JP2002365785A - マスク製造システム、マスク製造方法、及び、それを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 最適な膜応力でブランクを作製し、短時間、
低コストで、高精度なマスク及び半導体装置を製造する
ことを可能にする。 【解決手段】 マスク描画データに基づいて、等価パタ
ーンを用いて膜の応力によるマスクの変形状態を事前に
評価して、最適な膜応力を求める等価パターン計算手段
と、等価パターン計算手段において得られた最適な膜応
力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作
製手段と、等価パターン計算手段において予測されたブ
ランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を
行いながら、ブランク上に原画パターンを描画する描画
手段と、描画手段において描画された原画パターンを用
いてエッチングを行い、マスク上にパターンを形成する
エッチング手段と、エッチング手段によるパターン形成
後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査手段とを備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マスク製造シス
テムに関し、特に、半導体集積回路を製造する転写（写
真製版）技術のプロセスで用いるマスクの製造システ
ム、マスクの製造方法、及び、それを用いた半導体製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の性能を向上させるため
に転写技術に用いられる光の波長を短くすることが必要
である。波長２４８ｎｍを用いたＫｒＦエキシマレー
ザ、１５７ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、１５７ｎｍの
Ｆ２エキシマレーザ、１２６ｎｍのＡｒ２エキシマレー
ザ、さらに１３ｎｍの極端紫外線（ＥＵＶ）を用いた転
写技術が検討されている。この他、メンブレンの基板を
マスクとして用いる電子ビームプロジェクション転写
（ＥＰＬ）技術が検討されている。転写技術に用いられ
るマスクも性能向上が要求されている。

【０００３】従来、マスクの吸収体となる膜の応力には
あまり注意が払われていなかった。しかしながら、半導
体の微細化が進むに従って、膜応力によるマスクパター
ンの位置ずれが、転写精度に影響を与える領域に接近し
てきた。生産現場に供給されるマスクのフラットネス
（平坦化）も３００ｎｍから５００ｎｍの要求が求めら
れている。そのため、マスクパターンの膜応力の制御が
今後の重要な技術課題となりつつある。

【０００４】図１（ｂ）は、従来のマスク製造システム
の主幹をなすプロセスの概略を示している。図１（ｂ）
においては省略されているが、実際にはマスク洗浄、欠
陥検査、欠陥修正、レジスト除去などの各種重要プロセ
スが挿入されている。マスクの製造は、図１（ｂ）に示
すように、まず、ステップＳ１０１のブランク作製から
始まる。ここで重要なことは基板に異物が存在しないこ
とであり、そのために基板の洗浄技術が必要不可欠とな
る。ブランク作製は、マスク基板上に吸収体となる膜の
形成が目的である。通常、膜の形成はスパッタリングで
行われる。しかしながら、極端に大きな内部応力の形成
条件は避けられているが、微妙な応力制御は曖昧となっ
ている。吸収体成膜の観点は、基板からの剥がれ、異物
などの付着、その他異常などが現れないようにすること
である。従って、ブランクは膜の応力により撓（たわ）
んでいるのが現状である。しかも、膜の応力が同一で
も、吸収体パターンの形状と配置によって、マスクの変
形が異なる。ステップＳ１０１においてブランクを作製
したら、次に、レジスト塗布後、ステップＳ１０３にお
いてＥＢ描画（ＥＢ：電子ビーム）、現像処理を行い、
その後、ステップＳ１０４において吸収体のエッチング
を行う。

【０００５】図１（ｂ）のステップＳ１０４のエッチン
グによるパターン形成後の位置ずれ精度がどの程度発生
するか、上述のブランクの撓み（変形）からはその予測
がなされていない。そのために、エッチング後のステッ
プＳ１０５のパターン測定検査で不合格となるマスクが
発生する。不合格となった原因が膜の応力でなく、ＥＢ
描画で発生したものと現状においては考えられている。
そのために、再び、ステップＳ１０１に戻り、ブランク
作りから始めなければならない。しかしながら、実際は
膜応力が大きな原因の一つであるが、そのことがまだ理
解されていない。不合格となったその結果を、プロセス
へフィードバックさせるということも考えられるが、こ
のようなフィードバックを伴うプロセスは方法論として
は有効であるが、フィードバックの回数が多いので労力
と時間だけが浪費されていく。これが、マスクのコスト
上昇の要因の一つとなっている。

