JP2002353395A - Lead frame manufacturing method, lead frame, and semiconductor device - Google Patents
Lead frame manufacturing method, lead frame, and semiconductor deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コイニング加工によりダイパッドを薄厚にし
てもリードフレームに歪が生じることのないリードフレ
ームの製造方法、リードフレーム、及び半導体装置を提
供すること。
【解決手段】 リード12と、ダイパッド13と、該ダ
イパッド13と一体化して成る複数のサポートバー11
とを金属帯条10に形成する加工工程と、該サポートバ
ー11と一体化して成るダイパッド13を、該サポート
バー11毎に分割することにより、互いに離間した複数
片のダイパッド13に分割する分割工程と、この分割工
程の後、上記複数片のダイパッド13の各々の少なくと
も一方の主面13cにコイニング加工を施して上記複数
片のダイパッド13を薄厚にするコイニング工程とを含
むことを特徴とするリードフレームの製造方法による。
(57) [Problem] To provide a lead frame manufacturing method, a lead frame, and a semiconductor device that do not cause distortion in a lead frame even when a die pad is thinned by coining. SOLUTION: A lead 12, a die pad 13, and a plurality of support bars 11 integrated with the die pad 13.
And a dividing step of dividing the die pad 13 formed integrally with the support bar 11 into a plurality of separated die pads 13 by dividing the die pad 13 for each of the support bars 11. And a coining step of, after the dividing step, performing a coining process on at least one main surface 13c of each of the plurality of die pads 13 to make the plurality of die pads 13 thin. It depends on the method of manufacturing the frame.
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームの
製造方法、リードフレーム、及び半導体装置に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, a lead frame, and a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年の電子機器の小型化に伴い、その電
子機器に搭載される半導体装置の小型化が要求されてい
る。半導体装置には種々のタイプがあるが、旧来から用
いられているものに、リードフレームに半導体素子を搭
載して成るものがある。この従来例に係る半導体装置の
断面を図5(a)に示す。2. Description of the Related Art With the recent miniaturization of electronic devices, there is a demand for miniaturization of semiconductor devices mounted on the electronic devices. 2. Description of the Related Art There are various types of semiconductor devices, and one that has been used from the past includes a semiconductor device mounted on a lead frame. FIG. 5A shows a cross section of the semiconductor device according to the conventional example.
【0003】同図に示されるように、この従来例に係る
半導体装置30では、リードフレーム31のダイパッド
31a上に半導体素子34が固着され、該半導体素子3
4の電極端子(不図示)とリードフレーム31のリード
31bとがボンディングワイヤ32を介してワイヤボン
ディングされる。図中、33は、半導体素子34とボン
ディングワイヤ32とを封止する封止体である。As shown in FIG. 1, in a conventional semiconductor device 30, a semiconductor element 34 is fixed on a die pad 31a of a lead frame 31.
The electrode terminals 4 (not shown) and the leads 31 b of the lead frame 31 are wire-bonded via bonding wires 32. In the figure, reference numeral 33 denotes a sealing body for sealing the semiconductor element 34 and the bonding wires 32.
【0004】図示の如く、リードフレーム31のリード
31bは、ガルウィング状に曲げ加工されること無し
に、この封止体33の外周から僅かに突出しているだけ
である。このようなリード31bを備えた半導体装置を
QFN(Quad FlatNon−lead)タイプ
の半導体装置という。QFNタイプの半導体装置では、
上記のようにリードがガルウィング状に曲げ加工されて
おらず、また外部に大きく突出していないので、そのサ
イズを半導体素子のサイズにまで近づけることができ
る。[0004] As shown in the figure, the lead 31b of the lead frame 31 only slightly projects from the outer periphery of the sealing body 33 without being bent into a gull-wing shape. A semiconductor device provided with such leads 31b is called a QFN (Quad Flat Non-lead) type semiconductor device. In a QFN type semiconductor device,
As described above, since the lead is not bent into a gull-wing shape and does not protrude significantly outside, the size can be made close to the size of the semiconductor element.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、この半導体
装置30においては、ダイパッド31aの裏面、即ち半
導体素子34が固着されていな方の面が、封止されずに
外部に露出している。この構造では、半導体素子34で
発生する熱が外部に効率良く放熱されるという利点があ
る一方、ダイパッド31aと封止体33との間から水分
が浸入し、半導体素子34が水分により所望に機能しな
くなる恐れがある。加えて、マザーボード等の実装基板
の端子部にダイパッド31aが触れると該端子部同士が
ショートしてしまうから、ダイパッド31aの下に端子
部がこないように実装基板を設計しなければならない。
このことで、実装基板の設計に制限を与えなければなら
ないという不都合が生じる。In the semiconductor device 30, the back surface of the die pad 31a, that is, the surface on which the semiconductor element 34 is not fixed is exposed outside without being sealed. This structure has the advantage that the heat generated in the semiconductor element 34 is efficiently radiated to the outside, while moisture penetrates between the die pad 31a and the sealing body 33, and the semiconductor element 34 functions as desired by the moisture. May be lost. In addition, when the die pad 31a touches a terminal portion of a mounting substrate such as a motherboard, the terminal portions are short-circuited. Therefore, the mounting substrate must be designed so that the terminal portion does not come under the die pad 31a.
