JP2003003268A

JP2003003268A - 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法、基材、光学フィルム、及び画像表示素子

Info

Publication number: JP2003003268A
Application number: JP2001184803A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Fukuda; 和浩福田; Yoshikazu Kondo; 慶和近藤; Yoshiro Toda; 義朗戸田; Kiyoshi Oishi; 清大石; Toshio Tsuji; 稔夫辻
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2001-06-19
Filing date: 2001-06-19
Publication date: 2003-01-08

Abstract

(57)【要約】【課題】電極汚れを抑制して、生産性に優れた大気圧
プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】対向する電極間に基材を位置させ、さら
に反応ガス及び不活性ガスを含有する大気圧又は大気圧
近傍の気体を存在させて高周波電圧を印加して放電プラ
ズマを発生させ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラ
ズマ処理装置において、前記電極の一方の電極は前記基
材と接触するように配置し、かつ、他方の電極が前記放
電プラズマ中の示すイオン極性と異なる極性となる時間
よりも前記放電プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性
となる時間が長くなるように前記高周波電圧を調整して
印加することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は大気圧プラズマ処理
装置、大気圧プラズマ処理方法、該大気圧プラズマ処理
方法にて処理した基材、該基材を有する光学フィルム、
及び該光学フィルムを有する画像表示素子に係わり、更
に詳しくは、電極汚れの発生を防ぐ大気圧プラズマ処理
装置、大気圧プラズマ処理方法、該大気圧プラズマ処理
方法にて製造した、基材、該基材を用いて製造した光学
フィルム、及び光学フィルムを有する画像形成素子に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より表面処理方法としては、コロナ
処理や真空プラズマ処理、更には真空蒸着及びスパッタ
リング等が一般的に用いられてきた。しかしながら、コ
ロナ処理は、基材の表面処理において均一に処理するこ
とが難しく、更に処理効果も低い。一方、真空蒸着や真
空プラズマ等は、真空設備を必要とする為、設備費用が
高額となる。更に、連続生産が出来ず、成膜速度が低い
ことから、生産性が低いという課題を有していた。

【０００３】これに対して、特開昭６１−２３８９６１
号等において、大気圧下でプラズマ放電を発生させ、該
プラズマにより高い処理効果を得る大気圧プラズマ処理
方法が提案されている。大気圧プラズマ処理方法は、基
材の表面に、均一な組成、物性、分布で親水性や撥水性
を有する物質を厚みを均一にして成膜する事ができる。
また大気圧又は大気圧近傍下で処理を行うことができる
ことから、真空設備を必要とせず、設備費用を抑えるこ
とができ、連続生産にも対応でき、成膜速度を早くする
ことができる。

【０００４】また特開平６−３３０３２６においては、
大気圧プラズマ処理において、大気圧プラズマ放電中に
金属アルコキシド等を微量添加することで、金属酸化膜
を形成することも提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記大気圧プ
ラズマ処理方法を用いた場合、基材部への成膜以外に、
大気圧プラズマ処理装置の電極部へも膜成分が付着して
しまい、これにより、電極部のインピーダンスのズレに
よる放電異常等が発生してしまう。特に真空プラズマ処
理に比べ、大気圧プラズマ処理は、基材への成膜速度を
早くすることができるため、電極もすぐに汚れてしま
い、この電極汚れは深刻な問題である。

【０００６】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であって、本発明の目的は、電極汚れを抑制して、生産
性に優れた大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処
理方法を提供することにあり、更に該大気圧プラズマ処
理方法によって製造された基材、該基材を有する光学フ
ィルム及び該光学フィルムを有する画像表示素子を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、技術手段
（１）〜（２８）項のいずれか１項により達成される。

【０００８】（１）大気圧又は大気圧近傍の圧力下に
おいて、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応
ガス及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波
電圧を前記電極間に印加することより放電プラズマを発
生させ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理
装置において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と
接触するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プ
ラズマ中の示すイオン極性と異なる極性となる時間より
も前記放電プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性とな
る時間が長くなるように前記高周波電圧を調整すること
を特徴とする大気圧プラズマ処理装置。

【０００９】（２）大気圧又は大気圧近傍の圧力下に
おいて、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応
ガス及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波
電圧を前記電極間に印加することより放電プラズマを発
生させ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理
装置において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と
接触するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プ
ラズマ中の示すイオン極性と同じ極性となるように前記
高周波電圧を調整することを特徴とする大気圧プラズマ
処理装置。

【００１０】（３）前記高周波電圧の調整は、前記高
周波電圧に直流電圧を重畳することで行うことを特徴と
する（１）又は（２）に記載の大気圧プラズマ処理装
置。

【００１１】（４）少なくとも前記基材と接触してい
ない電極を加熱する加熱手段を有することを特徴とする
（１）〜（３）のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ
処理装置。

【００１２】（５）対向する電極間に基材を位置さ
せ、前記電極間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で高周
波電圧を印加して放電プラズマを発生させ、基材の表面
処理を行う大気圧プラズマ処理装置において、前記電極
の少なくとも一方を加熱する加熱手段を有することを特
徴とする大気圧プラズマ処理装置。

【００１３】（６）前記加熱される電極の温度が、５
０℃〜３００℃であることを特徴とする（４）又は
（５）に記載の大気圧プラズマ処理装置。

【００１４】（７）前記高周波電圧の高周波電界が１
００ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚであることを特徴とする
（１）〜（６）のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ
処理装置。

【００１５】（８）前記気体は、不活性ガスを９０〜
９９．９体積％含み、前記不活性ガスはＨｅガス又はＡ
ｒガスであることを特徴とする（１）〜（７）のいずれ
か１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

