JP2003051384A - 発光装置の修理方法および作製方法 - Google Patents
発光装置の修理方法および作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機化合物層を成膜する際にピンホールが形
成されても良質な画像表示を行うことができる発光装置
の修理法であって、修理のさいにデバイスの汚染を防止
できる構成を提供する。 【解決手段】 有機発光素子に一定期間毎に逆バイアス
の電圧をかけることにより、逆バイアスの電圧をかけた
ときにＥＬ素子に流れる電流を小さくする。また、陰極
に含まれるＬｉ、Ｎａといった可動性の高いイオンを極
力含まないようにして、逆バイアスをかけたときのデバ
イスの汚染を防止する。このような陰極としてはＡｌＭ
ｇ、ＭｇＡｇが好ましい。
成されても良質な画像表示を行うことができる発光装置
の修理法であって、修理のさいにデバイスの汚染を防止
できる構成を提供する。 【解決手段】 有機発光素子に一定期間毎に逆バイアス
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ときにＥＬ素子に流れる電流を小さくする。また、陰極
に含まれるＬｉ、Ｎａといった可動性の高いイオンを極
力含まないようにして、逆バイアスをかけたときのデバ
イスの汚染を防止する。このような陰極としてはＡｌＭ
ｇ、ＭｇＡｇが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光装置の修理方
法、および途中の工程に前記修理方法を用いた発光装置
の作製方法に関する。より詳細には有機発光素子に逆バ
イアスを加える発光装置の修理方法および前記修理方法
を含む発光装置の作製方法に関する。
法、および途中の工程に前記修理方法を用いた発光装置
の作製方法に関する。より詳細には有機発光素子に逆バ
イアスを加える発光装置の修理方法および前記修理方法
を含む発光装置の作製方法に関する。
【０００２】発光装置とは、基板上に形成された有機発
光素子を該基板とカバー材の間に封入した有機発光ディ
スプレイや、該有機発光ディスプレイにＩＣを実装した
モジュールを総称する。
光素子を該基板とカバー材の間に封入した有機発光ディ
スプレイや、該有機発光ディスプレイにＩＣを実装した
モジュールを総称する。
【０００３】
【従来の技術】有機発光素子は自ら発光するため視認性
が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライト
が要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が
無い。そのため、近年、有機発光素子を用いた発光装置
はＣＲＴやＬＣＤに代わる電気光学装置として注目され
ている。
が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライト
が要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が
無い。そのため、近年、有機発光素子を用いた発光装置
はＣＲＴやＬＣＤに代わる電気光学装置として注目され
ている。
【０００４】有機発光素子は、電場を加えることで発生
するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られ
る有機化合物を含む層（以下、有機化合物層と記す）
と、陽極層と、陰極層とを有する。ルミネッセンスに
は、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍
光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リ
ン光）とがあるが、本発明の修理方法は、どちらの発光
を用いた発光装置にも適用可能である。
するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られ
る有機化合物を含む層（以下、有機化合物層と記す）
と、陽極層と、陰極層とを有する。ルミネッセンスに
は、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍
光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リ
ン光）とがあるが、本発明の修理方法は、どちらの発光
を用いた発光装置にも適用可能である。
【０００５】なお、本明細書では、陽極と陰極の間に設
けられた全ての層を有機化合物層と定義する。有機化合
物層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、
正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に有機発
光素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を
有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発
光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層
／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
けられた全ての層を有機化合物層と定義する。有機化合
物層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、
正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に有機発
光素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を
有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発
光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層
／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
【０００６】また本明細書において、有機発光素子が発
光することを、有機発光素子が駆動すると呼ぶ。また、
本明細書中では、陽極、有機化合物層及び陰極で形成さ
れる発光素子を有機発光素子と呼ぶ。
光することを、有機発光素子が駆動すると呼ぶ。また、
本明細書中では、陽極、有機化合物層及び陰極で形成さ
れる発光素子を有機発光素子と呼ぶ。
【０００７】有機発光素子は高い整流特性を有してお
り、陽極を陰極より高電位にすると、有機化合物層に電
流が流れ、キャリアの再結合による発光が起こる。逆
に、陽極を陰極より低電位にすると、有機化合物層には
ほとんど電流は流れない。このダイオード構造から有機
発光素子は有機発光ダイオード（Organic Light Emitti
ngDiode ： OLED）とも呼ばれている。
り、陽極を陰極より高電位にすると、有機化合物層に電
流が流れ、キャリアの再結合による発光が起こる。逆
に、陽極を陰極より低電位にすると、有機化合物層には
ほとんど電流は流れない。このダイオード構造から有機
発光素子は有機発光ダイオード（Organic Light Emitti
ngDiode ： OLED）とも呼ばれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般的に有機発光素子
は、陽極または陰極のいずれか一方の電極を形成した
後、該電極に接するように有機化合物層を形成し、該有
機化合物層に接するように陽極または陰極の残りの一方
を形成することで作られる。
は、陽極または陰極のいずれか一方の電極を形成した
後、該電極に接するように有機化合物層を形成し、該有
機化合物層に接するように陽極または陰極の残りの一方
を形成することで作られる。
【０００９】有機化合物層の成膜方法には、主に蒸着に
よる成膜方法と、スピンコートによる成膜方法とがあ
る。いずれの方法においても、電極及び有機化合物層を
成膜する際には、ゴミ等が基板に付着しないように、成
膜前に基板を洗浄したり、成膜を行うクリーンルーム内
の清浄度の管理を徹底する等の努力が行われている。
よる成膜方法と、スピンコートによる成膜方法とがあ
る。いずれの方法においても、電極及び有機化合物層を
成膜する際には、ゴミ等が基板に付着しないように、成
膜前に基板を洗浄したり、成膜を行うクリーンルーム内
の清浄度の管理を徹底する等の努力が行われている。
【００１０】しかし、上記努力にも関わらずゴミ等が電
極等に付着し、成膜した有機化合物層に穴（ピンホー
ル）が開いてしまう場合がある。図１２（Ａ）に２つの
電極２０１、２０２がショートした場合の有機発光素子
２００の断面図を簡単に示す。有機化合物層２０３にピ
ンホールが開くと、有機化合物層２０３上に電極２０２
を形成したとき、２つの電極２０１と２０２とが、ピン
ホールにおいて接続し、ショート（短絡）することがあ
る。なお以下、発光層を間に挟んで形成された２つの層
が、発光層に形成されたピンホールにおいて接触してい
る部分を欠陥部２０４と呼ぶ。
極等に付着し、成膜した有機化合物層に穴（ピンホー
ル）が開いてしまう場合がある。図１２（Ａ）に２つの
電極２０１、２０２がショートした場合の有機発光素子
２００の断面図を簡単に示す。有機化合物層２０３にピ
ンホールが開くと、有機化合物層２０３上に電極２０２
を形成したとき、２つの電極２０１と２０２とが、ピン
ホールにおいて接続し、ショート（短絡）することがあ
る。なお以下、発光層を間に挟んで形成された２つの層
が、発光層に形成されたピンホールにおいて接触してい
る部分を欠陥部２０４と呼ぶ。
【００１１】図１３（Ａ）に欠陥部がない有機発光素子
の電圧−電流特性を、図１３（Ｂ）に欠陥部においてシ
ョートしている有機発光素子の電圧−電流特性を示す。
の電圧−電流特性を、図１３（Ｂ）に欠陥部においてシ
ョートしている有機発光素子の電圧−電流特性を示す。
【００１２】図１３（Ａ）と図１３（Ｂ）を比較する
と、有機発光素子２００に逆バイアスの電圧を印加した
ときに有機発光素子２００に流れる電流は、図１３
（Ｂ）の場合のほうが大きい。
と、有機発光素子２００に逆バイアスの電圧を印加した
ときに有機発光素子２００に流れる電流は、図１３
（Ｂ）の場合のほうが大きい。
【００１３】これは、図１３（Ａ）と違って、図１３
（Ｂ）の場合は欠陥部２０４において２つの電極がショ
ートしているために、欠陥部２０４において電流が流れ
ていることを示唆している。
（Ｂ）の場合は欠陥部２０４において２つの電極がショ
ートしているために、欠陥部２０４において電流が流れ
ていることを示唆している。
【００１４】欠陥部２０４において２つの電極２０１、
２０２がショートすると、有機化合物層の発光輝度が低
下する。図１２（Ｂ）に、欠陥部を有する有機発光素子
に順バイアスの電圧を印加したときの電流の流れを、模
式的に示す。
２０２がショートすると、有機化合物層の発光輝度が低
下する。図１２（Ｂ）に、欠陥部を有する有機発光素子
に順バイアスの電圧を印加したときの電流の流れを、模
式的に示す。
【００１５】欠陥部２０４において２つの電極２０１、
２０２がショートしている場合、欠陥部２０４は抵抗Ｒ
SCを間に有して、有機発光素子２００が有する２つの電
極を接続していると考えられる。そのため、順方向の電
流Ｉoriを有機発光素子の一方の電極から流したとき、
欠陥部２０４に流れる電流をＩSC、有機化合物層２０３
に流れる電流をＩdioとすると、電流Ｉori＝ＩSC＋Ｉ
dioを満たす。
２０２がショートしている場合、欠陥部２０４は抵抗Ｒ
SCを間に有して、有機発光素子２００が有する２つの電
極を接続していると考えられる。そのため、順方向の電
流Ｉoriを有機発光素子の一方の電極から流したとき、
欠陥部２０４に流れる電流をＩSC、有機化合物層２０３
に流れる電流をＩdioとすると、電流Ｉori＝ＩSC＋Ｉ
dioを満たす。
【００１６】よって上述した式Ｉori＝ＩSC＋Ｉdioにお
いてＩoriが一定だとすると、欠陥部が存在する有機発
光素子では、実際に有機化合物層２０３に流れる電流Ｉ
dioは小さくなる。欠陥部２０４における抵抗ＲSCが小
さくなるとＩSCが大きくなるため、この傾向が顕著とな
り、有機発光素子２００の整流性はさらに崩れる。
いてＩoriが一定だとすると、欠陥部が存在する有機発
光素子では、実際に有機化合物層２０３に流れる電流Ｉ
dioは小さくなる。欠陥部２０４における抵抗ＲSCが小
さくなるとＩSCが大きくなるため、この傾向が顕著とな
り、有機発光素子２００の整流性はさらに崩れる。
【００１７】有機化合物層２０３に流れる電流Ｉdioが
小さくなると、有機発光素子２００の発光輝度が低下す
る。つまり、欠陥部においてショートしていると、ショ
ートしていない場合に比べて、順バイアスの電圧をかけ
た場合の有機発光素子の発光輝度が低い。
小さくなると、有機発光素子２００の発光輝度が低下す
る。つまり、欠陥部においてショートしていると、ショ
ートしていない場合に比べて、順バイアスの電圧をかけ
た場合の有機発光素子の発光輝度が低い。
【００１８】また、有機化合物層が複数の層を積層する
ことで形成されている場合においても、発光層にピンホ
ールが形成されると、該ピンホールを介して正孔注入層
または正孔輸送層と、電子注入層または電子輸送層とが
接続されてしまう。この正孔注入層または正孔輸送層
と、電子注入層または電子輸送層とが接続されている部
分も、電極がショートしている欠陥部と同じように逆バ
イアスの電流が流れる状態にあるので、有機発光素子の
発光輝度の低下の原因となる。なお以下、発光層を間に
挟んで形成された２つの層が、発光層に形成されたピン
ホールを介して接触している部分を全て、欠陥部と総称
する。欠陥部は陽極と陰極とが電気的にショート（短
絡）した部分である。
ことで形成されている場合においても、発光層にピンホ
ールが形成されると、該ピンホールを介して正孔注入層
または正孔輸送層と、電子注入層または電子輸送層とが
接続されてしまう。この正孔注入層または正孔輸送層
と、電子注入層または電子輸送層とが接続されている部
分も、電極がショートしている欠陥部と同じように逆バ
イアスの電流が流れる状態にあるので、有機発光素子の
発光輝度の低下の原因となる。なお以下、発光層を間に
挟んで形成された２つの層が、発光層に形成されたピン
ホールを介して接触している部分を全て、欠陥部と総称
する。欠陥部は陽極と陰極とが電気的にショート（短
絡）した部分である。
【００１９】さらに、有機発光素子の発光輝度の低下に
加えて、欠陥部においてショートしていると、欠陥部に
常に電流が流れるため、欠陥部の周囲に存在する有機化
合物層の劣化が促進されてしまう。
加えて、欠陥部においてショートしていると、欠陥部に
常に電流が流れるため、欠陥部の周囲に存在する有機化
合物層の劣化が促進されてしまう。
【００２０】本発明は上記問題に鑑み、欠陥部の修理方
法の考案を課題とする。
法の考案を課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、有機発光素
子に欠陥部が形成されていても、該欠陥部における抵抗
を大きくすれば、順バイアスの電圧を印加したときに有
機化合物層に流れる電流が小さくなることを防ぐことが
できるのではないかと考えた。
子に欠陥部が形成されていても、該欠陥部における抵抗
を大きくすれば、順バイアスの電圧を印加したときに有
機化合物層に流れる電流が小さくなることを防ぐことが
できるのではないかと考えた。
【００２２】そこで、有機発光素子に逆バイアスの電圧
を印加し、逆バイアスの電流Ｉrevを流すことで、欠陥
部における抵抗ＲSCを大きくする方法を考案した。
を印加し、逆バイアスの電流Ｉrevを流すことで、欠陥
部における抵抗ＲSCを大きくする方法を考案した。
【００２３】有機発光素子に逆バイアスの電流Ｉrevを
流すと、そのほとんどは有機化合物層に流れずに、ショ
ートしている欠陥部に流れる。欠陥部に流れる電流ＩSC
が大きいと、欠陥部の温度が上昇するために、欠陥部が
焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化し
て絶縁体になったりして、欠陥部に何らかの変化が起こ
り、結果的に抵抗ＲSCが大きくなる。なお本明細書にお
いて、逆バイアスの電流を流すことで抵抗ＲSCが大きく
なった欠陥部を、変性層と呼ぶ。
流すと、そのほとんどは有機化合物層に流れずに、ショ
ートしている欠陥部に流れる。欠陥部に流れる電流ＩSC
が大きいと、欠陥部の温度が上昇するために、欠陥部が
焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化し
て絶縁体になったりして、欠陥部に何らかの変化が起こ
り、結果的に抵抗ＲSCが大きくなる。なお本明細書にお
いて、逆バイアスの電流を流すことで抵抗ＲSCが大きく
なった欠陥部を、変性層と呼ぶ。
【００２４】抵抗ＲSCが大きくなると、有機発光素子に
順バイアスの電圧をかけたときに、変性層に流れる電流
が小さくなり、代わりに有機化合物層に流れる電流が大
きくなって、発光輝度が高くなる。
順バイアスの電圧をかけたときに、変性層に流れる電流
が小さくなり、代わりに有機化合物層に流れる電流が大
きくなって、発光輝度が高くなる。
【００２５】また、欠陥部では常に電流が流れるため
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
【００２６】次いで、本発明に用いる有機発光素子の陰
極の材料を検討した。陰極は電子注入を行うため仕事関
数が低い材料が好ましく、Ｌｉ、Ｍｇといった材料が含
まれている。これら材料の影響を調べた。
極の材料を検討した。陰極は電子注入を行うため仕事関
数が低い材料が好ましく、Ｌｉ、Ｍｇといった材料が含
まれている。これら材料の影響を調べた。
【００２７】ＭＯＳ（Metal-Oxide-Silicon）構造の試
料を用い、Ｃ−Ｖ（容量−電圧）特性を調べた。ＭＯＳ
の容量Ｃと絶縁膜の容量ＣOXとの比は電圧に依存して決
まる。不純物のない清浄なＭＯＳを用いたときは、Ｃ／
ＣOXが電圧に応じて一義的に定まる理想的なＣ−Ｖ特性
を示す。この理想的なＣ−Ｖ特性とずれた場合は、イオ
ン性の不純物でＭＯＳが汚染されていることを示す。
料を用い、Ｃ−Ｖ（容量−電圧）特性を調べた。ＭＯＳ
の容量Ｃと絶縁膜の容量ＣOXとの比は電圧に依存して決
まる。不純物のない清浄なＭＯＳを用いたときは、Ｃ／
ＣOXが電圧に応じて一義的に定まる理想的なＣ−Ｖ特性
を示す。この理想的なＣ−Ｖ特性とずれた場合は、イオ
ン性の不純物でＭＯＳが汚染されていることを示す。
【００２８】初期特性と、１．７ＭＶ／ｃｍのバイアス
を１５０℃で１時間ＭＯＳに加えた後の特性とを測定し
た。この熱衝撃を加えながらバイアスを加える処理をＢ
Ｔ（bias-temperature）処理という。Ｓｉをグランドレ
ベルとし、正のバイアスを加える処理（＋ＢＴ処理）、
負のバイアスを加える処理（−ＢＴ処理）が行われる。
を１５０℃で１時間ＭＯＳに加えた後の特性とを測定し
た。この熱衝撃を加えながらバイアスを加える処理をＢ
Ｔ（bias-temperature）処理という。Ｓｉをグランドレ
ベルとし、正のバイアスを加える処理（＋ＢＴ処理）、
負のバイアスを加える処理（−ＢＴ処理）が行われる。
【００２９】Ｃ−Ｖ特性の測定はＳｉをグランドレベル
とし、電極の電位を−１０Ｖから＋１０Ｖまで上げて、
次いで＋１０Ｖから−１０Ｖまで下げて行った。
とし、電極の電位を−１０Ｖから＋１０Ｖまで上げて、
次いで＋１０Ｖから−１０Ｖまで下げて行った。
【００３０】ＭＯＳ構造は、シリコン基板上に酸化シリ
コン膜を膜厚５０ｎｍで形成し、さらに酸化シリコン膜
上に電極としてＡｌＭｇ、ＭｇＡｇ、又はＡｌＬｉをそ
れぞれ形成した構成とした。なお、測定においてＡｌＭ
ｇはＡｌ：Ｍｇ＝９５：５、ＭｇＡｇはＭｇ：Ａｇ＝９
０：１０、ＡｌＬｉはＡｌ：Ｌｉ＝９０：１０の重量比
とした。
コン膜を膜厚５０ｎｍで形成し、さらに酸化シリコン膜
上に電極としてＡｌＭｇ、ＭｇＡｇ、又はＡｌＬｉをそ
れぞれ形成した構成とした。なお、測定においてＡｌＭ
ｇはＡｌ：Ｍｇ＝９５：５、ＭｇＡｇはＭｇ：Ａｇ＝９
０：１０、ＡｌＬｉはＡｌ：Ｌｉ＝９０：１０の重量比
とした。
【００３１】ＡｌＭｇを電極として用いた場合（図１
７）と、ＭｇＡｇを電極として用いた場合（図１８）
は、初期特性と、ＢＴ処理をした後の特性のいずれも電
圧に応じてＣ／ＣOXが一義的に定まる理想的な特性を示
した。これは、熱衝撃を加えてもＭｇの拡散が無視でき
るレベルであったことを示している。
７）と、ＭｇＡｇを電極として用いた場合（図１８）
は、初期特性と、ＢＴ処理をした後の特性のいずれも電
圧に応じてＣ／ＣOXが一義的に定まる理想的な特性を示
した。これは、熱衝撃を加えてもＭｇの拡散が無視でき
るレベルであったことを示している。
【００３２】しかしながら、ＡｌＬｉを電極として用い
た場合（図１９）は、Ｃ−Ｖ特性は理想値に比べて大き
くずれる結果となった。とくに、正のバイアスを加える
ＢＴ処理（＋ＢＴ処理）をした後の特性６００は、理想
値に対する変動が大きかった。これは、ＡｌＬｉを正の
電位にしたときに、Ｌｉ+が電気的な反発により電極か
ら溶出し、拡散したためと考えられる。初期特性と負の
バイアスのＢＴ処理（-ＢＴ処理）をした後の特性で
も、測定時の正電圧印加で微量のＬｉ+が溶出するせい
か、Ｃ−Ｖ特性にヒステリシスがみられる。
た場合（図１９）は、Ｃ−Ｖ特性は理想値に比べて大き
くずれる結果となった。とくに、正のバイアスを加える
ＢＴ処理（＋ＢＴ処理）をした後の特性６００は、理想
値に対する変動が大きかった。これは、ＡｌＬｉを正の
電位にしたときに、Ｌｉ+が電気的な反発により電極か
ら溶出し、拡散したためと考えられる。初期特性と負の
バイアスのＢＴ処理（-ＢＴ処理）をした後の特性で
も、測定時の正電圧印加で微量のＬｉ+が溶出するせい
か、Ｃ−Ｖ特性にヒステリシスがみられる。
【００３３】このため、拡散性の高いＬｉを添加した電
極は、逆バイアスを有機発光素子に加えるときに陰極を
正の電位とする本発明の構成上、好ましくないとの結論
に達した。
極は、逆バイアスを有機発光素子に加えるときに陰極を
正の電位とする本発明の構成上、好ましくないとの結論
に達した。
【００３４】逆バイアスを加えて陰極に含まれるＬｉ+
が溶出してしまうと、逆バイアス印加で欠陥部の修正を
しながら、デバイスを汚染してしまうようなものであ
る。陰極から溶出したＬｉ+は、可動性が高いため層間
絶縁膜を突き抜けＴＦＴに達しチャネル層を汚染して、
ＴＦＴ性能を劣化させる。
が溶出してしまうと、逆バイアス印加で欠陥部の修正を
しながら、デバイスを汚染してしまうようなものであ
る。陰極から溶出したＬｉ+は、可動性が高いため層間
絶縁膜を突き抜けＴＦＴに達しチャネル層を汚染して、
ＴＦＴ性能を劣化させる。
【００３５】もちろん、Ｌｉだけでなく可動性の高いＮ
ａが陰極に含まれた構成も同様の理由で好ましくない。
これらＬｉ、Ｎａが陰極に含有される量は少なければ、
少ないほど良い。
ａが陰極に含まれた構成も同様の理由で好ましくない。
これらＬｉ、Ｎａが陰極に含有される量は少なければ、
少ないほど良い。
【００３６】また、陰極は、拡散性の低いＭｇを含有し
た電極を用いることが好ましいことがわかった。例えば
ＡｌＭｇ、ＭｇＡｇを用いることが非常に有効である。
た電極を用いることが好ましいことがわかった。例えば
ＡｌＭｇ、ＭｇＡｇを用いることが非常に有効である。
【００３７】また、本発明の発光素子が有する有機化合
物層は、公知の有機化合物材料を用いて形成することが
できるが、無機材料をその一部に含めて形成されたもの
も含めるものとする。例えば、仕事関数の小さいアルカ
リ金属元素、またはアルカリ土類金属元素を用い、これ
らを含む層を有機化合物層の一部に用いて形成すること
で、陰極からの電子の注入性の向上を可能にすることが
できるが、その他にも注入されたキャリアの輸送性を高
めることが可能な無機材料をその一部に含めることによ
り特性の優れた発光素子を形成することもできる。な
お、本発明においては、有機化合物層に含まれる無機材
料の種類及びこれらを含む層の有機化合物層内部におけ
る配置については、特に限られることはなく、公知の無
機材料を自由な配置で用いることができる。
