JP2003004657A - 観察作業支援システム - Google Patents
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
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- G06T7/0004—Industrial image inspection
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外観検査装置の高感度化により検出された膨
大な欠陥数から、外観不良の形状を確認する観察作業を
適切に絞り込み、効率化を図ること。 【解決手段】 検査装置からの欠陥情報を適正に抽出す
るために、フィルタおよびサンプリング機能をユニット
化して用意しておき、これらの組合せによって観察対象
欠陥の絞込み抽出を自動的に行う。また、これらフィル
タ、サンプリング条件をシーケンス化して登録しておく
ことにより、観察対象ウェハの情報により自動的にフィ
ルタ、サンプリングを行い、観察対象欠陥情報のみを抽
出する。
大な欠陥数から、外観不良の形状を確認する観察作業を
適切に絞り込み、効率化を図ること。 【解決手段】 検査装置からの欠陥情報を適正に抽出す
るために、フィルタおよびサンプリング機能をユニット
化して用意しておき、これらの組合せによって観察対象
欠陥の絞込み抽出を自動的に行う。また、これらフィル
タ、サンプリング条件をシーケンス化して登録しておく
ことにより、観察対象ウェハの情報により自動的にフィ
ルタ、サンプリングを行い、観察対象欠陥情報のみを抽
出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は製造途中の製品や部
品の観察作業に係り、特に半導体ウェハ、フォトマス
ク、磁気ディスク等の表面の異物、パターン欠陥の外観
を確認する観察（レビュー）作業を支援するシステムに
関する。
品の観察作業に係り、特に半導体ウェハ、フォトマス
ク、磁気ディスク等の表面の異物、パターン欠陥の外観
を確認する観察（レビュー）作業を支援するシステムに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、ウェハ表面上
の異物、パターン欠陥は製品不良の原因となる。このた
め、異物、パターン欠陥（以下、外観不良）を定量化し
製造装置及び製造環境に問題がないかを常時監視する必
要がある。さらに外観不良の形状を観察することによ
り、その外観不良が製品に致命的な影響を与えるものか
どうかを確認する必要がある。
の異物、パターン欠陥は製品不良の原因となる。このた
め、異物、パターン欠陥（以下、外観不良）を定量化し
製造装置及び製造環境に問題がないかを常時監視する必
要がある。さらに外観不良の形状を観察することによ
り、その外観不良が製品に致命的な影響を与えるものか
どうかを確認する必要がある。
【０００３】半導体デバイスの微細化に伴い、より微小
な外観不良を検出できる能力・性能が検査装置に求めら
れ、高感度に外観不良を検出できる検査装置が登場して
きている。このような検査装置によって抽出された膨大
な量の欠陥情報に基づいて外観不良の形状を観察する観
察作業は、歩留りを向上させる上で重要である。
な外観不良を検出できる能力・性能が検査装置に求めら
れ、高感度に外観不良を検出できる検査装置が登場して
きている。このような検査装置によって抽出された膨大
な量の欠陥情報に基づいて外観不良の形状を観察する観
察作業は、歩留りを向上させる上で重要である。
【０００４】従来、このような形状観察作業は人間が手
動により行うことが多かった。そのため、観察する人間
により観察対象の欠陥位置に偏りがあったり、観察すべ
き欠陥が一定しない問題があった。最近では、これらの
問題点を解決するために自動観察ＡＤＲ（Automatic De
fect Review）や自動欠陥分類ＡＤＣ（Automatic Defec
t Classification）の技術が導入され始めている。
動により行うことが多かった。そのため、観察する人間
により観察対象の欠陥位置に偏りがあったり、観察すべ
き欠陥が一定しない問題があった。最近では、これらの
問題点を解決するために自動観察ＡＤＲ（Automatic De
fect Review）や自動欠陥分類ＡＤＣ（Automatic Defec
t Classification）の技術が導入され始めている。
【０００５】欠陥の観察（レビュー）を効率化するもの
として、特開平７−９２０９４号公報、特開平９−
１９１０３２号公報、特開平１１−２１４４６２号公
報、特開２０００−３３２０７１号公報等に開示され
たものが知られている。
として、特開平７−９２０９４号公報、特開平９−
１９１０３２号公報、特開平１１−２１４４６２号公
報、特開２０００−３３２０７１号公報等に開示され
たものが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】検査装置の高感度化に
より、微小欠陥の検出が可能となるに伴い、検出される
欠陥数は膨大なものとなってきており、外観不良の形状
を確認する所謂観察（レビュー）作業で、これら欠陥の
全てを逐次観察することは不可能となってきている。前
記の自動化技術を有効に動作させるためには、検査装置
からの欠陥情報から観察対象とすべき欠陥情報を適正に
抽出する技術が必要となっている。
より、微小欠陥の検出が可能となるに伴い、検出される
欠陥数は膨大なものとなってきており、外観不良の形状
を確認する所謂観察（レビュー）作業で、これら欠陥の
全てを逐次観察することは不可能となってきている。前
記の自動化技術を有効に動作させるためには、検査装置
