JP2003081910A - ジベンゾイルメタン系誘導体、その製造方法および用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ＵＶ−Ａ領域の紫外線を効果的に吸収し、相
溶性や分散性が高く、着色を防止する機能に優れたジベ
ンゾイルメタン系誘導体、その製造方法、それを含む紫
外線吸収剤、化粧料、樹脂組成物および樹脂組成物より
なる成形品の提供。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ） で示されるジベンゾイルメタン系誘導体。その一例を下
に示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相溶性が高く、金
属イオンとの相互作用による着色を低減する機能を有す
るジベンゾイルメタン系誘導体、その製造方法、それを
含む紫外線吸収剤、化粧料、樹脂組成物および樹脂組成
物よりなる成形品に関する。

【０００２】

【従来技術】地表に到達する紫外線は、２９０ｎｍ〜３
２０ｎｍの波長を持つＵＶ−Ｂ、３２０ｎｍ〜４００ｎ
ｍの波長を持つＵＶ−Ａ領域に分類される。ＵＶ−Ａ領
域の紫外線はＵＶ−Ｂ領域に比べてエネルギーも大き
く、皮膚に対して褐色化、やけど、老化現象といった現
象を引き起こすことが知られている。このような問題に
対処する目的でジベンゾイルメタン、ベンゾフェノン、
トリアゾール等の紫外線吸収能力を持つ化合物について
研究されている。特にジベンゾイルメタン系誘導体は化
粧料用の紫外線吸収剤として効果が期待されるため様々
な研究がなされている。例えば、特開昭５２−４６０５
６号公報には置換基にアルキル基を有するジベンゾイル
メタン化合物が、特公昭６１−１６２５８号公報には４
−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−メトキシジベンゾイルメタ
ンが、特公平２−３３６９４号公報には４′位にメトキ
シ基を有し、もう一方のベンゼン環に低級アルキル基を
２〜３個有するジベンゾイルメタンが、特開平２−２４
３６４７号公報には４位に水酸基、もう一方のベンゼン
環の４′位に水素、水酸基、Ｃ１〜２６の鎖式あるいは
脂環式炭化水素基、Ｃ１〜２６のアルコキシ基を有する
ジベンゾイルメタンが、特開平７−２４２６９３号公報
には、糖を置換基に有する１，３−プロパンジオン誘導
体が、特開平９−１６９６９９号公報には、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４′−（２−メタクリロイルオキシエトキ
シ）ジベンゾイルメタンおよび４−ｔｅｒｔ−ブチル−
４′−（２−ヒドロキシエトキシ）ジベンゾイルメタン
が紫外線吸収剤として使用されることが記載されてい
る。また、紫外線を防止する化粧料として特開昭６１−
１６２５８号公報、特開平１１−２２８３７４号公報、
特開平１１−２５５６３０号公報、特開平１１−２９２
７４８号公報には、化粧料にジベンゾイルメタン系誘導
体を配合することが記載されている。特開昭６１−１６
２５８号公報には、４−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−メト
キシジベンゾイルメタンを含む光遮蔽剤を調整するにあ
たり金属イオン封鎖剤を使用することが、一般的に着色
を防止する目的で、エチレンジアミンテトラ酢酸ナトリ
ウム、ヒドロキシエタンスルホン酸ナトリウムに代表さ
れる錯生成体が使用されている。

【０００３】また、紫外線吸収剤の用途としては化粧品
だけでなく樹脂や塗料にも使用されている。従来より樹
脂はその加工性、耐薬品性、耐候性、電気的特性および
機械的強度等の優位性を活かして産業用および家庭用電
気製品などの分野に多用されており、樹脂の使用量が増
加している。しかし、樹脂にも強く耐候性が要求されて
おり、かつその要求度合いが近年次第に強まってきてい
る。特開平７−４１６６０号公報にはポリフェニレンエ
ーテル樹脂またはビニル芳香族炭化水素樹脂とジベンゾ
イルメタン誘導体とからなる樹脂組成物が開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】化粧品用の紫外線吸収
剤として使用する前記公報の記載方法では、当該ジベン
ゾイルメタン系誘導体が変質、分解することのほかに金
属イオンとの相互作用によって着色を起こす点や化粧料
から結晶が析出しやすい点に問題がある。特に特開昭６
１−１６２５８号公報や特開平９−１６９６９９号公報
に記載されているジベンゾイルメタン誘導体は、芳香環
に結合しているカルボニル基に対してオルト位に置換基
を持たないために金属イオンによる着色度合いが大き
く、化粧料として用いる場合、外観を損ね好ましくな
い。また、特開平７−４１６６０号公報ではポリフェニ
レンエーテル樹脂、ビニル芳香族炭化水素樹脂にジベン
ゾイルメタン誘導体を添加しているが、充分な紫外線吸
収効果は得られていない。いずれにせよ、これらのジベ
ンゾイルメタン系の紫外線吸収剤は、吸収波長が短かっ
たり、モル吸光係数が低いなど充分な紫外線吸収能力が
得られていなかったり、相溶性や分散性が悪かったり、
着色性が大きいことなど使用上に問題がある。そこで本
発明の目的は、ＵＶ−Ａ領域の紫外線を効果的に吸収
し、相溶性や分散性が高く、着色を防止する機能に優れ
たジベンゾイルメタン系誘導体、その製造方法、それを
含む紫外線吸収剤、化粧料、樹脂組成物および樹脂組成
物よりなる成形品を提供する点にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ジベンゾイル
メタン系誘導体の金属イオンによる着色性の低減および
使用する溶剤への相溶性や分散性を向上させるため種々
の置換基について鋭意研究した結果、ジベンゾイルメタ
ン系誘導体の芳香環に結合しているカルボニル基に対し
てオルト位に置換基を導入することで、金属イオンによ
る着色が低減すること、ジベンゾイルメタン系誘導体の
芳香環に結合しているカルボニル基に対してパラ位やオ
ルト位にアルコキシ基を導入することで吸収波長が長く
なること、ジベンゾイルメタン系誘導体に脂肪族のアル
コールやエステル結合を導入し、誘導体の極性を上げる
ことによって相溶性や分散性が向上することを見出し本
発明を完成させるに至ったものである。

