JP2002300081A

JP2002300081A - 高周波モジュール

Info

Publication number: JP2002300081A
Application number: JP2001101797A
Authority: JP
Inventors: Takatoshi Saito; 崇利斉藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の誘電体層を備える積層体からなる高周
波モジュールでスイッチとカプラとを一体化する構成に
おいて、積層ずれの影響からモニタレベルがばらつくの
を防止する。【解決手段】最上層の誘電体層１１に、カプラの結合
線路の一端に接続される終端抵抗としてのトリマブル抵
抗器２１を配置し、製造後の検査行程においてモニタレ
ベルを検知しながら、その抵抗値を可変調整することで
モジュール基板の積層ずれに対しても、スイッチ側にお
けるインピーダンスのマッチングが図かれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通過帯域の異なる
複数の送受信系を搭載した高周波モジュールに関するも
のである。

【０００２】

【従来技術】近年、１つの送受信系を採用している通常
の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携
帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯
電話機は１台の携帯電話機内に２つの送受信系を搭載す
るもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択
して送信することができるようにした利便性の高い機器
として期待されているものである。

【０００３】近年の欧州においては、通過帯域の異なる
複数の送受信系としてのＧＳＭ方式／ＤＣＳ方式の双方
を搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が検討され
ている。デュアルバンド方式の携帯電話機では各送受信
系の構成に必要な回路を搭載する必要があるが、それぞ
れ個別の専用部品を用いて回路を構成すれば、機器の大
型化、高コスト化を招来することとなる。そこで、共通
可能な回路部分は可及的に共通にするようにして機器の
小型化、低コスト化を有利に展開することが要請されて
いる。今日、デュアルバンド方式の高周波モジュールに
おいては、高周波スイッチ、カプラを構成する各部品を
プリント配線基板上に実装するタイプに代えて、高周波
スイッチやカプラを一体化してモジュール化し、さらに
モジュールを構成するコンデンサ、ライン等の部品や素
子を、複数の誘電体層を備える積層体内に、例えばそれ
ぞれのセラミック層に適宜内層化して立体的に配置する
ことでモジュールの小型化を図ることが提案されてい
る。

【０００４】図６に、現状での高周波モジュールのブロ
ック図を示す。高周波モジュールは通過帯域の異なる２
つの送受信系を各送受信系１、２に分ける分波回路ＤＩ
Ｐ１と、送受信系１、２においてそれぞれ送信系Ｔｘと
受信系Ｒｘとの切り替えを行うダイオードスイッチ回路
ＳＷ１、ＳＷ２を有するデュアルバンド方式のスイッチ
ＳＷと、送受信系２の送信系Ｔｘ側に設けられ、高調波
成分信号を取り除くローパスフィルタＬＰＦ２と、ダイ
オードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２の送信系Ｔｘ端子側
に設けられ、電力増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２の各出力を
モニタする各々の通過周波数に対応したカプラＣＯＰ
３、ＣＯＰ４とで構成されている。高周波スイッチＳＷ
１、ＳＷ２は、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の携
帯電話機において、それぞれの送受信系に対応する送信
系Ｔｘ１、Ｔｘ２と共通回路である分波回路ＤＩＰ１と
の接続、および受信系Ｒｘ１、Ｒｘ２と共通回路である
分波回路ＤＩＰ１との接続を切り替えるために用いられ
る。また、送信系Ｔｘ１、Ｔｘ２側の各カプラＣＯＰ
３、ＣＯＰ４は、各々の電力増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２
により増幅された送信信号の一部を取り出し、自動利得
制御回路ＡＰＣ１，ＡＰＣ２にフィードバック信号を送
る役割を果たす。

