JP2003003215A - 磁束密度の高い方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度の高い方向性電磁鋼板の製造方法Info
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Abstract
板の製造において、一次再結晶集合組織とインヒビター
とを制御することによって磁束密度の高い電磁鋼板を得
る。 【解決手段】 酸可溶性Alの量:[Al]%に対応して、脱
炭焼鈍工程の昇温過程における鋼板温度が600℃以下
の領域から750〜900℃の範囲内の所定の温度まで
の加熱速度:HR℃/秒をHR≧−6250[Al]+200とすること
により、脱炭焼鈍後の集合組織におけるI[111]/I[411]
の比率を3.0に制御する。
Description
数で{110}<001>方位に集積した、いわゆる方
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。この鋼板
は、軟磁性材料として変圧器等の電気機器の鉄芯として
用いられる。
>方位(いわゆるゴス方位)に集積した結晶粒により構
成されたSiを4.8%以下含有した鋼板である。この
鋼板は磁気特性として励磁特性と鉄損得性が要求され
る。励磁特性を表す指標としては磁場の強さ800A/
mにおける磁束密度:B8が通常使用される。また、鉄
損特性を表す指標としては周波数50Hzで1.7Tま
で磁化した時の鋼板1kgあたりの鉄損:W17/50が用
いられる。磁束密度:B8は鉄損特性の最大の支配因子
であり、磁束密度:B8値が高いほど鉄損特性も良好に
なる。磁束密度:B8を高めるためには結晶方位を高度
に揃えることが重要である。この結晶方位の制御は二次
再結晶とよばれるカタストロフィックな粒成長現象を利
用して達成される。
再結晶前の一次再結晶組織の調整と、インヒビタ−とよ
ばれる微細析出物の調整を行うことが必要である。この
インヒビタ−は、一次再結晶組織のなかで一般の粒の成
長を抑制し、特定の{110}<001>方位粒のみを
優先成長させる機能を持つ。析出物として代表的なもの
としては、M.F.Littmann(特公昭30−3
651号公報)及びJ.E.May&D.Turnbu
ll(Trans.Met.Soc.AIME212
(1958年)p769)等はMnSを、田口ら(特公
昭40−15644号公報)はAlNを、今中ら(特公
昭51−13469号公報)はMnSeを提示してい
る。
時に完全固溶させた後に、熱間圧延及びその後の焼鈍工
程で微細析出させる方法がとられている。これらの析出
物を完全固溶させるためには1350℃ないし1400
℃以上の高温で加熱する必要があり、これは普通鋼のス
ラブ加熱温度に比べて約200℃高く次の問題点があ
る。(1)専用の加熱炉が必要。(2)加熱炉のエネル
ギ−原単位が高い。(3)溶融スケール量が多く、いわ
ゆるノロ出し等の操業管理が必要である。
められ、低温スラブ加熱による製造方法として小松ら
(特公昭62−45285号公報)は窒化処理により形
成した(Al,Si)Nをインヒビターとして用いる方
法を開示している。この窒化処理の方法として、小林等
は脱炭焼鈍後にストリップ状で窒化する方法を開示(特
開平2-77525号公報)し、牛神等によりその窒化
物の挙動が報告されている(Materials Science Foru
m, 204-206 (1996),pp593-598)。
造方法においては、脱炭焼鈍時にインヒビタ−が形成さ
れていないので、脱炭焼鈍における一次再結晶組織の調
整が二次再結晶を制御するうえで重要となる。従来の高
温スラブ加熱による方向性電磁鋼板の製造方法の研究に
