[go: up one dir, main page]

JP2002324750A - Device manufacturing equipment - Google Patents

Device manufacturing equipment

Info

Publication number
JP2002324750A
JP2002324750A JP2001197724A JP2001197724A JP2002324750A JP 2002324750 A JP2002324750 A JP 2002324750A JP 2001197724 A JP2001197724 A JP 2001197724A JP 2001197724 A JP2001197724 A JP 2001197724A JP 2002324750 A JP2002324750 A JP 2002324750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing apparatus
device manufacturing
temperature
semiconductor
network
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001197724A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4434518B2 (en
JP2002324750A5 (en
Inventor
Takayoshi Arakawa
貴吉 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2001197724A priority Critical patent/JP4434518B2/en
Publication of JP2002324750A publication Critical patent/JP2002324750A/en
Publication of JP2002324750A5 publication Critical patent/JP2002324750A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4434518B2 publication Critical patent/JP4434518B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来以上に高精度なデバイス製造を可能とし
たデバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 露光装置と、該露光装置が内部に配置さ
れたチャンバ1と、該チャンバ1の空調を行う空調機室
10とを備え、冷却器11とヒータ12により温調され
た空気をケミカルフィルタ14と除塵フィルタ15を介
して清浄し、露光装置本体に供給する温調エアー供給装
置16W,16Rを配置し、風速分布を均一にするため
の抵抗体19W,19Rを前記温調エアー供給装置16
W,16Rのエアー吹き出し面に搭載し、前記抵抗体1
9W,19Rには微細な開孔が多数存在する。
(57) [Problem] To provide a device manufacturing apparatus capable of manufacturing a device with higher accuracy than ever before. SOLUTION: An exposure apparatus, a chamber 1 in which the exposure apparatus is disposed, and an air conditioner room 10 for performing air conditioning of the chamber 1 are provided. Temperature-regulated air supply devices 16W and 16R, which are cleaned through the filter 14 and the dust removal filter 15 and supplied to the main body of the exposure apparatus, are arranged, and the resistors 19W and 19R for uniformizing the wind speed distribution are connected to the temperature-regulated air supply devices. 16
W, 16R mounted on the air blowing surface and the resistor 1
9W and 19R have many fine holes.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等のデバイス製造に好適に用いられるデ
バイス製造装置に関する。
The present invention relates to semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads,
The present invention relates to a device manufacturing apparatus suitably used for manufacturing a device such as a micromachine.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC、LSI、液晶パネル等の半導体デ
バイスの製造工程においては、基板(半導体ウエハ基板
やガラス基板)に対して多くの処理を施すが、中でもパ
ターン焼き付けのための露光プロセスは半導体製造の要
となる重要なプロセスである。このプロセスを行う装置
として、露光装置(ステッパ、スキャナ等)が知られて
いる。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing semiconductor devices such as ICs, LSIs, and liquid crystal panels, many processes are performed on substrates (semiconductor wafer substrates and glass substrates). This is an important process that is the key to manufacturing. Exposure apparatuses (steppers, scanners, etc.) are known as apparatuses for performing this process.

【0003】ウエハ等の基板に塗布されるレジストには
電離放射線(紫外線、X線、電子線等)を当てると効率
良く化学反応を起こす高分子膜と、露光により触媒
(酸)が発生し、ベーク処理(PEB)されることで触
媒により像形成が行われる化学増幅レジストに大別でき
る。化学増幅レジストは、触媒を用いた像形成のため高
感度化が容易であり、照度を得にくいエキシマレーザ光
用のレジストとして近年一般的に用いられている。一
方、露光により発生した触媒が空気中やウエハ表面に拡
散し、さらにベーク処理(PEB)することで触媒作業
が促進し、像プロファイルが劣化するため、化学増幅レ
ジストを用いるにはレジスト塗布から露光を経てベーク
処理(PEB)に至る環境雰囲気中のアミン・アミド等
の塩基性ガスに対する化学汚染の制御が必要とされる。
When a resist applied to a substrate such as a wafer is exposed to ionizing radiation (ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc.), a polymer film which causes a chemical reaction efficiently and a catalyst (acid) are generated by exposure, By baking (PEB), it can be roughly classified into a chemically amplified resist in which an image is formed by a catalyst. Chemically amplified resists are commonly used in recent years as resists for excimer laser light, for which it is easy to achieve high sensitivity due to image formation using a catalyst and for which it is difficult to obtain illuminance. On the other hand, the catalyst generated by the exposure diffuses in the air or on the wafer surface, and the baking treatment (PEB) accelerates the catalyst work and degrades the image profile. It is necessary to control chemical contamination to basic gases such as amines and amides in an environmental atmosphere through baking treatment (PEB).

【0004】一方、露光装置には、光源から出射した光
をレチクル面に照射する照明光学系をはじめとして、レ
ンズやミラー等の種々の光学部材が使用されている。従
来、近年の露光波長の短波長化に伴い、この露光光が透
過・照射する光学部材に曇りが発生し、ウエハ面に到達
する露光量が減少するという問題があった。この曇りの
原因となる物質の材質は有機化合物や硫安(NH42
SO4 であり、その原因は空気中に存在するアンモニウ
ムイオン(NH4+ や硫酸イオン(SO4 2-または
それらの化合物、あるいは有機ガスが露光光の照射によ
り光化学反応的に光学部材に付着することにあると考え
られる。
On the other hand, the light emitted from the light source is
Optical system that irradiates the reticle surface with
Various optical members such as lenses and mirrors are used. Obedience
In recent years, with the shortening of the exposure wavelength in recent years, this exposure light has become transparent.
Excessive / irradiated optical member fogged and reached the wafer surface
There is a problem that the amount of exposure to light decreases. This cloudy
The material of the substance causing the cause is an organic compound or ammonium sulfate (NHFour )Two 
SOFour The cause is the ammonium present in the air
Mion (NHFour )+ And sulfate ions (SOFour ) 2-Or
These compounds or organic gases are exposed to exposure light.
Is thought to be due to photochemical reaction to adhere to optical members
Can be

【0005】これら化学増幅レジストの表面難溶化現象
や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体を
取り巻く周囲環境の温度や湿度、あるいは塵埃を制御す
る環境チャンバに不純物ガス除去フィルタを搭載し、こ
の雰囲気中に存在する塩基性ガス、硫酸ガス、有機化合
ガス等の物質を除去することが従来から行われてきた。
In order to solve the problems of the surface insolubilization of the chemically amplified resist and the fogging of the optical members, an impurity gas removal filter is mounted in an environment chamber for controlling the temperature and humidity of the surrounding environment surrounding the exposure apparatus main body or dust. Conventionally, substances such as a basic gas, a sulfuric acid gas, and an organic compound gas present in the atmosphere have been removed.

【0006】不純物ガス除去フィルタには、例えばイオ
ン交換繊維を使用したケミカルフィルタ、活性炭粒子や
活性炭繊維を使用した活性炭フィルタ、さらにはこれら
活性炭に酸性物質やアルカリ物質を添着したケミカルフ
ィルタ等が用いられる。しかし、除去するガスの種類や
フィルタの特性を考慮して、最適なフィルタを選択する
ことが望ましい。また、複数種のガスを除去する場合に
は、各々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用す
る場合もある。
As the impurity gas removal filter, for example, a chemical filter using ion exchange fibers, an activated carbon filter using activated carbon particles or activated carbon fibers, and a chemical filter in which an acidic substance or an alkaline substance is impregnated on these activated carbons are used. . However, it is desirable to select an optimal filter in consideration of the type of gas to be removed and the characteristics of the filter. Further, when removing a plurality of types of gases, an optimal filter for each of the gases may be used in an overlapping manner.