【０００５】ところで、従来の高周波モジュールは例え
ば８層の誘電体層を積層して構成された積層体とされ、
高周波モジュールを構成する高周波スイッチ部やカプラ
部を積層体内で一体化して構成している。例えば高周波
スイッチを構成する一要素としてのダイオードや、フィ
ルタを構成するコンデンサやインダクタなどのチップ部
品、増幅器からの信号が通るカプラを構成する主伝送線
路（主ストリップライン）、副伝送線路（副ストリップ
ライン、結合線路）が夫々の誘電体層に形成され乃至は
搭載されている。ところで、副伝送線路である結合線路
の一端には、抵抗パターンで形成された、通常５０Ωの
終端抵抗が接続されており、これにより高周波スイッチ
ＳＷ１、ＳＷ２側の特性インピーダンスとの整合が図ら
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
モジュールにおいては、多数の誘電体層を積層して構成
していることから、積層ずれが生じると、上下の誘電体
層においてパターンやグランドなどの形成位置関係にず
れが生じる結果、これらのパターン等によって構成され
る各素子の形状等が積層ずれの影響を受けて、例えば積
層体のロット毎にそれらの特性が変わってしまうという
問題があった。かかる問題は誘電体層の製造工程に起因
して発生し得るロット毎の誘電体層の厚みの微妙なばら
つきによっても同様に発生する。このような場合、殊に
カプラの結合線路の一端から取り出されるモニタ信号の
レベル（値）がロット間等でばらつくという問題を招来
する。例えば、カプラを構成する主伝送線路や結合線路
が形成されている誘電体層の厚みが異なると、インダク
タンスやリアクタンスが変わって、モニタ信号の値がそ
れぞれ異なってしまい、モジュール間で同一の自動利得
制御が実現し難いものとなる。

【０００７】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、誘電体層の積層ずれや製造段
階に起因する積層体の状態等に関わらず、モニタの値を
一定化し得る高周波モジュールを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
通過帯域の異なる複数の送受信系から分離された各送受
信系の送信系と受信系とを切り替える高周波スイッチ
と、各送信系における通過周波数での送信信号を増幅す
る増幅器からの出力をモニタするカプラとを、複数の誘
電体層を備える積層体内に一体化した高周波モジュール
において、前記カプラの結合線路の一端に接続される終
端抵抗体を最上位の誘電体層に配置し、その抵抗値を変
更可能に構成したことを特徴とするものである。

【０００９】この構成によれば、通過帯域の異なる複数
の送受信系が各送受信系に分離されるとともに、それぞ
れ送信系と受信系とが高周波スイッチにより切り替えら
れる。終端抵抗体を最上位の誘電体層上に配置し、かつ
可変とすることで、個々の積層体に応じて終端抵抗体の
抵抗値の調整が可能となる。ここに、最上位の誘電体層
とは、文字通り、最上層の誘電体層の他、例えばその１
層分下層であっても上層の誘電体層にキャビティー等が
形成されて当該部分が上方に露出している態様も含み、
かかる構成によって高周波モジュール作製後であっても
調整容易な構造である点で実質同一となる。

【００１０】請求項２記載の発明は、終端抵抗体がトリ
マブル抵抗器なるチップ部品であり、この構成によれ
ば、トリマブル抵抗器を専用治具で調整することで、基
板の積層のばらつきに影響なくモニタの値が一定とな
る。

【００１１】請求項３記載の発明は、終端抵抗体が誘電
体層の表面に形成された電極パターンであり、この構成
によれば、電極パターンがレーザトリミングなどで調整
されることにより、誘電体の積層のばらつきに影響なく
モニタの値が一定となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る高周波モジ
ュールの一実施形態を示す回路図である。本高周波モジ
ュールはＤＣＳ方式（1800MHz帯）の送受信系とＧＳＭ
方式（900MHz帯）の送受信系とから構成され、両者の信
号は分波回路ＤＩＰ１０で回路的に分離されている。ア
ンテナＡＮＴは分波回路ＤＩＰ１０を介してスイッチ回
路ＳＷ１０、ＳＷ２０に接続されている。すなわち、ア
ンテナＡＮＴから受信されたＤＣＳ方式の受信信号は分
波回路ＤＩＰ１０を経てＤＣＳ側の送受信系へ導かれ、
ＧＳＭ方式の受信信号は分波回路ＤＩＰ１０を経てＧＳ
Ｍ側の送受信系に導かれる。

【００１３】ＤＣＳ側の回路構成について説明すると、
スイッチ回路ＳＷ１０は受信回路Ｒｘと送信回路Ｔｘと
を切り替えるものである。送受信の切換は例えば時分割
方式が採用されている。送信回路Ｔｘ側は増幅器ＭＭＩ
Ｃと2段の整合回路ＭＡＴ１０及びＭＡＴ３０で構成さ
れ、２段目の整合回路ＭＡＴ１０はカプラＣＯＰ１０と
直接接続されている。２段の整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡ
Ｔ３０は伝送線路ＳＴＬＤ４とコンデンサＣＤ４、伝送
線路ＳＴＬＤ５とコンデンサＣＤ５からなるローパスフ
ィルタを構成しており、増幅器ＭＭＩＣの出力インピー
ダンス（数Ω程度）とカプラＣＯＰ１０の入力インピー
ダンス（５０Ω近傍）とのインピーダンス整合を行うと
共に、高調波成分の抑制を行っている。

