JP2003064355A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びフルカラー表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びフルカラー表示装置Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光輝度の向上した有機エレクトロルミネッ
センス素子、および本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を用いた低消費電力、高輝度な表示装置を提供
するものである。 【解決手段】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０５以下であり、
かつ、素子となった状態での電界発光によって得られる
発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よりも
長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
センス素子、および本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を用いた低消費電力、高輝度な表示装置を提供
するものである。 【解決手段】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０５以下であり、
かつ、素子となった状態での電界発光によって得られる
発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よりも
長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（以下有機ＥＬとも略記する）素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、
および該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表
示装置に関するものである。
ミネッセンス（以下有機ＥＬとも略記する）素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、
および該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光型の電子ディスプレイデバイスとし
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）
がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エ
キシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であ
り、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）
がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エ
キシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であ
り、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
【０００３】しかしながら、今後の実用化に向けた有機
ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝
度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝
度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【０００４】本発明の有機ＥＬ素子のフルカラー化方式
は、蛍光発光材料をホスト化合物として、燐光性化合物
をドーパントとして用いることが特徴である。
は、蛍光発光材料をホスト化合物として、燐光性化合物
をドーパントとして用いることが特徴である。
【０００５】特許第３０９３７９６号では、スチルベン
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
【０００６】また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子（特開昭６３−２６４
６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子（特開平３−２５
５１９０号公報）が知られている。
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子（特開昭６３−２６４
６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子（特開平３−２５
５１９０号公報）が知られている。
【０００７】以上のように、励起一重項からの発光を用
いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：
３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であるこ
とと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取
り出し量子効率（ηext）の限界は５％とされている。
ところが、プリンストン大より、励起三重項からの燐光
発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ
ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１
５４ページ（１９９８年））がされて以来、室温で燐光
を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、
Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４
０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００
年）、ＵＳ特許６０９７１４７号など）。励起三重項を
使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるた
め、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍
となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも
応用可能であり注目されている。
いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：
３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であるこ
とと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取
り出し量子効率（ηext）の限界は５％とされている。
ところが、プリンストン大より、励起三重項からの燐光
発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ
ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１
５４ページ（１９９８年））がされて以来、室温で燐光
を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、
Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４
０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００
年）、ＵＳ特許６０９７１４７号など）。励起三重項を
使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるた
め、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍
となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも
応用可能であり注目されている。
【０００８】燐光性化合物をドーパントとして用いると
きのホストは、燐光性化合物の発光極大波長よりも短波
な領域に発光極大波長を有することが必要であることは
もちろんであるが、その他にも満たすべき条件があるこ
とが分かってきた。
きのホストは、燐光性化合物の発光極大波長よりも短波
な領域に発光極大波長を有することが必要であることは
もちろんであるが、その他にも満たすべき条件があるこ
とが分かってきた。
【０００９】Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎＩｎｏｒｇａｎｉｃ
ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ ’００、浜松）では、燐光性化合
物についていくつかの報告がなされている。例えば、Ｉ
ｋａｉらはホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホス
トとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎら
は、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとし
て、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いて
いる。さらに、Ｔｓｕｔｓｕｉらは、ホールブロック層
の導入により高い発光効率を得ている。
ｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎＩｎｏｒｇａｎｉｃ
ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ ’００、浜松）では、燐光性化合
物についていくつかの報告がなされている。例えば、Ｉ
ｋａｉらはホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホス
トとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎら
は、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとし
て、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いて
いる。さらに、Ｔｓｕｔｓｕｉらは、ホールブロック層
の導入により高い発光効率を得ている。
【００１０】燐光性化合物のホスト化合物については、
例えば、Ｃ．Ａｄａｃｈｉ ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７７巻、９０４ページ（２０００
年）等に詳しく記載されているが、高輝度の有機エレク
トロルミネッセンス素子を得るためにホスト化合物に必
要とされる性質について、より新しい観点からのアプロ
ーチが必要である。
例えば、Ｃ．Ａｄａｃｈｉ ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７７巻、９０４ページ（２０００
年）等に詳しく記載されているが、高輝度の有機エレク
トロルミネッセンス素子を得るためにホスト化合物に必
要とされる性質について、より新しい観点からのアプロ
ーチが必要である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光輝度の
改善を目的になされたものであり、発光輝度の向上した
有機エレクトロルミネッセンス素子、および本発明の有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた低消費電力、
高輝度な表示装置を提供するものである。
改善を目的になされたものであり、発光輝度の向上した
有機エレクトロルミネッセンス素子、および本発明の有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた低消費電力、
高輝度な表示装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下に示
す手段により達成された。
す手段により達成された。
【００１３】１．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０５以下であ
り、かつ、素子となった状態での電界発光によって得ら
れる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よ
りも長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０５以下であ
り、かつ、素子となった状態での電界発光によって得ら
れる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よ
りも長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
【００１４】２．蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と
炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０３以下であ
ることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０３以下であ
ることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
【００１５】３．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、０．
０５未満であり、素子となった状態での電界発光によっ
て得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大
波長よりも長波であることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、０．
０５未満であり、素子となった状態での電界発光によっ
て得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大
波長よりも長波であることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
【００１６】４．蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と
炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、
０．０３以下であることを特徴とする前記３に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、
０．０３以下であることを特徴とする前記３に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１７】５．蛍光性化合物の蛍光極大波長が３５０
ｎｍから４４０ｎｍであることを特徴とする前記１〜４
のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
ｎｍから４４０ｎｍであることを特徴とする前記１〜４
のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
【００１８】６．蛍光性化合物の分子量が６００以上で
あることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
あることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１９】７．燐光性化合物の溶液中での燐光量子収