【０００６】すなわち、本発明の第一は、下記一般式
（Ｉ）

【化７】 （式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９お
よびＲ_１０は水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐
のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ
基、アクリロイロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ
−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ _１３で示される基、Ｒ_３、Ｒ_８は水
素、水酸基、Ｃ１〜３の直鎖または分岐のアルキル基、
Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、アクリロイ
ロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−
Ｒ_１３で示される基、Ｒ_１１は水素、水酸基、Ｃ１〜８
の直鎖または分岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または
分岐のアルコキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示さ
れる基、Ｒ_１２はＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキレ
ン基または水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または分岐の
アルキレン基、Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜８の直鎖または分
岐のアルキル基、水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基、Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキ
ルカルボニル基、アクリル基、メタクリル基よりなる群
からそれぞれ独立して選ばれた基である。但し、Ｒ_１〜
Ｒ_１０のうち、少なくとも１つはアクリロイロキシ基、
メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示
される置換基である。）で示されるジベンゾイルメタン
系誘導体に関する。本発明の第二は、請求項１記載の一
般式（Ｉ）において、Ｒ_１、Ｒ_３、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_１０
が水素、メチル基、メトキシ基、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_７、Ｒ
_９、Ｒ_１１が水素、Ｒ_８が−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で
示される基であり、Ｒ_１２がエチレン基、Ｒ_１３がＣ１
〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニル基、アクリ
ル基、メタクリル基よりなる群からそれぞれ独立して選
ばれた基であり、かつＲ_１、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_１０のうち
少なくとも１つは水素原子ではないことを特徴とする請
求項１記載のジベンゾイルメタン系誘導体に関する。本
発明の第三は、請求項１記載の一般式（Ｉ）においてＲ
_１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ _５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ
_１１が水素、Ｒ_３がメトキシ基、Ｒ_８が−Ｏ−Ｒ_１２−
Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｒ_１２がエチレン基、
Ｒ_１３がＣ１〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニ
ル基、アクリル基、メタクリル基よりなる群からそれぞ
れ独立して選ばれた基であることを特徴とする請求項１
記載のジベンゾイルメタン系誘導体に関する。本発明の
第四は、請求項１〜３いずれか記載のジベンゾイルメタ
ン系誘導体を含有することを特徴とする紫外線吸収剤に
関する。本発明の第五は、請求項１〜３いずれか記載の
ジベンゾイルメタン系誘導体を含有することを特徴とす
る化粧料に関する。本発明の第六は、請求項１〜３いず
れか記載のジベンゾイルメタン系誘導体とＵＶ−Ｂ吸収
能を有する紫外線吸収剤を含有することを特徴とする化
粧料に関する。本発明の第七は、請求項１〜３いずれか
記載のジベンゾイルメタン系誘導体を含有することを特
徴とする樹脂組成物に関する。本発明の第八は、請求項
７記載の樹脂組成物よりなることを特徴とする成形品に
関する。本発明の第九は、下記一般式（II）

【化８】 （式中Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は請求項１の記載
と同一であり、Ｒ_１４は直鎖または分岐のアルキル基で
ある。）で示される安息香酸エステル誘導体と下記一般
式（III）

【化９】 ｛式中、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０は請求項１の
記載と同一であり、Ｒ_{１ ５}は、一般式（IV）

【化１０】Ｒ_１６−ＣＨ_２− （IV） 〔式中Ｒ_１６は、水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコ
キシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示される基（Ｒ
_１２、Ｒ_１３は請求項１の記載と同一である。）〕｝で
示される化合物を反応させることを特徴とする請求項１
記載のジベンゾイルメタン系誘導体の製造方法に関す
る。本発明の第十は、下記一般式（Ｖ）

【化１１】 （式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、
Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２は請求項１の記載と同一
である。）で示されるジベンゾイルメタン系誘導体と下
記一般式（VI）

【化１２】Ｒ_１３−Ａ （VI） （Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルキル
基、水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキ
ル基、Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニル
基、アクリル基、メタクリル基、Ａは水素、水酸基、ハ
ロゲン基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で
ある。）で示される化合物を反応させることを特徴とす
る請求項１記載のジベンゾイルメタン系誘導体の製造方
法に関する。

