JP2002228759A - 画像検出装置およびそれを用いた固体撮像システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線センシング部と読み出し部の貼り合わせ
工程において、位置ずれが起きても、所望の画素数の画
像情報を読み出し、クロストークを発生させないか、発
生してもその影響を小さくする。 【解決手段】 入射したエネルギーを電荷に変換する半
導体層と該電荷を出力するための複数個の第１の電極と
を有する第１の基板と、複数個の第１の電極から出力さ
れた電荷が入力される複数個の第２の電極を有する第２
の基板と、が貼り合わされて、複数個の第１の電極と複
数個の第２の電極とが電気的に接続される画像検出装置
であって、複数個の第１の電極の数と複数個の第２の電
極の数とが異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光や放射線等の入
射エネルギーより得られる画像を検出する画像検出装置
および固体撮像システムに関し、特に、Ｘ線像を検出す
る画像検出装置に好適に用いられる画像検出装置および
固体撮像システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）に代
表される光電変換半導体材料の開発により、光電変換素
子を大面積基板上に２次元に多数形成した２次元センサ
の開発が進み、実用化されている。このような２次元セ
ンサの中には、主に医療用の診断装置としてＸ線像を画
像化するＸ線用２次元センサがある。

【０００３】このＸ線用２次元センサには、Ｘ線の変換
方式の違いにより主に間接変換方式と直接変換方式の２
方式に分けられる。間接変換方式は、Ｘ線センシング部
でＸ線を可視光に変換し、この可視光を光電変換素子に
よって電荷に変換し、蓄積された電荷をトランジスタを
介して読み出すものである。一方、直接方式はＸ線セン
シング部でＸ線を電荷に変換し、蓄積された電荷をトラ
ンジスタを介して読み出すものである。

【０００４】図３は、画素がマトリクス状に配置された
直接変換方式２次元センサの配列方向の断面を模式的に
示した模式断面図である。図３において、Ｘ線センシン
グ部１０は、絶縁性基板１１、共通電極となる上電極１
２、入射Ｘ線を電荷に変換する半導体層としてのｐｉｎ
ダイオード１３、保護膜１４、下電極１５を有してい
る。

【０００５】読み出し部２０は、導通電極２１、キャパ
シタ部２２、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ部）２３、絶縁
性基板２４を有している。

【０００６】そして、Ｘ線センシング部１０の下電極１
５と、読み出し部２０の導通電極２１とが、下電極１５
および導通電極２１の配列方向の幅Ｒに渡り異方性導電
接着剤等の導電性部材８によって電気的に接続されて１
画素を構成している。また、隣接する下電極１５間およ
び導通電極２１間には配列方向において幅Ｑの非導通部
があり、電気的に分離されている。

【０００７】次に、図３を参照しながら直接変換方式２
次元センサの動作について説明する。絶縁性基板１１を
透過したＸ線がｐｉｎダイオード１３に照射されると内
部に電荷が発生する。このとき、上電極１２とキャパシ
タ部２２間に電圧が印加されていると、ｐｉｎダイオー
ド１３に発生した電荷が下電極１５、導電性部材８、導
通電極２１を介して、ｐｉｎダイオード１３と電気的に
直列に接続されているキャパシタ部２２に蓄積される。
キャパシタ部２１に蓄積された電荷は、ＴＦＴ部２３の
ゲートをＯＮすることによりソース・ドレイン電極を介
して外部に読み出される。この動作が２次元に配置され
た全画素で行われることにより、２次元画像データを得
ることができる。

【０００８】図４はＸ線センシング部と読み出し部の断
面を模式的に示した図である。図４において、上基板ア
ライメントマーク１９はＸ線センシング部１０に設けら
れていて、下基板アライメントマーク２９は読み出し部
２０に設けられている。下電極１５、ならびに導通電極
２１は、共に画素ピッチｍで並んでおり、その数は等し
い。図４では、それぞれ６つずつ並んでいる。尚、図４
において図３と同一部位には同一符号を付しここでの説
明を省略する。

