JP2002341521A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
- Publication number
- JP2002341521A JP2002341521A JP2001147482A JP2001147482A JP2002341521A JP 2002341521 A JP2002341521 A JP 2002341521A JP 2001147482 A JP2001147482 A JP 2001147482A JP 2001147482 A JP2001147482 A JP 2001147482A JP 2002341521 A JP2002341521 A JP 2002341521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- resin composition
- sensitive resin
- compound
- ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
性を有する透明膜を形成し得る感放射線性樹脂組成物を
提供する。 【解決手段】 本発明の感放射線性樹脂組成物は、カル
ボキシル基を有しエポキシ基のない高分子化合物
(A)、キノンジアジド基含有化合物(B)、キノンジ
アジド基のない多価フェノール化合物(C)および架橋
剤(D)を含有する。高分子化合物(A)の含有量は放
射線性樹脂組成物の固形分に対して質量分率で通常5〜
90%であり、キノンジアジド化合物の含有量は固形分
に対して質量分率で通常2〜30%であり、多価フェノ
ール化合物(C)の含有量は固形分に対して質量分率で
通常0.1〜10%であり、架橋剤(D)の含有量は固
形分に対して質量分率で通常1〜30%である。この感
放射線性樹脂組成物からなる層(1)を基板(2)の上
に形成し、該層(1)を露光したのち現像してパターン
を形成して、透明膜(5)を得る。
Description
成物に関する。
ランジスタ(TFT,Thin Film Transistor)型液晶表
示装置に使用されるTFTの絶縁膜などをはじめとする
透明膜を形成するための材料として有用である。ここで
TFTの絶縁膜などには、より明るい表示画像を得るた
めに、可視光に対する高い透過率が求められている。ま
た、TFTの生産性の点で、高い耐溶剤性も求められて
いる。さらに、感放射線性樹脂組成物には、TFTの生
産性の点で、絶縁膜の形成に使用される放射線に対する
高い感度が求められている。
可視光に対する透過率が高く、十分な耐溶剤性を有する
透明膜を形成し得、また放射線に対する感度が高い感放
射線性樹脂組成物を開発するべく鋭意検討した結果、カ
ルボキシル基を有しエポキシ基のない高分子化合物
(A)、キノンジアジド化合物(B)、キノンジアジド
基のない多価フェノール化合物(C)および架橋剤
(D)を組合わせて含有させた感放射線性樹脂組成物
は、放射線に対する感度が比較的高く、可視光に対して
透明性のより高い透明膜を形成し、しかもこの透明膜は
耐溶剤性に優れていることを見出し、本発明に至った。
ボキシル基を有しエポキシ基のない高分子化合物
(A)、キノンジアジド化合物(B)、キノンジアジド
基のない多価フェノール化合物(C)および架橋剤
(D)を含有する感放射線性樹脂組成物を提供するもの
である。
含有される高分子化合物(A)は、カルボキシル基を有
しエポキシ基のない高分子化合物である。かかる高分子
化合物は、一般的にバインダー樹脂と呼ばれる高分子化
合物であって、それ自身ではアルカリ性の水溶液に溶解
する性質を有する高分子化合物である。かかる高分子化
合物としては、カルボキシル基含有モノマー単位と他の
モノマー単位との共重合体などが挙げられる。
は、例えば不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸
などのような、分子中に1個または2個以上のカルボキ
シル基を有する不飽和カルボン酸などが挙げられ、具体
的にはアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコ
ン酸、マレイン酸、フマル酸などが挙げられる。かかる
カルボキシル基含有モノマーは、エポキシ基のないモノ
マーである。
素−炭素不飽和結合を有するモノマーが挙げられ、具体
的には、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニル
トルエンなどの芳香族ビニル化合物、メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチ
ルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタク
リレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレー
ト、ベンジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸エ
ステル、アミノエチルアクリレートなどの不飽和カルボ
ン酸アミノアルキルエステル、酢酸ビニル、プロピオン
酸ビニルなどのカルボン酸ビニルエステル、アクリロニ
トリル、メタクリロニトリル、α−クロロニトリルなど
のシアン化ビニル化合物などが挙げられる。かかる他の
モノマーは、それぞれ単独で、または2種以上を組合わ
せて用いられる。
ル基含有モノマーと他のモノマーとをモノマー単位とす
るものであるが、かかる高分子化合物におけるカルボキ
シル基含有モノマー単位の含有量は、質量分率で通常1
0%以上、好ましくは15%以上であり、通常50%以
下、好ましくは40%以下である。
ばベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体、ベ
ンジルメタクリレート/メタクリル酸/スチレン共重合
体、メタクリル酸/メタクリル酸メチル共重合体、メタ
クリル酸/メタクリル酸メチル/スチレン共重合体など
が挙げられる。かかる高分子化合物(A)は、ポリスチ
レン換算の重量平均分子量(Mw)が5,000〜40
0,000の範囲、さらには10,000〜300,0
00の範囲にあるのが好ましい。本発明の感放射線性樹
脂組成物におけるかかる共重合体(A)の含有量は、感
放射線性樹脂組成物から揮発成分を揮発させた後の固形
分に対して、質量分率で通常5%以上、好ましくは30
%以上であり、通常90%以下、好ましくは80%以下
である。
アジド基を有する化合物であって、キノンジアジド基が
放射線を吸収することによって酸を発生する。かかるキ
ノンジアジド化合物としては、例えば1,2−ベンゾキ
ノンジアジドスルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノン
ジアジドスルホン酸アミド、1,2−ナフトキノンジア
ジドスルホン酸アミド類などが挙げられる。
ロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステルなどのトリヒドロキシベンゾフェノン類の