This causes a disadvantage that the design of the mounting board must be limited.
【0006】これらの不都合を回避するため、従来、図
5(b)に示される半導体装置が提案されている。この
半導体装置35では、サポートバー(不図示)を曲げ加
工することによりダイパッド31aを上方に浮かせ、ダ
イパッド31aの裏面にまで封止体33を回り込ませる
ことにより、ダイパッド31aが外部に露出しないよう
にしている。しかしながら、この構造では、サポートバ
ーの曲げの深さの分だけ半導体装置35の厚みtが厚く
なるという新たな不都合が生じる。In order to avoid these disadvantages, a semiconductor device shown in FIG. 5B has been proposed. In this semiconductor device 35, the die pad 31a is lifted upward by bending a support bar (not shown), and the sealing body 33 is turned around to the back surface of the die pad 31a so that the die pad 31a is not exposed to the outside. ing. However, with this structure, there is a new inconvenience that the thickness t of the semiconductor device 35 is increased by the bending depth of the support bar.
【0007】この不都合を回避するため、更に図5
(c)に示される半導体装置が提案されている。この半
導体装置36では、サポートバーを曲げ加工するのでは
なく、ダイパッド31aの裏面にハーフエッチングを施
してダイパッド31aを薄厚にし、該裏面を封止体33
で覆うことにより、ダイパッド31aが外部に露出しな
いようにしている。しかしながら、ハーフエッチングは
一般に高価なので、このようにハーフエッチングを施す
のでは、半導体装置の製造コストが上昇するという更な
る問題が生じる。To avoid this inconvenience, FIG.
A semiconductor device shown in (c) has been proposed. In this semiconductor device 36, instead of bending the support bar, the back surface of the die pad 31 a is subjected to half etching to make the die pad 31 a thin, and the back surface is sealed with a sealing body 33.
By this, the die pad 31a is not exposed to the outside. However, since half-etching is generally expensive, applying such half-etching causes a further problem of increasing the manufacturing cost of the semiconductor device.
【0008】そこで、ハーフエッチングに代えてコイニ
ング加工によりダイパッド31aを薄厚にすることも考
えられる。しかし、コイニング加工では、薄厚になった
分だけ材料が伸張するので、ダイパッド31aという広
範な領域をコイニング加工すると、その伸張の度合も甚
だしくなり、リードフレーム全体に歪が生じるという更
なる問題が起きる。Therefore, it is conceivable to reduce the thickness of the die pad 31a by coining instead of half etching. However, in the coining process, since the material is stretched by an amount corresponding to the reduced thickness, if a wide area such as the die pad 31a is coined, the extent of the stretching becomes extremely large, causing a further problem that the entire lead frame is distorted. .
【0009】本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作
されたものであり、コイニング加工によりダイパッドを
薄厚にしてもリードフレームに歪が生じることのないリ
ードフレームの製造方法、リードフレーム、及び半導体
装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the related art, and a lead frame manufacturing method, a lead frame, and a lead frame which do not generate distortion even when a die pad is thinned by coining. It is an object to provide a semiconductor device.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第1の
発明である、リードと、ダイパッドと、該ダイパッドと
一体化して成る複数のサポートバーとを金属帯条に形成
する加工工程と、前記サポートバーと一体化して成る前
記ダイパッドを、該サポートバー毎に分割することによ
り、互いに離間した複数片のダイパッドに分割する分割
工程と、前記分割工程の後、前記複数片のダイパッドの
各々の少なくとも一方の主面にコイニング加工を施して
前記複数片のダイパッドを薄厚にするコイニング工程と
を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法によ
って解決する。The first object of the present invention is to provide a process for forming a lead, a die pad, and a plurality of support bars integrated with the die pad on a metal strip. A dividing step of dividing the die pad integrated with the support bar into a plurality of die pads separated from each other by dividing the support bar into a plurality of die pads separated from each other; A coining step of subjecting at least one main surface to coining to reduce the thickness of the plurality of die pads.
【0011】又は、第2の発明である、前記加工工程と
前記分割工程とを同時に行うことを特徴とする第1の発
明に記載のリードフレームの製造方法によって解決す
る。又は、第3の発明である、前記分割工程において、
前記複数片のダイパッドの各々の形状が概略矩形に分割
され、前記矩形の2つの対角線のうちの一方の対角線
が、前記サポートバーの仮想延長上にあることを特徴と
する第1の発明又は第2の発明に記載のリードフレーム
の製造方法によって解決する。Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame according to the first invention, wherein the processing step and the dividing step are simultaneously performed. Or, in the dividing step of the third invention,
The first invention or the first invention, wherein the shape of each of the plurality of die pads is roughly divided into a rectangle, and one of the two diagonals of the rectangle is on a virtual extension of the support bar. According to a second aspect of the invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame.