からの欠陥情報から観察対象とすべき欠陥情報を適正に
抽出する技術が必要となっている。
【０００７】前記各公報に開示されたものは、いずれ
も、効率化において十分とは言えない。
も、効率化において十分とは言えない。
【０００８】本発明の目的は、検査装置から出力される
膨大な数の欠陥情報から、観察すべき欠陥情報を正しく
選択し、観察作業の効率化を図ることである。
膨大な数の欠陥情報から、観察すべき欠陥情報を正しく
選択し、観察作業の効率化を図ることである。
【０００９】また、選択された欠陥情報や観察装置情報
から、自動的に最も有効な観察装置を決定し、観察作業
の効率化を図ることである。
から、自動的に最も有効な観察装置を決定し、観察作業
の効率化を図ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の主特徴とすると
ころは、検査装置からの欠陥情報を適正に抽出するため
に、複数の選択条件を用意しておき、これらの組合せに
よって観察対象欠陥の抽出を自動的に行うことである。
ころは、検査装置からの欠陥情報を適正に抽出するため
に、複数の選択条件を用意しておき、これらの組合せに
よって観察対象欠陥の抽出を自動的に行うことである。
【００１１】複数の選択条件は、（１）予定項目の欠陥
の性質による選別基準に基づき、多数の欠陥から絞り込
んでいくフィルタ機能と、予定の規則に従って欠陥デー
タの絞込みを行うサンプリング機能との組合せ、（２）
複数の項目別での欠陥の性質による選別基準に基づき、
多数の欠陥から絞り込んでいくフィルタ機能の、各項目
の組合せ、（３）複数の規則に従って欠陥データの絞り
込むサンプリング機能の、各規則の組合せ、（４）これ
ら（２）と（３）の組合せ等が好適である。
の性質による選別基準に基づき、多数の欠陥から絞り込
んでいくフィルタ機能と、予定の規則に従って欠陥デー
タの絞込みを行うサンプリング機能との組合せ、（２）
複数の項目別での欠陥の性質による選別基準に基づき、
多数の欠陥から絞り込んでいくフィルタ機能の、各項目
の組合せ、（３）複数の規則に従って欠陥データの絞り
込むサンプリング機能の、各規則の組合せ、（４）これ
ら（２）と（３）の組合せ等が好適である。
【００１２】これにより、観察作業の大きな効率化が達
成される。
成される。
【００１３】本発明の他の特徴とするところは、これら
フィルタ、サンプリング条件をシーケンス化して登録し
ておき観察対象ウェハの情報により、自動的にフィル
タ、サンプリングを行い、観察対象欠陥情報を抽出する
ことである。
フィルタ、サンプリング条件をシーケンス化して登録し
ておき観察対象ウェハの情報により、自動的にフィル
タ、サンプリングを行い、観察対象欠陥情報を抽出する
ことである。
【００１４】また、本発明の他の特徴とするところは、
多数の欠陥情報から絞り込むための複数の選択条件の中
から選択されたひとつの選択条件に応じて、複数種類の
観察装置の中のひとつの観察装置を選択することであ
る。
多数の欠陥情報から絞り込むための複数の選択条件の中
から選択されたひとつの選択条件に応じて、複数種類の
観察装置の中のひとつの観察装置を選択することであ
る。
【００１５】これらにより、観察すべき欠陥情報を正し
く選択し、また、自動的に最も有効な観察装置を決定
し、観察作業の高効率化を図る。
く選択し、また、自動的に最も有効な観察装置を決定
し、観察作業の高効率化を図る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例による
観察作業支援システムの全体構成図である。ここでは半
導体製造ラインに本発明を適用した例を示す。半導体製
造工程１は、各製造工程１１〜１４からなり、通常は清
浄な環境が保たれたクリーンルーム２内にある。クリー
ンルーム２内には製品ウェハの外観不良の検出を行う外
観検査装置３、ならびに外観検査装置からのデータに基
づき外観不良の観察（レビュー）を行う観察装置４を設
置する。外観検査装置３、観察装置４は、検査データを
受け渡すためのデータ処理装置５と通信回線６で結ばれ
ている。
観察作業支援システムの全体構成図である。ここでは半
導体製造ラインに本発明を適用した例を示す。半導体製
造工程１は、各製造工程１１〜１４からなり、通常は清
浄な環境が保たれたクリーンルーム２内にある。クリー
ンルーム２内には製品ウェハの外観不良の検出を行う外
観検査装置３、ならびに外観検査装置からのデータに基
づき外観不良の観察（レビュー）を行う観察装置４を設
置する。外観検査装置３、観察装置４は、検査データを
受け渡すためのデータ処理装置５と通信回線６で結ばれ
ている。
【００１７】製品となるウェハはロット単位で半導体製
造工程１を流れている。外観検査は、あらかじめ外観検
査を行うことが決められている工程の処理が終了した後
に作業者あるいは搬送機によって外観検査装置３まで運
ばれて検査処理が行われる。
造工程１を流れている。外観検査は、あらかじめ外観検
査を行うことが決められている工程の処理が終了した後
に作業者あるいは搬送機によって外観検査装置３まで運
ばれて検査処理が行われる。
【００１８】外観検査を行った際の欠陥情報３１は、
ロット番号とウェハ番号と検査工程と検査日時を
用いてデータ処理装置５で管理される。外観検査を終了
したウェハは、外観不良を観察するために観察装置４に
運ばれてロット内から予め決められているウェハを取り
出して観察を行う。観察を行う際は、観察対象であるウ
ェハの情報、すなわちロット番号とウェハ番号と
検査工程をキー情報として、データ処理装置５から欠陥
情報５１を取得する。
ロット番号とウェハ番号と検査工程と検査日時を
用いてデータ処理装置５で管理される。外観検査を終了