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、2,2’,4,4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、2,2’,4,3’−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,2’,4,3’−
テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,
3,4,2’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,3,4,2’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メト
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒ
ドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどのテ
トラヒドロキシベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステル、
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステルなどのペンタヒドロキ
シベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル、
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、2,4,6,3’,
4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステルなどのヘキサヒドロキ
シベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル、
タン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,
1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,2’−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
フェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、2,2’−ビス(2,3,4
−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3
−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス
(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−
フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−
[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェ
ニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキ
シフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−
スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘ
キサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−
1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,
6’,7’−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチ
ル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロ
キシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステルなどの(ポリヒドロキシフェニル)ア
ルカン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルなどが挙げられる。
単独でまたは2種以上を組合わせて用いられる。本発明
の感放射線性樹脂組成物におけるかかるキノンジアジド
化合物の含有量は、感放射線性樹脂組成物の固形分に対
して質量分率で通常2%以上、好ましくは5%以上であ
り、通常30%以下、好ましくは20%以下である。
ル化合物(C)は、分子中に2個以上のフェノール性水
酸基を有する化合物であって、分子中にキノンジアジド
基のない化合物であり、例えばキノンジアジド化合物に
おいて上記したと同様のトリヒドロキシベンゾフェノン
類、テトラヒドロキシベンゾフェノン類、ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン類、ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン類、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン類などの多
価フェノール類などが挙げられる。また、フェノール
類、クレゾール類およびカテコール類から選ばれる1以
上の化合物とアルデヒド類およびケトン類から選ばれる
1以上の化合物とを縮重合して得られるノボラック樹脂
なども挙げられる。さらに、ポリヒドロキシスチレン化
合物なども挙げられる。
価フェノール化合物の含有量は、感放射線性樹脂組成物
の固形分に対して質量分率で通常0.1%以上、好まし
くは1%以上であり、得られる透明膜が可視光に対して
より高い透過率を示す点で、通常10%以下、好ましく
は5%以下である。
メチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化尿素樹脂な
どのアルコキシメチル化アミノ樹脂、エポキシ化合物な
ども挙げられる。
としては、メトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシメ
チル化メラミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹
脂、ブトキシメチル化メラミン樹脂などが、アルコキシ
メチル化尿素樹脂としては、例えばメトキシメチル化尿
素樹脂、エトキシメチル化尿素樹脂、プロポキシメチル
化尿素樹脂、ブトキシメチル化尿素樹脂などが挙げられ
る。
物、脂環式エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物など
が挙げられる。芳香族エポキシ化合物は、例えばフェニ
ルグリシジルエーテルなどの単官能エポキシ化合物や、
少なくとも1個の芳香族核を有する多価フェノールまた
はそのアルキレンオキサイド付加体のポリグリシジルエ
