JP2002273590A - Method and apparatus for laser beam machining - Google Patents
Method and apparatus for laser beam machiningInfo
- Publication number
- JP2002273590A JP2002273590A JP2001079819A JP2001079819A JP2002273590A JP 2002273590 A JP2002273590 A JP 2002273590A JP 2001079819 A JP2001079819 A JP 2001079819A JP 2001079819 A JP2001079819 A JP 2001079819A JP 2002273590 A JP2002273590 A JP 2002273590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- laser beam
- incident
- hole
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 43
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置及
び加工方法に関し、特に加工対象物にレーザビームを入
射させて穴あけ加工を行うレーザ加工装置及び加工方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and a processing method, and more particularly, to a laser processing apparatus and a processing method for performing a drilling process by irradiating a laser beam to a processing object.
【0002】[0002]
【従来の技術】樹脂層と銅配線層とが積層された多層配
線基板の樹脂層にパルスレーザビームを入射させて、銅
層の表面まで達する穴を形成するレーザ加工技術が注目
されている。ガルバノスキャナでレーザビームの進行方
向を変化させ、加工対象物の表面におけるビームスポッ
トの位置を移動させることにより、所望の位置に穴を形
成することができる。通常、1ショットの照射のみで
は、樹脂層を貫通する穴を形成することができないた
め、1箇所に複数ショットのパルスレーザビームが照射
される。1箇所に複数ショットの照射を行う方法とし
て、バースト法とサイクル法とが知られている。2. Description of the Related Art Attention has been focused on a laser processing technique for forming a hole reaching a surface of a copper layer by irradiating a pulsed laser beam to a resin layer of a multilayer wiring board in which a resin layer and a copper wiring layer are laminated. A hole can be formed at a desired position by changing the traveling direction of the laser beam with a galvano scanner and moving the position of the beam spot on the surface of the object to be processed. Normally, a hole that penetrates the resin layer cannot be formed by only one shot irradiation, so that a single location is irradiated with a plurality of shots of a pulse laser beam. As a method of irradiating a plurality of shots to one location, a burst method and a cycle method are known.
【0003】バースト法は、1箇所に、必要なショット
数のパルスレーザビームを連続的に入射させる方法であ
る。樹脂層を貫通する穴が形成されると、穴を形成すべ
き次の位置にレーザスポットを移動させ、その位置にパ
ルスレーザビームを連続的に入射させる。[0003] The burst method is a method in which a required number of shots of a pulse laser beam are continuously incident on one location. When a hole penetrating the resin layer is formed, the laser spot is moved to the next position where the hole is to be formed, and the pulsed laser beam is continuously incident on that position.
【0004】サイクル法は、1箇所に1ショットの照射
を行うと、穴を開けるべき次の位置にビームスポットを
移動させ、次の1ショットの照射を行う。穴をあけるべ
きすべての位置に1ショットずつの照射を行った後、最
初に照射した位置に戻って、次の1ショットの照射を行
う。これを繰り返すことにより、最終的にすべての穴に
必要なショット数の照射が行われる。In the cycle method, when one shot is irradiated at one location, the beam spot is moved to the next position where a hole is to be formed, and the next one shot is irradiated. After irradiating one shot at a time to all positions where holes are to be formed, the process returns to the first irradiated position, and irradiates the next one shot. By repeating this, irradiation of the required number of shots is finally performed on all holes.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】バースト法では、パル
スレーザビームを照射する間隔が非常に短いため、加工
時に熱の影響を受けやすい。この熱により、加工品質が
低下する場合がある。これに対し、サイクル法では、1
つの穴に着目すると、1回のショットから次のショット
までの時間間隔が長い。このため、熱の影響を受けにく
い。ところが、サイクル法では、1ショットが終了して
次のショットを行う間に、ガルバノミラーを動かさなけ
ればならない。ガルバノミラーの移動に必要な時間は、
パルスレーザビームのパルスの繰り返しの周期に比べて
長い。このため、すべての穴あけを完了するまでの加工
時間が長くなってします。In the burst method, a pulse laser beam is irradiated at an extremely short interval, so that it is easily affected by heat during processing. Due to this heat, the processing quality may be degraded. In contrast, in the cycle method, 1
Focusing on one hole, the time interval from one shot to the next shot is long. Therefore, it is hardly affected by heat. However, in the cycle method, the galvanomirror must be moved while one shot is completed and the next shot is performed. The time required to move the galvanomirror
It is longer than the pulse repetition cycle of the pulsed laser beam. This increases the processing time to complete all drilling.
