JP2003068465A - 発光素子及び発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子及び発光素子の製造方法Info
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- JP2003068465A JP2003068465A JP2002143441A JP2002143441A JP2003068465A JP 2003068465 A JP2003068465 A JP 2003068465A JP 2002143441 A JP2002143441 A JP 2002143441A JP 2002143441 A JP2002143441 A JP 2002143441A JP 2003068465 A JP2003068465 A JP 2003068465A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 燐光発光を用いた有機ＥＬ素子においても、
低電圧駆動を可能にし、高輝度化・高効率化を可能にす
る発光素子を提供する。 【解決手段】 陽極および陰極と、該陽極および陰極間
に挟持された有機発光層を有する発光素子であって、前
記有機発光層がホスト材料と複数の発光材料から構成さ
れ、または発光層の成膜時に複数の発光材料の混合物を
１つの蒸着ボートから蒸着することを特徴とする。
低電圧駆動を可能にし、高輝度化・高効率化を可能にす
る発光素子を提供する。 【解決手段】 陽極および陰極と、該陽極および陰極間
に挟持された有機発光層を有する発光素子であって、前
記有機発光層がホスト材料と複数の発光材料から構成さ
れ、または発光層の成膜時に複数の発光材料の混合物を
１つの蒸着ボートから蒸着することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た発光素子に関するものであり、さらに詳しくは複数の
化合物を発光層内にドープすることによる、輝度・効率
・駆動耐久性の高い発光素子、特に有機エレクトロルミ
ネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものである。
た発光素子に関するものであり、さらに詳しくは複数の
化合物を発光層内にドープすることによる、輝度・効率
・駆動耐久性の高い発光素子、特に有機エレクトロルミ
ネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、高速応答性や高効率の
発光素子として、応用研究が精力的に行われている。そ
の基本的な構成を図１（ａ）・（ｂ）に示した［例えば
Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１〜４８（１９
９７）参照］。
発光素子として、応用研究が精力的に行われている。そ
の基本的な構成を図１（ａ）・（ｂ）に示した［例えば
Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１〜４８（１９
９７）参照］。
【０００３】図１に示したように、一般に有機ＥＬ素子
は透明基板１５上に透明電極１４と金属電極１１の間に
複数層の有機膜層から構成される。
は透明基板１５上に透明電極１４と金属電極１１の間に
複数層の有機膜層から構成される。
【０００４】図１（ａ）では、有機層が発光層１２とホ
ール輸送層１３からなる。透明電極１４としては、仕事
関数が大きなＩＴＯなどが用いられ、透明電極１４から
ホール輸送層１３への良好なホール注入特性を持たせて
いる。金属電極１１としては、アルミニウム、マグネシ
ウムあるいはそれらを用いた合金などの仕事関数の小さ
な金属材料を用い有機層への良好な電子注入性を持たせ
る。これら電極には、５０〜２００ｎｍの膜厚が用いら
れる。
ール輸送層１３からなる。透明電極１４としては、仕事
関数が大きなＩＴＯなどが用いられ、透明電極１４から
ホール輸送層１３への良好なホール注入特性を持たせて
いる。金属電極１１としては、アルミニウム、マグネシ
ウムあるいはそれらを用いた合金などの仕事関数の小さ
な金属材料を用い有機層への良好な電子注入性を持たせ
る。これら電極には、５０〜２００ｎｍの膜厚が用いら
れる。
【０００５】発光層１２には、電子輸送性と発光特性を
有するアルミキノリノール錯体など（代表例は、化１に
示すＡｌｑ３）が用いられる。また、ホール輸送層１３
には、例えばビフェニルジアミン誘導体（代表例は、化
１に示すα−ＮＰＤ）など電子供与性を有する材料が用
いられる。
有するアルミキノリノール錯体など（代表例は、化１に
示すＡｌｑ３）が用いられる。また、ホール輸送層１３
には、例えばビフェニルジアミン誘導体（代表例は、化
１に示すα−ＮＰＤ）など電子供与性を有する材料が用
いられる。
【０００６】以上の構成をした素子は整流性を示し、金
属電極１１を陰極に透明電極１４を陽極になるように電
界を印加すると、金属電極１１から電子が発光層１２に
注入され、透明電極１５からはホールが注入される。
属電極１１を陰極に透明電極１４を陽極になるように電
界を印加すると、金属電極１１から電子が発光層１２に
注入され、透明電極１５からはホールが注入される。
【０００７】注入されたホールと電子は発光層１２内で
再結合により励起子が生じ発光する。この時ホール輸送
層１３は電子のブロッキング層の役割を果たし、発光層
１２／ホール輸送層１３界面の再結合効率が上がり、発
光効率が上がる。
再結合により励起子が生じ発光する。この時ホール輸送
層１３は電子のブロッキング層の役割を果たし、発光層
１２／ホール輸送層１３界面の再結合効率が上がり、発
光効率が上がる。
【０００８】さらに、図１（ｂ）では、図１（ａ）の金
属電極１１と発光層１２の間に、電子輸送層１６が設け
られている。発光と電子・ホール輸送を分離して、より
効果的なキャリアブロッキング構成にすることで、効率
的な発光を行うことができる。電子輸送層１６として
は、例えば、オキサジアゾール誘導体などを用いること
ができる。
属電極１１と発光層１２の間に、電子輸送層１６が設け
られている。発光と電子・ホール輸送を分離して、より
効果的なキャリアブロッキング構成にすることで、効率
的な発光を行うことができる。電子輸送層１６として
は、例えば、オキサジアゾール誘導体などを用いること
ができる。
【０００９】これまで、一般に有機ＥＬ素子に用いられ
ている発光は、発光中心の分子の一重項励起子から基底
状態になるときの蛍光が取り出されている。一方、一重
項励起子を経由した蛍光発光を利用するのでなく、三重
項励起子を経由したりん光発光を利用する素子の検討が
なされている。発表されている代表的な文献は、文献
１：Ｉｍｐｒｏｖｅｄｅｎｅｒｇｙｔｒａｎｓｆｅｒｉ
ｎｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔｄｅｖ
ｉｃｅ（Ｄ．Ｆ．Ｏ’Ｂｒｉｅｎら、ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓＶｏｌ７４，Ｎｏ３ｐ４２
２（１９９９））、文献２：Ｖｅｒｙｈｉｇｈ−ｅｆｆ
ｉｃｉｅｎｃｙｇｒｅｅｎｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ−
ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｂａｓｄｏｎｅｌｅｃ
ｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ（Ｍ．Ａ．Ｂａ
ｌｄｏら、ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ
ｓＶｏｌ７５，Ｎｏ１ｐ４（１９９９））である。
ている発光は、発光中心の分子の一重項励起子から基底
状態になるときの蛍光が取り出されている。一方、一重
項励起子を経由した蛍光発光を利用するのでなく、三重
項励起子を経由したりん光発光を利用する素子の検討が
なされている。発表されている代表的な文献は、文献
１：Ｉｍｐｒｏｖｅｄｅｎｅｒｇｙｔｒａｎｓｆｅｒｉ
ｎｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔｄｅｖ
ｉｃｅ（Ｄ．Ｆ．Ｏ’Ｂｒｉｅｎら、ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓＶｏｌ７４，Ｎｏ３ｐ４２
２（１９９９））、文献２：Ｖｅｒｙｈｉｇｈ−ｅｆｆ
ｉｃｉｅｎｃｙｇｒｅｅｎｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ−
ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｂａｓｄｏｎｅｌｅｃ
ｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ（Ｍ．Ａ．Ｂａ
ｌｄｏら、ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ
ｓＶｏｌ７５，Ｎｏ１ｐ４（１９９９））である。
【００１０】これらの文献では、図１（ｃ）に示す有機
層の４層構成が主に用いられている。それは、陽極側か
らホール輸送層１３、発光層１２、励起子拡散防止層１
７、電子輸送層１６からなる。用いられている材料は、
化１に示すキャリア輸送材料とりん光発光性材料であ
る。各材料の略称は以下の通りである。 Ａｌｑ３：アルミ−キノリノール錯体 α−ＮＰＤ：Ｎ４，Ｎ４’−Ｄｉ−ｎａｐｈｔｈａｌｅ
ｎ−１−ｙｌ−Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｉ
ｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ ＣＢＰ：４，４’−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ
−ｂｉｐｈｅｎｙｌ ＢＣＰ：２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈ
ｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ ＰｔＯＥＰ：白金−オクタエチルポルフィリン錯体 Ｉｒ（ｐｐｙ）3：イリジウム−フェニルピリジン錯体
層の４層構成が主に用いられている。それは、陽極側か
らホール輸送層１３、発光層１２、励起子拡散防止層１
７、電子輸送層１６からなる。用いられている材料は、
化１に示すキャリア輸送材料とりん光発光性材料であ
る。各材料の略称は以下の通りである。 Ａｌｑ３：アルミ−キノリノール錯体 α−ＮＰＤ：Ｎ４，Ｎ４’−Ｄｉ−ｎａｐｈｔｈａｌｅ
ｎ−１−ｙｌ−Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｉ
ｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ ＣＢＰ：４，４’−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ
−ｂｉｐｈｅｎｙｌ ＢＣＰ：２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈ
ｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ ＰｔＯＥＰ：白金−オクタエチルポルフィリン錯体 Ｉｒ（ｐｐｙ）3：イリジウム−フェニルピリジン錯体
【００１１】
【化１】
【００１２】さらに、Ｆｏｒｒｅｓｔ．ｅｔ ａｌ．，
Ｎａｔｕｒｅ，４０３，ｐ７５０には積層構造のＥＬ素
子に於いて発光層のホスト材料としてＣＢＰを用い、Ｉ
ｒ（ｐｐｙ）３の緑発光材料層からＤＣＭの赤色発光層
に三重項と一重項間のエネルギー転移をさせる方式が示
されている。
Ｎａｔｕｒｅ，４０３，ｐ７５０には積層構造のＥＬ素
子に於いて発光層のホスト材料としてＣＢＰを用い、Ｉ
ｒ（ｐｐｙ）３の緑発光材料層からＤＣＭの赤色発光層
に三重項と一重項間のエネルギー転移をさせる方式が示
されている。
【００１３】これらと、本発明との差異は共存する発光
材料の発光波長が離れている点、また形成方法が混合物
を真空蒸着していない点などで異なり、詳細は実施例等
で詳述する。
材料の発光波長が離れている点、また形成方法が混合物
を真空蒸着していない点などで異なり、詳細は実施例等
で詳述する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記、燐光発光を用い
た有機ＥＬ素子では、低電圧で電子・正孔のバランスを
保ちながら、低い電圧でより多くのキャリアを発光層に
注入することが高輝度化・高効率化に重要な課題であ
る。
た有機ＥＬ素子では、低電圧で電子・正孔のバランスを
保ちながら、低い電圧でより多くのキャリアを発光層に
注入することが高輝度化・高効率化に重要な課題であ
る。
【００１５】しかし、上記燐光材料の中には電荷注入性
・輸送性が低く低電圧で多くの電流を流すことが困難な
ものもあった。
・輸送性が低く低電圧で多くの電流を流すことが困難な
ものもあった。
【００１６】また、一般に多くの有機材料は蒸発時に複
数分子の集合体（クラスター）として蒸発することが知
られており、このようなクラスターは局所的に発光材料
の濃度が高く、発光効率を下げる原因となると考えられ
ている。
数分子の集合体（クラスター）として蒸発することが知
られており、このようなクラスターは局所的に発光材料
の濃度が高く、発光効率を下げる原因となると考えられ
ている。
【００１７】さらに、有機材料はたとえば、発光層中で
同種分子同士の結晶化等により特性の劣化が起こること
が問題となっていた。
同種分子同士の結晶化等により特性の劣化が起こること
が問題となっていた。
【００１８】このように高い発光輝度を得て、また長寿
命の発光素子を実現することが望まれている。
命の発光素子を実現することが望まれている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、有機
発光材料を用いた有機ＥＬ素子において、低電圧駆動を
可能にし、高輝度化・高効率化・高耐久性を可能にする
発光素子を提供することを目的とする。
発光材料を用いた有機ＥＬ素子において、低電圧駆動を
可能にし、高輝度化・高効率化・高耐久性を可能にする
発光素子を提供することを目的とする。
【００２０】本発明は、基板上に配置された陽極および
陰極からなる電極と、前記電極間に有機発光層を有する
発光素子であって、前記発光層が複数の発光材料で構成
され、かつ前記発光材料の発光波長スペクトルが主要な
部分で重なりを有することを特徴とする発光素子であ
る。
陰極からなる電極と、前記電極間に有機発光層を有する
発光素子であって、前記発光層が複数の発光材料で構成
され、かつ前記発光材料の発光波長スペクトルが主要な
部分で重なりを有することを特徴とする発光素子であ
る。
【００２１】また前記複数の発光材料の量子収率が、発
光波長の短い発光材料の量子収率が発光波長の長い発光
材料の量子収率より大きいことを特徴とする。
光波長の短い発光材料の量子収率が発光波長の長い発光
材料の量子収率より大きいことを特徴とする。
【００２２】さらに前記複数の発光材料が金属錯体およ
び／または有機化合物であり、各々のＨＯＭＯ準位が異
なることを特徴としている。
び／または有機化合物であり、各々のＨＯＭＯ準位が異
なることを特徴としている。
【００２３】また、前記複数の発光材料のうちの少なく
とも一種が、他の発光材料に対してＨＯＭＯ準位とＬＵ
ＭＯ準位が共に低い準位を有する金属錯体および／また
は有機化合物であることが好ましい。
とも一種が、他の発光材料に対してＨＯＭＯ準位とＬＵ
ＭＯ準位が共に低い準位を有する金属錯体および／また
は有機化合物であることが好ましい。
【００２４】またこれらの複数の発光材料間の発光スペ
クトルのピーク波長の差が３０ｎｍ以下であることがよ
り好ましい。
クトルのピーク波長の差が３０ｎｍ以下であることがよ
り好ましい。
【００２５】さらに、前記複数の金属錯体が同一の配位
子骨格を有しており、前記配位子骨格の置換基がそれぞ
れ異なる複数の金属錯体で構成されたことを特徴として
いる。特に、前記複数の金属錯体の中心金属が同一の金
属であること、前記中心金属がイリジウムであることを
特徴とする化合物を用いることを特徴としている。
子骨格を有しており、前記配位子骨格の置換基がそれぞ
れ異なる複数の金属錯体で構成されたことを特徴として
いる。特に、前記複数の金属錯体の中心金属が同一の金
属であること、前記中心金属がイリジウムであることを
特徴とする化合物を用いることを特徴としている。
【００２６】また、前記置換基がフッ素原子であるこ
と、前記配位子骨格がイソキノリン骨格を有することが
好ましい。
と、前記配位子骨格がイソキノリン骨格を有することが
好ましい。
【００２７】また、前記複数の発光材料の少なくとも１
つが燐光発光することが好ましい。
つが燐光発光することが好ましい。
【００２８】また、前記複数の発光材料の少なくとも１
つが、異なる配位子が同一金属に配位した複数配位子を
有する金属錯体であることが好ましい。
つが、異なる配位子が同一金属に配位した複数配位子を
有する金属錯体であることが好ましい。
【００２９】また本発明の主要な点は、複数の発光材料
を混合して１つの加熱容器に入れて、真空蒸着すること
を特徴とする製造方法である。
を混合して１つの加熱容器に入れて、真空蒸着すること
を特徴とする製造方法である。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明の発光素子は、陽極および
陰極と、陽極および陰極間に挟持された有機発光層を有
する発光素子である。発光素子の層構成としては特に限
定されず、図１に示す様な構成が挙げられる。
陰極と、陽極および陰極間に挟持された有機発光層を有
する発光素子である。発光素子の層構成としては特に限
定されず、図１に示す様な構成が挙げられる。
【００３１】本発明の発光素子は、有機発光層がホスト
材料とホスト材料に混入される発光材料と他の発光材料
からなることを特徴とする。他の発光材料の役割は、 （１）キャリアの注入やキャリアの移動がおこりにくい
発光層、例えば、燐光発光材料を用いた発光層等におい
ても、電流を増加させ、駆動電圧の低下・高効率化を図
ることができる。 （２）発光層中での結晶化が抑制されたり （３）発光材料と共に蒸着することで蒸着温度を下げる
効果などがある。 （４）さらには発光層中の発光部位を変化させることに
より輝度増加等の改善効果がもたらされる。
材料とホスト材料に混入される発光材料と他の発光材料
からなることを特徴とする。他の発光材料の役割は、 （１）キャリアの注入やキャリアの移動がおこりにくい
発光層、例えば、燐光発光材料を用いた発光層等におい
ても、電流を増加させ、駆動電圧の低下・高効率化を図
ることができる。 （２）発光層中での結晶化が抑制されたり （３）発光材料と共に蒸着することで蒸着温度を下げる
効果などがある。 （４）さらには発光層中の発光部位を変化させることに
より輝度増加等の改善効果がもたらされる。
【００３２】本発明の素子の特徴は、有機発光層以外の
構成が同様の発光素子において比較したとき、有機発光
層が単一の発光材料のみの素子と、発光材料および他の
発光材料からなる混合発光層を持つ素子では、後者のほ
うが同等の電圧を印加した際により多くの電流が流れ
る、もしくは大きな発光輝度が得られる、連続駆動によ
り長時間の耐久特性を持つような素子特性を持つことで
ある。
構成が同様の発光素子において比較したとき、有機発光
層が単一の発光材料のみの素子と、発光材料および他の
発光材料からなる混合発光層を持つ素子では、後者のほ
うが同等の電圧を印加した際により多くの電流が流れ
る、もしくは大きな発光輝度が得られる、連続駆動によ
り長時間の耐久特性を持つような素子特性を持つことで
ある。
【００３３】他の発光材料の第一の機能としては、電流
促進材料としての機能であり、素子電流を増大させるこ
とが可能である。
促進材料としての機能であり、素子電流を増大させるこ
とが可能である。
【００３４】その他の機能は、発光性材料であって、そ
の発光量子収率が発光材料よりも低いものを用いること
ができる。この場合に、主要な発光材料が主たる発光輝
度を与え、発光性を有する他の発光材料からの発光輝度
を小さくすることができる。
の発光量子収率が発光材料よりも低いものを用いること
ができる。この場合に、主要な発光材料が主たる発光輝
度を与え、発光性を有する他の発光材料からの発光輝度
を小さくすることができる。
【００３５】他の発光材料の第二の機能としては発光層
中の発光材料の存在を安定化させる機能である。このと
き他の発光材料は発光材料と異なる分子構造をもち、基
底状態での結晶化もしくは二量体化、励起時の会合体形
成を阻害する化合物が望ましい。例えば金属錯体の構造
について言えば、基本骨格は変わらないで、異なる置換
基を持つ化合物など、発光材料と発光特性は似通ってい
て、かつ分子構造が異なる化合物が望ましい。
中の発光材料の存在を安定化させる機能である。このと
き他の発光材料は発光材料と異なる分子構造をもち、基
底状態での結晶化もしくは二量体化、励起時の会合体形
成を阻害する化合物が望ましい。例えば金属錯体の構造
について言えば、基本骨格は変わらないで、異なる置換
基を持つ化合物など、発光材料と発光特性は似通ってい
て、かつ分子構造が異なる化合物が望ましい。
【００３６】他の発光材料の第三の機能としては、蒸着
時の分子流の制御機能が考えられる。蒸発温度の異なる
複数の材料を混合して加熱蒸着することで、発光材料が
蒸発する時、クラスターを形成するのを抑制することが
考えられる。たとえば、フッ素化された有機化合物を発
光材料と同時に蒸着するとこの効果が期待できると考え
られる。
時の分子流の制御機能が考えられる。蒸発温度の異なる
複数の材料を混合して加熱蒸着することで、発光材料が
蒸発する時、クラスターを形成するのを抑制することが
考えられる。たとえば、フッ素化された有機化合物を発
光材料と同時に蒸着するとこの効果が期待できると考え
られる。
【００３７】フッ素化されたイリジウム錯体の配位子と
しては次のような化合物が考えられる。
しては次のような化合物が考えられる。
【００３８】
【化２】
【００３９】他の発光材料を用いた場合には、なるべく
単一の発光色を得ることが重要である。特に複数の発光
材料それぞれの発光波長スペクトルの主要な部分が重な
り合うこと、あるいは発光スペクトルのピーク波長の差
が３０ｎｍ以下とすることが好ましい。
単一の発光色を得ることが重要である。特に複数の発光
材料それぞれの発光波長スペクトルの主要な部分が重な