【０００７】請求項１記載の一般式（Ｉ）における
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９およびＲ
_１０は水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアル
キル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、ア
クリロイロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ
_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｒ_１１は水素、
水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルキル基、Ｃ１
〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−
Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｃ１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基として、例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｓｅ
ｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘ
キシル基などが、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキ
シ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチル
オキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−エチルヘ
キシルオキシ基などが挙げられる。一般式（Ｉ）におけ
るＲ_３、Ｒ_８は水素、水酸基、Ｃ１〜３の直鎖または分
岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキ
シ基、アクリロイロキシ基、メタクリロイロキシ基、−
Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｃ１〜３
の直鎖または分岐のアルキル基として、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、
などが、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基とし
て、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシル
オキシ基などが挙げられる。−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３
で示される基を形成するＲ_１２はＣ１〜８の直鎖または
分岐のアルキレン基、または水酸基を有するＣ１〜８の
直鎖または分岐のアルキレン基、Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜
８の直鎖または分岐のアルキル基、水酸基を有するＣ１
〜８の直鎖または分岐のアルキル基、Ｃ１〜４の直鎖ま
たは分岐のアルキルカルボニル基、アクリル基、メタク
リル基であり、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルキレン
基として、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプ
チレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基など
が、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルキル基として、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−オ
クチル基、２−エチルヘキシル基などが、水酸基を有す
るＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキル基として、例え
ば、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキエチル基、２−
ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、２
−ヒドロキシブトキシ基、４−ヒドロキシブトキシ基、
Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニル基とし
て、例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、
ｎ−ブチルカルボニル基などが挙げられる。

【０００８】一般式（Ｉ）で示されるジベンゾイルメタ
ン系誘導体は以下に示すように合成することができる。
例えば、

【化１３】

【化１４】 （式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９お
よびＲ_１０は水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐
のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ
基、アクリロイロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ
−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ _１３で示される基、Ｒ_３、Ｒ_８は水
素、水酸基、Ｃ１〜３の直鎖または分岐のアルキル基、
Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、アクリロイ
ロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−
Ｒ_１３で示される基、Ｒ_１１は水素、水酸基、Ｃ１〜８
の直鎖または分岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または
分岐のアルコキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示さ
れる基、Ｒ_１２はＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキレ
ン基または水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または分岐の
アルキレン基、Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜８の直鎖または分
岐のアルキル基、水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または
分岐のアルキル基、Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキ
ルカルボニル基、アクリル基、メタクリル基、Ｒ_１４、
Ｒ_１５はＣ１〜４の直鎖または分岐のアルキル基、Ａは
水素、水酸基、ハロゲン基よりなる群からそれぞれ独立
して選ばれた基である。）である。本発明のジベンゾイ
ルメタン系誘導体を製造する前記合成法１、２および３
の反応はいずれも溶媒の存在下、または不存在下実施し
得るが、溶媒を用いる場合には、溶媒は基質と反応しな
いものであればよく、脂肪族エーテル、脂肪族環状エー
テル、ハロゲン化アルキルの他に芳香族化合物などであ
り、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジクロロエ
チレン、クロロホルム、トルエン、キシレンなどを挙げ
ることができる。反応温度としては、１０〜１５０℃で
行なうことが出来るが、好ましくは５０〜１２０℃であ
る。前記アルカリとしては、ナトリウムアミド、カリウ
ムアミド、リチウムアミド、ナトリウムアルコキシド、
カリウムアルコキシド、水素化ナトリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムなどを挙げることができる。前
記酸としては、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタン
スルホン酸などが挙げられるが、ジシクロへキシルカル
ボジイミド（ＤＣＣ）といった縮合剤でも代用できる。

【０００９】一般式（Ｉ）で示されるジベンゾイルメタ
ン系誘導体として、例えば

【化１５】

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】 などが挙げられる。

【００１０】本発明の一般式（Ｉ）で示されるジベンゾ
イルメタン系誘導体を有する化粧料は、常法により公知
化粧料基剤に配合し、クリーム、溶液、油剤、スプレ
ー、スティック、乳液、ファンデーション及び軟膏にす
ることにより製造される。本発明化粧料中の一般式
（Ｉ）で示されるジベンゾイルメタン系誘導体の配合量
は、使用形態により変動し得るので特に限定されず、有
効量混在すればよい。一般には組成物中に０．１〜２０
重量％、好ましくは０．５〜５重量％となるように配合
するのがよい。本発明の一般式（Ｉ）で示されるジベン
ゾイルメタン系誘導体は後述する種々の添加剤とともに
使用することができる。本発明に係る化粧料である皮膚
外用剤の基剤は、一般式（Ｉ）で示されるジベンゾイル
メタン系誘導体に対し不活性のものであればよく、固
体、液体、乳剤、泡状液、ゲル等のいずれであってもよ
い。本発明の化粧品基剤としては、例えば、オリーブ
油、ツバキ油、綿実油、ヒマシ油、大豆油、ヤシ油、カ
カオ脂、ラノリン、蜜ロウ、カルナバロウ、硬化油、も
しくはステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、ア
スコルビン酸、ベヘニン酸、それらのエステル類、それ
らの金属塩類、あるいはデシルエチル、オレイル、ラウ
リル、セチルまたはステアリルアルコール等の高級アル
コール類が挙げられる。合成油としては、例えば、スク
ワラン、モノステアリン酸グリセライド、合成ポリエー
テル油類、ソルビタンモノオレート、ラノリン及びその
水素添加物または、スクワラン類が挙げられる。鉱物油
としては、例えば、パラフィン、ワセリン、流動パラフ
ィン、マイクロクリスタルワックス等が挙げられる。更
には、シリコン油、ポリエーテル類、ジアルキルシロキ
サン類、澱粉またはタルク等の微粉末、スイッチスバウ
ト型噴射剤として使用される、メタノール、エタノー
ル、アセトン、低沸点炭化水素、低沸点ハロゲン含有炭
化水素などが挙げられる。

