JP2002368367A

JP2002368367A - プリント配線板材料

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Publication number: JP2002368367A
Application number: JP2001173354A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Miyashita; 下武博宮
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2002-12-20
Anticipated expiration: 2021-06-08
Also published as: JP4463442B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ポリマー基材上に形成した、厚さ１μｍ以下
の金属薄膜の酸化を防止することで、歩留まりの低下を
防止し、優れた生産性でプリント配線板を製造可能とす
るプリント配線板材料を提供する。【解決手段】ポリマー基材１００の少なくとも片面に
第一の金属層１０２を有し、第一の金属層の表面に、第
一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物から
なる酸化防止層１０４を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板材料、特
に電子部品や半導体（ＬＳＩ、ＩＣ）の実装やパッケー
ジ材料、あるいは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、半導
体や半導体パッケージの検査基板に用いる配線間ピッチ
が１００μｍ以下であるプリント配線板に用いることが
できる材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板の用途の拡大はとどまる
ことを知らず、従来の単なる電子部品の接続用配線とそ
れらの支持体としての機能のみではなく、ＩＣをマザー
ボードに実装するためのＣＳＰ（Chip Size Package）
やＢＧＡ（Ball Grid Array）等の半導体パッケージ用
途としてＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途
に用いられるようになり、配線ルールの微細化が進行し
ている。とりわけ、フレキシブル配線板材料では、新た
な用途としてＬＣＤや半導体の検査用プローブに使用さ
れるに至り、配線ピッチ５０μｍ以下が実用的に用いら
れ、さらには、配線ピッチ３０μｍ以下の配線加工につ
いても実用化検討が進められている。

【０００３】従来、フレキシブルプリント配線板用途と
しては銅箔上にポリイミド前駆体を塗工した後にイミド
化を行うことにより作製されるいわゆるキャスト材やポ
リイミド基材にエポキシ系の接着剤を介して銅箔を貼り
付けた材料が広く用いられてきた。しかしながら、キャ
スト材等では銅箔の最小厚みが１２μｍと厚いため、配
線ピッチが５０μｍピッチ以下の微細可能パターンの加
工には困難が生ずるという問題が発生してきた。銅箔９
μｍのキャスト材も開発されているが、いまだ基材のハ
ンドリング面なども含めて実用化に至っていない。

【０００４】このような背景から、従来、価格上の制約
や耐熱性の面から敬遠されてきた、スパッタ法等により
ポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成、あるい
は銅薄膜に電解銅メッキを施すことにより１０μｍ以下
の銅厚に加工した、いわゆる、スパッタ材が注目を集め
ている。とりわけ、スパッタ法等によりポリイミド基材
上に１μｍ以下の銅薄膜を形成したものは、セミアディ
ティブ工法により微細配線加工が可能な材料として注目
を集めている。すなわち、例えば、銅薄膜上にドライフ
ィルムレジストや液状パターンレジストを積層した後に
露光、現像し、パターンレジストを形成し、さらに、銅
薄膜を給電層として用いてニッケルや銅などの金属を電
解メッキし、その後レジストを剥離した後にソフトエッ
チングを行い銅薄膜を除去することにより、電気回路パ
ターンや部品を作製する方法に用いる材料として、注目
を集めている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、基板上に１
μｍ以下の銅薄膜を形成したのみの材料では、防錆処理
を行うことが困難であり、銅薄膜上に発生する錆び、す
なわち銅が酸化することによりしばしば歩留まりの低下
が発生することが新たな問題として発生してきた。

【０００６】例えば、銅が酸化すると、銅薄膜上へのパ
ターンレジスト（フォトレジスト）の密着性が低下し、
パターンめっき工程（めっきによる回路形成工程）で銅
めっきがパターンレジストの下部にも施されてしまうこ
とでショートが発生しやすくなる。また、仮にパターン
レジストが酸化した銅に密着した場合においても、酸化
物により生じた凹凸によりガラスマスクや露光フィルム
（回路パターン焼付け用のパターンマスク）がわずかに
浮いてしまい、その結果マスクでの遮光部にも光が回り
込みショートを発生させやすくなる。またあるいは、露
光工程後の現像工程やパターンめっき工程での薬液処理
で酸化銅が溶解してしまうことでパターンレジストが銅
薄膜から剥離し、その結果パターンめっき工程でショー
トが発生しやすくなるとの問題がある。