したウェハは、外観不良を観察するために観察装置４に
運ばれてロット内から予め決められているウェハを取り
出して観察を行う。観察を行う際は、観察対象であるウ
ェハの情報、すなわちロット番号とウェハ番号と
検査工程をキー情報として、データ処理装置５から欠陥
情報５１を取得する。
【００１９】外観検査装置３が出力する欠陥情報３１は
膨大なデータであるため、それら全てを観察対象欠陥と
することはできない。そこで何らかの手段によって、検
査装置３からの欠陥情報３１から観察すべき欠陥情報５
１を抽出することが必要である。この処理は、データ処
理装置５において、記憶装置５４に記憶されたフィルタ
及びサンプラ機能を用いて実行される。
膨大なデータであるため、それら全てを観察対象欠陥と
することはできない。そこで何らかの手段によって、検
査装置３からの欠陥情報３１から観察すべき欠陥情報５
１を抽出することが必要である。この処理は、データ処
理装置５において、記憶装置５４に記憶されたフィルタ
及びサンプラ機能を用いて実行される。
【００２０】図２は、本発明の一実施例による欠陥情報
抽出処理の説明図である。これらは前記記憶装置５４に
記憶され、データ処理装置５によって実行させる機能で
ある。検査装置３によって検出された多量の欠陥データ
から、実際に観察する必要のある欠陥を抽出するため、
複数のフィルタユニット７１，７２，…７Ｉ，…７Ｎか
らなるフィルタ７が用意されている。
抽出処理の説明図である。これらは前記記憶装置５４に
記憶され、データ処理装置５によって実行させる機能で
ある。検査装置３によって検出された多量の欠陥データ
から、実際に観察する必要のある欠陥を抽出するため、
複数のフィルタユニット７１，７２，…７Ｉ，…７Ｎか
らなるフィルタ７が用意されている。
【００２１】各フィルタユニット７１，７２，…７Ｉ，
…７Ｎは、独立したユニット方式をとり、ユーザが必要
に応じて組合せたフィルタ群７Ｚとして使用することが
できる。また、組合せた一連のフィルタ群７Ｚをシーケ
ンス化し、検査装置、製品名、工程名などの観察対象と
なるウェハの情報とリンクさせて記憶・保存することが
できる。
…７Ｎは、独立したユニット方式をとり、ユーザが必要
に応じて組合せたフィルタ群７Ｚとして使用することが
できる。また、組合せた一連のフィルタ群７Ｚをシーケ
ンス化し、検査装置、製品名、工程名などの観察対象と
なるウェハの情報とリンクさせて記憶・保存することが
できる。
【００２２】各フィルタユニットにおけるフィルタ機能
は、各項目別での欠陥の性質による選別基準に基づき、
多数の欠陥から絞り込んでいく機能であり、フィルタ機
能の例として、次のようなものがある。 （１）カテゴリ：２度目以降の観察作業において、検査
装置３または、別の観察装置で分類した結果としてのカ
テゴリ番号によるフィルタ。 （２）欠陥サイズ：検査装置３で検出した欠陥の大きさ
によるフィルタ。大きさとして、Ｘ方向の投影長、Ｙ方
向の投影長、あるいは面積等を指定できる。状況に応じ
て、大きいものあるいは小さいものを除くことができ
る。 （３）前工程欠陥：当該検査工程以前の検査工程で既に
検出されていた欠陥か、当該工程で初めて検出された欠
陥かによるフィルタ。検査・観察済みの欠陥に絞った
り、逆に、検査・観察済みの欠陥を除いたりすることが
できる。 （４）ウェハ間共通欠陥：同一ロットの複数枚のウェハ
に共通する欠陥によるフィルタ。どれにも有る欠陥に絞
ったり、あるいは、どれにも有る欠陥を除いたりするこ
とができる。 （５）マスク起因欠陥：ウェハ内ショット間で共通する
欠陥によるフィルタ。
は、各項目別での欠陥の性質による選別基準に基づき、
多数の欠陥から絞り込んでいく機能であり、フィルタ機
能の例として、次のようなものがある。 （１）カテゴリ：２度目以降の観察作業において、検査
装置３または、別の観察装置で分類した結果としてのカ
テゴリ番号によるフィルタ。 （２）欠陥サイズ：検査装置３で検出した欠陥の大きさ
によるフィルタ。大きさとして、Ｘ方向の投影長、Ｙ方
向の投影長、あるいは面積等を指定できる。状況に応じ
て、大きいものあるいは小さいものを除くことができ
る。 （３）前工程欠陥：当該検査工程以前の検査工程で既に
検出されていた欠陥か、当該工程で初めて検出された欠
陥かによるフィルタ。検査・観察済みの欠陥に絞った
り、逆に、検査・観察済みの欠陥を除いたりすることが
できる。 （４）ウェハ間共通欠陥：同一ロットの複数枚のウェハ
に共通する欠陥によるフィルタ。どれにも有る欠陥に絞
ったり、あるいは、どれにも有る欠陥を除いたりするこ
とができる。 （５）マスク起因欠陥：ウェハ内ショット間で共通する
欠陥によるフィルタ。
【００２３】次に、フィルタ７に続き、サンプラ８が設
けられている。フィルタ７のフィルタ機能によりある程
度絞り込まれた欠陥データ群から、更にサンプラ８に
て、指定した規則に従って欠陥データを選択し、観察す
べき欠陥データの絞込みを行う。
けられている。フィルタ７のフィルタ機能によりある程
度絞り込まれた欠陥データ群から、更にサンプラ８に
て、指定した規則に従って欠陥データを選択し、観察す
べき欠陥データの絞込みを行う。
【００２４】サンプラ８は、サンプリングユニット８
１，８２，…８Ｉ，…８Ｎからなり、各サンプリングユ
ニット８１，８２，…８Ｉ，…８Ｎも、独立したユニッ
ト方式をとり、ユーザが必要に応じて組合せサンプリン
グ群８Ｚとして使用することができる。また、組合せた
一連のサンプリング群８Ｚをシーケンス化し、検査装
置、製品名、工程名などの観察対象となるウェハの情報
とリンクさせて記憶・保存することができる。
１，８２，…８Ｉ，…８Ｎからなり、各サンプリングユ
ニット８１，８２，…８Ｉ，…８Ｎも、独立したユニッ
