JP2003007911A - 表面実装型電子部品とその製造方法 - Google Patents
表面実装型電子部品とその製造方法Info
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Abstract
に、小型化と製造コストの低減が可能な表面実装型電子
部品とその製造方法を提供する。 【解決手段】第1の樹脂基板の表面に形成する表面電極
パターンと第2の樹脂基板の上面に形成する中間層電極
パターンとをビアホールに形成するビア導体により接続
し、前記中間層電極パターンと前記第2の樹脂基板の底
面に形成する底面電極パターンとをスルーホールに形成
する周面電極により接続する多層基板の表面上に電子部
品素子を搭載し、該電子部品素子周域及び前記多層基板
表面に封止樹脂を成形した表面実装型電子部品であっ
て、前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開
口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐように、前記第2の樹
脂基板に前記第1の樹脂基板を積層することを特徴とす
る。
Description
とその製造方法に関し、特に実装密度を高めて小型化に
適応した表面実装型電子部品とその製造方法に関する。
(LED)を用いた表面実装型電子部品における従来技
術の第1例として、図11、図12、図13に示されて
いるような構成のものが知られている。図11は、表面
実装型電子部品1の斜視図、図12は平面図、図13
は、その断面図である。図に示すように、基板2の表面
に導電材料よりなる一対の電極パタ−ン4、5が形成さ
れている。又、形状が長穴状のスルーホール7、8の内
壁には、メッキ層等の導電膜が形成されて基板2の裏面
に延在し、基板2の表面に形成される一対の電極パタ−
ン4、5と電気的に接続されている。
−ン4には矩形状のパッド部13を形成し、パッド部1
3の上に発光ダイオ−ド(LED)3を搭載する。発光
ダイオ−ド(LED)3は、他方の電極パタ−ン5と金
属線6によりワイヤ−ボンデングされている。発光ダイ
オ−ド(LED)3と金属線6は、図13の表面実装型
電子部品1の断面図に示すように、透光性の合成樹脂に
よる封止樹脂9で封止される。このような構成の表面実
装型電子部品1は、プリント基板等に表面実装され、基
板の裏面に形成された導電膜とプリント基板の回路パタ
−ンが電気的に接続される。
は、基板2の両端にスルーホール7、8が設けられてお
り、その内壁には導電膜が形成されている。このため、
発光ダイオ−ド(LED)3と金属線6を透光性の封止
樹脂9により封止する際に、導電膜の導電性を保持する
上から封止樹脂9がスルーホール7、8に流入しないよ
うに、封止樹脂9の端面の位置をスルーホール7、8の
位置よりも内側となるように位置合わせをして封止して
いる。このため、図12に示すように封止樹脂9の長さ
Bは基板2の長さAよりも短く設定されている。
に封止樹脂を形成した表面実装型電子部品も示してい
る。この種の表面実装型電子部品1は、その製造工程で
シート状の基板をダイシング装置などを用いて分断し、
最終的には、個々の単位の面実装可能な表面実装型電子
部品1として完成され、これが図にはない別のプリント
基板に実装される。
ED)を用いた表面実装型電子部品における従来技術の
第2例として、図14、図15、図16に示されている
ような構成のものが知られている。図14は、表面実装
型電子部品1aの斜視図、図15は、平面図、図16
は、断面図である。従来技術の第1例の図11〜図13
に示した表面実装型電子部品1と同じ部分または対応す
る部分については同一の符号を付してある。
2に事前に張り付けられた銅箔、もしくは、銅箔上にメ
ッキを施した電極部を有し、その一方の電極パターン4
に発光ダイオード(LED)3を導電性接着剤で接着
し、発光ダイオード(LED)3の他方の面の電極と基
板2の他方の電極パターン5とを金線からなる金属線6
で結線し封止樹脂9を成形したものである。又、半円形
のスルーホール7a、8aの内壁には導電膜が形成され
基板2の裏面電極と前記電極パターン4、5とが電気的
に接続されている。又、前記スルーホール7a、8aの
表面側開口部はドライフィルム10により被覆されてい
る。
ド(LED)3の搭載前の基板2上に貼り付けた後、写
真蝕刻技術によりパターン形成することができる。ま
た、ドライフィルム10の形成には、予めパターン成形
されたフィルム状のものを熱圧着する手法も実用可能で
ある。
ルム10により被覆されている為、封止樹脂9がスルー
ホール7a、8aへ漏出することを防止でき、封止樹脂
9の大きさを基板2とほぼ同じ大きさになっている。
又、前記表面実装型電子部品1aは、シート状の基板を
