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JP2002289720A - High frequency device package - Google Patents

High frequency device package

Info

Publication number
JP2002289720A
JP2002289720A JP2001090809A JP2001090809A JP2002289720A JP 2002289720 A JP2002289720 A JP 2002289720A JP 2001090809 A JP2001090809 A JP 2001090809A JP 2001090809 A JP2001090809 A JP 2001090809A JP 2002289720 A JP2002289720 A JP 2002289720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency device
package
ceramic
side wall
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001090809A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumihiko Uchiyama
文彦 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPC Electronics Corp
Original Assignee
SPC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPC Electronics Corp filed Critical SPC Electronics Corp
Priority to JP2001090809A priority Critical patent/JP2002289720A/en
Publication of JP2002289720A publication Critical patent/JP2002289720A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波デバイスを
実装するための高周波デバイス用パッケージに関し、主
にミリ波帯域で使用するIC用パッケージに関する。本明
細書でいう「パッケージ」は、高周波デバイスを他の回
路ないし基板に実装するときの便宜を図るために用いら
れる部品をいう。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency device package for mounting a high frequency device, and more particularly to an IC package used in a millimeter wave band. The “package” in this specification refers to a component used for convenience when mounting a high-frequency device on another circuit or substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロ波帯やミリ波帯で使用される高
周波デバイスは、回路密度が極めて高いため、基板上に
実装する際の端子間の接続が非常に困難となる。また、
高周波デバイスでは他の回路からの信号成分の干渉を防
止するために、低周波回路よりもシールドをより完全に
行う必要がある。そのため、高周波デバイスを専用のパ
ッケージ(高周波デバイス用パッケージ)に収容して使
用することが一般的になっている。
2. Description of the Related Art A high-frequency device used in a microwave band or a millimeter wave band has a very high circuit density, so that it is very difficult to connect terminals when mounted on a substrate. Also,
In a high-frequency device, it is necessary to shield more completely than a low-frequency circuit in order to prevent interference of signal components from other circuits. Therefore, it is common to use the high-frequency device housed in a dedicated package (high-frequency device package).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとしている課題】高周波デバイス
は、空中電波によって内部の信号が影響を受け、回路間
の帰還や発振が発生する場合がある。そのため、高周波
デバイス用パッケージには、収容される高周波デバイス
に空中電波が到達しないようにする構造が要求される。
また、従来の高周波デバイス用パッケージは、必要な特
性を得る都合上、複雑な形状のパーツを用いて構成され
ることがあるが、製造コストの上昇を抑制する観点から
は、複雑な形状のパーツはできる限り使わないようにす
ることが好ましい。
In a high-frequency device, an internal signal may be affected by aerial radio waves, and feedback or oscillation between circuits may occur. For this reason, the high-frequency device package is required to have a structure that prevents airwaves from reaching the high-frequency device to be accommodated.
Conventional high-frequency device packages may be configured using parts having complicated shapes in order to obtain necessary characteristics. However, from the viewpoint of suppressing an increase in manufacturing cost, parts having complicated shapes are required. Is preferably not used as much as possible.

【0004】本発明は、上記の要求に応えつつ、収容さ
れる高周波デバイスに対する外部からの影響を確実に抑
制することができる高周波デバイス用パッケージを提供
することを、主たる課題とする。
[0004] It is a main object of the present invention to provide a high-frequency device package that can reliably suppress external influences on a housed high-frequency device while meeting the above demands.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明が提供する高周波
デバイス用パッケージは、高周波デバイスを実装するた
めの領域に凹空間を形成する絶縁性の壁形成体と、この
壁形成体に載置することにより前記凹空間を蓋する絶縁
性蓋体と、この絶縁性蓋体に載置することにより空間を
伝搬する電磁波を吸収する電磁波吸収体とを具え、前記
電磁波吸収体と前記絶縁性蓋体との間に、少なくとも前
記凹空間を覆うことができる形状及びサイズの金属体が
介在することを特徴とする。前記壁形成体と前記蓋体
は、例えばすべてセラミック部材で構成する。この構造
によって、金属体と電波吸収体が等価的なグランドとし
て作用するので、実装される高周波デバイスの入出力の
電磁波が蓋体を通して結合することを防止することがで
きる。また、金属体と電波吸収体とが等価的にグランド
として作用するので、高周波デバイスの電磁波の放射波
が完全反射され、損失がない。従って、凹空間内の電磁
波がカットオフ状態となる。
According to the present invention, there is provided a high-frequency device package provided with an insulating wall forming member for forming a concave space in a region for mounting the high-frequency device, and mounted on the wall forming member. An insulating lid for covering the concave space, and an electromagnetic wave absorber for absorbing electromagnetic waves propagating in the space by being placed on the insulating lid, wherein the electromagnetic wave absorber and the insulating lid are provided. And a metal body having a shape and a size capable of covering at least the concave space. The wall forming body and the lid are all made of, for example, a ceramic member. With this structure, the metal body and the radio wave absorber act as equivalent grounds, so that the input and output electromagnetic waves of the mounted high-frequency device can be prevented from being coupled through the lid. In addition, since the metal body and the radio wave absorber act equivalently as ground, the radiation wave of the electromagnetic wave of the high-frequency device is completely reflected, and there is no loss. Therefore, the electromagnetic waves in the concave space are cut off.

