JP2002208178A

JP2002208178A - 光学情報記録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒体の記録方法

Info

Publication number: JP2002208178A
Application number: JP2001335227A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Okubo; 修一大久保
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2000-11-06
Filing date: 2001-10-31
Publication date: 2002-07-26

Abstract

(57)【要約】【課題】単純な製造プロセスで形成でき、かつ、波長
３８０〜４３０ｎｍの半導体レーザを用いて記録可能な
光学情報記録媒体を提供すること。【解決手段】光学情報記録媒体は、基板１上に少なく
とも記録層２を有する。波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの
レーザ光照射により情報の記録が行われる。記録層２の
屈折率ｎ及び消衰係数ｋが、波長３８０〜４３０ｎｍの
範囲において、３．９＜ｎ＜５．６、かつ、ｋ＞０．４
の条件を満たす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光照射によ
り情報の記録・再生を行う光学情報記録媒体とその製造
方法及び光学情報記録媒体の記録方法に関し、特に、１
回だけ記録が可能な追記型の光学情報記録媒体と、その
製造方法及びそれへの記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭおよびＤＶＤ−ＲＯＭの近
年の普及にともない、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと呼ばれる
ユーザにより１回だけ記録可能な光学情報記録媒体の普
及も加速的に進んでいる。ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒでは、
記録層として感光性の色素層がスピン塗布あるいは蒸着
等により基板上に形成される。ＣＤ−ＲＯＭと同等の反
射率を実現するために、色素層の上に、ＡｌやＡｕなど
の材料からなる反射層が形成されている。色素材料は、
光学情報の記録・再生を行う半導体レーザの波長におい
て記録可能な程度に吸収が存在するように、選択されて
いる。情報の記録・再生に用いられている半導体レーザ
の波長は、ＣＤ−Ｒでは７８０ｎｍ前後、また、ＤＶＤ
−Ｒでは６５０ｎｍ前後である。

【０００３】一方、近年、青紫色半導体レーザに関する
研究・開発が急激に進展している。これにより、波長３
８０〜４３０ｎｍの青紫色半導体レーザの実用化が近づ
いている。光ディスクの記録密度は主に情報の記録再生
に用いられる光ビームの集光スポットサイズにより決ま
る。集光スポットサイズは半導体レーザの波長に比例す
るので、現在実用化されている赤色半導体レーザに比べ
て波長の短い青紫色半導体レーザを用いることにより光
ディスクの記録容量が大幅に増えるものと期待されてい
る。

【０００４】しかしながら、３８０〜４３０ｎｍの波長
のレーザ光に適する色素材料は、これまでのところ知ら
れておらず、青紫色半導体レーザを用いる光学情報記録
媒体は実用化されていない。また、色素層がスピンコー
トにより形成された後、改めてスパッタリングなどによ
り反射層が形成されるというプロセスも煩雑であり、光
学情報記録媒体のコストの上昇を招いてしまう。

【０００５】上記記載と関連して、光記録媒体が特開平
１０−１７２１８０に開示されている。この引例では、
光の照射による非晶質相と結晶相の間の相変化により情
報の記録及び消去が行われる。透明基板上に少なくとも
第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層がこの順
に積層されている。照射される光の波長は５５０ｎｍ以
下であり、照射される光の波長における第１誘電体層の
屈折率ｎが１．４〜２．１である。照射される光の波長
が波長４５０ｎｍ以下であり、照射される光の波長にお
ける第１誘電体層の屈折率ｎが１．４〜１．８である。

【０００６】また、光記録媒体が特開平１０−２０８２
９６に開示されている。この引例では、光記録媒体は、
基板上に少なくともＴｅを含む光記録層を有する。光記
録層のアモルファス層における消衰係数kaが波長４００
〜５００ｎｍにおいて２．５以下である。また、光記録
層が、３０ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下の水素を含
有する。

【０００７】また、光記録媒体が特開平１１−３９７０
９に開示されている。この引例では、光の照射による非
晶質相と結晶相の間の相変化により情報の記録及び消去
が行われる。透明基板上に少なくとも第１誘電体層／下
地誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層がこの順に
積層されている。波長７００〜６３０ｎｍ及び波長５０
０〜３８０ｎｍでの各層の屈折率、消衰係数と層の厚さ
が下記の式で表される関係を有している。１．８５≦ｎa２、４５≦ｄa５５（ｎｍ）２．１≦ｎb １４５≦ｄb１５５（ｎｍ）２．４≦ｎα≦４．５１．９≦ｋα≦２．９１．６５≦ｎc４．５３．２≦ｋc４．１０＜ｄr２０（ｎｍ）２．１≦ｎd２．４１０≦ｄd２０（ｎｍ）０．４≦ｎe１．４３．８≦ｋe６．２ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは下地誘電体層の屈折率、ｄbは
下地誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶質状
態の屈折率、ｋαは記録層の非晶質状態の消衰係数、ｎ
cは記録層の結晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態
の消衰係数、ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎdは第２誘
電体層の屈折率、ｄdは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、
ｎeは反射層の屈折率、ｋeは反射層の消衰係数を表す。

【０００８】また、光記録媒体が特開平１１−３９７１
６に開示されている。この引例では、光の照射による非
晶質相と結晶相の間の相変化により情報の記録及び消去
が行われる。透明基板上に少なくとも第１誘電体層／記
録層／第２誘電体層／反射層がこの順に積層されてお
り、波長３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下での各層の屈折
率、消衰係数、層の厚さが下記の式で表される関係を有
している。２．２≦ｎa２．３３０≦ｄa５００２．５８≦ｎα≦３．３２．６≦ｋα≦２．９１．７７≦ｎc２．５３．２≦ｋc３．８７≦ｄr３５（ｎｍ）２．２５≦ｎb２．４０＜ｄb２５（ｎｍ）０．４≦ｎβ≦０．６３．８≦ｋβ≦４．２５ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶質状態の屈折
率、ｋαは記録層の非晶質状態の消衰係数、ｎcは記録
層の結晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰
係数、ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層
の屈折率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは
反射層の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。

