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JP2002278504A - 自発光型表示装置 - Google Patents

自発光型表示装置

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Publication number
JP2002278504A
JP2002278504A JP2001077816A JP2001077816A JP2002278504A JP 2002278504 A JP2002278504 A JP 2002278504A JP 2001077816 A JP2001077816 A JP 2001077816A JP 2001077816 A JP2001077816 A JP 2001077816A JP 2002278504 A JP2002278504 A JP 2002278504A
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JP
Japan
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scanning line
transistor
light
horizontal scanning
emitting element
Prior art date
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Application number
JP2001077816A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Inoue
満夫 井上
Masashi Okabe
正志 岡部
Shuji Iwata
修司 岩田
Taku Yamamoto
卓 山本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to US10/276,062 priority patent/US7061452B2/en
Priority to PCT/JP2002/002493 priority patent/WO2002075711A1/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は画素の輝度ばらつきを低減すること
を目的とする。 【解決手段】 マトリックス状に配列された複数の発光
素子と、各発光素子からの発光を受光する光検知素子と
を備え、光検知素子により発光素子の発光量を制御する
ように構成した自発光型表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光素子マトリ
クスを搭載した自発光型表示装置に関し、特に表示の輝
度バラツキ抑制を目的としたものである。
【０００２】
【従来の技術】表示パネルに有機ＥＬを用いた有機ＥＬ
パネルが実用レベルに達してきた。有機ＥＬパネルは自
発光、高速応答、広視野角など液晶パネルに持ち合わせ
ていない優れた特徴を有しているため、文字図形画像や
動画像表示が鮮明にできるフラットパネルとして期待が
大きい。有機ＥＬパネルは駆動方法により、パッシィブ
マトリクス型(ＰＭ型)とアクティブマトリクス型(ＡＭ
型)に分類することができる。
【０００３】ＰＭ型は有機ＥＬパネルの外部に駆動回路
を設けるため、有機ＥＬパネル自体の構造が簡単となり
低コストが実現できると言われている。現在、有機ＥＬ
パネルが製品化されているのは、このＰＭ型であり車載
用や携帯電話用に用いられている。有機ＥＬは電流駆動
素子であるので、有機ＥＬパネルの輝度ばらつきをなく
すためには、各発光画素に流れる電流を同じ大きさにす
る必要がある。しかし、次の(１)から（３）に示す問題
により同一電流にすることと低消費電力にすることが困
難である。 （１）全画素の輝度を均一化するには、各画素に流れる
電流を同一にしなければならない。そのためには各画素
の陽極か陰極かのどちらか一方を定電流源にする。しか
し、定電流源として動作させるためには、バスラインの
抵抗成分による電圧降下分の影響がないように、他方側
のマトリクス電極の駆動電圧を高くする必要がある。こ
れは消費電力を大きくする要因となる。駆動電圧が十分
に高くできない場合、各画素までのバスライン長の長さ