ーテルであって、具体的にはビスフェノールA、テトラ
ブロモビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェ
ノールS等のビスフェノール化合物またはビスフェノー
ル化合物のアルキレンオキサイド(例えばエチレンオキ
サイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイドな
ど)付加体とエピクロルヒドリンとの反応によって製造
されるグリシジルエーテル類、フェノール・ノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾール・ノボラック型エポキシ樹
脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などの
ノボラック型エポキシ樹脂類、トリスフェノールメタン
トリグリシジルエーテルなどが挙げられる。
−ビニルシクロヘキセンモノエポキサイド、ノルボルネ
ンモノエポキサイド、リモネンモノエポキサイド、3,
4−エポキシシクロヘキシシルメチル−3,4−エポキ
シシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−(3,4−
エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、2−
(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−スピロ−
3,4−エポキシ)シクロヘキサノン−メタ−ジオキサ
ン、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ル、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−
スピロ−3,4−エポキシ)シクロヘキサン−メタ−ジ
オキサン、2,2−ビス[4−(2,3−エポキシプロ
ポキシ)シクロヘキシル]ヘキサフルオロプロパン、B
HPE−3150(ダイセル化学工業(株)製、脂環式
エポキシ樹脂(軟化点71℃)などがあげられる。
1,4−ブタンジオールジクリシジルエーテル、1,6
−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、エチレング
リコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールモ
ノグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシ
ジルエーテル、プロピレングリコールモノグリシジルエ
ーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオ
ペンチルグルコールジグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグルコールモノグリシジルエーテル、グリセロールジ
グリシジルエーテル、グルセロールトリグリシジルエー
テル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、
トリメチロールプロパンモノグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパントリグリシジルエーテル、ジグリセ
ロールトリグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグ
リシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、2−エ
チルヘキシルグリシジルエーテル、水添ビスフェノール
A型エポキシ樹脂(共栄社化学製、「エポライト400
0」)などが挙げられる。
種以上を組合わせて用いられる。本発明の感放射線性樹
脂組成物における架橋剤の含有量は、感放射線性樹脂組
成物の固形分に対して質量分率で通常1%以上、好まし
くは5%以上であり、通常30%以下、好ましくは20
%以下である。
溶剤(E)と混合され、希釈された状態で使用される。
溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテルなどのエチレングリコールモノ
アルキルエーテル類、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールジブチルエーテルなどのジエチレングリコールジ
アルキルエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールア
ルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテルアセテートなどのプロピレングリコ
ールアルキルエーテルアセテート類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチルエチルケ
トン、アセトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロ
ヘキサノール、エチレングリコール、グリセリンなどの
アルコール類、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−
メトキシプロピオン酸メチルなどのエステル類、γ−ブ
チロラクトンなどの環状エステル類などが挙げられる。
かかる溶剤は、それぞれ単独でまたは2種以上を組合わ
せて用いられ、その使用量は感放射線性樹脂組成物のう
ちの溶剤の割合が、質量分率で通常50%以上、好まし
くは60%以上であり、通常90%以下、好ましくは8
5%以下となるように用いられる。
モノマーを含有していてもよい。重合性モノマーを含有
することによって、より硬度の高い絶縁膜などを形成す
ることができる。重合性モノマーとしては、例えば加熱
されることによってラジカル重合し得る重合性モノマ
ー、カチオン重合し得る重合性モノマーなどが用いられ
る。
は、例えば重合性炭素−炭素不飽和結合を有する化合物
が挙げられ、単官能の重合性モノマーであってもよい
し、2官能の重合性モノマーまたは3官能以上の重合性
モノマーなどの多官能の重合性モノマーであってもよ
い。単官能の重合性モノマーとしては、例えばノニルフ
ェニルカルビトールアクリレート、ノニルフェニルカル
ビトールメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノ
キシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェ
ノキシプロピルメタクリレート、2−エチルヘキシルカ
ルビトールアクリレート、2−エチルヘキシルカルビト
ールメタアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルメタアクリレート、N−ビ
ニルピロリドンなどが挙げられる。2官能の重合性モノ
マーとしては、例えば1,6−ヘキサンジオールジアク
リレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジア
クリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチ
レングリコールジメタクリレート、ビスフェノールAの
ビス(アクリロイロキシエチル)エーテル、3−メチル
ペンタンジオールジアクリレート、3−メチルペンタン
ジオールジメタクリレートなどが挙げられる。また、3
官能以上の重合性モノマーとしては、例えばトリメチル
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリ
トールペンタアクリレート、ペンタエリスリトールペン
タメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレー
トなどが挙げられる。かかる重合性モノマーの中でも、
2官能または3官能以上の重合性モノマーが好ましく用
いられる。また、2官能または3官能以上の重合性モノ
マーと、単官能の重合性モノマーとを組合わせて用いて
もよい。
は、例えばビニルエーテル基、プロペニルエーテル基な
どのカチオン重合性の官能基を有する重合性モノマーが
挙げられ、具体的には、例えばトリエチレングリコール
ジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノー
ルジビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエー
テル、ドデシルビニルエーテル、4−(1−プロペニル
オキシメチル)−1,3−ジオキソラン−2−オン(プ
ロペニルエーテルプロピオンカーボネートとの化合物名
でISPインベストメント社より商品名「RAPI−C
URE PEPC」として市販されている。)などが挙
げられる。
合性モノマーはそれぞれ単独でまたは2種以上を組合わ
せて用いられ、本発明の感放射線性樹脂組成物における
その含有量は、感放射線性樹脂組成物の固形分に対して
質量分率で通常0.1%以上、好ましくは1%以上であ
り、通常50%以下、好ましくは30%以下である。
止剤、紫外線吸収剤、密着促進剤などの添加剤を含有し
ていてもよい。酸化防止剤としては、例えば2,2’−
チオビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノー
ル)、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェ
ノールなどが挙げられる。紫外線吸収剤としては、例え
ば2−(3−tert−ブチル−2−ヒドロキシ−5−
メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、ア
ルコキシベンゾフェノンなどが挙げられる。密着促進剤
としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキ
シ)シラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチ
ル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル
メチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−クロロプ
ロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルト
リメトキシシラン、3−メタクリロイロキシプロピルト
リメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキ
シシランなどが挙げられる。
共重合体(A)を溶剤に溶解した溶液、キノンジアジド
化合物(B)を溶剤に溶解した溶液、多価フェノール化
合物(C)を溶剤に溶解した溶液、および架橋剤(D)
を溶剤に溶解した溶液を混合する方法により製造するこ
とができる。重合性モノマー、添加剤などを用いる場合
には、さらに重合性モノマー、添加剤などを加えればよ
い。また、混合後、さらに溶剤を加えてもよい。混合
後、濾過して固形物を取り除くことが好ましく、例えば
孔径3μm以下、好ましくは1μm以上2μm以下程度
のフィルターを用いて濾過することが好ましい。
明膜を形成するには、例えば本発明の感放射線性樹脂組
成物からなる層(1)を基板(2)の上に形成し(図1
(a))、ポジマスク(3)を介して該層(1)に放射線
(4)を照射して露光した後(図1(b))、現像すれば
よい(図1(c))。
板などが挙げられる。かかる基板には、TFTの回路、
カラーフィルターなどが形成されていてもよい。
は、通常の方法、例えば本発明の感放射線性樹脂組成物
を基板(2)の上に塗布する方法によって形成すること
ができる。塗布は、例えばスピンコートにより行なわれ
る。塗布後、加熱乾燥(プリベーク)して溶剤を揮発さ
せることによって、感放射線性樹脂組成物層(1)が形
成されるが、かくして溶剤を揮発させた後の感放射線性
樹脂組成物層(1)は、感放射線性樹脂組成物の固形分
からなり、揮発成分をほとんど含まない。また、この感
放射線性樹脂組成物層の厚みは例えば4μm〜5μm程
度である。
に、ポジマスク(3)を介して放射線(4)を照射す
る。ポジマスク(3)のパターンは、透明膜の目的とす
るパターンに応じて適宜選択される。放射線としては、
例えばg線、i線などの光線が用いられる。放射線は、
感放射線性樹脂組成物層の全面に亙って平行となって照
射されうるように、例えばマスクアライナー(図示せ
ず)などを用いて照射されることが好ましい。かくして
放射線が照射され得ることによって、ポジマスクと感放
射線性樹脂組成物層との位置合わせを正確に行うことが
できる。
露光後の感放射線性樹脂組成物層(1)を、例えば現像
液に接触させる方法によって行うことができる。現像液
としては、通常と同様に、アルカリ水溶液が用いられ
る。アルカリ水溶液としては、通常と同様に、アルカリ
性化合物の水溶液が用いられ、アルカリ性化合物は、無
機アルカリ性化合物であってもよいし、有機アルカリ性
化合物であってもよい。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素二ナトリ
ウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニ
ウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニア
などが上げられる。有機アルカリ性化合物としては、例
えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、2−ヒド
ロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、
モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、
エタノールアミンなどが挙げられる。かかるアルカリ性
化合物は、それぞれ単独でまたは2種以上を組合わせて
用いられる。現像液は、現像液100重量部あたりアル
カリ性化合物を通常0.1重量部以上、好ましくは0.