【０００９】また、相変化型光記録媒体が特開平１１−
２６５５２５に開示されている。この引例では、相変化
型光記録媒体は、基板と、記録層と、この記録層と基板
との間に形成された誘電体層とを少なくとも有する。記
録層は、基板の一方の面に形成され、照射光の強度に応
じて結晶−非晶質間の相変化が可逆的になされる。誘電
体層は、記録層と基板との間に形成されている。波長４
００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の強度変調された単一レー
ザビームでオーバーライトが行われる。誘電体層はＺｎ
ＳとＳｉＯ₂との混合物からなり、記録層は少なくとも
ＧｅとＴｅとＳｂとを含む材料からなる。基板と誘電体
層との間にＡｇ、ＴｉＯ₂、ＡｇとＴｉＯ₂の混合物、Ａ
ｇを主成分として含む混合物、またはＴｉＯ₂を主成分
として含む混合物からなる多重反射層が設けられていて
もよい。記録層の基板とは反対側の面に反射層が設けら
れ、反射層と記録層との間に第２誘電体層が設けられて
いる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、単純
な製造プロセスで形成でき、かつ、波長３８０〜４３０
ｎｍの半導体レーザを用いて１回だけ記録可能な光学情
報記録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒体の記録
方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】以下に、［発明の実施の
形態］で使用する番号・符号を用いて、課題を解決する
ための手段を説明する。これらの番号・符号は、[特許
請求の範囲]の記載と発明の実施の形態の記載との対応
関係を明らかにするために付加されたものであるが、
［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲
の解釈に用いてはならない。

【００１２】上記目的を達成するため、本発明は、基板
（１）上に少なくとも記録層（２）を有し、波長３８０
ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光照射により情報の記録を行
う光学情報記録媒体であって、前記記録層（２）の屈折
率ｎ及び消衰係数ｋが、波長３８０〜４３０ｎｍの範囲
において、３．９＜ｎ＜５．６、かつ、ｋ＞０．４の条
件を満たすものである。

【００１３】また、本発明は、基板（１）上に少なくと
も記録層（２）を有し、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの
レーザ光照射により情報の記録を行う光学情報記録媒体
であって、波長３８０〜４３０ｎｍの範囲において、前
記記録層（２）の吸収率が２０％以上であって、記録層
（２）が、光学情報記録前は再生専用型光学情報記録媒
体と互換可能な反射率を有し、光学情報記録後に反射率
が高くなるように形成されているものである。

【００１４】本発明においては、前記記録層（２）の膜
厚が、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、また、前記
記録層（２）の熱伝導率が、０．５Ｗ／ｍＫ以上、２０
Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましい。

【００１５】また、本発明においては、前記記録層
（２）が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉを主成分とする酸化物又は
窒化物、Ｇｅを主成分とする酸化物又は窒化物のいずれ
かを含むことが好ましい。

【００１６】本発明の光学情報記録媒体の製造方法は、
波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光照射により情報
の記録が可能な記録層（２）を基板上に形成する工程を
少なくとも有する光学情報記録媒体の製造方法であっ
て、前記記録層（２）を、Ｓｉ又はＧｅをターゲットと
して、前記記録層（２）の熱伝導率が所望の値となるよ
うな成膜ガス圧力の基でスパッタリング法により形成す
るものである。

【００１７】本発明の光学情報記録媒体の記録方法は、
前記レーザ光の記録パルスとしてマルチパルスを用い、
マルチパルスのレーザピークパワーをＰｗ、マルチパル
スのレーザボトムパワーをＰｂｗ、記録パルス間のバイ
アスパワーをＰｂとした時、０＜Ｐｂｗ＜０．５ｍＷ、
かつ、０＜Ｐｂ／Ｐｗ＜０．３３の関係を満たす条件で
記録を行うものである。

【００１８】また、本発明の記録方法は、前記レーザ光
の記録パルスとして矩形波を用い、線速10ｍ／ｓ以上で
記録を行うものである。

【００１９】本発明にかかる光学情報記録媒体は、波長
３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光照射により情報の記
録を行う光学情報記録媒体であって、基板（１）上に少
なくとも記録層（２）、光透過層（７）を有し、光透過
層（７）側からレーザ光を入射して光学情報の記録・再
生を行う光学情報記録媒体であって、記録層（２）と光
透過層（７）の間に熱変形抑止層（８）を有するもので
ある。

【００２０】熱変形抑止層（８）としては、ＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ
のいずれか１つまたは複数を積層して形成することが好
ましい。あるいは、ＡｕあるいはＡｇを主成分とする膜
厚10ｎｍ以下の金属薄膜が好ましい。

【００２１】熱変形抑止層（８）を付加した場合には、
記録層（２）としてＳｉあるいはＧｅが特に好適であ
る。

【００２２】また、本発明の記録方法は、波長３８０ｎ
ｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて、基板（１）上に少
なくとも記録層（２）、光透過層（７）を有する光学情
報記録媒体に対して、光透過層（７）側からレーザ光を
入射して光学情報の記録・再生を行う記録方法であっ
て、基板（１）に形成された案内溝内および案内溝間の
平坦部両方に記録を行うものである。

【００２３】また、本発明の光学情報記録媒体は、所定
の間隔で形成された案内溝を有する基板（１）と、前記
基板上に形成された記録層（２）とを具備し、波長３８
０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて、隣り合う前記
案内溝の間の平坦領域に情報が記録される。前記案内溝
内にも情報が記録されてもよい。

【００２４】また、本発明の光学情報記録媒体は、所定
の間隔で形成された案内溝を有する基板（１）と、前記
基板上に形成された記録層（２）とを具備し、波長３８
０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて情報が記録され
るとき、前記情報が記録された部位に対応する前記案内
溝の深さは、前記情報の記録前より前記情報の記録後に
浅い。この結果、前記情報の記録前の反射率は、前記情
報の記録後の反射率より低い。また、本発明の光学情報
記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された記録層と
を具備し、前記記録層と前記基板の間のレーザ光が照射
される位置に空間が形成されるように波長３８０ｎｍ〜
４３０ｎｍの前記レーザ光を照射することにより情報が
記録される。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の光学情報記録媒体
について、添付図面を参照して詳細に説明する。

【００２６】図１乃至９は、本発明の相変化型光学情報
記録媒体の光ディスク構造を模式的に示す断面図であ
り、図１０は、再生信号波形を模式的に説明する図であ
る。

【００２７】図１に示される本発明の光学情報記録媒体
では、基板１上に記録層２が形成された単純な基本構造
が採用されている。基板１の厚さは０．３ｍｍ〜１．２
ｍｍ程度であり、基板１の材料としては、ポリカーボネ
ート等の樹脂あるいはガラスが用いられる。記録層は、
単層でも複数の異なる層の積層でもよい。通常、図１に
示されるように、情報の記録・再生は、基板１側に設け
られたレーザ１０からレーザ光を入射し、再生は反射光
を受光部１２により受光することにより行われる。

