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JP2002354795A - Switching power circuit - Google Patents

Switching power circuit

Info

Publication number
JP2002354795A
JP2002354795A JP2001149637A JP2001149637A JP2002354795A JP 2002354795 A JP2002354795 A JP 2002354795A JP 2001149637 A JP2001149637 A JP 2001149637A JP 2001149637 A JP2001149637 A JP 2001149637A JP 2002354795 A JP2002354795 A JP 2002354795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
signal
power mosfet
fed back
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001149637A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuho Tsuchida
満穂 土田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001149637A priority Critical patent/JP2002354795A/en
Publication of JP2002354795A publication Critical patent/JP2002354795A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching power circuit consuming the excessive voltage fed back in a lightly-loaded condition. SOLUTION: The switching power circuit comprises a transformer 53 making a load voltage on a secondary winding by turning a power MOSFET30 connected to a primary winding into ON/OFF, a photo coupler 62 detecting the load voltage generated on the secondary winding, and a pulse-width modulation circuit 41 generating a signal turning the power MOSFET30 to OFF based on the feedback voltage from the photo coupler 62. The power MOSFET30 allows an excessive feedback current in OFF to be consumed through the diode 48.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、トランスの二次側
電圧をフォトカプラで検出し、一次側電圧を制御するス
イッチング電源回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching power supply circuit for detecting a secondary voltage of a transformer with a photocoupler and controlling the primary voltage.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、テレビジョンあるいは音響機器等
の電子機器にはスイッチング電源回路が使用される。
2. Description of the Related Art Recently, a switching power supply circuit is used in an electronic device such as a television or an audio device.

【0003】図4は従来のスイッチング電源回路の回路
図である。全波整流回路1にはチョークコイルを介して
端子Xと端子Yの商業電源Vinが加えられる。トラン
ス3は一次側巻線4と出力電圧を取り出す二次側巻線5
及びバイアス巻線6よりなる。前記一次側巻線4の一端
に前記全波整流回路1の端子Sに接続され、他端がパワ
ーMOSFET7のドレイン・ソース電極を介して前記
全波整流回路1の端子Tに接続されている。
FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional switching power supply circuit. To the full-wave rectifier circuit 1, a commercial power source Vin at terminals X and Y is applied via a choke coil. The transformer 3 has a primary winding 4 and a secondary winding 5 for extracting an output voltage.
And a bias winding 6. One end of the primary winding 4 is connected to a terminal S of the full-wave rectifier circuit 1, and the other end is connected to a terminal T of the full-wave rectifier circuit 1 via a drain / source electrode of a power MOSFET 7.

【0004】平滑回路8は前記全波整流回路1で整流さ
れた直流電圧を平滑する。前記整流し平滑された直流電
圧は起動抵抗9を介して端子に加えられ集積回路Cの
電源電圧Vccとなる。又バイアス巻線6の一端はダイ
オード10を介して前記端子に接続される。
[0004] The smoothing circuit 8 smoothes the DC voltage rectified by the full-wave rectifier circuit 1. The rectified and smoothed DC voltage is applied to a terminal via a starting resistor 9 to become a power supply voltage Vcc of the integrated circuit C. One end of the bias winding 6 is connected to the terminal via a diode 10.

【0005】トランス3の二次側巻線5にはダイオード
11及びコンデンサ12が接続されている。フォトカプ
ラ14は発光ダイオード15とフォトトランジスタ16
とよりなり、フォトトランジスタ16の一端は集積回路
Cの端子に接続されている。
[0005] A diode 11 and a capacitor 12 are connected to the secondary winding 5 of the transformer 3. The photocoupler 14 includes a light emitting diode 15 and a phototransistor 16.
And one end of the phototransistor 16 is connected to a terminal of the integrated circuit C.

【0006】トランジスタ17は端子Mと端子Nから取
り出される負荷電圧の変化を検出するもので、ベースに
分割抵抗18、19が接続され、エミッタにツエーナー
ダイオード20が接続されている。
The transistor 17 detects a change in the load voltage taken out from the terminals M and N. The base 17 is connected to the dividing resistors 18 and 19, and the emitter is connected to the zener diode 20.

【0007】次に動作を説明する。今端子Xと端子Y間
に加えられた商業電源は全波整流回路1で整流され、平
滑回路8で平滑された後起動抵抗9を介して集積回路C
の端子に電源電圧Vccとして加えられる。
Next, the operation will be described. The commercial power applied between the terminals X and Y is rectified by the full-wave rectifier circuit 1, smoothed by the smoothing circuit 8, and then integrated by the integrated circuit C via the starting resistor 9.
Is applied as a power supply voltage Vcc.

【0008】前記端子に電源電圧Vccが加えられる
と、集積回路Cよりハイレベル信号が発生し、パワーM
OSFET7のゲートに加わる。
When the power supply voltage Vcc is applied to the terminal, a high-level signal is generated from the integrated circuit C, and the power M
Applied to the gate of OSFET7.

【0009】前記パワーMOSFET7のゲートに前記
集積回路Cよりのハイレベル信号が加わると、これらパ
ワーMOSFET7がONされる。するとパワーMOS
FET7のドレイン・ソース電極を介してトランスの一
次側巻線4に前記整流され平滑された直流電圧が加わ
る。
When a high level signal from the integrated circuit C is applied to the gates of the power MOSFETs 7, these power MOSFETs 7 are turned on. Then power MOS
The rectified and smoothed DC voltage is applied to the primary winding 4 of the transformer via the drain / source electrode of the FET 7.