【0007】図11は、従来例に係るデバイス製造装置
の全体構成図である。図11において、1は装置本体の
空調を行うチャンバ、10は空気の温度調整を行う空調
機室、20は微小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを
形成するフィルタボックス、30は装置環境を外部と遮
断するブースをそれぞれ示す。
FIG. 11 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus according to a conventional example. In FIG. 11, 1 is a chamber for performing air conditioning of the apparatus main body, 10 is an air conditioner room for adjusting the temperature of air, 20 is a filter box for filtering fine foreign matters and forming a uniform flow of clean air, and 30 is an apparatus environment. The booths that are isolated from the outside are shown.

【0008】11は冷却器、12はベースヒータであ
り、空気の温度調整を行う。17はブース30内に供給
された空気を空調機室10に再度取り込むリターン口、
18は外気を空調機室10に取り込む外気導入口、1
4’は外気導入口用ケミカルフィルタをそれぞれ示す。
13は送風機、14はケミカルフィルタ、12Bは厳密
な温度調整を行う再熱ヒータ、15は除塵フィルタをそ
れぞれ示す。
Reference numeral 11 denotes a cooler, and reference numeral 12 denotes a base heater, which controls the temperature of air. 17 is a return port that takes in the air supplied into the booth 30 again into the air conditioner room 10;
18 is an outside air inlet for taking in outside air into the air conditioner room 10;
4 'indicates a chemical filter for the outside air inlet.
13 is a blower, 14 is a chemical filter, 12B is a reheat heater for strict temperature adjustment, and 15 is a dust filter.

【0009】28は温度センサ、25は露光装置本体部
のウエハステージ空間、28Wはウエハステージ空間2
5に備えられた温度センサ、26は露光装置本体部のレ
チクルステージ空間、28Rはレチクルステージ空間2
6に備えられた温度センサをそれぞれ示す。12Wはウ
エハステージ空間25用の再熱ヒータ、16Wは再熱ヒ
ータ12Wにより厳密に温度調整された空気をウエハス
テージ空間25に供給する温調エアー供給装置、15W
は除塵フィルタをそれぞれ示す。12Rはウエハステー
ジ空間25用の再熱ヒータ、16Rは再熱ヒータ12R
により厳密に温度調整された空気をウエハステージ空間
25に供給する温調エアー供給装置、15Rは除塵フィ
ルタをそれぞれ示す。27は各温度センサ28,28
W,28Rからの検出値等に基づいて再熱ヒータ12
W,12Rの温度制御を行う温度コントローラを示す。
なお、図11中の矢印は、デバイス製造装置内部の空気
の流れを示している。
Reference numeral 28 denotes a temperature sensor, 25 denotes a wafer stage space of the exposure apparatus main body, and 28W denotes a wafer stage space 2.
5, a reticle stage space 26 of the exposure apparatus main body, and 28R a reticle stage space 2
6 shows the temperature sensors provided in each of FIGS. 12W is a reheat heater for the wafer stage space 25, 16W is a temperature control air supply device for supplying air strictly temperature-controlled by the reheat heater 12W to the wafer stage space 25, 15W
Indicates a dust filter. 12R is a reheat heater for the wafer stage space 25, and 16R is a reheat heater 12R.
A temperature control air supply device for supplying air whose temperature is more strictly adjusted to the wafer stage space 25, and 15R denotes a dust filter. 27 is each temperature sensor 28, 28
W, 28R based on the detected value from
5 shows a temperature controller that performs temperature control of W and 12R.
Note that arrows in FIG. 11 indicate the flow of air inside the device manufacturing apparatus.

【0010】図11に示すように、一般的な環境チャン
バは、天井に除塵フィルタ15(ULPA等)を設け、
チャンバ1内をダウンフローしている。一方、露光装置
本体部では、ウエハ等の感光基板やレチクル等の原版が
載るステージの正確な位置決めおよび駆動制御のために
干渉計が使用される。この干渉計は、該干渉計用に搭載
されたレーザ光源から発せられるレーザ光の干渉現象を
利用し、位置情報を検知するものである。しかし、温度
変化によりレーザ光の波長は変化するため、正確なステ
ージ位置制御を行うためには干渉計レーザ光路および各
ステージ空間25,26を均一な温度に保たなければな
らない。そのために、各ステージ空間25,26に温度
制御された空気を供給する温調エアー供給装置16W,
16Rが各ステージ空間25,26の近傍に配置されて
いる。また、温調エアー供給装置16W,16Rには、
除塵フィルタ15W,15Rが搭載されている。
As shown in FIG. 11, a general environmental chamber is provided with a dust filter 15 (ULPA or the like) on the ceiling.
Downflow in the chamber 1. On the other hand, in the exposure apparatus main body, an interferometer is used for accurate positioning and drive control of a stage on which a photosensitive substrate such as a wafer or an original such as a reticle is mounted. This interferometer detects position information by using an interference phenomenon of laser light emitted from a laser light source mounted on the interferometer. However, since the wavelength of the laser beam changes due to a temperature change, the laser beam path of the interferometer and each of the stage spaces 25 and 26 must be maintained at a uniform temperature in order to perform accurate stage position control. For this purpose, a temperature control air supply device 16W, which supplies temperature-controlled air to each of the stage spaces 25, 26,
16R is arranged near each of the stage spaces 25 and 26. In addition, the temperature control air supply devices 16W and 16R include:
Dust filters 15W and 15R are mounted.

【0011】一般的に、高精度な温度制御を必要とする
場所には、除塵フィルタをエアー供給経路の最下流であ
る吹き出し部に配置している。その理由は、エアー供給
経路中より侵入する塵埃を除去することができること
と、フィルタ−メディアの層流効果により吹き出し面の
風速分布を均一にすることができるからである。
In general, in places where high-precision temperature control is required, a dust filter is arranged at a blow-off portion which is the most downstream in the air supply path. The reason is that it is possible to remove dust entering from the air supply path, and to make the wind speed distribution on the blowout surface uniform due to the laminar flow effect of the filter medium.

【0012】[0012]

【本発明が解決しようとする課題】近年のウエハサイズ
の大型化と露光パターンの微細化に伴い、ステージ空間
を従来以上に均一かつ安定した状態で温度制御すること
が要求されている。しかしながら、ウエハサイズの大型
化によりステージ空間が拡大し、ステージ空間全体を従
来以上の精度で温度制御することが困難になってきた。
この要因としては以下のことが考えられる。
With the recent increase in wafer size and miniaturization of exposure patterns, it has been required to control the temperature of the stage space in a more uniform and stable state than ever before. However, the stage space has been expanded due to the increase in wafer size, and it has become difficult to control the temperature of the entire stage space with higher precision than before.
The following can be considered as this factor.

【0013】ステージ空間に存在する温調エアーの流
れを妨げる障害物 温調エアー供給装置から吹き出された空気は下流側へ流
れていくが、その経路中に障害物があると流れを妨げら
れてしまう。このため、障害物の下流側に空気の溜まり
部が発生し、その部分の温度が周囲温度よりも上がって
しまう。この対策としては、ステージ空間からエアーの
流れを妨げる障害物を撤去し、流れをよくすればよいの
だが、現実的には難しい。
[0013] Obstacles that hinder the flow of temperature-regulated air existing in the stage space The air blown out from the temperature-regulated air supply device flows downstream, but if there is an obstacle in the path, the flow is obstructed. I will. For this reason, a pool of air is generated on the downstream side of the obstacle, and the temperature of the portion is higher than the ambient temperature. As a countermeasure, it is only necessary to remove obstacles that impede air flow from the stage space to improve the flow, but it is actually difficult.