【0006】本発明の目的は、加工時間の増大を抑制し
つつ、加工品質を高めることが可能なレーザ加工装置及
び加工方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and a processing method capable of improving processing quality while suppressing an increase in processing time.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、穴開け加工すべき複数の加工点が画定された加工対
象物を準備する工程と、1つの加工点当たり少なくとも
2ショットが連続入射する条件で、前記複数の加工点に
順次パルスレーザビームを入射させて穴あけ加工を行う
第1の照射工程と、1つの加工点当たり1ショットのみ
が入射する条件で、前記第1の照射工程でパルスレーザ
ビームが入射した複数の加工点に、順次パルスレーザビ
ームを入射させて穴あけ加工を行う第2の照射工程とを
有するレーザ加工方法が提供される。According to one aspect of the present invention, there is provided a process for preparing a workpiece in which a plurality of processing points to be drilled are defined, and at least two shots are continuously incident per processing point. A first irradiation step in which a pulsed laser beam is sequentially incident on the plurality of processing points to perform drilling, and a condition in which only one shot per one processing point is incident on the first irradiation step. And a second irradiation step of performing a drilling process by sequentially irradiating the pulse laser beam to a plurality of processing points where the pulse laser beam has entered.
【0008】本発明の他の観点によると、パルスレーザ
ビームを出射するレーザ光源と、表面上に、穴あけを行
うべき複数の加工点が画定された加工対象物を保持する
ステージと、前記レーザ光源から出射したパルスレーザ
ビームを、前記ステージに保持された加工対象物に入射
させると共に、外部から与えられる位置制御信号によっ
て前記パルスレーザビームの進行方向を振り、前記加工
対象物表面のビームスポットの位置を移動させる走査光
学系と、1つの加工点に少なくとも2ショットが連続入
射する条件で、複数の前記加工点に順次パルスレーザビ
ームを入射させ、その後、既にパルスレーザビームが入
射した複数の加工点に、1つの加工点当たり1ショット
のみが入射する条件で、順次パルスレーザビームを入射
させて穴あけ加工が行われるように前記走査光学系を制
御する制御装置とを有するレーザ加工装置が提供され
る。According to another aspect of the present invention, there is provided a laser light source for emitting a pulsed laser beam, a stage for holding a processing object on a surface of which a plurality of processing points to be drilled are defined, and the laser light source. The pulsed laser beam emitted from the laser beam is made incident on the object held by the stage, and the traveling direction of the pulsed laser beam is changed by a position control signal given from the outside, so that the position of the beam spot on the surface of the object is A scanning optical system for moving the laser beam, and a pulse laser beam is sequentially incident on the plurality of processing points under the condition that at least two shots are continuously incident on one processing point, and thereafter, a plurality of processing points on which the pulse laser beam has already been incident Drilling by sequentially applying a pulsed laser beam under the condition that only one shot per processing point The laser processing apparatus is provided with a control device for controlling the scanning optical system to take place.
【0009】本発明のさらに他の観点によると、穴開け
加工すべき複数の加工点が決定された加工対象物を準備
する工程と、第1の加工点に少なくとも2ショットを連
続して入射させて穴を開ける第1の穴あけ工程と、前記
第1の加工点とは異なる少なくとも1つの第2の加工点
に、少なくとも2ショットを連続して入射させて穴を開
ける第2の穴あけ工程と、その後、前記第1の加工点に
1ショットのみを入射させて、穴を深くする工程とを有
するレーザ加工方法が提供される。According to yet another aspect of the present invention, there is provided a step of preparing a workpiece in which a plurality of processing points to be drilled are determined, and continuously projecting at least two shots at the first processing point. A first drilling step of making a hole, and a second drilling step of making at least two shots continuously incident on at least one second processing point different from the first processing point to form a hole; Thereafter, a step of making only one shot incident on the first processing point to deepen the hole is provided.
