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JP2002329599A - 位相検出及び電力を供給する装置 - Google Patents

位相検出及び電力を供給する装置

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Publication number
JP2002329599A
JP2002329599A JP2002040074A JP2002040074A JP2002329599A JP 2002329599 A JP2002329599 A JP 2002329599A JP 2002040074 A JP2002040074 A JP 2002040074A JP 2002040074 A JP2002040074 A JP 2002040074A JP 2002329599 A JP2002329599 A JP 2002329599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
power
phase
magnitude
parameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002040074A
Other languages
English (en)
Inventor
Kevin P Nasman
ピー、ナスマン ケヴィン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
Eni Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eni Technology Inc filed Critical Eni Technology Inc
Publication of JP2002329599A publication Critical patent/JP2002329599A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R25/00—Arrangements for measuring phase angle between a voltage and a current or between voltages or currents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 負荷に与えられる入射電力とその反射電力の
間の位相を検出する装置を提供すること。 【解決手段】 負荷に結合され、前記入射電力及び反射
電力を表す第１、第２の信号を発生する結合器と、前記
結合器から前記第１、第２の信号を受け取って、その両
信号の間の位相の大きさと、符号を示す信号を発生する
手段をもった位相検出装置を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に位相検出装置
に関し、特に詳細には、電力を供給する装置において、
同一の基本周波数の時間的に変化する２つの信号を用い
て反射係数の位相を決める位相検出装置に関する。
【０００２】
【従来技術】代表的な無線周波数（ＲＦ）プラスマ発生
装置において、高出力ＲＦ源はＲＦ信号を所定の周波
数、例えば２メガヘルツ（ＭＨｚ），４ＭＨｚ，または
１３．５６ＭＨｚで発生する。ＲＦ信号はプラスマ室に
接続される送電線路上に出力される。ＲＦ出力源とプラ
スマ室の間にはしばしばインピダンスの不整合が存在す
るので、整合回路がＲＦ出力源とプラスマ室の間に挿入
される。プラスマ室はしばしば非直線性を導入し、それ
が送電線路とインピダンス回路の損失を生じて、ＲＦ出
力源の全出力以下の出力がプラスマ室に印加されること
になる。
【０００３】この不整合の量を定めるため、従来のシス
テムはプラスマ室の入力にプローブを導入してプラスマ
室に印加される無線周波数の電圧と電流を検出するよう
にしている。プラスマ室に近接した位置の電圧と電流の
正確な測定はプラスマの質のより良い表示を与える。プ
ラスマの質のより良い表示はプラスマ室内で起こるエッ
チングまたは沈着若しくは付着（デポジション）作用の
より良い制御を可能にする。従来のプローブはプラスマ
室に印加される信号の電圧、電流、及び位相角の監視に
限定される。
【０００４】プラスマ室の近傍に置かれる他の形式のセ
ンサはプラスマ室に印加される電力、入射電力、及びプ
ラスマ室から反射して戻る電力、反射電力、の大きさの