【0006】好ましい実施の形態では、前記金属体をア
ルミ箔または銅箔とすることにより、より安価に性能の
良い高周波デバイス用パッケージを実現することができ
る。また、前記凹空間に接触する壁面及び蓋体内面を、
すべて絶縁性部材からなるようにする。さらに、前記壁
形成体を、前記高周波デバイスが前記凹空間に収容され
たときに当該高周波デバイスの所定の端子と導通する端
子部が形成されたセラミック基板上に積層されるものと
し、前記セラミック基板の端子部の少なくとも一部が該
壁形成体に覆われずに露出する構造にすることもでき
る。なお、前記絶縁性部材同士は、樹脂接着剤を用いて
接合することができる。
[0006] In a preferred embodiment, by using an aluminum foil or a copper foil for the metal body, a high-performance device package can be realized at lower cost and with high performance. Further, the wall surface and the lid inner surface that come into contact with the concave space,
All are made of insulating material. Further, when the high-frequency device is housed in the concave space, the wall forming body is laminated on a ceramic substrate on which a terminal portion that conducts with a predetermined terminal of the high-frequency device is formed. It is also possible to adopt a structure in which at least a part of the terminal portion is exposed without being covered by the wall forming body. The insulating members can be joined together using a resin adhesive.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、ミリ波帯で使用される高周
波デバイス用パッケージの例を用いて、本発明の実施の
形態を説明する。高周波デバイス用パッケージとして十
分な性能を得るためには、高周波デバイスを実装するた
めの基板と、この基板上に高周波デバイスを実装するた
めの凹空間を形成する側壁と、側壁から突出し高周波デ
バイスの端子と導通する端子部と、側壁により形成され
る凹空間を蓋するキャップとを具える必要がある。ま
た、必要に応じて、キャップ上に載置することにより空
中を伝搬する電波を吸収する電波吸収体とを具える必要
がある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below using an example of a package for a high-frequency device used in a millimeter wave band. In order to obtain sufficient performance as a high-frequency device package, a substrate for mounting the high-frequency device, a side wall forming a concave space for mounting the high-frequency device on the substrate, and terminals of the high-frequency device projecting from the side wall And a cap for covering a concave space formed by the side wall. Also, if necessary, it is necessary to provide a radio wave absorber that absorbs radio waves propagating in the air by being placed on the cap.

【0008】側壁としては、金属側壁、セラミック側
壁、セラミック側壁をメタライズしたものが考えられ
る。まず、これらの側壁を用いた高周波用パッケージの
例を簡単に説明する。
As the side wall, a metal side wall, a ceramic side wall, or a metalized side wall of a ceramic side wall can be considered. First, an example of a high-frequency package using these side walls will be briefly described.

