JP2002280399A - ダイボンドペーストの付着評価方法、ダイボンド方法、およびダイボンド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップとリードフレームとの付着状態
の評価を容易に評価することができるダイボンドペース
トの付着評価方法、ダイボンド方法、およびダイボンド
装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップをリードフレーム１に固定
する前に、リードフレーム１のダイパッド３上に塗布さ
れたダイボンドペースト４…の体積を測定し、その測定
結果に基づいてダイボンドペースト４による半導体チッ
プとリードフレーム１との付着状態を評価する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップとリ
ードフレームとの付着状態を評価するダイボンドペース
トの付着評価方法、ダイボンド方法、およびダイボンド
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、トランジスタ、ＩＣ（Integrated
Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circui
t）等の半導体素子のアセンブリにおいては、先ずウェ
ハーをダイシングにより所定のサイズの半導体チップと
して切断する。そして、切断された半導体チップをリー
ドフレームに固定するために、ダイボンドペーストと呼
ばれる導電性接着剤が用いられている。

【０００３】そして、半導体チップをダイボンドペース
ト上に安定して固定し、なおかつ必要量以上のダイボン
ドペーストを用いて半導体チップとリードフレームとの
導通すべきでない部分が導通するというような不具合を
防止するために、種々の方法が採用されている。例え
ば、（１）厚さが一定のシート状のダイボンドフィルム
を用いるという方法、（２）塗布するダイボンドペース
トの体積を制御する方法である。

【０００４】上記（１）の方法においては、半導体チッ
プにシート状のダイボンドフィルムを貼り付けることに
より、半導体チップをリードフレームに固定する。しか
し、この方法においては、厚さが一定のシート状のダイ
ボンドフィルムを用意する必要がありダイボンド材料が
高価なものとなるという問題がある。

【０００５】一方、上記（２）の方法は、粘性を有する
ダイボンドペーストを、リードフレーム内のアイランド
（孤島部）におけるチップを固定する領域であるダイパ
ッド上にディスペンサー（dispenser:塗布機）により塗
布する方法である。この方法の一例として、例えば特開
平１０−２９６１５８号公報に開示されたダイボンドペ
ーストの塗布方法を挙げることができる。

【０００６】上記公報に開示された塗布方法は、ダイボ
ンドペーストには粘性の低いものがあり、糸引き、液だ
れなどが発生することによって、塗布する体積にばらつ
きが生じやすいという問題点に鑑み、ディスペンサーの
塗布圧力と塗布時間とを調整することにより塗布するダ
イボンドペーストの体積を制御する方法である。この方
法によれば、リードフレーム内のアイランドに均一な形
状にてダイボンドペーストを塗布することができる。

【０００７】そして、上記公報に開示された塗布方法に
より塗布されたダイボンドペーストは、以下に説明する
ような手順により、実際にどのような面積で半導体チッ
プの裏面に付着しているかが確認されている。なお、ダ
イボンドペーストが半導体チップの裏面に付着している
面積の半導体チップの面積に対する割合を、以下「濡れ
広がり性」と称する。ここで、濡れ広がり性の確認が必
要であるのは、濡れ広がり性が不充分であると、ダイボ
ンド工程の後工程であるアセンブリ工程、例えばトラン
スファーモールド等の封止工程においてチップクラック
が生じたり、あるいは、マザーボードに実装するために
熱処理を行う際にポップコーン現象と呼ばれるパッケー
ジの変形が生じたり、あるいは、半導体チップがリード
フレームから剥離してしまうという不具合が生じるおそ
れがあるからである。

【０００８】濡れ広がり性の確認においては、先ず、図
５に示すように、リードフレーム１００内のアイランド
２００におけるダイパッド３００に、塗布圧力と塗布時
間（以下、「塗布条件」と称する）とが制御された図示
しないディスペンサーにより複数個のダイボンドペース
ト４００…を所定の量だけ塗布する。

【０００９】次に、ダイパッド３００に塗布されたダイ
ボンドペースト４００…のそれぞれが、均一な半球の形
状を成しているかどうかを目視確認する。あるいは、図
示しない画像処理装置を用いた画像処理によりリードフ
レーム１００とダイボンドペースト４００…との色のコ
ントラストを把握して、ダイボンドペースト４００…の
形状を確認する。