り合うこと、あるいは発光スペクトルのピーク波長の差
が３０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００４０】例えば発光材料が赤発光の場合、発光材料
と他の発光材料との発光強度比を１０：１とすると、シ
ミュレーションの結果からスペクトルピークの差が３０
ｎｍ以下ならば、ＣＩＥ座標が大きく変化しないことが
確かめられている。よって、色純度の高い発光を得ると
いう観点からは発光材料と他の発光材料の発光スペクト
ルピーク波長の差が３０ｎｍ以下であることが好まし
い。
と他の発光材料との発光強度比を１０：１とすると、シ
ミュレーションの結果からスペクトルピークの差が３０
ｎｍ以下ならば、ＣＩＥ座標が大きく変化しないことが
確かめられている。よって、色純度の高い発光を得ると
いう観点からは発光材料と他の発光材料の発光スペクト
ルピーク波長の差が３０ｎｍ以下であることが好まし
い。
【００４１】こうすれば発光材料および他の発光材料の
双方が発光した場合でも、色純度の変化が少ない素子が
作製できる。また、他の発光材料から発光材料にエネル
ギー転移が起こるような場合でも、エネルギー差が少な
いためエネルギー転移が起こりやすい。
双方が発光した場合でも、色純度の変化が少ない素子が
作製できる。また、他の発光材料から発光材料にエネル
ギー転移が起こるような場合でも、エネルギー差が少な
いためエネルギー転移が起こりやすい。
【００４２】また、他の発光材料のバンドギャップを、
発光材料のバンドギャップよりも大きくすることによ
り、正孔と電子が他の発光材料よりも発光材料上で再結
合を起こしやすくなり、主として発光材料からの発光を
得ることができる。
発光材料のバンドギャップよりも大きくすることによ
り、正孔と電子が他の発光材料よりも発光材料上で再結
合を起こしやすくなり、主として発光材料からの発光を
得ることができる。
【００４３】本発明においては、発光材料と他の発光材
料の割合を、有機発光層内の場所により変化させること
により、発光層内の電子および正孔の分布をコントロー
ルすることができ、発光層内の電子−正孔の再結合位置
を調整することが容易になり、結果として発光色のよ
い、高効率の素子を作成することができる。
料の割合を、有機発光層内の場所により変化させること
により、発光層内の電子および正孔の分布をコントロー
ルすることができ、発光層内の電子−正孔の再結合位置
を調整することが容易になり、結果として発光色のよ
い、高効率の素子を作成することができる。
【００４４】発光層に用いるホスト材料としては、例え
ばＣＢＰ、ＴＡＺ等があり、他の発光材料としては、例
えば化合物Ａ、ＣＢＰ、Ｉｒ錯体Ａ等が挙げられる。
ばＣＢＰ、ＴＡＺ等があり、他の発光材料としては、例
えば化合物Ａ、ＣＢＰ、Ｉｒ錯体Ａ等が挙げられる。
【００４５】主要な発光材料としては、例えばＩｒ錯体
ｂ，Ｉｒ（ｐｐｙ）3、Ｉｒ錯体Ｃ等を用いることがで
きる。
ｂ，Ｉｒ（ｐｐｙ）3、Ｉｒ錯体Ｃ等を用いることがで
きる。
【００４６】化１に示したもの以外の構造は、以下の通
りである。
りである。
【００４７】
【化３】
【００４８】本発明の高効率な発光素子は、省エネルギ
ーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例と
しては表示装置・照明装置やプリンターの光源、液晶表
示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置とし
ては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネル
ディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源と
しては、現在広く用いられているレーザビームプリンタ
のレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えるこ
とができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配
置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成
する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に
減少することができる。照明装置やバックライトに関し
ては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。
ーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例と
しては表示装置・照明装置やプリンターの光源、液晶表
示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置とし
ては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネル
ディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源と
しては、現在広く用いられているレーザビームプリンタ
のレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えるこ
とができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配
置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成
する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に
減少することができる。照明装置やバックライトに関し
ては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。
【００４９】
【実施例】実施例１、実施例２に用いた素子作成工程の
共通部分を説明する。
共通部分を説明する。
【００５０】本実施例１、実施例２では、素子構成とし
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚み１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：α−ＮＰＤ 発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発光材料の所定
量＋他の発光材料の所定量 励起子拡散防止層１７（１０ｎｍ）ＢＣＰ 電子輸送層１６（３０ｎｍ）：Ａｌｑ３ 金属電極層１（１５ｎｍ）：ＡｌＬｉ合金（Ｌｉ含有量
１．８重量％） 金属電極層２（１００ｎｍ）：Ａｌ 対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚み１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：α−ＮＰＤ 発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発光材料の所定
量＋他の発光材料の所定量 励起子拡散防止層１７（１０ｎｍ）ＢＣＰ 電子輸送層１６（３０ｎｍ）：Ａｌｑ３ 金属電極層１（１５ｎｍ）：ＡｌＬｉ合金（Ｌｉ含有量
１．８重量％） 金属電極層２（１００ｎｍ）：Ａｌ 対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
【００５１】＜実施例１＞発光層のホストとしてＣＢＰ
を用い、発光材料としてＩｒ錯体Ｃを７重量％の濃度
で、さらに他の発光材料としてＩｒ錯体Ａを３重量％と
なるように発光層にドープして素子を作製した。
を用い、発光材料としてＩｒ錯体Ｃを７重量％の濃度
で、さらに他の発光材料としてＩｒ錯体Ａを３重量％と
なるように発光層にドープして素子を作製した。
【００５２】（比較例１１）Ｉｒ錯体Ａをドープしない
以外は、実施例１と同様にして、素子を作製した。
以外は、実施例１と同様にして、素子を作製した。
【００５３】これらの素子に１０Ｖの直流電圧を印加し
て、そのときの電流及び輝度を測定した結果を表１に示
す。
て、そのときの電流及び輝度を測定した結果を表１に示
す。
【００５４】
【表１】
【００５５】他の発光材料として、Ｉｒ錯体Ａを加えた
実施例１は、電流・輝度共に上昇した。発光スペクトル
はＩｒ錯体Ｃの発光の他にＩｒ錯体Ａからの発光も現れ
た。Ｉｒ錯体Ｃは６２０ｎｍがピークの発光スペクトル
を持ち、Ｉｒ錯体Ａは６１０ｎｍをピークとする発光ス
ペクトルである。発光スペクトルのピークの差が３０ｎ
ｍ以下であるため、ＣＩＥ座標では大きな変化はなかっ
た。
実施例１は、電流・輝度共に上昇した。発光スペクトル
はＩｒ錯体Ｃの発光の他にＩｒ錯体Ａからの発光も現れ
た。Ｉｒ錯体Ｃは６２０ｎｍがピークの発光スペクトル
を持ち、Ｉｒ錯体Ａは６１０ｎｍをピークとする発光ス
ペクトルである。発光スペクトルのピークの差が３０ｎ
ｍ以下であるため、ＣＩＥ座標では大きな変化はなかっ
た。
【００５６】Ｉｒ錯体Ａの量子収率は０．３であるのに
対して、Ｉｒ錯体Ｃの量子収率は０．６６である。ここ
で、量子収率は次のように決定した。
対して、Ｉｒ錯体Ｃの量子収率は０．６６である。ここ
で、量子収率は次のように決定した。
【００５７】実施例で用いた量子収率の求め方は、次式
で与えられる。 Φ（ｓａｍｐｌｅ）／Φ（ｓｔ）＝［Ｓｅｍ（ｓａｍｐ
ｌｅ）／Ｉａｂｓ（ｓａｍｐｌｅ）］／［Ｓｅｍ（ｓ
ｔ）／Ｉａｂｓ（ｓｔ）］ Φ（ｓａｍｐｌｅ）：試料の量子収率 Φ（ｓｔ）：標準試料の量子収率 Ｉａｂｓ（ｓｔ）：標準試料の励起する波長での吸収係
数 Ｓｅｍ（ｓｔ）：同じ波長で励起した時の標準試料の発
光スペクトル面積強度 Ｉａｂｓ（ｓａｍｐｌｅ）：目的化合物の励起する波長
での吸収係数 Ｓｅｍ（ｓａｍｐｌｅ）：同じ波長で励起した時の目的
化合物の発光スペクトル面積強度
で与えられる。 Φ（ｓａｍｐｌｅ）／Φ（ｓｔ）＝［Ｓｅｍ（ｓａｍｐ
ｌｅ）／Ｉａｂｓ（ｓａｍｐｌｅ）］／［Ｓｅｍ（ｓ
ｔ）／Ｉａｂｓ（ｓｔ）］ Φ（ｓａｍｐｌｅ）：試料の量子収率 Φ（ｓｔ）：標準試料の量子収率 Ｉａｂｓ（ｓｔ）：標準試料の励起する波長での吸収係
数 Ｓｅｍ（ｓｔ）：同じ波長で励起した時の標準試料の発
光スペクトル面積強度 Ｉａｂｓ（ｓａｍｐｌｅ）：目的化合物の励起する波長
での吸収係数 Ｓｅｍ（ｓａｍｐｌｅ）：同じ波長で励起した時の目的
化合物の発光スペクトル面積強度
【００５８】ここで言う量子収率ΦはＩｒ錯体Ｇ（後
述）のΦを標準の１とした相対値で示している。Ｉａｂ
ｓはＵＶ分光光度計（島津製作所 ＵＶ３１００）、Ｓ
ｅｍは蛍光スペクトルメーター（日立製作所 Ｆ４５０
０）によって測定した。
述）のΦを標準の１とした相対値で示している。Ｉａｂ
ｓはＵＶ分光光度計（島津製作所 ＵＶ３１００）、Ｓ
ｅｍは蛍光スペクトルメーター（日立製作所 Ｆ４５０
０）によって測定した。
【００５９】＜実施例２＞発光層のホストとしてＣＢＰ
を用い、発光層４０ｎｍのうちホール輸送層側の１０ｎ
ｍに他の発光材料としてＩｒ錯体Ａを３重量％、発光材
料としてＩｒ錯体Ｃを７重量％の濃度で発光層にドープ
して、残りの３０ｎｍにはＩｒ錯体Ｃのみを７重量％の
濃度でドープして素子を作製した。
を用い、発光層４０ｎｍのうちホール輸送層側の１０ｎ
ｍに他の発光材料としてＩｒ錯体Ａを３重量％、発光材