【００１６】（９）前記気体は、反応ガスを０．０１
〜１０体積％含むことを特徴とする（１）〜（８）のい
ずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

【００１７】（１０）前記反応ガスは、フッ素化合
物、珪素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合
物、インジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物から選
ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする
（１）〜（９）のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ
処理装置。

【００１８】（１１）前記フッ素化合物は、フッ化炭
素ガス又はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする
（１０）に記載の大気圧プラズマ処理装置。

【００１９】（１２）前記珪素化合物、チタン化合
物、錫化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、アルミ
化合物、銅化合物は、有機金属化合物、金属水素化合
物、ハロゲン化金属化合物、金属アルコキシド化合物の
いずれかであることを特徴とする（１０）に記載の大気
圧プラズマ処理装置。

【００２０】（１３）大気圧又は大気圧近傍の圧力下
において、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反
応ガス及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周
波電圧を前記電極間に印加することより放電プラズマを
発生させ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処
理方法において、前記電極のうち一方の電極は前記基材
と接触するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電
プラズマ中の示すイオン極性と異なる極性となる時間よ
りも前記放電プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性と
なる時間が長くなるように前記高周波電圧を調整するこ
とを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。

【００２１】（１４）大気圧又は大気圧近傍の圧力下
において、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反
応ガス及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周
波電圧を前記電極間に印加することより放電プラズマを
発生させ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処
理方法において、前記電極のうち一方の電極は前記基材
と接触するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電
プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性となるように前
記高周波電圧を調整することを特徴とする大気圧プラズ
マ処理方法。

【００２２】（１５）前記高周波電圧の調整は、前記
高周波電圧に直流電圧を重畳することで行うことを特徴
とする（１３）又は（１４）に記載の大気圧プラズマ処
理方法。

【００２３】（１６）少なくとも前記基材と接触して
いない電極があらかじめ加熱されることを特徴とする
（１３）〜（１５）のいずれか１項に記載の大気圧プラ
ズマ処理方法。

【００２４】（１７）対向する電極間に基材を位置さ
せ、前記電極間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で高周
波電圧を印加して放電プラズマを発生させ、基材の表面
処理を行う大気圧プラズマ処理方法において、前記電極
の少なくとも一方はあらかじめ加熱されることを特徴と
する大気圧プラズマ処理方法。

【００２５】（１８）前記あらかじめ加熱される電極
の温度が、５０℃〜３００℃であることを特徴とする
（１６）又は（１７）に記載の大気圧プラズマ処理方
法。

【００２６】（１９）前記高周波電圧の高周波電界が
１００ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚであることを特徴とする
（１３）〜（１８）のいずれか１項に記載の大気圧プラ
ズマ処理方法。

【００２７】（２０）前記気体は、不活性ガスを９０
〜９９．９体積％含み、前記不活性ガスはＨｅガス又は
Ａｒガスであることを特徴とする（１３）〜（１９）の
いずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理方法。

【００２８】（２１）前記気体は、反応ガスを０．０
１〜１０体積％含むことを特徴とする（１３）〜（２
０）のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理方法。

【００２９】（２２）前記反応ガスは、フッ素化合
物、珪素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合
物、インジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物から選
ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする
（１３）〜（２１）のいずれか１項に記載の大気圧プラ
ズマ処理方法。

【００３０】（２３）前記フッ素化合物は、フッ化炭
素ガス又はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする
（２２）に記載の大気圧プラズマ処理方法。

【００３１】（２４）前記珪素化合物、チタン化合
物、錫化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、銅化合
物、アルミ化合物は、有機金属化合物、金属水素化合
物、ハロゲン化金属化合物、金属アルコキシド化合物の
いずれかであることを特徴とする（２２）に記載の大気
圧プラズマ処理方法。

【００３２】（２５）（１３）〜（２４）に記載の方
法により表面処理を施された基材。（２６）（１３）
〜（２４）に記載の方法により表面処理を複数回施され
たされた基材。

【００３３】（２７）（２５）又は（２６）に記載の
基材を有する光学フィルム。（２８）（２７）に記載
の光学フィルムを有する画像表示素子。

【００３４】以下に本発明を詳細に説明する。本発明者
らは、大気圧プラズマ処理における放電プラズマ中で
は、真空プラズマ等に比べてイオン化率が高く、このイ
オン化された分子が電極の極性と静電的な作用が働いて
付着が促進されていることを見出した。

【００３５】本発明者らは、一対の電極の一方の電極に
ついては、基材を接触させて電極を覆うことで電極汚れ
が起こらないようにし、もう一方の電極については、放
電プラズマ中のイオンの極性と同じ極性となるように電
極間に印加する高周波電圧を調整することで、大気圧プ
ラズマ中のイオン分子と電極との間に静電的な反発を生
じさせ、電極へのイオン分子の付着を防ぐことで、電極
汚れを防ぐという本発明を見出した。

【００３６】また、基材で覆われない方の電極の極性が
放電プラズマ中のイオンの極性と同じとなる時間を、放
電プラズマ中のイオン分子と異なる極性となる時間より
長くすることでも、基材で覆われていない電極への放電
プラズマ中のイオン分子の付着を低減することができ、
電極汚れを改善することができる。

【００３７】また、基材で覆われていない方の電極が放
電プラズマ中のイオンの極性と同じとなるときは、基材
で覆われている側の電極は大気圧プラズマ中のイオン分
子と異なる極性となることから、このときにイオン分子
は優先的に基材側に付着するようになり、強いては成膜
速度も速くなる。