【0010】1つの加工点に着目すると、第1回目の複
数ショットの照射が行われ、第2回目の1ショットのみ
の照射が行われるまでの時間が、複数ショットを連続入
射させる場合に比べて長くなる。このため、熱による影
響を緩和し、加工品質を高めることができる。また、1
加工点あたり1ショットのみを入射させながら、パルス
レーザビームの入射点を移動させるサイクル法に比べ
て、加工時間の短縮を図ることができる。Focusing on one processing point, the time until the first irradiation of a plurality of shots is performed and the second irradiation of only one shot is performed is shorter than the case where a plurality of shots are continuously incident. become longer. Therefore, the influence of heat can be reduced, and the processing quality can be improved. Also, 1
The processing time can be reduced as compared with the cycle method in which the incident point of the pulse laser beam is moved while only one shot is incident per processing point.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】図1に、本発明の実施例によるレ
ーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源1がパルスレ
ーザビームを出射する。レーザ光源1として、例えば発
振波長9.3〜9.4μmのCO2ガスレーザ発振器を
用いることができる。レーザ光源1から出射したパルス
レーザビームがマスク8の貫通孔に入射し、そのビーム
断面が整形される。マスク8の貫通孔を透過したパルス
レーザビームが、折返しミラー9で反射し、ガルバノス
キャナ10に入射する。制御装置13が、レーザ光源1
に発振起動信号sig1を送出し、発振起動信号sig1
に同期させて、ガルバノスキャナ10に位置制御信号s
ig2を送出する。FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The laser light source 1 emits a pulse laser beam. As the laser light source 1, for example, a CO 2 gas laser oscillator having an oscillation wavelength of 9.3 to 9.4 μm can be used. The pulsed laser beam emitted from the laser light source 1 is incident on the through hole of the mask 8, and the beam cross section is shaped. The pulsed laser beam transmitted through the through hole of the mask 8 is reflected by the turning mirror 9 and enters the galvano scanner 10. The controller 13 controls the laser light source 1
Transmits the oscillation start signal sig 1, the oscillation start signal sig 1
In synchronization with the position control signal s
and it sends the ig 2.
【0012】ガルバノスキャナ10で進行方向を振られ
たパルスレーザビームは、fθレンズ11で収束され、
XYステージ12の可動面上に保持された加工対象物2
0に入射する。fθレンズ11は、マスク8の貫通孔を
加工対象物20の表面上に結像させる。The pulse laser beam whose traveling direction is changed by the galvano scanner 10 is converged by the fθ lens 11,
Workpiece 2 held on movable surface of XY stage 12
Incident at 0. lens 11 forms an image of the through-hole of mask 8 on the surface of workpiece 20.
【0013】図2(A)に、加工対象物20の平面図を
示す。加工対象物20の表面上に銅の配線パターン33
が形成され、配線パターン33と重なる位置に、穴を形
成すべき複数の加工点P1〜PNが画定されている。ガル
バノスキャナ10は、例えば50mm×50mmの正方
形の領域21内の任意の位置にビームスポットを移動さ
せることができる。ガルバノスキャナ10で走査可能な
領域21内に、例えばM個の加工点P1〜PMが配置され
ている。XYステージ12を駆動することにより、操作
可能領域21を、加工対象物20の表面内で移動させる
ことができる。FIG. 2A is a plan view of the object 20 to be processed. A copper wiring pattern 33 is formed on the surface of the processing object 20.
Are formed, and a plurality of processing points P 1 to P N where holes are to be formed are defined at positions overlapping the wiring pattern 33. The galvano scanner 10 can move the beam spot to an arbitrary position within a square area 21 of, for example, 50 mm × 50 mm. For example, M processing points P 1 to P M are arranged in an area 21 that can be scanned by the galvano scanner 10. By driving the XY stage 12, the operable area 21 can be moved within the surface of the processing target 20.
【0014】図2(B)に、1つの加工点Pの断面図を
示す。下地基板30の上に厚さ35μmの銅の下層配線
パターン31が形成され、その上に厚さ45μmの樹脂
層32が形成され、さらにその上に厚さ18μmの銅の
上層配線パターン33が形成されている。上層配線パタ
ーン33に直径135μmの開口33aが形成されてい
る。この開口33aにより加工点Pが画定される。FIG. 2B is a sectional view of one processing point P. A lower wiring pattern 31 of copper having a thickness of 35 μm is formed on a base substrate 30, a resin layer 32 having a thickness of 45 μm is formed thereon, and an upper wiring pattern 33 of copper having a thickness of 18 μm is formed thereon. Have been. An opening 33 a having a diameter of 135 μm is formed in the upper wiring pattern 33. The processing point P is defined by the opening 33a.
【0015】レーザビーム40が加工点Pに入射する。
図1に示したマスク8の貫通孔の直径が3.6mmであ
り、fθレンズ11の縮小倍率が15倍である。このと
き、加工対象物20の表面におけるビームスポットの直
径は、約240μmになる。パルスレーザビーム40の
パルスエネルギは5.9mJ/パルス、樹脂層32の表
面におけるエネルギ密度は5.1mJ/cm2、パルス
波形の半値全幅は14μsである。上層配線パターン3
3がマスクとして作用し、開口33aに整合した穴が形
成される。このように、穴を形成すべき樹脂層の上のマ
スクに設けられた開口に整合した穴を形成する方法は、
一般的にコンフォーマルマスク加工法と呼ばれる。A laser beam 40 is incident on a processing point P.