情報のみを与える。入射及び逆電力はプラスマ室に最適
のＲＦ信号を送るためにＲＦ電力供給源を制御するのに
極めて有用であるが、入射及び逆電力を測定する従来の
センサは現在は位相情報を与えない。当業者に分かるよ
うに、位相情報は反射係数を決めることができる。従来
の出力センサは方向性のピックアップであって、入射電
力と逆電力の間の相対的位相の決定はできない。
【０００５】従って、入射電力、逆電力及び位相情報を
共に与える方向性ピックアップと共に使用される位相検
出装置が望まれる。
【０００６】
【発明の概要】本発明は電力発生装置からの出力を受け
る電力供給装置結合器を含む装置に向けられる。結合器
は第１のパラメータと第２のパラメータを検出し第１の
信号と第２の信号をそれぞれ発生する。各信号はそれぞ
れ第１のパラメータと第２のパラメータに従って変化す
る。位相検出器は結合器から第１の信号と第２の信号を
受け取る。前記位相検出器はまた前記第１と第２のパラ
メータに従って、前記第１と第２の信号の間の相対的位
相を決定する。
【０００７】本発明、その目的及び利点のより完全な理
解のためには、以下の説明及び添付の図面が参照される
べきである。
【０００８】明細書の一体的一部を形成する図面は、明
細書と共に読むべきであり、各種の観点において同様の
要素は同じ参照番号が付される。
【０００９】図１は本発明の原理に従って構成されたプ
ラスマ制御システム１０を図示する。プラスマ制御シス
テム１０は集積回路を製造するのに用いられるようなプ
ラスマ室１２を含む。プラスマ室１２は１つ又は複数の
ガス入口、１つ又は複数のガス出口１６を含む。ガス入
口１４とガス出口１６はプラスマ室１２の内部からのガ
スの導入、排出を可能にする。プラスマ室内の温度はプ
ラスマ室１２に印加される熱制御信号１８により制御さ
れる。
【００１０】プラスマ制御器２０はプラスマ室１２から
の入力を利用している。これらの入力は、室の真空のレ
ベルを示す真空信号２２、プラスマ室１２の内部に発生
される電圧を示す電圧信号２４、入口ガスと出口ガスの
間の流量比を示す流量比信号２６を含む。当業者は知っ
ているように、その他の入力／出力がプラスマ制御器２
０により受信／発信されるであろう。プラスマ制御器２
０は電力供給装置３０によりプラスマ室１２に供給され
る望ましい入力を決定する。
【００１１】電力供給装置３０はプラスマ制御器２０か
ら入力信号３４を受け取るマイクロプロセッサ又は制御
器３２を含む。マイクロプロセッサ３２は電力供給源３
６への制御信号を発生する。電力供給源３６からの電圧
出力は整合回路３８に入力される。整合回路３８は電力
供給装置３０とプラスマ室１２の間のインピダンスを整
合させ電力供給源３６が所定のインピダンスで駆動する
ようにする。所定のインピダンスは好ましくは５０オー
ムであるが、異なるかも知れない。
【００１２】方向性又は電力プローブとして知られてい
る方向性又は電力結合器４４が整合回路３８とプラスマ
室１２の間に接続されている。電力結合器又はプローブ
４４は入射電力Ｖfと逆又は反射電力Ｖrに比例する１対
の時間的に変化する信号を出力する。入射電力Ｖfと反
射電力Ｖrは位相検出器４６に入力される。位相検出器
４６は入射電力信号Ｖfと反射電力信号Ｖrの間の位相を
決定する。位相検出器４６は入射電力Ｖfと反射電力Ｖr
の間の位相に比例した信号を出力する。ガンマ位相と呼
ばれるその位相は入射電力Ｖfと反射電力Ｖrと共に処理
装置４８に入力される。処理装置４８はそれら信号を受
け取りその大きさと位相を適当に評価（scale）して他
の所要の量を導入するのに使用される値を求める。
【００１３】図２は位相検出器４６の拡大ブロック図面
を示す。動作の場合、入射電力Ｖf と反射電力Ｖrを電力
結合器４４から受け取り、信号ＶfとＶrの上限と下限を
画定するハード・リミタ（hardlimiter）、即ち制限器
５０、５２にそれぞれ印加される。制限器５０、５２は
入射電力Ｖfと反射電力Ｖrをそれぞれ正規化してそれら
信号の間の振幅の変化を取り出す。制限器５０、５２の
出力は位相大きさ検出器５４に印加される。位相大きさ
検出器５４は入射電力Ｖfと反射電力Ｖrの混合された信
号を画定するそれら信号の積を出力するミキサ５６を含
む。混合された信号は低域フィルタ（ＬＰＦ）６２に印
加される。低域フィルタ６２は混合された信号に含まれ
る時間依存情報を減衰する。時間依存情報の減衰により
入射電力Ｖfと反射電力Ｖrの間の位相に比例した直流
（ＤＣ）信号のみが残される。
【００１４】位相検出器４６はまた１対の変換回路５