【００１４】カプラＣＯＰ１０は伝送線路ＳＴＬＤ２お
よびコンデンサＣＤ９からなるローパスフィルタを構成
している。また、結合線路ＳＴＬＤ２０を伝送線路ＳＴ
ＬＤ２に近接させて例えば容量結合を形成することによ
り、送信回路Ｔｘ側の増幅器ＭＭＩＣからの出力の一部
を取り出してモニタレベルとしてDCS Monitorに帰還さ
せている。結合線路ＳＴＬＤ２０の一部であるスイッチ
回路ＳＷ１０側には終端抵抗ＲＤ２が接続されている。

【００１５】カプラＣＯＰ１０とスイッチ回路ＳＷ１０
とは直流成分カット用のコンデンサＣＤ７を介して接続
され、コンデンサＣＤ７はＰＩＮダイオードＤＤ１のア
ノードに接続されている。また、ＰＩＮダイオードＤＤ
１のアノードはインダクタＬＤ３およびコンデンサＣＤ
３を介して接地され、インダクタＬＤ３とコンデンサＣ
Ｄ３との接続点は制御抵抗ＲＤ１を介してＤＣＳ側の制
御端子Ｖｃに接続されている。

【００１６】また、ＰＩＮダイオードＤＤ１のカソード
は直流成分カット用のコンデンサＣＤ６を介して分波回
路ＤＩＰ１０のハイパスフィルタＨＰＦ１０に接続され
ると共に、伝送線路ＳＴＬＤ３および直流成分カット用
のコンデンサＣＤ８を介してＤＣＳ側のＲｘ端子に接続
されている。伝送線路ＳＴＬＤ３とコンデンサＣＤ８と
の接続点はＰＩＮダイオードＤＤ２のアノードに接続さ
れ、ＰＩＮダイオードＤＤ２のカソードはコンデンサＣ
Ｄ２およびインダクタＬＤ２からなる並列共振回路を介
して接地されている。コンデンサＣＤ２とインダクタＬ
Ｄ２とで形成される並列共振回路はＤＣＳ側の送信回路
Ｔｘ−受信回路Ｒｘ間の分離を行わせるものである。

【００１７】分波回路ＤＩＰ１０は、例えばハイパスフ
ィルタＨＰＦ１０と、コンデンサＣＤ１およびインダク
タＬＤ１とから形成されている。ハイパスフィルタＨＰ
Ｆ１０は信号ラインに介設されたコンデンサの両端に、
接地との間で２本の平行な伝送線路およびこれらに並列
に接続された各コンデンサとから構成されている。

【００１８】次に、ＧＳＭ側の回路構成について説明す
ると、スイッチ回路ＳＷ２０は受信回路Ｒｘと送信回路
Ｔｘとを切り替えるものである。送受信の切換は例えば
時分割方式が採用されている。送信回路Ｔｘ側は増幅器
ＭＭＩＣと2段の整合回路ＭＡＴ２０及びＭＡＴ４０で
構成され、２段目の整合回路ＭＡＴ２０はカプラＣＯＰ
２０と直接接続されている。２段の整合回路ＭＡＴ２
０、ＭＡＴ４０は伝送線路ＳＴＬＧ４とコンデンサＣＧ
４、伝送線路ＳＴＬＧ５とコンデンサＣＧ５からなるロ
ーパスフィルタを構成しており、増幅器ＭＭＩＣの出力
インピーダンス（数Ω程度）とカプラＣＯＰ２０の入力
インピーダンス（５０Ω近傍）とのインピーダンス整合
を行うと共に、高調波成分の抑制を行っている。

【００１９】カプラＣＯＰ２０は伝送線路ＳＴＬＧ２お
よびコンデンサＣＧ９からなるローパスフィルタを構成
している。また、結合線路ＳＴＬＧ２０を伝送線路ＳＴ
ＬＧ２に近接させて例えば容量結合を形成することによ
り、送信回路Ｔｘ側の増幅器ＭＭＩＣからの出力の一部
を取り出してモニタレベルとしてGSM Monitorに帰還さ
せている。結合線路ＳＴＬＧ２０のスイッチ回路ＳＷ２
０側は終端抵抗ＲＧ２により終端されている。

