JP2002229021A - バックライトおよびそれを使用した表示装置 - Google Patents
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Abstract
示する時には従来のものと同じ品質を保つバックライ
ト、およびそれを使用した表示装置を提供する。 【解決手段】 画像を形成する表示パネルに背面から表
示光を与えるバックライトであって、このバックライト
が面発光素子3と、少なくとも面発光素子3をオン/オ
フ駆動する発光制御手段7とを有するバックライト、お
よびこれを使用した表示装置とした。
Description
クライト、およびそれを使用した表示装置に関する。
対応する画素に区切りカラーフィルターを通して表示す
ることにより、RGBの表示を行っていた。この時、バッ
クライトは冷陰極管、LED等が用いられている。これ
らは常時発光しており、バックライト自体は、単なる光
源であり表示に関しては何ら機能していない。
画像を表示させる時には、画像がぼける、動いた軌跡が
見える(尾引き現象)が発生し、これが表示品質を悪化
させる原因の一つとなっていた。このおもな原因として
は、液晶の反転スピードがテレビのフレーム周波数に追
いつかないことであると考えられていた。つまり、1フ
レームの信号を取り込み、表示がまだ終了しない内に次
の信号が書き込まれてしまうため、動きの速い画素では
追いつかない現象が出てしまう。そのため、画像ぼけ、
尾引き現象が起こると考えられてきた。
い液晶(1フレーム内で表示が終了する)を使用したと
きでも、尾引き現象はなくならないことが報告されてい
る。これは、アクティブ駆動方式が、あるフレームの信
号を受け取ると次のフレームがくるまで信号を保持して
おり、表示をホールドしてしまうためである。これを改
善する方法として、フレーム全体をホールドせずに一定
時間液晶をリセットする方法が提案されている(SID9
8;P143〜146)。
ライバーICが必要であり、コストアップになってしま
う。また、特開2000−275605号公報では、バ
ックライトを分割する方法も提案されているが、液晶と
分割されたバックライトを連動させるのに、複雑な制御
が必要になりコストアップに繋がる。
Tと同等に動画表示性能を持つ液晶表示装置とそれを実
現するための光源を提供することである。
下の本発明の構成により達成される。 (1) 画像を形成する表示パネルに背面から表示光を
与えるバックライトであって、このバックライトが面発
光素子と、少なくとも面発光素子をオン/オフ駆動する
発光制御手段とを有するバックライト。 (2) 前記発光制御手段は、表示パネルの表示切り替
えに追従して面発光素子をオン/オフ駆動する上記
(1)のバックライト。 (3) 前記発光制御手段は、少なくとも前記表示切り
替え時にはオフとする上記(2)のバックライト。 (4) 前記発光制御手段は、さらに応答遅延期間およ
び/または遷移期間オフとする上記(2)または(3)
のバックライト。 (5) 前記発光制御手段は、パルス発光と常時発光
を、表示パネルの表示信号により切り替可能な上記
(1)〜(4)のいずれかのバックライト。 (6) 前記発光制御手段は、液晶表示パネルに表示す
る画像信号が動画の時にオンオフ駆動を行い、静止画で
あるときにはオンオフ駆動を中止する上記(1)〜
(5)のいずれかの表示装置。 (7) 前記面発光素子は、白色発光EL素子である上
記(1)〜(6)のいずれかのバックライト。 (8) 前記面発光素子は有機EL素子である上記
(1)〜(7)のいずれかのバックライト。 (9) 液晶表示パネルを表示パネルとして有し、上記
(1)〜(8)のいずれかのバックライトを有する表示
装置。 (10) 前記液晶パネルは、強誘電性液晶を有する上
記(9)の表示装置。
形成する表示パネルに背面から表示光を与えるバックラ
イトであって、このバックライトが面発光素子と、少な
くとも面発光素子をオン/オフ駆動する発光制御手段と
を有するものである。
用い、これをオン・オフ駆動することにより良好な画像
表示を行うことができる。すなわち、面発光源を用いる
ことにより表示が均一になり、高画質の画像が得られ
る。また、バックライトをオンオフ点灯駆動すること
で、所謂尾引現象等が抑制され、良好な動画表示を行う
ことができる。
トについて説明する。図1は本発明のバックライトの基
本構成を示したブロック構成図である。本発明のバック
ライトは、図示例のように、バックライト本体となる面
発光素子3と、駆動回路5と、発光制御手段7とを有す
る。また、このバックライトには、表示画面となる液晶
パネル2と、駆動回路4と表示制御手段6とが配置さ
れ、一体となる。面発光素子3は、液晶パネル2のバッ
クライトとして機能するため、通常液晶パネルの背面に
密着配置される。
画像信号Vdが入力されると、表示制御手段6で、液晶パ
ネル2に表示させるために必要な表示用信号が生成され
る。この表示用信号は、通常、TFT駆動の場合、走査
線およびデータ線に与えられる走査信号、およびデータ
信号となる。また、表示制御手段6は、通常の液晶駆動
に用いられる制御回路、制御IC等を用いることができ
る。
7にも入力される。この発光制御手段は、その態様に応
じて入力された画像信号に対して以下のような制御を行
う。
動)。 (2)表示切り替えに追従して、面発光素子をオン/オ
フ駆動する。つまり、表示切り替え時に一定期間オフす
る。 (3)上記(2)において、少なくとも応答遅延期間お
よび/または遷移期間オフとする。
スプレイ自体は従来通りの線順次走査となっているが、
バックライトのオン、オフにより、見かけ上面順次走査
とするものである。TFTなどを用いた保持型のディス