物層は、公知の有機化合物材料を用いて形成することが
できるが、無機材料をその一部に含めて形成されたもの
も含めるものとする。例えば、仕事関数の小さいアルカ
リ金属元素、またはアルカリ土類金属元素を用い、これ
らを含む層を有機化合物層の一部に用いて形成すること
で、陰極からの電子の注入性の向上を可能にすることが
できるが、その他にも注入されたキャリアの輸送性を高
めることが可能な無機材料をその一部に含めることによ
り特性の優れた発光素子を形成することもできる。な
お、本発明においては、有機化合物層に含まれる無機材
料の種類及びこれらを含む層の有機化合物層内部におけ
る配置については、特に限られることはなく、公知の無
機材料を自由な配置で用いることができる。
【００３８】なお、本発明はアクティブマトリクス型の
発光装置のみならず、パッシブ型の発光装置にも用いる
ことが可能である。
発光装置のみならず、パッシブ型の発光装置にも用いる
ことが可能である。
【００３９】以下に本発明の構成を示す。
【００４０】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することを特徴とする発光装置の修理方
法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することを特徴とする発光装置の修理方
法が提供される。
【００４１】本発明によって陽極と、陰極と、前記陽極
および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機
発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰極
はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms
／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極と
が電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した
部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶
縁化させることを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有機
発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰極
はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms
／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極と
が電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した
部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶
縁化させることを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
【００４２】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、
正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層と、発光層と
を有しており、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの
電圧を印加することにより、前記発光層の上方の層と、
前記発光層の下方の層とが電気的に短絡した部分に電流
を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した
部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、
正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層と、発光層と
を有しており、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの
電圧を印加することにより、前記発光層の上方の層と、
前記発光層の下方の層とが電気的に短絡した部分に電流
を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した
部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
【００４３】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極又は前記陰極
の少なくとも一つが前記有機化合物層に陥入して前記陽
極と前記陰極とが電気的に接した部分に電流を流すこと
を特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極又は前記陰極
の少なくとも一つが前記有機化合物層に陥入して前記陽
極と前記陰極とが電気的に接した部分に電流を流すこと
を特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
【００４４】本発明によって、前記陽極と前記陰極とが
電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前記
発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前記
発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
【００４５】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、
正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層と、発光層と
を有しており、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの
電圧を印加することにより、前記発光層の上方の層又は
前記発光層の下方の層のいずれかが前記発光層に陥入
し、前記発光層の上方の層と前記発光層の下方の層とが
電気的に接した部分に電流を流すことを特徴とする発光
装置の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atom
s／cm3以下であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、
正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層と、発光層と
を有しており、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの
電圧を印加することにより、前記発光層の上方の層又は
前記発光層の下方の層のいずれかが前記発光層に陥入
し、前記発光層の上方の層と前記発光層の下方の層とが
電気的に接した部分に電流を流すことを特徴とする発光
装置の修理方法が提供される。
【００４６】本発明によって、前記発光層の上方の層と
前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に前記電
流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化また
は絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法が提
供される。
前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に前記電
流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化また
は絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法が提
供される。
【００４７】本発明によって、前記陰極はＢｅ、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも一つを含有する合金
であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供され
る。
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも一つを含有する合金
であることを特徴とする発光装置の修理方法が提供され
る。
【００４８】本発明によって、前記陰極はマグネシウム
を含有する合金であることを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
を含有する合金であることを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
【００４９】本発明によって、前記陰極はＡｌＭｇ、Ｍ
ｇＡｇ、又はＭｇＡｇＡｌであることを特徴とする発光
装置の修理方法される。
ｇＡｇ、又はＭｇＡｇＡｌであることを特徴とする発光
装置の修理方法される。
【００５０】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
【００５１】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することにより、前記陽極と前記陰極とが電気的
に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発
熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させ
ることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することにより、前記陽極と前記陰極とが電気的
に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発
熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させ
ることを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
【００５２】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送
層、電子注入層または電子輸送層と、発光層とを有して
おり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印
加することにより、前記発光層の上方の層と、前記発光
層の下方の層とが電気的に短絡した部分に電流を流し
て、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を
高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発光装置
の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送
層、電子注入層または電子輸送層と、発光層とを有して
おり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印
加することにより、前記発光層の上方の層と、前記発光
層の下方の層とが電気的に短絡した部分に電流を流し
て、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を
高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発光装置
の修理方法が提供される。
【００５３】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することにより、前記陽極又は前記陰極の少なく
とも一つが前記有機化合物層に陥入して前記陽極と前記
陰極とが電気的に接した部分に電流を流すことを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧
を印加することにより、前記陽極又は前記陰極の少なく
とも一つが前記有機化合物層に陥入して前記陽極と前記
陰極とが電気的に接した部分に電流を流すことを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
【００５４】本発明によって、前記陽極と前記陰極とが
電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前記
発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前記
発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴と
する発光装置の修理方法が提供される。
【００５５】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送
層、電子注入層または電子輸送層と、発光層とを有して
おり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印
加することにより、前記発光層の上方の層又は前記発光
層の下方の層のいずれかが前記発光層に陥入し、前記発
光層の上方の層と前記発光層の下方の層とが電気的に接
した部分に電流を流すことを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の修理方法であって、前記陰
極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合
金であり、前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送
層、電子注入層または電子輸送層と、発光層とを有して
おり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印
加することにより、前記発光層の上方の層又は前記発光
層の下方の層のいずれかが前記発光層に陥入し、前記発
光層の上方の層と前記発光層の下方の層とが電気的に接
した部分に電流を流すことを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
【００５６】本発明によって、前記発光層の上方の層と
前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に前記電
流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化また
は絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法が提
供される。
前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に前記電
流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化また
は絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法が提
供される。
【００５７】本発明によって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下である
ことを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下である
ことを特徴とする発光装置の修理方法が提供される。
【００５８】本発明によって、前記陰極はＭｇの含有量
が１×１０20atoms／cm3以上であることを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
が１×１０20atoms／cm3以上であることを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
【００５９】本発明によって、前記逆バイアスの電圧を
一定期間毎に印加することを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
一定期間毎に印加することを特徴とする発光装置の修理
方法が提供される。
【００６０】本発明によって、前記逆バイアスの電圧を
前記印加するときに、前記有機化合物層にアバランシュ
電流が流れ始める高さの±１５％以内に納まるまで徐々
に高くすることを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
前記印加するときに、前記有機化合物層にアバランシュ
電流が流れ始める高さの±１５％以内に納まるまで徐々
に高くすることを特徴とする発光装置の修理方法が提供
される。
【００６１】本発明によって、前記有機発光素子はマト
リクス状に配置され、前記有機発光素子のそれぞれに接
続された薄膜トランジスタを有することを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
リクス状に配置され、前記有機発光素子のそれぞれに接
続された薄膜トランジスタを有することを特徴とする発
光装置の修理方法が提供される。
【００６２】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ｌｉま
たはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下
である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆
バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の
作製方法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ｌｉま
たはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下
である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆
バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の
作製方法が提供される。
【００６３】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ｌｉま
たはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下
である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆
バイアスの電圧を印加することにより、前記陽極と前記
陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短
絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化ま
たは絶縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法
が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ｌｉま
たはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下
である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆
バイアスの電圧を印加することにより、前記陽極と前記
陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短
絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化ま
たは絶縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法
が提供される。
【００６４】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ａｌ又
はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる
陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することを特徴とする発光装置の作製方
法が提供される。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ａｌ又
はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる
陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することを特徴とする発光装置の作製方
法が提供される。
【００６５】本発明によって、陽極と、陰極と、前記陽
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ａｌ又
はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる
陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極と
が電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した
部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶
縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法。
極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する有
機発光素子を含む発光装置の作製方法であって、Ａｌ又
はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる
陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイア
スの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極と
が電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した
部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶
縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【００６６】
【発明の実施の形態】図１を用いて本発明の修理方法に
ついて説明する。図１（Ａ）は、欠陥部を有する有機発
光素子に逆バイアスの電圧を印加した場合の電流の流れ
を、模式的に示した図である。
ついて説明する。図１（Ａ）は、欠陥部を有する有機発
光素子に逆バイアスの電圧を印加した場合の電流の流れ
を、模式的に示した図である。
【００６７】有機発光素子に、グランドの電圧ＧＮＤと
逆バイアスの電圧Ｖrevを交互に印加する。図１（Ｂ）
に、グランドの電圧ＧＮＤと逆バイアスの電圧Ｖrevを
交互に印加したときの、タイミングチャートを示す。な
お本実施の形態ではグランドの電圧ＧＮＤと逆バイアス
の電圧Ｖrevを交互に印加したが、本発明はこの構成に
限定されない。本発明では、逆バイアスの電流が有機発
光素子に流れるようにすれば良い。よって、順バイアス
の電圧と、逆バイアスの電圧Ｖrevを交互に有機発光素
子に印加しても良い。
逆バイアスの電圧Ｖrevを交互に印加する。図１（Ｂ）
に、グランドの電圧ＧＮＤと逆バイアスの電圧Ｖrevを
交互に印加したときの、タイミングチャートを示す。な
お本実施の形態ではグランドの電圧ＧＮＤと逆バイアス
の電圧Ｖrevを交互に印加したが、本発明はこの構成に
限定されない。本発明では、逆バイアスの電流が有機発
光素子に流れるようにすれば良い。よって、順バイアス
の電圧と、逆バイアスの電圧Ｖrevを交互に有機発光素
子に印加しても良い。
【００６８】また本実施の形態では、一定期間毎に有機
発光素子に逆バイアスの電圧をかけるが、本発明はこれ
