JP2002340668A - サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 - Google Patents
サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法Info
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- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線のショート等の不良をウェハ状態で検出し
て後工程に流出することを防ぐことができるサーモパイ
ル式赤外線センサおよびその検査方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板１０の上にポリシリコン膜１
３とアルミ薄膜１４が交互に直列に延設され、温接点１
７と冷接点１８の温度差により発生する起電力が熱電対
を直列接続した直列回路の両端子２０，２１から取り出
される。ウェハ状態で、熱電対を直列接続した直列回路
における回路途中の部位α１，α２，α３から引き出し
た電気検査用端子２２，２３，２４と、直列回路の両端
子２０，２１を用いて、電気検査用端子２２，２３，２
４により分割された熱電対の抵抗値を測定し、この抵抗
値の測定結果に基づいて良否の判定を行う。
て後工程に流出することを防ぐことができるサーモパイ
ル式赤外線センサおよびその検査方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板１０の上にポリシリコン膜１
３とアルミ薄膜１４が交互に直列に延設され、温接点１
７と冷接点１８の温度差により発生する起電力が熱電対
を直列接続した直列回路の両端子２０，２１から取り出
される。ウェハ状態で、熱電対を直列接続した直列回路
における回路途中の部位α１，α２，α３から引き出し
た電気検査用端子２２，２３，２４と、直列回路の両端
子２０，２１を用いて、電気検査用端子２２，２３，２
４により分割された熱電対の抵抗値を測定し、この抵抗
値の測定結果に基づいて良否の判定を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、温度検出や画像
認識等に用いられるサーモパイル式赤外線センサに関す
るものである。
認識等に用いられるサーモパイル式赤外線センサに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】サーモパイル式赤外線センサは、赤外線
を受けて出力を出すセンサである。ウェハ状態での検査
方法として、光を照射して出力特性を検査する方法が考
えられるが、センサ出力にバラツキがあるため、出力値
のみで配線ショート等の不良を検出するのは困難であ
る。例えば、１００本の熱電対のうち配線のショートに
より５本の熱電対が不良となっていても９５本が正常に
出力を出せば、正常品の９５％の出力が出るため出力バ
ラツキの範囲内に入り、後工程に流出してしまう可能性
がある。
を受けて出力を出すセンサである。ウェハ状態での検査
方法として、光を照射して出力特性を検査する方法が考
えられるが、センサ出力にバラツキがあるため、出力値
のみで配線ショート等の不良を検出するのは困難であ
る。例えば、１００本の熱電対のうち配線のショートに
より５本の熱電対が不良となっていても９５本が正常に
出力を出せば、正常品の９５％の出力が出るため出力バ
ラツキの範囲内に入り、後工程に流出してしまう可能性
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下になされたものであり、その目的は、配線のショ
ート等の不良をウェハ状態で検出して後工程に流出する
ことを防ぐことができるサーモパイル式赤外線センサお
よびその検査方法を提供することにある。
景の下になされたものであり、その目的は、配線のショ
ート等の不良をウェハ状態で検出して後工程に流出する
ことを防ぐことができるサーモパイル式赤外線センサお
よびその検査方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】サーモパイル式赤外線セ
ンサの構造として、請求項１に記載のごとく、熱電対を
直列接続した直列回路における回路途中の部位から熱電
対群を分割する形で電気検査用端子を引き出す。
ンサの構造として、請求項１に記載のごとく、熱電対を
直列接続した直列回路における回路途中の部位から熱電
対群を分割する形で電気検査用端子を引き出す。
【０００５】また、サーモパイル式赤外線センサの検査
方法として、請求項２に記載のごとく、ウェハ状態で、
熱電対を直列接続した直列回路における回路途中の部位
から引き出した電気検査用端子と、直列回路の両端子を
用いて、電気検査用端子により分割された熱電対の抵抗
値を測定し、この抵抗値の測定結果に基づいて良否の判
定を行うようにする。
方法として、請求項２に記載のごとく、ウェハ状態で、
熱電対を直列接続した直列回路における回路途中の部位
から引き出した電気検査用端子と、直列回路の両端子を
用いて、電気検査用端子により分割された熱電対の抵抗
値を測定し、この抵抗値の測定結果に基づいて良否の判
定を行うようにする。
【０００６】このように、熱電対を直列接続した直列回
路の途中に電気検査用の端子を設けることで、ウェハ状
態で熱電対の抵抗値を測定し、この測定結果に基づいて
（例えば、請求項３に記載のごとく抵抗値の比から）ウ
ェハ工程で発生した配線のショート等の不良をウェハ状
態で検出し、後工程に流出することを防止することがで
きる。
路の途中に電気検査用の端子を設けることで、ウェハ状
態で熱電対の抵抗値を測定し、この測定結果に基づいて
（例えば、請求項３に記載のごとく抵抗値の比から）ウ
ェハ工程で発生した配線のショート等の不良をウェハ状
態で検出し、後工程に流出することを防止することがで
きる。
【０００７】特に、熱電対群の抵抗（サーモパイルの抵
抗）は、ロットやウェハ間でのバラツキは大きいが、同
一チップ内での熱電対の抵抗値にはバラツキが小さく、
精度よく配線のショート等の不良を検出することができ
る。
抗）は、ロットやウェハ間でのバラツキは大きいが、同
一チップ内での熱電対の抵抗値にはバラツキが小さく、
精度よく配線のショート等の不良を検出することができ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。本実施形態におけるサ
ーモパイル式赤外線センサは薄膜メンブレン構造を有し
ている。図１には、このサーモパイル式赤外線センサの
縦断面図を示す。本センサはカンパッケージされてい
る。
の形態を図面に従って説明する。本実施形態におけるサ
ーモパイル式赤外線センサは薄膜メンブレン構造を有し