【0010】前記トランス3の一次側巻線4に加えられ
た直流電圧に応じてトランスの二次側巻線5に所定の二
次電圧が得られる。前記得られた二次電圧はダイオード
11及びコンデンサ12で整流平滑され、端子Mと端子
Nから取り出され負荷電圧として負荷に供給される。
A predetermined secondary voltage is obtained in the secondary winding 5 of the transformer according to the DC voltage applied to the primary winding 4 of the transformer 3. The obtained secondary voltage is rectified and smoothed by the diode 11 and the capacitor 12, taken out from the terminals M and N, and supplied to the load as a load voltage.

【0011】前記負荷電圧が所定の電圧以下且つパワー
MOSFET7のドレイン電流値が基準値以下のときは
集積回路Cからのハイレベル信号はそのままでパワーM
OSFET7はONし続ける。前記端子M及び端子Nよ
り取り出された負荷電圧の変化は分割抵抗18、19で
検出され、トランジスタ17のベース電圧を変化する。
即ち負荷電圧が上がるとトランジスタ17のベース電圧
は上昇し、トランジスタ17を介して発光ダイオード1
5に流れる電流が増加し発光も増加する。それによりフ
ォトトランジスタ16の抵抗値が下がり、集積回路Cの
端子に加わる電圧が大きくなる。
When the load voltage is equal to or lower than a predetermined voltage and the drain current value of the power MOSFET 7 is equal to or lower than a reference value, the high level signal from the integrated circuit C remains unchanged and the power M
OSFET7 keeps ON. The change in the load voltage taken out from the terminals M and N is detected by the dividing resistors 18 and 19, and changes the base voltage of the transistor 17.
That is, when the load voltage rises, the base voltage of the transistor 17 rises, and the light emitting diode 1
5 and the light emission also increases. As a result, the resistance value of the phototransistor 16 decreases, and the voltage applied to the terminal of the integrated circuit C increases.

【0012】前記集積回路Cの端子に加わる電圧が大
きくなると、パワーMOSFET7のゲートに加わる信
号がローレベルとなり、前記パワーMOSFET7はO
FFされので、機器にあるトランスの一次側巻線に商業
電源からの電流が流れなくなる。
When the voltage applied to the terminal of the integrated circuit C increases, the signal applied to the gate of the power MOSFET 7 goes low, and the power MOSFET 7
Since the FF is performed, the current from the commercial power supply does not flow through the primary winding of the transformer in the device.

【0013】前記トランス3の一次側巻線4に電流が流
れず、負荷電圧が低下すると再びハイレベル信号がパワ
ーMOSFET7のゲートに加わり、パワーMOSFE
T7をONする。
When no current flows through the primary winding 4 of the transformer 3 and the load voltage drops, a high-level signal is again applied to the gate of the power MOSFET 7 and the power MOSFET is turned on.
Turn on T7.

【0014】そのためパワーMOSFET7のドレイン
電極・ソース電極を介して機器にあるトランスの一次側
巻線に商業電源から整流された電流が流れる。前記トラ
ンス3の一次側巻線4に流れる電流に応じてトランス3
の二次側巻線5に電流が流れ所定の負荷電圧が得られ
る。
Therefore, a rectified current flows from the commercial power supply to the primary winding of the transformer in the device via the drain electrode and the source electrode of the power MOSFET 7. According to the current flowing through the primary winding 4 of the transformer 3, the transformer 3
A current flows through the secondary winding 5 of the above, and a predetermined load voltage is obtained.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、トラ
ンスに一次側に接続されたパワーMOSFETをON/
OFFし所定の二次側電圧を得ている。前記二次側電圧
はフォトカプラで検出し一次側に帰還し、前記パワーM
OSトランジスタのOFF開始時間を制御し、前記帰還
された電圧が低下すると再びパワーMOSトランジスタ
をONする。
As described above, the power MOSFET connected to the primary side of the transformer is turned ON / OFF.
It turns off and a predetermined secondary voltage is obtained. The secondary voltage is detected by a photocoupler and returned to the primary side, and the power M
The OFF start time of the OS transistor is controlled, and when the feedback voltage drops, the power MOS transistor is turned ON again.