【0014】ステージ空間周囲に存在する発熱源 ステージ空間周囲に存在する発熱源からの輻射熱がステ
ージ空間内に入り込み、ステージ空間内の温度分布を不
均一にしてしまう。また、露光装置の稼働状態で発熱量
が変化するため稼働中での温度制御が難しい。
Heat Source Existing Around Stage Space Radiation heat from a heat source existing around the stage space enters the stage space, causing a non-uniform temperature distribution in the stage space. Further, it is difficult to control the temperature during operation because the amount of heat generated varies in the operation state of the exposure apparatus.

【0015】ステージ移動による熱源位置の変化 ステージは露光熱や駆動用のリニアモータの影響で発熱
し、ステージ空間内を移動するため熱源位置が変化して
しまう。よって、ステージの移動位置で温度分布が変化
するため、ステージ移動位置毎での温度制御が難しい。
Change in position of heat source due to movement of stage The stage generates heat under the influence of exposure heat or a linear motor for driving, and moves in the stage space, so that the position of the heat source changes. Therefore, since the temperature distribution changes at the moving position of the stage, it is difficult to control the temperature at each moving position of the stage.

【0016】本発明は、上記従来技術が有する問題を解
決すべくなされたものであり、従来以上に高精度なデバ
イス製造が可能なデバイス製造装置を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to provide a device manufacturing apparatus capable of manufacturing a device with higher precision than ever before.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明のデバイス製造装置は、チャンバ
と、該チャンバの空調を行う空調機室と、原版のパター
ンを基板に露光する露光部とを備えたデバイス製造装置
において、気体の温度調整を行う温度調整部と、該温度
調整部によって温度調整された気体をフィルタを介して
清浄し前記露光部に供給する温調気体供給部とを具備
し、該温調気体供給部は、気体の吹き出し面に微細な開
孔を複数有し前記吹き出し面における該気体の風速分布
を調整する抵抗体を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a device manufacturing apparatus according to the present invention comprises a chamber, an air conditioner room for air-conditioning the chamber, and an exposure unit for exposing a pattern of an original onto a substrate. In the device manufacturing apparatus comprising: a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the gas, and a temperature control gas supply unit that cleans the gas whose temperature has been adjusted by the temperature adjustment unit through a filter and supplies the gas to the exposure unit. The temperature control gas supply unit is characterized in that the temperature control gas supply unit has a plurality of fine openings on a gas blowing surface and a resistor for adjusting a wind speed distribution of the gas on the gas blowing surface.

【0018】上記構成をとることにより、本発明のデバ
イス製造装置は、ステージ空間に存在する温調エアーの
流れを妨げる障害物、ステージ空間周囲に存在する発熱
源、およびステージ移動による熱源位置の変化の各問題
により、従来以上の精度でステージ空間を温度制御する
ことができる。また、今後のさらなる温度制御の高精度
化に対応して、ステージ空間の動的な温度制御も行うこ
とができる。
By adopting the above configuration, the device manufacturing apparatus of the present invention can provide an obstacle obstructing the flow of temperature-regulated air existing in the stage space, a heat source existing around the stage space, and a change in the position of the heat source due to the stage movement. Due to the above-mentioned problems, the temperature of the stage space can be controlled with higher accuracy than before. In addition, dynamic temperature control of the stage space can be performed in response to further higher precision of temperature control in the future.

【0019】また、上記構成により、前記デバイス製造
装置中の干渉計の測定精度向上により、アライメント性
能の向上が可能となり、従来以上に高精度なデバイス製
造が可能なデバイス製造装置を提供することができる。
Further, with the above configuration, it is possible to improve the alignment performance by improving the measurement accuracy of the interferometer in the device manufacturing apparatus, and to provide a device manufacturing apparatus capable of manufacturing a device with higher accuracy than ever before. it can.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて、前記デバイス製造装置は、前記抵抗体の有する微
細な開孔の全部または一部の形状および該開孔の全部ま
たは一部の数量を変えることにより、その開孔率および
前記気体の吹き出し面からの風速分布を任意に設定し制
御する制御手段を備える。ここで、前記制御手段は、前
記露光部における温度状態に合わせて前記開孔の全部ま
たは一部の形状および該開孔の全部または一部の数量を
調整するものである。また、前記制御手段は、前記抵抗
体の有する微細な開孔の開孔率およびその面内風速分布
を前記露光部の稼働状態に合わせて制御するものであ
る。さらに、前記制御手段は、前記露光部が有する基板
ステージおよび原版ステージの位置により前記抵抗体の
有する微細な開孔の開孔率を変化させ、その面内風速分
布の調整を行うものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION According to a preferred embodiment of the present invention, the device manufacturing apparatus determines the shape of all or a part of fine holes of the resistor and the number of all or part of the holes. Control means for arbitrarily setting and controlling the aperture ratio and the wind speed distribution from the gas outlet surface by changing the aperture ratio. Here, the control means adjusts the shape of all or some of the openings and the number of all or some of the openings in accordance with the temperature state in the exposure section. Further, the control means controls an opening ratio of fine openings of the resistor and an in-plane wind speed distribution in accordance with an operation state of the exposure unit. Further, the control means changes the opening ratio of fine openings of the resistor according to the positions of the substrate stage and the original stage of the exposure unit, and adjusts the in-plane wind speed distribution.

【0021】本実施形態において、前記抵抗体は、エッ
チング加工により前記開孔が形成される。また、前記フ
ィルタは、除塵フィルタおよび/またはケミカルフィル
タである。さらに、前記露光部は、干渉計を有する。
In the present embodiment, the opening is formed in the resistor by etching. Further, the filter is a dust filter and / or a chemical filter. Further, the exposure section has an interferometer.

【0022】[0022]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 [第1の実施例]図1は、第1の実施例に係る露光装置
(スキャナ)を備えたデバイス製造装置の全体構成図で
ある。この露光装置本体の空調には、チャンバ1が使用
されている。このチャンバ1は、主に空気の温度調整を
行う空調機室10および微小異物を濾過し清浄空気の均
一な流れを形成するフィルタボックス20、また装置環
境を外部と遮断するブース30で構成されている。この
チャンバ1内では、空調機室10内にある冷却器11お
よびベースヒータ12により温度調整された空気が、送
風機13によりケミカルフィルタ14を介して再熱ヒー
タ12Bで厳密に温度調整され、除塵フィルタ15を通
してブース30に供給される。ブース30に供給された
空気は、リターン口17より再度空調機室10に取り込
まれ、チャンバ1内を循環する。通常、このチャンバ1
は厳密には完全な循環系ではない。ブース14内を常時
陽圧に保つため、循環空気量の約1割のブース30内の
空気は、空調機室10に設けられた外気導入口18から
取り入れられ、外気導入口用ケミカルフィルタ14’、
冷却器11、ベースヒータ12、および送風機13を介
して導入される。ブース30を陽圧に保つ理由は、ブー
ス30にある微小な隙間を通してブース30外より微小
異物がブース30内に侵入するのを防止するためであ
る。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus provided with an exposure apparatus (scanner) according to a first embodiment. A chamber 1 is used for air conditioning of the exposure apparatus main body. The chamber 1 is mainly composed of an air conditioner room 10 for adjusting the temperature of air, a filter box 20 for filtering fine foreign substances to form a uniform flow of clean air, and a booth 30 for shutting off the environment of the apparatus from the outside. I have. In the chamber 1, air whose temperature is adjusted by a cooler 11 and a base heater 12 in an air conditioner room 10 is strictly adjusted in temperature by a reheater 12B through a chemical filter 14 by a blower 13, and a dust filter It is supplied to the booth 30 through 15. The air supplied to the booth 30 is taken into the air conditioner room 10 again through the return port 17 and circulates in the chamber 1. Usually this chamber 1
Is not strictly a complete circulatory system. In order to always maintain the inside of the booth 14 at positive pressure, about 10% of the circulating air amount in the booth 30 is taken in from the outside air inlet 18 provided in the air conditioner room 10 and the outside air inlet chemical filter 14 ′. ,
It is introduced through a cooler 11, a base heater 12, and a blower 13. The reason why the booth 30 is maintained at a positive pressure is to prevent minute foreign substances from entering the booth 30 from outside the booth 30 through the minute gaps in the booth 30.