The diameter of the through hole of the mask 8 shown in FIG. 1 is 3.6 mm, and the reduction magnification of the fθ lens 11 is 15 times. At this time, the diameter of the beam spot on the surface of the processing object 20 is about 240 μm. The pulse energy of the pulse laser beam 40 is 5.9 mJ / pulse, the energy density on the surface of the resin layer 32 is 5.1 mJ / cm 2 , and the full width at half maximum of the pulse waveform is 14 μs. Upper layer wiring pattern 3
3 functions as a mask, and a hole aligned with the opening 33a is formed. As described above, a method of forming a hole aligned with an opening provided in a mask on a resin layer on which a hole is to be formed is as follows.
It is generally called a conformal mask processing method.
【0016】図2(C)に、加工時のパルスレーザビー
ムのタイミングチャートを示す。まず、加工点P1に2
ショットのパルスレーザビームを照射する。1ショット
目のパルスの立ち上がりから2ショット目のパルスの立
ち上がりまでの時間Aは、レーザ光源1のパルスの繰り
返し周波数に依存し、その長さは0.5msである。FIG. 2C is a timing chart of the pulse laser beam during processing. First, add 2 to machining point P 1
The shot is irradiated with a pulsed laser beam. The time A from the rise of the first shot pulse to the rise of the second shot pulse depends on the repetition frequency of the pulse of the laser light source 1, and its length is 0.5 ms.
【0017】次に、ガルバノスキャナ10を動作させ
て、加工点P2に2ショットの照射を行う。加工点P1の
2ショット目のパルスの立ち上がりから加工点P2の1
ショット目のパルスの立ち上がりまでの時間Bは、ガル
バノスキャナ10の動作時間に律速され、その長さは約
2msである。このように、1つの加工点に2ショット
ずつ入射させながら、照射可能領域21内のすべての加
工点P1からPMまで順次パルスレーザビームの入射点を
移動させる。この照射により、各加工点に穴が形成され
るが、その穴は下層配線パターン31の上面までは達し
ない。Next, by operating the galvanometer scanner 10, performs irradiation of 2 shots machining point P 2. 1 from the rise of the second shot pulse of the machining point P 1 of the machining point P 2
The time B until the pulse of the shot pulse rises is determined by the operation time of the galvano scanner 10, and its length is about 2 ms. Thus, while the incident by two shots into one processing point to move the point of incidence of the sequentially pulsed laser beam from all of the machining point P 1 in the irradiation region 21 to P M. By this irradiation, a hole is formed at each processing point, but the hole does not reach the upper surface of the lower wiring pattern 31.
【0018】ここまでのレーザ照射を第1回目の照射工
程と呼ぶこととする。この第1回目の照射工程は、従来
のバースト法と同様の方法でパルスレーザビームの照射
が行われる。The laser irradiation so far is referred to as a first irradiation step. In the first irradiation step, irradiation with a pulsed laser beam is performed in the same manner as in the conventional burst method.
【0019】第1回目の照射工程が終了すると、第1番
目の加工点P1に戻り、1ショットのみの照射を行う。
1つの加工点に1ショットずつの照射を行いながら、加
工点P1からPMまで順次パルスレーザビームの入射点を
移動させる。この工程を第2回目の照射工程と呼ぶこと
とする。[0019] The first irradiation step is completed, the process returns to the first processing point P 1, to irradiate only one shot.
While irradiation of one shot to one processing point, to move the point of incidence of the sequentially pulsed laser beam from the processing point P 1 to P M. This step will be referred to as a second irradiation step.
【0020】図3(A)に示すように、第2回目の照射
工程が終了すると、各加工点に、下層配線パターン31
の上面まで達する穴35が形成される。穴35の側面
は、下層配線パターン31側が狭まったテーパ状にな
り、従来のサイクル法で形成される穴に近い形状の穴を
形成することができる。これに対し、上記実施例で用い
たパルスレーザビームと同一のパルスレーザビームを、
1つの加工点に3ショットの連続入射を行うバースト法
で加工した場合には、図3(B)に示すように、樽型の
穴36になってしまった。As shown in FIG. 3A, when the second irradiation step is completed, the lower wiring pattern 31 is provided at each processing point.
Is formed to reach the upper surface of the substrate. The side surface of the hole 35 has a tapered shape in which the lower wiring pattern 31 side is narrowed, and a hole having a shape close to a hole formed by a conventional cycle method can be formed. On the other hand, the same pulse laser beam as the pulse laser beam used in the above embodiment was used.
When processing was performed by a burst method in which three shots were continuously incident on one processing point, a barrel-shaped hole 36 was formed as shown in FIG. 3B.