【０００９】ここで、図４（ａ）を参照しながらＸ線セ
ンシング部と読み出し部の貼り合わせ工程について説明
する。

【００１０】先ず、貼り合わせ工程ではＸ線センシング
部１０と読み出し部２０の各基板を、真空密着等の方法
によって不図示のステージに固定する。このとき、図４
（ａ）のごとく各々の下電極１５と導通電極２１は対向
しており、下電極１５と導通電極２１の間には不図示の
異方性導電性接着剤等の導電性部材が配されている。次
に、観察手段を用いて上基板アライメントマーク１９
と、下基板アライメントマーク２９が一致するように各
基板が固定されているステージを動かしてアライメント
を行う。

【００１１】アライメント後、Ｘ線センシング部１０と
読み出し部２０を近づけていき、下電極１５と導通電極
２１で導電性部材を挟持し、圧着や熱処理等によってＸ
線センシング部１０と読み出し部２０を貼り合わせる。
このとき、Ｘ線センシング部１０の下電極１５の１つに
対して、読み出し部２０の導通電極２１の１つが導電性
部材を介して電気的に接続される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように圧着や熱処理等によって貼り合わせを行う場合、
面内での圧力ムラやセンサ部材の熱膨張等によって電気
的接続部の位置ずれが発生する場合がある。また、アラ
イメント誤差によっても位置ずれは起きる。

【００１３】ここで、位置ずれが起きた場合の影響を考
える。

【００１４】図４（ｂ）は、Ｘ線センシング部１０と読
み出し部２０が、画素ピッチｍの１／２だけ位置ずれが
起きたときの図である。この場合、例えば読み出し部２
０の導通電極２１ａと２１ｂはＸ線センシング部１０の
下電極１５ｂを介して、導通電極２１ｂと２１ｃは下電
極１５ｃを介して電気的に接続してしまう、いわゆる導
通電極間のショートが発生する。このように、Ｘ線セン
シング部のある下電極を介して、読み出し部の１対の導
通電極が導電性部材を介して電気的に接続する構成で
は、位置ずれにより下電極１つに導通電極２つが電気的
に接続されてしまうと、導通電極間のショートが発生し
て真の画像データが得られなくなってしまう。

【００１５】また、図４（ｃ）に示すように画素ピッチ
ｍだけ位置ずれが起きると、下電極１５ａは読み出し部
２０と電気的に接続されない。このため、本来は有効画
素である下電極１５ａの画像情報が読み出せないといっ
た、有効画素エリア内の画像情報が一部読み出せなくな
るという問題が生じる。尚、上記の従来例では 位置ずれ量＞Ｒ の関係が成り立つ位置ずれが起こると、画像情報の一部
が読み出せなくなる。

【００１６】また、近年では画像の高精細化と共に画素
ピッチが小さくなってきており、これに伴い貼り合わせ
工程でのアライメント精度に対する要求が厳しくなって
きている。アライメント精度に対する要求が厳しい、す
なわち位置ずれ許容量が少ないと、製造歩留まり悪化等
の問題が生じる。

【００１７】こうした貼り合わせ時の位置ずれに起因す
る問題を防ぐには、高精度の部材や貼り合わせ装置等を
用い、工程管理を厳しく行い位置ずれ量を少なくする、
すなわちアライメント精度を上げることが挙げられる。
しかしながら高精度の部材や装置は高価であり、製造コ
ストの上昇という新たな問題が生じる。また、工程管理
を厳しくすると、製造コストの上昇や工程のスループッ
ト低下等の問題が生じる。

【００１８】本発明の目的は、センシング部と読み出し
部の貼り合わせ工程において位置ずれが起きた場合で
も、画質の劣化を最小限にとどめた２次元画像検出装置
を提供することである。

