JP2002353125A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型の基板であっても大型のノズルを使用す
ることなくレジスト膜厚等の制御を容易に行うことがで
きる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。 【解決手段】 基板Ｇが多面取りの大型のものであって
も、製品領域に応じて制御部７１の制御により、基板Ｇ
の１辺の略半分の長さの長ノズル６０ａと、１辺の略３
分の１の長さの短ノズル６０ｂとを使用しており、ノズ
ルの精度を低下させることなく製品領域ごとに均一にレ
ジストを供給することができる。また、ノズルを大型化
することによるノズルのスリットや吐出孔径等のばらつ
きを抑えることができるので、基板Ｇの製品領域に塗布
されるレジストの膜厚を均一にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等に使用されるガ
ラス基板に対し、レジスト液の塗布処理を行う基板処理
装置及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造工程において、ＬＣＤ用の
ガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電
極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に
用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用
される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジスト
をガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像す
る。

【０００３】レジストを塗布する塗布工程においては、
例えば、ガラス基板上中心にレジストを供給した後基板
を回転させ、その遠心力によりレジストを基板上で伸展
させて塗布する方法や、あるいはレジストを吐出するノ
ズルを矩形基板の縦横方向に走査させることで基板表面
全体にレジストを塗布する方法等がある。

【０００４】しかしながら、基板の縦横方向に走査させ
る方法は、ノズルが基板上を往復することにより、吐出
されたレジストが重なり合う部分が発生するため塗布膜
厚が不均一となるという問題があったが、矩形基板の長
辺又は短辺の長さに合わせた長尺状のスリットノズルを
使用することにより基板上を往復させる必要がなくな
り、かかる問題は解消されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし近年では、ガラ
ス基板は１辺が１ｍ以上にも及ぶ大型化の傾向にあり、
このような大型の基板にレジストを塗布する場合、基板
の１辺の長さに合わせて上記スリットノズルも長くしな
ければならないため、コストの高騰を招くおそれがあ
る。

【０００６】また、ノズルを長く形成しようとすると、
ノズルの加工精度及び組み立て精度が低下してしまう。
これにより、塗布されるレジストの膜厚制御等の精度も
低下するおそれがある。

【０００７】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、大型の基板であっても大型のノズルを使用すること
なくレジスト膜厚等の制御を容易に行うことができる基
板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【０００８】本発明の別の目的は、レジストの使用量を
削減することができる基板処理装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点は、基板に対して相対的に移動
しながら基板上に処理液を供給する長尺状の第１のノズ
ルと、前記第１のノズルの長さとは異なる長さを有し、
基板に対して相対的に移動しながら基板上に処理液を供
給する長尺状の第２のノズルと、前記第１のノズルと第
２のノズルとを選択的に切り替えて前記処理液の供給を
行う手段とを具備する。

【００１０】このような構成によれば、例えば、第１の
ノズルの長さを基板の１辺の半分の長さとし、第２のノ
ズルの長さを基板の１辺の３分の１の長さとすることに
より、当該基板が多面取りの大型のものであっても、ノ
ズルの精度を低下させることなく製品領域ごとに均一に
処理液を供給することができる。例えば、ノズルを大型
化することによるノズル精度の低下やばらつきを抑える
ことができるので、基板の製品領域に塗布される処理液
の膜厚を均一にすることができる。

【００１１】また、例えば、製品領域以外の領域におい
てノズルの往復動作による処理液供給が重なり合う場合
があっても、当該領域は製品領域ではないので、この領
域の膜厚が製品領域における膜厚より大きくなっても悪
影響はない。

【００１２】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル及び第２のノズルは、基板の長辺方向に前記長尺状
であって、基板の短辺方向に相対的に移動する。

【００１３】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル及び第２のノズルは、基板の短辺方向に前記長尺状
であって、基板の長辺方向に相対的に移動する。

【００１４】本発明の一の形態によれば、基板を水平に
載置させるとともに、前記第１のノズル及び第２のノズ
ルに対して相対的に、前記載置させた基板の長辺方向及
び短辺方向に移動可能な載置部を更に具備する。

