JP2002208830A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JP2002208830A JP2002208830A JP2001002942A JP2001002942A JP2002208830A JP 2002208830 A JP2002208830 A JP 2002208830A JP 2001002942 A JP2001002942 A JP 2001002942A JP 2001002942 A JP2001002942 A JP 2001002942A JP 2002208830 A JP2002208830 A JP 2002208830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気特性および信頼性を損ねることなく、簡
便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産する。 【解決手段】 平板パッケージ2に複数の升目に区画す
る碁盤目状のV溝6と各升目の所定位置にそれぞれ端子
導体8とを設け、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップ
1を載置し、端子導体8と弾性表面波チップ1の電極を
フェースダウンボンディングにより接続する。各弾性表
面波チップ1をそれぞれキャップ状のカバー5で覆い気
密封止した後、V溝6に沿って平板パッケージ2を分割
し、個々に気密封止した各弾性表面波チップを分離して
弾性表面波デバイスを得る。
便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産する。 【解決手段】 平板パッケージ2に複数の升目に区画す
る碁盤目状のV溝6と各升目の所定位置にそれぞれ端子
導体8とを設け、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップ
1を載置し、端子導体8と弾性表面波チップ1の電極を
フェースダウンボンディングにより接続する。各弾性表
面波チップ1をそれぞれキャップ状のカバー5で覆い気
密封止した後、V溝6に沿って平板パッケージ2を分割
し、個々に気密封止した各弾性表面波チップを分離して
弾性表面波デバイスを得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に移動体通信端
末機などの通信機器の電気回路部品として用いられる弾
性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
末機などの通信機器の電気回路部品として用いられる弾
性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8は、例えば特開平8−18390号
公報に示されている従来のこの種の弾性表面波デバイス
の構成を示す断面図である。図において、1は弾性表面
波チップ、21はパッケージ、31は平板カバー、4は
ワイヤである。この従来例の弾性表面波デバイスは、弾
性表面波チップ1をパッケージ21に固定した後、ワイ
ヤ4を用いて弾性表面波チップ1とパッケージ21上の
端子とを接続し、さらに、デバイスを密封するため平板
カバー31をパッケージ21に接合して作製されてい
る。
公報に示されている従来のこの種の弾性表面波デバイス
の構成を示す断面図である。図において、1は弾性表面
波チップ、21はパッケージ、31は平板カバー、4は
ワイヤである。この従来例の弾性表面波デバイスは、弾
性表面波チップ1をパッケージ21に固定した後、ワイ
ヤ4を用いて弾性表面波チップ1とパッケージ21上の
端子とを接続し、さらに、デバイスを密封するため平板
カバー31をパッケージ21に接合して作製されてい
る。
【0003】次に、動作について説明する。弾性表面波
チップ1は、圧電性を有する基板の表面に、金属薄膜に
より所要のパターンを作成したものである。弾性表面波
チップ1は、この圧電性を利用し、電気信号を弾性表面
波に変換し、さらに弾性表面波を電気信号に再び変換す
ることにより、信号の処理を行ない、種々の電気素子と
して動作する。この動作原理の詳細については、例えば
文献「弾性表面波工学」1983年、電子通信学会発行、等
に詳しく記載されているので、ここでは省略する。
チップ1は、圧電性を有する基板の表面に、金属薄膜に
より所要のパターンを作成したものである。弾性表面波
チップ1は、この圧電性を利用し、電気信号を弾性表面
波に変換し、さらに弾性表面波を電気信号に再び変換す
ることにより、信号の処理を行ない、種々の電気素子と
して動作する。この動作原理の詳細については、例えば
文献「弾性表面波工学」1983年、電子通信学会発行、等
に詳しく記載されているので、ここでは省略する。
【0004】さて、弾性表面波は弾性表面波チップ1上
の機械的な振動により生じる。このため、弾性表面波チ
ップ1上に微細なゴミ・埃等の異物が付着したり、金属
パターンが酸化したりすることなどにより、この機械的
振動が妨げられると、弾性表面波デバイスの特性は著し
く劣化する。従って、通常、この種のデバイスでは弾性
表面波チップ1をパッケージ等で気密封止している。こ
の従来例では、パッケージ21に平板カバー31を接合
することにより、弾性表面波チップ1を気密封止してい
る。さらに、弾性表面波チップ1と外部との電気的な導
通をとるため、弾性表面波チップ1上のパターンとパッ
ケージ21に設けた端子(図示せず)との間をワイヤ4
により接続している。
の機械的な振動により生じる。このため、弾性表面波チ
ップ1上に微細なゴミ・埃等の異物が付着したり、金属
パターンが酸化したりすることなどにより、この機械的
振動が妨げられると、弾性表面波デバイスの特性は著し
く劣化する。従って、通常、この種のデバイスでは弾性
表面波チップ1をパッケージ等で気密封止している。こ
の従来例では、パッケージ21に平板カバー31を接合
することにより、弾性表面波チップ1を気密封止してい
る。さらに、弾性表面波チップ1と外部との電気的な導
通をとるため、弾性表面波チップ1上のパターンとパッ
ケージ21に設けた端子(図示せず)との間をワイヤ4
により接続している。
【0005】この従来の弾性表面波デバイスは上記のよ
うに構成されているので、それぞれ別個のパッケージ2
1に弾性表面波チップ1を載せ、ワイヤリング、封止な
どの工程を施し製造する必要がある。このため、デバイ
スを大量に生産する際の生産性には限界がある。
うに構成されているので、それぞれ別個のパッケージ2
1に弾性表面波チップ1を載せ、ワイヤリング、封止な
どの工程を施し製造する必要がある。このため、デバイ
スを大量に生産する際の生産性には限界がある。
【0006】また、このような弾性表面波デバイスで
は、パッケージ21の材質には、通常セラミックを用い
ることが多い。これは、セラミックが電気特性、気密
性、耐吸湿性、強度などにおいて他の材料より優れてい
