JP2003048158A - Substrate support member for mechanochemical polishing apparatus and mechanochemical polishing apparatus - Google Patents
Substrate support member for mechanochemical polishing apparatus and mechanochemical polishing apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に形成されたアルミ配線の破壊を防止で
きる機械化学的研磨装置の基板支持部材および機械化学
的研磨装置を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰ装置１のベース部２上には、ロー
ドカップ４が設けられている。ロードカップ４は、ウェ
ハＷを吸着支持するためのペデスタル１２を有してい
る。このペデスタル１２は、円盤状の本体部１３と、こ
の本体部１３の上面に設けられた３つの支持用突起１４
とを有し、これら支持用突起１４上にウェハＷが支持さ
れる。本体部１３の内部には通路１５が形成されてい
る。この通路１５は、ウェハＷをペデスタル１２に吸着
支持する時にウェハＷを吸引するためのバキューム通路
として構成されている。また、各支持用突起１４には、
通路１５と連通した吸引口１６が形成されている。
(57) Abstract: Provided is a substrate support member and a mechanochemical polishing device of a mechanochemical polishing device that can prevent the destruction of aluminum wiring formed on a substrate. A load cup (4) is provided on a base (2) of a CMP apparatus (1). The load cup 4 has a pedestal 12 for sucking and supporting the wafer W. The pedestal 12 has a disk-shaped main body 13 and three support projections 14 provided on the upper surface of the main body 13.
The wafer W is supported on these supporting projections 14. A passage 15 is formed inside the main body 13. The passage 15 is configured as a vacuum passage for sucking the wafer W when the wafer W is suction-supported on the pedestal 12. In addition, each support projection 14 has
A suction port 16 communicating with the passage 15 is formed.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面を研磨
するための機械化学的研磨装置の基板支持部材および機
械化学的研磨装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate supporting member of a mechanochemical polishing apparatus and a mechanochemical polishing apparatus for polishing the surface of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に機械化学的研磨装置（ＣＭＰ装
置）は、ベース部上に設けられた研磨パッドと、ベース
部上に設けられ、ウェハ（基板）を支持するペデスタル
を有するロードカップと、ベース部の上面に回転可能に
支持され、ウェハを保持して研磨パッドに対して加圧す
る研磨ヘッドを有するヘッドユニットとを備えている。
このようなＣＭＰ装置によりウェハの研磨を行う場合、
まずペデスタル上に置かれたウェハを研磨ヘッドに保持
させる。続いて、ヘッドユニットを回転させて研磨パッ
ドの上方にウェハを移動させる。そして、研磨パッドの
上面に研磨剤（スラリー）を供給すると共に、研磨ヘッ
ドを下降させて研磨パッドの上面にウェハを加圧密着さ
せ、ウェハの表面を研磨する。2. Description of the Related Art Generally, a mechanical chemical polishing apparatus (CMP apparatus) includes a polishing pad provided on a base portion, a load cup provided on the base portion and having a pedestal for supporting a wafer (substrate), and a base. A head unit having a polishing head that is rotatably supported on the upper surface of the unit and that holds the wafer and pressurizes it against the polishing pad.
When polishing a wafer with such a CMP apparatus,
First, the wafer placed on the pedestal is held by the polishing head. Then, the head unit is rotated to move the wafer above the polishing pad. Then, while supplying a polishing agent (slurry) to the upper surface of the polishing pad, the polishing head is lowered to bring the wafer into close contact with the upper surface of the polishing pad under pressure to polish the surface of the wafer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、ウェハに形成された層間膜下のアル
ミ配線が破壊し、そのアルミ配線がウェハの内部から表
面に向けて突出することがあった。However, in the above-mentioned conventional technique, the aluminum wiring under the interlayer film formed on the wafer may be destroyed, and the aluminum wiring may project from the inside of the wafer toward the surface. .
【０００４】本発明の目的は、基板に形成されたアルミ
配線の破壊を防止できる機械化学的研磨装置の基板支持
部材および機械化学的研磨装置を提供することである。An object of the present invention is to provide a substrate supporting member for a mechanical-chemical polishing apparatus and a mechanical-chemical polishing apparatus capable of preventing the destruction of aluminum wiring formed on the substrate.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を重ねた結果、基板が基板支持部材に吸着支持される
と、基板の表面が基板支持部材の上面に貼り付くため、
基板の表面にＮ2ガスを噴射させて基板と基板支持部材
との吸着を解除する場合があるが、その時のＮ2ガスに
よって基板の表面が帯電してアーキングを起こし、その
結果、基板に形成されたアルミ配線が破壊することを見
出し、本発明を完成させるに至った。As a result of intensive studies, the present inventors have found that when a substrate is adsorbed and supported by a substrate supporting member, the surface of the substrate adheres to the upper surface of the substrate supporting member.
The N 2 gas may be sprayed onto the surface of the substrate to release the adsorption between the substrate and the substrate supporting member. At that time, the N 2 gas charges the surface of the substrate to cause arcing, resulting in the formation on the substrate. It was found that the aluminum wiring formed was destroyed, and the present invention was completed.
【０００６】即ち、本発明の機械化学的研磨装置の基板
支持部材は、機械化学的研磨装置のベース部上に配置さ
れる本体部と、本体部の上面に設けられ、基板を支持す
る少なくとも３つの支持用突起とを備えることを特徴と
するものである。That is, the substrate supporting member of the mechanical-chemical polishing apparatus of the present invention is provided on the base portion of the mechanical-chemical polishing apparatus and the upper surface of the main body portion, and at least 3 supports the substrate. It is characterized in that it is provided with one supporting protrusion.
【０００７】このように少なくとも３つの支持用突起で
基板を支持することにより、基板と基板支持部材との接
触面積が小さくなるため、基板を基板支持部材に吸着支
持させたときに、基板が基板支持部材に貼り付きにくく
なる。このため、基板の表面にＮ2ガスを吹き付けなく
ても、基板と基板支持部材との吸着を容易に解除するこ
とができる。このようにＮ2ガスを基板の表面に吹き付
けなくて済むため、Ｎ2ガスによって基板の表面が帯電
してアーキングを起こすことは無い。これにより、基板
に形成されたアルミ配線の破壊を防止することができ
る。By supporting the substrate with at least three supporting protrusions in this way, the contact area between the substrate and the substrate supporting member becomes small. Therefore, when the substrate is sucked and supported by the substrate supporting member, the substrate is not supported. It becomes difficult to stick to the support member. Therefore, the adsorption between the substrate and the substrate supporting member can be easily released without blowing N 2 gas onto the surface of the substrate. Since it is not necessary to blow the N 2 gas onto the surface of the substrate in this way, the surface of the substrate is not charged by the N 2 gas to cause arcing. This can prevent the aluminum wiring formed on the substrate from being broken.
