JP2002347348A - 光記録媒体および光記録方法 - Google Patents
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は前記従来システムに比べて、短波長
に発振波長を有する半導体レーザーを用いるＤＶＤ−Ｒ
ディスクシステムに適用可能な耐光性、保存安定性に優
れた光記録媒体中の記録材料、該光記録媒体、および該
光記録媒体を搭載した光記録装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を設けてなる
光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）で示
されるアゾ化合物と金属、金属酸化物またはその塩から
なるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一種類含有す
ることを特徴とする光記録媒体。 【化１】
に発振波長を有する半導体レーザーを用いるＤＶＤ−Ｒ
ディスクシステムに適用可能な耐光性、保存安定性に優
れた光記録媒体中の記録材料、該光記録媒体、および該
光記録媒体を搭載した光記録装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を設けてなる
光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）で示
されるアゾ化合物と金属、金属酸化物またはその塩から
なるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一種類含有す
ることを特徴とする光記録媒体。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデータ用大容量追記
光ディスク（大容量追記型コンパクトディスク、ＤＶＤ
−Ｒ）に関する。
光ディスク（大容量追記型コンパクトディスク、ＤＶＤ
−Ｒ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ａ．（情報記録用）追記型記録媒体（Ｗ
ＯＲＭ）の従来技術
ＯＲＭ）の従来技術
【０００３】（１）シアニン色素を記録材料として用い
たもの 特開昭５７−８２０９３，特開昭５８−５６８９２，特
開昭５８−１１２７９０，特開昭５８−１１４９８９，
特開昭５９−８５７９１，特開昭６０−８３２３６，特
開昭６０−８９８４２，特開昭６１−２５８８６
たもの 特開昭５７−８２０９３，特開昭５８−５６８９２，特
開昭５８−１１２７９０，特開昭５８−１１４９８９，
特開昭５９−８５７９１，特開昭６０−８３２３６，特
開昭６０−８９８４２，特開昭６１−２５８８６
【０００４】（２）フタロシアニン色素を記録材料とし
て用いたもの 特開昭６１−１５０２４３，特開昭６１−１７７２８
７，特開昭６１−１５４８８８，特開昭６１−２４６０
９，特開昭６２−３９２８６，特開昭６３−３７９９
１，特開昭６３−３９８８８
て用いたもの 特開昭６１−１５０２４３，特開昭６１−１７７２８
７，特開昭６１−１５４８８８，特開昭６１−２４６０
９，特開昭６２−３９２８６，特開昭６３−３７９９
１，特開昭６３−３９８８８
【０００５】ｂ．追記型コンパクトディスク（ＣＤ−
Ｒ）の従来技術
Ｒ）の従来技術
【０００６】（１）シアニン色素＋金属反射層を記録材
料としたもの 特開平１−１５９８４２，特開平２−４２６５２，特開
平２−１３６５６，特開平２−１６８４４６
料としたもの 特開平１−１５９８４２，特開平２−４２６５２，特開
平２−１３６５６，特開平２−１６８４４６
【０００７】（２）フタロシアニン色素＋金属反射層を
記録材料としたもの 特開平１−１７６５８５，特開平３−２１５４６６，特
開平４−１１３８８６，特開平４−２２６３９０，特開
平５−１２７２，特開平５−１７１０５２，特開平５−
１１６４５６，特開平５−９６８６０，特開平５−１３
９０４４，特開平５−１３９０４４
記録材料としたもの 特開平１−１７６５８５，特開平３−２１５４６６，特
開平４−１１３８８６，特開平４−２２６３９０，特開
平５−１２７２，特開平５−１７１０５２，特開平５−
１１６４５６，特開平５−９６８６０，特開平５−１３
９０４４，特開平５−１３９０４４
【０００８】（３）アゾ金属キレート色素＋金属反射層
を記録材料としたもの 特開平４−４６１８６，特開平４−１４１４８９，特開
平４−３６１０８８，特開平５−２７９５８０，特開平
７−５１６７３，特開平７−１６１０６９，特開平７−
３７２７２，特開平７−７１８６７，特開平８−２３１
８６６，特開平８−２９５８１１
を記録材料としたもの 特開平４−４６１８６，特開平４−１４１４８９，特開
平４−３６１０８８，特開平５−２７９５８０，特開平
７−５１６７３，特開平７−１６１０６９，特開平７−
３７２７２，特開平７−７１８６７，特開平８−２３１
８６６，特開平８−２９５８１１
【０００９】ｃ．大容量追記型コンパクトディスク（Ｄ
ＶＤ−Ｒ）の従来技術
ＶＤ−Ｒ）の従来技術
【００１０】（１）シアニン色素＋金属反射層を記録材
料として用いたもの ＩＳＯＭ／ＯＤＳ‘９６：Ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ
ｏｆ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｎ Ｄｙｅ ｍａｔｅｒ
ｉａｌ Ｄｉｓｃ ａｐｐｒｏａｃｈ ｆｏｒ４．７Ｇ 特開平１０−２３５９９９
料として用いたもの ＩＳＯＭ／ＯＤＳ‘９６：Ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ
ｏｆ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｎ Ｄｙｅ ｍａｔｅｒ
ｉａｌ Ｄｉｓｃ ａｐｐｒｏａｃｈ ｆｏｒ４．７Ｇ 特開平１０−２３５９９９
【００１１】（２）アゾメチン色素＋金属反射層を記録
材料としたもの 特開平８−１９８８７２，特開平８−２０９０１２，特
開平８−２８３２６３，特開平１０−２７３４８４
材料としたもの 特開平８−１９８８７２，特開平８−２０９０１２，特
開平８−２８３２６３，特開平１０−２７３４８４
【００１２】（３）アゾ金属キレート色素＋金属反射層
を記録材料としたもの 特公平５−６７４３８，特開平７−１６１０６９，特開
平８−１５６４０８，特開平８−２３１８６６，特開平
８−３３２７７２，特開平９−５８１２３，特開平９−
１７５０３１，特開平９−１９３５４５，特開平９−２
７４７３２，特開平９−２７７７０３，特開平１０−６
６４４，特開平１０−６６５０，特開平１０−６６５
１，特開平１０−３６６９３，特開平１０−４４６０
６，特開平１０−５８８２８，特開平１０−８６５１
９，特開平１０−１４９５８４，特開平１０−１５７２
９３，特開平１０−１５７３００，特開平１０−１５７
３０１，特開平１０−１５７３０２，特開平１０−１８
１１９９，特開平１０−１８１２０１，特開平１０−１
８１２０３，特開平１０−１８１２０６，特開平１０−
１８８３４０，特開平１０−１８８３４１，特開平１０
−１８８３５８，特開平１０−２０８３０３，特開平１
０−２１４４２３，特開平１０−２２８６７１，特開平
１０−３６６９３，特開平１１−１２４８３，特開平１
１−２８８６５，特開平１１−４２８５８，特開平１１
−１０２５３７，特開平１１−１１６８３４，特開平１
１−１６６１２５，特開平１１−１２０６１６，特開平
１１−１３０９７０，特開平１１−１３８９９９，特開
平１１−１３４７０８、特開平１１−１３８９９９，特
開平１１−１５１８６１，特開平１１−１５１８６２，
特開平１１−２０８１１１，特開平１１−２１３４４
２，特開２０００−３６１２９
を記録材料としたもの 特公平５−６７４３８，特開平７−１６１０６９，特開
平８−１５６４０８，特開平８−２３１８６６，特開平
８−３３２７７２，特開平９−５８１２３，特開平９−
１７５０３１，特開平９−１９３５４５，特開平９−２
７４７３２，特開平９−２７７７０３，特開平１０−６
６４４，特開平１０−６６５０，特開平１０−６６５
１，特開平１０−３６６９３，特開平１０−４４６０
６，特開平１０−５８８２８，特開平１０−８６５１
９，特開平１０−１４９５８４，特開平１０−１５７２
９３，特開平１０−１５７３００，特開平１０−１５７
３０１，特開平１０−１５７３０２，特開平１０−１８
１１９９，特開平１０−１８１２０１，特開平１０−１
８１２０３，特開平１０−１８１２０６，特開平１０−
１８８３４０，特開平１０−１８８３４１，特開平１０
−１８８３５８，特開平１０−２０８３０３，特開平１
０−２１４４２３，特開平１０−２２８６７１，特開平
１０−３６６９３，特開平１１−１２４８３，特開平１
１−２８８６５，特開平１１−４２８５８，特開平１１
−１０２５３７，特開平１１−１１６８３４，特開平１
１−１６６１２５，特開平１１−１２０６１６，特開平
１１−１３０９７０，特開平１１−１３８９９９，特開
平１１−１３４７０８、特開平１１−１３８９９９，特
開平１１−１５１８６１，特開平１１−１５１８６２，
特開平１１−２０８１１１，特開平１１−２１３４４
２，特開２０００−３６１２９
【００１３】（４）その他の色素＋金属反射層を記録材
料としたもの 特開平１０−８６５１７，特開平１０−９３７８８，特
開平１０−２２６１７２，特開平１０−２４４７５２，
特開平１０−２８７８１９，特開平１０−２９７１０
３，特開平１０−３０９８７１，特開平１０−３０９８
７２、特開平１１−１２９６２４
料としたもの 特開平１０−８６５１７，特開平１０−９３７８８，特
開平１０−２２６１７２，特開平１０−２４４７５２，
特開平１０−２８７８１９，特開平１０−２９７１０
３，特開平１０−３０９８７１，特開平１０−３０９８
７２、特開平１１−１２９６２４
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】現在、次世代大容量光
ディスクとしてＤＶＤ−Ｒの開発が進められている。記
録容量の向上の要素技術は、記録ピット微少化のための
記録材料開発、ＭＰＥＧ２に代表される画像圧縮技術の
採用、記録ピット読みとりのための半導体レーザの短波
長化等の技術開発が必要である。
ディスクとしてＤＶＤ−Ｒの開発が進められている。記
録容量の向上の要素技術は、記録ピット微少化のための
記録材料開発、ＭＰＥＧ２に代表される画像圧縮技術の
採用、記録ピット読みとりのための半導体レーザの短波
長化等の技術開発が必要である。
【００１５】これまで赤色波長域の半導体レーザとして
は、バーコードリーダ、計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌ
ＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤ
ドライブの場合、光源として６３５ｎｍ帯と６５０ｎｍ