スルーホール7a、8aの中央部でダイシング装置など
を用いて分断し、個々の単位の面実装可能な表面実装型
電子部品1aとして完成される。
ED)を用いた表面実装型電子部品の従来技術の第3例
として、図17、図18、図19に示されているような
構成のものが知られている。図17は、表面実装型電子
部品1bの斜視図、図18は、平面図、図19は、その
断面図である。従来技術の第2例に示した表面実装型電
子部品1aと同じ部分または対応する部分については同
一の符号を付しある。
部品1bの基板2の表面には導電箔または導電膜等で形
成される電極パタ−ン4a、5aが配置される。電極パ
タ−ン4a、5aの端部は、半円形のスルーホール7
a、8aを覆う位置まで延在させている。スルーホール
7a、8aの内壁には、メッキ等により導電膜4b、5
bを形成して基板2の裏面まで延在させ裏面電極と電気
的に接続される。また、導電膜4b、5bは基板2の表
面に形成される電極パタ−ン4a、5aと電気的に接続
される。
の開口部は、電極パタ−ン4a、5aにより覆われてい
る。このため、発光ダイオ−ド(LED)3と金属線6
を封止する透光性の合成樹脂からなる封止樹脂9の端面
位置を、電極パタ−ン4a、5aの端面の位置に揃えて
形成してもスルーホール7a、8a内には封止樹脂9は
流入しない。
表裏両面の電極をパターニングする際に、スルーホール
を形成する部分の裏面の導電膜を同時にパターニングに
より開口して基板表面を露出させ、裏面からレーザ加工
により基板2をエッチングする。パターニングにより露
出する形状で基板2がエッチングされて、表面の導電膜
に達するとエッチングが止まる。
チングすることができるが、銅箔などの導電膜をエッチ
ングすることができないように調整されているためであ
る。これによって、表面側を閉塞したスルーホール7
a、8aを形成することができる。その後、スルーホー
ル7a、8a内に導電膜4b、5bを形成することによ
り、電極パターン4a、5aと裏面電極とを接続する。
の斜視図である。図17に示すように、封止樹脂9の長
さ、幅、は、基板2とほぼ同じ大きさである。又、本例
も従来技術の第2の例と同じように、表面実装型電子部
品1bは、その製造工程でシート状の基板をスルーホー
ル7a、8aの中央部でダイシング装置などを用いて分
断し、最終的には、個々の単位の面実装可能な表面実装
型電子部品1bとして完成される。
題点)第1の従来例の表面実装型電子部品1では、封止
樹脂9を成型する金型と基板2との位置ずれなどを考慮
し、封止樹脂9と基板2に形成されているスルーホール
7、8との間に間隔を取っている。従って、通常では、
封止樹脂がスルーホール7、8に流れ込む危険は少ない
が、このためには封止樹脂体9の長さBは基板2の長さ
Aよりも短く設定する必要がある。
化する上で、間隔を大きくすることには限界があるた
め、現実には封止樹脂9と基板2との位置ずれが大きい
場合、基板2のスルーホール7、8に封止樹脂が流れ込
んで基板2の電極パターン4、5を覆い、これが別のプ
リント基板へ実装する際に、その別のプリント基板上に
形成された配線体電極部との電気的接続を阻害ないし不
安定にする。そして、流れ込んだ封止樹脂を除去するに
は余分に工程が掛かり、工数の増加をもたらすことにな
る。
スルーホール7、8に流入しないよう端面位置を調整
し、しかも基板2の長さよりも最大長さを短くして封止
樹脂9を形成するためには特別な金型が必要であり、表
面実装型電子部品1の製造コストが高くなるという問題
があった。また、更に小型の表面実装型電子部品1が要
求される場合には、金型が制約されて製造が困難であり
このような要求には対応できないという問題があった。
の表面実装型電子部品1aでは、基板2のスルーホール
7a、8aはドライフィルム10により被覆されている
から封止樹脂9がスルーホール7a、8aへ漏出するこ
とが防止される。しかし、この例においては、ドライフ
ィルム10をスルーホール7a、8aに被覆する工程を
必要とし表面実装型電子部品1aの製造コストが高くな
るという問題があった。
の要請が増大している。一方表面実装型電子部品の大き
さは基板の大きさで規定される。第2の従来例において
は、基板2の表面上にドライフィルム10を形成するた
めの面積が必要であり、このため発光ダイオ−ド(LE
D)3の搭載される有効な基板面積が少なくなる。従っ
て、基板面積の有効利用を阻害するという問題があっ
た。
来例の表面実装型電子部品1bでは、基板2のスルーホ
ール7a、8aが電極パターン4a、5aにより被覆さ
れており、第2の従来例と同じく、封止樹脂9がスルー
ホール7a、8aへ漏出することはない。しかし、スル
ーホール7a、8aを形成するためには、基板2のみ加
工し電極パターン4a、5aは加工しない所謂メクラ穴
加工に出力の大きいレーザー加工が必要となり、この