【００１９】また、位置ずれが起きた場合でも、有効画
素エリアの全ての画像情報が読み出せる２次元画像検出
装置を提供することである。

【００２０】さらに、位置ずれ許容量を多くして、製造
歩留まりを向上させる２次元画像検出装置を提供するこ
とである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するもの
として、入射したエネルギーを電荷に変換する半導体層
と該電荷を出力するための複数個の第１の電極とを有す
る第１の基板と、前記複数個の第１の電極から出力され
た電荷が入力される複数個の第２の電極を有する第２の
基板と、が貼り合わされて、前記複数個の第１の電極と
前記複数個の第２の電極とが電気的に接続される画像検
出装置であって、前記複数個の第１の電極の数と前記複
数個の第２の電極の数とが異なる。

【００２２】本発明の一態様においては、前記複数個の
第１の電極および前記複数個の第２の電極がライン状ま
たはマトリクス状に配列されている。

【００２３】本発明の一態様においては、前記複数個の
第１の電極と前記複数個の第２の電極とのうち電極の数
の少ない方の数をｘとし、前記複数個の第１の電極と前
記複数個の第２の電極とのうち電極の数が多い方の数を
ｙとすると、ｘ個の電極がｙ個の電極のうちのｘ個にそ
れぞれ接続されるように、前記第１の基板と前記第２の
基板とを貼り合わせてなる。

【００２４】本発明の一態様においては、前記複数個の
第１の電極の数が前記複数個の第２の電極の数よりも多
い。

【００２５】本発明の一態様においては、配列方向にお
いて、前記第１の電極の幅が隣接する前記第２の電極間
の幅より小さい。

【００２６】本発明の一態様においては、１個の前記第
２の電極に対し、複数個の前記第１の電極が電気的に接
続される。

【００２７】本発明の一態様においては、１個の前記第
２の電極に対し、５個以上の前記第１の電極が電気的に
接続される。

【００２８】本発明の一態様においては、前記第２の基
板は、電荷を蓄積するためのキャパシタ部と、薄膜トラ
ンジスタ部とをさらに有し、前記半導体層で変換された
電荷は、前記第１の電極および前記第２の電極を介して
前記キャパシタ部に蓄積され、該蓄積された電荷を前記
薄膜トランジスタ部を介して読み出される。

【００２９】本発明の一態様においては、上記の画像検
出装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信
号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録する
ための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示
するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を
伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させ
るための放射線源とを具備することを特徴とする固体撮
像システムである。

【００３０】本発明によれば、貼り合わせ時に位置ずれ
が起きても所望の画素数すべての画像情報を読み出すこ
とができる。

【００３１】また、本発明によれば、下電極の数ｎと、
導通電極の数Ｎがｎ＞Ｎであるため、貼り合わせ時に位
置ずれが起きても所望の画素数全ての画像情報を読み出
すことができるとともに、導通電極を多く配した場合に
比べ、後段のアンプやＡ／Ｄ変換等の電気回路を多く配
する必要が無く、安価に作ることができる。

【００３２】また、本発明によれば、配列方向における
下電極の長さＳと、隣接する導通電極間の長さＱが、Ｓ
＜Ｑの関係であるため、位置ずれが起きても一方の電極
１つに他方の電極２つが電気的に接続されてしまうこと
はなく、クロストークによる解像度やコントラストの低
下といった画質の劣化は起きない。このため、位置ずれ
許容量を大きくすることができ、製造歩留まりを向上す
ることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像検出装置の実
施形態について説明する。なお、以下の実施形態には下
電極および導通電極がマトリクス状に配置された構成の
２次元画像検出装置が適用されているが、本発明の画像
検出装置は２次元のものに限定されず、ラインセンサ等
の１次元の画像検出装置にも適用可能である。

【００３４】（第１の実施形態）以下、本発明の一実施
形態としての第１の実施形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。

【００３５】図１は本発明による第１の実施形態のＸ線
センシング部と読み出し部の断面を模式的に示した図で
あり、図４に示す従来例と同一の部材または部位には同
一番号を付し、ここでの説明を省略する。

【００３６】図４との違いは、図４ではＸ線センシング
部１０の下電極１５と読み出し部２０の導通電極２１の
数が等しいのに対し、本実施形態では第１の基板である
Ｘ線センシング部１０が有する第１の電極としての下電
極１５の数と第２の基板である読み出し部２０が有する
第２の電極としての導通電極２１の数とが異なり、読み
出し部２０の導通電極２１の数が多い点である。