【００２８】構成が最も単純であることから、基板１上
に記録層２が形成される構造が最も望ましい。しかしな
がら、図２に示される本発明の光学情報記録媒体では、
基板１上に記録層２が形成され、傷やゴミを防止するた
め、記録層２上に紫外線硬化樹脂３が形成されてもよ
い。また、図３に示されるように、機械特性向上のため
に、更に他の基板４が貼り合わされても良い。

【００２９】他に、図４と５に示される本発明の光学情
報記録媒体では、基板１上に記録層２が形成され、記録
層２上に誘電体層５または反射層６が積層されてもよ
い。あるいは、図６に示されるように、記録層２上の形
成された誘電体層５の上に反射層６が積層されても良
い。更に、機械特性向上のために、図７に示されるよう
に、紫外線硬化樹脂３により他の基板４が更に貼り合わ
されても良い。

【００３０】また、図８に示されるように、本発明の光
学情報記録媒体では、基板１上に記録層２が形成され、
記録層２上に厚さ０．１ｍｍ前後の光透過層７が形成さ
れていてもよい。基板１の厚さは０．３ｍｍ〜１．２ｍ
ｍ程度であり、基板１の材料としては、ポリカーボネー
ト等の樹脂あるいはガラスが用いられる。また、図９に
示されるように、記録層２と光透過層７の間に熱変形抑
止層８が設けられてもよい。このような構造の場合、図
８に示されるように、情報の記録・再生は、光透過層７
側に設けられたレーザ１０から記録層２にレーザ光を照
射し、再生は反射光を受光部１２により受光することに
より行われる。

【００３１】記録層２の膜厚としては、１０ｎｍ以上３
０ｎｍ以下であることが望ましい。これは、１０ｎｍよ
り薄い膜では膜質が低下して耐候性に問題が生じたり、
十分に高い反射率を得ることが難しいためであり、ま
た、３０ｎｍ以上では熱容量が大きくなるので、記録感
度が低くなり良好な記録を行うことができなくなるため
である。さらに、３０ｎｍ以上では高パワーで記録が行
われるとしても、マーク間の熱干渉（記録を行おうとし
ているマークの直前のマーク記録時の温度上昇の影響）
が大きく、良好な記録を行うことができないからであ
る。

【００３２】次に、図１乃至７の光学情報記録媒体の光
学特性について説明する。本発明の光学情報記録媒体の
反射率は、記録前において３０％−７０％であるように
設計されている。これは、再生専用型（ＣＤ−ＲＯＭ）
の光学情報記録媒体の反射率が一般的に６０％前後にな
っており、ＣＤ−ＲＯＭとの互換性を考慮しているため
である。本発明の光学情報記録媒体がＣＤ−ＲＯＭの半
分程度の反射率を有していれば、簡単なＡＧＣ回路を追
加することにより、本発明の光学情報記録媒体から情報
を再生することが可能であるからである。

【００３３】さらに、本発明の光学情報記録媒体では、
図１０に示される再生信号波形から分かるように、記録
後にさらに反射率が高くなるので、ＣＤ−ＲＯＭとの互
換がよりとりやすくなっている。このように記録により
反射率が高くなるのは、レーザ光が照射された領域で基
板１の表面部分が溶融し・案内溝内に流動し、結果的に
レーザ光が照射された領域に対応する案内溝（図示せ
ず）の深さが記録前より浅くなるためである。また、こ
のとき、レーザ光が照射された部位には、流動により記
録層と基板の間には空間（ギャップ）が形成される。従
来の光学情報記録媒体では、記録後に反射率が低下し、
サーボ信号が不安定になるという問題が生じていたが、
本発明の光学情報記録媒体では、記録後に反射率が更に
高くなるのでサーボ信号が不安定になるという問題は生
じない。

【００３４】また、案内溝内、案内溝間の平坦部（図示
せず）のいずれにおいても記録を行うことが可能である
が、基板上に記録層単層のみを用いて光学情報記録媒体
が形成される場合には、案内溝間の平坦部に記録が行わ
れる方がレーザ光のパワーを低くでき、かつ、信号品質
も良好である。なお、記録層が単層で形成される場合
に、案内溝間の平坦部で記録が行われる方がレーザ光の
記録パワーが低く、かつ、信号品質が良好であるという
事実は、本願発明者が実験により見いだしたものであ
る。

【００３５】

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明する。情報の記録再生には、半導体レーザ１
０、受光部１２，及び対物レンズを有する光ヘッド２０
が使用される。

【００３６】[実施例１]まず、本発明の第１実施例に係
る光学情報記録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒
体の記録方法について、図１１及び図１２を参照して説
明する。図１１は、第１実施例に係る光学情報記録媒体
の記録パワーとＣ／Ｎ（carrier-to-noise）比の関係を
示す図であり、図１２は、レーザ駆動波形を説明する図
である。

【００３７】図３に示されるように、光学情報記録媒体
のディスク型基板１として厚さ０．６ｍｍ程度のポリカ
ーボネート基板が用いられ、その上に、記録層２として
厚さ２０ｎｍ程度のＳｉ層がＳｉターゲットを用いてス
パッタリング法により前記記録層が形成された。さら
に、機械特性確保のために、紫外線硬化樹脂層３により
厚さ０．６ｍｍ程度のダミーのポリカーボネート基板４
が貼り合わされた。また、基板１として、深さ３０ｎｍ
程度、ピッチ０．４μｍ程度の案内溝（図せず）が形成
されたものが用いられた。

【００３８】このような構造を有する光学情報記録媒体
の、４００ｎｍの波長のレーザ光に対する反射率は、記
録前において４４％、記録後において５７％であり、Ｓ
ｉ層でレーザ光の吸収率は記録前において４３％であっ
た。また、波長４００ｎｍのレーザ光に対する（ｎ：屈
折率，ｋ：消衰係数）は（４．４，１．９）であり、熱
伝導率は１．５Ｗ／ｍＫであった。

【００３９】なお、図４に示されるように、Ｓｉ層の上
にさらにＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の誘電体層５が形成されても５０
％程度の反射率を実現することが可能である。さらに反
射率を高めるために、図６に示されるように、誘電体層
５上に金属反射層６が形成されても良いが、本実施例で
はＳｉ層のみが形成された。

