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JP2002273794A - Method for producing polymer plate conductive plate joined body - Google Patents

Method for producing polymer plate conductive plate joined body

Info

Publication number
JP2002273794A
JP2002273794A JP2001077149A JP2001077149A JP2002273794A JP 2002273794 A JP2002273794 A JP 2002273794A JP 2001077149 A JP2001077149 A JP 2001077149A JP 2001077149 A JP2001077149 A JP 2001077149A JP 2002273794 A JP2002273794 A JP 2002273794A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
polymer
conductive plate
conductive
joined body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001077149A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kinji Saijo
謹二 西條
Kazuo Yoshida
一雄 吉田
Hiroaki Okamoto
浩明 岡本
Shinji Osawa
真司 大澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Kohan Co Ltd
Original Assignee
Toyo Kohan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Kohan Co Ltd filed Critical Toyo Kohan Co Ltd
Priority to JP2001077149A priority Critical patent/JP2002273794A/en
Publication of JP2002273794A publication Critical patent/JP2002273794A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a polymer plate/conductive plate joined body in which the polymer plate and the conductive plate are joined together without using an adhesive. SOLUTION: The surfaces of the polymer plate and the conductive plate which are facing each other are subjected to activation treatment under an extremely low pressure and then joined together to obtain the polymer plate/ conductive plate joined body.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、高分子板と導電板
を接着剤を用いない方法で接合した高分子板導電板接合
体の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a joined body of a polymer plate and a conductive plate in which a polymer plate and a conductive plate are bonded by a method without using an adhesive.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、フィルムなどの高分子の板に
金属薄膜などの導電性の板を積層した積層体が数多く提
案されている。例えば、ポリエチレンテレフタレートや
ポリイミドに代表される耐熱性フィルム上に金属薄膜を
形成したものは、機械的、電気的、熱的特性に優れてお
り、フレキシブル回路基板などに使用されている。
2. Description of the Related Art Hitherto, many laminates have been proposed in which a conductive plate such as a metal thin film is laminated on a polymer plate such as a film. For example, a film in which a metal thin film is formed on a heat-resistant film represented by polyethylene terephthalate or polyimide has excellent mechanical, electrical, and thermal properties and is used for a flexible circuit board and the like.

【0003】フィルムへの金属箔の積層方法として、金
属箔とフィルムを接着剤を用いて接合する方法以外に、
フィルム上に直接金属薄膜を形成する方法がいくつか提
案されている。例えば、特開平11−207866号公
報では、フィルム上にイオンプレーティング、スパッタ
リングなどの薄膜形成方法により1μm以内の金属薄膜
を形成し、さらに1μm以上の厚みを必要とする場合に
は、電気メッキなどの手法を用いて厚膜化していた。
[0003] As a method of laminating a metal foil on a film, other than a method of bonding the metal foil and the film using an adhesive,
Several methods for forming a metal thin film directly on a film have been proposed. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-207866, a metal thin film having a thickness of 1 μm or less is formed on a film by a thin film forming method such as ion plating and sputtering. The film thickness was increased by using the method described above.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の積層法では、金属などの導電体部分に比較
的厚いものが要求された場合、複数の異なった製造プロ
セスを併用しなければならないなどの煩雑さがあった
り、製造に要する時間や製造コストの点で問題があっ
た。
However, in the conventional laminating method as described above, when a relatively thick conductor such as a metal is required, a plurality of different manufacturing processes must be used together. And there are problems in terms of the time required for manufacturing and the manufacturing cost.

【0005】本発明は、上記のような技術的背景に鑑
み、高分子板に所要の厚みを有する導電板を接着剤を用
いずに接合した高分子板と導電板の接合体の製造方法を
提供することを課題とする。
In view of the above technical background, the present invention provides a method for manufacturing a joined body of a polymer plate and a conductive plate in which a conductive plate having a required thickness is bonded to a polymer plate without using an adhesive. The task is to provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

【0007】請求項1記載の高分子板導電板接合体の製
造方法は、真空槽内で高分子板と導電板の互いに対向さ
せる面側を活性化処理し、ついで該真空槽内で活性化処
理された面同士が対向するように該高分子板と該導電板
を当接して重ね合わせて冷間圧接する製造方法とした。
この場合、活性化処理が、10〜1×10−3Paの極低
圧不活性ガス雰囲気中で、前記高分子板と前記導電板を
アース接地した一方の電極Aと接触させ、絶縁支持した
他の電極Bとの間に1〜50MHzの交流を印加してグロ
ー放電を行わせ、かつグロー放電によって生じたプラズ
マ中に露出する前記高分子板と前記導電板の面積を、電
極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチン
グ処理することが好ましい。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an assembly of conductive plates of a polymer plate, wherein the surfaces of the polymer plate and the conductive plate facing each other are activated in a vacuum chamber, and then activated in the vacuum chamber. The polymer plate and the conductive plate were brought into contact with each other so that the treated surfaces were opposed to each other, and were superposed and cold pressed.
In this case, the activation treatment is performed by bringing the polymer plate and the conductive plate into contact with one electrode A, which is grounded, in an extremely low-pressure inert gas atmosphere of 10 to 1 × 10 −3 Pa, and insulated and supported. A glow discharge is performed by applying an alternating current of 1 to 50 MHz between the electrode B and the polymer plate and the conductive plate exposed in the plasma generated by the glow discharge. It is preferable to perform the sputter etching treatment so as to reduce the thickness to 1/3 or less.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の製造方法を説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The manufacturing method of the present invention will be described below.