【００２０】カプラＣＯＰ２０とスイッチ回路ＳＷ２０
とは直流成分カット用のコンデンサＣＧ７を介して接続
され、コンデンサＣＧ７はＰＩＮダイオードＤＧ１のア
ノードに接続されている。また、ＰＩＮダイオードＤＧ
１のアノードはインダクタＬＧ３およびコンデンサＣＧ
３を介して接地され、インダクタＬＧ３とコンデンサＣ
Ｇ３との接続点は制御抵抗ＲＧ１を介してＧＳＭ側の制
御端子Ｖｃに接続されている。

【００２１】また、ＰＩＮダイオードＤＧ１のカソード
は直流成分カット用のコンデンサＣＧ６を介して分波回
路ＤＩＰ１０のローパスフィルタＬＰＦ１０に接続され
ると共に、伝送線路ＳＴＬＧ３および直流成分カット用
のコンデンサＣＧ８を介してＧＳＭ側のＲｘ端子に接続
されている。伝送線路ＳＴＬＧ３とコンデンサＣＧ８と
の接続点はＰＩＮダイオードＤＧ２のアノードに接続さ
れ、ＰＩＮダイオードＤＧ２のカソードはコンデンサＣ
Ｇ２およびインダクタＬＧ２からなる並列共振回路を介
して接地されている。コンデンサＣＧ２とインダクタＬ
Ｇ２とで形成される並列共振回路はＧＳＭ側の送信回路
Ｔｘ−受信回路Ｒｘ間の分離を行わせるものである。

【００２２】分波回路ＤＩＰ１０は、例えばローパスフ
ィルタＬＰＦ１０と、コンデンサＣＧ１およびインダク
タＬＧ１とから形成されている。ローパスフィルタＬＰ
Ｆ１０は信号ラインに介設された伝送線路とコンデンサ
との並列回路、および伝送線路の両端と中央部の３カ所
から接地との間に介設される３個のコンデンサとから構
成されている。

【００２３】本高周波モジュールでは、分波回路ＤＩＰ
１０、スイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０、カプラＣＯＰ
１０、ＣＯＰ２０、整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０の
少なくとも一部がモジュール内に配置されている。本実
施形態では、分波回路ＤＩＰ１０を構成するハイパスフ
ィルタＨＰＦ１０およびローパスフィルタＬＰＦ１０を
構成する伝送線路と、スイッチ回路ＳＷ１０、２０を構
成する伝送線路ＳＴＬＤ３、ＳＴＬＧ３と、カプラＣＯ
Ｐ１０、ＣＯＰ２０を構成する伝送線路ＳＴＬＤ２、Ｓ
ＴＬＧ２および結合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０
と、整合回路ＭＡＴ１０、２０を構成する伝送線路ＳＴ
ＬＤ４、ＳＴＬＧ４とが電極パターンとして誘電体層を
積層してなる積層体内に形成されている。また、分波回
路ＤＩＰ１０、スイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０、カプ
ラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０、整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡ
Ｔ２０のそれぞれの一部を構成する例えばＰＩＮダイオ
ード等のチップ素子が最上位の誘電体層上に実装されて
いる。すなわち、本実施形態においては、図１におい
て、太線で示す素子は誘電体層の内蔵パターンとして形
成されており、丸印で囲った素子は内蔵パターンあるい
は表面実装部品として構成され、それ以外は表面実装部
品として構成されている。

【００２４】図２は、本発明に係る高周波モジュールの
一部切欠斜視図である。図２に示すように、本高周波モ
ジュール１はセラミック等からなる同一寸法形状の８枚
の誘電体層１１、１２、…１８が積層されており、上面
および側面は金属からなるシールドカバー１０で被覆さ
れ、さらに側面適所には必要に応じて形成された所要数
の端面電極が上面から底面に亘るように形成されてい
る。なお、最上層の誘電体層１１の上面の導電パターン
は作図上、一部省略されている。

【００２５】この誘電体層１１〜１８はそれぞれセラミ
ックスをグリーンシートの状態で表面に導電ペースト等
を塗布して上述した各回路を構成するパターンを形成し
た後、所要の圧力と温度の下で熱圧着して焼成されたも
のである。また、各誘電体層には複数の層に亘って回路
を構成乃至は接続するために必要なバイアホールが適宜
形成されている。最上層の誘電体層１１には、種々のパ
ターンの他、終端抵抗ＲＤ２、ＲＧ２に相当するトリマ
ブル抵抗器２１、２２、その他のチップ部品が実装され
ている（なお、作図上、終端抵抗ＲＧ２に相当するトリ
マブル抵抗器２２は見えていない）。