ト方式をとり、ユーザが必要に応じて組合せサンプリン
グ群８Ｚとして使用することができる。また、組合せた
一連のサンプリング群８Ｚをシーケンス化し、検査装
置、製品名、工程名などの観察対象となるウェハの情報
とリンクさせて記憶・保存することができる。
【００２５】各サンプリングユニットにおいて、多数の
欠陥の中から抜き取るサンプリング機能の例は次のよう
なものが挙げられる。 （１）ランダム：ウェハ全体の欠陥から均等にサンプリ
ング。 （２）クラスタ：同一クラスタを構成する欠陥から均等
にサンプリング。 （３）ダイ指定：ダイ位置（Ｘ、Ｙ）指定によるサンプ
リングと欠陥密度による自動サンプリング。 （４）同心円分割：ウェハを同心円に複数分割し、分割
単位毎に比率を指定してサンプリング。 （５）角度分割：ウェハを円周方向に複数分割し、分割
単位毎に比率を指定してサンプリング。
欠陥の中から抜き取るサンプリング機能の例は次のよう
なものが挙げられる。 （１）ランダム：ウェハ全体の欠陥から均等にサンプリ
ング。 （２）クラスタ：同一クラスタを構成する欠陥から均等
にサンプリング。 （３）ダイ指定：ダイ位置（Ｘ、Ｙ）指定によるサンプ
リングと欠陥密度による自動サンプリング。 （４）同心円分割：ウェハを同心円に複数分割し、分割
単位毎に比率を指定してサンプリング。 （５）角度分割：ウェハを円周方向に複数分割し、分割
単位毎に比率を指定してサンプリング。
【００２６】図３は、上記フィルタ機能およびサンプリ
ング機能のシーケンス化の説明図である。フィルタ７か
ら観察する際に使用するフィルタユニット群と、サンプ
ラ８からサンプリングユニット群を選択し、一つのシー
ケンス９として登録する。この登録の際に、観察対象と
なるウェハの情報として、製品（ウェハ）名、検査装置
名、検査工程名と関連付けて登録しておく。このシーケ
ンス化により、観察対象ウェハが決まれば、自動的に必
要なフィルタやサンプリングを実施し、観察すべき欠陥
を抽出することができる。
ング機能のシーケンス化の説明図である。フィルタ７か
ら観察する際に使用するフィルタユニット群と、サンプ
ラ８からサンプリングユニット群を選択し、一つのシー
ケンス９として登録する。この登録の際に、観察対象と
なるウェハの情報として、製品（ウェハ）名、検査装置
名、検査工程名と関連付けて登録しておく。このシーケ
ンス化により、観察対象ウェハが決まれば、自動的に必
要なフィルタやサンプリングを実施し、観察すべき欠陥
を抽出することができる。
【００２７】この実施例においては、被検査物例えば半
導体ウェハの外観の異常を検出し欠陥情報３１を出力す
る外観検査装置３と、この欠陥情報に基づき欠陥を確認
する観察装置４と、これら外観検査装置３及び観察装置
４間の情報受け渡しを行うデータ処理装置５を備えた観
察作業支援システムにおいて、前記データ処理装置５
は、複数の項目別（フィルタユニット７１〜７Ｎ）での
欠陥の性質による選別基準に基づき欠陥情報を絞り込む
フィルタ条件と，複数の規則（サンプリングユニット８
１〜８Ｎ）に従って欠陥データの絞込みを行うサンプリ
ング条件とを組合せてシーケンス９化して登録した記憶
装置５４と、観察対象ウェハの情報に基づき前記登録さ
れた条件を読み出し、この読み出した条件によってフィ
ルタ及びサンプリングを行い観察対象欠陥情報を絞り込
む手段（データ処理装置５）と、この絞り込んだ欠陥情
報を前記観察装置４へ伝送する手段（データ処理装置
５、通信回線６）とを備えて構成している。
導体ウェハの外観の異常を検出し欠陥情報３１を出力す
る外観検査装置３と、この欠陥情報に基づき欠陥を確認
する観察装置４と、これら外観検査装置３及び観察装置
４間の情報受け渡しを行うデータ処理装置５を備えた観
察作業支援システムにおいて、前記データ処理装置５
は、複数の項目別（フィルタユニット７１〜７Ｎ）での
欠陥の性質による選別基準に基づき欠陥情報を絞り込む
フィルタ条件と，複数の規則（サンプリングユニット８
１〜８Ｎ）に従って欠陥データの絞込みを行うサンプリ
ング条件とを組合せてシーケンス９化して登録した記憶
装置５４と、観察対象ウェハの情報に基づき前記登録さ
れた条件を読み出し、この読み出した条件によってフィ
ルタ及びサンプリングを行い観察対象欠陥情報を絞り込
む手段（データ処理装置５）と、この絞り込んだ欠陥情
報を前記観察装置４へ伝送する手段（データ処理装置
５、通信回線６）とを備えて構成している。
【００２８】図４は、本発明の他の実施例による観察作
業支援システムの全体構成図である。通常の半導体製造
工程では、図４に示すように複数の種類の観察装置を設
置することが多い。観察を行うための観察装置として代
表的なものは、通常の白色光を用いた光学式の観察装置
４１と、電子線を用いたＳＥＭ式の観察装置４２があ
る。また、同一種類の観察装置を複数台４１１〜４１３
及び４２１〜４２３のように設置している。光学式観察
装置４１は、下層の欠陥を観察可能、色情報による分類
が可能、という利点がある反面、分解能が低いために微
小欠陥の観察ができないという欠点がある。一方、ＳＥ
Ｍ式観察装置４２は、高分解能のため微小欠陥まで観察
可能である反面、表面に存在する欠陥の観察のみであ
り、下層欠陥を観察できないという制限がある。このよ
うに、観察装置の種類によって、観察できる欠陥の質が
異なるため、観察すべき欠陥により観察装置を選択する
必要がある。
業支援システムの全体構成図である。通常の半導体製造
工程では、図４に示すように複数の種類の観察装置を設
置することが多い。観察を行うための観察装置として代
表的なものは、通常の白色光を用いた光学式の観察装置
４１と、電子線を用いたＳＥＭ式の観察装置４２があ