８、６０を含む。変換回路５８、６０は入射電力Ｖfと
反射電力ＶrをそれぞれＤＣ信号に変換する。そのよう
な変換はピーク保持回路又はより複雑な自乗和検出器を
用いて実行される。変換回路５８、６０からの出力はア
ナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）６４に入力される。
【００１５】入射電力Ｖf、反射電力Ｖr及びフィルタさ
れた信号は各々ＡＤＣ６４に入力される。アナログ・デ
ジタル変換器６４は選択的に入力信号をサンプリング
し、それぞれのサンプルされた信号のアナログ値に対応
するデジタル信号を出力する。そのデジタル信号は処理
装置６６に入力される。
【００１６】位相大きさ検出器５４に加えて、位相検出
器４６は位相符号識別器７０を含む。符号識別器７０は
入射電力Ｖfと反射電力Ｖrの制限された信号を表す制限
器５０、５２からの出力を入力として受け取る。制限さ
れた信号はＮＡＮＤゲート７２に入力されると共に、１
対の遅延素子７４、７６のクロック入力にも入力され
る。電圧ＶCCが遅延素子７４、７６のＤ入力に印加され
る。ＮＡＮＤゲート７２の出力は遅延素子７４、７６の
クリアＣ入力に印加される。遅延素子７４、７６の出力
はそれぞれ低域フィルタ（ＬＰＦ）７８、８０に印加さ
れる。低域フィルタ７８、８０の出力は比較器８２に印
加される。比較器８２は符号ビットを出力し、符号ビッ
トは処理装置６６に入力される。
【００１７】符号ビットは入射電力Ｖfと反射電力Ｖrの
間の相対的位相の符号を決める。位相符号識別器７０は
入射電力Ｖfが反射電力Ｖrより進んでいるか、又その逆
かを決める。動作の場合、各遅延素子７４、７６がＤ入
力に印加される信号を通過させるようにする電圧は、ま
た他の遅延素子をリセットするので、１つの遅延素子が
ハイの信号を出力するとき、他の遅延素子はローの信号
を出力する。比較器８２は何れの遅延素子がハイの信号
を発生し、何れの遅延素子がローの信号を発生するかを
検出し、それに従って符号ビットを設定する。
【００１８】処理装置６６はこの分野で公知の多くの処
理装置の何れでも良い。好ましい実施例において、処理
装置６６はフィールドプロラム可能ゲートアレイ（fiel
d programmable gate array）（ＦＰＧＡ）として構成
される。処理装置６６はＡＤＣ６４への入力の何れがア
ナログ・デジタル変換されて、処理装置６６に印加され
るかを決定する。選択的（オプション）に処理装置６６
は処理装置４８又は他のシステム要素に伝送するべく、
ＡＤＣ６４からの入力と比較器８２から受け取った符号
ビットを１パケットの情報に組合す。処理装置６６はこ
のようにして位相検出器４６内の制御器として、また処
理装置４８又は他の装置との通信のための選択的インタ
フェースユニットとして作動する。
【００１９】処理装置６６からの出力は各種処理機能の
何れかを実行する処理装置４８に印加される。これらの
機能には較正、フィルタ、追加の値の計算、又は他の好
ましい機能を含む。例えば、処理装置４８は結合器で経
験するような複素負荷インピダンス、入射電力と反射電
力の和の定在波比、無効電力、結合器の電圧の大きさ、
及び結合器の電流の大きさを決定する。
【００２０】動作の場合、単一の時間的に変化する信号
は本来複素数であり、ある基準点に対する相対的大きさ
と位相をもっている。２つのそのような信号に対向する
とき、各信号の位相は数学的差として表される相対的量
として表すことができる。両信号の大きさと両信号の間
の相対的位相が既知のとき、上述の原信号に関連する多
くの他の有用な量を求め、また解析することができる。
【００２１】位相検出器４６は電力結合器４４からの出
力である入射電力と反射電力に比例した既知の基本周波
数をもった２つの時間的に変化する信号を用いてガンマ
位相として公知の複素反射係数を検出することができ
る。複素反射係数の位相、ガンマ位相、及び入射電力と
反射電力の両者の大きさをもって、結合器に入力される
複素負荷インピダンス、入射電力と反射電力の和の定在
波比（ＳＷＲ）、無効電力、及び結合器の電圧と電流の
大きさのような関連のある他のパラメータを求めること
ができる。
【００２２】位相検出器４６の動作は以下のようにモデ
ル化される。もし関数Ａcos(x)が入射電力Ｖf又は反射
電力Ｖrのような第１の正弦波を表すとする。ここでＡ
は選択された信号の振幅である。同様に、Ｂcos(y)が入
射電力Ｖfと反射電力Ｖrの他方を表すとする。ここで、