おいては、二次再結晶前の一次再結晶組織調整に関する
知見はほとんどなく、本願発明者らは例えば特公平8−
32929号公報、特開平9−256051号公報等に
その重要性を開示している。
次再結晶粒組織の粒径分布の変動係数が0.6より大き
くなり粒組織が不均一になると二次再結晶が不安定にな
ることを開示している。その後、さらに特開平9−25
6051号公報において、二次再結晶の制御因子である
一次再結晶組織とインヒビターに関する研究を行なった
結果、一次再結晶粒組織の粒組織として脱炭焼鈍後の集
合組織においてゴス方位粒の成長を促進すると考えられ
る{111}方位および{411}方位の粒の比率;I
{111}/I{411}を3以下に調整することによ
り製品の磁束密度が向上することを示した。ここで、I
{111}及びI{411}はそれぞれ{111}及び
{411}面が鋼板板面に平行である粒の割合であり、
X線回折測定により板厚1/10層において測定された
回折強度値を表している。
は、脱炭焼鈍工程の加熱速度、均熱温度、均熱時間等の
脱炭焼鈍の焼鈍サイクルが影響するのはもちろんのこ
と、熱延板焼鈍の有無、冷間圧延の圧下率(冷延圧下
率)等の脱炭焼鈍前の製造工程も影響を与える。これら
の工程制御因子により制御した一次再結晶集合組織の影
響を介して二次再結晶時に[110]<001>方位をもつ結晶粒
の優先成長性が高まるが、この優先成長性にはインヒビ
ターと呼ばれる析出物も影響を与える。
ー条件に応じて脱炭焼鈍条件を適切に制御することによ
って、工業的に安定して磁束密度の高い優れた磁気特性
をもつ方向性電磁鋼板を製造する方法を開示するもので
ある。また、本発明は、薄手方向性電磁鋼板を低温スラ
ブ加熱により製造する方法において、従来必須であった
中間焼鈍を挟んだ二回以上の冷延工程を、酸可溶性Al
量および脱炭焼鈍条件を適切に制御することにより一回
のみの冷延によっても磁束密度の高い優れた磁気特性を
もつ方向性電磁鋼板を製造する方法を提供するものであ
る。
ろは以下の通りである。 (1)質量で、Si:0.8〜4.8%、C:0.08
5%以下、酸可溶性Al:0.01〜0.065%、
N:0.012%以下を含み、残部Fe及び不可避的不
純物からなる鋼を1280℃以下の温度で加熱した後に
熱間圧延し、次いで一回もしくは中間焼鈍を挟む二回以
上の冷間圧延により最終板厚とし、脱炭焼鈍後、マグネ
シアを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍を
施す方向性電磁鋼板の製造方法において、酸可溶性Alの
量:[Al]%に対応して、脱炭焼鈍工程の昇温過程におけ
る、鋼板温度が600℃以下の領域から750〜900
℃の範囲内の所定の温度までの加熱速度:HR℃/秒をHR
≧−6250[Al]+200とすることにより、脱炭焼鈍後の集合
組織におけるI[111]/I[411]の比率を3以下に調整し、
その後窒化処理を行なうことを特徴とする磁束密度の高
い方向性電磁鋼板の製造方法。 (2)前記冷間圧延において圧下率を90%超とするこ
とを特徴とする(1)記載の磁束密度の高い方向性電磁
鋼板の製造方法。
温度域で30秒〜30分間の焼鈍を施すことを特徴とす
る(1)または(2)記載の磁束密度の高い方向性電磁
鋼板の製造方法。 (4)前記脱炭焼鈍工程において770℃〜900℃の
温度域で雰囲気ガスの酸化度(PH2O/PH2):0.
15超1.1以下の範囲内で鋼板の酸素量が2.3g/
m2以下となるような時間焼鈍することを特徴とする
(1)乃至(3)のいずれかの項に記載の磁束密度の高
い方向性電磁鋼板の製造方法。
l]に応じて窒素量:[N]が[N]/[Al]≧0.