【0009】図1は、金属側壁を用いたパッケージの構
造例を示した分解斜視図である。このパッケージは、グ
ランドとなる金属板21上に、端子部27を保持するた
めのセラミック基板22と、セラミック側壁23及び金
属側壁24とが配置されている。高周波基板を収容する
ための凹空間は、金属側壁24によって形成される。セ
ラミック側壁23は、金属側壁24によってセラミック
基板22上の導電パターンが金属板21とショートする
ことを防ぐために設けられる。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of the structure of a package using metal side walls. In this package, a ceramic substrate 22 for holding a terminal portion 27, a ceramic side wall 23 and a metal side wall 24 are arranged on a metal plate 21 serving as a ground. A concave space for accommodating the high-frequency substrate is formed by the metal side wall 24. The ceramic side wall 23 is provided to prevent the conductive pattern on the ceramic substrate 22 from being short-circuited to the metal plate 21 by the metal side wall 24.

【0010】金属側壁24によって形成される凹空間
は、シーラーキャップとも呼ばれる金属製キャップ25
によって封止され、これによって誘電防止の効果が得ら
れるようになっている。さらに、金属製キャップ25に
電磁波吸収体26が載置されるようになっている。電磁
波吸収体26は、実装される高周波デバイスの増幅度が
高すぎる場合に、高周波信号の出力が空中を伝搬し、入
力に帰還することで発振を起こしたり、周波数特性にう
ねりを生じることがあるため、これを防ぐために設けら
れている。そのため、高周波デバイスの増幅度が過度に
高くならない場合には、この電磁波吸収体26は不要と
なる。電磁波吸収体の材質としては、例えば、フェライ
トを混合したゴム、フェライトを混合したエポキシ樹脂
が挙げられる。
[0010] The concave space formed by the metal side wall 24 is a metal cap 25 also called a sealer cap.
For preventing the dielectric effect. Further, an electromagnetic wave absorber 26 is placed on the metal cap 25. When the amplification degree of the mounted high-frequency device is too high, the electromagnetic wave absorber 26 may cause oscillation by the output of the high-frequency signal propagating in the air and returning to the input, or may cause swell in the frequency characteristic. Therefore, it is provided to prevent this. Therefore, when the amplification of the high-frequency device does not become excessively high, the electromagnetic wave absorber 26 becomes unnecessary. Examples of the material of the electromagnetic wave absorber include a rubber mixed with ferrite and an epoxy resin mixed with ferrite.

【0011】図1のような構造のパッケージは、金属板
21、金属側壁24、および金属製キャップ25で囲ま
れた凹空間のサイズがカットオフモードとなる周波数よ
りも低い周波数において使用可能となる。このカットオ
フモードを実現するためには、金属側壁24および金属
製キャップ25は金属板21と導通がある構造で、なお
かつセラミック基板22上の端子部27とは導通しない
構造でなければならない。このために金属側壁24は内
部から端子部を取り出す部分をくり抜いた、複雑な形状
となる。
The package having the structure shown in FIG. 1 can be used at a frequency lower than the frequency at which the size of the concave space surrounded by the metal plate 21, the metal side wall 24, and the metal cap 25 is in the cutoff mode. . In order to realize the cutoff mode, the metal side wall 24 and the metal cap 25 must have a structure that is electrically connected to the metal plate 21 and must not be electrically connected to the terminal 27 on the ceramic substrate 22. For this reason, the metal side wall 24 has a complicated shape in which a portion for taking out the terminal portion from the inside is cut out.

【0012】図2は、図1の構造のパッケージにおける
セラミック基板22とセラミック側壁23とをセラミッ
ク形成することで積層構造にしたものの分解斜視図であ
る。図示の構造にすることにより、パッケージは、金属
側壁24を使用しないものとなる。このような構造は、
図1のものよりも簡単な構造となるので、大量生産及び
製造コスト削減を図れる利点がある。
FIG. 2 is an exploded perspective view of a laminated structure in which the ceramic substrate 22 and the ceramic side wall 23 in the package having the structure shown in FIG. 1 are formed by ceramics. With the structure shown, the package does not use the metal side wall 24. Such a structure
Since the structure is simpler than that of FIG. 1, there is an advantage that mass production and reduction of manufacturing cost can be achieved.