帯のレーザダイオードの２つの波長で規格化されてい
る。一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブは波長約
６５０ｎｍで商品化されている。
は、バーコードリーダ、計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌ
ＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤ
ドライブの場合、光源として６３５ｎｍ帯と６５０ｎｍ
帯のレーザダイオードの２つの波長で規格化されてい
る。一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブは波長約
６５０ｎｍで商品化されている。
【００１６】このような状況下で最も好ましいＤＶＤ−
Ｒメディアは、波長６３０〜６７０ｎｍで記録、再生が
可能なメディアである。しかしながら、耐光性、保存安
定性に優れ６７０ｎｍ以下のレーザを用いた光ピックア
ップで記録、再生が可能な記録材料は未だに開発されて
いない。
Ｒメディアは、波長６３０〜６７０ｎｍで記録、再生が
可能なメディアである。しかしながら、耐光性、保存安
定性に優れ６７０ｎｍ以下のレーザを用いた光ピックア
ップで記録、再生が可能な記録材料は未だに開発されて
いない。
【００１７】本発明は前記従来システムに比べて、短波
長に発振波長を有する半導体レーザーを用いるＤＶＤ−
Ｒディスクシステムに適用可能な耐光性、保存安定性に
優れた光記録媒体中の記録材料、および該光記録媒体を
用いた光記録方法を提供することを目的とする。
長に発振波長を有する半導体レーザーを用いるＤＶＤ−
Ｒディスクシステムに適用可能な耐光性、保存安定性に
優れた光記録媒体中の記録材料、および該光記録媒体を
用いた光記録方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明者等が検討した結
果、基板上に記録層を少なくとも設けてなる光記録媒体
において、特定の構造を有する色素を主成分とする記録
層とすることにより、発振波長６７０ｎｍ以下の半導体
レーザーを用いる次世代大容量光ディスクシステムに適
用可能なことを見いだし本発明に到達することができ
た。
果、基板上に記録層を少なくとも設けてなる光記録媒体
において、特定の構造を有する色素を主成分とする記録
層とすることにより、発振波長６７０ｎｍ以下の半導体
レーザーを用いる次世代大容量光ディスクシステムに適
用可能なことを見いだし本発明に到達することができ
た。
【００１９】すなわち、本発明の第１は、基板上に記録
層を少なくとも設けてなる光記録媒体において、下記一
般式（１）で表される、配位子置換基に活性水素を有さ
ず、かつ複素環に活性水素を有してなる新規アゾ金属キ
レート化合物を用いた光記録媒体にある。
層を少なくとも設けてなる光記録媒体において、下記一
般式（１）で表される、配位子置換基に活性水素を有さ
ず、かつ複素環に活性水素を有してなる新規アゾ金属キ
レート化合物を用いた光記録媒体にある。
【００２０】
【化２】 （式中、Ａ環はそれが結合している炭素原子および窒素
原子と一緒になってピロール、イミダゾール、ピラゾー
ル、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソイ
ンドール、ベンゾイミダゾール、インダゾール、プリン
およびペリミジンからなる群より選択された複素環を形
成する残基を表し、Ｍは金属および／または金属酸化物
を表し、Ｒ1は水素原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基または置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ
2〜Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基、置換もしくは未置換の複素環残基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニル基、置換もしくは未
置換のアリールカルボニル基、置換もしくは未置換のア
ルキルオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアルキ
ルスルホニル基、置換もしくは未置換のアリールスルホ
ニル基、置換もしくは未置換のアルキルチオオキシ基、
置換もしくは未置換のアリールチオオキシ基、置換もし
くは未置換のアルキルオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルアミ
ノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換もし
くは未置換のアリールカルボニルアミノ基、置換もしく
は未置換のアルキルカルバモイル基、置換もしくは未置
換のアリールカルバモイル基および置換もしくは未置換
のアルケニル基よりなる群から選ばれた少なくとも一種
の基を表し、ｎは２または３を表す。また、Ｒ2とＲ3、
Ｒ3とＲ4、もしくはＲ4とＲ5は互いに連結して環を形成
していても良い。）
原子と一緒になってピロール、イミダゾール、ピラゾー
ル、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソイ
ンドール、ベンゾイミダゾール、インダゾール、プリン
およびペリミジンからなる群より選択された複素環を形
成する残基を表し、Ｍは金属および／または金属酸化物
を表し、Ｒ1は水素原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基または置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ
2〜Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基、置換もしくは未置換の複素環残基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニル基、置換もしくは未
置換のアリールカルボニル基、置換もしくは未置換のア
ルキルオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアルキ
ルスルホニル基、置換もしくは未置換のアリールスルホ
ニル基、置換もしくは未置換のアルキルチオオキシ基、
置換もしくは未置換のアリールチオオキシ基、置換もし
くは未置換のアルキルオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルアミ
ノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換もし
くは未置換のアリールカルボニルアミノ基、置換もしく
は未置換のアルキルカルバモイル基、置換もしくは未置
換のアリールカルバモイル基および置換もしくは未置換
のアルケニル基よりなる群から選ばれた少なくとも一種
の基を表し、ｎは２または３を表す。また、Ｒ2とＲ3、
Ｒ3とＲ4、もしくはＲ4とＲ5は互いに連結して環を形成
していても良い。）
【００２１】本発明の第２は、前記第１の光記録媒体に
おいて、特定金属種のアゾ金属キレート化合物を用いた
ことを特徴とする光記録媒体にある。すなわち、本発明
の第２は、アゾ金属キレート化合物を構成する金属の価
数が、２価または３価であることを特徴とする前記第１
の光記録媒体を提供することにある。
おいて、特定金属種のアゾ金属キレート化合物を用いた
ことを特徴とする光記録媒体にある。すなわち、本発明
の第２は、アゾ金属キレート化合物を構成する金属の価
数が、２価または３価であることを特徴とする前記第１
の光記録媒体を提供することにある。
【００２２】本発明の第３は、前記第１〜２の光記録媒
体において、最適金属種のアゾ金属キレート化合物を用
いたことを特徴とする光記録媒体にある。すなわち、本
発明の第３は、アゾ金属キレート化合物を構成する金属
原子がマンガン、コバルト、ニッケルおよび銅よりなる
群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする
前記第１〜２の光記録媒体を提供することにある。
体において、最適金属種のアゾ金属キレート化合物を用
いたことを特徴とする光記録媒体にある。すなわち、本
発明の第３は、アゾ金属キレート化合物を構成する金属
原子がマンガン、コバルト、ニッケルおよび銅よりなる
群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする
前記第１〜２の光記録媒体を提供することにある。
【００２３】本発明の第４は、高反射率かつ高変調度で
記録再生できる前記第１〜３の光記録媒体にある。すな
わち、本発明の第４は、記録再生波長±５ｎｍの波長領
域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦
３．０であり、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２であ
ることを特徴とする前記第１〜３のいずれかに記載の光
記録媒体にある。
記録再生できる前記第１〜３の光記録媒体にある。すな
わち、本発明の第４は、記録再生波長±５ｎｍの波長領
域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦
３．０であり、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２であ
ることを特徴とする前記第１〜３のいずれかに記載の光
記録媒体にある。
【００２４】本発明の第５は、低ジッタで高密度記録で
きる、という点で好ましい本発明の光記録媒体の熱的特
性（主減量過程での温度に対する減量の傾き）を規定し
たことを特徴とする。すなわち、本発明の第５は、前記
第１〜４の光記録媒体において、有機色素の熱重量分析
で、主減量過程での温度に対する減量の傾きが２％／℃
以上であることを特徴とする光記録媒体にある。
きる、という点で好ましい本発明の光記録媒体の熱的特
性（主減量過程での温度に対する減量の傾き）を規定し
たことを特徴とする。すなわち、本発明の第５は、前記
第１〜４の光記録媒体において、有機色素の熱重量分析
で、主減量過程での温度に対する減量の傾きが２％／℃
以上であることを特徴とする光記録媒体にある。
【００２５】本発明の第６は、低ジッタで高密度記録で
きる、という点で好ましい本発明の光記録媒体の熱的特
性（主減量過程での総減量および減量開始温度）を規定
したことを特徴とする。すなわち、本発明の第６は、前
記第１〜５の光記録媒体において、有機色素の熱重量分
析で、主減量過程での総減量が３０％以上で、かつ減量
開始温度が３５０℃以下であることを特徴とする光記録
媒体にある。
きる、という点で好ましい本発明の光記録媒体の熱的特
性（主減量過程での総減量および減量開始温度）を規定