67を満足する量となるように窒化処理を施すことを特
徴とする(1)乃至(4)のいずれかの項に記載の磁束
密度の高い方向性電磁鋼板の製造方法。 (6)質量%で、さらに、Sn:0.02〜0.15%
を添加することを特徴とする(1)乃至(5)のいずれ
かの項に記載の磁束密度の高い方向性電磁鋼板の製造方
法。
〜0.2%を添加することを特徴とする(1)乃至
(6)のいずれかの項に記載の磁束密度の高い方向性電
磁鋼板の製造方法。
I{111}/I{411}を3以下となるように制御
することにより、B8の値を1.88T以上にできることを特
開平9−256051号公報にて明らかにしているが、
製品の磁束密度に影響を及ぼす一次再結晶組織以外の主
要因子であるインヒビターを制御することにより、一次
再結晶集合組織制御の効果をより顕著に発揮することが
できるのではないかと考え、鋼板の磁束密度B8に対する
インヒビターと一次再結晶集合組織制御因子との関係に
ついて調べた。ここでは特に、一次再結晶集合組織に影
響を与える脱炭焼鈍時の加熱速度とインヒビター強度に
関係する酸可溶性Alとの相関について詳細に調べた。そ
の結果、酸可溶性Alの量に従って、高いB8を得るのに必
要な加熱速度の領域が広がることが分かった。
sol-Al量、脱炭焼鈍加熱速度に対する鋼板の磁束密度B8
の分布を示した図である。ここで用いた試料は、質量%
で、Si:3.3%、C:0.06%、酸可溶性Al:
0.020−0.038%、N:0.008%、Mn:
0.1%、S:0.007%を含有するスラブを115
0℃の温度で加熱した後、2.0mm厚に熱間圧延し、
その後、1120℃で焼鈍した後、0.22mm厚まで
冷間圧延後、加熱速度15〜100℃/秒で加熱し、7
70〜950℃の温度で脱炭焼鈍した後、一部はそのま
ま、一部はアンモニア含有雰囲気で焼鈍して鋼板中の窒
素を0.02〜0.03%とし、次いで、MgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍を行った
ものである。これらの試料の脱炭焼鈍板の一次再結晶集
合組織を解析した結果、全ての試料においてI{11
1}/I{411}の値が3以下となっていることを確
認している。更に全く同様に0.18mm厚まで冷延し
た実験でも図1と同様の結果が得られた。
の高磁束密度が得られる脱炭焼鈍加熱速度の閾値が酸可
溶性Alの量:[Al]%が増加するに従って低下していくこ
とがわかる。即ち、脱炭焼鈍時の加熱速度を同じとし、
同じように一次再結晶集合組織を調整した場合であって
も、インヒビターを強くするように[Al]を高くしさえす
れば、一次再結晶集合組織制御による高磁束密度化の効
果を得ることができるということである。
加熱で行うことは、例えば、特開平1−290716号
公報、特開平6−212262号公報等に開示されてい
る。しかしながら、これらの特許は高温スラブ加熱によ
る方向性電磁鋼板の製造方法に適用したものであり、そ
の効果も二次再結晶粒径が小さくなり鉄損特性が向上す
るというものである。
と異なり磁束密度(B8)の向上に大きな影響を及ぼす
ものである。また、集合組織制御の効果を酸可溶性Al量
や窒化量でインヒビターを制御することによって高磁束
密度が得られるために必要な脱炭焼鈍時の加熱速度の下
限値が下がるというものである。上記の結果に対する理
由について、本発明者らは次のように考えている。本発
明における様な(Al,Si)N等の窒化物のように熱
的に安定な(強い)インヒビタ−を用いた場合には、粒
界移動の粒界性格依存性が高くなるために、ゴス方位粒
の数よりもゴス方位とΣ9対応方位関係にあるマトリッ
クス粒(具体的には{111}<112>、{411}
<148>)の数および結晶方位分散がより重要となる
が、熱的に安定な(強い)インヒビタ−を増やすことに
よって、同様な結晶方位分散であっても高いB8が得られ
やすくなったということである。また、[Al]を増やすと
インヒビターへの影響の他に、一次再結晶集合組織への
効果もあり、このことも磁束密度を高くすることに対し
て相乗的に寄与したものと考えている。具体的には、実
施例1に示してあるように[Al]を増やすとI{111}
/I{411}の値が減少しており、このことは二次再
結晶粒となる一次再結晶組織中の[110]<001>方