Ｂは信号の大きさである。混合された信号は次の等式
（１）で表される。
【００２３】
【００２４】公知の恒等式を用いて混合信号はさらに下
記の等式（２）で表される。
【００２５】次に、x = ωt, y = ωt + Pとする。ここ
でωは周波数、ｔは時間、Ｐは入射電力Ｖfと反射電力
Ｖrの間の位相である。x,yに上記の値を代入すると、等
式（１）は次の等式（３）に書き換えられる。
【００２６】
【００２７】同様に等式（２）は等式（４）に書き換え
られる。
【００２８】等式（４）から、もし最初の入射電力Ｖf
信号と反射電力Ｖr信号が基本周波数ω＝fsをもってい
るとすると、２つの信号を乗算すると２つの成分をもっ
た信号が形成される。１つの成分は２×fsの周波数をも
ち、他の成分はＤＣ信号である。従って図２の低域フィ
ルタ５２を遮断周波数fc=(2 xfs)/10をもった３次の低
域フィルタとすると、前記信号の時間的に変化する部分
については約６０デシベル（ｄＢ）の減衰を与える。こ
れはＤＣ成分のみを残すことになり、それは実質的に変
化しない。混合信号ｓをフィルタすると、フィルタされ
たｓは次の等式（５）で表される。
【００２９】
【００３０】従って、位相Ｐは次の関係で決められる。
【００３１】このようにして、上記の情報をもって処理
装置４８は位相Ｐを等式（５）により決めることができ
る。
【００３２】当業者はこれまで説明した位相検出を実行
する他の方法が存在することを理解するであろう。特
に、図２のミキサ５６は高速排他的ＯＲ（ＸＯＲ）ゲー
トとフィルタに取り替えて位相差を決めることができ
る。或いは入射電力Ｖfと反射電力Ｖrをデジタル的にサ
ンプルして位相を抜き出すように周波数領域に変換して
も良い。さらに他の方法として、位相ロックループ（Ｐ
ＬＬ）により入射電力Ｖf信号と反射電力Ｖr信号の各々
をロックしてこれら２つの信号の位相差を決めることが
できる。さらに他の構成として、ゼロ交差検出器により
何れの信号が進み又は遅れているかを決めて両信号端部
の間の時間をカウントすることもできる。
【００３３】さらに、当業者はここで説明した概念は入
射電力と反射電力の間の位相の検出に限定されないこと
を理解するであろう。本発明の教示は電力供給装置にお
ける操作パラメータの任意の対においてそのパラメータ
間の位相の決定が望まれる場合に拡張される。
【００３４】本発明について現在望ましいと思われる形
について説明したが、本発明の各種の応用、実施形態が
あることを理解すべきである。従って、本発明は添付の
請求項に記載される本発明の精神から逸脱することなし
に修正、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理に従って構成された電力供給装置
のブロック図面。
【図２】図１の位相検出器のブロック図面。
【符号の説明】
１０ プラスマ制御システム １４ ガス入口 １６ ガス出口 １８ 熱制御信号 ２２ 真空信号 ２４ 電圧信号 ２６ 流量比信号 ３０ 電力供給装置 ３４ 入力信号 ３８ 整合回路 ４４ 方向性結合器 ５６ ミキサ

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 入力電力を受け取り負荷への出力電力を
    発生する電力を供給する装置にして、 前記入力電力を受け取り、前記負荷に印加される出力電
    力を発生する電力発生装置と；前記負荷と前記電力発生
    装置の間に結合され入射電力と反射電力を検知する方向
    性結合器と；前記入射電力と反射電力の間の相対的位相
    を決める位相検出器と；を含む、前記電力を供給する装
    置。
  2. 【請求項２】 前記位相検出器が、前記入射電力と反射
    電力を受け取り、これら両電力の間の位相の大きさに従
    って変化する信号を発生する大きさ発生器を含む、請求
    項１に記載の、電力を供給する装置。
  3. 【請求項３】 前記大きさ発生器がさらに、 前記入射電力と反射電力を混合して混合された信号を画
    定するミキサと；前記混合された信号の直流（ＤＣ）成
    分を通過させる低域フィルタにして、前記混合された信
    号の時間依存要素を除去し、前記ＤＣ成分が前記入射電
    力と反射電力の間の位相に比例するようにした、前記低
    域フィルタと；を含む、請求項１に記載の、電力を供給
    する装置。
  4. 【請求項４】 前記位相検出器がさらに、前記入射電力
    と反射電力を受け取り、これら両電力の間の位相の符号