【0013】図2の構造のパッケージは、グランドとな
る金属板31、前述のセラミック側壁23および金属側
壁24の一部に相当するセラミック基板32、前述の金
属側壁24の一部に相当するセラミック側壁33、シー
ラーキャップあるいはシーラーリッドともよばれるセラ
ミック製キャップ34、前述のものと同じ電磁波吸収体
35及び端子部37も備えられている。
The package having the structure shown in FIG. 2 includes a metal plate 31 serving as a ground, a ceramic substrate 32 corresponding to a part of the above-described ceramic side wall 23 and the metal side wall 24, and a ceramic side wall corresponding to a part of the above-described metal side wall 24. 33, a ceramic cap 34 also called a sealer cap or sealer lid, an electromagnetic wave absorber 35 and a terminal 37 which are the same as those described above.

【0014】このような構造のパッケージでは、高周波
デバイスから出力される高周波信号が、出力側から入力
側に帰還する場合に空中伝搬するだけでなく、セラミッ
ク製キャップ34が誘電率が高いために電磁界が集中し
てしまい、図1に示したパッケージ以上に入出力の結合
が大きくなる。このため、ほぼ例外なく電磁波吸収体3
5が必要となる。
In the package having such a structure, when the high-frequency signal output from the high-frequency device returns from the output side to the input side, it propagates not only in the air, but also because the ceramic cap 34 has a high dielectric constant. The field is concentrated, and the coupling between input and output is larger than that of the package shown in FIG. Therefore, almost without exception, the electromagnetic wave absorber 3
5 is required.

【0015】図3は、図2の構造のパッケージを改良し
たもので、セラミックウォールをメタライズしたパッケ
ージの一例を示した分解斜視図である。このパッケージ
は、グランドとなる金属板41、実装される高周波デバ
イスから制御信号や高周波信号を取り出すためのセラミ
ック層42、セラミック製側壁43を有する。セラミッ
ク製側壁43は、セラミック層42上の制御信号および
高周波信号とショートしないように、パッケージ内部側
面の一部分のみがメタライズされる。また、このパッケ
ージは、少なくともパッケージ内部側面および上面がメ
タライズされたセラミック製側壁44、金属製キャップ
45、空中および金属製のキャップ45を伝搬する電磁
波による帰還および発振を防止するために追加される電
磁波吸収体46、及び端子部47も備える。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of a package obtained by improving the package having the structure shown in FIG. 2 and metallizing a ceramic wall. This package includes a metal plate 41 serving as a ground, a ceramic layer 42 for extracting a control signal and a high-frequency signal from a mounted high-frequency device, and a ceramic side wall 43. The ceramic side wall 43 is metallized only on a part of the inner side surface of the package so as not to short-circuit with the control signal and the high-frequency signal on the ceramic layer 42. Further, this package is provided with a ceramic side wall 44 having at least a metallized inner side surface and an upper surface, a metal cap 45, and an electromagnetic wave added to prevent feedback and oscillation by electromagnetic waves propagating through the air and the metal cap 45. An absorber 46 and a terminal 47 are also provided.

【0016】この構造のパッケージは図1のパッケージ
と同等の性能を持ちつつ、図1の金属側壁24のような
複雑な形状をした金属部分、およびセラミック基板22
とセラミック側壁23のような互いに分割されたセラミ
ック基板がなく、板状の部品を重ね合わせる単純な構造
となる。つまり、このパッケージの特性は図1の構造の
パッケージに近く、その製造コストは、図2のパッケー
ジの製造コストに近くなる。
A package having this structure has the same performance as that of the package of FIG. 1, but has a complicated metal part such as the metal side wall 24 of FIG.
There is no divided ceramic substrate such as the ceramic side wall 23 and the ceramic side wall 23, and a simple structure in which plate-like components are overlapped. In other words, the characteristics of this package are close to those of the package having the structure of FIG. 1, and the manufacturing cost is close to the manufacturing cost of the package of FIG.

【0017】上記のような図1〜図3に示した構造のパ
ッケージは、各々、必要な特性のものが得られる利点は
あるが、以下のような改善の余地もある。すなわち、図
1の構造の場合は、金属側壁24が複雑な形状となるた
めコスト的に不利となるし、図2に示した構造の場合
は、パッケージ内部からセラミック製キャップ34に向
かって放射される電磁界も電磁波吸収体35により熱に
変換されてしまうため、セラミック製キャップ34がな
い場合に比べて損失が増えてしまう。
Each of the packages having the structure shown in FIGS. 1 to 3 has the advantage that required characteristics can be obtained, but there is room for improvement as described below. That is, in the case of the structure shown in FIG. 1, the metal side wall 24 has a complicated shape, which is disadvantageous in cost. In the case of the structure shown in FIG. 2, radiation is radiated from the inside of the package toward the ceramic cap 34. Since the electromagnetic field is also converted into heat by the electromagnetic wave absorber 35, the loss increases as compared with the case where the ceramic cap 34 is not provided.