【０００８】好ましくは、本体部には、基板を支持用突
起に支持させる時に基板を吸引するためのバキューム通
路が設けられており、支持用突起には、バキューム通路
と連通した吸引口が設けられている。これにより、支持
用突起に基板をバランス良く吸着支持させることができ
る。Preferably, the main body is provided with a vacuum passage for sucking the substrate when the substrate is supported by the supporting projection, and the supporting projection is provided with a suction port communicating with the vacuum passage. ing. As a result, the substrate can be adsorbed and supported on the supporting protrusions in a well-balanced manner.
【０００９】この場合、好ましくは、バキューム通路
は、ベース部の上方に配置された研磨ヘッドの洗浄に使
用する洗浄液を供給するための洗浄液導入路を兼ねてお
り、吸引口は、洗浄液を研磨ヘッドに向けて吹き出すた
めの吹出口を兼ねている。これにより、バキューム通路
および吸引口を有効利用することができ、コスト面で有
利となる。In this case, preferably, the vacuum passage also serves as a cleaning liquid introducing passage for supplying a cleaning liquid used for cleaning the polishing head arranged above the base portion, and the suction port uses the cleaning liquid for the polishing head. Also serves as an outlet for blowing out toward. This makes it possible to effectively use the vacuum passage and the suction port, which is advantageous in terms of cost.
【００１０】また、好ましくは、支持用突起の上面には
緩衝材が設けられている。これにより、基板を支持用突
起に支持させるときに、基板が損傷することを防止でき
る。Preferably, a cushioning material is provided on the upper surface of the supporting protrusion. This can prevent the substrate from being damaged when the substrate is supported by the supporting protrusions.
【００１１】さらに、好ましくは、本体部は、その中心
部から放射状に延びる少なくとも３つの突出部を有し、
支持用突起は、各突出部の上面に設けられている。これ
により、例えば洗浄液を各支持用突起に設けられた吸引
口から噴出させるだけでは、研磨ヘッドの洗浄としては
不十分な場合には、研磨ヘッドに向けて洗浄液を吹き出
すための吹出口を各突出部間に設けることで、研磨ヘッ
ドの洗浄を効率よく行うことができる。Further, preferably, the main body has at least three protrusions extending radially from its center,
The supporting protrusion is provided on the upper surface of each protrusion. Thereby, for example, when the cleaning liquid is not sufficiently washed by simply ejecting the cleaning liquid from the suction port provided in each of the supporting protrusions, each of the ejection ports for ejecting the cleaning liquid toward the polishing head is projected. By providing it between the parts, the polishing head can be efficiently washed.
【００１２】また、本発明の機械化学的研磨装置は、ベ
ース部と、ベース部上に設けられた研磨パッドと、ベー
ス部上に設けられ、基板を支持するための基板支持部材
を有するロードカップと、ベース部の上方に配置され、
基板を保持して研磨パッドに対して加圧する研磨ヘッド
とを備え、基板支持部材は、本体部と、本体部の上面に
設けられ、基板を支持する少なくとも３つの支持用突起
とを有することを特徴とするものである。Further, the mechanical-chemical polishing apparatus of the present invention is a load cup having a base portion, a polishing pad provided on the base portion, and a substrate support member provided on the base portion for supporting a substrate. And is placed above the base,
A polishing head that holds the substrate and pressurizes it against the polishing pad, and the substrate supporting member has a main body and at least three supporting protrusions that are provided on the upper surface of the main body and support the substrate. It is a feature.
【００１３】このように少なくとも３つの支持用突起で
基板を支持することにより、基板と基板支持部材との接
触面積が小さくなるため、基板を基板支持部材に吸着支
持させたときに、基板が基板支持部材に貼り付きにくく
なる。このため、基板の表面にＮ2ガスを吹き付けなく
ても、基板と基板支持部材との吸着を容易に解除するこ
とができる。このようにＮ2ガスを基板の表面に吹き付
けなくて済むため、Ｎ2ガスによって基板の表面が帯電
してアーキングを起こすことは無い。これにより、基板
に形成されたアルミ配線の破壊を防止することができ
る。By supporting the substrate with at least three supporting protrusions in this way, the contact area between the substrate and the substrate supporting member becomes small. Therefore, when the substrate is sucked and supported by the substrate supporting member, the substrate is not supported. It becomes difficult to stick to the support member. Therefore, the adsorption between the substrate and the substrate supporting member can be easily released without blowing N 2 gas onto the surface of the substrate. Since it is not necessary to blow the N 2 gas onto the surface of the substrate in this way, the surface of the substrate is not charged by the N 2 gas to cause arcing. This can prevent the aluminum wiring formed on the substrate from being broken.
【００１４】好ましくは、本体部は、その中心部から放
射状に延びる少なくとも３つの突出部を有し、支持用突
起は、各突出部の上面に設けられており、各突出部間に
は、研磨ヘッドに向けて洗浄液を吹き出すための吹出口
を有する洗浄液供給部材が設けられている。これによ
り、研磨ヘッドの洗浄を十分に行うことができる。Preferably, the main body has at least three protrusions extending radially from its center, the supporting protrusions are provided on the upper surface of each protrusion, and the protrusions are provided between the protrusions. A cleaning liquid supply member having a blowout port for blowing the cleaning liquid toward the head is provided. Thereby, the polishing head can be sufficiently washed.