【００１５】このような構成によれば、例えば、第１ノ
ズル及び第２のノズルを固定させて、基板の方を移動さ
せて処理液の供給を行うことにより、該ノズルを移動さ
せて行うよりも、ノズルからの処理液の吐出状態が安定
し、容易に膜厚均一性を確保することができる。特に、
第１ノズル及び第２のノズルの形状は長尺形状であり剛
性の問題もあるので、基板の方を移動させて塗布処理を
行う方が膜厚を均一に確保することができる。

【００１６】本発明の一の形態によれば、前記載置部の
下方に配置され、前記載置部とともに移動するスペース
と、前記スペース内で前記載置部に対して相対的に移動
可能に配置され、前記第１のノズル及び第２のノズルを
待機させる待機部とを更に具備する。

【００１７】このような構成によれば、載置部が待機部
に干渉することなく、載置部の移動範囲を確保でき、こ
れによりフットプリントを減少させることができる。

【００１８】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル及び第２のノズルを前記待機部から離間上昇させる
手段を更に具備する。

【００１９】このような構成によれば、第１のノズル及
び第２のノズルを待機部から離間上昇させたままの状態
で、すなわちノズルを移動させることなく、基板を水平
面内で移動させることにより処理液の供給が行える。

【００２０】本発明の一の形態によれば、前記スペース
から前記載置部にかけて昇降可能に配置され、外部との
間で基板の受け渡しを行う昇降ピンを更に具備する。

【００２１】このような構成によれば、例えば、塗布及
び現像処理等を連続的に行う塗布現像処理システムにお
いては、塗布処理装置以外の処理部との間で基板の受け
渡しが可能となり、インライン化することができる。

【００２２】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル又は第２のノズルのうち少なくとも一方を複数備
え、前記複数の第１のノズル又は第２のノズルから同時
に基板上に前記処理液を供給するように制御する制御部
を具備する。

【００２３】このような構成によれば、処理時間が例え
ば半分で済み、塗布処理時間を短縮させることができ
る。この場合においても、同時に使用される両ノズルの
間における基板上の領域の膜厚が均一とならなくても、
当該領域は製品領域ではないので、悪影響はない。

【００２４】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル及び第２のノズルへ前記処理液を供給する供給源
と、前記待機部に配置され、前記第１のノズル及び第２
のノズルから前記載置部外に吐出される処理液を収容す
る収容部と、前記収容部に収容された処理液を前記供給
源へ戻す手段とを更に具備する。

【００２５】このような構成によれば、処理液の使用量
を削減することができ、処理液の再利用が図れる。

【００２６】本発明の一の形態によれば、前記待機部の
高さ位置よりも高い位置で水平方向に移動可能に配置さ
れ、前記第１のノズル及び第２のノズルから前記載置部
外に吐出される処理液を収容する収容手段と、前記載置
部が移動する際、前記収容手段を前記を待機部の直上位
置に配置させる手段と、前記収容手段に収容された処理
液を前記供給源へ戻す手段とを更に具備する。

【００２７】このような構成によれば、例えば、シンナ
等の溶剤が貯留された待機部とは別の収容手段に処理液
を収容して回収することにより、処理液が当該溶剤と混
合すること等の悪影響を回避することができる。

【００２８】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル又は前記第２のノズルが前記載置部外へ相対的に移
動したときに、前記第１のノズル又は前記第２のノズル
による処理液の吐出を停止する手段を更に具備する。

【００２９】このような構成によれば、処理液の使用量
を削減することができ、処理液の再利用が図れる。

【００３０】本発明の一の形態によれば、前記基板の短
辺方向に長尺の形状を有し、前記基板の長辺方向に相対
的に移動しながら基板上に処理液を供給する第３のノズ
ルと、前記第３のノズルの長さとは異なる長さを有する
とともに基板の短辺方向に長尺形状を有し、前記基板の
長辺方向に相対的に移動しながら基板上に処理液を供給
する第４のノズルと、前記第３のノズルと第４のノズル
とを選択的に切り替えて前記処理液の供給を行う手段と
を更に具備する。

【００３１】このような構成によれば、短辺側の第３の
ノズル及び第４のノズルは、例えば長辺側の第１のノズ
ル及び第２のノズルよりも長さが短く設定できるので、
更に膜厚均一性の確保が容易となる。