【0023】ウエハステージ空間25には、専用の再熱
ヒータ12Wにより厳密に温度制御された空気を供給す
る温調エアー供給装置16Wがステージ空間25の近傍
に配置されている。この温調エアー供給装置16Wに
は、吹き出し面の風速分布を均一にするための抵抗体1
9Wが除塵フィルタ15Wのエアー吹き出し面に搭載さ
れる。同様に、レチクルステージ空間26にも専用の再
熱ヒータ12Rにより厳密に温度制御された空気を供給
する温調エアー供給装置16Rがステージ空間近傍に配
置される。抵抗体19Rについても同様に、除塵フィル
タ15Rのエアー吹き出し面に搭載している。また、再
熱ヒータ12W,12Rは、温度センサ28,28W,
28Rの検出値等に基づいて温度コントローラ27によ
り温度制御が行われる。
In the wafer stage space 25, a temperature control air supply device 16W for supplying air whose temperature is strictly controlled by a dedicated reheater 12W is arranged near the stage space 25. The temperature control air supply device 16W includes a resistor 1 for uniformizing the wind speed distribution on the blowing surface.
9W is mounted on the air blowing surface of the dust filter 15W. Similarly, a temperature-regulated air supply device 16R that supplies air whose temperature is strictly controlled by the dedicated reheat heater 12R to the reticle stage space 26 is also arranged near the stage space. Similarly, the resistor 19R is mounted on the air blowing surface of the dust filter 15R. Further, the reheat heaters 12W, 12R are provided with temperature sensors 28, 28W,
Temperature control is performed by the temperature controller 27 based on the detected value of 28R and the like.

【0024】図2は、図1の温調エアー供給装置の詳細
図であり、図2(a)が全体図、図2(b)が抵抗体の
一例を示す詳細図である。図1および図2より、温調エ
アー供給装置16により除塵フィルタ15を介して供給
されたエアーの風速分布を調整する抵抗体19には、微
細な開孔が多数存在し、各ステージ空間25,26の温
度状態により開孔形状と数量を制御手段により任意に設
定し、制御できる。これにより、各ステージ空間25,
26内に存在する温調エアーの流れを妨げる障害物や周
囲からの発熱源の影響を受けている場所、また干渉計レ
ーザ光路には、予め開孔率を大きく設定して温調エアー
の風量を増加するといった温調エリア内での局所的な風
量調整(分布調整)が可能となる。
FIG. 2 is a detailed view of the temperature control air supply device of FIG. 1, wherein FIG. 2 (a) is an overall view and FIG. 2 (b) is a detailed view showing an example of a resistor. As shown in FIGS. 1 and 2, the resistor 19 for adjusting the wind speed distribution of the air supplied from the temperature control air supply device 16 through the dust removal filter 15 has many fine holes. The shape and number of holes can be arbitrarily set and controlled by the control means according to the temperature condition of 26. Thereby, each stage space 25,
A large aperture is set in advance for the location of the interferometer laser beam path, which is affected by obstacles obstructing the flow of the temperature-regulated air and heat sources from the surroundings. It is possible to locally adjust the air flow (distribution adjustment) in the temperature control area, such as increasing the temperature.

【0025】このように、エアー吹き出し面全体の開孔
率を任意に設定できることはもとより、吹き出し面内の
部分的な開孔率も任意に設定できるので、吹き出し面内
の風速分布を上下や左右といった全方向において任意に
設定することが可能となる。ここで、開孔率の調整方法
としては、例えば開孔部形状(開孔面積)や開孔部数量
を変更する方法が考えられる。
As described above, not only the opening ratio of the entire air outlet surface can be arbitrarily set, but also the partial opening ratio of the air outlet surface can be set arbitrarily. Can be set arbitrarily in all directions. Here, as a method of adjusting the opening ratio, for example, a method of changing the shape of the opening portion (opening area) or the number of opening portions can be considered.

【0026】[第2の実施例]図3は、第2の実施例に
係る露光装置(スキャナ)を備えたデバイス製造装置の
全体構成図である。本実施例においては、露光装置の稼
働状態とウエハステージ、レチクルステージの各移動位
置に合わせて各抵抗体の開孔率を変化できる可変機能を
備える。開孔率を可変制御する露光装置制御系21と開
孔率コントローラ22、開孔率可変装置23以外は第1
の実施例と同様の構成である。
[Second Embodiment] FIG. 3 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus provided with an exposure apparatus (scanner) according to a second embodiment. The present embodiment has a variable function that can change the aperture ratio of each resistor in accordance with the operation state of the exposure apparatus and the respective movement positions of the wafer stage and the reticle stage. Except for the exposure apparatus control system 21 for variably controlling the aperture ratio, the aperture ratio controller 22, and the aperture ratio variable device 23,
The configuration is similar to that of the embodiment.

【0027】まず、露光装置の稼働状態を検出するため
に露光装置制御系21から露光装置のステータス信号を
出力する。このステータス信号は露光プロセスにおける
マシンステータス(フロー)情報や、ウエハステージ、
レチクルステージの各位置情報等が含まれる。
First, an exposure apparatus control system 21 outputs a status signal of the exposure apparatus to detect the operating state of the exposure apparatus. This status signal includes machine status (flow) information in the exposure process, wafer stage,
Each position information of the reticle stage is included.

【0028】次に、開孔率コントローラ22がこのステ
ータス信号を入力し、ウエハステージ空間25、レチク
ルステージ空間26の各温調エアー供給装置16W,1
6Rのエアー吹き出し面に搭載した各抵抗体19W,1
9Rの開孔率を算出する。この算出された開孔率は、開
孔率可変装置23を用いて変更される。
Next, the aperture ratio controller 22 receives the status signal, and controls the temperature-regulated air supply devices 16W, 1 in the wafer stage space 25 and the reticle stage space 26.
Each resistor 19W, 1 mounted on 6R air blowing surface
Calculate the opening rate of 9R. The calculated aperture ratio is changed using the aperture ratio variable device 23.

【0029】開孔率可変装置23は、例えば開孔率の異
なる複数の抵抗体をロボット等を用いて自動で入れ替え
たり、これらを重ね合わせることで開孔率を変化させ、
吹き出し面内の風速分布調整を行う制御手段による方法
が考えられる。
The aperture ratio variable device 23 automatically changes a plurality of resistors having different aperture ratios by using a robot or the like, or changes the aperture ratio by overlapping these resistors.
A method using control means for adjusting the wind speed distribution in the blowing surface can be considered.

【0030】これにより、露光装置の稼働状態で変化す
る発熱量の影響とウエハステージ、レチクルステージの
移動による熱源位置の変化に対する影響が低減され、各
ステージ空間25,26の動的な温度制御が可能となる
ため、さらなる温度制御の高精度化が可能となる。
As a result, the influence of the amount of heat generated in the operating state of the exposure apparatus and the change in the position of the heat source due to the movement of the wafer stage and the reticle stage are reduced, and the dynamic temperature control of each stage space 25, 26 can be performed. Therefore, the temperature control can be performed with higher accuracy.