率が、２５℃において０．０１以上であることを特徴と
する前記１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
率が、２５℃において０．０１以上であることを特徴と
する前記１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
【００２０】８．発光層に隣接した正孔輸送層、または
電子輸送層に少なくとも１種の蛍光性化合物が更に含有
され、該蛍光性化合物の蛍光極大波長が、３５０ｎｍか
ら４４０ｎｍであることを特徴とする前記１〜７のいず
れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
電子輸送層に少なくとも１種の蛍光性化合物が更に含有
され、該蛍光性化合物の蛍光極大波長が、３５０ｎｍか
ら４４０ｎｍであることを特徴とする前記１〜７のいず
れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２１】９．蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が３
９０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴とする前記１
〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
９０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴とする前記１
〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
【００２２】１０．発光層、及び正孔輸送層または電子
輸送層に含有される蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が
それぞれ３９０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴と
する前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
輸送層に含有される蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が
それぞれ３９０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴と
する前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【００２３】１１．陰極と発光層との間に少なくとも１
層の陰極バッファー層を有することを特徴とする前記１
〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
層の陰極バッファー層を有することを特徴とする前記１
〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
【００２４】１２．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（Ｉ）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（Ｉ）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２５】１３．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（II）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（II）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２６】１４．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が下記一般式（III）で
表される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での
電界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化
合物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が下記一般式（III）で
表される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での
電界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化
合物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２７】１５．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（IV）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（IV）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２８】１６．蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（Ｖ）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式（Ｖ）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２９】１７．前記一般式（Ｉ）、（II）、（II
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上
０．０５以下であることを特徴とする前記１２〜１６の
いずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上
０．０５以下であることを特徴とする前記１２〜１６の
いずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【００３０】１８．前記一般式（Ｉ）、（II）、（II
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０より
大きく、かつ、０．０５未満であることを特徴とする前
記１２〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０より
大きく、かつ、０．０５未満であることを特徴とする前
記１２〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【００３１】１９．燐光性化合物が、重金属錯体系化合
物であることを特徴とする前記１〜１８のいずれか１項
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
物であることを特徴とする前記１〜１８のいずれか１項
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００３２】２０．燐光性化合物が、元素の周期律表に
おけるVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物であ
ることを特徴とする前記１９に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
おけるVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物であ
ることを特徴とする前記１９に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【００３３】２１．燐光性化合物が、オスミウム、イリ
ジウム、または、白金錯体系化合物であることを特徴と
する前記１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
ジウム、または、白金錯体系化合物であることを特徴と
する前記１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【００３４】２２．燐光性化合物からの発光の極大波長
よりも更に長波な領域に、蛍光極大波長を有する第２の
蛍光性化合物を少なくとも１種更に含有することを特徴
とする前記１〜２１のいずれか１項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
よりも更に長波な領域に、蛍光極大波長を有する第２の
蛍光性化合物を少なくとも１種更に含有することを特徴
とする前記１〜２１のいずれか１項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
【００３５】２３．前記１〜２２のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
【００３６】２４．前記１〜２２のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子の、異なる極大波
長の発光を有する２種以上を同一基板上に並置している
ことを特徴とするフルカラー表示装置。
の有機エレクトロルミネッセンス素子の、異なる極大波
長の発光を有する２種以上を同一基板上に並置している
ことを特徴とするフルカラー表示装置。
【００３７】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
者等は、燐光性化合物のホスト化合物として用いられる
蛍光性化合物について鋭意検討を重ねた結果、素子の発
光輝度とホスト化合物の分子中の窒素原子数と炭素原子
数の比（Ｎ／Ｃ）に、ある対応関係があることを見出し
た。その結果、Ｎ／Ｃがある程度小さい値をとる場合
に、発光輝度のさらなる向上が認められた。これは、Ｎ
／Ｃがある程度大きくなると、ホスト化合物の分子中の
窒素原子の何らかの作用により発光輝度に限界が見られ
るものと推定される。したがって、燐光性化合物をドー
パントに用いた有機ＥＬ素子の発光輝度を向上させるに
は、ホスト化合物のＮ／Ｃを小さくすることが有効であ
ることが分かった。
者等は、燐光性化合物のホスト化合物として用いられる
蛍光性化合物について鋭意検討を重ねた結果、素子の発
光輝度とホスト化合物の分子中の窒素原子数と炭素原子
数の比（Ｎ／Ｃ）に、ある対応関係があることを見出し
た。その結果、Ｎ／Ｃがある程度小さい値をとる場合
に、発光輝度のさらなる向上が認められた。これは、Ｎ
／Ｃがある程度大きくなると、ホスト化合物の分子中の
窒素原子の何らかの作用により発光輝度に限界が見られ
るものと推定される。したがって、燐光性化合物をドー
パントに用いた有機ＥＬ素子の発光輝度を向上させるに
は、ホスト化合物のＮ／Ｃを小さくすることが有効であ
ることが分かった。
【００３８】本発明において、蛍光性化合物は光励起に
より２個の電子スピンが反平行の状態である励起一重項
からの発光が観測される化合物のことであり、燐光性化
合物は光励起により２個の電子スピンが平行の状態であ
る励起三重項からの発光が観測される化合物である。こ
こで、本発明に記載の燐光性化合物では、前記蛍光性化
合物の励起一重項状態、または、励起三重項状態からの
エネルギー移動により、室温（１５〜３０℃）において
励起三重項状態が形成されると考えられている。通常、
燐光発光は７７°Ｋの低温でしか観測不能と考えられて
いたが、近年室温で燐光発光を観測できる化合物が見出
されてからは、多くの化合物がイリジウム錯体系など重
金属錯体系化合物を中心に合成検討されている（例え
ば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ、２０
０１年）。
より２個の電子スピンが反平行の状態である励起一重項
からの発光が観測される化合物のことであり、燐光性化
合物は光励起により２個の電子スピンが平行の状態であ
る励起三重項からの発光が観測される化合物である。こ
こで、本発明に記載の燐光性化合物では、前記蛍光性化
合物の励起一重項状態、または、励起三重項状態からの
エネルギー移動により、室温（１５〜３０℃）において
励起三重項状態が形成されると考えられている。通常、
燐光発光は７７°Ｋの低温でしか観測不能と考えられて
いたが、近年室温で燐光発光を観測できる化合物が見出
されてからは、多くの化合物がイリジウム錯体系など重
金属錯体系化合物を中心に合成検討されている（例え
ば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ、２０
０１年）。
【００３９】本発明において、蛍光性化合物の蛍光極大
波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に１００ｎｍ蒸着
したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定した時の極大
値である。
波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に１００ｎｍ蒸着
したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定した時の極大
値である。
【００４０】本発明において、蛍光性化合物と燐光性化
合物の両方を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、分子中の窒素原子数と炭素原
子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上０．０５以下のホスト化合
物を燐光性化合物と併用する場合に、特異的に発光輝度
の向上が認められたため、本発明において、燐光性化合
物のホストとして組み合わせる蛍光性化合物は、該分子
中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上
０．０５以下のものであることが好ましい。この理由に
ついては余り明確ではないが、前述のように窒素原子数
と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）がある程度大きくなると、
ホスト化合物の分子中の窒素原子の何らかの作用により
発光輝度に限界が見られるためと推定される。
合物の両方を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、分子中の窒素原子数と炭素原
子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上０．０５以下のホスト化合
物を燐光性化合物と併用する場合に、特異的に発光輝度
の向上が認められたため、本発明において、燐光性化合
物のホストとして組み合わせる蛍光性化合物は、該分子
中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上
０．０５以下のものであることが好ましい。この理由に
ついては余り明確ではないが、前述のように窒素原子数
と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）がある程度大きくなると、
ホスト化合物の分子中の窒素原子の何らかの作用により
発光輝度に限界が見られるためと推定される。
【００４１】また、本発明において、燐光性化合物のホ
ストとして組み合わせる蛍光性化合物が、該分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０より大きく
０．０３以下のものであると、特異的に発光寿命が長く
なり好ましい。この理由については余り明確ではない
が、ある程度以上の発光寿命を有するためには窒素原子
を有するホスト化合物をもちいることが好ましいが、窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）がある程度大きく