【0009】図1は、本発明の製造方法を用いた高分子
板導電板接合体の一実施形態を示す概略断面図であり、
高分子板28の片面に導電板26を積層した例を示して
いる。図2は、本発明の製造方法を用いた高分子板導電
板接合体の他の一実施形態を示す概略断面図であり、高
分子板28の両面に導電板24および26を積層した例
を示している。図3は、本発明に用いる高分子板導電板
接合体の製造装置の概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a joined body of conductive plates of a polymer plate using the manufacturing method of the present invention.
An example in which a conductive plate 26 is laminated on one surface of a polymer plate 28 is shown. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the joined body of polymer plates using the manufacturing method of the present invention, and shows an example in which conductive plates 24 and 26 are laminated on both surfaces of a polymer plate 28. Is shown. FIG. 3 is a schematic sectional view of an apparatus for manufacturing a joined body of polymer plate and conductive plate used in the present invention.

【0010】図1に示す高分子板導電板接合体20にお
いて、導電板26と高分子板28を積層している。また
図2に示す高分子板導電板接合体22において、導電板
26と高分子板28と導電板24を積層している。
In the joined body 20 of polymer plates shown in FIG. 1, a conductive plate 26 and a polymer plate 28 are laminated. Further, in the joined body of polymer plates 22 shown in FIG. 2, a conductive plate 26, a polymer plate 28 and a conductive plate 24 are laminated.

【0011】高分子板28の材質としては、高分子板導
電板接合体を製造可能な素材であれば特にその種類は限
定されず、高分子板導電板接合体の用途により適宜選択
して用いることができる。例えば、プラスチックなどの
有機高分子物質やプラスチックに繊維などを混ぜた混合
体を適用できる。高分子板導電板接合体をフレキシブル
プリント基板などに適用する場合には、ポリイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレートなどの
ポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどを
用いることができる。
The material of the polymer plate 28 is not particularly limited as long as it can be used to manufacture a joined body of polymer plate conductive plates, and is appropriately selected depending on the use of the joined body of polymer plate conductive plates. be able to. For example, an organic polymer substance such as a plastic or a mixture of a plastic and a fiber can be used. In the case where the joined body of polymer and conductive plates is applied to a flexible printed circuit board or the like, an aromatic polyamide such as polyester such as polyimide, polyetherimide, or polyethylene terephthalate, or nylon can be used.

【0012】高分子板28として用いるプラスチックと
しては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂(メラミン
樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂など)、アリ
ル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶ポリマー、
EEA樹脂(エチレンとエチルアクリレートのランダム
共重合体樹脂)、AAS樹脂、ABS樹脂(アクリロニ
トリル、ブタジエン及びスチレンを組合せた樹脂)、A
CS樹脂、AS樹脂(スチレン−アクリロニトリル共重
合体樹脂)、アイオノマー樹脂、エチレンポリテトラフ
ルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹脂、ス
チレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エチレン
プロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリアリレー
ト、ポリアミド(6ナイロン、11ナイロン、12ナイ
ロン、66ナイロン、610ナイロン、612ナイロン
など)、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサ
ルホン、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート、
ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポリトリ
メチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレー
トなど)、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプロピ
レンなど)、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテン、ポリ
メチルペンテンなどが適用できる。
The plastic used as the polymer plate 28 includes, for example, acrylic resin, amino resin (melamine resin, urea resin, benzoguanamine resin, etc.), allyl resin, alkyd resin, urethane resin, liquid crystal polymer,
EEA resin (random copolymer resin of ethylene and ethyl acrylate), AAS resin, ABS resin (resin combining acrylonitrile, butadiene and styrene), A
CS resin, AS resin (styrene-acrylonitrile copolymer resin), ionomer resin, ethylene polytetrafluoroethylene copolymer, epoxy resin, silicon resin, styrene butadiene resin, phenol resin, ethylene propylene fluoride, fluorine resin, polyacetal, Polyarylate, polyamide (6 nylon, 11 nylon, 12 nylon, 66 nylon, 610 nylon, 612 nylon, etc.), polyamide imide, polyimide, polyether imide, polyether ether ketone, polyether sulfone, polyester (polyethylene terephthalate,
Polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycyclohexynedimer terephthalate, polytrimethylene terephthalate, polytrimethylene naphthalate, etc., polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.), polycarbonate, polychlorotrifluoroethylene, polysulfone, polystyrene, polyphenylene sulfide, Polybutadiene, polybutene, polymethylpentene and the like can be applied.