【0031】ここで、前記抵抗体は、例えば板材に開孔
形状をプレス機によって打ち抜いて形成される打抜板や
ワイヤを縦横に編み込んだメッシュ材、また微細な粒体
・粉体を焼結して形成される焼結材、そしてエッチング
加工により開孔形状を形成するエッチングプレート等が
考えられる。しかし、例えば前記温調エアー供給装置の
吹き出し風量が10m3 /min、吹き出し面積が0.
3m2 の場合、吹き出し面の風速分布を均一にするため
には抵抗体前後での圧力差を100Pa程度に設定する
必要がある。この場合、開孔率が10%前後となり、直
径0.2mm、ピッチ0.5mm程度の開孔を前記抵抗
体に形成することになる。また、前記抵抗体内の任意の
場所で開孔形状と数量を任意に形成する必要があること
を考慮すると、エッチング加工が最適である。さらに、
エッチング加工は微細な異なる形状を同時に加工でき、
高価な金型を必要とせず、製作工数も短いためコストメ
リットも高い。
Here, the resistor is made of, for example, a punched plate formed by punching an opening shape in a plate material by a press machine, a mesh material in which wires are braided vertically and horizontally, or a fine granular material / powder is sintered. A sintering material formed by etching, an etching plate that forms an opening by etching, and the like can be considered. However, for example, the blowing air volume of the temperature control air supply device is 10 m 3 / min, and the blowing area is 0.
In the case of 3 m 2 , it is necessary to set the pressure difference before and after the resistor to about 100 Pa in order to make the wind speed distribution on the blowing surface uniform. In this case, the opening ratio becomes about 10%, and openings having a diameter of 0.2 mm and a pitch of about 0.5 mm are formed in the resistor. Further, considering that it is necessary to arbitrarily form an opening shape and a number at an arbitrary place in the resistor, the etching process is optimal. further,
Etching can process fine different shapes simultaneously,
It does not require expensive molds and the manufacturing man-hour is short, so the cost merit is high.

【0032】なお、本発明における温調気体供給部は、
上述した各実施例における温調エアー供給装置だけでな
く、温度調整された気体の吹き出し面の全てを含むもの
とする。
The temperature control gas supply unit in the present invention is
It includes not only the temperature-controlled air supply device in each of the above-described embodiments but also all of the temperature-adjusted gas blowing surfaces.

【0033】[第3の実施例]図4および図5は、第3
の実施例に係る露光装置(スキャナ)における温調エア
ー供給装置の詳細図である。ここで、図4(a)は全体
図を示し、図4(b)は図4(a)の抵抗体の一例を示
し、図5(a)は図4の抵抗体における吹き出し面の風
量(風速)分布を示し(縦軸は風量、横軸は吹き出し位
置)、図5(b)は温調空間内の温度分布を示す(縦軸
は温度、横軸は吹き出し位置)。また、図12および図
13は、従来例に係る露光装置における温調エアー供給
装置の詳細図である。ここで、図12(a)は全体図を
示し、図12(b)は図12(a)の温調エアー吹き出
し面を示し、図13(a)は図12の温調エアー吹き出
し面の風量(風速)分布を示し(縦軸は風量、横軸は吹
き出し位置)、図13(b)は温調空間内の温度分布を
示す(縦軸は温度、横軸は吹き出し位置)。
[Third Embodiment] FIGS. 4 and 5 show a third embodiment.
FIG. 3 is a detailed view of a temperature-regulated air supply device in an exposure apparatus (scanner) according to the example. Here, FIG. 4 (a) shows an overall view, FIG. 4 (b) shows an example of the resistor of FIG. 4 (a), and FIG. 5 (b) shows the temperature distribution in the temperature control space (the vertical axis is the temperature, and the horizontal axis is the blowing position). FIGS. 12 and 13 are detailed views of a temperature-regulated air supply device in an exposure apparatus according to a conventional example. Here, FIG. 12 (a) shows an overall view, FIG. 12 (b) shows the temperature control air blowing surface of FIG. 12 (a), and FIG. 13 (a) shows the air volume of the temperature control air blowing surface of FIG. (Wind speed) distribution (the vertical axis is the air volume, the horizontal axis is the blowing position), and FIG. 13B shows the temperature distribution in the temperature control space (the vertical axis is the temperature, and the horizontal axis is the blowing position).

【0034】露光装置のステージ空間内において、ステ
ージ空間内の温度分布に合わせて風量調整(分布調整)
を行う場合、従来では、図12(a),(b)、図13
(a),(b)のように温調エアー供給ボックスを複数
設け、各温調エアー供給ボックスに供給するエアーの流
量を調整するか、温調エアー供給ボックスの内部をいく
つかの壁で仕切り、各部屋に供給するエアーの流量を調
整するしかなかった。このため、温度の境界部では吹き
出し面の風量(風速)が急激に変化し、精密な風量調整
(分布調整)が大変困難であった。また、温調エアー供
給ボックスやエアー供給系統を複数必要とするため、装
置規模の拡大につながった。
Air volume adjustment (distribution adjustment) in the stage space of the exposure apparatus according to the temperature distribution in the stage space.
12 (a), (b), and FIG.
As shown in (a) and (b), a plurality of temperature control air supply boxes are provided, and the flow rate of air supplied to each temperature control air supply box is adjusted, or the inside of the temperature control air supply box is partitioned by several walls. The only option was to adjust the flow rate of air supplied to each room. For this reason, the air volume (wind speed) of the blowing surface changes abruptly at the boundary of the temperature, and precise air volume adjustment (distribution adjustment) is very difficult. Further, since a plurality of temperature control air supply boxes and a plurality of air supply systems are required, the scale of the apparatus has been expanded.

【0035】これに対し、図4(a),(b)、図5
(a),(b)のようにステージ空間内の温度分布に合
わせて抵抗体の開孔率を予め設定し、温度の境界付近に
あたる吹き出し面の開孔率を徐々に変化させるようにす
れば、境界部の風量(風速)のギャップ量が小さくな
り、連続した精密な風量調整(分布調整)が可能にな
る。また、温調エアー供給ボックスやエアー供給系統も
最小限ですむため、装置の省スペース化につながる。な
お、吹き出し面内の風量(風速)分布は左右のみなら
ず、上下や斜めといった全方向において任意に調整する
ことが可能である。
On the other hand, FIGS. 4A and 4B and FIG.
As shown in (a) and (b), the porosity of the resistor is set in advance in accordance with the temperature distribution in the stage space, and the porosity of the blowing surface near the temperature boundary is gradually changed. In addition, the gap amount of the air volume (wind speed) at the boundary becomes small, and continuous and precise air volume adjustment (distribution adjustment) becomes possible. In addition, the temperature control air supply box and air supply system can be minimized, which leads to space saving of the device. Note that the distribution of the air volume (wind speed) in the blowing surface can be arbitrarily adjusted not only in the left and right directions but also in all directions such as up and down and oblique.

【0036】[半導体生産システムの実施例]次に、上
記説明したデバイス製造装置を利用した半導体等のデバ
イス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、C
CD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産シス
テムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置さ
れた製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若し
くはソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外
のコンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
[Embodiment of Semiconductor Production System] Next, devices such as semiconductors (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, C
An example of a production system of a CD, a thin-film magnetic head, a micromachine, and the like will be described. In this method, maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory or provision of software are performed using a computer network outside the manufacturing factory.

【0037】図6は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
FIG. 6 shows the whole system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business establishment of a vendor (apparatus supply maker) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing plant, for example,
Pre-process equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment,
It is assumed that flattening equipment and the like and post-processing equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.) are used. In the business office 101, a host management system 10 for providing a maintenance database of manufacturing equipment
8. It has a plurality of operation terminal computers 110 and a local area network (LAN) 109 connecting these to construct an intranet or the like. Host management system 1
Reference numeral 08 includes a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the business office, and a security function for restricting external access.