【００１１】本発明で使用されるＵＶ−Ｂ吸収能を有す
る紫外線吸収剤としては、例えば、２−（２′−ヒドロ
キシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２
−（３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（５′−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリ
アゾール、２−〔２′−ヒドロキシ−５′−（１，１，
３，３−テトラメチルブチル）フェニル〕ベンゾトリア
ゾール、２−（３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
２′−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（３′−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−ヒドロ
キシ−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリ
アゾール、２−（２′−ヒドロキシ−４′−オクトキシ
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ジ
−ｔｅｒｔ−アミル−２′−ヒドロキシフェニル）ベン
ゾトリアゾール、２−〔３′−ｔｅｒｔ−ブチル−２′
−ヒドロキシ−５′−（ｎ−オクチルオキシカルボニル
エチル）フェニル〕−５−クロロベンゾトリアゾールな
どのベンゾトリアゾール類；４−ヒドロキシ−、４−メ
トキシ−、４−オクトキシ−、４−デシルオキシ−、４
−ドデシルオキシ−、４−ベンジルオキシ−、４，
２′，４′−トリヒドロキシ−、２′−ヒドロキシ−
４，４′−ジメトキシ−、または４−（２−エチルヘキ
シルオキシ）−２−ヒドロキシ−ベンゾフェノンなどの
ベンゾフェノン類；４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル サ
リシレート、フェニル サリシレート、オクチルフェニ
ル サリシレートなどのサリシレート類；ジベンゾイル
レゾルシノール、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイ
ルレゾルシノール）などのレゾルシノール類；２，４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル
−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ゾエートなどのベンゾエート類；エチル−α−シアノ−
β，β−ジフェニルアクリレート、イソオクチル−α−
シアノ−β，β−ジフェニルアクリレートなどのアクリ
レート類；メチル−α−カルボメトキシシンナメート、
メチル−α−シアノ−β−メチル−ｐ−メトキシシンナ
メートなどのシンナメート類；ビス（２，２，６，６−
テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）サ
クシネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル
−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−オクチルオ
キシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメ
チル−４−ピペリジル）アジペートなどの酸エステル
類；４，４′−ジ−オクチルオキシオキザニリド、２，
２′−ジエトキシオキシオキザニリド、２，２′−ジ−
オクチルオキシ−５，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルオキ
ザニリド、２，２′−ジ−ドデシルオキシ−５，５′−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルオキザニリド、２−エトキシ−
２′−エチルオキザニリド、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−ジメ
チルアミノプロピル）オキザニリド、２−エトキシ−５
−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−エトキシオキザニリドなど
のオキザリニド類；４，６−トリス（２−ヒドロキシ−
４−オクチルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジ
ン、２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニ
ル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−
１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジヒドロキシ
フェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニ
ル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒ
ドロキシ−４−プロピルオキシフェニル）−６−（２，
４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２
−（２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシフェニル）−
４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，
５−トリアジンなどのトリアジン類などが挙げられる。

【００１２】更に、他の紫外線吸収剤、例えば無機系の
紫外線吸収剤などと組み合わせて通常の日焼け止め化粧
料として使用することにより好ましい効果を発揮する。
無機系の紫外線吸収剤としては、例えば、酸化亜鉛、酸
化チタン、カオリン、炭酸カルシウム、タルクなどが挙
げられる。他の適当な添加剤としては、例えば、Ｗ／Ｏ
型またはＯ／Ｗ型の乳化剤が挙げられる。乳化剤として
は市販の乳化剤でよく、例えば、ポリグリセリン脂肪酸
エステル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、ポリオ
キシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエ
チレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオ
キシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪
酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル等が
挙げられる。また、エチルセルロ−ス、ポリアクリル
酸、ゼラチン、寒天の増粘剤も必要に応じて加えること
もできる。さらに、必要に応じて香料、保湿剤、粘着
剤、保存剤、乳化安定剤、薬効成分など添加してもよ
い。保湿剤としては、例えば、グリセリン、プロピレン
グリコール、ソルビット、ポリエチレングリコール、ピ
ロリドンカルボン酸ナトリウム等が挙げられる。粘着剤
としては、例えば、ポリビニールアルコール、カルボキ
シメチルセルロースナトリウム塩、アルギン酸ナトリウ
ム塩、プロピレングリコールエステル等が挙げられる。
保存剤としては、例えば、安息香酸、ソルビン酸、デヒ
ドロ酢酸、ｐ−オキシ安息香酸エステル類等が挙げられ
る。

【００１３】本発明による樹脂組成物は、例えば、慣用
の添加物をさらに含有しても良く、例えば、酸化防止
剤、光安定剤、金属不活性剤を含有しても良く、また必
要に応じて各種充填剤、導電性粉末などを含有しても良
い。本発明によるジベンゾイルメタン系誘導体のほかに
添加されても良い酸化防止剤としては、例えば、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−４，６−ジ−メチルフェノール、
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノー
ル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ｎ−ブチルフ
ェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブ
チルフェノール、２，６−ジ−シクロペンチル−４−メ
チルフェノール、２−（α−メチルシクロヘキシル）−
４，６−ジ−メチルフェノール、２，６−ジ−オクタデ
シル−４−メチルフェノール、２，４，６−トリシクロ
ヘキシルフェノール、２，６−ジ−ノニル−４−メチル
フェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メト
キシメチルフェノール、２，４−ジ−メチル−６−
（１′−メチル−ウンデカ−１′−イル）−フェノー
ル、２，４−ジ−メチル−６−（１′−メチル−トリデ
カ−１′−イル）−フェノールおよびそれらの混合物、
２，４−ジ−オクチルチオメチル−６−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール、２，４−ジ−オクチルチオメチル−６−
メチルフェノール、２，４−ジ−オクチルチオメチル−
６−エチルフェノール、２，６−ジ−ドデシルチオメチ
ル−４−ノニルフェノールおよびそれらの混合物、２，
６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、
２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５
−ジ−ｔｅｒｔ−アミルハイドロキノン、２，６−ジ−
フェニル−４−オクタデシルオキシフェノール、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、
３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ルステアレート、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）アジペートおよびそれらの
混合物、２，４−ビス−オクチルメルカプト−６−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニ
リノ）−１，３，５−トリアジン、２−オクチルメルカ
プト−４，６−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシアニリノ）−１，３，５−トリアジン、
２−オクチルメルカプト−４，６−ビス（３，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−１，
３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（３，５−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−
１，２，３−トリアジン、１，３，５−トリス（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−
イソシアヌレート、１，３，５−トリス（４−ｔｅｒｔ
−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジ−メチルベンジ
ル）−イソシアヌレート、２，４，６−トリス（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルエチ
ル）−１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリス
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニルプロピオニル）−ヘキサヒドロ−１，３，５−トリ
アジン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレート等
および２，２′−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−メチルフェノール）、２，２′−メチレンビス
（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、
２，２′−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノール）、２，２′−エチリデンビス（６−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール）、４，
４′−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール）、４，４′−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−
ブチル−２−メチルフェノール）、１，１−ビス（５−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）ブタン、エチレングリコールビス［３，３′−ビス
（３′−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニ
ル）ブチレート］等ならびに、１，３，５−トリス
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，４−ビ
ス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−２，３，５，６−テトラメチルベンゼン、
２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）−フェノール等を挙げること
が出来る。