2重量部以上含有し、通常10重量部以下、好ましくは
5重量部以下含有する。
い。界面活性剤としては、例えばノニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤など
が挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、例えば
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチ
レンアリールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルア
リールエーテルなどのポリオキシエチレン誘導体、オキ
シエチレン/オキシプロピレンブロック共重合体、ソル
ビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン
脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪
酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエ
チレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルア
ミンなどが挙げられる。カチオン系界面活性剤として
は、例えばステアリルアミン塩酸塩などのアミン塩、ラ
ウリルトリメチルアンモニウムクロライドなどの第四級
アンモニウム塩などが挙げられる。アニオン系界面活性
剤としては、例えばラウリルアルコール硫酸エステルナ
トリウム、オレイルアルコール硫酸エステルナトリウム
などの高級アルコール硫酸エステル塩、ラウリル硫酸ナ
トリウム、ラウリル硫酸アンモニウムなどのあるキル硫
酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ドデシ
ルナフタレンスルホン酸ナトリウムなどのあるキルアリ
ールスルホン酸塩などが挙げられる。これらの界面活性
剤は、それぞれ単独でまたは2種以上を組合わせて用い
られる。
もよい。かかる有機溶剤としては、例えばメタノール、
エタノールなどの水溶性の有機溶剤などが挙げられる。
接触させるには、例えば感放射線性樹脂組成物層(1)
が形成された基板(2)を現像液に浸漬すればよい。
(1)のうちの、先の露光において放射線が照射された
放射線照射領域(12)が現像液に溶解し、放射線が照
射されなかった放射線未照射領域(11)が現像液に溶
解することなく残って、パターン(5)を形成する。
ド化合物(B)を含有するので、感放射線性樹脂組成物
層(1)を現像液と接触させる時間が短くても、放射線
照射領域(11)は容易に溶解して、除去される。ま
た、キノンジアジド化合物(B)および多価フェノール
化合物(C)を含有するので、感放射線性樹脂組成物層
(1)を現像液に接触させる時間が長くなっても、放射
線未照射領域(12)が現像液に溶解して消失すること
がない。
のち、さらに得られたパターン(5)の全面に亙って放
射線を照射することが、より透明な透明膜を形成し得る
点で、好ましい。ここで照射する放射線の単位面積あた
りの照射量は通常、先の露光における照射量よりも多
い。
らに加熱処理(ポストベーク)されることが、透明膜の
耐熱性、耐溶剤性などが向上する点で、好ましい。加熱
は、全面に亙って放射線を照射した後の基板をホットプ
レート、クリーンオーブンなどの加熱装置で加熱する方
法により行なわれる。加熱温度は、通常150℃〜25
0℃、好ましくは180℃〜240℃程度、加熱時間は
通常5分〜90分、好ましくは15分〜90分程度であ
る。かくして加熱することによって、パターンが硬化し
て、透明膜が形成される。
放射線性樹脂組成物が硬化されてなるものであり、例え
ばTFTを構成する透明膜として有用である。
明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるも
のではない。
ジルメタクリレート単位とメタクリル酸単位との質量比
は79.2:20.8、ポリスチレン換算の重量平均分
子量(Mw)は25,000〕(18.5重量部)、式