したことを特徴とする。すなわち、本発明の第６は、前
記第１〜５の光記録媒体において、有機色素の熱重量分
析で、主減量過程での総減量が３０％以上で、かつ減量
開始温度が３５０℃以下であることを特徴とする光記録
媒体にある。
【００２６】本発明の第７は、本発明の光記録媒体の好
ましい基板案内溝を規定したことを特徴とする。すなわ
ち、本発明の第７は、基板上のトラックピッチが０．７
〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．２０〜０．
３６μｍであることを特徴とする前記第１〜６の光記録
媒体にある。
ましい基板案内溝を規定したことを特徴とする。すなわ
ち、本発明の第７は、基板上のトラックピッチが０．７
〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．２０〜０．
３６μｍであることを特徴とする前記第１〜６の光記録
媒体にある。
【００２７】本発明の第８は、光記録媒体の記録再生方
法を規定したことを特徴とする。すなわち、本発明の第
８は、前記１〜７の光記録媒体に６００〜７２０ｎｍの
波長で記録再生を行うことを特徴とする光記録方法にあ
る。
法を規定したことを特徴とする。すなわち、本発明の第
８は、前記１〜７の光記録媒体に６００〜７２０ｎｍの
波長で記録再生を行うことを特徴とする光記録方法にあ
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の態様により
具体的に説明する。 （複素環アゾ金属キレート化合物）本発明のアゾ金属キ
レート化合物の特徴は、従来公開された光記録媒体に使
用されている複素環アゾ金属キレート化合物は、活性水
素を有するカプラと活性水素基を有しない複素環残基が
金属と作用して得られたもので構成されているのに対し
て、活性水素を有する複素環残基と活性水素を有しない
カプラで構成されたアゾ化合物が金属と作用して得られ
た、光記録媒体の記録材料として用いることが可能な安
定キレート化合物である点にある。従来型と本発明で使
用するのアゾ金属キレート化合物の構造上の相違を、化
３および化４に示す。化３、化４におけるＭは金属原子
である。
具体的に説明する。 （複素環アゾ金属キレート化合物）本発明のアゾ金属キ
レート化合物の特徴は、従来公開された光記録媒体に使
用されている複素環アゾ金属キレート化合物は、活性水
素を有するカプラと活性水素基を有しない複素環残基が
金属と作用して得られたもので構成されているのに対し
て、活性水素を有する複素環残基と活性水素を有しない
カプラで構成されたアゾ化合物が金属と作用して得られ
た、光記録媒体の記録材料として用いることが可能な安
定キレート化合物である点にある。従来型と本発明で使
用するのアゾ金属キレート化合物の構造上の相違を、化
３および化４に示す。化３、化４におけるＭは金属原子
である。
【００２９】従来型のアゾ金属キレート化合物
【化３】
【００３０】本発明で使用するアゾ金属キレート化合物
【化４】
【００３１】前記一般式（１）の本発明で使用するアゾ
化合物において、Ａ、ＭおよびＲ1〜Ｒ6の具体例として
は、例えば以下のものが挙げられる。
化合物において、Ａ、ＭおよびＲ1〜Ｒ6の具体例として
は、例えば以下のものが挙げられる。
【００３２】ハロゲン原子の具体例は、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素等が挙げられる。
臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３３】アルキル基の具体例は、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基等の一級アルキル基、イソブ
チル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチ
ルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペン
チル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、
３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メ
チルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペ
ンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル
基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２
−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロ
ピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１
−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−
メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメ
チルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル
−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−
エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプ
ロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチ
ルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プ
ロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル
基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、
１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−
メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル
基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１
−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブ
チル基等の二級アルキル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル
基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基が挙げら
れる。
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基等の一級アルキル基、イソブ
チル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチ
ルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペン
チル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、
３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メ
チルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペ
ンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル
基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２
−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロ
ピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１
−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−
メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメ
チルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル
−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−
エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプ
ロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチ
ルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プ
ロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル
基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、
１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−
メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル
基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１
−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブ
チル基等の二級アルキル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル
基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基が挙げら
れる。
【００３４】Ｒ1〜Ｒ6のＲ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、もしくは
Ｒ4とＲ5が互いに連結して形成する環としては、シクロ
ヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチル
シクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシ
ル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、
ボルニル基、イソボルニル基（アダマンタン基）等のシ
クロアルキル基等が挙げられる。
Ｒ4とＲ5が互いに連結して形成する環としては、シクロ
ヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチル
シクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシ
ル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、
ボルニル基、イソボルニル基（アダマンタン基）等のシ
クロアルキル基等が挙げられる。
【００３５】前記一級及び二級アルキル基は、水酸基、
ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置
換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複素環残
基等で置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等
の原子を介して前記のアルキル基で置換されていてもよ
い。
ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置
換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複素環残
基等で置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等
の原子を介して前記のアルキル基で置換されていてもよ
い。
【００３６】酸素を介して置換されているアルキル基と
しては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エ
トキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキ
シプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、モ
ルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキル
基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
しては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エ
トキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキ
シプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、モ
ルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキル
基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。
【００３７】前記アリール基の具体例は、フェニル基、
ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニ
ル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニ
ル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフ
ェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニ
ル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニ
ル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフ
ェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００３８】前記複素環残基の具体例は、インドリル
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モル
ホリノ基、ピロリル基等が挙げられる。
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モル
ホリノ基、ピロリル基等が挙げられる。
【００３９】前記アルキルカルボニル基の具体例は、カ
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４０】前記アリールカルボニル基の具体例は、カ
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４１】前記アルキルオキシカルボニル基の具体例
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
【００４２】前記アリールオキシカルボニル基の具体例
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
【００４３】前記アルキルスルホニル基の具体例は、ス
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４４】前記アリールスルホニル基の具体例は、ス
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４５】前記アルキルチオキシ基の具体例は、硫黄
原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されてい
るものであればよく、アルキル基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されてい
るものであればよく、アルキル基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
【００４６】前記アリールチオキシ基の具体例は、硫黄
原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されてい
るものであればよく、アリール基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されてい
るものであればよく、アリール基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
【００４７】前記アルキルオキシ基の具体例は、酸素原
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
【００４８】前記アリールオキシ基の具体例は、酸素原
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
【００４９】前記アルキルアミノ基の具体例は、窒素原
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
【００５０】前記アリールアミノ基の具体例は、窒素原
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
【００５１】前記アルキルカルボニルアミノ基の具体例
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
【００５２】前記アリールカルボニルアミノ基の具体例
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
【００５３】前記アルキルカルバモイル基の具体例は、
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されているも
のであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されているも
のであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
【００５４】前記アリールカルバモイル基の具体例は、
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアリール基が結合されているも
のであればよく、アリール基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアリール基が結合されているも
のであればよく、アリール基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
【００５５】２価又は３価の金属原子の具体例として
は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、ジリコニウム、ニオブ、モリブデ
ン、テクネニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム
等が挙げられ、金属酸化物の具体例としては酸化バナジ
ウム等が挙げられる。特にマンガン、コバルト、ニッケ
ル、銅のアゾ金属キレート化合物は、光記録材料として
光学特性が優れている。
は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、ジリコニウム、ニオブ、モリブデ
ン、テクネニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム
等が挙げられ、金属酸化物の具体例としては酸化バナジ
ウム等が挙げられる。特にマンガン、コバルト、ニッケ
ル、銅のアゾ金属キレート化合物は、光記録材料として
光学特性が優れている。
【００５６】本発明の光記録媒体の記録層を構成するの
に必要な項目として、光学特性と熱的特性が上げられ
る。
に必要な項目として、光学特性と熱的特性が上げられ
る。
【００５７】光学特性に必要な条件は、記録再生波長で
ある６３０ｎｍ〜６９０ｎｍに対して短波長側に大きな
吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端
近傍にあることが必要である。これは、記録再生波長で
ある６３０ｎｍ〜６９０ｎｍで大きな屈折率と消衰係数
を有することを意味するものである。具体的には、記録
再生波長近傍の長波長近傍の波長域光に対する記録層単
層の屈折率ｎが１．５以上３．０以下であり、消衰係数
ｋが０．０２以上０．２以下の範囲にあることが好まし
い。ｎが１．５未満の場合には、十分な光学的変化得ら
れにくいため、記録変調度が低くなるため好ましくな
く、ｎが３．０を越える場合には、波長依存性が高くな
り過ぎるため、記録再生波長領域であってもエラーとな
ってしまうため好ましくない。また、ｋが０．０２未満
の場合には、記録感度が悪くなるため好ましくなく、ｋ
が０．２を越える場合には、５０％以上の反射率を得る
ことが困難となるので好ましくない。
ある６３０ｎｍ〜６９０ｎｍに対して短波長側に大きな
吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端
近傍にあることが必要である。これは、記録再生波長で
ある６３０ｎｍ〜６９０ｎｍで大きな屈折率と消衰係数
を有することを意味するものである。具体的には、記録