【0018】図3に示した構造の場合は、図1に示した
パッケージよりは安価であるが、側面メタライズ工程が
必要なことから、図2に示した構造のものよりは高価と
なる。また、この構造のものでは、メタライズされた側
壁は、真空と比べると誘電率が高いセラミック基板上に
あるため、電磁界の波長がセラミックにより短縮されて
しまう。このために同じ寸法であっても図1に示した構
造のものよりも最高使用周波数が低くなってしまう。さ
らに、このパッケージの側壁は、メタライズによる厚み
の薄い膜となるため、シールドとしての効果が薄いだけ
でなく、共振によって、逆に電磁界放射の助けとなる場
合もあり、予想されないパッケージ共振が発生する可能
性がある。さらに、金属製キャップ45とグランド41
との間のインピーダンスが高いため、金属製キャップ4
5が電磁界の伝搬路になってしまうことがある。
The structure shown in FIG. 3 is less expensive than the package shown in FIG. 1, but is more expensive than the structure shown in FIG. 2 because a side metallization step is required. In this structure, since the metalized side wall is on a ceramic substrate having a higher dielectric constant than vacuum, the wavelength of the electromagnetic field is shortened by the ceramic. For this reason, the maximum working frequency is lower than that of the structure shown in FIG. Furthermore, since the side wall of this package is a thin film formed by metallization, it not only has a small effect as a shield, but also has the effect of radiating electromagnetic fields due to resonance, and unexpected package resonance occurs. there's a possibility that. Further, the metal cap 45 and the ground 41
The metal cap 4
5 may be an electromagnetic field propagation path.

【0019】そこで、以下は、図1〜図3のような特性
を少なくとも確保しつつ上記の課題を解決し得る構造の
パッケージの例を挙げる。図4にその分解斜視図を示
す。この構造のパッケージでは、グランドとなる金属板
11を基板とし、この金属板11上に、端子部17が設
けられたセラミック基板12と、セラミック製側壁13
とがこの順に取り付けられ、さらに、セラミック製側壁
13の直上に、セラミック製キャップ14が設けられ、
このセラミック製キャップ14に金属箔15を挟み込ん
で電磁波吸収体16を張り合わせた構造になっている。
金属箔15としては、アルミ箔あるいは銅箔を用いるこ
とができる。この例では、セラミック製キャップ14
は、側壁13によって形成される凹空間の開口領域O
(金属板11上において高周波デバイスが実装される領
域に対応する領域)全体を覆い、かつこの開口領域0内
にセラミック製キャップ14が落下しないよう、該開口
領域0よりも大きな寸法となっている。また、金属板1
1、セラミック基板12、セラミック製側壁13は、そ
の長手方向の長さが揃っており、セラミック製キャップ
14もまた、その長手方向の長さが、金属板11等の長
さに揃えられている。
Therefore, the following is an example of a package having a structure capable of solving the above-mentioned problem while ensuring at least the characteristics as shown in FIGS. FIG. 4 shows an exploded perspective view thereof. In the package having this structure, a metal plate 11 serving as a ground is used as a substrate, and a ceramic substrate 12 provided with a terminal portion 17 and a ceramic side wall 13 are provided on the metal plate 11.
Are attached in this order, and a ceramic cap 14 is provided immediately above the ceramic side wall 13.
An electromagnetic wave absorber 16 is attached to the ceramic cap 14 with a metal foil 15 sandwiched therebetween.
As the metal foil 15, an aluminum foil or a copper foil can be used. In this example, the ceramic cap 14
Is an open area O of a concave space formed by the side wall 13.
(The area corresponding to the area where the high-frequency device is mounted on the metal plate 11) It has a size larger than the opening area 0 so as to cover the entirety and prevent the ceramic cap 14 from falling into the opening area 0. . Metal plate 1
1, the ceramic substrate 12 and the ceramic side wall 13 have the same length in the longitudinal direction, and the ceramic cap 14 has the same length in the longitudinal direction as the length of the metal plate 11 and the like. .