に限定されない。有機発光素子に直流の逆バイアスの電
圧を印加しても良い。
発光素子に逆バイアスの電圧をかけるが、本発明はこれ
に限定されない。有機発光素子に直流の逆バイアスの電
圧を印加しても良い。
【００６９】また、本実施の形態では、なだれ現象が起
こって有機発光素子にアバランシュ電流が流れるまで、
逆バイアスの電圧を徐々に大きくしている。本明細書に
おいて、有機発光素子にアバランシュ電流が流れはじめ
る電圧を、アバランシュ電圧（Avalanche voltage）と
呼ぶ。しかし、本発明はこの構成に限定されず、有機発
光素子に印加する電圧の高さは設計者が適宜設定するこ
とが可能である。有機発光素子に印加する電圧の高さ
は、欠陥部を変性させることができる高さで、なおかつ
有機発光素子が壊れたり、有機化合物層が劣化されたり
しないぐらいの高さであれば良い。
こって有機発光素子にアバランシュ電流が流れるまで、
逆バイアスの電圧を徐々に大きくしている。本明細書に
おいて、有機発光素子にアバランシュ電流が流れはじめ
る電圧を、アバランシュ電圧（Avalanche voltage）と
呼ぶ。しかし、本発明はこの構成に限定されず、有機発
光素子に印加する電圧の高さは設計者が適宜設定するこ
とが可能である。有機発光素子に印加する電圧の高さ
は、欠陥部を変性させることができる高さで、なおかつ
有機発光素子が壊れたり、有機化合物層が劣化されたり
しないぐらいの高さであれば良い。
【００７０】また、直流で印加している逆バイアスの電
圧を徐々に大きくする構成であっても良い。
圧を徐々に大きくする構成であっても良い。
【００７１】さらに、一定の高さの逆バイアスの電圧
を、一定期間毎に有機発光素子に印加しても良いし、直
流で印加しても良い。
を、一定期間毎に有機発光素子に印加しても良いし、直
流で印加しても良い。
【００７２】一定期間毎に有機発光素子に逆バイアスの
電圧を印加すると、欠陥部の周囲にある有機化合物層
が、逆バイアスの電圧の印加により発生する熱などによ
って劣化するのを防ぐことが可能である。
電圧を印加すると、欠陥部の周囲にある有機化合物層
が、逆バイアスの電圧の印加により発生する熱などによ
って劣化するのを防ぐことが可能である。
【００７３】また徐々に逆バイアスの電圧を高くするこ
とで、修理する有機発光素子に最適な、逆バイアスの電
圧の高さを見出しやすくなる。
とで、修理する有機発光素子に最適な、逆バイアスの電
圧の高さを見出しやすくなる。
【００７４】有機発光素子に逆バイアスの電圧Ｖrevが
印加されると、有機発光素子に逆バイアスの電流Ｉrev
が流れる。逆バイアスの電流Ｉrevは、有機化合物層１
０３に流れる電流をＩdio、欠陥部１０４に流れる電流
をＩSCとすると、Ｉrev＝Ｉdio＋ＩSCを満たす。しかし
逆バイアスの電流は有機化合物層にほとんど流れないの
で、よってＩrev≒ＩSCが成り立つ。
印加されると、有機発光素子に逆バイアスの電流Ｉrev
が流れる。逆バイアスの電流Ｉrevは、有機化合物層１
０３に流れる電流をＩdio、欠陥部１０４に流れる電流
をＩSCとすると、Ｉrev＝Ｉdio＋ＩSCを満たす。しかし
逆バイアスの電流は有機化合物層にほとんど流れないの
で、よってＩrev≒ＩSCが成り立つ。
【００７５】電流Ｉrevが欠陥部１０４に流れると、欠
陥部１０４の温度が上昇するために、欠陥部が焼き切れ
たり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体
になったりして、変性層になる。よって、抵抗ＲSCが大
きくなる。
陥部１０４の温度が上昇するために、欠陥部が焼き切れ
たり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体
になったりして、変性層になる。よって、抵抗ＲSCが大
きくなる。
【００７６】図２（Ａ）に、本発明の修理方法を用いた
とき、欠陥部１０４を有する有機発光素子の電圧−電流
特性の、時間の経過における変化を示す。電圧−電流特
性のグラフは、時間の経過と共に矢印の方向に変化す
る。なお、Ｖavは、アバランシェ電圧を意味する。時間
の経過と共に逆バイアスの電圧をかけたときに有機発光
素子に流れる電流が小さくなっていることから、欠陥部
の抵抗ＲSCが大きくなり、それに伴い欠陥部を流れる電
流ＩSCが小さくなる。
とき、欠陥部１０４を有する有機発光素子の電圧−電流
特性の、時間の経過における変化を示す。電圧−電流特
性のグラフは、時間の経過と共に矢印の方向に変化す
る。なお、Ｖavは、アバランシェ電圧を意味する。時間
の経過と共に逆バイアスの電圧をかけたときに有機発光
素子に流れる電流が小さくなっていることから、欠陥部
の抵抗ＲSCが大きくなり、それに伴い欠陥部を流れる電
流ＩSCが小さくなる。
【００７７】図２（Ｂ）に、有機発光素子に順バイアス
の電圧を印加したときの電流の流れを模式的に示す。欠
陥部を流れる電流ＩSCが小さくなると、順バイアスの電
圧を有機発光素子にかけたときに、実際に有機化合物層
に流れる電流Ｉdioが大きくなり、発光輝度が高くな
る。
の電圧を印加したときの電流の流れを模式的に示す。欠
陥部を流れる電流ＩSCが小さくなると、順バイアスの電
圧を有機発光素子にかけたときに、実際に有機化合物層
に流れる電流Ｉdioが大きくなり、発光輝度が高くな
る。
【００７８】なお、有機発光素子は、陽極と陰極とに有
機化合物層が挟まれた構成である。陽極、有機化合物層
は公知の材料を自由に用いればよい。しかし、本発明に
おいて陰極はＮａ、Ｌｉといった可動性の高い成分が混
入しないように注意する必要がある。Ｌｉ、Ｎａの含有
量が１×１０18atoms／cm3を超えると陰極からＬｉ、Ｎ
ａが拡散しＴＦＴ性能に影響を与えて、ＴＦＴ特性が劣
化する、あるいは安定しないといった問題が顕著にみら
れる。そこで、これらＮａ、Ｌｉの含有量はいずれも１
×１０18atoms／cm3以下とする必要がある。
機化合物層が挟まれた構成である。陽極、有機化合物層
は公知の材料を自由に用いればよい。しかし、本発明に
おいて陰極はＮａ、Ｌｉといった可動性の高い成分が混
入しないように注意する必要がある。Ｌｉ、Ｎａの含有
量が１×１０18atoms／cm3を超えると陰極からＬｉ、Ｎ
ａが拡散しＴＦＴ性能に影響を与えて、ＴＦＴ特性が劣
化する、あるいは安定しないといった問題が顕著にみら
れる。そこで、これらＮａ、Ｌｉの含有量はいずれも１
×１０18atoms／cm3以下とする必要がある。
【００７９】本発明では陰極は仕事関数が低いマグネシ
ウムを含有する合金を用いる。例えばＡｌＭｇやＭｇＡ
ｇなどを用いることが好ましい。Ｍｇが陰極に含有され
る量は、陰極の仕事関数を考慮して自由に決定すること
ができる。しかし、Ｍｇが含まれる量が１×１０20atom
s／cm2未満になると仕事関数が高くなり発光効率が低下
する。このため、Ｍｇが陰極に含有される量は少なくと
も１×１０20atoms／cm2以上が好ましい。
ウムを含有する合金を用いる。例えばＡｌＭｇやＭｇＡ
ｇなどを用いることが好ましい。Ｍｇが陰極に含有され
る量は、陰極の仕事関数を考慮して自由に決定すること
ができる。しかし、Ｍｇが含まれる量が１×１０20atom
s／cm2未満になると仕事関数が高くなり発光効率が低下
する。このため、Ｍｇが陰極に含有される量は少なくと
も１×１０20atoms／cm2以上が好ましい。
【００８０】本発明の方法を用いることによって、有機
化合物層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成
され、発光層を間に挟んで形成された２つの層どうしが
ショートしても、ショートしている欠陥部を変性部に変
えて抵抗を高めることができ、有機発光素子に順バイア
スの電圧をかけたときに実際に有機化合物層に流れる電
流を大きくすることができる。したがって、本発明の修
理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加し
たときの発光輝度を高くすることができる。
化合物層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成
され、発光層を間に挟んで形成された２つの層どうしが
ショートしても、ショートしている欠陥部を変性部に変
えて抵抗を高めることができ、有機発光素子に順バイア
スの電圧をかけたときに実際に有機化合物層に流れる電
流を大きくすることができる。したがって、本発明の修
理方法により、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加し
たときの発光輝度を高くすることができる。
【００８１】また、欠陥部では常に電流が流れるため
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
【００８２】また、有機発光素子の陰極は拡散性の低い
Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇを主成分とするため、逆バイアスの印
加にともなうデバイスの汚染を防止することが可能にな
る。
Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇを主成分とするため、逆バイアスの印
加にともなうデバイスの汚染を防止することが可能にな
る。
【００８３】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００８４】（実施例１）本実施例では、各画素に２つ
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
【００８５】図３に本発明の修理方法を用いた発光装置
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（ｊは１〜
ｙのいずれか１つ）とを有している。
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（ｊは１〜
ｙのいずれか１つ）とを有している。
【００８６】また、各画素は、スイッチング用ＴＦＴ３
０１と、駆動用ＴＦＴ３０２と、有機発光素子３０３
と、コンデンサ３０４とを有している。
０１と、駆動用ＴＦＴ３０２と、有機発光素子３０３
と、コンデンサ３０４とを有している。
【００８７】スイッチング用ＴＦＴ３０１のゲート電極
はゲート信号線Ｇｉに接続されている。またスイッチン
グ用ＴＦＴ３０１のソース領域とドレイン領域は、一方
はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ３０２
のゲート電極に接続されている。
はゲート信号線Ｇｉに接続されている。またスイッチン
グ用ＴＦＴ３０１のソース領域とドレイン領域は、一方
はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ３０２
のゲート電極に接続されている。
【００８８】駆動用ＴＦＴ３０２のソース領域は電源供
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子３０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子３０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ３０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源３０７に接続されている。
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子３０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子３０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ３０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源３０７に接続されている。
【００８９】なお、有機発光素子３０３が有する２つの
電極のうち、駆動用ＴＦＴ３０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源３０７に接
続されている電極を対向電極と呼ぶ。
電極のうち、駆動用ＴＦＴ３０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源３０７に接
続されている電極を対向電極と呼ぶ。
【００９０】またコンデンサ３０４は、駆動用ＴＦＴ３
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
【００９１】図４（Ａ）に、図３に示した画素を複数有
する発光装置の画素部を示す。画素部３０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、ゲート
信号線Ｇ１〜Ｇｙとを有している。画素部３０６には複
数の画素３０５がマトリクス状に形成されている。
する発光装置の画素部を示す。画素部３０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、ゲート
信号線Ｇ１〜Ｇｙとを有している。画素部３０６には複
数の画素３０５がマトリクス状に形成されている。
【００９２】図４（Ｂ）に有機発光素子３０３の欠陥部
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子３０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ３０１及び駆動用ＴＦＴ３０
２は共にオンの状態にしておく。そして電源供給線Ｖｉ
の電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間毎に変化
させることで、一定期間毎に有機発光素子に所定の逆バ
イアスの電流を流す。
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子３０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ３０１及び駆動用ＴＦＴ３０
２は共にオンの状態にしておく。そして電源供給線Ｖｉ
の電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間毎に変化
させることで、一定期間毎に有機発光素子に所定の逆バ
イアスの電流を流す。
【００９３】有機発光素子の欠陥の修理は、画素部３０
６が有する全ての画素３０５において一斉に行っても良
いし、各ライン毎、または各画素毎に行っても良い。
６が有する全ての画素３０５において一斉に行っても良
いし、各ライン毎、または各画素毎に行っても良い。
【００９４】本実施例において有機発光素子の２つの電
極のうち、陰極はマグネシウムを含有する合金、例えば
ＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用いて形成する。陰極にはＮ
ａ、Ｌｉといった可動性の高い成分が混入しないように
し、これらＮａ、Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18at
oms／cm2以下とする。
極のうち、陰極はマグネシウムを含有する合金、例えば
ＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用いて形成する。陰極にはＮ
ａ、Ｌｉといった可動性の高い成分が混入しないように
し、これらＮａ、Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18at
oms／cm2以下とする。
【００９５】本実施例の回路によれば、スイッチング用
ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ、電源供給線、対向電源に加える
電圧を適宜に調節して有機発光素子に逆バイアスを加え
ることができる。有機発光素子の陰極にＬｉ、Ｎａが含
まれないよう厳重に管理しているため、デバイスを汚染
することなく逆バイアスをかけることができる。
ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ、電源供給線、対向電源に加える
電圧を適宜に調節して有機発光素子に逆バイアスを加え
ることができる。有機発光素子の陰極にＬｉ、Ｎａが含
まれないよう厳重に管理しているため、デバイスを汚染
することなく逆バイアスをかけることができる。
【００９６】（実施例２）本実施例では、各画素に３つ
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
【００９７】図５に本発明の修理方法を用いた発光装置
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、書き込み用ゲート信号線Ｇａ
ｊ（ｊは１〜ｙのいずれか１つ）と、消去用ゲート信号
線Ｇｅｊ（ｊは１〜ｙのいずれか１つ）とを有してい
る。
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、書き込み用ゲート信号線Ｇａ
ｊ（ｊは１〜ｙのいずれか１つ）と、消去用ゲート信号
線Ｇｅｊ（ｊは１〜ｙのいずれか１つ）とを有してい
る。
【００９８】また、各画素は、スイッチング用ＴＦＴ５
０１ａと、消去用ＴＦＴ５０１ｂと、駆動用ＴＦＴ５０
２と、有機発光素子５０３と、コンデンサ５０４とを有
している。
０１ａと、消去用ＴＦＴ５０１ｂと、駆動用ＴＦＴ５０
２と、有機発光素子５０３と、コンデンサ５０４とを有
している。
【００９９】スイッチング用ＴＦＴ５０１ａのゲート電
極は書き込み用ゲート信号線Ｇａｊに接続されている。
またスイッチング用ＴＦＴ５０１ａのソース領域とドレ
イン領域は、一方はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆
動用ＴＦＴ５０２のゲート電極に接続されている。
極は書き込み用ゲート信号線Ｇａｊに接続されている。
またスイッチング用ＴＦＴ５０１ａのソース領域とドレ
イン領域は、一方はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆
動用ＴＦＴ５０２のゲート電極に接続されている。
【０１００】消去用ＴＦＴ５０１ｂのゲート電極は消去
用ゲート信号線Ｇｅｊに接続されている。また消去用Ｔ
ＦＴ５０１ｂのソース領域とドレイン領域は、一方は電
源供給線Ｖｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ５０２のゲー
ト電極に接続されている。
用ゲート信号線Ｇｅｊに接続されている。また消去用Ｔ
ＦＴ５０１ｂのソース領域とドレイン領域は、一方は電
源供給線Ｖｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ５０２のゲー
ト電極に接続されている。
【０１０１】駆動用ＴＦＴ５０２のソース領域は電源供
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子５０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子５０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ５０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源５０７に接続されている。
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子５０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子５０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ５０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源５０７に接続されている。
【０１０２】なお、有機発光素子５０３が有する２つの
電極のうち、駆動用ＴＦＴ５０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源５０７に接
続されている電極を対向電源と呼ぶ。
電極のうち、駆動用ＴＦＴ５０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源５０７に接
続されている電極を対向電源と呼ぶ。
【０１０３】またコンデンサ５０４は、駆動用ＴＦＴ５
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
【０１０４】図６（Ａ）に、図５に示した画素を複数有
する発光装置の画素部を示す。画素部５０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、書き込
み用ゲート信号線Ｇａ１〜Ｇａｙと、消去用ゲート信号
線Ｇｅ１〜Ｇｅｙとを有している。画素部５０６には複
数の画素５０５がマトリクス状に形成されている。
する発光装置の画素部を示す。画素部５０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、書き込
み用ゲート信号線Ｇａ１〜Ｇａｙと、消去用ゲート信号
線Ｇｅ１〜Ｇｅｙとを有している。画素部５０６には複
数の画素５０５がマトリクス状に形成されている。
【０１０５】図６（Ｂ）に有機発光素子５０３の欠陥部
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子５０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ５０１ａ及び駆動用ＴＦＴ５
０２は共にオンの状態にしておく。また、各画素の消去
用ＴＦＴ５０１ｂはオフの状態にしておく。そして電源
供給線Ｖｉの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期
間毎に変化させることで、一定期間毎に有機発光素子５
０３に所定の逆バイアスの電流を流す。
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子５０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ５０１ａ及び駆動用ＴＦＴ５
０２は共にオンの状態にしておく。また、各画素の消去
用ＴＦＴ５０１ｂはオフの状態にしておく。そして電源
供給線Ｖｉの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期
間毎に変化させることで、一定期間毎に有機発光素子５
０３に所定の逆バイアスの電流を流す。
【０１０６】なお有機発光素子５０３の欠陥の修理は、
画素部５０６が有する全ての画素５０５において一斉に
行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行って
も良い。
画素部５０６が有する全ての画素５０５において一斉に
行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行って
も良い。
【０１０７】なお、逆バイアスを加えたときにアルカリ
が溶出しないように、有機発光素子の陰極はマグネシウ
ムを含有する合金、例えばＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用
いて形成する。陰極にはＮａ、Ｌｉといった可動性の高
い成分が混入しないように厳重に管理し、これらＮａ、
Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18atoms／cm2以下とす
る。
が溶出しないように、有機発光素子の陰極はマグネシウ
ムを含有する合金、例えばＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用
いて形成する。陰極にはＮａ、Ｌｉといった可動性の高
い成分が混入しないように厳重に管理し、これらＮａ、
Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18atoms／cm2以下とす