【0012】又は、第4の発明である、前記分割工程に
おいて、前記複数片のダイパッドの各々の形状が概略直
角三角形に分割され、前記直角三角形の直角を挟む二辺
のうちの一方の辺が、前記サポートバーの仮想延長上に
あることを特徴とする第1の発明又は第2の発明に記載
のリードフレームの製造方法によって解決する。又は、
第5の発明である、第1の発明乃至第4の発明のいずれ
か一の発明に記載のリードフレームの製造方法により製
造されたリードフレームと、前記複数片のダイパッドの
主面の反対面に固着された半導体素子と、前記半導体素
子の電極端子と前記リードとを電気的に接続するボンデ
ィングワイヤと、少なくとも前記ダイパッドの主面を封
止する封止体とを備えたことを特徴とする半導体装置に
よって解決する。In a fourth aspect of the present invention, in the dividing step, the shape of each of the plurality of die pads is divided into substantially right triangles, and one of two sides sandwiching a right angle of the right triangle is formed. According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame, the method being provided on a virtual extension of the support bar. Or
A lead frame manufactured by the lead frame manufacturing method according to any one of the first to fourth inventions, which is a fifth invention, and a lead frame opposite to a main surface of the plurality of die pads. A semiconductor comprising: a fixed semiconductor element; a bonding wire for electrically connecting an electrode terminal of the semiconductor element to the lead; and a sealing body for sealing at least a main surface of the die pad. Settle by device.
【0013】又は、第6の発明である、リードと、複数
片に分割されたダイパッドと、前記分割されたダイパッ
ドの各々と一体化して成る複数のサポートバーとを備
え、前記ダイパッドが、前記サポートバーよりも薄厚で
あることを特徴とするリードフレームによって解決す
る。又は、第7の発明である、前記複数片のダイパッド
の各々の形状が概略矩形であり、前記矩形の2つの対角
線のうちの一方の対角線が、前記サポートバーの仮想延
長上にあることを特徴とする第6の発明に記載のリード
フレームによって解決する。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a lead, a die pad divided into a plurality of pieces, and a plurality of support bars integrated with each of the divided die pads. The problem is solved by a lead frame characterized by being thinner than the bar. Alternatively, in the seventh invention, the shape of each of the plurality of die pads is substantially rectangular, and one of two diagonals of the rectangle is on a virtual extension of the support bar. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a lead frame.
【0014】又は、第8の発明である、前記複数片のダ
イパッドの各々の形状が概略直角三角形であり、前記直
角三角形の直角を挟む二辺のうちの一方の辺が、略前記
サポートバーの仮想延長上にあることを特徴とする第6
の発明に記載のリードフレームによって解決する。次
に、本発明の作用について説明する。According to an eighth aspect of the present invention, the shape of each of the plurality of die pads is a substantially right triangle, and one of two sides sandwiching a right angle of the right triangle substantially corresponds to the support bar. The sixth feature is on a virtual extension.
The invention is solved by the lead frame according to the invention. Next, the operation of the present invention will be described.
【0015】本発明に係るリードフレームの製造方法に
よれば、加工工程において、リードと、ダイパッドと、
該ダイパッドと一体化して成る複数のサポートバーとを
金属帯条に形成する。その後、分割工程において、上記
サポートバーと一体化して成るダイパッドを、該サポー
トバー毎に分割することにより、互いに離間した複数片
のダイパッドに分割する。しかる後、コイニング工程に
おいて、上記複数片のダイパッドの各々の少なくとも一
方の主面にコイニング加工を施して上記複数片のダイパ
ッドを薄厚にする。According to the lead frame manufacturing method of the present invention, in the processing step, the lead, the die pad,
A plurality of support bars integrated with the die pad are formed on a metal strip. Thereafter, in a dividing step, the die pad integrated with the support bar is divided into a plurality of die pads separated from each other by dividing the die pad into the support bars. Thereafter, in the coining step, at least one main surface of each of the plurality of die pads is subjected to coining to reduce the thickness of the plurality of die pads.
【0016】コイニング加工では、薄厚となる分だけ材
料が伸張するが、本発明では、分割工程において既にダ
イパッドが複数片に分割されて互いに離間しているの
で、コイニング工程でダイパッドにコイニング加工をし
ても、ダイパッドの伸張がダイパッド間のスペースに逃
がされるので、リードフレームに歪が生じることが無
い。In the coining process, the material is stretched by an amount corresponding to the thinning. However, in the present invention, the die pad is divided into a plurality of pieces and separated from each other in the dividing step. However, since the extension of the die pad is released to the space between the die pads, no distortion occurs in the lead frame.