【００３２】本発明の第２の観点は、基板に対して相対
的に移動しながら基板上に処理液を供給する長尺状の第
１のノズルと、前記第１のノズルの長さとは異なる長さ
を有し、基板に対して相対的に移動しながら基板上に処
理液を供給する長尺状の第２のノズルとを備え、前記第
１のノズルと第２のノズルとを選択的に切り替えて前記
処理液の供給を行う。

【００３３】本発明の一の形態によれば、前記第１のノ
ズル及び第２のノズルは、基板の長辺方向に長尺の形状
を有し、基板の短辺方向に相対的に移動する。

【００３４】本発明の一の形態によれば、前記基板の短
辺方向に長尺の形状を有し、前記基板の長辺方向に相対
的に移動しながら基板上に処理液を供給する第３のノズ
ルと、前記第３のノズルの長さとは異なる長さを有する
とともに基板の短辺方向に長尺形状を有し、前記基板の
長辺方向に相対的に移動しながら基板上に処理液を供給
する第４のノズルとを更に備え、前記第３のノズルと第
４のノズルとを選択的に切り替えて前記処理液の供給を
行う。

【００３５】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００３７】図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板の
塗布・現像処理システムを示す平面図である。

【００３８】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション１および
インターフェイス部３が配置されている。

【００３９】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。

【００４０】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００４１】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。

【００４２】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２
２、減圧乾燥装置（ＶＤ）４０および基板Ｇの周縁部の
レジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）２３が一体
的に設けられて配置されている。ここでは、レジスト塗
布装置（ＣＴ）２２で基板Ｇにレジストが塗布された
後、基板Ｇが減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に搬送されて乾
燥処理され、その後、エッジリムーバ（ＥＲ）２３によ
り周縁部レジスト除去処理が行われるようになってい
る。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）
が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処
理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ね
られてなる加熱処理／冷却ユニット２９、及び基板表面
の疎水化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と
冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒー
ジョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。

【００４３】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、
２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側
には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）
と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加
熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。

【００４４】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。

【００４５】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に、洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂ、レジスト塗
布装置（ＣＴ）２２、及び現像処理装置２４ａ、２４
ｂ、２４ｃのような液供給系ユニットを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱
系処理ユニットのみを配置する構造となっている。

【００４６】また、中継部１５、１６の液供給系配置側
の部分には、薬液供給部３４が配置されており、さらに
メンテナンスが可能なスペース３５が設けられている。

【００４７】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配
列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な
搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理
部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００４８】図２は、本発明に係るレジスト塗布装置
（ＣＴ）２２を示す平面図であり、図３及び図４は、図
２におけるＹ方向からの側面図及びＸ方向からの側面図
である。

【００４９】このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２はガラ
ス基板Ｇを載置させるためのステージ５０を有するＸ−
Ｙステージからなる。このステージ５０は、ガラス基板
Ｇを図示しないバキュームチャック機構により載置させ
る載置台５６と、この載置台５６の下部に設けられ、こ
の載置台５６を４本の支持柱６２を介して支持する移動
体６３とからなる。

【００５０】移動体６３の下部にはＸモータ４６が固定
され、このＸモータ４６はＸ方向に延設されたレール４
５に沿って移動するように構成されている。また、レー
ル４５は、Ｙ方向に延設されたレール４１に沿って移動
するＹモータ４７と、同じくＹ方向に延設されたレール
５５に沿って移動するスライダ５４との間に配置され、
これにより載置台に載置された基板ＧはＸ−Ｙ水平面内
で移動するようになっている。

【００５１】なお、上記Ｘモータ４６及びＹモータ４７
は、例えばボイスコイル等を使用しているが、これに限
らず、ベルト機構によりステージ５０を移動させるよう
にしてもよい。

【００５２】移動体６３の内部には、上記主搬送装置１
８との間で基板Ｇの受け渡しを行うための複数の昇降ピ
ン５８が設けられている。この昇降ピン５８は、図４に
示すように、載置台５６と移動体６３との間のスペース
Ｓと、載置台５６に形成された複数の貫通穴５６ａとを
介して昇降モータ５１により昇降可能となっており、載
置台５６から基板Ｇを浮かせて受け渡しが行われるよう
になっている。