【0021】本実施例の場合には、テーパ状の側面を有
する穴35が形成されるため、穴35の側面に銅をメッ
キして上層配線パターン33と下層配線パターン31と
を導通させる際の導通不良の発生を防止することができ
る。In the case of this embodiment, since the hole 35 having a tapered side surface is formed, copper is plated on the side surface of the hole 35 to make the upper wiring pattern 33 and the lower wiring pattern 31 conductive. The occurrence of conduction failure can be prevented.
【0022】また、従来のサイクル法で穴あけを行う場
合には、1ショットずつの照射を3サイクル繰り返さな
ければならない。このとき、加工時間Tsは、When drilling is performed by the conventional cycle method, irradiation for each shot must be repeated three cycles. At this time, the processing time Ts is
【0023】[0023]
【数1】Ts=(B×M)×3=(6×M)〔ms〕 になる。これに対し、上記実施例による方法(コンビネ
ーション法)を採用した場合の加工時間Tcは、Ts = (B × M) × 3 = (6 × M) [ms] On the other hand, when the method (combination method) according to the above embodiment is employed, the processing time Tc is:
【0024】[0024]
【数2】Tc=(A+B)×M+B×M=(4.5×
M)〔ms〕 になる。このように、実施例による方法を採用すること
により、サイクル法で加工する場合に比べて加工時間を
短くすることができる。Tc = (A + B) × M + B × M = (4.5 ×
M) [ms]. Thus, by employing the method according to the embodiment, the processing time can be shortened as compared with the case of processing by the cycle method.
【0025】上記実施例では、第1回目の照射工程で、
1加工点あたり2ショットずつの照射を順次行い、第2
回目の照射工程で、1加工点あたり1ショットのみの照
射を順次行った。第1回目の照射工程で、1加工点に照
射すべきショット数は、2に限らない。ただし、2回目
の照射工程で1加工点に照射すべきショット数は1とす
る必要がある。第1回目の照射工程における1加工点当
たりのショット数は、第1回目の照射工程で形成される
穴が下層配線パターンの上面まで達せず、かつ2回目の
照射工程での1ショットで下層配線パターンの上面まで
達する穴が形成されるように選択すればよい。In the above embodiment, in the first irradiation step,
Irradiation of two shots per processing point is performed sequentially,
In the second irradiation step, irradiation of only one shot per processing point was sequentially performed. The number of shots to be irradiated to one processing point in the first irradiation step is not limited to two. However, the number of shots to be irradiated on one processing point in the second irradiation step needs to be one. The number of shots per processing point in the first irradiation step is such that the holes formed in the first irradiation step do not reach the upper surface of the lower wiring pattern, and the number of shots in the second irradiation step is one shot. What is necessary is just to select so that the hole which reaches to the upper surface of a pattern may be formed.
【0026】また、上記実施例では、第1回目の照射工
程で、図2(A)に示した照射可能領域21内のすべて
の加工点P1〜PMに2ショットずつの照射を行った後、
第2回目の照射工程に移行したが、第1回目の照射工程
で一部のみの加工点に照射を行った後、第2回目の照射
工程に移行してもよい。1つの加工点に着目すると、第
1回目の照射工程で2ショットの照射を行った後、第2
回目の照射工程における1ショットまでの時間が10m
s以上であれば、高品質の穴を形成することができる。[0026] In the above embodiment, in the first irradiation step, was irradiated one by two shots in all the machining point P 1 to P M of irradiation-enabled area 21 shown in FIG. 2 (A) rear,
Although the process has proceeded to the second irradiation process, the process may proceed to the second irradiation process after irradiating only a part of the processing points in the first irradiation process. Focusing on one processing point, after irradiating two shots in the first irradiation step,
10m time to one shot in the second irradiation step
If it is not less than s, a high quality hole can be formed.
【0027】図2(C)に示したガルバノスキャナの動
作時間を含む時間Bが約2msであるため、1回目の照
射工程で5番目の加工点P5まで照射した後、1番目の
加工点P1に戻ると、10msの時間が確保される。ガ
ルバノスキャナの動作時間が長い場合には、1回目の照
射工程で2番目の加工点P2まで加工した後、1番目の
加工点P1に戻ってもよい場合があるであろう。このよ
うに、まず1番目の加工点に複数ショットの照射を行
い、次に他の少なくとも1つの加工点に複数ショットの
照射を行った後、1番目の加工点に戻って1ショットの
みの照射を行ってもよい。[0027] Since FIG. 2 (C) in time comprises the operating time of the galvano scanner shown B is about 2 ms, after irradiating up to 5 th machining point P 5 in the first irradiation step, the first processing point Referring back to P 1, time of 10ms is ensured. When the operation time of the galvano scanner is long, after processing to the second processing point P 2 by the first irradiation step, there will be cases where it may return to the first processing point P 1. As described above, first, the first processing point is irradiated with a plurality of shots, then, at least one other processing point is irradiated with the plurality of shots, and then the process returns to the first processing point to irradiate only one shot. May be performed.
