JP2002289911A

JP2002289911A - 光通信用デバイス

Info

Publication number: JP2002289911A
Application number: JP2001373370A
Authority: JP
Inventors: Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-12-06
Filing date: 2001-12-06
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】所定の位置に受光素子および発光素子が実装
されたＩＣチップ実装用基板と、所定の位置に光導波路
が形成された多層プリント配線板とから構成され、実装
した光学部品間の接続損失が低く、接続信頼性に優れる
光通信用デバイスを提供する。【解決手段】ＩＣチップ実装用基板１２０と多層プリ
ント配線板１００とからなる光通信用デバイスであっ
て、上記ＩＣチップ実装用基板１２０は、導体回路１２
９、層間絶縁層１２２および上記層間絶縁層を挟んだ導
体回路間を接続するバイアホール１２７を含んで構成さ
れており、上記ＩＣチップ実装用基板１２０には、受光
素子１３８および発光素子１３９が実装されていること
を特徴とする光通信用デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用デバイス
に関する。

【０００２】近年、通信分野を中心として光ファイバに
注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野におい
ては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを用
いた通信技術が必要となる。光ファイバは、低損失、
高帯域、細径・軽量、無誘導、省資源等の特徴
を有しており、この特徴を有する光ファイバを用いた通
信システムでは、従来のメタリックケーブルを用いた通
信システムに比べ、中継器数を大幅に削減することがで
き、建設、保守が容易になり、通信システムの経済化、
高信頼性化を図ることができる。

【０００３】また、光ファイバは、一つの波長の光だけ
でなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同
時に多重伝送することができるため、多様な用途に対応
可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サー
ビス等にも対応することができる。

【０００４】そこで、このようなインターネット等のネ
ットワーク通信においては、光ファイバを用いた光通信
を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソ
コン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士
の通信にも用いることが提案されている。このように基
幹網と端末機器との通信等に光通信を用いる場合、端末
機器に光通信用デバイスを取り付ける必要があり、光通
信用デバイスとしては、基板に光信号を伝送する光導波
路、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学部品
を備えたものが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光通信用デバイスは、接続信頼性の点で充分に満足のい
くものではなかった。これは、接続信頼性に優れる光通
信を達成するための要因、即ち、光学部品間の接続（例
えば、光ファイバと光導波路との接続や、光導波路と受
光素子や発光素子との接続）における低接続損失の確保
を充分に行うことができなかったためであると考えられ
る。

【０００６】具体的には、従来の光通信用デバイスで
は、予め、受光素子や発光素子等の光学素子を実装する
エリアを基板に形成しておき、この基板に光学素子を取
り付けた後、埋め込み樹脂を充填、硬化すること等によ
り光学素子を実装していた。しかしながら、このような
方法で光学素子を実装した場合、該光学素子は、層間絶
縁層やソルダーレジスト層の硬化処理、半田ペーストの
リフロー処理等の際に受ける熱、基板の反りやめっき処
理時の揺動に起因する応力等の影響により位置ズレを発
生し易く、位置ズレを発生した場合には、他の光学部品
（光導波路や光ファイバ）との接続信頼性が低下するこ
ととなった。さらに、光学素子の実装（取り付け）を接
着剤や半田を用いて行った場合には、後工程の熱履歴に
より、この接着剤や半田が軟化し、これに伴って、光学
素子の位置ズレが発生することがあった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
光学部品間の接続における低接続損失の確保を行うため
に鋭意検討した結果、基板上および／または基板内に光
学部品を実装する際に、各光学部品を所定の位置に実装
する、即ち、各光学部品の位置ズレをなくすことにより
低接続損失を確保することができることに想到し、下記
の構成からなる本発明の光通信用デバイスを完成させ
た。

【０００８】即ち、本発明の光通信用デバイスは、ＩＣ
チップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通
信用デバイスであって、上記ＩＣチップ実装用基板は、
導体回路、層間絶縁層および上記層間絶縁層を挟んだ導
体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されてお
り、上記ＩＣチップ実装用基板には、受光素子および発
光素子が実装されていることを特徴とする。

【０００９】本発明の光通信用デバイスにおいては、上
記受光素子および上記発光素子が上記多層プリント配線
板と対向する側の面に実装されていることが望ましい。

【００１０】また、上記光通信用デバイスにおいては、
上記受光素子および上記発光素子が上記多層プリント配
線板と対向する側の面と反対側の面に実装されている
か、または、上記受光素子および上記発光素子のうちの
一方が上記多層プリント配線板と対向する側の面に実装
され、他方が上記多層プリント配線板と対向する側の面
と反対側の面に実装されていることも望ましい。さら
に、この場合には、上記ＩＣチップ実装用基板を貫通す
る光信号伝送用光路が形成されていることが望ましい。

【００１１】また、上記多層プリント配線板において、
上記導体回路および上記層間絶縁層は、基板の両面また
は片面に順次積層形成されたものであることが望まし
い。

【００１２】また、本発明の光通信用デバイスにおいて
は、上記多層プリント配線板に光導波路が形成されてい
ることが望ましく、この場合、上記多層プリント配線板
には、上記受光素子および上記発光素子と、上記光導波
路との間で光信号を伝送するための光信号伝送用光路が
形成されていることが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光通信用デバイス
について説明する。本発明の光通信用デバイスは、ＩＣ
チップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通
信用デバイスであって、上記ＩＣチップ実装用基板は、
導体回路、層間絶縁層および上記層間絶縁層を挟んだ導
体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されてお
り、上記ＩＣチップ実装用基板には、受光素子および発
光素子が実装されていることを特徴とする。

【００１４】本発明の光通信用デバイスは、所定の位置
に受光素子および発光素子が実装されたＩＣチップ実装
用基板と、所定の位置に光導波路が形成された多層プリ
ント配線板とから構成されているため、実装した光学部
品間の接続損失が低く、光通信用デバイスとして接続信
頼性に優れる。

【００１５】特に、受光素子および発光素子がＩＣチッ
プ実装用基板の表面に実装されている場合には、導体回
路、層間絶縁層および該層間絶縁層を挟んだ導体回路を
接続するバイアホールを形成した後、最後に受光素子や
発光素子の実装を行えばよいため、実装後、導体回路や
層間絶縁層を形成する際の熱や応力を受けることがな
い。従って、これらの熱や応力に起因した位置ズレが発
生することがなく、所望の位置に確実に発光素子や受光
素子を実装することができる。さらに、発光素子や受光
素子等の光学素子がＩＣチップ実装用基板の表面に実装
されている場合には、該フリップチップ型のものである
ことが望ましい。発光素子や受光素子等の光学素子等の
位置ズレが発生しにくいとともに、光学素子のリペアー
を容易に行うことができるからである。

【００１６】また、本発明の光通信用デバイスにおい
て、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線
板とが半田バンプを介して接続されてなる場合には、半
田が有するセルフアライメント作用により両者をより確
実に所定の位置に配置することができる。なお、セルフ
アライメント作用とは、ソルダーレジスト層が半田をは
じくため、リフロー処理時に半田が自己の有する流動性
により半田バンプ形成用開口の中央付近により安定な形
状で存在しようとする作用をいう。このセルフアライメ
ント作用を利用した場合、上記半田バンプを介して、上
記多層プリント配線板上に、上記ＩＣチップ実装用基板
を接続する際に、リフロー前には両者に位置ズレが発生
していたとしても、リフロー時に上記ＩＣチップ実装用
基板が移動し、該ＩＣチップ実装用基板を上記多層プリ
ント配線板上の正確な位置に取り付けることができる。
従って、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント
配線板とのそれぞれに、受光素子や発光素子、光導波路
等の光学部品を正確な位置に取り付けておけば、半田バ
ンプを介して上記多層プリント配線板上に、上記ＩＣチ
ップ実装用基板を接続することにより接続信頼性に優れ
る光通信用デバイスを製造することができる。また、Ｂ
ＧＡやＰＧＡを介して両者を接続する場合でも、同様の
効果を得ることができる。

【００１７】上記光通信用デバイスを構成するＩＣチッ
プ実装用基板には、受光素子および発光素子が実装され
ている。ここで、受光素子および発光素子の実装位置は
特に限定されないが、上述したようにＩＣチップ実装用
基板の表面であることが望ましい。また、その場合、受
光素子および発光素子の両者は、ＩＣチップ実装用基板
の多層プリント配線板と対抗する側の面に実装されてい
てもよいし、ＩＣチップ実装用基板の多層プリント配線
板と対抗する側の面と反対側の面に実装されていてもよ
いし、上記受光素子および発光素子のうちの一方がＩＣ
チップ実装用基板の多層プリント配線板と対抗する側の
面に実装され、他方がＩＣチップ実装用基板の多層プリ
ント配線板と対抗する側の面と反対側の面に実装されて
いてもよい。なお、受光素子および発光素子が、ＩＣチ
ップ実装用基板の多層プリント配線板と対抗する側の面
と反対側の面に実装されている場合、通常、上記受光素
子および発光素子とＩＣチップとはＩＣチップ実装用基
板の同一側の表面に実装されることとなる。

【００１８】このように、上記受光素子および発光素子
の実装位置を光通信用デバイスの設計に応じて適宜選択
することにより、光通信用デバイスの設計の自由度がよ
り向上するとともに、上記受光素子および発光素子と上
記多層プリント配線板に形成された光導波路との間での
位置ズレがより発生しにくくなり、光信号の接続信頼性
がより向上することとなる。また、光通信用デバイスの
設計に応じて、受光素子および発光素子の実装位置を決
定することにより、ＩＣチップ実装用基板に応力が発生
しにくくなる。具体的には、例えば、ＩＣチップ実装用
基板を構成する受光素子、発光素子、ＩＣチップ、基
板、層間絶縁層、導体回路等の熱膨張係数の差に起因す
る応力の発生を、それぞれの実装位置または形成位置を
適宜選択することにより抑えることができる。また、Ｉ
Ｃチップ実装用基板の強度も確保することができる。

【００１９】また、上記受光素子および発光素子が、Ｉ
Ｃチップ実装用基板の多層プリント配線板と対抗する側
の面と反対側の面に実装されている場合、および、上記
受光素子および発光素子のうちの一方がＩＣチップ実装
用基板の多層プリント配線板と対抗する側の面に実装さ
れ、他方がＩＣチップ実装用基板の多層プリント配線板
と対抗する側の面と反対側の面に実装されている場合に
は、上記ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用
光路が形成されていることが望ましい。この光信号伝送
用光路を介して多層プリント配線板に形成された光導波
路との間で光信号の伝送を行うことができるからであ
る。また、受光素子および発光素子の実装位置、およ
び、光信号伝送用光路を形成するか否かを適宜選択する
ことにより、受光素子および発光素子の実装位置をより
自由に選択することができ、その結果、ＩＣチップ実装
用基板の設計においてフリースペースが広くなり高密度
配線等を達成することができる。なお、上記フリースペ
ースとは、導体回路を形成したり、コンデンサ等の電子
部品を実装したりする領域をいう。

【００２０】上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フ
ォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオ
ード）等が挙げられる。これらは、上記光通信用デバイ
スの構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよ
い。上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧ
ａＡｓ等が挙げられる。これらのなかでは、受光感度に
優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。

【００２１】上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半
導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レー
ザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等が挙げられる。これ
らは、上記光通信用デバイスの構成や要求特性等を考慮
して適宜使い分ければよい。

【００２２】上記発光素子の材料としては、ガリウム、
砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、ア
ルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリ
ウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガ
リウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウ
ム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓ
Ｐ）等が挙げられる。これらは、通信波長を考慮して使
い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の
場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長
が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａ
ＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。

【００２３】また、上記受光素子および上記発光素子は
ワイヤボンディング型のものであってもよいが、フリッ
プチップ型のものであることが望ましい。フリップチッ
プ型の受光素子や発光素子は、実装時にセルフアライメ
ント作用により位置ズレが発生しにくく、また、表面実
装した場合にリペアーが容易だからである。

【００２４】また、上記ＩＣチップ実装用基板に光信号
伝送用光路が形成されている場合、該光信号伝送用光路
の内部は空隙であってもよいが、該光信号伝送用光路の
壁面には導体層が形成されていてもよく、また、該光信
号伝送用光路の内部には光路用樹脂層が形成されていて
もよい。なお、上記導体層および上記光路用樹脂層は、
それぞれ光信号伝送用光路の一部に形成されていてもよ
い。上記光信号伝送用光路の壁面に導体層が形成されて
いる場合、該導体層は光沢を有する金属により形成され
ていることが望ましく、上記光沢を有する金属の具体例
としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。
また、上記光信号伝送用光路の内部に光路用樹脂層が形
成されている場合、該光路用樹脂層の材質としては特に
限定されないが、その通信波長光の透過率が７０％以上
であることが望ましい。

【００２５】なお、上記光路用樹脂層の通信波長光の透
過率とは、長さ１ｍｍあたりの通信波長光の透過率をい
う。具体的には、強さＩ_１の光が上記光路用樹脂層に入
射し、該光路用樹脂層を１ｍｍ通過して出てきたとした
際に、出てきた光の強さがＩ_２である場合に下記式
（１）により算出される値である。

【００２６】透過率（％）＝（Ｉ_２／Ｉ_１）×１００・・・（１）

【００２７】また、上記ＩＣチップ実装用基板は、基板
の両面または片面に、導体回路および層間絶縁層が順次
積層形成されたものであることが望ましい。具体的に
は、例えば、心材が含浸された樹脂基板等からなる基板
の両面または片面に、導体回路および層間絶縁層がビル
ドアップ法により形成されており、さらに、上記層間絶
縁層を挟んだ導体回路を接続するバイアホールが形成さ
れていることが望ましい。このような構成とすることに
より、受光素子および発光素子、さらには、ＩＣチップ
を実装した際にもＩＣチップ実装用基板に反りや応力が
発生しにくく、これらに起因した受光素子および発光素
子等の位置ズレが発生しにくい。また、ビルドアップ法
により導体回路、層間絶縁層およびバイアホールを形成
することにより、ＩＣチップ実装用基板の配線を微細配
線にすることができ、ＩＣチップ実装用基板の高密度化
を図ることができる。さらには、受光素子および発光素
子と、ＩＣチップとの間を確実に電気的に接続すること
ができる。

【００２８】また、上記ＩＣチップ実装用基板は、電気
信号を伝達するための半田バンプが形成されていること
が望ましい。これにより、外部電子部品との間で電気信
号の伝送を行うことができるからである。

【００２９】また、上記光通信用デバイスを構成する多
層プリント配線板には、光導波路が形成されており、こ
の光導波路を介して光信号の伝送を行うことができる。
また、上記多層プリント配線板においては、上記受光素
子および発光素子と上記光導波路との間で光信号を伝送
するための光信号伝送用光路が形成されていることが望
ましい。この光信号伝送用光路を介してＩＣチップ実装
用基板に形成された受光素子や発光素子との間で光信号
の伝送を行うことができるからである。

【００３０】また、上記多層プリント配線板に上記光信
号伝送用光路を適宜形成することにより、多層プリント
配線板の設計の自由度がより向上することとなり、これ
により多層プリント配線板の高密度化、ひいては光通信
用デバイスの高密度化を達成することができる。これ
は、光導波路の形成位置を多層プリント配線板の設計に
応じて自由に選択することにより、多層プリント配線板
内にデッドスペースを少なすることができるからであ
る。上記デッドスペースとは、導体回路の形成や、コン
デンサ等の電子部品の実装が制限される領域のことをい
う。通常、光導波路は、基板や層間絶縁層の全面または
一部を横切るように形成されるため、光導波路の近辺の
領域は導体回路の形成等が制限されることとなる。

【００３１】上記光導波路の材料としては、例えば、石
英ガラス、化合物半導体、ポリマー材料等が挙げられ
る。これらのなかでは、加工性に優れるとともに、多層
プリント配線板の層間絶縁層との密着性に優れ、低コス
トである点からポリマーが望ましい。

【００３２】上記ポリマー材料としては、従来公知のも
のを用いることができ、具体的には、例えば、ＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重
水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリ
イミド等のポリイミド樹脂；エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性
エポキシ樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン
樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が
挙げられる。

【００３３】また、上記光導波路の厚さは１〜５０μｍ
が望ましく、その幅は１〜５０μｍが望ましい。上記多
層プリント配線板において、ＩＣチップ実装用基板の受
光素子に対向する位置に形成された光導波路と、ＩＣチ
ップ実装用基板の発光素子に対向する位置に形成された
光導波路とは同一の材料からなるものであることが望ま
しい。また、上記光導波路には、光路変換ミラーが形成
されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成する
ことにより、光路を所望の角度に変更することが可能だ
からである。上記光路変換ミラーの形成は、後述するよ
うに、例えば、光導波路の一端を研削することにより行
うことができる。また、上記多層プリント配線板は、電
気信号を伝達するための半田バンプが形成されているこ
とが望ましい。これにより、外部電子部品との間で電気
信号の伝送を行うことができるからである。

【００３４】具体的には、例えば、両者を半田バンプを
介して接続することにより、上記受光素子および上記発
光素子と上記光導波路とが対向する所定の位置に配置す
ることができる。半田のセルフアライメント作用を利用
することができるからである。なお、上記ＩＣチップ実
装用基板と上記多層プリント配線板とがＰＧＡやＢＧＡ
を介して接続されている場合にも同様の効果を得ること
ができる。

【００３５】以上、説明したように、本発明の光通信用
デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板に実装された受光
素子および発光素子と、多層プリント配線板に形成され
た光導波路との間で光信号を伝送することができるよう
に構成されており、必要に応じて、適宜、光信号伝送用
光路が上記ＩＣチップ実装用基板および／または多層プ
リント配線板に形成されている。また、上述した構成か
らなる本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装
用基板に実装した受光素子および発光素子、ならびに、
多層プリント配線板に形成した光導波路に位置ズレが発
生しにくいため、光信号の接続信頼性に優れることとな
る。

【００３６】以下、上記した構成からなる光通信用デバ
イスの実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は、本発明の光通信用デバイスの一実施形態を
模式的に示す断面図である。なお、図１には、ＩＣチッ
プが実装された状態の光通信用デバイスを示す。

【００３７】図１に示すように、本発明の光通信用デバ
イス１５０は、ＩＣチップ１４０を実装したＩＣチップ
実装用基板１２０と多層プリント配線板１００とから構
成され、ＩＣチップ実装用基板１２０と多層プリント配
線板１００とは、半田接続部１４１を介して電気的に接
続されている。

【００３８】ＩＣチップ用実装基板１２０は、基板１２
１の両面に導体回路１２４（１２４ａ、１２４ｂ）と層
間絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ
導体回路同士、および、層間絶縁層１２２を挟んだ導体
回路同士は、それぞれ、スルーホール１２９（１２９
ａ、１２９ｂ）およびバイアホール１２７（１２７ａ、
１２７ｂ、１２７ｃ、１２７ｄ）により電気的に接続さ
れている。また、ＩＣチップ用実装基板１２０の最外層
には、半田バンプを備えたソルダーレジスト層１３４が
形成されており、加えて、多層プリント配線板１００と
対向する側の最外層は、受光部１３８ａおよび発光部１
３９ａがそれぞれ露出するように、受光素子１３８およ
び発光素子１３９を備えている。

【００３９】多層プリント配線板１００は、基板１０１
の両面に導体回路１０４と層間絶縁層１０２とが積層形
成され、基板１０１を挟んだ導体回路同士、および、層
間絶縁層１０２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、ス
ルーホール１０９およびバイアホール１０７により電気
的に接続されている。また、多層プリント配線板１００
のＩＣチップ用実装基板１２０と対向する側の最外層に
は、光路用開口１１１と半田バンプとを備えたソルダー
レジスト層１１４が形成されるとともに、光路用開口１
１１（１１１ａ、１１１ｂ）直下に光変換ミラー１１９
（１１９ａ、１１９ｂ）を備えた光導波路１１８（１１
８ａ、１１８ｂ）が形成されている。

【００４０】このような構成からなる光通信用デバイス
１５０では、光ファイバ（図示せず）を介して外部から
送られてきた光信号が、光導波路１１８ａに導入され、
光路変換ミラー１１９ａおよび光路用開口１１１ａを介
して受光素子１３８（受光部１３８ａ）に送られた後、
受光素子１３８で電気信号に変換され、さらに、導電層
１４２ａ−導体回路１２４ａ−バイアホール１２７ａ−
スルーホール１２９ａ−バイアホール１２７ｂ−半田接
続部１４３ａを介してＩＣチップ１４０に送られること
となる。

【００４１】また、ＩＣチップ１４０から送り出された
電気信号は、半田接続部１４３ｂ−バイアホール１２７
ｃ−スルーホール１２９ｂ−バイアホール１２７ｄ−導
体回路１２４ｂ−導電層１４２ｂを介して発光素子１３
９に送られた後、発光素子１３９で光信号に変換され、
この光信号が発光素子１３９（発光部１３９ａ）から光
路用開口１１１ｂおよび光変換ミラー１１９ｂ介して光
導波路１１８ｂに導入され、さらに、光ファイバ（図示
せず）を介して光信号として外部に送りだされることと
なる。

【００４２】本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチッ
プ実装用基板内、即ち、ＩＣチップに近い位置で、光／
電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、
より高速通信に対応することができる。また、ＩＣチッ
プから送り出された電気信号は、上述したように光信号
に変換された後、光ファイバを介して外部に送りだされ
るだけでなく、半田バンプを介して多層プリント配線板
に送られ、該多層プリント配線板の導体回路（バイアホ
ール、スルーホールを含む）を介して、多層プリント配
線板に実装された他のＩＣチップ等の電子部品に送られ
ることとなる。図１に示すような本発明の光通信用デバ
イス１５０では、受光素子および発光素子が多層プリン
ト配線板と対向する側の面に実装されることとなる。

【００４３】本発明の光通信用デバイスの実施形態は、
図１に示す形態に限定されるものではなく、例えば、図
２〜６に示すような形態であってもよい。図２〜６は、
それぞれ本発明の光通信用デバイスの別の一例を模式的
に示す断面図である。なお、図２〜６には、ＩＣチップ
が実装された状態の光通信用デバイスを示す。また、図
２〜６に示したそれぞれの光通信用デバイスの構成は、
基本的には、図１に示した光通信用デバイスの実施形態
と略同一であるため、ここでは、図１に示した光通信用
デバイス１５０と異なる点についてのみ説明することと
する。

【００４４】図２に示す光通信用デバイス２５０では、
ＩＣチップ実装用基板２２０に、これを貫通する光信号
伝送用光路２５１が形成されており、この光信号伝送用
光路２５１は、その壁面の一部に導体層２５１ｂが形成
され、さらに、その内部の一部に光路用樹脂２５１ａが
充填されている。また、ＩＣチップ実装用基板２２０で
は、ＩＣチップ２４０が実装された側の面に受光素子２
３８および発光素子２３９が実装され、光信号伝送用光
路２５１を介して、受光素子２３８や発光素子２３９と
光導波路２１９（２１９ａ、２１９ｂ）との間で光信号
を伝送することができるように構成されている。この光
通信用デバイス２５０では、受光素子２３８および発光
素子２３９がＩＣチップ実装用基板２２０のＩＣチップ
２４０を実装した面と同じ側の面に実装されており、受
光素子２３８や発光素子２３９と光導波路２１９とは光
信号伝送用光路２５１を介して光信号の伝送を行うこと
ができる。

【００４５】図３に示す光通信用デバイス３５０では、
多層プリント配線板３００に、基板３０１と層間絶縁層
３０２とソルダーレジスト層３１４とを貫通する光信号
伝送用光路３６１が形成されており、この光信号伝送用
光路３６１を介して、光導波路３１９（３１９ａ、３１
９ｂ）と受光素子３３８や発光素子３３９との間で光信
号の伝送を行うことができるように構成されている。さ
らに、この光信号伝送用光路３６１は、その壁面の一部
に導体層３６１ｂが形成され、その内部の一部に光路用
樹脂３６１ａが充填されている。また、多層プリント配
線板３００では、光導波路３１９の形成位置が、図１に
示す多層プリント配線板１００と異なっており、基板３
０１を挟んでＩＣチップ実装用基板３２０と反対側の最
外層の層間絶縁層３０２上に形成されている。この光通
信用デバイス３５０では、受光素子３３８や発光素子３
３９と光導波路３１９とが、多層プリント配線板３００
に形成された基板３０１と層間絶縁層３０２とソルダー
レジスト層３１４とを貫通する光信号伝送用光路３６１
を介して光信号の伝送を行うことができる。

【００４６】図４に示す光通信用デバイス４５０では、
ＩＣチップ実装用基板４２０に、これを貫通する光信号
伝送用光路４５１が形成されており、この光信号伝送用
光路４５１は、その壁面の一部に導体層４５１ｂが形成
されており、さらに、その内部の一部には光路用樹脂４
５１ａが充填されている。このＩＣチップ実装用基板４
２０の構成は、図２に示したＩＣチップ実装用基板２２
０の構成と同一である。

【００４７】また、多層プリント配線板４００に、基板
４０１と層間絶縁層４０２とソルダーレジスト層４１４
とを貫通する光信号伝送用光路４６１が形成されてお
り、この光信号伝送用光路４６１を介して、光導波路４
１９と受光素子４３８や発光素子４３９との間で光信号
の伝送を行うことができるように構成されている。この
多層プリント配線板４００の構成は、図３に示した多層
プリント配線板３００の構成と同一である。この光通信
用デバイス４５０では、受光素子４３８や発光素子４３
９と光導波路４１９とが、ＩＣチップ実装用基板４２０
に形成された、これを貫通する光信号伝送用光路４５１
と、多層プリント配線板４００に形成された基板４０１
と層間絶縁層４０２とソルダーレジスト層４１４とを貫
通する光信号伝送用光路４６１とを介して光信号の伝送
を行うことができる。

【００４８】また、図５に示すＩＣチップ実装用基板で
は、受光素子５３８がＩＣチップ実装用基板５２０の多
層プリント配線板５００と対向する側の面に実装されて
おり、発光素子５３９が多層プリント配線板５００と対
向する側の面と反対側の面に実装されている。また、発
光素子５３９が多層プリント配線板５００に形成された
光導波路との間で光信号の伝送を行うことができるよう
に、ＩＣチップ実装用基板５２０を貫通する光信号伝送
用光路５５１が形成されている。光信号伝送用光路５５
１は、その壁面の一部に導体層５５１ｂが形成され、そ
の内部の一部に光路用樹脂層５５１ａが形成されてい
る。

【００４９】また、多層プリント配線板５００には、光
導波路が形成されており、受光素子５３８との間で光信
号を伝送するための光導波路５１８ａが、基板５０１を
挟んでＩＣチップ実装用基板５２０に近い側の最外層の
層間絶縁層５０２上に形成されており、発光素子５３９
との間で光信号を伝送するための光導波路５１８ｂは、
基板５０１を挟んでＩＣチップ実装用基板５２０と反対
側の最外層の層間絶縁層５０２上に形成されている。さ
らに、多層プリント配線板５００には、発光素子５３９
と光導波路６１８ｂとの間で光信号を伝送するための光
信号伝送用光路５６１が形成されている。光信号伝送用
光路５６１は、基板５０１と層間絶縁層５０２とソルダ
ーレジスト層５１４とを貫通するように形成されてお
り、その壁面の一部には導体層５６１ｂが形成され、そ
の内部の一部には光路用樹脂層５６１ａが形成されてい
る。

【００５０】この光通信用デバイス５５０では、発光素
子５３９と光導波路５１９ｂとが、ＩＣチップ実装用基
板５２０に形成された、これを貫通する光信号伝送用光
路５５１と、多層プリント配線板５００に形成された基
板５０１と層間絶縁層５０２とソルダーレジスト層５１
４とを貫通する光信号伝送用光路５６１とを介して光信
号の伝送を行うことができる。なお、受光素子５３８と
光導波路５１９ａとは、多層プリント配線板５００のソ
ルダーレジスト層に形成された光路用開口５１１ａを介
して光信号を伝送することができる。

【００５１】また、図６に示す光通信用デバイス６５０
では、ＩＣチップ実装用基板６２０の多層プリント配線
板６００と対向する側の面と反対側の面に受光素子６３
８が実装されており、発光素子６３９が多層プリント配
線板６００と対向する側の面に実装されている。また、
受光素子６３８が多層プリント配線板６００に形成され
た光導波路６１８ａとの間で光信号の伝送を行うことが
できるように、ＩＣチップ実装用基板６２０を貫通する
光信号伝送用光路６５１が形成されている。この光信号
伝送用光路６５１は、その壁面の一部に導体層６５１ａ
が形成されており、その内部の一部に光路用樹脂層が形
成されている。

【００５２】また、多層プリント配線板６００には、光
導波路６１９が形成されており、受光素子６３８との間
で光信号を伝送するための光導波路６１８ａは、基板６
０１を挟んでＩＣチップ実装用基板６２０に近い側の最
外層の層間絶縁層上に形成されており、発光素子６３９
との間で光信号を伝送するための光導波路６１８ｂは、
基板６０１を挟んでＩＣチップ実装用基板６２０と反対
側の最外層の層間絶縁層上に形成されている。さらに、
多層プリント配線板６００には、発光素子６３９と光導
波路６１８ｂとの間で光信号を伝送するための光信号伝
送用光路６５１が形成されている。光信号伝送用光路６
６１は、基板６０１と層間絶縁層６０２とソルダーレジ
スト層６１４とを貫通するように形成されており、その
壁面の一部には導体層６６１ｂが形成され、その内部の
一部には光路用樹脂層６６１ａが形成されている。

【００５３】この光通信用デバイス６５０では、発光素
子６３９と光導波路６１９ｂとが、多層プリント配線板
６００に形成された基板６０１と層間絶縁層６０２とソ
ルダーレジスト層６１４を貫通する光信号伝送用光路６
６１を介して光信号の伝送を行うことができる。また、
受光素子６３８と光導波路６１９ａとは、ＩＣチップ実
装用基板６２０に形成された、これを貫通する光信号伝
送用光路６５１を介して光信号を伝送することができ
る。図１〜６に示した光通信用デバイスに形成された光
信号伝送用光路は、その壁面に導体層が形成され、その
内部に光路用樹脂層が形成されているが、これらの導体
層や光路用樹脂層は必要に応じて形成すればよい。

【００５４】なお、上述したように、本発明のＩＣチッ
プ実装用基板の実施形態は、図１〜６に示した形態に限
定されるわけではなく、受光素子や発光素子の実装位
置、光導波路の形成位置、光信号伝送用光路を形成する
か否かを適宜選択して組み合わせた形態であればよい。
また、このような本発明の光通信用デバイスに実装され
るＩＣチップは、ワイヤボンディングにより実装される
ものであってもよいし、フリップチップ接続により実装
されるものであってもよいが、フリップチップ接続によ
り実装されるものであることが望ましい。

【００５５】次に、本発明の光通信用デバイスを製造す
る方法について説明する。上記光通信用デバイスは、例
えば、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを
別々に製造した後、ＩＣチップ実装用基板の受光素子お
よび発光素子と、多層プリント配線板の導体回路とが対
向するように両者を配置し、さらに、リフロー処理によ
り、両者の位置を調整しながら半田バンプ同士を接続
し、半田接続部を形成することにより製造する。従っ
て、ここでは、まず、ＩＣチップ実装用基板の製造方法
と、多層プリント配線板の製造方法とを別々に説明し、
その後、両者を接続する方法について説明することとす
る。

【００５６】まず、ＩＣチップ実装用基板の製造方法に
ついて説明する。なお、上述したように、上記ＩＣチッ
プ実装用基板はビルドアップ法を用いて形成されている
ことが望ましいため、ここではビルドアップ法によるＩ
Ｃチップ実装用基板を中心に説明することとする。

【００５７】（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、
該絶縁性基板上に導体回路を形成する。上記絶縁性基板
としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル
基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン
（ＢＴ）樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基
板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等が挙げられる。また、窒
化アルミニウム基板等のセラミック基板や、シリコン基
板を用いてもよい。上記導体回路は、例えば、上記絶縁
性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層
を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成す
ることができる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板にエッ
チング処理を施すことにより形成してもよい。

【００５８】また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間
の接続をスルーホールにより行う場合には、例えば、上
記絶縁性基板にドリルやレーザ等を用いて貫通孔を形成
した後、無電解めっき処理等を施すことによりスルーホ
ールを形成しておく。なお、上記貫通孔の直径は、通
常、１００〜３００μｍである。また、スルーホールを
形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充
填することが望ましい。

【００５９】また、この工程では、必要に応じて、スル
ーホール用の貫通孔を形成するとともに、光信号伝送用
光路を形成するための貫通孔（以下、光路用貫通孔とも
いう）を形成してもよい。また、上記光路用貫通孔の壁
面には、必要に応じて、導体層を形成してもよい。上記
導体層は、光沢を有する金属を用いて形成することが望
ましく、具体的には、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ等を用
いて形成することが望ましい。さらに、上記光路用貫通
孔内には、光路用樹脂層を形成するための樹脂組成物を
充填してよい。なお、樹脂組成物の充填は、後工程で、
光路用貫通孔と連通した開口を有する層間絶縁層を形成
した後に行ってもよい。

【００６０】（２）次に、必要に応じて、導体回路の表
面に粗化形成処理を施す。上記粗化形成処理としては、
例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸
塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃ
ｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を挙げること
ができる。ここで、粗化面を形成した場合、該粗化面の
平均粗度は、通常、０．１〜５μｍが望ましく、導体回
路と層間絶縁層との密着性、導体回路の電気信号伝送能
に対する影響等を考慮すると２〜４μｍがより望まし
い。なお、この粗化形成処理は、スルーホール内に樹脂
充填材を充填する前に行い、スルーホールの壁面にも粗
化面を形成してもよい。スルーホールと樹脂充填材との
密着性が向上するからである。

【００６１】（３）次に、導体回路を形成した基板上
に、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が
アクリル化された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む
樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、また
は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。上記未硬
化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテ
ンコーター等により塗布したり、未硬化（半硬化）の樹
脂フィルムを熱圧着したりすることにより形成すること
ができる。また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、
フィルム上に成形した樹脂成形体を熱圧着することによ
り形成することができる。

【００６２】これらのなかでは、未硬化（半硬化）の樹
脂フィルムを熱圧着する方法が望ましく、樹脂フィルム
の圧着は、例えば、真空ラミネータ等を用いて行うこと
ができる。また、圧着条件は特に限定されず、樹脂フィ
ルムの組成等を考慮して適宜選択すればよいが、通常
は、圧力０．２５〜１．０ＭＰａ、温度４０〜７０℃、
真空度１３〜１３００Ｐａ、時間１０〜１２０秒程度の
条件で行うことが望ましい。

【００６３】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹
脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記エポキシ樹脂の具
体例としては、例えば、フェノールノボラック型、クレ
ゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂や、
ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が
挙げられる。

【００６４】上記感光性樹脂としては、例えば、アクリ
ル樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂の一部
をアクリル化した樹脂としては、例えば、上記した熱硬
化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをア
クリル化反応させたもの等が挙げられる。

【００６５】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリ
スルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（Ｐ
ＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（Ｐ
Ｉ）等が挙げられる。

【００６６】また、上記樹脂複合体としては、熱硬化性
樹脂や感光性樹脂（熱硬化性樹脂の一部をアクリル化し
た樹脂も含む）と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特
に限定されず、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的
な組み合わせとしては、例えばフェノール樹脂／ポリエ
ーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、
エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂
／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と
熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例え
ば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部
をアクリル化したエポキシ樹脂とポリエーテルスルフォ
ン等が挙げられる。

【００６７】また、上記樹脂複合体における熱硬化性樹
脂や感光性樹脂と熱可塑性樹脂との配合比率は、熱硬化
性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５
０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱
性値を確保することができるからである。

【００６８】また、上記樹脂層は、２層以上の異なる樹
脂層から構成されていてもよい。具体的には、例えば、
下層が熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝
５０／５０の樹脂複合体から形成され、上層が熱硬化性
樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９０／１０の樹
脂複合体から形成されている等である。このような構成
にすることにより、絶縁性基板との優れた密着性を確保
するとともに、後工程でバイアホール用開口等を形成す
る際の形成容易性を確保することができる。また、上記
樹脂層の代わりに心材入りの基材やガラエポ入り樹脂基
材等からなる層を形成してもよい。

【００６９】また、上記樹脂層は、粗化面形成用樹脂組
成物を用いて形成してもよい。上記粗化面形成用樹脂組
成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ば
れる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未
硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよ
び酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に
対して可溶性の物質が分散されたものである。なお、上
記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化
液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早い
ものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅
いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００７０】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、
粗化面の形状を保持することができるものが好ましく、
例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体
等が挙げられる。また、感光性樹脂を用いることによ
り、層間絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール
用開口を形成してもよい。

【００７１】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱
硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリ
ル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。

【００７２】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。

【００７３】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。

【００７４】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子から選ばれる少
なくとも１種であることが望ましい。

【００７５】上記無機粒子としては、例えば、アルミニ
ウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグ
ネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

【００７６】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、
上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライ
ト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上併用してもよい。

【００７７】上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去す
ることができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去するこ
とができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイト
はアルカリ水溶液で溶解除去することができる。

【００７８】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上併用してもよい。なお、上記樹
脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬
化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを
溶解させる溶剤に溶解してしまうこととなるからであ
る。

【００７９】また、上記樹脂粒子としては、ゴム粒子や
液相樹脂、液相ゴム等を用いてもよい。上記ゴム粒子と
しては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、
ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリル
ゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シ
リコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。また、例え
ば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変
性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブ
タジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アク
リロニトリル・ブタジエンゴム等を使用してもよい。

【００８０】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。上記液
相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴ
ム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニ
トリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキ
シル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエ
ンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。

【００８１】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分
離するように）ように、これらの物質を選択する必要が
ある。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリック
スと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性
樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴ
ムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂また
は液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。そして、このような状態の感光性樹脂
組成物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂
または液相ゴムを除去することにより粗化面を形成する
ことができる。

【００８２】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。

【００８３】上記可溶性の物質を、２種以上混合して用
いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせと
しては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望まし
い。両者とも導電性が低くいため、層間絶縁層の絶縁性
を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で
熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成物か
らなる層間絶縁層にクラックが発生せず、層間絶縁層と
導体回路との間で剥離が発生しないからである。

【００８４】上記粗化液として用いる酸としては、例え
ば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機
酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いる
ことが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールか
ら露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上
記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、ア
ルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の
水溶液等を用いることが望ましい。また、上記アルカリ
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶
液が望ましい。

【００８５】上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ
以下が望ましい。また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒
径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな
微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒
径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１
〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。

【００８６】このように、平均粒子と相対的に大きな粗
粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせ
ることにより、無電解めっき膜の溶解残渣をなくし、め
っきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さら
に、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。さら
に、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸
が小さくても実用的なピール強度を維持することができ
る。上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μ
ｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍ
であることが望ましい。

【００８７】（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間絶縁層を形成する場合には、
未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイア
ホール用開口を形成し、層間絶縁層とする。また、この
工程では、必要に応じて、貫通孔（スルーホール形成用
の貫通孔や光信号伝送用光路形成用の貫通孔）を形成し
てもよい。上記バイアホール用開口は、レーザ処理によ
り形成することが望ましい。また、層間絶縁層の材料と
して感光性樹脂を用いた場合には、露光現像処理により
形成してもよい。

【００８８】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からな
る樹脂層にバイアホール用開口を形成し、層間絶縁層と
する。この場合、バイアホール用開口は、レーザ処理を
施すことにより形成することができる。また、この工程
で貫通孔を形成する場合、該貫通孔は、ドリル加工やレ
ーザ処理等により形成すればよい。また、上記（１）の
工程で、光路用貫通孔を形成した場合、ここでは、バイ
アホール用開口を形成するともに、上記光路用貫通孔に
連通した光路用開口を形成することが望ましい。この光
路用開口もまた、後工程を経て光信号伝送用光路の一部
となる。

【００８９】上記レーザ処理に使用するレーザとして
は、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマ
レーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレ
ーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。

【００９０】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。

【００９１】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。また、光
学系レンズと、マスクとを介してレーザ光を照射するこ
とにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成する
ことができる。光学系レンズとマスクとを介することに
より、同一強度で、かつ、照射強度が同一のレーザ光を
複数の部分に照射することができるからである。このよ
うにしてバイアホール用開口を形成した後、必要に応じ
て、デスミア処理を施してもよい。

【００９２】（５）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間絶縁層の表面に、導体回路を形成する。導体回
路を形成するにあたっては、まず、層間絶縁層の表面に
薄膜導体層を形成する。上記薄膜導体層は、無電解めっ
き、スパッタリング等の方法により形成することができ
る。

【００９３】上記薄膜導体層の材質としては、例えば、
銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等
が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等
に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望
ましい。また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解
めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、０．３〜
２．０μｍが望ましく、０．６〜１．２μｍがより望ま
しい。また、スパッタリングにより形成する場合には、
０．１〜１．０μｍが望ましい。

【００９４】また、上記薄膜導体層を形成する前に、必
要に応じて、層間絶縁層の表面に粗化面を形成しておい
てもよい。粗化面を形成することにより、層間絶縁層と
薄膜導体層との密着性を向上させることができる。特
に、粗化面形成用樹脂組成物を用いて層間絶縁層を形成
した場合には、酸や酸化剤等を用いて粗化面を形成する
ことが望ましい。

【００９５】また、上記（４）の工程でスルーホール形
成用の貫通孔を形成した場合には、層間絶縁層上に薄膜
導体層を形成する際に、該貫通孔の壁面にも薄膜導体層
を形成することによりスルーホールとしてもよい。ま
た、上記（４）の工程で光路用貫通孔を形成した場合に
は、該光路用貫通孔の壁面にも導体層を形成してもよ
く、その場合、上述したような光沢を有する金属からな
る導体層を形成することが望ましい。

【００９６】（６）次いで、その表面に薄膜導体層が形
成された基板の上にめっきレジストを形成する。上記め
っきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り
付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス
基板等からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処
理を施すことにより形成することができる。

【００９７】（７）その後、薄膜導体層をめっきリード
として電気めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部
に電気めっき層を形成する。上記電気めっきとしては、
銅めっきが望ましい。また、上記電気めっき層の厚さ、
５〜２０μｍが望ましい。

【００９８】その後、上記めっきレジストと該めっきレ
ジスト下の無電解めっき膜および薄膜導体層とを除去す
ることにより導体回路（バイアホールを含む）を形成す
ることができる。上記めっきレジストの除去は、例え
ば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導
体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナ
トリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二
銅等のエッチング液を用いて行えばよい。また、上記導
体回路を形成した後、必要に応じて、層間絶縁層上の触
媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低
下を防止することができるからである。また、このめっ
きレジストを形成した後、電気めっき層を形成する方法
（工程（６）および（７））に代えて、薄膜導体層上の
全面に電気めっき層を形成した後、エッチング処理を施
す方法を用いて導体回路を形成してもよい。

【００９９】また、上記（４）および（５）の工程にお
いてスルーホールを形成した場合には、該スルーホール
内に樹脂充填材を充填してもよい。また、スルーホール
内に樹脂充填材を充填した場合、必要に応じて、無電解
めっきを行うことにより樹脂充填材層の表層部を覆う蓋
めっき層を形成してもよい。また、上記（４）の工程
で、光路用貫通孔を形成した場合には、この工程で、別
途、光路用樹脂層を形成するための樹脂組成物を充填し
てもよい。

【０１００】（８）次に、蓋めっき層を形成した場合に
は、必要に応じて、該蓋めっき層の表面に粗化処理を行
い、さらに、必要に応じて、（３）〜（７）の工程を繰
り返すことにより、その両面に層間絶縁層と導体回路と
を積層形成する。なお、この工程では、スルーホールを
形成してもよいし、形成しなくてもよい。また、場合に
よっては、この工程で光路用貫通孔を形成してもよい。

【０１０１】（９）次に、導体回路と層間絶縁層とを形
成した基板の最外層にソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑
性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等から
なるソルダーレジスト組成物を用いて形成することがで
きる。

【０１０２】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。

【０１０３】（１０）次に、上記ソルダーレジスト層
に、半田バンプ形成用開口と光学素子実装用開口とを形
成する。上記半田バンプ形成用開口と光学素子実装用開
口との形成は、バイアホール用開口を形成する方法と同
様の方法、即ち、露光現像処理やレーザ処理を用いて行
うことができる。また、ソルダーレジスト層を形成する
際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを
作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田
バンプ形成用開口と光学素子実装用開口とを有するソル
ダーレジスト層を形成してもよい。また、上述した工程
で光路用貫通孔を形成した場合には、該光路用貫通孔と
連通した開口をソルダーレジスト層に形成する。この開
口もまた、光信号伝送用光路の一部となる。なお、場合
によっては、上述した導体回路、層間絶縁層およびソル
ダーレジスト層を基板上に形成した後、これらを貫通す
る光路用貫通孔を一度に形成してもよい。

【０１０４】（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口
を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に
応じて、ニッケル、スズ、パラジウム、金、銀、白金等
の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。これら
のなかでは、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−
パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により
被覆層を形成することが望ましい。上記被覆層は、例え
ば、めっき、蒸着、電着等により形成することができる
が、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという
点からめっきにより形成することが望ましい。また、こ
の工程では、光学素子実装用開口を形成することにより
露出した導体回路部分にも被覆層を形成することが望ま
しい。

【０１０５】（１２）次に、上記半田パッドに相当する
部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パ
ッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることに
より半田バンプを形成する。

【０１０６】（１３）さらに、ソルダーレジスト層に光
学素子（受光素子および発光素子）を実装する。光学素
子の実装は、例えば、上記（１２）の工程で光学素子実
装用開口にも半田ペーストを充填しておき、さらに、リ
フローを行う際に、上記光学素子を取り付けることによ
り半田（導電層）を介して実装すればよい。また、半田
ペーストに代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を
実装してもよい。これらの方法を用いた場合には、受光
素子および発光素子はソルダーレジスト層の表面に実装
されることとなる。また、ＩＣチップ実装用基板を貫通
する光信号伝送用光路を形成した場合も、受光素子や発
光素子は、ソルダーレジスト層の表面に実装する望まし
い。その理由は上述した通りである。また、この工程で
実装する光学素子（受光素子や発光素子）は、フリップ
チップタイプのものが望ましい。

【０１０７】また、上記した表面実装する方法に代え
て、上記（１０）の工程で光学素子実装用開口を形成す
る際に光学素子を収納することができる大きさで開口を
形成し、その後、導電性接着剤を介して開口内に光学素
子を収納することにより実装してもよい。この場合、受
光素子および発光素子はソルダーレジスト層に内蔵され
ることとなる。このような工程を経ることにより、本発
明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板
を製造することができる。

【０１０８】次に、多層プリント配線板の製造方法につ
いて説明する。（１）まず、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法の
（１）〜（８）と同様の工程を行いその両面に導体回路
と層間絶縁層とが繰り返し積層形成された基板を作製す
る。なお、この工程でも、スルーホールを適宜形成して
おく。また、この工程では、ＩＣチップ実装用基板の製
造工程と同様、必要に応じて、光信号伝送用光路を形成
するための光路用貫通孔を形成する。光路用貫通孔を形
成するか否かは、光導波路の形成位置等の多層プリント
配線板の設計を考慮して適宜決定すればよい。また、上
記光路用貫通孔を形成した場合には、該光路用貫通孔の
壁面に光沢を有する金属等からなる導体層を形成しても
よい。また、光路用貫通孔の内部に、光路用樹脂層を形
成するための樹脂組成物を充填してもよい。

【０１０９】（２）次に、ＩＣチップ実装用基板と対向
する側の層間絶縁層上の導体回路非形成部に光導波路を
形成する。上記光導波路の形成は、その材料に石英ガラ
ス等の無機材料を用いて行う場合、予め、所定の形状に
成形しておいた光導波路を接着剤を介して取り付けるこ
とにより行うことができる。また、上記（１）の工程で
基板および層間絶縁層を貫通する光路を形成した場合に
は、基板を挟んでＩＣチップ実装用基板と側と反対側の
層間絶縁層上に光導波路を形成することとなる。なお、
光導波路の形成位置は、最外層の層間絶縁層上に限定さ
れるわけではなく、層間絶縁層同士の間であってもよ
い。また、上記無機材料からなる光導波路は、例えば、
ＬｉＮｂＯ₃ 、ＬｉＴａＯ₃等の無機材料を液相エピタ
キシヤル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシ
ヤル法等により成膜させることにより形成することがで
きる。

【０１１０】また、上記光導波路をポリマー材料を用い
て形成する場合は、予め、基板や離型フィルム上でフィ
ルム状に成形しておいた光導波路形成用フィルムを層間
絶縁層上に張り付けたり、層間絶縁層上に直接形成する
ことより、光導波路を形成することができる。具体的に
は、選択重合法、反応性イオンエッチングとフォトリソ
グラフィーとを用いる方法、直接露光法、射出成形を用
いる方法、フォトブリーチング法、これらを組み合わせ
た方法等を用いて形成することができる。なお、これら
の方法は、光導波路を基板や離型フィルム上に形成する
場合にも、層間絶縁層上に形成する直接形成する場合に
も用いることができる。

【０１１１】また、上記光導波路には、光路変換ミラー
を形成する。上記光路変換ミラーを層間絶縁層上に取り
付ける前に形成しておいてもよいし、層間絶縁層上に取
り付けた後に形成してもよいが、該光導波路を層間絶縁
層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラー
を形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うこと
ができ、また、作業時に多層プリント配線板を構成する
他の部材、例えば、導体回路や層間絶縁層等に傷を付け
たり、これらを破損させたりするおそれがないからであ
る。

【０１１２】上記光路変換ミラーを形成する方法として
は特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることが
できる。具体的には、先端がＶ形９０°のダイヤモンド
ソーや刃物による機械加工、反応性イオンエッチングに
よる加工、レーザアブレーション等を用いることができ
る。

【０１１３】（３）次に、光導波路を形成した基板の最
外層にソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレ
ジスト層は、例えば、上記ＩＣチップ実装用基板のソル
ダーレジスト層を形成する際に用いた樹脂組成物と同様
の樹脂組成物を用いて形成することができる。

【０１１４】（４）次に、ＩＣチップ実装用基板と対向
する側のソルダーレジスト層に半田バンプ形成用開口と
光路用開口とを形成する。上記半田バンプ形成用開口と
光路用開口との形成は、ＩＣチップ実装用基板に半田バ
ンプ形成用開口を形成する方法と同様の方法、即ち、露
光現像処理やレーザ処理等を用いて行うことができる。
なお、上記半田バンプ形成用開口の形成と、光路用開口
の形成とは同時に行ってもよいし、別々に行ってもよ
い。また、上記（１）〜（３）の工程において、基板お
よび層間絶縁層を貫通する光路を形成した場合には、こ
の開口に連通した光路用開口をソルダーレジスト層に形
成する。このように連通した光路用開口を形成すること
により、この光路用開口は、光信号伝送用光路の一部と
なる。ソルダーレジスト層を形成した後に、基板と層間
絶縁層とソルダーレジスト層とを貫通する光路を一度に
形成してもよい。

【０１１５】これらのなかでは、ソルダーレジスト層を
形成する際に、その材料として感光性樹脂を含む樹脂組
成物を塗布し、露光現像処理を施すことにより半田バン
プ形成用開口と光路用開口とを形成する方法を選択する
ことが望ましい。露光現像処理により光路用開口を形成
する場合には、開口形成時に、該光路用開口の下に存在
する光導波路に傷を付けるおそれがないからである。ま
た、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の
位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィ
ルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と
光路用開口とを有するソルダーレジスト層を形成しても
よい。

【０１１６】また、必要に応じて、ＩＣチップ実装用基
板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも半田
バンプ形成用開口を形成してもよい。後工程を経ること
により、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側の
ソルダーレジスト層にも外部接続端子を形成することが
できるからである。

【０１１７】（５）次に、上記半田バンプ形成用開口を
形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応
じて、ニッケル、スズ、パラジウム、金、銀、白金等の
耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。具体的に
は、ＩＣチップ実装用基板に半田パッドを形成する方法
と同様の方法を用いて行えばよい。

【０１１８】（６）次に、上記半田パッドに相当する部
分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッ
ドに半田ペーストを充填した後、リフローすることによ
り半田バンプを形成する。なお、場合によっては、ＰＧ
ＡやＢＧＡを形成してもよい。また、ＩＣチップ実装用
基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層では、
外部基板接続面に、ピンを配設したり、半田ボールを形
成したりすることにより、ＰＧＡ（Pin Grid Array）や
ＢＧＡ（Ball Grid Array)としてもよい。このような工
程を経ることにより、本発明の光通信用デバイスを構成
する多層プリント配線板を製造することができる。

【０１１９】次に、上記した方法で製造したＩＣチップ
実装用基板と多層プリント配線板とを用い、光通信用デ
バイスを製造する方法について説明する。まず、上記Ｉ
Ｃチップ実装用基板の半田バンプと、上記多層プリント
配線板の半田バンプとにより半田接続部を形成し、両者
を電気的に接続する。即ち、ＩＣチップ実装用基板と多
層プリント配線板とをそれぞれ所定の位置に、所定の向
きで対向配置し、リフローすることにより両者を接続す
る。

【０１２０】また、この工程では、ＩＣチップ実装用基
板と多層プリント配線板とを両者の半田バンプを用いて
接続するため、両者を対向配置した際に、両者の間で若
干の位置ズレが存在していても、リフロー時に半田によ
るセルフアライメント効果で両者を所定の位置に配置す
ることができる。

【０１２１】次に、上記ＩＣチップ実装用基板にＩＣチ
ップを実装し、その後、必要に応じて、樹脂封止を行う
ことにより光通信用デバイスとする。上記ＩＣチップの
実装は従来公知の方法で行うことができる。なお、ＩＣ
チップは、上述したように、フリップチップ接続により
実装することができるものが望ましい。また、ＩＣチッ
プの実装を、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線
板とを接続する前に行い、ＩＣチップを実装したＩＣチ
ップ実装用基板と多層プリント配線板とを接続すること
により光通信用デバイスとしてもよい。

【０１２２】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）Ａ．ＩＣチップ実装用基板の作製Ａ−１．層間絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【０１２３】Ａ−２．貫通孔充填用樹脂組成物の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【０１２４】Ａ−３．ＩＣチップ実装用基板の製造（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板
２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされてい
る銅張積層板を出発材料とした（図７（ａ）参照）。ま
ず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理
を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板
２１の両面に導体回路２４とスルーホール２９とを形成
した。

【０１２５】（２）スルーホール２９と導体回路２４と
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする
黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、スルーホール２９を含む導体回路２４の表面に粗
化面２４ａ、２９ａを形成した（図７（ｂ）参照）。

【０１２６】（３）上記Ａ−２に記載した樹脂充填材を
調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、
スルーホール２９内および基板２１の片面の導体回路非
形成部と導体回路２４の外縁部とに樹脂充填材３０′の
層を形成した。すなわち、まず、スキージを用いてスル
ーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２
０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相
当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキー
ジを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂
充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させる
ことにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図７
（ｃ）参照）。

【０１２７】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用
いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面や
スルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残
らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよう
な一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行っ
た。次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１
５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って
樹脂充填材層３０を形成した。

【０１２８】このようにして、スルーホール２９や導体
回路非形成部に形成された樹脂充填材３０の表層部およ
び導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材３０と導
体回路２４の側面２４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、また、スルーホール２９の内壁面２９ａと樹脂充填
材３０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を
得た（図７（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材
層３０の表面と導体回路２４の表面とが同一平面とな
る。

【０１２９】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスル
ーホール２９のランド表面と内壁とをエッチングするこ
とにより、導体回路２４の全表面に粗化面２４ａ、２９
ａを形成した（図８（ａ）参照）。エッチング液とし
て、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコー
ル酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング
液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

【０１３０】（６）次に、上記Ａ−１で作製した基板よ
り少し大きめの層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載
置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒
の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法に
より真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより
層間絶縁層２２を形成した（図８（ｂ）参照）。すなわ
ち、層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５
Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０、時間６０秒の条件
で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
た。

【０１３１】（７）次に、層間絶縁層２２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間絶
縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を
形成した（図８（ｃ）参照）。

【０１３２】（８）バイアホール用開口２６を形成した
基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液
に１０分間浸漬し、層間絶縁層２２の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面を形成し
た（図８（ｄ）参照）。

【０１３３】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間絶縁層
２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）
に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を
塩化パラジウム（ＰｄＣｌ₂ ）と塩化第一スズ（ＳｎＣ
ｌ₂ ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析
出させることにより触媒を付与した。

【０１３４】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層２２の表面
（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、
貫通孔２９の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅
めっき膜３２を形成した（図９（ａ）参照）。

【０１３５】〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３０℃の液温度で４０分

【０１３６】（１１）次に、無電解銅めっき膜３２が形
成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、
０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することによ
り、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図９
（ｂ）参照）。

【０１３７】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジス
ト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３
を形成した（図９（ｃ）参照）。

【０１３８】〔電解めっき液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１３９】（１３）さらに、めっきレジスト２３を５
％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３
下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜３２と
電解銅めっき膜３３とからなる厚さ１８μｍの導体回路
２５（バイアホール２７を含む）を形成した（図９
（ｄ）参照）。さらに、上記（５）の工程で用いたエッ
チング液と同様のエッチング液（メックエッチボンド）
を用い、導体回路２５（バイアホール２７を含む）表面
に粗化面を形成した。

【０１４０】（１４）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（ｒｐ
ｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）
の場合はローターＮｏ．３によった。

【０１４１】（１５）次に、層間絶縁層２２と導体回路
２５（バイアホール２７を含む）とを形成した基板の両
面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで
塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で
乾燥処理を行い、ソルダーレジス組成物の層３４′を形
成した（図１０（ａ）参照）。

【０１４２】（１６）次いで、半田バンプ形成用開口と
光学素子（受光素子および発光素子）用開口のパターン
が描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジ
スト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露
光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の
開口を形成した。そして、さらに、８０℃で１時間、１
００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間
の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層
を硬化させ、半田バンプ形成用開口３５と光学素子用開
口３１とを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジス
ト層３４を形成した（図１０（ｂ）参照）。なお、上記
ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジ
スト組成物を使用することもできる。

【０１４３】（１７）次に、ソルダーレジスト層３４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口３５と光学素子
用開口３１に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成し
た。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×
１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０
^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1
ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1
ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で
７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．
０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とし
た。

【０１４４】（１８）次に、ソルダーレジスト層３４に
形成した半田バンプ形成用開口３５と光学素子用開口３
１に半田ペーストを印刷し、さらに、光学素子用開口３
１に印刷した半田ペーストに、受光素子３８および発光
素子３９の受光部３８ａおよび発光部３９ａの位置合わ
せを行いながら取り付け、２００℃でリフローすること
により、受光素子３８および発光素子３９を実装すると
ともに、半田バンプ形成用開口３５に半田バンプ３７を
形成し、ＩＣチップ実装用基板とした。なお、受光素子
３８としては、ＩｎＧａＡｓからなるものを用い、発光
素子３９としては、ＩｎＧａＡｓＰからなるものを用い
た（図１０（ｃ）参照）。

【０１４５】Ｂ．多層プリント配線板の作製Ｂ−１．層間絶縁層用樹脂フィルムの作製Ａ−１で用いた方法と同様の方法を用いて層間絶縁層用
樹脂フィルムを作製した。Ｂ−２．貫通孔充填用樹脂組成物の調製Ａ−２で用いた方法と同様の方法を用いて貫通孔充填用
樹脂組成物を作製した。

【０１４６】Ｂ−３．多層プリント配線板の製造（１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
樹脂からなる絶縁性基板１の両面に１８μｍの銅箔８が
ラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図
１１（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔
し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチング
することにより、基板１の両面に導体回路４とスルーホ
ール９とを形成した。

【０１４７】（２）スルーホール２９と導体回路２４と
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液
（メック社製、メックエッチボンド）をスプレイで吹き
付け、スルーホール９を含む導体回路４の表面に粗化面
４ａ、９ａを形成した（図１１（ｂ）参照）。

【０１４８】（３）上記Ｂ−２に記載した樹脂充填材を
調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、
スルーホール９内および基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０′の層を形
成した。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホー
ル内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の
条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する
部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用
いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材
を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることに
より樹脂充填材１０′の層を形成した（図１１（ｃ）参
照）。

【０１４９】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用
いたベルトサンダー研磨により、導体回路４の表面やス
ルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０′が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃
で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充
填材層１０を形成した。

【０１５０】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と導体回
路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、ま
た、スルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが
粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１
１（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層１０の
表面と導体回路４の表面とが同一平面となる。

【０１５１】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹き付けて、導体回路４の表面とスルー
ホール９のランド表面と内壁とをエッチングすることに
より、導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成し
た（図１２（ａ）参照）。なお、エッチング液として
は、メック社製、メックエッチボンドを使用した。

【０１５２】（６）次に、上記Ｂ−１で作製した基板よ
り少し大きめの層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載
置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒
の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法に
より真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより
層間絶縁層２を形成した（図１２（ｂ）参照）。すなわ
ち、層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５
Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０、時間６０秒の条件
で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
た。

【０１５３】（７）次に、層間絶縁層２上に、厚さ１．
２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１
０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍ
ｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスク
の貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間絶縁
層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形成し
た（図１２（ｃ）参照）。

【０１５４】（８）次に、日本真空技術社製、ＳＶ−４
５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間絶縁層２の表
面を粗化した（図１２（ｄ）参照）。ここでは、不活性
ガスとしてアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス
圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で２分間プラズマ処理
を行った。次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガス
を交換した後、ＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲッ
トにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０
℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉから
なる金属層を層間絶縁層２の表面に形成した。なおＮｉ
層の厚さは０．１μｍである。

【０１５５】（９）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に、Ｎｉ層を形成した基板を浸漬し、Ｎｉ層上
に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し
た（図１３（ａ）参照）。なお、図１３においては、Ｎ
ｉ層と無電解銅めっき膜とからなる層を薄膜導体層１２
と示している。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３０℃の液温度で４０分

【０１５６】（１０）次に、薄膜導体層１２が形成され
た基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％
炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ
２０μｍのめっきレジスト３を設けた（図１３（ｂ）参
照）。

【０１５７】（１１）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジス
ト３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３を形
成した（図１３（ｃ）参照）。〔電解めっき液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１５８】（１２）さらに、めっきレジスト２３を５
％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下
の薄膜導体層を硝酸、硫酸および過酸化水素との混合液
でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層１２と電
解銅めっき膜１３とからなる厚さ１８μｍの導体回路５
（バイアホール７を含む）を形成した（図１３（ｄ）参
照）。

【０１５９】（１３）次に、上記（５）〜（１２）の工
程の工程を繰り返すことにより、上層の層間絶縁層と導
体回路とを積層形成した（図１４（ａ）〜図１５（ａ）
参照）。さらに、上記（５）の工程で用いた方法と同様
の方法を用いて最外層の導体回路に粗化面を形成した。

【０１６０】（１４）次に、最外層の層間絶縁層２の表
面の所定の位置に、以下の方法を用いて光路変換ミラー
１９を有する光導波路１８を形成した（図１５（ｂ）参
照）。すなわち、予め、その一端に先端がＶ形９０°の
ダイヤモンドソーを用いて４５°光路変換ミラー１９を
形成しておいたＰＭＭＡからなるフィルム状の光導波路
（マイクロパーツ社製：幅１ｍｍ、厚さ２０μｍ）を、
光変換ミラー非形成側のその他端の側面と層間絶縁層の
側面とが揃うように貼り付けた。なお光導波路の貼り付
けは、該光導波路の層間絶縁層との接着面に熱硬化性樹
脂からなる接着剤を厚さ１０μｍに塗布しておき、圧着
後、６０℃で１時間硬化させることにより行った。な
お、本実施例では、６０℃／１時間の条件で硬化を行っ
たが、場合によってはステップ硬化をおこなってもよ
い。貼り付け時に光導波路により応力が発生しにくいか
らである。

【０１６１】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を調製し、さらに、光導波路１８を形成
した基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３５
μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０
分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジス組成物の
層１４′を形成した（図１５（ｃ）参照）。

【０１６２】（１６）次いで、基板の片面に、半田バン
プ形成用開口と光路用開口とのパターンが描画された厚
さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着さ
せて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ
溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成し
た。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、
半田バンプ形成用開口１５と光学素子用開口１１とを有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した（図１６（ａ）参照）。

【０１６３】（１７）次に、ソルダーレジスト層１４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口１５に厚さ５μ
ｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を
形成し、半田パッド１６とした。

【０１６４】（１８）次に、ソルダーレジスト層１４に
形成した半田バンプ形成用開口１５に半田ペーストを印
刷し、２００℃でリフローすることにより半田バンプ形
成用開口１５に半田バンプ１７を形成し、多層プリント
配線板とした（図１６（ｂ）参照）。

【０１６５】Ｃ．ＩＣ実装光通信用デバイスの製造まず、上記Ａの工程を経て製造したＩＣチップ実装用基
板に、ＩＣチップを実装し、その後、樹脂封止を行い、
ＩＣ実装基板を得た。。次に、このＩＣチップ実装基板
と上記Ｂの工程を経て製造した多層プリント配線板とを
所定の位置に対向配置させ、２００℃でリフローするこ
とにより両基板の半田バンプ同士を接続して半田接続部
を形成し、ＩＣ実装光通信用デバイスを製造した（図１
参照）。

【０１６６】このようにして得られたＩＣ実装光通信用
デバイスについて、受光素子に対向する光導波路の多層
プリント配線板からの露出面に光ファイバを取り付け、
受光素子に対向する光導波路の多層プリント配線板から
の露出面に検出器を取り付けた後、光ファイバを介して
光信号を送り、ＩＣチップで演算させた後、検出器で光
信号を検出したところ、所望の光信号を検出することが
でき、本実施例で製造したＩＣ実装光通信用デバイス
が、光通信用デバイスとして充分満足できる性能を有し
ていることが明らかとなった。

【０１６７】また、適宜、光信号伝送用光路を形成し、
それに応じて、受光素子および発光素子の実装位置、な
らびに、光導波路の形成位置を変更した以外は、実施例
１と同様の方法を用いて、図２〜６に示した形態のＩＣ
実装光通信用デバイスを製造し、このＩＣ実装光通信用
デバイスについて、上記した方法で光信号の伝送能を評
価したところ、光通信用デバイスとして充分満足できる
性能を有していることが明らかとなった。

【０１６８】

【発明の効果】本発明の光通信用デバイスは、上記した
ように、所定の位置に受光素子および発光素子が実装さ
れたＩＣチップ実装用基板と、所定の位置に光導波路が
形成された多層プリント配線板とから構成されているた
め、実装した光学部品間の接続損失が低く、光通信用デ
バイスとして接続信頼性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式
的に示す断面図である。

【図２】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を
模式的に示す断面図である。

【図３】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を
模式的に示す断面図である。

【図４】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を
模式的に示す断面図である。

【図５】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を
模式的に示す断面図である。

【図６】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を
模式的に示す断面図である。

【図７】本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチッ
プ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図８】本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチッ
プ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図９】本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチッ
プ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１０】本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチ
ップ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断
面図である。

【図１１】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１２】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１３】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１４】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１５】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【図１６】本発明の光通信用デバイスを構成する多層プ
リント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面
図である。

【符号の説明】

１００多層プリント配線板１０１基板１０２層間絶縁層１０４導体回路１０７バイアホール１０９スルーホール１１１光路用開口１１４ソルダーレジスト層１１８光導波路１１９光変換用ミラー１２０ＩＣチップ実装用基板１２１基板１２２層間絶縁層１２４導体回路１２７バイアホール１２９スルーホール１３１光学素子用開口１３４ソルダーレジスト層１３８受光素子１３９発光素子１４０ＩＣチップ１４１、１４３半田接続部１４２導電層１５０光通信用デバイス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０５Ｋ 1/14 Ａ５Ｆ０４１Ｈ０１Ｓ 5/022 3/46 Ｑ５Ｆ０７３Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ５Ｆ０８８ 1/14 23/12 Ｆ５Ｆ０８９ 3/46 Ｇ０２Ｂ 6/12 ＡＦターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 2H047 KA03 KA15 MA07 PA05 PA21 PA24 QA03 QA05 5E338 AA03 AA16 BB80 EE60 5E344 AA01 AA22 BB02 BB06 CC24 DD03 5E346 AA02 AA12 AA43 CC04 CC09 CC32 CC54 CC57 DD03 DD25 DD33 DD44 EE33 FF07 FF15 GG15 GG16 GG17 GG18 GG19 GG25 GG28 HH40 5F041 DA20 DA83 FF14 5F073 BA01 FA30 5F088 AA01 AA05 BA16 BB01 EA07 EA08 EA09 JA20 5F089 AA01 AC09 AC10 AC16 AC18 AC23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配
線板とからなる光通信用デバイスであって、前記ＩＣチ
ップ実装用基板は、導体回路、層間絶縁層および前記層
間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを
含んで構成されており、前記ＩＣチップ実装用基板に
は、受光素子および発光素子が実装されていることを特
徴とする光通信用デバイス。
【請求項２】前記受光素子および前記発光素子が前記
多層プリント配線板と対向する側の面に実装されている
請求項１に記載の光通信用デバイス。
【請求項３】前記受光素子および前記発光素子が前記
多層プリント配線板と対向する側の面と反対側の面に実
装されている請求項１に記載の光通信用デバイス。
【請求項４】前記受光素子および前記発光素子のうち
の一方が前記多層プリント配線板と対向する側の面に実
装され、他方が前記多層プリント配線板と対向する側の
面と反対側の面に実装されている請求項１に記載の光通
信用デバイス。
【請求項５】前記ＩＣチップ実装用基板を貫通する光
信号伝送用光路が形成されている請求項３または４に記
載の光通信用デバイス。
【請求項６】前記導体回路および前記層間絶縁層は、
基板の両面または片面に順次積層形成されたものである
請求項１〜５のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項７】前記多層プリント配線板には、光導波路
が形成されている請求項１〜６のいずれか１に記載の光
通信用デバイス。
【請求項８】前記多層プリント配線板には、前記受光
素子および前記発光素子と、前記光導波路との間で光信
号を伝送するための光信号伝送用光路が形成されている
請求項７に記載の光通信用デバイス。