【０００６】このような要因に至る理由としては、マス
クの構造に用いられる膜の応力とパターンの位置ずれの
定量的な関係が確立されていないことが考えられる。理
論的には、膜の応力とパターンの位置ずれは予測可能で
ある。しかしながら、マスクパターンの位置ずれを予測
するためには、弾性理論に基づいた厳密で複雑な偏微分
方程式を解かなければならない。さらに、ラインとスペ
ース（Ｌ＆Ｓ）の複雑な組み合わせからなる実パターン
を計算機上で厳密に発生させて、吸収体パターンの膜応
力のパターン位置ずれに及ぼす影響を計算することは事
実上不可能に近い。計算機でパターン位置ずれを予測で
きない主な原因は後者の理由が一番大きい。

【０００７】今後のマスクは転写精度と解像力を高める
ために、マスク基板と吸収体との中間に入射光の位相や
反射率などを制御するための機能性を有した膜が挿入さ
れる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザを用いた転写技術
では位相シフトマスクとして基板と吸収体との間にシフ
タが形成されている。ＥＵＶ転写技術で用いられるマス
クには基板と吸収体との間にＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成
されている。ＥＰＬ転写技術ではＳｉメンブレン上にＷ
（タングステン）などの重金属が電子ビームの散乱吸収
体パターンとして形成される。これらの薄膜はいずれも
スパッタリングよる成膜技術を用いて形成される。スパ
ッタリングによる成膜技術が用いられる大きな理由はガ
ス圧力などの調整で薄膜の応力制御が可能となる点であ
る。これらの機能性の膜には吸収体としての高いパター
ン位置精度が要求されるので、内部応力の制御が一層重
要となる。

【０００８】このように、次々世代のマスクは基板と吸
収体の構造から機能性の膜が付加された多層構造あるい
はメンブレン構造になることが予想される。多層膜から
構成される先端マスクを、要求される精度で供給するた
めには、マスクを構成する各種膜に発生する内部応力の
最適化が必要である。すなわち、膜の応力制御は緊急を
要する重要課題である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、現状
においては、マスクの吸収体となる膜の応力とパターン
の位置ずれの関係が理解されていないため、ブランクの
変形からどの程度のパターンの位置ずれが発生するか予
測できないため、要求される精度でのマスクの製造が困
難であり、エッチング後のパターン測定検査で不合格と
なるマスクが多く発生してしまうという問題点があっ
た。

【００１０】また、不合格となった原因が、膜の応力で
なく、ＥＢ描画で発生したものと考えられているため、
再び同じ膜応力でブランク作製から始めてしまうため、
歩留まりを効率よく向上させることが出来ないまま、労
力と時間だけを浪費してしまい、その結果、マスクのコ
ストが高くなってしまうという問題点があった。

【００１１】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたものであり、最適な膜応力でブランクを作製
し、短時間、低コストで、高精度なマスクを製造するこ
とを可能にするマスク製造システム、マスク製造方法、
及び、それを用いた半導体装置の製造方法を得ることを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明は、マスク描画
データに基づいて、実パターンに相当する等価パターン
を生成し、等価パターンのデータに基づいて、マスクの
吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に
評価して、最適な膜応力を求める等価パターン計算手段
と、等価パターン計算手段において得られた最適な膜応
力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作
製手段と、等価パターン計算手段において予測されたブ
ランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を
行いながら、ブランク上に原画パターンを描画する描画
手段と、描画手段において描画された原画パターンを用
いてエッチングを行い、マスク上にパターンを形成する
エッチング手段と、エッチング手段によるパターン形成
後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査手段とを備
えたマスク製造システムである。

【００１３】また、等価パターン計算手段において計算
される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、
パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パ
ターンである。