【0028】また、上記実施例では、第1回目の照射工
程で形成される穴が下層配線パターンの上面まで達しな
い場合を説明したが、下層配線パターンの上面まで達
し、その一部が露出する場合であっても、露出した部分
の面積が十分小さければ、上記実施例と同様の効果が得
られるであろう。すなわち、第1回目の照射工程後に、
図3(B)に示したような樽型にならなければよい。こ
の場合、第2回目の照射工程で、下層配線パターンの露
出部分の面積を、所望の大きさまで大きくすることによ
り高品質の穴を開けることができる。In the above embodiment, the case where the hole formed in the first irradiation step does not reach the upper surface of the lower wiring pattern has been described. However, the hole reaches the upper surface of the lower wiring pattern, and a part thereof is exposed. Even in this case, if the area of the exposed portion is sufficiently small, the same effect as in the above embodiment will be obtained. That is, after the first irradiation step,
What is necessary is that it does not become a barrel shape as shown in FIG. In this case, in the second irradiation step, a high-quality hole can be formed by increasing the area of the exposed portion of the lower wiring pattern to a desired size.
【0029】全表面が露出した樹脂層の表面上にレーザ
ビームを集光させて穴を形成するダイレクト加工法の場
合には、バースト法を用いても比較的高品質の穴を形成
することができる。従って、上記実施例によるコンビネ
ーション法は、コンフォーマルマスク加工法を採用する
場合に特に大きな効果を有する。In the case of the direct processing method in which a laser beam is condensed on the surface of the resin layer whose entire surface is exposed to form a hole, a relatively high-quality hole can be formed even by using a burst method. it can. Therefore, the combination method according to the above embodiment has a particularly large effect when the conformal mask processing method is employed.
【0030】ダイレクト加工法の場合には、穴の断面形
状の最適化という点では、コンビネーション法の効果は
少ない。しかし、穴の底面に残る樹脂の残膜(デスミ
ア)を少なくするという点では、バースト法に比べてコ
ンビネーション法の方が優れている。In the case of the direct processing method, the effect of the combination method is small in optimizing the sectional shape of the hole. However, the combination method is superior to the burst method in reducing the residual resin film (desmear) remaining on the bottom of the hole.
【0031】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。The present invention has been described in connection with the preferred embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第1回目の照射工程をバースト法で行い、その後の第2
回目の照射工程では、1つの加工点あたり1ショットの
みの照射が行われる。これにより、従来のバースト法で
形成した穴よりも高品質の穴を形成することができる。
また、従来のサイクル法で穴を形成する場合よりも、加
工時間の短縮を図ることができる。As described above, according to the present invention,
The first irradiation step is performed by the burst method, and then the second irradiation step is performed.
In the second irradiation step, irradiation of only one shot per one processing point is performed. Thereby, holes of higher quality than holes formed by the conventional burst method can be formed.
Further, the processing time can be reduced as compared with the case where the holes are formed by the conventional cycle method.
【図1】本発明の実施例によるレーザ加工装置の概略図
である。FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】加工対象物の平面図、加工点の断面図、及び実
施例による加工方法のパルスレーザ照射のタイミングチ
ャートである。FIG. 2 is a plan view of a processing object, a cross-sectional view of a processing point, and a timing chart of pulse laser irradiation in a processing method according to an embodiment.
【図3】図3(A)及び(B)は、それぞれ実施例によ
る方法及び従来のバースト法で形成した穴の断面図であ
る。3 (A) and 3 (B) are cross-sectional views of holes formed by a method according to an embodiment and a conventional burst method, respectively.
1 レーザ光源 8 マスク 9 折返しミラー 10 ガルバノスキャナ 11 fθレンズ 12 XYステージ 13 制御装置 20 加工対象物 21 照射可能領域 30 下地基板 31 下層配線パターン 32 樹脂層 33 上層配線パターン 33a 開口 35、36 穴 40 パルスレーザビーム REFERENCE SIGNS LIST 1 laser light source 8 mask 9 folding mirror 10 galvano scanner 11 fθ lens 12 XY stage 13 control device 20 processing object 21 irradiable area 30 base substrate 31 lower wiring pattern 32 resin layer 33 upper wiring pattern 33a openings 35, 36 holes 40 pulses Laser beam
Claims (8)
れた加工対象物を準備する工程と、 1つの加工点当たり少なくとも2ショットが連続入射す
る条件で、前記複数の加工点に順次パルスレーザビーム
を入射させて穴あけ加工を行う第1の照射工程と、 1つの加工点当たり1ショットのみが入射する条件で、
前記第1の照射工程でパルスレーザビームが入射した複
数の加工点に、順次パルスレーザビームを入射させて穴
あけ加工を行う第2の照射工程とを有するレーザ加工方
法。1. A step of preparing a processing object in which a plurality of processing points to be drilled are defined; and sequentially applying pulses to the plurality of processing points under a condition that at least two shots are continuously incident per processing point. In a first irradiation step in which a laser beam is incident to perform drilling, and under a condition that only one shot is incident per one processing point,
A second irradiation step in which a pulsed laser beam is sequentially incident on a plurality of processing points where the pulsed laser beam is incident in the first irradiation step to perform drilling.