【０００７】このような銅が酸化することによる問題に
対しては、特に、銅厚が厚いものについては防錆処理を
施すことで解決を図ることが可能である。すなわち、９
μｍ以上の厚さの銅箔を用いるキャスト品や、スパッタ
法などにより１μｍ以下の銅薄膜を形成した後に電解銅
めっきを施して銅の厚みを例えば３μｍ以上に厚膜化し
たスパッタ品等のような、銅の厚みが比較的厚いプリン
ト配線板材料では、銅の表面をベンゾトリアゾールで代
表されるような有機系の薬品や不動態化皮膜を作り易い
金属で被覆するなどの防錆処理を行い、パターンレジス
トを銅箔の上に積層する直前に過硫酸アンモニウム等の
いわゆるソフトエッチング液により表面処理された銅表
面を、例えば、３μｍ以下の厚さでエッチングし、酸化
銅や防錆処理剤を除去すると共に銅の表面を粗化処理し
てパターンレジストの密着性を向上させることができ
る。

【０００８】しかしながら、１μｍ以下の銅薄膜を形成
したのみの材料にこれらの防錆処理を適用した場合に
は、銅箔のエッチング厚の制御が非常に困難となり、残
存する銅箔の厚さのバラツキが大きくなることで、表面
抵抗にバラツキが生じ、パターンメッキ時のメッキ厚の
バラツキを生じることにより歩留まりが低下したり、最
悪の場合には銅薄膜が完全に除去されたりすることがあ
る。

【０００９】このように、１μｍ以下の銅薄膜を基材表
面に形成したのみのプリント配線板材料では、銅箔表面
に防錆処理を施し銅の酸化を防止することが困難であ
り、セミアディティブ工法での微細配線パターンや微細
な部品を作製する際の歩留まり向上の大きな障害となっ
ている。本発明は、ポリマー基材上に形成した金属薄膜
の厚さが１μｍ以下であっても、当該金属薄膜の酸化
を、歩留まりの低下を招くことなく防止し、優れた生産
性でプリント配線板を製造可能とするプリント配線板材
料を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線板
材料は、ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層
を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層より
も卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる酸化
防止層を有することを特徴とする。前記酸化防止層の厚
さは０．１〜５ｎｍであることが好ましく、前記第一の
金属層は銅あるいは銅を主体とする金属であることが好
ましく、前記酸化防止層は、錫、インジウム、および亜
鉛よりなる群から選ばれる１つ以上の金属あるいはそれ
らの金属の酸化物からなることが好ましく、前記第一の
金属層の厚さは５０ｎｍ〜１μｍであることが好まし
く、前記ポリマー基材はポリイミドであることが好まし
い。

【００１１】このようにすることで、第一の金属層を有
効に酸化から防止するだけでなく、前記プリント配線板
材料によりプリント配線板を作成する際のエッチング工
程において、酸化防止層を容易にエッチングすることが
できるため、プリント配線板の生産性を低下させること
がない。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を詳細に
説明する。本発明に係るプリント配線板材料は、ポリマ
ー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一
の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属ある
いはそれらの酸化物からなる酸化防止層を有する。

【００１３】図１は、ポリマー基材の一方の面、すなわ
ちポリマー基材１００の表面に第一の金属層１０２が形
成され、さらに第一の金属層１０２の上に酸化防止層１
０４が形成された例を示す断面図である。図２は、ポリ
マー基材の両方の面、すなわちポリマー基材１００の上
下面それぞれに第一の金属層１０２が形成され、それぞ
れの第一の金属層１０２の表面に酸化防止層１０４が形
成された例を示す断面図である。

【００１４】ポリマー基材前記ポリマー基材の材料としては特に限定されるもので
はなく、プリント配線板やフレキシブルプリント配線板
として用いることが可能なものならば好適に用いること
ができる。例えば、ポリイミド、あるいは充填材入りの
ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、
ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミ
ド等を用いることができる。