【００１５】また、好ましくは、ロードカップは、基板
を研磨ヘッドに対して位置決め保持する位置決め手段を
有する。これにより、基板を基板支持部材から研磨ヘッ
ドに受け渡す際に、基板を研磨ヘッドの適正な位置に保
持させることができる。Further, preferably, the load cup has a positioning means for positioning and holding the substrate with respect to the polishing head. Accordingly, when the substrate is transferred from the substrate supporting member to the polishing head, the substrate can be held at an appropriate position of the polishing head.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る機械化学的研
磨装置の基板支持部材および機械化学的研磨装置の好適
な実施形態について図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a substrate supporting member of a mechanical / chemical polishing apparatus and a mechanical / chemical polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図１は、本発明に係る機械化学的研磨装置
（ＣＭＰ装置）の一実施形態を概略的に示した分離斜視
図である。同図において、本実施形態のＣＭＰ装置１は
ベース部２を有し、このベース部２の上面には、複数
（ここでは３つ）の研磨パッド３と１つのロードカップ
４とが設けられている。ベース部２の上面における各研
磨パッド３に隣接した位置には、研磨パッド３の表面状
態を調節するパッドコンディショナー５と、研磨パッド
３の表面にスラリー（研磨剤）Ｓを供給するスラリー供
給アーム６とが設けられている。FIG. 1 is a separated perspective view schematically showing an embodiment of a mechanical chemical polishing apparatus (CMP apparatus) according to the present invention. In the figure, the CMP apparatus 1 of the present embodiment has a base portion 2, and a plurality of (here, three) polishing pads 3 and one load cup 4 are provided on the upper surface of the base portion 2. There is. At a position adjacent to each polishing pad 3 on the upper surface of the base portion 2, a pad conditioner 5 for adjusting the surface condition of the polishing pad 3 and a slurry supply arm 6 for supplying a slurry (polishing agent) S to the surface of the polishing pad 3 are provided. And are provided.
【００１８】ベース部２の上面には、ヘッドユニット７
が回転自在に支持されている。このヘッドユニット７
は、ウェハＷを吸着保持して研磨パッド３に対して加圧
する複数（ここでは４つ）の研磨ヘッド８と、各研磨ヘ
ッド８を回転させるための回転軸９とを有し、各回転軸
９は、駆動機構（図示せず）により回転駆動される。研
磨ヘッド８の下面には、ウェハＷを真空吸着するための
ゴム製のメンブレン１０が設けられている（図２参
照）。このメンブレン１０は、空気の供給および真空ポ
ンプ（図示せず）によるバキュームによって膨張・収縮
可能である。The head unit 7 is provided on the upper surface of the base portion 2.
Is rotatably supported. This head unit 7
Has a plurality (here, four) of polishing heads 8 for sucking and holding the wafer W and pressing it against the polishing pad 3, and a rotating shaft 9 for rotating each polishing head 8. 9 is rotationally driven by a drive mechanism (not shown). A rubber membrane 10 for vacuum-sucking the wafer W is provided on the lower surface of the polishing head 8 (see FIG. 2). The membrane 10 can be expanded and contracted by supplying air and vacuuming a vacuum pump (not shown).
【００１９】図２はロードカップ４の断面図であり、図
３はロードカップ４の平面図である。これらの図におい
て、ロードカップ４はカップ本体１１を有し、このカッ
プ本体１１内には、ウェハＷを吸着支持するための基板
支持部材であるペデスタル１２が配置されている。この
ペデスタル１２は、円盤状の本体部１３と、この本体部
１３の上面に設けられた３つの支持用突起１４とを有
し、これら支持用突起１４上にウェハＷが支持される。FIG. 2 is a sectional view of the load cup 4, and FIG. 3 is a plan view of the load cup 4. In these drawings, the load cup 4 has a cup body 11, and in the cup body 11, a pedestal 12 which is a substrate supporting member for sucking and supporting the wafer W is arranged. The pedestal 12 has a disk-shaped main body 13 and three supporting protrusions 14 provided on the upper surface of the main body 13, and the wafer W is supported on these supporting protrusions 14.
【００２０】各支持用突起１４は、ウェハＷを支持した
時にウェハＷがたわむことが無いように、本体部１３の
周縁から所定量だけ内側に設けられている。これによ
り、例えばウェハ搬送ロボット（図示せず）によりウェ
ハＷをハンドリングする際に、ウェハＷが押し付けられ
て割れてしまうこと等を防止できる。また、各支持用突
起１４の上面には、ポリウレタン等からなる緩衝材が設
けられている。これにより、ウェハＷを支持用突起１４
に支持させるときに、ウェハＷが損傷することを防止で
きる。Each of the supporting protrusions 14 is provided inside the peripheral edge of the main body 13 by a predetermined amount so that the wafer W does not bend when the wafer W is supported. This can prevent the wafer W from being pressed and broken when the wafer W is handled by, for example, a wafer transfer robot (not shown). A cushioning material made of polyurethane or the like is provided on the upper surface of each supporting protrusion 14. Thereby, the wafer W is supported by the supporting projections 14.
It is possible to prevent the wafer W from being damaged when being supported by.
【００２１】本体部１３の内部には通路１５が形成され
ている。この通路１５は、ウェハＷをペデスタル１２に
吸着支持する時にウェハＷを吸引したり、研磨ヘッド８
の下面部を洗浄するための洗浄液（例えば純水）を供給
するのに用いられる。また、各支持用突起１４には、通
路１５と連通した吸引口１６が形成されている。この吸
引口１６は、研磨ヘッド８の洗浄時には洗浄液の吹出口
として機能する。A passage 15 is formed inside the main body 13. The passage 15 sucks the wafer W when the wafer W is sucked and supported by the pedestal 12, and the polishing head 8 is used.
It is used to supply a cleaning liquid (for example, pure water) for cleaning the lower surface of the. A suction port 16 communicating with the passage 15 is formed in each supporting protrusion 14. The suction port 16 functions as a cleaning liquid outlet when the polishing head 8 is cleaned.
【００２２】このように本体部１３の上面に支持用突起
１４を３つ設け、３点支持の構造とすると共に、各支持
用突起１４に吸引口１６を設けることにより、ウェハＷ
をペデスタル１２にバランス良く吸着支持させることが
できる。また、バキュームラインと洗浄液供給ラインと
を通路１５及び吸引口１６で兼用するようにしたので、
コスト削減が図れる。As described above, three supporting protrusions 14 are provided on the upper surface of the main body 13 to form a three-point supporting structure, and a suction port 16 is provided in each supporting protrusion 14 to provide the wafer W.
Can be adsorbed and supported on the pedestal 12 with good balance. Further, since the vacuum line and the cleaning liquid supply line are shared by the passage 15 and the suction port 16,
Cost reduction can be achieved.