なると窒素原子の何らかの作用により寿命に限界がみら
れるためと推定される。
ストとして組み合わせる蛍光性化合物が、該分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０より大きく
０．０３以下のものであると、特異的に発光寿命が長く
なり好ましい。この理由については余り明確ではない
が、ある程度以上の発光寿命を有するためには窒素原子
を有するホスト化合物をもちいることが好ましいが、窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）がある程度大きく
なると窒素原子の何らかの作用により寿命に限界がみら
れるためと推定される。
【００４２】本発明において、ドーパントとして組み込
む燐光性化合物の燐光発光極大波長は、ホストの蛍光性
化合物の蛍光極大波長に比べ、より長波であることが必
要である。これによりドーパントとして組み込んだ燐光
性化合物の励起三重項による発光を利用した有機エレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）素子を得ることができる。
従って、素子を構成した状態において電界発光により得
られる発光極大波長は、該ホストとして用いた蛍光性化
合物の単独での蛍光極大波長（蛍光性化合物をガラス上
に１００ｎｍ蒸着したときの蒸着膜で蛍光スペクトルを
測定した時の極大値）よりも長波である。
む燐光性化合物の燐光発光極大波長は、ホストの蛍光性
化合物の蛍光極大波長に比べ、より長波であることが必
要である。これによりドーパントとして組み込んだ燐光
性化合物の励起三重項による発光を利用した有機エレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）素子を得ることができる。
従って、素子を構成した状態において電界発光により得
られる発光極大波長は、該ホストとして用いた蛍光性化
合物の単独での蛍光極大波長（蛍光性化合物をガラス上
に１００ｎｍ蒸着したときの蒸着膜で蛍光スペクトルを
測定した時の極大値）よりも長波である。
【００４３】本発明において、ホスト化合物として用い
る蛍光性化合物の蛍光極大波長は３５０ｎｍから４４０
ｎｍであることが好ましく、更に好ましいのは３９０ｎ
ｍ〜４１０ｎｍである。
る蛍光性化合物の蛍光極大波長は３５０ｎｍから４４０
ｎｍであることが好ましく、更に好ましいのは３９０ｎ
ｍ〜４１０ｎｍである。
【００４４】又、低分子系の有機材料は、分子量が小さ
いと熱安定性が劣るため、発光輝度が十分ではない場合
がある。本発明に用いる燐光性化合物のホストとなる蛍
光性化合物は、熱安定性の観点から分子量が６００以上
であることが好ましく用いられる。
いと熱安定性が劣るため、発光輝度が十分ではない場合
がある。本発明に用いる燐光性化合物のホストとなる蛍
光性化合物は、熱安定性の観点から分子量が６００以上
であることが好ましく用いられる。
【００４５】本発明の燐光性化合物は溶液中の燐光量子
収率が、２５℃において０．００１以上である。好まし
くは、０．０１以上である。さらに好ましくは、０．１
以上である。
収率が、２５℃において０．００１以上である。好まし
くは、０．０１以上である。さらに好ましくは、０．１
以上である。
【００４６】以下に、励起三重項状態の量子収率φpの
測定手段及びその理論について述べる。
測定手段及びその理論について述べる。
【００４７】励起一重項状態から基底状態へは無輻射遷
移と蛍光放出により、それぞれ速度定数、ｋsn、ｋfで
励起エネルギーを失う。この他に、励起三重項状態への
遷移が速度定数、ｋiscで起き失活する。ここで、励起
一重項状態の寿命、τsは次式で定義される。
移と蛍光放出により、それぞれ速度定数、ｋsn、ｋfで
励起エネルギーを失う。この他に、励起三重項状態への
遷移が速度定数、ｋiscで起き失活する。ここで、励起
一重項状態の寿命、τsは次式で定義される。
【００４８】τs＝（ｋsn＋ｋf＋ｋisc）-1
また、蛍光の量子収率、φfは次式で定義される。
【００４９】φf＝ ｋf・τs
励起三重項状態から基底状態へは無輻射遷移と燐光放出
によりそれぞれ、速度定数、ｋtn、ｋpで失活する。ま
た、励起三重項状態の寿命、τtは次式で定義される。
によりそれぞれ、速度定数、ｋtn、ｋpで失活する。ま
た、励起三重項状態の寿命、τtは次式で定義される。
【００５０】τt＝（ｋtn＋ｋp）-1
τtは１０-6〜１０-3秒であり、長いものは数秒に及ぶ
場合もある。そして、燐光の量子収率、φpは励起三重
項状態の生成の量子収率、φSTを用いて次のように定義
される。
場合もある。そして、燐光の量子収率、φpは励起三重
項状態の生成の量子収率、φSTを用いて次のように定義
される。
【００５１】φp＝φST・ｋp・τt
上記パラメータは、第４版実験化学講座７の分光IIの３
９８ページ（１９９２年版、丸善）に記載の方法により
測定することが出来る。上記パラメータ中、燐光性化合
物の溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定
できるが、本発明においては溶媒としてテトラヒドロフ
ランを用いて測定を行ったものである。
９８ページ（１９９２年版、丸善）に記載の方法により
測定することが出来る。上記パラメータ中、燐光性化合
物の溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定
できるが、本発明においては溶媒としてテトラヒドロフ
ランを用いて測定を行ったものである。
【００５２】本発明における置換基の立体パラメータＥ
ｓとは、Ｔａｆｔによって定義された置換基定数であ
り、例えば「薬物の構造活性相関 化学の領域 増刊１
２２号南江堂社刊」に記載されている。特に本発明で言
うＥｓ値とは、水素原子を基準としたものであり、すな
わちＥｓ（Ｈ＝０）の値であり、メチル基を基準とした
Ｅｓ（ＣＨ3＝０）と定義したＥｓ値から１．２４差し
引いた値を示す。その代表的な値を表１に示す。
ｓとは、Ｔａｆｔによって定義された置換基定数であ
り、例えば「薬物の構造活性相関 化学の領域 増刊１
２２号南江堂社刊」に記載されている。特に本発明で言
うＥｓ値とは、水素原子を基準としたものであり、すな
わちＥｓ（Ｈ＝０）の値であり、メチル基を基準とした
Ｅｓ（ＣＨ3＝０）と定義したＥｓ値から１．２４差し
引いた値を示す。その代表的な値を表１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】以下、発光層について説明する。ここでい
う発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極
に電流を流した際に発光する層のことを指す。具体的に
は、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光す
る蛍光性化合物を含有する層のことを指す。通常、エレ
クトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は一対の電極の
間に発光層を挟持した構造をとる。本発明の有機ＥＬ素
子は、必要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送
層、陽極バッファー層および陰極バッファー層等を有
し、陰極と陽極で挟持された構造をとる。
う発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極
に電流を流した際に発光する層のことを指す。具体的に
は、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光す
る蛍光性化合物を含有する層のことを指す。通常、エレ
クトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は一対の電極の
間に発光層を挟持した構造をとる。本発明の有機ＥＬ素
子は、必要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送
層、陽極バッファー層および陰極バッファー層等を有
し、陰極と陽極で挟持された構造をとる。
【００５５】具体的には、
（ｉ）陽極／発光層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（iii）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／
電子輸送層／陰極バッファー層／陰極などで示される構
造がある。
電子輸送層／陰極バッファー層／陰極などで示される構
造がある。
【００５６】上記化合物を用いて発光層を形成する方法
としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、ＬＢ法などの公知の方法により薄膜を形成する方法
があるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここ
で、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことである。通常、この
分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分子累積
膜）と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機
能的な相違により区別することができる。
としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、ＬＢ法などの公知の方法により薄膜を形成する方法
があるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここ
で、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことである。通常、この
分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分子累積
膜）と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機
能的な相違により区別することができる。
【００５７】また、この発光層は、特開昭５７−５１７
８１号に記載されているように、樹脂などの結着材と共
に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とし
たのち、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜
形成することにより得ることができる。
８１号に記載されているように、樹脂などの結着材と共
に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とし
たのち、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜
形成することにより得ることができる。
【００５８】このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【００５９】ここで、本発明に記載の燐光性化合物は、
具体的には、重金属錯体系化合物であり、好ましくは元
素の周期律表でVIII属の金属を中心金属とする錯体系化
合物であり、さらに好ましくは、オスミウム、イリジウ
ムまたは白金錯体系化合物である。
具体的には、重金属錯体系化合物であり、好ましくは元
素の周期律表でVIII属の金属を中心金属とする錯体系化
合物であり、さらに好ましくは、オスミウム、イリジウ
ムまたは白金錯体系化合物である。
【００６０】これらの燐光性化合物としては、前記のよ
うに燐光量子収率が、２５℃において０．００１以上で
ある他、前記ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極大波長
よりも長い燐光発光極大波長を有するものであり、これ
により、例えば、ホストとなる蛍光性化合物の発光極大
波長より長波の燐光性化合物をもちいて燐光性化合物の
発光、即ち三重項状態を利用した、ホスト化合物の蛍光
極大波長よりも長波において電界発光するＥＬ素子を得
ることができる。従って、用いられる燐光性化合物の燐
光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、
原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選
択することで得られる発光波長を変化させることができ
る。
うに燐光量子収率が、２５℃において０．００１以上で
ある他、前記ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極大波長
よりも長い燐光発光極大波長を有するものであり、これ
により、例えば、ホストとなる蛍光性化合物の発光極大
波長より長波の燐光性化合物をもちいて燐光性化合物の
発光、即ち三重項状態を利用した、ホスト化合物の蛍光
極大波長よりも長波において電界発光するＥＬ素子を得
ることができる。従って、用いられる燐光性化合物の燐
光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、
原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選
択することで得られる発光波長を変化させることができ
る。
【００６１】例えば、３５０ｎｍ〜４４０ｎｍの領域に
蛍光極大波長を有する蛍光性化合物をホスト化合物とし
て用い、例えば、緑の領域に燐光をもったイリジウム錯
体を用いる事で緑領域に電界発光する有機ＥＬ素子を得
ることが出来る。
蛍光極大波長を有する蛍光性化合物をホスト化合物とし
て用い、例えば、緑の領域に燐光をもったイリジウム錯
体を用いる事で緑領域に電界発光する有機ＥＬ素子を得
ることが出来る。
【００６２】以下に、本発明で用いられる燐光性化合物
の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４
０巻、１７０４−１７１１に記載の方法等により合成で
きる。
の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４
０巻、１７０４−１７１１に記載の方法等により合成で
きる。
【００６３】
【化６】
【００６４】
【化７】
【００６５】
【化８】
【００６６】また、別の形態では、ホスト化合物として
の蛍光性化合物（Ａ）と燐光性化合物の他に、燐光性化
合物からの発光の極大波長よりも長波な領域に、蛍光極
大波長を有するもう一つの蛍光性化合物（Ｂ）を少なく
とも１種含有する場合もある。この場合、蛍光性化合物
（Ａ）と燐光性化合物からのエネルギー移動で、有機Ｅ
Ｌ素子としての電界発光は蛍光性化合物（Ｂ）からの発
光が得られる。蛍光性化合物（Ｂ）として好ましいの
は、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここ
で、蛍光量子収率は１０％以上、特に３０％以上が好ま
しい。具体的には、クマリン系色素，ピラン系色素，シ
アニン系色素，クロコニウム系色素，スクアリウム系色
素，オキソベンツアントラセン系色素，フルオレセイン
系色素，ローダミン系色素，ピリリウム系色素，ペリレ
ン系色素，スチルベン系色素，ポリチオフェン系色素、
または、希土類錯体系蛍光体などが挙げられる。
の蛍光性化合物（Ａ）と燐光性化合物の他に、燐光性化
合物からの発光の極大波長よりも長波な領域に、蛍光極
大波長を有するもう一つの蛍光性化合物（Ｂ）を少なく
とも１種含有する場合もある。この場合、蛍光性化合物
（Ａ）と燐光性化合物からのエネルギー移動で、有機Ｅ
Ｌ素子としての電界発光は蛍光性化合物（Ｂ）からの発
光が得られる。蛍光性化合物（Ｂ）として好ましいの
は、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここ
で、蛍光量子収率は１０％以上、特に３０％以上が好ま