ている。図１には、このサーモパイル式赤外線センサの
縦断面図を示す。本センサはカンパッケージされてい
る。
【０００９】図１において、ステム１の上にはセンサチ
ップ（シリコン基板）２と信号処理用ＩＣチップ３が接
合され、信号処理用ＩＣチップ３とセンサチップ（シリ
コン基板）２とはボンディングワイヤー４にて電気的に
接続されている。さらに、ステム１にはピン５が貫通す
る状態で配置されており、ガラス６にてハーメチックシ
ールされている。信号処理用ＩＣチップ３とピン５とは
ボンディングワイヤー７にて電気的に接続されている。
ップ（シリコン基板）２と信号処理用ＩＣチップ３が接
合され、信号処理用ＩＣチップ３とセンサチップ（シリ
コン基板）２とはボンディングワイヤー４にて電気的に
接続されている。さらに、ステム１にはピン５が貫通す
る状態で配置されており、ガラス６にてハーメチックシ
ールされている。信号処理用ＩＣチップ３とピン５とは
ボンディングワイヤー７にて電気的に接続されている。
【００１０】また、ステム１の上にはキャップ（カン）
８が配置され、ステム１の外周部がキャップ８と密着状
態で固定されている（シール溶接されている）。このキ
ャップ８の内部にセンサチップ２と信号処理用ＩＣチッ
プ３とピン５が位置することになる。このキャップ８の
内部は真空または低熱伝導度のガスが封入され、感度向
上が図られている。低熱伝導度のガスとして、キセノン
ガス等を挙げることができる。
８が配置され、ステム１の外周部がキャップ８と密着状
態で固定されている（シール溶接されている）。このキ
ャップ８の内部にセンサチップ２と信号処理用ＩＣチッ
プ３とピン５が位置することになる。このキャップ８の
内部は真空または低熱伝導度のガスが封入され、感度向
上が図られている。低熱伝導度のガスとして、キセノン
ガス等を挙げることができる。
【００１１】キャップ８には光取り入れ口（窓）８ａが
形成され、この光取り入れ口（窓）８ａにはフィルタ９
が配設されている。そして、外部からの赤外線がフィル
タ９を通してセンサチップ２に送られるようになってい
る。
形成され、この光取り入れ口（窓）８ａにはフィルタ９
が配設されている。そして、外部からの赤外線がフィル
タ９を通してセンサチップ２に送られるようになってい
る。
【００１２】図２にはセンサチップ（シリコン基板）２
の平面図を示すとともに、図２のＡ−Ａ線での縦断面を
図３に示す。なお、図２においては図３の絶縁膜１５と
赤外線吸収膜１６を省いている。
の平面図を示すとともに、図２のＡ−Ａ線での縦断面を
図３に示す。なお、図２においては図３の絶縁膜１５と
赤外線吸収膜１６を省いている。
【００１３】図２，３において、シリコン基板１０には
上下面に開口する貫通孔１１が形成されている。この貫
通孔１１はシリコン基板１０の裏面（図３での下面）か
らエッチングを行うことにより形成したものである。シ
リコン基板１０の上面にはシリコン窒化膜１２が形成さ
れ、このシリコン窒化膜１２にて貫通孔１１の上面側開
口部が塞がれている。なお、シリコン窒化膜１２の代わ
りにシリコン酸化膜等の他の絶縁膜を用いてもよい。
上下面に開口する貫通孔１１が形成されている。この貫
通孔１１はシリコン基板１０の裏面（図３での下面）か
らエッチングを行うことにより形成したものである。シ
リコン基板１０の上面にはシリコン窒化膜１２が形成さ
れ、このシリコン窒化膜１２にて貫通孔１１の上面側開
口部が塞がれている。なお、シリコン窒化膜１２の代わ
りにシリコン酸化膜等の他の絶縁膜を用いてもよい。
【００１４】シリコン窒化膜１２の上には、ｎ型不純物
をドープしたポリシリコン膜１３がパターニングされる
とともに、アルミ薄膜１４がパターニングされている。
このｎ型ポリシリコン膜１３とアルミ薄膜１４とはその
一部が重なるように交互に延設されている。即ち、帯状
のｎ型ポリシリコン膜１３と帯状のアルミ薄膜１４とが
直列に、かつ、一部が重なるように延設されている。
をドープしたポリシリコン膜１３がパターニングされる
とともに、アルミ薄膜１４がパターニングされている。
このｎ型ポリシリコン膜１３とアルミ薄膜１４とはその
一部が重なるように交互に延設されている。即ち、帯状
のｎ型ポリシリコン膜１３と帯状のアルミ薄膜１４とが
直列に、かつ、一部が重なるように延設されている。
【００１５】さらに、膜１３，１４の上にはパッシベー
ション膜１５が形成され、パッシベーション膜１５には
シリコン窒化膜が使用されている。このパッシベーショ
ン膜１５の上における所定領域には赤外線吸収膜１６が
形成され、赤外線吸収膜１６には金黒等が使用されてい
る。なお、パッシベーション膜１５におけるボンディン
グワイヤーを接続する部分にはパッシベーション膜１５
は取り除かれている。
ション膜１５が形成され、パッシベーション膜１５には
シリコン窒化膜が使用されている。このパッシベーショ
ン膜１５の上における所定領域には赤外線吸収膜１６が
形成され、赤外線吸収膜１６には金黒等が使用されてい
る。なお、パッシベーション膜１５におけるボンディン
グワイヤーを接続する部分にはパッシベーション膜１５
は取り除かれている。
【００１６】図２，３においては赤外線吸収膜１６はシ
リコン基板１０の中央部において四角形状をなすように
配置されている。赤外線吸収膜１６の下においてｎ型ポ
リシリコン膜１３とアルミ薄膜１４との第１の重なり部
（接合部）１７が位置するとともに、第２の重なり部
（接合部）１８が赤外線吸収膜１６の無い箇所（赤外線
吸収膜１６よりも外側）に位置している。この第１の重
なり部１７と第２の重なり部１８にて一対をなし、この
対が多数形成され、ゼーベック係数を持つ熱電対群（サ
ーモパイル）が構成されている。
リコン基板１０の中央部において四角形状をなすように
配置されている。赤外線吸収膜１６の下においてｎ型ポ
リシリコン膜１３とアルミ薄膜１４との第１の重なり部
（接合部）１７が位置するとともに、第２の重なり部
（接合部）１８が赤外線吸収膜１６の無い箇所（赤外線
吸収膜１６よりも外側）に位置している。この第１の重
なり部１７と第２の重なり部１８にて一対をなし、この
対が多数形成され、ゼーベック係数を持つ熱電対群（サ
ーモパイル）が構成されている。
【００１７】このように、半導体基板１０の上に異種材
料１３，１４が交互に直列に延設され、一つおきの接合
部１７を、赤外線を吸収して温度が上昇する温接点と
し、他の接合部１８を、赤外線を吸収しても温度上昇が
ほとんど発生しない冷接点とし、温接点１７と冷接点１
８の温度差により発生する起電力を、異種材料１３，１
４による熱電対を直列接続した直列回路の両端子２０，
２１（図２参照）から取り出すことができるようになっ
ている。特に、本例ではシリコン基板１０において当該
基板１０の上下両面に開口する貫通孔１１が形成され、
この基板１０上面での開口部に薄膜メンブレン構造のセ