【００１４】また、この発明は、マスク描画データに基
づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、
等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体とな
る膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、
最適な膜応力を求める等価パターン計算ステップと、等
価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力
を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製
ステップと、等価パターン計算ステップにおいて予測さ
れたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の
補正を行いながら、ブランク上に原画パターンを描画す
る描画ステップと、描画ステップにおいて描画された原
画パターンを用いてエッチングを行い、マスク上にパタ
ーンを形成するエッチングステップと、エッチングステ
ップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパタ
ーン測定検査ステップとを備えたマスク製造方法であ
る。

【００１５】また、等価パターン計算ステップにおいて
計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有
し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等
価パターンである。

【００１６】また、この発明は、マスク描画データに基
づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、
等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体とな
る膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、
最適な膜応力を求める等価パターン計算ステップと、等
価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力
を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製
ステップと、等価パターン計算ステップにおいて予測さ
れたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の
補正を行いながら、ブランク上に原画パターンを描画す
る描画ステップと、描画ステップにおいて描画された原
画パターンを用いてエッチングを行い、マスク上にパタ
ーンを形成するエッチングステップと、エッチングステ
ップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパタ
ーン測定検査ステップとを備えた半導体装置の製造方法
である。

【００１７】また、等価パターン計算ステップにおいて
計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有
し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等
価パターンである。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）は、本
発明のマスク製造システムの処理の流れ（すなわち、本
発明のマスク製造方法）を示した流れ図である。図にお
いて、ステップＳ１は、マスクブランク作製のために、
マスク描画データに基づいて実際のマスクの複雑な実パ
ターンの集合に相当する等価でかつ簡単な等価パターン
を生成し、等価パターンのデータに基づいて、マスクの
吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に
評価して、最適な膜応力を求める等価パターン計算ステ
ップである。なお、等価パターン計算ステップにおいて
計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有
し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等
価パターンである。ステップＳ２は、上記等価パターン
計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜
を生成してブランクを作製するブランク作製ステップで
ある。ステップＳ３は、上記等価パターン計算ステップ
において予測されたブランクの変形状態予測結果に基づ
いて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原
画パターンを描画する描画ステップである。ステップＳ
４は、上記描画ステップにおいて描画された原画パター
ンを用いてエッチングを行ってマスク上にパターンを形
成するエッチングステップである。ステップＳ５は、上
記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれ
の検査を行うパターン測定検査ステップである。

【００１９】膜応力によるマスクの変形のシミュレーシ
ョンプログラムは市販の有限要素法を用いたソフトとし
て入手可能である。ここでは、実施の形態として、ＥＵ
Ｖ転写技術で用いられるマスクの膜応力による変形に関
して有限差分法を用いたシミュレーションプログラムを
開発した。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜と吸収体の内部応力でマス
ク基板は曲げモーメントを受けて撓みとパターン位置ず
れ誤差を生じる。実マスク上の実際のパターン配置はＬ
＆Ｓの複雑な組み合わせである。Ｌ＆Ｓを計算機上で厳
密に再現することは不可能ではないが、計算機の能力す
なわち処理時間の問題となる。

【００２０】本発明では、図１のステップＳ１の等価パ
ターン計算ステップにおいて、実際のＬ＆Ｓを一つのブ
ロックパターンと仮定して、体積が同じになるようにブ
ロックパターンの膜厚を調整する。この等価パターン計
算ステップでは、吸収体や機能性膜などの膜応力による
マスクの変形を計算する特長がある。Ｌ＆Ｓパターンを
厳密に再現したシミュレーションとブロックパターンを
ベースとしたシミュレーションをマスク面内のパターン
位置ずれ誤差として、それの二乗平均（ｒｍｓ）、最大
値（ｍａｘ）、平均値（average）、及び、撓みの最大
値で比較した。