しい。具体的には、クマリン系色素，ピラン系色素，シ
アニン系色素，クロコニウム系色素，スクアリウム系色
素，オキソベンツアントラセン系色素，フルオレセイン
系色素，ローダミン系色素，ピリリウム系色素，ペリレ
ン系色素，スチルベン系色素，ポリチオフェン系色素、
または、希土類錯体系蛍光体などが挙げられる。
【００６７】ここでの蛍光量子収率も、前記第４版実験
化学講座７の分光IIの３６２ページ（１９９２年版、丸
善）に記載の方法により測定することが出来、本発明に
おいては、テトラヒドロフラン中で測定する。
化学講座７の分光IIの３６２ページ（１９９２年版、丸
善）に記載の方法により測定することが出来、本発明に
おいては、テトラヒドロフラン中で測定する。
【００６８】本発明に用いる蛍光性化合物は、蛍光性化
合物分子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が
０以上０．０５以下である化合物をホスト化合物として
燐光性化合物と併用することが好ましい。これにより、
より発光輝度が高く、発光寿命にも優れた有機ＥＬ素子
を提供することができるが、別の観点からみると、本発
明においては燐光性化合物と組み合わせて用いるホスト
化合物として、前記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化
合物を用いることが有用である。
合物分子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が
０以上０．０５以下である化合物をホスト化合物として
燐光性化合物と併用することが好ましい。これにより、
より発光輝度が高く、発光寿命にも優れた有機ＥＬ素子
を提供することができるが、別の観点からみると、本発
明においては燐光性化合物と組み合わせて用いるホスト
化合物として、前記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化
合物を用いることが有用である。
【００６９】以下に、本発明における一般式（Ｉ）〜
（Ｖ）で表される化合物について詳しく説明する。
（Ｖ）で表される化合物について詳しく説明する。
【００７０】前記一般式（Ｉ）において、ｎは０から３
の整数を表し、Ｒ1及びＲ2は各々、置換基を表し、置換
基として好ましくは、アルキル基（メチル、エチル、ｉ
−プロピル、ヒドロキシエチル、メトキシメチル、トリ
フルオロメチル、ｔ−ブチル等）、ハロゲン原子（弗
素、塩素等）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、ｉ
−プロポキシ、ブトキシ等）が挙げられる。Ａｒは置換
基を有していても良い芳香族炭化水素環又は芳香族複素
環基を表し、好ましくはナフチル、ビナフチル、キノリ
ル、イソキノリル、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダ
ゾリル等を表す。ｎが２以上の整数を表すとき、複数の
Ｒ1、Ｒ2は同一であっても異なっていてもよい。
の整数を表し、Ｒ1及びＲ2は各々、置換基を表し、置換
基として好ましくは、アルキル基（メチル、エチル、ｉ
−プロピル、ヒドロキシエチル、メトキシメチル、トリ
フルオロメチル、ｔ−ブチル等）、ハロゲン原子（弗
素、塩素等）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、ｉ
−プロポキシ、ブトキシ等）が挙げられる。Ａｒは置換
基を有していても良い芳香族炭化水素環又は芳香族複素
環基を表し、好ましくはナフチル、ビナフチル、キノリ
ル、イソキノリル、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダ
ゾリル等を表す。ｎが２以上の整数を表すとき、複数の
Ｒ1、Ｒ2は同一であっても異なっていてもよい。
【００７１】一般式（II）においてｎ４、ｎ５及びｎ６
は各々０から７の整数を表す。一つ又は複数のＲ6、Ｒ7
及びＲ8は各々アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン、アルコキシ基、アリールオキシ基、複
素環基の中から選ばれる置換基を表し、メチル基、ナフ
チル基が特に好ましい。
は各々０から７の整数を表す。一つ又は複数のＲ6、Ｒ7
及びＲ8は各々アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン、アルコキシ基、アリールオキシ基、複
素環基の中から選ばれる置換基を表し、メチル基、ナフ
チル基が特に好ましい。
【００７２】ｎ４〜ｎ６が２以上の整数を表すとき、複
数のＲ6〜Ｒ8は同一であっても異なっていてもよい。
数のＲ6〜Ｒ8は同一であっても異なっていてもよい。
【００７３】一般式（III）において、Ｒ11〜Ｒ16、Ｘ1
〜Ｘ9は水素原子又は置換基を表し、それぞれ異なって
いても同一でも良い。Ｒ11〜Ｒ16で表される基として
は、好ましくは、アルキル基（例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチ
ル基等）が挙げられる。ただし、Ｒ11〜Ｒ16のそれぞれ
の立体パラメータＥｓR11〜ＥｓR16値の合計値は、Ｅｓ
R11＋ＥｓR12＋ＥｓR13＋ＥｓR14＋ＥｓR15＋ＥｓR16≦
−２．０を満たす。尚、互いに隣接する置換基同士は縮
合して環構造を形成していてもよい。Ｘ1〜Ｘ9で表され
る置換基としてはアルキル基、アリール基、複素環基、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基等が好ましく、
特にＸ2、Ｘ5、Ｘ8はアリール基又はアミノ基（特にジ
アリールアミノ基）であることがさらに好ましい。
〜Ｘ9は水素原子又は置換基を表し、それぞれ異なって
いても同一でも良い。Ｒ11〜Ｒ16で表される基として
は、好ましくは、アルキル基（例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチ
ル基等）が挙げられる。ただし、Ｒ11〜Ｒ16のそれぞれ
の立体パラメータＥｓR11〜ＥｓR16値の合計値は、Ｅｓ
R11＋ＥｓR12＋ＥｓR13＋ＥｓR14＋ＥｓR15＋ＥｓR16≦
−２．０を満たす。尚、互いに隣接する置換基同士は縮
合して環構造を形成していてもよい。Ｘ1〜Ｘ9で表され
る置換基としてはアルキル基、アリール基、複素環基、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基等が好ましく、
特にＸ2、Ｘ5、Ｘ8はアリール基又はアミノ基（特にジ
アリールアミノ基）であることがさらに好ましい。
【００７４】一般式（IV）において、Ｒ101〜Ｒ128はそ
れぞれ水素原子、または、置換基を表し、Ｒ101〜Ｒ104
の少なくとも一つは置換基を表す。Ｒ101〜Ｒ128が置換
基を表す場合、その置換として好ましくは、アルキル基
（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロ
キシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル
基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基
等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル
基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニ
ル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル
基等）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキ
シ基（例えばフェノキシ基等）、アリールアミノ基（例
えば、ジフェニルアミノ基等）等が挙げられる。これら
の基はさらに置換されていてもよく、前記置換基として
は、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、
アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。
れぞれ水素原子、または、置換基を表し、Ｒ101〜Ｒ104
の少なくとも一つは置換基を表す。Ｒ101〜Ｒ128が置換
基を表す場合、その置換として好ましくは、アルキル基
（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロ
キシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル
基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基
等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル
基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニ
ル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル
基等）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキ
シ基（例えばフェノキシ基等）、アリールアミノ基（例
えば、ジフェニルアミノ基等）等が挙げられる。これら
の基はさらに置換されていてもよく、前記置換基として
は、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、
アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。
【００７５】一般式（IV）において、Ｒ101〜Ｒ104の置
換基としては、アルキル基が好ましく、中でも、Ｒ101
〜Ｒ104のいずれか２つ、または、４つがメチル基であ
ることがもっとも好ましい。
換基としては、アルキル基が好ましく、中でも、Ｒ101
〜Ｒ104のいずれか２つ、または、４つがメチル基であ
ることがもっとも好ましい。
【００７６】一般式（V）において、Ｒ201〜Ｒ206はそ
れぞれ水素原子、または、置換基を表す。Ｒ201〜Ｒ206
が置換基を表す場合、その置換基としては前記Ｒ101〜
Ｒ128の例で挙げられている置換基が好ましい。さらに
好ましくは、アリール基、または、置換アリール基であ
り、最も好ましくはフェニル基または、置換フェニル基
である。
れぞれ水素原子、または、置換基を表す。Ｒ201〜Ｒ206
が置換基を表す場合、その置換基としては前記Ｒ101〜
Ｒ128の例で挙げられている置換基が好ましい。さらに
好ましくは、アリール基、または、置換アリール基であ
り、最も好ましくはフェニル基または、置換フェニル基
である。
【００７７】一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物の
中でも、分子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／
Ｃ）が０．０５以下であることが好ましく、分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０．０３以下で
あることが最も好ましい。
中でも、分子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／
Ｃ）が０．０５以下であることが好ましく、分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０．０３以下で
あることが最も好ましい。
【００７８】以下に、本発明における一般式（Ｉ）〜
（Ｖ）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限
定されるものではない。
（Ｖ）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限
定されるものではない。
【００７９】
【化９】
【００８０】
【化１０】
【００８１】
【化１１】
【００８２】
【化１２】
【００８３】
【化１３】
【００８４】
【化１４】
【００８５】
【化１５】
【００８６】
【化１６】
【００８７】
【化１７】
【００８８】
【化１８】
【００８９】
【化１９】
【００９０】
【化２０】
【００９１】
【化２１】
【００９２】
【化２２】
【００９３】
【化２３】
【００９４】
【化２４】
【００９５】
【化２５】
【００９６】
【化２６】
【００９７】
【化２７】
【００９８】
【化２８】
【００９９】
【化２９】
【０１００】
【化３０】
【０１０１】
【化３１】
【０１０２】
【化３２】
【０１０３】
【化３３】
【０１０４】
【化３４】
【０１０５】
【化３５】
【０１０６】
【化３６】
【０１０７】
【化３７】
【０１０８】
【化３８】
【０１０９】又、本発明に用いることのできる分子中の
窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上０．０
５以下である蛍光性化合物としては、前記一般式（Ｉ）
〜（Ｖ）で表される化合物の他にも以下の様な化合物が
あげられる。
窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上０．０
５以下である蛍光性化合物としては、前記一般式（Ｉ）
〜（Ｖ）で表される化合物の他にも以下の様な化合物が
あげられる。
【０１１０】
【化３９】
【０１１１】本明細書の蛍光性化合物が発光する色は、
「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京
大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６におい
て、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）で測
定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決
定される。
「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京
大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６におい
て、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）で測
定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決
定される。
【０１１２】一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物
は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いことから、有機エレ
クトロルミネッセンス素子の材料としての熱安定性も十
分にある。Ｔｇは１００度以上であることが好ましい。
は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いことから、有機エレ
クトロルミネッセンス素子の材料としての熱安定性も十
分にある。Ｔｇは１００度以上であることが好ましい。
【０１１３】一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物の
分子量は６００以上５０００以下であることが好まし
い。この範囲内の分子量であると発光層を真空蒸着法に
より容易に作製することができ、有機ＥＬ素子の製造が
容易になる。さらに、有機ＥＬ素子中における蛍光性化
合物の熱安定性もよくなる。
分子量は６００以上５０００以下であることが好まし
い。この範囲内の分子量であると発光層を真空蒸着法に
より容易に作製することができ、有機ＥＬ素子の製造が
容易になる。さらに、有機ＥＬ素子中における蛍光性化
合物の熱安定性もよくなる。