【００５３】このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２の中央
には、基板Ｇ上にレジストを供給するための、互いに長
さが異なる２本の長尺状の長ノズル６０ａ及び短ノズル
６０ｂがノズル待機部５２に待機している。ノズル待機
部５２は、垂直支持体６１に支持された保持部材４４
に、上記スペースＳとほぼ同じ高さ位置で固定されてい
る。このノズル待機部５２は溶剤雰囲気とされており、
ノズルの吐出部分に付着したレジストが固化しないよう
になっている。

【００５４】図５、図６及び図７は、長ノズル６０ａを
示す正面図、断面図及び下から見た平面図である。この
長ノズル６０ａは、例えば基板Ｇの長辺の長さｍ（図
２）のほぼ半分の長さを有し、一方、短ノズル６０ｂ
は、例えば、基板Ｇの長辺の長さｍのほぼ３分の１の長
さを有する。この長ノズル６０ａの下部にはレジストを
吐出するスリット６７が形成されている。このスリット
６７を有するノズルに限らず、レジストを吐出できるも
のであれば図８に示す複数の孔８１が形成されたノズル
を使用してもかまわない。短ノズル６０ｂの構成も長さ
以外は長ノズル６０ａの構成と同一である。

【００５５】これら長ノズル６０ａ及び短ノズル６０ｂ
の上方には、これらノズル６０ａ及び６０ｂを保持し、
昇降させる昇降アーム５９が配置されており、この昇降
動作はモータ６４によって行われるようになっている。
この昇降アーム５９は、図４に示すように、その下端部
がノズル待機部５２の高さ位置から載置台５６に載置さ
れた基板Ｇの高さ位置よりも高い位置まで昇降可能とな
っている。

【００５６】各ノズル６０ａ及び６０ｂから供給される
レジストは、レジスト供給源７２からそれぞれ供給管７
５及び７６を介して供給されるようになっており、ま
た、供給管７５及び７６の開閉を行うバルブ７７及び７
８が設けられている。レジスト供給源７２としては、例
えば、レジストタンク、べローズポンプ等を使用してい
る。

【００５７】上記Ｘモータ４６及びＹモータ４７による
ステージ５０の位置決め制御、及びバルブ７７及び７８
の開閉の制御は制御部７１により行われるようになって
いる。また、この制御部７１は、後述する基板Ｇの製品
領域の情報に基づいて昇降アーム５９による長ノズル６
０ａと短ノズル６０ｂの選択を切り替えるようになって
いる。

【００５８】このような構成により、昇降アーム５９に
よりノズル待機部５２から長ノズル６０ａ又は短ノズル
６０ｂが持ち上げられた状態で、基板Ｇを載置させたス
テージ５０が水平面内で移動することで基板Ｇ表面にレ
ジストが供給されるようになっている。

【００５９】次に、以上説明した塗布・現像システムの
一連の処理工程を説明する。

【００６０】図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇが
処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａ
の紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（Ｕ
Ｖ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニッ
トの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット
（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、
前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで
加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却
装置（ＣＯＬ）で冷却される。

【００６１】続いてガラス基板Ｇは中段部２ｂに搬送さ
れ、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の
上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理
（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷
却後、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２に搬入され、ここ
でレジストの塗布処理が行われる。

【００６２】このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２による
レジスト塗布処理が終了すると、基板Ｇは、減圧乾燥装
置（ＶＤ）４０により基板上のレジストを乾燥し、次い
でエッジリムーバ（ＥＲ）２３において基板Ｇの四辺の
エッジに付着した余分なレジストを取り除く。

【００６３】その後、中段部２ｂに配置された加熱処理
装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２
９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され、
中継部１６から主搬送装置１９によりインターフェイス
部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びイン
ターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段
部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエク
スポージャベーク処理を行った後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処
理される。

【００６４】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置
（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７
及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の
所定のカセットに収容される。