に対応した電圧降下分が発光のための電流量に影響を与
える。すなわち定電流源にならず輝度ばらつきの原因を
つくる。 （２）ＰＭ型は所定の面輝度を得るために、表示パネル
の走査線の数をＮ本とすると瞬間輝度はN倍で発光させ
る必要がある。通常、画素に流れる電流と発光輝度は比
例するので流すべき電流はＮ倍となる。ところが有機Ｅ
Ｌは流す電流が大きくなれば発光効率が低下する性質を
持っているので、所定の面輝度を得るにはＮ倍以上の画
素電流が必要である。このように走査線の数Ｎが多くな
ればなるほど消費電力も大きくなる。この問題は上記
（１）の問題をますます助長する。 (３)有機ＥＬは面構造になっているので、各画素には等
価回路から見れば並列に容量性負荷が接続される。画素
電流が大きくなったり、画素数が多くなって繰り返し周
波数が高くなると、この容量性負荷への充放電電流が大
きくなり消費電力がおおきくなる。上記（２）の問題も
あってＰＭ型では、容量性負荷による消費電力が格段に
増加する。以上の問題により、現状で製品化されている
ＰＭ型のものは、画面サイズが数インチ以下、画素数が
1万画素レベルぐらいまでである。
【０００４】ＡＭ型の有機ＥＬパネルは、上記の問題が
改善できる。上記（１）の問題は、ＡＭ型は各画素にＴ
ＦＴ駆動回路を設けるので、瞬間的に大電流を流す必要
がなく、その結果、上記（１）のバスラインによる電圧
低下分が小さくなり、印加電圧も小さくてよいので消費
電力がＰＭ型に比べて大幅に低減できる。印加電圧が小
さくて良いことは少し高めの印加電圧に設定するだけ
で、各画素までのバスライン長の長さに対応した電圧降
下分が画素電流量に影響を与えることが無くなるので、
均一な輝度を得ることができる。上記（２）の問題は、
ＡＭ型は各画素にＴＦＴ駆動回路を設けるので、走査線
の数Ｎによらず、いつも小さな画素電流を流しておけば
よいので、画素電流が大きくなることによる発光効率の
低下に起因する消費電力の増大はない。上記（３）の問
題は、ＡＭ各画素にＴＦＴ駆動回路を設けるので、走査
線の数Ｎによらず、小さな画素電流を流しておけばよい
ので、容量性負荷への充放電電流が小さくて良く、この
影響による消費電力は小さい。このようにＡＭ型の有機
ＥＬは、輝度ばらつきや消費電力を低減できる。
【０００５】ところが、ＡＭ型には次の大きな欠点があ
る。すなわち、有機ＥＬパネル全域にわたって、特性の
そろった駆動素子を作ることが困難である。その結果、
各画素に流れる電流値が異なり輝度のばらつきとなって
表れる。
【０００６】図５は、従来のＡＭ型有機ＥＬディスプレ
イにおける画素を発光させるための駆動回路を示す回路
図であり、この駆動回路は例えば特許２７８４６１５号
公報に記載されている。図５を用いてこの駆動回路の動
作を説明する。第１のトランジスタ５３は、例えばＮチ
ャンネルタイプで構成するＦＥＴでありスイッチング素
子として動作する。第２のトランジスタ５５は例えばＰ
チャンネルで構成するＦＥＴであり駆動素子として動作
する。キャパシタ５４は第１のトランジスタ５３のドレ
イン端子に接続されている容量性負荷である。第２のト
ランジスタ５４のドレイン端子には発光素子５６にあた
る有機ＥＬ素子が接続されている。第１のトランジスタ
５３のドレイン端子は第２のトランジスタ５５のゲート
端子に接続される。第１のトランジスタ５３のゲート端
子には第１の垂直走査線５１から走査信号が印加され
る。ソース端子には第１の水平走査線５２から画像信号
が印加される。５７は電源線である。
【０００７】次に発光モードについて説明する。まず、
第１のトランジスタ５３のゲート端子には走査線信号が
印加される。この時に第１のトランジスタ５３のソース
端子に画像信号が所定の電圧で印加されると、第１のト
ランジスタ５３のドレイン端子に接続されたキャパシタ
５４には画像信号の大きさに対応した電圧レベルがＶ１
で保持される。第２のトランジスタ５５のゲート電圧に
保持される電圧レベルＶ１の大きさがドレイン電流を流
すのに十分な大きさであれば、電圧レベルＶ１の大きさ
に対応した電流が第２のトランジスタ５５のドレインに
流れる。このドレイン電流が発光素子５６の発光電流と
なる。輝度は発光電流の大きさに比例する。図６は、こ
のような動作で発光する場合の輝度ばらつきの発生につ
いて説明するための特性図である。この特性図は第２の
トランジスタ５５のゲート・ソース間電圧とドレイン電
流の関係を示したものである。第１のトランジスタ５３