位粒の成長を促進する{111}方位粒と{411}方
位粒のうち、結晶方位分散が小さい{411}方位粒の
発達が促されたことを意味している。その結果として、
2次再結晶粒(ゴス粒)の方位分散も小さくなり、高い
B8が得られる。
0.8〜4.8%、C:0.085%以下、酸可溶性A
l:0.01〜0.065%、N:0.012%以下が
必要である。Siは添加量を多くすると電気抵抗が高く
なり、鉄損特性が改善される。しかしながら、4.8%
を超えると圧延時に割れやすくなってしまう。また、
0.8%より少ないと仕上げ焼鈍時にγ変態が生じ結晶
方位が損なわれてしまう。
な元素であるが、磁気特性に悪影響を及ぼすので仕上げ
焼鈍前に脱炭する必要がある。Cが0.085%より多
いと脱炭焼鈍時間が長くなり生産性が損なわれてしま
う。酸可溶性Alは、本願発明においてNと結合して
(Al,Si)Nとしてインヒビターとしての機能をは
たすために必須の元素である。二次再結晶が安定する
0.01〜0.065%を限定範囲とする。
スターとよばれる鋼板中の空孔を生じる。その他、Sは
磁気特性に悪影響を及ぼすので0.015%以下とする
ことが望ましい。Snは脱炭焼鈍後の集合組織を改善
し、二次再結晶を安定化するため0.02〜0.15%
添加することが望ましい。Crは脱炭焼鈍の酸化層を改
善し、グラス被膜形成に有効な元素であり、0.03〜
0.2%添加することが望ましい。その他、微量のC
u,Sb,Mo,Bi,Ti等を鋼中に含有すること
は、本発明の主旨を損なうものではない。
または電気炉等により鋼を溶製し、必要に応じて溶鋼を
真空脱ガス処理し、ついで連続鋳造もしくは造塊後分塊
圧延することによって得られる。その後、熱間圧延に先
だってスラブ加熱が施される。本発明においては、スラ
ブ加熱温度は1280℃以下として、先述の高温スラブ
加熱の諸問題を回避する。
めるために900〜1200℃で30秒〜30分間の短
時間焼鈍を施す。その後、一回もしくは焼鈍を挟んだ二
回以上に冷間圧延により最終板厚とする。冷間圧延とし
ては、特公昭40ー15644号公報に示されるように
最終冷延圧下率を80%以上とすることが、{11
1}、{411}等の一次再結晶方位を発達させるうえ
で必要である。特に、{411}の方位の発達が顕著に
なるように最終冷延圧下率を85%以上とすることが望
ましい。またさらに、冷延圧下率が95%より大きくな
ってしまうと冷延工程での負荷が大きくなり、実操業の
観点から95%以下が現実的である。また、本発明のポ
イントは高B8を得るために、インヒビターの強さに応
じて脱炭焼鈍加熱速度を制御し、一次再結晶集合組織を
制御する点にあるが、この制御技術によって、従来、冷
延一回法においてはB8の劣化を招いていたような高冷
延圧下率の条件においても極めて良好な二次再結晶を実
現させることが可能となった。具体的には、例えば、中
島らの論文(鉄と鋼77(1991)p.1710)な
どには、冷延圧下率の増加にともなってB8が向上し、
圧下率が88%で最高となり、90%程度になると急激
にB8の劣化が起こってしまうことが報告されている
が、本発明では90%超の圧下率においても高いB8が
実現できる。このことは特に、従来二回冷延法でしか製
造できなかった0.20mm以下の薄手高B8材製造に
おいて、冷延一回法で製造することを可能とする。第4
図にそれを導いた実験結果を示す。実験は[Al]が
0.030%である板厚1.6〜2.8mmの熱延板か
ら冷延した板厚0.20mmの冷延板を60℃/秒の加
熱速度で室温から800℃まで加熱した後、800〜8
50℃の所定の温度において雰囲気ガスの酸化度0.5
5で120秒焼鈍した。その後窒化処理により窒素量を
0.020〜0.030%としたのちマグネシアを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布して仕上げ焼鈍を行った。図
4から明らかなように90%超の圧下率で特に高いB8
を得ることができる。
除去するために湿潤雰囲気中で脱炭焼鈍を施す。その
際、脱炭焼鈍加熱速度および脱炭焼鈍均熱温度等を制御
し、脱炭焼鈍後の一次再結晶集合組織のI[111]/I[411]
の値を3以下に調整することが磁気特性B8を1.88T
以上の製品を得るためにまず必要である。さらに、本発
明のポイントである脱炭焼鈍工程の焼鈍サイクルにおけ