為、製造コストが高くなるという問題があった。
鑑みてなされたものであり、従来技術におけるドライフ
ィルムや銅箔等でスルーホールを覆う工程を省き、スル
ーホールへの樹脂の流入を防止すると共に、ドライフィ
ルムを無くすことによって電子部品素子の搭載される有
効面積を増加させ高密度実装による小型化の実現と、製
造コストの低減が可能な表面実装型電子部品とその製造
方法を提供することを目的とする。
ために、本発明のうちで請求項1に係わる表面実装型電
子部品は、ビアホールを有する第1の樹脂基板とスルー
ホールを有する第2の樹脂基板とに電極パターンを形成
して積層構造とし、前記第1の樹脂基板の表面に形成す
る表面電極パターンと前記第2の樹脂基板の上面に形成
する中間層電極パターンとを前記ビアホールに形成する
ビア導体により接続し、前記中間層電極パターンと前記
第2の樹脂基板の底面に形成する底面電極パターンとを
前記スルーホールに形成する周面電極により接続する多
層基板と、該多層基板の表面上に搭載する電子部品素子
と、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面を封止す
る封止樹脂とを備える表面実装型電子部品であって、前
記第2の樹脂基板に前記第1の樹脂基板を積層し、前記
第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前
記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記封止樹脂が
前記スルーホールに流入することを防止するように構成
されていることを特徴とする。
子部品は、請求項1記載の表面実装型電子部品におい
て、前記スルーホールは複数からなり、該複数のスルー
ホールが前記第2樹脂基板の同一側面に形成されている
とを特徴とする。
子部品の製造方法は、第1の樹脂基板と第2の樹脂基板
とに電極パターンを形成して積層構造とした多層基板の
表面上に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子周域及
び前記多層基板表面に封止樹脂を成形する表面実装型電
子部品の製造方法において、前記第1の樹脂基板にビア
ホール、ビア導体及び該ビア導体と導通する表面電極パ
ターンを形成する工程と、前記第2の樹脂基板にスルー
ホール、スルーホールの周面電極を形成し、該周面電極
と導通する中間層電極パターンと底面電極パターンとを
前記第2の樹脂基板の上面と底面とにそれぞれ形成する
工程と、前記中間層電極パターンと前記第1の樹脂基板
の表面電極パターンとを前記ビア導体で導通させると共
に前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口
部を前記第1の樹脂基板によって塞ぐように前記第1の
樹脂基板と前記第2の樹脂基板とを積層する工程とを含
み、前記スルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で
塞ぐことによって、前記電子部品素子周域及び前記多層
基板表面に封止樹脂を成形する工程で前記封止樹脂が前
記第2の樹脂基板のスルーホールに流入することを防止
することを特徴とする。
るスルーホールの開口部(第2の樹脂基板の上面側)を
第1の樹脂基板で塞ぐ構成となっているので、スルーホ
ールへの樹脂の流入を防止し、且つ従来技術におけるド
ライフィルムをなくすことによって電子部品素子の搭載
される有効面積を増加させ高密度実装を実現できる。更
に、ドライフィルムや電極でスルーホールを覆う工程が
不要となる。以下、本発明の実施の形態により詳述す
る。
図3は本発明における表面実装型電子部品の第1の実施
形態を説明するための図である。図1は本発明の第1の
実施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図、図
2は平面図、図3は断面図である。以下、図1、図2、
図3を用いて第1の実施形態における表面実装型電子部
品について説明する。なお、前記従来例と同一部分には
同一番号を付与してその説明は簡略する。
面実装型電子部品20は、多層基板30と、該多層基板
30の表面上に搭載する電子部品素子としての発光ダイ
オード(LED)3と、該発光ダイオード(LED)3
周域及び前記多層基板30の表面を封止する封止樹脂9
とを備えている。
基板21と第2の樹脂基板22とを積層した構造をなし
ている。前記第1の樹脂基板21は、ガラス繊維の含浸
されていないエポキシ樹脂からなる。又、前記第2の樹
脂基板22は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂から
なり通称ガラスエポキシ基板と呼ばれている。
板30(第1の樹脂基板21)の表面には表面電極パタ