ることによる。しかし、セラミックの材料やパッケージ
21の構造によっては、材料費、加工費等のコスト増が
生じることになる。
は、パッケージ21の材質には、通常セラミックを用い
ることが多い。これは、セラミックが電気特性、気密
性、耐吸湿性、強度などにおいて他の材料より優れてい
ることによる。しかし、セラミックの材料やパッケージ
21の構造によっては、材料費、加工費等のコスト増が
生じることになる。
【0007】さらに、この従来例では、パッケージ21
として箱型の構造のものを用いている。また、ワイヤ4
を接続するための内部端子をパッケージ21内に設ける
必要があるため、パッケージ21は内部に段差を有する
構造になっている。従って、このパッケージ21を通常
のセラミック積層焼成工程により製造する場合、少なく
ともセラミックシート3層を合わせた構造とする必要が
あるので、工程が増え煩雑となり、パッケージの製造コ
スト、すなわちパッケージ21の価格が高くなってしま
い、弾性表面波デバイスの製造コストも高くなってしま
うという問題がある。
として箱型の構造のものを用いている。また、ワイヤ4
を接続するための内部端子をパッケージ21内に設ける
必要があるため、パッケージ21は内部に段差を有する
構造になっている。従って、このパッケージ21を通常
のセラミック積層焼成工程により製造する場合、少なく
ともセラミックシート3層を合わせた構造とする必要が
あるので、工程が増え煩雑となり、パッケージの製造コ
スト、すなわちパッケージ21の価格が高くなってしま
い、弾性表面波デバイスの製造コストも高くなってしま
うという問題がある。
【0008】図9は、例えば特開平9−148878号
公報に示されている従来のこの種の弾性表面波デバイス
の他の構成例を示す断面図である。図において、1は弾
性表面波チップ、21はパッケージ、31は平板カバ
ー、5はバンプである。
公報に示されている従来のこの種の弾性表面波デバイス
の他の構成例を示す断面図である。図において、1は弾
性表面波チップ、21はパッケージ、31は平板カバ
ー、5はバンプである。
【0009】この従来例では、図8に示す従来例と同
様、パッケージ21と平板カバー31を用いて弾性表面
波チップ1を気密封止している。しかし、弾性表面波チ
ップ1とパッケージ21上の端子との接続はワイヤ4を
用いず、弾性表面波チップ1をバンプ5を介してパッケ
ージ21にフェースダウンボンディングすることにより
行っている。なお、通常、バンプ5には、弾性表面波チ
ップ1およびパッケージ21との接合性が良い金(A
u)を主材料としたものを用いることが多い。
様、パッケージ21と平板カバー31を用いて弾性表面
波チップ1を気密封止している。しかし、弾性表面波チ
ップ1とパッケージ21上の端子との接続はワイヤ4を
用いず、弾性表面波チップ1をバンプ5を介してパッケ
ージ21にフェースダウンボンディングすることにより
行っている。なお、通常、バンプ5には、弾性表面波チ
ップ1およびパッケージ21との接合性が良い金(A
u)を主材料としたものを用いることが多い。
【0010】この従来例の弾性表面波デバイスにおいて
も、動作原理については図8に示した従来例と特に変わ
りはなく、同様である。
も、動作原理については図8に示した従来例と特に変わ
りはなく、同様である。
【0011】また、パッケージ21は、パッケージ21
内部の段差を作る必要がないため、セラミックの積層構
造とする場合でも、2層の構造にすることができる。従
って、図8に示す従来例のパッケージ21よりも層が少
なくなり、若干低コストに製造することができる。しか
し、多層構造であることに変わりはない。
内部の段差を作る必要がないため、セラミックの積層構
造とする場合でも、2層の構造にすることができる。従
って、図8に示す従来例のパッケージ21よりも層が少
なくなり、若干低コストに製造することができる。しか
し、多層構造であることに変わりはない。
【0012】また、個々のパッケージ21にそれぞれ弾
性表面波チップ1をボンディングし、封止などの工程を
行なう必要があるため、デバイスを大量に生産する際の
生産性には、やはり限界がある。
性表面波チップ1をボンディングし、封止などの工程を
行なう必要があるため、デバイスを大量に生産する際の
生産性には、やはり限界がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
この種の弾性表面波デバイスでは、デバイス個々に組立
てを行なうため、生産性向上には限界があった。また、
複雑な構造のセラミックパッケージ21を用いるため、
生産に時間がかかる、煩雑であるなどの問題があった。
この種の弾性表面波デバイスでは、デバイス個々に組立
てを行なうため、生産性向上には限界があった。また、
複雑な構造のセラミックパッケージ21を用いるため、
生産に時間がかかる、煩雑であるなどの問題があった。
【0014】本発明は以上の問題を解決するためになさ
れたものであり、電気特性および信頼性を損ねることな
く、簡便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産できる
製造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、電気特性および信頼性を損ねることな
く、簡便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産できる
製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明に係る弾性表面波
デバイスの第1の製造方法は、溝により碁盤目状に区画
された複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設け
られた端子導体とを有する平板パッケージを形成する工
程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各
升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフ
ェースダウンボンディングにより接続する工程、各弾性
表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾
性表面波チップを気密封止する工程、及び上記溝に沿っ
て上記平板パッケージを分割し、個々に気密封止した各
弾性表面波チップを分離する工程を施すものである。
デバイスの第1の製造方法は、溝により碁盤目状に区画
された複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設け
られた端子導体とを有する平板パッケージを形成する工
程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各
升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフ
ェースダウンボンディングにより接続する工程、各弾性
表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾
性表面波チップを気密封止する工程、及び上記溝に沿っ
て上記平板パッケージを分割し、個々に気密封止した各
弾性表面波チップを分離する工程を施すものである。
【0016】また、本発明に係る弾性表面波デバイスの
第2の製造方法は、第1の方法において、上記溝を上記
平板パッケージの上面と下面とに底部が対向するよう設
けたものである。
第2の製造方法は、第1の方法において、上記溝を上記
平板パッケージの上面と下面とに底部が対向するよう設
けたものである。
【0017】また、本発明に係る弾性表面波デバイスの
第3の製造方法は、第1の方法において、上記溝を上記
平板パッケージの上面と下面のいずれか一方のみに設け
たものである。
第3の製造方法は、第1の方法において、上記溝を上記
平板パッケージの上面と下面のいずれか一方のみに設け
たものである。
【0018】また、本発明に係る弾性表面波デバイスの
第4の製造方法は、仮想線により碁盤目状に区画された
複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けられた
端子導体とを有する平板パッケージを形成する工程、各
升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各升目の
端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフェース
ダウンボンディングにより接続する工程、各弾性表面波
チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾性表面
波チップを気密封止する工程、及び上記仮想線に沿って
上記平板パッケージをレーザーにより分割し、個々に気
密封止した各弾性表面波チップを分離する工程を施すも
のである。
第4の製造方法は、仮想線により碁盤目状に区画された
複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けられた
端子導体とを有する平板パッケージを形成する工程、各
升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各升目の
端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフェース
ダウンボンディングにより接続する工程、各弾性表面波
チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾性表面
波チップを気密封止する工程、及び上記仮想線に沿って
上記平板パッケージをレーザーにより分割し、個々に気
密封止した各弾性表面波チップを分離する工程を施すも
のである。
【0019】また、本発明に係る弾性表面波デバイスの
第5の製造方法は、第1ないし4のいずれかの方法にお
いて、上記キャップ状のカバーとして金属からなるカバ
ーを用いるものである。
第5の製造方法は、第1ないし4のいずれかの方法にお
いて、上記キャップ状のカバーとして金属からなるカバ
ーを用いるものである。
【0020】また、本発明に係る弾性表面波デバイスの
第6の製造方法は、第1ないし5のいずれかの方法にお
いて、上記平板パッケージと上記カバーとを高融点半田
を用いて接合するものである。
第6の製造方法は、第1ないし5のいずれかの方法にお
いて、上記平板パッケージと上記カバーとを高融点半田
を用いて接合するものである。
【0021】そして、本発明に係る弾性表面波デバイス
の第7の製造方法は、第6の方法において、上記平板パ
ッケージと上記カバーとの接合部分に予め高融点半田を
付着しておくものである。
の第7の製造方法は、第6の方法において、上記平板パ
ッケージと上記カバーとの接合部分に予め高融点半田を
付着しておくものである。
【0022】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は本発明の実
施の形態1の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板
パッケージ分割前、個々に気密封止した各弾性表面波チ
ップを分離する前の状態を示す断面図、図2は同、斜視
図であり、図3は平板パッケージをV溝に沿って分割し
最終的に得られた弾性表面波デバイスの形状を示す斜視
図である。図において、1は弾性表面波チップ、2は平
板パッケージ、3はカバー、5はバンプ、6は平板パッ
ケージ2の両面に縦横格子状に刻まれたV溝、8はパッ
ド部8aとスルーホール導体8bからなる端子導体であ
る。
施の形態1の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板
パッケージ分割前、個々に気密封止した各弾性表面波チ
ップを分離する前の状態を示す断面図、図2は同、斜視
図であり、図3は平板パッケージをV溝に沿って分割し
最終的に得られた弾性表面波デバイスの形状を示す斜視
図である。図において、1は弾性表面波チップ、2は平
板パッケージ、3はカバー、5はバンプ、6は平板パッ
ケージ2の両面に縦横格子状に刻まれたV溝、8はパッ
ド部8aとスルーホール導体8bからなる端子導体であ
る。
【0023】まず、セラミックの焼成前のグリーンシー
トの上面と下面とに格子状にV溝6が形成されるよう
に、ナイフで縦横に切り込みを入れておく。その際、V
溝6の底部同士が対向するようにしておく。さらに、溝
6により碁盤目状に区画された複数の升目における所定
位置に、端子導体用のスルーホールをそれぞれ開けてお
く。これを焼成し、V溝により碁盤目状に区画された複
数の升目を有するセラミック製平板パッケージ2を形成
する。平板パッケージ2の各升目の所定位置に端子導体
8をそれぞれ形成する。即ち、各スルーホール内にスル
ーホール導体8bを形成し、これに接続されるように、
平板パッケージ2の上面と下面にパッド部8aを形成す
る。次いで、平板パッケージ2の各升目毎に弾性表面波
チップ1をそれぞれ載置し、各升目の端子導体8にそれ
ぞれ弾性表面波チップ1の電極をフェースダウンボンデ
ィングにより接続する。その後、これらの弾性表面波チ
ップ1をそれぞれキャップ状のカバー3で覆い、各弾性
表面波チップ1を個々に気密封止する。カバー3はV溝
6を跨がないよう升目内に収めておく。最後に、複数の
弾性表面波チップを一括して搭載、気密封止した1枚の
平板パッケージ2を、V 溝6に沿ってチョコレートブレ
イク法により分割し、各升目毎、即ち気密封止した各弾
性表面波チップ1毎に分離し、弾性表面波デバイスを得
る。
トの上面と下面とに格子状にV溝6が形成されるよう
に、ナイフで縦横に切り込みを入れておく。その際、V
溝6の底部同士が対向するようにしておく。さらに、溝
6により碁盤目状に区画された複数の升目における所定
位置に、端子導体用のスルーホールをそれぞれ開けてお