料としてＩｒ錯体Ｃを７重量％の濃度で発光層にドープ
して、残りの３０ｎｍにはＩｒ錯体Ｃのみを７重量％の
濃度でドープして素子を作製した。
【００６０】この素子と、比較例１１の素子に１０Ｖの
直流電圧を印加して、そのときの電流及び輝度を比較し
た結果を表２に示す。
直流電圧を印加して、そのときの電流及び輝度を比較し
た結果を表２に示す。
【００６１】
【表２】
【００６２】表２から比較例１１に比べて、実施例２の
素子は電流・輝度が共に上昇し、発光層の１部に他の発
光材料をドープした場合でも電流・輝度の増加作用があ
ることが確認された。ここでＩｒ錯体ＡとＩｒ錯体Ｃの
量子収率およびバンドギャップを次表に示す。Ｉｒ錯体
Ａの方がバンドギャップが大きく量子収率は小さい。
素子は電流・輝度が共に上昇し、発光層の１部に他の発
光材料をドープした場合でも電流・輝度の増加作用があ
ることが確認された。ここでＩｒ錯体ＡとＩｒ錯体Ｃの
量子収率およびバンドギャップを次表に示す。Ｉｒ錯体
Ａの方がバンドギャップが大きく量子収率は小さい。
【００６３】
【表３】
【００６４】実施例１と実施例２を比較すると、実施例
２の発光スペクトルは実施例１に比べて、Ｉｒ錯体Ａか
らの発光が弱くなり、Ｉｒ錯体Ｃからの発光の比率が高
くなった。これは電流促進効果によって、正孔の注入が
容易になり、電子−正孔の再結合および発光がＩｒ錯体
Ｃで主に起こるようになったためである。
２の発光スペクトルは実施例１に比べて、Ｉｒ錯体Ａか
らの発光が弱くなり、Ｉｒ錯体Ｃからの発光の比率が高
くなった。これは電流促進効果によって、正孔の注入が
容易になり、電子−正孔の再結合および発光がＩｒ錯体
Ｃで主に起こるようになったためである。
【００６５】＜実施例３＞本実施例では、素子構成とし
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚さ１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）を成膜してパターニングした。その
ＩＴＯ基板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの
真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製
膜した。ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次
構造式）
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚さ１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）を成膜してパターニングした。その
ＩＴＯ基板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの
真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製
膜した。ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次
構造式）
【００６６】
【化４】
【００６７】発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
【００６８】
【化５】
【００６９】電子注入層１６（１ｎｍ）：ＫＦ
金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
した。
【００７０】発光層１２の形成においては、発光材料１
としてフェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体
Ｃ、発光材料２としてＩｒ錯体Ｄを用いた。 （Ｉｒ錯体Ｄ）
としてフェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体
Ｃ、発光材料２としてＩｒ錯体Ｄを用いた。 （Ｉｒ錯体Ｄ）
【００７１】
【化６】
【００７２】Ｉｒ錯体ＣおよびＩｒ錯体Ｄを等量秤量
し、メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合し
て混合物粉体を作成した。
し、メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合し
て混合物粉体を作成した。
【００７３】この混合物粉体を蒸着用ボートに投入し、
ホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行った。上記のＩｒ
錯体の混合物が重量比７％になるような条件でホスト材
料と共蒸着した。
ホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行った。上記のＩｒ
錯体の混合物が重量比７％になるような条件でホスト材
料と共蒸着した。
【００７４】（比較例３１）発光材料として発光材料
１、発光材料２の代わりにＩｒ錯体Ｃのみを用いた。
１、発光材料２の代わりにＩｒ錯体Ｃのみを用いた。
【００７５】（比較例３２）発光材料として発光材料
１、発光材料２の代わりにＩｒ錯体Ｄのみを用いた。
１、発光材料２の代わりにＩｒ錯体Ｄのみを用いた。
【００７６】このような素子の評価結果を次表にしめ
す。
す。
【００７７】
【表４】
【００７８】本実施例の素子では１００ｃｄ／ｍ2の輝
度で発光するための駆動電圧は５．７Ｖであって、比較
例３１の５Ｖと比べてやや高いものの、比較例３２の
７．５Ｖに比べて大幅に低電圧化されている。
度で発光するための駆動電圧は５．７Ｖであって、比較
例３１の５Ｖと比べてやや高いものの、比較例３２の
７．５Ｖに比べて大幅に低電圧化されている。
【００７９】さらに電流効率（単位はｃｄ／Ａ）におい
ても１３．５ｃｄ／Ａと比較例３１の７．６ｃｄ／Ａ、
比較例３２の６．８ｃｄ／Ａに比べて大幅に改善されて
いる。
ても１３．５ｃｄ／Ａと比較例３１の７．６ｃｄ／Ａ、
比較例３２の６．８ｃｄ／Ａに比べて大幅に改善されて
いる。
【００８０】これは電力効率においても同様であり、比
較例３１の４．８ｌｍ／Ｗ、比較例３２の２．９ｌｍ／
Ｗに比べて、本実施例は７．６ｌｍ／Ｗと非常に高効率
な素子を作成することに成功している。
較例３１の４．８ｌｍ／Ｗ、比較例３２の２．９ｌｍ／
Ｗに比べて、本実施例は７．６ｌｍ／Ｗと非常に高効率
な素子を作成することに成功している。
【００８１】さらに、その素子の初期輝度１０００ｃｄ
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間を調べたと
ころ、比較例３１の５０時間、比較例３２の５．４時間
に比べて５２時間と大幅に改善することに成功してい
る。輝度半減時間は比較例５２の１０倍の改善があり本
発明の効果が特に大きいと考えられる。
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間を調べたと
ころ、比較例３１の５０時間、比較例３２の５．４時間
に比べて５２時間と大幅に改善することに成功してい
る。輝度半減時間は比較例５２の１０倍の改善があり本
発明の効果が特に大きいと考えられる。
【００８２】本実施例のＩｒ錯体Ｃの量子収率は０．６
６であるのに対して、Ｉｒ錯体Ｄの量子収率は０．９２
である。発光波長ピークはＩｒ錯体Ｃのは６２０ｎｍで
あるのに対して、Ｉｒ錯体Ｄは５９５ｎｍである。
６であるのに対して、Ｉｒ錯体Ｄの量子収率は０．９２
である。発光波長ピークはＩｒ錯体Ｃのは６２０ｎｍで
あるのに対して、Ｉｒ錯体Ｄは５９５ｎｍである。
【００８３】しかしながら、発光波長がＩｒ錯体Ｄと同
じく５９５ｎｍであるが、量子収率が０．２９である次
のＩｒ錯体Ｉを用いた場合には３００ｃｄ／ｍ2の輝度
での発光効率、半減寿命ともＩｒ錯体Ｄを用いた物に比
べて劣るため、発光波長の短い発光材料の量子収率が発
光波長の長い発光材料の量子収率より大きいことがより
望ましいことが分かった。
じく５９５ｎｍであるが、量子収率が０．２９である次
のＩｒ錯体Ｉを用いた場合には３００ｃｄ／ｍ2の輝度
での発光効率、半減寿命ともＩｒ錯体Ｄを用いた物に比
べて劣るため、発光波長の短い発光材料の量子収率が発
光波長の長い発光材料の量子収率より大きいことがより
望ましいことが分かった。
【００８４】
【表５】
（Ｉｒ錯体Ｉ）
【００８５】
【化７】
【００８６】本実施例に用いたイリジウム錯体のＨＯＭ
Ｏ準位およびＬＵＭＯ準位を調べると次表の様になって
いる。
Ｏ準位およびＬＵＭＯ準位を調べると次表の様になって
いる。
【００８７】
【表６】
【００８８】イリジウム錯体ＣのＨＯＭＯ準位は−５．
１３ｅＶとイリジウム錯体ＤのＨＯＭＯ準位、−５．３
２ｅＶよりより高く、一方イリジウム錯体ＣのＬＵＭＯ
準位も−２．４７ｅＶとイリジウム錯体ＤのＬＵＭＯ準
位、−２．６ｅＶよりより高くなっている。
１３ｅＶとイリジウム錯体ＤのＨＯＭＯ準位、−５．３
２ｅＶよりより高く、一方イリジウム錯体ＣのＬＵＭＯ
準位も−２．４７ｅＶとイリジウム錯体ＤのＬＵＭＯ準
位、−２．６ｅＶよりより高くなっている。
【００８９】ここでの電子準位の測定はサイクリックボ
ルタンメトリ法による酸化還元電位の測定（測定機器名
エレクトロケミカル インターフェース ＳＩ１２８
７Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製）と光吸収によるバンドギャ
ップ測定データを基に、別途測定したイリジウム錯体Ｃ
のＨＯＭＯ測定（測定器名ＡＣ−１ 理研機器製）によ
る結果との照合換算によって決定した。
ルタンメトリ法による酸化還元電位の測定（測定機器名
エレクトロケミカル インターフェース ＳＩ１２８
７Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製）と光吸収によるバンドギャ
ップ測定データを基に、別途測定したイリジウム錯体Ｃ
のＨＯＭＯ測定（測定器名ＡＣ−１ 理研機器製）によ
る結果との照合換算によって決定した。
【００９０】次に本実施例に用いたＩｒ錯体ＣおよびＩ
ｒ錯体Ｄのホトルミネッセンス（トルエン希薄溶液中で
の光励起発光スペクトル）を図２に示すが、これら二つ
の化合物の発光スペクトルは非常に近接しており、発光
波長スペクトルの主要な部分は重なりあっている。この
ように非常に近接した発光波長を持つ発光材料を用いる
ことで、色ずれが目立たない。
ｒ錯体Ｄのホトルミネッセンス（トルエン希薄溶液中で
の光励起発光スペクトル）を図２に示すが、これら二つ
の化合物の発光スペクトルは非常に近接しており、発光
波長スペクトルの主要な部分は重なりあっている。この
ように非常に近接した発光波長を持つ発光材料を用いる
ことで、色ずれが目立たない。
【００９１】本発明に用いたイリジウム錯体ＣおよびＩ
ｒ錯体Ｄの真空中での蒸発温度はそれぞれ、２６７度、
２３４度であり、フッ素原子のついたイリジウム錯体の
方が蒸発温度が低い。本発明のひとつの特徴は、蒸発温
度の異なる発光材量を混合して同一るつぼ上で蒸発させ
ることにより、蒸発時の分子流の制御（例えばクラスタ
ーサイズの制御）ができると考えられる。
ｒ錯体Ｄの真空中での蒸発温度はそれぞれ、２６７度、
２３４度であり、フッ素原子のついたイリジウム錯体の
方が蒸発温度が低い。本発明のひとつの特徴は、蒸発温
度の異なる発光材量を混合して同一るつぼ上で蒸発させ