【００３７】図１の例では下電極は下電極１５ａ〜１５
ｆの６個（すなわち、下電極の数と導通電極の数とのう
ち電極数の少ない方の数であるｘが６個）あり、導通電
極は導通電極２１ａ〜２１ｈの８個（すなわち下電極の
数と導通電極の数とのうち電極の数が多い方の数である
ｙが８個）あり、６個の下電極１５ａ〜１５ｆが８個の
導通電極２１ａ〜２１ｈのうちの６個の導通電極２１ａ
〜２１ｆにそれぞれ接続される構成になっている。

【００３８】従って、図１（ａ）に示すように上基板ア
ライメントマーク１９と下基板アライメントマーク２９
が略一致している場合、導通電極２１ａおよび２１ｈに
対向する下電極は無い。すなわち、本実施形態では、有
効画素エリアの外側に多く導通電極を配している。この
ため、図１（ｂ）に示すごとく、Ｘ線センシング部１０
が配列方向に画素ピッチｍだけ位置ずれが起きても、Ｘ
線センシング部１０の全ての下電極１５が読み出し部２
０と電気的に接続され、有効画素エリア内の全ての画像
情報を読み出すことができる。

【００３９】このように、本実施形態では、Ｘ線センシ
ング部１０の下電極１５と読み出し部２０の導通電極２
１の数が異なり、読み出し部２０の導通電極２１を多く
配することにより、位置ずれが起きても全ての画像情報
を読み出すことができる。

【００４０】尚、多く配する導通電極の数は、貼り合わ
せ工程でのアライメント精度に応じて適当に決めればよ
い。

【００４１】また、上記の第１の実施形態では、読み出
し部２０の導通電極２１を多く配しているが、他の実施
形態として、Ｘ線センシング部１０の下電極１５を多く
配する構成にしてもよい。この場合は、上記の構成とは
逆に有効画素エリアの外側には多く下電極１５が配され
ていることになる。第１の基板であるＸ線センシング部
１０の下電極１５の数をｎ個、第２の基板である読み出
し部２０の導通電極２１の数をＮ個とすると、 ｎ＞Ｎ とし、下電極の数を導通電極の数よりも多くしてもよ
い。この場合、第１の実施形態と同様の効果が得られる
だけでなく、読み出し部２０の導通電極２１を多く配し
た場合に比べ、後段のアンプやＡ／Ｄ変換等の電気回路
を多く配する必要が無く、安価に作ることができる。

【００４２】（第２の実施形態）次に、本発明の一実施
形態としての第２の実施形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。

【００４３】図２は本発明による第２の実施形態のＸ線
センシング部と読み出し部の断面を模式的に示した図で
あり、図４と同一の部材および部位には同一番号を付
し、ここでの説明を省略する。本実施形態では、特に、
配列方向における下電極の幅をＳとし、隣接する導通電
極間の幅をＱとして、ｍは導通電極間のピッチとする。

【００４４】図４との違いはＸ線センシング部１０の下
電極１５と読み出し部２０の導通電極２１の数が等しい
のに対し、本実施形態では第１の基板であるＸ線センシ
ング部１０が有する第１の電極としての下電極１５の数
と第２の基板である読み出し部２０が有する第２の電極
としての導通電極２１の数とが異なり、Ｘ線センシング
部１０の下電極１５の数が多い点と、配列方向における
下電極の幅と導通電極の幅および隣接する下電極間の幅
と導通電極間の幅が異なる点である。

【００４５】すなわち、第１の基板であるＸ線センシン
グ部１０の下電極１５の数をｎ個、第２の基板である読
み出し部２０の導通電極２１の数をＮ個とすると、 ｎ＞Ｎ の関係が成り立っており、導通電極の数よりも下電極１
５の数が多い構成になっている。