ーン23、23aが形成され、一方の表面電極パターン
23には発光ダイオード(LED)3が銀ペースト等の
導電性接着剤で電気的に接続され且つ接着されている。
更に発光ダイオード(LED)3と他方の表面電極23
aとが金線等の金属線6で結線され電気的に接続されて
いる。又、封止樹脂9は表面実装型電子部品20の機械
的強度を得るため透光性のエポキシ系樹脂で成形されて
いる。
板21と前記第2の樹脂基板22の中間で、前記第2の
樹脂基板22の上面22aには、中間層電極パターン2
4、24aが形成され、底面には、底面電極パターン2
5、25aが形成されている。更に、前記中間層電極パ
ターン24、24aと前記底面電極パターン25、25
aとをそれぞれ接続するための半円状のスルーホール
(電極貫通孔)26、26a及び該スルーホール26、
26aの内周面に形成される周面電極膜27、27aが
第2の樹脂基板22の対抗する両側面にそれぞれ形成さ
れている。尚、前記スルーホール26、26aは、図1
に示すようにシート状多層基板を個々の多層基板30に
分割して形成されるため半円状となる。
脂基板21の中央付近には、前記表面電極パターン2
3、23aと、前記第2の樹脂基板22に形成されてい
る中間層電極パターン24、24aとをそれぞれ接続す
るためのビアホール(貫通穴)28、28a及び該ビア
ホール28、28aにビア導体29、29aが形成され
ている。図3においては、ビアホール28、28aに導
電材料を隙間無く充填したビア導体が示されているが、
充填されていなくても差し支えない。
表面実装型電子部品20は、前記第2の樹脂基板22に
前記第1の樹脂基板21を積層することによって、前記
表面電極23、23aと前記中間層電極24、24aと
を前記ビア導体29、29aを介してそれぞれ接続し、
更に中間層電極24、24aと前記底面電極25、25
aとを前記スルーホールの周面電極27、27aを介し
てそれぞれ接続するように構成されている。
部品20は、前記第2の樹脂基板22に前記第1の樹脂
基板21を積層することによって、前記第2の樹脂基板
22に形成されるスルーホール26、26aの上面側の
開口部31、31aを前記第1の樹脂基板21の端部で
閉塞する構造になっている。これにより前記封止樹脂9
が前記スルーホール26、26aに流入することを防止
することが可能となり、前記多層基板30のほぼ表面全
体を覆うように前記封止樹脂9が形成できる。
は、従来技術におけるドライフィルム10を無くすこと
によって、発光ダイオード(LED)の搭載される有効
面積を増加させ、高密度実装を実現することができる。
本実施形態における表面実装型電子部品を製造する工程
について図8、図9、図10の工程図を参照して説明す
る。
厚さが約500μmで、ガラス繊維を含浸したエポキシ
樹脂からなり、通称ガラスエポキシ基板と呼ばれてい
る。このシ−ト状の基板52の上下面には銅箔52a、
52bが事前に張り付けられている。次に、図8(b)
に示すように、前記シ−ト状のガラスエポキシ基板52
と銅箔52a、52bとを貫通する円形のスルーホール
56a、56bをドリル加工で形成する。図の例ではス
ルーホールを2個所のみ表示しているが、全体ではマト
リクス状に所定数の円形スルーホールが形成される。
電解メッキ法によりに銅メッキを施し、前記スルーホー
ル56a、56bの内周面に周面電極57a、57bを
それぞれ形成する。この時、前記基板52の上下面に形
成されている銅箔52a、52bの表面も銅メッキされ
る。
の銅箔52a、52bの不要部分をエッチングで除去し
て、所定の中間層電極パターン54a、54bと底面電
極パターン55a、55bとを形成する。更に前記中間
層電極パターン54a、54b、前記底面電極パターン
55a、55b、及び周面電極57a、57bの表面に
は、Ni+Auメッキが施される。これによって、中間
層電極パターン54a、54bと、底面電極パターン5
5a、55bとが周面電極57a、57bを介してそれ
ぞれ電気的に接続されたシート状の第2の樹脂基板62
が形成される。
状の第2の樹脂基板62の上面にシート状の第1の樹脂
基板61を接着材50を用いて積層する。この時、前記
第2の樹脂基板62のスルーホール56a、56bの上
面側の開口部60a、60bが第1の樹脂基板61で閉
塞される。第1の樹脂基板61は、シート状の基板51
の上面に銅箔51aを事前に張り付けたものである。
又、前記シ−ト状の基板51は、厚さが約50μmでガ
ラス繊維を含浸しないエポキシ樹脂からなる。
の樹脂基板61の銅箔51aのビアホールを形成する部
分をパターニングにより開口して孔68a、68bを形
成し、基板51の表面を露出させる。
基板61の上面をレーザ加工によりエッチング加工す
る。これによってパターニングにより露出した前記孔6