く。これを焼成し、V溝により碁盤目状に区画された複
数の升目を有するセラミック製平板パッケージ2を形成
する。平板パッケージ2の各升目の所定位置に端子導体
8をそれぞれ形成する。即ち、各スルーホール内にスル
ーホール導体8bを形成し、これに接続されるように、
平板パッケージ2の上面と下面にパッド部8aを形成す
る。次いで、平板パッケージ2の各升目毎に弾性表面波
チップ1をそれぞれ載置し、各升目の端子導体8にそれ
ぞれ弾性表面波チップ1の電極をフェースダウンボンデ
ィングにより接続する。その後、これらの弾性表面波チ
ップ1をそれぞれキャップ状のカバー3で覆い、各弾性
表面波チップ1を個々に気密封止する。カバー3はV溝
6を跨がないよう升目内に収めておく。最後に、複数の
弾性表面波チップを一括して搭載、気密封止した1枚の
平板パッケージ2を、V 溝6に沿ってチョコレートブレ
イク法により分割し、各升目毎、即ち気密封止した各弾
性表面波チップ1毎に分離し、弾性表面波デバイスを得
る。
【0024】次に動作について説明する。弾性表面波チ
ップ1は圧電性を有する基板の表面に金属薄膜により所
要のパターンを作成したものである。この圧電性を利用
し、入力した電気信号を弾性表面波に変換し、さらに弾
性表面波を電気信号に再び変換して、出力信号とするこ
とにより、種々の電気素子として動作する。この動作原
理については、従来の弾性表面波デバイスと同じであ
る。
ップ1は圧電性を有する基板の表面に金属薄膜により所
要のパターンを作成したものである。この圧電性を利用
し、入力した電気信号を弾性表面波に変換し、さらに弾
性表面波を電気信号に再び変換して、出力信号とするこ
とにより、種々の電気素子として動作する。この動作原
理については、従来の弾性表面波デバイスと同じであ
る。
【0025】この実施の形態1に係る弾性表面波デバイ
スの製造方法では、上述したように、また図1、図2に
示すように、1枚の平板パッケージ2上で、一括して複
数のデバイスの組立を行なうことができる。例えば大き
さ100mm角程度の平板パッケージ2に、3mm角程
度の弾性表面波デバイスを作製する場合であれば、約1
000個の弾性表面波デバイスを一括して組立てること
ができ、容易に量産ができる。
スの製造方法では、上述したように、また図1、図2に
示すように、1枚の平板パッケージ2上で、一括して複
数のデバイスの組立を行なうことができる。例えば大き
さ100mm角程度の平板パッケージ2に、3mm角程
度の弾性表面波デバイスを作製する場合であれば、約1
000個の弾性表面波デバイスを一括して組立てること
ができ、容易に量産ができる。
【0026】また、図8や図9に示した従来例のパッケ
ージ21を使ったデバイスのように、1デバイスずつ個
別のパッケージ21に弾性表面波チップ1を組込んで作
製する組立てラインに比べ、組立て中の搬送が容易にな
る。従って、特に大量の弾性表面波デバイスを製造する
場合に、生産性を非常に高くすることができる。
ージ21を使ったデバイスのように、1デバイスずつ個
別のパッケージ21に弾性表面波チップ1を組込んで作
製する組立てラインに比べ、組立て中の搬送が容易にな
る。従って、特に大量の弾性表面波デバイスを製造する
場合に、生産性を非常に高くすることができる。
【0027】また、予め設けておいたV 溝6に沿って、
平板パッケージ2をチョコレートブレイク法により分割
することにより、容易に個々のデバイスに分離すること
ができる。
平板パッケージ2をチョコレートブレイク法により分割
することにより、容易に個々のデバイスに分離すること
ができる。
【0028】さらに、弾性表面波チップ1は、従来と同
様に気密封止されており、異物の混入や電極の酸化など
による特性劣化を生じることがなく、従来と同様に良好
な電気特性と良好な信頼性とを有する弾性表面波デバイ
スが得られる。
様に気密封止されており、異物の混入や電極の酸化など
による特性劣化を生じることがなく、従来と同様に良好
な電気特性と良好な信頼性とを有する弾性表面波デバイ
スが得られる。
【0029】以上のように、本実施の形態1に係る弾性
表面波デバイスは簡易で信頼性の高いパッケージ構造、
組立が簡単で量産に適した構造を有しており、本実施の
形態の製造方法により、電気特性および信頼性を損ねる
ことなく、低コストで、簡便に、生産性良く得ることが
できる。
表面波デバイスは簡易で信頼性の高いパッケージ構造、
組立が簡単で量産に適した構造を有しており、本実施の
形態の製造方法により、電気特性および信頼性を損ねる
ことなく、低コストで、簡便に、生産性良く得ることが
できる。
【0030】実施の形態2.図4は、本発明の実施の形
態2の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板パッケ
ージ分割前の状態を示す断面図である。図において、1
は弾性表面波チップ、2は平板パッケージ、3はカバ
ー、5はバンプ、6はV溝である。
態2の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板パッケ
ージ分割前の状態を示す断面図である。図において、1
は弾性表面波チップ、2は平板パッケージ、3はカバ
ー、5はバンプ、6はV溝である。
【0031】この実施の形態2においても、上記実施の
形態1と同様に、複数の弾性表面波チップ1を平板パッ
ケージ2にフェースダウンボンディングし、弾性表面波
チップ1をキャップ状のカバー3で覆い気密封止し、V
溝6に沿って平板パッケージ2をチョコレートブレイク
法により分割し、分離することにより弾性表面波デバイ
スを得ている。しかし、この実施の形態2では、上記実
施の形態1と異なり、平板パッケージ2の上面のみにV
溝6を形成している。
形態1と同様に、複数の弾性表面波チップ1を平板パッ
ケージ2にフェースダウンボンディングし、弾性表面波
チップ1をキャップ状のカバー3で覆い気密封止し、V
溝6に沿って平板パッケージ2をチョコレートブレイク
法により分割し、分離することにより弾性表面波デバイ
スを得ている。しかし、この実施の形態2では、上記実
施の形態1と異なり、平板パッケージ2の上面のみにV
溝6を形成している。
【0032】このようにV溝6が上面のみであっても、
複数のデバイスを一括して組立てた後の、個々のデバイ
スへの分離は、実施の形態1と同様の方法を用いて容易
に行なうことができ、実施の形態1と同様、電気特性お
よび信頼性を損ねることなく、低コストで生産性の良い
弾性表面波デバイスを得ることができる。また、平板パ
ッケージ2の上面のみにV溝6を形成しているので、実
施の形態1に比べ、平板パッケージ2の製造工程が減
り、さらに低コストな弾性表面波デバイスが得られる。
複数のデバイスを一括して組立てた後の、個々のデバイ
スへの分離は、実施の形態1と同様の方法を用いて容易
に行なうことができ、実施の形態1と同様、電気特性お
よび信頼性を損ねることなく、低コストで生産性の良い
弾性表面波デバイスを得ることができる。また、平板パ