プレイにおいて、線順次走査は、ちらつきの無い表示が
可能であるが、前記の通り動画の表示に問題がある。一
方、面順次走査は、バックライトをオン、オフするため
ちらつきが生じる恐れがあるが(ただし、前記のように
繰り返し周期を速くすることにより解決することができ
る)、クリアな動画面が表示できる。
ーの好み、あるいは自動的に一つのバックライトで行う
ことができる。
表示画像の内容、画像表示装置の仕様などにより好適な
ものとすればよい。
えば画像信号Vdを解析し、画像切替タイミングを抽出す
るための信号処理回路、抽出された画像切替信号からオ
ンオフ駆動のタイミング信号を発生するタイミング発生
回路、所定の周期でクロック信号が得られるクロック回
路、得られたタイミング信号、クロック信号により画像
信号に同期してオンオフ信号を生成する同期回路等によ
り構成することができる。また、これらの回路の一部を
プロセッサ、および制御プログラムで置き換えることも
可能であり、上記表示制御手段6の、通常の液晶駆動に
用いられる制御回路、制御IC、制御プロセッサ等と兼
用することもできる。
明する。 (1)単純なオン・オフ駆動(パルス駆動) この場合、駆動する際のオン・オフタイミングは画像切
替タイミングと同期していてもよいし、同期していなく
てもよい。オン・オフ周期としては、好ましくはフレー
ム周期の10〜20倍程度である。
して用いるとき、従来法式の常時点灯方式に比べ、パル
ス駆動することにより、許容電流を増すことができるの
で、瞬間輝度を上げることができ、より明るい表示とな
る。
2つ、あるいはそれ以上の領域に細分化することで次の
ようなメリットがある。例えば、お互いに入り組んだ櫛
形形状の2つの細分化した発光部を形成しておき、それ
ぞれの発光部を交互に高速でパルス駆動することによ
り、それぞれの発光部への負担が軽減される。しかも、
全体でみたときには実効的に点灯状態が継続しているよ
うに見えるので、全くちらつきのない明るい表示が実現
可能となる。このパルス駆動のタイミングは、例えば用
いるELパネルや駆動回路の駆動条件から最適な状態を
設定すればよい。
なるようにELパネルを作製しておき、駆動の際にそれ
ぞれの領域の発光輝度を制御することでバックライトの
色味をユーザーが自由に設定することが可能となる。こ
れはパルス駆動を行わなくても可能ではあるが、明るい
表示を実現させるためにはパルス駆動が望ましい。
子をオン/オフ駆動する場合 この場合、少なくとも液晶ディスプレイ上の第1ライン
から最終ラインまでの書き込みが終了するまでの期間で
3〜6ms、特に3〜5ms程度オフとし、1画面が完成し
た時点でオンとする。また、表示期間中に1回以上、好
ましくは2〜6回程度オフ期間を設けてもよい。その場
合のオフ期間としては、好ましくは0.5〜1ms程度で
ある。
答遅延期間および/または遷移期間オフとする。ここ
で、応答遅延期間は、電圧を印加(変調)してから透過
率変化が0%→10%もしくは100%→90%まで変
化するのに要する時間を指している。上述の定義におい
ては、「立ち上がり(下がり)時間」に「遅延時間」を
加えたものは、「ターンオン(オフ)時間をいう。ま
た、遷移期間とは、液晶パネルの透過率変化を定義する
いわゆる「立ち上がり時間」「立ち下がり時間」「立ち
上がり時間に遅延時間を加えた時間」「立ち下がり時間
に遅延時間を加えた時間」の少なくとも一部を含む期間
をいう。「立ち上がり時間」「立ち下がり時間」は、い
わゆる透過光強度が定常状態の10%→90%もしくは
90%→10%に増加または減少することにより規定さ
れる時間である。
ためには、一定時間の消灯時間があれば良く、これによ
り動画表示の場合には良好になるが、パソコン用など静
止画の表示ではちらつきの原因となる。そのため、入力
される画像信号によりパスル発光および連続発光の切替
を行う切替手段7aを有することが好ましい。この切替
手段は、テレビ信号等の動画信号が入力された時だけ自
動でパルス発光に切り替わるようにするとよい。また、
ユーザーが好みで状態を切り替えてもよい。
し、画像切替タイミングを抽出するための信号処理回路
に、動画/静止画の判別を行うような回路を付加しても
よいし、これをプロセッサ等で行わせてもよい。
ことができる。すなわち、図示例の切替手段7aは、入
力された画像信号から特定の画素の輝度、あるいは色度
信号を抽出する特定信号抽出手段71と、この抽出され
た信号を保持する信号保持手段72と、この信号保持手
段72に保持された信号と、次の(それ以後の)フレー
ムでの同じ画素の抽出信号とを比較する比較手段73と
を有する。
により、抽出された特定の画素の輝度、あるいは色度信
号の変化の有無により、動画か静止画かを判断する判断
手段74を有し、特定の画素の輝度、あるいは色度信号
に変化がなければ、静止画と判断し、変化がある場合に
は動画と判断する。そして、その結果により、発光制御
手段に、パスル発光および連続発光の切替を行わせる。
この場合、判断に用いる画素は、全ての画素である必要
はなく、任意に抽出したり、所定の数、例えば数百〜数
千画素置きに抽出するようにしてもよい。また、判断手
段74は、記憶手段75を有し、複数回の比較結果を記
憶させた上で、それらを複合的に判断するようにしても
よい。
の変化率は、経験則から導き出してもよいし、使用者が
任意に設定できるようにしてもよい。
は、有機EL素子、無機EL素子等が挙げられるが、本
発明では、薄膜化が容易である点、低電圧での駆動が可
能な点、動作速度が早い点から特に有機EL素子が好ま
しい。
ルをそのまま使用できるように白色がよい。光源に色が
ついている場合、カラーフィルターの色調整を行う必要