【００４０】上記構造の光学情報記録媒体が線速３ｍ／
ｓで回転させられながら、記録周波数５ＭＨｚで情報信
号が記録され、レーザ光の記録パワーとＣ／Ｎ比の関係
が調べられた。記録・再生には４００ｎｍの波長の半導
体レーザと、ＮＡ＝０．６５の対物レンズを有する光ヘ
ッド２０が用いられ、記録は案内溝間の平坦部を用いて
行われた。その結果が図１１に示されている。図１１か
ら分かるように、本実施例の光学情報記録媒体では、記
録パワーが約５ｍＷ以上のとき、５０ｄＢ以上の高いＣ
／Ｎ比が得られた。なお、案内溝内部に記録が行われる
場合には、記録パワーが６ｍＷ以上必要であり、また、
Ｃ／Ｎ比も４３ｄＢ程度しか得られなかった。

【００４１】なお、記録は図１２に示されるマルチパル
スの記録パルスを用いて行われた。図１２において、Ｐ
ｗはレーザ１０からのレーザ光のピークパワー、Ｐｂｗ
はレーザ光のボトムパワーであり、Ｐｂは記録パルス間
のバイアスパワーである。本実施例ではＰｂｗ＝０．１
ｍＷ、Ｐｂ＝１．５ｍＷとした。また、図１２には３Ｔ
記録データ（記録周波数５ＭＨｚ／クロック周波数３０
ＭＨｚ）に対する記録パルス波形が示されているが、各
パラメータはＴｄ＝１Ｔ、Ｔｗ＝Ｔｂｗ＝０．５Ｔに設
定された。

【００４２】このように、本実施例の光学情報記録媒体
によれば、基板１上に形成された記録層２は、レーザ１
０からの波長３８０〜４３０ｎｍのレーザ光に対して２
０％以上の吸収率を有し、さらに、熱伝導率が低い物質
を用いて形成された。これにより、高いＣ／Ｎ比で記録
が可能であることが究明された。吸収率が２０％より低
い場合には、レーザ光として非常に高い記録パワーが必
要となるため好ましくない。波長４００ｎｍ近傍におい
て、反射率３０％以上、吸収率２０％以上の記録層２を
実現するためには、基板１上に形成された記録層２が、
屈折率ｎ、消衰係数ｋとして３．９＜ｎ＜５．６、ｋ＞
０．４を満足する材料で形成されればよいことがわかっ
た。

【００４３】[実施例２]実施例１と同様の基板を用いて
ディスク型光学情報記録媒体が製作された。記録層２
は、Ｓｉ層、Ｇｅ層、（Ｓｉ+Ｎ）窒化物層、または
（Ｇｅ+Ｎ）窒化物層である。記録層２の熱伝導率が所
望の値となるように、成膜時に成膜スパッタガス圧力は
調整された。Ｓｉ又はＧｅをターゲットとして、調整さ
れたスパッタガス圧力でスパッタリング法により記録層
２が形成された。こうしてＳｉ層またはＧｅ層が形成さ
れた。または、スパッタガスに窒素を加えることによ
り、（Ｓｉ+Ｎ）層、または（Ｇｅ+Ｎ）層が成膜され
た。このとき、スパッタガス圧力と共に、スパッタパワ
ーも変化させて、光学定数を変化させた。

【００４４】ディスク型光学情報記録媒体が線速３ｍ／
ｓで回転させられながら記録周波数５ＭＨｚで情報信号
が記録され、Ｃ／Ｎ比が測定された。記録・再生には４
０５ｎｍの波長の半導体レーザと、ＮＡ＝０．６５の対
物レンズを有する光ヘッド２０が用いられ、記録は案内
溝間の平坦部に行われた。記録パルス波形は実施例１と
同様である。結果を表１に示す。

【００４５】

【表１】表１から分かるように、３．９＜ｎ＜５．６、ｋ＞０．
４で５０ｄＢ以上の高いＣ/Ｎ比が得られた。なお、デ
ィスク型光学情報記録媒体に対して、波長６６０ｎｍの
半導体レーザと、ＮＡ=０．６５の対物レンズを有する
光ヘッド２０を用いて記録が試みられたが、記録を行う
ことは全くできなかった。

【００４６】[実施例３]次に、本発明の第３実施例に係
る光学情報記録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒
体の記録方法について説明する。本実施例では、記録層
２の吸収率の最適化を図るための実験について説明す
る。

【００４７】厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製のデ
ィスク型基板上に記録層２がスパッタリング法により形
成された。スパッタリングに際して、スパッタガスに酸
素が加えられ、（Ｓｉ+Ｏ）酸化物層が１５ｎｍの膜厚
に形成された。その後光透過層７として、厚さ０．１ｍ
ｍのポリカーボネートフィルムが接着された。こうし
て、図８に示される光学情報記録媒体が作成された。

【００４８】記録膜成膜時、スパッタガス中への酸素添
加量を変化させることで、記録層２の吸収率が変化させ
られた。案内溝のピッチは０．３５μｍ、溝深さは３５
ｎであった。ディスク型光学情報記録媒体が線速１０ｍ
／ｓで回転させられ、波長４０５ｎｍの半導体レーザ
と、ＮＡ=０．８５の対物レンズとを有する光ヘッド２
０を用いて、光透過層７側から記録層２へレーザ光が照
射され、記録周波数5ＭＨｚの矩形波信号で情報の記録
・再生が行われた。記録は案内溝間の平坦部（ここで
は、基板の凹凸のうち、レーザ光入射側に近い方）に行
われた。記録層２の吸収率と記録パワー、Ｃ/Ｎ比の関
係を表２に示す。本実施例に用いられたレーザ光の最大
出射パワーは７．５ｍＷであった。

【００４９】表２から分かるように、吸収率が20％より
低い場合には、十分なＣ/Ｎ比が得られない。なお、各
光学情報記録媒体に対して、波長６６０ｎｍの半導体レ
ーザと、ＮＡ=０．８５の対物レンズとを有する光ヘッ
ド２０を用いて記録が試みられたが、記録を行うことは
全くできなかった。

【００５０】

【表２】 [実施例４]次に、本発明の第４実施例に係る光学情報記
録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒体の記録方法
について説明する。本実施例では、記録層の膜厚の最適
化を図るための実験について説明する。

【００５１】基板１として、第１実施例と同じポリカー
ボネート製のディスク型基板１を用い、記録層２として
Ｓｉ層がスパッタリングにより形成された。さらに、機
械特性確保のために、紫外線硬化樹脂層により厚さ０．
６ｍｍのダミーのポリカーボネート基板が貼り合わされ
た。こうして、図３に示される構造の光学情報記録媒体
が作成された。Ｓｉ層の膜厚が７ｎｍ〜３５ｎｍの間で
変化させられ、ジッターの測定が行われた。

【００５２】記録・再生には波長４００ｎｍの半導体レ
ーザと、ＮＡ＝０．６５の対物レンズとを有する光ヘッ
ド２０が用いられた。記録は、光学情報記録媒体が線速
３ｍ／ｓで回転させられながら、クロック周波数３３Ｍ
Ｈｚで（８−１６）変調されたランダム信号を記録する
ことにより行われた。記録パルスとして図１２と同様の
波形が用いられ、３Ｔ〜１１Ｔの記録データに対して、
Ｔｄ、Ｔｗ、Ｔｂｗは同一の値に設定された。また、記
録は案内溝間の平坦部を用いて行われた。その結果が表
３に示される。なお、表３に示される再生信号ジッタ
（ｓ／３０（ｎｓ）＊１００％：クロック周波数３３Ｍ
Ｈｚ）は、Ｐｗ、Ｐｂｗ、Ｐｂが変化させられたとき得
られた最良値である。

【００５３】また、信号が記録された後、各光学情報記
録媒体が温度９０℃、湿度９０％の環境に１００時間晒
される環境試験が行われ、ジッタの変化を調べた。

【００５４】

【表３】表３から分かるように、記録層２の膜厚が３０ｎｍより
厚くなるとジッタが急激に悪くなっている。また、膜厚
が１０ｎｍより薄い場合には、環境試験により特性が大
幅に劣化してしまう。従って、記録層２の膜厚としては
１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましいことが分かる。

【００５５】[実施例５]次に、本発明の第５の実施例に
係る光学情報記録媒体とその製造方法及び光学情報記録
媒体の記録方法について説明する。本実施例は、記録層
の熱伝導率の最適化を図るための実験について説明す
る。

【００５６】本発明に係る光学情報記録媒体では、記録
時に記録パワーの半導体レーザ１０から照射されるレー
ザ光が記録層２で吸収され、記録層２および基板１表面
の温度が融点以上に上昇する。熱伝導率の低い記録層２
を用いることで熱拡散が抑制され、基板１の表面部分が
効率よく溶融され、案内溝に流動させられる。また、記
録層２と基板１との間に空間（ギャップ）が形成され
る。その結果、案内溝の深さが記録前より浅くなり、反
射率が高くなって情報の記録を行うことが可能となる。
そこで、記録膜２のスパッタ条件を変えて、熱伝導率の
異なるサンプルが作製され、熱伝導率の好ましい範囲が
調べられた。

【００５７】基板１としてディスク型ポリカーボネート
基板が用いられ、２０ｎｍ程度の膜厚を有する記録層２
としてＧｅ層がスパッタリングにより形成された。さら
に、機械特性確保のために、紫外線硬化樹脂層により厚
さ０．６ｍｍ程度のダミーのポリカーボネート基板が貼
り合わされた。こうして、図３に示される構造の光学情
報記録媒体が制作された。Ｇｅ層の形成時には、ＤＣス
パッタ法が用いられ、投入パワー密度は３４ＫＷ／ｍ²
であった。成膜時のガス圧（Ａｒガス）を０．０５Ｐａ
〜２．０Ｐａの間で変化させて成膜が行われた。その
後、各光学情報記録媒体が線速３ｍ／ｓで回転させられ
ながら記録周波数５ＭＨｚの信号が、マルチパルス（Ｐ
ｗｂ＝０．１ｍＷ、Ｐｂ＝２．５ｍＷ）で記録されて、
記録パワーとＣ／Ｎの関係が調べられた。

【００５８】スパッタの成膜時のガス圧とその条件で成
膜された記録層２の熱伝導率と記録信号の２次高調波歪
み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最小となるレーザ光の記録パワー
とＣ／Ｎ比の関係を表４にに示す。なお、表４には、各
条件で成膜されたＧｅの熱伝導率を細線加熱法（例え
ば、Thin Solid Films, 219 (1992) 239）により
測定した値も示してある。

【００５９】表４に示されるように、熱伝導率が２０Ｗ
／ｍＫより高くなるとＣ／Ｎ比が急激に低下している。
これは、２０Ｗ／ｍＫ以上では熱拡散が速やかに起こる
ので、基板１の表面部分が溶融しにくくなり記録を行う
ことが困難となるからである。上記観点から熱伝導率は
低ければ低い程良いが、低すぎる場合には、膜中の欠陥
等が多くなって耐候性が低くなるため、０．５Ｗ／ｍＫ
以上であることが望ましい。

【００６０】

【表４】 [実施例６]次に、本発明の第６の実施例に係る光学情報
記録媒体とその製造方法及び光学情報記録媒体の記録方
法について説明する。本実施例は、記録層２の熱伝導率
の最適化を図るための実験について記載するものであ
る。

【００６１】基板１としてポリカーボネート製のディス
ク型基板１を用い、記録層２として（Ｇｅ+Ｏ）層が１
５ｎｍの膜厚をもつようにスパッタリング法により形成
された。さらに、機械特性確保のために、紫外線硬化樹
脂層により厚さ０．６ｍｍ程度のダミーのポリカーボネ
ート基板が貼り合わされた。こうして、図３に示される
構造の光学情報記録媒体が制作された。スパッタリング
法はＲＦスパッタ法により、Ａｒ＋Ｏ２ガスを用いて行
われた。熱伝導率を変化させるため、成膜時のガス圧は
０．０５Ｐａ〜２．０Ｐａの間で変化させられた。各光
学情報記録媒体は線速３ｍ／ｓで回転させられながら記
録周波数５ＭＨｚの信号が記録（Ｐｗｂ＝０．１ｍＷ、
Ｐｂ＝２．５ｍＷ）された。その後、温度９０℃、湿度
９０％の条件で１００時間の環境試験が行われ、環境試
験前後でのＣ／Ｎ比の変化が調べられた。結果を表５に
示す。

【００６２】表５から分かるように、熱伝導率が０．５
Ｗ／ｍＫより低い場合には、耐候性が低く環境試験によ
り、Ｃ／Ｎ比が大幅に低下してしまう。実施例５の結果
とあわせて、記録層２の熱伝導率は０．５Ｗ／ｍＫ以上
２０Ｗ／ｍＫ以下であることが望ましいことが分かる。

【００６３】

【表５】 [実施例７]次に、本発明の第７の実施例に係る光学情報
記録媒体の記録方法について、図１３を参照して説明す
る。図１３は、本実施例に係る光学情報記録媒体のＰｂ
／ＰｗとＣ／Ｎとの関係を示す図である。

【００６４】前記第１実施例で説明された光学情報記録
媒体が線速３ｍ／ｓで回転させられながら、記録周波数
５ＭＨｚで記録が行われ、Ｐｂ／Ｐｗ比とＣ／Ｎ比の関
係が調べられた。記録パルスは第１実施例と同様にマル
チパルスであり、Ｐｗ＝６ｍＷ、Ｐｂｗ＝０．１ｍＷと
した。記録には波長４０５ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ
＝０．６５の対物レンズとを有する光ヘッド２０が用い
られた。その結果を図１３に示す。

【００６５】図１３から分かるように、Ｐｂ／Ｐｗ比＞
０．３３の条件ではＣ／Ｎ比が低下している。このこと
から、レーザ光の記録パルスのＰｂ（記録パルス間のバ
イアスパワー）とＰｗ（レーザのピークパワー）とのＰ
ｂ／Ｐｗ比は０．３３より小さい範囲が好ましいことが
分かる。

【００６６】[実施例８]次に、本発明の第８の実施例に
係る光学情報記録媒体の記録方法について、図１４を参
照して説明する。図１４は、本実施例に係る光学情報記
録媒体のＰｂｗとＣ／Ｎ比の関係を示す図である。

【００６７】前記第１実施例で説明された光学情報記録
媒体が線速３ｍ／ｓで回転させられながら、記録周波数
５ＭＨｚで記録が行われ、ＰｂｗとＣ／Ｎ比の関係が調
べられた。記録パルスは第１実施例と同様にマルチパル
スとし、Ｐｗ＝６ｍＷ、Ｐｂ＝１．５ｍＷとした。記録
には波長４０５ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ＝０．６５
の対物レンズとを有する光ヘッド２０が用いられた。そ
の結果を図１４に示す。

【００６８】図１４からわかるように、Ｐｂｗ＞０．５
ｍＷの条件ではＣ／Ｎ比が低下している。このことか
ら、レーザ光の記録パルスのＰｂｗ（レーザのボトムパ
ワー）は０．５ｍＷより小さいことが好ましいことが分
かる。

【００６９】[実施例９]次に、本発明の第９の実施例に
係る光学情報記録媒体の記録方法について説明する。本
実施例は、本発明に係る光学情報記録媒体への記録方法
の最適化に関して記載するものである。

【００７０】実施例１で説明された光学情報記録媒体に
対して、波長４０５ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ＝０．
６５の対物レンズを有する光ヘッド２０を用いて、光学
情報記録媒体の回転線速が変化させられながら、長さ１
μｍのマークが記録され、線速とＣ／Ｎ比の関係が調べ
られた。この際、記録パルスはマルチパルスではなく、
デューティ（ｄｕｔｙ）＝５０％の矩形波とした。結果
を表６に示す。

【００７１】表６から分かるように、線速１０ｍ／ｓ以
上では、マルチパルス記録ではなく、矩形波による記録
でも良好な特性が得られる。矩形波による記録では、マ
ルチパルス記録に比べて、記録パワーが低くでき、レー
ザの駆動回路が簡単化できる等の利点がある。低線速で
Ｃ／Ｎ比が低下しているのは、ノイズが上昇しているた
めである。これは、マーク形成時に熱がより蓄積しやす
い矩形波記録を用いた場合、低線速では熱拡散が遅く媒
体への熱負荷が大きくなるためである。

【００７２】

【表６】 [実施例１０]次に、本発明の第１０実施例に係る光学情
報記録媒体の記録方法について説明する。本実施例は、
本発明に係る光学情報記録媒体への記録方法の最適化に
関して説明する。

【００７３】実施例３で説明された光学情報記録媒体の
うち、吸収率が４０％の光学情報記録媒体に対して、波
長４００ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ＝０．８５の対物
レンズを有する光ヘッド２０を用いて、光学情報記録媒
体の回転時の線速が変化させられながら、長さ０．７μ
ｍのマークが記録され、線速とＣ／Ｎ比の関係が調べら
れた。この際、記録パルスはマルチパルスではなく、ｄ
ｕｔｙ＝５０％の矩形波とした。結果を表７に示す。

【００７４】

【表７】実施例９と同様に、線速１０ｍ／ｓ以上では、マルチパ
ルス記録ではなく、矩形波による記録でも良好な特性が
得られることが確認された。

【００７５】[実施例１１]厚さ1.1ｍｍのポリカーボネ
ート製のディスク型基板１上に10ｎｍのＳｉ層２と、１
００ｎｍのＳｉＯ₂層８とが順次スパッタリングにより
形成された。その後、光透過層７として、厚さ０．１ｍ
ｍのポリカーボネートフィルムが接着された。こうし
て、図９に示される構造の光学情報記録媒体が制作され
た。案内溝のピッチは０．３５μｍ、溝深さは３５ｎｍ
であった。本光学情報記録媒体が線速５ｍ／ｓで回転さ
せられ、波長４００ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ=０．
８５の対物レンズを有する光ヘッド２０を用いて、光透
過層側からレーザ光を入射することにより情報の記録・
再生が行われた。

【００７６】レーザ光の記録パワーが変化させられなが
ら、案内溝間の平坦部に周波数5ＭＨｚの信号が記録さ
れＣ/Ｎ比が測定された。このとき、図１５に示される
ように、記録パワー5ｍＷ以上で50ｄＢ以上のＣ/Ｎ比が
得られた。

【００７７】上記実施例の比較として、厚さ１．１ｍｍ
のポリカーボネート基板１上に１０ｎｍのＳｉ層２がス
パッタリングにより形成され、その後光透過層７とし
て、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムが接着
された。こうして、図８に示される構造の光学情報記録
媒体が制作された。案内溝のピッチは０．３５μｍ、溝
深さは４０ｎｍであった。本光学情報記録媒体が線速5
ｍ／ｓで回転させられ、波長４００ｎｍの半導体レーザ
と、ＮＡ=０．８５の対物レンズを有する光ヘッド２０
を用いて、光透過層７側から記録層２にレーザ光を照射
することにより情報の記録・再生が行われた。

【００７８】レーザ光の記録パワーが変化させられなが
ら、案内溝間の平坦部に周波数５ＭＨｚの信号が記録さ
れＣ/Ｎ比が測定された。このとき、上記実施例と同等
の信号振幅は得られたが、記録ノイズが高く、図１５に
示されるように、４５ｄＢ程度のＣ/Ｎ比しか得られな
かった。

【００７９】光透過層側からレーザ光を入射することに
より記録が行われる際に、熱変形抑止層８が必要になる
理由は次のように説明できる。光透過層７側からレーザ
光が入射される追記型光学情報記録媒体においては０．
１ｍｍと非常に薄いフィルム７がレーザ光の入射面に位
置することになる。本発明に係る追記型光学情報記録媒
体では記録時に熱変形が生じるが、カバー層入射タイプ
では、カバー層７が非常に薄いので、熱変形がカバー層
表面にまで及んでしまい、ノイズを上昇させる原因とな
ってしまう。そこで、記録層２とカバー層７の間に熱伝
導率の高い誘電体層８（ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ等）、あるいは、金
属層８（Ａｕ,Ａｇ等）を形成することによって、カバ
ー層表面の熱変形を抑制し、記録信号品質を高めること
ができる。

【００８０】[実施例１２]厚さ１．１ｍｍのポリカーボ
ネート基板１上に１０ｎｍのＳｉ層２と、１５０ｎｍの
ＳｉＮ層８とが順次スパッタリングにより形成され、そ
の後光透過層７として、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネ
ートフィルムが接着された。こうして、図９に示される
構造の光学情報記録媒体が制作された。案内溝のピッチ
は０．７μｍ、溝深さは４０ｎｍであった。本光学情報
記録媒体が線速５ｍ／ｓで回転させられ、波長４００ｎ
ｍの半導体レーザと、ＮＡ=０．８５の対物レンズを有
する光ヘッド２０を用いて、光透過層７側から記録層２
にレーザ光を入射することにより情報の記録・再生が行
われた。

【００８１】レーザ光の記録パワーが変化させながら、
周波数5ＭＨｚの信号が記録されＣ/Ｎ比が測定された。
この結果、案内溝間の平坦部および案内溝内部の両方に
おいて、記録パワー６ｍＷ以上で５０ｄＢ以上のＣ/Ｎ
比が得られた。熱変形防止層８が付加された場合には、
案内溝内部で記録を行われた場合でも高いＣ／Ｎ比が得
られることが分かった。

【００８２】[実施例１３]厚さ１．１ｍｍのポリカーボ
ネート基板１上に１０ｎｍのＧｅ層２と、１０ｎｍのＡ
ｕ層８とが順次スパッタリングにより形成され、その後
光透過層７として、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート
フィルムが接着された。こうして、図９に示される構造
の光学情報記録媒体が制作された。案内溝のピッチは
０．７μｍ、溝深さは４０ｎｍであった。本光学情報記
録媒体が線速５ｍ／ｓで回転させられ、波長４００ｎｍ
の半導体レーザと、ＮＡ=０．８５の対物レンズを有す
る光ヘッド２０を用いて、光透過層側から記録層２にレ
ーザ光を入射することにより情報の記録・再生が行われ
た。

【００８３】レーザ光の記録パワーが変化させられなが
ら、周波数５ＭＨｚの信号が記録され、Ｃ/Ｎ比が測定
された。その結果、記録パワー６．５ｍＷ以上で、案内
溝間の平坦部および案内溝内部の両方において50ｄＢ以
上のＣ/Ｎ比が得られた。

【００８４】[実施例１４]厚さ１．１ｍｍのポリカーボ
ネート製のディスク型基板１上に１０ｎｍのＧｅ層２
と、３〜２０ｎｍのＡｇ層８とが順次スパッタリングに
より形成された。その後光透過層７として、厚さ０．１
ｍｍのポリカーボネートフィルムが接着された。こうし
て、図９に示される構造の光学情報記録媒体が制作され
た。案内溝のピッチは０．７μｍ、溝深さは４０ｎｍで
あった。本光学情報記録媒体が線速５ｍ／ｓで回転させ
られ、波長４００ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ=０．８
５の対物レンズを有する光ヘッド２０を用いて、光透過
層７側から記録層２にレーザ光を照射することにより情
報の記録・再生が行われた。

【００８５】周波数５ＭＨｚの信号が記録された後、光
学情報記録媒体が温度９０℃、湿度９０％の環境に１０
０時間晒される環境試験が行われ、環境試験前後でのＣ
／Ｎ比の変化が調べられた。表８に示されるように、Ａ
ｇ層の膜厚として、５〜２０ｎｍが好適であることが確
認できた。

【００８６】

【表８】なお、熱変形抑止層８が付加された場合には、記録層２
としてＳｉの酸化物あるいは窒化物、Ｇｅの酸化物ある
いは窒化物が用いられる場合、案内溝間の平坦部におい
ては５０ｄＢ程度のＣ／Ｎ比が得られたが、案内溝内部
においては、４０ｄＢ程度のＣ／Ｎ比しか得られなかっ
た。案内溝間の平坦部および案内溝内部に記録が行われ
る場合には、記録層２としてはＳｉ層あるいはＧｅ層が
好適である。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学情報
記録媒体によれば、記録層として屈折率ｎ、消衰係数ｋ
が３．９＜ｎ＜５．６、ｋ＞０．４を満足するＳｉ、Ｇ
ｅやそれらの酸化物、窒化物等の材料が用いられ、波長
３８０〜４３０ｎｍの光に対して適当な吸収率（２０％
以上）、反射率（３０〜７０％）があり、さらに、熱伝
導率が０．５〜２０Ｗ／ｍＫ程度の低い物質の層を記録
層として形成することにより、青紫色半導体レーザを用
いて１回だけ記録が可能な光学情報記録媒体を提供する
ことが可能となる。

【００８８】また、本発明にかかる光学情報記録媒体
は、波長４００ｎｍ近傍において高反射率であるため、
再生専用型光学情報記録媒体との互換が容易となるとい
う効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の構
成を示す断面図である。

【図２】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図３】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図４】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図５】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図６】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図７】基板側からレーザ光が照射されるときの、本発
明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体の他
の構成を示す断面図である。

【図８】光透過層側からレーザ光が照射されるときの、
本発明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体
の構成を示す断面図である。

【図９】光透過層側からレーザ光が照射されるときの、
本発明の光学情報記録媒体の相変化光光学情報記録媒体
の他の構成を示す断面図である。

【図１０】本発明の光学情報記録媒体の再生信号波形を
模式的に説明する図である。

【図１１】本発明の第１実施例に係る光学情報記録媒体
の記録パワーとＣ／Ｎの関係を示す図である。

【図１２】本発明の第１実施例に係る光学情報記録媒体
のレーザ駆動波形を説明する図である。

【図１３】本発明の第４実施例に係る光学情報記録媒体
のＰｂ／ＰｗとＣ／Ｎの関係を示す図である。

【図１４】本発明の第５実施例に係る光学情報記録媒体
のＰｂｗとＣ／Ｎの関係を示す図である。

【図１５】本発明の第１１実施例に係る光学情報記録媒
体の記録パワーとＣ／Ｎの関係を示す図である。

【符号の説明】

１基板２記録層３紫外線硬化樹脂４基板５誘電体層６反射層７光透過層８熱変形抑止層１０レーザ１２受光部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｄ５３５Ｈ５３８５３８ＬＢ４１Ｍ 5/26 7/004 ＺＧ１１Ｂ 7/004 7/0045 Ａ 7/0045 7/007 7/007 7/26 ５３１ 7/26 ５３１Ｂ４１Ｍ 5/26 ＸＦターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA43 FA23 FA25 FA28 FA29 FB04 FB05 FB25 FB29 5D029 JA01 JB21 JB35 JB47 JC02 JC03 JC05 JC12 LA13 LA14 LA16 LB01 LB02 LB07 LC08 LC16 NA13 NA14 5D090 AA01 BB03 CC03 CC12 CC14 DD01 EE02 FF08 GG01 GG10 KK03 KK06 5D121 AA01 EE03 EE16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に形成された記録層とを具備し、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて情報が
記録され、前記記録層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋが、３８０〜４３
０ｎｍの波長のレーザー光に対して、３．９＜ｎ＜５．
６、かつ、ｋ＞０．４の関係を満たす光学情報記録媒
体。
【請求項２】基板と、前記基板上に形成された記録層とを具備し、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて情報が
記録され、３８０〜４３０ｎｍの前記波長の前記レーザ光に対する
前記記録層の吸収率が２０％以上である光学情報記録媒
体。
【請求項３】前記記録層は、前記情報が記録される前に
第１反射率を有し、前記情報が記録された後、前記第１
反射率より高い第２反射率を持ち、再生専用型光学情報
記録媒体と互換性を有する請求項１又は２に記載の光学
情報記録媒体。
【請求項４】前記記録層は、３０〜７０％の前記第１反
射率を有する請求項３に記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】前記記録層の膜厚が、１０ｎｍ以上、３０
ｎｍ以下である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
光学情報記録媒体。
【請求項６】前記記録層の熱伝導率が、０．５Ｗ／ｍＫ
以上、２０Ｗ／ｍＫ以下である請求項１乃至５のいずれ
か一項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】前記記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉの酸化物
又は窒化物、及びＧｅの酸化物又は窒化物からなるグル
ープから選択される少なくとも１つを含む請求項１乃至
６のいずれか一項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を
用いて情報が記録され、記録層が基板上に形成されてい
る光学情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の熱伝導率が所望の値となるようにガス圧力
を調整するステップと、Ｓｉ又はＧｅをターゲットとし
て、前記調整されたガス圧力でスパッタリング法により
前記記録層を前記基板上に形成するステップとを具備す
る光学情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光
学情報記録媒体に情報を記録する方法であって、前記レーザ光の記録パルスとしてマルチパルスを用い、
前記マルチパルスのレーザピークパワーをＰｗ、前記マ
ルチパルスのレーザボトムパワーをＰｂｗ、前記記録パ
ルス間のバイアスパワーをＰｂとした時、０＜Ｐｂｗ＜
０．５ｍＷ、かつ、０＜Ｐｂ／Ｐｗ＜０．３３で前記情
報が記録される光学情報記録媒体の記録方法。
【請求項１０】前記光学情報記録媒体は、前記基板に所
定の間隔で形成された案内溝を更に具備し、隣り合う前記案内溝の間の平坦領域に前記情報が記録さ
れる請求項９記載の光学情報記録媒体の記録方法。
【請求項１１】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
光学情報記録媒体に情報を記録する方法であって、前記レーザ光の記録パルスとして矩形波が用いられ、前記光学情報記録媒体が線速10ｍ／ｓ以上で回転させら
れながら、前記情報が記録される光学情報記録媒体の記
録方法。
【請求項１２】基板と、前記基板上に形成された記録層と、前記記録層上に形成された光透過層と前記記録層と前記光透過層との間に熱変形抑止層とを具
備し、前記光透過層を介して前記記録層に照射される、３８０
ｎｍ〜４３０ｎｍの波長のレーザ光を用いて情報が記録
される光学情報記録媒体。
【請求項１３】前記熱変形抑止層は、ＳｉＮ層、ＳｉＯ
₂層、Ｔａ₂Ｏ₅層、Ａｌ₂Ｏ₃層、ＡｌＮ層、ＳｉＣ層、
及びＴｉＣ層からなるグループから選択された１つの層
または複数の層の積層である請求項１２記載の光学情報
記録媒体。
【請求項１４】前記熱変形抑止層が、ＡｕまたはＡｇを
含む金属層であって、膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で
ある請求項１２記載の光学情報記録媒体。
【請求項１５】前記記録層がＳｉ層あるいはＧｅ層であ
る請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の光学情報
記録媒体。
【請求項１６】請求項１２乃至１５のいずれか一項に記
載の光学情報記録媒体に情報を記録する方法であって、基板に形成された案内溝内および案内溝間の平坦部の両
方に前記情報が記録される光学情報の記録方法。
【請求項１７】所定の間隔で形成された案内溝を有する
基板と、前記基板上に形成された記録層とを具備し、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて、隣り
合う前記案内溝の間の平坦領域に情報が記録される光学
情報記録媒体。
【請求項１８】前記案内溝内にも情報が記録される請求
項１７に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１９】所定の間隔で形成された案内溝を有する
基板と、前記基板上に形成された記録層とを具備し、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍのレーザ光を用いて情報が
記録されるとき、前記情報が記録された部位に対応する
前記案内溝の深さは、前記情報の記録前より前記情報の
記録後に浅い光学情報記録媒体。
【請求項２０】前記情報の記録前の反射率は、前記情報
の記録後の反射率より低い請求項１９に記載の光学情報
記録媒体。
【請求項２１】基板と、前記基板上に形成された記録層とを具備し、前記記録層と前記基板の間のレーザ光が照射される位置
に空間が形成されるように波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍ
の前記レーザ光を照射することにより情報が記録される
光学情報記録媒体。