JP2002331385A

JP2002331385A - はんだ材料及びその製造方法、並びにはんだペースト

Info

Publication number: JP2002331385A
Application number: JP2001136903A
Authority: JP
Inventors: Tamiji Masatoki; 民治政時
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-05-08
Filing date: 2001-05-08
Publication date: 2002-11-19

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ材料のもつ特長を生かし
つつ、その欠点を解消し、はんだ付け性と共に耐酸化性
と耐変質性を向上させたリフロー（特にエアーリフロ
ー）が可能な低融点の無鉛のはんだ材料及びはんだペー
スト、並びにその製造方法を提供すること。【解決手段】Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子１の表面上にＳ
ｎ等の保護膜２が形成されているはんだ材料６、及びこ
のはんだ材料６と、フラックスと、ソルベントとからな
るはんだペースト、並びに、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子１
の表面上に、非水系又はドライ系でのめっきによって保
護膜２を形成する工程を有する製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装部品（以
下、ＳＭＤと称することがある。）をプリント配線板
（以下、Ｐ板と称することがある。）にリフロー炉では
んだ付け（リフローソルダリング）を行うのに好適な錫
−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系はんだ材料及びはんだペースト
（特に低融点であって無鉛（鉛フリー）のはんだペース
ト）と、はんだ材料の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】古くから、人体に対する鉛の有害性は広
く知られているところであり、特に脳神経系障害がよく
知られている。本来、鉛（以下、Ｐｂと略記することが
ある。）は、固体状で体内に浸入してもそのまま排便さ
れる、とされているが、ヒューム状（蒸気）や水溶液の
形で体内に浸入すると、体内に容易に吸収される。Ｐｂ
がヒュームになる温度は４５０℃以上であり、また、水
に溶けるのは酸化鉛（ＰｂＯ）等の鉛の化合物である。
なお、四エチル鉛等の有機金属も、ガス状となるため、
体内に吸収される、とされている。

【０００３】鉛合金によってはんだ付けされたＰ板が電
子機器に組み込まれているが、これらの電子機器は使用
後に廃棄される。廃棄の方法としては、埋立てがある
が、埋立てられた使用ずみの（廃棄物としての）Ｐ板に
酸性雨が作用すると、鉛（はんだの成分）の水溶液が生
成される。この液が地下水中に浸入し、この地下水を人
間が飲用すると、Ｐｂが体内に吸収、蓄積されて健康障
害を引き起こすことになる。これが、鉛を含むＳｎ−Ｐ
ｂ合金はんだが使用回避されるところの理由である。

【０００４】しかしながら、Ｓｎ−Ｐｂはんだは、長い
歴史をもち、はんだ付けの温度の点（はんだの融点）、
はんだ付け性（ぬれ性）の点、はんだ付けされたものの
品質、信頼性の面、ソルダリングの作業性の面等におい
て、非常に優れた材料であり、これを凌駕する材料を開
発することは困難視されている。

【０００５】近年、Ｓｎ−Ｐｂはんだの代替材料が精力
的に研究され、５元（５成分）系のＳｎ（錫）−Ａｇ
（銀）−Ｃｕ（銅）−Ｂｉ（ビスマス）−Ｇｅ（ゲルマ
ニウム）、４元系のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、３元系の
Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ−
（Ｎｉ）（ニッケル）等が発表されている（（Ｎｉ）は
微量添加物）。

【０００６】このうち、手はんだ付けに用いられるはん
だ材料としてＳｎ−Ｃｕ−（Ｎｉ）、またフローソルダ
リングに用いられる棒（またはインゴット）状はんだ材
料としてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕが有望視されている。

【０００７】はんだの融点が高いことは、下記（１）〜
（３）に示す種々の問題点を生じさせる。（１）はんだ付け（ソルダリング）の作業温度が高くな
るので、Ｐ板（２４５×１２８ｍｍ等）の温度分布（Δ
Ｔ）が悪くなり、はんだ付け不良が生じ易くなる（特に
温度の低い部分において）。（２）これを改善するためには、熱容量が大であって温
度均一性の良好なリフロー炉を開発して設備投資するこ
とが必要となるが、従来の設備が無駄になり、廃棄する
必要が生じる。（３）さらに、耐熱性がもたない部品がある（特に、温
度の高い部分において）、エネルギー（電力）消費が増
大する、等の理由により製造コストがアップすると共
に、信頼性（製造品質及びライフ）が低下して価値／価
格が低下する。これ等の問題に対応可能なリフローはん
だ材料（はんだペースト用）としては、有望なものが開
発されていないのが現状である。唯一、Ｓｎ−Ｚｎはん
だが挙げられる。これは、融点が低く（１９０℃）、Ｓ
ｎ−Ｐｂ（共晶）のそれ（１８３℃）に近いことが長所
であるが、次に示すような欠点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】周知のように、Ｚｎ
（亜鉛）は非常に活性な材料であり、反応性が強い。こ
のため、Ｓｎ−Ｚｎも反応性が高く、これがリフローは
んだ付け性を阻害している。Ｓｎ−Ｚｎの問題点は、お
おむね以下の通りである。