ンサエレメントＥs（図３参照）が形成されている。つ
まり、温接点１７の部分は、熱容量を小さくするため基
板１０の裏面からエッチングされ、薄膜メンブレンを形
成している。一方、冷接点１８は、シリコン基板１０上
に形成されているためシリコン基板１０がヒートシンク
の役目を果たす。
料１３，１４が交互に直列に延設され、一つおきの接合
部１７を、赤外線を吸収して温度が上昇する温接点と
し、他の接合部１８を、赤外線を吸収しても温度上昇が
ほとんど発生しない冷接点とし、温接点１７と冷接点１
８の温度差により発生する起電力を、異種材料１３，１
４による熱電対を直列接続した直列回路の両端子２０，
２１（図２参照）から取り出すことができるようになっ
ている。特に、本例ではシリコン基板１０において当該
基板１０の上下両面に開口する貫通孔１１が形成され、
この基板１０上面での開口部に薄膜メンブレン構造のセ
ンサエレメントＥs（図３参照）が形成されている。つ
まり、温接点１７の部分は、熱容量を小さくするため基
板１０の裏面からエッチングされ、薄膜メンブレンを形
成している。一方、冷接点１８は、シリコン基板１０上
に形成されているためシリコン基板１０がヒートシンク
の役目を果たす。
【００１８】そして、赤外線が図１のフィルタ９を通し
て入射すると、図２，３における赤外線吸収膜１６に吸
収される。そして、熱に変わる。この熱によりｎ型ポリ
シリコン膜１３とアルミ薄膜１４との重なり部（接合
部）１７，１８に起電力が発生する。この起電力が図１
のボンディングワイヤー４を介して信号処理用ＩＣチッ
プ３に送られ、信号処理用ＩＣチップ３において増幅等
の信号処理が行われ、ボンディングワイヤー７とピン５
を通してセンサ信号として外部に送られる。
て入射すると、図２，３における赤外線吸収膜１６に吸
収される。そして、熱に変わる。この熱によりｎ型ポリ
シリコン膜１３とアルミ薄膜１４との重なり部（接合
部）１７，１８に起電力が発生する。この起電力が図１
のボンディングワイヤー４を介して信号処理用ＩＣチッ
プ３に送られ、信号処理用ＩＣチップ３において増幅等
の信号処理が行われ、ボンディングワイヤー７とピン５
を通してセンサ信号として外部に送られる。
【００１９】より具体的には、人体などから赤外線が放
射されると、赤外線吸収膜１６に赤外線が吸収され、温
度上昇が起こる。その結果、赤外線吸収膜１６の下に配
置された温接点１７の温度が上昇する。冷接点１８は、
シリコン基板１０がヒートシンクとなっているため温度
上昇は起きない。その結果、温接点１７と冷接点１８間
に温度差が生じ、ゼーベック効果により起電力が発生す
る。サーモパイル（熱電対群）は図４に示すように、各
熱電対が直列に繋がれており、熱電対の起電力の総和が
センサ出力Ｖoutとなる。
射されると、赤外線吸収膜１６に赤外線が吸収され、温
度上昇が起こる。その結果、赤外線吸収膜１６の下に配
置された温接点１７の温度が上昇する。冷接点１８は、
シリコン基板１０がヒートシンクとなっているため温度
上昇は起きない。その結果、温接点１７と冷接点１８間
に温度差が生じ、ゼーベック効果により起電力が発生す
る。サーモパイル（熱電対群）は図４に示すように、各
熱電対が直列に繋がれており、熱電対の起電力の総和が
センサ出力Ｖoutとなる。
【００２０】ここで、サーモパイル（熱電対群）は、図
４で示したように直列に接続され、第１端子２０と第２
端子２１でセンサ出力を取り出す構造となっており、出
力を大きくするため通常、数十本〜百本程度の熱電対が
接続されている。両端子２０，２１を利用してサーモパ
イル全体の抵抗値を測定することは可能であるが、ロッ
トやウェハ間での抵抗値のバラツキがあるため、熱電対
が数個程度の配線のショートではバラツキの範囲とな
り、不良として検出することができない。つまり、図９
に示すように、単に多数の熱電対が直列接続された状態
で配置され、図１０に示すように直列回路の両端子２
０，２１間での熱電対群の抵抗値を測定する方式では、
抵抗値バラツキにより配線ショートが隠れてしまいショ
ート不良を検出することができない。
４で示したように直列に接続され、第１端子２０と第２
端子２１でセンサ出力を取り出す構造となっており、出
力を大きくするため通常、数十本〜百本程度の熱電対が
接続されている。両端子２０，２１を利用してサーモパ
イル全体の抵抗値を測定することは可能であるが、ロッ
トやウェハ間での抵抗値のバラツキがあるため、熱電対
が数個程度の配線のショートではバラツキの範囲とな
り、不良として検出することができない。つまり、図９
に示すように、単に多数の熱電対が直列接続された状態
で配置され、図１０に示すように直列回路の両端子２
０，２１間での熱電対群の抵抗値を測定する方式では、
抵抗値バラツキにより配線ショートが隠れてしまいショ
ート不良を検出することができない。
【００２１】本実施形態では、図２，５に示すように、
熱電対を直列接続した直列回路における回路途中のアル
ミ部分（図２でのα１，α２，α３）からアルミ配線２
２ａ，２３ａ，２４ａが分岐しており、その先端が幅広
のプローブ接触部２２ｂ，２３ｂ，２４ｂとなってい
る。このようにして、熱電対群を分割する形で電気検査
用端子２２，２３，２４を引き出している。
熱電対を直列接続した直列回路における回路途中のアル
ミ部分（図２でのα１，α２，α３）からアルミ配線２
２ａ，２３ａ，２４ａが分岐しており、その先端が幅広
のプローブ接触部２２ｂ，２３ｂ，２４ｂとなってい
る。このようにして、熱電対群を分割する形で電気検査
用端子２２，２３，２４を引き出している。
【００２２】熱電対群の分割について言及する。図２の
平面図において各熱電対は四角形状をなす赤外線吸収膜
１６および貫通孔１１における４つの辺の部分に配置さ
れている。この４つの辺による４つの角部のうちの１つ
の角部から、熱電対を直列接続した直列回路の両端子用
アルミ２０ａ，２１ａが延設されるとともにその端部に
幅広なボンディング用パッド部２０ｂ，２１ｂおよびプ
ローブ接触部２０ｃ，２１ｃが形成されている。また、
前述の４つの辺による４つの角部のうちの他の角部が分
岐部α１，α２，α３となっている。このようにして、
四角形状をなす赤外線吸収膜１６（貫通孔１１）におけ
る４つの辺の部分に配置された各熱電対は、エリア毎に
電気検査用の端子２２，２３，２４にて分割され、エリ
ア毎の熱電対の抵抗値（主に、不純物をドープしたポリ
シリコン膜１３の抵抗値）を測定することができるよう
になっている。各エリアを、図２において第１エリアＡ
１、第２エリアＡ２、第３エリアＡ３、第４エリアＡ４
で表している。この各エリアＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４で
の熱電対はその本数が同じであり、電気的特性として等