【0017】また、上記加工工程と分割工程とを同時に
行うと、リードフレームの製造工程が短縮されるという
利点が生じる。更に、複数片のダイパッドの各々の形状
が概略直角三角形であり、この直角三角形の直角を挟む
二辺のうちの一方の辺が、サポートバーの仮想延長上に
あるようにしても良い。このようにすると、コイニング
工程によるダイパッドの伸張が、該ダイパッド同士が接
近しない方向にも生じるようになるので、伸張によりダ
イパッド同士が干渉する危険性が低減される。これによ
り、コイニング工程の加工精度をシビアにコントロール
する必要が無くなる。Further, when the above-described processing step and the dividing step are performed simultaneously, there is an advantage that the manufacturing process of the lead frame is shortened. Further, the shape of each of the plurality of die pads may be a substantially right triangle, and one of the two sides sandwiching the right angle of the right triangle may be on the virtual extension of the support bar. With this configuration, the die pad is expanded in the coining step even in a direction in which the die pads do not approach each other, so that the risk of interference between the die pads due to the expansion is reduced. This eliminates the need to control the processing accuracy of the coining process severely.
【0018】一方、本発明に係る半導体装置によれば、
上で製造されたリードフレームと、上記複数片のダイパ
ッドの主面の反対面に固着された半導体素子と、この半
導体素子の電極端子と上記リードとを電気的に接続する
ボンディングワイヤと、少なくとも上記ダイパッドの主
面を封止する封止体とを備えている。この構造では、ダ
イパッドが封止体に覆われて半導体装置の外部に露出し
ないので、ダイパッドと封止体との間から水分が浸入す
る恐れや、実装基板の設計に制限が生じるという不都合
が生じることが無い。On the other hand, according to the semiconductor device of the present invention,
The lead frame manufactured above, a semiconductor element fixed to a surface opposite to the main surface of the plurality of die pads, a bonding wire for electrically connecting an electrode terminal of the semiconductor element and the lead, A sealing body for sealing the main surface of the die pad. In this structure, since the die pad is covered with the sealing body and is not exposed to the outside of the semiconductor device, there is a risk that moisture may enter from between the die pad and the sealing body, and the design of the mounting substrate may be limited. There is nothing.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。図1(a)及び
(b)は、本実施形態に係るリードフレームの製造方法
について示す平面図である。まず最初に、図1(a)に
示すように、リード12と、ダイパッド13と、該ダイ
パッド13と一体化して成るサポートバー11とを金属
帯条10に形成する。この加工工程はプレスによる抜き
加工により行われ、また、金属帯条10は例えば銅から
成る。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are plan views showing a method for manufacturing a lead frame according to the present embodiment. First, as shown in FIG. 1A, a lead 12, a die pad 13, and a support bar 11 integrated with the die pad 13 are formed on a metal strip 10. This processing step is performed by punching with a press, and the metal strip 10 is made of, for example, copper.
【0020】図示の如く、ダイパッド13は、それと一
体化して成るサポートバー11毎に複数片に分割されて
いる。ダイパッド13を分割する分割工程は、上記の加
工工程と同時に行っても良いし、或いは加工工程後にプ
レス加工により別途行っても良い。同時に行う場合に
は、製造工程が短縮されるという利点がある。図示の例
では、複数片のダイパッド13の各々の形状が概略矩形
であり、この矩形の2つの対角線のうちの一方の対角線
13aが、サポートバー11の仮想延長上にある。As shown, the die pad 13 is divided into a plurality of pieces for each support bar 11 integrated therewith. The dividing step of dividing the die pad 13 may be performed simultaneously with the above-described processing step, or may be separately performed by pressing after the processing step. When they are performed simultaneously, there is an advantage that the manufacturing process is shortened. In the illustrated example, the shape of each of the plurality of die pads 13 is substantially rectangular, and one diagonal line 13 a of two diagonal lines of this rectangle is on a virtual extension of the support bar 11.
【0021】しかる後、図1(b)に示すように、斜線
で示されるコイニング領域にコイニング加工を施す。こ
こでは、コイニング領域の全域に金型(不図示)が押し
当てられて、ダイパッド13がサポートバー11よりも
薄厚になる。かかるコイニング加工はダイパッド13を
薄厚にすべく行われるから、コイニング領域は分割され
た全てのダイパッド13を包含するものであれば良く、
サポートバー11の先端部位にもコイニングが施されて
も構わない。Thereafter, as shown in FIG. 1B, coining is performed on the coining area indicated by oblique lines. Here, a die (not shown) is pressed over the entire coining area, and the die pad 13 becomes thinner than the support bar 11. Since such coining is performed to reduce the thickness of the die pad 13, the coining region only needs to include all of the divided die pads 13.
Coining may be applied to the tip of the support bar 11.
【0022】コイニング領域は、コイニング加工で薄厚
となった分だけ伸張するが、既にダイパッド13が分割
されて互いに離間しているので、ダイパッド13間のス
ペースSに伸張を逃がすことができ、ダイパッド13や
サポートバー11に歪みが生じることが無い。更に、高
価なハーフエッチングによってではなく、安価なコイニ
ング加工によってダイパッド13を薄厚にしているの
で、リードフレームの製造コストが安価になるという利
点が本発明にはある。The coining area is extended by the thickness reduced by the coining process. However, since the die pad 13 is already divided and separated from each other, the extension can be released to the space S between the die pads 13. Also, no distortion occurs in the support bar 11. Further, the present invention has an advantage that the manufacturing cost of the lead frame is reduced because the die pad 13 is made thinner by inexpensive coining processing, not by expensive half etching.