【００１５】これらの中でも特に好ましくは、本プリン
ト配線材料の加工中あるいは加工後の使用環境において
は、耐熱性が要求項目の一つであることが多いという観
点からポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミドで
ある。具体的商品名としては例えば、「カプトンスーパ
ーＶ」、「カプトンＶ」、「カプトンＥ」、「カプトン
ＥＮ」、「カプトンＨ」、（以上、東レデュポン株式会
社製）、「ユーピレックスＳ」、「ユーピレックスＳＧ
Ａ」（以上、宇部興産株式会社製）、「アピカルＡ
Ｈ」、「アピカルＮＰＩ」、「アピカルＨＰ」（以上、
鐘淵化学工業株式会社製）等が挙げられ、市場において
容易に入手可能であり本発明に好適に利用可能である。

【００１６】さらに、酸無水物とアミンとを直接、イミ
ド化して形成されるポリイミドも効果的に用いることが
できる。このような酸無水物としては、例えば、ピロメ
リット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイ
ドロフランジフタル酸無水物等が挙げられる。

【００１７】一方、アミンとしては、例えば、メトキシ
ジアミノベンゼン、４，４’ーオキシジアニリン、３，
４’オキシジアニリン、３，３’オキシジアニリン、ビ
スジアニリノメタン、３，３’ージアミノゼンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミ
ノフェノキシベンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベン
ゼン、ｍ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、クロル−ｍ
−アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェ
ノキシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼ
ン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェ
ノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジス
ルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジスルフォン、
ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスア
ミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノ
キシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノ
フェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビス
アミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ
−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスア
ミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェ
ノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベン
ジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチ
オエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジ
ケトンジアミン等が挙げられる。

【００１８】このようなポリマー基材の厚みは特に限定
するものではなく、プリント配線版の使用目的に応じて
適宜選択可能である。例えば、フレキシブルプリント配
線版用途に用いることの多いポリイミドフィルム基材で
は、１２．５〜１５０μｍの厚みのものが好ましく、さ
らには１２．５〜１００μｍのものが好ましく、特には
１２．５〜７５μｍの厚みのものが好ましく、市場にお
いて容易に入手可能である。

【００１９】第一の金属層前記第一の金属層とは、５０ｎｍから１μｍの厚さの単
体の金属あるいは合金の膜である。第一の金属層に用い
る金属の種類は特に限定されるものではないが、当該金
属膜には、プリント配線板の配線やアディティブ工法に
おける電解メッキ時の給電層（導電体層）として用いら
れるので導電性に優れること、塩化第二銅、塩化第二鉄
等の酸性のエッチング液、アンモニア系等のアルカリ性
のエッチング液、あるいはその他のエッチング液や過硫
酸アンモニウムなどのソフトエッチング液に容易に溶解
可能であること等が求められる。

【００２０】このような金属としては例えば、銅、アル
ミニウム、モリブデン、コバルト、ニッケル等の単体の
金属およびこれらを少なくとも１種類以上を含む合金が
好ましい。なかでも、銅や銅を主体とする金属は導電性
に優れると共に展延性に富むため、特に好ましい金属で
ある。ここで、本発明において、銅を主体とする金属と
は、銅を５０重量％以上含有する金属のことであり、す
なわち、銅合金または銅である。

【００２１】第一の金属層の形成方法は特に限定される
ものではなく、湿式プロセスである無電解メッキ法、電
解メッキ法、乾式プロセスである蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタ法、化学気相輸送法（ＣＶＤ法）
など、また、これらの組み合わせなどを適宜選択して使
用できる。これらの中でも第一の金属層とポリマー基材
との接着性や成膜の容易性を考慮すると、スパッタリン
グ法が好ましい。また、スパッタリング法にも、ＤＣス
パッタ、ＲＦスパッタ、ＤＣマグネトロンスパッタ、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタ、ＥＣＲスパッタ、レーザービ
ームスパッタ等各種の手法が有るが、特に限定されるも
のではなく必要に応じて適宜用いることができる。とり
わけ、ＤＣマグネトロンスパッタ法は、低コストであ
り、かつ第一の金属層を容易に形成できるため好まし
い。