る。また、同一種類の観察装置を複数台４１１〜４１３
及び４２１〜４２３のように設置している。光学式観察
装置４１は、下層の欠陥を観察可能、色情報による分類
が可能、という利点がある反面、分解能が低いために微
小欠陥の観察ができないという欠点がある。一方、ＳＥ
Ｍ式観察装置４２は、高分解能のため微小欠陥まで観察
可能である反面、表面に存在する欠陥の観察のみであ
り、下層欠陥を観察できないという制限がある。このよ
うに、観察装置の種類によって、観察できる欠陥の質が
異なるため、観察すべき欠陥により観察装置を選択する
必要がある。
【００２９】図５は、観察装置の種類を自動判定する処
理のフローチャートである。観察時に使用するフィルタ
７やサンプラ８のユニットを用いて、どのような欠陥を
観察対象として選択するかによって、自動的に観察装置
の種類を決定することが可能である。すなわち、ステッ
プ５０１で欠陥情報を読み込み、ステップ５０２でフィ
ルタ・サンプリング処理を実行するが、ステップ５０３
では選択された欠陥に前工程欠陥があるか否かを判定
し、ある場合にはＳＥＭ式観察装置４２ではなく光学式
観察装置４１を使用すべきであるといった判断を自動的
に行い、ステップ５０４に進んで光学式観察装置４１に
データ５２を出力する。
理のフローチャートである。観察時に使用するフィルタ
７やサンプラ８のユニットを用いて、どのような欠陥を
観察対象として選択するかによって、自動的に観察装置
の種類を決定することが可能である。すなわち、ステッ
プ５０１で欠陥情報を読み込み、ステップ５０２でフィ
ルタ・サンプリング処理を実行するが、ステップ５０３
では選択された欠陥に前工程欠陥があるか否かを判定
し、ある場合にはＳＥＭ式観察装置４２ではなく光学式
観察装置４１を使用すべきであるといった判断を自動的
に行い、ステップ５０４に進んで光学式観察装置４１に
データ５２を出力する。
【００３０】また、欠陥サイズによるフィルタ７を用い
た結果、ステップ５０５でその抽出サイズの条件が光学
式観察装置４１では見えないような微小欠陥であると判
定した場合には、ステップ５０６に進んで直接ＳＥＭ式
観察装置４２に欠陥データ５３を提供する。
た結果、ステップ５０５でその抽出サイズの条件が光学
式観察装置４１では見えないような微小欠陥であると判
定した場合には、ステップ５０６に進んで直接ＳＥＭ式
観察装置４２に欠陥データ５３を提供する。
【００３１】上記の考え方を逆に適用することにより、
フィルタ条件やサンプリング条件を自動的に決定するこ
とができる。すなわち、観察装置として光学式観察装置
を指定した場合には、観察装置で観察できない微小欠陥
を観察対象欠陥から削除するために、欠陥サイズフィル
タを自動的に選択する。また、ＳＥＭ式観察装置の場合
には、前工程欠陥を削除するフィルタを選択する。
フィルタ条件やサンプリング条件を自動的に決定するこ
とができる。すなわち、観察装置として光学式観察装置
を指定した場合には、観察装置で観察できない微小欠陥
を観察対象欠陥から削除するために、欠陥サイズフィル
タを自動的に選択する。また、ＳＥＭ式観察装置の場合
には、前工程欠陥を削除するフィルタを選択する。
【００３２】図６は、同一種類の複数台の観察装置の中
から今回使用すべき観察装置を自動選択するための処理
のフローチャートである。通常の半導体製造工程では、
図４に示したように、複数の種類の観察装置４１、４２
を設置すると共に、同一種類の観察装置複数台４１１〜
４１３及び４２１〜４２３を設置することが多い。この
ような場合、各観察装置が観察稼動中であるか待機中か
（ステップ６０４）、仕掛りロットがあるか（ステップ
６０９）といった装置状態情報に基づく判定により、観
察に使用すべきｉ番目の観察装置を決定することができ
る。これらの装置状態情報は、観察装置から直接取得す
る場合、ＭＥＳシステムのような、半導体製造ラインの
ロット状態、装置状態情報を有する上位管理システムか
ら取得することが望ましい。
から今回使用すべき観察装置を自動選択するための処理
のフローチャートである。通常の半導体製造工程では、
図４に示したように、複数の種類の観察装置４１、４２
を設置すると共に、同一種類の観察装置複数台４１１〜
４１３及び４２１〜４２３を設置することが多い。この
ような場合、各観察装置が観察稼動中であるか待機中か
（ステップ６０４）、仕掛りロットがあるか（ステップ
６０９）といった装置状態情報に基づく判定により、観
察に使用すべきｉ番目の観察装置を決定することができ
る。これらの装置状態情報は、観察装置から直接取得す
る場合、ＭＥＳシステムのような、半導体製造ラインの
ロット状態、装置状態情報を有する上位管理システムか
ら取得することが望ましい。
【００３３】以上の実施例によれば、外観検査装置３と
観察装置４及びデータ処理装置５の組合せにより、外観
検査装置３から出力される膨大な欠陥情報３１から、適
切な選抜基準及び割合で抽出した少数欠陥情報５１を得
て観察装置４に提供することにより、高効率の観察作業
を実現できる。
観察装置４及びデータ処理装置５の組合せにより、外観
検査装置３から出力される膨大な欠陥情報３１から、適
切な選抜基準及び割合で抽出した少数欠陥情報５１を得
て観察装置４に提供することにより、高効率の観察作業
を実現できる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、膨大な欠陥情報を適切
に絞り込んで観察することができ、観察作業の効率を高
めることができる。また、観察装置の自動選択を採用し
た場合には、より高効率の観察作業を実現でき、歩留り
向上に効果を発揮することができる。
に絞り込んで観察することができ、観察作業の効率を高
めることができる。また、観察装置の自動選択を採用し