や第２のトランジスタ５５が低温ポリシリコンで構成さ
れる場合、低温ポリシリコンの製法上の関係から、表示
パネル全域にわたり同一特性のＦＥＴが得られない。例
えば、第１のトランジスタ５３や第２のトランジスタ５
５は図６に示すような特性のばらつきをもつ。このよう
な特性をもつ第２のトランジスタ５５に電圧レベルＶ１
が印加されると、ドレイン電流の大きさはＩａからＩｂ
の幅でばらつく。有機ＥＬは電流の大きさに比例した輝
度で発光するので、第２のトランジスタ５５における特
性のばらつきが発光輝度のばらつきとなって表れる。特
に、図６に示すような特性ばらつきは、アナログ量で輝
度変調する方式、すなわち電圧レベルＶ１の大きさで発
光輝度を制御する方式では輝度ばらつきの発生を防止す
ることができない。
【０００８】そこで、第２のトランジスタ５５のゲート
・ソース間電圧とドレイン電流の関係を示した図７にお
いて、電圧レベルＶ１が常に一定の値となるレベルで輝
度制御するデジタル輝度制御方式では、電流が飽和した
レベルを用いるので、アナログ輝度制御方式で発生した
輝度ばらつきが防止できる。ところが、図８に同様に示
す第２のトランジスタ５５のゲート・ソース間電圧とド
レイン電流の関係を持つ特性のものでは、飽和電流が同
一でないので、デジタル輝度制御方式においても、輝度
ばらつきが発生する。図９は、駆動素子の特性ばらつき
を改善するその他の従来例である「Ａｃｔｉｖｅ Ｍａ
ｔｒｉｘ ＯＥＬＤ Ｄｉｓｐｌａｙｓｗｉｔｈ Ｐｏ
−ＳｉＴＦＴ．Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉ
ｃ＆ＯＥＬ．ｐ３４７〜ｐ３５６」に記載された駆動回
路を示す回路図である。この従来例では、駆動素子とし
ての第２のトランジスタ５５Ａ、５５Ｂを並列に接続す
ることにより上記特性のばらつきを平均化している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の自発光型表示装
置は、以上のように構成されているので駆動素子である
トランジスタの閾値電圧がばらついた場合には、発光素
子への印加電圧がばらつくことになり、同一階調の表示
を行った場合に各画素で輝度がばらつくといった問題点
があった。
【００１０】一方、上記のような輝度バラツキを抑制す
る目的で、トランジスタの閾値電圧バラツキをキャンセ
ルするため、一つの画素内に４つのトランジスタを用い
た自発光型表示装置が考案されている。しかしながら、
この方式でもトランジスタの閾値バラツキは抑制できる
ものの、発光素子自体の特性バラツキは抑制することが
できず、同一階調の表示を行った場合に各画素で輝度が
ばらつくといった問題点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の構成に
かかるものは、マトリクス状に配列された複数の発光素
子と、各々の発光素子に対して少なくとも一つ設けら
れ、発光素子からの発光を受光するように形成された光
検知素子とを備え、光検知素子の信号により発光素子の
発光量を制御するものである。
【００１２】この発明の第２の構成にかかるものは、複
数の第１の垂直走査線と、第１の垂直走査線の各々に交
わるように配設された複数の第１の水平走査線と複数の
電源線と、第１の垂直走査線と第１の水平走査線との交
点近傍に備えられ、第１の垂直走査線に制御される第１
のトランジスタと、第１のトランジスタを介して第１の
水平走査線に接続されるキャパシタと、第１のトランジ
スタを介して第１の水平走査線に接続され、第１の水平
走査線に制御される第２のトランジスタと、第２のトラ
ンジスタを介して、電源線に接続される発光素子からな
る表示装置において、第１の垂直走査線と電源線との間
に光検知素子と抵抗が直列に接続され、光検知素子と抵
抗との接続点の電位に制御される第３のトランジスタ
と、第３のトランジスタを介して電源線が第２の水平走
査線に接続され、光検知素子が発光素子からの光を受光
するようにしたものである。
【００１３】この発明の第３の構成にかかるものは、第
２の構成による自発光型表示装置であって、受光素子の
信号を第２の水平走査線を介して読み出すための制御回
路と、発光素子毎の信号をデータとして格納するための
メモリを備え、メモリのデータに基づき発光素子に与え
る信号電圧を変調して第１の水平走査線に印加する手段
を備えたものである。