【００３８】本発明において、放電プラズマとは電極間
に電圧を印加したことにより生成したイオン化された分
子を含有する気体を指す。

【００３９】本発明において、大気圧近傍の圧力下と
は、２０ｋｐａ〜１１０ｋｐａの圧力下であり、好まし
くは９３ｋｐａ〜１０４ｋｐａの範囲である。

【００４０】また、本発明者らは、電極をあらかじめ加
熱し、大気中の温度以上としておくことで、大気圧プラ
ズマ処理を行っても、電極の汚れが発生しにくいことを
見出した。このときに、一対の電極の一方を基材により
カバーして、放電プラズマ中のイオン分子の付着を防
ぎ、更に、他方の電極を加熱しておいて電極の汚れを発
生しないようにさせておくことで、電極汚れを抑制する
ことができるし、更に、他方の電極には、放電プラズマ
中のイオンの極性と同じ極性となるように電極間に印加
する高周波電圧を調整したり、基材で覆われない方の電
極の極性が放電プラズマ中のイオンの極性と同じとなる
時間を、放電プラズマ中のイオンと異なる極性となる時
間より長くしたりすることを組み合わせることで、本発
明の効果を更に得ることが可能となる。電極の温度は、
好ましくは５０℃以上４００℃以下である。

【００４１】本発明において表面処理とは、反応ガス分
子の少なくとも一部を付着させることをいい、表面処理
が施された基材とは、反応ガス分子の少なくとも一部が
付着した基材のことを言う。表面処理が複数回施された
基材とは、表面処理を施した基材に、更に表面処理を施
した基材のことをいう。

【００４２】本発明の表面処理を施した基材、表面処理
を複数回施した基材は、反射防止などの表面処理が施さ
れる他、透明導電膜等も成膜されるため、液晶やＣＲ
Ｔ、太陽電池等の光学フィルムとして用いると有用であ
る。また、光学フィルムはＬＣＤ、有機ＥＬ等の画像表
示素子に用いても有用である。

【００４３】

【発明の実施の形態】本発明の大気圧プラズマ処理装置
及び大気圧プラズマ処理方法、同方法により表面処理が
行われた基材、同基材を有する光学フィルム、同光学フ
ィルムを有する画像表示素子について、以下にその実施
の形態を図を用いて説明するが、本発明はこれらに限定
されない。また、以下の説明には用語等に対する断定的
な表現があるが、本発明の好ましい例を示すもので、本
発明の用語の意義や技術的な範囲を限定するものではな
い。

【００４４】図１は本発明の大気圧プラズマ処理装置の
一例を示す断面図である。１は基材である。基材は特に
限定はないが、フィルム又はシート状の高分子樹脂とし
ては、セルローストリアセテート等のセルロースエステ
ル基体、ポリエステル基体、ポリカーボネート基体、ポ
リスチレン基体、ポリオレフィン基体、等を使用でき
る。

【００４５】具体的には、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロ
ースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテ
ートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフ
タレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロ
ースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれら
の誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィル
ム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルア
ルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン
系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン
樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエ
ーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエー
テルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリ
エーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、
フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメ
タクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリ
アリレート系フィルム等を挙げることができる。これら
の素材は単独であるいは適宜混合されて使用することも
できる。中でもゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、
ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）などの市販品を使
用することができる。更に、ポリカーボネート、ポリア
リレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォン
などの固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流
延、溶融押し出し等の条件、更には縦、横方向に延伸条
件等を適宜設定することにより、得ることが出来る。

【００４６】２は大気圧もしくはその近傍の圧力下、連
続的にプラズマ処理する処理部であり、３、４は一対の
電極である。電極４はアース６に接地している。

【００４７】対向する電極３、４は、金属母材を誘電体
で被覆することもできる。金属母材は、銀、白金、ステ
ンレス、アルミニウム、鉄等の金属が使えるが、ステン
レスが加工し易い。誘電体のライニング材としては、ケ
イ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩系ガラス
・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス・アルミ
ン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いることが出
来る。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。ま
た、気密性の高い高耐熱性のセラミックを焼結した焼結
性セラミックスを用いることも好ましい。焼結性セラミ
ックスの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア
系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスである。ア
ルミナセラミックスの厚みは１ｍｍ程度が好ましい。ま
た、体積固有抵抗は１０⁸Ω・ｃｍ以上が好ましい。

【００４８】図１では一対の電極３、４のように平板電
極を用いてあるが、一方もしくは双方の電極を円筒状電
極、角柱状電極、ロール状電極、としてもよい。詳しく
は後で述べる。

【００４９】誘電体は、金属電極に張り付けるのが一般
的であるが、誘電体に金属電極をメッキ、蒸着、コーテ
ィング、溶接等によって取り付けることもできる。

【００５０】処理部２は電極３、４の間の領域を含む位
置に配置されている。以下処理部を処理室として説明す
る。

【００５１】処理室２には、大気圧又は大気圧近傍の圧
力の気体を存在させておく。処理室２の気体は、電極
３、４間にも大気圧又は大気圧近傍で存在する。

【００５２】気体は、反応ガスと不活性ガスを含有する
気体であるが、電圧の印加により放電プラズマを発生
し、基材の表面処理が可能となる気体であれば何でもよ
い。反応ガスとして、好ましくは、有機フッ素化合物、
金属化合物を好ましく挙げることが出来る。有機フッ素
化合物を用いることにより反射防止層等に有用な低屈折
率層や防汚層を形成することができる。金属化合物で
は、低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層や、ガスバリ
ア層を形成することができる。