8a、68bの形状で前記基板51と接着材50とがエ
ッチングされて、前記中間層電極パターン54a、54
bに達するとエッチングが止まる。これによって第1の
樹脂基板61に円形のビアホール58a、58bを形成
し、前記中間層電極パターン54a、54bの表面の一
部が露出する。(図の例ではビアホールを2個所のみ表
示しているが、全体ではマトリクス状に所定数のビアホ
ールが形成される)。
樹脂基板61に無電解メッキ法により銅メッキを施し、
前記ビアホール58a、58bにビア導体59a、59
bを形成する。この時、前記基板51の上面に形成され
ている銅箔51a及び前記中間層電極パターン54a、
54bの露出された表面にも銅メッキされる。
樹脂基板61の表面に形成した銅箔51aの不要部分を
エッチングで除去して所定の表面電極パターン53a、
53bを形成する。更に前記表面電極パタ−ン53a、
53bの表面には、Ni+Auメッキが施される。これ
によって、表面電極パターン53a、53bと前記中間
層電極パターン54a、54bとが前記ビア導体59
a、59bを介してそれぞれ電気的に接続する。そして
表面電極パターン53a、53bと底面電極55a、5
5bとがそれぞれ電気的に接続したシート状の多層基板
63が形成される。
イオード(LED)3をシート状の多層基板63の一方
の表面電極53aに導電性接着剤等で接着し、発光ダイ
オード(LED)3と他方の表面電極53bとを金属線
6にてワイヤボンデングする。その後、シ−ト状多層基
板63の表面を全体的に金型等を用いて封止樹脂9とな
る透光性のエポキシ樹脂で覆い、発光ダイオード(LE
D)3と金属線6とを封止する。最後にスル−ホ−ルの
中央付近で封止樹脂9となるエポキシ樹脂、シート状の
多層基板63を切断し個々の表面実装型電子部品20を
形成する。その後、マザーボード(図示しない)に平面
実装され、多層基板の底面に形成された底面電極とマザ
ーボード(図示しない)電極パターンとが電気的に接続
される。
型電子部品の製造方法によれば、図10に示すようにス
ル−ホ−ルの上面側の開口部60a、60bを第1の樹
脂基板61で覆い、前記開口部60a、60bが閉塞し
た状態で透光性のエポキシ樹脂による封止を行うので、
封止樹脂9を形成する過程で透光性のエポキシ樹脂がス
ル−ホ−ル56a、56bに流入することを確実に防止
でき、スル−ホ−ル56a、56bに形成された周面電
極57a、57bの導電性を良好に保持することができ
る。
品の製造方法によれば、従来技術におけるドライフィル
ムや電極によってスルーホールを覆う工程を必要としな
い。又、スルーホールの形成はドリル加工が可能となり
従来技術のような出力の大きいレーザー加工を必要とし
ない。尚、本実施形態におけるビアホールのレーザー加
工は、加工する基板の厚さ、孔径が小さい為、スルーホ
ールの加工と比較して格段に小さい出力でよい。この結
果、製造コストの低減が可能となる。
基板に円形状のスル−ホ−ルを形成して得られる表面実
装型電子部品の例で説明したが、シ−ト状基板に長穴状
のスル−ホ−ルを形成して得られる表面実装型電子部品
にも適用できる。
7は本発明における表面実装型電子部品の第2の実施形
態を説明するための図である。図4は本発明の第2の実
施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図、図5
は平面図、図6は側面図、図7は図4における表面実装
型電子部品をマザーボード側から見た図である。以下、
図4、図5、図6、図7を用いて第2の実施形態におけ
る表面実装型電子部品について説明する。なお、第1の
実施形態と同一部分には同一番号を付与して、その説明
は簡略する。
における表面実装型電子部品20aは、側面実装タイプ
の例であり、二つのスルーホールを第2の樹脂基板の同
一側面に形成した点が第1の実施形態と異なっている。
その他の構成は、第1の実施形態と同様であるため説明
は簡略する。
板30aと、発光ダイオード(LED)3と、封止樹脂
9とを備えている。又、前記表面実装型電子部品20a
は、マザーボード11に側面実装されている。
に示すように矩形状の第1の樹脂基板21と第2の樹脂
基板32とを積層した構造をなしていて、該第2の樹脂
基板32は、ガラス繊維の含浸したエポキシ樹脂からな
る通称ガラスエポキシ基板である。尚、前記第1の樹脂
基板21は第1の実施形態と同様であるため説明を省略
する。
樹脂基板21と前記第2の樹脂基板32の中間で、前記
第2の樹脂基板32の上面32aには、中間層電極パタ
ーン34、34aが形成され、底面32bには、底面電
極パターン35、35aが形成されている。更に、前記
中間層電極パターン34、34aと前記底面電極パター
ン35、35aとをそれぞれ接続するための半円状のス
ルーホール(電極貫通孔)36、36a及び該スルーホ