【００１４】この発明の弟４の構成にかかるものは、複
数の第１の垂直走査線と、第１の垂直走査線と第１の水
平走査線との交点近傍に備えられ、第１の垂直走査線に
制御される第１のトランジスタと、第１のトランジスタ
を介して第１の水平走査線に接続されるキャパシタと、
第１のトランジスタを介して第１の水平走査線に接続さ
れ、第１の水平走査線に制御される第２のトランジスタ
と、第２のトランジスタを介して、電源線に接続される
発光素子からなる表示装置において、第１の垂直走査線
で制御される第４のトランジスタと、第１の垂直走査線
と電源線との間に光検知素子とキャパシタが直列に接続
され、光検知素子とキャパシタとの接続点が第４のトラ
ンジスタを介して第２の水平走査線に接続され、光検知
素子が発光素子からの光を受光するように構成したもの
である。
【００１５】この発明の第５の構成にかかるものは、複
数の第１の垂直走査線と、第１の垂直走査線と第１の水
平走査線との交点近傍に備えられ、第１の垂直走査線に
制御される第１のトランジスタと、第１のトランジスタ
を介して第１の水平走査線に接続されるキャパシタと、
第１のトランジスタを介して第１の水平走査線に接続さ
れ、第１の水平走査線に制御される第２のトランジスタ
と、第２のトランジスタを介して、電源線に接続される
発光素子からなる表示装置において、第１の垂直走査線
で制御される第４のトランジスタと、第１の垂直走査線
と電源線との間に光検知素子とキャパシタが直列に接続
され、光検知素子とキャパシタとの接続点が第４のトラ
ンジスタを介して第２の水平走査線に接続され、光検知
素子が発光素子からの光を受光するように構成され、光
検知素子の信号を前記第２の水平走査線を介して読み出
すための制御回路と、発光素子毎の信号をデータとして
格納するためのメモリを備え、メモリのデータに基づき
発光素子に与える信号電圧を変調して前記第１の水平走
査線に印加する手段を備えたものである。
【００１６】この発明の第６の構成にかかるものは、第
１から第５の構成において、光検知素子体が、アモルフ
ァスシリコンで構成されたものである。
【００１７】この発明の第７の構成にかかるものは、第
２から第３の構成において、光検知素子体と抵抗体が、
いずれもアモルファスシリコンで構成され、抵抗体を構
成するアモルファスシリコンと発光素子との間に遮光膜
を形成したものである。
【００１８】の発明の第８の構成にかかるものは、第１
から第７の構成において、発光素子として有機ＥＬ素子
を用いたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
に従って説明する。なお、図中、同一符号は同一または
相当部分を示す。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１による自
発光型表示装置の一つの画素を示す回路図である。図に
おいて、５１は第１の垂直走査線、５２は第１の水平走
査線、５３は第１のトランジスタ、５４はキャパシタ、
５５は第２のトランジスタ、５６は発光素子であり、有
機ＥＬ素子からなる。５７は電源線である。また、８は
光検知素子、９は抵抗であり、この光検知素子８と抵抗
９は、第１の垂直走査線５１と次段の第１の垂直走査線
５７との間において、互いに直列に接続されている。１
０は光検知素子８と抵抗９との接続点にゲートが接続さ
れた第３のトランジスタ、１１は第２の水平走査線であ
り、この第２の水平走査線１１には第３のトランジスタ
１０のドレインが接続されている。なお、図の下半分の
構成は、次段の構成であり、上半分と同一の構成である
ので説明は省略する。
【００２０】次に動作について説明する。第１の垂直走
査線５１が活性化されると第１のトランジスタ５３は導
通状態となり、第１の水平走査線５２の電圧が第１のト
ランジスタを介してキャパシタ５４に充電される。同時
にキャパシタ５４に充電された電圧は第２のトランジス
タ５５のゲートに接続されているので第２のトランジス
タ５５は導通状態になり、電源線５７から発光素子５６
に電流を供給し、発光素子５６は光を発するが、第２の
トランジスタ５５のゲートに印加される電圧値によって
発光量が制御されるとともに、キャパシタ５４によりそ
の電圧は維持され発光素子５６は第１の垂直走査線５１
が非活性化され、第１のトランジスタ５３は非導通状態
になった後も発光し続けることは既に述べた。