【００２３】また、カップ本体１１内には、ペデスタル
１２の下方をカップ本体１１の中心部から外側に延びる
３本の洗浄液供給部材１７が配置され、この洗浄液供給
部材１７の先端部には、上方に突出した突部１７ａが設
けられている。洗浄液供給部材１７の内部には、洗浄液
を供給するための通路１８が形成されている。また、突
部１７ａには、通路１８と連通され洗浄液を研磨ヘッド
８の下面部に向けて噴射させるノズル１９が上下に設け
られている。Inside the cup body 11, there are disposed three cleaning liquid supply members 17 that extend below the pedestal 12 from the center of the cup body 11 to the outside. A projecting portion 17a that projects to the outside is provided. A passage 18 for supplying the cleaning liquid is formed inside the cleaning liquid supply member 17. Further, a nozzle 19 which is in communication with the passage 18 and sprays the cleaning liquid toward the lower surface of the polishing head 8 is provided on the projection 17a.
【００２４】各洗浄液供給部材１７に隣接した位置に
は、ペデスタル１２上に置かれたウェハＷの中心が研磨
ヘッド８の中心に一致するようにウェハＷを研磨ヘッド
８に対して位置決め保持するための３つの位置決め部材
２０が配置されている。この位置決め部材２０は、先端
に１対の保持部２０ａを有し、エアーシリンダ等の駆動
機構（図示せず）によりペデスタル１２の径方向に揺動
可能である。そして、各位置決め部材２０を内側に移動
（クローズ）させると、位置決め部材２０の上端部が研
磨ヘッド８に当接すると共に保持部２０ａがウェハＷに
当接し、これによりウェハＷが研磨ヘッド８に対して位
置決め保持される。一方、各位置決め部材２０を外側に
移動（オープン）させると、ウェハＷの保持が解除され
る。このような位置決め部材２０を設けることにより、
ウェハＷが研磨ヘッド８に保持されたときに、ウェハＷ
の中心を研磨ヘッド８の中心に合致させることが可能と
なる。To position and hold the wafer W relative to the polishing head 8 at a position adjacent to each cleaning liquid supply member 17 so that the center of the wafer W placed on the pedestal 12 coincides with the center of the polishing head 8. The three positioning members 20 are arranged. The positioning member 20 has a pair of holding portions 20a at its tip end, and can be swung in the radial direction of the pedestal 12 by a drive mechanism (not shown) such as an air cylinder. Then, when each positioning member 20 is moved (closed) inward, the upper end of the positioning member 20 contacts the polishing head 8 and the holding portion 20a contacts the wafer W, whereby the wafer W moves relative to the polishing head 8. Is positioned and held. On the other hand, when each positioning member 20 is moved (opened) to the outside, the holding of the wafer W is released. By providing such a positioning member 20,
When the wafer W is held by the polishing head 8, the wafer W
It is possible to match the center of the polishing head with the center of the polishing head 8.
【００２５】図４〜図６は、ロードカップ４への洗浄液
（純水）の供給系統、ペデスタル１２内のバキューム系
統およびＮ2ガスの供給系統を示す構成図である。これ
らの図において、各洗浄液供給部材１７に設けられた通
路１８（図２参照）には、洗浄液を供給するための配管
２１が接続され、この配管２１には開閉バルブ２２が設
けられている。この開閉バルブ２２は、通常は閉位置
（図５及び図６に示す位置）にあり、切換操作部２２ａ
がオンになると開位置（図４に示す位置）に切り換わ
る。なお、切換操作部２２ａのオン／オフ切換は、例え
ば空気圧信号により行う。4 to 6 are configuration diagrams showing a cleaning liquid (pure water) supply system to the load cup 4, a vacuum system in the pedestal 12 and an N 2 gas supply system. In these drawings, a pipe 21 for supplying the cleaning liquid is connected to a passage 18 (see FIG. 2) provided in each cleaning liquid supply member 17, and an opening / closing valve 22 is provided in the pipe 21. The open / close valve 22 is normally in the closed position (the position shown in FIGS. 5 and 6), and the switching operation unit 22a is provided.
When is turned on, it switches to the open position (the position shown in FIG. 4). The switching operation unit 22a is switched on / off by, for example, a pneumatic signal.
【００２６】また、ペデスタル１２に設けられた通路１
５（図２参照）には、配管２３を介して切換バルブ２４
が接続され、この切換バルブ２４には、配管２５及びプ
ラグ（栓）２６が接続されている。切換バルブ２４は、
通常は配管２３，２５を連通させる位置（図４及び図５
に示す位置）にあり、切換操作部２４ａがオンになる
と、プラグ２６によって塞がれる位置（図６に示す位
置）に切り換わる。The passage 1 provided in the pedestal 12
5 (see FIG. 2), a switching valve 24 is provided via a pipe 23.
And a pipe 25 and a plug 26 are connected to the switching valve 24. The switching valve 24 is
Normally, the positions where the pipes 23 and 25 are communicated with each other (see FIGS. 4 and 5).
(The position shown in FIG. 6) and when the switching operation part 24a is turned on, the position is switched to the position closed by the plug 26 (the position shown in FIG. 6).
【００２７】配管２５には切換バルブ２７が接続され、
この切換バルブ２７には、配管２１と分岐接続された配
管２８が接続されている。また、切換バルブ２７には、
配管２９を介して水トラップ３０が接続されている。切
換バルブ２７は、通常は配管２５，２９を連通させる位
置（図５及び図６に示す位置）にあり、切換操作部２７
ａがオンになると、配管２５，２８を連通させる位置
（図４に示す位置）に切り換わる。配管２８には開閉バ
ルブ３１が設けられている。この開閉バルブ３１は、上
記の開閉バルブ２２と同様の動作を行う。A switching valve 27 is connected to the pipe 25,
A pipe 28 branched from the pipe 21 is connected to the switching valve 27. Further, the switching valve 27 has
A water trap 30 is connected via a pipe 29. The switching valve 27 is normally located at a position (the position shown in FIGS. 5 and 6) that allows the pipes 25 and 29 to communicate with each other.
When “a” is turned on, the pipes 25 and 28 are switched to a position (communication position shown in FIG. 4). An on-off valve 31 is provided in the pipe 28. The open / close valve 31 performs the same operation as the open / close valve 22 described above.