【００２１】図２はＬ＆Ｓの厳密モデル（実モデル）と
ブロックモデル（等価モデル）の比較を示している。縦
軸の相対誤差は厳密モデルとブロックモデルとの差（誤
差）の絶対値を厳密モデルで割った１００分率で定義さ
れる。この比較結果から明らかなように、Ｌ＆Ｓの厳密
モデルとブロックモデルの計算結果の誤差は５％以下に
納まっている。これは、体積が同じになるように吸収体
パターン膜の厚みを調整したブロックモデルがＬ＆Ｓモ
デルの等価モデルとして有効であることを示している。

【００２２】コンタクトホール系のパターンに対しても
同じような比較を行った。図３はコンタクトホールの厳
密モデル（実モデル）とブロックモデル（等価モデル）
の比較結果を示している。計算結果から明らかなように
ブロックモデルは５％以下の誤差で厳密モデルと同じ結
果を示している。これはブロックモデルは等価モデルと
して有効であることを示している。

【００２３】これらの計算結果より本発明の主幹を成す
等価パターン計算の基本となっている弾性計算のモデル
は厳密なＬ＆Ｓや多くのホールをＣＡＤ上で発生しなく
ても等価パターンで精度よく計算できることを証明して
いる。

【００２４】このモデルを用いればＬ＆Ｓとコンタクト
ホール系の組み合わさったマスクパターンの膜応力の最
適化に応用できる。厳密なモデルではマスク平面上の単
位分割サイズは少なくとも最小線幅及び最小ホールの寸
法と同じでなければならない。これは計算するポイント
の増加を意味しており、その数に比例する連立代数方程
式を解くことを意味している。すなわち、厳密モデルで
は非常に多くの連立方程式を解くために、膨大な計算時
間を必要とする。これは、処理終了までの待ち時間を考
えると、実験においては最適化を行う方が、比較的に早
く結果が得られる。これではシミュレーションの存在意
義が全く失われる。

【００２５】一方、本発明の等価パターンを用いたシミ
ュレーションでは厳密なモデルに比べて単位分割サイズ
を大きくできるので、合理的な計算時間の範囲で結果を
示すことができる。これはマスクの膜応力の最適化が迅
速に行える利点があることを意味している。

【００２６】次にこの等価パターン計算を適用した膜応
力の最適化システムの説明をする。図１（ａ）は、本発
明のマスク製造システムの動作の概略を示している。マ
スク描画データにはＬ＆Ｓやコンタクトホールなどの描
画に関する基本情報が含まれている。この情報に基づい
て、ステップＳ１において、等価パターンの大きさや膜
の厚みを求め、求められた等価パターンのデータに基づ
いて、要求されるパターンの位置ずれ精度が満たされる
膜応力、すなわち、パターンの位置ずれ精度が許容範囲
に納まる膜応力を求める。ステップＳ１の等価パターン
計算では、被膜率１００％の状態と吸収体がエッチング
されてパターンが形成された状態のそれぞれの変形状態
が判明することになり、膜応力とマスク変形の定量的関
係が明らかになる。機能性膜や吸収体の厚みあるいは内
部応力を与えることで様々な状況におけるマスクの変形
状態が予測できる。要求されるマスクの精度が満たされ
る機能性膜や吸収体の各内部応力がこのように求められ
る。等価パターン計算で各膜の最適応力が求められた
ら、ステップＳ２において、成膜装置によりマスク基板
上に最適応力を目標として各膜を形成して、ブランクを
作製する。

【００２７】ここで、図１（ａ）においては図示されて
いないが、ブランクに機能性膜を形成する前に必然的に
基板の洗浄が必要不可欠となる。洗浄後は基板に所要の
内部応力を有する機能成膜を形成する。ブランクにレジ
スト塗布（図示省略）後、ステップＳ３のＥＢ描画、現
像処理（図示省略）を行い、その後、ステップＳ４の吸
収体のエッチングを行う。ＥＢ描画される時のブランク
の変形状態は、予め、ステップＳ１の等価パターン計算
で予測されていることなので、描画誤差の補正が容易と
なる。吸収体のエッチングに関しては、事前に最適なエ
ッチング条件が確立されていることを前提とする。