【0023】図1(c)は、図1(b)のA−A線によ
る断面図であるが、それに示されるように、元々約0.
2mmの厚みを有していたコイニングエリアが、コイニ
ング加工により、約0.05〜0.10mm程度にまで
薄厚にされる。但し、これは本発明がこの値に限定され
ることを言うのではない。金属帯条10の厚みや、コイ
ニング加工による加工深さは、諸般の事情を考慮して任
意に設定して良い。FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1B. As shown in FIG.
The coining area having a thickness of 2 mm is thinned to about 0.05 to 0.10 mm by coining. However, this does not mean that the present invention is limited to this value. The thickness of the metal strip 10 and the working depth by coining may be arbitrarily set in consideration of various circumstances.
【0024】また、図示の例では、ダイパッド13の2
つの主面13c、13dのうち、一方の主面13c側か
ら金型が押し当てられて、該一方の主面13cのみにコ
イニング加工が施されているが、場合によっては両主面
13c、13dにコイニング加工を施しても良い。しか
る後は、必要個所にめっきを施す等の公知の工程を行
い、本実施形態に係るリードフレームを完成させる。Further, in the example shown in FIG.
Of the two main surfaces 13c and 13d, a mold is pressed from one main surface 13c side, and coining is performed only on the one main surface 13c. In some cases, both main surfaces 13c and 13d are subjected to coining. May be subjected to coining. Thereafter, a known process such as plating a necessary portion is performed to complete the lead frame according to the present embodiment.
【0025】ダイパッド13の分割の仕方は上記に限定
されない。サポートバー11毎に分割されるのであれば
ダイパッド13は任意形状として良く、図3(a)に例
示する様な形状であっても良い。図3(a)の例では、
複数片のダイパッド13の各々の形状が概略直角三角形
であり、この直角三角形の直角Rを挟む二辺13b、1
3eのうちの一方の辺13bが、略サポートバー11の
仮想延長上にある。ここで、この「辺13bが、”略”
サポートバー11の仮想延長上にある」という意味を説
明するために、図3(b)を参照する。図3(b)は、
コイニング工程後における、図3(a)のダイパッド1
3の拡大平面図である。それに示されるように、ダイパ
ッド13は、コイニング工程により伸張する。そして、
この伸張により、ダイパッド13の一辺13bはサポー
トバー11の仮想延長上からずれる。しかし、そのずれ
量は僅かで、当該一辺13bは、仮想延長に近接した位
置にあり、”略”仮想延長上にある。すなわち、上記し
た「辺13bが、”略”サポートバー11の仮想延長上
にある」とは、辺13bがサポートバー11の仮想延長
上に正確になければならないというのではなく、コイニ
ングによって、当該仮想延長上から或る程度ずれても良
いという意味である。The method of dividing the die pad 13 is not limited to the above. If the die pad 13 is divided for each support bar 11, the die pad 13 may have an arbitrary shape, and may have a shape as illustrated in FIG. In the example of FIG.
The shape of each of the plurality of die pads 13 is substantially a right triangle, and two sides 13b, 1
One side 13b of 3e is substantially on the virtual extension of the support bar 11. Here, this “side 13b is“ substantially ”
It is on the virtual extension of the support bar 11, and FIG. FIG. 3 (b)
After the coining process, the die pad 1 shown in FIG.
3 is an enlarged plan view of FIG. As shown therein, the die pad 13 is extended by a coining process. And
Due to this extension, one side 13b of the die pad 13 is shifted from the virtual extension of the support bar 11. However, the shift amount is slight, and the one side 13b is located at a position close to the virtual extension, and is substantially “on” the virtual extension. That is, “the side 13b is“ substantially ”on the virtual extension of the support bar 11” does not mean that the side 13b must be exactly on the virtual extension of the support bar 11; This means that it may be shifted to some extent from the virtual extension.
【0026】ところで、ダイパッド13が、図3(a)
のように概略直角三角形であると、図1(b)に示され
る形状に比べ、コイニング工程の加工精度をシビアにコ
ントロールする必要が無くなるという利点が得られる。
これについて図4を参照して説明する。図4(a)は、
ダイパッド13の形状が概略矩形の場合であって、図1
(b)で示したものに他ならない。この場合では、コイ
ニング工程によって、図中の矢印の方向にダイパッド1
3が伸張する。図より明らかなように、ダイパッド13
は、互いに接近する方向に伸張する。By the way, the die pad 13 corresponds to FIG.
When the shape is a substantially right triangle as described above, there is an advantage that it is not necessary to control the processing accuracy of the coining process severely as compared with the shape shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 4 (a)
FIG. 1 shows a case where the shape of the die pad 13 is substantially rectangular.