【００１４】本発明によるジベンゾイルメタン系誘導体
のほかに添加されても良い紫外線吸収剤としては、たと
えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリア
ゾール、２−（５′−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒド
ロキシ−５′−（１，１，３，３−テトラメチルブチ
ル）フェニル］ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）
−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３′−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニ
ル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒ
ドロキシ−４′−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２−（３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−アミル−２′
−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−
［３′−ｔｅｒｔ−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−
（ｎ−オクチルオキシカルボニルエチル）フェニル］−
５−クロロベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾー
ル類；４−ヒドロキシ−、４−メトキシ−、４−オクト
キシ−、４−デシルオキシ−、４−ドデシルオキシ−、
４−ベンジルオキシ−、４，２′，４′−トリヒドロキ
シ−、２′−ヒドロキシ−４，４′−ジ−メトキシ−ま
たは４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキ
シベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類；４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル サリシレート、フェニル サリシ
レート、オクチルフェニル サリシレートなどのサリシ
レート類；、ジベンゾイルレゾルシノール、ビス（４−
ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルレゾルシノール）、２，４
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルレゾルシノールなどの
レゾルシノール類；３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４
−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル−３，５−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなど
のベンゾエート類；エチルα−シアノ−β，β−ジフェ
ニルアクリレート、イソオクチル α−シアノ−β，β
−ジフェニルアクリレートなどのアクリレート類；メチ
ル α−カルボメトキシシンナメート、メチル α−シ
アノ−β−メチル−ｐ−メトキシシンナメートなどのシ
ンナメート類；ビス（２，２，６，６−テトラメチル−
４−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−
テトラメチル−４−ピペリジル）サクシネート、ビス
（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジ
ル）セバケート、ビス（１−オクチルオキシ−２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、
ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリ
ジル）アジペートなどの酸エステル類；４，４′−ジ−
オクチルオキシオキザニリド、２，２′−ジ−エトキシ
オキシオキザニリド、２，２′−ジ−オクチルオキシ−
５，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルオキザニリド、２，
２′−ジ−ドデシルオキシ−５，５′−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルオキザニリド、２−エトキシ−２′−エチルオキ
ザニリド、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−ジ−メチルアミノプロ
ピル）オキザニリド、２−エトキシ−５−ｔｅｒｔ−ブ
チル−２′−エトキシオキザニリドなどのオキザリニド
類；２，４，６−トリス（２−ヒドロキシ−４−オクチ
ルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−
（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−
４，６−ビス（２，４−ジ−メチルフェニル）−１，
３，５−トリアジン、２−（２，４−ジ−ヒドロキシフ
ェニル）−４，６−ビス（２，４−ジ−メチルフェニ
ル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒ
ドロキシ−４−プロピルオキシフェニル）−６−（２，
４−ジ−メチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシフェニル）
−４，６−ビス（２，４−ジ−メチルフェニル）−１，
３，５−トリアジンなどのトリアジン類等が挙げられ
る。

【００１５】本発明におけるジベンゾイルメタン系誘導
体のほかに添加されても良い金属不活性化剤としては、
たとえばＮ，Ｎ′−ジ−フェニルシュウ酸ジアミド、Ｎ
−サルチラル−Ｎ′−サリチロイルヒドラジン、Ｎ，
Ｎ′−ビス（サリチロイル）ヒドラジン、Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニルプロピオニル）ヒドラジン、３−サリチロイルア
ミノ−１，２，３−トリアゾール、ビス（ベンジリデ
ン）シュウ酸ヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、
Ｎ，Ｎ′−ジアセタール−アジピン酸ジヒドラジド、
Ｎ，Ｎ′−ビスサリチロイルシュウ酸ジヒドラジド、
Ｎ，Ｎ′−ビスサリチロイルチオプロピオン酸ジヒドラ
ジド等が挙げられる。