樹脂層が形成された積層基板であり、前記第1の照射工
程において形成される穴は前記樹脂層を貫通せず、前記
第2の照射工程で、前記樹脂層を貫通する穴が形成され
る請求項1に記載のレーザ加工方法。2. The processing object is a laminated substrate in which a resin layer is formed on a base metal layer, and a hole formed in the first irradiation step does not penetrate the resin layer. The laser processing method according to claim 1, wherein a hole penetrating the resin layer is formed in the second irradiation step.
樹脂層が形成された積層基板であり、前記第1の照射工
程において形成される穴が前記樹脂層を貫通し、該穴の
底面に現れた前記金属層の表面の面積が第1の面積であ
り、前記第2の照射工程で、前記穴の底面に現れている
前記金属層の表面の面積を前記第1の面積よりも大きく
する請求項1に記載のレーザ加工方法。3. The object to be processed is a laminated substrate having a resin layer formed on an underlying metal layer, wherein a hole formed in the first irradiation step penetrates the resin layer, and The area of the surface of the metal layer appearing on the bottom surface of the hole is a first area, and the area of the surface of the metal layer appearing on the bottom surface of the hole in the second irradiation step is smaller than the first area. The laser processing method according to claim 1, wherein the value is also increased.
スク層が形成された積層基板であり、前記加工点の位置
に、前記金属マスク層に設けられた開口が配置されてい
る請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加工方法。4. The processing object is a laminated substrate having a metal mask layer formed on a resin layer, and an opening provided in the metal mask layer is arranged at the position of the processing point. Item 4. The laser processing method according to any one of Items 1 to 3.
源と、 表面上に、穴あけを行うべき複数の加工点が画定された
加工対象物を保持するステージと、 前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームを、前
記ステージに保持された加工対象物に入射させると共
に、外部から与えられる位置制御信号によって前記パル
スレーザビームの進行方向を振り、前記加工対象物表面
のビームスポットの位置を移動させる走査光学系と、 1つの加工点に少なくとも2ショットが連続入射する条
件で、複数の前記加工点に順次パルスレーザビームを入
射させ、その後、既にパルスレーザビームが入射した複
数の加工点に、1つの加工点当たり1ショットのみが入
射する条件で、順次パルスレーザビームを入射させて穴
あけ加工が行われるように前記走査光学系を制御する制
御装置とを有するレーザ加工装置。5. A laser light source for emitting a pulsed laser beam, a stage for holding a workpiece on which a plurality of processing points to be drilled are defined, and a pulsed laser beam emitted from the laser light source. A scanning optical system for causing the pulse laser beam to travel in the direction of movement of the pulse laser beam by a position control signal given from the outside while being incident on the object held by the stage, and moving the position of a beam spot on the surface of the object to be processed. Under the condition that at least two shots are continuously incident on one processing point, a pulse laser beam is sequentially incident on the plurality of processing points, and thereafter, a plurality of processing points on which the pulse laser beam has already been incident are processed per one processing point. Under the condition that only one shot is incident, the scanning is performed so that a pulsed laser beam is sequentially incident and drilling is performed. A laser processing apparatus having a control device for controlling an optical system.
れた加工対象物を準備する工程と、 第1の加工点に少なくとも2ショットを連続して入射さ
せて穴を開ける第1の穴あけ工程と、 前記第1の加工点とは異なる少なくとも1つの第2の加
工点に、少なくとも2ショットを連続して入射させて穴
を開ける第2の穴あけ工程と、 その後、前記第1の加工点に1ショットのみを入射させ
て、穴を深くする工程とを有するレーザ加工方法。6. A step of preparing a processing object in which a plurality of processing points to be drilled are determined, and a first drilling step of continuously irradiating at least two shots to the first processing point. A second drilling step of continuously piercing at least two shots into at least one second processing point different from the first processing point to form a hole; and thereafter, the first processing point A step of making only one shot incident on the substrate and making the hole deeper.