This is nothing but the one shown in (b). In this case, the die pad 1 is moved in the direction of the arrow in the drawing by the coining process.
3 expands. As is clear from the figure, the die pad 13
Extend in directions approaching each other.
【0027】一方、図4(b)は、ダイパッドが概略直
角三角形の場合であって、図3(a)で示したものに他
ならない。この場合では、コイニング工程によって、図
中の矢印A、B、Cの方向にダイパッド13が伸張す
る。このうち、矢印B、Cは、ダイパッド13同士が互
いに接近する方向の伸張を示すが、矢印Aは、ダイパッ
ド13同士が接近しない方向の伸張を示す。このよう
に、ダイパッド13の伸張の中には、矢印Aのようにダ
イパッド13同士が接近しない方向のものがある。これ
により、伸張によってダイパッド13同士が干渉する危
険性が低減されるので、コイニング工程の加工精度をシ
ビアにコントロールする必要が無くなる。On the other hand, FIG. 4B shows a case where the die pad is a substantially right-angled triangle, which is nothing but the one shown in FIG. 3A. In this case, the die pad 13 is extended in the directions of arrows A, B, and C in the drawing by the coining process. Among these, arrows B and C indicate the extension in the direction in which the die pads 13 approach each other, while arrow A indicates the extension in the direction in which the die pads 13 do not approach each other. As described above, some of the extensions of the die pad 13 are in the direction in which the die pads 13 do not approach each other as indicated by the arrow A. This reduces the risk of the die pads 13 interfering with each other due to the extension, so that it is not necessary to control the processing accuracy of the coining process severely.
【0028】リードフレームを完成させた後は、公知の
工程を経て、図2(a)に示される様な半導体装置14
を完成させる。図2(a)は、上記製造方法により製造
されたリードフレームに半導体素子15を搭載して成る
半導体装置14の平面図である。図2(a)に示すよう
に、この半導体装置14では、分割されたダイパッド1
3の上に半導体素子15が固着されている。この固着
は、例えば、銀ペースト等を介して行われる。After the completion of the lead frame, the semiconductor device 14 shown in FIG.
To complete. FIG. 2A is a plan view of a semiconductor device 14 in which a semiconductor element 15 is mounted on a lead frame manufactured by the above manufacturing method. As shown in FIG. 2A, in the semiconductor device 14, the divided die pad 1
The semiconductor element 15 is fixed on the semiconductor device 3. This fixing is performed, for example, via a silver paste or the like.
【0029】図2(b)は、図2(a)のB−B線によ
る断面図であるが、それに示されるように、半導体素子
15の電極端子(不図示)は、ボンディングワイヤ16
を介してリード12の先端部位と電気的に接続されてい
る。ボンディングワイヤ16は例えば金線から成る。こ
れら半導体素子15とボンディングワイヤ16とは、封
止体17により封止されており、外気に曝されるのが防
がれている。封止体17は、例えば樹脂やセラミック等
から成る。FIG. 2B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 2A. As shown in FIG. 2B, the electrode terminals (not shown) of the semiconductor element 15
Is electrically connected to the leading end of the lead 12 via The bonding wire 16 is made of, for example, a gold wire. The semiconductor element 15 and the bonding wire 16 are sealed by a sealing body 17 to prevent exposure to the outside air. The sealing body 17 is made of, for example, resin or ceramic.
【0030】そして、リード12に着目すれば、それは
曲げ加工されること無しに、その一方の主面が半導体装
置14の裏面に露出している。露出している主面は、半
導体装置14の外部接続端子部として供す。これらの特
徴により、半導体装置14は所謂QFNタイプの半導体
装置であるが、勿論、本発明がQFNタイプに限定され
るわけではなく、例えば、QFP(Quad Flat
Package)タイプの半導体装置にも本発明を適
用することができる。Focusing on the lead 12, one main surface of the lead 12 is exposed on the back surface of the semiconductor device 14 without being bent. The exposed main surface serves as an external connection terminal of the semiconductor device 14. Due to these characteristics, the semiconductor device 14 is a so-called QFN type semiconductor device. However, of course, the present invention is not limited to the QFN type, and for example, a QFP (Quad Flat) may be used.
The present invention is also applicable to a (Package) type semiconductor device.
【0031】図2(c)は、図2(a)のC−C線によ
る断面図である。これに示すように、半導体素子15
は、ダイパッド13の2つの主面13c、13dのう
ち、コイニング加工が施されていない側の主面13d上
に固着されている。そして、コイニング加工が施された
側の主面13cが封止体17で封止されて、ダイパッド
13が半導体装置14の外部に露出しない構造となって
いる。この構造には、ダイパッド13と封止体17との
間から水分が浸入しないという利点や、マザーボード等
の実装基板(不図示)の設計に制限を与えないといった
利点がある。FIG. 2C is a sectional view taken along line CC of FIG. 2A. As shown in FIG.