た場合には、より高効率の観察作業を実現でき、歩留り
向上に効果を発揮することができる。
【図１】本発明の一実施例による観察作業支援システム
の全体構成図。
の全体構成図。
【図２】本発明の一実施例による欠陥情報抽出処理の機
能説明図。
能説明図。
【図３】フィルタ機能およびサンプリング機能のシーケ
ンス化の説明図。
ンス化の説明図。
【図４】本発明の他の実施例による観察作業支援システ
ムの全体構成図。
ムの全体構成図。
【図５】観察装置の種類を自動判定する処理のフローチ
ャート。
ャート。
【図６】同一種類の複数台の観察装置から自動選択する
処理のフローチャート。
処理のフローチャート。
１…半導体製造工程、１１〜１４…各製造工程、２…ク
リーンルーム、３…外観検査装置、３１…外観検査装置
３からの欠陥情報、４…観察装置、４１（４１１〜４１
３）…光学式観察装置、４２（４２１〜４２３）…ＳＥ
Ｍ式観察装置、５…データ処理装置、５１〜５３…観察
装置４に送られる抽出後の欠陥情報、５４…記憶装置、
６…通信回線（ネットワーク）、７…フィルタ、７１〜
７Ｎ…フィルタユニット、７Ｚ…フィルタ群、８…サン
プラ、８１〜８Ｎ…サンプリングユニット、８Ｚ…サン
プリングユニット群、９…シーケンス。
リーンルーム、３…外観検査装置、３１…外観検査装置
３からの欠陥情報、４…観察装置、４１（４１１〜４１
３）…光学式観察装置、４２（４２１〜４２３）…ＳＥ
Ｍ式観察装置、５…データ処理装置、５１〜５３…観察
装置４に送られる抽出後の欠陥情報、５４…記憶装置、
６…通信回線（ネットワーク）、７…フィルタ、７１〜
７Ｎ…フィルタユニット、７Ｚ…フィルタ群、８…サン
プラ、８１〜８Ｎ…サンプリングユニット、８Ｚ…サン
プリングユニット群、９…シーケンス。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 和田 秀夫
東京都渋谷区千駄ヶ谷五丁目８番10号 日
立計測器サービス株式会社内
(72)発明者 庄田 勝治
東京都渋谷区千駄ヶ谷五丁目８番10号 日
立計測器サービス株式会社内
Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 CA03 JA16 KA03
LA11 MA05
2G051 AA51 AB02 BA20 EA30
4M106 AA01 BA02 BA20 CA38 DB04
DB05 DJ17 DJ18 DJ21 DJ23
DJ28
5B057 AA03 BA02 CA12 CA16 CE06
DA03 DB02
Claims (9)
- 【請求項１】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、前記
外観検査装置からの多数の欠陥情報の中から少数の欠陥
情報を選択するための複数の選択条件を備え、これらの
選択条件を組合せて少数の欠陥情報を選択し、前記観察
装置へ伝送することを特徴とする観察作業支援システ
ム。 - 【請求項２】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、前記
外観検査装置からの多数の欠陥情報の中から少数の欠陥
情報を選択するために，複数の項目別での欠陥の性質に
よる選別基準に基づき、多数の欠陥情報から観察すべき
欠陥情報を絞り込むフィルタ機能を備え、これら複数の
選択基準を組合せて少数の欠陥情報を選択し、前記観察
装置へ伝送することを特徴とする観察作業支援システ
ム。 - 【請求項３】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、前記
外観検査装置からの多数の欠陥情報の中から少数の欠陥
情報を選択するために，複数の規則に従って欠陥データ
の絞込みを行うサンプリング機能を備え、これら複数の
サンプリング規則を組合せて少数の欠陥情報を選択し、
前記観察装置へ伝送することを特徴とする観察作業支援
システム。 - 【請求項４】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、前記
外観検査装置からの多数の欠陥情報の中から少数の欠陥
情報を選択するために，予定項目での欠陥の性質による
選別基準に基づき欠陥情報を絞り込むフィルタ機能と、
予定の規則に従って欠陥データの絞込みを行うサンプリ
ング機能とを備え、これらの機能を組合せて少数の欠陥
情報に絞り込み、前記観察装置へ伝送することを特徴と
する観察作業支援システム。 - 【請求項５】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、前記
外観検査装置からの多数の欠陥情報の中から少数の欠陥
情報を選択するために，複数の項目別での欠陥の性質に
よる選別基準に基づき欠陥情報を絞り込むフィルタ機能
と、複数の規則に従って欠陥データの絞込みを行うサン
プリング機能とを備え、前記複数の項目の組合せによる
フィルタ機能と、前記複数の規則の組合せによるサンプ
リング機能との両機能を組合せて少数の欠陥情報に絞り
込み、前記観察装置へ伝送することを特徴とする観察作
業支援システム。 - 【請求項６】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認する観察装置と、これら外観検査装置及び観察装置
間の情報受け渡しを行うデータ処理装置を備えた観察作
業支援システムにおいて、前記データ処理装置は、複数
の項目別での欠陥の性質による選別基準に基づき欠陥情
報を絞り込むフィルタ条件と，複数の規則に従って欠陥
データの絞込みを行うサンプリング条件とを組合せてシ
ーケンス化して登録した記憶装置と、観察対象ウェハの