【0020】このパッケージに実際に高周波デバイスを
搭載してパッケージ製品とした状態を図5に示す。図5
において、(a)はパッケージ製品の平面図、(b)は
断面図、(c)は分解斜視図である。高周波デバイス
は、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circu
its)17とMIC(Microwave Integrated Circuits)
18であり、これらが、基板11上でワイヤボンディン
グ19により接合されるようになっている。
FIG. 5 shows a state in which a high-frequency device is actually mounted on this package to form a package product. FIG.
3A is a plan view of a package product, FIG. 3B is a cross-sectional view, and FIG. 3C is an exploded perspective view. High frequency devices are MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)
its) 17 and MIC (Microwave Integrated Circuits)
18, which are bonded on the substrate 11 by wire bonding 19.

【0021】図5に示したパッケージ製品は、まず、金
属板11に、端子部17が形成されたセラミック基板1
2とセラミック側壁13とを張り合わ、次いで、セラミ
ック基板12上においてセラミック側壁13により囲ま
れた凹空間に、高周波デバイスであるMMIC18aと
MIC18bの双方を実装した後、ワイヤボンディング
19を施す。その後、セラミック側壁13にセラミック
製キャップ14を接着して張り合わせ、さらに、セラミ
ック製キャップ14に対して金属箔15を張り合わせ、
最後に金属箔15に電磁波吸収体16を張り合わせて、
パッケージ製品を完成させる。
The package product shown in FIG. 5 has a ceramic substrate 1 having a metal plate 11 and a terminal 17 formed thereon.
Then, both the MMIC 18a and the MIC 18b, which are high frequency devices, are mounted in a concave space surrounded by the ceramic side wall 13 on the ceramic substrate 12, and then wire bonding 19 is performed. Thereafter, a ceramic cap 14 is adhered and adhered to the ceramic side wall 13, and a metal foil 15 is adhered to the ceramic cap 14.
Finally, the electromagnetic wave absorber 16 is attached to the metal foil 15,
Complete the package product.

【0022】上記のように、セラミック製キャップ14
と電磁波吸収体16との間に金属箔15を張り合わせる
ことで、図2のような複雑な構造の側壁、図3のような
メタライズや金属製のキャップを用いることなく、パッ
ケージ内の電磁界をカットオフ状態に保つことができ
る。また、側壁およびキャップにセラミック製の部材を
用いていることから樹脂接着剤による接合が可能であ
り、側壁全体をメタライズする必要がないために安価に
製造できる。また、キャップに金属箔15を張り合わ
せ、さらに金属箔15の上面に電磁波吸収体16を張り
合わせることで、基本的にセラミック等の電気伝導のな
い材料を積層する構造を採用した安価なパッケージであ
りながら、メタライズした高価なパッケージと同等の性
能をもつことができるようになる。さらに、金属箔15
を設けるだけで、メタライズによる厚みの薄い膜を用い
た場合とは異なり、予想外の共振が発生することがなく
なる。
As described above, the ceramic cap 14
By attaching the metal foil 15 between the electromagnetic wave absorber 16 and the electromagnetic wave absorber 16, the electromagnetic field in the package can be reduced without using a side wall having a complicated structure as shown in FIG. 2 and metallizing or a metal cap as shown in FIG. Can be kept in a cut-off state. In addition, since a ceramic member is used for the side wall and the cap, bonding with a resin adhesive is possible, and since the entire side wall does not need to be metallized, it can be manufactured at low cost. In addition, the metal foil 15 is bonded to the cap, and the electromagnetic wave absorber 16 is further bonded to the upper surface of the metal foil 15, so that it is an inexpensive package adopting a structure in which a material such as ceramics, which does not conduct electricity, is basically laminated. However, it becomes possible to have the same performance as an expensive metallized package. Furthermore, metal foil 15
Is provided, unlike the case where a thin film formed by metallization is used, unexpected resonance does not occur.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、パッケージ内部の異常発振、帰還の影響を
低減する効果を有しつつ、安価に製造することができる
高周波デバイス用パッケージを提供することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, there is provided a package for a high-frequency device which can be manufactured at low cost while having the effect of reducing the effects of abnormal oscillation and feedback inside the package. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】金属側壁を用いたパッケージの一例を示した分
解斜視図。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of a package using metal side walls.

【図2】セラミック側壁を用いたパッケージの一例を示
した分解斜視図。
FIG. 2 is an exploded perspective view showing an example of a package using a ceramic side wall.

【図3】セラミック側壁をメタライズしたパッケージの
一例を示した分解斜視図。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of a package in which ceramic side walls are metallized.

【図4】好適なパッケージの構造例を示した分解斜視
図。
FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of the structure of a suitable package.

【図5】パッケージ製品の一例を示したもので、(a)
はその平面図、(b)はその断面図、(c)はその分解
斜視図である。
FIG. 5 shows an example of a package product, and (a)
Is a plan view, (b) is a sectional view, and (c) is an exploded perspective view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 金属板 12 セラミック基板 13 セラミック製のパッケージ側壁 14 セラミック製のキャップ 15 金属箔 16 電磁波吸収体 17 端子部 O 開口領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Metal plate 12 Ceramic substrate 13 Ceramic package side wall 14 Ceramic cap 15 Metal foil 16 Electromagnetic wave absorber 17 Terminal part O Opening area

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高周波デバイスを実装するための領域に
凹空間を形成する絶縁性の壁形成体と、この壁形成体に
載置することにより前記凹空間を蓋する絶縁性蓋体と、
この絶縁性蓋体の外部に位置してその周辺空間を伝搬す
る電磁波を吸収する電磁波吸収体とを具え、 前記電磁波吸収体と前記絶縁性蓋体との間に、少なくと
も前記凹空間を覆うことができる形状及びサイズの金属
体が介在することを特徴とする、 高周波デバイス用パッケージ。
1. An insulating wall forming body that forms a concave space in a region for mounting a high-frequency device, an insulating lid that covers the concave space by being placed on the wall forming body,
An electromagnetic wave absorber that is located outside the insulating lid and absorbs electromagnetic waves propagating in the surrounding space, wherein at least the concave space is covered between the electromagnetic wave absorber and the insulating lid. A package for a high-frequency device, comprising a metal body having a shape and a size interposed therebetween.
【請求項2】 前記金属体が、アルミ箔または銅箔のい
ずれかであることを特徴とする、 請求項1記載の高周波デバイス用パッケージ。
2. The high frequency device package according to claim 1, wherein the metal body is one of an aluminum foil and a copper foil.
【請求項3】 前記凹空間に接触する壁面及び蓋体内面
がすべて絶縁性部材からなることを特徴とする、 請求項1記載の高周波デバイス用パッケージ。
3. The high-frequency device package according to claim 1, wherein all of the wall surface and the inner surface of the lid contacting the concave space are made of an insulating member.
【請求項4】 前記壁形成体と前記蓋体がセラミック部
材からなることを特徴とする、 請求項1記載の高周波デバイス用パッケージ。
4. The high frequency device package according to claim 1, wherein the wall forming body and the lid are made of a ceramic member.
【請求項5】 前記壁形成体は、前記高周波デバイスが
前記凹空間に収容されたときに当該高周波デバイスの所
定の端子と導通する端子部が形成されたセラミック基板
上に積層されるものであり、前記セラミック基板の端子
部の少なくとも一部が該壁形成体に覆われずに露出して
いることを特徴とする、 請求項4記載の高周波デバイス用パッケージ。
5. The wall forming body is laminated on a ceramic substrate on which a terminal portion that conducts with a predetermined terminal of the high-frequency device when the high-frequency device is accommodated in the concave space is formed. 5. The high frequency device package according to claim 4, wherein at least a part of the terminal portion of the ceramic substrate is exposed without being covered by the wall forming body.
【請求項6】 前記絶縁性部材同士が樹脂接着剤を用い
て接合されていることを特徴とする、 請求項1記載の高周波デバイス用パッケージ。
6. The high-frequency device package according to claim 1, wherein said insulating members are joined to each other using a resin adhesive.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019176151A (en) * 2017-08-02 2019-10-10 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Semiconductor device

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