(1) (式中、Q1、Q2およびQ3はそれぞれ独立に水素原子
または式(1−1) で示される置換基を示す。)で示されるキノンジアジド
化合物の混合物〔式(1)中のQ1、Q2およびQ3で示
される置換基における水素原子と式(1−1)で示され
る置換基との割合は物質量比(モル比)で1:2〕
(1.1重量部)、式(2) で示される多価フェノール化合物(2.2重量部)、ヘ
キサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル(4.3
重量部)、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート(70.1重量部)および3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン(3.7重量部)を約23℃
で混合したのち、孔径1.5μmのカートリッジフィル
ターで加圧濾過して、感放射線性樹脂組成物(濾液)を
得た。
ガラス基板〔コーニング社製、「#7059」〕(2)
を中性洗剤で洗浄した後、水で洗浄し、アルコールで洗
浄して乾燥した後、その表面上に、上記で得た感放射線
性樹脂組成物をスピンコートし、クリーンオーブン中1
20℃で3分間加熱(プリベーク)して感放射線性樹脂
組成物層(1)を形成した(図1(a))。その後、この
感放射線性樹脂組成物層(1)に、マスクアライナー
〔ミカサ社製、「M−2Li型」〕を用いて、ポジマス
ク(3)を介して放射線(4)を照射して、露光した
(図1(b))。ポジマスク(3)としては、線幅10μ
mの線状の透明膜を間隔10μmで形成するためのポジ
マスクを用いた。放射線(4)は、波長365nm基準
での強度が250mJ/cm2となるように照射した。
露光後、現像液(100重量部中にテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシドを0.4重量部含有する、23℃)
に60秒間浸漬したのち、超純水で洗浄し、乾燥した。
乾燥後、超高圧水銀ランプを用いて全面に亙って放射線
(波長365nm基準での強度は800mJ/cm2)
を照射し、クリーンオーブン中230℃で30分間加熱
して、透明膜(5)を形成した(図1(c))。得られた
透明膜(5)は、間隔10μmで平行に並んだ線状のパ
ターン(幅10μm)で、厚み(T1)を膜厚計〔日本
真空社製、「DEKTAK3」〕を用いて測定したとこ
ろ、4μmであった。
nm、650nmにおける光線透過率(Tt)を顕微分
光光度計〔オリンパス社製、「OSP−200」〕を用
いてそれぞれ測定した。また、透明膜が形成された基板
をγ−ブチルラクトンまたはN−メチルピロリドン(2
3℃)に30分間浸漬して耐溶剤性試験を行なった。評
価は、浸漬前後の透明膜の外観を目視で観察して、以下
の基準で行なった。 ○:浸漬前後で変化が見られない ×:浸漬後、透明膜が剥離していた
記と同様にして測定し、上記で測定した透明膜の厚み
(T1)とから式(10) RT=(T1−T2)/T1 (10) によって膜厚変化率(RT)を算出した。
省略する以外は上記と同様に操作して、基板の全面に亙
って透明膜を形成し、その厚み(T0)を上記と同様に
して測定し、式(11) R=T1/T0 (11) によって残膜率(R)を求めた。結果を表1に示す。
クリル酸共重合体(16.2重量部)、式(3) (式中、Q4は式(1−1)で示される置換基を示
す。)で示される化合物(3.8重量部)、ヒドロキシ
スチレン/t−ブチルメタクリレート共重合体〔ヒドロ
キシスチレン単位とt−ブチルメタクリレート単位との
質量比は62:38〕(2.9重量部)、ヘキサメチロ
ールメラミンヘキサメチルエーテル(3.8重量部)、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(70.0重量部)および3−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン(3.7重量部)を約23℃で混合
し、実施例1と同様に操作して、感放射線性樹脂組成物
を得た。
えて上記で得た感放射線性樹脂組成物を用いる以外は、