ッケージ2の上面のみにV溝6を形成しているので、実
施の形態1に比べ、平板パッケージ2の製造工程が減
り、さらに低コストな弾性表面波デバイスが得られる。
【0033】なお、この実施の形態2では、V溝6を平
板パッケージ2の上面のみに施した場合について示した
が、V溝6を平板パッケージ2の下面のみに施しても良
く、この場合にも明らかに同様の効果が得られる。
板パッケージ2の上面のみに施した場合について示した
が、V溝6を平板パッケージ2の下面のみに施しても良
く、この場合にも明らかに同様の効果が得られる。
【0034】実施の形態3.図5は、本発明の実施の形
態3により得られた弾性表面波デバイスを示す斜視図で
ある。図において、2は平板パッケージ、32は金属カ
バーである。
態3により得られた弾性表面波デバイスを示す斜視図で
ある。図において、2は平板パッケージ、32は金属カ
バーである。
【0035】図5には図示していないが、図1や図4に
示したように、パッケージ内部にフェースダウンボンデ
ィングされた弾性表面波チップ1が気密封止されてい
る。この実施の形態3では弾性表面波チップ1を気密封
止するためのカバーとして金属カバー32を用いてい
る。
示したように、パッケージ内部にフェースダウンボンデ
ィングされた弾性表面波チップ1が気密封止されてい
る。この実施の形態3では弾性表面波チップ1を気密封
止するためのカバーとして金属カバー32を用いてい
る。
【0036】一般に弾性表面波デバイスでは、入力電気
信号を一旦弾性表面波に変換し、再び電気信号に再変換
して出力する。このとき、入力電気信号の一部が、弾性
表面波に変換されずにパッケージ内外の空間を電磁波と
して伝播し、そのまま電気信号として出力されてしま
う、いわゆるフィードスルーが生じる。一般にフィード
スルーのレベルが大きいと、例えばフィルタの帯域外減
衰量を劣化させるなどし、電気特性上好ましくない。こ
のため、弾性表面波デバイスではフィードスルーのレベ
ルをできるだけ小さくすることが望ましい。このフィー
ドスルーのレベルを小さくするには、弾性表面波デバイ
スの周囲をできるだけ金属シールドで覆うことが有効で
ある。
信号を一旦弾性表面波に変換し、再び電気信号に再変換
して出力する。このとき、入力電気信号の一部が、弾性
表面波に変換されずにパッケージ内外の空間を電磁波と
して伝播し、そのまま電気信号として出力されてしま
う、いわゆるフィードスルーが生じる。一般にフィード
スルーのレベルが大きいと、例えばフィルタの帯域外減
衰量を劣化させるなどし、電気特性上好ましくない。こ
のため、弾性表面波デバイスではフィードスルーのレベ
ルをできるだけ小さくすることが望ましい。このフィー
ドスルーのレベルを小さくするには、弾性表面波デバイ
スの周囲をできるだけ金属シールドで覆うことが有効で
ある。
【0037】この実施の形態3では、弾性表面波デバイ
スを封止するカバーとして金属カバー32を用いてい
る。このため、上述したフィードスルーのレベルを小さ
くすることができ、電気特性の良好な弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
スを封止するカバーとして金属カバー32を用いてい
る。このため、上述したフィードスルーのレベルを小さ
くすることができ、電気特性の良好な弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
【0038】さらに、金属カバー32はキャップ状であ
るため、従来例の弾性表面波デバイスのような平板カバ
ー31を用いる場合に比べ、デバイスを覆う割合が大き
くなる。従って、従来の弾性表面波デバイスに比べても
フィードスルーのレベルを小さくすることができる。
るため、従来例の弾性表面波デバイスのような平板カバ
ー31を用いる場合に比べ、デバイスを覆う割合が大き
くなる。従って、従来の弾性表面波デバイスに比べても
フィードスルーのレベルを小さくすることができる。
【0039】以上のように、図5に示す本発明の実施の
形態3に係る弾性表面波デバイスの製造方法では、低コ
ストで生産性良く、さらに電気特性が良好な弾性表面波
デバイスを得ることができる。
形態3に係る弾性表面波デバイスの製造方法では、低コ
ストで生産性良く、さらに電気特性が良好な弾性表面波
デバイスを得ることができる。
【0040】実施の形態4.図6は、本発明の実施の形
態4の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板パッケ
ージ分割前、各弾性表面波チップを分離する前の状態を
示す断面図である。図において、1は弾性表面波チッ
プ、2は平板パッケージ、3はカバー、5はバンプ、6
はV溝、7は高融点半田である。
態4の弾性表面波デバイスの製造方法に係る平板パッケ
ージ分割前、各弾性表面波チップを分離する前の状態を
示す断面図である。図において、1は弾性表面波チッ
プ、2は平板パッケージ、3はカバー、5はバンプ、6
はV溝、7は高融点半田である。
【0041】本実施の形態4では、上記実施の形態1と
同様に、複数の弾性表面波チップ1を平板パッケージ2
にフェースダウンボンディングし、これらの弾性表面波
チップ1をキャップ状のカバー3で覆い気密封止してい
るが、気密封止に際し、平板パッケージ2とカバー3と
を、高融点半田7で接合している。
同様に、複数の弾性表面波チップ1を平板パッケージ2
にフェースダウンボンディングし、これらの弾性表面波
チップ1をキャップ状のカバー3で覆い気密封止してい
るが、気密封止に際し、平板パッケージ2とカバー3と
を、高融点半田7で接合している。
【0042】カバー3の形状がキャップ状であり、平板
パッケージ2にカバー3を同時に複数個接合するために
は、シーム溶接等による接合よりも半田を用いる接合の
方が容易に行なうことができる。また、半田として高融
点半田7を用いているため、完成した弾性表面波デバイ
スを移動体通信端末機などの通信機器の電気回路基板に
半田付けする際に、高融点半田7より融点の低い半田を
用いることにより、即ち普通の半田付け温度では、高融
点半田7が熔けたりしないので、弾性表面波デバイスの
封止破壊を起こすことなく、取り付けることができる。
パッケージ2にカバー3を同時に複数個接合するために
は、シーム溶接等による接合よりも半田を用いる接合の
方が容易に行なうことができる。また、半田として高融
点半田7を用いているため、完成した弾性表面波デバイ
スを移動体通信端末機などの通信機器の電気回路基板に
半田付けする際に、高融点半田7より融点の低い半田を
用いることにより、即ち普通の半田付け温度では、高融
点半田7が熔けたりしないので、弾性表面波デバイスの
封止破壊を起こすことなく、取り付けることができる。
【0043】このように、本実施の形態4に示す弾性表
面波デバイスの製造方法では、さらに生産性の良い弾性
表面波デバイスを得ることができる。
面波デバイスの製造方法では、さらに生産性の良い弾性
表面波デバイスを得ることができる。