【００１６】本発明によるジベンゾイルメタン系誘導体
を含有する樹脂組成物として、例えば、ポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ
ブチレン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−アクリル酸メチル（エチル）共重
合体、アクリロニトリル・スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、
アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ
樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ樹脂）、ポリカーボネ
ート・ＡＢＳ樹脂組成物（ＰＣ・ＡＢＳアロイ）、ポリ
スチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポ
リカーボネート・ポリエチレンテレフタレート組成物
（ＰＣ・ＰＥＴアロイ）、ポリフェニレンエーテル樹
脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブタジエン
樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、メタクリル樹
脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル、などを
挙げることができる。本発明の樹脂組成物は、各種成形
品としての用途に供されるが、電気部品、機械部品、プ
ラグ、マウント、ケーシング、カバーを製造するための
材料として有用である。

【００１７】

【実施例】以下に本発明化合物の合成例を具体的に説明
するが、これらは好ましい実施態様の例示に過ぎず、本
発明はこれらの実施例だけに限定するものではない。

【００１８】実施例１（その１） 撹拌機を備えた１Ｌの四つ口コルベンに水 ３５０ｍ
Ｌ、ｉｓｏ−プロピルアルコール（以後ＩＰＡと略すこ
とがある。）１５０ｍＬ、４−ヒドロキシ安息香酸 １
３８．０ｇ、４８％ＮａＯＨ １８９．４ｇ、ヨウ化カ
リウム １．５ｇを仕込み、６０℃に昇温し加熱撹拌し
た。そこに、エチレンクロロヒドリン ８８．５ｇを１
時間かけて滴下し、滴下終了後８０℃に昇温し、その温
度を維持しながら３時間反応を続けた。その後、水 ２
５０ｍＬを加えてから３０℃に冷却し、７５％Ｈ_２ＳＯ
_４でｐＨ３に調製して析出した結晶を濾過し、得られた
結晶をメタノールで再結晶して４−（２−ヒドロキシエ
トキシ）安息香酸１３６．１ｇを得た。

【００１９】実施例１（その２） 撹拌機を備えた１Ｌの四つ口コルベンにメタノール ３
９０ｇ、実施例１（その１）で得た４−（２−ヒドロキ
シエトキシ）安息香酸１１１．０ｇ、９８％Ｈ _２ＳＯ_４
２１．０ｇを仕込み、６６℃で１０時間反応させた。
反応終了後、メタノールを２４０ｇ回収し、５℃まで冷
却した後、水 １００ｍＬ、トルエン４００ｍＬを投入
し、４８％ＮａＯＨでｐＨ６．５付近に調製した。その
後、３０℃で下層を分液し、上層のトルエン層を５０ｍ
Ｌで水洗した後、５℃まで冷却し析出した結晶を濾過
し、４−（２−ヒドロキシエトキシ）安息香酸メチルエ
ステル１１０．２ｇを得た。

【００２０】実施例１（その３） 撹拌機を備えた１Ｌの四つ口コルベンにテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ） １００ｍＬ、６０％ＮａＨ ２４．０
ｇを仕込み、これに２′，４′−ジメチルアセトフェノ
ン ４５．４ｇをＴＨＦ ６０ｍＬに溶解させたものを
滴下した。４０℃に昇温した後、実施例１（その２）で
得た４−（２−ヒドロキシエトキシ）安息香酸メチルエ
ステル ７０．６ｇをＴＨＦ １１０ｍＬに溶解させた
ものを滴下し、滴下終了後６０℃に昇温して１０時間反
応を行った。反応終了後、４０℃に冷却し、水 ３００
ｍＬ、トルエン ２００ｍＬ投入し、７５％Ｈ_２ＳＯ_４
でｐＨを３付近に調製し、下層を分液し、上層のトルエ
ン層を５０ｍＬで水洗した後、このトルエン層をエバポ
レーターで濃縮した後、ＩＰＡで再結晶を行い白色結晶
性粉末の２，４−ジメチル−４′−（２−ヒドロキシエ
トキシ）ジベンゾイルメタン ６７．７ｇを得た。 融点 ９３．３〜９４．０℃ 最大吸収波長 ３４７ｎｍ、モル吸光係数ε ３．０１
×１０^４（クロロホルム溶液）

【００２１】実施例２ 撹拌機を備えた１Ｌの四つ口コルベンにテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ） １００ｍＬ、６０％ＮａＨ ２４．０
ｇを仕込み、これに４′−メトキシアセトフェノン ４
６．０ｇをＴＨＦ ６０ｍＬに溶解させたものを滴下し
た。４０℃に昇温した後、実施例１（その２）で得た４
−（２−ヒドロキシエトキシ）安息香酸メチルエステル
７０．６ｇをＴＨＦ １１０ｍＬに溶解させたものを
滴下し、滴下終了後６０℃に昇温して１０時間反応を行
った。反応終了後、４０℃に冷却し、水 ３００ｍＬ、
トルエン ２００ｍＬ投入し、７５％Ｈ_２ＳＯ_４でｐＨ
を３付近に調製し、下層を分液し、上層のトルエン層を
５０ｍＬで水洗した後、このトルエン層をエバポレータ
ーで濃縮した後、ＩＰＡで再結晶を行い白色結晶の４−
メトキシ−４′−（２−ヒドロキシエトキシ）ジベンゾ
イルメタン ６８．８ｇを得た。 融点 １２１．３〜１２２．１℃ 最大吸収波長 ３６２．５ｎｍ、モル吸光係数ε ３．
７９×１０^４（クロロホルム溶液）