る。
【０１０８】本実施形態の回路でも、有機発光素子に逆
バイアスをかけることが可能である。
バイアスをかけることが可能である。
【０１０９】（実施例３）本実施例では、各画素に３つ
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するアクティブマトリ
クス型の発光装置に、本発明の修理方法を用いた例につ
いて説明する。
【０１１０】図７に本発明の修理方法を用いた発光装置
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（ｊは１〜
ｙのいずれか１つ）とを有している。
の画素の回路図を示す。各画素はソース信号線Ｓｉ（ｉ
は１〜ｘのいずれか１つ）と、電源供給線Ｖｉ（ｉは１
〜ｘのいずれか１つ）と、ゲート信号線Ｇｊ（ｊは１〜
ｙのいずれか１つ）とを有している。
【０１１１】また、各画素は、スイッチング用ＴＦＴ４
０１と、駆動用ＴＦＴ４０２と、有機発光素子４０３
と、コンデンサ４０４と、逆バイアス印加用ＴＦＴ４０
８とを有している。
０１と、駆動用ＴＦＴ４０２と、有機発光素子４０３
と、コンデンサ４０４と、逆バイアス印加用ＴＦＴ４０
８とを有している。
【０１１２】スイッチング用ＴＦＴ４０１のゲート電極
はゲート信号線Ｇｉに接続されている。またスイッチン
グ用ＴＦＴ４０１のソース領域とドレイン領域は、一方
はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ４０２
のゲート電極に接続されている。
はゲート信号線Ｇｉに接続されている。またスイッチン
グ用ＴＦＴ４０１のソース領域とドレイン領域は、一方
はソース信号線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ４０２
のゲート電極に接続されている。
【０１１３】駆動用ＴＦＴ４０２のソース領域は電源供
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子４０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子４０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ４０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源４０７に接続されている。
給線Ｖｉに接続されており、ドレイン領域は有機発光素
子４０３が有する２つの電極のいずれか一方に接続され
ている。有機発光素子４０３が有する２つの電極のう
ち、駆動用ＴＦＴ４０２のドレイン領域に接続されてい
ない方は、対向電源４０７に接続されている。
【０１１４】なお、有機発光素子４０３が有する２つの
電極のうち、駆動用ＴＦＴ４０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源４０７に接
続されている電極を対向電極と呼ぶ。
電極のうち、駆動用ＴＦＴ４０２のドレイン領域に接続
されている電極を画素電極と呼び、対向電源４０７に接
続されている電極を対向電極と呼ぶ。
【０１１５】逆バイアス印加用ＴＦＴ４０８のゲート電
極は電源供給線Ｖｉに接続されている。また逆バイアス
印加用ＴＦＴ４０８のソース領域とドレイン領域は、一
方は電源供給線Ｖｉに、もう一方は有機発光素子の画素
電極に接続されている。
極は電源供給線Ｖｉに接続されている。また逆バイアス
印加用ＴＦＴ４０８のソース領域とドレイン領域は、一
方は電源供給線Ｖｉに、もう一方は有機発光素子の画素
電極に接続されている。
【０１１６】またコンデンサ４０４は、駆動用ＴＦＴ４
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
０２のゲート電極と電源供給線Ｖｉとの間に形成されて
いる。
【０１１７】図８（Ａ）に、図７に示した画素を複数有
する発光装置の画素部を示す。画素部４０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、ゲート
信号線Ｇ１〜Ｇｙとを有している。画素部４０６には複
数の画素４０５がマトリクス状に形成されている。
する発光装置の画素部を示す。画素部４０６は、ソース
信号線Ｓ１〜Ｓｘと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘと、ゲート
信号線Ｇ１〜Ｇｙとを有している。画素部４０６には複
数の画素４０５がマトリクス状に形成されている。
【０１１８】図８（Ｂ）に有機発光素子４０３の欠陥部
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子４０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ４０１及び駆動用ＴＦＴ４０
２は共にオフの状態にしておく。そして、整流特性を有
する逆バイアス印加用ＴＦＴ４０８をオンの状態にして
順方向に電圧をかける。すると、逆バイアスＴＦＴに電
流が流れて有機発光素子に逆バイアスがかかる。電源供
給線Ｖｉの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間
毎に変化させることで、一定期間毎に有機発光素子に所
定の逆バイアスの電流を流す。
を修理する際の、各画素におけるＴＦＴの動作と、電源
供給線Ｖｉ及び対向電極に入力される電圧の高さを示
す。有機発光素子４０３の欠陥部を修理するとき、各画
素のスイッチング用ＴＦＴ４０１及び駆動用ＴＦＴ４０
２は共にオフの状態にしておく。そして、整流特性を有
する逆バイアス印加用ＴＦＴ４０８をオンの状態にして
順方向に電圧をかける。すると、逆バイアスＴＦＴに電
流が流れて有機発光素子に逆バイアスがかかる。電源供
給線Ｖｉの電圧を一定にし、対向電極の電圧を一定期間
毎に変化させることで、一定期間毎に有機発光素子に所
定の逆バイアスの電流を流す。
【０１１９】なお有機発光素子の欠陥の修理は、すべて
の画素で一斉に行ってもよいし、各ライン毎に行っても
よい。
の画素で一斉に行ってもよいし、各ライン毎に行っても
よい。
【０１２０】なお、逆バイアスを加えたときにアルカリ
が溶出しないように、有機発光素子の陰極はマグネシウ
ムを含有する合金、例えばＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用
いて形成する。陰極にはＮａ、Ｌｉといった可動性の高
い成分が混入しないように厳重に管理し、これらＮａ、
Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18atoms／cm2以下とす
る。
が溶出しないように、有機発光素子の陰極はマグネシウ
ムを含有する合金、例えばＡｌＭｇやＭｇＡｇなどを用
いて形成する。陰極にはＮａ、Ｌｉといった可動性の高
い成分が混入しないように厳重に管理し、これらＮａ、
Ｌｉの含有量はいずれも１×１０18atoms／cm2以下とす
る。
【０１２１】本実施例の回路は、電源供給線の電位と、
対向電源の電位を調節するだけで容易に有機発光素子に
逆バイアスをかけることができる。
対向電源の電位を調節するだけで容易に有機発光素子に
逆バイアスをかけることができる。
【０１２２】（実施例４）本実施例では、有機化合物層
が複数の層で形成されている有機発光素子に、本発明の
修理方法を用いる場合について説明する。
が複数の層で形成されている有機発光素子に、本発明の
修理方法を用いる場合について説明する。
【０１２３】図９（Ａ）に有機発光素子の構成を示す。
まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物
（ＩＴＯ）からなる陽極上に、正孔注入層として、ポリ
チオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート法に
より３０ｎｍの膜厚で成膜する。次に、正孔輸送層とし
てＭＴＤＡＴＡを２０ｎｍ、α−ＮＰＤを１０ｎｍ、そ
れぞれ蒸着法により形成する。その上に発光層を形成す
る発光材料としてシングレット化合物であるＡｌｑ3を
蒸着法により５０ｎｍの膜厚で成膜する。そして、陰極
としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着することによ
り、有機発光素子が形成される。
まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物
（ＩＴＯ）からなる陽極上に、正孔注入層として、ポリ
チオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート法に
より３０ｎｍの膜厚で成膜する。次に、正孔輸送層とし
てＭＴＤＡＴＡを２０ｎｍ、α−ＮＰＤを１０ｎｍ、そ
れぞれ蒸着法により形成する。その上に発光層を形成す
る発光材料としてシングレット化合物であるＡｌｑ3を
蒸着法により５０ｎｍの膜厚で成膜する。そして、陰極
としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着することによ
り、有機発光素子が形成される。
【０１２４】上記構成を有する有機発光素子の発光層に
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔輸送層であるα
−ＮＰＤに接触してしまう。
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔輸送層であるα
−ＮＰＤに接触してしまう。
【０１２５】該欠陥部を有する有機発光素子に一定期間
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり、抵抗を大きくすることができる。
よって、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が
促進されることを防ぐことができる。
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり、抵抗を大きくすることができる。
よって、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が
促進されることを防ぐことができる。
【０１２６】なお、この有機発光素子により得られる発
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
【０１２７】図９（Ｂ）に別の有機発光素子の構成を示
す。まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化
合物からなる陽極上に、正孔注入層として銅フタロシア
ニンを２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。次に、
正孔輸送層としてα−ＮＰＤを１０ｎｍの膜厚で蒸着法
により形成させた。その上に発光層を形成する発光材料
としてトリプレット化合物であるＩｒ（ｐｐｙ）3とＣ
ＢＰを蒸着法により２０ｎｍに成膜する。さらに発光層
上に電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍ、Ａｌｑ3を４
０ｎｍ、それぞれ蒸着法により形成した後、陰極として
ＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着することにより有機
発光素子が形成される。
す。まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化
合物からなる陽極上に、正孔注入層として銅フタロシア
ニンを２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。次に、
正孔輸送層としてα−ＮＰＤを１０ｎｍの膜厚で蒸着法
により形成させた。その上に発光層を形成する発光材料
としてトリプレット化合物であるＩｒ（ｐｐｙ）3とＣ
ＢＰを蒸着法により２０ｎｍに成膜する。さらに発光層
上に電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍ、Ａｌｑ3を４
０ｎｍ、それぞれ蒸着法により形成した後、陰極として
ＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着することにより有機
発光素子が形成される。
【０１２８】上記構成を有する有機発光素子の発光層に
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において電子輸送層であるＢＣＰが正孔輸送層であ
るα−ＮＰＤに接触してしまう。
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において電子輸送層であるＢＣＰが正孔輸送層であ
るα−ＮＰＤに接触してしまう。
【０１２９】該欠陥部を有する有機発光素子に一定期間
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり抵抗を大きくすることができる。よ
って、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促
進されることを防ぐことができる。
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり抵抗を大きくすることができる。よ
って、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促
進されることを防ぐことができる。
【０１３０】なお、この有機発光素子により得られる発
光は、トリプレット化合物による三重項励起エネルギー
を利用したものである。
光は、トリプレット化合物による三重項励起エネルギー
を利用したものである。
【０１３１】図１０（Ａ）に有機発光素子の構成を示
す。まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化
合物（ＩＴＯ）からなる陽極上に、正孔注入層として、
ポリチオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート
法により３０ｎｍの膜厚で成膜する。その上に発光層を
形成する発光材料としてシングレット化合物であるＡｌ
ｑ3を蒸着法により５０ｎｍの膜厚で成膜する。そし
て、陰極としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着する
ことにより、有機発光素子が形成される。
す。まず、酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化
合物（ＩＴＯ）からなる陽極上に、正孔注入層として、
ポリチオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート
法により３０ｎｍの膜厚で成膜する。その上に発光層を
形成する発光材料としてシングレット化合物であるＡｌ
ｑ3を蒸着法により５０ｎｍの膜厚で成膜する。そし
て、陰極としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸着する
ことにより、有機発光素子が形成される。
【０１３２】上記構成を有する有機発光素子の発光層に
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔注入層であるＰ
ＥＤＯＴに接触してしまう。
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔注入層であるＰ
ＥＤＯＴに接触してしまう。
【０１３３】該欠陥部を有する有機発光素子に一定期間
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり、抵抗を大きくすることができる。
よって、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が
促進されることを防ぐことができる。
毎に逆バイアスの電流を流すことで、欠陥部の温度が上
昇し、欠陥部が焼き切れたり、気化して蒸発したり、酸
化または炭化して絶縁体になったりして、結果的に欠陥
部が変性部に変わり、抵抗を大きくすることができる。
よって、変性層の周囲に存在する有機化合物層の劣化が
促進されることを防ぐことができる。
【０１３４】なお、この有機発光素子により得られる発
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
【０１３５】図１０（Ｂ）に有機発光素子の構成を示
す。まず、陰極としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸
着する。その上に発光層を形成する発光材料としてシン
グレット化合物であるＡｌｑ3を蒸着法により５０ｎｍ
の膜厚で成膜する。次に、正孔注入層として、ポリチオ
フェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート法により
３０ｎｍの膜厚で成膜する。そして、Ａｕを５ｎｍの膜
厚で成膜する。なおＡｕは、後の工程において有機化合
物層の表面が劣化するのを防ぐために設ける。その上に
酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物（ＩＴ
Ｏ）からなる陽極を形成することにより、有機発光素子
が形成される。
す。まず、陰極としてＡｌＭｇを１００ｎｍの膜厚に蒸
着する。その上に発光層を形成する発光材料としてシン
グレット化合物であるＡｌｑ3を蒸着法により５０ｎｍ
の膜厚で成膜する。次に、正孔注入層として、ポリチオ
フェン誘導体であるＰＥＤＯＴをスピンコート法により
３０ｎｍの膜厚で成膜する。そして、Ａｕを５ｎｍの膜
厚で成膜する。なおＡｕは、後の工程において有機化合
物層の表面が劣化するのを防ぐために設ける。その上に
酸化インジウムと酸化スズを組み合わせた化合物（ＩＴ
Ｏ）からなる陽極を形成することにより、有機発光素子
が形成される。
【０１３６】上記構成を有する有機発光素子の発光層に
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔注入層であるＰ
ＥＤＯＴに接触してしまう。
おいて、ピンホールによる欠陥部が形成された場合、欠
陥部において陰極であるＡｌＭｇが正孔注入層であるＰ
ＥＤＯＴに接触してしまう。
【０１３７】なお、この有機発光素子により得られる発
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
光は、シングレット化合物による一重項励起エネルギー
を利用したものである。
【０１３８】本発明は上記構成によって、有機化合物層
成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、発
光層を間に挟んで形成された２つの層どうしがショート
しても、ショートしている欠陥部の抵抗を高めることで
有機発光素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際に
有機化合物層に流れる電流を大きくすることができる。
したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在し
ても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くするこ
とができる。
成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、発
光層を間に挟んで形成された２つの層どうしがショート
しても、ショートしている欠陥部の抵抗を高めることで
有機発光素子に順バイアスの電圧をかけたときに実際に
有機化合物層に流れる電流を大きくすることができる。
したがって、本発明の修理方法により、欠陥部が存在し
ても、同じ電圧を印加したときの発光輝度を高くするこ
とができる。
【０１３９】また、欠陥部を変性部に変えて抵抗を大き
くすることで、変性層の周囲に存在する有機化合物層の
劣化が促進されるのを防ぐことができる。
くすることで、変性層の周囲に存在する有機化合物層の
劣化が促進されるのを防ぐことができる。
【０１４０】なお、発光素子の材料が炭化したことで形
成される炭化物は、絶縁性が高く、物質としても安定し
ている。そのため、欠陥部において、さらに有機化合物
材料が積層形成される場合、例えば、図１０（Ｂ）のよ
うに発光層（Ａｌｑ3）において欠陥部が生じ、この発
光層（Ａｌｑ3）に接して正孔注入層（ＰＥＤＯＴ）が
積層形成される場合において、本発明の修理方法は特に
有効である。
成される炭化物は、絶縁性が高く、物質としても安定し
ている。そのため、欠陥部において、さらに有機化合物
材料が積層形成される場合、例えば、図１０（Ｂ）のよ
うに発光層（Ａｌｑ3）において欠陥部が生じ、この発
光層（Ａｌｑ3）に接して正孔注入層（ＰＥＤＯＴ）が
積層形成される場合において、本発明の修理方法は特に
有効である。
【０１４１】なお本実施例は、実施例１〜実施例３と自
由に組み合わせて実施することが可能である。
由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１４２】（実施例５）本発明の修理方法を用いる発
光装置において、三重項励起子からの燐光を発光に利用
できる発光素子の材料を用いることが可能である。燐光
を発光に利用できる発光素子の材料を用いた発光装置
は、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができ
る。これにより、有機発光素子の低消費電力化、長寿命
化、および軽量化が可能になる。
光装置において、三重項励起子からの燐光を発光に利用
できる発光素子の材料を用いることが可能である。燐光
を発光に利用できる発光素子の材料を用いた発光装置
は、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができ
る。これにより、有機発光素子の低消費電力化、長寿命
化、および軽量化が可能になる。
【０１４３】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光
量子効率を向上させた報告を示す。 (T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Proce
sses in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda,
(Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
量子効率を向上させた報告を示す。 (T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Proce
sses in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda,
(Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
【０１４４】上記の論文により報告された発光素子の材
料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０１４５】
【化１】
【０１４６】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)
【０１４７】上記の論文により報告された発光素子の材
料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０１４８】
【化２】
【０１４９】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)
【０１５０】上記の論文により報告された発光素子の材
料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０１５１】
【化３】
【０１５２】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。