る加熱速度:HR℃/秒を酸可溶性Alの量:[Al]%に対し
てHR≧−6250[Al]+200を満たすように調整することによ
ってB8が1.92T以上の製品を得ることができる
(即ち、[Al]を多くしていった場合のHRの下限値は、HR
≧−6250[Al]+200かつI[111]/I[411]の値が3以下とな
るために必要な加熱速度ということになる)。また、こ
の加熱速度で加熱する必要がある温度域は少なくとも6
00℃から750〜900℃までの温度域である。
を示す。[Al]が0.026%である冷延板を40℃/秒
の加熱速度で室温から600℃〜1000℃の温度域の
所定の温度まで加熱した後、窒素ガスで室温まで冷却し
た。その後20℃/秒の加熱速度で850℃まで加熱
し、雰囲気ガスの酸化度0.33で120秒焼鈍した。
その後、窒化処理により窒素量を0.021%としたの
ちMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布して仕上げ焼
鈍を行った。図2に示すように40℃/秒の加熱速度で
の到達温度が750℃以上、900℃以下の範囲で磁束
密度が向上していることが分かる。750℃未満で効果
が発揮されないのは、750℃未満では一次再結晶が十
分に進行しておらず、一次再結晶集合組織を変えるため
には再結晶を十分に進行させる必要があるためである。
また、900℃超の温度まで加熱すると、試料の一部に
変態組織が生じ、その後の脱炭焼鈍完了時点での組織が
混粒組織になるためであると考えられる。
で300℃から750℃の温度域の所定の温度まで加熱
し、その温度から加熱速度40℃/秒で850℃まで加
熱した後、窒素ガスで室温まで冷却した。その後20℃
/秒の加熱速度で850℃まで加熱し、雰囲気ガスの酸
化度0.33で120秒焼鈍した。その後窒化処理によ
り窒素量を0.021%としたのちMgOを主成分とす
る焼鈍分離剤を塗布して仕上げ焼鈍を行った。図3に示
すように加熱速度40℃/秒の加熱開始温度が600℃
超では磁束密度向上効果が無いことが分かる。
上で加熱する必要がある温度域は少なくとも600℃か
ら750〜900℃までの温度域であることが分かる。
従って、脱炭焼鈍工程の昇温過程において鋼板温度が6
00℃以下の温度域から40℃/秒以上で加熱すること
が必要となる。また、上記のような脱炭焼鈍工程の昇温
過程での加熱は冷延工程から脱炭焼鈍工程の間に加熱焼
鈍を行ったとしても本発明の趣旨を損なうものではな
い。
して発揮させるためには後述の実施例4に示しているよ
うに、加熱した後に770〜900℃の温度域で雰囲気
ガスの酸化度(PH2O/PH2)を0.15超1.1以下
として鋼板の酸素量を2.3g/m2以下とすることが有
効である。雰囲気ガスの酸化度が0.15未満では鋼板
表面に形成されるグラス被膜の密着性が劣化し、1.1
を越えるとグラス被膜に欠陥が生じる。特に、昇温段階
での加熱速度を40℃/s以上に高めた場合には均熱時の酸
化が促進されるので、酸素量を一定の範囲内に管理する
ためには雰囲気酸化度を低めにする、または均熱時間を
短くする必要がある。
40〜100℃/秒程度の加熱速度に対しては、従来の
通常輻射熱を利用したラジアントチューブや発熱体によ
る脱炭焼鈍設備を改造した設備、また100℃/秒以上
の加熱速度に対しては、新たなレーザー、プラズマ等の
高エネルギー熱源を利用する方法、誘導加熱、通電加熱
装置等を適用することができる。また、従来の通常輻射
熱を利用したラジアントチューブや発熱体による脱炭焼
鈍設備に新たなレーザー、プラズマ等の高エネルギー熱
源を利用する方法、誘導加熱、通電加熱装置等を適用す
る方法等を組み合わせることも有効である。
82866号公報に示されるような一次再結晶粒組織の
調整を勘案して設定する。通常は770〜900℃の範
囲で行う。また、均熱の前段で脱炭した後に、粒調整の
ために均熱の後段の温度を高めることや後段の雰囲気ガ
スの酸化度を下げて均熱時間をのばすことも有効であ
る。
のあるガスを含有する雰囲気中で焼鈍する方法、MnN
等の窒化能のある粉末を焼鈍分離剤中に添加して仕上げ
焼鈍中に行う方法等がある。脱炭焼鈍の加熱速度を高め
た場合に二次再結晶を安定的に行わせるためは、(A
l,Si)Nの組成比率を調整する必要があり、窒化処