【0013】また高分子板28の厚みも高分子板導電板
接合体の用途により適宜選択して用いることができる。
例えば、1〜1000μmである。1μm未満の場合に
は高分子板としての製造が難しくなり、1000μmを
超えると接合体としての製造が難しくなる。高分子板導
電板接合体の用途がフレキシブルプリント基板であれ
ば、例えば3〜300μmの範囲のものが適用できる。
3μm未満の場合には機械的強度が乏しく、300μm
を超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、10〜1
50μmである。より好ましくは、20〜75μmであ
る。
Also, the thickness of the polymer plate 28 can be appropriately selected and used depending on the use of the conductive plate assembly.
For example, it is 1 to 1000 μm. If it is less than 1 μm, it will be difficult to produce a polymer plate, and if it exceeds 1000 μm, it will be difficult to produce a bonded body. If the use of the polymer-plate-conductive-plate assembly is a flexible printed circuit board, for example, those having a range of 3 to 300 μm can be applied.
If the thickness is less than 3 μm, the mechanical strength is poor, and
If it exceeds, the flexibility becomes poor. Preferably, 10-1
50 μm. More preferably, it is 20 to 75 μm.

【0014】導電板26の材質としては、高分子板導電
板接合体を製造可能な素材であれば特にその種類は限定
されず、高分子板導電板接合体の用途により適宜選択し
て用いることができる。例えば、常温で固体である金属
(例えば、Al、Ni、Cu、Ag、Pt、Auなど)
やこれらの金属のうち少なくとも1種類を含む合金(例
えば、JISに規定の合金など)あるいはこれらの金属
や合金を少なくとも1層とする積層体(例えば、クラッ
ド材、メッキ材、蒸着膜材など)などが適用できる。高
分子板導電板接合体の用途がフレキシブルプリント基板
であれば、導電性に優れた金属であるCu、Al、N
i、Agなどやこれらの金属のうち少なくとも1種類を
含む合金あるいはこれらの金属や合金を少なくとも1層
とする積層体などが適用できる。
The material of the conductive plate 26 is not particularly limited as long as it is a material that can be used to manufacture a joined body of polymer plate, and may be appropriately selected and used depending on the use of the joined body of polymer plate. Can be. For example, metals that are solid at room temperature (eg, Al, Ni, Cu, Ag, Pt, Au, etc.)
Or an alloy containing at least one of these metals (for example, an alloy specified in JIS) or a laminate having at least one layer of such a metal or alloy (for example, a clad material, a plating material, a deposited film material, etc.) Etc. can be applied. If the application of the polymer plate conductive plate assembly is a flexible printed circuit board, Cu, Al, N
i, Ag, or an alloy containing at least one of these metals, or a laminate having at least one layer of these metals or alloys can be used.

【0015】JISに規定の合金としては、例えば、C
u系合金では、JIS H 3100、JIS H3110、JIS H 3130等
で示されている無酸素銅、タフピッチ銅、りん脱酸銅、
丹銅、黄銅、快削黄銅、すず入り黄銅、アドミラルティ
黄銅、ネーバル黄銅、アルミニウム青銅、白銅など、A
l系合金では、JIS H 4000あるいはJIS H 4160等で示さ
れている合金番号として、1000系、2000系、3
000系、5000系、6000系、7000系などの
板あるいは箔が適用できる。Ni系合金では、常炭素ニ
ッケル、低炭素ニッケル、ニッケル−銅合金、ニッケル
−銅−アルミニウム−チタン合金、ニッケル−モリブデ
ン合金、ニッケル−モリブデン−クロム合金、ニッケル
−クロム−鉄−モリブデン−銅合金、ニッケル−クロム
−モリブデン−鉄合金などが適用できる。
As an alloy specified in JIS, for example, C
For u-based alloys, oxygen-free copper, tough pitch copper, phosphorous deoxidized copper, and the like shown in JIS H 3100, JIS H 3110, JIS H 3130, etc.
Steel, brass, free-cutting brass, brass with tin, Admiralty brass, Naval brass, aluminum bronze, white bronze, etc.
For l-based alloys, the alloy numbers indicated in JIS H 4000 or JIS H 4160 are 1000 series, 2000 series, 3
Plates or foils of 000 series, 5000 series, 6000 series, 7000 series, etc. can be applied. Ni-based alloys include ordinary carbon nickel, low carbon nickel, nickel-copper alloy, nickel-copper-aluminum-titanium alloy, nickel-molybdenum alloy, nickel-molybdenum-chromium alloy, nickel-chromium-iron-molybdenum-copper alloy, A nickel-chromium-molybdenum-iron alloy or the like can be used.