が生じる。
造を、図2に示す。図示例の有機EL素子は、基板11
/ホール注入電極1/ホール注入輸送層2/発光層3/
電子注入輸送層4/電子注入電極5とが順次積層された
構造になっており、発光層の材料を選ぶことで白色発光
が可能である。
せる方法、たとえば青色と黄色等の補色関係の色を発行
させる方法がある。
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。電子注入電極は蒸着法やスパッタ法で形
成することが可能である。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とす
ればよい。
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸
化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)、ZnO、SnO2、In2O 3等が挙げられるが、
好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。
50〜800nm、特に各発光光に対する光透過率が50
%以上、特に60%以上であることが好ましい。
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。
である。
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭63−264692号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も1種が挙げられる。また、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特開平8−12600号公報(特願平6
−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導
体、特開平8−12969号公報(特願平6−1144
56号)に記載のテトラアリールエテン誘導体等を用い
ることができる。
能なホスト物質と組み合わせ、ドーパントとして使用す
ることができる。その場合、発光層における蛍光性物質
の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.1〜5wt
% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使
用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化
させることができ、長波長に移行した発光が可能になる
とともに、素子の発光効率や安定性が向上する。
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7077
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
−12600号公報に記載のフェニルアントラセン誘導
体や特開平8−12969号公報に記載のテトラアリー
ルエテン誘導体なども好ましい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3)を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
送層を無機物質(シリコン、ゲルマニウム、ストロンチ
ウム、ルビジウム等の酸化物など)を用いて形成するこ
ともできる。
X 等の無機材料、テフロン(登録商標)、塩素を含むフ
ッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成し
てもよい。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保
護膜の厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は、
前記の反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、
蒸着法、PECVD法等により形成すればよい。
ス、石英など、結晶基板たとえば、Si、GaAs、Z
nSe、ZnS、GaP、InPなどがあげられ、また
これらの結晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッ
ファ層を形成した基板も用いることができる。可撓性を
持たせたり、軽量化を図るために、樹脂基板を使っても
良い。また金属基板としては、Mo、Al、Pt、I
r、Au、Pdなどを用いることができ、好ましくはガ
ラス基板が用いられる。基板は、通常光取り出し側とな
るため、上記電極と同様な光透過性を有することが好ま
しい。
に、有機EL構造体上を封止板等により封止することが
好ましい。封止板は、湿気の浸入を防ぐために、接着性
樹脂層を用いて、封止板を接着し密封する。
であって、ガラス、セラミック、金属、樹脂等の材料が
挙げられるが、特にガラスが好ましい。封止板は、スペ
ーサーを用いて高さを調整し、所望の高さに保持しても
よい。
着法で良いが、溶剤に熔解した上で塗布法で製造しても
良い。塗布法を行うときは、スクリーン印刷法、ディッ
ピング法、スプレーコート法等溶媒の特性にあわせて選
択をすればよいが、スプレーコート法が一番好ましい。
また、蒸着法と塗布法を併用することもできる。
の液晶表示装置として用いられているTN液晶ディスプ
レイ、STN液晶ディスプレイ等を用いることができ
る。これらはネマチック液晶が用いられているが、好ま
しくはネマチック液晶より格段に高速応答が可能な強誘
電性液晶ディスプレイを用いるとよい。