【００１０】次に、図示しないダイボンド装置のダイボ
ンド荷重を調整した後、図６に示すように、ダミーの半
導体チップ５００を、ダイボンドペースト４００が塗布
されたダイパッド３００の上にダイボンドする。

【００１１】そして、ダイボンドされたダミーの半導体
チップ５００をリードフレーム１００から垂直方向に引
き剥がし、半導体チップ５００の裏面にダイボンドペー
スト４００が所定の面積以上に付着しているか否かを目
視確認する。あるいは、図示しない画像処理装置を用い
て、ダイボンドペースト４００の画像とリードフレーム
１００の画像とを２値化して、２値化された画像のコン
トラストから半導体チップ５００の裏面におけるダイボ
ンドペースト４００の付着面積を測定する。

【００１２】上記の濡れ広がり性の確認によりダイボン
ドペースト４００が所定値以上の濡れ広がり性を示して
いる場合には、その際に設定されているディスペンサー
の塗布条件およびダイボンドの荷重条件を用いて、それ
以降のダイボンドを行う。

【００１３】逆に、上記の濡れ広がり性の確認によりダ
イボンドペースト４００が所定値以上の濡れ広がり性を
示していない場合は、所定値以上の濡れ広がり性を示す
ように、ディスペンサーの塗布条件、あるいはダイボン
ドの条件を調整する。しかしながら、ダイボンドペース
ト自体の粘度変化等により、同一の塗布条件でもダイボ
ンドペーストの塗布量は時間経過とともに変化しやす
い。

【００１４】また、ダイボンドペースト４００が銀粉入
りのものである場合は、ダイボンドした半導体チップ５
００をＮ₂ 雰囲気のオーブンで加熱処理してダイボンド
ペースト４００を硬化させた後に、図示しない透過Ｘ線
装置を用いた画像処理により上記の濡れ広がり性を測定
することも行われている。具体的には、透過Ｘ線装置に
よりＸ線を半導体チップ５００上に出射する。このよう
に出射されたＸ線により、半導体チップ５００を介して
ダイボンドペースト４００とリードフレーム１００とを
Ｘ線像化することができる。このダイボンドペースト４
００のＸ線像とリードフレーム１００のＸ線像とのコン
トラストから、半導体チップ５００の裏面のダイボンド
ペースト４００の濡れ広がり性を測定することができ
る。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の目視により濡れ広がり性を確認する方法、画像処理
装置を用いて２値化を行い濡れ広がり性を測定する方
法、およびダイボンドペースト４００…が銀粉を含んで
いる場合に透過Ｘ線装置を用いて濡れ広がり性を測定す
る方法のいずれも、半導体チップ５００をダイパッド３
００の上に一旦固定し、事後的にダイボンドペースト４
００の濡れ広がり性の評価を行う方法である。

【００１６】すなわち、ダイボンドペースト４００によ
る半導体チップ５００とリードフレーム１００との付着
状態の評価のために半導体チップ５００をリードフレー
ム１００の上に固定し、半導体チップ５００裏面でのダ
イボンドペースト４００の付着面積を評価する場合に
は、その半導体チップ５００を引き剥がす必要があり、
非常に手間がかかるという問題が生じる。

【００１７】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、半導体チップとリードフ
レームとの付着状態の評価を容易に評価することができ
るダイボンドペーストの付着評価方法、ダイボンド方
法、およびダイボンド装置を提供することを目的とす
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のダイボンドペー
ストの付着評価方法は、上記課題を解決するために、半
導体チップをリードフレームに固定する前に、リードフ
レームのダイパッド上に塗布されたダイボンドペースト
の体積を測定し、その測定結果に基づいてダイボンドペ
ーストによる半導体チップとリードフレームとの付着状
態を評価することを特徴としている。

【００１９】上記の発明によれば、半導体チップをリー
ドフレームに固定する前に、塗布されたダイボンドペー
ストの体積を測定することにより、ダイボンドペースト
による半導体チップとリードフレームとの付着状態を評
価する。

【００２０】したがって、従来の付着状態の評価のため
に必要とされていた、半導体チップをリードフレームに
固定する作業とその後の作業とを省略することができ
る。さらに、半導体チップを障害にすることなく、塗布
したダイボンドペーストの体積を直接測定することがで
き、測定の信頼性が向上する。