【００２２】この場合、マグネトロンスパッタによる第
一の金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガス
として、圧力は１０^-2〜１Ｐａ、好ましくは７×１０^-2
〜７×１０^-1Ｐａ、さらに好ましくは１０^-1〜４×１０
^-1Ｐａであり、スパッタ電力密度は、１〜１００Ｗｃｍ
^-2、好ましくは１〜５０Ｗｃｍ^-2、さらに好ましくは１
〜２０Ｗｃｍ^-2である。

【００２３】スパッタに用いるターゲットとしては、純
度９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上の銅あ
るいは銅を主体とする金属を用いることができる。純度
９９．９９９％以上のターゲットを用いることは、コス
トの著しい増加を招くので好ましいことではない。マグ
ネトロンスパッタにより第一の金属層を成膜する際の膜
厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜
時間の管理により行うことができる。

【００２４】このような方法により形成した第一の金属
層の厚さは、５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以
上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。第一の金
属層は、アディティブ工法で微細パターンを形成すると
きの、電解メッキを行うための給電層や無電解メッキ時
の下地層として用いるので、このような範囲内であれば
電気伝導性を確保することやピンホールを発生すること
がない。

【００２５】また、第一の金属層に用いる金属の純度
は、単体の金属で第一の金属層を形成する場合は第一の
金属層全体に対する単体の金属が占める割合として、合
金で第一の金属層を形成する場合は第一の金属層全体に
対する合金が占める割合として９９．９％以上、好まし
くは９９．９９％以上であり、この範囲であれば充分に
電気伝導性を確保することができる。

【００２６】一方で、プリント配線板上に微細パターン
を形成するためには、第一の金属層はある程度薄いこと
が必要であり、また、好ましく用いられるスパッタ法に
より第一の金属層を形成する場合のコスト上の制約も考
慮すると、第一の金属層の厚さは１μｍ以下、好ましく
は５００ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、ポリ
マー基材と第一の金属層の接着強度や耐熱性を向上させ
る目的で、ポリマー基材と第一の金属層の間に接着層を
設けることや、ポリマー基材表面をプラズマや紫外線に
曝したりアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面改質
したりすることや、シランカップリング材や別種のポリ
マーを用いてポリマー基材表面を修飾すること等の公知
の技術を用いることが好ましい。

【００２７】上記接着層として使用できる物質として
は、具体的には例えば、チタン、バナジウム、コバル
ト、ニッケル、亜鉛、タングステン、モリブデン、ジル
コニウム、タンタル、錫、インジウム等の金属、あるい
はこれらの群から選ばれる一つ以上の金属を含む合金、
モネル、ニクロム、インコネル等の耐熱性の合金が挙げ
られる。さらには、前記金属の酸化物、窒化物、炭化
物、燐化合物、さらにはインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）、ジンククロメート等の前記金属の複合酸化物等も
上記接着層として用いることができる。

【００２８】このような接着層の厚さは５〜５０ｎｍ、
好ましくは５〜２０ｎｍであることが望ましく、この範
囲であれば、ポリマー基材と第一の金属層との接着強度
や耐熱性を改善させる効果がある。酸化防止層前記酸化防止層に用いる金属あるいはそれらの酸化物に
用いる金属は、第一の金属層よりも卑な金属である。こ
こである金属に対して卑な金属とは、水溶液系における
標準電極電位がより低い金属のことである。

【００２９】例えば、本発明において、第一の金属層に
用いる金属が、好ましくは銅や銅を主体とする金属であ
ることを考慮すると、インジウム、錫、亜鉛やこれらの
酸化物はエッチング工程において容易に溶解させること
ができる金属であるとともに第一の金属層の酸化防止効
果も高く、好ましい物質である。これらの金属を用いる
と、一種の電気化学的作用により第一の金属層の酸化を
防止できると考えられる。