価である。
平面図において各熱電対は四角形状をなす赤外線吸収膜
１６および貫通孔１１における４つの辺の部分に配置さ
れている。この４つの辺による４つの角部のうちの１つ
の角部から、熱電対を直列接続した直列回路の両端子用
アルミ２０ａ，２１ａが延設されるとともにその端部に
幅広なボンディング用パッド部２０ｂ，２１ｂおよびプ
ローブ接触部２０ｃ，２１ｃが形成されている。また、
前述の４つの辺による４つの角部のうちの他の角部が分
岐部α１，α２，α３となっている。このようにして、
四角形状をなす赤外線吸収膜１６（貫通孔１１）におけ
る４つの辺の部分に配置された各熱電対は、エリア毎に
電気検査用の端子２２，２３，２４にて分割され、エリ
ア毎の熱電対の抵抗値（主に、不純物をドープしたポリ
シリコン膜１３の抵抗値）を測定することができるよう
になっている。各エリアを、図２において第１エリアＡ
１、第２エリアＡ２、第３エリアＡ３、第４エリアＡ４
で表している。この各エリアＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４で
の熱電対はその本数が同じであり、電気的特性として等
価である。
【００２３】なお、電気検査用端子のプローブ接触部２
２ｂ，２３ｂ，２４ｂにおいてはパッシベーション膜１
５が取り除かれており、ウェハ状態でプローブを接触部
２２ｂ，２３ｂ，２４ｂに接触させることができるよう
になっている。
２ｂ，２３ｂ，２４ｂにおいてはパッシベーション膜１
５が取り除かれており、ウェハ状態でプローブを接触部
２２ｂ，２３ｂ，２４ｂに接触させることができるよう
になっている。
【００２４】ここで、同一のチップ内の素子抵抗である
ため、そのバラツキは極めて小さいと考えられる。よっ
て、図２に示す第１〜第４エリアＡ１〜Ａ４の熱電対の
抵抗の比（抵抗比）は、正常な場合には次のようにな
る。
ため、そのバラツキは極めて小さいと考えられる。よっ
て、図２に示す第１〜第４エリアＡ１〜Ａ４の熱電対の
抵抗の比（抵抗比）は、正常な場合には次のようにな
る。
【００２５】第１エリアＡ１の熱電対の抵抗値：第２エ
リアＡ２の熱電対の抵抗値：第３エリアＡ３の熱電対の
抵抗値：第４エリアＡ４の熱電対の抵抗値＝１：１：
１：１。
リアＡ２の熱電対の抵抗値：第３エリアＡ３の熱電対の
抵抗値：第４エリアＡ４の熱電対の抵抗値＝１：１：
１：１。
【００２６】これに対し、配線ショート等の不良がある
と、この抵抗比が崩れる。よって、抵抗比に許容範囲
（良否判定のためのマージン）を設定しておき、第１〜
第４エリアＡ１〜Ａ４の熱電対の抵抗を測定してその比
を求め、抵抗比が許容範囲から外れると、不良であるこ
とが分かる。この検査はウェハ状態で行われ、不良品は
後工程には流れない。
と、この抵抗比が崩れる。よって、抵抗比に許容範囲
（良否判定のためのマージン）を設定しておき、第１〜
第４エリアＡ１〜Ａ４の熱電対の抵抗を測定してその比
を求め、抵抗比が許容範囲から外れると、不良であるこ
とが分かる。この検査はウェハ状態で行われ、不良品は
後工程には流れない。
【００２７】このウェハ状態での検査工程を、詳しく説
明する。ウェハ状態において図３のごとく貫通孔１１を
形成するとともに各膜１２，１３，１４，１５，１６を
形成する（パターニングする）。この状態で配線ショー
ト等の不良を検出するための検査を行う。図５におい
て、端子２０と端子２２との間の第１エリアＡ１での熱
電対の抵抗値Ｘ１、端子２２と端子２３との間の第２エ
リアＡ２での熱電対の抵抗値Ｘ２、端子２３と端子２４
との間の第３エリアＡ３での熱電対の抵抗値Ｘ３、端子
２４と端子２１との間の第４エリアＡ４での熱電対の抵
抗値Ｘ４を、それぞれ測定する。そして、各測定値Ｘ
１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４の比Ｘ１：Ｘ２：Ｘ３：Ｘ４を算
出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っているか否か判
別する。
明する。ウェハ状態において図３のごとく貫通孔１１を
形成するとともに各膜１２，１３，１４，１５，１６を
形成する（パターニングする）。この状態で配線ショー
ト等の不良を検出するための検査を行う。図５におい
て、端子２０と端子２２との間の第１エリアＡ１での熱
電対の抵抗値Ｘ１、端子２２と端子２３との間の第２エ
リアＡ２での熱電対の抵抗値Ｘ２、端子２３と端子２４
との間の第３エリアＡ３での熱電対の抵抗値Ｘ３、端子
２４と端子２１との間の第４エリアＡ４での熱電対の抵
抗値Ｘ４を、それぞれ測定する。そして、各測定値Ｘ
１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４の比Ｘ１：Ｘ２：Ｘ３：Ｘ４を算
出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っているか否か判
別する。
【００２８】抵抗比を判定した結果、不良品であったな
らば、当該センサチップ形成領域にマークを付け、後工
程に流れないようにする。一方、抵抗比を判定した結
果、良品であったならば、ウェハを次工程に送り、ダイ
シングして各チップに切り分ける。その後、図１のステ
ム１の上にセンサチップ２（シリコン基板１０）と信号
処理用ＩＣチップ３を接合する。さらに、センサチップ
（シリコン基板）２と信号処理用ＩＣチップ３をボンデ
ィングワイヤー４にて電気的に接続するとともに、信号
処理用ＩＣチップ３とピン５をボンディングワイヤー７
にて電気的に接続する。
らば、当該センサチップ形成領域にマークを付け、後工
程に流れないようにする。一方、抵抗比を判定した結
果、良品であったならば、ウェハを次工程に送り、ダイ
シングして各チップに切り分ける。その後、図１のステ
ム１の上にセンサチップ２（シリコン基板１０）と信号
処理用ＩＣチップ３を接合する。さらに、センサチップ
（シリコン基板）２と信号処理用ＩＣチップ３をボンデ
ィングワイヤー４にて電気的に接続するとともに、信号
処理用ＩＣチップ３とピン５をボンディングワイヤー７
にて電気的に接続する。
【００２９】引き続き、ステム１の上にキャップ（カ
ン）８を配置して、ステム１の外周部とキャップ８とを
シール溶接する。これにより、サーモパイル式赤外線セ
ンサが完成する。
ン）８を配置して、ステム１の外周部とキャップ８とを
シール溶接する。これにより、サーモパイル式赤外線セ
ンサが完成する。
【００３０】以上のごとく、従来、センサ出力にバラツ
キがあるため出力値のみで配線ショート等の不良を検出
するのは困難であり、例えば、１００本の熱電対のうち
配線のショートにより５本の熱電対が不良となっていて
も９５本が正常に出力を出せば、正常品の９５％の出力
が出るため出力バラツキの範囲内に入り、後工程に流出