【００６５】次に本発明に係るレジスト塗布装置（Ｃ
Ｔ）２２における作用について説明する。

【００６６】載置台５６に基板Ｇが載置されると、ステ
ージ５０は図２に一点鎖線で示す所定の開始位置まで移
動する。そして図９に示すように、製品領域が２面、す
なわち破線で示すＧ１及びＧ２のガラス基板Ｇにレジス
トを塗布する場合には、例えば長ノズル６０ａを選択し
て昇降アーム５９により保持し基板Ｇの高さ位置よりも
高い位置まで昇降させる。

【００６７】そして、図示のように領域Ｇ１及びＧ２に
対応して長ノズル６０ａが→→→の順でその位
置に位置するように、基板Ｇを載置させたステージ５０
が移動することにより基板Ｇ全面にレジストが塗布され
る。

【００６８】ここで、長ノズル６０ａが載置台５６の外
側、すなわち基板Ｇ上にないときは、ステージ５０の位
置制御に基づき、バルブ７７の開閉制御により長ノズル
６０ａからのレジストの供給を停止させるようにしてい
る。これにより、レジストの使用量を削減することがで
き、省エネルギー化が図れる。

【００６９】また、図１０に示すように製品領域が４
面、すなわち破線で示すＧ１〜Ｇ４のガラス基板Ｇにレ
ジストを塗布する場合も同様に、長ノズル６０ａにより
→→→の順で基板Ｇ全面にレジストが塗布され
る。

【００７０】一方、例えば製品領域が図１１に示すよう
な３面、すなわち破線で示すＧ１〜Ｇ３のガラス基板Ｇ
にレジストを塗布する場合には、短ノズル６０ｂを選択
する。そして、領域Ｇ１、Ｇ２及びＧ３に対応して短ノ
ズル６０ｂが→→→→→の順でその位置に
位置するように、基板Ｇを載置させたステージ５０が移
動することにより基板Ｇ全面にレジストが塗布される。

【００７１】また、図１２に示すように製品領域が９
面、すなわち破線で示すＧ１〜Ｇ９のガラス基板Ｇにレ
ジストを塗布する場合も同様に、短ノズル６０ｂにより
→→→→→の順で基板Ｇ全面にレジストが
塗布される。

【００７２】ここでも、例えば短ノズル６０ｂが載置台
５６の外側、すなわち基板Ｇ上にないときは、ステージ
５０の位置制御に基づき、バルブ７８の開閉制御により
短ノズル６０ｂからのレジストの供給を停止させるよう
にしている。これにより、レジストの使用量を削減する
ことができ、省エネルギー化が図れる。

【００７３】以上のように、基板Ｇが多面取りの大型の
ものであっても、製品領域に応じて、基板Ｇの１辺の略
半分の長さの長ノズル６０ａと、１辺の略３分の１の長
さの短ノズル６０ｂとを使用しており、ノズルの精度を
低下させることなく製品領域ごとに均一にレジストを供
給することができる。すなわち、例えば、ノズルを大型
化することによるノズルのスリット６７（図７）や吐出
孔８１の径（図８）等のばらつきを抑えることができる
ので、基板Ｇの製品領域に塗布されるレジストの膜厚を
均一にすることができる。

【００７４】また、例えば、図９に示す製品領域Ｇ１と
Ｇ２との間の領域、すなわち製品領域以外の領域８０に
おいて長ノズル６０ａの往復動作によるレジスト供給が
重なり合う場合があっても、当該領域８０は製品領域で
はないので、この領域８０の膜厚が大きくなっても悪影
響はない。図１０〜図１２に示す基板の場合も同様であ
る。

【００７５】また、本実施形態では、ノズル６０ａ又は
６０ｂを固定させてレジスト供給を行うことにより、ノ
ズルを移動させて行うよりも、ノズルからのレジストの
吐出状態が安定し、容易に膜厚均一性を確保することが
できる。特に、ノズル６０ａ及び６０ｂの形状は長尺形
状であり剛性の問題もあるので、基板Ｇの方を移動させ
て塗布処理を行う方が膜厚を均一にすることができる。

【００７６】更に、ステージ５０において載置台５６と
移動体６３の間にスペースＳを設けたことにより、ステ
ージ５０がノズル待機部５２に干渉することなく移動ス
ペースを確保でき、これによりフットプリントを減少さ
せることができる。

