に対応
した凹凸がシリコン薄膜の表面に形成されており、図3
における実施例1のシリコン薄膜では、このようなシリ
コン薄膜表面の凹凸の谷部に沿って厚み方向にエッチン
グがなされ空隙が形成されていることがわかる。
分析で測定したところ、1132μg/cm2であっ
た。この電極を、上記実施例1の電極と同様に、2.5
cm×2.5cmの大きさに切り出し、これを150℃
で2時間真空加熱処理して、比較例1の負極とした。
oO2粉末90重量%と、導電剤としての炭素粉末5重
量%と、結着剤としてポリフッ化ビニリデン粉末5重量
%とを混合し、得られた混合物にN−メチルピロリドン
を加えて混練してスラリーを作製し、このスラリーを厚
さ20μmのアルミニウム製集電体の片面にドクターブ
レード法により塗布した。これを2.0cm×2.0c
mの大きさに切り出し、150℃で2時間真空加熱処理
して、正極を得た。
囲気中で、エチレンカーボネート(EC)とジエチルカ
ーボネート(DEC)を体積比3:7となるように混合
した溶媒に、LiPF 6を1モル/リットルとなるよう
に溶解して電解液を作製した。
の負極と、上記正極とを用いて、以下のようにしてリチ
ウム二次電池を作製した。
中にて、正極と負極とをポリエチレン製微多孔膜を介し
て貼り合わせ、アルミニウム製ラミネート材からなる外
装体に挿入した。これに、上記電解液を500μl注入
し、リチウム二次電池を作製した。電池の設計容量は1
4mAhである。
平面図である。図5に示すように、ポリエチレン製微多
孔膜からなるセパレータ2を介して、正極1と負極3と
が組合わされて外装体4内に挿入されている。外装体4
に挿入した後に、電解液を注入し、外装体4の封止部4
aを封止することにより、リチウム二次電池が作製され
ている。
態を示すための断面図である。図6に示すように、セパ
レータ2を介して正極1と負極3が対向するように組み
合わされている。正極1においてはアルミニウムからな
る正極集電体1bの上に、正極活物質層1aが設けられ
ており、この正極活物質層1aがセパレータ2と接して
いる。また、負極3においては、銅からなる負極集電体
3bの上に、負極活物質層3aが設けられおり、この負
極活物質層3aがセパレータ2に接している。
外部取り出しのためのアルミニウムからなる正極タブ1
cが取り付けられている。また、負極集電体3bにも、
外部取り出しのためのニッケルからなる負極タブ3cが
取り付けられている。
1及び比較例1の負極を用いた各電池について、充放電
サイクル特性を評価した。充電は14mAの定電流で
4.20Vまで行い、サイクル4.20Vの定電圧充電
を0.7mAまで行った。放電は14mAの定電流で
2.75Vまでとし、これを1サイクルとした。30サ
イクル後の容量維持率を以下の計算式より求めた。結果
を表1に示す。なお、測定は25℃で行った。
電容量/1サイクル目の放電容量)×100 また、充放電サイクル試験前及び試験後の負極の厚みを
測定し、(試験後の負極の厚み)−(試験前の負極の厚
み)を負極の厚み変化として、表1に示した。なお、実
施例1の負極の試験前の厚みは36μmであり、比較例
1の負極の試験前の厚みは32μmであった。
明の第1の局面に従う実施例1の負極は、比較例1の負
極と同様に、高い充放電容量を示し、かつ優れた充放電
サイクル特性を示している。一方、負極の厚み変化は、
比較例1の負極よりもかなり小さくなっており、集電体
の変形及びしわの発生が抑制されていることがわかる。
に従う実施例について説明する。 (実施例2)実施例1と同様にして集電体上に非晶質シ
リコン薄膜を形成し、形成したシリコン薄膜を水酸化リ
チウム水溶液を用いてエッチングした後、集電体表面を
エッチングして集電体表面に溝を形成した。集電体をエ
ッチングするのに用いたエッチング液としては、塩化第
2鉄水溶液を用いた。具体的には塩化第2鉄を純水で5
重量%に希釈したものをエッチング液として用いた。エ
ッチング液の温度は室温とし、エッチング時間は30秒
とした。エッチング後流水で10分間洗浄した後、15
0℃で2時間真空加熱処理した。
単位面積当りのシリコン重量を、蛍光X線分析により測
定したところ、1095μg/cm2であった。走査型
電子顕微鏡により、集電体に形成した溝を観察したとこ
ろ、集電体の溝の深さは2〜5μmの範囲であり、溝の
幅は0.1〜0.3μmの範囲であった。また、エッチ
ングしたシリコン薄膜の柱状の微小領域の幅は、実施例
1と同様に1〜4μmであった。
極及び電解液を作製し、実施例1と同様にしてリチウム
二次電池を作製した。
2の負極を用いた電池について、上記実施例1と同様に
して充放電サイクル特性を評価し、初期放電容量及び容
量維持率を測定した。この結果を表2に示す。また、負
極の厚み変化についても測定し、結果を表2に示した。
実施例2の負極の試験前の厚みは36μmであった。
結果も併せて示す。
明の第2の局面及び第3の局面に従う実施例2の負極を
用いた電池は、充放電容量が高く、かつ充放電サイクル
特性に優れており、しかも、充放電試験における負極の
厚み変化が著しく低減している。従って、集電体の変形
やしわの発生がより効果的に抑制されていることがわか
る。
放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池用電極であ
って、充放電に伴う活物質薄膜の膨張により集電体に変
形やしわが発生するのを抑制することができる。従っ
て、本発明のリチウム二次電池用電極を用いることによ
り、電池の体積当りのエネルギー密度を高めることがで
きる。
明するための断面図。
明するための断面図。
た後の状態を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率7000
倍)。
る前の状態を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率7000
倍)。
電池を示す平面図。
み合わせ構造を示す断面図。
Claims (16)
- 【請求項1】 リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜を
集電体上に堆積して形成する工程と、 エッチングにより前記活物質薄膜の厚み方向に空隙を形