【００２６】図３は、図２に示す高周波モジュール１を
終端抵抗ＲＤ２、ＲＧ２を含む面で縦断した概略縦断面
図である。図３において、縦方向の太線はバイアホール
であり、横方向の太線は誘電体層上に形成されたパター
ンを示している。誘電体層１１の上面に示す四角物はダ
イオード、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品が実
装された状態を概略的に示したものである。カプラＣＯ
Ｐ１０、ＣＯＰ２０を構成する伝送線路ＳＴＬＤ２、Ｓ
ＴＬＧ２および結合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０は
５層目の上面（あるいは４層目の下面でもよい）に形成
されており、本実施形態では両方の線路の縁でカップリ
ングする場合を示している。終端抵抗ＲＤ２、ＲＧ２は
それぞれ結合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０から誘電
体層１１の上面に亘るバイアホールを経てそれぞれの結
合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０の終端であってスイ
ッチ回路ＳＷ１０、２０側の端部と接続されている。終
端抵抗ＲＤ２、ＲＧ２としては抵抗値が専用治具などで
調整操作可能な構造を有するトリマブル抵抗器２１、２
２が用いられており、これによりDCS Monitorや GSM Mo
nitor端子でのモニタ信号の値を変更調整し得るように
している。トリマブル抵抗器２１、２２は誘電体層１１
の対向する角部近傍に配置されており、これにより異な
る周波数による混信等の影響を可及的に抑制するように
している。

【００２７】トリマブル抵抗器２１、２２の抵抗値の調
整は各誘電体層を積層して作製し、チップ部品を実装し
て高周波モジュールを構成した後の検査工程において行
われる。従って、トリマブル抵抗器２１、２２は最上層
の誘電体層１１に実装されていることが容易な調整を実
現する上で好ましい。検査の工程では、所定レベルのテ
スト用送信信号をそれぞれの増幅器ＭＭＩＣから入力
し、このときのカプラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０からのモ
ニタ信号の値（レベル）を検知しながら、この値が所定
値になるように専用治具でトリマブル抵抗器２１、２２
の抵抗値を可変操作して行う。トリマブル抵抗器として
は０Ω〜５０Ωより多少大きな値の範囲で調整可能な抵
抗器が採用される。

【００２８】図４は、図２の他の実施形態を示す一部切
欠斜視図で、終端抵抗ＲＤ２、ＲＧ２をトリマブル抵抗
器２１、２２に代えて、所定の抵抗値を示す導電パター
ンであって所定形状、例えばＨ形状の電極パターン１２
１、１２２で形成したものである（なお、作図上、終端
抵抗ＲＧ２に相当する電極パターン１２２は見えていな
い）。図５は、図４に示す他の実施形態における終端抵
抗ＲＤ２、ＲＧ２を含む面で縦断した概略縦断面図であ
る。電極パターン１２１、１２２の抵抗値の調整は誘電
体からなる各層の基板を積層して作製し、チップ部品を
実装して高周波モジュールを構成した後の検査工程にお
いて行われる。検査の工程では、所定レベルのテスト用
送信信号をそれぞれの増幅器ＭＭＩＣから入力し、この
ときのカプラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０からのモニタ信号
の値（レベル）を検知しながら、この値が所定値になる
ようにレーザトリミングにより、電極パターン１２１、
１２２のうち両側の電極部（ランド）を結ぶ線状部１２
１ａ（図４参照）のパターンを切削していくことで抵抗
値を増大して調整すればよい。従って、終端抵抗ＲＤ
２、ＲＧ２としての電極パターン１２１、１２２は５０
Ωより多少小さな抵抗値を有するものとして形成されて
いることが好ましい。所定の抵抗値を示す導電パターン
の材料としては、積層体の作製時に導電パターンと同時
に焼成できる銀や銅が採用可能である。なお、図２、図
４に示すように誘電体層板１１（あるいは更にその下層
の誘電体層を含めてもよい）の適所にキャビティーが形
成されているような態様では、上面に露出する誘電体層
の上面に終端抵抗体ＲＤ２、ＲＧ２を露出させて設けて
もよく、このような構成でも同様に調整操作は容易であ
る。

