JP2002204398A - イメージセンサ - Google Patents
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/573—Control of the dynamic range involving a non-linear response the logarithmic type
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入射光量に応じて光電変換素子に流れるセン
サ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態で対
数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セ
ンサ回路を画素に用いたイメージセンサにあって、セン
サ電流に急激な変化が生じても即座にそのときの入射光
の光量に応じた電圧信号が得られて、入射光の光量が少
ない場合でも残像を生ずることがないようにする。 【構成】 入射光量に応じて光電変換素子に流れるセン
サ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態で対
数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セ
ンサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、各画
素の画素信号の読出しに先がけて、各画素における前記
ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定
常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄生
容量に蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を設け
る。
サ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態で対
数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セ
ンサ回路を画素に用いたイメージセンサにあって、セン
サ電流に急激な変化が生じても即座にそのときの入射光
の光量に応じた電圧信号が得られて、入射光の光量が少
ない場合でも残像を生ずることがないようにする。 【構成】 入射光量に応じて光電変換素子に流れるセン
サ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態で対
数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セ
ンサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、各画
素の画素信号の読出しに先がけて、各画素における前記
ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定
常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄生
容量に蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換素子の寄生容
量を充放電させてセンサ信号を得るようにした光センサ
回路を画素単位に用いたイメージセンサに関する。
量を充放電させてセンサ信号を得るようにした光センサ
回路を画素単位に用いたイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＯＳ型のイメージセンサにあっ
ては、その１画素分の光センサ回路が、図１に示すよう
に、入射光Ｌｓの光量に応じたセンサ電流を生ずる光電
変換素子としてのフォトダイオードＰＤと、フォトダイ
オードＰＤに流れるセンサ電流を弱反転状態で対数出力
特性をもって電圧信号Ｖｐｄに変換させるトランジスタ
Ｑ１と、その電圧信号Ｖｐｄを増幅するトランジスタＱ
２と、画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミングでもっ
て画信号Ｖｏを出力するＭＯＳトランジスタＱ３とから
なり、対数出力特性をもたせることによってダイナミッ
クレンジを拡大して光信号の検出を高感度で行わせるこ
とができるようにしている。
ては、その１画素分の光センサ回路が、図１に示すよう
に、入射光Ｌｓの光量に応じたセンサ電流を生ずる光電
変換素子としてのフォトダイオードＰＤと、フォトダイ
オードＰＤに流れるセンサ電流を弱反転状態で対数出力
特性をもって電圧信号Ｖｐｄに変換させるトランジスタ
Ｑ１と、その電圧信号Ｖｐｄを増幅するトランジスタＱ
２と、画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミングでもっ
て画信号Ｖｏを出力するＭＯＳトランジスタＱ３とから
なり、対数出力特性をもたせることによってダイナミッ
クレンジを拡大して光信号の検出を高感度で行わせるこ
とができるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、入射光量に応じて光電変換素子に流れるセンサ電
流をＭＯＳ型のトランジスタを用いて弱反転状態で対数
出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セン
サ回路を用いたイメージセンサでは、光電変換素子の入
射光量が少なくなると残像が生じてしまうことである。
点は、入射光量に応じて光電変換素子に流れるセンサ電
流をＭＯＳ型のトランジスタを用いて弱反転状態で対数
出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光セン
サ回路を用いたイメージセンサでは、光電変換素子の入
射光量が少なくなると残像が生じてしまうことである。
【０００４】前述した光センサ回路では、フォトダイオ
ードＰＤに充分な光量をもって入射光Ｌｓが当たってい
るときには、トランジスタＱ１には充分なセンサ電流が
流れることになり、そのトランジスタＱ１の抵抗値もさ
ほど大きくないことから、イメージセンサとして残像を
生ずることがないような充分な応答速度をもって光信号
の検出を行わせることができる。
ードＰＤに充分な光量をもって入射光Ｌｓが当たってい
るときには、トランジスタＱ１には充分なセンサ電流が
流れることになり、そのトランジスタＱ１の抵抗値もさ
ほど大きくないことから、イメージセンサとして残像を
生ずることがないような充分な応答速度をもって光信号
の検出を行わせることができる。
【０００５】しかし、フォトダイオードＰＤの入射光Ｌ
ｓの光量が少なくなってトランジスタＱ１に流れる電流
が小さくなると、トランジスタＱ１はそれに流れる電流
が１桁小さくなるとその抵抗値が１桁大きくなるように
動作するように設定されていることから、トランジスタ
Ｑ１の抵抗値が増大し、フォトダイオードＰＤの寄生容
量Ｃとの時定数が大きくなってその寄生容量Ｃに蓄積さ
れた電荷を放電するのに時間がかかるようになる。その
ため、入射光Ｌｓの光量が少なくなるにしたがって、残
像が長時間にわたって観測されることになる。
ｓの光量が少なくなってトランジスタＱ１に流れる電流
が小さくなると、トランジスタＱ１はそれに流れる電流
が１桁小さくなるとその抵抗値が１桁大きくなるように
動作するように設定されていることから、トランジスタ
Ｑ１の抵抗値が増大し、フォトダイオードＰＤの寄生容
量Ｃとの時定数が大きくなってその寄生容量Ｃに蓄積さ