【００２８】したがって、本発明においては膜応力が原
因とする位置ずれ誤差が許容範囲に納まっているように
膜応力の制御が行われているので、ステップＳ５のパタ
ーン測定検査では１００％合格となる。これは従来のフ
ィードバックプロセスを不要とするので、マスク製造の
時間短縮とコスト削減に大きく貢献する。さらには、不
合格となるマスクが製造されないことが保証されている
ので、本発明のシステムにおけるステップＳ５のパター
ン測定検査も不要とすることができる。これはマスク製
造の時間短縮とコスト削減にさらに大きく寄与する。

【００２９】ただし、本発明のシステムが１００％機能
するためには、少なくとも、成膜装置における応力制御
が可能となるために、成膜条件と各膜の内部応力との関
係を明確に確立してデータベースとして構築する必要が
ある。

【００３０】以上のように、本発明のマスク製造システ
ムにおいては、マスクを構成する各種膜の応力による変
形状態を予測する計算プログラムから、要求されるマス
クのパターン位置精度を満たすことのできる膜応力が計
算機上で明らかになるので、その最適な膜応力を目標と
してマスクブランクを製造することにより、マスクのパ
ターン位置精度を許容範囲に納めることができるので、
実験による苦労が軽減され、作業環境が改善されるとと
もに、短時間、低コストで、高精度のマスクを製造する
ことができ、歩留まりを大幅に向上させることができ
る。

【００３１】また、複雑な実パターンを等価パターンに
置き換えたモデルを用いて、各種膜の応力によるマスク
の変形状態を予測するようにしたので、計算機における
計算時間を短くすることができ、低コストかつ迅速に結
果が得られるので、マスクの開発が促進される。

【００３２】また、最先端マスクが短時間、低コストで
製造が可能となることから半導体チップのコストも下げ
られるので、高度情報化社会の実現に大きく寄与でき
る。

【００３３】実施の形態２．図４は、本発明の半導体装
置の製造方法を示す説明図である。本発明の半導体装置
の製造方法は、図４に示すように、上述した実施の形態
１で説明した本発明のマスク製造システム及びマスク製
造方法を用いて製造したマスク１を、所定の露光装置２
に搭載して行う。照射装置３から出射した電子ビーム４
は、マスク１に照射され、マスク１を透過した電子ビー
ム５は露光装置２を介して電子ビーム６となり、例えば
シリコンウエハ等から構成されるウエハ７に対して、マ
スク１に形成されたパターンの像を結像する。これによ
り、ウエハ７に塗布されているレジスト（図示せず）が
感光され、微細な回路パターンが生成される。

【００３４】以上のように、本実施の形態における半導
体装置の製造方法においては、実施の形態１で示した製
造システム及び製造方法により製造されたマスクを用い
て半導体装置を生成するので、短時間、低コストで、高
精度の半導体装置を製造することができ、歩留まりを大
幅に向上させることができる。

【００３５】

【発明の効果】この発明は、マスク描画データに基づい
て、実パターンに相当する等価パターンを生成し、等価
パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜
の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、最適
な膜応力を求める等価パターン計算手段と、等価パター
ン計算手段において得られた最適な膜応力を有する膜を
生成してブランクを作製するブランク作製手段と、等価
パターン計算手段において予測されたブランクの変形状
態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、ブ
ランク上に原画パターンを描画する描画手段と、描画手
段において描画された原画パターンを用いてエッチング
を行い、マスク上にパターンを形成するエッチング手段
と、エッチング手段によるパターン形成後の位置ずれの
検査を行うパターン測定検査手段とを備えたマスク製造
システムであるので、最適な膜応力でブランクを作製
し、短時間、低コストで、高精度なマスクを製造するこ
とを可能にする。

【００３６】また、等価パターン計算手段において計算
される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、
パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パ
ターンであるので、計算時間を短くすることができるの
で、低コスト、かつ、迅速に結果が得られる。