【００３０】このような酸化防止層の成膜方法は特に限
定されるものではなく、成膜される物質の特性に基づき
適宜選択可能である。例えば無電解めっき等の湿式法
や、蒸着法やイオンプレーティング法、イオンクラスタ
ービーム法、スパッタリング法等の乾式法が挙げられ
る。これらの中でも、インジウム、錫、亜鉛等の低融点
の金属を酸化防止層として用いる場合には、金属を加熱
融解して発生する金属蒸気を用いる蒸着法が好ましい。
また、インジウム、錫、亜鉛などの金属の酸化物を用い
る場合には、酸化物を容易に成膜可能なスパッタ法が好
ましく、スパッタ法の中でもＤＣマグネトロンスパッタ
法が最も効率良く低コストで成膜可能であるため好まし
い。酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯは導電性の物質で
あり、また、酸化亜鉛は酸化アルミニウムや酸化珪素を
数重量％添加することにより高い導電性を示す物質であ
り、ＤＣマグネトロンスパッタにより容易に成膜可能な
物質である。また、これらの酸化物は市場において容易
に入手可能でもある。

【００３１】このような酸化防止層の厚さは０．１〜５
ｎｍ、好ましくは０．５〜２ｎｍであり、この範囲であ
れば、第一の金属層の酸化防止効果がある。なお、この
ような薄い膜厚では金属や金属酸化物は完全に層状に成
膜されないことが考えられ、すなわち島状（海島構造）
にとなることが考えられるが、本発明の効果を何ら妨げ
るものではない。このように島状に成長するなど完全に
層状に金属あるいは金属酸化物が形成されない場合に
は、成膜速度から予想される換算膜厚や水晶振動子式膜
厚計などで測定される成膜された物質の重量と密度から
計算される膜厚が上記範囲内であればよい。

【００３２】なお、ポリマー基材への第一の金属層およ
び酸化防止層の形成は、プリント配線基板の用途によ
り、図１に示したようにポリマー基材の片面でもよい
し、図２に示したようにポリマー基材の両面でもよい。
ポリマー基材の両面に金属層を形成する場合、片面ずつ
第一の金属層および酸化防止層を形成してもよく、ある
いは両面に第一の金属層を形成した後に酸化防止層をそ
れぞれの第一の金属層の上に成膜してもよい。各金属層
の成膜順番は、各層に用いる材料の特性に適した手法に
よる成膜装置、例えば、蒸着装置、イオンプレーティン
グ装置、スパッタ装置、また、各装置の構成、例えば、
両面を同時に成膜可能なスパッタ装置、蒸着装置あるい
はイオンプレーティング装置であるか、スパッタと蒸着
をロールツーロール式で連続に実施可能である装置か、
第一の金属層はスパッタ装置、酸化防止層は蒸着装置
等、２台の装置を用いて、本発明のプリント配線材料を
作製するのか、等を適宜勘案して、最も効率的に本発明
に記載のプリント配線板材料を製造可能なように適宜選
択することができる。

【００３３】このような配線板材料を用いてプリント配
線板を作成することにより、配線間ピッチが１００μｍ
以下、好ましくは５０μｍ以下というファインパターン
加工で、第一の金属層の厚さが１μｍ以下であっても、
歩留まりの低下を招くことなく第一の金属層の酸化を防
止し、生産性を向上させることができる。

【００３４】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものでは
ない。

【００３５】

【実施例１】ポリマー基材として５０μｍ厚のポリイミ
ドフィルム、「アピカルＮＰＩ」（鐘淵化学工業株式会
社製）を用い、これを８ｃｍ四方に切り出し、スパッタ
装置の基板ホルダーに設置し、１０^-3Ｐａ以下の圧力ま
で真空引きを行った。酸素流量１００ＳＣＣＭ、圧力
１．３Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗ、処理時間３分の条件で
ポリイミドフィルムのプラズマ処理を行った。

【００３６】ついで、銅ターゲット（純度９９．９９
％）を用いて、アルゴン流量４０ＳＣＣＭ、圧力０．２
６Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１５分成膜を行い第一の
金属層である銅を２５０ｎｍの厚さに成膜した。さら
に、スパッタ装置から試料を取り出し電子ビーム加熱式
の蒸着装置内に設置し、１０^-3Ｐａ以下の圧力をまで真
空引きを行った後、蒸着源に亜鉛を用いて酸化防止層と
して亜鉛を１ｎｍの厚さで銅の上に成膜した。なお、亜
鉛の膜厚は、水晶振動子式の膜厚計に連動して開閉可能
なシャッターにより制御した。