【００２１】ところで、発光素子５６に流れる電流は第
２のトランジスタ５５のゲートに印加される電圧値によ
り制御されるが、その電流値Ｉｄと第２のトランジスタ
５５のゲートに印加される電圧値Ｖｇは１式の関係があ
る。 Ｉｄ＝ｋｘＶｄｘ（Ｖｇ−Ｖｔｈ）・・・１ ここでＶｄはトランジスタのソースードレイン間に印加
される電圧、Ｖｔｈはトランジスタの閾値電圧、ｋは第
２のトランジスタ５５のチャネル長、チャネル幅やキャ
リア移動度で決まる定数である。すなわち、第２のトラ
ンジスタ５５の電流値Ｉｄは、第２のトランジスタ５５
のゲート電圧Ｖｇからトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの
差により決定されるが、Ｖｔｈにはトランジスタ毎にバ
ラツキが大きいため、同一のＶｇを印加したとしても同
一の輝度をえることはできないことも既に述べた。
【００２２】本実施の形態１では、発光素子５６の光を
光検知素子８により検知できるように構成されている。
第１の垂直走査線５１が活性化されると、光検知素子８
および抵抗９には電源線５７と第１の垂直走査線５１と
の間の電圧が印加される。同時に第１の水平走査線５２
にはデータに対応した電圧が印加され、発光素子５６が
発光するが、この発光により光検知素子８の抵抗値が急
激に低下し、光検知素子８と抵抗９の接続点の電圧は第
１の垂直走査線５１の電圧に近づく。この接続点は第３
のトランジスタ１０のゲートに接続されているため、こ
の電圧により第３のトランジスタ１０は導通し、第２の
水平走査線１１は第３のトランジスタ１０を介して電源
線７と接続され、第２の水平走査線１１の電位は電源線
５７の電位と概ね同一となる。このため第２の水平走査
線１１の電位を観測することにより、活性化された第１
の垂直走査線５１に対応する発光素子５６が発光したこ
とを検知することができる。すなわち、第１の水平走査
線５２のデータを順次変化させていくことにより、発光
素子５６が発光を始めるデータの電圧が判明する。
【００２３】図２に本実施の形態１にかかわる自発光型
表示装置の制御回路を示す。２１は第１の垂直走査線５
１を制御する垂直走査回路、２２は第１の水平走査線５
２を制御する第１の水平走査回路、２３は第２の水平走
査線１１を制御する第２の水平走査回路、２４は発光素
子５６および光検知素子８を含む多数の画素がマトリク
ス状に形成された表示部分、２５は光検知素子８で検知
された時点における第１の水平走査線５２の電圧を記憶
するメモリ、２６は第１の水平走査線５２に印加する電
圧をメモリ２５のデータに基づき変換するための電圧変
換回路である。具体的には、メモリ２５に記憶された各
画素が発光し始める電圧を、画素を光らせようとする輝
度に対応した電圧に加えるものである。
【００２４】図３に本実施の形態１にかかわる画素部の
断面図を示す。図において、４０は透明絶縁基板、４１
は遮光膜、４２はホール注入層、４３は電子注入層であ
る。
【００２５】透明絶縁基板４０上に第１のトランジスタ
５３、第２のトランジスタ５５、第３のトランジスタ１
０およびキャパシタ５４が形成されている。層間絶縁膜
を形成し、その上にアモルファスシリコン層を形成し、
電極を設けることにより、光検知素子８および抵抗９を
形成するが、抵抗９の上にのみ遮光膜４１を配すること
により、同一のアモルファスシリコンにより光検知素子
８と抵抗９を作り分けることができる。さらに層間絶縁
膜を介してホール注入層４２、発光素子５６、電子注入
層４３を積層することにより、発光素子５６と光検知素
子８を一対とした自発光型表示装置を実現することがで
きる。
【００２６】実施の形態１による自発光型表示装置は以
上のように構成されているので、あらかじめ各画素が光
り始める電圧を光検知素子８によって検知し、その電圧
をメモリ２５に記憶させておくことができ、また各画素
に要求される輝度を正確に表示させるため輝度に対応し
た電圧に発光素子５６が光り始める閾値電圧を加えるこ
とができるので、第２のトランジスタ５５の閾値バラツ
キに左右されず所望の輝度で表示させることができる。
【００２７】実施の形態２．図４は、実施の形態２を示
す自発光型表示装置における一つの画素の駆動回路を示
す回路図である。図において、５１は第１の垂直走査
線、５２は第１の水平走査線、５３は第１のトランジス
タ、５４はキャパシタ、５５は第２のトランジスタ、５
６は発光素子、５７は電源線である。また、８は光検知