【００３７】この発明は、マスク描画データに基づい
て、実パターンに相当する等価パターンを生成し、等価
パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜
の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、最適
な膜応力を求める等価パターン計算ステップと、等価パ
ターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有
する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステ
ップと、等価パターン計算ステップにおいて予測された
ブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正
を行いながら、ブランク上に原画パターンを描画する描
画ステップと、描画ステップにおいて描画された原画パ
ターンを用いてエッチングを行い、マスク上にパターン
を形成するエッチングステップと、エッチングステップ
によるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン
測定検査ステップとを備えたマスク製造システム及び半
導体装置の製造方法であるので、最適な膜応力でブラン
クを作製し、短時間、低コストで、高精度なマスク及び
半導体装置を製造することを可能にする。

【００３８】また、等価パターン計算ステップにおいて
計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有
し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等
価パターンであるので、計算時間を短くすることができ
るので、低コスト、かつ、迅速に結果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のマスク製造システムと従来のマスク
製造システムの処理の流れをそれぞれ示した流れ図であ
る。

【図２】 Ｌ＆Ｓパターンにおける厳密モデルと本発明
の等価モデルの相対誤差のグラフを示した説明図であ
る。

【図３】 ホールパターンにおける厳密モデルと本発明
の等価モデルの相対誤差のグラフを示した説明図であ
る。

【図４】 本発明の半導体装置の製造方法を示した説明
図である。

【符号の説明】

１ マスク、２ 露光装置、３ 照射装置、４，５，６
電子ビーム、７ ウエハ、Ｓ１ 等価パターン計算、
Ｓ２，Ｓ１０１ ブランク作製、Ｓ３，Ｓ１０３ ＥＢ
描画、Ｓ４，Ｓ１０４ エッチング、Ｓ５，Ｓ１０５
測定検査、Ｓ１０２ マスク描画データ。

フロントページの続き (71)出願人 000005223 富士通株式会社 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 (71)出願人 000219004 島田理化工業株式会社 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ (72)発明者 千葉 明 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 高橋 政志 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 伊東 昌昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 星野 栄一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 米田 尚史 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理 化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA06 BA07 BA08 BB37 BC08 BD03 BD29

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスク描画データに基づいて、実パター
   ンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターン
   のデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力に
   よるマスクの変形状態を事前に評価して、最適な膜応力
   を求める等価パターン計算手段と、 上記等価パターン計算手段において得られた最適な膜応
   力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作
   製手段と、 上記等価パターン計算手段において予測されたブランク
   の変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いな
   がら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画手
   段と、 上記描画手段において描画された原画パターンを用いて
   エッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成する
   エッチング手段と、 上記エッチング手段によるパターン形成後の位置ずれの
   検査を行うパターン測定検査手段とを備えたことを特徴
   とするマスク製造システム。
2. 【請求項２】 上記等価パターン計算手段において計算
   される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有
   し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等
   価パターンであることを特徴とする請求項１に記載のマ
   スク製造システム。
3. 【請求項３】 マスク描画データに基づいて、実パター
   ンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターン
   のデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力に
   よるマスクの変形状態を事前に評価して、最適な膜応力
   を求める等価パターン計算ステップと、 上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な
   膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブラン
   ク作製ステップと、 上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブラ
   ンクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行
   いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描
   画ステップと、 上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用
   いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成
   するエッチングステップと、 上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ず
   れの検査を行うパターン測定検査ステップとを備えたこ
   とを特徴とするマスク製造方法。
4. 【請求項４】 上記等価パターン計算ステップにおいて
   計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積
   を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整され
   た等価パターンであることを特徴とする請求項３に記載
   のマスク製造方法。
5. 【請求項５】 マスク描画データに基づいて、実パター
   ンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターン
   のデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力に
   よるマスクの変形状態を事前に評価して、最適な膜応力
   を求める等価パターン計算ステップと、 上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な
   膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブラン
   ク作製ステップと、 上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブラ
   ンクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行
   いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描
   画ステップと、 上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用
   いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成
   するエッチングステップと、 上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ず
   れの検査を行うパターン測定検査ステップとを備えたこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 上記等価パターン計算ステップにおいて
   計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積
   を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整され
   た等価パターンであることを特徴とする請求項３に記載
   の半導体装置の製造方法。