してしまう。そして、後でショート状態が崩れると信号
処理回路で正しい処理結果が得られない（出力と温度の
関係が崩れてしまい感度悪化を招いてしまう）。あるい
は、ダイシング後における外観検査により配線ショート
を見つけることは可能であるが工程的にダイシング後で
あるので、より早期にショートを見つけことが望まし
い。これに対し本実施形態では、ウェハ状態で、熱電対
を直列接続した直列回路における回路途中の部位α１，
α２，α３から引き出した電気検査用端子２２，２３，
２４と、直列回路の両端子（直列回路の両端での電気検
査用端子）２０，２１を用いて、電気検査用端子２２，
２３，２４により分割された熱電対の抵抗値Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３，Ｘ４を測定し、この抵抗値の測定結果に基づ
いて良否の判定を行うようにした。
キがあるため出力値のみで配線ショート等の不良を検出
するのは困難であり、例えば、１００本の熱電対のうち
配線のショートにより５本の熱電対が不良となっていて
も９５本が正常に出力を出せば、正常品の９５％の出力
が出るため出力バラツキの範囲内に入り、後工程に流出
してしまう。そして、後でショート状態が崩れると信号
処理回路で正しい処理結果が得られない（出力と温度の
関係が崩れてしまい感度悪化を招いてしまう）。あるい
は、ダイシング後における外観検査により配線ショート
を見つけることは可能であるが工程的にダイシング後で
あるので、より早期にショートを見つけことが望まし
い。これに対し本実施形態では、ウェハ状態で、熱電対
を直列接続した直列回路における回路途中の部位α１，
α２，α３から引き出した電気検査用端子２２，２３，
２４と、直列回路の両端子（直列回路の両端での電気検
査用端子）２０，２１を用いて、電気検査用端子２２，
２３，２４により分割された熱電対の抵抗値Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３，Ｘ４を測定し、この抵抗値の測定結果に基づ
いて良否の判定を行うようにした。
【００３１】このように、熱電対を直列接続した直列回
路の途中に電気検査用の端子２２，２３，２４を設ける
ことで、ウェハ状態で熱電対の抵抗値Ｘ１〜Ｘ４を測定
し、この測定結果に基づいて（抵抗値の比から）ウェハ
工程で発生した配線のショート等の不良をウェハ状態で
検出し、後工程に流出することを防止することができ
る。特に、熱電対群の抵抗（サーモパイルの抵抗）は、
ロットやウェハ間でのバラツキは大きいが、同一チップ
内での熱電対の抵抗値にはバラツキが小さく、精度よく
配線のショート等の不良を検出することができる。
路の途中に電気検査用の端子２２，２３，２４を設ける
ことで、ウェハ状態で熱電対の抵抗値Ｘ１〜Ｘ４を測定
し、この測定結果に基づいて（抵抗値の比から）ウェハ
工程で発生した配線のショート等の不良をウェハ状態で
検出し、後工程に流出することを防止することができ
る。特に、熱電対群の抵抗（サーモパイルの抵抗）は、
ロットやウェハ間でのバラツキは大きいが、同一チップ
内での熱電対の抵抗値にはバラツキが小さく、精度よく
配線のショート等の不良を検出することができる。
【００３２】図５に示したもの以外にも下記のようにし
てもよい。図６に示すように、熱電対を直列接続した直
列回路における回路途中の部位α１，α２から電気検査
用端子３０，３１を引き出すようにしてもよい。検査方
法としては、ウェハ状態で、端子２０と端子３０との間
の第１エリアＡ１での熱電対の抵抗値Ｘ１、端子３０と
端子３１との間の第２エリアＡ２での熱電対の抵抗値Ｘ
２、端子３１と端子２１との間の第３および第４エリア
Ａ３，Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ３４を、それぞれ測定
する。そして、各測定値Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３４の比Ｘ１：
Ｘ２：Ｘ３４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入
っているか否か判別する。このとき、理想的には（完全
なる良品であれば）、抵抗比は、Ｘ１：Ｘ２：Ｘ３４＝
１：１：２となる。
てもよい。図６に示すように、熱電対を直列接続した直
列回路における回路途中の部位α１，α２から電気検査
用端子３０，３１を引き出すようにしてもよい。検査方
法としては、ウェハ状態で、端子２０と端子３０との間
の第１エリアＡ１での熱電対の抵抗値Ｘ１、端子３０と
端子３１との間の第２エリアＡ２での熱電対の抵抗値Ｘ
２、端子３１と端子２１との間の第３および第４エリア
Ａ３，Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ３４を、それぞれ測定
する。そして、各測定値Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３４の比Ｘ１：
Ｘ２：Ｘ３４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入
っているか否か判別する。このとき、理想的には（完全
なる良品であれば）、抵抗比は、Ｘ１：Ｘ２：Ｘ３４＝
１：１：２となる。
【００３３】また、図７に示すように、熱電対を直列接
続した直列回路における回路途中の部位α２から電気検
査用端子３２を引き出すようにしてもよい。検査方法と
しては、ウェハ状態で、端子２０と端子３２との間の第
１および第２エリアＡ１，Ａ２での熱電対の抵抗値Ｘ１
２、端子３２と端子２１との間の第３および第４エリア
Ａ３，Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ３４を、それぞれ測定
する。そして、各測定値Ｘ１２，Ｘ３４の比Ｘ１２：Ｘ
３４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っている
か否か判別する。このとき、理想的には（完全なる良品
であれば）、抵抗比は、Ｘ１２：Ｘ３４＝１：１とな
る。
続した直列回路における回路途中の部位α２から電気検
査用端子３２を引き出すようにしてもよい。検査方法と
しては、ウェハ状態で、端子２０と端子３２との間の第
１および第２エリアＡ１，Ａ２での熱電対の抵抗値Ｘ１
２、端子３２と端子２１との間の第３および第４エリア
Ａ３，Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ３４を、それぞれ測定
する。そして、各測定値Ｘ１２，Ｘ３４の比Ｘ１２：Ｘ
３４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っている
か否か判別する。このとき、理想的には（完全なる良品