ール36、36aの内周面に形成される周面電極膜3
7、37aが第2の樹脂基板32の同一側面に形成され
ている。尚、前記スルーホール36、36aは、第1の
実施形態と同様にシート状多層基板を個々の多層基板3
0aに分割して形成されるため半円状となる。
表面実装型電子部品20aは、前記第2の樹脂基板32
に、前記第1の樹脂基板21を積層することによって、
前記第2の樹脂基板32に形成されるスルーホール3
6、36aの上面側の開口部41、41aが前記第1の
樹脂基板21で塞がれる構造になっている。これにより
前記封止樹脂9が前記スルーホール36、36aに流入
することを防止することが可能となり、前記多層基板3
0aのほぼ表面全体を覆うように前記封止樹脂9が形成
できる。
て得られる表面実装型電子部品20aの側面を示してい
る。本実施形態においては、前記表面実装型電子部品2
0aの側面がマザーボード11の表面に接合され、図6
に示すようにマザーボード11に側面実装される。この
時、マザーボード11の表面に形成されている一方の電
極パターン15と、前記表面実装型電子部品20aの一
方の周面電極37及び底面電極35とを半田14で電気
的に接続する。又、図示していないがマザーボード11
の表面に形成されている他方の電極パターンも同様に周
面電極37a及び底面電極35aと電気的に接続され
る。
子部品20aの製造方法は、第2の樹脂基板32に形成
するスルーホールの位置が第1の実施形態と異なるだけ
で他は同様であるため説明を省略する。
実装型電子部品20aによれば、図7に示すようにスル
−ホ−ル36、36aの上面側の開口部41、41aを
第1の樹脂基板21の端部で覆い閉塞した状態で透光性
のエポキシ樹脂による封止を行うので、封止樹脂9を形
成する過程で透光性のエポキシ樹脂がスル−ホ−ル3
6、36aに流入することを確実に防止でき、スル−ホ
−ル36、36aに形成された周面電極37、37aの
導電性を良好に保持できる。従って、側面実装の場合に
おいても、電気的接続を確実にすることが出来る。又、
本実施形態においても前述の第1の実施形態と同様の効
果を得ることができる。
子部品とその製造方法は、表面実装型電子部品を小型化
する場合に特に効果が大である。尚、本発明の実施形態
においては、発光ダイオード(LED)を搭載した表面
実装型電子部品を例として説明したが、この他の電子部
品素子を搭載した表面実装型電子部品においても同様の
効果を得ることができる。
の製造方法によれば、多層基板を製造する段階で第2の
樹脂基板に第1の樹脂基板を積層し、第2の樹脂基板に
形成されるスルーホールの上面側の開口部を第1の樹脂
基板の端部で確実に閉塞した状態でシ−ト状の多層基板
の表面を封止樹脂で封止している。この結果、封止樹脂
を形成する際に封止樹脂がスル−ホ−ルに流入すること
を防止し、電気的接続を安定させることが出来る。又、
本発明によれば、従来技術における多層基板の表面に形
成されるドライフィルムを排除することが出来るため電
子部品素子の搭載される有効面積を増加させ、高密度実
装を実現できる。
止樹脂がスルーホールの位置にかからないようにするた
めの特別の金型を用いることなく封止樹脂を形成できる
ので、安価にしかも小型の多層基板からなる表面実装型
電子部品を提供できる。更に、従来技術におけるドライ
フィルムや電極によってスルーホールを覆う工程を省く
事が出来る。又、スルーホールの形成にレーザー加工を
必要とすることもない。従って、製造工程が簡素化され
製造コストの低減化が可能となる。
子部品を示す斜視図である。
子部品を示す平面図である。
子部品を示す断面図である。
子部品を示す斜視図である。
子部品を示す正面図である。
子部品を示す側面図である。
から見た図である。
子部品の製造工程を示す図である。
子部品の製造工程を示す図である。
電子部品の製造工程を示す図である。
を示す斜視図である。
を示す平面図である。
を示す断面図である。
を示す斜視図である。
を示す平面図である。
を示す断面図である。
を示す斜視図である。
を示す平面図である。
を示す断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ビアホールを有する第1の樹脂基板とス
ルーホールを有する第2の樹脂基板とに電極パターンを
形成して積層構造とし、前記第1の樹脂基板の表面に形
成する表面電極パターンと前記第2の樹脂基板の上面に
形成する中間層電極パターンとを前記ビアホールに形成
するビア導体により接続し、前記中間層電極パターンと
前記第2の樹脂基板の底面に形成する底面電極パターン
とを前記スルーホールに形成する周面電極により接続す
る多層基板と、該多層基板の表面上に搭載する電子部品
素子と、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面を封