ることにより、蒸発時の分子流の制御（例えばクラスタ
ーサイズの制御）ができると考えられる。
【００９２】さらに、本実施例の蒸着に必要な加熱容器
に流す電流量を調べると、混合物の方が電流量が低く素
子作成時の熱による衝撃が少なくなっていることが分か
る。この結果を次表に示した。
に流す電流量を調べると、混合物の方が電流量が低く素
子作成時の熱による衝撃が少なくなっていることが分か
る。この結果を次表に示した。
【００９３】
【表７】
【００９４】（比較例３３）Ｉｒ錯体ＣおよびＩｒ錯体
Ｄを異なるボートから加熱した場合との比較を次表に示
した。
Ｄを異なるボートから加熱した場合との比較を次表に示
した。
【００９５】
【表８】
【００９６】Ｉｒ錯体Ｃのみを蒸着した場合と比べ、Ｉ
ｒ錯体Ｄとの混合発光層を別ボート上から蒸着した場合
でも、電流効率、電力効率は改善している。一方本実施
例３の場合、２種の錯体を同一ボートで混合し蒸着した
場合には、比較例３１、３３に比べてさらに電流効率、
電力効率が改善されている。これは、蒸着時の温度が混
合物を用いることで低下し膜質が改善したためと考えて
いる。
ｒ錯体Ｄとの混合発光層を別ボート上から蒸着した場合
でも、電流効率、電力効率は改善している。一方本実施
例３の場合、２種の錯体を同一ボートで混合し蒸着した
場合には、比較例３１、３３に比べてさらに電流効率、
電力効率が改善されている。これは、蒸着時の温度が混
合物を用いることで低下し膜質が改善したためと考えて
いる。
【００９７】（比較例３４）次の比較例としてＩｒ錯体
Ｇ（次構造式）とＩｒ錯体Ｃを混合した上で蒸着して素
子を作った場合を次に示した。 （Ｉｒ錯体Ｇ）
Ｇ（次構造式）とＩｒ錯体Ｃを混合した上で蒸着して素
子を作った場合を次に示した。 （Ｉｒ錯体Ｇ）
【００９８】
【化８】
【００９９】Ｉｒ錯体Ｇは５１４ｎｍの発光ピークを持
つが、Ｉｒ錯体Ｃは６２０ｎｍに発光ピークを持つこと
から、図３に示すように発光スペクトルの重なりは少な
い。本比較例の場合、電流効率、電力効率ともに本実施
例よりも低いことが分かる。このことから、発光材料そ
れぞれの発光波長の重なり部分が非重なり部分より大き
いことにより素子特性を向上させることができることが
分かった。
つが、Ｉｒ錯体Ｃは６２０ｎｍに発光ピークを持つこと
から、図３に示すように発光スペクトルの重なりは少な
い。本比較例の場合、電流効率、電力効率ともに本実施
例よりも低いことが分かる。このことから、発光材料そ
れぞれの発光波長の重なり部分が非重なり部分より大き
いことにより素子特性を向上させることができることが
分かった。
【０１００】
【表９】
【０１０１】＜実施例４＞本実施例では、素子構成とし
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚さ１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。
ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚さ１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。
ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
【０１０２】
【化９】
【０１０３】発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発
光材料１＋発光材料２＋発光材料３＋発光材料４ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
光材料１＋発光材料２＋発光材料３＋発光材料４ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
【０１０４】
【化１０】
【０１０５】電子輸注入層１６（１ｎｍ）：ＫＦ
金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
した。
【０１０６】本実施例においては、発光材料１としてフ
ェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体Ｃ、発光材
料２としてＩｒ錯体Ｄ（次構造式）を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｄ）
ェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体Ｃ、発光材
料２としてＩｒ錯体Ｄ（次構造式）を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｄ）
【０１０７】
【化１１】
【０１０８】発光材料３としてＩｒ錯体Ｅ（次構造式）
を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｅ）
を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｅ）
【０１０９】
【化１２】
【０１１０】発光材料４としてＩｒ錯体Ｆ（次構造式）
を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｆ）
を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｆ）
【０１１１】
【化１３】
【０１１２】Ｉｒ錯体ＣおよびＩｒ錯体Ｄ、Ｉｒ錯体
Ｅ、Ｉｒ錯体Ｆを３：１：２．５：３．５の割合で混合
して混合物粉体を作成した。この混合物粉体を蒸着用ボ
ートに投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行っ
た。ホスト材料に対して上記のＩｒ錯体の混合物を重量
比７％になるように成膜した。このようにして作った素
子の特性を次に示す。
Ｅ、Ｉｒ錯体Ｆを３：１：２．５：３．５の割合で混合
して混合物粉体を作成した。この混合物粉体を蒸着用ボ
ートに投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行っ
た。ホスト材料に対して上記のＩｒ錯体の混合物を重量
比７％になるように成膜した。このようにして作った素
子の特性を次に示す。
【０１１３】これらの評価結果を表１０に示す。
【０１１４】
【表１０】
【０１１５】本実施例の素子では１００ｃｄ／ｍ2の発
光輝度を出す駆動電圧は４．２Ｖであり、比較例３１の
５Ｖ、比較例３２の７．５Ｖに比べて大幅に改善されて
いる。さらに電流効率（単位はｃｄ／Ａ）においても１
１．７ｃｄ／Ａと比較例３１の７．６ｃｄ／Ａ、比較例
３２の６．８ｃｄ／Ａに比べて大幅に改善されており、
これは電力効率においても同様であり非常に高効率な素
子を作成することに成功している。
光輝度を出す駆動電圧は４．２Ｖであり、比較例３１の
５Ｖ、比較例３２の７．５Ｖに比べて大幅に改善されて
いる。さらに電流効率（単位はｃｄ／Ａ）においても１
１．７ｃｄ／Ａと比較例３１の７．６ｃｄ／Ａ、比較例
３２の６．８ｃｄ／Ａに比べて大幅に改善されており、
これは電力効率においても同様であり非常に高効率な素
子を作成することに成功している。
【０１１６】さらに、その素子の初期輝度１０００ｃｄ
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間を調べた。
比較例３１の５０時間、比較例３２の５．４時間に比べ
て、１１６時間と大幅に改善することに成功している。
輝度半減時間は比較例の２倍から２０倍以上の改善があ
り本発明の効果が特に大きいと考えられる。
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間を調べた。
比較例３１の５０時間、比較例３２の５．４時間に比べ
て、１１６時間と大幅に改善することに成功している。
輝度半減時間は比較例の２倍から２０倍以上の改善があ
り本発明の効果が特に大きいと考えられる。
【０１１７】さらに、本実施例の蒸着に必要なボートに
流す電流量を調べると、混合物の方が電流量が低く素子
作成時の熱による衝撃が少なくなっていることが分か
る。
流す電流量を調べると、混合物の方が電流量が低く素子
作成時の熱による衝撃が少なくなっていることが分か
る。
【０１１８】この結果を次表に示した。
【０１１９】
【表１１】
【０１２０】＜実施例５＞本実施例では、素子構成とし
て、図１（ｂ）に示す有機層が３層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚み１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜する。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
て、図１（ｂ）に示す有機層が３層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に厚み１００ｎｍのＩＴ
Ｏ（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基
板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャ
ンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜する。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
【０１２１】
【化１４】
【０１２２】発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
【０１２３】
【化１５】
【０１２４】金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
した。
【０１２５】本実施例においては、発光材料１として化
合物Ｃ（ＤＣＭ）を用いる。 （化合物Ｃ）
合物Ｃ（ＤＣＭ）を用いる。 （化合物Ｃ）
【０１２６】
【化１６】
【０１２７】他の発光材料１としては次の構造式の化合
物Ｄでもよい。 （化合物Ｄ）
物Ｄでもよい。 （化合物Ｄ）
【０１２８】
【化１７】
【０１２９】発光材料２としてＩｒ錯体Ｃを用いる。
【０１３０】化合物ＣおよびＩｒ錯体Ｃを等量秤量し、
メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合して混
合物粉体を作成する。この混合物粉体を蒸着用ボートに
投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行う。
メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合して混
合物粉体を作成する。この混合物粉体を蒸着用ボートに
投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行う。
【０１３１】上記の化合物ＣおよびＩｒ錯体Ｃの混合物
は重量比７％になるようにホスト材料と共蒸着する。
は重量比７％になるようにホスト材料と共蒸着する。
【０１３２】＜実施例６＞本実施例では、素子構成とし
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に１００ｎｍのＩＴＯ
（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基板