【０００９】はんだペーストの不安定性はんだペースト中の成分や、空気中の水分、酸素と反応
して劣化（変質）し易く、そのために、ポットライフ
（保存安定性）やシェルフライフ（塗布やスクリーン印
刷等の後、ＳＭＤなど電子部品を実装するまでの安定
性）が不十分であり、粘着力の低下による電子部品の脱
落などが生じ易い。リフローソルダリング中の酸化ＳＭＤを実装したＰ板をリフロー炉を通してソルダリン
グ（はんだ付け）するとき、Ｚｎが酸化してはんだボー
ルの生成やぬれ（はんだ付け）不良が発生する。これを
防止するため、窒素（Ｎ₂）リフロー炉が使用される
が、前述したリフローにはエアー（熱風）リフロー炉が
汎用されている。Ｎ₂リフロー炉の欠点は、Ｎ₂の生成、
通気、濃度（Ｏ₂）コントロール等を行うための特殊な
装置を必要とすることと、ランニングコストが高いこと
である。

【００１０】本発明の目的は、これらのＳｎ−Ｚｎ系は
んだ材料のもつ特長を生かしつつその欠点を解消し、は
んだ付け性と共に耐酸化性及び耐変質性を向上させたリ
フロー（特にエアーリフロー）が可能な低融点の無鉛の
はんだ材料及びはんだペースト、並びにその製造方法を
提供することにある。

【００１１】

【課題を決するための手段】即ち、本発明は、錫（Ｓ
ｎ）−亜鉛（Ｚｎ）系はんだ粒子の表面上に保護膜が形
成されているはんだ材料に係り、また、このはんだ材料
と、フラックスと、ソルベントとからなるはんだペース
トに係るものである。

【００１２】本発明のはんだ材料及びはんだペーストに
よれば、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子の表面上に保護膜が形
成されているので、はんだペーストの成分として用いる
ためにアトマイズ法等により例えば３０μｍ又はそれ以
上の粒径に造粒されたＳｎ−Ｚｎ系はんだ粒子の表面に
形成した保護膜（即ち、二重構造又は積層構造とするこ
と）によって、はんだ粒子を空気中の水分や酸素から遮
断することができる。この結果、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒
子の変質や酸化を防止でき、ポットライフやシェルフラ
イフを向上させて実装された電子部品に対する粘着力を
保持できると共に、リフロー炉での処理においてもはん
だ粒子の酸化を防止してぬれ不良等をなくし、エアーリ
フローの如き汎用の装置の使用が可能となる。即ち、こ
のように、保護膜で表面保護されたＳｎ−Ｚｎ系はんだ
粒子からなるはんだ材料は、はんだペーストにされた後
も安定であるため、ポットライフやシェルフライフを延
長することができ、またＳｎ−Ｚｎ系はんだがはんだ付
けされる相手側の母材と合金層を形成するまで、保護膜
がある程度の耐熱性を有していれば、リフローソルダリ
ング中も安定となる。

【００１３】従って、低融点であってＳｎ−Ｐｂはんだ
に代替しうる無鉛はんだとしてのＳｎ−Ｚｎ系はんだの
特長を有効に発揮させ、信頼性の高いはんだ付けが可能
となる。

【００１４】こうした本発明のはんだ材料は、Ｓｎ−Ｚ
ｎ系はんだ粒子の表面上に、非水系又はドライ系でのめ
っきによって保護膜を形成する工程を有する、本発明の
製造方法によって製造するのが望ましい。