【0016】このように、前記パワーMOSFETをO
N/OFFさせて所定の二次電圧を得ているが、軽負荷
の場合二次側電圧は上昇し、前記フォトカプラより帰還
される電流が増大する。前記フォトカプラより帰還され
る電流が増大し、帰還電圧が上昇すると、二次側の電圧
が低下してフォトカプラからの電流が減少しても帰還電
圧が低下しきれず、前記パワーMOSFETを正常にO
FF制御できなくなり、異常発振となって所定の二次電
圧が得られなくなる。
As described above, the power MOSFET is
A predetermined secondary voltage is obtained by N / OFF, but in the case of a light load, the secondary voltage rises, and the current fed back from the photocoupler increases. When the current fed back from the photocoupler increases and the feedback voltage rises, the voltage on the secondary side decreases and the current from the photocoupler decreases, so that the feedback voltage cannot fully decrease, and the power MOSFET normally operates. O
FF control becomes impossible, and abnormal oscillation occurs, and a predetermined secondary voltage cannot be obtained.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明は商業電源を整流
平滑した電圧が加えられ、一次側巻線に接続されたパワ
ーMOSFETをON/OFFさせて二次側巻線に負荷
電圧を取り出すトランスと、前記二次側巻線に生じる負
荷電圧を検出するフォトカプラと、発振回路よりの信号
で前記パワーMOSFETをONさせる信号を発生さ
せ、フォトカプラにてフィードバックされる電圧に基づ
いてパワーMOSFETをOFFさせる信号を発生させ
パルス幅変調回路とよりなり、前記フォトカプラよりフ
ィードバックされる電圧を取り出す信号路にダイオード
を接続し、前記パワーMOSFETがOFF時にフィー
ドバックされる過分な電流を前記ダイオードを介して消
費させるスイッチング電源回路を提供する。
According to the present invention, there is provided a transformer for applying a voltage obtained by rectifying and smoothing a commercial power supply, turning on / off a power MOSFET connected to a primary winding, and extracting a load voltage to a secondary winding. A photocoupler for detecting a load voltage generated in the secondary winding, a signal for turning on the power MOSFET with a signal from an oscillation circuit, and a power MOSFET based on a voltage fed back by the photocoupler. A pulse width modulation circuit that generates a signal to turn off, a diode is connected to a signal path for extracting a voltage fed back from the photocoupler, and an excessive current fed back when the power MOSFET is turned off passes through the diode. A switching power supply circuit to be consumed is provided.

【0018】本発明は商業電源を整流平滑した電圧が加
えられ且つパワーMOSFETのドレイン電極・ソース
電極が接続された一次側巻線と出力電圧を取り出す二次
側巻線とを有するトランスと、前記二次側巻線に生じる
負荷電圧に応じて発光する発光ダイオードと、該発光ダ
イオードの光を受光しインピーダンスを変化させるフォ
トトランジスタとよりなるフォトカプラと、発振回路か
らの発振信号に基づいてパワーMOSFETをONさせ
る信号を発生させ、フォトカプラにてフィードバックさ
れる電圧に基づいてパワーMOSFETをOFFさせる
信号を発生させパルス幅変調回路と、前記フォトカプラ
よりフィードバックされる電圧を取り出す信号路に接続
されたダイオードとよりなり、前記発振回路からの発振
信号に基づいてパルス変調回路より発生される信号でパ
ワーMOSFETをONさせ、トランスの一次側巻線に
電流を流し、二次側巻線に生じる負荷電圧が所定電圧以
上になったとき、フォトトランジスタを介してフィード
バックされる電圧に基づいてパルス幅変調回路から発生
される信号でパワーMOSFETをOFFさせ、前記パ
ワーMOSFETがOFF時にフォトトランジスタにフ
ィードバックされる過分な電流を前記ダイオードを介し
て消費させるスイッチング電源回路を提供する。
According to the present invention, there is provided a transformer having a primary winding to which a voltage obtained by rectifying and smoothing a commercial power supply is applied and to which a drain electrode and a source electrode of a power MOSFET are connected, and a secondary winding for extracting an output voltage. A light emitting diode that emits light in accordance with a load voltage generated in the secondary winding, a photocoupler including a phototransistor that receives light from the light emitting diode and changes impedance, and a power MOSFET based on an oscillation signal from an oscillation circuit. And a pulse width modulation circuit for generating a signal for turning off the power MOSFET based on the voltage fed back by the photocoupler, and a signal path for extracting the voltage fed back from the photocoupler. A diode based on an oscillation signal from the oscillation circuit. The power MOSFET is turned on by a signal generated from the modulation circuit, a current flows through the primary winding of the transformer, and when the load voltage generated on the secondary winding exceeds a predetermined voltage, feedback is performed via a phototransistor. A switching power supply circuit for turning off a power MOSFET with a signal generated from a pulse width modulation circuit based on the applied voltage and consuming excessive current fed back to a phototransistor through the diode when the power MOSFET is turned off. I do.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明を図1及び図3に従い説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described with reference to FIGS.

【0020】図1は本発明のスイッチング電源回路に用
いた集積回路部分のブロック図である。破線の枠は集積
回路C単体で、Vcc端子、TRG端子、FB端子、S
ENSE端子、GATE端子及びGND端子を有する。
前記集積回路CはパッケージPに組み込まれる。前記パ
ッケージPには端子、端子、端子、端子及び端
子を有する。
FIG. 1 is a block diagram of an integrated circuit portion used in the switching power supply circuit of the present invention. The broken line frame indicates the integrated circuit C alone, and the Vcc terminal, TRG terminal, FB terminal, S
It has an ENSE terminal, a GATE terminal and a GND terminal.
The integrated circuit C is incorporated in a package P. The package P has terminals, terminals, terminals, terminals and terminals.

【0021】前記Vcc端子と端子、TRG端子と端
子及びFB端子と端子とは接続され、又前記端子
と端子間にはパワーMOSFET30のソース電極・
ドレイン電極が接続されている。またパワーMOSFE
T30のドレイン電極にはセンサーMOSFET31の
ドレイン電極が接続されている。
The Vcc terminal is connected to the terminal, the TRG terminal is connected to the terminal, and the FB terminal is connected to the terminal. A source electrode of the power MOSFET 30 is connected between the terminals.
The drain electrode is connected. Power MOSFE
The drain electrode of T30 is connected to the drain electrode of sensor MOSFET31.