【００４６】また、図２（ａ）に示すように上基板アラ
イメントマーク１９と下基板アライメントマーク２９が
略一致している場合、本実施形態では、導通電極２１ａ
に対しては下電極１５ａ〜１５ｅの５つが電気的に接続
される構成になっている。この数は特に限定されるもの
でなく、スペースが許す限り２以上の下電極を接続する
ことが可能である。

【００４７】さらに、本実施形態では、配列方向におけ
る隣接する導通電極２１間の幅Ｑと、下電極１５の幅Ｓ
は Ｑ＞Ｓ の関係を有しており、配列方向における下電極１５の幅
が、隣接する導通電極２１間の幅よりも小さくなってい
る。

【００４８】ここで、図２（ｂ）を参照しながら本実施
形態において画素ピッチｍの１／２だけ位置ずれが起き
た場合について説明する。

【００４９】図２（ｂ）は、Ｘ線センシング部１０が紙
面右方向に画素ピッチｍの１／２だけ位置ずれを起こし
ており、このとき、例えば導通電極２１ａには下電極１
５ｄ〜ｇの４つが電気的に接続される。また、このとき
下電極１５ｈは、導通電極２１ａおよび２１ｂのどちら
にも電気的に接続されない。

【００５０】このように、本実施形態においては、隣接
する導通電極２１間の非導通部の長さＱと、下電極１５
の長さＳが、Ｑ＞Ｓの関係であるため、位置ずれが起き
ても下電極１つに導通電極２つが電気的に接続されてし
まうことはない。従って、読み出し部の導通電極１つに
対し、電気的に接続されるＸ線センシング部の下電極の
数が減ることによる開口率の低下はあるものの、導通電
極間ショートによる画質の劣化は起きない。

【００５１】このように、本実施形態によれば、貼り合
わせ時の位置ずれによる導通電極間のショートが発生し
ないため、位置ずれ許容量が大きくすることができ、製
造歩留まりを向上することができる。

【００５２】以上の説明において、有効画素エリアと
は、下電極と導通電極とが接続している画像検出装置の
エリアを意味し、上記第１および第２の実施形態では、
どのエリアが有効画素エリアになるかは貼り合わせられ
た時に決まる。図１および図２ではＡで示す領域にな
る。

【００５３】（第３の実施形態）以下、図５に基づいて
本発明に係る第３の実施形態について説明する。図５
は、第１および第２の実施形態において説明した画像検
出装置を用いた固体撮像システムの構成図である。本実
施形態において、画像検出装置は画像検出装置６０４０
として適用される。

【００５４】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレーターを上部に実装した画像検出装置６
０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的
情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージ
プロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディス
プレイ６０８０で観察できる。

【００５５】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。

【００５６】なお、放射線とはＸ線やα，β，γ線等を
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下電極の数と、導通電極の数とが異なるため、貼り合わ
せ時に位置ずれが起きても有効画素エリア内の全ての画
像情報を読み出すことができ、所望の画素出力を得るこ
とができる。

【００５８】また、本発明によれば、導通電極の数より
も下電極の数が多いため、貼り合わせ時に位置ずれが起
きても有効画素エリア内の全ての画像情報を読み出すこ
とができるとともに、導通電極を多く配した場合に比
べ、後段のアンプやＡ／Ｄ変換等の電気回路を多く配す
る必要が無く、安価に作ることができる。

【００５９】また、本発明によれば、配列方向における
下電極の幅よりも隣接する導通電極間の幅が大きいた
め、位置ずれが起きても下電極１つに導通電極２つが電
気的に接続されてしまうことはなく、導通電極間ショー
トによる画質の劣化は起きない。このため、位置ずれ許
容量が大きくすることができ、製造歩留まりを向上する
ことができる。

【００６０】尚、本発明はＸ線画像を検出する画像検出
装置に限定されるものではなく、可視光や赤外線光、も
しくは他の放射線（α，β，γ線）等の画像を検出する
画像検出装置においても同様の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る画像検出装置の第１の実施形態の
Ｘ線センシング部と読み出し部の配列方向の断面を模式
的に示した図である。