示装置に用いられている材料でよく、例えば、p−ヘキ
シロキン、ベンジリデン−p´−アミノ−2−クロロ−
α−プロピル−シンナメイト等を用いることができる。
性を有していないカイラルスメクチック液晶も好まし
く、特に無閾値反強誘電性液晶(以下、「TLAFL
C」と記す)である。TLAFLCは、以下の(1)〜
(3)の文献に示されているように、印加電圧に対して
光学的平均分子軸方向が基板面内において連続的に変化
し、従来の反強誘電性液晶(AFLC)が示していたヒ
ステリシスが消失した状態となっている。そのため、T
FT等の能動素子と組み合わせることにより、広視野角
で多階調表示が可能なディスプレイへの応用が期待でき
る。
レイ(PSFLCD)[H.Furue, T.Miyama, Y.Iimura,
H.Hasebe, H.Takatu and S.Kobayashi: Jpn.J.Appl.Ph
ys.36(1997)L1517.]を用いる手段もある。これは、一
般的な強誘電性液晶材料に、紫外線硬化型の液晶性アク
リレートモノマー少量添加し、双安定強誘電性液晶と全
く同じ手法で液晶セルを作製することができる。その
後、液晶セルに直流電界を印加しながら紫外線を照射す
ることで、印加電圧による階調表示が可能(単安定)な
高速応答の液晶セルが実現できる。
sholdless Antiferroelectr
ic LCD exhibiting wide view
ing angle with fast respons
e time,T.Yosidaら、SID 97(So
ciety for Information Disp
lay 97)DIGEST p841。
properties of thresholdles
s antiferroelectric liquid
crystals driven by active m
atrices,T.Saishuら、SID 96
(Society for Information D
isplay 96)DIGEST p703。
構と無閾値反強誘電性相の可能性」、宮地等、応用物理
第65巻、第10号(1996)、p1029。
合わせて使用することができ、通常の液晶表示装置に用
いられているものであれば、いずれの形態のものであっ
てもよい。
製商品名7059基板を中性洗剤を用い、これをスクラ
ブ洗浄した。
いRFマグネトロンスパッタリング法により、基板温度
250℃で、膜厚200nmのITOホール注入電極層を
形成した。
プ状にパターンニングした。さらに、この上に絶縁層と
してポリイミド樹脂をフォトリソ法によりパターンニン
グした。
UV/03 洗浄した後、ホール注入層としてポリエチレ
ンジオキシチオフェン(Polyethlene dioxytiophene :
PEDOT、バイエル製)を100nmつけた後、青色発
光体としては、ジスチル系ドーパント(出光製、IDE
102)を入れた物を、緑色としてはクマリン6、赤色と
してはDCMlをポリビニルカルバゾル(PVK)ポリ
マーをホスト材料としてそれぞれ、トルエン溶媒に溶解
させた。この溶液を、スピンコート法によって先の基板
上に塗布した。80℃で真空乾操を一時間行った後、L
iFを3nm、Al電極を80nm蒸着した。次に、UV硬
化型接着剤を使用して封止ガラスを接着して、白色光源
素子とした。
リクスを形成するようにパターンニングした基板を用い
て、液晶パネルを作成した。使用した液晶は、高分子安
定化強誘電性液晶を用いた。この液晶の立ち上がり時間
は0.5mS、立ち上がり時間は0.5mSであった。この
液晶パネルは、図3のような四角いパターン21が、1
6.7ms(1フレームに相当)毎に、矢印22のように
画面20内を流れるように表示制御される。
クライトとして配置し、表1に示すように、1フレーム
周期内でオン、オフさせ、点灯評価を行った。結果を表
1に示す。
あった尾引現象が、オン・オフ駆動により改善されてい
ることがわかる。
良好に行われ、さらには静止画を表示する時には従来の
ものと同じ品質を保つバックライト、およびそれを使用
した表示装置を提供することができる。
ク構成図である。
構成を示した断面図である。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 画像を形成する表示パネルに背面から表
示光を与えるバックライトであって、 このバックライトが面発光素子と、 少なくとも面発光素子をオン/オフ駆動する発光制御手
段とを有するバックライト。 - 【請求項2】 前記発光制御手段は、表示パネルの表示
切り替えに追従して面発光素子をオン/オフ駆動する請
求項1のバックライト。 - 【請求項3】 前記発光制御手段は、少なくとも前記表
示切り替え時にはオフとする請求項2のバックライト。 - 【請求項4】 前記発光制御手段は、さらに応答遅延期
間および/または遷移期間オフとする請求項2または3
のバックライト。 - 【請求項5】 前記発光制御手段は、パルス発光と常時
発光を、表示パネルの表示信号により切り替可能な請求
項1〜4のいずれかのバックライト。 - 【請求項6】 前記発光制御手段は、液晶表示パネルに
表示する画像信号が動画の時にオンオフ駆動を行い、静
止画であるときにはオンオフ駆動を中止する請求項1〜
5のいずれかの表示装置。 - 【請求項7】 前記面発光素子は、白色発光EL素子で
ある請求項1〜6のいずれかのバックライト。 - 【請求項8】 前記面発光素子は有機EL素子である請
求項1〜7のいずれかのバックライト。 - 【請求項9】 液晶表示パネルを表示パネルとして有
し、請求項1〜8のいずれかのバックライトを有する表
示装置。 - 【請求項10】 前記液晶パネルは、強誘電性液晶を有