であれば）、抵抗比は、Ｘ１２：Ｘ３４＝１：１とな
る。
【００３４】あるいは、図８に示すように、熱電対を直
列接続した直列回路における回路途中の部位α１から電
気検査用端子３３を引き出すようにしてもよい。検査方
法としては、ウェハ状態で、端子２０と端子３３との間
の第１エリアＡ１での熱電対の抵抗値Ｘ１、端子３３と
端子２１との間の第２，第３，第４エリアＡ２，Ａ３，
Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ２３４を、それぞれ測定す
る。そして、各測定値Ｘ１，Ｘ２３４の比Ｘ１：Ｘ２３
４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っているか
否か判別する。このとき、理想的には（完全なる良品で
あれば）、抵抗比は、Ｘ１：Ｘ２３４＝１：３となる。
列接続した直列回路における回路途中の部位α１から電
気検査用端子３３を引き出すようにしてもよい。検査方
法としては、ウェハ状態で、端子２０と端子３３との間
の第１エリアＡ１での熱電対の抵抗値Ｘ１、端子３３と
端子２１との間の第２，第３，第４エリアＡ２，Ａ３，
Ａ４での熱電対の抵抗値Ｘ２３４を、それぞれ測定す
る。そして、各測定値Ｘ１，Ｘ２３４の比Ｘ１：Ｘ２３
４を算出し、この抵抗比が良品判定範囲に入っているか
否か判別する。このとき、理想的には（完全なる良品で
あれば）、抵抗比は、Ｘ１：Ｘ２３４＝１：３となる。
【００３５】これまでの説明において図２では直列回路
の両端子２０，２１に電気検査を行うための専用の部位
としてプローブ接触部２０ｃ，２１ｃを設けたが、これ
を省きボンディング用パッド部２０ｂ，２１ｂを用いて
電気検査（抵抗測定）を行うようにしてもよい。
の両端子２０，２１に電気検査を行うための専用の部位
としてプローブ接触部２０ｃ，２１ｃを設けたが、これ
を省きボンディング用パッド部２０ｂ，２１ｂを用いて
電気検査（抵抗測定）を行うようにしてもよい。
【図１】実施の形態におけるサーモパイル式赤外線セン
サの縦断面図。
サの縦断面図。
【図２】センサチップ（シリコン基板）の平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図４】サーモパイル（熱電対群）の動作原理を説明す
るための図。
るための図。
【図５】電気回路図。
【図６】別例の電気回路図。
【図７】別例の電気回路図。
【図８】別例の電気回路図。
【図９】比較のためのセンサチップ（シリコン基板）の
平面図。
平面図。
【図１０】比較のための電気回路図。
１…シリコン基板、１０…半導体基板、１３…ポリシリ
コン膜、１４…アルミ薄膜、１７…温接点、１８…冷接
点、２０…端子、２１…端子、２２…電気検査用端子、
２３…電気検査用端子、２４…電気検査用端子、３０…
電気検査用端子、３１…電気検査用端子、３２…電気検
査用端子、３３…電気検査用端子。
コン膜、１４…アルミ薄膜、１７…温接点、１８…冷接
点、２０…端子、２１…端子、２２…電気検査用端子、
２３…電気検査用端子、２４…電気検査用端子、３０…
電気検査用端子、３１…電気検査用端子、３２…電気検
査用端子、３３…電気検査用端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｓ 35/14 35/14 35/28 35/28 Ｚ Ｆターム(参考） 2G014 AA03 AB25 AB51 AC07 2G065 AB02 BA11 BC40 DA03 2G066 BA08 BA51 CB05 4M106 AA01 AA11 AD26 BA14 CA10
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板（１０）の上に異種材料（１
３，１４）を交互に直列に延設し、一つおきの接合部
（１７）を、赤外線を吸収して温度が上昇する温接点と
し、他の接合部（１８）を、赤外線を吸収しても温度上
昇がほとんど発生しない冷接点とし、温接点（１７）と
冷接点（１８）の温度差により発生する起電力を、前記
異種材料（１３，１４）による熱電対を直列接続した直
列回路の両端子（２０，２１）から取り出すようにした
サーモパイル式赤外線センサにおいて、 熱電対を直列接続した直列回路における回路途中の部位
（α１，α２，α３）から熱電対群を分割する形で電気
検査用端子（２２，２３，２４）を引き出したことを特
徴とするサーモパイル式赤外線センサ。 - 【請求項２】 半導体基板（１０）の上に異種材料（１
３，１４）を交互に直列に延設し、一つおきの接合部
（１７）を、赤外線を吸収して温度が上昇する温接点と
し、他の接合部（１８）を、赤外線を吸収しても温度上
昇がほとんど発生しない冷接点とし、温接点（１７）と
冷接点（１８）の温度差により発生する起電力を、前記
異種材料（１３，１４）による熱電対を直列接続した直
列回路の両端子（２０，２１）から取り出すようにした
サーモパイル式赤外線センサの検査方法であって、 ウェハ状態で、熱電対を直列接続した直列回路における
回路途中の部位（α１，α２，α３）から引き出した電
気検査用端子（２２，２３，２４）と、直列回路の両端
子（２０，２１）を用いて、電気検査用端子（２２，２
３，２４）により分割された熱電対の抵抗値（Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３，Ｘ４）を測定し、 この抵抗値の測定結果に基づいて良否の判定を行うよう
にしたことを特徴とするサーモパイル式赤外線センサの
検査方法。 - 【請求項３】 電気検査用端子（２０〜２４）により分
割された熱電対の抵抗値の比により、良否の判定を行う
ようにしたことを特徴とする請求項２に記載のサーモパ
イル式赤外線センサの検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149529A JP2002340668A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