    に従って変化する信号を発生する符号発生器を含む、請
    求項１に記載の、電力を供給する装置。
  5. 【請求項５】 さらに、前記入射電力、前記反射電力、
    及び前記位相の大きさの少なくとも１つを評価する処理
    装置を含む、請求項１に記載の、電力を供給する装置。
  6. 【請求項６】 前記処理装置が複素負荷インピーダン
    ス、前記入射電力と反射電力の和の定在波比、無効電
    力、前記結合器の電圧の大きさ、及び前記結合器の電流
    の大きさの少なくとも１つを決める、請求項５に記載
    の、電力を供給する装置。
  7. 【請求項７】 さらに、前記電力発生モジュールと前記
    負荷の間に結合されたインピーダンス整合回路を含む、
    請求項１に記載の、電力を供給する装置。
  8. 【請求項８】 前記位相検出器がさらに、 前記入射電力と反射電力を受けて、これら両電力の間の
    位相の大きさに従って変化する信号を発生する大きさ発
    生器；及び前記入射電力と反射電力を受けて、これら両
    電力の間の位相の符号に従って変化する信号を発生する
    符号発生器；を含む、請求項１に記載の、電力を供給す
    る装置。
  9. 【請求項９】 前記大きさ発生器がさらに、 前記入射電力と反射電力を混合して混合した信号を発生
    するミキサと；前記混合した信号の直流（ＤＣ）成分を
    通過させる低域フィルタにして、前記混合した信号の時
    間依存要素を除去し、前記ＤＣ成分が前記入射電力と反
    射電力の間の位相に比例するようにした前記低域フィル
    タと；を含む、請求項８に記載の、電力を供給する装
    置。
  10. 【請求項１０】 さらに、前記入射電力、前記反射電
    力、及び前記位相の大きさの少なくとも１つを評価する
    処理装置を含む、請求項８に記載の、電力を供給する装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記処理装置が複素負荷インピーダン
    ス、前記入射電力と反射電力の和の定在波比、無効電
    力、前記結合器の電圧の大きさ、及び前記結合器の電流
    の大きさの少なくとも１つを決めるようにした、請求項
    １０に記載の、電力を供給する装置。
  12. 【請求項１２】 さらに、前記電力発生モジュールと前
    記負荷の間に結合されたインピーダンス整合回路を含
    む、請求項８に記載の、電力を供給する装置。
  13. 【請求項１３】 電力発生器から出力を受けて第１のパ
    ラメータと第２のパラメータを検出し、該第１のパラメ
    ータと第２のパラメータに従って変化する第１、第２の
    信号をそれぞれ発生する電力供給装置結合器と；前記結
    合器から前記第１の信号と第２の信号を受け取り、前記
    第１のパラメータと第２のパラメータに応じて前記第１
    の信号と第２の信号の間の相対的位相を決める位相検出
    器と；を含む装置。
  14. 【請求項１４】 前記位相検出器がさらに、前記第１の
    信号と第２の信号を受け取りこれら両信号の間の位相の
    大きさに従って変化する大きさ信号を発生する大きさ発
    生器を含む、請求項１３に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 前記大きさ発生器がさらに、 前記第１の信号と第２の信号を混合するミキサと；及び
    前記混合された信号の直流（ＤＣ）成分を通過させて前
    記混合された信号の時間依存要素を除去し、前記ＤＣ成
    分が前記第１のパラメータと第２のパラメータの間の位
    相に比例するようにする低域フィルタと；を含む、請求
    項１４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記位相検出器がさらに、前記第１の
    信号と第２の信号を受け取り、前記第１のパラメータと
    第２のパラメータの間の位相に従って変化する信号を発
    生する符号発生器を含む、請求項１３に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 さらに、前記第１の信号、前記第２の
    信号、及び前記位相大きさの少なくとも１つを評価する
    処理装置を含む、請求項１３に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記処理装置が複素負荷インピーダン