【0016】また導電板26の厚みも高分子板導電板接
合体の用途により適宜選択して用いることができる。例
えば、1〜1000μmである。1μm未満の場合には
導電板としての製造が難しくなり、1000μmを超え
ると接合体としての製造が難しくなる。高分子板導電板
接合体の用途がフレキシブルプリント基板であれば、比
較的薄いものが適用できる。例えば、1〜150μmで
ある。1μm未満の場合には導電性が乏しくなり、15
0μmを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、3
〜100μmである。より好ましくは、10〜35μm
である。高分子板導電板接合体の用途が放熱板やシャー
シであれば、より厚みのあるものが適用できる。例え
ば、30〜1000μmである。30μm未満の場合に
は機械的強度が乏しくなり、1000μmを超えると重
くなりすぎる。好ましくは、50〜500μmである。
Also, the thickness of the conductive plate 26 can be appropriately selected and used depending on the use of the polymer plate / conductive plate assembly. For example, it is 1 to 1000 μm. If it is less than 1 μm, it will be difficult to produce a conductive plate, and if it exceeds 1000 μm, it will be difficult to produce a joined body. If the application of the polymer plate / conductive plate assembly is a flexible printed circuit board, a relatively thin one can be used. For example, it is 1 to 150 μm. If it is less than 1 μm, the conductivity becomes poor, and
If it exceeds 0 μm, the flexibility becomes poor. Preferably, 3
100100 μm. More preferably, 10 to 35 μm
It is. If the application of the polymer plate conductive plate assembly is a heat sink or a chassis, a thicker one can be used. For example, it is 30 to 1000 μm. If it is less than 30 μm, the mechanical strength becomes poor, and if it exceeds 1000 μm, it becomes too heavy. Preferably, it is 50 to 500 μm.

【0017】導電板24の材質は、導電板26に適用で
きる材質であれば特に限定されず、導電板26と同一材
でも異なる材質でもよい。また導電板24の厚みも導電
板26と同じでも異なっていてもよい。
The material of the conductive plate 24 is not particularly limited as long as it can be applied to the conductive plate 26, and may be the same material as the conductive plate 26 or a different material. The thickness of the conductive plate 24 may be the same as or different from that of the conductive plate 26.

【0018】図1に示す高分子板導電板接合体の製造方
法について説明する。図3に示すように、真空槽52内
において、巻き戻しリール62に設置された高分子板2
8を、活性化処理装置70で活性化処理する。同様にし
て、巻き戻しリール64に設置された導電板26を活性
化処理装置80で活性化処理する。
A method of manufacturing the joined body of conductive plates shown in FIG. 1 will be described. As shown in FIG. 3, the polymer plate 2 set on the rewind reel 62 in the vacuum chamber 52
8 is activated by an activation processing device 70. Similarly, the activation processing device 80 activates the conductive plate 26 installed on the rewind reel 64.

【0019】活性化処理は、以下のようにして実施す
る。すなわち、真空槽52内に装填された高分子板2
8、導電板26をそれぞれアース接地された一方の電極
Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に10
〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気好ましくは
アルゴンガス中で、1〜50MHzの交流を印加してグロ
ー放電を行わせ、かつグロー放電によって生じたプラズ
マ中に露出される電極Aと接触した高分子板28、導電
板26のそれぞれの面積が、電極Bの面積の1/3以下
で、スパッタエッチング処理する。なお不活性ガス圧力
が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いに
くく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活
性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満
では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッ
チングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電
力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よく
エッチングするためには電極Aの面積を電極Bの面積よ
り小さくする必要があり、1/3以下とすることにより
充分な効率でエッチング可能となる。
The activation process is performed as follows. That is, the polymer plate 2 loaded in the vacuum chamber 52
8. The conductive plate 26 is brought into contact with one of the electrodes A grounded to ground, and 10
An electrode A exposed to plasma generated by the glow discharge by applying an alternating current of 1 to 50 MHz in an ultra-low pressure inert gas atmosphere of preferably ~ 1 x 10-3 Pa, preferably argon gas, to cause glow discharge. The area of each of the polymer plate 28 and the conductive plate 26 in contact with the electrode B is equal to or less than 1/3 of the area of the electrode B, and is subjected to sputter etching. If the inert gas pressure is less than 1 × 10 −3 Pa, stable glow discharge is difficult to perform, and high-speed etching is difficult. If the inert gas pressure exceeds 10 Pa, the activation treatment efficiency decreases. When the applied alternating current is less than 1 MHz, it is difficult to maintain a stable glow discharge and continuous etching is difficult. When the applied alternating current exceeds 50 MHz, oscillation is liable to occur and the power supply system is complicated, which is not preferable. In addition, in order to perform etching efficiently, the area of the electrode A needs to be smaller than the area of the electrode B. When the area is set to 1/3 or less, etching can be performed with sufficient efficiency.