【0038】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカ(半導体デバイスメーカ)
の製造工場である。製造工場102〜104は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等)であってもよい。各工場102〜104内に
は、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム107とが設
けられている。各工場102〜104に設けられたホス
ト管理システム107は、各工場内のLAN111を工
場の外部ネットワークであるインターネット105に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のLAN111からインターネット105を介してベン
ダ101側のホスト管理システム108にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット105を介して、
各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場102〜104とベンダ101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDN等)を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
On the other hand, 102 to 104 are semiconductor manufacturers (semiconductor device manufacturers) as users of the manufacturing apparatus.
Is a manufacturing factory. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet or the like, and a host as a monitoring apparatus for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106 are provided. A management system 107 is provided. The host management system 107 provided in each of the factories 102 to 104 includes a gateway for connecting the LAN 111 in each of the factories to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, access from the LAN 111 of each factory to the host management system 108 on the vendor 101 side via the Internet 105 is possible, and only users limited by the security function of the host management system 108 are permitted to access. Specifically, via the Internet 105,
In addition to the status information indicating the operation status of each manufacturing apparatus 106 (for example, the symptom of the manufacturing apparatus in which the trouble has occurred) is notified from the factory side to the vendor side, the response information corresponding to the notification (for example, an instruction method for the trouble) Information
Software and data for coping), the latest software, and maintenance information such as help information can be received from the vendor. A communication protocol (TCP / IP) generally used on the Internet is used for data communication between each of the factories 102 to 104 and the vendor 101 and data communication with the LAN 111 in each of the factories. In addition,
Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a leased line network (such as ISDN) that is inaccessible from a third party and has high security. In addition, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place it on an external network, and permit access to the database from a plurality of factories of the user.

【0039】さて、図7は、本実施形態の全体システム
を図6とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお、図7で
は、製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はLAN206で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジ
スト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230等、
ベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
211,221,231を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム205と、各装置のベンダの管理システ
ム211,221,231とは、外部ネットワーク20
0であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット200を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
FIG. 7 is a conceptual diagram showing the entire system of this embodiment cut out from an angle different from that of FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. Data communication of the information of the manufacturing apparatus. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors is connected to a management system of each of the plurality of manufacturing equipments via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing line for performing various processes, for example, an exposure apparatus 202, a resist processing apparatus 203;
A film forming apparatus 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 7, a plurality of factories are actually networked similarly. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet or the like, and a host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, a film forming apparatus maker 230, etc.
Each business establishment of the vendor (device supply maker) is provided with a host management system 211, 221, 231 for remote maintenance of the supplied equipment, and these are provided with the maintenance database and the gateway of the external network as described above. . The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the vendor management systems 211, 221, and 231 of each device are connected to the external network 20.
0 or a dedicated line network. In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment in the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is stopped, but remote maintenance is performed from the vendor of the troubled equipment via the Internet 200. As a result, quick response is possible, and downtime of the production line can be minimized.

【0040】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種(4
01)、シリアルナンバー(402)、トラブルの件名
(403)、発生日(404)、緊急度(405)、症
状(406)、対処法(407)、経過(408)等の
情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報は
インターネットを介して保守データベースに送信され、
その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信
されディスプレイ上に提示される。また、ウェブブラウ
ザが提供するユーザインタフェースは、さらに図示のご
とくハイパーリンク機能(410,411,412)を
実現し、オペレータは各項目のさらに詳細な情報にアク
セスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリ
から製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェア
を引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガ
イド(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。こ
こで、保守データベースが提供する保守情報には、上記
説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフト
ウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフ
トウェアも提供する。
Each of the manufacturing apparatuses installed in the semiconductor manufacturing factory includes a display, a network interface, and a computer that executes network access software and apparatus operation software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 8 on a display. The operator who manages the manufacturing equipment at each factory refers to the screen and refers to the model (4
01), serial number (402), subject of trouble (403), date of occurrence (404), urgency (405), symptom (406), remedy (407), progress (408), etc. on the screen. Fill in the input fields. The entered information is sent to the maintenance database via the Internet,
The resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. Further, the user interface provided by the web browser further realizes a hyperlink function (410, 411, 412) as shown in the figure, so that the operator can access more detailed information of each item, and can access from the software library provided by the vendor. The latest version of software used for the manufacturing apparatus can be extracted, and an operation guide (help information) for reference by a factory operator can be extracted. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information on the present invention described above, and the software library also provides the latest software for realizing the present invention.

【0041】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ス
テップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、
ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等
の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
Next, a manufacturing process of a semiconductor device using the above-described production system will be described. FIG.
1 shows a flow of an overall semiconductor device manufacturing process. In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and an assembly process (dicing, dicing,
Bonding), an assembly process such as a packaging process (chip encapsulation) and the like. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Also, between the pre-process factory and the post-process factory,
Information and the like for production management and device maintenance are communicated via the Internet or a dedicated line network.

【0042】図10は、上記ウエハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イ
オン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では上記説明した露光装置等のデ
バイス製造装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウ
エハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行う
ことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成す
る。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守
システムによって保守がなされているので、トラブルを
未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復
旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向
上させることができる。
FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer.
Step 16 (exposure) uses the device manufacturing apparatus, such as the above-described exposure apparatus, to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. Step 19
In (resist removal), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Productivity can be improved.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気体の温度調整を行う温度調整部、清浄された気体を露
光部に供給する温調気体供給部、および該温調気体供給
部からの気体の吹き出し面に微細な開孔を複数有し該吹
き出し面における該気体の風速分布(風量分布)を均一
にする抵抗体を備えることにより、ステージ空間全体を
均一かつ安定した状態で温度制御ができ、従来以上に高
精度なデバイス製造が可能なデバイス製造装置を提供す
ることができる。
As described above, according to the present invention,
A temperature control section for controlling the temperature of the gas, a temperature control gas supply section for supplying the purified gas to the exposure section, and a plurality of fine openings on a gas discharge surface of the gas from the temperature control gas supply section. By providing a resistor that makes the wind speed distribution (air volume distribution) of the gas uniform on the surface, the temperature of the entire stage space can be controlled in a uniform and stable state, and device manufacturing with higher precision than before can be manufactured. An apparatus can be provided.

【0044】また、抵抗体の開孔の形状と数量の全部ま
たは一部を制御手段により変えることで、抵抗体の開孔
の開孔率を任意に設定でき、その面内風速分布を上下や
左右といった全方向において任意に設定できる。そのた
め、温調エリア内での局所的な風量調整が可能となる。
Further, by changing all or a part of the shape and the number of the openings of the resistor by the control means, the opening ratio of the openings of the resistor can be arbitrarily set, and the in-plane wind speed distribution can be changed up and down. It can be set arbitrarily in all directions such as left and right. Therefore, local air volume adjustment in the temperature control area is possible.

【0045】さらに、抵抗体の開孔の開孔率、およびそ
の面内風速分布を露光部の稼働状態に合わせて前記制御
手段により変化できるため、ステージ空間の動的な温度
制御が可能となり、さらなる温度制御の高精度化が可能
となる。
Further, since the opening ratio of the opening of the resistor and the in-plane air velocity distribution thereof can be changed by the control means in accordance with the operating state of the exposure section, dynamic temperature control of the stage space becomes possible. Further high-precision temperature control becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係るデバイス製造装
置の全体構成図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の温調エアー供給装置の詳細図であり、
(a)は全体図、(b)は抵抗体の一例を示す詳細図で
ある。
FIG. 2 is a detailed view of the temperature control air supply device of FIG. 1,
(A) is an overall view, and (b) is a detailed view showing an example of a resistor.

【図3】 本発明の第2の実施例に係るデバイス製造装
置の全体構成図である。
FIG. 3 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 第3の実施例に係る露光装置(スキャナ)に
おける温調エアー供給装置の詳細図であり、(a)は全
体図、図4(b)は図4(a)の抵抗体の一例をそれぞ
れ示す。
FIGS. 4A and 4B are detailed views of a temperature control air supply device in an exposure apparatus (scanner) according to a third embodiment, where FIG. 4A is an overall view and FIG. One example is shown below.