情報に基づき前記登録された条件を読み出し、この読み
出した条件によってフィルタ及びサンプリングを行い観
察対象欠陥情報を絞り込む手段と、この絞り込んだ欠陥
情報を前記観察装置へ伝送する手段とを備えたことを特
徴とする観察作業支援システム。 - 【請求項７】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認するための複数種類の観察装置と、これら外観検査
装置及び観察装置間の情報受け渡しを行うデータ処理装
置を備えた観察作業支援システムにおいて、前記データ
処理装置は、前記外観検査装置からの多数の欠陥情報の
中から少数の欠陥情報を選択するために複数の選択条件
を備え、これらの選択条件に応じて前記複数種類の観察
装置の中のひとつの観察装置を選択し、前記選択条件に
よって絞り込んだ欠陥情報を，選択した前記観察装置へ
伝送することを特徴とする観察作業支援システム。 - 【請求項８】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認するための複数種類の観察装置と、これら外観検査
装置及び観察装置間の情報受け渡しを行うデータ処理装
置を備えた観察作業支援システムにおいて、前記データ
処理装置は、前記外観検査装置からの多数の欠陥情報の
中から少数の欠陥情報を選択するために複数の選択条件
を備え、前記複数種類の観察装置のうち使用される一つ
の観察装置が選択されたとき、この選択された観察装置
に応じて前記複数の選択条件の中のひとつの選択条件を
選択し、この選択条件によって絞り込んだ欠陥情報を，
選択された前記観察装置へ伝送することを特徴とする観
察作業支援システム。 - 【請求項９】被検査物の外観の異常を検出し欠陥情報を
出力する外観検査装置と、この欠陥情報に基づき欠陥を
確認するための同一種類の複数の観察装置と、これら外
観検査装置及び観察装置間の情報受け渡しを行うデータ
処理装置を備えた観察作業支援システムにおいて、前記
データ処理装置は、前記外観検査装置からの多数の欠陥
情報の中から少数の欠陥情報を選択するための複数の選
択条件を備え、これらの選択条件を組合せて少数の欠陥
情報を選択し、前記複数の観察装置の状態により決定し
たひとつの観察装置へ前記欠陥情報を伝送することを特
徴とする観察作業支援システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191519A JP2003004657A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 観察作業支援システム |
| US10/096,917 US6978041B2 (en) | 2001-06-25 | 2002-03-14 | Review work supporting system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191519A JP2003004657A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 観察作業支援システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003004657A true JP2003004657A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19030130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001191519A Pending JP2003004657A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 観察作業支援システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6978041B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003004657A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005134976A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査装置用画像処理装置 |
| JP2006184037A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Olympus Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| US11127657B2 (en) | 2003-10-30 | 2021-09-21 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019270A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 顕微鏡を用いた欠陥観察方法および観察装置 |
| JP5044968B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-10-10 | オムロン株式会社 | 要因推定装置、要因推定方法、プログラムおよびコンピュータ読取可能記録媒体 |
| JP5767836B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 検査システム、検査方法、および検査プログラム |
| JP2014124593A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Hitachi Ltd | 水道管理支援システム |