【0044】高融点半田7の材料としては、金スズ(A
uSn)、鉛スズ10(Pb−Sn10)、鉛銀スズ
(Pb−Ag−Sn)、スズ銀(Sn−Ag)、スズ銅
(Sn−Cu)など、種々の材料のものがあり、これら
いずれの材料を選択してもよい。
uSn)、鉛スズ10(Pb−Sn10)、鉛銀スズ
(Pb−Ag−Sn)、スズ銀(Sn−Ag)、スズ銅
(Sn−Cu)など、種々の材料のものがあり、これら
いずれの材料を選択してもよい。
【0045】実施の形態5.図7は、本発明の実施の形
態5の弾性表面波デバイスの製造方法に係る各弾性表面
波チップを気密封止する前の状態を示す断面図である。
図において、1は弾性表面波チップ、2は平板パッケー
ジ、3はカバー、5はバンプ、6はV溝、7は高融点半
田である。本実施の形態では、カバー3を平板パッケー
ジ2に高融点半田7を用いて接合する際に、予め平板パ
ッケージ2とカバー3の接合部分に、それぞれ、高融点
半田7を付着させている。実際の組立にあたっては、高
融点半田7を付着した平板パッケージ2に、高融点半田
7を付着したカバー3を接合することにより、弾性表面
波チップ1の気密封止を行なっている。
態5の弾性表面波デバイスの製造方法に係る各弾性表面
波チップを気密封止する前の状態を示す断面図である。
図において、1は弾性表面波チップ、2は平板パッケー
ジ、3はカバー、5はバンプ、6はV溝、7は高融点半
田である。本実施の形態では、カバー3を平板パッケー
ジ2に高融点半田7を用いて接合する際に、予め平板パ
ッケージ2とカバー3の接合部分に、それぞれ、高融点
半田7を付着させている。実際の組立にあたっては、高
融点半田7を付着した平板パッケージ2に、高融点半田
7を付着したカバー3を接合することにより、弾性表面
波チップ1の気密封止を行なっている。
【0046】このように組み立てを行なうことにより、
気密封止組立工程時に、平板パッケージ2とカバー3と
の接合性をさらに高くすることができ、気密性の高い弾
性表面波デバイスが得られる。本実施の形態5において
は、さらに生産性および信頼性高く、良好に弾性表面波
デバイスを製造することができる。
気密封止組立工程時に、平板パッケージ2とカバー3と
の接合性をさらに高くすることができ、気密性の高い弾
性表面波デバイスが得られる。本実施の形態5において
は、さらに生産性および信頼性高く、良好に弾性表面波
デバイスを製造することができる。
【0047】実施の形態6.本実施の形態6の弾性表面
波デバイスの製造方法は、平板パッケージ2に溝を形成
せず、仮想線により碁盤目状に区画され、複数の升目が
形成されていると想定して組み立てを行うものである。
即ち、平板パッケージ2の仮想線により碁盤目状に区画
された複数の升目の所定位置に端子導体8をそれぞれ設
け、上記実施の形態と同様の行程を施し、平板パッケー
ジ2上の各弾性表面波チップ1をそれぞれ気密封止す
る。その後、仮想線に沿ってレーザーを照射し平板パッ
ケージを分割し、個々に気密封止した各弾性表面波チッ
プを分離して弾性表面波デバイスを得る。上記実施の形
態と同様、電気特性および信頼性を損ねることなく、低
コストで、簡便に、生産性良く弾性表面波デバイスを得
ることができる。端子導体は平板パッケージの所定位置
にめっきとエッチング等で一括して形成でき、レーザー
光は数値制御により仮想線に沿って精度良く走査できる
ので、溝が無くとも支障はない。
波デバイスの製造方法は、平板パッケージ2に溝を形成
せず、仮想線により碁盤目状に区画され、複数の升目が
形成されていると想定して組み立てを行うものである。
即ち、平板パッケージ2の仮想線により碁盤目状に区画
された複数の升目の所定位置に端子導体8をそれぞれ設
け、上記実施の形態と同様の行程を施し、平板パッケー
ジ2上の各弾性表面波チップ1をそれぞれ気密封止す
る。その後、仮想線に沿ってレーザーを照射し平板パッ
ケージを分割し、個々に気密封止した各弾性表面波チッ
プを分離して弾性表面波デバイスを得る。上記実施の形
態と同様、電気特性および信頼性を損ねることなく、低
コストで、簡便に、生産性良く弾性表面波デバイスを得
ることができる。端子導体は平板パッケージの所定位置
にめっきとエッチング等で一括して形成でき、レーザー
光は数値制御により仮想線に沿って精度良く走査できる
ので、溝が無くとも支障はない。
【0048】なお、上記実施の形態においては、平板パ
ッケージ2を碁盤目状に区画する溝としてV溝6の場合
について示したが、溝の形状はV字状に限らず、他の形
状であっても良い。例えばチョコレートブレイク法によ
り容易に分割できる形状が望ましい。
ッケージ2を碁盤目状に区画する溝としてV溝6の場合
について示したが、溝の形状はV字状に限らず、他の形
状であっても良い。例えばチョコレートブレイク法によ
り容易に分割できる形状が望ましい。
【0049】また、上記の実施の形態では、平板パッケ
ージ2としてセラミックを材料とするものについて説明
をしたが、他の材料を用いても良く、この場合も従来例
に比べ構造が簡易な平板パッケージであるので、本発明
と同様の効果が得られる。
ージ2としてセラミックを材料とするものについて説明
をしたが、他の材料を用いても良く、この場合も従来例
に比べ構造が簡易な平板パッケージであるので、本発明
と同様の効果が得られる。
【0050】また、上記実施の形態では、各弾性表面波
チップ1を独立したひとつのキャップでひとつづつ覆う
ようにしているが、複数のキャップが連結されたものを
用いても良く、作業性が向上する。平板パッケージをチ
ョコレートブレイク法により分割する場合は、平板パッ
ケージとともに容易に分割できるものを用いる。例え
ば、各キャップ同士がブリッジにより分離しないよう連
結、一体化されたもの、あるいは隣り合うキャップ間に
分離用のミシン目を開けて複数一体に形成されたものな
どが用いられる。
チップ1を独立したひとつのキャップでひとつづつ覆う
ようにしているが、複数のキャップが連結されたものを
用いても良く、作業性が向上する。平板パッケージをチ
ョコレートブレイク法により分割する場合は、平板パッ
ケージとともに容易に分割できるものを用いる。例え
ば、各キャップ同士がブリッジにより分離しないよう連
結、一体化されたもの、あるいは隣り合うキャップ間に
分離用のミシン目を開けて複数一体に形成されたものな
どが用いられる。
【0051】
【発明の効果】以上のように、本発明の弾性表面波デバ
イスの第1の製造方法においては、溝により碁盤目状に
区画された複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ
設けられた端子導体とを有する平板パッケージを形成す
る工程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置
し、各升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電
極をフェースダウンボンディングにより接続する工程、