    ス、前記入射電力と反射電力の和の定在波比、無効電
    力、前記結合器における電圧の大きさ、及び前記結合器
    における電流の大きさの少なくとも１つを決定する、請
    求項１７に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記位相検出器がさらに、 前記第１の信号と第２の信号を受け取り、前記第１のパ
    ラメータと第２のパラメータの間の位相の大きさに従っ
    て変化する信号を発生する大きさ発生器と；及び前記第
    １の信号と第２の信号を受け取り、前記第１のパラメー
    タと第２のパラメータの間の位相の符号に従って変化す
    る信号を発生する符号発生器：を含む、請求項１３に記
    載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記大きさ発生器がさらに、 前記第１の信号と第２の信号を混合して混合された信号
    を画定するミキサと；及び前記混合された信号の直流
    （ＤＣ）成分を通過して、前記混合された信号の時間依
    存成分を除去し、前記ＤＣ成分が前記第１のパラメータ
    と第２のパラメータの間の位相に比例するようにする低
    域フィルタと；を含む、請求項１９に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 さらに、前記第１の信号、前記第２の
    信号、及び前記位相の大きさの少なくとも１つを評価す
    る処理装置を含む、請求項１９に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 前記処理装置が複素インピーダンス、
    前記入射電力と反射電力の和の定在波比、無効電力、前
    記結合器における電圧大きさ、及び前記結合器における
    電流の大きさの少なくとも１つを決定する、請求項２１
    に記載の装置。
  23. 【請求項２３】 前記第１の信号が正弦波であり、前記
    第２の信号も正弦波である、請求項１３に記載の位相検
    出器。
  24. 【請求項２４】 前記第１、第２の信号の１つがＡcos
    (ωt)で表され、前記第１、第２の信号の他の信号がＢc
    os(ωt ＋ P)で表され、ここにωは前記第１、第２のパ
    ラメータ信号の周波数を表し、ｔは時間を表し、Ｐは位
    相を表し、ＡとＢは定数であるとき、前記混合された信
    号が次の式 で表され、前記位相に比例するＤＣ成分が次の式 で表される、請求項１３に記載の位相検出器。
  25. 【請求項２５】 前記位相Ｐが次の式 で表される、請求項２４に記載の位相検出器。
  26. 【請求項２６】 電力発生器から出力を受ける結合器を
    もった電力供給装置を設けること；前記電力結合器を用
    いて第１のパラメータと第２のパラメータを検出するこ
    と；前記第１のパラメータと第２のパラメータに基づい
    て、それぞれ前記第１、第２のパラメータに従って変化
    する第１の信号と第２の信号を発生すること；及び前記
    第１のパラメータと第２のパラメータに従って前記第１
    と第２の信号の間の相対的位相を決めること；の各ステ
    ップを含む、位相検出の方法。
  27. 【請求項２７】 さらに、前記第１のパラメータと第２
    のパラメータの間の位相の大きさに従って変化する大き
    さ信号を発生するステップを含む、請求項２６に記載の
    方法。
  28. 【請求項２８】 さらに、前記第１のパラメータと第２
    のパラメータの間の位相の符号に従って変化する信号を
    発生するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 さらに、前記第１の信号、前記第２の
    信号、及び前記位相の大きさの少なくとも１つを評価す
    るステップを含む、請求項２６に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 さらに、複素負荷インピーダンス、前
    記入射電力と反射電力の和の定在波比、無効電力、前記
    結合器における電圧の大きさ、及び前記結合器における
    電流の大きさの少なくとも１つを決定するステップを含
    む、請求項２６に記載の方法。
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