【００２８】水トラップ３０には、ウェハＷをペデスタ
ル１２に対して吸引するための真空ポンプ３２が接続さ
れている。また、水トラップ３０には、当該水トラップ
３０に溜まった水を排水するためのドレイン管３３が接
続され、このドレイン管３３には逆止弁３４が設けられ
ている。A vacuum pump 32 for sucking the wafer W toward the pedestal 12 is connected to the water trap 30. Further, the water trap 30 is connected to a drain pipe 33 for draining water accumulated in the water trap 30, and the drain pipe 33 is provided with a check valve 34.
【００２９】また、配管２５には、Ｎ2ガスを供給する
ための配管３５が分岐接続され、この配管３５には開閉
バルブ３６が設けられている。この開閉バルブ３６は、
上記の開閉バルブ２２と同様の動作を行う。開閉バルブ
３６の切換操作部３６ａにはディレイ・タイマ３７が接
続され、このディレイ・タイマ３７は、入力信号を１秒
遅延させて出力する。A pipe 35 for supplying N 2 gas is branched and connected to the pipe 25, and an opening / closing valve 36 is provided in the pipe 35. This open / close valve 36 is
The same operation as that of the opening / closing valve 22 is performed. A delay timer 37 is connected to the switching operation section 36a of the open / close valve 36, and the delay timer 37 delays the input signal by 1 second and outputs the delayed signal.
【００３０】以上のように構成したＣＭＰ装置１により
ウェハＷの表面を研磨する動作について説明する。The operation of polishing the surface of the wafer W by the CMP apparatus 1 configured as described above will be described.
【００３１】まずウェハＷの研磨を行う前に、研磨ヘッ
ド８の洗浄を行うべく、開閉バルブ２２，３１の切換操
作部２２ａ，３１ａをオンにすると共に、切換バルブ２
７の切換操作部２７ａをオンにする。すると、図４に示
すように、開閉バルブ２２，３１が開位置に切り換わる
と共に、切換バルブ２７が配管２５，２８を連通させる
位置に切り換わる。これにより、洗浄液である純水が、
配管２１を介して各洗浄液供給部材１７の通路１８に供
給され、ノズル１９から研磨ヘッド８に向けて純水が噴
射される。これと同時に、純水が配管２８，２５，２３
を介してペデスタル１２の通路１５に供給され、吸引口
１６から研磨ヘッド８の下面に向けて純水が吹き出され
る。その結果、研磨ヘッド８の下面部が洗浄される。First, before the polishing of the wafer W, in order to clean the polishing head 8, the switching operation parts 22a and 31a of the open / close valves 22 and 31 are turned on and the switching valve 2 is operated.
The switching operation unit 27a of No. 7 is turned on. Then, as shown in FIG. 4, the opening / closing valves 22 and 31 are switched to the open position, and the switching valve 27 is switched to the position for communicating the pipes 25 and 28. As a result, pure water, which is the cleaning liquid,
Pure water is supplied to the passage 18 of each cleaning liquid supply member 17 through the pipe 21, and pure water is sprayed from the nozzle 19 toward the polishing head 8. At the same time, pure water is supplied to the pipes 28, 25 and 23.
Is supplied to the passage 15 of the pedestal 12 through the suction port 16, and pure water is blown from the suction port 16 toward the lower surface of the polishing head 8. As a result, the lower surface of the polishing head 8 is washed.
【００３２】そして、所定時間が経過すると、開閉バル
ブ２２，３１の切換操作部２２ａ，３１ａをオフにする
と共に、切換バルブ２７の切換操作部２７ａをオフにす
る。すると、図５に示すように、開閉バルブ２２，３１
が閉位置に切り換わると共に、切換バルブ２７が配管２
５，２９を連通させる位置に切り換わる。そして、真空
ポンプ３２を作動させて、ペデスタル１２内部をバキュ
ームする。After a lapse of a predetermined time, the switching operation parts 22a and 31a of the open / close valves 22 and 31 are turned off, and the switching operation part 27a of the switching valve 27 is turned off. Then, as shown in FIG.
Is switched to the closed position, and the switching valve 27 is connected to the pipe 2
It switches to the position where 5 and 29 are communicated. Then, the vacuum pump 32 is operated to vacuum the inside of the pedestal 12.
【００３３】次いで、搬送ロボット（図示せず）によっ
て、研磨すべきウェハＷをペデスタル１２上に置く。こ
の時点では、真空ポンプ３２によりペデスタル１２内が
バキュームされた状態となっているため、ウェハＷが吸
引されて各支持用突起１４の上面に真空吸着される（図
５参照）。なお、ペデスタル１２内のバキュームによっ
て、ペデスタル１２上にウェハＷに置かれたかどうかの
検知が行える。Next, the wafer W to be polished is placed on the pedestal 12 by a transfer robot (not shown). At this point, since the inside of the pedestal 12 is vacuumed by the vacuum pump 32, the wafer W is attracted and vacuum-adsorbed on the upper surfaces of the supporting protrusions 14 (see FIG. 5). The vacuum in the pedestal 12 can detect whether the wafer W is placed on the pedestal 12.
【００３４】また、必要に応じて、Ｎ2ガスのパージに
よる配管２５，２９内の水抜きを行う。具体的には、切
換バルブ２４の切換操作部２４ａをオンにすると共に、
開閉バルブ３６の切換操作部３６ａをオンにすべくディ
レイ・タイマ３７にオン信号を入力する。すると、図６
に示すように、切換バルブ２４がプラグ２６によって塞
がれる位置に切り換わる。また、ディレイ・タイマ３７
にオン信号が入力されてから１秒後に、開閉バルブ３６
が開位置に切り換わる。これにより、Ｎ2ガスが配管３
５，２５，２９を介して水トラップ３０に供給されるた
め、配管２５，２９内に残っている水は水トラップ３０
に溜められ、ドレイン管３３を介して排出される。この
とき、切換バルブ２４の切換操作部２４ａがオンしてか
ら１秒後にＮ2ガスが配管３５内を流れるので、Ｎ2ガス
が配管２３を流れることは無い。If necessary, the water in the pipes 25 and 29 is drained by purging with N 2 gas. Specifically, while turning on the switching operation part 24a of the switching valve 24,
An ON signal is input to the delay timer 37 to turn on the switching operation unit 36a of the opening / closing valve 36. Then, as shown in FIG.