れた電荷を放電するのに時間がかかるようになる。その
ため、入射光Ｌｓの光量が少なくなるにしたがって、残
像が長時間にわたって観測されることになる。
【０００６】図５は、フォトダイオードＰＤのセンサ電
流が１Ｅ−１０Ａから１Ｅ−１５Ａまで急激に変化した
場合の電圧信号Ｖｐｄの変化特性を示している。
流が１Ｅ−１０Ａから１Ｅ−１５Ａまで急激に変化した
場合の電圧信号Ｖｐｄの変化特性を示している。
【０００７】この特性から、フォトダイオードＰＤへの
入射光Ｌｓの光量が少ない１Ｅ−１２Ａ程度のセンサ電
流では、１／３０ｓｅｃごとに画信号Ｖｏを出力させる
ようにする場合、その時間内では電圧信号Ｖｐｄが飽和
しないことがわかる。
入射光Ｌｓの光量が少ない１Ｅ−１２Ａ程度のセンサ電
流では、１／３０ｓｅｃごとに画信号Ｖｏを出力させる
ようにする場合、その時間内では電圧信号Ｖｐｄが飽和
しないことがわかる。
【０００８】したがって、フォトダイオードＰＤの入射
光Ｌｓの光量が少ないときのセンサ電流に応じた電圧信
号Ｖｐｄの飽和時間が長くなるため、図１３に示すよう
な画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミングで画信号Ｖ
ｏの読み出しを行うと、当初ほど大きなレベルの出力が
残像となってあらわれる。なお、図１３中、Ｖｐｄ′は
増幅用のトランジスタＱ２によって反転増幅された電圧
信号を示している。
光Ｌｓの光量が少ないときのセンサ電流に応じた電圧信
号Ｖｐｄの飽和時間が長くなるため、図１３に示すよう
な画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミングで画信号Ｖ
ｏの読み出しを行うと、当初ほど大きなレベルの出力が
残像となってあらわれる。なお、図１３中、Ｖｐｄ′は
増幅用のトランジスタＱ２によって反転増幅された電圧
信号を示している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、入射光量に応
じて光電変換素子に流れるセンサ電流をＭＯＳ型トラン
ジスタを用いて弱反転状態で対数出力特性をもって電圧
信号に変換するようにした光センサ回路を画素単位とし
て、複数の画素をマトリクス状に配設したイメージセン
サにおいて、各画素の画信号の読出しに先がけて、全て
の画素における前記ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電
圧を所定時間だけ定常よりも低い値に切り換えて、前記
光電変換素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させて
初期化する電圧切換回路を設けて、センサ電流に急激な
変化が生じても即座にそのときの入射光の光量に応じた
電圧信号が得られるようにして、入射光の光量が少ない
場合でも残像を生ずることがないようにしている。
じて光電変換素子に流れるセンサ電流をＭＯＳ型トラン
ジスタを用いて弱反転状態で対数出力特性をもって電圧
信号に変換するようにした光センサ回路を画素単位とし
て、複数の画素をマトリクス状に配設したイメージセン
サにおいて、各画素の画信号の読出しに先がけて、全て
の画素における前記ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電
圧を所定時間だけ定常よりも低い値に切り換えて、前記
光電変換素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させて
初期化する電圧切換回路を設けて、センサ電流に急激な
変化が生じても即座にそのときの入射光の光量に応じた
電圧信号が得られるようにして、入射光の光量が少ない
場合でも残像を生ずることがないようにしている。
【００１０】また、本発明は、光センサ回路からなる画
素をマトリクス状に複数配設して、各１ライン分の画素
列を順次選択する画素列選択回路およびその選択された
画素列における各画素を順次選択する画素選択回路によ
って各画信号の時系列的な読出し走査を行わせるように
したイメージセンサにあって、各画信号の読出し走査に
応じた適切なタイミングをもって各画素の初期化を行わ
せるべく、各１ライン分の画素列の選択に先がけて、そ
のときの選択の対象となる画素列における各画素の前記
ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定
常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄生
容量に蓄積された電荷を放電させて初期化する電圧切換
回路を設けるようにしている。
素をマトリクス状に複数配設して、各１ライン分の画素
列を順次選択する画素列選択回路およびその選択された
画素列における各画素を順次選択する画素選択回路によ
って各画信号の時系列的な読出し走査を行わせるように
したイメージセンサにあって、各画信号の読出し走査に
応じた適切なタイミングをもって各画素の初期化を行わ
せるべく、各１ライン分の画素列の選択に先がけて、そ
のときの選択の対象となる画素列における各画素の前記
ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定
常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄生
容量に蓄積された電荷を放電させて初期化する電圧切換
回路を設けるようにしている。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明によるイメージセンサに用い
られる１画素分の光センサ回路を示している。
られる１画素分の光センサ回路を示している。
【００１２】その光センサ回路は、入射光Ｌｓの光量に
応じたセンサ電流を生ずるフォトダイオードＰＤと、フ
ォトダイオードＰＤに流れるセンサ電流を弱反転状態で
対数出力特性をもって電圧信号Ｖｐｄに変換させるトラ
ンジスタＱ１と、その電圧信号Ｖｐｄを増幅するトラン
ジスタＱ２と、画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミン
グでもって画信号Ｖｏを出力するＭＯＳトランジスタＱ
３とからなり、対数出力特性をもたせることによってダ
イナミックレンジを拡大して光信号の検出を高感度で行
わせることができるようにしている。
応じたセンサ電流を生ずるフォトダイオードＰＤと、フ
ォトダイオードＰＤに流れるセンサ電流を弱反転状態で
対数出力特性をもって電圧信号Ｖｐｄに変換させるトラ
ンジスタＱ１と、その電圧信号Ｖｐｄを増幅するトラン
ジスタＱ２と、画信号読出し信号Ｖｓのパルスタイミン
グでもって画信号Ｖｏを出力するＭＯＳトランジスタＱ
３とからなり、対数出力特性をもたせることによってダ
イナミックレンジを拡大して光信号の検出を高感度で行
わせることができるようにしている。
【００１３】このような光センサ回路にあって、特に本
発明では、光信号を検出する際にＭＯＳ型トランジスタ
Ｑ１のドレイン電圧ＶＤを所定時間だけ定常値よりも低
く設定して、フォトダイオードＰＤの寄生容量Ｃに蓄積
された電荷を放電させて初期化することにより、センサ
電流に急激な変化が生じても即座にそのときの入射光量
に応じた電圧信号が得られるようにして、入射光Ｌｓの
光量が少ない場合でも残像を生ずることがないようにし
ている。
発明では、光信号を検出する際にＭＯＳ型トランジスタ
Ｑ１のドレイン電圧ＶＤを所定時間だけ定常値よりも低
く設定して、フォトダイオードＰＤの寄生容量Ｃに蓄積
された電荷を放電させて初期化することにより、センサ
電流に急激な変化が生じても即座にそのときの入射光量