理後の窒素量としては鋼中のAl量に対してN/Alを
質量比として0.67以上とする必要がある。
離剤を塗布した後に、仕上げ焼鈍を行い{110}<0
01>方位粒を二次再結晶により優先成長させる。
C:0.06%、酸可溶性Al:0.020、0.02
6、0.031%、N:0.008%、Mn:0.1
%、S:0.007%含有するスラブを1150℃の温
度で加熱した後、2.0mm厚に熱間圧延した。その
後、1120℃で焼鈍した後、0.22mm厚まで冷間
圧延後、脱炭焼鈍の加熱速度を15〜100℃/秒と
し、830〜860℃の温度で脱炭焼鈍した後、アンモ
ニア含有雰囲気で焼鈍して鋼板中の窒素を0.02〜
0.03%とした。ついでMgOを主成分とする焼鈍分
離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍を行った。製品の特性値
を表1に示す。一次再結晶集合組織に関してI[111]/I[4
11]の値が3以下であり、脱炭焼鈍工程の加熱速度:HR
が酸可溶性Alの量:[Al]%に対してHR≧−6250[Al]+200
を満足する場合、B8が1.92T以上の高い磁束密度
を得られていることが分かる。換言すれば、[Al]を増加
させた場合、同じ脱炭焼鈍速度に対するB8が向上し、高
いB8を得られる脱炭焼鈍加熱速度の領域が小さな加熱速
度の領域まで広がっていることがわかる。
C:0.05%、酸可溶性Al:0.027、0.03
1%、N:0.007%、Cr:0.1%、Sn:0.
05%、Mn:0.1%、S:0.008%含有するス
ラブを1150℃の温度で加熱した後、熱間圧延によっ
て、2.0mm厚にし、この熱間圧延板を1120℃で焼
鈍し、その後、0.22mm厚に冷間圧延した。この冷
延板を10〜600℃/秒の加熱速度で800℃に加熱
した後、800〜890℃で120秒間、雰囲気酸化度
0.44で脱炭焼鈍した。この時の鋼板の酸素量は1.
9〜2.1g/m2であった。
有雰囲気中で焼鈍し、アンモニア含有量を変えることに
より鋼板中の窒素量を0.023〜0.029%とし
た。その後、マグネシアを主成分とする焼鈍分離剤を塗
布した後、1200℃で20時間仕上げ焼鈍を施した。
これらの試料に張力コーテイング処理を施した。得られ
た製品の特性を表2に示す。表2より、一次再結晶集合
組織に関してI[111]/I[411]の値が3以下であり、脱炭
焼鈍工程の加熱速度:HRが酸可溶性Alの量:[Al]%に対
してHR≧−6250[Al]+200を満足する場合、B8が1.9
2T以上の高い磁束密度を得られていることが分かる。
また特に、HRが75℃/秒〜140℃/秒で特にB8が高
く、その領域が[Al]が増えると下限側に広がることがわ
かる。
Mn:0.1%、C:0.05%、S:0.008%、
酸可溶性Al:0.024%、N:0.008%、S
n:0.05%を含む板厚2.0mm珪素鋼熱延板を最
終板厚0.22mmに冷延した。この冷延板を酸化度
0.33の窒素と水素の混合ガス中において、加熱速度
(1)20℃/秒(2)100℃/秒で840℃まで加
熱し840℃で150秒焼鈍し一次再結晶させた。その
後、750℃で30秒間アンモニア含有雰囲気中で焼鈍
し、アンモニア含有量を変えることにより鋼板中の窒素
量を0.022〜0.026%とした。
焼鈍分離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍を施した。仕上げ
焼鈍は1200℃まではN2:25%+H2:75%の雰
囲気ガス中で15℃/hrの加熱速度で行い、1200
℃でH2:100%に切りかえ20時間焼鈍を行った。
これらの試料を張力コーテイング処理を施した。得られ
た製品の磁気特性を表3に示す。実施例1、2と比較す
ると、冷延前の焼鈍を行っていないので全体の磁束密度
は低いが、本発明の磁束密度向上効果が確認できる。
C:0.05%、酸可溶性Al:0.029%、N:
0.008%、Mn:0.1%、S:0.007%、含
有する珪素鋼スラブを1100℃に加熱し、2.0mm
厚とした。この熱間圧延板を1100℃で焼鈍し、冷間
圧延し最終板厚0.2mmとした。その後、加熱速度1
00℃/秒で850℃まで加熱した後に室温まで冷却し
た。その後加熱速度30℃/秒で加熱し、830℃で、
酸化度0.12〜0.72の雰囲気ガスで90秒間焼鈍