【００１５】この本発明の製造方法では、非水系又はド
ライ系でめっきによって保護膜を形成しているので、は
んだ材料の製造過程でＳｎ−Ｚｎ系合金が水分との反応
で変質することがなく、安定して確実に目的とするはん
だ材料を得ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明のはんだ材料及び製造方
法、並びにはんだペーストにおいては、前記Ｓｎ−Ｚｎ
系はんだ粒子として、Ｓｎ−Ｚｎ（Ｚｎ０．５〜１０重
量部、残部Ｓｎ）は勿論、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ（Ｚｎ０．
５〜１０重量部、Ｂｉ０．５〜８重量部、残部Ｓｎ）等
の如く、Ｓｎを主体とする合金が使用可能である。この
はんだ粒子の径は通常２０〜６０μｍ程度である。ま
た、このはんだ粒子の形状は球形、不定形等があるが、
アトマイズ法での造粒によって球形（真球）とするのが
よい。

【００１７】また、このはんだ粒子の表面上の前記保護
膜がはんだ付け性及び耐酸化性（外気遮断性）の良好な
安定な材料からなり、リフローソルダリング中にＳｎ−
Ｚｎ系はんだと一体となり若しくはぬれ性を助長し、或
いは分解又は溶解されて系外へ排出され若しくははんだ
中に拡散される材質からなることが望ましい。

【００１８】こうした保護膜は、Ｓｎ、Ａｕ又はこれら
の混合物からなっているのがよい。また、この保護膜の
厚みは、０．０２〜２０μｍであるのが、製造（のし易
さ）上および目的達成上から望ましい。また、保護膜は
単層であればよいが、必要に応じて複数層の積層として
もよい。

【００１９】また、この保護膜を形成する際の非水系と
してはアトマイズ法、溶融めっき法、溶射法があり、ド
ライ系としてはスパッタリング法、真空蒸着法等の物理
的成膜法がある。

【００２０】一般にこの種の保護膜を形成するために
は、以下に示す種々の方法〜が考えられる。Ｓｎ、Ａｕ等のめっき（金属被膜の形成）・電気めっき・化学めっき ○真空めっき（ＰＶＤ）・気相めっき（ＣＶＤ） ○溶融めっき（図２のアトマイズ法を含む。） ○溶射（メタライズ）反応相（水溶性フラックス被膜等）の形成・イミダゾール系・ＢＴＡ（ベンゾトリアジン）系有機物の被膜（はんだペースト中の溶剤成分に不溶な
もの）の形成・マイクロカプセル化（セルロース等）・ロジン系等のレジンコート

【００２１】これらの方法の中で、の反応相を形成す
る方法やのうち電気めっきや化学めっき等においては
水溶液を使用するが、この過程でＳｎ−Ｚｎ系合金が水
分と反応して変質を生じるため、非水系の溶液または融
液を使用する必要がある。これは、の電気めっきや化
学めっき及び気相めっきでも同様である。なお、気相め
っきにおいては水溶液を使用しない方法（有機金属使
用）もあるが、高温を要するため、適切ではない。本発
明では、保護膜としてＳｎやＡｕ等のめっき層（コート
層）を形成するのがよい。また、の方法はポットライ
フやシェルフライフの延長には有効であるが、リフロー
ソルダリング中にＳｎ−Ｚｎ系はんだが酸化される。従
って、これらのやの方法は、本発明では除外し、
の方法中、○印のものを採用する。

【００２２】本発明のはんだペーストは、本発明のはん
だ材料と共にロジン系等のフラックス、その他の公知の
ソルベント等の添加成分をロジン中に含有させたもので
ある。

【００２３】図１には、本発明に基づくはんだ材料の一
例６を示すが、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子１の外表面がＳ
ｎ、Ａｕ等の保護膜２で被覆されたものである。

【００２４】このはんだ材料６は、図２に示す装置によ
って製造することができ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ融液７か
ら球形の粒子１をアトマイズ法で造粒すると同時に、そ
の表面に溶融した金属（Ｓｎ等）によって保護膜２を形
成する。これについては、後述の実施例で詳細に説明す
る。なお、図中の３はＳｎ−Ｚｎ系はんだ（融液）の通
路、４はＮ₂等の冷却用不活性流体の通路、５は保護膜
材料（融液）の通路、７はＮ₂等の不活性雰囲気であ
る。

【００２５】図２に示した方法の特徴は、Ｓｎ−Ｚｎ系
はんだ粒子を形成すると同時に保護膜も形成できること
である。そのため、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだは外気にさらさ
れることなく保護膜で被覆されることになり、前述の安
定性が高くなる。