【０１５３】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。
例４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。
【０１５４】（実施例６）本実施例では、本発明の修理
方法を用いた発光装置の断面図について説明する。
方法を用いた発光装置の断面図について説明する。
【０１５５】図１４において、基板７００上に設けられ
たスイッチング用ＴＦＴ７２１はｎチャネル型ＴＦＴ５
０３を用いて形成される。
たスイッチング用ＴＦＴ７２１はｎチャネル型ＴＦＴ５
０３を用いて形成される。
【０１５６】なお、本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ
７２１がチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲー
ト構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成され
るシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプル
ゲート構造であっても良い。
７２１がチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲー
ト構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成され
るシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプル
ゲート構造であっても良い。
【０１５７】基板７００上に設けられた駆動回路はｎチ
ャネル型ＴＦＴ７２３とｐチャネル型ＴＦＴ７２４を有
している。なお、本実施例では駆動回路が有するＴＦＴ
をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造
もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
ャネル型ＴＦＴ７２３とｐチャネル型ＴＦＴ７２４を有
している。なお、本実施例では駆動回路が有するＴＦＴ
をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造
もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１５８】また、配線７０１、７０３はＣＭＯＳ回路
のソース配線、７０２はドレイン配線として機能する。
また、配線７０４はソース配線７０８とスイッチング用
ＴＦＴのソース領域とを電気的に接続する配線として機
能し、配線７０５はドレイン配線７０９とスイッチング
用ＴＦＴのドレイン領域とを電気的に接続する配線とし
て機能する。
のソース配線、７０２はドレイン配線として機能する。
また、配線７０４はソース配線７０８とスイッチング用
ＴＦＴのソース領域とを電気的に接続する配線として機
能し、配線７０５はドレイン配線７０９とスイッチング
用ＴＦＴのドレイン領域とを電気的に接続する配線とし
て機能する。
【０１５９】なお、駆動用ＴＦＴ７２２はｐチャネル型
ＴＦＴを用いて形成される。なお、本実施例では駆動用
ＴＦＴ７２２をシングルゲート構造としているが、ダブ
ルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良
い。
ＴＦＴを用いて形成される。なお、本実施例では駆動用
ＴＦＴ７２２をシングルゲート構造としているが、ダブ
ルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良
い。
【０１６０】また、配線７０６は駆動用ＴＦＴのソース
配線（電流供給線に相当する）であり、７０７は駆動用
ＴＦＴの画素電極７１０上に重ねることで画素電極７１
０と電気的に接続する電極である。
配線（電流供給線に相当する）であり、７０７は駆動用
ＴＦＴの画素電極７１０上に重ねることで画素電極７１
０と電気的に接続する電極である。
【０１６１】なお、７１０は、透明導電膜からなる画素
電極（有機発光素子の陽極）である。透明導電膜として
は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジ
ウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは
酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明
導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素
電極７１０は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁
膜７１１上に形成する。本実施例においては、樹脂から
なる平坦化膜７１１を用いてＴＦＴによる段差を平坦化
することは非常に重要である。後に形成される有機化合
物層は非常に薄いため、段差が存在することによって発
光不良を起こす場合がある。従って、有機化合物層をで
きるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。
電極（有機発光素子の陽極）である。透明導電膜として
は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジ
ウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは
酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明
導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素
電極７１０は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁
膜７１１上に形成する。本実施例においては、樹脂から
なる平坦化膜７１１を用いてＴＦＴによる段差を平坦化
することは非常に重要である。後に形成される有機化合
物層は非常に薄いため、段差が存在することによって発
光不良を起こす場合がある。従って、有機化合物層をで
きるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。
【０１６２】配線７０１〜７０７を形成後、図１４に示
すようにバンク７１２を形成する。バンク７１２は１０
０〜４００ｎｍの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜
をパターニングして形成すれば良い。
すようにバンク７１２を形成する。バンク７１２は１０
０〜４００ｎｍの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜
をパターニングして形成すれば良い。
【０１６３】画素電極７１０の上には有機化合物層７１
３が形成される。なお、図１４では一画素しか図示して
いないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
の各色に対応した有機化合物層を作り分けている。ま
た、本実施例では蒸着法により低分子系有機化合物層を
形成している。具体的には、正孔注入層７１３ａとして
２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、
その上に発光層７１３ｂとして７０ｎｍ厚のトリス−８
−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設け
た積層構造としている。Ａｌｑ3にキナクリドン、ペリ
レンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加すること
で発光色を制御することができる。
３が形成される。なお、図１４では一画素しか図示して
いないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
の各色に対応した有機化合物層を作り分けている。ま
た、本実施例では蒸着法により低分子系有機化合物層を
形成している。具体的には、正孔注入層７１３ａとして
２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、
その上に発光層７１３ｂとして７０ｎｍ厚のトリス−８
−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設け
た積層構造としている。Ａｌｑ3にキナクリドン、ペリ
レンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加すること
で発光色を制御することができる。
【０１６４】但し、以上の例は有機化合物層として用い
ることのできる有機化合物材料の一例であって、これに
限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層また
は電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層（発光
及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を
形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機化
合物材料を有機化合物層として用いる例を示したが、高
分子系有機化合物材料を用いても良い。また、電荷輸送
層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いるこ
とも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知の
材料を用いることができる。
ることのできる有機化合物材料の一例であって、これに
限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層また
は電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層（発光
及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を
形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機化
合物材料を有機化合物層として用いる例を示したが、高
分子系有機化合物材料を用いても良い。また、電荷輸送
層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いるこ
とも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知の
材料を用いることができる。
【０１６５】次に、有機化合物層７１３の上には導電膜
からなる陰極７１４が設けられる。本実施例の場合、導
電膜としてアルミニウムとマグネシウムとの合金膜を用
いる。勿論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との
合金膜）を用いても良い。陰極材料としては、周期表の
２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素
を添加した導電膜を用いても良い。例えば、Ｂｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも一つを添加す
る。
からなる陰極７１４が設けられる。本実施例の場合、導
電膜としてアルミニウムとマグネシウムとの合金膜を用
いる。勿論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との
合金膜）を用いても良い。陰極材料としては、周期表の
２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素
を添加した導電膜を用いても良い。例えば、Ｂｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも一つを添加す
る。
【０１６６】なお、陰極を二層の膜を積層した構造と
し、有機化合物層に接してマグネシウムを形成し、マグ
ネシウム上にアルミニウムを形成した構成とすると有機
発光素子が発光を開始する電圧を低減することができ
る。このとき、マグネシウムは１０ｎｍ厚、アルミニウ
ムは１００ｎｍ厚とすることが好ましい。
し、有機化合物層に接してマグネシウムを形成し、マグ
ネシウム上にアルミニウムを形成した構成とすると有機
発光素子が発光を開始する電圧を低減することができ
る。このとき、マグネシウムは１０ｎｍ厚、アルミニウ
ムは１００ｎｍ厚とすることが好ましい。
【０１６７】この陰極７１４まで形成された時点で有機
発光素子７１９が完成する。なお、ここでいう有機発光
素子７１９は、画素電極（陽極）７１０、有機化合物層
７１３及び陰極７１４で形成されたコンデンサを指す。
発光素子７１９が完成する。なお、ここでいう有機発光
素子７１９は、画素電極（陽極）７１０、有機化合物層
７１３及び陰極７１４で形成されたコンデンサを指す。
【０１６８】有機発光素子７１９を完全に覆うようにし
てパッシベーション膜７１６を設けることは有効であ
る。パッシベーション膜７１６としては、炭素膜、窒化
珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、
該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
てパッシベーション膜７１６を設けることは有効であ
る。パッシベーション膜７１６としては、炭素膜、窒化
珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、
該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
【０１６９】この際、カバレッジの良い膜をパッシベー
ション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤ
ＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは
有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範
囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い有機化合物層７
１３の上方にも容易に成膜することができる。また、Ｄ
ＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、有機化
合物層７１３の酸化を抑制することが可能である。その
ため、この後に続く封止工程を行う間に有機化合物層７
１３が酸化するといった問題を防止できる。
ション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤ
ＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは
有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範
囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い有機化合物層７
１３の上方にも容易に成膜することができる。また、Ｄ
ＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、有機化
合物層７１３の酸化を抑制することが可能である。その
ため、この後に続く封止工程を行う間に有機化合物層７
１３が酸化するといった問題を防止できる。
【０１７０】さらに、パッシベーション膜７１６上に封
止材７１７を設け、カバー材７１８を貼り合わせる。封
止材７１７としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内
部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有す
る物質を設けることは有効である。また、本実施例にお
いてカバー材７１８はガラス基板や石英基板やプラスチ
ック基板（プラスチックフィルムも含む）の両面に炭素
膜（好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜）を形成
したものを用いる。
止材７１７を設け、カバー材７１８を貼り合わせる。封
止材７１７としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内
部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有す
る物質を設けることは有効である。また、本実施例にお
いてカバー材７１８はガラス基板や石英基板やプラスチ
ック基板（プラスチックフィルムも含む）の両面に炭素
膜（好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜）を形成
したものを用いる。
【０１７１】こうして図１４に示すような構造の発光装
置が完成する。なお、バンク７１２を形成した後、パッ
シベーション膜７１６を形成するまでの工程をマルチチ
ャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用
いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。また、さらに発展させてカバー材７１８を貼り合わ
せる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも
可能である。
置が完成する。なお、バンク７１２を形成した後、パッ
シベーション膜７１６を形成するまでの工程をマルチチ
ャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用
いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。また、さらに発展させてカバー材７１８を貼り合わ
せる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも
可能である。
【０１７２】また、本実施例におけるＴＦＴの特徴は、
ゲート電極が２層の導電膜から形成されており、そして
チャネル形成領域とドレイン領域との間に設けられる低
濃度不純物領域において、ほとんど濃度差がなく、緩や
かな濃度勾配を有し、下層のゲート電極と重なる領域
（ＧＯＬＤ領域）と、ゲート電極と重ならない領域（Ｌ
ＤＤ領域）とを備えている点である。また、ゲート絶縁
膜の周縁部、即ち、ゲート電極と重ならない領域及び高
濃度不純物領域の上方の領域はテーパー状となってい
る。
ゲート電極が２層の導電膜から形成されており、そして
チャネル形成領域とドレイン領域との間に設けられる低
濃度不純物領域において、ほとんど濃度差がなく、緩や
かな濃度勾配を有し、下層のゲート電極と重なる領域
（ＧＯＬＤ領域）と、ゲート電極と重ならない領域（Ｌ
ＤＤ領域）とを備えている点である。また、ゲート絶縁
膜の周縁部、即ち、ゲート電極と重ならない領域及び高
濃度不純物領域の上方の領域はテーパー状となってい
る。
【０１７３】本実施例の発光装置において発光層７１３
ｂにピンホールが形成されていると、該ピンホールを介
して正孔注入層７１３ａと陰極７１４とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部７１５に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
ｂにピンホールが形成されていると、該ピンホールを介
して正孔注入層７１３ａと陰極７１４とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部７１５に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
【０１７４】また、本実施例では画素部と駆動回路の構
成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、そ
の他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアン
プ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成
可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも
形成しうる。
成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、そ
の他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアン
プ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成
可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも
形成しうる。
【０１７５】なお本実施例の構成は、実施例１、２、３
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。 （実施例７）本実施例では、本発明の修理方法を用いた
発光装置の断面図について説明する。
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。 （実施例７）本実施例では、本発明の修理方法を用いた
発光装置の断面図について説明する。
【０１７６】図１５において、同一の基板上に、駆動回
路のｐチャネル型ＴＦＴ２００と、ｎチャネル型ＴＦＴ
２０１と、画素部の駆動用ＴＦＴ２０３と、スイッチン
グ用ＴＦＴ２０４と、保持容量とが形成されている。
路のｐチャネル型ＴＦＴ２００と、ｎチャネル型ＴＦＴ
２０１と、画素部の駆動用ＴＦＴ２０３と、スイッチン
グ用ＴＦＴ２０４と、保持容量とが形成されている。
【０１７７】駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴ２００に
は、第２のテーパー形状を有する導電層２２０がゲート
電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域２０
６、ソース領域またはドレイン領域として機能する第３
の不純物領域２０７ａ、ゲート電極２２０と重ならない
ＬＤＤ領域を形成する第４の不純物領域（Ａ）２０７
ｂ、一部がゲート電極２２０と重なるＬＤＤ領域を形成
する第４の不純物領域（Ｂ）２０７ｃを有する構造とな
っている。
は、第２のテーパー形状を有する導電層２２０がゲート
電極としての機能を有し、また、チャネル形成領域２０
６、ソース領域またはドレイン領域として機能する第３
の不純物領域２０７ａ、ゲート電極２２０と重ならない
ＬＤＤ領域を形成する第４の不純物領域（Ａ）２０７
ｂ、一部がゲート電極２２０と重なるＬＤＤ領域を形成
する第４の不純物領域（Ｂ）２０７ｃを有する構造とな
っている。
【０１７８】ｎチャネル型ＴＦＴ２０１には、第２のテ
ーパー形状を有する導電層２２１がゲート電極としての
機能を有し、また、チャネル形成領域２０８、ソース領
域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域
２０９ａ、ゲート電極２２１と重ならないＬＤＤ領域を
形成する第２の不純物領域（Ａ）（Ａ）２０９ｂ、一部
がゲート電極２２１と重なるＬＤＤ領域を形成する第２
の不純物領域（Ｂ）２０９ｃを有する構造となってい
る。チャネル長２〜７μｍに対して、第２の不純物領域
（Ｂ）２０９ｃがゲート電極２２１と重なる部分の長さ
は０．１〜０．３μｍとする。このＬovの長さはゲート
電極２２１の厚さとテーパー部の角度から制御する。ｎ
チャネル型ＴＦＴにおいてこのようなＬＤＤ領域を形成
することにより、ドレイン領域近傍に発生する高電界を
緩和して、ホットキャリアの発生を防ぎ、ＴＦＴの劣化
を防止することができる。
ーパー形状を有する導電層２２１がゲート電極としての