【0020】その後、これら活性化処理された高分子板
28と導電板26を、活性化処理された面が対向するよ
うにして両者を当接して重ね合わせて圧接ユニット60
で冷間圧接して接合する。この際の接合は、低温度・低
圧延率下で可能であり、高分子板、導電板ならびに接合
に組織変化や破断などといった悪影響を軽減または排除
することが可能である。本発明の方法を用いた場合、T
を高分子板、導電板の温度(℃)、Rを圧延率(%)と
するとき、0<T≦300、0.1≦R≦30で良好な
圧接状態が得られる。0℃以下では特別な冷凍装置が必
要となり、300℃を超えると組織変化などの悪影響が
生じてくる。また0.1%未満の圧延率では充分な接合
強度が得られず、30%を超えると破断などの悪影響が
生じてくる。好ましくは、0.5≦R≦10である。
After that, the activated polymer plate 28 and the conductive plate 26 are brought into contact with each other such that the surfaces subjected to the activation treatment are opposed to each other so as to be overlapped with each other.
And cold welding. Bonding at this time is possible at a low temperature and a low rolling reduction, and it is possible to reduce or eliminate adverse effects such as a structural change and breakage on the polymer plate, the conductive plate and the bond. Using the method of the present invention, T
Is the temperature (° C.) of the polymer plate and the conductive plate, and R is the rolling ratio (%), a good pressure contact state is obtained when 0 <T ≦ 300 and 0.1 ≦ R ≦ 30. If the temperature is lower than 0 ° C., a special refrigerating device is required. If the rolling reduction is less than 0.1%, sufficient bonding strength cannot be obtained, and if it exceeds 30%, adverse effects such as breakage occur. Preferably, 0.5 ≦ R ≦ 10.

【0021】上記のように接合することにより、高分子
板導電板接合体20を形成することができ、巻き取りロ
ール66で巻き取る。この様にして図1に示す高分子板
導電板接合体20を製造することができる。
By joining as described above, the joined body of polymer plate and conductive plate 20 can be formed, and wound up by the winding roll 66. In this manner, the joined body of polymer plate and conductive plate 20 shown in FIG. 1 can be manufactured.

【0022】次に図2に示す高分子板導電板接合体は、
上記説明において、高分子板28の代わりに片面に導電
板を有する高分子板導電板接合体20を、導電板26の
代わりに導電板24を用いることで、同様にして製造す
ることができる。
Next, the joined body of polymer plate and conductive plate shown in FIG.
In the above description, it is possible to similarly manufacture the polymer plate conductive plate assembly 20 having a conductive plate on one surface instead of the polymer plate 28 by using the conductive plate 24 instead of the conductive plate 26.

【0023】このようにして製造された高分子板導電板
接合体に、必要により、導電板の残留応力の除去または
低減のために熱処理を施してもよい。例えば、導電板が
銅からなる場合250〜300℃×1h程度で充分な残
留応力の低減が可能である。この熱処理の際には、接合
強度の低下の原因となりうる有害ガス(例えば、酸素な
ど)が高分子板を透過する可能性があるため、真空中ま
たは減圧状態もしくは還元性雰囲気中で行うことが好ま
しい。
The thus-prepared joined body of polymer plates and conductive plates may be subjected to a heat treatment, if necessary, for removing or reducing residual stress of the conductive plate. For example, when the conductive plate is made of copper, the residual stress can be sufficiently reduced at about 250 to 300 ° C. × 1 hour. During this heat treatment, a harmful gas (for example, oxygen) which may cause a decrease in bonding strength may permeate the polymer plate. Therefore, the heat treatment is preferably performed in a vacuum or in a reduced pressure or in a reducing atmosphere. preferable.

【0024】なお高分子板や導電体の厚みや硬さなどが
ロールを使用した製造に適さない場合には、バッチ処理
を用いることができる。真空槽内に、あらかじめ所定の
大きさに切り出された高分子板や導電板を複数装填して
活性化処理部に搬送して垂直または水平など適切な位置
に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置ま
たは把持して固定して活性化処理を行い、さらに高分子
板や導電板を保持する装置部が圧接装置を兼ねる場合に
は活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、高分
子板や導電板を保持する装置部が圧接装置を兼ねない場
合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行う
ことにより達成することができる。
If the thickness or hardness of the polymer plate or the conductor is not suitable for the production using a roll, a batch treatment can be used. In a vacuum chamber, a plurality of polymer plates or conductive plates cut in advance to a predetermined size were loaded, transported to the activation processing unit, and the surfaces to be processed at appropriate positions such as vertical or horizontal were opposed or juxtaposed. If the device that holds or holds the polymer plate or conductive plate also serves as a press-contact device, it is placed or grasped and fixed in the state, etc., and performs the activation process. When the device for holding the molecular plate or the conductive plate does not double as the pressure contact device, it can be achieved by carrying the pressure plate to a pressure contact device such as a press device.

【0025】さらに高分子板導電板接合体を必要により
適当な大きさに切り出し、この高分子板導電板接合体の
導電板にエッチング加工などを施して回路パターンを形
成して回路基板を得ることができる。このためプリント
配線板(リジッドプリント配線板やフレキシブルプリン
ト配線板など)などに適用でき、ICカード、CSP
(チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケ
ージ)やBGA(ボールグリッドアレイ)などのICパ
ッケージなどにも応用できる。特に両面に導電板を有す
る高分子板導電板接合体では、スルーホールなどの加工
を施し、メッキ加工などの適当な方法を用いて両面の導
通確保を図ることにより、より複雑な回路を形成するこ
とができる。
Further, the joined body of polymer plate is cut out to an appropriate size as necessary, and the conductive plate of the joined body of polymer plate is subjected to etching or the like to form a circuit pattern to obtain a circuit board. Can be. Therefore, it can be applied to printed wiring boards (rigid printed wiring boards, flexible printed wiring boards, etc.), IC cards, CSP
(A chip size package or a chip scale package) or an IC package such as a BGA (ball grid array). In particular, in the case of a joined body of a polymer plate and a conductive plate having conductive plates on both sides, a more complicated circuit is formed by performing processing such as a through hole and securing conduction on both sides using an appropriate method such as plating. be able to.

【0026】なお、両面に導電板を有する高分子板導電
板接合体では、片面に回路配線を施し、他面をシールド
板として静電気シールドなどに用いることやシャーシと
して用いたり放熱板やグランドとして利用することがで
きる。さらに片面に導電板を有する高分子板導電板接合
体自体をシールド板として静電気シールドなどに用いる
ことやシャーシとして用いたり放熱板やグランドとして
利用することもできる。また、必要により高分子板導電
板接合体に曲げ加工などの機械加工を施してもよい。
In the case of a polymer-plate conductive plate assembly having conductive plates on both surfaces, circuit wiring is provided on one surface, and the other surface is used as a shield plate for use as an electrostatic shield, used as a chassis, or used as a heat sink or ground. can do. Further, the polymer plate conductive plate assembly itself having a conductive plate on one side can be used as a shield plate for an electrostatic shield or the like, used as a chassis, or used as a heat sink or a ground. Further, if necessary, a mechanical processing such as a bending processing may be performed on the joined body of polymer and conductive plates.

【0027】[0027]

【実施例】以下に、実施例を図面に基づいて説明する。
(実施例1)高分子板28として厚み45μmのポリイ
ミドフィルムを用い、導電板26として厚み39μmの
銅箔を用いた。ポリイミドフィルムと銅箔を高分子板導
電板接合体製造装置にセットし、巻き戻しリール62か
ら巻き戻されたポリイミドフィルムならびに巻き戻しリ
ール64から巻き戻された銅箔を、真空装52内の水冷
電極ロール72,82にそれぞれ巻き付け、活性化処理
ユニット70,80内でスパッタエッチング法によりそ
れぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処理したポリ
イミドフィルムと銅箔を、圧接ユニット60で活性化処
理面同士を当接して重ね合わせて0.5%の圧延率で冷
間圧接し、巻き取りロール66で巻き取り高分子導電板
接合体20を製造した。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments will be described below with reference to the drawings.
Example 1 A 45 μm-thick polyimide film was used as the polymer plate 28, and a 39 μm-thick copper foil was used as the conductive plate 26. The polyimide film and the copper foil are set in the apparatus for manufacturing a joined body of polymer plate and conductive sheet, and the polyimide film rewound from the rewind reel 62 and the copper foil rewound from the rewind reel 64 are cooled with water in the vacuum device 52. They were wound around the electrode rolls 72 and 82, respectively, and activated in the activation units 70 and 80 by sputter etching. Next, the activated polyimide film and the copper foil are brought into contact with each other with the activated surfaces contacted by the pressing unit 60 and overlapped, cold pressed at a rolling rate of 0.5%, and taken up by the take-up roll 66. A polymer conductive plate joined body 20 was manufactured.

【0028】(実施例2)高分子板28として厚み60
μmの液晶ポリマーフィルムを用い、導電板26として
厚み40μmの銅箔(JIS H 3100の合金番号:C1020、
無酸素銅)を用いた。液晶ポリマーフィルムと銅箔を高
分子板導電板接合体製造装置にセットし、巻き戻しリー
ル62から巻き戻された液晶ポリマーフィルムならびに
巻き戻しリール64から巻き戻された銅箔を、真空装5
2内の水冷電極ロール72,82にそれぞれ巻き付け、
活性化処理ユニット70,80内でスパッタエッチング
法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処
理した液晶ポリマーフィルムと銅箔を、圧接ユニット6
0で活性化処理面同士を当接して重ね合わせて3%の圧
延率で冷間圧接し、巻き取りロール66で巻き取り高分
子導電板接合体20を製造した。
(Embodiment 2) The polymer plate 28 has a thickness of 60
A 40 μm thick copper foil (JIS H 3100 alloy number: C1020,
Oxygen-free copper) was used. The liquid crystal polymer film and the copper foil are set in the apparatus for manufacturing a conductive plate assembly of a polymer plate, and the liquid crystal polymer film unwound from the rewind reel 62 and the copper foil unwound from the rewind reel 64 are vacuum-mounted.
2 are wound around the water-cooled electrode rolls 72 and 82, respectively.
Activation processing was performed in the activation processing units 70 and 80 by sputter etching. Next, the activated liquid crystal polymer film and the copper foil are connected to the pressure welding unit 6.
At 0, the activated surfaces were brought into contact with each other and overlapped with each other, cold-pressed at a rolling rate of 3%, and wound up with the winding roll 66 to produce the joined body of polymer conductive plates 20.

【0029】(実施例3)高分子板28として厚み25
μmのポリエステルフィルムフィルムを用い、導電板2
6として厚み40μmの銅箔(JIS H 3100の合金番号:
C1020、無酸素銅)を用いた。ポリエステルフィルムと
銅箔を高分子板導電板接合体製造装置にセットし、巻き
戻しリール62から巻き戻されたポリエステルフィルム
ならびに巻き戻しリール64から巻き戻された銅箔を、
真空装52内の水冷電極ロール72,82にそれぞれ巻
き付け、活性化処理ユニット70,80内でスパッタエ
ッチング法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら
活性化処理したポリエステルフィルムと銅箔を、圧接ユ
ニット60で活性化処理面同士を当接して重ね合わせて
1%の圧延率で冷間圧接し、巻き取りロール66で巻き
取り高分子導電板接合体20を製造した。
(Embodiment 3) The polymer plate 28 has a thickness of 25.
μm polyester film, conductive plate 2
6 is a copper foil of 40 μm thickness (JIS H 3100 alloy number:
C1020, oxygen-free copper). The polyester film and the copper foil are set in the polymer plate conductive plate assembly manufacturing apparatus, and the polyester film unwound from the rewind reel 62 and the copper foil unwound from the rewind reel 64 are
They were wound around water-cooled electrode rolls 72 and 82 in the vacuum device 52, respectively, and were activated in the activation units 70 and 80 by sputter etching. Next, the activated polyester film and the copper foil are brought into contact with each other with the activated surfaces contacted by the pressing unit 60 and superposed, cold pressed at a rolling rate of 1%, and taken up by the take-up roll 66. The conductive plate joined body 20 was manufactured.

【0030】(実施例4)高分子板28として厚み60
μmの液晶ポリマーフィルムを用い、導電板26として
厚み40μmのアルミニウム箔(JIS H 4160の合金番
号:1085)を用いた。液晶ポリマーフィルムと銅箔を高
分子板導電板接合体製造装置にセットし、巻き戻しリー
ル62から巻き戻された液晶ポリマーフィルムならびに
巻き戻しリール64から巻き戻された銅箔を、真空装5
2内の水冷電極ロール72,82にそれぞれ巻き付け、
活性化処理ユニット70,80内でスパッタエッチング
法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処
理した液晶ポリマーフィルムと銅箔を、圧接ユニット6
0で活性化処理面同士を当接して重ね合わせて2%の圧
延率で冷間圧接し、巻き取りロール66で巻き取り高分
子導電板接合体20を製造した。
(Embodiment 4) The polymer plate 28 has a thickness of 60
A 40 μm-thick aluminum foil (JIS H 4160 alloy number: 1085) was used as the conductive plate 26 using a liquid crystal polymer film of μm. The liquid crystal polymer film and the copper foil are set in the apparatus for manufacturing a joined body of polymer plate and conductive plate, and the liquid crystal polymer film unwound from the rewind reel 62 and the copper foil unwound from the rewind reel 64 are evacuated.
2 are wound around the water-cooled electrode rolls 72 and 82, respectively.
Activation processing was performed in the activation processing units 70 and 80 by sputter etching. Next, the activated liquid crystal polymer film and the copper foil are connected to the pressure welding unit 6.
At 0, the activated surfaces were brought into contact with each other and overlapped with each other, cold-pressed at a rolling rate of 2%, and wound up by the winding roll 66 to produce the joined body of polymer conductive plates 20.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明の高分子板導
電板接合体の製造方法は、高分子板と導電板の互いに対
向させる表面を活性化処理した後、活性化処理面同士を
対向するように当接し重ね合わせて低圧延率で冷間圧接
して形成するものである。このため接着剤を用いておら
ず、より一層の軽量化や薄形化が図れ、ICパッケージ
や放熱板などへの適用も好適である。また必要な厚みの
導電板を用いることができるため工程が簡潔になり、製
造コストを抑えることが可能となる。
As described above, according to the method of manufacturing a joined body of polymer plates and conductive plates of the present invention, the surfaces of the polymer plate and the conductive plate facing each other are activated, and then the activated surfaces are opposed to each other. It is formed by cold contacting at a low rolling rate by abutting and overlapping. For this reason, an adhesive is not used, and further reduction in weight and thickness can be achieved, and application to an IC package, a heat sink, or the like is also suitable. In addition, since a conductive plate having a required thickness can be used, the process is simplified, and manufacturing costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製造方法を用いた高分子板導電板接合
体の一実施形態を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a joined body of conductive plates using a production method of the present invention.

【図2】本発明の製造方法を用いた高分子板導電板接合
体の他の一実施形態を示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the joined body of conductive plates using a production method of the present invention.

【図3】本発明に用いる高分子板導電板接合体の製造装
置の概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of an apparatus for manufacturing a joined body of polymer plate and conductive plate used in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 高分子板導電板接合体 22 高分子板導電板接合体 24 導電板 26 導電板 28 高分子板 52 真空槽 60 圧接ユニット 62 巻き戻しリール 64 巻き戻しリール 66 巻き取りロール 70 活性化処理装置 72 電極ロール 74 電極 80 活性化処理装置 82 電極ロール 84 電極 A 電極A B 電極B REFERENCE SIGNS LIST 20 polymer plate conductive plate joined body 22 polymer plate conductive plate joined body 24 conductive plate 26 conductive plate 28 polymer plate 52 vacuum tank 60 pressure contact unit 62 rewind reel 64 rewind reel 66 take-up roll 70 activation processing device 72 Electrode roll 74 Electrode 80 Activation device 82 Electrode roll 84 Electrode A Electrode AB Electrode B

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大澤 真司 山口県下松市東豊井1296番地の1 東洋鋼 鈑株式会社技術研究所内 Fターム(参考) 4F100 AB17B AB17C AB33B AB33C AK01A AK49A AR00B AR00C BA02 BA03 BA06 BA10A BA10B BA10C EJ15B EJ15C EJ151 EJ202 EJ591 EJ60A EJ60B EJ60C EJ601 EJ61A EJ61B EJ61C EJ611 GB41 GB43 JG01B JG01C JL02 JL03 4F211 AD03 AD05 AD08 AD32 AH33 AH36 AM27 AM28 AM29 AM30 TA13 TC02 TD11 TH02 TH03 TH24 TQ04 TQ07 TQ13 4G075 AA29 AA30 BB10 BC02 BC06 BD26 CA03 CA16 CA62 CA63 CA65 DA02 DA12 DA18 EA06 EB41 EC21 ED09 EE21 FA12 FB02 FB12 FC11  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinji Osawa 1296-1, Higashi-Toyoi, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture Toyo Kohan Co., Ltd. F-term (reference) 4F100 AB17B AB17C AB33B AB33C AK01A AK49A AR00B AR00C BA02 BA03 BA06 BA10A BA10B BA10C EJ15B EJ15C EJ151 EJ202 EJ591 EJ60A EJ60B EJ60C EJ601 EJ61A EJ61B EJ61C EJ611 GB41 GB43 GB43 JG01B JG01C JL02 JL03 4F211 AD03 AD05 AD08 A32 AH33 AH36 AM27 T02A03 TH02 A03 TH02 A03 CA63 CA65 DA02 DA12 DA18 EA06 EB41 EC21 ED09 EE21 FA12 FB02 FB12 FC11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空槽内で高分子板と導電板の互いに対
向させる面側を活性化処理し、ついで該真空槽内で活性
化処理された面同士が対向するように該高分子板と該導
電板を当接して重ね合わせて冷間圧接することを特徴と
する高分子板と導電板を接合してなる高分子板導電板接
合体の製造方法。
1. A polymer plate and a conductive plate which are opposed to each other in a vacuum chamber are subjected to an activation treatment. Then, the polymer plate and the conductive plate are contacted with each other so that the activated surfaces in the vacuum tank face each other. A method of manufacturing a joined body of polymer plates, comprising joining a polymer plate and a conductive plate, wherein the conductive plates are brought into contact with each other, overlapped, and cold-pressed.
【請求項2】 前記活性化処理が10〜1×10−3Pa
の極低圧不活性ガス雰囲気中で、前記高分子板と前記導
電板をアース接地した一方の電極Aと接触させ、絶縁支
持した他の電極Bとの間に1〜50MHzの交流を印加し
てグロー放電を行わせ、かつグロー放電によって生じた
プラズマ中に露出する前記高分子板と前記導電板のそれ
ぞれの面積を、電極Bの面積の1/3以下となるように
スパッタエッチング処理することを特徴とする請求項1
に記載の高分子板導電板接合体の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the activation treatment is performed at 10 to 1 × 10 −3 Pa.
In an extremely low-pressure inert gas atmosphere, the polymer plate and the conductive plate are brought into contact with one electrode A grounded, and an alternating current of 1 to 50 MHz is applied between the electrode A and the other electrode B that is insulated and supported. Performing a glow discharge, and performing a sputter etching process so that the area of each of the polymer plate and the conductive plate exposed in the plasma generated by the glow discharge is 1/3 or less of the area of the electrode B. Claim 1.
3. The method for producing a polymer plate / conductive plate joined body according to item 1.
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