【００２６】保護膜２は、図３に示す真空装置（スパッ
タリング装置）によって形成してもよく、図２に示した
装置でアトマイズ法により造粒された球状のＳｎ−Ｚｎ
系はんだ粒子１の表面に、真空中で保護膜としての金属
（Ｓｎ、Ａｕ等）をスパッタリングで形成する。これ
は、真空蒸着においても同様であり、いずれもＰＶＤと
称されるドライプロセスによる被膜の形成方法である。
このスパッタリングについては、後述の実施例で詳細に
説明する。なお、図中の１０は陽極（Ｓｎ、Ａｕ等の保
護膜材料のターゲット）、１１は陰極（ステンレス
等）、１２は加振器（超音波振動子等）、１３はチャン
バー（スパッタリング空間）である。

【００２７】図４は、上記のようにして得られたはんだ
材料を用いてはんだペーストを調製し、これを用いて表
面実装部品（ＳＭＤ）を実装するプロセス（リフローソ
ルダリング）の一例を示すものである。

【００２８】図４（ａ）に示すように、メタルマスク
（スクリーン）２２を用いた印刷法によって、上記のは
んだ材料６、例えばソルベントを含むロジン系のフラッ
クス及び変性樹脂からなるはんだペースト２９をプリン
ト配線板３０の配線パターン又は電極（ランド）３３上
に転写する。次いで、この上に、ＳＭＤ２０をマウント
後、エアーリフロー炉でのリフロー（加熱溶融）によっ
て、はんだペースト２９を溶融して、はんだ付け（リフ
ローソルダリング）を行う。

【００２９】こうしたリフローによるはんだ付けは、Ｓ
ＭＤ（例えば半導体チップ）２０を、図４（ｂ）に示す
ように、プリント配線板３０上の電極（ランド）３３
に、はんだペースト２９の加熱溶融によるはんだ３１で
接合する。

【００３０】本実施の形態によるはんだ材料及びその製
造方法、並びにはんだペーストが奏する効果をまとめる
と、下記の（１）〜（９）の通りである。（１）リフローソルダリングで使用されるはんだペース
トに有用である。（２）エアーリフロー炉で使用可能（Ｎ₂リフロー炉不
要）となる。（３）低融点（１９０℃）で無鉛のはんだペーストの実
用化をＳｎ−Ｚｎ系はんだで実現できる（Ｓｎ−Ｐｂは
んだと代替可能）。（４）製法が簡単で安価であり（図２、図３参照）、ま
た、Ａｇと比較して安価な材料組成である。（５）Ｓｎ−Ｐｂはんだと同じ装置でソルダリングが可
能であり、新たな設備投資が不要である。（６）有害金属を使用しないので、地球環境の保全に寄
与できる。（７）はんだ付け性、品質信頼性、作業性が良好であ
り、Ｓｎ−Ｐｂはんだと同等以上の特性となる。（８）Ｓｎ−Ｚｎ系はんだペーストの欠点（ポットライ
フ及びシェルクライフが短く、はんだボールの生成、酸
化および変質）を改善し、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだペースト
と同等以上の性能となる。（９）はんだペーストの安定性、リフローソルダリング
中の耐酸化性が向上し、さらに、はんだの融点が高いこ
とによる弊害の解決に有利である。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面参照下に詳細に
説明する。

【００３２】実施例１（アトマイズ、溶融めっき又は
溶射法で保護膜形成）図２に示すようなアトマイジング装置を使用し、Ｓｎ−
Ｚｎ系はんだ粒子の表面に、溶融した金属（Ｓｎ等）を
用いて保護膜を形成する。

【００３３】まず、Ｎ₂やＡｒ等の不活性ガス雰囲気中
で、上部に蓄積された溶融Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ７を通路
３を通して先端のノズルから滴下させる。通常、このよ
うにして、球状の粒子を形成する方法はアトマイズ法と
称されている。ここで、滴下されて球状になったＳｎ−
Ｚｎ系はんだ粒子１を急速に冷却するために不活性ガス
の流路４が設けられる。そして、先端のノズルから不活
性ガスを噴出させて、球状になったＳｎ−Ｚｎ系はんだ
粒子１の表面に不活性ガスを当てて急速に冷却する。こ
こでは、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子１の粒径は平均粒径３
０μｍとする。

【００３４】このようにして冷却された粒子１の表面に
保護膜２を形成するために、溶融金属（Ｓｎ等）を通路
５から供給する。これは先端のノズルから滴下される
が、ノズルの形状は保護膜２の厚さが所定の値になるよ
うに調整してある。この金属の融点は、Ｓｎ−Ｚｎ系は
んだの融点（１９０℃近辺）より高い（Ｓｎで２３０
℃）ため、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを急速に冷却して固化さ
せるとともに、保護膜を形成する金属の量（即ち、熱
量）と厚さを調整して、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだが再溶融し
ないように調整（制御）する必要がある。ここでは、保
護膜２の厚さを約１０μｍとする。