した後、アンモニア含有雰囲気中で750℃で30秒焼
鈍し、鋼板中の窒素量を0.02〜0.03%とした。
次いで、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布した
後、1200℃で20時間仕上げ焼鈍を施した。
明で規定した雰囲気の酸化度0.15超1.1以下の範
囲および、脱炭焼鈍後の酸素量2.3g/m2以下の範
囲を外れた場合には製品のグラス被膜特性が劣化してい
ることがわかる。
C:0.05%、酸可溶性Al:0.024%、N:
0.007%、Cr:0.1%、Sn:0.05%、M
n:0.1%、S:0.008%を含有する珪素鋼スラ
ブを1150℃加熱し、板厚2.3mmに熱間圧延し
た。この熱間圧延板を1120℃で焼鈍し、その後、
0.22mm厚に冷間圧延した。この冷延板を100℃
/秒で800℃に加熱した後、820℃で90〜600
秒間、雰囲気酸化度0.52で脱炭焼鈍し、I{11
1}/I{411}の値を2.7以下にし、一次再結晶
集合組織を請求項1の不等式が成り立つよう調整した。
その後、750℃で30秒間アンモニア含有雰囲気中で
焼鈍し、鋼板中の窒素量を0.023〜0.029%と
した。MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、
1200℃で20時間仕上げ焼鈍を施した。
が2.41g/m2と多くなった場合には、磁気特性が
劣化していることが分かる。
C:0.05%、酸可溶性Al:0.024%、N:
0.007%、Cr:0.1%、Sn:0.05%、M
n:0.1%、S:0.008%含有する珪素鋼スラブ
を1150℃加熱し、板厚2.3mmに熱間圧延した。
この熱間圧延板を1120℃で焼鈍し、その後、0.2
2mm厚に冷間圧延した。この冷延板を100℃/秒で
800℃に加熱した後、820℃で110秒間、雰囲気
酸化度0.44で脱炭焼鈍した。集合組織:I{11
1}/I{411}の値は1.7、鋼板酸素量は1.9
g/m2であった。その後、750℃で30秒間アンモ
ニア含有雰囲気中で焼鈍し、アンモニア含有量を変える
ことにより鋼板中の窒素量を0.012〜0.026%
とした。その後、マグネシアを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布した後、1200℃で20時間仕上げ焼鈍を施し
た。
窒素量が0.017%以上([N]/[Al]≧0.6
7)で磁束密度が高くなることが分かる。
C:0.06%、酸可溶性Al:0.020,0.02
6,0.031%、N:0.008%、Mn:0.1
%、S:0.007%含有するスラブを1150℃の温
度で加熱した後、2.0mm厚に熱間圧延した。その熱
延板を、前段1120℃、後段900℃で焼鈍した後、
0.15mm厚まで冷間圧延後、脱炭焼鈍の加熱速度を
15〜100℃/秒とし、810〜860℃の温度で脱
炭焼鈍した後、アンモニア含有雰囲気で焼鈍して鋼板中
の窒素を0.02〜0.03%とした。ついでマグネシ
アを主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、仕上げ焼鈍
を行った。製品の特性値を表7に示す。脱炭焼鈍工程の
加熱速度:HRが酸可溶性Alの量:[Al]%に対し
てHR≧−6250[Al]+200となっている場
合、B8が1.92T以上の高い磁束密度を得られてい
ることが分かる。
C:0.05%、酸可溶性Al:0.025%,0.0
35%、N:0.007%、Cr:0.1%、Sn:
0.05%、Mn:0.1%、S:0.008%含有す
るスラブを1150℃の温度で加熱した後、熱間圧延に
よって、2.3mm厚にし、この熱間圧延板を1120
℃で焼鈍し、その後、0.18mm厚に冷間圧延した。
この冷延板を5〜600℃/秒の加熱速度で800℃に
加熱した後、800〜890℃で120秒間、雰囲気酸
化度0.52で脱炭焼鈍し、一次再結晶集合組織を図1
で示した高B8が得られる領域に調整した。その後、7
50℃で30秒間アンモニア含有雰囲気中で焼鈍し、ア
ンモニア含有量を変えることにより鋼板中の窒素量を
0.025〜0.035%とした。その後、マグネシア
を主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、1200℃で