再生波長近傍の長波長近傍の波長域光に対する記録層単
層の屈折率ｎが１．５以上３．０以下であり、消衰係数
ｋが０．０２以上０．２以下の範囲にあることが好まし
い。ｎが１．５未満の場合には、十分な光学的変化得ら
れにくいため、記録変調度が低くなるため好ましくな
く、ｎが３．０を越える場合には、波長依存性が高くな
り過ぎるため、記録再生波長領域であってもエラーとな
ってしまうため好ましくない。また、ｋが０．０２未満
の場合には、記録感度が悪くなるため好ましくなく、ｋ
が０．２を越える場合には、５０％以上の反射率を得る
ことが困難となるので好ましくない。
【００５８】熱的に必要な条件は、熱重量分析に於ける
主減量過程での重量減量の傾きが、温度に対して大きい
ことが必要である。主減量過程により有機材料膜は分解
し、膜厚の減少と光学定数の変化を起こし、光学的な意
味での記録部が形成されるが、主減量過程の重量減量が
温度に対して穏やかな場合、これは広い温度範囲にわた
って形成されてしまうため、高密度の記録部を形成させ
る場合は極めて不利となる。同様な理由で重量減量の過
程が複数存在する材料を用いた場合も高密度対応には不
利である。本発明ではいくつかの重量減量過程のうち
で、減量率が最大のものを主減量過程と呼ぶ。
主減量過程での重量減量の傾きが、温度に対して大きい
ことが必要である。主減量過程により有機材料膜は分解
し、膜厚の減少と光学定数の変化を起こし、光学的な意
味での記録部が形成されるが、主減量過程の重量減量が
温度に対して穏やかな場合、これは広い温度範囲にわた
って形成されてしまうため、高密度の記録部を形成させ
る場合は極めて不利となる。同様な理由で重量減量の過
程が複数存在する材料を用いた場合も高密度対応には不
利である。本発明ではいくつかの重量減量過程のうち
で、減量率が最大のものを主減量過程と呼ぶ。
【００５９】本発明に於いて重量減量の傾きは下記のよ
うに求める。図１に示すように、質量Ｍ０の有機材料を
窒素雰囲気下中で、１０℃／ｍｉｎ．で昇温させる。こ
の昇温に従って、質量は微量づつ減少し、ほぼ直線ａ−
ｂの重量減量線を示し、ある温度に達すると急激な重量
減少を起こし、ほぼ直線ｃ−ｄに沿って重量減量を起こ
す。さらに温度を上げ続けると質量の急激な減量が終了
し、ほぼ直線ｅ−ｆに沿った重量減少を起こす。この直
線ａ−ｂと直線ｃ−ｄとの交点に於ける温度をＴ１
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ１（％）、
直線ｃ−ｄと直線ｅ−ｆとの交点に於ける温度をＴ２
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ２（％）と
する。原料開始温度はＴ１、減量終了温度はＴ２とな
り、重量減量の傾きは、（ｍ１−ｍ２）（％） ／
（Ｔ２−Ｔ１）（℃）で示される値で、初期重量に対す
る重量減量率は、（ｍ１−ｍ２）（％）で示される。
うに求める。図１に示すように、質量Ｍ０の有機材料を
窒素雰囲気下中で、１０℃／ｍｉｎ．で昇温させる。こ
の昇温に従って、質量は微量づつ減少し、ほぼ直線ａ−
ｂの重量減量線を示し、ある温度に達すると急激な重量
減少を起こし、ほぼ直線ｃ−ｄに沿って重量減量を起こ
す。さらに温度を上げ続けると質量の急激な減量が終了
し、ほぼ直線ｅ−ｆに沿った重量減少を起こす。この直
線ａ−ｂと直線ｃ−ｄとの交点に於ける温度をＴ１
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ１（％）、
直線ｃ−ｄと直線ｅ−ｆとの交点に於ける温度をＴ２
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ２（％）と
する。原料開始温度はＴ１、減量終了温度はＴ２とな
り、重量減量の傾きは、（ｍ１−ｍ２）（％） ／
（Ｔ２−Ｔ１）（℃）で示される値で、初期重量に対す
る重量減量率は、（ｍ１−ｍ２）（％）で示される。
【００６０】上記定義に基づくと光情報記録媒体に用い
る記録材料としては、主減量過程に於ける重量減量の傾
きが２％／℃以上であることが好ましい。この重量減量
の傾きが２％／℃未満である記録材料を用いると、記録
部の広がりが大きくなり、また短い記録部を形成するこ
とが困難となるため、情報記録媒体には不向きである。
また、主減量過程に於ける重量減少率は、３０％以上で
あることが好ましい。３０％未満であると、良好な記録
変調度、記録感度が得られない可能性がある。
る記録材料としては、主減量過程に於ける重量減量の傾
きが２％／℃以上であることが好ましい。この重量減量
の傾きが２％／℃未満である記録材料を用いると、記録
部の広がりが大きくなり、また短い記録部を形成するこ
とが困難となるため、情報記録媒体には不向きである。
また、主減量過程に於ける重量減少率は、３０％以上で
あることが好ましい。３０％未満であると、良好な記録
変調度、記録感度が得られない可能性がある。
【００６１】更に、熱的特性に必要な条件は、減量開始
温度Ｔ１が、ある温度範囲にあることが必要である。具
体的には減量開始温度が３５０℃以下であり、好ましく
は２００〜３５０℃の範囲にあることが望ましい。減量
開始温度が３５０℃以上であると、記録レーザ光のパワ
ーが高くなり実用的でなく、２００℃以下であると再生
劣化を起こすなど記録安定性が悪化する。
温度Ｔ１が、ある温度範囲にあることが必要である。具
体的には減量開始温度が３５０℃以下であり、好ましく
は２００〜３５０℃の範囲にあることが望ましい。減量
開始温度が３５０℃以上であると、記録レーザ光のパワ
ーが高くなり実用的でなく、２００℃以下であると再生
劣化を起こすなど記録安定性が悪化する。
【００６２】基板形状に必要な条件は、基板上のトラッ
クピッチが０．７〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅
で、０．２０〜０．３６μｍである。基板は通常、深さ
１０００〜２５００Åの案内溝を有している。トラック
ピッチは、通常、０．７〜１．０μｍであるが、高容量
化の用途には０．７〜０．８μｍが好ましい。溝幅は、
半値幅で０．１８〜０．３６μｍが好ましい。０．１８
μｍ未満には十分なトラッキングエラー信号強度を得る
ことが困難となる恐れがある。また、０．３６μｍを越
える場合には、記録したときに記録部が横に広がりやす
くなるので好ましくない。
クピッチが０．７〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅
で、０．２０〜０．３６μｍである。基板は通常、深さ
１０００〜２５００Åの案内溝を有している。トラック
ピッチは、通常、０．７〜１．０μｍであるが、高容量
化の用途には０．７〜０．８μｍが好ましい。溝幅は、
半値幅で０．１８〜０．３６μｍが好ましい。０．１８
μｍ未満には十分なトラッキングエラー信号強度を得る
ことが困難となる恐れがある。また、０．３６μｍを越
える場合には、記録したときに記録部が横に広がりやす
くなるので好ましくない。
【００６３】次に、本発明の光記録媒体の構成について
述べる。図２は、本発明の光記録媒体に適用し得る層構
成例を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。
基板１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録
層２を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられてい
る。また、必要に応じて基板１の下にハードコート層５
を設けることができる。
述べる。図２は、本発明の光記録媒体に適用し得る層構
成例を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。
基板１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録
層２を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられてい
る。また、必要に応じて基板１の下にハードコート層５
を設けることができる。
【００６４】図３は、本発明の光記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメデ
ィアの例である。図２の構成の記録層２の上に反射層６
が設けられている。
別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメデ
ィアの例である。図２の構成の記録層２の上に反射層６
が設けられている。
【００６５】図４は、本発明の光記録媒体に適用し得る
別のタイプ（ＤＶＤ−Ｒ用）の層構成例を示す図で、こ
の場合、図３の構成の保護層４の上に接着層８と保護基
板７が設けられている。
別のタイプ（ＤＶＤ−Ｒ用）の層構成例を示す図で、こ
の場合、図３の構成の保護層４の上に接着層８と保護基
板７が設けられている。
【００６６】即ち、本発明の光記録媒体は、図２及び図
３に示した構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、
他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構
造にすることもできるし、また保護層を介して接着した
貼合せ構造にすることもできる。
３に示した構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、
他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構
造にすることもできるし、また保護層を介して接着した
貼合せ構造にすることもできる。
【００６７】本発明の光記録媒体をＤＶＤ−Ｒ用として
適用する場合の記録媒体の構成としては、第１の基板と
第２の基板（以降第１基板、第２基板と記すことがあ
る）とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基
本構造とする。記録層は有機色素単層でもよく、反射層
を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でもよ
い。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して
層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構
成でもよい。最も通常に用いられるのは、第１基板／有
機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２基板構造
である。
適用する場合の記録媒体の構成としては、第１の基板と
第２の基板（以降第１基板、第２基板と記すことがあ
る）とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基