【図5】 第3の実施例に係る露光装置(スキャナ)に
おける温調エアー供給装置の詳細図であり、(a)は図
4の抵抗体における吹き出し面の風量(風速)分布(縦
軸は風量、横軸は吹き出し位置)、(b)は温調空間内
の温度分布(縦軸は温度、横軸は吹き出し位置)をそれ
ぞれ示す。
5A and 5B are detailed views of a temperature control air supply device in an exposure apparatus (scanner) according to a third embodiment, and FIG. 5A shows a distribution of an air volume (wind speed) of a blowing surface of a resistor in FIG. (B) shows the temperature distribution in the temperature control space (vertical axis is temperature, horizontal axis is the blowing position).

【図6】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を
含む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た
概念図である。
FIG. 6 is a conceptual view of a semiconductor device production system including a device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from a certain angle.

【図7】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を
含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た
概念図である。
FIG. 7 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system including a device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, as viewed from another angle.

【図8】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を
含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザイン
タフェースの具体例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a specific example of a user interface in a semiconductor device production system including a device manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置に
よるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図であ
る。
FIG. 9 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process by the device manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置
によるウエハプロセスを説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a wafer process by the device manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図11】 従来例に係るデバイス製造装置の全体構成
図である。
FIG. 11 is an overall configuration diagram of a device manufacturing apparatus according to a conventional example.

【図12】 従来例に係る露光装置における温調エアー
供給装置の詳細図であり、(a)は全体図、(b)は
(a)の温調エアー吹き出し面をそれぞれ示す。
12A and 12B are detailed views of a temperature control air supply device in an exposure apparatus according to a conventional example, wherein FIG. 12A is an overall view and FIG.

【図13】 従来例に係る露光装置における温調エアー
供給装置の詳細図であり、(a)は図12の温調エアー
吹き出し面の風量(風速)分布(縦軸は風量、横軸は吹
き出し位置)、(b)は温調空間内の温度分布(縦軸は
温度、横軸は吹き出し位置)をそれぞれ示す。
13A and 13B are detailed diagrams of a temperature-regulated air supply device in an exposure apparatus according to a conventional example, in which FIG. 13A shows an air volume (wind speed) distribution on a temperature-regulated air blowing surface in FIG. (B) and (b) show the temperature distribution in the temperature control space (the vertical axis is the temperature, and the horizontal axis is the blowing position).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:チャンバ、10:空調機室、11:冷却器、12:
ベースヒータ、12B:再熱ヒータ(ブース用)、12
W:再熱ヒータ(ウエハステージ空間用)、12R:再
熱ヒータ(レチクルステージ空間用)、13:送風機、
14:ケミカルフィルタ(循環用)、14’:ケミカル
フィルタ(外気導入口用)、15:除塵フィルタ、15
W:除塵フィルタ(ウエハステージ空間用)、15R:
除塵フィルタ(レチクルステージ空間用)、16W:温
調エアー供給装置(ウエハステージ空間用)、16R:
温調エアー供給装置(レチクルステージ空間用)、1
7:リターン口、18:外気導入口、19W:抵抗体
(ウエハステージ空間用)、19R:抵抗体(レチクル
ステージ空間用)、20:フィルタボックス、21:露
光装置制御系、22:開孔率コントローラ、23:開孔
率可変装置、25:ウエハステージ空間、26:レチク
ルステージ空間、27:温度コントローラ、28,28
W,28R:温度センサ、30:ブース。
1: chamber, 10: air conditioner room, 11: cooler, 12:
Base heater, 12B: reheat heater (for booth), 12
W: reheat heater (for wafer stage space), 12R: reheat heater (for reticle stage space), 13: blower,
14: chemical filter (for circulation), 14 ': chemical filter (for outside air inlet), 15: dust filter, 15
W: Dust filter (for wafer stage space), 15R:
Dust filter (for reticle stage space), 16W: Temperature control air supply device (for wafer stage space), 16R:
Temperature control air supply device (for reticle stage space), 1
7: return port, 18: outside air inlet, 19W: resistor (for wafer stage space), 19R: resistor (for reticle stage space), 20: filter box, 21: exposure apparatus control system, 22: aperture ratio Controller, 23: aperture ratio variable device, 25: wafer stage space, 26: reticle stage space, 27: temperature controller, 28, 28
W, 28R: temperature sensor, 30: booth.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンバと、該チャンバの空調を行う空
調機室と、原版のパターンを基板に露光する露光部とを
備えたデバイス製造装置において、 気体の温度調整を行う温度調整部と、該温度調整部によ
って温度調整された気体をフィルタを介して清浄し前記
露光部に供給する温調気体供給部とを具備し、該温調気
体供給部は、気体の吹き出し面に微細な開孔を複数有し
前記吹き出し面における該気体の風速分布を調整する抵
抗体を有することを特徴とするデバイス製造装置。
1. A device manufacturing apparatus comprising: a chamber; an air conditioner room for air-conditioning the chamber; and an exposure unit for exposing a pattern of an original onto a substrate; a temperature adjustment unit for adjusting a temperature of gas; A temperature-controlling gas supply unit that cleans the gas temperature-controlled by the temperature control unit through a filter and supplies the gas to the exposure unit, wherein the temperature-controlling gas supply unit has a fine opening in the gas blowing surface. A device manufacturing apparatus comprising: a plurality of resistors for adjusting a wind speed distribution of the gas on the blowing surface.
【請求項2】 前記抵抗体の有する微細な開孔の全部ま
たは一部の形状および該開孔の全部または一部の数量を
変えることにより、その開孔率および前記気体の吹き出
し面からの風速分布を任意に設定し制御する制御手段を
備えたことを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造
装置。
2. Changing the shape of all or a part of the fine holes of the resistor and the number of all or a part of the holes to change the hole ratio and the wind speed from the gas blowing surface. The device manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a control unit configured to arbitrarily set and control the distribution.
【請求項3】 前記制御手段は、前記露光部における温
度状態に合わせて前記開孔の全部または一部の形状およ
び該開孔の全部または一部の数量を調整するものである
ことを特徴とする請求項2に記載のデバイス製造装置。
3. The method according to claim 1, wherein the control unit adjusts the shape of all or a part of the opening and the number of all or part of the opening in accordance with a temperature condition in the exposure unit. The device manufacturing apparatus according to claim 2.
【請求項4】 前記制御手段は、前記露光部の稼働状態
に合わせて前記抵抗体の有する微細な開孔の開孔率およ
びその面内風速分布を制御するものであることを特徴と
する請求項2または3に記載のデバイス製造装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein said control means controls an aperture ratio of fine apertures of said resistor and an in-plane wind speed distribution in accordance with an operation state of said exposure unit. Item 4. The device manufacturing apparatus according to item 2 or 3.
【請求項5】 前記制御手段は、前記露光部が有する基
板ステージおよび原版ステージの位置により前記抵抗体
の有する微細な開孔の開孔率を変化させ、その面内風速
分布の調整を行うものであることを特徴とする請求項2
〜4のいずれか1項に記載のデバイス製造装置。
5. The control means changes the porosity of fine holes of the resistor according to the positions of a substrate stage and an original stage of the exposure unit, and adjusts an in-plane wind speed distribution. 3. The method according to claim 2, wherein
The device manufacturing apparatus according to any one of claims 4 to 4.
【請求項6】 前記抵抗体は、エッチング加工により前
記開孔が形成されたものであることを特徴とする請求項
1〜5のいずれか1項に記載のデバイス製造装置。
6. The device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the resistor has the opening formed by etching.
【請求項7】 前記フィルタは、除塵フィルタおよび/
またはケミカルフィルタであることを特徴とする請求項
1〜6のいずれか1項に記載のデバイス製造装置。
7. The filter according to claim 1, wherein the filter is a dust filter and / or a dust filter.
The device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the device manufacturing apparatus is a chemical filter.
【請求項8】 前記露光部は、干渉計を有することを特
徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のデバイス
製造装置。
8. The device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the exposure unit has an interferometer.
【請求項9】 請求項1〜8のいずれか1項に記載のデ
バイス製造装置において、ディスプレイと、ネットワー
クインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実
行するコンピュータとをさらに有し、デバイス製造装置
の保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ
通信することを可能にしたデバイス製造装置。
9. The device manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a display, a network interface, and a computer that executes network software, and stores maintenance information of the device manufacturing apparatus. A device manufacturing apparatus which enables data communication via a computer network.
【請求項10】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記デバイス製造装置が設置された工場の外部ネットワ
ークに接続され前記デバイス製造装置のベンダ若しくは
ユーザが提供する保守データベースにアクセスするため
のユーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供
し、前記外部ネットワークを介して該データベースから
情報を得ることを可能にする請求項9に記載のデバイス
製造装置。
10. The network software,
Provided on the display is a user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the device manufacturing apparatus connected to an external network of a factory where the device manufacturing apparatus is installed, and providing the user interface via the external network. 10. The device manufacturing apparatus according to claim 9, wherein information can be obtained from a database.
【請求項11】 請求項1〜10のいずれか1項に記載
のデバイス製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群
を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用
いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する
工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方
法。
11. A step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the device manufacturing apparatus according to claim 1 in a semiconductor manufacturing factory, and a plurality of processes using the group of manufacturing apparatuses. Manufacturing a semiconductor device by using the method.
【請求項12】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項11に記載
の半導体デバイス製造方法。
12. A step of connecting the manufacturing equipment group via a local area network, and data communication between at least one of the manufacturing equipment group between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant. 12. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11, further comprising:
【請求項13】 前記デバイス製造装置のベンダ若しく
はユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装
置の保守情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは
別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介
してデータ通信して生産管理を行う請求項12に記載の
半導体デバイス製造方法。
13. A method for accessing a database provided by a vendor or a user of the device manufacturing apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or a semiconductor manufacturing apparatus different from the semiconductor manufacturing factory. 13. The semiconductor device manufacturing method according to claim 12, wherein production control is performed by performing data communication with a factory via the external network.
【請求項14】 請求項1〜10のいずれか1項に記載
のデバイス製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群
と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワー
クと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部
ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
ータ通信することを可能にしたことを特徴とする半導体
製造工場。
14. A manufacturing apparatus group for various processes including the device manufacturing apparatus according to claim 1, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and a plant from the local area network. A semiconductor manufacturing plant, comprising: a gateway enabling access to an external external network; and capable of performing data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
【請求項15】 半導体製造工場に設置された請求項1
〜10のいずれか1項に記載のデバイス製造装置の保守
方法であって、前記デバイス製造装置のベンダ若しくは
ユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続さ
れた保守データベースを提供する工程と、前記半導体製
造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守デ
ータベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守デ
ータベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とするデバイス製造装置の保守方法。
15. The semiconductor device according to claim 1, which is installed in a semiconductor manufacturing plant.
11. The method for maintaining a device manufacturing apparatus according to any one of claims 10 to 10, wherein a vendor or a user of the device manufacturing apparatus provides a maintenance database connected to an external network of a semiconductor manufacturing plant; Having a step of permitting access to the maintenance database from within the manufacturing factory via the external network, and a step of transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory via the external network. A method for maintaining a device manufacturing apparatus, comprising:
JP2001197724A 2001-02-26 2001-06-29 Exposure equipment Expired - Fee Related JP4434518B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001197724A JP4434518B2 (en) 2001-02-26 2001-06-29 Exposure equipment