| US10/144,733 US6777961B2 (en) | 2001-05-18 | 2002-05-15 | Thermopile infrared sensor and method for inspecting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149529A JP2002340668A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002340668A true JP2002340668A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18994683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001149529A Pending JP2002340668A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6777961B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002340668A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047086A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 赤外線センサ |
| JP2010078452A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサおよび赤外線センサモジュール |
| JP2010078451A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサおよび赤外線センサモジュール |
| JP2010107374A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
| JP2010256370A (ja) * | 2010-08-06 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
| WO2011074678A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | パナソニック電工株式会社 | 赤外線センサモジュール |
| WO2011066396A3 (en) * | 2009-11-24 | 2011-09-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| US8426864B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Infrared sensor |
| US8445848B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Infrared array sensor |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10144343A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Perkinelmer Optoelectronics | Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur |
| NL1025617C2 (nl) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Berkin Bv | Massadebietmeter. |
| US20050277709A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Fisher William K | Polymer layers having infrared absorbing particles |
| US7196509B2 (en) * | 2004-09-23 | 2007-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Thermopile temperature sensing with color contouring |
| DE102006010901B4 (de) | 2006-03-09 | 2022-02-17 | Robert Bosch Gmbh | Fluidsensor mit Fehlerdetektionseinrichtung |
| US7785002B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-31 | Delphi Technologies, Inc. | P-N junction based thermal detector |
| WO2008113015A1 (en) | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Entegris, Inc. | System and method for non-intrusive thermal monitor |
| US8159254B2 (en) * | 2008-02-13 | 2012-04-17 | Infineon Technolgies Ag | Crack sensors for semiconductor devices |
| US8859303B2 (en) * | 2010-01-21 | 2014-10-14 | Cambridge Cmos Sensors Ltd. | IR emitter and NDIR sensor |
| US9214604B2 (en) | 2010-01-21 | 2015-12-15 | Cambridge Cmos Sensors Limited | Plasmonic IR devices |
| JP5824690B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2015-11-25 | 株式会社エッチ．エム．イー | 温度センサ素子及びこれを用いた放射温度計 |
| JP5842118B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2016-01-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサ |
| US9069039B1 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-30 | Emc Corporation | Power measurement transducer |
| US9429478B2 (en) | 2012-02-10 | 2016-08-30 | Extron Company | Thermocouple with integrity monitoring |
| US8552380B1 (en) | 2012-05-08 | 2013-10-08 | Cambridge Cmos Sensors Limited | IR detector |