【００５３】有機フッ素化合物としては、フッ化炭素や
フッ化炭化水素等のガスが好ましく、例えば、フッ化メ
タン、フッ化エタン、テトラフルオロメタン、ヘキサフ
ルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエチレ
ン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ン、ヘキサフルオロプロペン、６−フッ化プロピレン等
のフッ化炭素化合物；１，１−ジフルオロエチレン、
１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，
２，３−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化
合物；ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロ
メタン等のフッ化塩化炭化水素化合物；１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，
３−ジフルオロ−２−プロパノール、パーフルオロブタ
ノール等のフッ化アルコール；ビニルトリフルオロアセ
テート、１，１，１−トリフルオロエチルトリフルオロ
アセテート等のフッ化カルボン酸エステル；アセチルフ
ルオライド、ヘキサフルオロアセトン、１，１，１−ト
リフルオロアセトン等のフッ化ケトン等を挙げることが
出来るが、これらに限定されない。

【００５４】有機フッ素化合物がプラズマ放電処理によ
って、腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような
化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件
を選ぶことも出来る。有機フッ素化合物を本発明に有用
な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ
素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適
切な反応性ガス成分としてそのまま使用でき好ましい。
これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化
合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置などの手段に
より気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶
解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。

【００５５】金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、
Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇ
ａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎ
ａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物
または有機金属化合物を挙げることができ、Ａｌ、Ｇ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺ
ｒが金属化合物として好ましく用いられるが、特に、珪
素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、イン
ジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物が好
ましい。

【００５６】これらのうち珪素化合物としては、例え
ば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン等のアルキルシラン；テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメ
チルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機
珪素化合物；モノシラン、ジシラン等の珪素水素化合
物；ジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロ
シラン等のハロゲン化珪素化合物；その他オルガノシラ
ン等を挙げることが出来、何れも好ましく用いることが
出来る。また、これらは適宜組み合わせて用いることが
出来る。上記の有機珪素化合物は、取り扱い上の観点か
ら珪素アルコキシド、アルキルシラン、有機珪素水素化
合物が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程
上の汚れなども少ないことから、特に有機珪素化合物と
して珪素アルコキシドが好ましい。

【００５７】チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、イ
ンジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物と
しては、有機金属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属
水素化合物、金属アルコキシド化合物が好ましい。有機
金属化合物の有機成分としてはアルキル基、アルコキシ
ド基、アミノ基が好ましく、テトラエトキシチタン、テ
トライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テ
トラジメチルアミノチタン等を好ましく挙げることが出
来る。有機チタン化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合
物、有機インジウム化合物、有機アルミ化合物、有機銅
化合物、有機銀化合物は、中屈折率層や高屈折率層を形
成するのに非常に有用である。ハロゲン化金属化合物と
しては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン等
を挙げることができ、更に金属水素化合物としては、モ
ノチタン、ジチタン等を挙げることができる。本発明に
おいては、チタン系の有機金属化合物を好ましく用いる
ことができる。

【００５８】本発明において、気体中に占める反応ガス
の割合は、０．０１体積％〜１０体積％であることが好
ましいが、更に好ましくは、０．１体積％〜５体積％で
ある。

【００５９】不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガ
スが好ましく用いられるが、ＨｅとＡｒを混合した希ガ
スが好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は、９
０体積％〜９９．９体積％であることが好ましい。大気
圧プラズマを効率よく発生させるという点から不活性ガ
ス中のＡｒガス成分を多くするのも好ましいが、コスト
的な観点からもＡｒガス成分を９０体積％〜９９．９体
積％を用いるのが好ましい。

【００６０】なお、気体には水素ガスや酸素ガスを不活
性ガスに対して０．１体積％〜１０体積％混合させて使
用してもよく、このように補助的に使用することにより
薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。

【００６１】図１において、処理室２に隣接して基材の
入口側に予備室１０が設けられ、その予備室１０に隣接
して予備室１１が設けられている。出口側にも処理室２
に隣接して予備室１２が設けられている。予備室を設け
る場合、図示のように、基材１の入口側に二つ、出口側
に一つを設ける態様であってもよいが、これに限定され
ず、基材１の出入口側に一つづつ設ける態様、入口側に
二つ設け、出口側に設けない態様、あるいは入口側に二
つ以上、出口側に二つ以上設ける態様でもよい。いずれ
の態様であっても、処理室２内の内圧が、該処理室２と
隣接する予備室の内圧より高いことが必要であり、好ま
しくは０．２９Ｐａ以上高いことである。このように処
理室２と予備室の間でも圧力差を設けることにより、外
部空気の混入を防止し、気体中の反応ガスのプラズマ化
が効率的となり、処理効果も更に向上する。

【００６２】また処理室２に隣接して入口側に二つ以
上、出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室
と隣り合う予備室の間の差圧は、処理室２に近い側の予
備室の内圧が高く設定されることが好ましく、０．２９
Ｐａ以上高く設定されることが好ましい。このように複
数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによって、
外部空気の混入をより効率的に防止し、反応ガスの有効
使用がより可能となり、処理効果も更に向上する。

【００６３】予備室には、反応ガスの少なくとも１成分
を有していることが反応ガスの効率的な使用と処理効果
の向上の観点から好ましい。

【００６４】更に予備室を複数設けて圧力差を設けるに
は、減圧手段１５を設けることが好ましい。この減圧手
段としては、吸引ファンあるいは真空ポンプ等が挙げら
れる。

【００６５】前記処理室２と予備室、予備室同士の部屋
には間仕切りされていることが必要であり、かかる間仕
切り手段としては、図示のように、入口側にニップロー
ル７、出口側にニップロール８を設ける形態も好まし
い。かかるニップロールは、基材１に対して接触しなが
ら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋同士を
完全に間仕切りできないので、本実施の形態例の様な圧
力差を設ける手段が有効に機能するのである。