止する封止樹脂とを備える表面実装型電子部品であっ
て、 前記第2の樹脂基板に前記第1の樹脂基板を積層し、前
記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を
前記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記封止樹脂
が前記スルーホールに流入することを防止するように構
成されていることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項2】 前記スルーホールは複数からなり、該複
数のスルーホールが前記第2樹脂基板の同一側面に形成
されているとを特徴とする請求項1記載の表面実装型電
子部品。 - 【請求項3】 第1の樹脂基板と第2の樹脂基板とに電
極パターンを形成して積層構造とした多層基板の表面上
に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子周域及び前記
多層基板表面に封止樹脂を成形する表面実装型電子部品
の製造方法において、 前記第1の樹脂基板にビアホール、ビア導体及び該ビア
導体と導通する表面電極パターンを形成する工程と、 前記第2の樹脂基板にスルーホール、スルーホールの周
面電極を形成し、該周面電極と導通する中間層電極パタ
ーンと底面電極パターンとを前記第2の樹脂基板の上面
と底面とにそれぞれ形成する工程と、 前記中間層電極パターンと前記第1の樹脂基板の表面電
極パターンとを前記ビア導体で導通させると共に前記第
2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前記
第1の樹脂基板によって塞ぐように前記第1の樹脂基板
と前記第2の樹脂基板とを積層する工程とを含み、 前記スルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐ
ことによって、前記電子部品素子周域及び前記多層基板
表面に封止樹脂を成形する工程で前記封止樹脂が前記第
2の樹脂基板のスルーホールに流入することを防止する
ことを特徴とする表面実装型電子部品の製造方法。
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2004103859A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Cmk Corp | 電子部品搭載用面付けプリント配線板とその製造方法、並びに表面実装部品 |
| JP2006165138A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型led |
| JP2009053305A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺状ndフィルターの製造方法と長尺状ndフィルター |
| JP2010532090A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを製造する方法およびオプトエレクトロニクスコンポーネント |
| WO2012020796A1 (ja) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | 株式会社オプトエレクトロニクス | 光検出装置、光学装置、光学的情報読取装置及び光源固定方法 |
| CN102721421A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 惠州华阳通用电子有限公司 | 基于门户网站向车载导航终端推送信息的自动导航系统及方法 |
| CN105448202A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-30 | 佛山科尚光电科技有限公司 | 一种具有透明软性基板的led显示装置 |
| JP2019176133A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ルーメンス カンパニー リミテッド | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール |
| JP2022081300A (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-31 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190363039A1 (en) | 2018-05-22 | 2019-11-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package and manufacturing process |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148485A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-06 | Toppan Printing Co Ltd | チップキャリア |