本構造とする。記録層は有機色素単層でもよく、反射層
を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でもよ
い。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して
層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構
成でもよい。最も通常に用いられるのは、第１基板／有
機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２基板構造
である。
【００６８】（基板）基板の必要特性としては、基板側
より記録再生を行う場合のみ、使用レーザー光に対して
透明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う
場合基板は透明である必要はない。従って、本発明で
は、基板を１層しか用いない場合は第２の基板のみが透
明であれば、第１の基板の透明、不透明は問わない。
より記録再生を行う場合のみ、使用レーザー光に対して
透明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う
場合基板は透明である必要はない。従って、本発明で
は、基板を１層しか用いない場合は第２の基板のみが透
明であれば、第１の基板の透明、不透明は問わない。
【００６９】基板材料としては例えば、ポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属等を用いることができる。
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属等を用いることができる。
【００７０】なお、基板を１層しか用いない場合、ある
いは基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は請求項に
記載の第１の基板表面に、トラッキング用の案内溝や案
内ピット、さらにアドレス信号等のプレフォーマットが
形成されている必要がある。
いは基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は請求項に
記載の第１の基板表面に、トラッキング用の案内溝や案
内ピット、さらにアドレス信号等のプレフォーマットが
形成されている必要がある。
【００７１】（中間層）下引き層等を含め基板、記録
層、反射層、保護層以外に設けられた層をここでは中間
層と呼ぶことにする。この中間層は（ａ）接着性の向
上、（ｂ）水、又はガス等のバリアー、（ｃ）記録層の
保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤か
らの基板や記録層の保護、（ｆ）案内溝・案内ピット・
プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
層、反射層、保護層以外に設けられた層をここでは中間
層と呼ぶことにする。この中間層は（ａ）接着性の向
上、（ｂ）水、又はガス等のバリアー、（ｃ）記録層の
保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤か
らの基板や記録層の保護、（ｆ）案内溝・案内ピット・
プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
【００７２】（ａ）の目的に対しては高分子材料、例え
ばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、
天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々
の高分子物質、およびシランカップリング剤等を用いる
ことができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対しては、前記
高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等金
属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。
また（ｄ）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、Ａｇ等
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及び
（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、
熱可塑性樹脂等を用いることができる。
ばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、
天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々
の高分子物質、およびシランカップリング剤等を用いる
ことができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対しては、前記
高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等金
属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。
また（ｄ）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、Ａｇ等
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及び
（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、
熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【００７３】中間層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ま
しくは０．０５〜１０μｍが適当である。
しくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【００７４】（記録層）記録層はレーザー光の照射によ
り何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報
を記録できるものであって、この記録層中には本発明の
色素が含有されていることが必要である。記録層の形成
にあたって本発明の色素を１種、又は２種以上の組合せ
で用いてもよい。
り何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報
を記録できるものであって、この記録層中には本発明の
色素が含有されていることが必要である。記録層の形成
にあたって本発明の色素を１種、又は２種以上の組合せ
で用いてもよい。
【００７５】記録層は有機色素層単層でもよく、反射率
を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でも良
い。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して
層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構
成でも良い。最も通常に用いられるのは、第１基板／有
機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２基板構造
である。
を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でも良
い。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して
層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構
成でも良い。最も通常に用いられるのは、第１基板／有
機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２基板構造
である。
【００７６】本発明の前記色素は光学特性、記録感度、
信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属
化合物と混合又は積層化しても良い。有機色素の例とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントレキノン（インダンス
レン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトレヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が
挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよいし、２種以
上の組合せにしてもよい。
信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属
化合物と混合又は積層化しても良い。有機色素の例とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントレキノン（インダンス
レン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトレヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が
挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよいし、２種以
上の組合せにしてもよい。
【００７７】また、前記染料中に金属、金属化合物例え
ば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるは積層の形態で用いることもできる。さらに、前記
染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、
液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤
等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の
目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒に
用いることができる。
ば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるは積層の形態で用いることもできる。さらに、前記
染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、
液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤
等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の
目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒に
用いることができる。
【００７８】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には前記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には前記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。
【００７９】用いられる有機溶剤としては一般にメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
【００８０】記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ好まし
くは２００Å〜２０００Åが適当である。
くは２００Å〜２０００Åが適当である。
【００８１】（金属反射層）反射層は単体で高反射率の
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓ
ｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａ
ｇ、Ａｌ、が最も好ましく、これらの金属、半金属は単
独で使用しても良く、２種の合金としても良い。膜形成
法としては蒸着、スッパタリング等が挙げられ、膜厚と
しては５０〜５０００Å好ましくは１００〜３０００Å
である。
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓ
ｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａ
ｇ、Ａｌ、が最も好ましく、これらの金属、半金属は単
独で使用しても良く、２種の合金としても良い。膜形成
法としては蒸着、スッパタリング等が挙げられ、膜厚と
しては５０〜５０００Å好ましくは１００〜３０００Å
である。
【００８２】（保護層、基板表面ハードコート層）保護
層、又は基板面ハードコート層は（ａ）記録層（反射吸
収層）を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、（ｂ）記録
層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記中間層に示した材料を用いることができる。ま
た、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ2等も用いること
ができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエ
ン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用い
ることができる。
層、又は基板面ハードコート層は（ａ）記録層（反射吸
収層）を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、（ｂ）記録
層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記中間層に示した材料を用いることができる。ま
た、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ2等も用いること
ができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエ
ン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用い
ることができる。
【００８３】前記材料のうち保護層、又は基板表面ハー
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層
の膜厚は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５〜１０
μｍが適当である。
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層
の膜厚は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５〜１０
μｍが適当である。
【００８４】本発明において、前記の中間層、保護層、
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤等を含有させることができる。
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤等を含有させることができる。
【００８５】以下の表１〜３に本発明の前記一般式
（１）を構成するアゾ色素と金属種の具体例を示す。
（１）を構成するアゾ色素と金属種の具体例を示す。
【００８６】
【表１】
【００８７】
【表２】
【００８８】
【表３】
【００８９】ここで、例えば上記化合物例Ｎｏ．３の製
造方法を示せば次のとおりである。３−メトキシアニリ
ン１．２３ｇをＤＭＦ１０ｍｌに溶解し、これに臭化イ
ソブチル３．５０ｇ及び炭酸ナトリウム１．２７ｇを加
え、還流状態で４時間攪拌した。これを水に排出し、中
和した後、トルエンで抽出した。トルエン層を無水硫酸
ナトリウムで乾燥した後これを濃縮し、３−ジイソブチ
ルアミノアニソールを得た。次に、２−アミノ−４，５
−ジシアノ−１Ｈ−イミダゾール１．３３ｇを常法によ
りジアゾ化し、先の３−ジイソブチルアミノアニソール
２．３５ｇとカップリングした。析出したアゾ色素を濾
取し、水洗後、エタノール５０ｍｌに懸濁した。この懸
濁液に酢酸ニッケル四水和物１．２４ｇを加え、還流状
態で２時間攪拌した。これを水に排出し、沈殿物を濾取
し、乾燥した。得られた粗結晶は、トルエン−酢酸エチ
ル５：１で展開したカラムクロマトにより精製し、目的
の化合物例３を得た。
造方法を示せば次のとおりである。３−メトキシアニリ
ン１．２３ｇをＤＭＦ１０ｍｌに溶解し、これに臭化イ
ソブチル３．５０ｇ及び炭酸ナトリウム１．２７ｇを加
え、還流状態で４時間攪拌した。これを水に排出し、中
和した後、トルエンで抽出した。トルエン層を無水硫酸
ナトリウムで乾燥した後これを濃縮し、３−ジイソブチ
ルアミノアニソールを得た。次に、２−アミノ−４，５
−ジシアノ−１Ｈ−イミダゾール１．３３ｇを常法によ
りジアゾ化し、先の３−ジイソブチルアミノアニソール
２．３５ｇとカップリングした。析出したアゾ色素を濾
取し、水洗後、エタノール５０ｍｌに懸濁した。この懸
濁液に酢酸ニッケル四水和物１．２４ｇを加え、還流状
態で２時間攪拌した。これを水に排出し、沈殿物を濾取
し、乾燥した。得られた粗結晶は、トルエン−酢酸エチ
ル５：１で展開したカラムクロマトにより精製し、目的
の化合物例３を得た。
【００９０】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。各実施例の化
合物例Ｎｏ．は前表１〜３の化合物例Ｎｏ．である。
合物例Ｎｏ．は前表１〜３の化合物例Ｎｏ．である。
【００９１】（実施例１）厚さ０．６ｍｍの射出成形ポ
リカーボネート基板上に、フォトポリマーにて深さ１７
５０Å、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４
μｍの案内溝を形成し、化合物例Ｎｏ．１の１，１，
２，２−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンナー
塗布し、厚さ９００Åの記録層を形成し、ついでスパッ
タ法により金１２００Åの反射層を設け、さらにその上
にアクリル系フォトポリマーにて７μｍの保護層を設け
た後、厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート平面
基板をアクリル系フォトポリマーにて接着し、光記録媒
体とした。
リカーボネート基板上に、フォトポリマーにて深さ１７
５０Å、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４
μｍの案内溝を形成し、化合物例Ｎｏ．１の１，１，
２，２−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンナー
塗布し、厚さ９００Åの記録層を形成し、ついでスパッ
タ法により金１２００Åの反射層を設け、さらにその上
にアクリル系フォトポリマーにて７μｍの保護層を設け
た後、厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート平面
基板をアクリル系フォトポリマーにて接着し、光記録媒
体とした。
【００９２】（実施例２〜２０）実施例１で化合物Ｎ
ｏ．１の代わりに化合物例Ｎｏ．２〜２０を用いた以外
は実施例１と全く同様にして光記録媒体を形成した。
ｏ．１の代わりに化合物例Ｎｏ．２〜２０を用いた以外
は実施例１と全く同様にして光記録媒体を形成した。
【００９３】（比較例１）実施例１で化合物例Ｎｏ．１
の代わりに、以下に示す化合物（比−１）を用いた以外
は実施例１と全く同様にして光記録媒体を形成した。
の代わりに、以下に示す化合物（比−１）を用いた以外
は実施例１と全く同様にして光記録媒体を形成した。
【００９４】
【化５】
【００９５】前記各実施例および比較例１の光記録媒体
に、以下の記録条件で記録し、下記耐候テスト条件でテ
ストし、その評価結果を下表４に示した。
に、以下の記録条件で記録し、下記耐候テスト条件でテ
ストし、その評価結果を下表４に示した。
【００９６】（記録条件）この記録体にレーザー発振波
長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザー光
を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号（線速３．５
ｍ／ｓｅｃ．）を記録し、発振波長６８５ｎｍの半導体
レーザーの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）で再生し、
再生波形を観察した。
長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザー光
を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号（線速３．５
ｍ／ｓｅｃ．）を記録し、発振波長６８５ｎｍの半導体
レーザーの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）で再生し、
再生波形を観察した。
【００９７】（耐候テスト条件） 耐光テスト：５万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、２０時間連続照射 保存テスト：６０℃、９０％ＲＨ、６００時間放置