【００２１】これにより、半導体チップとリードフレー
ムとの付着状態の評価を容易に行うことができる。

【００２２】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、上記課題を解決するために、上記のダイボ
ンドペーストの付着評価方法において、リードフレーム
のダイパッド上に塗布されたダイボンドペーストの体積
を測定することにより、ダイボンドペーストの半導体チ
ップへの濡れ広がり性を予測することを特徴としてい
る。

【００２３】すなわち、本発明者においては、塗布され
たダイボンドペーストの体積と、ダイボンドペーストの
濡れ広がり性との関係を検証し、それら２つの物性値の
関係が良好な線型性を示すことを確認した。その結果、
塗布された体積を直接的に測定することにより、濡れ広
がり性を評価することができることを確認した。

【００２４】また、濡れ広がり性と、リードフレームと
半導体チップとの固定状態とはもともと相関関係があ
る。すなわち、塗布されたダイボンドペーストの体積か
ら、リードフレームと半導体チップとの固定状態を知る
ことができる。

【００２５】これにより、半導体チップをリードフレー
ムに固定する前に、リードフレームと半導体チップとの
固定状態を知ることができる。

【００２６】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、上記課題を解決するために、上記のいずれ
かのダイボンドペーストの付着評価方法において、塗布
されたダイボンドペーストの体積をレーザ変位測定器に
より測定することを特徴としている。

【００２７】上記の発明によれば、レーザ変位測定器に
より、ダイボンドペーストの体積を測定する。

【００２８】レーザ変位測定器によれば、ダイボンドペ
ーストの体積を容易に測定できるとともに、精度良く体
積を測定することができる。

【００２９】また、リードフレームに半導体チップを最
適に固定するダイボンドペーストの濡れ広がり性に基づ
いて、その最適な濡れ広がり性を与えるダイボンドペー
ストの塗布体積をより的確に把握することができる。

【００３０】これにより、その最適なダイボンドペース
トの塗布体積をディスペンサーにフィードバックし塗布
条件を調整することで、より効率的なダイボンドを行う
ことが可能となる。

【００３１】また、本発明のダイボンド方法は、上記課
題を解決するために、上記のいずれかのダイボンドペー
ストの付着評価方法による評価に基づいて、ダイボンド
ペーストの塗布条件を設定してダイボンドを行うことを
特徴としている。

【００３２】上記の発明によれば、ダイボンドペースト
の付着評価方法による評価に基づいて、ダイボンドペー
ストの塗布条件を設定する。

【００３３】すなわち、一旦良好なダイボンドペースト
の付着状態を得た後は、その付着状態を得ることができ
る塗布条件を設定してダイボンドを自動で行うので、良
好な付着状態を維持することができる。

【００３４】これにより、良好なダイボンドペーストの
付着状態を維持してダイボンドを容易に行うことができ
る。

【００３５】また、本発明のダイボンド方法は、上記課
題を解決するために、上記のダイボンド方法において、
予め設定したロット数毎にダイボンドペーストの付着状
態の評価を行うとともに、ロットの付着状態の評価に基
づいて上記ロット数を変更することを特徴としている。

【００３６】上記の発明によれば、付着状態の評価に基
づいて付着状態の評価を行うダイボンドペーストのロッ
ト数を変更する。

【００３７】例えば、良好な付着状態を得ていないと評
価した場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペー
ストのロット数を少なくする。すなわち、付着状態を評
価する頻度を高くすることにより、塗布条件を確認する
機会を増やし、良好な付着状態を短時間にて得ることが
できる。

【００３８】一方、良好な付着状態を得ていると評価し
た場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペースト
のロット数を増やす。すなわち、付着状態を評価する頻
度を低くすることにより、付着状態の評価に要する工数
を低減することができる。

【００３９】これにより、より効率的にダイボンド工程
の工程管理を行うことができる。

【００４０】また、本発明のダイボンド装置は、上記課
題を解決するために、上記のいずれかのダイボンド方法
を用いることを特徴としている。

【００４１】上記の発明によれば、良好なダイボンドペ
ーストの付着状態のダイボンドを容易に維持することが
でき、より効率的にダイボンド工程の工程管理を行うこ
とが可能となる。