| CN104950493B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-03-23 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种基板和显示装置 |
| US9658110B1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Thermal sensor combination |
| GB2551397B (en) * | 2016-06-17 | 2020-03-25 | X Fab Semiconductor Foundries Gmbh | Thermopile Test Structure And Methods Employing Same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06137943A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ |
| JPH10107109A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子及びその評価方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4111717A (en) * | 1977-06-29 | 1978-09-05 | Leeds & Northrup Company | Small-size high-performance radiation thermopile |
| US4938244A (en) * | 1987-10-05 | 1990-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature difference detecting element using semiconductive ceramic material |
| JPH06137956A (ja) | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Kobe Steel Ltd | 診断機能付き多点温度監視装置 |
| JPH11153490A (ja) | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体赤外線検出装置 |
| JP3399399B2 (ja) * | 1999-04-14 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-18 JP JP2001149529A patent/JP2002340668A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-15 US US10/144,733 patent/US6777961B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06137943A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ |
| JPH10107109A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子及びその評価方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047086A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 赤外線センサ |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| JP2010078452A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサおよび赤外線センサモジュール |
| JP2010078451A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサおよび赤外線センサモジュール |
| US8426864B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Infrared sensor |
| JP2010107374A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
| US8445848B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Infrared array sensor |
| CN102725616B (zh) * | 2009-11-24 | 2016-04-06 | 佛罗里达大学研究基金会公司 | 用于感应红外辐射的方法和设备 |
| US9006752B2 (en) | 2009-11-24 | 2015-04-14 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| WO2011066396A3 (en) * | 2009-11-24 | 2011-09-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| CN102725616A (zh) * | 2009-11-24 | 2012-10-10 | 佛罗里达大学研究基金会公司 | 用于感应红外辐射的方法和设备 |
| US8796699B2 (en) | 2009-11-24 | 2014-08-05 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| US8952331B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-02-10 | Panasonic Corporation | Infrared sensor module |
| JP2011128067A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサモジュール |
| WO2011074678A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | パナソニック電工株式会社 | 赤外線センサモジュール |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| JP2010256370A (ja) * | 2010-08-06 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
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