する請求項9の表示装置。
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|---|---|
| JP (1) | JP2002229021A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1626448A2 (en) | 2004-07-06 | 2006-02-15 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Lighting apparatus and liquid crystal display apparatus |
| JP2007256355A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | 表示方法及び表示装置 |
| JP2008241089A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機 |
| US7562242B2 (en) | 2005-03-11 | 2009-07-14 | Orion Electric Company, Ltd. | Electronic apparatus having electric power saving function |
| WO2011081008A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| WO2011081010A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| WO2011081041A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| US8508561B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US9000438B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2016052090A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 制御装置、および制御方法、並びにプログラム |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1173160A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-03-16 | Tdk Corp | 有機elディスプレイの駆動装置 |
| JP2000111873A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000150157A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 光源及び表示装置 |
| JP2000275604A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000347633A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光制御素子およびその駆動方法 |
| JP2001125067A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2001296841A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JP2002055657A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Sharp Corp | 映像表示装置 |
-
2001
- 2001-02-02 JP JP2001027262A patent/JP2002229021A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1173160A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-03-16 | Tdk Corp | 有機elディスプレイの駆動装置 |
| JP2000150157A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 光源及び表示装置 |
| JP2000111873A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000275604A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000347633A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光制御素子およびその駆動方法 |
| JP2001296841A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JP2001125067A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2002055657A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Sharp Corp | 映像表示装置 |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1626448A2 (en) | 2004-07-06 | 2006-02-15 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Lighting apparatus and liquid crystal display apparatus |