【００２２】実施例３ 撹拌機および水分測定用分留受器を備えた１Ｌの四つ口
コルベンにトルエン４５０ｍＬ、実施例１（その３）で
得た２，４−ジメチル−４′−（２−ヒドロキシエトキ
シ）ジベンゾイルメタン ４６．８ｇ、ハイドロキノン
０．９ｇ、メタクリル酸 １５．９ｇ、ｐ−トルエン
スルホン酸一水和物 ２．７ｇを仕込み、１１５℃に昇
温して還流下、発生する水を留去しながら反応を２４時
間行った。反応終了後、５０℃に冷却し、水 １５０ｍ
Ｌ投入した後、４８％ＮａＯＨでｐＨ５付近に調製し、
下層を分液し、上層のトルエン層を５０ｍＬで水洗した
後、このトルエン層をエバポレーターで濃縮した後、Ｉ
ＰＡで再結晶を行い白色結晶の２，４−ジメチル−４′
−メタクリロイルオキシエトキシジベンゾイルメタン
４８．１ｇを得た。 融点 ５２．０〜５２．８℃ 最大吸収波長 ３４６．５ｎｍ、モル吸光係数ε ２．
９６×１０^４（クロロホルム溶液）

【００２３】実施例４ 撹拌機および水分測定用分留受器を備えた１Ｌの四つ口
コルベンにトルエン４５０ｍＬ、実施例２で得た４−メ
トキシ−４′−（２−ヒドロキシエトキシ）ジベンゾイ
ルメタン ４７．２ｇ、ハイドロキノン ０．９ｇ、メ
タクリル酸１５．９ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和
物 ２．７ｇを仕込み、１１５℃に昇温して還流下、発
生する水を留去しながら反応を２４時間行った。反応終
了後、５０℃に冷却し、水 １５０ｍＬ投入した後、４
８％ＮａＯＨでｐＨ５付近に調製し、下層を分液し、上
層のトルエン層を５０ｍＬで水洗した後、このトルエン
層をエバポレーターで濃縮した後、ＩＰＡで再結晶を行
い白色結晶の４−メトキシ−４′−メタクリロイルオキ
シエトキシジベンゾイルメタン ３９．０ｇを得た。 融点 ８９．７〜９１．６℃ 最大吸収波長 ３６２．５ｎｍ、モル吸光係数ε ３．
８９×１０^４（クロロホルム溶液）

【００２４】配合例１ 以下、本発明に係る日焼け止めクリーム（Ｏ／Ｗ型）の
具体的な配合例について説明する。表１の処方により、
実施例１（その３）のジベンゾイルメタン系誘導体化合
物を配合したクリームおよびＰＡＲＳＯＬ１７８９の商
品名でロシュ社により販売されている対象例の化合物
「４−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−メトキシジベンゾイル
メタン」を配合したクリームをそれぞれ製造した。表１
の処方で使用した商品名について製造元を以下に示す。 ＮＩＫＫＯＬ ＴＳ−１０ 日光ケミカルズ ＮＩＫＫＯＬ ＳＳ−１０ 日光ケミカルズ ＮＩＫＫＯＬ ＭＧＳ−ＡＳＥ 日光ケミカルズ スクワラン 日光ケミカルズ ミリトール ３１８ ヘンケル白水 ＭＣステアリン 川研ファインケミカルズ 精製ホホバ油 香栄興業 シリコーン ＫＦ９６ １００ＣＳ 信越化学 Ｍ パラベン 吉富製薬 １，３ ＢＧ 協和発酵 濃グリセリン 花王 カーボポール９４０ ＢＦ Ｇｏｏｄｒｉｃｈ 精製水 − 水酸化カリウム 関東化学

【表１】 上記の配合割合で成分Ａと成分Ｂをそれぞれ８０〜８２
℃の水浴上にて加熱溶解した。成分Ｂを撹拌しながら徐
々に成分Ａに加え、ホモジナイザーで撹拌し、冷却して
６０℃において成分Ｃを添加し、３０℃まで冷却して容
器に充填した。

【００２５】配合例２〜４ 配合例１において実施例１（その３）の化合物のかわり
に、それぞれ実施例２〜４の化合物を用いた他は配合例
１と同様に、本発明に係る日焼け止めクリーム（Ｏ／Ｗ
型）の製造を行なった。配合例１〜４および対照例の化
合物の発色阻害効果を確認するため、製造後６０日放置
したクリームの色相を調べた。その結果は表２のとおり
である。

【表２】 製造６０日放置後の色相 配合例１〔実施例１（その３）の化合物〕 変化なし 配合例２（実施例２の化合物） 変化なし 配合例３（実施例３の化合物） 変化なし 配合例４（実施例４の化合物） 変化なし 対照例 微

【００２６】実施例５ 実施例２で得られた４−メトキシ−４′−（２−ヒドロ
キシエトキシ）ジベンゾイルメタンをポリプロピレンに
対し０．０５重量％を添加したもの（サンプルＡ）につ
いてテストシートを１８０℃で作成した。折り曲げライ
フを測定することでウェザーメーター劣化試験を行っ
た。 サンプル 折り曲げライフ（ｈ） 無添加 ８０ サンプルＡ ８００