各弾性表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆
い各弾性表面波チップを気密封止する工程、及び上記溝
に沿って上記平板パッケージを分割し、個々に気密封止
した各弾性表面波チップを分離する工程を施すようにし
たので、電気特性および信頼性を損ねることなく、簡便
に生産性良く弾性表面波デバイスを量産することができ
る。
イスの第1の製造方法においては、溝により碁盤目状に
区画された複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ
設けられた端子導体とを有する平板パッケージを形成す
る工程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置
し、各升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電
極をフェースダウンボンディングにより接続する工程、
各弾性表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆
い各弾性表面波チップを気密封止する工程、及び上記溝
に沿って上記平板パッケージを分割し、個々に気密封止
した各弾性表面波チップを分離する工程を施すようにし
たので、電気特性および信頼性を損ねることなく、簡便
に生産性良く弾性表面波デバイスを量産することができ
る。
【0052】また、本発明の弾性表面波デバイスの第2
の製造方法においては、第1の方法において上記溝を上
記平板パッケージの上面と下面とに底部が対向するよう
設けたので、平板パッケージをより容易に分割できる。
の製造方法においては、第1の方法において上記溝を上
記平板パッケージの上面と下面とに底部が対向するよう
設けたので、平板パッケージをより容易に分割できる。
【0053】また、本発明の弾性表面波デバイスの第3
の製造方法においては、第1の方法において、上記溝を
上記平板パッケージの上面と下面のいずれか一方のみに
設けるようにしたので、製造工程が減り、より生産性を
高くできる。
の製造方法においては、第1の方法において、上記溝を
上記平板パッケージの上面と下面のいずれか一方のみに
設けるようにしたので、製造工程が減り、より生産性を
高くできる。
【0054】また、本発明の弾性表面波デバイスの第4
の製造方法においては、仮想線により碁盤目状に区画さ
れた複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けら
れた端子導体とを有する平板パッケージを形成する工
程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各
升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフ
ェースダウンボンディングにより接続する工程、各弾性
表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾
性表面波チップを気密封止する工程、及び上記仮想線に
沿って上記平板パッケージをレーザーにより分割し、個
々に気密封止した各弾性表面波チップを分離する工程を
施すようにしたので、電気特性および信頼性を損ねるこ
となく、簡便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産す
ることができる。
の製造方法においては、仮想線により碁盤目状に区画さ
れた複数の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けら
れた端子導体とを有する平板パッケージを形成する工
程、各升目毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各
升目の端子導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフ
ェースダウンボンディングにより接続する工程、各弾性
表面波チップをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾
性表面波チップを気密封止する工程、及び上記仮想線に
沿って上記平板パッケージをレーザーにより分割し、個
々に気密封止した各弾性表面波チップを分離する工程を
施すようにしたので、電気特性および信頼性を損ねるこ
となく、簡便に生産性良く弾性表面波デバイスを量産す
ることができる。
【0055】また、本発明の弾性表面波デバイスの第5
の製造方法においては、第1ないし第4の方法におい
て、上記キャップ状のカバーとして金属からなるカバー
を用いたので、さらに電気特性の良好な弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
の製造方法においては、第1ないし第4の方法におい
て、上記キャップ状のカバーとして金属からなるカバー
を用いたので、さらに電気特性の良好な弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
【0056】また、本発明の弾性表面波デバイスの第6
の製造方法においては、第1ないし第5の方法におい
て、上記平板パッケージと上記カバーとを高融点半田を
用いて接合したので、さらに生産性良く弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
の製造方法においては、第1ないし第5の方法におい
て、上記平板パッケージと上記カバーとを高融点半田を
用いて接合したので、さらに生産性良く弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
【0057】また、本発明の弾性表面波デバイスの第7
の製造方法においては、第6の方法において上記平板パ
ッケージと上記カバーとの接合部分に予め高融点半田を
付着しておいたので、より気密性の高い弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
の製造方法においては、第6の方法において上記平板パ
ッケージと上記カバーとの接合部分に予め高融点半田を
付着しておいたので、より気密性の高い弾性表面波デバ
イスを得ることができる。
【図1】 本発明の実施の形態1に係る弾性表面波デバ
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1に係る弾性表面波デバ
イスの製造過程、分離前の状態を示す斜視図である。
イスの製造過程、分離前の状態を示す斜視図である。
【図3】 本発明の実施の形態1により得られた弾性表
面波デバイスを示す斜視図である。
面波デバイスを示す斜視図である。
【図4】 本発明の実施の形態2に係る弾性表面波デバ
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態3により得られた弾性表
面波デバイスを示す斜視図である。
面波デバイスを示す斜視図である。
【図6】 本発明の実施の形態4に係る弾性表面波デバ
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
イスの製造過程、分離前の状態を示す断面図である。
【図7】 本発明の実施の形態5に係る弾性表面波デバ
イスの製造過程、気密封止前の状態を示す断面図であ
る。
イスの製造過程、気密封止前の状態を示す断面図であ
る。
【図8】 従来例の弾性表面波デバイスの構成を示す断
面図である。
面図である。
【図9】 他の従来例の弾性表面波デバイスの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
1 弾性表面波チップ 2 平板パッケージ 3 カバー 4 ワイヤ 5 バンプ 6 V溝 7 高融点半田 21 パッケージ 31 平板カバー 32 金属カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 幸雄 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 森島 宏司 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J097 AA25 AA31 AA34 HA04 HA07 HA08 KK10
Claims (7)
- 【請求項1】 溝により碁盤目状に区画された複数の升
目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けられた端子導体
とを有する平板パッケージを形成する工程、各升目毎に
それぞれ弾性表面波チップを載置し、各升目の端子導体
にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフェースダウンボ
ンディングにより接続する工程、各弾性表面波チップを
それぞれキャップ状のカバーで覆い各弾性表面波チップ
を気密封止する工程、及び上記溝に沿って上記平板パッ
ケージを分割し、個々に気密封止した各弾性表面波チッ
プを分離する工程を施すことを特徴とする弾性表面波デ
バイスの製造方法。 - 【請求項2】 上記溝を上記平板パッケージの上面と下
面とに底部が対向するよう設けたことを特徴とする請求
項1記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項3】 上記溝を上記平板パッケージの上面と下
面のいずれか一方のみに設けたことを特徴とする請求項
1記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項4】 仮想線により碁盤目状に区画された複数
の升目と、各升目の所定位置にそれぞれ設けられた端子
導体とを有する平板パッケージを形成する工程、各升目
毎にそれぞれ弾性表面波チップを載置し、各升目の端子
導体にそれぞれ弾性表面波チップの電極をフェースダウ
ンボンディングにより接続する工程、各弾性表面波チッ
プをそれぞれキャップ状のカバーで覆い各弾性表面波チ
ップを気密封止する工程、及び上記仮想線に沿って上記
平板パッケージをレーザーにより分割し、個々に気密封
止した各弾性表面波チップを分離する工程を施すことを
特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項5】 上記キャップ状のカバーとして金属から
なるカバーを用いたことを特徴とする請求項1ないし請
求項4のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項6】 上記平板パッケージと上記カバーとを高
融点半田を用いて接合したことを特徴とする請求項1な
いし請求項5のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの
製造方法。 - 【請求項7】 上記平板パッケージと上記カバーとの接
合部分に予め高融点半田を付着しておくことを特徴とす
る請求項6記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001002942A JP2002208830A (ja) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001002942A JP2002208830A (ja) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208830A true JP2002208830A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18871365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001002942A Pending JP2002208830A (ja) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208830A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100782293B1 (ko) | 2006-05-18 | 2007-12-05 | 주식회사 코스텍시스 | 전자부품용 패키지의 제조방법 및 전자부품용 패키지 |
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2010147591A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| CN114826201A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-29 | 广东广纳芯科技有限公司 | 声表面波滤波器及其制造方法 |
-
2001
- 2001-01-10 JP JP2001002942A patent/JP2002208830A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| KR100782293B1 (ko) | 2006-05-18 | 2007-12-05 | 주식회사 코스텍시스 | 전자부품용 패키지의 제조방법 및 전자부품용 패키지 |
| JP2010147591A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| CN114826201A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-29 | 广东广纳芯科技有限公司 | 声表面波滤波器及其制造方法 |
| CN114826201B (zh) * | 2022-05-10 | 2025-07-29 | 广东广纳芯科技有限公司 | 声表面波滤波器及其制造方法 |
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