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050712 2001-02-26
JP2001-50712 2001-02-26
JP2001197724A JP4434518B2 (en) 2001-02-26 2001-06-29 Exposure equipment

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002324750A true JP2002324750A (en) 2002-11-08
JP2002324750A5 JP2002324750A5 (en) 2008-09-11
JP4434518B2 JP4434518B2 (en) 2010-03-17

Family

ID=26610113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001197724A Expired - Fee Related JP4434518B2 (en) 2001-02-26 2001-06-29 Exposure equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4434518B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7283199B2 (en) 2004-09-17 2007-10-16 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009257609A (en) * 2008-04-11 2009-11-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Precision temperature-adjustment system
CN113224482A (en) * 2021-05-08 2021-08-06 赵香婷 5G communication ceramic filter
KR20220155189A (en) * 2021-05-14 2022-11-22 캐논 가부시끼가이샤 Substrate processing apparatus and article manufacturing method
WO2024048120A1 (en) * 2022-08-29 2024-03-07 株式会社Sumco Device and method for measuring thickness of workpiece and workpiece polishing system
EP4455791A1 (en) * 2023-04-17 2024-10-30 Canon Kabushiki Kaisha Temperature adjustment apparatus with gas blowing openings with peripheral depressions, lithography apparatus and article manufacturing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7283199B2 (en) 2004-09-17 2007-10-16 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009257609A (en) * 2008-04-11 2009-11-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Precision temperature-adjustment system
CN113224482A (en) * 2021-05-08 2021-08-06 赵香婷 5G communication ceramic filter
KR20220155189A (en) * 2021-05-14 2022-11-22 캐논 가부시끼가이샤 Substrate processing apparatus and article manufacturing method
JP2022175879A (en) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PRODUCT MANUFACTURING METHOD
JP7646449B2 (en) 2021-05-14 2025-03-17 キヤノン株式会社 Substrate processing apparatus and method for manufacturing article
KR102904614B1 (en) 2021-05-14 2025-12-29 캐논 가부시끼가이샤 Substrate processing apparatus and article manufacturing method
WO2024048120A1 (en) * 2022-08-29 2024-03-07 株式会社Sumco Device and method for measuring thickness of workpiece and workpiece polishing system
EP4455791A1 (en) * 2023-04-17 2024-10-30 Canon Kabushiki Kaisha Temperature adjustment apparatus with gas blowing openings with peripheral depressions, lithography apparatus and article manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4434518B2 (en) 2010-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3595756B2 (en) Exposure apparatus, lithography apparatus, load lock apparatus, device manufacturing method, and lithography method
US6642996B2 (en) Exposure apparatus
US20020018190A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002151400A (en) Exposure apparatus, maintenance method thereof, semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing factory using the same
JP2002291219A (en) Electromagnetic actuator, linear motor, exposure apparatus, semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method
US6788392B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, gas substituting apparatus, and gas substituting method
JP2003068600A (en) Exposure apparatus and substrate chuck cooling method
US20010055326A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2003028673A (en) Optical encoder, semiconductor manufacturing apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and semiconductor manufacturing apparatus maintenance method
EP1670040B1 (en) Projection exposure apparatus, projection exposure method, and device manufacturing method
US6819398B2 (en) Exposure apparatus and control method therefor, and semiconductor device manufacturing method
JP2001284210A (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and maintenance method of exposure apparatus
JP4434518B2 (en) Exposure equipment
JP2002118050A (en) Stage device, aligner, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing plant, and maintenance method for the aligner
JP4789352B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US6864953B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing plant and method of maintaining exposure apparatus
US6754303B2 (en) Exposure apparatus and exposing method
US6853871B2 (en) Exposure apparatus
US6778255B2 (en) Exposure apparatus
JPWO2002053267A1 (en) Fan filter unit and manufacturing method thereof, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20020193901A1 (en) Exposure apparatus and method
JP2001284223A (en) Exposure equipment
JP4817545B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2003173964A (en) Exposure equipment
JP3907448B2 (en) Shot layout creation method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080630

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080716

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20090406

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091023

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4434518

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees