[go: up one dir, main page]

JP2002299378A - 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置 - Google Patents

導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置

Info

Publication number
JP2002299378A
JP2002299378A JP2001099019A JP2001099019A JP2002299378A JP 2002299378 A JP2002299378 A JP 2002299378A JP 2001099019 A JP2001099019 A JP 2001099019A JP 2001099019 A JP2001099019 A JP 2001099019A JP 2002299378 A JP2002299378 A JP 2002299378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
adhesive layer
substrate
adhesive sheet
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001099019A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Yamazaki
修 山崎
Kazuyoshi Ebe
和義 江部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2001099019A priority Critical patent/JP2002299378A/ja
Priority to DE60232205T priority patent/DE60232205D1/de
Priority to TW091105977A priority patent/TW548758B/zh
Priority to EP02252237A priority patent/EP1248291B1/en
Priority to US10/107,176 priority patent/US6911720B2/en
Priority to CNB021246777A priority patent/CN1261990C/zh
Publication of JP2002299378A publication Critical patent/JP2002299378A/ja
Priority to US10/463,411 priority patent/US6977024B2/en
Priority to US10/463,409 priority patent/US6900550B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P72/74—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H10P72/7402—
    • H10W72/0198—
    • H10W74/012—
    • H10W74/014—
    • H10W74/15—
    • H10W76/60—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/204—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
    • H10P72/7416—
    • H10W72/01204—
    • H10W72/01331—
    • H10W72/07236—
    • H10W72/073—
    • H10W72/07337—
    • H10W72/074—
    • H10W72/251—
    • H10W72/325—
    • H10W72/352—
    • H10W72/354—
    • H10W72/90—
    • H10W72/9415—
    • H10W72/952—
    • H10W90/724—
    • H10W90/734—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1062—Prior to assembly

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アンダーフィル材の流動性に起因する欠陥
のおそれのない半導体装置、その製造方法、およびかか
る半導体装置を製造するために使用する接着シートを提
供することを目的とする。 【解決手段】 基材２と、基材２上に形成された接着剤
層３と、接着剤層３に埋設された導電体４とを備えた導
電体付接着シート１を半導体ウェハに貼着した後、導電
体付接着シート１の接着剤層３から基材２を剥離し、次
いで、接着剤層３と基板とを位置合わせし、接着剤層３
を介して半導体ウェハと基板とを接着し、半導体装置と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆるフリップ
チップ実装方式でボンディングされる半導体装置、その
製造方法、およびかかる半導体装置を製造するために半
導体チップまたは半導体ウェハと基板とを接着するのに
使用する接着シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路（ＩＣ）の高集積
化、半導体装置（ＩＣパッケージ）の小型化等の観点か
ら、フリップチップ実装方式が採用されつつある。この
フリップチップ実装方式は、ワイヤレスボンディング方
式の一種であり、半導体チップ表面の電極上に半田等か
らなるバンプを形成し、その半導体チップを表裏逆にし
てプリント基板、セラミック基板等の基板の上に載置し
て、バンプと基板の電極との位置合わせを行った後、バ
ンプを加熱溶融させて半導体チップの電極と基板の電極
とを接合するものである。
【０００３】このようなフリップチップ実装方式による
半導体装置においては、半導体チップ、バンプおよび基
板の線膨張係数の差異に起因するクラック等を防止する
ために、一般的に、半導体チップと基板との間にアンダ
ーフィル材といわれる樹脂を介在させている。
【０００４】アンダーフィル材としては、通常、エポキ
シ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を配合してなる液状のエ
ポキシ樹脂組成物が使用され、この液状エポキシ樹脂組
成物は、半導体チップと基板との間隙に注入された後、
硬化せしめられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体チップにあっては、半導体集積回路の高集積化に
伴う多電極化、電極の狭ピッチ化、および半導体装置の
薄型化が急速に進行しており、したがって、上記バンプ
相互の間隔は極めて狭く、かつ半導体チップと基板との
距離は極めて小さくなってきている。このように、バン
プ相互の間隔が極めて狭く、半導体チップと基板との距
離が極めて小さくなると、アンダーフィル材は、その流
動抵抗により半導体チップと基板との間隙（バンプ同士
の間）に浸入しにくくなる。そして、アンダーフィル材
が半導体チップと基板との間隙に十分に行き渡っていな
い状態で硬化し、アンダーフィル材に欠陥が生じると、
得られる半導体装置の信頼性が低下する。
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなされ
たものであり、アンダーフィル材の流動性に起因する欠
陥のおそれのない半導体装置、その製造方法、およびか
かる半導体装置を製造するために使用する接着シートを
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る導電体付接着シートは、基材と、前記
基材上に形成された接着剤層と、半導体集積回路の電極
および基板の電極に対応する配列で前記接着剤層に埋設
された導電体とを備え、前記接着剤層を構成する接着剤
は、段階的接着性を示すことを特徴とする（請求項
１）。
【０００８】接着剤層は、いわゆるアンダーフィル材と
しての機能を有するのが好ましく、すなわち、最終的に
硬化したときに、半導体ウェハまたは半導体チップ、基
板および導電体の線膨張係数に近い線膨張係数を示すも
のであるのが好ましい。
【０００９】段階的接着性を示す接着剤は、粘着性（剥
離可能な接着性）を示す段階と接着性を示す段階とを備
えたもの（いわゆる粘接着剤）であってもよいし、常態
では粘着性・接着性を示さなくても、例えば熱、圧力等
のトリガーによって、段階的に粘着性・接着性を示すも
のであってもよい。このように接着剤層の接着剤が段階
的接着性を示すことにより、半導体装置の製造時におい
て、半導体ウェハ・チップまたは基板への貼着、基材の
剥離、および半導体ウェハ・チップと基板との仮接着・
本接着を効率よく行うことができる。
【００１０】前記接着剤層が絶縁性を示す場合には、前
記導電体の上端および／または下端は、実質的に前記接
着剤層の表面および／または裏面に位置しているのが好
ましい（請求項２）。半導体集積回路の電極および基板
の電極を導電体を介して確実に接続するためである。た
だし、前記接着剤層が異方性導電性を示す場合には、こ
の限りではない。なお、前記接着剤層が絶縁性を示し、
前記導電体が接着剤層に完全に埋まっている場合であっ
ても、厚さ方向の圧力の印加等により、前記導電体を介
して半導体集積回路の電極および基板の電極を接続する
ことは可能である。
【００１１】前記導電体付接着シートは、半導体ウェハ
に対応する大きさとなっており、前記導電体は、前記半
導体ウェハに形成されている複数の半導体集積回路の電
極に対応するように配列されていてもよい（請求項
３）。このような導電体付接着シートによれば、ウェハ
レベルで半導体装置を製造することができ、したがっ
て、半導体装置の製造の高速化および低コスト化を図る
ことができる。
【００１２】本発明に係る第１の半導体装置の製造方法
は、半導体チップまたは半導体ウェハに形成されている
半導体集積回路の電極と前記導電体付接着シート（請求
項１〜３）の導電体とが電気的に接続され得るように
（当該工程で接続されなくてもよい。以下同様。）、前
記半導体チップまたは半導体ウェハと前記導電体付接着
シートとを貼着する工程と、前記導電体付接着シートの
接着剤層から基材を剥離する（もちろん基材から接着剤
層を剥離する意味も含む。以下同様。）工程と、前記接
着剤層に埋設された導電体と基板の電極とが電気的に接
続され得るように、前記接着剤層と前記基板とを位置合
わせし、前記半導体チップまたは半導体ウェハと前記基
板とを接着する工程とを備えたことを特徴とする（請求
項４）。
【００１３】本発明に係る第２の半導体装置の製造方法
は、基板の電極と前記導電体付接着シート（請求項１〜
３）の導電体とが電気的に接続され得るように、前記基
板と前記導電体付接着シートとを貼着する工程と、前記
導電体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する工程
と、半導体チップまたは半導体ウェハに形成されている
半導体集積回路の電極と前記接着剤層に埋設された導電
体とが電気的に接続され得るように、前記半導体チップ
または半導体ウェハと前記接着剤層とを位置合わせし、
前記基板と前記半導体チップまたは半導体ウェハとを接
着する工程とを備えたことを特徴とする（請求項５）。
【００１４】本発明に係る第３の半導体装置の製造方法
は、半導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電
極と前記導電体付接着シート（請求項３）の導電体とが
電気的に接続され得るように、前記半導体ウェハと前記
導電体付接着シートとを貼着する工程と、前記導電体付
接着シートの接着剤層から基材を剥離する工程と、前記
接着剤層に埋設された導電体と基板の電極とが電気的に
接続され得るように、前記接着剤層と前記基板とを位置
合わせし、前記半導体ウェハと前記基板とを接着する工
程と、前記半導体ウェハと基板とが接着されたものを切
断し、半導体装置とする工程とを備えたことを特徴とす
る（請求項６）。
【００１５】本発明に係る第４の半導体装置の製造方法
は、基板の電極と前記導電体付接着シート（請求項３）
の導電体とが電気的に接続され得るように、前記基板と
前記導電体付接着シートとを貼着する工程と、前記導電
体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する工程と、
半導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電極と
前記接着剤層に埋設された導電体とが電気的に接続され
得るように、前記半導体ウェハと前記接着剤層とを位置
合わせし、前記基板と前記半導体ウェハとを接着する工
程と、前記基板と半導体ウェハとが接着されたものを切
断し、半導体装置とする工程とを備えたことを特徴とす
る（請求項７）。
【００１６】本発明に係る第５の半導体装置の製造方法
は、半導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電
極と前記導電体付接着シート（請求項３）の導電体とが
電気的に接続され得るように、前記半導体ウェハと前記
導電体付接着シートとを貼着する工程と、前記半導体ウ
ェハを前記導電体付接着シートの接着剤層とともに切断
し、半導体チップにする工程と、必要に応じて、前記半
導体チップ相互の間隔を広げる工程と、前記導電体付接
着シートの基材から接着剤層付半導体チップを剥離する
工程と、前記接着剤層に埋設された導電体と基板の電極
とが電気的に接続され得るように、前記接着剤層と前記
基板とを位置合わせし、前記半導体チップと前記基板と
を接着する工程とを備えたことを特徴とする（請求項
８）。前記半導体チップ相互の間隔を広げる工程は、基
材をエキスパンドすることによって行ってもよいし、基
材に貼着した別のシート（ウェハダイシング用粘着シー
ト）をエキスパンドすることによって行ってもよい。
【００１７】前記半導体装置の製造方法（請求項４〜
８）においては、前記導電体付接着シートの接着剤層か
ら基材を剥離する工程の前に、前記接着剤層の前記半導
体チップ、半導体ウェハまたは基板に対する接着力を、
前記接着剤層の前記基材に対する接着力よりも相対的に
向上させる工程をさらに備えていてもよい（請求項
９）。このような工程を実行することにより、接着剤層
を半導体チップ、半導体ウェハまたは基板に残存させた
まま、接着剤層から基材を確実に剥離することができ
る。
【００１８】本発明に係る第１の半導体装置は、前記半
導体装置の製造方法（請求項４〜９）によって製造され
るものである（請求項１０）。ただし、得られる半導体
装置が、前記半導体装置の製造方法（請求項４〜９）に
よって製造されるものと同一、実質的に同一または均等
なものである限り、別の方法によって製造した半導体装
置も本発明の技術的範囲に属する。
【００１９】本発明に係る第２の半導体装置は、半導体
チップと、接着層を介して前記半導体チップに接着され
た基板と、前記接着層内において前記半導体チップに形
成された半導体集積回路の電極と前記基板の電極とを電
気的に接続する導電体とを備えた半導体装置であって、
前記接着層は、前記導電体を埋設した接着剤の層を硬化
してなるものであることを特徴とする（請求項１１）。
【００２０】
【作用】本発明においては、導電体はあらかじめ接着剤
層に埋設されているため、接着剤層がアンダーフィル材
としての機能を果たすことにより、半導体チップと基板
との間隙へのアンダーフィル材の注入という作業が不要
となり、したがって、得られる半導体装置において、ア
ンダーフィル材の流動性に起因する欠陥が発生すること
を防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。 〔第１の実施形態〕図１は本発明の第１の実施形態に係
る導電体付接着シートの概略断面図、図２は同実施形態
に係る導電体付接着シートの概略平面図、図３は同実施
形態に係る導電体付接着シートと半導体ウェハとを貼着
する様子を示す概略斜視図、図４は同実施形態に係る導
電体付接着シートと半導体ウェハとを貼着した状態を示
す概略断面図、図５は同実施形態に係る導電体付接着シ
ートの接着剤層と基板とを位置合わせした状態（さらに
は接着剤層を介して半導体ウェハと基板とを接着した状
態）を示す概略断面図である。
【００２２】導電体付接着シート１の構成 図１および図２に示すように、本発明の第１の実施形態
に係る導電体付接着シート１は、基材２と、基材２上に
形成された接着剤層３と、接着剤層３に埋設された複数
の導電体４とから構成される。接着剤層３は、図３に示
す半導体ウェハ５の形状と同様の形状を有し、切欠部
（オリエンテーション・フラット）が形成された円盤状
となっている。なお、この切欠部は、オリエンテーショ
ン・フラットではなく、ノッチであってもよい。
【００２３】図１に示すように、各導電体４の上端は接
着剤層３の表面に位置し、各導電体４の下端は接着剤層
３の裏面に位置している。このようにして接着剤層３に
埋設された導電体４は、半導体ウェハ５に形成されてい
る複数の半導体集積回路の電極の配列に対応するパター
ンで配列されている（図２）。
【００２４】接着剤層３ 接着剤層３は、段階的接着性を示す接着剤から構成され
る。この段階的接着性を示す接着剤には、粘着性（剥離
可能な接着性）を示す段階と接着性を示す段階とを備え
たもの（いわゆる粘接着剤）も含まれるし、常態では粘
着性・接着性を示さなくても、例えば熱、圧力等のトリ
ガーによって、段階的に粘着性・接着性を示すものも含
まれる。
【００２５】接着剤層３は、いわゆるアンダーフィル材
としての機能を有するのが好ましく、すなわち、最終的
に硬化したときに、半導体ウェハ５（または半導体チッ
プ）、基板６および導電体４の線膨張係数に近い線膨張
係数を示すものであるのが好ましい。
【００２６】前者のタイプの接着剤（粘接着剤）として
は、例えば、熱硬化性樹脂と粘着成分とを含む組成物
（ａ）等が挙げられ、後者のタイプの接着剤としては、
例えば、ポリイミド系樹脂（ｂ）、エポキシ系樹脂
（ｃ）等が挙げられる。それら樹脂または樹脂組成物
は、単独で使用することもできるし、それら樹脂または
樹脂組成物をマトリックスとする材料を使用することも
できる。なお、接着剤層３の厚みは、通常、導電体４の
高さに応じて決定される。
【００２７】ａ．熱硬化性樹脂と粘着成分とを含む組成
物 熱硬化性樹脂と粘着成分とを含む組成物においては、主
に、熱硬化性樹脂が接着性を示し、粘着成分が粘着性を
示す。このような組成物における熱硬化性樹脂として
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラ
ミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、レゾルシノール樹
脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂等
を例示することができるが、中でもエポキシ樹脂が好ま
しい。一方、粘着成分としては、アクリル系粘着剤、ゴ
ム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、あるいは、ポリオ
レフィン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、熱可塑性ポ
リアミド、ポリエステル等の熱可塑性樹脂を例示するこ
とができ、それらには光重合性化合物が含まれていても
よい。かかる粘着成分としては、（メタ）アクリル酸エ
ステル共重合体が好ましい。
【００２８】熱硬化性樹脂と粘着成分とを含む組成物と
して特に好ましいものは、重量平均分子量３００００以
上の（メタ）アクリル酸エステル共重合体、重量平均分
子量１００〜１００００のエポキシ樹脂、光重合性低分
子化合物および熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を含
む組成物（以下「組成物ａ」という場合がある。）であ
る。
【００２９】重量平均分子量３００００以上の（メタ）
アクリル酸エステル共重合体としては、（メタ）アクリ
ル酸、例えば（メタ）アクリル酸と炭素数１〜１４のア
ルコールとから誘導される（メタ）アクリル酸アルキル
エステル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メ
タ）アクリル酸グリシジル等の単量体を共重合すること
により得られる共重合体などを挙げることができるが、
中でも（メタ）アクリル酸および／または（メタ）アク
リル酸グリシジルと、少なくとも１種類の（メタ）アク
リル酸アルキルエステルとの共重合体が好ましい。
【００３０】（メタ）アクリル酸と炭素数１〜１４のア
ルコールとから誘導される（メタ）アクリル酸アルキル
エステルの具体例としては、（メタ）アクリル酸メチ
ル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブ
チル等を挙げることができる。
【００３１】（メタ）アクリル酸エステル共重合体とし
て、（メタ）アクリル酸および／または（メタ）アクリ
ル酸グリシジルから誘導される共重合体を用いる場合、
当該共重合体中における（メタ）アクリル酸グリシジル
から誘導される成分単位の含有率を、通常は０〜８０モ
ル％、好ましくは５〜５０モル％にし、（メタ）アクリ
ル酸から誘導される成分単位の含有率を通常は０〜４０
モル％、好ましくは５〜２０モル％にする。この場合、
（メタ）アクリル酸エステル共重合体を形成する（メ
タ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸グリシジル以
外のモノマー成分としては、（メタ）アクリル酸メチ
ル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブ
チル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを用いる
のが好ましい。
【００３２】重量平均分子量１００〜１００００のエポ
キシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾール
ノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブ
タンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；
フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカ
ルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレ
ート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で
置換したグリシジル型またはアルキルグリシジル型エポ
キシ樹脂；ビニルシクロヘキセンジエポキシド、３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−ジシクロヘ
キサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シ
クロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン等のように分子内の炭素
−炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシ基
が導入された、いわゆる脂環型エポキシドなどを挙げる
ことができる。
【００３３】上記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、５０
〜５０００g/eqであるのが好ましい。上記エポキシ樹脂
は単独で、あるいは異なる種類のものを組み合わせて使
用することができる。これらのエポキシ樹脂の中でも、
ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、ｏ−クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましく使用される。
【００３４】上記エポキシ樹脂は、（メタ）アクリル酸
エステル共重合体１００重量部に対して、通常は５〜２
０００重量部、好ましくは１００〜１０００重量部の範
囲の量で使用される。
【００３５】光重合性低分子化合物は、紫外線、電子線
等のエネルギー線を照射することにより架橋され得る化
合物である。このような化合物としては、分子内に光重
合性二重結合を１個以上有し、重量平均分子量（Ｍｗ）
が１００〜３００００の範囲、好ましくは３００〜１０
０００の範囲にあるオリゴマーを用いることができる。
【００３６】光重合性低分子化合物の具体的な例として
は、ウレタン変性アクリレート、エポキシ変性アクリレ
ート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリ
レート；（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン
酸オリゴマーのように水酸基またはカルボキシル基等の
官能基を有するオリゴマーなどを挙げることができ、こ
れらの中でも、エポキシ変性アクリレートおよびウレタ
ン変性アクリレートが好ましく使用される。
【００３７】なお、このような光重合性低分子化合物と
上記（メタ）アクリル酸エステル共重合体またはエポキ
シ樹脂との相違点は、光重合性低分子化合物の重量平均
分子量の上限が３００００であるのに対して、上記（メ
タ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量が３
００００以上である点、および光重合性低分子化合物
が、分子内に光重合性二重結合を１個以上必ず有してい
るのに対して、上記（メタ）アクリル酸エステル共重合
体およびエポキシ樹脂は、通常、光重合性の二重結合を
有していない点にある。
【００３８】上記光重合性低分子化合物は、（メタ）ア
クリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、通常
は１０〜１０００重量部、好ましくは５０〜６００重量
部の範囲の量で使用される。
【００３９】上記光重合性低分子化合物を架橋させるの
に紫外線を使用する場合、組成物ａには光重合開始剤を
配合するのが好ましい。光重合開始剤としては、ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインア
ルキルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール
等を挙げることができる。これらの光重合開始剤は単独
で、あるいは異なる種類のものを組み合わせて使用する
ことができるが、これらの中でも、α−置換アセトフェ
ノンを使用するのが好ましい。
【００４０】上記光重合開始剤は、光重合性低分子化合
物１００重量部に対して、通常は０．１〜１０重量部、
好ましくは１〜５重量部の範囲の量で使用される。
【００４１】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは、
室温ではエポキシ樹脂とは反応せず、ある温度以上の加
熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬
化剤である。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の種類
（活性化方法別）には、加熱による化学反応で活性種
（アニオン、カチオン）を生成するもの、室温付近では
エポキシ樹脂中に安定に分散しており、高温でエポキシ
樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始するもの、モレキ
ュラーシーブ封入タイプの硬化剤であって、高温で溶出
して硬化反応を開始するもの、マイクロカプセルに封入
されたもの等が存在する。これら熱活性型潜在性エポキ
シ樹脂硬化剤は、単独で、あるいは異なる種類のものを
組み合わせて使用することができるが、これらの中で
も、ジシアンアミド、イミダゾール化合物、またはジシ
アンアミドとイミダゾール化合物との混合物を使用する
のが好ましい。
【００４２】上記熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤
は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、通常は０．１
〜４０重量部、好ましくは１〜３０重量部の範囲の量で
使用される。
【００４３】なお、組成物ａの接着性能を変えるため
に、上記熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは別に、
ポリイソシアネート化合物等の熱硬化剤を配合すること
もできる。この熱硬化剤は、（メタ）アクリル酸エステ
ル共重合体１００重量部に対して、通常は０．１〜３０
重量部、好ましくは５〜２０重量部の範囲の量で使用さ
れる。
【００４４】ｂ．ポリイミド系樹脂 ポリイミド系樹脂の具体例としては、ポリイミド樹脂、
ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹
脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリンジオンイミ
ド樹脂等が挙げられる。これらのポリイミド系樹脂は単
独で、あるいは異なる種類のものを組み合わせて使用す
ることができるが、これらの中でも、ポリイミド樹脂を
使用するのが好ましい。また、ポリイミド樹脂には、反
応性官能基を有しない熱可塑性ポリイミド樹脂と、加熱
によりイミド化反応する熱硬化性ポリイミド樹脂とがあ
るが、いずれを使用してもよいし、両者を混合して使用
してもよい。
【００４５】ポリイミド系樹脂の重量平均分子量は、１
０，０００〜１，０００，０００程度であるのが好まし
く、特に５０，０００〜１００，０００程度であるのが
好ましい。
【００４６】ｃ．エポキシ系樹脂 エポキシ系樹脂としては、上記組成物ａのエポキシ樹脂
と同様のものを使用することができるが、その重量平均
分子量は、１００〜１００，０００程度であるのが好ま
しい。
【００４７】上記樹脂または樹脂組成物には、ロイコ染
料、帯電防止剤、カップリング剤、イオン補足剤、銅害
防止剤等の添加剤や、他のポリマー、オリゴマー、低分
子化合物等を配合することができる。
【００４８】ロイコ染料としては、３−［Ｎ−（Ｐ−ト
リルアミノ）−７−アニリノフルオラン、４，４',４”
−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等を使用す
ることができ、帯電防止剤としては、カーボンブラッ
ク、アニオン系、カチオン系の界面活性剤等を使用する
ことができる。
【００４９】また、他のポリマー、オリゴマー、低分子
化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、アミド樹脂、
ウレタン樹脂、アミド酸樹脂、シリコーン樹脂、アクリ
ル樹脂、アクリルゴム等の各種ポリマーやオリゴマー；
トリエタノールアミン、α，ω−（ビス３−アミノプロ
ピル）ポリエチレングリコールエーテル等の含窒素有機
化合物などが挙げられる。
【００５０】ここで、接着剤層３にアンダーフィル材と
しての機能を持たせるためには、接着剤層３を構成する
接着剤として、最終的に硬化したときに上記線膨張係数
を示す材料を選択することもできるし、マトリックスと
しての接着剤に無機充填剤等を添加して、最終的に硬化
したときに上記線膨張係数を示すようにすることもでき
る。
【００５１】無機充填剤としては、溶融シリカ、結晶シ
リカ、アルミナ、ボロンナイトライド、窒化アルミ、窒
化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート等が挙げ
られ、球状のものが好ましい。無機充填剤のマトリック
スに対する配合量および粒径は、接着剤層３が所望の線
膨張係数を示すように適宜調整・選択すればよいが、従
来のアンダーフィル材のような流動性の観点からの束縛
はない。
【００５２】なお、上記組成物ａに対してシリカ粉末、
アルミナ粉末等の光散乱性の無機充填剤を充填した場合
には、組成物ａ中の光重合性低分子化合物は光の照射に
より効率良く重合し得る。
【００５３】基材２ 本実施形態における基材２は、基本的には、接着剤層３
を支持するとともに、接着剤層３から剥離できるもので
あればよく、剛性を有するものであってもよい。
【００５４】このような基材２としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩
化ビニル、アイオノマー、エチレン−メタクリル酸共重
合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリイミド、
ポリエーテルイミド、ポリアラミド、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテル・エーテルケトン、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリ（４−メチルペンテン−１）、ポリテ
トラフルオロエチレン等の樹脂またはそれら樹脂を架橋
したものからなるフィルムが例示される。これらフィル
ムは、単独で使用することもできるし、異なる種類のも
のを積層して使用することもできる。フィルムの膜厚
は、通常は１０〜３００μｍ程度であり、好ましくは２
０〜１５０μｍである。
【００５５】また、上記フィルムの他に、グラシン紙、
クレーコート紙、樹脂コート紙、ラミネート紙（ポリエ
チレンラミネート紙、ポリプロピレンラミネート紙等）
のような紙、あるいは不織布、金属箔等を用いることも
できる。
【００５６】基材２の接着剤層３を形成する面の表面張
力は４０dyn/cm以下であるのが好ましい。表面張力を好
ましい値に調整するために、基材２の接着剤層３を形成
する面に離型処理を施すことができる。この離型処理に
は、アルキド樹脂系、シリコーン樹脂系、フッ素樹脂
系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリオレフィン樹脂
系、ワックス系等の離型剤を用いることができる。な
お、基材２自体が上記のような表面張力を有する場合に
は、離型処理を行うことなく基材２をそのまま使用する
ことができる。
【００５７】接着剤層３に上記組成物ａを使用する場
合、基材２としては、組成物ａに照射するエネルギー線
を透過する材料からなるものが好ましく、特に、エネル
ギー線の照射によって粘着性が向上した組成物ａとの接
着性の低い材料からなるものが好ましい。
【００５８】一方、接着剤層３にポリイミド系樹脂また
はエポキシ系樹脂を使用する場合、基材２としては、耐
熱性樹脂からなるフィルムを使用するのが好ましい。耐
熱性樹脂の融点は、２３０℃以上であるのが好ましく、
さらには２５０〜３００℃であるのが好ましく、特に２
６０℃〜２８０℃であるのが好ましい。
【００５９】本導電体付接着シート１を使用して半導体
装置を製造する際に、半導体ウェハのダイシングを行う
こともできる。この場合、ダイシングを行った後に基材
２をエキスパンドして半導体チップ相互の間隔を広げる
ようにしてもよい。このようにエキスパンドし得る基材
２としては、長さ方向および幅方向に延伸性を有し、ヤ
ング率が１．０×１０4 kg/cm2以下の樹脂フィルムを選
択するのが好ましい。
【００６０】導電体４ 導電体４としては、半導体装置において通常バンプ（電
極）として使用されるものであれば特に限定されない。
導電体４の材料としては、通常、半田、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属もしくは合金、それらの金属も
しくは合金をメッキした樹脂、導電性粉末を分散させた
樹脂、導電性樹脂等が選択される。本実施形態では、導
電体４の形状は球状であるが、これに限定されることな
く、円柱状、角柱状、円錐状等であってもよい。導電体
４は、最初からこのような形状となっていてもよいし、
導電ペーストを印刷することにより球状等の形状にして
もよい。
【００６１】導電体４の高さは、通常、５０〜３００μ
ｍであるが、５０μｍ未満、さらには３０μｍ以下であ
ってもよい。本実施形態では、導電体４の高さは、接着
剤層３の厚みと同一なっている。
【００６２】なお、本実施形態における導電体４のパタ
ーンは、チップ全体に電極が形成されているいわゆるエ
リアタイプの半導体チップに対応するパターンとなって
いるが、本発明はこれに限定されることなく、チップ周
囲に電極が形成されているいわゆるペリフェラルタイプ
の半導体チップに対応するパターンであってもよい。
【００６３】導電体付接着シート１の製造 上記導電体付接着シート１を製造する方法は特に限定さ
れないが、一般的には、基材２上に、所定のパターンで
導電体４を印刷した後、接着剤を塗布し、接着剤層３を
形成する。導電体４の印刷方法としては、スクリーン印
刷、あるいはインクジェット方式により導電体４を吹き
付ける方法等が用いられる。一方、接着剤の塗布方法と
しては、スクリーン印刷、ロール印刷、ナイフコータ
ー、マイクロダイ等の方法が用いられる。
【００６４】なお、上記接着剤を調製・塗布する際に
は、接着剤の各成分を均一に溶解・分散させることが可
能な溶媒を用いることもできる。このような溶媒として
は、各成分を均一に溶解・分散できるものであれば特に
限定はされず、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
ルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフラン、エチルセロソルブ、ジオキサン、シ
クロペンタノン、シクロヘキサノン、モノグライム等を
挙げることができる。これらの溶媒は単独で、あるいは
異なる種類のものを混合して使用することができる。
【００６５】一方、基材２上に接着剤を塗布し、接着剤
層３を形成した後、その接着剤層３に、所定のパターン
で導電体４を埋め込むことにより、上記導電体付接着シ
ート１を製造してもよい。導電体４の埋め込み方法とし
ては、所定のパターンで導電体４をシート上に形成また
は治具に吸着したものと、シート上に接着剤層３を形成
したものとを圧着し、導電体４を接着剤層３に埋め込む
方法や、インクジェット方式により導電体４を接着剤層
３に吹き付ける方法等が用いられる。
【００６６】上記いずれの方法であっても、導電体４
は、接着剤中に埋まっても構わない。この場合、保護フ
ィルムと貼り合わせる際のプレスによって、導電体４の
上端および下端が接着剤層３の表面および裏面に位置す
るようにしてもよい。
【００６７】 なお、一の基材２上には、複数の接着剤層
３を並べて形成することができる。
【００６８】半導体装置の製造 上記導電体付接着シート１を使用して半導体装置を製造
する方法について説明する。
【００６９】まず最初に、図３に示すように、半導体ウ
ェハ５を導電体付接着シート１の接着剤層３上に載置
し、両者を貼着する。このとき、図４に示すように、半
導体ウェハ５に形成されている半導体集積回路の電極５
１と、導電体４とが電気的に接続され得るように、半導
体ウェハ５の位置合わせを行い、半導体ウェハ５と導電
体付接着シート１の接着剤層３とを貼着する。
【００７０】なお、本実施形態による導電体付接着シー
ト１においては、導電体４の上端は接着剤層３の表面に
位置しているため、位置合わせした半導体ウェハ５を接
着剤層３に貼着すれば、半導体ウェハ５の電極５１と導
電体４とは電気的に接続され得る。ここで、半導体ウェ
ハ５の電極５１は、ボンディングパッドや導体パッドと
いわれているものであってもよいし、それらに形成され
たバリアメタルであってもよいし、さらにはピラーであ
ってもよい。
【００７１】導電体付接着シート１の接着剤層３にタッ
クがある場合には、そのタックの接着力によって上記貼
着を行うことができる。導電体付接着シート１の接着剤
層３にタックがない場合には、接着剤層３と半導体ウェ
ハ５とを熱圧着して貼着するのが好ましい。熱圧着の加
熱温度は３０〜３００℃、特に５０〜２００℃程度であ
るのが好ましく、加熱時間は１秒〜１０分、特に１〜３
０秒程度であるのが好ましく、圧力は１〜１０kg/c
m2 、特に１〜５kg/cm2 程度であるのが好ましい。
【００７２】半導体ウェハ５と導電体付接着シート１と
の貼着の後、所望により半導体ウェハ５のダイシングを
行ってもよい。このとき、ウェハダイシング用粘着シー
トを別途用意し、導電体付接着シート１から基材２を剥
離した後に、導電体付接着シート１の接着剤層３にウェ
ハダイシング用粘着シートを貼着してダイシングを行っ
てもよいし、このようなウェハダイシング用粘着シート
を使用することなくダイシングを行ってもよい。
【００７３】上記ダイシングを行った後、必要に応じて
エキスパンドにより半導体チップ相互の間隔を広げても
よい。ウェハダイシング用粘着シートを使用した場合に
は、当該ウェハダイシング用粘着シートをエキスパンド
することができ、ウェハダイシング用粘着シートを使用
しない場合であっても、エキスパンド可能な基材２を使
用した場合には、当該基材２をエキスパンドすればよ
い。
【００７４】ここで、導電体付接着シート１の接着剤層
３に上記組成物ａを使用した場合には、導電体付接着シ
ート１の基材２側から接着剤層３に対してエネルギー線
を照射するのが好ましい。エネルギー線としては、中心
波長が約３６５nmの紫外線や、電子線などを使用するこ
とができる。
【００７５】エネルギー線として紫外線を使用する場
合、通常、照度は２０〜５００mW/cm2、照射時間は０．
１〜１５０秒の範囲内に設定される。また、例えば電子
線を使用する場合にも、紫外線に準じて諸条件を設定す
ることができる。なお、上記のようなエネルギー線の照
射の際に、補助的に加熱を行うこともできる。
【００７６】このようなエネルギー線の照射を行うこと
により、半導体ウェハ５（または半導体チップ）と接着
剤層３との接着力は、通常５０〜４０００ｇ／２５mm、
好ましくは１００〜３０００ｇ／２５mmに向上する。他
方、接着剤層３と基材２との接着力は低下し、通常１〜
５００ｇ／２５mmとなり、好ましくは１００ｇ／２５mm
以下となる。
【００７７】次に、上記導電体付接着シート１の接着剤
層３から基材２を剥離する。ここで、導電体付接着シー
ト１の接着剤層３に上記組成物ａを使用した場合に、上
記のようにしてエネルギー線の照射を行ったときには、
接着剤層３を半導体ウェハ５（または半導体チップ）側
に固着残存させたまま、確実に基材２を剥離することが
できる。なお、エネルギー線の照射は、ダイシング工程
の前に行ってもよい。
【００７８】そして、図５に示すように、基板６に形成
されている電極６１と、導電体４とが電気的に接続され
得るように、半導体ウェハ５（または半導体チップ）と
基板６との位置合わせ（重ね合わせ）を行う。
【００７９】なお、本実施形態による導電体付接着シー
ト１においては、導電体４の下端は接着剤層３の裏面に
位置しているため、半導体ウェハ５（または半導体チッ
プ）の位置合わせにより、導電体４と基板６の電極６１
とは電気的に接続され得る。
【００８０】この接着剤層３を介して半導体ウェハ５
（または半導体チップ）と基板６とを接着する。この接
着作業は、一般的には加熱により行うことができる。加
熱は、基板６と半導体ウェハ５（または半導体チップ）
とを重ね合わせながら行うか、重ね合わせの直後に行う
のが好ましい。このとき、接着剤層３にタックがない場
合には、本接着の前に仮接着を行うのが好ましい。
【００８１】仮接着の加熱温度は、通常は１００〜３０
０℃、好ましくは１５０〜２５０℃であり、加熱時間
は、通常は１秒〜１０分、好ましくは１〜３０秒であ
り、本接着の加熱温度は、通常は１００〜３００℃、好
ましくは１５０〜２５０℃であり、加熱時間は、通常は
１〜１２０分、好ましくは１〜６０分である。このよう
に加熱を行うことにより、接着剤層３の接着剤は溶融ま
たは硬化し、半導体ウェハ５（または半導体チップ）と
基板６とが強固に接着される。
【００８２】上記加熱を行う際に、半導体ウェハ５（ま
たは半導体チップ）、接着剤層３および基板６の積層体
の厚さ方向に適度な圧力を印加して、半導体ウェハ５
（または半導体チップ）と基板６とを圧着してもよい。
このような圧着により、半導体ウェハ５（または半導体
チップ）の電極５１と導電体４、および導電体４と基板
６の電極６１とを確実に接続することができる。この圧
着は、特に、導電体付接着シート１において導電体４の
上端および／または下端が絶縁性の接着剤層３から表出
していないような場合に有効である。
【００８３】ここで、導電体４の融点が上記加熱温度よ
りも低い場合、例えば導電体４が半田ボールや樹脂から
なる場合には、導電体４は溶融または軟化して変形する
こともある。
【００８４】半導体ウェハ５が未だ切断されていない場
合には、半導体ウェハ５と基板６とが接着されたものを
切断し、チップ化したものを半導体装置７としてもよい
が、切断することなく、ウェハレベルのものを半導体装
置７としてもよい。切断は、ダイシングソー等の通常の
切断手段によって行うことができる。このようにして切
断したものは、いわゆるリアルチップサイズパッケージ
タイプの半導体装置となる。
【００８５】以上説明した半導体装置の製造方法におい
ては、導電体付接着シート１を先に半導体ウェハ５に貼
着し、後に基板６を接着したが、本発明はこれに限定さ
れず、導電体付接着シート１を先に基板６に貼着し、後
に半導体ウェハ５を接着してもよい。
【００８６】以上のようにして得られる半導体装置７に
おいては、導電体４はあらかじめ接着剤層３に埋設され
ているため、接着剤層３がアンダーフィル材としての機
能を果たすことにより、半導体ウェハ５（または半導体
チップ）と基板６との間隙へのアンダーフィル材の注入
という作業が不要となり、したがって、得られる半導体
装置７には、アンダーフィル材の流動性に起因する欠陥
は発生しない。
【００８７】〔第２の実施形態〕本発明の第２の実施形
態に係る導電体付接着シートについて説明する。図６は
本発明の第２の実施形態に係る導電体付接着シートと半
導体チップとを貼着する様子を示す概略斜視図である。
【００８８】図６に示すように、第２の実施形態に係る
導電体付接着シート１Ａは、第１の実施形態に係る導電
体付接着シート１と同様に、基材２Ａと、基材２Ａ上に
形成された接着剤層３Ａと、接着剤層３Ａに埋設された
複数の導電体４Ａとから構成されるが、接着剤層３Ａが
半導体チップ５２の形状と同様の形状で形成されている
点において、第１の実施形態に係る導電体付接着シート
１とは異なる。なお、接着剤層３Ａに埋設された導電体
４Ａは、半導体チップ５２に形成されている半導体集積
回路の電極の配列に対応するパターンで配列されてい
る。
【００８９】第２の実施形態に係る導電体付接着シート
１Ａは、第１の実施形態に係る導電体付接着シート１と
同様の方法によって製造することができ、一の基材２Ａ
上には、複数の接着剤層３Ａを並べて形成することがで
きる。
【００９０】また、第２の実施形態に係る導電体付接着
シート１Ａを使用して半導体装置を製造する場合も、ダ
イシング工程および半導体ウェハと基板とが接着された
ものを切断する工程を行う必要がない以外、第１の実施
形態に係る導電体付接着シート１と同様の方法によって
半導体装置を製造することができる。
【００９１】〔第３の実施形態〕本発明の第３の実施形
態に係る導電体付接着シートについて説明する。図７は
本発明の第３の実施形態に係る導電体付接着シートの概
略断面図、図８は同実施形態に係る導電体付接着シート
の接着剤層を介して半導体ウェハと基板とを接着した状
態を示す概略断面図である。
【００９２】図７に示すように、本発明の第３の実施形
態に係る導電体付接着シート１Ｂは、基材２Ｂと、基材
２Ｂ上に形成された接着剤層３Ｂと、接着剤層３Ｂに埋
設された複数の導電体４Ｂとから構成される。本実施形
態における各導電体４Ｂの上端は、接着剤層３Ｂの表面
よりも下に位置しており（接着剤層３Ｂに埋まってお
り）、各導電体４Ｂの下端は、接着剤層３Ｂの裏面に位
置しているが、本発明はこれに限定されることなく、導
電体４Ｂの下端は接着剤層３Ｂの裏面よりも上に位置
し、導電体４Ｂの上端は接着剤層３Ｂの表面に位置して
もよいし、また、導電体４Ｂは、接着剤層３Ｂに完全に
埋まっていてもよい。
【００９３】本実施形態における接着剤層３Ｂは、異方
性導電性、すなわち、厚さ方向に圧力を印加すると厚さ
方向に導電性を示すが、面方向には絶縁性を示す性質を
有する。したがって、接着剤層３Ｂは、絶縁性のマトリ
ックス中に導電性粒子３１Ｂが分散したものとなってい
る。
【００９４】このような導電性粒子３１Ｂとしては、Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等の導電性に優れた金属か
らなる粒子や、これらの金属を被覆したポリマー粒子、
あるいは、面方向の絶縁性を向上させるために、それら
金属粒子もしくは金属被覆粒子に極薄の有機絶縁膜を形
成したものなどを使用することができる。
【００９５】異方性導電性を確保するために、導電性粒
子３１Ｂの平均粒子径は１〜１００μｍであるのが好ま
しく、導電性粒子３１Ｂの分散量はマトリックスに対し
て１〜３０vol％であるのが好ましい。
【００９６】第３の実施形態に係る導電体付接着シート
１Ｂは、第１の実施形態に係る導電体付接着シート１と
同様の方法によって製造することができる。また、第３
の実施形態に係る導電体付接着シート１Ｂを使用して半
導体装置を製造する場合も、半導体ウェハ５（または半
導体チップ）および接着剤層３Ｂの厚さ方向に適度な圧
力を印加して、接着剤層３Ｂの厚さ方向に導電性を発現
させる以外、第１の実施形態に係る導電体付接着シート
１と同様の方法によって半導体装置を製造することがで
きる。
【００９７】第３の実施形態に係る導電体付接着シート
１Ｂを使用して製造された半導体装置７Ｂにおいては、
図８に示すように、半導体ウェハ５（または半導体チッ
プ）の電極５１と基板６の電極６１とは、導電体４Ｂお
よび導電性粒子３１Ｂを介して電気的に接続される。
【００９８】〔その他の実施形態〕以上説明した実施形
態は、本発明の理解を容易にするために記載されたもの
であって、本発明を限定するために記載されたものでは
ない。したがって、上記実施形態に開示された各要素
は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等
物をも含む趣旨である。
【００９９】例えば、基材２，２Ａ，２Ｂは、接着剤層
３，３Ａ，３Ｂと同じ形状を有していてもよい。
【０１００】
【実施例】以下、実施例等により本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定
されるものではない。
【０１０１】〔実施例１〕半田ボール付接着シートの製造（接着剤：組成物ａ） アクリル酸ブチル５５重量部、メタクリル酸メチル１０
重量部、メタクリル酸グリシジル２０重量部およびアク
リル酸２−ヒドロキシエチル１５重量部を共重合し、重
量平均分子量９０万の共重合体を調製した。
【０１０２】上記共重合体１０重量部、液状ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ株式会社製
エピコート８２８）２４重量部、ｏ−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製 ＥＯＣＮ
−１０４Ｓ）１０重量部、カップリング剤としてγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン０．０５重量
部、熱活性型潜在性硬化剤としてジシアンジアミド１．
５重量部、２−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイ
ミダゾール１．５重量部、光重合性低分子化合物として
ウレタンアクリレート系オリゴマ−（大日精化工業株式
会社製 セイカビーム１４−２９Ｂ）５重量部、光重合
開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン０．２重量部、および架橋剤として芳香族ポリイソ
シアナ−ト（日本ポリウレタン株式会社製 コロネート
Ｌ）１重量部を混合して、組成物ａを得た。
【０１０３】片面をシリコーン樹脂で離型処理した厚さ
３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィ
ルムを剥離フィルムとし、その剥離フィルムの離型処理
面上に、導電ペースト（東洋紡績株式会社製 ＤＷ−２
５０Ｈ−５）をスクリーン印刷することにより、直径２
００μｍの球状の導電体を半導体集積回路の電極と同配
列で形成した。次いで、上記組成物ａをスクリーン印刷
により塗布し、１００℃で５分間乾燥させて接着剤層と
した後、その接着剤層の表面に基材としてのポリエチレ
ンフィルム（厚さ：１００μｍ，表面張力：３６dyn/c
m）を貼り付け、接着剤層の厚さが２００μｍの導電体
付接着シートを得た。この導電体付接着シートを、打抜
加工によってウェハ形状にした。また、別途同様にして
チップサイズの導電体付接着シートも作成した。
【０１０４】〔実施例２〕導電体付接着シートの製造（接着剤：ポリイミド系樹
脂） 片面をシリコーン樹脂で離型処理したポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）フィルム（厚さ：２５μｍ，表面張
力：３４dyn/cm）を基材とし、その基材の離型処理面上
に、導電ペースト（東洋紡績株式会社製 ＤＷ−２５０
Ｈ−５）をスクリーン印刷することにより、直径２００
μｍの球状の導電体を半導体集積回路の電極と同配列で
形成した。次いで、熱可塑性ポリイミド（宇部興産株式
会社製ユピタイトＵＰＡ−Ｎ２２１）のテトラヒドロフ
ラン溶液（固形分：２０重量％）をスクリーン印刷によ
りウェハ形状に塗布し、９０℃で５分間乾燥させて厚さ
２００μｍの接着剤層を形成し、これを導電体付接着シ
ートとした。
【０１０５】〔実施例３〕導電体付接着シートの製造（接着剤：エポキシ系樹脂組
成物） 高分子量ビスフェノール型エポキシ樹脂（油化シェルエ
ポキシ株式会社製 エピコート１０１０）４０重量部、
多官能クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
株式会社製 ＥＯＣＮ−４６００）２０重量部、熱活性
型潜在性硬化剤として２−フェニル−４，５−ヒドロキ
シメチルイミダゾ−ル１．５重量部およびγ−グリシド
プロピルトリメトキシシラン０．１重量部を混合し、エ
ポキシ系樹脂接着剤とした。
【０１０６】片面をシリコーン樹脂で離型処理したＰＥ
Ｔフィルム（厚さ：３８μｍ，表面張力：３４dyn/cm）
を基材とし、その基材の離型処理面に対し、スクリーン
印刷により上記エポキシ系樹脂接着剤をウェハ形状に塗
工し、接着剤層を形成した。一方、半導体集積回路の電
極と同配列の孔を有する治具の裏面から吸引を行って、
各孔に直径２００μｍの導電体としての半田ボール（Ｐ
ｂ−６３Ｓｎ）を吸着し、整列させた。この治具を上記
接着剤層に押圧した後、吸引を停止することにより、接
着剤層に導電体を埋め込んだ。その後、接着剤層を１０
０℃で５分間乾燥させ、接着剤層の厚さが２００μｍの
導電体付接着シートとした。
【０１０７】〔実施例４〕導電体付接着シートの製造（接着剤：異方性導電接着
剤） ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製
ＲＥ−３１０Ｓ）１００重量部、イミダゾール系アダ
クト型潜在性硬化剤である第１の硬化剤（四国化成工業
株式会社製 キュアダクトＰ−０５０５）２０重量部お
よび第２の硬化剤（四国化成工業株式会社製 キュアダ
クトＬ−０１Ｂ）１０重量部を混合して得た熱硬化性樹
脂１００重量部に、導電性粒子（銀粉末，平均粒径：３
μｍ）１０重量部を混合、分散させ、異方性導電接着剤
とした。
【０１０８】接着剤として上記異方性導電接着剤を使用
した以外は実施例３と同様にして導電体付接着シートを
作成した。
【０１０９】〔実施例５〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したウェハ形状の導電体付接着シート
（剥離フィルムとしてのＰＥＴフィルムを剥して接着剤
層を露出させたもの。以下同じ。）の導電体と、半導体
ウェハに形成されている半導体集積回路の電極とが電気
的に接続されるように、導電体付接着シートと半導体ウ
ェハとの位置合わせを行い、半導体ウェハに導電体付接
着シートを貼着するとともに、それらをリングフレーム
に固定した。
【０１１０】上記接着剤層に紫外線を照射（リンテック
株式会社製 ＡＤＷＩＬＬ ＲＡＤ−２０００ｍ／８を
使用。照射条件：照度３４０mW/cm2，照射時間６秒。以
下同じ。）した後、ダイシングソー（東京精密株式会社
製 ＡＷＤ−４０００Ｂ）を使用して接着剤層までフル
カットダイシングを行い、得られた接着剤層付チップを
ピックアップした。次いで、接着剤層の導電体と基板上
の電極との位置合わせを行い、チップと基板とを１５０
℃、５kg/cm2、５秒間の加熱で仮接着した後、さらに１
６０℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介してチップ
と基板とを強固に接着し、半導体装置とした。
【０１１１】〔実施例６〕半導体装置の製造（接着シート：実施例２） 実施例２で作成した導電体付接着シートの導電体と、半
導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電極とが
電気的に接続されるように、導電体付接着シートと半導
体ウェハとの位置合わせを行い、両者を１８０℃、５kg
/cm2で３０秒間熱圧着した後、上記導電体付接着シート
を半導体ウェハ形状に沿ってカットした。
【０１１２】上記導電体付接着シートの基材であるＰＥ
Ｎフィルムを接着剤層から剥離し、別途用意したウェハ
ダイシング用粘着シート（リンテック株式会社製 ＡＤ
ＷＩＬＬ Ｇ−１１）をその接着剤層に貼着することに
より、接着剤層付半導体ウェハをリングフレームに固定
した。
【０１１３】ダイシングソー（東京精密株式会社製 Ａ
ＷＤ−４０００Ｂ）を使用して上記接着剤層までフルカ
ットダイシングを行い、得られた接着剤層付チップをピ
ックアップした後、接着剤層の導電体と基板上の電極と
の位置合わせを行った。チップと基板とを１８０℃、５
kg/cm2、１０秒間の加熱で仮接着した後、さらに２００
℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介してチップと基
板とを強固に接着し、半導体装置とした。
【０１１４】〔実施例７〕半導体装置の製造（接着シート：実施例３） 実施例３で作成した導電体付接着シートの導電体と、半
導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電極とが
電気的に接続されるように、導電体付接着シートと半導
体ウェハとの位置合わせを行い、両者を１４０℃、５kg
/cm2で３０秒間熱圧着した後、上記導電体付接着シート
を半導体ウェハ形状に沿ってカットした。
【０１１５】上記導電体付接着シートの基材であるＰＥ
Ｔフィルムを接着剤層から剥離し、別途用意したウェハ
ダイシング用粘着シート（リンテック株式会社製 ＡＤ
ＷＩＬＬ Ｇ−１１）をその接着剤層に貼着することに
より、接着剤層付半導体ウェハをリングフレームに固定
した。
【０１１６】実施例６と同様にしてフルカットダイシン
グを行い、得られた接着剤層付チップをピックアップし
た。次いで、接着剤層の導電体と基板上の電極との位置
合わせを行い、１８０℃、５kg/cm2、５秒間の加熱でチ
ップと基板とを仮接着した後、さらに１８０℃で６０分
間加熱し、上記接着剤層を介してチップと基板とを強固
に接着し、半導体装置とした。
【０１１７】〔実施例８〕半導体装置の製造（接着シート：実施例４） 実施例４で作成した導電体付接着シートの導電体と、半
導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電極とが
電気的に接続されるように、導電体付接着シートと半導
体ウェハとの位置合わせを行い、両者を１５０℃、５kg
/cm2で３０秒間熱圧着した後、上記導電体付接着シート
を半導体ウェハ形状に沿ってカットした。
【０１１８】その後、実施例７と同様にして接着剤層付
チップを得た。次いで、接着剤層の導電体と基板上の電
極との位置合わせを行い、１５０℃、５kg/cm2、５秒間
の加熱でチップと基板とを仮接着した後、さらに１８０
℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介してチップと基
板とを強固に接着し、半導体装置とした。
【０１１９】〔実施例９〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したウェハ形状の導電体付接着シートの
導電体と、半導体ウェハに形成されている半導体集積回
路の電極とが電気的に接続されるように、導電体付接着
シートと半導体ウェハとの位置合わせを行い、半導体ウ
ェハに導電体付接着シートを貼着した。
【０１２０】上記導電体付接着シートの接着剤層に紫外
線を照射した後、基材としてのポリエチレンフィルムを
接着剤層から剥離し、接着剤層の導電体と基板上の電極
との位置合わせを行った。半導体ウェハと基板とを１５
０℃、５kg/cm2、５秒間の加熱で仮接着した後、さらに
１６０℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介して半導
体ウェハと基板とを強固に接着した。
【０１２１】次いで、別途用意した紫外線硬化型ウェハ
ダイシング用粘着シート（リンテック株式会社製 ＡＤ
ＷＩＬＬ Ｄ−５１０Ｔ）を上記基板に貼着することに
より、基板付半導体ウェハをリングフレームに固定し
た。そして実施例６と同様にしてフルカットダイシング
を行い、上記紫外線硬化型ウェハダイシング用粘着シー
トに紫外線を照射した後、得られた基板付チップをピッ
クアップし、半導体装置とした。
【０１２２】〔実施例１０〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したウェハ形状の導電体付接着シートの
導電体と、基板上の電極とが電気的に接続されるよう
に、導電体付接着シートと基板との位置合わせを行い、
基板に導電体付接着シートを貼着した。
【０１２３】上記導電体付接着シートの接着剤層に紫外
線を照射した後、基材としてのポリエチレンフィルムを
接着剤層から剥離し、接着剤層の導電体と半導体ウェハ
に形成されている半導体集積回路の電極との位置合わせ
を行った。基板と半導体ウェハとを１５０℃、５kg/c
m2、５秒間の加熱で仮接着した後、さらに１６０℃で６
０分間加熱し、上記接着剤層を介して基板と半導体ウェ
ハとを強固に接着した。
【０１２４】次いで、別途用意した紫外線硬化型ウェハ
ダイシング用粘着シート（リンテック株式会社製 ＡＤ
ＷＩＬＬ Ｄ−５１０Ｔ）を上記基板に貼着することに
より、基板付半導体ウェハをリングフレームに固定し
た。そして実施例６と同様にしてフルカットダイシング
を行い、上記紫外線硬化型ウェハダイシング用粘着シー
トに紫外線を照射した後、得られた基板付チップをピッ
クアップし、半導体装置とした。
【０１２５】〔実施例１１〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したウェハ形状の導電体付接着シートの
導電体と、基板上の電極とが電気的に接続されるよう
に、導電体付接着シートと基板との位置合わせを行い、
基板に導電体付接着シートを貼着するとともに、それら
をリングフレームに固定した。
【０１２６】実施例５と同様にして接着剤層付基板をフ
ルカットダイシングし、その接着剤層に紫外線を照射し
た後、導電体付接着シートの基材であるポリエチレンフ
ィルムをエキスパンドし、得られた接着剤層付基板をピ
ックアップした。次いで、接着剤層の導電体と別途ダイ
シングした半導体チップの電極との位置合わせを行い、
１５０℃、５kg/cm2、５秒間の加熱で基板と半導体チッ
プとを仮接着した後、さらに１６０℃で６０分間加熱
し、上記接着剤層を介して基板と半導体チップとを強固
に接着した。
【０１２７】〔実施例１２〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したチップサイズの導電体付接着シート
の導電体と、別途ダイシングした半導体チップの電極と
が電気的に接続されるように、導電体付接着シートと半
導体チップとの位置合わせを行い、半導体チップに導電
体付接着シートを貼着した。
【０１２８】上記導電体付接着シートの接着剤層に紫外
線を照射した後、基材であるポリエチレンフィルムを接
着剤層から剥離し、接着剤層の導電体と基板上の電極と
の位置合わせを行った。半導体チップと基板とを１５０
℃、５kg/cm2、５秒間の加熱で仮接着した後、さらに１
６０℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介して半導体
チップと基板とを強固に接着した。
【０１２９】〔実施例１３〕半導体装置の製造（接着シート：実施例１） 実施例１で作成したチップサイズの導電体付接着シート
の導電体と、基板上の電極とが電気的に接続されるよう
に、導電体付接着シートと基板との位置合わせを行い、
基板に導電体付接着シートを貼着した。
【０１３０】上記導電体付接着シートの接着剤層に紫外
線を照射した後、基材を接着剤層から剥離し、接着剤層
の導電体と別途ダイシングした半導体チップの電極との
位置合わせを行った。基板と半導体チップとを１５０
℃、５kg/cm2、５秒間の加熱で仮接着した後、さらに１
６０℃で６０分間加熱し、上記接着剤層を介して基板と
半導体チップとを強固に接着した。
【０１３１】〔試験例〕実施例５〜１３で得られた半導
体装置について、１２１℃、１００％ＲＨ、２気圧およ
び１６８時間の条件で蒸気加圧試験（Pressure Cooker
Test）を行ったところ、いずれの半導体装置もクラック
等の発生はなかった。
【０１３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アンダーフィル材の流動性に起因する欠陥のない半導体
装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る導電体付接着シート
の概略断面図である。
【図２】同実施形態に係る導電体付接着シートの概略平
面図である。
【図３】同実施形態に係る導電体付接着シートと半導体
ウェハとを貼着する様子を示す概略斜視図である。
【図４】同実施形態に係る導電体付接着シートと半導体
ウェハとを貼着した状態を示す概略断面図である。
【図５】同実施形態に係る導電体付接着シートの接着剤
層と基板とを位置合わせした状態（さらには接着剤層を
介して半導体ウェハと基板とを接着した状態）を示す概
略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る導電体付接着シー
トと半導体チップとを貼着する様子を示す概略斜視図で
ある。
【図７】本発明の別の実施形態に係る導電体付接着シー
トの概略断面図である。
【図８】同実施形態に係る導電体付接着シートの接着剤
層を介して半導体ウェハと基板とを接着した状態を示す
概略断面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｂ…導電体付接着シート ２，２Ａ，２Ｂ…基材 ３，３Ａ，３Ｂ…接着剤層 ３１Ｂ…導電性粒子 ４，４Ａ，４Ｂ…導電体 ５…半導体ウェハ ５１…半導体ウェハの電極 ５２…半導体チップ ６…基板 ６１…基板の電極 ７，７Ｂ…半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成１４年３月１９日（２００２．３．１
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３０】上記導電体付接着シートの接着剤層に紫外
線を照射した後、基材であるポリエチレンフィルムを接
着剤層から剥離し、接着剤層の導電体と別途ダイシング
した半導体チップの電極との位置合わせを行った。基板
と半導体チップとを１５０℃、５kg/cm2、５秒間の加熱
で仮接着した後、さらに１６０℃で６０分間加熱し、上
記接着剤層を介して基板と半導体チップとを強固に接着
した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA06 AA07 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA18 AB01 AB03 AB05 AB06 AB07 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CB01 CB02 CC02 CC03 CE01 DB02 FA05 5F044 KK01 LL07 LL09 LL11 LL13 QQ04 RR17 RR18 RR19

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基材と、前記基材上に形成された接着剤
    層と、半導体集積回路の電極および基板の電極に対応す
    る配列で前記接着剤層に埋設された導電体とを備え、前
    記接着剤層を構成する接着剤は、段階的接着性を示すこ
    とを特徴とする導電体付接着シート。
  2. 【請求項２】 前記導電体の上端および／または下端
    は、実質的に前記接着剤層の表面および／または裏面に
    位置していることを特徴とする請求項１に記載の導電体
    付接着シート。
  3. 【請求項３】 前記導電体付接着シートは、半導体ウェ
    ハに対応する大きさとなっており、前記導電体は、前記
    半導体ウェハに形成されている複数の半導体集積回路の
    電極に対応するように配列されていることを特徴とする
    請求項１または２に記載の導電体付接着シート。
  4. 【請求項４】 半導体チップまたは半導体ウェハに形成
    されている半導体集積回路の電極と請求項１〜３のいず
    れかに記載の導電体付接着シートの導電体とが電気的に
    接続され得るように、前記半導体チップまたは半導体ウ
    ェハと前記導電体付接着シートとを貼着する工程と、 前記導電体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する
    工程と、 前記接着剤層に埋設された導電体と基板の電極とが電気
    的に接続され得るように、前記接着剤層と前記基板とを
    位置合わせし、前記半導体チップまたは半導体ウェハと
    前記基板とを接着する工程とを備えたことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 基板の電極と請求項１〜３のいずれかに
    記載の導電体付接着シートの導電体とが電気的に接続さ
    れ得るように、前記基板と前記導電体付接着シートとを
    貼着する工程と、 前記導電体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する
    工程と、 半導体チップまたは半導体ウェハに形成されている半導
    体集積回路の電極と前記接着剤層に埋設された導電体と
    が電気的に接続され得るように、前記半導体チップまた
    は半導体ウェハと前記接着剤層とを位置合わせし、前記
    基板と前記半導体チップまたは半導体ウェハとを接着す
    る工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 半導体ウェハに形成されている半導体集
    積回路の電極と請求項３に記載の導電体付接着シートの
    導電体とが電気的に接続され得るように、前記半導体ウ
    ェハと前記導電体付接着シートとを貼着する工程と、 前記導電体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する
    工程と、 前記接着剤層に埋設された導電体と基板の電極とが電気
    的に接続され得るように、前記接着剤層と前記基板とを
    位置合わせし、前記半導体ウェハと前記基板とを接着す
    る工程と、 前記半導体ウェハと基板とが接着されたものを切断し、
    半導体装置とする工程とを備えたことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 基板の電極と請求項３に記載の導電体付
    接着シートの導電体とが電気的に接続され得るように、
    前記基板と前記導電体付接着シートとを貼着する工程
    と、 前記導電体付接着シートの接着剤層から基材を剥離する
    工程と、 半導体ウェハに形成されている半導体集積回路の電極と
    前記接着剤層に埋設された導電体とが電気的に接続され
    得るように、前記半導体ウェハと前記接着剤層とを位置
    合わせし、前記基板と前記半導体ウェハとを接着する工
    程と、 前記基板と半導体ウェハとが接着されたものを切断し、
    半導体装置とする工程とを備えたことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 半導体ウェハに形成されている半導体集
    積回路の電極と請求項３に記載の導電体付接着シートの
    導電体とが電気的に接続され得るように、前記半導体ウ
    ェハと前記導電体付接着シートとを貼着する工程と、 前記半導体ウェハを前記導電体付接着シートの接着剤層
    とともに切断し、半導体チップにする工程と、 必要に応じて、前記半導体チップ相互の間隔を広げる工
    程と、 前記導電体付接着シートの基材から接着剤層付半導体チ
    ップを剥離する工程と、 前記接着剤層に埋設された導電体と基板の電極とが電気
    的に接続され得るように、前記接着剤層と前記基板とを
    位置合わせし、前記半導体チップと前記基板とを接着す
    る工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 前記導電体付接着シートの接着剤層から
    基材を剥離する工程の前に、前記接着剤層の前記半導体
    チップ、半導体ウェハまたは基板に対する接着力を、前
    記接着剤層の前記基材に対する接着力よりも相対的に向
    上させる工程をさらに備えたことを特徴とする請求項４
    〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項４〜９のいずれかに記載の製造
    方法によって製造された半導体装置。
  11. 【請求項１１】 半導体チップと、接着層を介して前記
    半導体チップに接着された基板と、前記接着層内におい
    て前記半導体チップに形成された半導体集積回路の電極
    と前記基板の電極とを電気的に接続する導電体とを備え
    た半導体装置であって、 前記接着層は、前記導電体を埋設した接着剤の層を硬化
    してなるものであることを特徴とする半導体装置。
JP2001099019A 2001-03-30 2001-03-30 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置 Pending JP2002299378A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001099019A JP2002299378A (ja) 2001-03-30 2001-03-30 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
DE60232205T DE60232205D1 (de) 2001-03-30 2002-03-27 Klebefolie mit Leiterkörpern zur Flip-Chip-Montage
TW091105977A TW548758B (en) 2001-03-30 2002-03-27 Conductor bodies attached adhesive sheet, process for producing semiconductor device and semiconductor device
EP02252237A EP1248291B1 (en) 2001-03-30 2002-03-27 Adhesive sheet with conductor bodies for flip-chip mounting
US10/107,176 US6911720B2 (en) 2001-03-30 2002-03-28 Semiconductor device adhesive sheet with conductor bodies buried therein
CNB021246777A CN1261990C (zh) 2001-03-30 2002-03-29 带导电体的粘接板、半导体装置的制造方法及半导体装置
US10/463,411 US6977024B2 (en) 2001-03-30 2003-06-18 Method for manufacturing semiconductor device using adhesive sheet with embedded conductor bodies
US10/463,409 US6900550B2 (en) 2001-03-30 2003-06-18 Semiconductor device including adhesive agent layer with embedded conductor bodies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001099019A JP2002299378A (ja) 2001-03-30 2001-03-30 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002299378A true JP2002299378A (ja) 2002-10-11

Family

ID=18952616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001099019A Pending JP2002299378A (ja) 2001-03-30 2001-03-30 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6911720B2 (ja)
EP (1) EP1248291B1 (ja)
JP (1) JP2002299378A (ja)
CN (1) CN1261990C (ja)
DE (1) DE60232205D1 (ja)
TW (1) TW548758B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092310A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Nagase & Co Ltd 封止樹脂付突起電極付ｉｃチップとその製造方法
JP2003092311A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Nagase & Co Ltd 突起電極付ｉｃチップの実装方法
JP2004214446A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Gunze Ltd ダイシング用粘着シート
JP2006028400A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 緩衝性カバーフィルムを備えた接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2006321941A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi Chem Co Ltd 電子材料用接着フィルム
JP2010161419A (ja) * 2010-04-19 2010-07-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2011107468A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル
JP2011107469A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル
CN102173250A (zh) * 2011-01-30 2011-09-07 焦作市卓立烫印材料有限公司 一种热转印导电箔及其制备方法
JP2012124244A (ja) * 2010-12-07 2012-06-28 Sony Chemical & Information Device Corp 半導体素子の実装方法、及び実装体
JP2014045206A (ja) * 2008-03-21 2014-03-13 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2014175323A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 接着シート及びその製造方法
JP2014175054A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 接着シート及びその製造方法
KR102636170B1 (ko) * 2023-06-12 2024-02-15 오컴퍼니 주식회사 미니/마이크로 led용 접합 소재 조성물

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4150877B2 (ja) * 2001-09-06 2008-09-17 信越化学工業株式会社 導電性樹脂組成物及びこれを用いた電子部品
JP2004051755A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Ricoh Co Ltd 弾性導電樹脂及び弾性導電接合構造
US20040050911A1 (en) * 2002-09-18 2004-03-18 Ho-Young Lee Solder-fill and its manufacturing method for using semiconductor package and its application for mounting semiconductor chip on PCB
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US7521115B2 (en) * 2002-12-17 2009-04-21 Intel Corporation Low temperature bumping process
JP2004221232A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Nitto Denko Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2004311464A (ja) * 2003-04-01 2004-11-04 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US7960209B2 (en) * 2004-01-29 2011-06-14 Diodes, Inc. Semiconductor device assembly process
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4027332B2 (ja) * 2004-03-19 2007-12-26 リンテック株式会社 半導体用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
USD549189S1 (en) * 2004-09-21 2007-08-21 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
CN101084442B (zh) * 2004-12-15 2012-02-08 富士通半导体股份有限公司 接触构件、接触器以及接触方法
US20060286721A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Daoqiang Lu Breakable interconnects and structures formed thereby
US7972683B2 (en) * 2006-03-28 2011-07-05 Innovative Micro Technology Wafer bonding material with embedded conductive particles
CN101506948B (zh) * 2006-09-12 2012-12-12 日东电工株式会社 切割/芯片焊接膜
CN101512742B (zh) * 2006-09-27 2011-10-19 富士通半导体股份有限公司 半导体器件的制造方法
US7923488B2 (en) * 2006-10-16 2011-04-12 Trillion Science, Inc. Epoxy compositions
CN102051142A (zh) * 2007-01-10 2011-05-11 日立化成工业株式会社 电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置
US8212369B2 (en) * 2007-01-31 2012-07-03 Henkel Ag & Co. Kgaa Semiconductor wafer coated with a filled, spin-coatable material
JP2008192984A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
USD589473S1 (en) * 2007-05-30 2009-03-31 Nitto Denko Corporation Adhesive film material for use in manufacturing semiconductors
KR100886712B1 (ko) * 2007-07-27 2009-03-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
WO2009041526A1 (ja) * 2007-09-26 2009-04-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. 導電体接続用部材及びその製造方法、接続構造、並びに、太陽電池モジュール
KR101006526B1 (ko) * 2008-10-22 2011-01-07 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 마운트 테이프, 이를 이용한 웨이퍼 가공 장치 및 방법
FR2943849B1 (fr) * 2009-03-31 2011-08-26 St Microelectronics Grenoble 2 Procede de realisation de boitiers semi-conducteurs et boitier semi-conducteur
US20100267237A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Methods for fabricating finfet semiconductor devices using ashable sacrificial mandrels
US20130146816A1 (en) * 2010-04-19 2013-06-13 Trillion Science Inc. One part epoxy resin including acrylic block copolymer
US8816807B2 (en) * 2010-05-21 2014-08-26 Purdue Research Foundation Controlled self assembly of anisotropic conductive adhesives based on ferromagnetic particles
US8642461B2 (en) * 2010-08-09 2014-02-04 Maxim Integrated Products, Inc. Side wettable plating for semiconductor chip package
KR20120093589A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지 및 그의 제조방법
TWI430376B (zh) * 2011-02-25 2014-03-11 聯測科技股份有限公司 The Method of Fabrication of Semiconductor Packaging Structure
JP5702701B2 (ja) 2011-04-20 2015-04-15 株式会社アドバンテスト 試験用キャリア
JP5629670B2 (ja) 2011-04-20 2014-11-26 株式会社アドバンテスト 試験用キャリア
JP2014065766A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Dexerials Corp 異方性導電接着剤
JP6291322B2 (ja) * 2014-04-02 2018-03-14 リンテック株式会社 粘着シート及び粘着シートの製造方法
CN104198079A (zh) * 2014-07-30 2014-12-10 肇庆爱晟电子科技有限公司 一种高精度高可靠快速响应热敏芯片及其制作方法
US9827705B2 (en) 2015-04-16 2017-11-28 The Procter & Gamble Company High gloss high density polyethylene containers
JP6791626B2 (ja) * 2015-12-14 2020-11-25 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4548862A (en) * 1984-09-04 1985-10-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible tape having bridges of electrically conductive particles extending across its pressure-sensitive adhesive layer
US5030308A (en) * 1986-07-14 1991-07-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
JPS6386536A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Sony Chem Corp 電子部品装置
US5216807A (en) * 1988-05-31 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing electrical connection members
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP2833111B2 (ja) * 1989-03-09 1998-12-09 日立化成工業株式会社 回路の接続方法及びそれに用いる接着剤フィルム
US5275856A (en) * 1991-11-12 1994-01-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrically conductive adhesive web
US5762744A (en) * 1991-12-27 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device using an expand tape
US5221417A (en) * 1992-02-20 1993-06-22 At&T Bell Laboratories Conductive adhesive film techniques
US5667884A (en) * 1993-04-12 1997-09-16 Bolger; Justin C. Area bonding conductive adhesive preforms
US5443876A (en) * 1993-12-30 1995-08-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrically conductive structured sheets
US5637176A (en) * 1994-06-16 1997-06-10 Fry's Metals, Inc. Methods for producing ordered Z-axis adhesive materials, materials so produced, and devices, incorporating such materials
US5497938A (en) * 1994-09-01 1996-03-12 Intel Corporation Tape with solder forms and methods for transferring solder to chip assemblies
US5685939A (en) * 1995-03-10 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making a Z-axis adhesive and establishing electrical interconnection therewith
EP1189271A3 (en) * 1996-07-12 2003-07-16 Fujitsu Limited Wiring boards and mounting of semiconductor devices thereon
US5813870A (en) * 1996-07-12 1998-09-29 International Business Machines Corporation Selectively filled adhesives for semiconductor chip interconnection and encapsulation
JPH1084014A (ja) * 1996-07-19 1998-03-31 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5910641A (en) * 1997-01-10 1999-06-08 International Business Machines Corporation Selectively filled adhesives for compliant, reworkable, and solder-free flip chip interconnection and encapsulation
US6190509B1 (en) * 1997-03-04 2001-02-20 Tessera, Inc. Methods of making anisotropic conductive elements for use in microelectronic packaging
US6011307A (en) * 1997-08-12 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Anisotropic conductive interconnect material for electronic devices, method of use and resulting product
US5975922A (en) * 1998-03-09 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Device containing directionally conductive composite medium
US6589376B1 (en) * 1998-04-28 2003-07-08 International Business Machines Corporation Method and composition for mounting an electronic component and device formed therewith
JP2000067949A (ja) * 1998-08-17 2000-03-03 Fujitsu Ltd 異方導電性シートおよびこれを用いた接合対象物の接合構造
DE60025720T2 (de) * 1999-06-18 2006-11-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
US6426552B1 (en) * 2000-05-19 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Methods employing hybrid adhesive materials to secure components of semiconductor device assemblies and packages to one another and assemblies and packages including components secured to one another with such hybrid adhesive materials
US6518097B1 (en) * 2000-08-29 2003-02-11 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for fabricating wafer-level flip chip package using pre-coated anisotropic conductive adhesive
US20020098620A1 (en) * 2001-01-24 2002-07-25 Yi-Chuan Ding Chip scale package and manufacturing method thereof
US6924171B2 (en) * 2001-02-13 2005-08-02 International Business Machines Corporation Bilayer wafer-level underfill

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092310A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Nagase & Co Ltd 封止樹脂付突起電極付ｉｃチップとその製造方法
JP2003092311A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Nagase & Co Ltd 突起電極付ｉｃチップの実装方法
JP2004214446A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Gunze Ltd ダイシング用粘着シート
JP2006028400A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 緩衝性カバーフィルムを備えた接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2006321941A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi Chem Co Ltd 電子材料用接着フィルム
JP2014045206A (ja) * 2008-03-21 2014-03-13 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2011107468A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル
JP2011107469A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル
JP2010161419A (ja) * 2010-04-19 2010-07-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2012124244A (ja) * 2010-12-07 2012-06-28 Sony Chemical & Information Device Corp 半導体素子の実装方法、及び実装体
CN102173250A (zh) * 2011-01-30 2011-09-07 焦作市卓立烫印材料有限公司 一种热转印导电箔及其制备方法
JP2014175323A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 接着シート及びその製造方法
JP2014175054A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 接着シート及びその製造方法
KR102636170B1 (ko) * 2023-06-12 2024-02-15 오컴퍼니 주식회사 미니/마이크로 led용 접합 소재 조성물
WO2024258139A1 (ko) * 2023-06-12 2024-12-19 오컴퍼니 주식회사 미니/마이크로 led용 접합 소재 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
CN1387244A (zh) 2002-12-25
US6977024B2 (en) 2005-12-20
US20020140093A1 (en) 2002-10-03
EP1248291A2 (en) 2002-10-09
US20040012098A1 (en) 2004-01-22
US6911720B2 (en) 2005-06-28
DE60232205D1 (de) 2009-06-18
TW548758B (en) 2003-08-21
CN1261990C (zh) 2006-06-28
US20030226640A1 (en) 2003-12-11
EP1248291B1 (en) 2009-05-06
EP1248291A3 (en) 2006-05-31
US6900550B2 (en) 2005-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002299378A (ja) 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
US8003441B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3542080B2 (ja) 半導体チップ担持用接着テープ・シート、半導体チップ担持体、半導体チップマウント方法および半導体チップ包装体
TWI407513B (zh) 片狀填膠材及半導體裝置之製造方法
JP6414296B2 (ja) 接着シート及び半導体装置の製造方法
JP4536660B2 (ja) ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4766200B2 (ja) 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法
JP2002280329A (ja) チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP4067308B2 (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
US7169648B2 (en) Process for producing a semiconductor device
JP2006261529A (ja) フリップチップ実装用アンダーフィルテープおよび半導体装置の製造方法
JP4372463B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5224710B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤
JP2008135448A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
CN101517720A (zh) 半导体器件的制造方法
CN108283002A (zh) 电路构件连接用树脂片
JP5805925B2 (ja) ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置
JP6579996B2 (ja) シート、テープおよび半導体装置の製造方法
TW202248391A (zh) 半導體用接著劑、半導體用接著劑片及半導體裝置之製造方法
JP5406995B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090603

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091014