【００２７】

【発明の効果】（１）本発明により、新規なジベンゾイ
ルメタン系誘導体とその製造方法を提供することができ
た。 （２）本発明のジベンゾイルメタン系誘導体を含む紫外
線吸収剤は相溶性、分散性が高く、金属イオンによる着
色を防止することができ、化粧料、樹脂配合剤として優
れていた。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 45/65 Ｃ０７Ｃ 45/65 67/293 67/293 69/157 69/157 69/54 69/54 Ｂ Ｚ Ｃ０８Ｋ 5/07 Ｃ０８Ｋ 5/07 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０９Ｋ 3/00 １０４ Ｃ０９Ｋ 3/00 １０４Ｚ (72)発明者 西松 雅之 兵庫県神戸市中央区東川崎町１丁目３番３ 号 ケミプロ化成株式会社内 (72)発明者 光田 政男 兵庫県神戸市中央区東川崎町１丁目３番３ 号 ケミプロ化成株式会社内 (72)発明者 大前 吉則 兵庫県神戸市中央区東川崎町１丁目３番３ 号 ケミプロ化成株式会社内 Ｆターム(参考） 4C083 AA122 AB052 AC022 AC122 AC211 AC212 AC482 AD092 AD152 BB46 CC19 DD31 EE17 4H006 AA01 AA02 AA03 AB92 BJ50 BN10 BP30 BR30 4J002 BB061 BB071 BB111 BB151 BB171 BC021 BC061 BF051 BG001 BL011 BN151 CD001 CF061 CF071 CF211 CG001 CH071 CL001 CN011 CP031 EE037 EE046 EH007 EJ037 EU177 EU187 EU207 FD050 FD056 FD057 FD070 FD200 FD340 GB00

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９お
   よびＲ_１０は水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐
   のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ
   基、アクリロイロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ
   −Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ _１３で示される基、Ｒ_３、Ｒ_８は水
   素、水酸基、Ｃ１〜３の直鎖または分岐のアルキル基、
   Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコキシ基、アクリロイ
   ロキシ基、メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−
   Ｒ_１３で示される基、Ｒ_１１は水素、水酸基、Ｃ１〜８
   の直鎖または分岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または
   分岐のアルコキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示さ
   れる基、Ｒ_１２はＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキレ
   ン基または水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または分岐の
   アルキレン基、Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜８の直鎖または分
   岐のアルキル基、水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または
   分岐のアルキル基、Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキ
   ルカルボニル基、アクリル基、メタクリル基よりなる群
   からそれぞれ独立して選ばれた基である。但し、Ｒ_１〜
   Ｒ_１０のうち、少なくとも１つはアクリロイロキシ基、
   メタクリロイロキシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示
   される置換基である。）で示されるジベンゾイルメタン
   系誘導体。
2. 【請求項２】 請求項１記載の一般式（Ｉ）において、
   Ｒ_１、Ｒ_３、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_１０が水素、メチル基、メ
   トキシ基、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ_７、Ｒ_９、Ｒ_１１が水素、Ｒ
   _８が−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｒ
   _１２がエチレン基、Ｒ_１３がＣ１〜４の直鎖または分岐
   のアルキルカルボニル基、アクリル基、メタクリル基よ
   りなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、かつ
   Ｒ_１、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_１０のうち少なくとも１つは水素
   原子ではないことを特徴とする請求項１記載のジベンゾ
   イルメタン系誘導体。
3. 【請求項３】 請求項１記載の一般式（Ｉ）においてＲ
   _１、Ｒ_２、Ｒ_４、Ｒ _５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ
   _１１が水素、Ｒ_３がメトキシ基、Ｒ_８が−Ｏ−Ｒ_１２−
   Ｏ−Ｒ_１３で示される基であり、Ｒ_１２がエチレン基、
   Ｒ_１３がＣ１〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニ
   ル基、アクリル基、メタクリル基よりなる群からそれぞ
   れ独立して選ばれた基であることを特徴とする請求項１
   記載のジベンゾイルメタン系誘導体。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか記載のジベンゾイ
   ルメタン系誘導体を含有することを特徴とする紫外線吸
   収剤。
5. 【請求項５】 請求項１〜３いずれか記載のジベンゾイ
   ルメタン系誘導体を含有することを特徴とする化粧料。
6. 【請求項６】 請求項１〜３いずれか記載のジベンゾイ
   ルメタン系誘導体とＵＶ−Ｂ吸収能を有する紫外線吸収
   剤を含有することを特徴とする化粧料。
7. 【請求項７】 請求項１〜３いずれか記載のジベンゾイ
   ルメタン系誘導体を含有することを特徴とする樹脂組成
   物。
8. 【請求項８】 請求項７記載の樹脂組成物よりなること
   を特徴とする成形品。
9. 【請求項９】 下記一般式（II） 【化２】 （式中Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５は請求項１の記載
   と同一であり、Ｒ_１４は直鎖または分岐のアルキル基で
   ある。）で示される安息香酸エステル誘導体と下記一般
   式（III） 【化３】 {式中、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０は請求項１の
   記載と同一であり、Ｒ_{１ ５}は、一般式（IV） 【化４】Ｒ_１６−ＣＨ_２− （IV） 〔式中Ｒ_１６は、水素、水酸基、Ｃ１〜８の直鎖または
   分岐のアルキル基、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルコ
   キシ基、−Ｏ−Ｒ_１２−Ｏ−Ｒ_１３で示される基（Ｒ
   _１２、Ｒ_１３は請求項１の記載と同一である。）〕｝で
   示される化合物を反応させることを特徴とする請求項１
   記載のジベンゾイルメタン系誘導体の製造方法。
10. 【請求項１０】 下記一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、
    Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２は請求項１の記載と同一
    である。）で示されるジベンゾイルメタン系誘導体と下
    記一般式（VI） 【化６】Ｒ_１３−Ａ （VI） （Ｒ_１３は水素、Ｃ１〜８の直鎖または分岐のアルキル
    基、水酸基を有するＣ１〜８の直鎖または分岐のアルキ
    ル基、Ｃ１〜４の直鎖または分岐のアルキルカルボニル
    基、アクリル基、メタクリル基、Ａは水素、水酸基、ハ
    ロゲン基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で
    ある。）で示される化合物を反応させることを特徴とす
    る請求項１記載のジベンゾイルメタン系誘導体の製造方
    法。