【0022】発振回路32は鋸歯状波信号を発振し、そ
の発振された鋸歯状波信号は発振エッジ回路33でパル
ス信号に変換され、ラッチ回路34に加わる。基準電圧
発生回路35は端子に加えられた電源電圧Vccから
基準電圧Vrefを発生する。低電圧検出回路36は電
源電圧Vccが前記基準電圧Vrefと所定電圧とを比
較し、電源電圧Vccが所定電圧以下の場合は停止信号
を発生し、電源電圧Vccが所定電圧以上になると停止
解除信号を発生し、前記発振回路32を発振する。
The oscillating circuit 32 oscillates a sawtooth signal, and the oscillated sawtooth signal is converted into a pulse signal by an oscillation edge circuit 33 and applied to a latch circuit 34. The reference voltage generation circuit 35 generates a reference voltage Vref from the power supply voltage Vcc applied to the terminal. The low voltage detection circuit 36 compares the power supply voltage Vcc with the reference voltage Vref and a predetermined voltage, generates a stop signal when the power supply voltage Vcc is lower than the predetermined voltage, and generates a stop release signal when the power supply voltage Vcc becomes higher than the predetermined voltage. And the oscillation circuit 32 oscillates.

【0023】高電圧検出回路37は逆に前記電源電圧V
ccが規定電圧より高い場合に停止信号を検出しラッチ
回路34に加え、ラッチする。異常過熱検出回路38は
チップが異常な温度上昇を検出するもので、チップが異
常な温度まで上昇すると停止信号をラッチ回路34に加
えラッチする。
On the contrary, the high voltage detecting circuit 37
When cc is higher than the specified voltage, the stop signal is detected and applied to the latch circuit 34 for latching. The abnormal overheat detection circuit 38 detects an abnormal temperature rise of the chip. When the temperature of the chip rises to an abnormal temperature, a stop signal is applied to the latch circuit 34 and latched.

【0024】発振レベル比較回路39は前記基準電圧発
生回路35からの基準電圧Vrefと端子よりの負荷
電圧に応じて供給される電圧及びセンサーMOSFET
31を介して加えられる電圧との和電圧を比較し、基準
電圧が大きいときには発生される信号はローレベルであ
る。しかし前記負荷電圧等に応じて供給される電圧が基
準電圧より大きくなると前記発振レベル比較回路39か
らハイレベルの信号を発生する。
The oscillation level comparison circuit 39 includes a voltage supplied according to the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 35 and a load voltage from the terminal, and a sensor MOSFET.
Comparing the sum voltage with the voltage applied via 31, the signal generated is low when the reference voltage is high. However, when the voltage supplied according to the load voltage or the like becomes higher than the reference voltage, the oscillation level comparison circuit 39 generates a high level signal.

【0025】パルス幅変調回路41はRS−フリップフ
ロップよりなり、SET端子Sには前記ラッチ回路34
を通過したパルス信号と発振レベル比較回路39からの
信号がインバータ回路44を介して加えられる。又RS
ET端子Rには発振レベル比較回路39からの信号が加
えられる。前記パルス幅変調回路41のQバー端子より
の信号はドライバー46を介して前記パワーMOSFE
T30とセンサーMOSFET31のゲートに加えられ
る。
The pulse width modulation circuit 41 comprises an RS flip-flop.
And the signal from the oscillation level comparison circuit 39 are applied via an inverter circuit 44. Also RS
A signal from the oscillation level comparison circuit 39 is applied to the ET terminal R. The signal from the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 is supplied to the power MOSFET through a driver 46.
T30 and the gate of the sensor MOSFET 31.

【0026】前記FB端子が接続されたパッケージPの
端子とパワーMOSFET30のゲート信号ライン間
にゲート信号ラインをカソードとしたダイオード48が
接続されている。
A diode 48 having a gate signal line as a cathode is connected between the terminal of the package P to which the FB terminal is connected and the gate signal line of the power MOSFET 30.

【0027】図2は前記集積回路Cを用いたスイッチン
グ電源回路の回路図である。全波整流回路51にはチョ
ークコイル52を介して端子Xと端子Yの商業電源Vi
nが加えられる。トランス53は一次側巻線54と出力
電圧を取り出す二次側巻線55及びバイアス巻線56よ
りなる。前記一次側巻線54の一端に前記全波整流回路
51の端子Sに接続され、他端がパッケージPの端子
に接続され、MOSFET30のドレイン・ソース電極
を介して前記全波整流回路51の端子Tに接続されてい
る。
FIG. 2 is a circuit diagram of a switching power supply circuit using the integrated circuit C. The commercial power supply Vi of the terminal X and the terminal Y is connected to the full-wave rectifier circuit 51 via the choke coil 52.
n is added. The transformer 53 includes a primary winding 54, a secondary winding 55 for extracting an output voltage, and a bias winding 56. One end of the primary winding 54 is connected to a terminal S of the full-wave rectifier circuit 51, the other end is connected to a terminal of the package P, and a terminal of the full-wave rectifier circuit 51 is connected to a drain / source electrode of the MOSFET 30. Connected to T.

【0028】平滑回路59は前記全波整流回路51で整
流された直流電圧を平滑する。前記整流し平滑された直
流電圧は起動抵抗57を介してパッケージPの端子に
加えられ集積回路の電源電圧Vccとなる。又バイアス
巻線56の一端はダイオード58を介して前記端子に
接続される。
The smoothing circuit 59 smoothes the DC voltage rectified by the full-wave rectifier circuit 51. The rectified and smoothed DC voltage is applied to the terminal of the package P via the starting resistor 57 and becomes the power supply voltage Vcc of the integrated circuit. One end of the bias winding 56 is connected to the terminal via a diode 58.