【００４２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について添
付する図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００４３】図示しない半導体素子のアセンブリ工程で
は、先ず、図示しないウェハーをダイシングし、所定の
サイズに切断する。次に、図３に示すように、この所定
のサイズに切断された半導体チップ５をリードフレーム
１のアイランド２におけるダイパッド３に固定する前
に、図２に示すように、ダイボンドペースト４…をリー
ドフレーム１のアイランド２におけるダイパッド３上に
塗布する。ここで、ダイパッド３上に塗布するダイボン
ドペースト４…の量は、以下の（ステップ１）〜（ステ
ップ５）を踏むことにより決定される。

【００４４】（ステップ１）ダイボンドペースト４…の
入ったディスペンサーのノズルから塗布したペーストの
形状がリードフレーム１上のダイパッド３に均一に塗布
されることを確認する。なお、ここで用いるディスペン
サーは、上記した特開平１０−２９６１５８号公報に記
載されているような、塗布圧力と塗布時間とを調整する
ことによりダイボンドペースト４…の体積を制御するこ
とができるディスペンサーを用いる。

【００４５】また、ダイボンドペースト４…は、導電性
の充填剤および有機溶剤を含むものを用いる。以下の表
１に、本実施の形態で用いるダイボンドペースト４…の
主成分とその割合を示す。併せて、ダイボンドペースト
４…を加熱硬化する際の硬化条件の一例を示す。

【００４６】

【表１】

【００４７】（ステップ２）リードフレーム１上のダイ
パッド３に塗布されたダイボンドペースト４…の分布と
付着状態とを確認するため、図１に示すように、レーザ
変位測定器６を用いて、ステージ７に載置されたリード
フレーム１における所定の計測域を格子状に数μｍ間隔
でスキャンニングする。なお、このスキャンニングにお
いては、レーザ変位測定器６とリードフレーム１とは非
接触状態でスキャンニングされる。

【００４８】スキャンニングされた情報は、ＣＣＤ(Cha
rge Coupled Device) センサ８と画像処理装置９とによ
り、画像モニター１０において画像化される。この画像
モニター１０における画像から、ダイパッド３の表面に
塗布されたダイボンドペースト４…の凹凸を計測する。
なお、以下の表２に、本実施の形態で用いるレーザ変位
測定器６の仕様を示す。

【００４９】

【表２】

【００５０】また、レーザ変位測定器６は、被測定物、
すなわちダイボンドペースト４…に対してレーザ光を照
射するとともに、該レーザ光がダイボンドペースト４…
の表面で反射した散乱光を受光することにより、後述す
るようにダイボンドペースト４…の寸法、体積等の物性
値を測定することができる。

【００５１】（ステップ３）上記ステップ２におけるレ
ーザ変位測定器６における測定において、ディスペンサ
ーのノズルからリードフレーム１のダイパッド３内に塗
布された個々のダイボンドペースト４…の縦、横、高さ
の寸法を測定する。さらに、個々のダイボンドペースト
４…の体積も測定する。

【００５２】（ステップ４）上記のように測定されたダ
イボンドペースト４…の体積と、予め設定されているダ
イボンドペースト４…の最適体積とを比較する。なお、
ダイボンドペースト４…の最適体積は、ダイパッド３上
に固定される半導体チップ５の面積に基づいて予め決定
されるものである。

【００５３】（ステップ５）レーザ変位測定器６の測定
されたダイボンドペースト４…の体積と、予め設定され
たダイボンドペースト４…の最適体積とに差がある場合
は、図示しない制御器からディスペンサーへ、塗布する
ダイボンドペースト４…の体積の増減の指示を与える。
ディスペンサーは、与えられた指示に基づき、塗布条件
を調整することにより、塗布するダイボンドペースト４
…の体積が最適体積に近づくように制御する。

【００５４】上記の（ステップ１）〜（ステップ５）に
より、ダイパッド３上に塗布するダイボンドペースト４
…の塗布量が決定される。

【００５５】次に、ダイボンドペースト４…を塗布する
際に、その塗布量を上記のように決定された塗布量にて
安定化させるための方法について説明する。

【００５６】上記の塗布量を安定化させるための方法に
ついては、ダイボンドペーストの塗布に際しての塗布
条件の決定、ダイボンド作業の実施に分けて説明す
る。

【００５７】ダイボンドペーストの塗布に際しての塗
布条件の決定 まず、ディスペンサーの塗布圧力と塗布時間（塗布条
件）とを仮決定し、その塗布条件でダイボンドペースト
４…を塗布し、その体積を計測する。その後、半導体チ
ップ５をダイボンドし、濡れ広がり性を後述する実施例
のように計測する。