に応じた電圧信号が得られるようにして、入射光Ｌｓの
光量が少ない場合でも残像を生ずることがないようにし
ている。
【００１４】図２は、そのときの光センサ回路における
各部信号のタイムチャートを示している。ここで、ｔ１
は初期化のタイミングを、ｔ２は光信号検出のタイミン
グを示している。トランジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤ
を定常値（ハイレベルＨ）から低い電圧（ローレベル
Ｌ）に切り換える所定時間ｔｍとしては、例えば１画素
分の読出し速度が１００ｎｓｅｃ程度の場合に５μｓｅ
ｃ程度に設定される。図中、ＴはフォトダイオードＰＤ
の寄生容量Ｃの蓄積期間を示しており、その蓄積期間Ｔ
はＮＴＳＣ信号の場合１／３０ｓｅｃ（または１／６０
ｓｅｃ）程度となる。
各部信号のタイムチャートを示している。ここで、ｔ１
は初期化のタイミングを、ｔ２は光信号検出のタイミン
グを示している。トランジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤ
を定常値（ハイレベルＨ）から低い電圧（ローレベル
Ｌ）に切り換える所定時間ｔｍとしては、例えば１画素
分の読出し速度が１００ｎｓｅｃ程度の場合に５μｓｅ
ｃ程度に設定される。図中、ＴはフォトダイオードＰＤ
の寄生容量Ｃの蓄積期間を示しており、その蓄積期間Ｔ
はＮＴＳＣ信号の場合１／３０ｓｅｃ（または１／６０
ｓｅｃ）程度となる。
【００１５】このようなものにあって、初期化時にＭＯ
ＳトランジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤがローレベルＬ
に切り換えられると、そのときのゲート電圧ＶＧとドレ
イン電圧ＶＤとの間の電位差がトランジスタＱ１のしき
い値よりも大きければトランジスタＱ１が低抵抗状態に
なる。それにより、そのときのソース側の電位がドレイ
ン電圧ＶＤと同じになり（実際にはしきい値分の電位差
が残る）、フォトダイオードＰＤの接合容量Ｃが放電状
態になる。
ＳトランジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤがローレベルＬ
に切り換えられると、そのときのゲート電圧ＶＧとドレ
イン電圧ＶＤとの間の電位差がトランジスタＱ１のしき
い値よりも大きければトランジスタＱ１が低抵抗状態に
なる。それにより、そのときのソース側の電位がドレイ
ン電圧ＶＤと同じになり（実際にはしきい値分の電位差
が残る）、フォトダイオードＰＤの接合容量Ｃが放電状
態になる。
【００１６】図３は、初期化時におけるトランジスタＱ
１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示してい
る。
１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示してい
る。
【００１７】そして、ｔｍ時間の経過後にそのドレイン
電圧ＶＤが定常のハイレベルＨに切り換えられて光信号
の検出が行われると、ソース側の電位がドレイン電圧Ｖ
Ｄよりも低くなって、そのときのゲート電圧ＶＧとドレ
イン電圧ＶＤとの間の電位差がしきい値よりも大きけれ
ばＭＯＳトランジスタＱ１が低抵抗状態になり、フォト
ダイオードＰＤの接合容量Ｃが充電状態になる。
電圧ＶＤが定常のハイレベルＨに切り換えられて光信号
の検出が行われると、ソース側の電位がドレイン電圧Ｖ
Ｄよりも低くなって、そのときのゲート電圧ＶＧとドレ
イン電圧ＶＤとの間の電位差がしきい値よりも大きけれ
ばＭＯＳトランジスタＱ１が低抵抗状態になり、フォト
ダイオードＰＤの接合容量Ｃが充電状態になる。
【００１８】図４は、光信号検出時におけるトランジス
タＱ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示して
いる。
タＱ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示して
いる。
【００１９】このように光信号の検出に先がけてフォト
ダイオードＰＤの接合容量Ｃを放電させて初期化したの
ちにその接合容量Ｃを充電させるようにすると、その初
期化のタイミングから一定の時間経過した時点での出力
電圧（フォトダイオードＰＤの端子電圧）Ｖｐｄは入射
光Ｌｓの光量に応じた値となる。すなわち、初期化後に
は入射光Ｌｓの光量の変化に追随した一定の時定数によ
る放電特性が得られるようになる。
ダイオードＰＤの接合容量Ｃを放電させて初期化したの
ちにその接合容量Ｃを充電させるようにすると、その初
期化のタイミングから一定の時間経過した時点での出力
電圧（フォトダイオードＰＤの端子電圧）Ｖｐｄは入射
光Ｌｓの光量に応じた値となる。すなわち、初期化後に
は入射光Ｌｓの光量の変化に追随した一定の時定数によ
る放電特性が得られるようになる。
【００２０】その際、長時間放置すればドレイン電圧Ｖ
ＤからトランジスタＱ１を通して供給される電流とフォ
トダイオードＰＤを流れる電流とは同じになるが、前に
残った電荷がなければ常に同じ放電特性が得られるので
残像が生ずることがなくなる。
ＤからトランジスタＱ１を通して供給される電流とフォ
トダイオードＰＤを流れる電流とは同じになるが、前に
残った電荷がなければ常に同じ放電特性が得られるので
残像が生ずることがなくなる。
【００２１】したがって、初期化してから一定の時間を
定めて光信号を検出するようにすれば、入射光Ｌｓの光
量に応じた残像のない画信号Ｖｏを得ることができるよ
うになる。
定めて光信号を検出するようにすれば、入射光Ｌｓの光
量に応じた残像のない画信号Ｖｏを得ることができるよ
うになる。
【００２２】図５はフォトダイオードＰＤのセンサ電流
が１Ｅ−１０Ａから１Ｅ−１５Ａまで急激に変化した場
合の電圧信号Ｖｐｄの変化特性にあって、初期化してか
ら一定の時間１／３０ｓｅｃ経過後に光信号の検出のタ
イミングを設定したときを示している。
が１Ｅ−１０Ａから１Ｅ−１５Ａまで急激に変化した場
合の電圧信号Ｖｐｄの変化特性にあって、初期化してか
ら一定の時間１／３０ｓｅｃ経過後に光信号の検出のタ
イミングを設定したときを示している。
【００２３】図６は、１／３０ｓｅｃのタイミングで光
信号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Ｖｐ
ｄの増幅信号の特性を示している。これによれば、１／
３０ｓｅｃごとに得られる信号特性はフォトダイオード
ＰＤへの入射光Ｌｓの光量に応じたセンサ電流に即した
ものとなり、残像の影響がないことがわかる。
信号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Ｖｐ
ｄの増幅信号の特性を示している。これによれば、１／
３０ｓｅｃごとに得られる信号特性はフォトダイオード
ＰＤへの入射光Ｌｓの光量に応じたセンサ電流に即した
ものとなり、残像の影響がないことがわかる。
【００２４】図７は、フォトダイオードＰＤへの入射光
Ｌｓの光量を変化させたときの画素信号Ｖｏの出力特性
を示している。これによれば、フォトダイオードＰＤの
センサ電流が１Ｅ−１３Ａ以上では完全に対数出力特性
となっていることがわかる。また、センサ電流が１Ｅ−
１３Ａ以下の領域では対数特性から外れるものの、残像
のない出力が得られることがわかる。
Ｌｓの光量を変化させたときの画素信号Ｖｏの出力特性
を示している。これによれば、フォトダイオードＰＤの
センサ電流が１Ｅ−１３Ａ以上では完全に対数出力特性
となっていることがわかる。また、センサ電流が１Ｅ−
１３Ａ以下の領域では対数特性から外れるものの、残像
のない出力が得られることがわかる。
【００２５】また、トランジスタＱ１のドレイン電圧Ｖ
Ｄを低下させるときのローレベルＬの値を調整すると、
完全にトランジスタＱ１を低抵抗状態にできるまで電圧
を下げれば図７中（ａ）で示すような出力特性が得られ
る。しかし、その制御電圧ＶＤをゲート電圧ＶＧと同一
になるように設定すると、図７中（ｂ）で示すような通
常の対数出力特性が得られることになる。
Ｄを低下させるときのローレベルＬの値を調整すると、
完全にトランジスタＱ１を低抵抗状態にできるまで電圧
を下げれば図７中（ａ）で示すような出力特性が得られ
る。しかし、その制御電圧ＶＤをゲート電圧ＶＧと同一
になるように設定すると、図７中（ｂ）で示すような通
常の対数出力特性が得られることになる。
【００２６】したがって、図７中（ａ）で示す出力特性
の場合には、残像はないが、光量が少ないときに感度が
小さくなる。図７中（ｂ）で示す対数出力特性の場合に
は、光量が少ないときでも感度は大きいが、残像が顕著
になる。すなわち、感度と残像との間にはトレードオフ
の関係が成立する。
の場合には、残像はないが、光量が少ないときに感度が
小さくなる。図７中（ｂ）で示す対数出力特性の場合に
は、光量が少ないときでも感度は大きいが、残像が顕著
になる。すなわち、感度と残像との間にはトレードオフ
の関係が成立する。
【００２７】したがって、図７中（ａ）で示す出力特性
と図７中（ｂ）で示す対数出力特性との中間の領域に出
力特性がくるようにトランジスタＱ１のドレイン電圧Ｖ
Ｄを調整することにより、残像を問題にしない用途では
感度を優先するような設定とし、残像が問題となる用途
では残像をなくすことを優先とするような設定とするこ
とができるようになる。実際には、用途に応じて問題に
ならない残像の程度に応じてドレイン電圧ＶＤを調整し
て、感度を可能な限り大きく設定するようにすることが
考えられる。
と図７中（ｂ）で示す対数出力特性との中間の領域に出
力特性がくるようにトランジスタＱ１のドレイン電圧Ｖ
Ｄを調整することにより、残像を問題にしない用途では
感度を優先するような設定とし、残像が問題となる用途
では残像をなくすことを優先とするような設定とするこ
とができるようになる。実際には、用途に応じて問題に
ならない残像の程度に応じてドレイン電圧ＶＤを調整し
て、感度を可能な限り大きく設定するようにすることが
考えられる。
【００２８】本発明は、このような光センサ回路を画素
単位として、画素をマトリクス状に複数配設して、各画
信号の時系列的な読出し走査を行わせるようにしたイメ
ージセンサにあって、各画信号の読出し走査に応じた適
切なタイミングをもって各画素の初期化を行わせること
ができるように構築したものである。
単位として、画素をマトリクス状に複数配設して、各画
信号の時系列的な読出し走査を行わせるようにしたイメ
ージセンサにあって、各画信号の読出し走査に応じた適
切なタイミングをもって各画素の初期化を行わせること
ができるように構築したものである。
【００２９】図８は、本発明によるイメージセンサの一
実施例を示している。
実施例を示している。
【００３０】そのイメージセンサは、その基本的な構成
が、例えば、Ｄ１１〜Ｄ４４からなる４×４の画素をマ
トリクス状に配設して、各１ライン分の画素列を画素列
選択回路１から順次出力される選択信号ＬＳ１〜ＬＳ４
によって選択し、その選択された画素列における各画素
を、画素選択回路２から順次出力される選択信号ＤＳ１
〜ＤＳ４によってスイッチ群３における各対応するスイ
ッチＳＷ１〜ＳＷ４が逐次オン状態にされることによっ
て各画信号Ｖｏが時系列的に読み出されるようになって
いる。図中、４は各画素における前記トランジスタＱ１
のゲート電圧ＶＧ用電源であり、６はドレイン電圧ＶＤ
用電源である。
が、例えば、Ｄ１１〜Ｄ４４からなる４×４の画素をマ
トリクス状に配設して、各１ライン分の画素列を画素列
選択回路１から順次出力される選択信号ＬＳ１〜ＬＳ４
によって選択し、その選択された画素列における各画素
を、画素選択回路２から順次出力される選択信号ＤＳ１
〜ＤＳ４によってスイッチ群３における各対応するスイ
ッチＳＷ１〜ＳＷ４が逐次オン状態にされることによっ
て各画信号Ｖｏが時系列的に読み出されるようになって
いる。図中、４は各画素における前記トランジスタＱ１
のゲート電圧ＶＧ用電源であり、６はドレイン電圧ＶＤ
用電源である。
【００３１】そして、そのイメージセンサにあって、特
に、本発明では、各１ライン分の画素列の選択に際し
て、その選択された画素列における各画素の前記トラン
ジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤを所定のタイミングをも
って定常時のハイレベルＨおよび初期化時のローレベル
Ｌに切り換える電圧切換回路５を設けるようにしてい
る。
に、本発明では、各１ライン分の画素列の選択に際し
て、その選択された画素列における各画素の前記トラン
ジスタＱ１のドレイン電圧ＶＤを所定のタイミングをも
って定常時のハイレベルＨおよび初期化時のローレベル
Ｌに切り換える電圧切換回路５を設けるようにしてい
る。
【００３２】このように構成された本発明によるイメー
ジセンサの動作について、図９に示す各部信号のタイム
チャートとともに、以下説明をする。
ジセンサの動作について、図９に示す各部信号のタイム
チャートとともに、以下説明をする。
【００３３】まず、画素列選択信号ＬＳ１がハイレベル
Ｈになると、それに対応するＤ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，
Ｄ１４からなる第１の画素列が選択される。そして、Ｌ
Ｓ１がハイレベルＨになっている一定期間Ｔ１のあいだ
画素選択信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨになっ
て、各画素Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４の画信号Ｖ
ｏが順次読み出される。
Ｈになると、それに対応するＤ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，
Ｄ１４からなる第１の画素列が選択される。そして、Ｌ
Ｓ１がハイレベルＨになっている一定期間Ｔ１のあいだ
画素選択信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨになっ
て、各画素Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４の画信号Ｖ
ｏが順次読み出される。
【００３４】次いで、画素列選択信号ＬＳ１がローレベ
ルＬになった時点で次のＬＳ２がハイレベルＨになる
と、それに対応するＤ２１，Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４か
らなる第２の画素列が選択される。そして、ＬＳ２がハ
イレベルＨになっている一定期間Ｔ１のあいだ画素選択
信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨになって、各画
素Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４の画信号Ｖｏが順次
読み出される。
ルＬになった時点で次のＬＳ２がハイレベルＨになる
と、それに対応するＤ２１，Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４か
らなる第２の画素列が選択される。そして、ＬＳ２がハ
イレベルＨになっている一定期間Ｔ１のあいだ画素選択
信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨになって、各画
素Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ２３，Ｄ２４の画信号Ｖｏが順次
読み出される。
【００３５】以下同様に、画素列選択信号ＬＳ３および
ＬＳ４が連続的にハイレベルＨになって各対応する第３
および第４の画素列が順次選択され、ＬＳ３およびＬＳ
４がそれぞれハイレベルＨになっている一定期間Ｔ１の
あいだ画素選択信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨ
になって、各画素Ｄ３１，Ｄ３２，Ｄ３３，Ｄ３４およ
びＤ４１，Ｄ４２，Ｄ４３，Ｄ４４の画信号Ｖｏが順次
読み出される。
ＬＳ４が連続的にハイレベルＨになって各対応する第３
および第４の画素列が順次選択され、ＬＳ３およびＬＳ
４がそれぞれハイレベルＨになっている一定期間Ｔ１の
あいだ画素選択信号ＤＳ１〜ＤＳ４が順次ハイレベルＨ
になって、各画素Ｄ３１，Ｄ３２，Ｄ３３，Ｄ３４およ
びＤ４１，Ｄ４２，Ｄ４３，Ｄ４４の画信号Ｖｏが順次
読み出される。
【００３６】また、画素列選択信号ＬＳ１がＴ１期間後
にローレベルＬに立ち下がった時点で、そのとき選択さ
れている第１の画素列における各画素Ｄ１１，Ｄ１２，
Ｄ１３，Ｄ１４のドレイン電圧ＶＤ１をそれまでのハイ
レベルＨからローレベルＬに所定時間Ｔ２のあいだ切り
換えることによって各画素の初期化が行われ、１サイク
ル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける画信
号の読出しにそなえる。
にローレベルＬに立ち下がった時点で、そのとき選択さ
れている第１の画素列における各画素Ｄ１１，Ｄ１２，
Ｄ１３，Ｄ１４のドレイン電圧ＶＤ１をそれまでのハイ
レベルＨからローレベルＬに所定時間Ｔ２のあいだ切り
換えることによって各画素の初期化が行われ、１サイク
ル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける画信
号の読出しにそなえる。
【００３７】次いで、画素列選択信号ＬＳ２がＴ１期間
後にローレベルＬに立ち下がった時点で、そのとき選択
されている第２の画素列における各画素Ｄ２１，Ｄ２
２，Ｄ２３，Ｄ２４のドレイン電圧ＶＤ１をそれまでの
ハイレベルＨからローレベルＬに所定時間Ｔ２のあいだ
切り換えることによって各画素の初期化が行われ、１サ
イクル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける
画信号の読出しにそなえる。
後にローレベルＬに立ち下がった時点で、そのとき選択
されている第２の画素列における各画素Ｄ２１，Ｄ２
２，Ｄ２３，Ｄ２４のドレイン電圧ＶＤ１をそれまでの
ハイレベルＨからローレベルＬに所定時間Ｔ２のあいだ
切り換えることによって各画素の初期化が行われ、１サ
イクル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける
画信号の読出しにそなえる。
【００３８】以下同様に、画素列選択信号ＬＳ３および
ＬＳ４がそれぞれＴ１期間後にローレベルＬに立ち下が
った時点で、そのとき選択されている第３および第４の
画素列にそれぞれ対応するドレイン電圧ＶＤ３をローレ
ベルＬに切り換えて各画素の初期化が行われ、１サイク
ル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける画信
号の読出しにそなえる。
ＬＳ４がそれぞれＴ１期間後にローレベルＬに立ち下が
った時点で、そのとき選択されている第３および第４の
画素列にそれぞれ対応するドレイン電圧ＶＤ３をローレ
ベルＬに切り換えて各画素の初期化が行われ、１サイク
ル期間Ｔ３の径過後に行われる次サイクルにおける画信
号の読出しにそなえる。
【００３９】なお、ここでは画素列選択信号ＬＳＸ（Ｘ
＝１〜４）がＴ１期間後にローレベルＬに立ち下がった
時点でドレイン電圧ＶＤＸをローレベルＬに切り換えて
初期化を行わせるようにしているが、その初期化のタイ
ミングは画素列選択信号ＬＳＸがローレベルＬ状態にあ
る画素列選択の休止期間Ｔ４中であればよい。
＝１〜４）がＴ１期間後にローレベルＬに立ち下がった
時点でドレイン電圧ＶＤＸをローレベルＬに切り換えて
初期化を行わせるようにしているが、その初期化のタイ
ミングは画素列選択信号ＬＳＸがローレベルＬ状態にあ
る画素列選択の休止期間Ｔ４中であればよい。
【００４０】また、図８に示すイメージセンサにおける
各画素の初期化を行わせるに際して、各画素における画
信号の読出しに先がけて、全ての画素Ｄ１１〜Ｄ４４の
初期化を同時に行わせるようにしてもよい。
各画素の初期化を行わせるに際して、各画素における画
信号の読出しに先がけて、全ての画素Ｄ１１〜Ｄ４４の
初期化を同時に行わせるようにしてもよい。
【００４１】図１０は、全ての画素Ｄ１１〜Ｄ４４の初
期化を同時に行わせるようにしたときの各部信号のタイ
ムチャートを示している。
期化を同時に行わせるようにしたときの各部信号のタイ
ムチャートを示している。
【００４２】以上のような各部信号の発生のタイミング
は、図示しないＥＣＵの制御下で画素列選択回路１、画
素選択回路２および電圧切換回路５の駆動を行わせるこ
とによって決定されるようになっている。
は、図示しないＥＣＵの制御下で画素列選択回路１、画
素選択回路２および電圧切換回路５の駆動を行わせるこ
とによって決定されるようになっている。
【００４３】このように、各画信号の読出し走査に応じ
た適切なタイミングをもって各画素の初期化を行わせる
ことによって、イメージセンサ全体としての蓄積時間の
過不足を低減できるようになる。
た適切なタイミングをもって各画素の初期化を行わせる
ことによって、イメージセンサ全体としての蓄積時間の
過不足を低減できるようになる。
【００４４】しかして、本発明によれば、残像がなく、
ダイナミックレンジの広い対数出力特性をもったイメー
ジセンサを実現できるようになる。
ダイナミックレンジの広い対数出力特性をもったイメー
ジセンサを実現できるようになる。
【００４５】また、図１１は、本発明によるイメージセ
ンサの他の実施例を示している。
ンサの他の実施例を示している。
【００４６】この場合には、各選択される１ライン分の
画素列における各画素の出力側に、それぞれサンプルア
ンドホールド回路ＳＨ１〜ＳＨ４を設けるようにしてい
る。
画素列における各画素の出力側に、それぞれサンプルア
ンドホールド回路ＳＨ１〜ＳＨ４を設けるようにしてい
る。
【００４７】そして、図１２に示すように、図示しない
ＥＣＵの制御下において、各画素列選択信号ＬＳ１〜Ｌ
Ｓ４が出されるタイミングで各サンプルアンドホールド
回路ＳＨ１〜ＳＨ４にサンプルアンドホールド信号ＳＨ
Ｓがそれぞれ与えられて、各選択された１ライン分の画
素列における各画素の画信号Ｖｏが逐次保持されるよう
になっている。
ＥＣＵの制御下において、各画素列選択信号ＬＳ１〜Ｌ
Ｓ４が出されるタイミングで各サンプルアンドホールド
回路ＳＨ１〜ＳＨ４にサンプルアンドホールド信号ＳＨ
Ｓがそれぞれ与えられて、各選択された１ライン分の画
素列における各画素の画信号Ｖｏが逐次保持されるよう
になっている。
【００４８】しかして、このような構成によれば、各選
択された１ライン分の画素列における各画素の画信号Ｖ
ｏの出力を安定して行わせることができるようになる。
択された１ライン分の画素列における各画素の画信号Ｖ
ｏの出力を安定して行わせることができるようになる。
【００４９】
【効果】以上、本発明は、入射光量に応じて光電変換素
子に流れるセンサ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて
弱反転状態で対数出力特性をもって電圧信号に変換する
ようにした光センサ回路を画素単位として、複数の画素
をマトリクス状に配設したイメージセンサにあって、各
画素の画信号の読出しに先がけて、全ての画素における
前記ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だ
け定常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の
寄生容量に蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を
設けるようにしたもので、センサ電流に急激な変化が生
じても即座にそのときの入射光の光量に応じた電圧信号
が得られて、入射光の光量が少ない場合でも残像を生ず
るようなことがないという利点を有している。
子に流れるセンサ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて
弱反転状態で対数出力特性をもって電圧信号に変換する
ようにした光センサ回路を画素単位として、複数の画素
をマトリクス状に配設したイメージセンサにあって、各
画素の画信号の読出しに先がけて、全ての画素における
前記ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だ
け定常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の
寄生容量に蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を
設けるようにしたもので、センサ電流に急激な変化が生
じても即座にそのときの入射光の光量に応じた電圧信号
が得られて、入射光の光量が少ない場合でも残像を生ず
るようなことがないという利点を有している。
【００４９】また、本発明は、そのイメージセンサにあ
って、特に、各１ライン分の画素列を順次選択する画素
列選択回路およびその選択された画素列における各画素
を順次選択する画素選択回路によって各画信号の時系列
的な読出し走査を行わせるに際して、各１ライン分の画
素列の選択に先がけて、そのときの選択の対象となる画
素列における各画素の初期化を逐次行わせるようにした
もので、各画信号の読出し走査に応じた適切なタイミン
グをもって各画素の初期化を行わせることができるとい
う利点を有している。
って、特に、各１ライン分の画素列を順次選択する画素
列選択回路およびその選択された画素列における各画素
を順次選択する画素選択回路によって各画信号の時系列
的な読出し走査を行わせるに際して、各１ライン分の画
素列の選択に先がけて、そのときの選択の対象となる画
素列における各画素の初期化を逐次行わせるようにした
もので、各画信号の読出し走査に応じた適切なタイミン
グをもって各画素の初期化を行わせることができるとい
う利点を有している。
【図１】本発明によるイメージセンサに用いられる１画
素分の光センサ回路を示す電気回路図である。
素分の光センサ回路を示す電気回路図である。
【図２】光センサ回路における各部信号のタイムチャー
トである。
トである。
【図３】光センサ回路の初期化時におけるトランジスタ
Ｑ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示す図で
ある。
Ｑ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示す図で
ある。
【図４】光センサ回路の光信号検出時におけるトランジ
スタＱ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示す
図である。
スタＱ１の電荷ｑの流れによる動作状態を模擬的に示す
図である。
【図５】光センサ回路におけるフォトダイオードＰＤの
センサ電流が変化したときの各電圧信号Ｖｐｄの変化特
性を示す図である。
センサ電流が変化したときの各電圧信号Ｖｐｄの変化特
性を示す図である。
【図６】光センサ回路において所定のタイミングで光信
号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Ｖｐｄ
の増幅信号の特性を示す図である。
号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Ｖｐｄ
の増幅信号の特性を示す図である。
【図７】光センサ回路においてフォトダイオードＰＤへ
の入射光Ｌｓの光量を変化させたときの画素信号Ｖｏの
出力特性を示す図である。
の入射光Ｌｓの光量を変化させたときの画素信号Ｖｏの
出力特性を示す図である。
【図８】本発明によるイメージセンサの一実施例を示す
ブロック構成図である。
ブロック構成図である。
【図９】その一実施例におけるイメージセンサの各部信
号のタイムチャートである。
号のタイムチャートである。
【図１０】イメージセンサにおける全ての画素の初期化
を同時に行わせるようにしたときの各部信号のタイムチ
ャートである。
を同時に行わせるようにしたときの各部信号のタイムチ
ャートである。
【図１１】本発明によるイメージセンサの他の実施例を
示すブロック構成図である。
示すブロック構成図である。
【図１２】その他の実施例におけるイメージセンサの各
部信号のタイムチャートである。
部信号のタイムチャートである。
【図１３】初期化を行わないときの光センサ回路におけ
る入射光量が少ないときに所定のタイミングで読み出さ
れる画信号の出力特性を示す図である。
る入射光量が少ないときに所定のタイミングで読み出さ
れる画信号の出力特性を示す図である。
１ 画素列選択回路 ２ 画素選択回路 ３ 画信号出力用スイッチ群 ４ ゲート電圧用電源 ５ 電圧切換回路
フロントページの続き (72)発明者 栗田 次郎 埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン ダエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 武部 克彦 埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン ダエンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA02 AA03 AA10 AB01 BA14 CA02 DB09 DB10 DD09 FA06 5C024 CX17 GX03 GX16 GY31 GY38 HX47 HX50 5F049 MA01 NA04 NB03 NB05 RA02 RA06 UA20
Claims (3)
- 【請求項１】 入射光量に応じて光電変換素子に流れる
センサ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態
で対数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした
光センサ回路を画素単位として、複数の画素をマトリク
ス状に配設したイメージセンサにおいて、各画素の画信
号の読出しに先がけて、全ての画素における前記ＭＯＳ
型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定常より
も低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄生容量に
蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を設けたこと
を特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項２】 入射光量に応じて光電変換素子に流れる
センサ電流をＭＯＳ型トランジスタを用いて弱反転状態
で対数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした
光センサ回路を画素単位として、複数の画素をマトリク
ス状に配設して、各１ライン分の画素列を順次選択する
画素列選択回路およびその選択された画素列における各
画素を順次選択する画素選択回路によって各画信号の時
系列的な読出し走査を行わせるようにしたイメージセン
サにおいて、各１ライン分の画素列の選択に先がけて、
そのときの選択の対象となる画素列における各画素の前
記ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ
定常よりも低い値に切り換えて、前記光電変換素子の寄
生容量に蓄積された電荷を放電させる電圧切換回路を設
けたことを特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項３】 １ライン分の画素列における各画素の出
力側にサンプルアンドホールド回路を設けたことを特徴
とする請求項１または請求項２の記載によるイメージセ
ンサ。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2001071256A JP2002204398A (ja) | 2000-10-05 | 2001-02-06 | イメージセンサ |
| CA002342474A CA2342474C (en) | 2000-10-05 | 2001-03-30 | Image sensor with a voltage switching circuit for low afterglow |
| DE10116827A DE10116827B4 (de) | 2000-10-05 | 2001-04-04 | Bildsensor |
| KR10-2001-0020655A KR100423349B1 (ko) | 2000-10-05 | 2001-04-18 | 이미지 센서 |
| CNB011171154A CN1187837C (zh) | 2000-10-05 | 2001-04-26 | 图象传感器 |
| US09/848,471 US7176435B2 (en) | 2000-10-05 | 2001-05-03 | Image sensor with a voltage switching circuit for low afterglow |
| TW090112986A TW522726B (en) | 2000-10-05 | 2001-05-30 | Image sensor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-344425 | 2000-10-05 | ||
| JP2000344425 | 2000-10-05 | ||
| JP2000373539 | 2000-11-01 | ||
| JP2000-373539 | 2000-11-01 | ||
| JP2001071256A JP2002204398A (ja) | 2000-10-05 | 2001-02-06 | イメージセンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002204398A true JP2002204398A (ja) | 2002-07-19 |
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ID=27345173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001071256A Pending JP2002204398A (ja) | 2000-10-05 | 2001-02-06 | イメージセンサ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100423349B1 (ja) |
| CN (1) | CN1187837C (ja) |
| CA (1) | CA2342474C (ja) |
| DE (1) | DE10116827B4 (ja) |
| TW (1) | TW522726B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147708A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Omron Corp | 撮像デバイス |
| JP2006270931A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその駆動方法、カメラ |
| WO2012098760A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW550944B (en) * | 2001-03-09 | 2003-09-01 | Honda Motor Co Ltd | Photosensitive circuit |
| WO2002102061A1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Image sensor |
| AU2003236261A1 (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Image sensor output correction device |
| KR100537704B1 (ko) | 2002-07-12 | 2005-12-20 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 |
| JP4254388B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2009-04-15 | 本田技研工業株式会社 | イメージセンサの走査回路 |
| US7423622B2 (en) * | 2003-06-20 | 2008-09-09 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display device |
| US7495695B2 (en) * | 2003-07-18 | 2009-02-24 | Honda Giken Kogyo K.K. | Image processing device and method capable of emphasizing the contrast of an image taken by an image sensor |
| JP4268492B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2009-05-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| KR100741920B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 제조 방법 |
| US7884871B2 (en) * | 2007-06-15 | 2011-02-08 | Aptina Imaging Corporation | Images with high speed digital frame transfer and frame processing |
| FR2983972B1 (fr) * | 2011-12-08 | 2013-12-27 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Dispositif de detection de rayonnement electromagnetique impulsionnel |
| CN104811633B (zh) * | 2014-01-24 | 2018-07-31 | 恒景科技股份有限公司 | 像素电路和影像传感器 |
| CN114550205A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-05-27 | 维达力实业(深圳)有限公司 | 手掌识别方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4831257A (en) * | 1986-09-26 | 1989-05-16 | Honeywell Inc. | Gate coupled input circuit |
| JPH02224481A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 増幅型固体撮像素子 |
| JPH04369230A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Hitachi Ltd | 電荷結合装置 |
| JPH05219443A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Minolta Camera Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH06261254A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の駆動装置 |
| KR100306088B1 (ko) * | 1993-04-09 | 2001-12-15 | 이데이 노부유끼 | 씨씨디(ccd)고체촬상소자및전하결합소자 |
| JPH0746481A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Minolta Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH07255013A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-10-03 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| EP0739039A3 (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Pixel structure, image sensor using such pixel, structure and corresponding peripheric circuitry |
| DE19533061C2 (de) * | 1995-09-07 | 1997-07-03 | Leica Ag | Photoelektrische Halbleiter-Lichterfassungseinrichtung mit programmierbarem Offset-Strom und Bildsensor mit einer solchen Einrichtung |
| EP1662773B1 (en) * | 1997-08-15 | 2014-01-22 | Sony Corporation | Solid-state image sensor and method of driving same |
| JPH11239245A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-08-31 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサーｉｃ及び画像読み取り装置 |
| US8063963B2 (en) * | 1998-02-09 | 2011-11-22 | On Semiconductor Image Sensor | Imaging device having a pixel structure with high dynamic range read-out signal |
| US6697111B1 (en) * | 1998-04-08 | 2004-02-24 | Ess Technology, Inc. | Compact low-noise active pixel sensor with progressive row reset |
| US6535247B1 (en) * | 1998-05-19 | 2003-03-18 | Pictos Technologies, Inc. | Active pixel sensor with capacitorless correlated double sampling |
| JP2000083198A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Honda Motor Co Ltd | 光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ |
| JP2000152083A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| US6697112B2 (en) * | 1998-11-18 | 2004-02-24 | Intel Corporation | Imaging system having multiple image capture modes |
| US6252462B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-26 | Raytheon Company | Capacitor transimpedance amplifier ( CTIA) with shared load |
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001071256A patent/JP2002204398A/ja active Pending
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147708A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Omron Corp | 撮像デバイス |
| JP2006270931A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその駆動方法、カメラ |
| WO2012098760A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像装置 |
| JP2012151771A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像装置 |
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