【0029】トランス53の二次側巻線55にはダイオ
ード60及びコンデンサ61が接続されている。フォト
カプラ62は発光ダイオード63とフォトトランジスタ
64とよりなり、フォトトランジスタ64の一端は抵抗
66及び抵抗67が接続されている。前記抵抗66と抵
抗67の接続点68とパッケージPの端子間に端子
側をカソードとするダイオード48が接続されている。
A diode 60 and a capacitor 61 are connected to the secondary winding 55 of the transformer 53. The photocoupler 62 includes a light emitting diode 63 and a phototransistor 64, and one end of the phototransistor 64 is connected to a resistor 66 and a resistor 67. A diode 48 having a terminal side as a cathode is connected between a connection point 68 of the resistor 66 and the resistor 67 and a terminal of the package P.

【0030】トランジスタ70は端子Mと端子Nから取
り出される負荷電圧の変化を検出するもので、ベースに
分割抵抗71、72が接続され、エミッタにツエーナー
ダイオード73が接続されている。
The transistor 70 detects a change in the load voltage taken out from the terminals M and N. The base is connected to the split resistors 71 and 72, and the emitter is connected to the zener diode 73.

【0031】次に動作を説明する。今端子Xと端子Y間
に加えられた商業電源は全波整流回路51で整流され、
平滑回路59で平滑された後起動抵抗57を介してパッ
ケージPの端子に電源電圧Vccとして加えられる。
Next, the operation will be described. The commercial power applied between the terminals X and Y is now rectified by the full-wave rectifier circuit 51,
After being smoothed by the smoothing circuit 59, it is applied as a power supply voltage Vcc to the terminal of the package P via the starting resistor 57.

【0032】前記端子に電源電圧Vccが加えられる
と基準電圧発生回路35より基準電圧Vrefを発生す
る。前記電源電圧Vccが設定電圧以上になると低電圧
検出回路36からの停止解除信号が発振回路32に加わ
る。またこのときエッジ回路47からの信号も前記発振
回路32に加わり発振を開始し、鋸波状波信号を発生す
る。
When a power supply voltage Vcc is applied to the terminal, a reference voltage Vref is generated by a reference voltage generating circuit 35. When the power supply voltage Vcc becomes equal to or higher than the set voltage, a stop release signal from the low voltage detection circuit 36 is applied to the oscillation circuit 32. At this time, the signal from the edge circuit 47 is also applied to the oscillation circuit 32 to start oscillating and generate a sawtooth signal.

【0033】前記鋸歯状波信号は発振エッジ回路33に
加わり、パルス信号に変換されラッチ回路34に加わ
る。このとき高電圧検出回路37からは停止信号が検出
されないので、前記パルス信号はラッチ回路34及びイ
ンバータ回路44を介してパルス幅変調回路41のSE
T端子Sに加わる。
The sawtooth signal is applied to an oscillation edge circuit 33, converted into a pulse signal, and applied to a latch circuit 34. At this time, since the stop signal is not detected from the high voltage detection circuit 37, the pulse signal is supplied to the SE of the pulse width modulation circuit 41 via the latch circuit 34 and the inverter circuit 44.
Applies to the T terminal S.

【0034】図3に示すように、パルス幅変調回路41
のSET端子Sにパルス信号が加わると、前記パルス幅
変調回路41のQバー端子の信号はローレベルとなる。
このときドライバー46には低電圧検出回路36よりの
停止信号が加えられているので、前記ドライバー回路4
6は動作状態となっている。前記パルス幅変調回路41
のQバー端子のローレベル信号はドライバー回路46で
ハイレベル信号に反転され、パワーMOSFET30及
びセンサーMOSFET31のそれぞれのゲートに加わ
る。
As shown in FIG. 3, the pulse width modulation circuit 41
When a pulse signal is applied to the SET terminal S, the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 becomes low level.
At this time, since the stop signal from the low voltage detection circuit 36 is applied to the driver 46, the driver circuit 4
6 is in operation. The pulse width modulation circuit 41
The low-level signal at the Q bar terminal is inverted to a high-level signal by the driver circuit 46, and is applied to the respective gates of the power MOSFET 30 and the sensor MOSFET 31.

【0035】前記パワーMOSFET30及びセンサー
MOSFET31のゲートに前記ドライバー回路46で
反転されたハイレベル信号が加わると、これらパワーM
OSFET30及びセンサーMOSFET31をONさ
れる。するとパワーMOSFET30のドレイン電極・
ソース電極を介してトランスの一次側巻線に前記整流さ
れ平滑された直流電圧が加わる。
When a high-level signal inverted by the driver circuit 46 is applied to the gates of the power MOSFET 30 and the sensor MOSFET 31, the power M
The OSFET 30 and the sensor MOSFET 31 are turned on. Then, the drain electrode of the power MOSFET 30
The rectified and smoothed DC voltage is applied to the primary winding of the transformer via the source electrode.

【0036】前記トランス53の一次側巻線54に加え
られた直流電圧に応じてトランス53の二次側巻線55
に所定の二次電圧が得られる。前記得られた二次電圧は
ダイオード60及びコンデンサ61で整流平滑され、端
子Mと端子Nから取り出され負荷電圧として負荷に供給
される。
The secondary winding 55 of the transformer 53 according to the DC voltage applied to the primary winding 54 of the transformer 53
, A predetermined secondary voltage is obtained. The obtained secondary voltage is rectified and smoothed by the diode 60 and the capacitor 61, taken out from the terminals M and N, and supplied to the load as a load voltage.