素子、１１は第２の水平走査線、３０は第４のトランジ
スタ、３１は第２のキャパシタである。本実施の形態で
は、光検知素子８の一方の端子は、電源線５７に接続さ
れており、他方の端子は第２のキャパシタ３１を介して
第１の垂直走査線５１に接続される。第４のトランジス
タ３０のゲート端子は第１の垂直走査線５１に接続され
て第１の垂直走査線５１で制御されるとともに、ソース
端子は光検知素子８と第２のキャパシタとの接続点に接
続されており、導通時には光検知素子８と第２のキャパ
シタにおける接続点の電位を第２の水平走査線１１に与
えるように構成されている。第４のトランジスタ３０の
ドレイン端子は第２の水平走査線に接続されている。
【００２８】次に動作について説明する。実施の形態２
においては、上記のように電気回路が構成されているの
で、第１の垂直走査線５１が活性化されたときには、第
１のトランジスタ５３、および第４のトランジスタ３０
は共に導通状態となる。第１の水平走査線５２からデー
タがキャパシタ５４に書き込まれる。そのデータの電圧
値が第２のトランジスタ５５を導通できる電圧、すなわ
ち第２のトランジスタ５５の閾値電圧に達しない時は、
発光素子５６は光を発しないので、光検知素子８は高抵
抗のまま維持され、光検知素子８と第２のキャパシタの
接続点における電位は電源線５７の電位から第１の垂直
走査線５１の活性化電圧分だけ引き込まれた電圧が第４
のトランジスタ３０を介して第２の水平走査線１１に供
給される。一方、第１の水平走査線５２から供給される
データの電圧が第２のトランジスタ５５を導通できる電
圧に達した時は、発光素子５６に電流が供給され、発光
素子５６は光を発することになる。この光を光検知素子
８が検知すると光検知素子８の抵抗値が低下し、概ね電
源線５７の電位が第４のトランジスタ３０を介して第２
の水平走査線１１に供給される。
【００２９】このように、第１の水平走査線５２に与え
られるデータの電圧により、第２のトランジスタ５５の
閾値電圧が検知できることになり、実施の形態１の場合
と同様に、その電圧をメモリ２５に記憶させておくこと
ができ、また各画素に要求される輝度を正確に表示させ
るため輝度に対応した電圧に発光素子５６が光り始める
閾値電圧を加えることができるので、第２のトランジス
タ５５の閾値バラツキに左右されず所望の輝度で表示さ
せることができる。以上の説明では、自発光型の表示素
子として有機ＥＬ素子を用いたが、表示素子しとしては
これに限るものではない。
【００３０】
【発明の効果】本発明の第１の構成によれば、発光素子
からの発光を受光するように形成された光検知素子の電
圧により、発光素子の発光量を制御するようにしたの
で、トランジスタの閾値電圧を補正して輝度バラツキを
抑制することができる。
【００３１】本発明の第２の構成によれば、第１の構成
において、光検知素子と抵抗とを直列に接続し、その接
続点の電位によりトランジスタの閾値電圧を検知するよ
うにしたので、簡単な回路でトランジスタの閾値電圧バ
ラツキを検出することができる。
【００３２】本発明の第３の構成によれば、第２の構成
において、光検知素子の信号を読み出すための制御回路
と発光素子毎の信号をデータとして格納するためのメモ
リを備えたので、メモリのデータに基づき発光素子に与
える信号電圧を変調することができ、輝度バラツキを抑
制することができる。
【００３３】本発明の第４の構成によれば、第１の構成
において、光検知素子とキャパシタを直列に接続し、そ
の接続点の電位を垂直走査線で制御されたトランジスタ
により読み出し、トランジスタの閾値電圧を検知するよ
うにしたので、直流電流を抑制することができ、消費電
力を抑制しながらトランジスタの閾値電圧バラツキを検
出することができる。
【００３４】本発明の第５の構成によれば、第４の構成
において、光検知素子とキャパシタを直列に接続し、そ
の接続点の電位を垂直走査線で制御されたトランジスタ
により読み出すとともに、光検知素子の信号を読み出す
ための制御回路と発光素子毎の信号をデータとして格納
するためのメモリを備えたので、メモリのデータに基づ
き発光素子に与える信号電圧を変調することができ、消
費電力を抑えながら輝度バラツキを抑制することができ
る。
【００３５】本発明の第６の構成によれば、第１〜第５
のいずれかの構成において、光検知素子体をアモルファ
スシリコンで構成したので、簡単なプロセスで光検知素