【００３７】このようにして作製された試料を温度２５
℃、湿度５０％のクラス１００００のクリーンルーム中
に３０日間放置し、目視にて外観検査を行った。評価
は、銅の酸化を示す変色部位の発生の有無により行った
が、本試料には変色部位は特に発生しなかった。

【００３８】

【実施例２】酸化防止層としてインジウムを１ｎｍの厚
さで形成したこと以外は実施例１と同様にして試料を作
製し評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生し
なかった。

【００３９】

【実施例３】酸化防止層として錫を１ｎｍの厚さで形成
したこと以外は実施例１と同様にして試料を作成し評価
を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった

【００４０】

【実施例４】実施例１で酸化防止層として蒸着法により
亜鉛を形成した代わりに、スパッタリング法により酸化
亜鉛を１ｎｍの厚さで形成し試料を作成した。すなわ
ち、酸化亜鉛ターゲット（酸化アルミニウム３重量％添
加）を用いて、アルゴン流量４０ＳＣＣＭ、圧力０．２
６Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１０秒成膜を行い酸化防
止層である酸化亜鉛を１ｎｍの厚さで成膜した。

【００４１】得られた試料を実施例１と同様にして評価
したところ、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかっ
た。

【００４２】

【実施例５】スパッタリングターゲットとして酸化イン
ジウムを用いて、酸化防止層として酸化インジウムを１
ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例４と同様にして
試料を作製し、実施例１と同様に評価を行ったが、銅の
酸化を示す変色部位は発生しなかった。

【００４３】

【実施例６】スパッタリングターゲットとして酸化錫を
用いて、酸化防止層として酸化錫を１ｎｍの厚さで形成
したこと以外は実施例４と同様にして試料を作製し、実
施例１と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部
位は発生しなかった。

【００４４】

【実施例７】スパッタリングターゲットとしてＩＴＯ
（酸化錫２０重量％）を用いて、酸化防止層としてＩＴ
Ｏを１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例４と同様
にして試料を作製し、実施例１と同様に評価を行った
が、銅の酸化を示す変色は認められなかった。

【００４５】

【比較例１】酸化防止層を銅の上に形成しなかったこと
以外は実施例１と同様にして試料を作製し評価を行った
ところ、銅の酸化を示す変色部位が発生した。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも、ポリマー
基材の片面に第一の金属層を形成した後に第一の金属よ
りも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止
層を０．１ｎｍから５ｎｍの厚みに形成することで、第
一の金属層の酸化を防止することが可能となり、第一の
金属層上に形成するパターンレジストの密着性の低下を
防止できる。また、第一の金属層の厚さが１μｍ以下で
あっても、パターンメッキ時のメッキ厚のバラツキを防
止することができ、優れた生産性でプリント配線板を生
産することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明のプリント配線板材料の一例を
示す断面図である。

【図２】図２は、本発明のプリント配線板材料の一例を
示す断面図である。

【符号の説明】

１００ポリマー基材１０２第一の金属層１０４酸化防止層

フロントページの続きＦターム(参考） 4E351 AA02 BB01 BB32 BB33 BB35 CC03 CC06 DD04 DD12 DD35 GG13 5E343 AA02 AA16 AA18 AA33 BB16 BB24 BB34 BB52 BB57 BB59 BB71 DD22 DD25 DD32 GG08 GG11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金
属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層
よりも卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる
酸化防止層を有することを特徴とするプリント配線板材
料。
【請求項２】前記酸化防止層の厚さが０．１〜５ｎｍで
あることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板
材料。
【請求項３】前記第一の金属層が銅あるいは銅を主体と
する金属であることを特徴とする請求項１または２に記
載のプリント配線板材料。
【請求項４】前記酸化防止層が、錫、インジウム、およ
び亜鉛よりなる群から選ばれる１つ以上の金属あるいは
それらの金属の酸化物からなることを特徴とする請求項
１から３のいずれかに記載のプリント配線板材料。
【請求項５】前記第一の金属層の厚さが５０ｎｍ〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに
記載のプリント配線板材料。
【請求項６】前記ポリマー基材がポリイミドであること
を特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のプリン
ト配線板材料。