【0037】前記負荷電圧が所定の電圧以下且つパワー
MOSFET30のドレイン電流値が基準値以下のとき
は発振回路32より発振され発振エッジ回路33で変換
されたパルス信号が前述したようにパルス幅変調回路4
1のSET端子に供給し続けるので、パルス幅変調回路
41のQバー端子の信号はローレベルのままでパワーM
OSFET30はONし続ける。
When the load voltage is equal to or lower than the predetermined voltage and the drain current value of the power MOSFET 30 is equal to or lower than the reference value, the pulse signal oscillated by the oscillating circuit 32 and converted by the oscillating edge circuit 33 is used as described above. 4
1, the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 remains at the low level and the power M
OSFET 30 keeps on.

【0038】前記端子M及び端子Nより取り出された負
荷電圧の変化は分割抵抗71、72で検出され、トラン
ジスタ70のベース電圧を変化する。即ち負荷電圧が上
がるとトランジスタ70のベース電圧は上昇し、トラン
ジスタ70を介して発光ダイオード63に流れる電流が
増加し発光も増加する。それによりフォトトランジスタ
64の抵抗値が下がり、端子に加わるフィードバック
電圧が大きくなる。
The change in the load voltage taken out from the terminals M and N is detected by the split resistors 71 and 72, and changes the base voltage of the transistor 70. That is, when the load voltage increases, the base voltage of the transistor 70 increases, the current flowing through the light emitting diode 63 via the transistor 70 increases, and the light emission also increases. As a result, the resistance value of the phototransistor 64 decreases, and the feedback voltage applied to the terminal increases.

【0039】前記発振レベル比較回路39に加えられる
負荷電圧に応じたフィードバック電圧とセンサーMOS
FET31を介して加えられる電圧との和電圧が前記基
準電圧発生回路35からの基準電圧Vrefより僅かで
も大きくなると、前記発振レベル比較回路39からハイ
レベルの信号を発生し、パルス幅変調回路41のRSE
T端子Rにリセット信号を加え、前記パルス幅変調回路
41のQバー端子の信号をハイレベルにする。
A feedback voltage corresponding to the load voltage applied to the oscillation level comparison circuit 39 and a sensor MOS
When the sum voltage with the voltage applied via the FET 31 becomes slightly higher than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 35, a high-level signal is generated from the oscillation level comparison circuit 39, and the pulse width modulation circuit 41 RSE
A reset signal is applied to the T terminal R to make the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 high.

【0040】従ってドライバー回路46を介してパワー
MOSFET30のゲートに加わる信号がローレベルと
なるため、前記パワーMOSFET30はOFFされの
で、機器にあるトランス53の一次側巻線54に商業電
源からの電流が流れない。
Therefore, since the signal applied to the gate of the power MOSFET 30 via the driver circuit 46 becomes low level, the power MOSFET 30 is turned off, so that the current from the commercial power supply flows to the primary winding 54 of the transformer 53 in the device. Not flowing.

【0041】前記トランス53の一次側巻線54に電流
が流れず、負荷電圧が低下すると再び発振レベル比較回
路39に加えられる電圧が前記基準電圧発生回路35か
らの設定電圧Vrefより小さくなると、前記発振レベ
ル比較回路39から発生される信号がローレベルとなる
ため、パルス幅変調回路41のRSET端子にリセット
信号が加わらない。
When no current flows through the primary winding 54 of the transformer 53 and the load voltage decreases, the voltage applied to the oscillation level comparison circuit 39 becomes smaller than the set voltage Vref from the reference voltage generation circuit 35 again. Since the signal generated from the oscillation level comparison circuit 39 becomes low level, no reset signal is applied to the RSET terminal of the pulse width modulation circuit 41.

【0042】一方前記発振回路32は発振を続けている
ので、前記発振エッジ回路33からパルス幅変調回路4
1のSET端子にパルス信号が加わり、前記パルス幅変
調回路41のQバー端子の信号は再びローレベルとな
る。前記パルス幅変調回路41のQバー端子のローレベ
ル信号はパワーMOSFET30及びセンサーMOSF
ET31のそれぞれのゲートに加わり、これらパワーM
OSFET30及びセンサーMOSFET31をONす
る。
On the other hand, since the oscillation circuit 32 continues to oscillate, the pulse width modulation circuit 4
The pulse signal is applied to the SET terminal 1 and the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 goes low again. The low level signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 41 is a power MOSFET 30 and a sensor MOSFET.
In addition to the gates of the ET31, these power M
The OSFET 30 and the sensor MOSFET 31 are turned on.

【0043】そのためパワーMOSFET30のドレイ
ン電極・ソース電極を介して機器にあるトランス53の
一次側巻線54に商業電源から整流された電流が流れ
る。前記トランスの53一次側巻線54に流れる電流に
応じてトランス53の二次側巻線55に電流が流れ所定
の負荷電圧が得られる。
Therefore, a rectified current flows from the commercial power supply to the primary winding 54 of the transformer 53 in the device via the drain electrode and the source electrode of the power MOSFET 30. A current flows through the secondary winding 55 of the transformer 53 according to the current flowing through the primary winding 54 of the transformer 53, and a predetermined load voltage is obtained.