| US7562242B2 (en) | 2005-03-11 | 2009-07-14 | Orion Electric Company, Ltd. | Electronic apparatus having electric power saving function |
| JP2007256355A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | 表示方法及び表示装置 |
| JP2008241089A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機 |
| US9298035B2 (en) | 2009-12-28 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| JP2016177301A (ja) * | 2009-12-28 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2011081041A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| JP2011154357A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2013008051A (ja) * | 2009-12-28 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US10861401B2 (en) | 2009-12-28 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device configured to operate at two different refresh ratees |
| US8866725B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device viewable in dim ambient light |
| US10600372B2 (en) | 2009-12-28 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transreflective liquid crystal display device |
| WO2011081008A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US10347197B2 (en) | 2009-12-28 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US9448433B2 (en) | 2009-12-28 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| WO2011081010A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| JP2017021358A (ja) * | 2009-12-28 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の表示方法 |
| US10242629B2 (en) | 2009-12-28 | 2019-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a transistor having an oxide semiconductor |
| US9927654B2 (en) | 2010-02-26 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9000438B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8508561B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| CN107077822A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-08-18 | 索尼公司 | 控制设备、控制方法和程序 |
| US20170219833A1 (en) * | 2014-09-30 | 2017-08-03 | Sony Corporation | Control device, control method, and program |
| US10302952B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-28 | Sony Corporation | Control device, control method, and program |
| WO2016052090A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 制御装置、および制御方法、並びにプログラム |
| CN107077822B (zh) * | 2014-09-30 | 2019-07-26 | 索尼公司 | 控制设备和控制方法 |
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