子を形成することができ、輝度バラツキの少ない自発光
型表示装置を低コストで実現することができる。
【００３６】本発明の第７の構成によれば、第２又は第
３の構成において、光検知素子体と抵抗体をいずれもア
モルファスシリコンで構成し、抵抗体の上のみに遮光膜
を形成したので、輝度バラツキの少ない自発光型表示装
置を低コストで実現することができる。
【００３７】本発明の第８の構成によれば、第１〜第７
のいずれかの構成において、発光素子として有機ＥＬ素
子を用いたので、低電圧で輝度の高い自発光型表示装置
が実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における駆動回路の構
成を示す回路図である。
【図２】 本発明の実施の形態１における自発光型表示
装置の制御回路の概略構成を示す概念図である。
【図３】 本発明の実施の形態１における回路構成を示
す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２における駆動回路の構
成を示す回路図である。
【図５】 従来の自発光型表示装置の構成を示す回路図
である。
【図６】 従来の自発光型表示装置の動作を説明するた
めの特性図である。
【図７】 従来の自発光型表示装置の動作を説明するた
めの特性図である。
【図８】 従来の自発光型表示装置の動作を説明するた
めの特性図である。
【図９】 従来の他の自発光型表示装置を示す回路図で
ある。
【符号の説明】
８ 光検知素子、 ９ 抵抗、 １０ 第３のトランジ
スタ、１１ 第２の水平走査線、 ５１ 第１の垂直走
査線、 ５２第１の水平走査線、 ５３ 第１のトラン
ジスタ、 ５４ キャパシタ、 ５５ 第２のトランジ
スタ、 ５６ＥＬ素子、 ５７ 電源線、 ３０ 第４
のトランジスタ、３１ 第２のキャパシタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/0248 Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｈ 31/12 Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 Ａ 33/14 Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｈ (72)発明者 岩田 修司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山本 卓 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 DA01 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 FF11 FF12 JJ02 JJ03 JJ05 JJ06 5F088 AA11 AB05 BA10 BB03 DA05 EA04 GA02 HA10 5F089 AB08 AC01 CA16 FA03

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に配列された複数の発光素
    子と、各発光素子に対して少なくとも一つ設けられ、発
    光素子からの発光を受光するように形成された光検知素
    子とを備え、光検知素子の信号により発光素子の発光量
    を制御することを特徴とする自発光型表示装置。
  2. 【請求項２】 複数の第１の垂直走査線と、第１の垂直
    走査線と前記第１の水平走査線との交点近傍に備えら
    れ、第１の垂直走査線に制御される第１のトランジスタ
    と、第１のトランジスタを介して第１の水平走査線に接
    続されるキャパシタと、第１のトランジスタを介して第
    １の水平走査線に接続され、第１の水平走査線に制御さ
    れる第２のトランジスタと、第２のトランジスタを介し
    て、電源線に接続される発光素子からなる表示装置にお
    いて、第１の垂直走査線と電源線との間に光検知素子と
    抵抗が直列に接続され、光検知素子と抵抗との接続点の
    電位に制御される第３のトランジスタと、第３のトラン
    ジスタを介して電源線が第２の水平走査線に接続され、
    光検知素子が発光素子からの光を受光するように構成さ
    れた請求項１記載の自発光型表示装置。