【０１１４】次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入
層、電子輸送層等発光層と組み合わせてＥＬ素子を構成
するその他の層について説明する。
層、電子輸送層等発光層と組み合わせてＥＬ素子を構成
するその他の層について説明する。
【０１１５】正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入
された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注
入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層
内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の
優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料
（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という）について
は、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する
機能を有する性質をもつものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。
された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注
入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層
内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の
優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料
（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という）について
は、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する
機能を有する性質をもつものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。
【０１１６】上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物，無機物のいずれであってもよい。
この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリ
アゾール誘導体，オキサジアゾール誘導体，イミダゾー
ル誘導体，ポリアリールアルカン誘導体，ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体，フェニレンジアミン誘導
体，アリールアミン誘導体，アミノ置換カルコン誘導
体，オキサゾール誘導体，スチリルアントラセン誘導
体，フルオレノン誘導体，ヒドラゾン誘導体，スチルベ
ン誘導体，シラザン誘導体，アニリン系共重合体、ま
た、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマ
ーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物，無機物のいずれであってもよい。
この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリ
アゾール誘導体，オキサジアゾール誘導体，イミダゾー
ル誘導体，ポリアリールアルカン誘導体，ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体，フェニレンジアミン誘導
体，アリールアミン誘導体，アミノ置換カルコン誘導
体，オキサゾール誘導体，スチリルアントラセン誘導
体，フルオレノン誘導体，ヒドラゾン誘導体，スチルベ
ン誘導体，シラザン誘導体，アニリン系共重合体、ま
た、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマ
ーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
【０１１７】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン
（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェ
ニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書
に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４
−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴ
Ａ）などが挙げられる。
ルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン
（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェ
ニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書
に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４
−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴ
Ａ）などが挙げられる。
【０１１８】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【０１１９】また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣなどの無
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正
孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法によ
り、薄膜化することにより形成することができる。正孔
注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はない
が、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入
層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からな
る一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複
数層からなる積層構造であってもよい。
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正
孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法によ
り、薄膜化することにより形成することができる。正孔
注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はない
が、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入
層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からな
る一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複
数層からなる積層構造であってもよい。
【０１２０】さらに、必要に応じて用いられる電子輸送
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１２１】この電子輸送層に用いられる材料（以下、
電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として
用いることができる。
電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として
用いることができる。
【０１２２】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【０１２３】また、８−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノ
ール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−
キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８
−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−
８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノ
ール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂ
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材
料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送
層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導
体も電子輸送材料として用いることができる。
体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノ
ール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−
キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８
−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−
８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノ
ール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂ
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材
料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送
層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導
体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１２４】この電子輸送層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法など
の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法など
の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１２５】又、本発明においては、蛍光性化合物は発
光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔
輸送層、または電子輸送層に前記燐光性化合物のホスト
化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長を
有する蛍光性化合物を少なくとも１種含有させてもよ
く、それにより更にＥＬ素子の発光効率を高めることが
できる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される
蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様
に蛍光極大波長が３５０ｎｍから４４０ｎｍ、更に好ま
しくは３９０ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲にある蛍光性化合
物が用いられる。
光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔
輸送層、または電子輸送層に前記燐光性化合物のホスト
化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長を
有する蛍光性化合物を少なくとも１種含有させてもよ
く、それにより更にＥＬ素子の発光効率を高めることが
できる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される
蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様
に蛍光極大波長が３５０ｎｍから４４０ｎｍ、更に好ま
しくは３９０ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲にある蛍光性化合
物が用いられる。
【０１２６】本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられ
る基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
る基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
【０１２７】光透過性プラスチックフィルムとしては、
例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルロー
ストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプ
ロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げら
れる。
例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルロー
ストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプ
ロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げら
れる。
【０１２８】次に、該有機ＥＬ素子を作製する好適な例
を説明する。例として、前記の陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からな
るＥＬ素子の作製法について説明する。
を説明する。例として、前記の陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からな
るＥＬ素子の作製法について説明する。
【０１２９】まず適当な基板上に、所望の電極用物質、
例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好まし
くは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作
製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層からなる薄
膜を形成させる。
例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好まし
くは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作
製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層からなる薄
膜を形成させる。
【０１３０】さらに、陽極と発光層または正孔注入層の
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。
【０１３１】バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１