【００６６】また間仕切り手段としては、基材１に対し
て所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であっても
よい。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方
式等を採用できる。なお、予備室を設けない場合には、
処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。

【００６７】処理室２は、気体を処理室内に導入するた
めの給気口２３と、処理後の放電プラズマを排出するた
めの排気口２４を有する。

【００６８】電極３、４のうち一方の電極３に高周波電
源５が接続され電極３，４間に高周波電圧を印加する。

【００６９】一般に高周波電界はサイン波形を有すが、
パルス化された電界を印加することも可能である。この
パルス化の意味は、ＯＮ／ＯＦＦのデューティ比を変化
させることでプラズマガス温度の変化が可能になる。こ
れにより、表面凹凸の形状を変化させることも可能とな
る場合がある。１例として、図２に示す例が挙げられる
が、これに限定されず、特開平１０−１３０８５１号公
報の図１の（ａ）〜（ｄ）のパルス波形であってもよ
い。図２に於いて、縦軸はパルス電圧、横軸は時間であ
る。

【００７０】高周波電圧を１００ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ
に設定した場合、イオン化率が急激に向上する。これに
より、該イオンは、強制的に基材側に引き付けられるた
め、成膜速度を向上させ、更に基材の表面に形成される
膜に基材に対して強力な接着力を持たせることができ
る。従って、高周波電圧を特に１００ｋＨｚ〜２．５Ｇ
Ｈｚで使用した場合は、電極汚れを顕著に抑制でき、成
膜速度を向上させ、更に膜性能が改良され生産性を向上
させることができる。高周波電圧は、より好ましくは１
００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚで使用するのがよく、更に好
ましくは１５０ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚであり、特に好ま
しくは８００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚであり、この場合、
電極汚れをより一層顕著に抑制でき、成膜速度が向上
し、更に膜性能が改良され生産性を一段と向上させるこ
とができる。

【００７１】さらに電極３には、直流電圧がかけられる
ように、直流電圧電源１６が接続されており、直流電圧
を重畳することができるようになっている。

【００７２】高周波電源５、直流電圧電源１６は、基材
に覆われていない電極３の電圧印加時の極性が、放電プ
ラズマ中のイオンの極性と同じ極性となるよう配置して
いるのであるが、基材に覆われていない電極３の電圧印
加時の極性が、放電プラズマ中のイオンの極性と同じ極
性となるようになるのであれば、直流電圧電源１６はど
の位置に配置してもよい。例えば電極４に直流電圧電源
１６を接続し、電極４を放電プラズマ中のイオン極性を
異なるように電圧を印加するようにしても、電極３は放
電プラズマ中のイオンの極性と同じ極性となる。

【００７３】また、本発明の大気圧プラズマ処理方法に
より、被処理基材が帯電することやそれに伴うゴミ付着
等を引き起こすこともあるが、除電手段を設けることで
特に問題とはならない。除電手段としては、例えば、通
常のブロアー式、接触式以外に、特開平７−２６３１７
３号に記載されるような複数の正負のイオン生成用除電
電極と基材を挟むようにイオン吸引電極を対向させた除
電装置と、その後正負の直流式除電装置を設けた高密度
除電システムを用いることも好ましい。またこのときの
支持体帯電量は±５００Ｖ以下が好ましい。また除電処
理後にはゴミ除去手段を設けることが好ましく、ゴミ除
去手段としては、特開平７−６０２１１号に記載される
ような非接触式のジェット風式減圧型ゴミ除去装置等が
好ましい。

【００７４】図１の大気圧プラズマ処理装置を用いた基
材の大気圧プラズマ処理方法としては、先ず基材１がニ
ップロール７，８に押圧され、電極４に接触した状態で
処理室２内に搬送されていく。処理室２には給気口２３
より導入された大気圧又は大気圧近傍の気体が存在して
おり、基材１に覆われていない電極３が放電プラズマの
イオンの極性と同じ極性となる時間が異なる極性となる
時間より長くなるように、若しくは、電極３が放電プラ
ズマのイオンの極性とずっと同じになるように電極３，
４間に直流電圧電源１６より直流電圧を重畳することで
調整した高周波電圧を印加して、処理室２内に放電プラ
ズマを発生させる。尚、放電プラズマ発生中で、電極
３、４間に電圧が印加されていない時間が存在する場合
も考えられるが、その場合基材１に覆われていない電極
３が放電プラズマのイオンの極性と同じ極性となる時間
が異なる極性となる時間より長くなるかどうかについて
は、電極３の極性がイオン極性と同じとなるか異なるか
の判断はせず、その時間をのぞいて判断することとす
る。この放電プラズマにより、基材１の表面が連続処理
される。処理後のガスは排気口２４より排出される。

【００７５】更に基材１は、表面処理前に、予め基材表
面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うことによっ
て、表面処理の均一性が更に向上するので好ましい。除
電手段及び除電処理後のゴミ除去手段としては、前述の
手段と同様の手段を採用できる。

【００７６】図３は基材を巻回して搬送回転するロール
型の電極に対して複数の円筒状の固定型電極を対向させ
た電極を有する本発明の大気圧プラズマ処理装置の一例
を示す断面図である。

【００７７】なお、以降の図の説明においては、前述の
図の説明で説明された符号と同じ符号のものの説明につ
いて省略されている場合があるが、得に説明がない限り
は前述の図の説明と同じである。