【００３５】このようにして、図１に示すような２層構
造の球状のはんだ材料６が形成される。

【００３６】本実施例の方法の特徴は、Ｓｎ−Ｚｎ系は
んだ粒子１を形成すると同時に保護膜２も形成できるこ
とである。そのため、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子１は外気
にさらされることがなく、保護膜２で被覆され、安定性
が高いものとなる。

【００３７】リフローソルダリング中においては、融点
の違いにより、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだが先に溶融し、次い
で外層である保護膜が溶融するため、Ｓｎ−Ｚｎ系はん
だが酸素（空気＝熱風）にさらされる時間が短く、不具
合（ぬれ性の劣化、酸化など）の発生が抑えられるた
め、好都合である。また、外層のＳｎは、溶融後もＳｎ
−Ｚｎ系溶融はんだの表面を覆って酸素との接触を遮断
している。そして、外層は、溶融するとＳｎ−Ｚｎ系は
んだと一体となり、接合の相手側の母材と瞬時に合金層
を形成し、はんだ付けが完了する。なお、ここで母材と
は、被はんだ付け部の金属（はんだ付けされる相手側の
金属）のことである（これは、以下、同様とする）。

【００３８】実施例２（真空めっき（ドライプロセス
又はＰＶＤ）で保護膜形成）図３に示すような装置を使用し、既に造粒されたＳｎ−
Ｚｎ系はんだ粒子１の表面に保護膜を形成する。

【００３９】球状の粒子を造粒する方法は、実施例１で
述べたアトマイズ法（但し、単層、即ちＳｎ−Ｚｎの部
分のみ）等による。そして、この粒子１の表面に、真空
中で金属（Ｓｎ、Ａｕ等）ターゲット１０をスパッタす
ることによって保護膜２を形成する。これは、造粒後、
変質前に実施する。

【００４０】図３に示すスパッタリング装置は、真空蒸
着装置においても同様であるが、ＰＶＤと称されるドラ
イプロセスによる被膜の形成に適用されるものである。
このスパッタリング装置では、アルゴンガス等が封入さ
れたスパッタリング空間１３（チャンバー）中におい
て、保護膜となる陽極の金属（Ｓｎ、Ａｕ等）ターゲッ
ト１０をスパッタし、陰極１１上に配置されたはんだ粒
子１の表面に、保護膜２を被着する。ここで、粒子１の
表面全面に均一に保護膜２を被着するために、パーツフ
ィーダにおける如き超音波振動子等の加振器１２が設け
られ、これによって超音波振動を与えることにより、陰
極１１上に並べられた球状のはんだ粒子１に回転運動を
与え、まんべんなく均一に保護膜２を被着する。ここ
で、粒子１が球状であることは、回転運動にとって好都
合である。

【００４１】なお、このようにＳｎ−Ｚｎ系はんだの表
面に被着されたＡｕの保護膜は、膜厚が薄いため、リフ
ローソルダリング中に母材中に拡散し、はんだ合金層中
には殆ど存在しない。保護膜の効果（挙動）は、実施例
１と同様である。なお、この方法によれば、Ｓｎ−Ｚｎ
はんだの量に比較して、保護膜を形成する金属（Ｓｎ、
Ａｕ等）の量は少量であるため、はんだペースト全体の
融点（従って、はんだ付け作業温度）は、はんだの融点
で支配される。

【００４２】以上に説明した実施の形態及び実施例は、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。

【００４３】例えば、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだの組成とし
て、Ｓｎ−Ｚｎに添加する成分としてＢｉをはじめ、Ｃ
ｕ、Ｇｅ、Ｎｉ等を使用してよい。また、保護膜の材質
はＳｎ、Ａｕ以外にもＰｄ（パラジウム）等が使用可能
であり、その被着方法も非水系又はドライ系であれば、
上述した方法に限らず、他の公知の方法から適宜選択し
てよい。はんだペーストについても、表面保護膜付きの
Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子の配合比や、その他の構成成分
の材質等も様々に変化させてよい。

【００４４】また、本発明のはんだ材料やはんだペース
トは、ＳＭＤを実装した電気製品用のプリント回路板の
製造は勿論であるが、それ以外の種々の分野におけるは
んだ付けに用いることができる。特に、人体に有害な鉛
を含有しないことから、例えば食品の缶詰の製造用とし
ても使用できる。