【００５８】塗布されたダイボンドペースト４の濡れ広
がり性が管理幅内である場合は、仮決定したものと同じ
塗布条件で、当面のディスペンサーの塗布条件を設定す
る。一方、塗布されたダイボンドペースト４の濡れ広が
り性が管理幅外である場合は、塗布条件の仮決定から再
度実施し、ダイボンドペースト４の濡れ広がり性が管理
幅に納まるようにする。

【００５９】ダイボンド作業の実施 先ず、半導体チップ５のサイズに対応して、塗布すべき
ダイボンドペースト４…の塗布量を特定する。この塗布
量にて塗布を行うように、当面のディスペンサーの塗布
条件を設定する。

【００６０】そして、個々のダイボンドペースト４…を
塗布したのちに、ダイボンドペースト４…の塗布量を計
測し、設定した塗布量と個々に計測した塗布量とを比較
する。

【００６１】計測した塗布量が設定した塗布量の管理幅
内であれば、このとき設定されている塗布条件でダイボ
ンドを継続する。

【００６２】一方、計測した塗布量が設定した塗布量の
管理幅外であれば、ディスペンサーの塗布条件の再調整
を行う。そして、再調整された塗布条件にて塗布された
ダイボンドペースト４…の塗布量を計測し、計測された
塗布量が管理幅内に納まるようにする。

【００６３】上記のように、ダイボンドペーストの塗
布に際しての塗布条件の決定と、ダイボンド作業の実
施とを行うことにより、ダイボンドペースト４…の塗布
量を安定化することができる。

【００６４】このように、本実施の形態のダイボンドペ
ースト４…の付着評価方法は、半導体チップ５をリード
フレーム１に固定する前に、リードフレーム１のダイパ
ッド３上に塗布されたダイボンドペースト４…の体積を
測定し、その測定結果に基づいてダイボンドペースト４
による半導体チップ５とリードフレーム１との付着状態
を評価する方法である。

【００６５】したがって、塗布されたダイボンドペース
ト４…の体積を測定することにより、従来の付着状態の
評価のために必要とされていた、半導体チップ５をリー
ドフレーム１に固定する作業とその後の作業とを省略す
ることができる。さらに、半導体チップ５を障害にする
ことなく、塗布したダイボンドペースト４…の体積を直
接測定することができ、測定の信頼性が向上する。

【００６６】よって、半導体チップ５とリードフレーム
１との付着状態の評価を容易に行うことができる。

【００６７】また、本実施の形態のダイボンドペースト
４…の付着評価方法は、上記のダイボンドペースト４…
の付着評価方法において、リードフレーム１のダイパッ
ド３上に塗布されたダイボンドペースト４…の体積を測
定することにより、ダイボンドペースト４の半導体チッ
プ５への濡れ広がり性を予測する方法である。

【００６８】したがって、塗布されたダイボンドペース
ト４…の体積から、リードフレーム１と半導体チップ５
との固定状態を知ることができる。

【００６９】よって、半導体チップ５をリードフレーム
１に固定する前に、リードフレーム１と半導体チップ５
との固定状態を知ることができる。

【００７０】また、本実施の形態のダイボンドペースト
４…の付着評価方法は、上記のいずれかのダイボンドペ
ースト４…の付着評価方法において、塗布されたダイボ
ンドペースト４…の体積をレーザ変位測定器６により測
定する方法である。

【００７１】よって、ダイボンドペースト４…の体積を
容易に測定できるとともに、精度良く体積を測定するこ
とができる。

【００７２】また、リードフレーム１に半導体チップ５
を最適に固定するダイボンドペースト４の濡れ広がり性
に基づいて、その最適な濡れ広がり性を与えるダイボン
ドペースト４…の塗布体積をより的確に把握することが
できる。

【００７３】よって、その最適なダイボンドペースト４
…の塗布体積をディスペンサーにフィードバックし塗布
条件を調整することで、より効率的なダイボンドを行う
ことができる。