成し、前記活物質薄膜を微小領域に分割する工程とを備
えることを特徴とするリチウム二次電池用電極の製造方
法。 - 【請求項2】 前記活物質薄膜に厚み方向に延びる低密
度領域が形成されており、該低密度領域におけるエッチ
ング速度が他の領域におけるエッチング速度よりも速い
ことを利用して、前記エッチングがなされることを特徴
とする請求項1に記載のリチウム二次電池用電極の製造
方法。 - 【請求項3】 前記活物質薄膜の表面に前記集電体表面
の凹凸に対応した凹凸が形成されており、前記集電体表
面の凹凸の谷部と前記活物質薄膜表面の凹凸の谷部とを
結ぶ領域に前記低密度領域が形成されていることを特徴
とする請求項2に記載のリチウム二次電池用電極の製造
方法。 - 【請求項4】 前記活物質薄膜に対するエッチングが、
化学的反応によるエッチングであることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか1項に記載のリチウム二次電池用
電極の製造方法。 - 【請求項5】 リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜で
あって、厚み方向に形成された空隙によって微小領域に
分割された活物質薄膜を集電体上に設ける工程と、 前記空隙が形成された前記活物質薄膜をマスクとして前
記集電体表面をエッチングすることにより、前記活物質
薄膜の前記空隙に対応した溝を前記集電体に形成する工
程とを備えることを特徴とするリチウム二次電池用電極
の製造方法。 - 【請求項6】 前記集電体に対するエッチングが、化学
的な反応によるエッチングであることを特徴とする請求
項5に記載のリチウム二次電池用電極の製造方法。 - 【請求項7】 前記空隙が形成された前記活物質薄膜を
集電体上に設ける工程が、前記活物質薄膜を集電体上に
堆積して形成する工程と、エッチングにより前記活物質
薄膜に前記空隙を形成する工程とを含むことを特徴とす
る請求項5または6に記載のリチウム二次電池用電極の
製造方法。 - 【請求項8】 前記活物質薄膜に厚み方向に延びる低密
度領域が形成されており、該低密度領域におけるエッチ
ング速度が他の領域におけるエッチング速度よりも速い
ことを利用して、前記エッチングがなされることを特徴
とする請求項7に記載のリチウム二次電池用電極の製造
方法。 - 【請求項9】 前記活物質薄膜の表面に前記集電体表面
の凹凸に対応した凹凸が形成されており、前記集電体表
面の凹凸の谷部と前記活物質薄膜表面の凹凸の谷部とを
結ぶ領域に前記低密度領域が形成されていることを特徴
とする請求項8に記載のリチウム二次電池用電極の製造
方法。 - 【請求項10】 前記活物質薄膜に対するエッチング
が、化学的反応によるエッチングであることを特徴とす
る請求項7〜9のいずれか1項に記載のリチウム二次電
池用電極の製造方法。 - 【請求項11】 前記活物質薄膜が、シリコン、ゲルマ
ニウム、またはシリコンゲルマニウムの非晶質もしくは
微結晶薄膜であることを特徴とする請求項1〜10のい
ずれか1項に記載のリチウム二次電池用電極の製造方
法。 - 【請求項12】 前記集電体の少なくとも表面部分が、
銅または銅を主体とする合金から形成されることを特徴
とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のリチウム
二次電池用電極の製造方法。 - 【請求項13】 リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜
を集電体上に堆積して形成したリチウム二次電池用電極
であって、 前記活物質薄膜が厚み方向に形成された空隙によって微
小領域に分割されており、かつ前記集電体の表面に前記
活物質薄膜の空隙に対応した溝が形成されていることを
特徴とするリチウム二次電池用電極。 - 【請求項14】 前記活物質薄膜が、シリコン、ゲルマ
ニウム、またはシリコンゲルマニウムの非晶質もしくは
微結晶薄膜であることを特徴とする請求項13に記載の
リチウム二次電池用電極。 - 【請求項15】 前記集電体の少なくとも表面部分が、
銅または銅を主体とする合金から形成されていることを
特徴とする請求項13または14に記載のリチウム二次
電池用電極。 - 【請求項16】 請求項1〜12のいずれか1項に記載
の方法により製造された電極または請求項13〜15の
いずれか1項に記載の電極からなる負極と、正極と、非
水電解質とを備えることを特徴とするリチウム二次電
池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196638A JP4183401B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196638A JP4183401B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017040A true JP2003017040A (ja) | 2003-01-17 |
| JP4183401B2 JP4183401B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=19034408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001196638A Expired - Fee Related JP4183401B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池 |
Country Status (1)
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| JP4183401B2 (ja) | 2008-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080522 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
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