Is fixed on the main surface 13d of the two main surfaces 13c and 13d of the die pad 13 which is not subjected to coining. Then, the main surface 13 c on the side subjected to coining is sealed by the sealing body 17 so that the die pad 13 is not exposed to the outside of the semiconductor device 14. This structure has an advantage that moisture does not enter from between the die pad 13 and the sealing body 17 and an advantage that it does not limit the design of a mounting board (not shown) such as a motherboard.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るリー
ドフレームの製造方法によれば、加工工程において、リ
ードと、ダイパッドと、該ダイパッドと一体化して成る
複数のサポートバーとを金属帯条に形成する。その後、
分割工程において、サポートバーと一体化して成る上記
ダイパッドを、該サポートバー毎に分割することによ
り、互いに離間した複数片のダイパッドに分割する。か
かる後、コイニング工程において、上記複数片のダイパ
ッドの各々の少なくとも一方の主面にコイニング加工を
施して上記複数片のダイパッドを薄厚にする。As described above, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, in the processing step, the lead, the die pad, and the plurality of support bars integrated with the die pad are formed in the metal strip. Formed. afterwards,
In the dividing step, the die pad integrally formed with the support bar is divided into a plurality of die pads separated from each other by dividing the die pad for each support bar. Thereafter, in a coining step, at least one main surface of each of the plurality of die pads is subjected to coining to reduce the thickness of the plurality of die pads.
【0033】これによれば、コイニング工程においてダ
イパッドを薄厚にしても、既にダイパッドが分割されて
互いに離間しているので、ダイパッドの伸張をダイパッ
ド間のスペースに逃がすことができ、リードフレームに
歪が生じることが無い。特に、複数片のダイパッドの各
々の形状が概略直角三角形であり、この直角三角形の直
角を挟む二辺のうちの一方の辺が、サポートバーの仮想
延長上にあるようにすると、コイニング工程の加工精度
をシビアにコントロールする必要が無くなる。According to this, even if the die pad is made thin in the coining step, the die pad is already divided and separated from each other, so that the expansion of the die pad can be released to the space between the die pads, and the distortion of the lead frame is reduced. It does not occur. In particular, when the shape of each of the plurality of die pads is substantially a right triangle and one of the two sides sandwiching the right angle of the right triangle is on the virtual extension of the support bar, the processing of the coining process is performed. There is no need to control the precision severely.
【0034】また、本発明に係る半導体装置によれば、
上記で製造されたリードフレームと、上記複数片のダイ
パッドの主面の反対面に固着された半導体素子と、この
半導体素子の電極端子と上記リードとを電気的に接続す
るボンディングワイヤと、少なくとも上記ダイパッドの
主面を封止する封止体とを備えている。この構造では、
ダイパッドが半導体装置の外部に露出しないので、ダイ
パッドと封止体との間から水分が浸入する恐れも無い
し、実装基板の設計に制限を与えることも無い。According to the semiconductor device of the present invention,
The lead frame manufactured as described above, a semiconductor element fixed to a surface opposite to the main surface of the plurality of die pads, a bonding wire for electrically connecting an electrode terminal of the semiconductor element and the lead, A sealing body for sealing the main surface of the die pad. In this structure,
Since the die pad is not exposed to the outside of the semiconductor device, there is no danger of moisture entering from between the die pad and the sealing body, and there is no restriction on the design of the mounting substrate.
【図1】 図1(a)及び(b)は、本発明の実施の形
態に係るリードフレームの製造方法について示す平面図
であり、図1(c)は、図1(b)のA−A線による断
面図である。1 (a) and 1 (b) are plan views showing a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (c) is a plan view of FIG. It is sectional drawing by the A line.
【図2】 図2(a)は、本発明の実施の形態に係るリ
ードフレームの製造方法により製造されたリードフレー
ムに半導体素子を搭載して成る半導体装置の平面図であ
り、図2(b)は、図2(a)のB−B線による断面図
であり、図2(c)は、図2(a)のC−C線による断
面図である。FIG. 2A is a plan view of a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a lead frame manufactured by a lead frame manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2) is a sectional view taken along line BB in FIG. 2A, and FIG. 2C is a sectional view taken along line CC in FIG. 2A.
【図3】 図3(a)は、本発明の実施の形態におい
て、ダイパッドの形状が概略三角形の場合の平面図であ
り、図3(b)は、概略三角形のダイパッドの拡大平面
図である。FIG. 3A is a plan view in the case where the shape of the die pad is a substantially triangular shape, and FIG. 3B is an enlarged plan view of the roughly triangular die pad in the embodiment of the present invention. .
【図4】 本発明の実施の形態において、ダイパッドの
形状が、概略三角形である場合の利点について説明する
平面図である。FIG. 4 is a plan view illustrating an advantage in a case where the shape of the die pad is substantially triangular in the embodiment of the present invention.
【図5】 従来例に係る半導体装置の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor device according to a conventional example.
10・・・金属帯条、 11・・・サポートバー、 12、31b・・・リード、 13、31a・・・ダイパッド、 13a・・・対角線、 13b、13e・・・直角三角形の直角を挟む2辺、 13c、13d・・・ダイパッドの2つの主面、 14、30、35、36・・・半導体装置、 15、34・・・半導体素子、 16、32・・・ボンディングワイヤ、 17、33・・・封止体、 31・・・リードフレーム、 S・・・スペース、 R・・・直角。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Metal strip, 11 ... Support bar, 12, 31b ... Lead, 13, 31a ... Die pad, 13a ... Diagonal line, 13b, 13e ... Side, 13c, 13d: two main surfaces of die pad, 14, 30, 35, 36: semiconductor device, 15, 34: semiconductor element, 16, 32: bonding wire, 17, 33 ..Sealed body, 31: Lead frame, S: Space, R: Right angle.
Claims (8)
と一体化して成る複数のサポートバーとを金属帯条に形
成する加工工程と、 前記サポートバーと一体化して成る前記ダイパッドを、
該サポートバー毎に分割することにより、互いに離間し
た複数片のダイパッドに分割する分割工程と、 前記分割工程の後、前記複数片のダイパッドの各々の少
なくとも一方の主面にコイニング加工を施して前記複数
片のダイパッドを薄厚にするコイニング工程とを含むこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。A processing step of forming a lead, a die pad, and a plurality of support bars integrated with the die pad on a metal strip; and forming the die pad integrated with the support bar,
By dividing the support bar, a dividing step of dividing into a plurality of die pads separated from each other, and after the dividing step, a coining process is performed on at least one main surface of each of the plurality of die pads to form a coin. A coining step of reducing the thickness of the plurality of die pads.
行うことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム
の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the processing step and the dividing step are performed simultaneously.
イパッドの各々の形状が概略矩形に分割され、前記矩形
の2つの対角線のうちの一方の対角線が、前記サポート
バーの仮想延長上にあることを特徴とする請求項1又は
請求項2に記載のリードフレームの製造方法。3. In the dividing step, the shape of each of the plurality of die pads is roughly divided into rectangles, and one of two diagonals of the rectangle is on a virtual extension of the support bar. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1 or 2, wherein:
イパッドの各々の形状が概略直角三角形に分割され、前
記直角三角形の直角を挟む二辺のうちの一方の辺が、前
記サポートバーの仮想延長上にあることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載のリードフレームの製造方
法。4. In the dividing step, the shape of each of the plurality of die pads is divided into substantially right triangles, and one of two sides sandwiching a right angle of the right triangle is a virtual extension of the support bar. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is located above.
記載のリードフレームの製造方法により製造されたリー
ドフレームと、 前記複数片のダイパッドの主面の反対面に固着された半
導体素子と、 前記半導体素子の電極端子と前記リードとを電気的に接
続するボンディングワイヤと、 少なくとも前記ダイパッドの主面を封止する封止体とを
備えたことを特徴とする半導体装置。5. A lead frame manufactured by the method for manufacturing a lead frame according to claim 1, and a semiconductor element fixed to a surface of the plurality of die pads opposite to a main surface thereof. A bonding wire for electrically connecting an electrode terminal of the semiconductor element to the lead; and a sealing body for sealing at least a main surface of the die pad.
のサポートバーとを備え、 前記ダイパッドが、前記サポートバーよりも薄厚である
ことを特徴とするリードフレーム。6. A lead, a die pad divided into a plurality of pieces, and a plurality of support bars integrated with each of the divided die pads, wherein the die pad is thinner than the support bar. A lead frame.
概略矩形であり、前記矩形の2つの対角線のうちの一方
の対角線が、前記サポートバーの仮想延長上にあること
を特徴とする請求項6に記載のリードフレーム。7. The shape of each of the plurality of die pads is substantially rectangular, and one of two diagonals of the rectangle is on a virtual extension of the support bar. 7. The lead frame according to 6.
概略直角三角形であり、前記直角三角形の直角を挟む二
辺のうちの一方の辺が、略前記サポートバーの仮想延長
上にあることを特徴とする請求項6に記載のリードフレ
ーム。8. The shape of each of the plurality of die pads is a substantially right triangle, and one of two sides sandwiching a right angle of the right triangle is substantially on a virtual extension of the support bar. The lead frame according to claim 6, wherein:
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2001156789A JP2002353395A (en) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Lead frame manufacturing method, lead frame, and semiconductor device |
| SG200203072A SG102051A1 (en) | 2001-05-25 | 2002-05-22 | Method of production of lead frame, lead frame, and semiconductor device |
| TW091110939A TWI221021B (en) | 2001-05-25 | 2002-05-23 | Method of production of lead frame, lead frame, and semiconductor device |
| KR1020020028815A KR20020090328A (en) | 2001-05-25 | 2002-05-24 | Method of production of lead frame, lead frame, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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- 2001-05-25 JP JP2001156789A patent/JP2002353395A/en active Pending
-
2002
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- 2002-05-23 TW TW091110939A patent/TWI221021B/en not_active IP Right Cessation
- 2002-05-24 KR KR1020020028815A patent/KR20020090328A/en not_active Withdrawn
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