実施例1と同様に操作して、基板の上に透明膜を形成し
た。得られた透明膜は、間隔10μmで平行に並んだ線
状のパターン(幅10μm)で、厚み(T1)を実施例
1と同様にして測定したところ、4μmであった。実施
例1と同様に操作して、光線透過率(Tt)を測定し、
耐溶剤性試験を行ない、膜厚変化率(RT)を求め、残
膜率(R)を求めた。結果を表1に示す。
タクリル酸共重合体(18.4重量部)、式(3)で示
されるキノンジアジド化合物(2.7重量部)、式
(2)で示される多価フェノール化合物(0.9重量
部)、ヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル
(4.3重量部)、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート(70.0重量部)および3−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン(3.7重量部)を
約23℃で混合し、実施例1と同様に操作して、感放射
線性樹脂組成物を得た。
えて上記で得た感放射線性樹脂組成物を用いる以外は、
実施例1と同様に操作して、基板の上に透明膜を形成し
た。得られた透明膜は、間隔10μmで平行に並んだ線
状のパターン(幅10μm)で、厚み(T1)を実施例
1と同様にして測定したところ、4μmであった。実施
例1と同様に操作して、光線透過率(Tt)を測定し、
耐溶剤性試験を行ない、膜厚変化率(RT)を求め、残
膜率(R)を求めた。結果を表1に示す。
ジルメタクリレート単位とメタクリル酸単位との質量比
は84.78:15.3、ポリスチレン換算の重量平均
分子量(Mw)は20,000〕(18.5重量部)、
式(3)で示されるキノンジアジド化合物(2.8重量
部)、式(2)で示される多価フェノール化合物(1.
1重量部)、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂
〔「エポライト4000」、共栄社化学製〕(2.2重
量部)、ヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテ
ル(4.8重量部)、プロピレングリコール者メチルエ
ーテルアセテート(57.1重量部)および3−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン(4.1重量部)を
約23℃で混合し、実施例1と同様に操作して、感放射
線性樹脂組成物を得た。
えて上記で得た感放射線性樹脂組成物を用いる以外は、
実施例1と同様に操作して、基板の上に透明膜を形成し
た。得られた透明膜は、間隔10μmで平行に並んだ線
状のパターン(幅10μm)で、厚み(T1)を実施例
1と同様にして測定したところ、4μmであった。実施
例1と同様に操作して、光線透過率(Tt)を測定し、
耐溶剤性試験を行ない、膜厚変化率(RT)を求め、残
膜率(R)を求めた。結果を表1に示す。
膜は、いずれも厚みが4μmであり、光線透過率は80
%以上である。
体(18.5重量部)、実施例1で用いたと同じキノン
ジアジド化合物の混合物(3.3重量部)、ヘキサメチ
ロールメラミンヘキサメチルエーテル(4.3重量
部)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート(70.1重量部)および3−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン(3.7重量部)を約23℃で混
合し、実施例1と同様に操作して、感放射線性樹脂組成
物を得た。
えて上記で得た感放射線性樹脂組成物を用いる以外は、
実施例1と同様に操作して、基板の上に透明膜を形成し
たが、得られた透明膜は容易に基板から剥離した。
重量部)、式(4) (式中、nは18〜24である。)で示される多価フェ
ノール化合物(18.8重量部)、ヘキサメチロールメ
ラミンヘキサメチルエーテル(3.7重量部)、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート(70.