【0044】前述したように、二次側電圧の上昇と共に
負荷電圧が上がり、トランジスタ70のベース電圧が上
昇し、トランジスタ70を介して発光ダイオード63に
流れる電流が増加し発光も増加する。それによりフォト
トランジスタ64の抵抗値が下がり、端子に加わるフ
ィードバック電圧が大きくなる。ところで端子Mと端子
Nに軽負荷が接続されたとき、前記フォトトランジスタ
64を介して抵抗67で検出されるフィードバック電圧
が大きくなり過ぎる。
As described above, the load voltage rises with the rise of the secondary voltage, the base voltage of the transistor 70 rises, the current flowing through the light emitting diode 63 via the transistor 70 increases, and the light emission also increases. As a result, the resistance value of the phototransistor 64 decreases, and the feedback voltage applied to the terminal increases. By the way, when a light load is connected to the terminals M and N, the feedback voltage detected by the resistor 67 via the phototransistor 64 becomes too large.

【0045】すると端子より前記発振レベル比較回路
39に加えられる電圧が前記基準電圧発生回路35から
の基準電圧Vrefより大きくなり、前記発振レベル比
較回路39からハイレベルの信号を発生し、前記パルス
幅変調回路41をリセットしQバー端子の信号をハイレ
ベルにし、前記パワーMOSFET30をOFFした後
でも前記フォトトランジスタ64を介して抵抗67で検
出される電圧は基準電圧Vrefより大きいままであ
る。
Then, the voltage applied to the oscillation level comparison circuit 39 from the terminal becomes higher than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 35, and the oscillation level comparison circuit 39 generates a high-level signal. The voltage detected by the resistor 67 via the phototransistor 64 remains higher than the reference voltage Vref even after the modulation circuit 41 is reset, the signal at the Q-bar terminal is set to the high level, and the power MOSFET 30 is turned off.

【0046】従ってトランス53の一次側巻線54に商
業電源からの電流が流れず、二次側電圧が低下したにも
拘わらず、前記発振レベル比較回路39からハイレベル
の信号を発生し続ける。
Therefore, the current from the commercial power supply does not flow through the primary winding 54 of the transformer 53, and the oscillation level comparison circuit 39 continues to generate a high-level signal despite the decrease in the secondary voltage.

【0047】そのため前記発振エッジ回路33からパル
ス信号で、パルス幅変調回路41をセットし、Qバー端
子の信号をローレベルし、パワーMOSFET30をO
Nしても、前記パルス幅変調回路41は発振レベル比較
回路39からハイレベルの信号でリセットし、Qバー端
子の信号をハイレベルとなり、パワーMOSFET30
をOFFにするので、二次側電圧が制御できず低下し過
ぎる。
Therefore, the pulse width modulation circuit 41 is set by the pulse signal from the oscillation edge circuit 33, the signal at the Q bar terminal is set to low level, and the power MOSFET 30 is turned off.
Even if N, the pulse width modulation circuit 41 is reset by the high level signal from the oscillation level comparison circuit 39, the signal at the Q bar terminal becomes high level, and the power MOSFET 30
Is turned off, so that the secondary side voltage cannot be controlled and drops too much.

【0048】本発明はそこでパッケージPの端子とパ
ワーMOSFET30のゲート信号ライン間にゲート信
号ラインをカソードとしたダイオード48を接続し、パ
ワーMOSFET30がOFF時のみに前記抵抗67に
生じるフィードバックされる過分な電流を前記ダイオー
ド48を介し消費し、フィードバック電圧が低下するよ
うにしている。従って二次側電圧が基準電圧以下になれ
ば、前述と同様にして再びパワーMOSFET30をO
Nし、二次側電圧を上昇させる。
According to the present invention, a diode 48 having a gate signal line as a cathode is connected between the terminal of the package P and the gate signal line of the power MOSFET 30, and an excessive feedback generated in the resistor 67 is generated only when the power MOSFET 30 is OFF. The current is consumed through the diode 48 so that the feedback voltage decreases. Therefore, when the secondary voltage becomes lower than the reference voltage, the power MOSFET 30 is turned off again as described above.
N, and increase the secondary side voltage.

【0049】尚、前記ダイオード48のアノードが接続
されたパッケージPの端子にコンデンサ74を接続
し、そのコンデンサ74の容量の大きさを変えることに
より、前記ダイオード48を介し消費されて検出電圧が
低下される速度が変えられるようにしている。
A capacitor 74 is connected to the terminal of the package P to which the anode of the diode 48 is connected, and the capacitance of the capacitor 74 is changed to reduce the detection voltage which is consumed through the diode 48. The speed at which it is done can be changed.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明のスイッチング電源回路はフォト
カプラよりフィードバックされる電圧を取り出す信号路
にダイオードを接続し、前記パワーMOSFETがOF
F時にフィードバックされる過分な電流を前記ダイオー
ドを介して消費させので、軽負荷を接続したときでも二
次側電圧が基準電圧以下になれば、再びパワーMOSF
ETをONし、二次側電圧を上昇させることができる。
According to the switching power supply circuit of the present invention, a diode is connected to a signal path for extracting a voltage fed back from a photocoupler, and the power MOSFET is turned off.
Since excessive current fed back at the time of F is consumed via the diode, if the secondary voltage becomes lower than the reference voltage even when a light load is connected, the power MOSFET is again turned on.
ET can be turned on to increase the secondary voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のスイッチング電源回路に用いられた集
積回路のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an integrated circuit used in a switching power supply circuit of the present invention.