【００７７】図１３は他の実施形態に係るレジスト塗布
装置を示す平面図である。なお、図１３において、上記
実施形態に対応する図２の構成要素と同一のものについ
ては同一の符号を付すものとする。

【００７８】本実施形態では、上記長ノズル６０ａ及び
短ノズル６０ｂの他に、ガラス基板Ｇの短辺の長さｎの
ほぼ半分の長さを有する第２の長ノズル７０ａと、基板
Ｇの短辺の長さｎのほぼ３分の１の長さを有する第２の
短ノズル７０ｂとが、基板Ｇの短辺側に配置された第２
のノズル待機部５３に待機している。

【００７９】このような構成により、図１４に示すよう
に製品領域が４面、すなわち破線で示すＧ１〜Ｇ４のガ
ラス基板Ｇにレジストを塗布する場合には、第２の長ノ
ズル７０ａにより→→→の順で基板Ｇ全面にレ
ジストが塗布される。

【００８０】一方、図１５に示すように製品領域が９
面、すなわち破線で示すＧ１〜Ｇ９のガラス基板Ｇにレ
ジストを塗布する場合には、短ノズル６０ｂにより→
→→→→の順で基板Ｇ全面にレジストが塗布
される。

【００８１】また、製品領域が２面又は３面の場合に
は、上述の図９又は図１０で説明したように、長辺用の
長ノズル６０ａ又は短ノズル６０ｂを使用する。

【００８２】以上のように、本実施形態の第２の長ノズ
ル７０ａ及び短ノズル７０ｂは、長辺側の長ノズル６０
ａ及び短ノズル６０ｂよりも長さが短いので、更に膜厚
均一性の確保が容易となる。

【００８３】図１６は、基板上に供給されないレジスト
の回収機構を模式的に示した図である。

【００８４】このレジスト回収機構９０は、上記ノズル
待機部５２又は５３にレジストを排出する排出口８６が
設けられ、この排出口８６は、バルブ８９、配管８７及
びフィルタ８８等を介してレジスト供給源７２に接続さ
れている。

【００８５】基板Ｇにレジストを供給する際には、基板
Ｇが移動する間、ノズル６０ａが基板Ｇの直上位置にな
いときであってもそのまま待機部５２にレジストを吐出
する。そして、基板Ｇの所定枚数の塗布処理が終了した
ら、制御部７１の命令によりバルブ８９を開けてレジス
ト供給源７２にレジストを回収する。これによってもレ
ジストの使用量を削減することができ、レジストの再利
用が図れる。

【００８６】図１７は、更に別の実施形態に係るレジス
トの回収機構を模式的に示した図である。このレジスト
回収機構９１では、待機部５２の高さ位置よりも高い位
置にレジストを収容する容器９２が水平方向に移動可能
に配置されている。この容器９２には、レジストを排出
する排出口９４が設けられ、この排出口９４は、バルブ
９３、配管９５及びフィルタ９６等を介してレジスト供
給源７２に接続されている。

【００８７】基板Ｇにレジストを供給する際には、先ず
図１８（ａ）に示すように、容器９２がノズル待機部５
２の直上位置に配置され、続いて同図（ｂ）に示すよう
に基板Ｇが移動し塗布処理が開始される。そして、同図
（ｃ）に示すように、ノズル６０ａが基板Ｇの直上位置
にないときであってもそのまま容器９２にレジストを吐
出する。そして塗布処理が終了しバルブ９３が開けら
れ、容器９２に収容されたレジストがレジスト供給源に
回収される。

【００８８】これによってもレジストの使用量を削減す
ることができる。また、シンナ等の溶剤が貯留された待
機部５２とは別の容器９２にレジストを収容して回収す
ることにより、レジストが溶剤と混合すること等の悪影
響を回避することができる。

【００８９】本発明は以上説明した各実施形態には限定
されるものではなく、種々の変形が可能である。

【００９０】例えば、図１９に示すように、上記長ノズ
ル６０ａを２本用意してこれらの長ノズル６０ａからレ
ジストを供給するようにしてもよい。

【００９１】これにより塗布処理時間が例えば半分で済
み、処理時間を短縮させることができる。この場合にお
いても、同時に使用される両ノズルの間における基板上
の領域の膜厚が均一とならなくても、当該領域は製品領
域ではないので、悪影響はない。短ノズル６０ｂについ
ても、例えば３本用意することで同様の効果が得られ
る。