【００２９】このように、カプラ単独の回路であれば、
終端抵抗の値は５０Ωに設定可能であるが、カプラから
送信側を見たときのインピーダンスはスイッチＳＷの接
続や、また以下の理由によって、必ずしも５０Ωで整合
が取れるわけではない。例えば、複数の誘電体層間に積
層ずれが生じると、異なる層の複数のパターンによって
ある回路が構成されているものでは導電パターンの配置
関係にずれが生じることになり、また、積層体の製造過
程においては、特にロット毎に誘電体層の熱圧着作業に
よる厚みばらつき、導電パターンのための導電ペースト
の材料配合比の微小な差に伴うパターン形状のばらつき
等が生じ易く、かかる場合には終端抵抗の値をこれらの
変動要素を加味して調整することが必要となる。また、
同一条件で作製されたモジュール基板のうち、１つにつ
きトリマブル抵抗器２１、２２の抵抗値を調整し、また
電極パターン１２１、１２２のトリミング形状を決定す
ると、同じ類のモジュール基板で作製された高周波モジ
ュールに対しては、かかる代表のモジュール基板での調
整結果をそのまま適用できるので、その分、その後の調
整作業が容易となり、かつ厚みが所期寸法に対してずれ
ていて、最良品に仕分けられない基板であっても、かか
る終端抵抗を調整することで適正な基板として利用でき
るという利点がある。

【００３０】なお、上記の各実施形態においては、ライ
ンの縁でカップリングする場合を示したが、誘電体層内
において、主伝送線路ＳＴＬＤ２、ＳＴＬＧ２を上層の
誘電体層に、結合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０を１
段又は所要段だけ下層の誘電体層に配置し、あるいは逆
に主伝送線路ＳＴＬＤ２、ＳＴＬＧ２を下層の誘電体層
に、結合線路ＳＴＬＤ２０、ＳＴＬＧ２０を１段又は所
要段だけ上層の誘電体層に配置してカップリングしても
同様であることはいうまでもない。また、電極パターン
１２１、１２２のトリミング加工はレーザに限らず、他
の切削手段例えばウエハソーなどで行ってもよい。

【００３１】以上のような、複数の誘電体層を備える積
層体からなり、該積層体の中あるいは表面に高周波スイ
ッチとカプラを形成する高周波モジュールにおいて、誘
電体層の積層ずれによりモニタの値が個々の製品ごと、
モジュール基板のロット毎にばらついてモニタの値がば
らついた場合でも、終端抵抗として、トリマブル抵抗器
２１、２２あるいは基板表面に調整可能な電極パターン
１２１、１２２を設けることで調整できるため、モニタ
の値を常に一定に保つことができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、複数の誘電体層を備え
る積層体内にて、高周波スイッチとカプラを一体化した
高周波モジュールにおいて、カプラの終端抵抗体を最上
位の誘電体層に変更可能に配置したので、積層ずれの影
響でモニタの値がばらつく場合でも、抵抗値を容易に可
変調整でき、モニタの値を一定に保つことができる。

【００３３】また、終端抵抗体としてトリマブル抵抗器
や電極パターンを設けたので、抵抗値を容易に可変調整
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を
示す回路図である。

【図２】本発明に係る高周波モジュールの一部切欠斜視
図である。

【図３】図２に示す高周波モジュールを終端抵抗を含む
面で縦断した概略縦断面図である。

【図４】図２の他の実施形態を示す一部切欠斜視図であ
る。

【図５】図４に示す他の実施形態における終端抵抗を含
む面で縦断した概略縦断面図である。

【図６】現状の高周波モジュールを示すブロック図であ
る。

【符号の説明】

１高周波モジュールＤＩＰ１０分波回路ＳＷ１０，２０スイッチ回路ＣＯＰ１，ＣＯＰ２カプラＭＡＴ１０，２０，３０，４０整合回路ＭＭＩＣ増幅器ＳＴＬＤ２，ＳＴＬＧ２伝送線路ＳＴＬＤ２０，ＳＴＬＧ２０結合線路ＲＤ２，ＲＧ２終端抵抗（終端抵抗体）２１、２２トリマブル抵抗器（終端抵抗体）１２１，１２２電極パターン（終端抵抗体）１１〜１８誘電体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】通過帯域の異なる複数の送受信系から分
離された各送受信系の送信系と受信系とを切り替える高
周波スイッチと、各送信系における通過周波数での送信
信号を増幅する増幅器からの出力をモニタするカプラと
を、複数の誘電体層を備える積層体内に一体化した高周
波モジュールにおいて、前記カプラの結合線路の一端に
接続される終端抵抗体を最上位の誘電体層に配置し、そ
の抵抗値を変更可能に構成したことを特徴とする高周波
モジュール。
【請求項２】終端抵抗体は、トリマブル抵抗器である
ことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】終端抵抗体は、前記誘電体層の表面に形
成された電極パターンであることを特徴とする請求項１
記載の高周波モジュール。