【００７８】図３において、基材１を巻回して搬送回転
するロール型の電極４ａに対して複数の円筒状の固定型
電極３ａを対向させたものである。電極３ａ、４ａに
は、図１の大気圧プラズマ処理装置の電極で用いられる
金属母材、誘電体を用いることができる。基材１はロー
ル型の電極４ａに巻回してニップロール７，８で押圧さ
れ、さらにガイドローラー２１，２２を介して処理室で
ある処理容器２０に搬送される。ロール電極４ａはアー
スに接地している。処理容器２０は、本実施形態ではパ
イレックス（Ｒ）ガラス製であるが、電極と絶縁がとれ
ていれば金属製であってもよい。例えは、アルミ又は、
ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り
付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行
い絶縁性をとっても良い。処理容器２０内の所定位置に
電極３ａを配置する。

【００７９】図３の大気圧プラズマ処理装置を用いた基
材の大気圧プラズマ処理方法としては、基材１は、ニッ
プロール７，８で押圧され、さらにガイドローラー２
１，２２を介して、処理容器２０内の電極間を片面接触
の状態で搬送される。処理容器２０には、給気口２３よ
り導入された大気圧又は大気圧近傍の圧力の気体を存在
させ、基材１に覆われていない電極３ａが放電プラズマ
のイオンの極性と同じ極性となる時間が異なる極性とな
る時間より長くなるように、若しくは、電極３ａが放電
プラズマのイオンの極性とずっと同じになるように電極
３ａ，４ａ間に直流電圧電源１６により直流電圧を重畳
することで調整した高周波電圧を印加して、処理室２内
に放電プラズマを発生させる。この放電プラズマによ
り、基材１の表面が連続処理される。基材１の表面処理
を終えたガスは排気口２４より排出される。

【００８０】図４は、図３に対し固定型電極として角柱
状電極３ｂに変更した本発明の大気圧プラズマ処理装置
の一例の断面図である。特に角柱状の電極は、放電範囲
を拡大する効果があり、基材の表面処理の効率を上げ、
基材の生産性を向上させる点で好ましい。

【００８１】図５は、本発明の大気圧プラズマ処理装置
の一例を示す断面図である。図５で、大気圧プラズマ処
理装置は図４と同様で、さらにガス充填手段２５、電極
温度変換手段２６、フィルム巻体２７等で構成されてい
る。

【００８２】ガス充填手段２５は、気体を処理容器２０
に充填する手段である。電極温度変換手段２６は、大気
圧プラズマ処理の前にあらかじめ電極３ｂ，４ａの温度
調節を行うことができる。この電極温度変換手段２６を
用いて電極を加熱することができる。電極３ｂ，４ａの
うち、基材１に接していない電極３ｂが加熱されていれ
ばよい。また、電極をあらかじめ加熱しておく温度は、
大気の温度より高い温度に加熱しておけばよいが、好ま
しくは、電極の温度が５０℃〜３００℃となっているの
がよく、これにより電極の汚れを更に低減することがで
きる。

【００８３】図５の大気圧プラズマ処理装置を用いた基
材の大気圧プラズマ処理方法としては、基材１は、ニッ
プロール７，８で押圧され、さらにガイドローラー２
１，２２を介して、処理容器２０内の電極間を片面接触
の状態で搬送される。電極３ｂは、電極温度変換手段２
６により、５０℃以上に加熱されている。処理容器２０
には、給気口２３より導入された大気圧又は大気圧近傍
の圧力の気体を存在させ、高周波電源５により処理容器
２０内の電極３ｂ、４ａ間に電圧を印加して放電プラズ
マを発生させる。この放電プラズマにより、基材１の表
面が連続処理される。基材１の表面処理を終えた放電プ
ラズマは排気口２４より排出される。

【００８４】このときに、基材１に覆われていない電極
３ａが放電プラズマのイオンの極性と同じ極性となる時
間が異なる極性となる時間より長くなるように、若しく
は、電極３ｂが放電プラズマのイオンの極性とずっと同
じになるように電極３ｂ，４ａ間に直流電圧電源１６に
より直流電圧を重畳することで調整した高周波電圧を印
加することで、電極汚れはより一段と低減することがで
きる。

【００８５】

【実施例】＜実施例１＞以下、本発明を実施例により具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。

【００８６】図３の装置を用いて、巾１ｍのＴＡＣ基材
（トリアセチルセルロースフィルム厚み約８０μｍ）に
対し、その表面にＳｉＯ₂薄膜の形成する表面処理を実
施した。膜厚は１００ｎｍになるように成膜条件を調整
した。

【００８７】ここでロール電極４ａには、冷却水による
冷却機能を有するジャケットロールを使用し、２００φ
となるようにした。電極３ａも、パイプ仕様にし、加熱
できるようにして１２φとしてロール電極上に１４本設
置した。また、放電中は熱交換媒体を循環し電極温度コ
ントロールを行いながら実施した。処理容器２０には気
体Ａ（アルゴンを９８．８体積％、水素ガスを１体積
％、テトラエトキシシラン蒸気（アルゴンにてバブリン
グ）を０．２体積％）を送り込んだ。ここで使用する電
源は、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）と春日
電機社製直流電圧電源を使用し、出力を２０Ｗ／ｃｍ²
とした。

【００８８】上記ＴＡＣ基材の表面処理を連続稼働で実
施し、重畳する直流電圧を変化させて、電極汚れによる
不安定放電が発生するまでの時間を評価した。不安定放
電とは、電極表面に汚れが生じることで、部分的にイン
ピーダンスの分布ができた状態での放電のことをいい、
それに伴い、出力の異常変動（ハンチング）が生じる。
ここで出力の異常変動は高周波電源の出力値をモニタリ
ングした。但しロール電極は、ドライブにて回転させ
た。

【００８９】

【表１】

【００９０】なお、各実験Ｎｏ．での電極３ａの時間ｔ
に対する電位の変動は、図７のようになる。

【００９１】本発明において、放電プラズマ中のイオン
極性の判断は、図６に示す装置を用いて求める。ここ
で、１は基材であり、３，４は電極であり、５は高周波
電源、４０は直流低圧電源を印加した金属メッシュ電極
であり、４１は金属メッシュ電極４０と対となる電極で
ある。電極４は、アース６ａに接地し、電極４１はアー
ス６ｂに接地している。４２は直流電圧電源である。電
極３，４は、使用する大気圧プラズマ処理装置と同様の
材質の電極を用い、さらに電極間には使用する大気圧プ
ラズマ処理装置で用いる気体を大気圧又は大気圧近傍で
存在させ、さらに、使用する大気圧プラズマ処理装置に
印加する高周波電圧と同じ周波数の高周波電圧を印加す
る。このときに電極４０，４１間に直流電圧電源４２よ
り電圧を印加し、このときの基材１に付着する物質成分
の量を測定する。次に電極４０，４１間に電圧の絶対値
を同じにして極性のみを変え、金属メッシュ電極４０の
極性を変えてから同様に電極３，４間に電圧を印加し、
このときの基材１に付着する物質成分の量を測定する。
このときに基材１に付着する物質成分が多くなる時の金
属メッシュの極性を放電プラズマ中のイオン極性とす
る。これは、放電プラズマ中のイオンの極性に対し金属
メッシュが同じ極性となる場合は、異なる極性の場合に
比べて放電プラズマ中のイオンが金属メッシュに付着し
にくいことから、より多く基材表面へ付着することによ
るものである。なお基材１に付着する物質成分の量の測
定はＸＰＳ評価法を用いて判断する。

【００９２】表１から明らかなように、基材と接しない
電極に対し、放電プラズマ中でのイオンと同じ極性の電
位となる時間を異なる極性となる時間より長くするか、
若しくは、放電プラズマ中のイオンとずっと同じ極性の
電位となるように調整して電極間に高周波電圧を印加す
ることで、連続稼動時間は大きく向上することが分かっ
た。

【００９３】＜実施例２＞大気圧プラズマ処理装置を図
５仕様に変えて実施例１と同じ条件で、測定した。なお
角柱状電極３ｂは１５ｍｍ角のパイプ仕様とし、加熱で
きるようにした。結果を表２に示す。各実験Ｎｏ．での
電極３ｂの時間ｔに対する電位の変動は、図８のように
なる。

【００９４】

【表２】

【００９５】表２より、基材と接しない電極に対し、放
電プラズマ中でのイオンと同じ極性の電位となる時間を
異なる極性となる時間より長くするか、若しくは、放電
プラズマ中のイオンとずっと同じ極性の電位となるよう
に調整して電極間に高周波電圧を印加することで、連続
稼動時間は大きく向上することが分かった。

【００９６】＜実施例３＞実施例２と同じ条件で、実験
Ｎｏ．ｈと実験Ｎｏ．ｊについて、電極の温度を表３に
示すような値に調整して大気圧プラズマ処理を行った。
結果を表３に示す。

【００９７】

【表３】

【００９８】表３の結果より、大気中の温度（２５℃）
以上で、連続稼動時間が向上することがわかった。ま
た、放電プラズマ中のイオンの極性と電極３ｂの極性が
同じとなるようにして高周波電圧を印加すると、連続稼
働時間が更に向上することがわかった。

【００９９】＜実施例４＞実施例３の気体Ａを気体Ｂ
（アルゴンを９８．９体積％、酸素ガスを１体積％、テ
トライソプロポキシチタン蒸気（１００℃に加熱後、ア
ルゴンにてバブリング）を０．１体積％）に変えた以外
はすべて実施例３と同じで測定を行ったが、実施例３と
同様に大気中の温度以上で、連続稼動時間が向上するこ
とがわかった。また、放電プラズマ中のイオンの極性と
電極３ｂの極性が同じとなるようにして高周波電圧を印
加すると、連続稼働時間が更に向上することがわかっ
た。

【０１００】

【発明の効果】本発明によれば、電極汚れを抑制して、
生産性に優れた大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズ
マ処理方法を提供することができ、更に、該処理によっ
て製造された基材、該基材を有する光学フィルム及び該
光学フィルムを有する画像表示素子を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す
断面図である。