【図2】本発明のフィードバック電圧が低下するように
している。従って二次側電圧が基準電圧以下の回路図で
ある。
FIG. 2 shows a feedback voltage according to the present invention. Therefore, it is a circuit diagram in which the secondary voltage is equal to or lower than the reference voltage.

【図3】本発明のスイッチング電源回路に用いられたパ
ルス幅変調回路の各部分の波形図である。
FIG. 3 is a waveform diagram of each part of a pulse width modulation circuit used in the switching power supply circuit of the present invention.

【図4】従来のスイッチング電源回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional switching power supply circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 パワーMOSFET 32 発振回路 33 発振エッジ回路 34 ラッチ回路 35 基準電圧発生回路 39 発振レベル比較回路 41 パルス幅変調回路 44 インバータ回路 48 ダイオード 51 全波整流回路 53 トランス 54 一次側巻線 55 二次側巻線 56 バイアス巻線 62 フォトカプラ 63 発光ダイオード 64 フォトトランジスタ REFERENCE SIGNS LIST 30 power MOSFET 32 oscillation circuit 33 oscillation edge circuit 34 latch circuit 35 reference voltage generation circuit 39 oscillation level comparison circuit 41 pulse width modulation circuit 44 inverter circuit 48 diode 51 full-wave rectification circuit 53 transformer 54 primary winding 55 secondary winding Wire 56 bias winding 62 photocoupler 63 light emitting diode 64 phototransistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 商業電源を整流平滑した電圧が加えら
れ、一次側巻線に接続されたパワーMOSFETをON
/OFFさせて二次側巻線に負荷電圧を取り出すトラン
スと、 前記二次側巻線に生じる負荷電圧を検出するフォトカプ
ラと、 発振回路よりの信号で前記パワーMOSFETをONさ
せる信号を発生させ、フォトカプラにてフィードバック
される電圧に基づいてパワーMOSFETをOFFさせ
る信号を発生させパルス幅変調回路とよりなり、 前記フォトカプラよりフィードバックされる電圧を取り
出す信号路にダイオードを接続し、前記パワーMOSF
ETがOFF時にフィードバックされる過分な電流を前
記ダイオードを介して消費させることを特徴とするスイ
ッチング電源回路。
1. A voltage obtained by rectifying and smoothing a commercial power supply is applied, and a power MOSFET connected to a primary winding is turned on.
And a photocoupler for detecting a load voltage generated in the secondary winding, and a signal for turning on the power MOSFET by a signal from an oscillation circuit. A pulse width modulation circuit for generating a signal for turning off the power MOSFET based on a voltage fed back by the photocoupler, connecting a diode to a signal path for extracting a voltage fed back from the photocoupler,
A switching power supply circuit characterized in that excessive current fed back when ET is turned off is consumed via the diode.
【請求項2】 商業電源を整流平滑した電圧が加えられ
且つパワーMOSFETのドレイン電極・ソース電極が
接続された一次側巻線と出力電圧を取り出す二次側巻線
とを有するトランスと、 前記二次側巻線に生じる負荷電圧に応じて発光する発光
ダイオードと、該発光ダイオードの光を受光しインピー
ダンスを変化させるフォトトランジスタとよりなるフォ
トカプラと、 発振回路からの発振信号に基づいてパワーMOSFET
をONさせる信号を発生させ、フォトカプラにてフィー
ドバックされる電圧に基づいてパワーMOSFETをO
FFさせる信号を発生させパルス幅変調回路と、 前記フォトカプラよりフィードバックされる電圧を取り
出す信号路に接続されたダイオードとよりなり、 前記発振回路からの発振信号に基づいてパルス変調回路
より発生される信号でパワーMOSFETをONさせ、
トランスの一次側巻線に電流を流し、二次側巻線に生じ
る負荷電圧が所定電圧以上になったとき、フォトトラン
ジスタを介してフィードバックされる電圧に基づいてパ
ルス幅変調回路から発生される信号でパワーMOSFE
TをOFFさせ、 前記パワーMOSFETがOFF時にフォトトランジス
タにフィードバックされる過分な電流を前記ダイオード
を介して消費させることを特徴とするスイッチング電源
回路。
2. A transformer having a primary winding to which a voltage obtained by rectifying and smoothing a commercial power supply is applied and to which a drain electrode and a source electrode of a power MOSFET are connected, and a secondary winding for extracting an output voltage; A photocoupler including a light emitting diode that emits light in accordance with a load voltage generated in the next winding, a phototransistor that receives light from the light emitting diode and changes impedance, and a power MOSFET based on an oscillation signal from an oscillation circuit.
Is turned on, and the power MOSFET is turned on based on the voltage fed back by the photocoupler.
A pulse width modulation circuit for generating a signal to be flipped, and a diode connected to a signal path for extracting a voltage fed back from the photocoupler, generated by the pulse modulation circuit based on an oscillation signal from the oscillation circuit Turn on the power MOSFET with the signal,
A signal generated by a pulse width modulation circuit based on the voltage fed back via a phototransistor when a current flows through the primary winding of a transformer and the load voltage generated on the secondary winding exceeds a predetermined voltage. Power MOSFE
A switching power supply circuit, wherein T is turned off, and an excessive current fed back to a phototransistor when the power MOSFET is turned off is consumed via the diode.
【請求項3】 前記パルス幅変調回路はRS−FFであ
ることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のスイッ
チング電源回路。
3. The switching power supply circuit according to claim 1, wherein the pulse width modulation circuit is an RS-FF.
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