  3. 【請求項３】 複数の第１の垂直走査線と、第１の垂直
    走査線と第１の水平走査線との交点近傍に備えられ、第
    １の垂直走査線に制御される第１のトランジスタと、第
    １のトランジスタを介して第１の水平走査線に接続され
    るキャパシタと、第１のトランジスタを介して第１の水
    平走査線に接続され、第１の水平走査線に制御される第
    ２のトランジスタと、第２のトランジスタを介して、電
    源線に接続される発光素子からなる表示装置において、
    第１の垂直走査線と電源線との間に光検知素子と抵抗が
    直列に接続され、光検知素子と抵抗との接続点の電位に
    制御される第３のトランジスタと、第３のトランジスタ
    を介して前記電源線が第２の水平走査線に接続され、光
    検知素子が発光素子からの光を受光するように構成さ
    れ、光検知素子の信号を前記第２の水平走査線を介して
    読み出すための制御回路と、発光素子毎の信号をデータ
    として格納するためのメモリを備え、メモリのデータに
    基づき発光素子に与える信号電圧を変調して前記第１の
    水平走査線に印加する手段を備えたことを特徴とする請
    求項２記載の自発光型表示装置。
  4. 【請求項４】 複数の第１の垂直走査線と、第１の垂直
    走査線と第１の水平走査線との交点近傍に備えられ、第
    １の垂直走査線に制御される第１のトランジスタと、第
    １のトランジスタを介して第１の水平走査線に接続され
    るキャパシタと、第１のトランジスタを介して第１の水
    平走査線に接続され、第１の水平走査線に制御される第
    ２のトランジスタと、第２のトランジスタを介して、電
    源線に接続される発光素子からなる表示装置において、
    第１の垂直走査線で制御される第４のトランジスタと、
    第１の垂直走査線と電源線との間に光検知素子とキャパ
    シタが直列に接続され、光検知素子とキャパシタとの接
    続点が前記第４のトランジスタを介して第２の水平走査
    線に接続され、光検知素子が発光素子からの光を受光す
    るように構成された請求項１記載の自発光型表示装置。
  5. 【請求項５】 複数の第１の垂直走査線と、第１の垂直
    走査線と第１の水平走査線との交点近傍に備えられ、第
    １の垂直走査線に制御される第１のトランジスタと、第
    １のトランジスタを介して第１の水平走査線に接続され
    るキャパシタと、第１のトランジスタを介して第１の水
    平走査線に接続され、第１の水平走査線に制御される第
    ２のトランジスタと、第２のトランジスタを介して、電
    源線に接続される発光素子からなる表示装置において、
    第１の垂直走査線で制御される第４のトランジスタと、
    第１の垂直走査線と電源線との間に光検知素子とキャパ
    シタが直列に接続され、光検知素子とキャパシタとの接
    続点が第４のトランジスタを介して第２の水平走査線に
    接続され、光検知素子が発光素子からの光を受光するよ
    うに構成され、光検知素子の信号を第２の水平走査線を
    介して読み出すための制御回路と、発光素子毎の信号を
    データとして格納するためのメモリを備え、メモリのデ
    ータに基づき発光素子に与える信号電圧を変調して第１
    の水平走査線に印加する手段を備えたことを特徴とする
    請求項４記載の自発光型表示装置。
  6. 【請求項６】 光検知素子体が、アモルファスシリコン
    で構成された事を特徴とする請求項１〜５のいずれかに
    記載の自発光型表示装置。
  7. 【請求項７】 光検知素子体と抵抗体が、いずれもアモ
    ルファスシリコンで構成され、抵抗体を構成するアモル
    ファスシリコンと発光素子との間に遮光膜を形成したこ
    とを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載の自発
    光型表示装置。
  8. 【請求項８】 発光素子として有機ＥＬ素子を用いたこ
    とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の自発光
    型表示装置。
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