上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャン
バー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
て、図１（ｃ）に示す有機層が４層の素子を使用した。
ガラス基板（透明基板１５）上に１００ｎｍのＩＴＯ
（透明電極１４）をパターニングした。そのＩＴＯ基板
上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャン
バー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。 ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：ＦＬ０３（次構造式）
【０１３３】
【化１８】
【０１３４】発光層１２（４０ｎｍ）：ホスト材料＋発
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
光材料１＋発光材料２ 電子輸送層１７（５０ｎｍ）Ｂｐｈｅｎ（次構造式）
【０１３５】
【化１９】
【０１３６】電子輸注入層１６（１ｎｍ）：ＫＦ
金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにパターニング
した。
した。
【０１３７】本実施例においては、発光材料１としてフ
ェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体Ｃ、発光材
料２としてＩｒ錯体Ｈ（次構造式）を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｈ）
ェニルイソキノリンを配位子としたＩｒ錯体Ｃ、発光材
料２としてＩｒ錯体Ｈ（次構造式）を用いた。 （Ｉｒ錯体Ｈ）
【０１３８】
【化２０】
【０１３９】Ｉｒ錯体ＣおよびＩｒ錯体Ｈを等量秤量
し、メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合し
て混合物粉体を作成した。この混合物粉体を蒸着用ボー
トに投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行っ
た。
し、メノウ乳鉢で結晶形を小さくしながら撹拌、混合し
て混合物粉体を作成した。この混合物粉体を蒸着用ボー
トに投入してホスト材料としてＣＢＰと共蒸着を行っ
た。
【０１４０】上記のＩｒ錯体の混合物は重量比７％とな
るように、ホスト材料と共蒸着し成膜した。
るように、ホスト材料と共蒸着し成膜した。
【０１４１】（比較例６１）発光材料としてＩｒ錯体Ｃ
のみを用いて重量比７％となるように、ホスト材料と共
蒸着し成膜した。
のみを用いて重量比７％となるように、ホスト材料と共
蒸着し成膜した。
【０１４２】（比較例６２）発光材料としてＩｒ錯体Ｈ
のみを重量比７％となるように、ホスト材料と共蒸着し
成膜した。
のみを重量比７％となるように、ホスト材料と共蒸着し
成膜した。
【０１４３】このような素子の評価結果を次表に示す。
【０１４４】
【表１２】
【０１４５】本実施例の素子では１００ｃｄ／ｍ2の発
光輝度を出す駆動電圧は５．７Ｖであった。比較例６１
の５ｖと比べてやや高いものの、比較例６２の５．８ｖ
に比べて大幅に低電圧化されており、さらに電流効率
（単位はｃｄ／Ａ）においても１０．５ｃｄ／Ａと比較
例６１の７．６ｃｄ／Ａ、に比べて大幅に改善されてい
る。これは電力効率においても同様であり、比較例６１
の４．８ｌｍ／Ｗ、に比べて本実施例は５．９ｌｍ／Ｗ
と非常に高効率な素子を作成することに成功している。
光輝度を出す駆動電圧は５．７Ｖであった。比較例６１
の５ｖと比べてやや高いものの、比較例６２の５．８ｖ
に比べて大幅に低電圧化されており、さらに電流効率
（単位はｃｄ／Ａ）においても１０．５ｃｄ／Ａと比較
例６１の７．６ｃｄ／Ａ、に比べて大幅に改善されてい
る。これは電力効率においても同様であり、比較例６１
の４．８ｌｍ／Ｗ、に比べて本実施例は５．９ｌｍ／Ｗ
と非常に高効率な素子を作成することに成功している。
【０１４６】さらに、その素子の初期輝度１０００ｃｄ
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間も、比較例
６１の５０時間、比較例６２の１．５時間に比べて８０
時間と大幅に改善することに成功している。
／ｍ2からの連続駆動における輝度半減時間も、比較例
６１の５０時間、比較例６２の１．５時間に比べて８０
時間と大幅に改善することに成功している。
【０１４７】本実施例は電流効率、電圧効率では比較例
６２に劣っているが、比較例６２の発光色が赤方向に改
善されている。比較例６２のＣＩＥ座標は（０．６５，
０．３５）なのに対して本実施例では（０．６８，０．
３３）であった。比較例６１の発光は（０．６８，０．
３３）と本実施例とほぼ同じであった。また輝度半減時
間は比較例６２の１０倍以上の改善があり本発明の効果
が特に大きいと考えられる。
６２に劣っているが、比較例６２の発光色が赤方向に改
善されている。比較例６２のＣＩＥ座標は（０．６５，
０．３５）なのに対して本実施例では（０．６８，０．
３３）であった。比較例６１の発光は（０．６８，０．
３３）と本実施例とほぼ同じであった。また輝度半減時
間は比較例６２の１０倍以上の改善があり本発明の効果
が特に大きいと考えられる。
【０１４８】本実施例に用いたイリジウム錯体のＨＯＭ
Ｏ準位およびＬＵＭＯ準位を調べると次表の様になって
おり、Ｉｒ錯体ＣのＨＯＭＯ準位は−５．１３ｅＶであ
り、Ｉｒ錯体ＨのＨＯＭＯ準位−５．１９ｅＶより高
い。
Ｏ準位およびＬＵＭＯ準位を調べると次表の様になって
おり、Ｉｒ錯体ＣのＨＯＭＯ準位は−５．１３ｅＶであ
り、Ｉｒ錯体ＨのＨＯＭＯ準位−５．１９ｅＶより高
い。
【０１４９】一方イリジウム錯体ＣのＬＵＭＯ準位も−
２．４７ｅＶとＩｒ錯体ＨのＬＵＭＯ準位−２．６ｅＶ
よりより高くなっている。
２．４７ｅＶとＩｒ錯体ＨのＬＵＭＯ準位−２．６ｅＶ
よりより高くなっている。
【０１５０】本発明に用いたＩｒ錯体ＣおよびＩｒ錯体
Ｈの真空中での蒸発温度はそれぞれ、２６７度、２３０
度であり、フッ素原子のついたイリジウム錯体の方が蒸
発温度が低い。本発明の特徴の１つは、蒸発温度の異な
る発光材料を混合して同一るつぼ上で蒸発させることに
より、蒸着温度を低下でき、また蒸発時の分子流の制御
（例えばクラスターサイズをより細かくすること）がで
きると考えられる。
Ｈの真空中での蒸発温度はそれぞれ、２６７度、２３０
度であり、フッ素原子のついたイリジウム錯体の方が蒸
発温度が低い。本発明の特徴の１つは、蒸発温度の異な
る発光材料を混合して同一るつぼ上で蒸発させることに
より、蒸着温度を低下でき、また蒸発時の分子流の制御
（例えばクラスターサイズをより細かくすること）がで
きると考えられる。
【０１５１】さらに、本実施例の蒸着ボートに流す電流
量を調べると、混合物の方が電流量が低く素子作成時の
熱による劣化が少なくなっていることが分かる。
量を調べると、混合物の方が電流量が低く素子作成時の
熱による劣化が少なくなっていることが分かる。
【０１５２】この結果を次表に示した。
【０１５３】
【表１３】
【０１５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
素子に流れる電流量を増加させることができ、また低電
圧駆動を可能にし、輝度や発光効率の向上することが可
能になった。
素子に流れる電流量を増加させることができ、また低電
圧駆動を可能にし、輝度や発光効率の向上することが可
能になった。
【図１】本発明の発光素子の一例を示す図である。
【図２】本発明の発光スペクトル図。横軸が発光波長で
あり、縦軸は発光ピークで規格化した値である。
あり、縦軸は発光ピークで規格化した値である。
【図３】比較例の発光スペクトルを示す図。
１１ 金属電極
１２ 発光層
１３ ホール輸送層
１４ 透明電極
１５ 透明基板
１６ 電子輸送層
１７ 励起子拡散防止層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 坪山 明
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 滝口 隆雄
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 三浦 聖志
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 森山 孝志
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 鎌谷 淳
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 岩脇 洋伸
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 井川 悟史
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB06 AB11 DB03
FA01
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に配置された陽極および陰極から
なる電極と、前記電極間に有機発光層を有する発光素子
であって、前記発光層が複数の発光材料で構成され、か
つ前記発光材料の発光波長スペクトルが主要な部分で重
なりを有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記複数の発光材料の量子収率が、発光
波長の短い発光材料の量子収率が発光波長の長い発光材
料の量子収率より大きいことを特徴とする請求項１に記
載の発光素子。 - 【請求項３】 前記複数の発光材料が金属錯体および／
または有機化合物であることを特徴とする請求項１また
は２に記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記複数の発光材料が各々のＨＯＭＯ準
位が異なる金属錯体および／または有機化合物であるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素
子。 - 【請求項５】 前記複数の発光材料のうちの少なくとも
一種が、他の発光材料に対してＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ
準位が共に低い準位を有する金属錯体および／または有
機化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の発光素子。 - 【請求項６】 前記複数の発光材料の発光スペクトルの
ピーク波長の差が３０ｎｍ以内であることを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項７】 前記複数の金属錯体が同一の配位子骨格
を有しており、前記配位子骨格の置換基がそれぞれ異な
る複数の金属錯体で構成されたことを特徴とする請求項
３〜５のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項８】 前記複数の金属錯体の中心金属が同一の
金属であることを特徴とする請求項７に記載の発光素
子。 - 【請求項９】 前記中心金属がＩｒであることを特徴と
する請求項８に記載の発光素子。 - 【請求項１０】 前記置換基がフッ素原子であることを
特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項１１】 前記配位子骨格がイソキノリン骨格を
有することを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記
載の発光素子。 - 【請求項１２】 前記複数の発光材料の少なくとも１つ
が燐光発光することを特徴とする請求項１〜１１のいず
れかに記載の発光素子。 - 【請求項１３】 前記複数の発光材料の少なくとも１つ
が、異なる配位子が同一金属に配位した複数配位子を有
する金属錯体であることを特徴とする請求項１〜１２の
いずれかに記載の発光素子。 - 【請求項１４】 対向した電極間に複数の発光材料で構
成された発光層を有する発光素子の製造方法に於いて、
前記複数の発光材料を同一の容器内に混合し、真空蒸着
により前記発光層を形成することを特徴とする発光素子
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記複数の発光材料の少なくとも１つ
がフッ素原子を含有することを特徴とする請求項１４に
記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (13)
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|---|---|---|---|
| JP2002143441A JP4035372B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-05-17 | 発光素子 |
| EP02738680A EP1399002A4 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE |
| CN2008102151886A CN101355141B (zh) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | 有机电致发光元件 |
| CN2010101667476A CN101916829B (zh) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | 有机电致发光元件 |
| PCT/JP2002/005891 WO2002104080A1 (fr) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | Dispositif a electroluminescence organique |
| CNB028118189A CN100428524C (zh) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | 有机电致发光元件 |
| US10/207,843 US6838818B2 (en) | 2001-06-15 | 2002-07-31 | Light emitting device having a dopant in a light emitting layer and method of producing the light emitting device |
| US10/943,868 US7166958B2 (en) | 2001-06-15 | 2004-09-20 | Light emitting device having dopant in a light emitting layer, and method of producing the light emitting device |
| US11/590,827 US7446471B2 (en) | 2001-06-15 | 2006-11-01 | OLED provided with organic layer comprising first and second dopants based on iridium organic complex compounds |
| US12/147,213 US7910227B2 (en) | 2001-06-15 | 2008-06-26 | Light emitting device having dopants in a light emitting layer |
| US12/147,181 US7736758B2 (en) | 2001-06-15 | 2008-06-26 | Light emitting device having dopants in a light emitting layer |
| US12/147,201 US7790299B2 (en) | 2001-06-15 | 2008-06-26 | Light emitting device having dopants in a light emitting layer |
| US12/973,166 US20110089821A1 (en) | 2001-06-15 | 2010-12-20 | Light emitting device having dopants in a light emitting layer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181416 | 2001-06-15 | ||
| JP2001-181416 | 2001-06-15 | ||
| JP2002143441A JP4035372B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-05-17 | 発光素子 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2003068465A true JP2003068465A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4035372B2 JP4035372B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=26616976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002143441A Expired - Fee Related JP4035372B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-05-17 | 発光素子 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4035372B2 (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005506361A (ja) * | 2001-10-17 | 2005-03-03 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | りん光を発する化合物および当該化合物を含むデバイス |
| JP2005129279A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| WO2006035640A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| WO2006059512A1 (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
| WO2008041642A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device and display |
| JP2008091860A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
| JP2008218972A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-09-18 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| JP2008277494A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| JPWO2007086216A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2009-06-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009191066A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-27 | Gracel Display Inc | 新規な有機エレクトロルミネセント化合物及びこれを使用する有機エレクトロルミネセント素子 |
| JP2009534846A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 多重ドーパント発光層有機発光デバイス |
| JP2010506416A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | シーディーティー オックスフォード リミテッド | 発光素子 |
| JP2011071194A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| JP2011108552A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| US8274625B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-09-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | Cellulose ester film, method for production of cellulose ester film, and protective film for polarizing plate, polarizing plate and liquid crystal display device each using the cellulose ester film |
| JP2013502744A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機発光ダイオード照明器具 |
| US8518558B2 (en) | 2007-03-29 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element |
| US9059411B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fluorene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2016103497A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性組成物、表示装置及び照明装置 |
| US9663711B2 (en) | 2011-08-25 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US9923149B2 (en) | 2014-05-23 | 2018-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR20200054343A (ko) * | 2008-07-10 | 2020-05-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| EP4102590A3 (en) * | 2021-06-11 | 2023-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition, layer including the composition, light-emitting device including the composition, and electronic apparatus including the light-emitting device |
| KR20230041476A (ko) * | 2021-09-17 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | 조성물, 상기 조성물을 포함한 층, 상기 조성물을 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002143441A patent/JP4035372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005506361A (ja) * | 2001-10-17 | 2005-03-03 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | りん光を発する化合物および当該化合物を含むデバイス |
| JP2005129279A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| WO2006035640A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US7914907B2 (en) | 2004-09-29 | 2011-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| WO2006059512A1 (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
| JP2006156888A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| KR101232530B1 (ko) | 2004-12-01 | 2013-02-12 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
| US7528542B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-05-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JPWO2007086216A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2009-06-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8518556B2 (en) | 2006-01-27 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electroluminescent element |
| JP2009534846A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 多重ドーパント発光層有機発光デバイス |
| JP2008091860A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
| WO2008041642A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device and display |
| JP2010506416A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | シーディーティー オックスフォード リミテッド | 発光素子 |
| JP2008218972A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-09-18 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| US8518558B2 (en) | 2007-03-29 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element |
| JP2008277494A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| US8274625B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-09-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | Cellulose ester film, method for production of cellulose ester film, and protective film for polarizing plate, polarizing plate and liquid crystal display device each using the cellulose ester film |
| JP2009191066A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-27 | Gracel Display Inc | 新規な有機エレクトロルミネセント化合物及びこれを使用する有機エレクトロルミネセント素子 |
| US10916567B2 (en) | 2008-07-10 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| KR102267235B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| US12191312B2 (en) | 2008-07-10 | 2025-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| KR102383642B1 (ko) | 2008-07-10 | 2022-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| KR20210074420A (ko) * | 2008-07-10 | 2021-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| US11631702B2 (en) | 2008-07-10 | 2023-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| KR20200054343A (ko) * | 2008-07-10 | 2020-05-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
| JP2013502744A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機発光ダイオード照明器具 |
| JP2011071194A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| JP2011108552A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| US8114703B2 (en) | 2009-11-19 | 2012-02-14 | Toshiba Mobile Display Co., Ltd. | Organic EL device |
| US8202756B2 (en) | 2009-11-19 | 2012-06-19 | Toshiba Mobile Display Co., Ltd. | Organic EL device |
| US9663711B2 (en) | 2011-08-25 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US11008510B2 (en) | 2011-08-25 | 2021-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US11773321B2 (en) | 2011-08-25 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US9059411B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fluorene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9923149B2 (en) | 2014-05-23 | 2018-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10770660B2 (en) | 2014-05-23 | 2020-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2016103497A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性組成物、表示装置及び照明装置 |
| EP4102590A3 (en) * | 2021-06-11 | 2023-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition, layer including the composition, light-emitting device including the composition, and electronic apparatus including the light-emitting device |
| KR102892301B1 (ko) * | 2021-06-11 | 2025-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 조성물, 상기 조성물을 포함한 층, 상기 조성물을 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치 |
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