As shown in, the switching valve 24 is switched to the position where it is closed by the plug 26. Also, the delay timer 37
One second after the ON signal is input to the open / close valve 36
Switches to the open position. As a result, N 2 gas is supplied to the pipe 3
The water remaining in the pipes 25, 29 is supplied to the water trap 30 via the water traps 5, 25, 29.
And is discharged through the drain pipe 33. At this time, the N 2 gas flows in the pipe 35 one second after the switching operation part 24a of the switching valve 24 is turned on, so that the N 2 gas does not flow in the pipe 23.
【００３５】次いで、真空ポンプ３２の作動を停止させ
る。その後、各位置決め部材２０をクローズさせ、各位
置決め部材２０によりウェハＷを研磨ヘッド８に対して
位置決め保持する。Then, the operation of the vacuum pump 32 is stopped. Then, the positioning members 20 are closed, and the positioning member 20 positions and holds the wafer W with respect to the polishing head 8.
【００３６】次いで、各位置決め部材２０によるウェハ
Ｗの保持を解除した後、ペデスタル１２上のウェハＷを
研磨ヘッド８に受け渡す。具体的には、まず研磨ヘッド
８のメンブレン１０がウェハＷの裏面（上面）に接触す
るまでメンブレン１０を膨張させる。その状態で、メン
ブレン１０を吸引し、ウェハＷを研磨ヘッド８に吸着保
持させる。Then, after the holding of the wafer W by each positioning member 20 is released, the wafer W on the pedestal 12 is transferred to the polishing head 8. Specifically, first, the membrane 10 of the polishing head 8 is expanded until it contacts the back surface (upper surface) of the wafer W. In this state, the membrane 10 is suctioned and the wafer W is suction-held by the polishing head 8.
【００３７】その後、ヘッドユニット７を回転させ、研
磨ヘッド８に真空吸着されたウェハＷを、ロードカップ
４に隣接した研磨パッド３の上方に移動させる。また、
スラリー供給アーム６により研磨パッド３の表面にスラ
リーＳを供給する。そして、研磨ヘッド８を下降させ
て、研磨パッド３の上面にウェハＷの表面（下面）を加
圧密着させることによって、ウェハＷの表面の研磨を行
う。Thereafter, the head unit 7 is rotated to move the wafer W vacuum-adsorbed by the polishing head 8 above the polishing pad 3 adjacent to the load cup 4. Also,
The slurry S is supplied to the surface of the polishing pad 3 by the slurry supply arm 6. Then, the polishing head 8 is lowered to bring the surface (lower surface) of the wafer W into close contact with the upper surface of the polishing pad 3 under pressure, thereby polishing the surface of the wafer W.
【００３８】ここで、ペデスタル１２に支持用突起１４
が設けられていない場合は、ペデスタル１２上にウェハ
Ｗを支持させた際には、ウェハＷの表面全体がペデスタ
ル１２の本体部１３の上面に接触することになる。この
場合には、ウェハＷが本体部１３の上面に貼り付いてし
まうことがある。このため、各位置決め部材２０により
ウェハＷを研磨ヘッド８に対して位置合わせするとき
や、ウェハＷをペデスタル１２上から研磨ヘッド８に受
け渡すときに、ウェハＷの表面にＮ2ガスを吹き付けな
いと、ウェハＷが剥がれない場合がある。しかし、例え
ば図７に示すようなＡｌ層（アルミ配線）を有するウェ
ハの表面にＮ2ガスを吹き付けると、そのＮ2ガスによっ
てウェハの表面が帯電し、Ｎ2ガスの吹出口とウェハと
の間でアーキングを起こし、その結果、酸化膜（ＯＸ）
下のＡｌ層が破壊してウェハ表面に向けて突出し、Ａｌ
層に空乏が形成される可能性がある。Here, the support projection 14 is attached to the pedestal 12.
If the wafer W is supported on the pedestal 12, the entire surface of the wafer W comes into contact with the upper surface of the main body 13 of the pedestal 12 when the wafer W is supported. In this case, the wafer W may stick to the upper surface of the main body 13. Therefore, N 2 gas is not blown onto the surface of the wafer W when the wafer W is aligned with the polishing head 8 by each positioning member 20 and when the wafer W is transferred from the pedestal 12 onto the polishing head 8. Then, the wafer W may not be peeled off. However, for example, Al layer as shown in FIG. 7 when blowing N 2 gas on the surface of the wafer having a (aluminum wiring), the surface of the wafer is charged by the N 2 gas, the outlet and the wafer of the N 2 gas Arcing between them, resulting in oxide film (OX)
The lower Al layer is destroyed and protrudes toward the wafer surface,
Depletion can form in the layer.
【００３９】これに対し本実施形態では、ペデスタル１
２の本体部１３の上面部に３つの支持用突起１４を形成
し、ウェハＷを３点支持する構造としたので、ウェハＷ
の表面とペデスタル１２の上面との接触面積が大幅に低
減され、ウェハＷがペデスタル１２に貼り付きにくくな
る。このため、ウェハＷをペデスタル１２から剥がすた
めにウェハＷの表面にＮ2ガスを吹き付ける必要がなく
なる。従って、Ｎ2ガスによってウェハＷの表面が帯電
してアーキングを起こすことが無く、ウェハＷに形成さ
れたＡｌ層が破壊することを防止できる。On the other hand, in this embodiment, the pedestal 1
Since two supporting protrusions 14 are formed on the upper surface of the main body 13 of the second wafer W to support the wafer W at three points, the wafer W
The contact area between the surface of the pedestal and the upper surface of the pedestal 12 is significantly reduced, and the wafer W is less likely to stick to the pedestal 12. Therefore, it is not necessary to blow N 2 gas onto the surface of the wafer W in order to peel the wafer W from the pedestal 12. Therefore, the surface of the wafer W is not charged by the N 2 gas to cause arcing, and the Al layer formed on the wafer W can be prevented from being destroyed.
【００４０】このとき、Ｎ2ガスの供給系にディレイ・
タイマ３７を設け、切換バルブ２４をプラグ２６で塞が
れる位置に切り換えるときに、Ｎ2ガスが配管２３を介
してペデスタル１２の通路１５に導入されることが無い
ように構成しているので、ウェハＷの表面にＮ2ガスが
吹き付けられることは無い。At this time, there is a delay in the N 2 gas supply system.