| CN112102911A (zh) * | 2019-06-17 | 2020-12-18 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 样本复检方法、装置、计算机设备和存储介质 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4219277A (en) * | 1978-08-09 | 1980-08-26 | Westinghouse Electric Corp. | Method of detecting flaws on surfaces |
| US5917935A (en) * | 1995-06-13 | 1999-06-29 | Photon Dynamics, Inc. | Mura detection apparatus and method |
| JPH0919853A (ja) | 1995-07-03 | 1997-01-21 | Seiko Epson Corp | 生産管理装置および該装置を用いた生産管理方法 |
| US5917934A (en) * | 1996-03-15 | 1999-06-29 | Sony Corporation | Automated visual inspection apparatus for detecting defects and for measuring defect size |
| WO1997035337A1 (fr) | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Hitachi, Ltd. | Systeme de commande de processus |
| JP3699776B2 (ja) | 1996-04-02 | 2005-09-28 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の製造方法 |
| US6246472B1 (en) * | 1997-07-04 | 2001-06-12 | Hitachi, Ltd. | Pattern inspecting system and pattern inspecting method |
| US6661912B1 (en) * | 1998-08-03 | 2003-12-09 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Inspecting method and apparatus for repeated micro-miniature patterns |
| JP2000030652A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 試料の観察方法およびその装置 |
| US6156580A (en) * | 1998-11-18 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor wafer analysis system and method |
| US6476913B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
| JP2000306964A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Hitachi Ltd | 検査データ処理方法および検査データ処理装置 |
| US6456951B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing inspection data |
| JP2001156135A (ja) | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | 欠陥画像の分類方法及びその装置並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| JP3784603B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2006-06-14 | 株式会社日立製作所 | 検査方法及びその装置並びに検査装置における検査条件設定方法 |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191519A patent/JP2003004657A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-14 US US10/096,917 patent/US6978041B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US11127657B2 (en) | 2003-10-30 | 2021-09-21 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| JP2006184037A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Olympus Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6978041B2 (en) | 2005-12-20 |
| US20020196968A1 (en) | 2002-12-26 |
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