20時間仕上げ焼鈍を施した。得られた製品の特性を表
8に示す。表8より、脱炭焼鈍工程の加熱速度:HRが
酸可溶性Alの量:[Al]%に対してHR≧−625
0[Al]+200となっている場合、B8が1.92
T以上の高い磁束密度を得られていることが分かる。特
に、[Al]を増加された場合、冷延一回法による高B
8効果がより顕著に見られ、脱炭焼鈍加熱速度が小さく
ても高B8効果が得られると共に、より高いB8をえる
ことができる。
起因する諸問題の無い低温スラブ加熱による方向性電磁
鋼板の製造方法を基に、一次再結晶組織、酸可溶性Alに
対する脱炭焼鈍条件、表面酸化層及び窒化量を規定する
ことにより、磁束密度の高い優れた磁気特性をもつ方向
性電磁鋼板を工業的に安定して製造することができる。
特に、一回冷延法を前提とした製造方法において、酸可
溶性Alに対する脱炭焼鈍条件及び窒化量を規定するこ
とにより、磁束密度が高い優れた磁気特性をもつ薄手方
向性電磁鋼板を工業的に安定して製造することができ
る。このことにより、熱延に負荷が少なく、中間焼鈍を
省略し、従来よりも安価かつ鉄損に優れた方向性電磁鋼
板を得ることができる。
脱炭焼鈍加熱速度の影響を示した図である。
の影響を示した図である。
の影響を示した図である。
である。
Claims (7)
- 【請求項1】 質量で、Si:0.8〜4.8%、C:
0.085%以下、酸可溶性Al:0.01〜0.06
5%、N:0.012%以下を含み、残部Fe及び不可
避的不純物からなる鋼を1280℃以下の温度で加熱し
た後に熱間圧延により熱延板となし、次いで一回もしく
は中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延により最終板厚と
し、脱炭焼鈍後マグネシアを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布し、仕上げ焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法に
おいて、酸可溶性Alの量:[Al]%に対応して、脱炭焼鈍
工程の昇温過程における、鋼板温度が600℃以下の領
域から750〜900℃の範囲内の所定の温度までの加
熱速度:HR℃/秒をHR≧−6250[Al]+200とすることによ
り、脱炭焼鈍後の集合組織におけるI[111]/I[411]の比
率を3以下に調整し、その後窒化処理を行なうことを特
徴とする磁束密度の高い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項2】 前記冷間圧延において圧下率を90%超
とすることを特徴とする請求項1に記載の磁束密度の高
い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項3】 前記熱延板に900〜1200℃の温度
域で30秒〜30分間の焼鈍を施すことを特徴とする請
求項1または2に記載の磁束密度の高い方向性電磁鋼板
の製造方法。 - 【請求項4】 前記脱炭焼鈍工程において、770℃〜
900℃の温度域で雰囲気ガスの酸化度(PH2O/P
H2):0.15超1.1以下の範囲内で鋼板の酸素量
が2.3g/m2以下となるような時間焼鈍することを
特徴とする請求項1乃至3のいずれかの項に記載の磁束
密度の高い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項5】 前記鋼板の酸可溶性Alの量:[Al]
に応じて窒素量:[N]が[N]/[Al]≧0.67
を満足する量となるように窒化処理を施すことを特徴と
する請求項1乃至4のいずれかの項に記載の磁束密度の
高い方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項6】 質量%で、さらに、Sn:0.02〜
0.15%を添加することを特徴とする請求項1乃至5
のいずれかの項に記載の磁束密度の高い方向性電磁鋼板
の製造方法。 - 【請求項7】 質量%で、さらに、Cr:0.03〜
0.2%を添加することを特徴とする請求項1乃至6の
いずれかの項に記載の磁束密度の高い方向性電磁鋼板の
製造方法。
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