【図２】高周波電源の波形の一例を示すグラフである。

【図３】本発明の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す
断面図である。

【図４】本発明の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す
断面図である。

【図５】本発明の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す
断面図である。

【図６】放電プラズマ中のイオン分子の極性を測定する
装置の一例を示す断面図である。

【図７】電極３ａの時間に対する電位を示すグラフであ
る。

【図８】電極３ｂの時間に対する電位を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１基材２処理部３，４，３ａ，３ｂ，４ａ電極５高周波電源６，６ａ，６ｂアース７，８ニップロール１０，１１，１２予備室１５減圧手段１６，４２直流電圧電源２０処理容器２１，２２ガイドローラー２３給気口２４排気口２５ガス充填手段２６電極温度変換手段２７フィルム巻体４０金属メッシュ電極４１金属メッシュ電極４０と対の電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大石清東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内 (72)発明者辻稔夫東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 AA04 AA06 AA11 CA17 FA03 JA06 JA09 JA10 JA18 KA22 KA30 LA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応ガス
及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波電圧
を前記電極間に印加することより放電プラズマを発生さ
せ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置
において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と接触
するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プラズ
マ中の示すイオン極性と異なる極性となる時間よりも前
記放電プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性となる時
間が長くなるように前記高周波電圧を調整することを特
徴とする大気圧プラズマ処理装置。
【請求項２】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応ガス
及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波電圧
を前記電極間に印加することより放電プラズマを発生さ
せ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置
において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と接触
するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プラズ
マ中の示すイオン極性と同じ極性となるように前記高周
波電圧を調整することを特徴とする大気圧プラズマ処理
装置。
【請求項３】前記高周波電圧の調整は、前記高周波電
圧に直流電圧を重畳することで行うことを特徴とする請
求項１又は２に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項４】少なくとも前記基材と接触していない電
極を加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装
置。
【請求項５】対向する電極間に基材を位置させ、前記
電極間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で高周波電圧を
印加して放電プラズマを発生させ、基材の表面処理を行
う大気圧プラズマ処理装置において、前記電極の少なく
とも一方を加熱する加熱手段を有することを特徴とする
大気圧プラズマ処理装置。
【請求項６】前記加熱される電極の温度が、５０℃〜
３００℃であることを特徴とする請求項４又は５に記載
の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項７】前記高周波電圧の高周波電界が１００ｋ
Ｈｚ〜２．５ＧＨｚであることを特徴とする請求項１〜
６のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項８】前記気体は、不活性ガスを９０〜９９．
９体積％含み、前記不活性ガスはＨｅガス又はＡｒガス
であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に
記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項９】前記気体は、反応ガスを０．０１〜１０
体積％含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１
項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１０】前記反応ガスは、フッ素化合物、珪素
化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、インジ
ウム化合物、アルミ化合物、銅化合物から選ばれる少な
くとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１〜
９のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１１】前記フッ素化合物は、フッ化炭素ガス
又はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする請求項
１０に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１２】前記珪素化合物、チタン化合物、錫化
合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、アルミ化合物、
銅化合物は、有機金属化合物、金属水素化合物、ハロゲ
ン化金属化合物、金属アルコキシド化合物のいずれかで
あることを特徴とする請求項１０に記載の大気圧プラズ
マ処理装置。
【請求項１３】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応ガス
及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波電圧
を前記電極間に印加することより放電プラズマを発生さ
せ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理方法
において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と接触
するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プラズ
マ中の示すイオン極性と異なる極性となる時間よりも前
記放電プラズマ中の示すイオン極性と同じ極性となる時
間が長くなるように前記高周波電圧を調整することを特
徴とする大気圧プラズマ処理方法。
【請求項１４】大気圧又は大気圧近傍の圧力下におい
て、対向する電極間に基材を位置させ、さらに反応ガス
及び不活性ガスを含有する気体を存在させて高周波電圧
を前記電極間に印加することより放電プラズマを発生さ
せ、前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理方法
において、前記電極のうち一方の電極は前記基材と接触
するように配置し、かつ、他方の電極が前記放電プラズ
マ中の示すイオン極性と同じ極性となるように前記高周
波電圧を調整することを特徴とする大気圧プラズマ処理
方法。
【請求項１５】前記高周波電圧の調整は、前記高周波
電圧に直流電圧を重畳することで行うことを特徴とする
請求項１３又は１４に記載の大気圧プラズマ処理方法。
【請求項１６】少なくとも前記基材と接触していない
電極があらかじめ加熱されることを特徴とする請求項１
３〜１５のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理方
法。
【請求項１７】対向する電極間に基材を位置させ、前
記電極間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で高周波電圧
を印加して放電プラズマを発生させ、基材の表面処理を
行う大気圧プラズマ処理方法において、前記電極の少な
くとも一方はあらかじめ加熱されることを特徴とする大
気圧プラズマ処理方法。
【請求項１８】前記あらかじめ加熱される電極の温度
が、５０℃〜３００℃であることを特徴とする請求項１
６又は１７に記載の大気圧プラズマ処理方法。
【請求項１９】前記高周波電圧の高周波電界が１００
ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚであることを特徴とする請求項１
３〜１８のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理方
法。
【請求項２０】前記気体は、不活性ガスを９０〜９
９．９体積％含み、前記不活性ガスはＨｅガス又はＡｒ
ガスであることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれ
か１項に記載の大気圧プラズマ処理方法。
【請求項２１】前記気体は、反応ガスを０．０１〜１
０体積％含むことを特徴とする請求項１３〜２０のいず
れか１項に記載の大気圧プラズマ処理方法。
【請求項２２】前記反応ガスは、フッ素化合物、珪素
化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、インジ
ウム化合物、アルミ化合物、銅化合物から選ばれる少な
くとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１３
〜２１のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理方
法。
【請求項２３】前記フッ素化合物は、フッ化炭素ガス
又はフッ化炭化水素ガスであることを特徴とする請求項
２２に記載の大気圧プラズマ処理方法。
【請求項２４】前記珪素化合物、チタン化合物、錫化
合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、銅化合物、アル
ミ化合物は、有機金属化合物、金属水素化合物、ハロゲ
ン化金属化合物、金属アルコキシド化合物のいずれかで
あることを特徴とする請求項２２に記載の大気圧プラズ
マ処理方法。
【請求項２５】請求項１３〜２４に記載の方法により
表面処理を施された基材。
【請求項２６】請求項１３〜２４に記載の方法により
表面処理を複数回施されたされた基材。
【請求項２７】請求項２５又は２６に記載の基材を有
する光学フィルム。
【請求項２８】請求項２７に記載の光学フィルムを有
する画像表示素子。