【００７４】また、本実施の形態のダイボンド方法は、
上記のいずれかのダイボンドペースト４…の付着評価方
法による評価に基づいて、ダイボンドペースト４…の塗
布条件を設定してダイボンドを行う方法である。

【００７５】よって、一旦良好なダイボンドペースト４
…の付着状態を得た後は、その付着状態を得ることがで
きる塗布条件にてダイボンドを自動で行うので、良好な
付着状態を維持することができる。

【００７６】これにより、良好なダイボンドペースト４
…の付着状態を維持してダイボンドを容易に行うことが
できる。

【００７７】また、本実施の形態のダイボンド方法は、
上記のダイボンド方法において、予め設定したロット数
毎にダイボンドペースト４…の付着状態の評価を行うと
ともに、ロットの付着状態の評価に基づいて上記ロット
数を変更する方法である。

【００７８】例えば、良好な付着状態を得ていないと評
価した場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペー
スト４…のロット数を少なくする。すなわち、付着状態
を評価する頻度を高くすることにより、塗布条件を確認
する機会を増やし、良好な付着状態を短時間にて得るこ
とができる。

【００７９】一方、良好な付着状態を得ていると評価し
た場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペースト
４…のロット数を増やす。すなわち、付着状態を評価す
る頻度を低くすることにより、付着状態の評価に要する
工数を低減することができる。

【００８０】よって、より効率的にダイボンド工程の工
程管理を行うことができる。

【００８１】また、本実施の形態の図示しないダイボン
ド装置は、上記のいずれかのダイボンド方法を用いるも
のである。

【００８２】よって、良好なダイボンドペースト４…の
付着状態のダイボンドを容易に維持することができ、よ
り効率的にダイボンド工程の工程管理を行うことができ
る。

【００８３】なお、本実施の形態においては、後述する
ようにダイボンド後の濡れ体積の測定が、ダイボンドペ
ースト４…による半導体チップ５とリードフレーム１と
の付着状態の評価へ適応可能であるか否かの評価を行っ
たが、ダイボンドペースト４の他の物性値を用いて評価
を行うことも可能である。例えば、リードフレーム１と
ダイボンドペースト４との固着力や、ダイボンドペース
ト４…の重量を、半導体チップ５をリードフレーム１に
固定する前に測定することにより、ダイボンドペースト
４…による半導体チップ５とリードフレーム１との付着
状態の評価を行ってもよい。

【００８４】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、ダイボンド工程でのダイボンドペーストの
塗布に際して、レーザ変位測定器を用いて平面スキャン
を行い、その測定結果からぺーストの塗布体積、塗布面
積、塗布高さを計算して、ダイボンドペーストの付着状
態を判断する方法である。

【００８５】上記の方法によれば、レーザ変位測定器で
塗布されたぺーストを２次元的にスキャンすることによ
り、塗布されたペーストの体積が計算できる。

【００８６】したがって、人手で目視にて判断するより
も精確で高速な処理ができる。また、スキャン自体の高
速化も測定系のソフトおよびハードの改良で、今後さら
に高速化が可能であるという効果を奏する。

【００８７】さらに、条件出しからアセンブリ完了まで
を全自動にもできるので、ダイボンド工程のシステムト
ータルとしての高速化の要求に応えられる。

【００８８】それゆえ、塗布するダイボンドペースト４
の量を設定することにより、アセンブリ工程を低コスト
で安定的に行い、レーザ変位測定器で塗布されたぺース
トの体積、平面積、高さを求めて最適な塗布条件を判定
することができるという効果を奏する。

【００８９】また、本発明のダイボンド方法は、レーザ
変位測定器をダイボンド装置に装着し、ダイボンドを自
動で行う方法である。

【００９０】上記のダイボンド方法によれば、塗布条件
を一旦決めておいて、その後は一々チェックせずに同じ
条件で生産を行うことができる。

【００９１】それゆえ、量産に於いて、簡便な方式で適
正条件を決定できるとともに、人手を介さず高速に処理
ができるという効果を奏する。

【００９２】また、本発明のダイボンド方法は、レーザ
変位測定器を備えたダイボンド装置を用いて、ダイボン
ドペーストの塗布条件を複数個単位で（ロット単位で）
条件出しを行う方法である。