【００４５】

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、Ｓｎ−Ｚｎ
系はんだ粒子の表面上に保護膜を形成しているので、そ
の保護膜によって空気中の水分や酸素からはんだ粒子を
遮断することができ、この結果、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒
子の変質や酸化を防止でき、保存期間の長期化（ポット
ライフの延長）や、シェルフライフを向上させて、実装
された電子部品に対する粘着力を保持できると共に、リ
フロー炉での処理においてもはんだ粒子の酸化を防止し
てぬれ不良等をなくし、エアーリフロー炉の如き汎用装
置の使用が可能となる。従って、低融点であってＳｎ−
Ｐｂはんだに代替しうる、無鉛はんだとしてのＳｎ−Ｚ
ｎ系はんだの特長を有効に発揮させ、信頼性の高いはん
だ付けが可能となる。

【００４６】また、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子の表面上
に、非水系又はドライ系でのめっきによって保護膜を形
成するので、はんだ材料の製造過程でＳｎ−Ｚｎ系合金
が水分との反応で変質することがなく、安定して確実に
目的とするはんだ材料を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳｎ−Ｚｎ系はんだ材料の一例の拡大
断面図である。

【図２】同、はんだ材料の製造方法を示すノズルの概略
断面図である。

【図３】同、はんだ材料の他の製造方法を示すスパッタ
リング装置の概略断面図である。

【図４】同、はんだ材料を使用したＳＭＤ実装工程を示
す断面図である。

【符号の説明】

１…Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ粒子、２…保護膜（Ｓｎ、Ａｕ
等）、３…Ｓｎ−Ｚｎ系溶融はんだ材料（融液）の通
路、４…冷却用不活性流体の通路、５…溶融保護膜材料
の通路、６…表面保護膜付きＳｎ−Ｚｎ系はんだ材料、
７…Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ融液、８…Ｎ₂雰囲気（チャン
バー（アトマイジング空間）内）、１０…陽極（Ｓｎ、
Ａｕ等の保護膜材料のターゲット）、１１…陰極（ステ
ンレス等）、１２…加振器（超音波振動子等）、１３…
チャンバー（スパッタリング空間）、２０…ＳＭＤ、２
５…Ａｌ電極パッド、２９…はんだペースト、３０…プ
リント配線板、３１…はんだ、３３…電極（ランド）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ｃ // Ｃ２２Ｃ 13/00 Ｃ２２Ｃ 13/00 13/02 13/02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】錫−亜鉛系はんだ粒子の表面上に保護膜
が形成されている、はんだ材料。
【請求項２】前記保護膜が、はんだ付け性及び耐酸化
性が良好である、請求項１に記載したはんだ材料。
【請求項３】前記保護膜が錫、金又はこれらの混合物
からなっている、請求項２に記載したはんだ材料。
【請求項４】前記はんだ粒子が、錫を主体とする錫−
亜鉛又は錫−亜鉛−ビスマスからなっている、請求項１
に記載したはんだ材料。
【請求項５】錫−亜鉛系はんだ粒子の表面上に保護膜
が形成されてなるはんだ材料と、フラックスと、ソルベ
ントとからなる、はんだペースト。
【請求項６】前記保護膜が、はんだ付け性及び耐酸化
性が良好である、請求項５に記載したはんだペースト。
【請求項７】前記保護膜が錫、金又はこれらの混合物
からなっている、請求項６に記載したはんだペースト。
【請求項８】前記はんだ粒子が、錫を主体とする錫−
亜鉛又は錫−亜鉛−ビスマスからなっている、請求項５
に記載したはんだペースト。
【請求項９】錫−亜鉛系はんだ粒子の表面上に、非水
系又はドライ系でのめっきによって保護膜を形成する工
程を有する、はんだ材料の製造方法。
【請求項１０】アトマイズ法、溶融めっき法、溶射
法、又はスパッタリング等の物理的成膜法によって前記
保護膜を形成する、請求項９に記載したはんだ材料の製
造方法。
【請求項１１】前記保護膜を、はんだ付け性及び耐酸
化性が良好である材料によって形成する、請求項９に記
載したはんだ材料の製造方法。
【請求項１２】前記保護膜を錫、金又はこれらの混合
物によって形成する、請求項１１に記載したはんだ材料
の製造方法。
【請求項１３】前記はんだ粒子として、錫を主体とす
る錫−亜鉛又は錫−亜鉛−ビスマスを使用する、請求項
９に記載したはんだ材料の製造方法。