| JPH11307673A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2000012773A (ja) * | 1998-04-23 | 2000-01-14 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2001
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148485A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-06 | Toppan Printing Co Ltd | チップキャリア |
| JPH11307673A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2000012773A (ja) * | 1998-04-23 | 2000-01-14 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103859A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Cmk Corp | 電子部品搭載用面付けプリント配線板とその製造方法、並びに表面実装部品 |
| JP2006165138A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型led |
| US8461601B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-06-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a plurality of optoelectronic devices, and optoelectronic device |
| JP2010532090A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを製造する方法およびオプトエレクトロニクスコンポーネント |
| JP2009053305A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺状ndフィルターの製造方法と長尺状ndフィルター |
| WO2012020796A1 (ja) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | 株式会社オプトエレクトロニクス | 光検出装置、光学装置、光学的情報読取装置及び光源固定方法 |
| US8654425B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-02-18 | Optoelectronics Co., Ltd. | Optical detection device, optical device, optical information reading device, and light source fixing method |
| CN102721421A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 惠州华阳通用电子有限公司 | 基于门户网站向车载导航终端推送信息的自动导航系统及方法 |
| CN105448202A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-30 | 佛山科尚光电科技有限公司 | 一种具有透明软性基板的led显示装置 |
| JP2019176133A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ルーメンス カンパニー リミテッド | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール |
| JP2022081300A (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-31 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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