【００９３】上記のダイボンド方法によれば、ばらつき
の大きいぺーストの塗布工程において、条件出しを一々
チェックした結果が、連続してその都度条件変更の必要
が無いと判断できたときには、その条件が安定した条件
であると判定できるし、以後のチェックを間引きチェッ
クができ、ひいてはトータルの生産工数が削減できる。

【００９４】それゆえ、効率的な工程管理ができるとい
う効果を奏する。

【００９５】

【実施例】本発明におけるダイボンドペーストの付着評
価方法について、半導体チップとリードフレームとの付
着状態の評価へ適応可能であるか否かの検証を行ったの
で説明する。

【００９６】すなわち、本実施例においては、表３に示
すような条件を用いてダイボンドを行い、表４に示すよ
うな測定結果を得た。そして、表４に示すような測定結
果から、レーザ変位測定器６によるダイボンドペースト
４…の付着状態の評価が、半導体チップ５とリードフレ
ーム１との付着状態の評価へ適応可能であるか否かの検
証を行った。

【００９７】より詳細に説明すれば、本実施例における
ダイボンドでは、表３に示すように、ダイボンドペース
ト４…の成分としては表１に示したものと同じ成分構成
のダイボンドペースト４…を用い、ディスペンサーの塗
布圧力としては、0.8 〜2.1×10^-4Pa(0.09 〜0.21kgf/c
m²)とし、リードフレーム１として４２アロイ（42 Allo
y）を用いた。

【００９８】なお、４２アロイとは、従来からＭＯＳ
（Metal Oxide Semiconductor ）デバイス用として主に
使用されているFe-Ni 合金系のリードフレーム材料であ
り、Niを４２重量％含み、熱膨張率がSiと近似している
ことから、リードフレームとして使用されているもので
ある。

【００９９】

【表３】

【０１００】上記表３に示した条件により、以下に示す
表４のような測定結果を得た。なお、表４においては、
ダイボンドペースト４…のサンプル１ないしサンプル５
について、ペースト径寸法とペースト高さとを、図示し
ない測定顕微鏡あるいはレーザ変位測定器６により計っ
た場合のデータを比較する形式で記載している。

【０１０１】また、表４において、濡れ広がり性は、上
記したように、図３に示す半導体チップ５の面積に対す
るダイボンドペースト４…の塗布面積の割合を、実測し
て計算した値である。また、濡れ体積は、レーザ変位測
定器６により測定したダイボンドペースト４…の体積で
ある。

【０１０２】

【表４】

【０１０３】表４に示す測定結果におけるサンプル２な
いしサンプル５については、図４に示すように、濡れ広
がり性と濡れ体積との関係が良好な線型性を示した。す
なわち、レーザ変位測定器６により濡れ体積を測定し、
濡れ体積に対応する濡れ広がり性を図４に示すグラフか
ら判断することにより、濡れ広がり性を把握することが
できる。

【０１０４】また、濡れ広がり性を把握することによ
り、ダイボンドペースト４…による半導体チップ５とリ
ードフレーム１との付着状態の評価を十分に行うことが
できる。

【０１０５】したがって、本実施例においては、レーザ
変位測定器６によるダイボンドペースト４…の付着状態
の評価が、ダイボンドペースト４…による半導体チップ
５とリードフレーム１との付着状態の評価へ適応可能で
あると判断した。

【０１０６】

【発明の効果】本発明のダイボンドペーストの付着評価
方法は、以上のように、半導体チップをリードフレーム
に固定する前に、リードフレームのダイパッド上に塗布
されたダイボンドペーストの体積を測定し、その測定結
果に基づいてダイボンドペーストによる半導体チップと
リードフレームとの付着状態を評価する方法である。

【０１０７】それゆえ、半導体チップとリードフレーム
との付着状態の評価を容易に行うことができるという効
果を奏する。

【０１０８】本発明のダイボンドペーストの付着評価方
法は、以上のように、上記のダイボンドペーストの付着
評価方法において、リードフレームのダイパッド上に塗
布されたダイボンドペーストの体積を測定することによ
り、ダイボンドペーストの半導体チップへの濡れ広がり
性を予測する方法である。

【０１０９】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、半導体チップをリード
フレームに固定する前に、リードフレームと半導体チッ
プとの固定状態を知ることができるという効果を奏す
る。