樹脂層が形成された積層基板であり、前記第1の穴あけ
工程において形成される穴は前記樹脂層を貫通せず、前
記穴を深くする工程で、前記樹脂層を貫通する穴が形成
される請求項6に記載のレーザ加工方法。7. The object to be processed is a laminated substrate having a resin layer formed on an underlying metal layer, and a hole formed in the first drilling step does not penetrate the resin layer. 7. The laser processing method according to claim 6, wherein a hole penetrating the resin layer is formed in the step of deepening the hole.
穴開け加工すべき複数の加工点が決定された加工対象物
を準備する工程と、 第1の加工点に少なくとも2ショットを連続して入射さ
せて、前記樹脂層を貫通する穴を開ける第1の穴あけ工
程と、 前記第1の加工点とは異なる少なくとも1つの第2の加
工点に、少なくとも2ショットを連続して入射させて穴
を開ける第2の穴あけ工程と、 その後、前記第1の加工点に1ショットのみを入射させ
て、前記金属層の表面うち穴の底面に現れている部分の
面積を大きくする工程とを有するレーザ加工方法。8. A resin layer is formed on an underlying metal layer,
A step of preparing a processing object in which a plurality of processing points to be drilled are determined; and a step of continuously irradiating at least two shots to the first processing point to form a hole penetrating the resin layer. A second drilling step of continuously piercing at least two shots into at least one second processing point different from the first processing point to form a hole; Irradiating only one shot to the processing point to increase the area of the portion of the surface of the metal layer that appears at the bottom of the hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001079819A JP2002273590A (en) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Method and apparatus for laser beam machining |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001079819A JP2002273590A (en) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Method and apparatus for laser beam machining |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002273590A true JP2002273590A (en) | 2002-09-25 |
Family
ID=18936198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001079819A Withdrawn JP2002273590A (en) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Method and apparatus for laser beam machining |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002273590A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008126277A (en) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser beam machining apparatus and method |
| EP1931495A4 (en) * | 2005-10-03 | 2009-08-26 | Aradigm Corp | Method and system for laser machining |
| WO2011155229A1 (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | 日本メクトロン株式会社 | Laser processing method, and method for manufacturing multilayer flexible printed wiring board using same |
-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001079819A patent/JP2002273590A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1931495A4 (en) * | 2005-10-03 | 2009-08-26 | Aradigm Corp | Method and system for laser machining |
| US7767930B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-08-03 | Aradigm Corporation | Method and system for LASER machining |
| JP2008126277A (en) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser beam machining apparatus and method |
| WO2011155229A1 (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | 日本メクトロン株式会社 | Laser processing method, and method for manufacturing multilayer flexible printed wiring board using same |
| US9148963B2 (en) | 2010-06-10 | 2015-09-29 | Nippon Mektron, Ltd. | Laser processing method and production method of multilayer flexible printed wiring board using laser processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100265578B1 (en) | Laser machining method | |
| JP6073780B2 (en) | Method and apparatus for drilling using a continuous laser pulse train | |
| US6649864B2 (en) | Method of laser drilling | |
| US6657159B2 (en) | Method for laser drilling | |
| JPH11145581A (en) | Method and equipment for drilling printed board | |
| US20040112881A1 (en) | Circle laser trepanning | |
| JP2009142825A (en) | Apparatus and method for laser beam machining | |
| CN113210856B (en) | PCB short-wavelength pulse laser drilling method and related drilling device | |
| TWI418435B (en) | Laser processing devices and laser processing methods | |
| JP4320926B2 (en) | Laser drilling method and apparatus | |
| JP2020109820A (en) | Laser processing method for printed circuit board and laser processing machine for printed circuit board | |
| JPH11192571A (en) | Laser processing method and apparatus | |
| JP4492041B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
| TWI669180B (en) | Laser processing method | |
| JP5197271B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
| JP2002273590A (en) | Method and apparatus for laser beam machining | |
| JP2004322106A (en) | Laser beam machining method, and laser beam machining apparatus | |
| JP3485868B2 (en) | Drilling method using ultraviolet laser | |
| JPH11245071A (en) | Laser processing device | |
| JP4827650B2 (en) | Laser processing method and processing apparatus | |
| CN114951967A (en) | Ultrafast laser-based micro-through hole machining method and system | |
| EP1385666A1 (en) | Circle laser trepanning | |
| JP2012045554A (en) | Laser machining device and laser machining method | |
| JP2004209508A (en) | Laser beam machining method and laser beam machining device | |
| CN120244306A (en) | Micro blind hole processing method and ultrafast laser processing equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |