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JP2002299065A - 高分子el素子およびその製造方法 - Google Patents

高分子el素子およびその製造方法

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Publication number
JP2002299065A
JP2002299065A JP2001100805A JP2001100805A JP2002299065A JP 2002299065 A JP2002299065 A JP 2002299065A JP 2001100805 A JP2001100805 A JP 2001100805A JP 2001100805 A JP2001100805 A JP 2001100805A JP 2002299065 A JP2002299065 A JP 2002299065A
Authority
JP
Japan
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substrate
polymer
cathode
anode
light emitting
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001100805A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahisa Shimizu
貴央 清水
Mayumi Iguchi
真由美 井口
Norimasa Sekine
徳政 関根
Takao Minato
孝夫 湊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2001100805A priority Critical patent/JP2002299065A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】陰極と高分子発光層間の剥離、陰極端部のみの
発光や、陰極端部でのショートを防ぎ、より強度のある
EL素子の製造方法を提供する。 【解決手段】透明導電性材料からなる陽極が形成された
陽極基板Aと導電性材料からなる陰極が形成された陰極
基板Bとの間に、少なくとも高分子からなる発光層3が
積層された高分子EL素子において、少なくとも陽極ま
たは陰極のいずれか一方がパターニングされることで発
光部がパターン化されており、かつ、少なくとも非発光
部の一部に絶縁性樹脂からなるスペーサー層4が設けら
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜のエレク
トロルミネセンス(以下単にELという)現象を利用し
た高分子EL素子およびその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】発光材料として高分子を用いる高分子E
L素子は、一般的には陽極、高分子発光層、陰極とが積
層されてなる。また、高分子発光層は、正孔注入層、正
孔輸送層、蛍光体層、電子注入層、電子輸送層などが積
層された多層構造とすることもできる。この陽極、陰極
間に電流を流すことにより高分子発光層で発光が生じ、
一方の電極を透明にすることで外部に光を取り出すこと
ができる。
【0003】かかる高分子EL素子は、面発光の固体表
示素子であり、薄膜化が可能である。これを用いたディ
スプレイは、自己発光型であるため高視野角で、高輝度
を示すという特徴があり、かつ低電圧で駆動しうる。ま
た、応答速度が速いという特徴を持つ。
【0004】このような高分子EL素子の生産性を向上
させることを目的として、陽極基板を含む第一の基板と
陰極基板を含む第二の基板を別々に作製し、対向圧着に
より両基板を貼り合わせることにより素子を製造すると
いう提案がある(特開2000−77192号参照)。
この提案は、圧着を用いることにより第一の基板または
第二の基板に付着したゴミのために生じる発光むらを最
小限にくい止めることができるというものであるが、剥
離強度が弱いなどの問題点があった。
【0005】特に、陰極と高分子発光層間は剥離強度が
弱いため圧着時に加えられる力で剥離してしまう、さら
には陰極自体が剥離してしまうという問題があった。
【0006】また、パターニングされた陰極取り出し電
極、陰極金属層、透明電極の凹凸により陰極側および陽
極側基板を対向圧着させた際に基板自体がたわみ、陰極
端部に力が集中し部分的に膜厚が薄くなるため、陰極端
部のみの発光や陰極端部で電気的なショートを起こして
しまうという問題点があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のとお
り、高分子EL素子において、特に、陰極と高分子発光
層間の剥離、陰極端部のみの発光や、陰極端部でのショ
ートを防ぎ、より強度のある高分子EL素子およびその
製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題に
鑑みてなされたのであって、請求項1においては、透明
導電性材料からなる陽極が形成された陽極基板と導電性
材料からなる陰極が形成された陰極基板との間に、少な
くとも高分子発光層が積層された高分子EL素子におい
て、陽極または陰極の少なくとも一方がパターニングさ
れており、かつ、陽極基板または陰極基板の少なくとも
一方に絶縁性樹脂からなるスペーサー層が設けられてい
ることを特徴とする高分子EL素子である。請求項2に
おいては、前記絶縁性樹脂が、感光性レジストであるこ
とを特徴とする請求項1記載の高分子EL素子である。
請求項3においては、前記絶縁性樹脂が、顔料または染
料を含むことを特徴とする請求項1または2の何れかに
記載の高分子EL素子である。請求項4においては、透
明導電性材料からなる陽極が形成された陽極基板と導電
性材料からなる陰極が形成された陰極基板との間に、少
なくとも高分子発光層が積層された高分子EL素子の製
造方法において、陽極基板上へ前記高分子発光層の一部
の層を順次積層して第一の圧着面を有する第一の基板を
製造する工程と、陰極基板上へ前記高分子発光層の残部
の層を順次積層して第二の圧着面を有する第二の基板を
製造する工程と、前記第一あるいは第二の基板に、絶縁
性樹脂からなるスペーサー層を設ける工程と、前記第一
の基板の第一の圧着面と前記第二の基板の第二の圧着面
とを対向圧着させる工程からなることを特徴とする高分
子EL素子の製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の高分子EL素子に用いる
陽極基板は、透明基材上に透明導電性材料からなる陽極
を形成してなる。
【0010】透明基材としては、ガラス基板やプラスチ
ック製のフィルムまたはシートを用いることができる。
プラスチック製のフィルムを用いれば、巻き取りにより
高分子ELの製造が可能となり、安価に素子を提供する
ことができる。プラスチックフィルムとしては、ポリエ
チレンテレフタラート、ポリプロピレン、シクロオレフ
ィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどを用
いることができる。また、導電層を製膜しない側にセラ
ミック蒸着フィルムやポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル、エチレン−酢酸ビニル共重合鹸化物などの他のガ
スバリア性フィルムを積層したりカラーフィルター層を
印刷により設けたりしても良い。
【0011】透明導電性材料としては、インジウムと錫
の複合酸化物(以下ITOという)を用いることができ
る、前記基板上に蒸着またはスパッタリング法、また、
ペースト状のITOを印刷などの塗布法を用いることに
より製膜する事ができる。また、オクチル酸インジウム
やアセトンインジウムなどの前駆体を基材上に塗布後、
熱分解により酸化物を形成する塗布熱分解法などにより
形成する事もできる。あるいは、アルミニウム、金、銀
などの金属が半透明上に蒸着されたものを用いることが
できる。
【0012】透明または半透明の透明導電材料(陽極)
は、必要に応じてエッチングによりパターニングを行っ
たり、UV処理、プラズマ処理などにより表面の活性化
を行っても良い。
【0013】本発明に用いることのできる素子構成は、
高分子発光層の単層であっても、正孔輸送層、高分子発
光層などからなる多層構造であってもよい。正孔輸送層
を設ける場合は、銅フタロシアニンやその誘導体、1,
1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロ
ヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3
−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’
−ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’
−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジア
ミン等の芳香族アミン系などの低分子も用いることがで
きるが、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェ
ン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などが、湿式
法による製膜が可能であり、より好ましい。
【0014】高分子発光層を形成する材料としては、ク
マリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポル
フィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置
換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジア
リール置換ピロロピロール系などの蛍光性色素をポリス
チレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバ
ゾールなどの高分子中に溶解させたものや、ポリアリー
ルビニレン系やポリフルオレン系などの高分子蛍光体を
用いることができる。
【0015】これらの高分子発光層を形成する材料は、
トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、水などの単独または混合溶媒に高分子
蛍光体材料を溶解させ、スピンコート、スプレーコー
ト、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフ
セットなどのコーティング、印刷方法を用いて製膜する
ことができる。
【0016】本発明における高分子EL素子は、陽極基
板及び陰極基板上に高分子発光層をコーティングする。
基材がガラスの場合は、スピンコート、ロールコート、
スプレーコート、スロットコート、フレキソ、オフセッ
ト、凹版オフセットなどの方法を用いることができる。
基材として巻き取りのフィルムを用いる場合には、グラ
ビア、グラビアオフセット、マイクログラビア、フレキ
ソ、ダイコート、ロールコートなどの各種コーティング
方法を用いることができる。特に、フレキソ、オフセッ
ト、凹版オフセット、グラビアなどのパターニングがコ
ーティングと同時に可能な方法が好ましい。
【0017】また、高分子発光層を2層以上の複数層と
する場合には、各層を構成する材料の溶解性を鑑み、例
えば、水溶性と油溶性の樹脂を選択するなどの溶解性の
差を利用したり、コーティングから乾燥までの時間を短
くして、実質的に下層に影響を与えないようにコーティ
ング条件を選定しても良い。コーティングの厚みは、素
子の構造によるが0.01から10μm、好ましくは
0.05から0.5μmが好適である。
【0018】陰極に用いる導電性材料には、アルミニウ
ム、銅、ニッケルなど金属材料を用いることができる。
なお、これら導電性材料は、加工性の点から箔形状であ
ることが好ましい。また、必要に応じて、フッ化リチウ
ム、アルミナ、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン
スルホン酸ナトリウムなどのバッファー層を設けること
で発光効率を上げることもできる。ポリメタクリル酸メ
チル、ポリスチレンスルホン酸ナトリウムなどの高分子
を用いたバッファー層は、湿式の印刷法を用いることが
できる。さらには、これら高分子を用いたバッファー層
は圧着にも用いることができる。また、アルミニウムな
どの金属箔にカルシウム、マグネシウム、銀、金などを
蒸着またはスパッタリングまたはメッキしたものを用い
ることもできる。金属箔の厚みは、1μm以下では取り
扱いが困難であり、5μm以上が好ましく、さらに箔の
ピンホールを防止するために15μm以上がさらに好ま
しい。箔のピンホールを防止することにより素子内部へ
の水分や酸素の侵入を防止することができ、簡単な構成
で素子の寿命を長くすることが可能となる。金属箔の裏
面には製造時の取り扱いを容易にするために、ポリエチ
レンテレフタレート、ナイロンなどのフィルムをあらか
じめ圧着しておいても良い。
【0019】本発明における高分子EL素子は、絶縁性
樹脂のスペーサー層を有しており、対向圧着を行う際に
第一の基板と第二の基板凹凸の影響による圧着むらや基
板のたわみにより生じた陰極端部への力の集中による陰
極端部のみの発光や電気的な短絡を防ぐことが出来る。
また、スペーサー層の広さや形は場合に応じて変えるこ
とが出来る。スペーサー層を設けることにより電極や陰
極のパターニング部のみではなく、それ以外広範囲に圧
着されるため、接着の強度が大幅に増す。従って、強度
の弱い陰極と高分子発光層間の圧着時の剥がれを防ぐこ
とができる。
【0020】また、これらのスペーサー層のパターンを
透明または半透明の導電層や、陰極金属層をエッチング
する代わりにパターニングに利用することもできる。
【0021】絶縁性樹脂としては、感光性レジスト、熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などを用いる
ことができる。特に感光性レジストは、スペーサー層に
細かいパターニングを施したい場合などに適している。
【0022】熱可塑性樹脂としては、スチレン系、オレ
フィン系、ウレタン系、エステル系、塩ビ系などを用い
ることができる。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹
脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などを用いることがで
きる。
【0023】また、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂など
は、グラビア、グラビアオフセット、マイクログラビ
ア、フレキソ、ダイコート、ロールコートなどの各種コ
ーティング方法を用いることができる。特に、フレキ
ソ、オフセット、凹版オフセット、グラビアなどのパタ
ーニングがコーティングと同時に可能な方法がより好ま
しい。
【0024】さらに、絶縁性樹脂に顔料や染料を混合す
ることにより、陰極での反射光をおさえ、にじみを防ぎ
コントラストを向上させることができる。
【0025】第一の基板として透明電極を有したガラス
またはフィルムを用い、第一の圧着面までの高分子発光
層の一部の層を積層する。次に第二の基板として陰極を
含む第二の圧着面までの高分子発光層の残部の層を積層
する。 なお、接着性の点から、第一の圧着面と第二の
圧着面は同一の材料からなる層であることが好ましい。
そして、第一の基板と第二の基板の圧着面を対向させ、
金属ロールまたはゴムロール間で圧着または熱圧着し、
素子を構成する。
【0026】なお、スペーサー層は第一、第二どちらの
基板でも任意の位置に設けることができる。また、スペ
ーサー層を設ける工程はどの段階におくこともできる。
感光性レジストの場合は、露光する段階で高分子発光層
を破壊してしまう可能性があるので、高分子発光層より
先に感光性レジスト層を形成させることが望ましい。ま
た、塗布する際の溶剤は塗布面の材料の溶解度の低いも
のを用いることが望ましい。
【0027】本発明に係わる高分子EL素子によれば、
絶縁性樹脂からなるスペーサー層を設けることによっ
て、圧着される二つの基板の圧着時のたわみによる端部
発光やショートの問題を低減し、また、圧着により作製
された高分子EL素子の剥離強度を向上させることがで
きる。
【0028】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に述べる
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0029】(実施例1)以下図1を用いて説明する。
陽極基板として、ITOからなる陽極2が付いたガラス
からなる透明基材1を用いる。そして陽極基板上に下記
化学式1で表されるポリ[2−メトキシ−5−(2’−
エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレン ビニレ
ン(Poly{2−methoxy−5−(2‘−et
hylhexyloxy)−1,4−phenylen
e vinylene}3 以下MEH−PPVという)
を用い、スピンコート法により厚み0.05μmのコー
ティングを行い、高分子発光層3を設けることによって
第1の基板Aを作製した。また、厚さ0.16μmのパ
ターニングされたITOからなる陰極5が付いたガラス
からなる透明基材1上に感光性レジストをスピンコート
法を用いて塗布、マスクを用いて露光、現像し、スペー
サー層4を形成した。なお、ITO部分は露出してい
る。このときスペーサー層の厚さは0.22μmであ
る。この基板のITO上に陰極5としてアルミニウムを
0.10μm真空蒸着し、0.001μmのフッ化リチ
ウム6を真空蒸着により製膜し、さらにMEH−PPV
を用い、スピンコート法により厚み0.05μmのコー
ティングを行い、高分子発光層3を設けることによって
第二の基板Bを作製した。第一の基板Aと第二の基板B
を130℃でラミネートし、本発明からなる高分子EL
素子を作製した。この高分子EL素子に10Vの電圧を
印加したところ50cd/m2の発光を得ることができ
た。
【0030】
【化1】
【0031】(実施例2)以下図2を用いて説明する。
パターニングされたITOからなる陽極9が付いたポリ
エチレンテレフタレートフィルムからなる透明基材7に
正孔注入層8として下記化学式2で示されるようなポリ
(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレ
ンスルホン酸の混合物(以下PEDOT/PSSとい
う)を0.05μm印刷し、第一の積層フィルム(基
板)Aを作製した。また、基材10上にアルミニウムの
箔からなる陰極11をあらかじめラミネートし、パター
ニングされた陽極9により生じる段差を埋めるため、顔
料であるカーボンブラックを分散させたポリビニルアル
コールをパターン状にアルミ箔上に0.2μmの厚みで
印刷し、スペーサー層12を形成した。次いで、MEH
−PPVからなる高分子発光層13を0.1μm印刷
し、さらにPEDOT/PSSからなる正孔輸送層14
を0.05μm印刷し、第二の積層フィルム(基板)B
を作製した。前記第1の積層フィルムAと前記第二の積
層フィルムBと80℃でラミネートし、本発明からなる
高分子EL素子を作製した。この高分子EL素子に5V
の電圧を印加したところ100cd/m2 の均一な発
光を得ることができた。このときの、剥離強度は1Kg
/15mmであった。また、コントラスト比は90:1
であった。
【0032】
【化2】
【0033】(比較例1)実施例2の高分子EL素子
を、スペーサー層を用いずに製造した。この高分子EL
素子に12Vの電圧を印可したときに、陰極の端部のみ
が発光した。また、このときの剥離強度は、30g/1
5mm程度であった。
【0034】
【発明の効果】本発明に係わる高分子EL素子およびそ
の製造方法によれば、素子作製工程上で生じる、圧着の
際の圧力むらや、剥離強度の弱さなどを解消することが
できる。
【0035】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高分子EL素子の一実施例を示す説明
図である。
【図2】本発明の高分子EL素子の他の実施例を示す説
明図である。
【符号の説明】
1・・・透明基材 2・・・陽極 3・・・高分子発光層 4・・・スぺーサー層 5・・・陰極 6・・・フッ化リチウム 7・・・透明基材 8・・・高分子発光層 9・・・陽極 10・・・基材 11・・・陰極 12・・・スぺーサー層 13・・・正孔輸送層 14・・・高分子発光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湊 孝夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB15 AB17 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA00 EB00 FA01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明導電性材料からなる陽極が形成された
    陽極基板と導電性材料からなる陰極が形成された陰極基
    板との間に、少なくとも高分子発光層が積層された高分
    子EL素子において、陽極または陰極の少なくとも一方
    がパターニングされており、かつ、陽極基板または陰極
    基板の少なくとも一方に絶縁性樹脂からなるスペーサー
    層が設けられていることを特徴とする高分子EL素子。
  2. 【請求項2】前記絶縁性樹脂が、感光性レジストである
    ことを特徴とする請求項1記載の高分子EL素子。
  3. 【請求項3】前記絶縁性樹脂が、顔料または染料を含む
    ことを特徴とする請求項1または2の何れかに記載の高
    分子EL素子。
  4. 【請求項4】透明導電性材料からなる陽極が形成された
    陽極基板と導電性材料からなる陰極が形成された陰極基
    板との間に、少なくとも高分子発光層が積層された高分
    子EL素子の製造方法において、陽極基板上へ前記高分
    子発光層の一部の層を順次積層して第一の圧着面を有す
    る第一の基板を製造する工程と、陰極基板上へ前記高分
    子発光層の残部の層を順次積層して第二の圧着面を有す
    る第二の基板を製造する工程と、前記第一あるいは第二
    の基板に、絶縁性樹脂からなるスペーサー層を設ける工
    程と、前記第一の基板の第一の圧着面と前記第二の基板
    の第二の圧着面とを対向圧着させる工程からなることを
    特徴とする高分子EL素子の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135624A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Sharp Corp 有機el素子
US7429822B2 (en) 2003-10-28 2008-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device having a cathode with a metal layer that includes a first metal and a low work function metal
JP2011096374A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Rohm Co Ltd 有機el装置

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