【００９２】また、上記各実施形態では、長ノズルと短
ノズル２本を設ける構成としたが、これに限らず、それ
ぞれ長さの異なる３本以上のノズルを設け、更に細かい
基板の製品領域に対応させるようにしてもよい。

【００９３】また、本発明は、基板の長辺方向に配置さ
せた長ノズル６０ａ及び短ノズル６０ｂは設けずに、基
板の短辺方向に配置させた長ノズル７０ａ及び短ノズル
７０ｂのみを設ける構成によっても実施可能である。

【００９４】更に、上記各実施形態では、ノズルを固定
しガラス基板を移動させて塗布処理を行うようにした
が、ガラス基板を固定で、各ノズルの方を移動させて処
理を行えることはいうまでもない。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大型の基板であっても大型のノズルを使用することなく
レジスト膜厚等の制御を精密に行うことができる。ま
た、本発明によれば、レジストの使用量を削減すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図である。

【図２】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置の
平面図である。

【図３】図２に示すレジスト塗布装置のＹ方向の側面図
である。

【図４】図２に示すレジスト塗布装置のＸ方向の側面図
である。

【図５】一実施形態に係るノズルの側面図である。

【図６】図５に示すノズルの断面図である。

【図７】図５に示すノズルの下から見た平面図である。

【図８】他の実施形態に係るノズルの下から見た平面図
である。

【図９】２面取りの場合のレジストの塗布順序を示す平
面図である。

【図１０】４面取りの場合のレジストの塗布順序を示す
平面図である。

【図１１】３面取りの場合のレジストの塗布順序を示す
平面図である。

【図１２】９面取りの場合のレジストの塗布順序を示す
平面図である。

【図１３】本発明の他の実施形態に係るレジスト塗布装
置の平面図である。

【図１４】他の実施形態に係る４面取りの場合のレジス
トの塗布順序を示す平面図である。

【図１５】他の実施形態に係る９面取りの場合のレジス
トの塗布順序を示す平面図である。

【図１６】一実施形態に係るレジスト回収機構を示す模
式図である。

【図１７】他の実施形態に係るレジスト回収機構を示す
模式図である。

【図１８】図１７に示すレジスト回収機構の作用を説明
するための模式図である。

【図１９】ノズル２本により同時に塗布する場合の平面
図である。

【符号の説明】

Ｇ…ガラス基板 Ｓ…スペース ２２…レジスト塗布装置 ４６…Ｘモータ ４７…Ｙモータ ５０…ステージ ５１…昇降モータ ５２…ノズル待機部 ５３…第２のノズル待機部 ５６…載置台 ５８…昇降ピン ５９…昇降アーム ６０ａ、７０ａ…長ノズル ６０ｂ、７０ｂ…短ノズル ６４…モータ ７１…制御部 ７２…レジスト供給源 ７７、７８…バルブ ９０、９１…レジスト回収機構 ９２…容器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 7/00 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB17 EA04 4D075 AC06 AC84 CA47 DA06 DB13 DC22 DC24 EA45 4F041 AA02 AA06 4F042 AA02 AA07 AB00 CB02 ED05 ED12 5F046 JA02