機能を有し、また、チャネル形成領域２０８、ソース領
域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域
２０９ａ、ゲート電極２２１と重ならないＬＤＤ領域を
形成する第２の不純物領域（Ａ）（Ａ）２０９ｂ、一部
がゲート電極２２１と重なるＬＤＤ領域を形成する第２
の不純物領域（Ｂ）２０９ｃを有する構造となってい
る。チャネル長２〜７μｍに対して、第２の不純物領域
（Ｂ）２０９ｃがゲート電極２２１と重なる部分の長さ
は０．１〜０．３μｍとする。このＬovの長さはゲート
電極２２１の厚さとテーパー部の角度から制御する。ｎ
チャネル型ＴＦＴにおいてこのようなＬＤＤ領域を形成
することにより、ドレイン領域近傍に発生する高電界を
緩和して、ホットキャリアの発生を防ぎ、ＴＦＴの劣化
を防止することができる。
【０１７９】駆動用ＴＦＴ２０３は同様に、第２のテー
パー形状を有する導電層２２３がゲート電極としての機
能を有し、また、チャネル形成領域２１２、ソース領域
またはドレイン領域として機能する第３の不純物領域２
１３ａ、ゲート電極２２３と重ならないＬＤＤ領域を形
成する第４の不純物領域（Ａ）２１３ｂ、一部がゲート
電極２２３と重なるＬＤＤ領域を形成する第４の不純物
領域（Ｂ）２１３ｃを有する構造となっている。
パー形状を有する導電層２２３がゲート電極としての機
能を有し、また、チャネル形成領域２１２、ソース領域
またはドレイン領域として機能する第３の不純物領域２
１３ａ、ゲート電極２２３と重ならないＬＤＤ領域を形
成する第４の不純物領域（Ａ）２１３ｂ、一部がゲート
電極２２３と重なるＬＤＤ領域を形成する第４の不純物
領域（Ｂ）２１３ｃを有する構造となっている。
【０１８０】駆動回路はシフトレジスタ回路、バッファ
回路などのロジック回路やアナログスイッチで形成され
るサンプリング回路などで形成される。図１５ではこれ
らを形成するＴＦＴを一対のソース・ドレイン間に一つ
のゲート電極を設けたシングルゲートの構造で示した
が、複数のゲート電極を一対のソース・ドレイン間に設
けたマルチゲート構造としても差し支えない。
回路などのロジック回路やアナログスイッチで形成され
るサンプリング回路などで形成される。図１５ではこれ
らを形成するＴＦＴを一対のソース・ドレイン間に一つ
のゲート電極を設けたシングルゲートの構造で示した
が、複数のゲート電極を一対のソース・ドレイン間に設
けたマルチゲート構造としても差し支えない。
【０１８１】駆動用ＴＦＴ２０３のドレイン領域は配線
２３１を介して画素電極２７１に接続されている。画素
電極２７１に接するように公知の有機化合物材料からな
る有機化合物層２７２が形成されており、有機化合物層
２７２に接するように陰極２７３が形成されている。
２３１を介して画素電極２７１に接続されている。画素
電極２７１に接するように公知の有機化合物材料からな
る有機化合物層２７２が形成されており、有機化合物層
２７２に接するように陰極２７３が形成されている。
【０１８２】スイッチング用ＴＦＴ２０４には、第２の
テーパー形状を有する導電層２２４がゲート電極として
の機能を有し、また、チャネル形成領域２１４ａ、２１
４ｂ、ソース領域またはドレイン領域として機能する第
１の不純物領域２１５ａ、２１７、ゲート電極２２４と
重ならないＬＤＤ領域を形成する第２の不純物領域
（Ａ）２１５ｂ、一部がゲート電極２２４と重なるＬＤ
Ｄ領域を形成する第２の不純物領域（Ｂ）２１５ｃを有
する構造となっている。第２の不純物領域（Ｂ）２１３
ｃがゲート電極２２４と重なる部分の長さは０．１〜
０．３μｍとする。また、第１の不純物領域２１７から
延在し、第２の不純物領域（Ａ）２１９ｂ、第２の不純
物領域（Ｂ）２１９ｃ、導電型を決定する不純物元素が
添加されていない領域２１８を有する半導体層と、第３
の形状を有するゲート絶縁膜と同層で形成される絶縁層
と、第２のテーパー形状を有する導電層から形成される
容量配線２２５から保持容量が形成されている。
テーパー形状を有する導電層２２４がゲート電極として
の機能を有し、また、チャネル形成領域２１４ａ、２１
４ｂ、ソース領域またはドレイン領域として機能する第
１の不純物領域２１５ａ、２１７、ゲート電極２２４と
重ならないＬＤＤ領域を形成する第２の不純物領域
（Ａ）２１５ｂ、一部がゲート電極２２４と重なるＬＤ
Ｄ領域を形成する第２の不純物領域（Ｂ）２１５ｃを有
する構造となっている。第２の不純物領域（Ｂ）２１３
ｃがゲート電極２２４と重なる部分の長さは０．１〜
０．３μｍとする。また、第１の不純物領域２１７から
延在し、第２の不純物領域（Ａ）２１９ｂ、第２の不純
物領域（Ｂ）２１９ｃ、導電型を決定する不純物元素が
添加されていない領域２１８を有する半導体層と、第３
の形状を有するゲート絶縁膜と同層で形成される絶縁層
と、第２のテーパー形状を有する導電層から形成される
容量配線２２５から保持容量が形成されている。
【０１８３】本実施例の発光装置において有機化合物層
２７２にピンホールが形成されていると、該ピンホール
を介して画素電極２７１と陰極２７３とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部２７４に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
２７２にピンホールが形成されていると、該ピンホール
を介して画素電極２７１と陰極２７３とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部２７４に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
【０１８４】なお本実施例の構成は、実施例１、２、３
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。
【０１８５】（実施例８）本実施例では、本発明の修理
方法を用いた発光装置の断面図について説明する。
方法を用いた発光装置の断面図について説明する。
【０１８６】図１６において、８１１は基板、８１２は
下地となる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板
８１１としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石
英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基
板を用いることができる。但し、作製プロセス中の最高
処理温度に耐えるものでなくてはならない。
下地となる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板
８１１としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石
英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基
板を用いることができる。但し、作製プロセス中の最高
処理温度に耐えるものでなくてはならない。
【０１８７】また、下地膜８１２は特に可動イオンを含
む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効である
が、石英基板には設けなくても構わない。下地膜８１２
としては、珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良
い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」と
は、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸
化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ、ｙは任意の整数、で示さ
れる）など珪素に対して酸素若しくは窒素を所定の割合
で含ませた絶縁膜を指す。
む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効である
が、石英基板には設けなくても構わない。下地膜８１２
としては、珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良
い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」と
は、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸
化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ、ｙは任意の整数、で示さ
れる）など珪素に対して酸素若しくは窒素を所定の割合
で含ませた絶縁膜を指す。
【０１８８】８２０１はスイッチング用ＴＦＴ、８２０
２は駆動用ＴＦＴであり、それぞれｎチャネル型ＴＦ
Ｔ、ｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。有機化合物
層で生じた光の発光方向が基板の下面（ＴＦＴ及び有機
化合物層が設けられていない面）の場合、上記構成であ
ることが好ましい。しかし本願発明はこの構成に限定さ
れない。スイッチング用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴは、ｎチ
ャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでも、どちらで
も構わない。
２は駆動用ＴＦＴであり、それぞれｎチャネル型ＴＦ
Ｔ、ｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。有機化合物
層で生じた光の発光方向が基板の下面（ＴＦＴ及び有機
化合物層が設けられていない面）の場合、上記構成であ
ることが好ましい。しかし本願発明はこの構成に限定さ
れない。スイッチング用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴは、ｎチ
ャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでも、どちらで
も構わない。
【０１８９】スイッチング用ＴＦＴ８２０１は、ソース
領域８１３、ドレイン領域８１４、ＬＤＤ領域８１５a
〜８１５d、分離領域８１６及びチャネル形成領域８１
７a、８１７bを含む活性層と、ゲート絶縁膜８１８と、
ゲート電極８１９a、８１９bと、第１層間絶縁膜８２０
と、ソース信号線８２１と、ドレイン配線８２２とを有
している。なお、ゲート絶縁膜８１８又は第１層間絶縁
膜８２０は基板上の全ＴＦＴに共通であっても良いし、
回路又は素子に応じて異ならせても良い。
領域８１３、ドレイン領域８１４、ＬＤＤ領域８１５a
〜８１５d、分離領域８１６及びチャネル形成領域８１
７a、８１７bを含む活性層と、ゲート絶縁膜８１８と、
ゲート電極８１９a、８１９bと、第１層間絶縁膜８２０
と、ソース信号線８２１と、ドレイン配線８２２とを有
している。なお、ゲート絶縁膜８１８又は第１層間絶縁
膜８２０は基板上の全ＴＦＴに共通であっても良いし、
回路又は素子に応じて異ならせても良い。
【０１９０】また、図１６に示すスイッチング用ＴＦＴ
８２０１はゲート電極８１７a、８１７bが電気的に接続
されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。
勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構
造などいわゆるマルチゲート構造（直列に接続された二
つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造）
であっても良い。
８２０１はゲート電極８１７a、８１７bが電気的に接続
されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。
勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構
造などいわゆるマルチゲート構造（直列に接続された二
つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造）
であっても良い。
【０１９１】マルチゲート構造はオフ電流を低減する上
で極めて有効であり、スイッチング用ＴＦＴのオフ電流
を十分に低くすれば、それだけ駆動用ＴＦＴ８２０２の
ゲート電極に接続されたコンデンサが必要とする最低限
の容量を抑えることができる。即ち、コンデンサの面積
を小さくすることができるので、マルチゲート構造とす
ることは有機発光素子の有効発光面積を広げる上でも有
効である。
で極めて有効であり、スイッチング用ＴＦＴのオフ電流
を十分に低くすれば、それだけ駆動用ＴＦＴ８２０２の
ゲート電極に接続されたコンデンサが必要とする最低限
の容量を抑えることができる。即ち、コンデンサの面積
を小さくすることができるので、マルチゲート構造とす
ることは有機発光素子の有効発光面積を広げる上でも有
効である。
【０１９２】さらに、スイッチング用ＴＦＴ８２０１に
おいては、ＬＤＤ領域８１５a〜８１５dは、ゲート絶縁
膜８１８を介してゲート電極８１９a、８１９bと重なら
ないように設ける。このような構造はオフ電流を低減す
る上で非常に効果的である。また、ＬＤＤ領域８１５a
〜８１５dの長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、代表的
には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
おいては、ＬＤＤ領域８１５a〜８１５dは、ゲート絶縁
膜８１８を介してゲート電極８１９a、８１９bと重なら
ないように設ける。このような構造はオフ電流を低減す
る上で非常に効果的である。また、ＬＤＤ領域８１５a
〜８１５dの長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、代表的
には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
【０１９３】なお、チャネル形成領域とＬＤＤ領域との
間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半
導体層でなり、ゲート電圧が加えられない領域）を設け
ることはオフ電流を下げる上でさらに好ましい。また、
二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場
合、チャネル形成領域の間に設けられた分離領域８１６
（ソース領域又はドレイン領域と同一の濃度で同一の不
純物元素が添加された領域）がオフ電流の低減に効果的
である。
間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半
導体層でなり、ゲート電圧が加えられない領域）を設け
ることはオフ電流を下げる上でさらに好ましい。また、
二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場
合、チャネル形成領域の間に設けられた分離領域８１６
（ソース領域又はドレイン領域と同一の濃度で同一の不
純物元素が添加された領域）がオフ電流の低減に効果的
である。
【０１９４】次に、駆動用ＴＦＴ８２０２は、ソース領
域８２６、ドレイン領域８２７及びチャネル形成領域８
２９を含む活性層と、ゲート絶縁膜８１８と、ゲート電
極８３０と、第１層間絶縁膜８２０と、ソース信号線８
３１並びにドレイン配線８３２を有して形成される。本
実施例において駆動用ＴＦＴ８２０２はｐチャネル型Ｔ
ＦＴである。
域８２６、ドレイン領域８２７及びチャネル形成領域８
２９を含む活性層と、ゲート絶縁膜８１８と、ゲート電
極８３０と、第１層間絶縁膜８２０と、ソース信号線８
３１並びにドレイン配線８３２を有して形成される。本
実施例において駆動用ＴＦＴ８２０２はｐチャネル型Ｔ
ＦＴである。
【０１９５】また、スイッチング用ＴＦＴ８２０１のド
レイン領域８１４は駆動用ＴＦＴ８２０２のゲート８３
０に接続されている。図示してはいないが、具体的には
駆動用ＴＦＴ８２０２のゲート電極８３０はスイッチン
グ用ＴＦＴ８２０１のドレイン領域８１４とドレイン配
線（接続配線とも言える）８２２を介して電気的に接続
されている。なお、ゲート電極８３０はシングルゲート
構造となっているが、マルチゲート構造であっても良
い。また、駆動用ＴＦＴ８２０２のソース信号線８３１
は電源供給線（図示せず）に接続される。
レイン領域８１４は駆動用ＴＦＴ８２０２のゲート８３
０に接続されている。図示してはいないが、具体的には
駆動用ＴＦＴ８２０２のゲート電極８３０はスイッチン
グ用ＴＦＴ８２０１のドレイン領域８１４とドレイン配
線（接続配線とも言える）８２２を介して電気的に接続
されている。なお、ゲート電極８３０はシングルゲート
構造となっているが、マルチゲート構造であっても良
い。また、駆動用ＴＦＴ８２０２のソース信号線８３１
は電源供給線（図示せず）に接続される。
【０１９６】駆動用ＴＦＴ８２０２は有機発光素子に注
入される電流量を制御するための素子であり、比較的多
くの電流が流れる。そのため、チャネル幅（Ｗ）はスイ
ッチング用ＴＦＴのチャネル幅よりも大きく設計するこ
とが好ましい。また、駆動用ＴＦＴ８２０２に過剰な電
流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計す
ることが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２
μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
入される電流量を制御するための素子であり、比較的多
くの電流が流れる。そのため、チャネル幅（Ｗ）はスイ
ッチング用ＴＦＴのチャネル幅よりも大きく設計するこ
とが好ましい。また、駆動用ＴＦＴ８２０２に過剰な電
流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計す
ることが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２
μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【０１９７】またさらに、駆動用ＴＦＴ８２０２の活性
層（特にチャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好まし
くは５０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは６０〜８０ｎ
ｍ）ことによって、ＴＦＴの劣化を抑えてもよい。逆
に、スイッチング用ＴＦＴ８２０１の場合はオフ電流を
小さくするという観点から見れば、活性層（特にチャネ
ル形成領域）の膜厚を薄くする（好ましくは２０〜５０
ｎｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｎｍ）ことも有効で
ある。
層（特にチャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好まし
くは５０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは６０〜８０ｎ
ｍ）ことによって、ＴＦＴの劣化を抑えてもよい。逆
に、スイッチング用ＴＦＴ８２０１の場合はオフ電流を
小さくするという観点から見れば、活性層（特にチャネ
ル形成領域）の膜厚を薄くする（好ましくは２０〜５０
ｎｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｎｍ）ことも有効で
ある。
【０１９８】以上は画素内に設けられたＴＦＴの構造に
ついて説明したが、このとき同時に駆動回路も形成され
る。図１６には駆動回路を形成する基本単位となるＣＭ
ＯＳ回路が図示されている。
ついて説明したが、このとき同時に駆動回路も形成され
る。図１６には駆動回路を形成する基本単位となるＣＭ
ＯＳ回路が図示されている。
【０１９９】図１６においては極力動作速度を落とさな
いようにしつつホットキャリア注入を低減させる構造を
有するＴＦＴをＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴ８２
０４として用いる。なお、ここでいう駆動回路として
は、ソース信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路を指
す。勿論、他の論理回路（レベルシフタ、Ａ／Ｄコンバ
ータ、信号分割回路等）を形成することも可能である。
いようにしつつホットキャリア注入を低減させる構造を
有するＴＦＴをＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴ８２
０４として用いる。なお、ここでいう駆動回路として
は、ソース信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路を指
す。勿論、他の論理回路（レベルシフタ、Ａ／Ｄコンバ
ータ、信号分割回路等）を形成することも可能である。
【０２００】ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴ８２０
４の活性層は、ソース領域８３５、ドレイン領域８３
６、ＬＤＤ領域８３７及びチャネル形成領域８３８を含
み、ＬＤＤ領域８３７はゲート絶縁膜８１８を介してゲ
ート電極８３９と重なっている。
４の活性層は、ソース領域８３５、ドレイン領域８３
６、ＬＤＤ領域８３７及びチャネル形成領域８３８を含
み、ＬＤＤ領域８３７はゲート絶縁膜８１８を介してゲ
ート電極８３９と重なっている。
【０２０１】ドレイン領域８３６側のみにＬＤＤ領域８
３７を形成しているのは、動作速度を落とさないための
配慮である。また、このｎチャネル型ＴＦＴ８２０４は
オフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動
作速度を重視した方が良い。従って、ＬＤＤ領域８３７
は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少
なくすることが望ましい。即ち、いわゆるオフセットは
なくした方がよい。
３７を形成しているのは、動作速度を落とさないための
配慮である。また、このｎチャネル型ＴＦＴ８２０４は
オフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動
作速度を重視した方が良い。従って、ＬＤＤ領域８３７
は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少
なくすることが望ましい。即ち、いわゆるオフセットは
なくした方がよい。
【０２０２】また、ＣＭＯＳ回路のｐチャネル型ＴＦＴ
８２０５は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気に
ならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。従
って活性層はソース領域８４０、ドレイン領域８４１及
びチャネル形成領域８４２を含み、その上にはゲート絶
縁膜８１８とゲート電極８４３が設けられる。勿論、ｎ
チャネル型ＴＦＴ８２０４と同様にＬＤＤ領域を設け、
ホットキャリア対策を講じることも可能である。
８２０５は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気に
ならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。従
って活性層はソース領域８４０、ドレイン領域８４１及
びチャネル形成領域８４２を含み、その上にはゲート絶
縁膜８１８とゲート電極８４３が設けられる。勿論、ｎ
チャネル型ＴＦＴ８２０４と同様にＬＤＤ領域を設け、
ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０２０３】なお８６１〜８６５はチャネル形成領域８
４２、８３８、８１７ａ、８１７ｂ、８２９を形成する
ためのマスクである。