【００９８】
【表４】
【００９９】
【発明の効果】（１）請求項１、２及び３記載の発明に
よれば、６７０ｎｍ以下の波長域のレーザー光で記録、
再生が可能で、耐光性、保存安定性に優れた光情報記録
媒体が提供できた。 （２）請求項４の記載の発明によれば、前記第１の効果
に加えて、安定した高反射率かつ高変調度で記録再生出
来る光情報記録媒体が提供できた。 （３）請求項５及び６記載の発明によれば、前記第１の
効果に加えて、低ジッタで高密度記録出来る情報記録媒
体が提供できた。 （４）請求項７記載の発明によれば、前記第１の効果に
加えて、安定した記録及び再生の出来る情報記録媒体が
提供できた。 （５）請求項８記載の発明によれば、前記各効果を奏す
る光記録方法が提供できた。
よれば、６７０ｎｍ以下の波長域のレーザー光で記録、
再生が可能で、耐光性、保存安定性に優れた光情報記録
媒体が提供できた。 （２）請求項４の記載の発明によれば、前記第１の効果
に加えて、安定した高反射率かつ高変調度で記録再生出
来る光情報記録媒体が提供できた。 （３）請求項５及び６記載の発明によれば、前記第１の
効果に加えて、低ジッタで高密度記録出来る情報記録媒
体が提供できた。 （４）請求項７記載の発明によれば、前記第１の効果に
加えて、安定した記録及び再生の出来る情報記録媒体が
提供できた。 （５）請求項８記載の発明によれば、前記各効果を奏す
る光記録方法が提供できた。
【図１】有機色素材料の主減量過程、重量減量率を求め
る方法を説明した図である。
る方法を説明した図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の光記録媒体に適用
し得る通常の追記型光記録媒体の構成を表す断面模式図
である。
し得る通常の追記型光記録媒体の構成を表す断面模式図
である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の光記録媒体に適用
し得る高反射率型（ＣＤ−Ｒ用）光記録媒体の構成を表
す断面模式図である。
し得る高反射率型（ＣＤ−Ｒ用）光記録媒体の構成を表
す断面模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の光記録媒体に適用
し得る大容量反射率（ＤＶＤ−Ｒ用）光記録媒体の構成
を表す断面模式図である。
し得る大容量反射率（ＤＶＤ−Ｒ用）光記録媒体の構成
を表す断面模式図である。
１ 基板 ２ 記録層（有機色素層） ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ ハードコート層 ６ 金属反射層 ７ 保護基板 ８ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層を設けてなる
光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）で示
されるアゾ化合物と金属、金属酸化物またはその塩から
なるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一種類含有す
ることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （式中、Ａ環はそれが結合している炭素原子および窒素
原子と一緒になってピロール、イミダゾール、ピラゾー
ル、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソイ
ンドール、ベンゾイミダゾール、インダゾール、プリン
およびペリミジンからなる群より選択された複素環を形
成する残基を表し、Ｍは金属および／または金属酸化物
を表し、Ｒ1は水素原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基または置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ
2〜Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基、置換もしくは未置換の複素環残基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニル基、置換もしくは未
置換のアリールカルボニル基、置換もしくは未置換のア
ルキルオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシカルボニル基、置換もしくは未置換のアルキ
ルスルホニル基、置換もしくは未置換のアリールスルホ
ニル基、置換もしくは未置換のアルキルチオオキシ基、
置換もしくは未置換のアリールチオオキシ基、置換もし
くは未置換のアルキルオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルアミ
ノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基、置換も
しくは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換もし
くは未置換のアリールカルボニルアミノ基、置換もしく
は未置換のアルキルカルバモイル基、置換もしくは未置
換のアリールカルバモイル基および置換もしくは未置換
のアルケニル基よりなる群から選ばれた少なくとも一種
の基を表し、ｎは２または３を表す。また、Ｒ2とＲ3、
Ｒ3とＲ4、もしくはＲ4とＲ5は互いに連結して環を形成
していても良い。） - 【請求項２】 アゾ金属キレート化合物を構成する金属
の価数が、２価または３価であることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 アゾ金属キレート化合物を構成する金属
原子がマンガン、コバルト、ニッケルおよび銅よりなる
群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする
請求項１または２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に
対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であ
り、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２であることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 有機色素の熱重量分析で、主減量過程で
の温度に対する減量の傾きが２％ ／ ℃以上であるこ
とを特徴とする請求項１〜４にいずれかに記載の光記録
媒体。 - 【請求項６】 有機色素の熱重量分析で、主減量過程で
の総減量が３０％以上で、かつ減量開始温度が３５０℃
以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 基板上のトラックピッチが０．７〜０．
８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．２０〜０．３６μ
ｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載の光記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の光記録
媒体に６００〜７２０ｎｍの波長で記録再生を行うこと
を特徴とする光記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160852A JP4249914B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光記録媒体および光記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160852A JP4249914B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光記録媒体および光記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002347348A true JP2002347348A (ja) | 2002-12-04 |
| JP4249914B2 JP4249914B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=19004210
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160852A Expired - Fee Related JP4249914B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光記録媒体および光記録方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4249914B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004072185A1 (de) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Lanxess Deutschland Gmbh | Azometallfarbstoffe sowie optischer datenträger enthaltend in der informationsschicht solche einen azometallfarbstoff als lichtabsorbierende verbindung |
-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001160852A patent/JP4249914B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004072185A1 (de) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Lanxess Deutschland Gmbh | Azometallfarbstoffe sowie optischer datenträger enthaltend in der informationsschicht solche einen azometallfarbstoff als lichtabsorbierende verbindung |
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|---|---|
| JP4249914B2 (ja) | 2009-04-08 |
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