Since the timer 37 is provided and N 2 gas is not introduced into the passage 15 of the pedestal 12 through the pipe 23 when the switching valve 24 is switched to the position where it is closed by the plug 26, N 2 gas is not blown onto the surface of the wafer W.
【００４１】本発明に係るＣＭＰ装置の他の実施形態を
図８及び図９により説明する。図中、上述した実施形態
と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明
を省略する。Another embodiment of the CMP apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the figure, members that are the same as or equivalent to those in the above-described embodiment are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted.
【００４２】図８において、本実施形態のＣＭＰ装置は
ロードカップ４１を有し、このロードカップ４１のカッ
プ本体１１内には、基板支持部材であるペデスタル４２
が配置されている。ペデスタル４２は本体部４３を有
し、この本体部４３の中心部からは３つの突出部４４が
放射状に延びている。各突出部４４の上面には、ウェハ
Ｗを支持するための支持用突起１４が設けられている。In FIG. 8, the CMP apparatus of this embodiment has a load cup 41, and a pedestal 42 which is a substrate supporting member is provided in the cup body 11 of the load cup 41.
Are arranged. The pedestal 42 has a main body 43, and three projecting portions 44 radially extend from the center of the main body 43. Supporting protrusions 14 for supporting the wafer W are provided on the upper surface of each protrusion 44.
【００４３】また、カップ本体１１内には、本体部４３
の各突出部４４間においてペデスタル４２の下方をカッ
プ本体１１の中心部から外側に延びる３本の洗浄液供給
部材４５が配置されている。各洗浄液供給部材４５の内
部には通路１８が形成されている。また、各洗浄液供給
部材４５には、通路１８と連通され洗浄液を上方に吹き
出すための２つの吹出口４６が設けられている。Further, in the cup body 11, a body portion 43
Between each of the protruding portions 44, three cleaning liquid supply members 45 that extend outward from the central portion of the cup body 11 below the pedestal 42 are arranged. A passage 18 is formed inside each cleaning liquid supply member 45. Further, each cleaning liquid supply member 45 is provided with two air outlets 46 that communicate with the passage 18 and blow out the cleaning liquid upward.
【００４４】これにより、図９に示すように、各支持用
突起１４に設けられた吸引口１６と洗浄液供給部材４５
の先端部に設けられたノズル１９とから洗浄液が吹き出
されることに加え、複数の吹出口４６からも研磨ヘッド
８（図２参照）の下面に向けて洗浄液が吹き出される。
従って、研磨ヘッド８を十分に且つ効率よく洗浄するこ
とが可能となる。As a result, as shown in FIG. 9, the suction port 16 and the cleaning liquid supply member 45 provided in each supporting projection 14 are provided.
In addition to the cleaning liquid being blown out from the nozzle 19 provided at the tip of the polishing head, the cleaning liquid is also blown out toward the lower surface of the polishing head 8 (see FIG. 2) from the plurality of outlets 46.
Therefore, the polishing head 8 can be washed sufficiently and efficiently.
【００４５】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、ペデスタル
の本体部に３つの支持用突起１４を設けた構成とした
が、支持用突起１４の数は４つ以上であってもよい。ま
た、本体部内部の通路１５と連通された吸引口１６は全
ての支持用突起１４に形成されているが、この吸引口１
６は少なくとも１つの支持用突起１４に形成すればよ
い。The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the main body of the pedestal is provided with three supporting protrusions 14, but the number of supporting protrusions 14 may be four or more. Further, the suction port 16 communicating with the passage 15 inside the main body is formed in all the supporting protrusions 14.
6 may be formed on at least one supporting protrusion 14.
【００４６】また、上記実施形態では、ペデスタルの本
体部内部の通路１５をバキューム通路および洗浄液導入
路として兼用するようにしたが、通路１５をバキューム
通路のみとして使用してもよい。In the above embodiment, the passage 15 inside the main body of the pedestal is also used as the vacuum passage and the cleaning liquid introduction passage, but the passage 15 may be used only as the vacuum passage.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明によれば、基板支持部材の本体部
の上面に少なくとも３つの支持用突起を設け、これらの
支持用突起に基板を支持するようにしたので、基板の表
面にＮ 2ガスを吹き付けることなしに、基板を基板支持
部材から離すことができる。これにより、基板に形成さ
れたアルミ配線の破壊を防止することができる。According to the present invention, the main body portion of the substrate supporting member
Provide at least three supporting protrusions on the upper surface of the
Since the board is supported by the support protrusions,
N on the surface 2Substrate support without blowing gas
It can be separated from the member. This forms the substrate
The broken aluminum wiring can be prevented.
【図１】本発明に係る機械化学的研磨装置の一実施形態
を概略的に示す分離斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing an embodiment of a mechanochemical polishing apparatus according to the present invention.
【図２】図１に示すロードカップの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the load cup shown in FIG.
【図３】図１に示すロードカップの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the load cup shown in FIG.
【図４】図２に示すロードカップに洗浄液を供給するた
めの構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration for supplying a cleaning liquid to the load cup shown in FIG.
【図５】図２に示すペデスタルの内部をバキュームする
ための構成を示す図である。5 is a diagram showing a configuration for vacuuming the inside of the pedestal shown in FIG.
【図６】図４に示す所定の配管にＮ2ガスを供給するた
めの構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration for supplying N 2 gas to the predetermined pipe shown in FIG.
【図７】ウェハに形成されたアルミ配線が破壊する様子
を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing how aluminum wiring formed on a wafer is broken.
【図８】本発明に係る機械化学的研磨装置の他の実施形
態におけるロードカップの平面図である。FIG. 8 is a plan view of a load cup in another embodiment of the mechanochemical polishing apparatus according to the present invention.
【図９】図８に示すロードカップに洗浄液を供給するた
めの構成を示す図である。9 is a diagram showing a configuration for supplying a cleaning liquid to the load cup shown in FIG.