４２、８３８、８１７ａ、８１７ｂ、８２９を形成する
ためのマスクである。
【０２０４】また、ｎチャネル型ＴＦＴ８２０４及びｐ
チャネル型ＴＦＴ８２０５はそれぞれソース領域上に第
１層間絶縁膜８２０を間に介して、ソース信号線８４
４、８４５を有している。また、ドレイン配線８４６に
よってｎチャネル型ＴＦＴ８２０４とｐチャネル型ＴＦ
Ｔ８２０５とのドレイン領域は互いに電気的に接続され
る。
チャネル型ＴＦＴ８２０５はそれぞれソース領域上に第
１層間絶縁膜８２０を間に介して、ソース信号線８４
４、８４５を有している。また、ドレイン配線８４６に
よってｎチャネル型ＴＦＴ８２０４とｐチャネル型ＴＦ
Ｔ８２０５とのドレイン領域は互いに電気的に接続され
る。
【０２０５】次に、８４７は第１パッシベーション膜で
あり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５
００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶
縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）
を用いることができる。このパッシベーション膜８４７
は形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する
役割を有する。
あり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５
００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶
縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）
を用いることができる。このパッシベーション膜８４７
は形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する
役割を有する。
【０２０６】また、８４８は第２層間絶縁膜であり、Ｔ
ＦＴによってできる段差の平坦化を行う平坦化膜として
の機能を有する。第２層間絶縁膜８４８としては、有機
樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリ
ル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。
これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比
誘電率が低いという利点を有する。有機化合物層は凹凸
に非常に敏感であるため、ＴＦＴによる段差は第２層間
絶縁膜８４８で殆ど吸収してしまうことが望ましい。ま
た、ゲート信号線やデータ信号線と有機発光素子の陰極
との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率
の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。従って、
膜厚は０．５〜５μm（好ましくは１．５〜２．５μm）
が好ましい。
ＦＴによってできる段差の平坦化を行う平坦化膜として
の機能を有する。第２層間絶縁膜８４８としては、有機
樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリ
ル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。
これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比
誘電率が低いという利点を有する。有機化合物層は凹凸
に非常に敏感であるため、ＴＦＴによる段差は第２層間
絶縁膜８４８で殆ど吸収してしまうことが望ましい。ま
た、ゲート信号線やデータ信号線と有機発光素子の陰極
との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率
の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。従って、
膜厚は０．５〜５μm（好ましくは１．５〜２．５μm）
が好ましい。
【０２０７】また、８４９は透明導電膜でなる画素電極
（有機発光素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜８４８
及び第１パッシベーション膜８４７にコンタクトホール
（開孔）を開けた後、形成された開孔部において駆動用
ＴＦＴ８２０２のドレイン配線８３２に接続されるよう
に形成される。
（有機発光素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜８４８
及び第１パッシベーション膜８４７にコンタクトホール
（開孔）を開けた後、形成された開孔部において駆動用
ＴＦＴ８２０２のドレイン配線８３２に接続されるよう
に形成される。
【０２０８】画素電極８４９の上には酸化珪素膜、窒化
酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第３層間絶縁膜８５
０が０．３〜１μmの厚さに設けられる。この第３層間
絶縁膜８５０は画素電極８４９の上にエッチングにより
開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状とな
るようにエッチングする。テーパーの角度は１０〜６０
°（好ましくは３０〜５０°）とすると良い。
酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第３層間絶縁膜８５
０が０．３〜１μmの厚さに設けられる。この第３層間
絶縁膜８５０は画素電極８４９の上にエッチングにより
開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状とな
るようにエッチングする。テーパーの角度は１０〜６０
°（好ましくは３０〜５０°）とすると良い。
【０２０９】第３層間絶縁膜８５０の上には有機化合物
層８５１が設けられる。有機化合物層８５１は単層又は
積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効
率は良い。一般的には画素電極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造で
も良い。本願発明では公知のいずれの構造を用いても良
いし、有機化合物層に対して蛍光性色素等をドーピング
しても良い。
層８５１が設けられる。有機化合物層８５１は単層又は
積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効
率は良い。一般的には画素電極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造で
も良い。本願発明では公知のいずれの構造を用いても良
いし、有機化合物層に対して蛍光性色素等をドーピング
しても良い。
【０２１０】図１６の構造はＲＧＢに対応した三種類の
有機発光素子を形成する方式を用いた場合の例である。
なお、図１６には一つの画素しか図示していないが、同
一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して
形成され、これによりカラー表示を行うことができる。
本願発明は発光方式に関わらず実施することが可能であ
る。
有機発光素子を形成する方式を用いた場合の例である。
なお、図１６には一つの画素しか図示していないが、同
一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して
形成され、これによりカラー表示を行うことができる。
本願発明は発光方式に関わらず実施することが可能であ
る。
【０２１１】有機化合物層８５１の上には有機発光素子
の陰極８５２が設けられる。陰極８５２としては、仕事
関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、若しくはカルシウ
ム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ
（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１の重量比で混合し
た材料）でなる電極、又は、ＡｌＭｇ（ＭｇとＡｌをＭ
ｇ：Ａｇ＝５：９５の重量比で混合した材料）でなる電
極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極が挙げられ
る。
の陰極８５２が設けられる。陰極８５２としては、仕事
関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、若しくはカルシウ
ム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ
（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１の重量比で混合し
た材料）でなる電極、又は、ＡｌＭｇ（ＭｇとＡｌをＭ
ｇ：Ａｇ＝５：９５の重量比で混合した材料）でなる電
極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極が挙げられ
る。
【０２１２】なお、画素電極（陽極）８４９、有機化合
物層８５１及び陰極８５２によって有機発光素子８２０
６が形成される。
物層８５１及び陰極８５２によって有機発光素子８２０
６が形成される。
【０２１３】有機化合物層８５１と陰極８５２とでなる
積層体は、各画素で個別に形成する必要があるが、有機
化合物層８５１は水分に極めて弱いため、通常のフォト
リソグラフィ技術を用いることができない。従って、メ
タルマスク等の物理的なマスク材を用い、真空蒸着法、
スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等の気相法で選択的に形
成することが好ましい。
積層体は、各画素で個別に形成する必要があるが、有機
化合物層８５１は水分に極めて弱いため、通常のフォト
リソグラフィ技術を用いることができない。従って、メ
タルマスク等の物理的なマスク材を用い、真空蒸着法、
スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等の気相法で選択的に形
成することが好ましい。
【０２１４】なお、有機化合物層を選択的に形成する方
法として、インクジェット法、スクリーン印刷法又はス
ピンコート法等を用いることも可能であるが、これらは
現状では陰極の連続形成ができないので、上述の方法の
方が好ましいと言える。
法として、インクジェット法、スクリーン印刷法又はス
ピンコート法等を用いることも可能であるが、これらは
現状では陰極の連続形成ができないので、上述の方法の
方が好ましいと言える。
【０２１５】また、８５３は保護電極であり、陰極８５
２を外部の水分等から保護すると同時に、各画素の陰極
８５２を接続するための電極である。保護電極８５３と
しては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）若しくは銀
（Ａｇ）を含む低抵抗な材料を用いることが好ましい。
この保護電極８５３には有機化合物層の発熱を緩和する
放熱効果も期待できる。
２を外部の水分等から保護すると同時に、各画素の陰極
８５２を接続するための電極である。保護電極８５３と
しては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）若しくは銀
（Ａｇ）を含む低抵抗な材料を用いることが好ましい。
この保護電極８５３には有機化合物層の発熱を緩和する
放熱効果も期待できる。
【０２１６】また、８５４は第２パッシベーション膜で
あり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５
００ｎｍ）とすれば良い。第２パッシベーション膜８５
４を設ける目的は、有機化合物層８５１を水分から保護
する目的が主であるが、放熱効果をもたせることも有効
である。但し、上述のように有機化合物層は熱に弱いの
で、なるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの
温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って、プラズマ
ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法又は溶液塗布法（スピンコーティング法）が望ま
しい成膜方法と言える。
あり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５
００ｎｍ）とすれば良い。第２パッシベーション膜８５
４を設ける目的は、有機化合物層８５１を水分から保護
する目的が主であるが、放熱効果をもたせることも有効
である。但し、上述のように有機化合物層は熱に弱いの
で、なるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの
温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って、プラズマ
ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法又は溶液塗布法（スピンコーティング法）が望ま
しい成膜方法と言える。
【０２１７】なお、図１６に図示されたＴＦＴは全て、
本願発明で用いるポリシリコン膜を活性層として有して
いても良いことは言うまでもない。
本願発明で用いるポリシリコン膜を活性層として有して
いても良いことは言うまでもない。
【０２１８】本実施例の発光装置において有機化合物層
８６０にピンホールが形成されていると、該ピンホール
を介して画素電極８４９と陰極８５２とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部８６０に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
８６０にピンホールが形成されていると、該ピンホール
を介して画素電極８４９と陰極８５２とが接触している
欠陥部が形成される。本発明の修理方法により、該欠陥
部を変性部８６０に変えることで抵抗を高くすることが
できる。よって、画素のピンホール以外の部分の輝度を
高くし、ピンホールの周りの有機化合物層の劣化が促進
されるのを防ぐことができる。
【０２１９】なお本実施例の構成は、実施例１、２、３
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。
または８と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。
【０２２０】（実施例９）有機発光素子を用いた発光装
置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい
場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な
電子機器の表示部に用いることができる。
置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい
場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な
電子機器の表示部に用いることができる。
【０２２１】本発明の修理方法を用いた発光装置を用い
た電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴ
ーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレ
イ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナル
コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコ
ンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍
等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジ
タルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、
その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙
げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携
帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、有機
発光素子を有する発光装置を用いることが望ましい。そ
れら電子機器の具体例を図１１に示す。
た電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴ
ーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレ
イ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナル
コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコ
ンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍
等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジ
タルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、
その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙
げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携
帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、有機
発光素子を有する発光装置を用いることが望ましい。そ
れら電子機器の具体例を図１１に示す。
【０２２２】図１１（Ａ）は表示装置であり、筐体２０
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部
２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の
修理方法を用いて作製された発光装置は表示部２００３
に用いることができる。有機発光素子を有する発光装置
は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表
示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、表
示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用な
どの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部
２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の
修理方法を用いて作製された発光装置は表示部２００３
に用いることができる。有機発光素子を有する発光装置
は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表
示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、表
示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用な
どの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２２３】図１１（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明の修理方法を用いて作製さ
れた発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明の修理方法を用いて作製さ
れた発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０２２４】図１１（Ｃ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の
修理方法を用いた発光装置は表示部２２０３に用いるこ
とができる。
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の
修理方法を用いた発光装置は表示部２２０３に用いるこ
とができる。
【０２２５】図１１（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
４、操作キー２３０５、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部２３０
２に用いることができる。
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
４、操作キー２３０５、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部２３０
２に用いることができる。
【０２２６】図１１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明の修理方法を用いた発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２
４０３、２４０４に用いることができる。なお、記録媒
体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含
まれる。
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明の修理方法を用いた発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２
４０３、２４０４に用いることができる。なお、記録媒
体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含
まれる。
【０２２７】図１１（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
の修理方法を用いた発光装置は表示部２５０２に用いる
ことができる。
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
の修理方法を用いた発光装置は表示部２５０２に用いる
ことができる。
【０２２８】図１１（Ｇ）はビデオカメラであり、本体
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明の修理方法を用いた発光装
置は表示部２６０２に用いることができる。
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明の修理方法を用いた発光装
置は表示部２６０２に用いることができる。
【０２２９】ここで図１１（Ｈ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部２７０３に
用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明の修理方法を用いた発光装置は表示部２７０３に
用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。
【０２３０】なお、将来的に有機化合物材料の発光輝度
が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で
拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクタ
ーに用いることも可能となる。
が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で
拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクタ
ーに用いることも可能となる。
【０２３１】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機化合物材料の
応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ま
しい。
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機化合物材料の
応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ま
しい。
【０２３２】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
【０２３３】以上の様に、本発明の修理方法を用いた発
光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機
器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機
器は実施例１〜７に示したいずれの構成を用いても良
い。
光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機
器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機
器は実施例１〜７に示したいずれの構成を用いても良
い。
【０２３４】（実施例１０）本実施例では、本発明の修
理方法をパッシブ型（単純マトリクス型）の発光装置に
適用した場合について説明する。
理方法をパッシブ型（単純マトリクス型）の発光装置に
適用した場合について説明する。
【０２３５】図２０（Ａ）にパッシブ型の発光装置の構
成を示す。９０５は画素部であり、複数の画素９０６を
有している。各画素は複数のデータ線９０３の１つと、
複数の走査線９０４の１つとを有している。データ線９
０３と走査線９０４の間に有機化合物層が形成されてお
り、データ線９０３と走査線９０４とが電極となり、有
機発光素子９０７が形成されている。
成を示す。９０５は画素部であり、複数の画素９０６を
有している。各画素は複数のデータ線９０３の１つと、
複数の走査線９０４の１つとを有している。データ線９
０３と走査線９０４の間に有機化合物層が形成されてお
り、データ線９０３と走査線９０４とが電極となり、有
機発光素子９０７が形成されている。
【０２３６】データ線９０３に入力される信号はデータ
線駆動回路９０１において制御されており、走査線９０
４に入力される信号は走査線駆動回路９０２において制
御されている。
線駆動回路９０１において制御されており、走査線９０
４に入力される信号は走査線駆動回路９０２において制
御されている。
【０２３７】図２０（Ｂ）に、本発明の修理方法を用い
たときに、走査線９０４とデータ線９０３に入力される
信号の電圧の高さを示す。各走査線９０４の電圧を一定
にし、データ線の電圧を一定期間毎に変化させること
で、一定期間毎に有機発光素子９０７に所定の逆バイア
スの電流を流す。
たときに、走査線９０４とデータ線９０３に入力される
信号の電圧の高さを示す。各走査線９０４の電圧を一定
にし、データ線の電圧を一定期間毎に変化させること
で、一定期間毎に有機発光素子９０７に所定の逆バイア
スの電流を流す。
【０２３８】なお有機発光素子９０７の欠陥の修理は、
画素部９０５が有する全ての画素９０６において一斉に
行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行って
も良い。
画素部９０５が有する全ての画素９０６において一斉に
行っても良いし、各ライン毎、または各画素毎に行って
も良い。
【０２３９】本発明の方法を用いることによって、有機
化合物層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成
され、有機化合物層を間に挟んで形成された２つの層ど
うしがショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗
を高めることができ、有機発光素子に順バイアスの電圧
をかけたときに実際に有機化合物層に流れる電流を大き
くすることができる。したがって、本発明の修理方法に
より、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの
発光輝度を高くすることができる。
化合物層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成
され、有機化合物層を間に挟んで形成された２つの層ど
うしがショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗
を高めることができ、有機発光素子に順バイアスの電圧
をかけたときに実際に有機化合物層に流れる電流を大き
くすることができる。したがって、本発明の修理方法に
より、欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの
発光輝度を高くすることができる。
【０２４０】また、欠陥部では常に電流が流れるため
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
【０２４１】本実施例は、実施例４、５、９と自由に組
み合わせて実施することが可能である。
み合わせて実施することが可能である。
【０２４２】
【発明の効果】本発明は上記構成によって、有機化合物
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、
有機化合物層を間に挟んで形成された２つの層どうしが
ショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗を高め
ることができ、有機発光素子に順バイアスの電圧をかけ
たときに実際に有機化合物層に流れる電流を大きくする
ことができる。したがって、本発明の修理方法により、
欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝
度を高くすることができる。
層成膜時にゴミ等の影響によりピンホールが形成され、
有機化合物層を間に挟んで形成された２つの層どうしが
ショートしても、ショートしている欠陥部の抵抗を高め
ることができ、有機発光素子に順バイアスの電圧をかけ
たときに実際に有機化合物層に流れる電流を大きくする
ことができる。したがって、本発明の修理方法により、
欠陥部が存在しても、同じ電圧を印加したときの発光輝
度を高くすることができる。
【０２４３】また、欠陥部では常に電流が流れるため
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
に、欠陥部の周囲に存在する有機化合物層の劣化が促進
されやすかった。しかし、変性層は抵抗ＲSCが高いので
電流は流れにくく、変性層の周囲に存在する有機化合物
層の劣化が促進されることを防ぐことができる。
【０２４４】さらに、有機発光素子の陰極にＮａ、Ｌｉ
を極力含まないようにすることで、有機発光素子に逆バ
イアスを加えたときに、有機発光素子、ＴＦＴといった
デバイスを汚染することを防止できる。
を極力含まないようにすることで、有機発光素子に逆バ
イアスを加えたときに、有機発光素子、ＴＦＴといった
デバイスを汚染することを防止できる。
【図１】 有機発光素子に逆バイアスの電圧を印加した
時の、有機発光素子における電流の流れを模式的に示し
た図。
時の、有機発光素子における電流の流れを模式的に示し
た図。
【図２】 修理の過程における有機発光素子の電圧電流
特性の変化と、修理後の有機発光素子に順バイアスの電
圧を印加した時の、有機発光素子における電流の流れを
模式的に示した図。
特性の変化と、修理後の有機発光素子に順バイアスの電
圧を印加した時の、有機発光素子における電流の流れを
模式的に示した図。
【図３】 実施例１の画素の回路図。
【図４】 実施例１の画素部の回路図及び修理の際の
画素部の動作を示す図。
画素部の動作を示す図。
【図５】 実施例２の画素の回路図。
【図６】 実施例２の画素部の回路図及び修理の際の
画素部の動作を示す図。
画素部の動作を示す図。
【図７】 実施例３の画素部の回路図及び修理の際の
画素部の動作を示す図。
画素部の動作を示す図。
【図８】 実施例３の画素の回路図。
【図９】 実施例４の有機発光素子の構成を示す図。
【図１０】 実施例４の有機発光素子の構成を示す図。
【図１１】 実施例１０の本発明の修理方法を用いた発
光装置を有する電子機器。
光装置を有する電子機器。
【図１２】 欠陥部を有する有機発光素子の断面図と、
該有機発光素子に順バイアスの電流を流したときの電流
の流れを模式的に示した図。
該有機発光素子に順バイアスの電流を流したときの電流
の流れを模式的に示した図。
【図１３】 有機発光素子の電圧−電流特性を示す図。
【図１４】 実施例５の発光装置の断面図。
【図１５】 実施例６の発光装置の断面図。
【図１６】 実施例７の発光装置の断面図。
【図１７】 ＡｌＭｇを電極としたＭＯＳ構造及び容量
−電圧特性を示す図。
−電圧特性を示す図。
【図１８】 ＭｇＡｇを電極としたＭＯＳ構造及び容量
−電圧特性を示す図。
−電圧特性を示す図。
【図１９】 ＡｌＬｉを電極としたＭＯＳ構造及び容量
−電圧特性を示す図。
−電圧特性を示す図。
【図２０】 パッシブ型の発光装置に本発明の修理方法
を用いた場合の図。
を用いた場合の図。
Claims (26)
- 【請求項１】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含む
発光装置の修理方法であって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下であ
り、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加
することを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項２】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含む
発光装置の修理方法であって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下であ
り、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加
することにより、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡
した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱さ
せ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させるこ
とを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項３】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含む
発光装置の修理方法であって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下であ
り、 前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注
入層または電子輸送層と、発光層とを有しており、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記発光層の上方の層と、前記発光層の下
方の層とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記
短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化
または絶縁化させることを特徴とする発光装置の修理方
法。 - 【請求項４】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含む
発光装置の修理方法であって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下であ
り、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記陽極又は前記陰極の少なくとも一つが
前記有機化合物層に陥入して前記陽極と前記陰極とが電
気的に接した部分に電流を流すことを特徴とする発光装
置の修理方法。 - 【請求項５】請求項４において、前記陽極と前記陰極と
が電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前
記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴
とする発光装置の修理方法。 - 【請求項６】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含む
発光装置の修理方法であって、前記陰極はＬｉまたはＮ
ａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／cm3以下であ
り、 前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注
入層または電子輸送層と、発光層とを有しており、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記発光層の上方の層又は前記発光層の下
方の層のいずれかが前記発光層に陥入し、前記発光層の
上方の層と前記発光層の下方の層とが電気的に接した部
分に電流を流すことを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項７】請求項６において、前記発光層の上方の層
と前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に前記
電流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化ま
たは絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記陰極はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なく
とも一つを含有する合金であることを特徴とする発光装
置の修理方法。 - 【請求項９】請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記陰極はマグネシウムを含有する合金であることを特
徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項１０】請求項１乃至７のいずれか一項におい
て、前記陰極はＡｌＭｇ、ＭｇＡｇ、又はＭｇＡｇＡｌ
であることを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項１１】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の修理方法であって、前記陰極はＡｌ又はＡ
ｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であり、前記
陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加すること
を特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項１２】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の修理方法であって、前記陰極はＡｌ又はＡ
ｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であり、前記
陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加すること
により、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した部分
に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発
熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴と
する発光装置の修理方法。 - 【請求項１３】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の修理方法であって、前記陰極はＡｌ又はＡ
ｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であり、 前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注
入層または電子輸送層と、発光層とを有しており、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記発光層の上方の層と、前記発光層の下
方の層とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記
短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化
または絶縁化させることを特徴とする発光装置の修理方
法。 - 【請求項１４】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の修理方法であって、前記陰極はＡｌ又はＡ
ｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であり、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記陽極又は前記陰極の少なくとも一つが
前記有機化合物層に陥入して前記陽極と前記陰極とが電
気的に接した部分に電流を流すことを特徴とする発光装
置の修理方法。 - 【請求項１５】請求項１４において、前記陽極と前記陰
極とが電気的に接した部分に前記電流を流して発熱さ
せ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化すること
を特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項１６】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の修理方法であって、前記陰極はＡｌ又はＡ
ｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であり、 前記有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注
入層または電子輸送層と、発光層とを有しており、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記発光層の上方の層又は前記発光層の下
方の層のいずれかが前記発光層に陥入し、前記発光層の
上方の層と前記発光層の下方の層とが電気的に接した部
分に電流を流すことを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項１７】請求項１６において、前記発光層の上方
の層と前記発光層の下方の層とが電気的に接した部分に
前記電流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗
化または絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方
法。 - 【請求項１８】請求項１１乃至１７のいずれか一項にお
いて、前記陰極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１
×１０18atoms／cm3以下であることを特徴とする発光装
置の修理方法。 - 【請求項１９】請求項１１乃至１８のいずれか一項にお
いて、前記陰極はＭｇの含有量が１×１０20atoms／cm3
以上であることを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項２０】請求項１乃至１９のいずれか一項におい
て、前記逆バイアスの電圧を一定期間毎に印加すること
を特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項２１】請求項１乃至２０のいずれか一項におい
て、前記逆バイアスの電圧を前記印加するときに、前記
有機化合物層にアバランシュ電流が流れ始める高さの±
１５％以内に納まるまで徐々に高くすることを特徴とす
る発光装置の修理方法。 - 【請求項２２】請求項１乃至２１のいずれか一項におい
て、前記有機発光素子はマトリクス状に配置され、前記
有機発光素子のそれぞれに接続された薄膜トランジスタ
を有することを特徴とする発光装置の修理方法。 - 【請求項２３】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の作製方法であって、 ＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／c
m3以下である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の
間に逆バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光
装置の作製方法。 - 【請求項２４】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の作製方法であって、 ＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18atoms／c
m3以下である陰極を形成した後、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した
部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前
記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特
徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項２５】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の作製方法であって、 Ａｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金か
らなる陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆
バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の
作製方法。 - 【請求項２６】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極に挟まれた有機化合物層とを有する有機発光素子を含
む発光装置の作製方法であって、 Ａｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金か
らなる陰極を形成した後、 前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加する
ことにより、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した
部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前
記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特
徴とする発光装置の作製方法。
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