【図２】本発明に係る画像検出装置の第２の実施形態の
Ｘ線センシング部と読み出し部の配列方向の断面を模式
的に示した図である。

【図３】直接変換方式２次元センサの断面を模式的に示
した模式断面図である。

【図４】従来のＸ線センシング部と読み出し部の配列方
向の断面を模式的に示した図である。

【図５】本発明による画像検出装置のＸ線診断システム
への応用例を示したものである。

【符号の説明】

８ 導電性部材 １０ Ｘ線センシング部 １５ 下電極 １９ 上基板アライメントマーク ２０ 読み出し部 ２１ 導通電極 ２９ 下基板アライメントマーク ６０４０ 画像検出装置 ６０５０ Ｘ線チューブ ６０６０ Ｘ線 ６０６１ 被験者 ６０６２ 胸部 ６０７０ イメージプロセッサ ６０８０ 制御室のディスプレイ ６０９０ 電話回線 ６０８１ ドクタールームのディスプレイ ６１００ フィルムプロセッサ ６１１０ フィルム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｆ Ｈ０４Ｎ 5/32 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE02 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 GG21 JJ04 JJ05 JJ31 JJ33 4M118 AA10 AB01 BA05 BA19 CA05 CB06 FB13 FB16 GA10 HA24 HA32 5C024 AX12 CY47 CY49 GX09 GX16 GX18 5F088 AA03 AB05 BA18 BB03 BB07 EA03 EA04 EA08 JA17 KA08 LA07 LA08

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射したエネルギーを電荷に変換する半
   導体層と該電荷を出力するための複数個の第１の電極と
   を有する第１の基板と、前記複数個の第１の電極から出
   力された電荷が入力される複数個の第２の電極を有する
   第２の基板と、が貼り合わされて、前記複数個の第１の
   電極と前記複数個の第２の電極とが電気的に接続される
   画像検出装置であって、 前記複数個の第１の電極の数と前記複数個の第２の電極
   の数とが異なる画像検出装置。
2. 【請求項２】 前記複数個の第１の電極および前記複数
   個の第２の電極がライン状またはマトリクス状に配列さ
   れている請求項１記載の画像検出装置。
3. 【請求項３】 前記複数個の第１の電極の数と前記複数
   個の第２の電極の数とのうち電極数の少ない方の数をｘ
   とし、前記複数個の第１の電極の数と前記複数個の第２
   の電極の数とのうち電極の数が多い方の数をｙとしたと
   き、電極数ｘ個の第１のまたは第２の電極が電極数ｙ個
   の第２または第１の電極のうちのｘ個の電極にそれぞれ
   接続されるように、前記第１の基板と前記第２の基板と
   を貼り合わせてなる請求項１または２記載の画像検出装
   置。
4. 【請求項４】 前記複数個の第１の電極の数が前記複数
   個の第２の電極の数よりも多い請求項１から３のいずれ
   か１項に記載の画像検出装置。
5. 【請求項５】 配列方向において、前記第１の電極の幅
   が隣接する前記第２の電極間の幅より小さい請求項２ま
   たは４に記載の画像検出装置。
6. 【請求項６】 １個の前記第２の電極に対し、複数個の
   前記第１の電極が電気的に接続される請求項５記載の画
   像検出装置。
7. 【請求項７】 １個の前記第２の電極に対し、５個以上
   の前記第１の電極が電気的に接続される請求項５記載の
   画像検出装置。
8. 【請求項８】 前記第２の基板は、電荷を蓄積するため
   のキャパシタ部と、薄膜トランジスタ部とをさらに有
   し、 前記半導体層で変換された電荷は、前記第１の電極およ
   び前記第２の電極を介して前記キャパシタ部に蓄積さ
   れ、該蓄積された電荷を前記薄膜トランジスタ部を介し
   て読み出される請求項１から７のいずれか１項に記載の
   画像検出装置。
9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項に記載の
   画像検出装置と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
   と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
   と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
   と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
   手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
   とを特徴とする固体撮像システム。