１…機械化学的研磨装置（ＣＭＰ装置）、２…ベース
部、３…研磨パッド、４…ロードカップ、８…研磨ヘッ
ド、１２…ペデスタル（基板支持部材）、１３…本体
部、１４…支持用突起、１５…通路（バキューム通路、
洗浄液導入路）、１６…吸引口（吹出口）、１７…洗浄
液供給部材、２０…位置決め部材（位置決め手段）、４
１…ロードカップ、４２…ペデスタル（基板支持部
材）、４３…本体部、４４…突出部、４５…洗浄液供給
部材、４６…吹出口、Ｗ…ウェハ（基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mechanical chemical polishing device (CMP device), 2 ... Base part, 3 ... Polishing pad, 4 ... Load cup, 8 ... Polishing head, 12 ... Pedestal (substrate supporting member), 13 ... Main body part, 14 ... Supporting Protrusion, 15 ... passage (vacuum passage,
Cleaning liquid introduction path, 16 ... Suction port (blowing outlet), 17 ... Cleaning liquid supply member, 20 ... Positioning member (positioning means), 4
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Load cup, 42 ... Pedestal (substrate support member), 43 ... Main body part, 44 ... Projection part, 45 ... Cleaning liquid supply member, 46 ... Air outlet, W ... Wafer (Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北島 知彦 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 冨田 敏一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AB04 AC04 BB04 DA12 DA17 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Tomohiko Kitajima 14-3 Shinsen, Narita-shi, Chiba Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Within the corporation (72) Inventor Toshikazu Tomita 14-3 Shinsen, Narita-shi, Chiba Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Within the corporation F-term (reference) 3C058 AB04 AC04 BB04 DA12 DA17
Claims (8)
される本体部と、 前記本体部の上面に設けられ、基板を支持する少なくと
も３つの支持用突起とを備える機械化学的研磨装置の基
板支持部材。1. A mechanochemical polishing apparatus comprising: a main body part disposed on a base part of the mechanochemical polishing device; and at least three supporting protrusions provided on an upper surface of the main body part for supporting a substrate. Substrate support member.
突起に支持させる時に前記基板を吸引するためのバキュ
ーム通路が設けられており、 前記支持用突起には、前記バキューム通路と連通した吸
引口が設けられている請求項１記載の機械化学的研磨装
置の基板支持部材。2. The main body portion is provided with a vacuum passage for sucking the substrate when the substrate is supported by the supporting projection, and the supporting projection is in communication with the vacuum passage. The substrate supporting member of the mechanical-chemical polishing apparatus according to claim 1, wherein a suction port is provided.
上方に配置された研磨ヘッドの洗浄に使用する洗浄液を
供給するための洗浄液導入路を兼ねており、 前記吸引口は、前記洗浄液を前記研磨ヘッドに向けて吹
き出すための吹出口を兼ねている請求項２記載の機械化
学的研磨装置の基板支持部材。3. The vacuum passage also serves as a cleaning liquid introducing passage for supplying a cleaning liquid used for cleaning a polishing head disposed above the base portion, and the suction port uses the cleaning liquid for polishing. The substrate supporting member of the mechanochemical polishing apparatus according to claim 2, which also serves as an outlet for ejecting toward the head.
られている請求項１〜３のいずれか一項記載の機械化学
的研磨装置の基板支持部材。4. The substrate supporting member of the mechanical-chemical polishing apparatus according to claim 1, wherein a cushioning material is provided on an upper surface of the supporting protrusion.
延びる少なくとも３つの突出部を有し、 前記支持用突起は、前記各突出部の上面に設けられてい
る請求項１〜４のいずれか一項記載の機械化学的研磨装
置の基板支持部材。5. The main body section has at least three projecting sections that radially extend from a central section thereof, and the supporting projections are provided on an upper surface of each of the projecting sections. A substrate supporting member of the mechanical-chemical polishing apparatus according to claim 1.
支持部材を有するロードカップと、 前記ベース部の上方に配置され、前記基板を保持して前
記研磨パッドに対して加圧する研磨ヘッドとを備え、 前記基板支持部材は、本体部と、前記本体部の上面に設
けられ、前記基板を支持する少なくとも３つの支持用突
起とを有する機械化学的研磨装置。6. A base portion, a polishing pad provided on the base portion, a load cup provided on the base portion and having a substrate supporting member for supporting a substrate, and above the base portion. A polishing head that holds the substrate and pressurizes the substrate against the polishing pad; A mechanochemical polishing device having a supporting protrusion.
延びる少なくとも３つの突出部を有し、 前記支持用突起は、前記各突出部の上面に設けられてお
り、 前記各突出部間には、前記研磨ヘッドに向けて洗浄液を
吹き出すための吹出口を有する洗浄液供給部材が設けら
れている請求項６記載の機械化学的研磨装置。7. The main body portion has at least three protrusions that radially extend from a central portion thereof, and the supporting protrusions are provided on an upper surface of each of the protrusions, and between the protrusions. 7. The mechanochemical polishing apparatus according to claim 6, wherein the cleaning liquid supply member is provided with an outlet for blowing the cleaning liquid toward the polishing head.
磨ヘッドに対して位置決め保持する位置決め手段を有す
る請求項６または７記載の機械化学的研磨装置。8. The mechanochemical polishing apparatus according to claim 6, wherein the load cup has positioning means for positioning and holding the substrate with respect to the polishing head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001232363A JP2003048158A (en) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | Substrate support member for mechanochemical polishing apparatus and mechanochemical polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001232363A JP2003048158A (en) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | Substrate support member for mechanochemical polishing apparatus and mechanochemical polishing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003048158A true JP2003048158A (en) | 2003-02-18 |
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ID=19064296
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001232363A Pending JP2003048158A (en) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | Substrate support member for mechanochemical polishing apparatus and mechanochemical polishing apparatus |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003048158A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057086A (en) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Semiconductor wafer loading device and loading method |
| JP2014117776A (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Ebara Corp | Polishing method |
| KR20160023568A (en) | 2014-08-21 | 2016-03-03 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing apparatus |
| CN105470176A (en) * | 2015-12-31 | 2016-04-06 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Semiconductor film-formation device, substrate automatic positioning and clamping structure and clamping method |
-
2001
- 2001-07-31 JP JP2001232363A patent/JP2003048158A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057086A (en) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Semiconductor wafer loading device and loading method |
| JP2014117776A (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Ebara Corp | Polishing method |
| KR20160023568A (en) | 2014-08-21 | 2016-03-03 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing apparatus |
| CN105470176A (en) * | 2015-12-31 | 2016-04-06 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Semiconductor film-formation device, substrate automatic positioning and clamping structure and clamping method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040204 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040506 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050314 |