1重量部)および3−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン(3.7重量部)を約23℃で混合し、実施例
1と同様に操作して、感放射線性樹脂組成物を得た。
えて上記で得た感放射線性樹脂組成物を用いる以外は、
実施例1と同様に操作して、基板の上に透明膜を形成し
た。得られた透明膜は、間隔10μmで平行に並んだ線
状のパターン(幅10μm)で、厚み(T1)を実施例
1と同様にして測定したところ、4μmであった。実施
例1と同様に操作して、光線透過率(Tt)を測定した
ところ、波長450nmでは56.4%、波長550n
mでは68.2%、波長650nmでは70.5%であ
り、残膜率(R)を求めたところ、90%であった。結
果を表1に示す。
を形成する工程を示す模式図である。
照射領域 12:放射線照射領域 2:基板 3:ポジマスク 4:放射線 5:透明膜
Claims (5)
- 【請求項1】カルボキシル基を有しエポキシ基のない高
分子化合物(A)、キノンジアジド化合物(B)、キノ
ンジアジド基を有しない多価フェノール化合物(C)お
よび架橋剤(D)を含有する感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項2】高分子化合物(A)の含有量が感放射線性
樹脂組成物の固形分に対して質量分率で5%以上90%
以下であり、キノンジアジド化合物の含有量が固形分に
対して質量分率で2%以上30%以下であり、多価フェ
ノール化合物(C)の含有量が固形分に対して質量分率
で0.1%以上10%以下であり、架橋剤(D)の含有
量が固形分に対して質量分率で1%以上30%以下であ
る請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の感放射線
性樹脂組成物からなる層を基板の上に形成し、該層を露
光したのち現像してパターンを形成することを特徴とす
る透明膜の形成方法。 - 【請求項4】現像後、形成されたパターンの全面に亙っ
て放射線を照射する請求項3に記載の形成方法。 - 【請求項5】全面に亙って放射線を照射した後、加熱す
る請求項4に記載の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147482A JP2002341521A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147482A JP2002341521A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002341521A true JP2002341521A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18992963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001147482A Pending JP2002341521A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002341521A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086144A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
| JP2006154780A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Jsr Corp | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
| JP2007052359A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Jsr Corp | パターン形成方法、その硬化物および回路基板 |
| JP2009533707A (ja) * | 2006-04-13 | 2009-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | ポジティブ型フォトレジスト用組成物およびこれから製造されたポジティブ型フォトレジストフィルム |
| JP2013130816A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Nippon Zeon Co Ltd | 永久膜用樹脂組成物及び電子部品 |
| KR20240167639A (ko) | 2022-03-25 | 2024-11-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 그것을 구비하는 표시 장치 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455553A (en) * | 1987-08-05 | 1989-03-02 | Hoechst Ag | Photosensitive composition, photosensitive copying material produced therefrom and making of negative relief copy |
| JPH0695386A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Tosoh Corp | マイクロレンズ用ポジ型感光材料 |
| JPH075302A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Tosoh Corp | マイクロ集光レンズ形成用感光性組成物 |
| JPH10153854A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| WO1998049601A1 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Positive resist composition for photomask preparation |
| JP2000310858A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2001042518A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2001042527A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
| JP2001056552A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001147482A patent/JP2002341521A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455553A (en) * | 1987-08-05 | 1989-03-02 | Hoechst Ag | Photosensitive composition, photosensitive copying material produced therefrom and making of negative relief copy |
| JPH0695386A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Tosoh Corp | マイクロレンズ用ポジ型感光材料 |
| JPH075302A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Tosoh Corp | マイクロ集光レンズ形成用感光性組成物 |
| JPH10153854A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| WO1998049601A1 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Positive resist composition for photomask preparation |
| JP2000310858A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2001042518A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2001042527A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
| JP2001056552A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086144A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
| CN100570482C (zh) * | 2003-03-25 | 2009-12-16 | Az电子材料(日本)株式会社 | 光敏树脂组合物 |
| KR101017234B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2011-02-25 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
| JP2006154780A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Jsr Corp | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
| JP2007052359A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Jsr Corp | パターン形成方法、その硬化物および回路基板 |
| JP2009533707A (ja) * | 2006-04-13 | 2009-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | ポジティブ型フォトレジスト用組成物およびこれから製造されたポジティブ型フォトレジストフィルム |
| JP2013130816A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Nippon Zeon Co Ltd | 永久膜用樹脂組成物及び電子部品 |
| KR20240167639A (ko) | 2022-03-25 | 2024-11-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 그것을 구비하는 표시 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102610602B1 (ko) | 감방사선성 조성물, 경화막 및 표시 소자 | |
| JP2001281853A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2002341521A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4148098B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4403805B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4586703B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2001281861A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4000903B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP5992059B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 | |
| JP2003156843A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4655864B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| KR20060052212A (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
| KR101056719B1 (ko) | 경화 수지 패턴의 형성 방법 | |
| JP2001242616A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| KR20040038826A (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
| JP2005181353A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| KR20060052211A (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
| JP2003114529A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4696761B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4640099B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2002040651A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| CN1716094B (zh) | 辐射敏感树脂组合物 | |
| JP2005265866A (ja) | 硬化樹脂パターンの形成方法 | |
| JP4720320B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2004139070A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080128 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110111 |