１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２
章「電極材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記
載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層と
がある。
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１
１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２
章「電極材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記
載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層と
がある。
【０１３２】陽極バッファー層は、特開平９−４５４７
９号、同９−２６００６２号、同８−２８８０６９号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラ
ルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
９号、同９−２６００６２号、同８−２８８０６９号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラ
ルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
【０１３３】陰極バッファー層は、特開平６−３２５８
７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【０１３４】上記バッファー層はごく薄い膜であること
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１０
０ｎｍの範囲が好ましい。
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１０
０ｎｍの範囲が好ましい。
【０１３５】さらに上記基本構成層の他に必要に応じて
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号、お
よび「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１
１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁
等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層など
のような機能層を有していても良い。
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号、お
よび「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１
１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁
等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層など
のような機能層を有していても良い。
【０１３６】バッファー層は、陰極バッファー層または
陽極バッファー層の少なくとも何れか１つの層内に本発
明の化合物の少なくとも１種が存在して、発光層として
機能してもよい。
陽極バッファー層の少なくとも何れか１つの層内に本発
明の化合物の少なくとも１種が存在して、発光層として
機能してもよい。
【０１３７】次に有機ＥＬ素子の電極について説明す
る。有機ＥＬ素子の電極は、陰極と陽極からなる。
る。有機ＥＬ素子の電極は、陰極と陽極からなる。
【０１３８】この有機ＥＬ素子における陽極としては、
仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はＡｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド
（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が
挙げられる。
仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はＡｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド
（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が
挙げられる。
【０１３９】上記陽極は、蒸着やスパッタリングなどの
方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれ
る。
方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれ
る。
【０１４０】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウ
ム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニ
ウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム
／アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下
が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは
５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過
させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一
方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上するので
好都合である。
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウ
ム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニ
ウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム
／アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下
が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは
５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過
させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一
方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上するので
好都合である。
【０１４１】次に有機ＥＬ素子の作製方法について説明
する。薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート
法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に、真空蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空
度１０-6〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／
秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの
範囲で適宜選ぶことが望ましい。
する。薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート
法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に、真空蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空
度１０-6〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／
秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの
範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０１４２】前記の様に、適当な基板上に、所望の電極
用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ
て陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層から
なる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質から
なる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作
製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層か
ら陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にし
て、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順
に作製することも可能である。このようにして得られた
有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を
＋、陰極を−の極性として電圧５〜４０Ｖ程度を印加す
ると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ
て陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層から
なる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質から
なる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作
製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層か
ら陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にし
て、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順
に作製することも可能である。このようにして得られた
有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を
＋、陰極を−の極性として電圧５〜４０Ｖ程度を印加す
ると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
【０１４３】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
【０１４４】実施例１
エレクトロルミネッセンス素子Ｎｏ．１−１〜１−２２
を以下のように作製した。
を以下のように作製した。
【０１４５】〈有機ＥＬ素子の作製〉陽極として１００
ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
（インジウムチンオキシド）を１５０ｎｍ成膜した基板
（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを
行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。
ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
（インジウムチンオキシド）を１５０ｎｍ成膜した基板
（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを
行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。
【０１４６】この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣ）
を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに
Ｉｒ−１（燐光性化合物）を１００ｍｇ入れ、さらに別
のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ3を２００ｍｇ
入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４×
１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加
熱ボートに通電して、２２０℃まで加熱し、蒸着速度
０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着し、膜厚４５
ｎｍの正孔輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰとＩｒ−１
の入った前記加熱ボートに通電して２２０℃まで加熱
し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１ｎ
ｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚２０ｎ
ｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温で
あった。さらに、ＢＣの入った前記加熱ボートに通電し
て２５０℃まで加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで
前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止の役
割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａ
ｌｑ3の入った前記加熱ボートに通電して２５０℃まで
加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層
の上に蒸着して更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設け
た。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣ）
を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに
Ｉｒ−１（燐光性化合物）を１００ｍｇ入れ、さらに別
のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ3を２００ｍｇ
入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４×
１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加
熱ボートに通電して、２２０℃まで加熱し、蒸着速度
０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着し、膜厚４５
ｎｍの正孔輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰとＩｒ−１
の入った前記加熱ボートに通電して２２０℃まで加熱
し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１ｎ
ｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚２０ｎ
ｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温で
あった。さらに、ＢＣの入った前記加熱ボートに通電し
て２５０℃まで加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで
前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止の役
割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａ
ｌｑ3の入った前記加熱ボートに通電して２５０℃まで
加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層
の上に蒸着して更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設け
た。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
【０１４７】次に、真空槽をあけ、電子輸送層の上にス
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム３ｇを入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ入
れ、再び真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５〜２．
０ｎｍ／ｓｅｃでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅ
ｃで銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から
なる対向電極とすることにより、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１
−１（比較用）を作製した。
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム３ｇを入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ入
れ、再び真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５〜２．
０ｎｍ／ｓｅｃでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅ
ｃで銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から
なる対向電極とすることにより、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１
−１（比較用）を作製した。
【０１４８】上記において、発光層のＣＢＰ、燐光性化
合物を表２にしめす化合物に置き換えた以外は全く同じ
方法で、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−２〜１−２２を作製し
た。
合物を表２にしめす化合物に置き換えた以外は全く同じ
方法で、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−２〜１−２２を作製し
た。
【０１４９】上記で使用した化合物の構造を以下に示
す。
す。
【０１５０】
【化４０】
【０１５１】〈有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜１−２２の
発光輝度および発光寿命の評価〉有機ＥＬ素子Ｎｏ．１
−１では、初期駆動電圧３Ｖで電流が流れ始め、発光層
のドーパントである燐光性化合物からの発光を示した。
有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１の温度２３℃、乾燥窒素ガス
雰囲気下で９Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度をミノ
ルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定し、この値を１００
としたときの有機ＥＬ素子各試料それぞれの発光輝度の
比の値（相対値）を表２に示す。
発光輝度および発光寿命の評価〉有機ＥＬ素子Ｎｏ．１
−１では、初期駆動電圧３Ｖで電流が流れ始め、発光層
のドーパントである燐光性化合物からの発光を示した。
有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１の温度２３℃、乾燥窒素ガス
雰囲気下で９Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度をミノ
ルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定し、この値を１００
としたときの有機ＥＬ素子各試料それぞれの発光輝度の
比の値（相対値）を表２に示す。
【０１５２】
【表２】
【０１５３】表２から明らかなように、本発明の化合物
を発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子は、発
光輝度が高いことから、有機ＥＬ素子として非常に有用
であることが判明し、以下の３点が明らかとなった。 （１）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下のホスト化合物を
用いた素子は発光輝度が高く、とりわけ、Ｎ／Ｃが０．
０３（３％）以下である場合は、さらに発光輝度が向上
している。 （２）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下でも、ホスト化合
物の蛍光極大波長が３５０〜４４０ｎｍの場合に発光輝
度が大きい。 （３）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下で、蛍光極大波長
が３５０〜４４０ｎｍで、分子量が６００以上という条
件が満たされている場合に、最も発光輝度が大きい。
を発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子は、発
光輝度が高いことから、有機ＥＬ素子として非常に有用
であることが判明し、以下の３点が明らかとなった。 （１）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下のホスト化合物を
用いた素子は発光輝度が高く、とりわけ、Ｎ／Ｃが０．
０３（３％）以下である場合は、さらに発光輝度が向上
している。 （２）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下でも、ホスト化合
物の蛍光極大波長が３５０〜４４０ｎｍの場合に発光輝
度が大きい。 （３）Ｎ／Ｃが０．０５（５％）以下で、蛍光極大波長
が３５０〜４４０ｎｍで、分子量が６００以上という条
件が満たされている場合に、最も発光輝度が大きい。
【０１５４】尚、Ｉｒ−１、２、３、５、８、９の燐光
性化合物の燐光量子収率は、２５℃テトラヒドロフラン
中で測定した結果、それぞれ、０．３６、０．３２、
０．２７、０．１２、０．３４、０．２１であった。
性化合物の燐光量子収率は、２５℃テトラヒドロフラン
中で測定した結果、それぞれ、０．３６、０．３２、
０．２７、０．１２、０．３４、０．２１であった。
【０１５５】また、ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極
大波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に１００ｎｍの
厚みで蒸着したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定し
た時の極大値である。
大波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に１００ｎｍの
厚みで蒸着したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定し
た時の極大値である。
【０１５６】実施例２
さらに、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜１−２２に対し
て、正孔輸送材料をα-ＮＰＤ（蛍光極大発光波長が４
５２ｎｍ）からｍ−ＭＴＤＡＴＸＡ（蛍光極大発光波長
が３９９ｎｍ）に置き換えた以外は、実施例１と全く同
様にして有機ＥＬ素子を作製したところ、発光輝度の向
上が見られた。
て、正孔輸送材料をα-ＮＰＤ（蛍光極大発光波長が４
５２ｎｍ）からｍ−ＭＴＤＡＴＸＡ（蛍光極大発光波長
が３９９ｎｍ）に置き換えた以外は、実施例１と全く同
様にして有機ＥＬ素子を作製したところ、発光輝度の向
上が見られた。
【０１５７】
【化４１】
【０１５８】実施例３
実施例１で作製した有機ＥＬ素子の陰極をＡｌに置き換
え、陰極と電子輸送層の間に陰極バッファー層として、
ＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着して陰極バッファー層を設けた
以外は、実施例１における有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜
１−２２と全く同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜
３−２２を作製した。実施例１と同様に発光輝度をミノ
ルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定したところ、有機Ｅ
Ｌ素子Ｎｏ．３−８は、前記有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−８
との相対比較で、発光輝度１４２となった。また、有機
ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜３−２２のうちのその他の素子
についても、同様に、陰極バッファー層の導入が効果的
であった。
え、陰極と電子輸送層の間に陰極バッファー層として、
ＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着して陰極バッファー層を設けた
以外は、実施例１における有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜
１−２２と全く同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜
３−２２を作製した。実施例１と同様に発光輝度をミノ
ルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定したところ、有機Ｅ
Ｌ素子Ｎｏ．３−８は、前記有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−８
との相対比較で、発光輝度１４２となった。また、有機
ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜３−２２のうちのその他の素子
についても、同様に、陰極バッファー層の導入が効果的
であった。
【０１５９】実施例４
実施例１における有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１、１−８に
おいて燐光性化合物をＩｒ−１からそれぞれＰｔ−３
（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエ
チル−２１Ｈ−２３Ｈ−ポルフィンプラチナム（II）
（ＰｔＯＥＰ）；ポルフィリンプロダクツ株式会社製）
に置き換えた以外は、実施例１と全く同様にして有機エ
レクトロルミネッセンス素子Ｎｏ．４−１、４−２を作
製した。
おいて燐光性化合物をＩｒ−１からそれぞれＰｔ−３
（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエ
チル−２１Ｈ−２３Ｈ−ポルフィンプラチナム（II）
（ＰｔＯＥＰ）；ポルフィリンプロダクツ株式会社製）
に置き換えた以外は、実施例１と全く同様にして有機エ
レクトロルミネッセンス素子Ｎｏ．４−１、４−２を作
製した。
【０１６０】また、同様に実施例１における有機ＥＬ素
子Ｎｏ．１−１、１−７において燐光性化合物をＩｒ−
１からそれぞれＰｔ−２に置き換えた以外は、実施例１
と全く同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子Ｎ
ｏ．４−３、４−４を作製した。
子Ｎｏ．１−１、１−７において燐光性化合物をＩｒ−
１からそれぞれＰｔ−２に置き換えた以外は、実施例１
と全く同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子Ｎ
ｏ．４−３、４−４を作製した。
【０１６１】これらの有機ＥＬ素子の発光輝度を測定し
た。その結果、本発明の化合物を用いた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光輝度の改善が確認さ
れた。
た。その結果、本発明の化合物を用いた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光輝度の改善が確認さ
れた。
【０１６２】なお、Ｐｔ−３を用いた場合は赤色の発光
が得られ、Ｐｔ−２を用いた場合は青色の発光が得られ
た。
が得られ、Ｐｔ−２を用いた場合は青色の発光が得られ
た。
【０１６３】実施例５
実施例１において、発光層の構成を蛍光性化合物（７）
と１質量％のＤＣＭ２の層（発光層Ａ）を１ｎｍ、
（７）と１０質量％のＩｒ−１の層（発光層Ｂ）を１ｎ
ｍそれぞれを交互に５層積層（合計１０ｎｍ）したもの
に変更した以外は、実施例１と同様にして本発明の有機
ＥＬ素子Ｎｏ．５−１を作製した。
と１質量％のＤＣＭ２の層（発光層Ａ）を１ｎｍ、
（７）と１０質量％のＩｒ−１の層（発光層Ｂ）を１ｎ
ｍそれぞれを交互に５層積層（合計１０ｎｍ）したもの
に変更した以外は、実施例１と同様にして本発明の有機
ＥＬ素子Ｎｏ．５−１を作製した。
【０１６４】
【化４２】
【０１６５】有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−１においてＤＣＭ
２からの発光が５９０ｎｍに観測された。
２からの発光が５９０ｎｍに観測された。
【０１６６】上記蛍光性化合物（７）をＣＢＰに置き換
えた以外有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−１と全く同様にして比
較の有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−２を作製した。有機ＥＬ素
子Ｎｏ．５−２からもＤＣＭ２からの発光が５９０ｎｍ
に観測されたが、発光輝度は蛍光性化合物（７）を使用
した場合の０．６０倍であり本発明の構成の方が高輝度
の点で有利であることが分かった。
えた以外有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−１と全く同様にして比
較の有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−２を作製した。有機ＥＬ素
子Ｎｏ．５−２からもＤＣＭ２からの発光が５９０ｎｍ
に観測されたが、発光輝度は蛍光性化合物（７）を使用
した場合の０．６０倍であり本発明の構成の方が高輝度
の点で有利であることが分かった。
【０１６７】実施例６
実施例１および４で作製したそれぞれ赤色、緑色、青色
発光有機エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に
並置し、図１に示すアクティブマトリクス方式フルカラ
ー表示装置を作製した。
発光有機エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に
並置し、図１に示すアクティブマトリクス方式フルカラ
ー表示装置を作製した。
【０１６８】図１には作製したフルカラー表示装置の表
示部の模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の
走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数
の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青
領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数の
データ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５と
データ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３
に接続している（詳細は図示せず）。前記複数画素３
は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラン
ジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式
で駆動されており、走査線５から走査信号が印加される
と、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取
った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、
青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表
示が可能となる。
示部の模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の
走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数
の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青
領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数の
データ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５と
データ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３
に接続している（詳細は図示せず）。前記複数画素３
は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラン
ジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式
で駆動されており、走査線５から走査信号が印加される
と、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取
った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、
青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表
示が可能となる。
【０１６９】該フルカラー表示装置を駆動することによ
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
【０１７０】実施例７
実施例１の有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１と同様にして、発
光層の化合物、燐光性化合物を表３に示す化合物に置き
換えた以外は全く同じ方法で、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７−
１〜７−２２を作製した。
光層の化合物、燐光性化合物を表３に示す化合物に置き
換えた以外は全く同じ方法で、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７−
１〜７−２２を作製した。
【０１７１】各有機ＥＬ素子の温度２３℃で、乾燥窒素
ガス雰囲気下で９Ｖの直流電圧を印加した時の発光輝度
の半減する時間（発光寿命）を測定し有機ＥＬ素子Ｎ
ｏ．７−１を１００とした時の相対値で表した。発光輝
度［ｃｄ／ｍ2］については、ミノルタ製ＣＳ−１００
０を用いて測定した。
ガス雰囲気下で９Ｖの直流電圧を印加した時の発光輝度
の半減する時間（発光寿命）を測定し有機ＥＬ素子Ｎ
ｏ．７−１を１００とした時の相対値で表した。発光輝
度［ｃｄ／ｍ2］については、ミノルタ製ＣＳ−１００
０を用いて測定した。
【０１７２】
【表３】
【０１７３】
【化４３】
【０１７４】表３から明らかなように、本発明のＮ／Ｃ
が０より大で０．０５未満のホスト化合物、特にＮ／Ｃ
が０より大で０．０３以下のホスト化合物を発光層に用
いたエレクトロルミネッセンス素子は、輝度の半減する
時間（発光寿命）が長いことから、有機ＥＬ素子として
非常に有用であることが判明した。
が０より大で０．０５未満のホスト化合物、特にＮ／Ｃ
が０より大で０．０３以下のホスト化合物を発光層に用
いたエレクトロルミネッセンス素子は、輝度の半減する
時間（発光寿命）が長いことから、有機ＥＬ素子として
非常に有用であることが判明した。
【０１７５】
【発明の効果】発光輝度に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子および該有機エレクトロルミネッセンス素
子を用いた低消費電力の表示装置が得られた。
ッセンス素子および該有機エレクトロルミネッセンス素
子を用いた低消費電力の表示装置が得られた。
【図１】アクティブマトリクス方式フルカラー表示装置
の表示部の模式図。
の表示部の模式図。
Ａ 表示部（ディスプレイ）
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｂ
Ｄ
(72)発明者 北 弘志
東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会
社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 DB03
Claims (24)
- 【請求項１】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０５以下であり、
かつ、素子となった状態での電界発光によって得られる
発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よりも
長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項２】 蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０以上０．０３以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項３】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、０．０
５未満であり、素子となった状態での電界発光によって
得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波
長よりも長波であることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項４】 蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が、０より大きく、かつ、０．
０３以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項５】 蛍光性化合物の蛍光極大波長が３５０ｎ
ｍから４４０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項６】 蛍光性化合物の分子量が６００以上であ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項７】 燐光性化合物の溶液中での燐光量子収率
が、２５℃において０．０１以上であることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。 - 【請求項８】 発光層に隣接した正孔輸送層、または電
子輸送層に少なくとも１種の蛍光性化合物が更に含有さ
れ、該蛍光性化合物の蛍光極大波長が、３５０ｎｍから
４４０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいず
れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項９】 蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が３９
０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴とする請求項１
〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項１０】 発光層、及び正孔輸送層または電子輸
送層に含有される蛍光性化合物の蛍光発光極大波長がそ
れぞれ３９０ｎｍから４１０ｎｍであることを特徴とす
る請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項１１】 陰極と発光層との間に少なくとも１層
の陰極バッファー層を有することを特徴とする請求項１
〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項１２】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 〔式中、Ｒ1及びＲ2は各々置換基を表し、Ａｒは置換基
を有していてもよい芳香族炭化水素環又は芳香族複素環
基を表し、ｎは０から３の整数を表す。〕 - 【請求項１３】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式（II）で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化２】 〔式中、一つ又は複数のＲ6、Ｒ7及びＲ8は各々アルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、ハロゲン、アル
コキシ基、アリールオキシ基、複素環基の中から選ばれ
る置換基を表し、ｎ４、ｎ５及びｎ６は各々０から７の
整数を表す。〕 - 【請求項１４】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式（III）で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 【化３】 〔式中、Ｒ11〜Ｒ16及びＸ1〜Ｘ9は水素原子又は置換基
を表し、それぞれ異なっていても同一でも良い。ただ
し、Ｒ11〜Ｒ16のそれぞれの立体パラメータＥｓR1 1〜
ＥｓR16値の合計値は、ＥｓR11＋ＥｓR12＋ＥｓR13＋Ｅ
ｓR14＋ＥｓR15＋ＥｓR16≦−２．０を満たす。〕 - 【請求項１５】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式（IV）で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化４】 〔式中、Ｒ101〜Ｒ128はそれぞれ水素原子、または、置
換基を表し、Ｒ101〜Ｒ1 04の少なくとも一つは置換基を
表す。〕 - 【請求項１６】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式（Ｖ）で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化５】 〔式中、Ｒ201〜Ｒ206はそれぞれ水素原子、または、置
換基を表す。〕 - 【請求項１７】 前記一般式（Ｉ）、（II）、（II
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０以上
０．０５以下であることを特徴とする請求項１２〜１６
のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項１８】 前記一般式（Ｉ）、（II）、（II
I）、（IV）または（Ｖ）で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比（Ｎ／Ｃ）が０より
大きく、かつ、０．０５未満であることを特徴とする請
求項１２〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。 - 【請求項１９】 燐光性化合物が、重金属錯体系化合物
であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２０】 燐光性化合物が、元素の周期律表にお
けるVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物である
ことを特徴とする請求項１９に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項２１】 燐光性化合物が、オスミウム、イリジ
ウム、または、白金錯体系化合物であることを特徴とす
る請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項２２】 燐光性化合物からの発光の極大波長よ
りも更に長波な領域に、蛍光極大波長を有する第２の蛍
光性化合物を少なくとも１種更に含有することを特徴と
する請求項１〜２１のいずれか１項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項２３】 請求項１〜２２のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。 - 【請求項２４】 請求項１〜２２のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子の、異なる極大波
長の発光を有する２種以上を同一基板上に並置している
ことを特徴とするフルカラー表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002171356A JP4082098B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びフルカラー表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-181543 | 2001-06-15 | ||
| JP2001181543 | 2001-06-15 | ||
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| JP2007304202A Division JP4962284B2 (ja) | 2001-06-15 | 2007-11-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003064355A true JP2003064355A (ja) | 2003-03-05 |
| JP4082098B2 JP4082098B2 (ja) | 2008-04-30 |
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| JP2002171356A Expired - Lifetime JP4082098B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びフルカラー表示装置 |
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