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して相対的に移動しながら基板
   上に処理液を供給する長尺状の第１のノズルと、 前記第１のノズルの長さとは異なる長さを有し、基板に
   対して相対的に移動しながら基板上に処理液を供給する
   長尺状の第２のノズルと、 前記第１のノズルと第２のノズルとを選択的に切り替え
   て前記処理液の供給を行う手段とを具備することを特徴
   とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第１のノズル及び第２のノズルは、基板の長辺方向
   に前記長尺状であって、基板の短辺方向に相対的に移動
   することを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第１のノズル及び第２のノズルは、基板の短辺方向
   に前記長尺状であって、基板の長辺方向に相対的に移動
   することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
   項に記載の基板処理装置において、 基板を水平に載置させるとともに、前記第１のノズル及
   び第２のノズルに対して相対的に、前記載置させた基板
   の長辺方向及び短辺方向に移動可能な載置部を更に具備
   することを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記載置部の下方に配置され、前記載置部とともに移動
   するスペースと、 前記スペース内で前記載置部に対して相対的に移動可能
   に配置され、前記第１のノズル及び第２のノズルを待機
   させる待機部とを更に具備することを特徴とする基板処
   理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第１のノズル及び第２のノズルを前記待機部から離
   間上昇させる手段を更に具備することを特徴とする基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 請求項５又は請求項６に記載の基板処理
   装置において、 前記スペースから前記載置部にかけて昇降可能に配置さ
   れ、外部との間で基板の受け渡しを行う昇降ピンを更に
   具備することを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項７のうちいずれか１
   項に記載の基板処理装置において、 前記第１のノズル又は第２のノズルのうち少なくとも一
   方を複数備え、 前記複数の第１のノズル又は第２のノズルから同時に基
   板上に前記処理液を供給するように制御する制御部を具
   備することを特徴とする基板処理装置。ことを特徴とす
   る基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項５から請求項８のうちいずれか１
   項に記載の基板処理装置において、 前記第１のノズル及び第２のノズルへ前記処理液を供給
   する供給源と、 前記待機部に配置され、前記第１のノズル及び第２のノ
   ズルから前記載置部外に吐出される処理液を収容する収
   容部と、 前記収容部に収容された処理液を前記供給源へ戻す手段
   とを更に具備することを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項５から請求項８のうちいずれか
    １項に記載の基板処理装置において、 前記待機部の高さ位置よりも高い位置で水平方向に移動
    可能に配置され、前記第１のノズル及び第２のノズルか
    ら前記載置部外に吐出される処理液を収容する収容手段
    と、 前記載置部が移動する際、前記収容手段を前記を待機部
    の直上位置に配置させる手段と、 前記収容手段に収容された処理液を前記供給源へ戻す手
    段とを更に具備することを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１から請求項８のうちいずれか
    １項に記載の基板処理装置において、 前記第１のノズル又は前記第２のノズルが前記載置部外
    へ相対的に移動したときに、前記第１のノズル又は前記
    第２のノズルによる処理液の吐出を停止する手段を更に
    具備することを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項２に記載の基板処理装置におい
    て、 前記基板の短辺方向に長尺の形状を有し、前記基板の長
    辺方向に相対的に移動しながら基板上に処理液を供給す
    る第３のノズルと、 前記第３のノズルの長さとは異なる長さを有するととも
    に基板の短辺方向に長尺形状を有し、前記基板の長辺方
    向に相対的に移動しながら基板上に処理液を供給する第
    ４のノズルと、 前記第３のノズルと第４のノズルとを選択的に切り替え
    て前記処理液の供給を行う手段とを更に具備することを
    特徴とする基板処理装置。
13. 【請求項１３】 基板に対して相対的に移動しながら基
    板上に処理液を供給する長尺状の第１のノズルと、前記
    第１のノズルの長さとは異なる長さを有し、基板に対し
    て相対的に移動しながら基板上に処理液を供給する長尺
    状の第２のノズルとを備え、 前記第１のノズルと第２のノズルとを選択的に切り替え
    て前記処理液の供給を行うことを特徴とする基板処理方
    法。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記第１のノズル及び第２のノズルは、基板の長辺方向
    に長尺の形状を有し、基板の短辺方向に相対的に移動す
    ることを特徴とする基板処理方法。
15. 【請求項１５】 請求項１３に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記第１のノズル及び第２のノズルは、基板の短辺方向
    に長尺の形状を有し、基板の長辺方向に相対的に移動す
    ることを特徴とする基板処理方法。
16. 【請求項１６】 請求項１４に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記基板の短辺方向に長尺の形状を有し、前記基板の長
    辺方向に相対的に移動しながら基板上に処理液を供給す
    る第３のノズルと、前記第３のノズルの長さとは異なる
    長さを有するとともに基板の短辺方向に長尺形状を有
    し、前記基板の長辺方向に相対的に移動しながら基板上
    に処理液を供給する第４のノズルとを更に備え、 前記第３のノズルと第４のノズルとを選択的に切り替え
    て前記処理液の供給を行うことを特徴とする基板処理方
    法。