【０１１０】本発明のダイボンドペーストの付着評価方
法は、以上のように、上記のいずれかのダイボンドペー
ストの付着評価方法において、塗布されたダイボンドペ
ーストの体積をレーザ変位測定器により測定する方法で
ある。

【０１１１】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、最適なダイボンドペー
ストの体積をディスペンサーにフィードバックし、より
効率的なダイボンドを行うことが可能という効果を奏す
る。

【０１１２】本発明のダイボンド方法は、以上のよう
に、上記のいずれかのダイボンドペーストの付着評価方
法による評価に基づいて、ダイボンドペーストの塗布条
件を設定してダイボンドを行う方法である。

【０１１３】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、良好なダイボンドペー
ストの付着状態を維持してダイボンドを容易に行うこと
ができるという効果を奏する。

【０１１４】本発明のダイボンド方法は、以上のよう
に、予め設定したロット数毎にダイボンドペーストの付
着状態の評価を行うとともに、ロットの付着状態の評価
に基づいて上記ロット数を変更する方法である。

【０１１５】それゆえ、上記のダイボンド方法の効果に
加えて、より効率的にダイボンド工程の工程管理を行う
ことができるという効果を奏する。

【０１１６】本発明のダイボンド装置は、以上のよう
に、上記のいずれかのダイボンド方法を用いるものであ
る。

【０１１７】それゆえ、上記のダイボンド方法による効
果に加えて、良好なダイボンドペーストの付着状態のダ
イボンドを容易に維持することができ、より効率的にダ
イボンド工程の工程管理を行うことが可能となるという
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるダイボンドペーストの付着評価
方法の実施の一形態を説明するための構成図である。

【図２】上記ダイボンドペーストの付着評価方法に用い
るリードフレームにダイボンドペーストを塗布した状態
を示す平面図である。

【図３】上記ダイボンドペーストの付着評価方法に用い
るリードフレームにダイボンドペーストにより半導体チ
ップを固定した状態を示す平面図である。

【図４】上記ダイボンドペーストの付着評価方法におけ
る濡れ広がり性と濡れ体積との関係を示すグラフであ
る。

【図５】従来のダイボンドペーストの付着評価方法に用
いるリードフレームにダイボンドペーストを塗布した状
態を示す平面図である。

【図６】従来のダイボンドペーストの付着評価方法に用
いるリードフレームにダイボンドペーストにより半導体
チップを固定した状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１ リードフレーム ３ ダイパッド ４ ダイボンドペースト ５ 半導体チップ ６ レーザ変位測定器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA06 AA59 CC26 FF11 FF31 GG06 JJ26 MM06 QQ21 QQ31 RR08 UU05 4D075 AC06 AC91 AC93 CA12 CA22 CA47 DA06 DB14 DC22 EA14 EA31 EA35 EB33 5F047 AA11 BB11 FA22 FA77 FA83

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップをリードフレームに固定する
   前に、リードフレームのダイパッド上に塗布されたダイ
   ボンドペーストの体積を測定し、その測定結果に基づい
   てダイボンドペーストによる半導体チップとリードフレ
   ームとの付着状態を評価することを特徴とするダイボン
   ドペーストの付着評価方法。
2. 【請求項２】リードフレームのダイパッド上に塗布され
   たダイボンドペーストの体積を測定することにより、ダ
   イボンドペーストの半導体チップへの濡れ広がり性を予
   測することを特徴とする請求項１に記載のダイボンドペ
   ーストの付着評価方法。
3. 【請求項３】塗布されたダイボンドペーストの体積をレ
   ーザ変位測定器により測定することを特徴とする請求項
   １または請求項２に記載のダイボンドペーストの付着評
   価方法。
4. 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
   記載のダイボンドペーストの付着評価方法による評価に
   基づいて、ダイボンドペーストの塗布条件を設定してダ
   イボンドを行うことを特徴とするダイボンド方法。
5. 【請求項５】予め設定したロット数毎にダイボンドペー
   ストの付着状態の評価を行うとともに、ロットの付着状
   態の評価に基づいて上記ロット数を変更することを特徴
   とする請求項４に記載のダイボンド方法。
6. 【請求項６】請求項４または請求項５に記載のダイボン
   ド方法を用いるダイボンド装置。