JP2002270859A - Photoelectric device package and method of manufacturing the same - Google Patents
Photoelectric device package and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光センサ等の光電素子を搭載する際、高い寸
法精度、低発塵性、低コストで配線パターンを形成でき
る光電素子用パッケージおよびその製造方法を提供す
る。
【解決手段】 基体1の原型となるスタンパマスタ19
にニッケルメッキ27を施して、射出成形用のスタンパ
17,37を形成し、射出成形によって素子取付面6お
よび対向面6aに溝47,48;51,52を形成し、
溝47,48;51,52を含む基体1表面に銅メッキ
56を施した後、メッキされた素子取付面6および対向
面6aを研磨して、溝47,48;51,52中の導電
材料を区分する。
(57) [Problem] To provide a package for a photoelectric element capable of forming a wiring pattern with high dimensional accuracy, low dust generation, and low cost when a photoelectric element such as an optical sensor is mounted, and a method of manufacturing the same. SOLUTION: A stamper master 19 serving as a prototype of a base 1 is provided.
Are subjected to nickel plating 27 to form stampers 17 and 37 for injection molding, and grooves 47, 48; 51 and 52 are formed in the element mounting surface 6 and the opposing surface 6a by injection molding.
After copper plating 56 is applied to the surface of the substrate 1 including the grooves 47, 48; 51, 52, the plated element mounting surface 6 and the opposing surface 6a are polished, and the conductive material in the grooves 47, 48; Is classified.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光センサ等の光電
素子を搭載するための光電素子用パッケージおよびその
製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric device package for mounting a photoelectric device such as an optical sensor and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】或る先行技術では、10mm角以下の平
面寸法を持つ小型の光センサを回路基板等に搭載する場
合、従来、プリント配線板や、ポリイミドフィルム材料
をベースとしてフォトリソグラフィ法を用いて回路形成
を行ったフレキブル配線板に、光学系を固定するための
樹脂を貼りつける構成が用いられる。2. Description of the Related Art In a prior art, when a small optical sensor having a plane dimension of 10 mm square or less is mounted on a circuit board or the like, conventionally, a photolithography method based on a printed wiring board or a polyimide film material is used. A configuration is used in which a resin for fixing an optical system is attached to a flexible wiring board on which a circuit has been formed.
【0003】また、他の先行技術では、セラミクス基板
に金属回路を焼結してセラミクス配線板を得る構成があ
るが、光学的寸法精度を低コストで達成することは困難
である。In another prior art, there is a configuration in which a metal circuit is sintered on a ceramic substrate to obtain a ceramic wiring board, but it is difficult to achieve optical dimensional accuracy at low cost.
【0004】さらに他の先行技術では、文献(ECTC
98−097,P1109)には、受光面をガラス基板
に対向させてCMOSイメージセンサチップを搭載した
構成が記載されている。この構成は、TOG(TAB On Gl
ass)モジュールと称され、表面にリード配線が形成さ
れ、裏面に紫外線硬化接着剤が塗布されたTABテープ
をガラス基板の上に貼り付けて、紫外線照射によって接
着剤を硬化させた後、リード線とセンサチップとの間に
異方性導電ペースト(ACP)を介在させた状態で加熱
圧着してペーストを硬化させる構成が採用されている。[0004] In still another prior art, the literature (ECTC
98-097, P1109) describes a configuration in which a CMOS image sensor chip is mounted with a light receiving surface facing a glass substrate. This configuration is based on TOG (TAB On Gl
(Ass) Module, a lead wire is formed on the front surface, a TAB tape coated with an ultraviolet curing adhesive on the back surface is attached to a glass substrate, and the adhesive is cured by ultraviolet irradiation, and then the lead wire A configuration is employed in which the paste is cured by heating and pressing with an anisotropic conductive paste (ACP) interposed between the sensor chip and the sensor chip.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】これらの先行技術の配
線板では、フォトリソグラフィ法によって配線パターン
を形成しているため、レジストコート、マスク露光、レ
ジスト除去、エッチング、レジスト除去などの複雑な工
程を要し、しかも廃液処理などもコスト増の要因にな
る。In these prior art wiring boards, since wiring patterns are formed by photolithography, complicated processes such as resist coating, mask exposure, resist removal, etching, and resist removal are performed. In addition, waste liquid treatment also increases costs.
【0006】本発明の目的は、光センサ等の光電素子を
搭載する際、高い寸法精度、低コストで配線パターンを
形成できる光電素子用パッケージおよびその製造方法を
提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photoelectric device package capable of forming a wiring pattern with high dimensional accuracy and low cost when a photoelectric device such as an optical sensor is mounted, and a method of manufacturing the same.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、光電素子が搭
載される素子取付面、素子取付面に対向する対向面、お
よび対向面から素子取付面を貫く光導入貫通孔を有する
基体を備え、素子取付面および/または対向面には、溝
が形成され、溝の中には、配線導体が形成されることを
特徴とする光電素子用パッケージである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a substrate having an element mounting surface on which a photoelectric element is mounted, an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introducing through hole penetrating the element mounting surface from the opposing surface. A groove is formed in the element mounting surface and / or the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the groove.
【0008】本発明に従えば、素子取付面や対向面に溝
を形成し、溝の中に配線導体を形成することによって、
配線導体の固定強度が向上する。また、溝の深さに応じ
て配線導体を所望の厚さに形成できるため、従来のエッ
チング法よりも厚みのある高アスペクト比の配線パター
ンが形成可能であり、これによって電気抵抗の低減化が
図られる。According to the present invention, a groove is formed on the element mounting surface or the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the groove.
The fixing strength of the wiring conductor is improved. In addition, since the wiring conductor can be formed to a desired thickness in accordance with the depth of the groove, a wiring pattern having a higher aspect ratio than the conventional etching method can be formed, thereby reducing the electric resistance. It is planned.
【0009】また本発明は、基体には、素子取付面と対
向面とを連絡するスルーホールが形成され、スルーホー
ルには、配線導体が形成されることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that a through hole is formed in the base to connect the element mounting surface and the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the through hole.
【0010】本発明に従えば、素子取付面と対向面とを
連絡するスルーホールを形成し、スルーホールに配線導
体を形成することによって、対向面に外部接続端子を配
置できるため、接続ランドの設計自由度が高くなる。According to the present invention, by forming a through-hole connecting the element mounting surface and the opposing surface and forming a wiring conductor in the through-hole, external connection terminals can be arranged on the opposing surface. The degree of freedom in design increases.
【0011】また本発明は、基体の側面には、素子取付
面と対向面とを連絡する半割りのスルーホールが形成さ
れ、スルーホールには、配線導体が形成されることを特
徴とする。Further, the present invention is characterized in that a half-divided through hole is formed on the side surface of the base to connect the element mounting surface and the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the through hole.
【0012】本発明に従えば、基体の側面に素子取付面
と対向面とを連絡する半割りのスルーホールを形成し、
スルーホールに配線導体を形成することによって、対向
面および側面に外部接続端子を配置でき、接続ランドの
設計自由度が高くなる。According to the present invention, a half through hole is formed in the side surface of the base to connect the element mounting surface and the opposing surface,
By forming the wiring conductor in the through hole, the external connection terminals can be arranged on the opposing surface and the side surface, and the design flexibility of the connection land is increased.
【0013】なお、半割りのスルーホールとは、断面形
状が半円のものに限らず、角形、円弧、D字型など円周
の一部を欠いた形状のものを含む。The half-through hole is not limited to a semi-circular cross-sectional shape, but also includes a rectangular shape, a circular arc, a D-shape, and a shape lacking a part of the circumference.
【0014】また本発明は、基体の側面には、素子取付
面の溝と連絡する側面溝が形成され、側面溝の中には、
配線導体が形成されることを特徴とする。Further, according to the present invention, a side surface groove is formed on the side surface of the base body so as to communicate with the groove of the element mounting surface.
A wiring conductor is formed.
【0015】本発明に従えば、基体の側面に素子取付面
の溝と連絡する側面溝を形成し、側面溝の中に配線導体
を形成することによって、基体の側面に外部接続端子を
配置できる。According to the present invention, the external connection terminals can be arranged on the side surface of the base by forming the side groove communicating with the groove of the element mounting surface on the side surface of the base and forming the wiring conductor in the side groove. .
【0016】また本発明は、側面溝の深さは、素子取付
面の溝の深さの2〜10倍の範囲であることを特徴とす
る。Further, the present invention is characterized in that the depth of the side groove is in a range of 2 to 10 times the depth of the groove on the element mounting surface.
【0017】本発明に従えば、側面溝の深さを素子取付
面の溝の深さの2〜10倍の範囲に設定することによっ
て、側面の配線導体を十分な厚さに形成できるため、外
部接続端子の強度が格段に向上する。そのため配線板と
の接続処理が安定し、接続強度も向上する。According to the present invention, the wiring conductor on the side surface can be formed to a sufficient thickness by setting the depth of the side surface groove to a range of 2 to 10 times the depth of the groove on the element mounting surface. The strength of the external connection terminal is significantly improved. Therefore, the connection process with the wiring board is stabilized, and the connection strength is improved.
【0018】また本発明は、配線導体は、金属メッキで
形成されることを特徴とする。本発明に従えば、配線導
体を金属メッキで形成することによって、十分な厚みを
有し高寸法精度を要する配線導体をライン幅のバラツキ
を小さく(たとえば公差±1μm)、歩留りよく、短時
間で低コストに実現できる。Further, the present invention is characterized in that the wiring conductor is formed by metal plating. According to the present invention, by forming a wiring conductor by metal plating, a wiring conductor having a sufficient thickness and requiring high dimensional accuracy can be reduced in line width variation (for example, tolerance ± 1 μm), with good yield, in a short time. It can be realized at low cost.
【0019】また本発明は、基体が低発塵性の熱硬化性
樹脂から成ることを特徴とする。また本発明は、基体が
低発塵性の熱可塑性樹脂から成ることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the substrate is made of a thermosetting resin having low dust generation. Further, the present invention is characterized in that the base is made of a thermoplastic resin having low dust generation.
【0020】本発明に従えば、基体を構成する熱硬化性
または熱可塑性の合成樹脂は、低発塵性であり、これに
よって微細な配線導体を確実に形成することができる。According to the present invention, the thermosetting or thermoplastic synthetic resin constituting the substrate has low dusting properties, whereby a fine wiring conductor can be reliably formed.
【0021】また本発明は、光電素子が搭載される素子
取付面、素子取付面に対向する対向面、および対向面か
ら素子取付面を貫く光導入貫通孔を有する基体を備える
光電素子用パッケージの製造方法であって、素子取付面
および/または対向面の配線パターンに対応した第1凸
部と、光導入貫通孔を形成するための第2凸部を有する
スタンパを取り付けた金型に、溶融樹脂を射出して射出
成形し、配線パターンに対応した溝および光導入貫通孔
に対応する凹所を持つ基体を形成する工程と、基体の素
子取付面および/または対向面に導電材料のメッキを施
す工程と、メッキされた素子取付面および/または対向
面を研磨して、溝中の導電材料を区分する工程と、光導
入貫通孔に対応する凹所の底部を打ち抜いて光導入貫通
孔を形成する工程とを含むことを特徴とする光電素子用
パッケージの製造方法である。According to the present invention, there is provided a package for a photoelectric element, comprising: a base having an element mounting surface on which the photoelectric element is mounted, an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introducing through hole penetrating the element mounting surface from the opposing surface. In a manufacturing method, a mold having a stamper having a first convex portion corresponding to a wiring pattern on an element mounting surface and / or a facing surface and a second convex portion for forming a light introduction through hole is attached to a mold. Forming a substrate having a groove corresponding to the wiring pattern and a recess corresponding to the light introducing through-hole by injecting and injecting a resin, and plating a conductive material on an element mounting surface and / or a facing surface of the substrate. Applying, polishing the plated element mounting surface and / or the opposing surface to separate the conductive material in the groove, and punching out the bottom of the recess corresponding to the light introducing through hole to form the light introducing through hole. Forming process It is a manufacturing method of a photoelectric element package, which comprises a.
【0022】また本発明は、光電素子が搭載される素子
取付面、素子取付面に対向する対向面、および対向面か
ら素子取付面を貫く光導入貫通孔を有する基体を備え、
溝の中には、配線導体が形成されることを特徴とする。Further, the present invention includes a base having an element mounting surface on which the photoelectric element is mounted, an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introduction through hole penetrating the element mounting surface from the opposing surface.
A wiring conductor is formed in the groove.
【0023】本発明に従えば、電気絶縁性合成樹脂など
の材料から成る基体には、配線パターンに対応した微細
な溝と、その溝とは深さなどの寸法形状が異なる光導入
貫通孔を形成するための凹所とを、同一のスタンパを用
いて、そのスタンパに形成された第1および第2凸部を
用いて射出成形して製造することができるようになる。
前述の微細な溝は、たとえば幅10μm、深さ25μm
であってもよい。According to the present invention, a substrate made of a material such as an electrically insulating synthetic resin is provided with a fine groove corresponding to a wiring pattern and a light introducing through hole having a different dimension and shape such as depth from the groove. The recess to be formed can be manufactured by injection molding using the same stamper and the first and second projections formed on the stamper.
The above-mentioned fine grooves are, for example, 10 μm in width and 25 μm in depth.
It may be.
【0024】本発明に従えば、基体の素子取付面または
対向面の少なくとも一方の面に溝を形成し、導電材料の
メッキを施した後、メッキされた面を研磨して溝中の導
電材料を区分することによって、高い寸法精度、低発塵
性、低コストで配線パターンを形成できる。According to the present invention, a groove is formed on at least one of the element mounting surface and the opposing surface of the substrate, and after the conductive material is plated, the plated surface is polished and the conductive material in the groove is polished. The wiring pattern can be formed with high dimensional accuracy, low dust generation, and low cost.
【0025】また、溝の中に配線導体を形成することに
よって、配線導体の固定強度が向上する。また、溝の深
さに応じて配線導体を所望の厚さに形成できるため、従
来のエッチング法よりも厚みのある配線パターンが形成
可能であり、これによって電気抵抗の低減化および信頼
性の向上が図られる。Further, by forming the wiring conductor in the groove, the fixing strength of the wiring conductor is improved. Further, since the wiring conductor can be formed to a desired thickness in accordance with the depth of the groove, a wiring pattern having a larger thickness than the conventional etching method can be formed, thereby reducing the electric resistance and improving the reliability. Is achieved.
【0026】ここで光電素子とは、光ダイオード、CC
D(電荷結合素子)素子、CMOSイメージセンサなど
の1次元または2次元の受光面を有する受光素子、ある
いは半導体レーザ素子、EL(電界ルミミッセンス)素
子、発光ダイオードなどの発光素子をいう。Here, the photoelectric element is a photodiode, CC
A light-receiving element having a one-dimensional or two-dimensional light-receiving surface, such as a D (charge-coupled element) element or a CMOS image sensor, or a light-emitting element such as a semiconductor laser element, an EL (electric field luminescence) element, or a light-emitting diode.
【0027】またこのパッケージはSAW(表面弾性
波)フィルタ等の部品を実装するものとしても使用でき
る。This package can also be used for mounting components such as a SAW (surface acoustic wave) filter.
【0028】また本発明は、フォトリソグラフィ法によ
って、基板上に、前記第1凸部に対応する透孔を有する
フォトレジスト層を形成する工程と、フォトレジスト層
と、前記透孔から露出した基板との上に、金属メッキを
施して、前記透孔を、メッキ金属によって塞ぐ厚みを有
する金属メッキ層を形成する工程と、この形成された金
属メッキ層を、基板から剥離する工程と、この剥離した
金属メッキ層を、前記第2凸部に対応して深絞り加工
し、射出成形用の前記スタンパを製造する工程とを含む
ことを特徴とする。[0028] The present invention also provides a step of forming a photoresist layer having a hole corresponding to the first convex portion on a substrate by photolithography, a photoresist layer, and a substrate exposed from the hole. Forming a metal plating layer having a thickness that closes the through-hole with the plating metal by applying metal plating on the metal plating layer, a step of peeling the formed metal plating layer from the substrate, and a step of peeling the metal plating layer. Deep-drawing the metal plating layer corresponding to the second convex portion to manufacture the stamper for injection molding.
【0029】また本発明は、スタンパの前記第2凸部
は、樹脂が射出される射出成形空間に向かって先細とな
るように、傾斜して形成されることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the second convex portion of the stamper is formed to be inclined so as to taper toward an injection molding space into which the resin is injected.
【0030】本発明に従えば、スタンパの第1凸部は、
配線パターンに対応した微細な溝を基体に形成するため
の働きをする。このような微細の第1凸部は、フォトリ
ソグラフィ法で形成することができる。その後、スタン
パをプレスなどの機械的な手法で深絞り加工し、これに
よって光導入貫通孔に対応した第1凸部よりも大きい寸
法形状を有する第2凸部をスタンパに形成することがで
きる。したがって微細な溝に比べて寸法形状が大きい光
導入貫通孔に対応した凹所を形成するための第2凸部
を、金属メッキ層から成るスタンパに深絞り加工によっ
て形成することが容易である。第2凸部を有するスタン
パを、射出成形されるべき基体の対向面に配置した構成
では、光導入貫通孔は、対向面から素子取付面に向かっ
て細く形成される。本発明の実施の他の形態では、基体
の素子取付面にスタンパを用いて基体を射出成形しても
よく、この構成では、第2凸部、したがって光導入貫通
孔は、素子取付面から対向面に向かって細く形成され
る。このような光導入貫通孔のテーパ部の角度は、素子
取付面を基準として10°〜80°の範囲であってもよ
い。本発明の実施の他の形態では、光導入貫通孔は、素
子取付面と垂直であってもよい。基体の素子取付面と対
向面とは、平行に形成されてもよい。このテーパ部を有
する光導入貫通孔の軸線は、素子取付面および対向面に
垂直である。According to the present invention, the first projection of the stamper is
It functions to form fine grooves in the base corresponding to the wiring pattern. Such fine first projections can be formed by photolithography. Thereafter, the stamper is subjected to deep drawing by a mechanical method such as pressing, whereby a second convex portion having a size and shape larger than the first convex portion corresponding to the light introduction through hole can be formed on the stamper. Therefore, it is easy to form the second convex portion for forming the concave portion corresponding to the light introducing through hole having a larger size and shape than the fine groove on the stamper made of the metal plating layer by deep drawing. In a configuration in which the stamper having the second convex portion is disposed on the facing surface of the base to be injection-molded, the light introducing through-hole is formed narrower from the facing surface toward the element mounting surface. In another embodiment of the present invention, the base may be injection-molded using a stamper on the element mounting surface of the base. In this configuration, the second convex portion, and thus the light introduction through hole, is opposed to the element mounting surface. It is formed thinner toward the surface. The angle of the tapered portion of such a light introducing through-hole may be in a range of 10 ° to 80 ° based on the element mounting surface. In another embodiment of the present invention, the light introduction through-hole may be perpendicular to the element mounting surface. The element mounting surface and the opposing surface of the base may be formed in parallel. The axis of the light introducing through hole having this tapered portion is perpendicular to the element mounting surface and the opposing surface.
【0031】本発明の実施の他の形態では、光導入貫通
孔のテーパ部にも、配線パターンに対応した微細な溝を
形成するようにしてもよい。この構成では、光導入貫通
孔は、円錐台の形状とし、これによって微細な溝中の導
電材料を区分するために研磨する作業を容易にすること
ができる。In another embodiment of the present invention, a fine groove corresponding to the wiring pattern may be formed in the tapered portion of the light introducing through hole. In this configuration, the light introduction through-hole has a truncated conical shape, thereby facilitating the polishing operation for separating the conductive material in the fine groove.
【0032】スタンパの第2凸部を用いて基体には光導
入貫通孔に対応した比較的大きな凹所が形成され、した
がってその後、光導入貫通孔を形成する打ち抜きまたは
レーザ切削加工作業工程を容易に行うことができる。Using the second convex portion of the stamper, a relatively large recess corresponding to the light introducing through-hole is formed in the base, and thereafter, a punching or laser cutting work process for forming the light introducing through-hole is facilitated. Can be done.
【0033】本発明に従えば、スタンパを製造するに
は、前述のように複数の工程を必要とするが、一端、ス
タンパを製造した後は、そのスタンパを備える金型を用
いて、射出成形によって、基体を大量生産することが容
易であり、量産性に非常に優れた基体の製造が可能にな
る。According to the present invention, manufacturing a stamper requires a plurality of steps as described above. After manufacturing the stamper, injection molding is performed using a mold having the stamper. This makes it easy to mass-produce the substrate, and makes it possible to produce a substrate with excellent mass productivity.
【0034】また本発明は、基体には、素子取付面また
は対向面に臨んで、スルーホールまたは側面溝が形成さ
れ、スタンパは、スルーホールまたは側面溝に対応する
第3凸部を有することを特徴とする。Further, according to the present invention, a through hole or a side surface groove is formed on the substrate facing the element mounting surface or the opposing surface, and the stamper has a third convex portion corresponding to the through hole or the side surface groove. Features.
【0035】本発明に従えば、基体の素子取付面と対向
面とを連絡する貫通孔であるスルーホール、基体の側面
に形成されて素子取付面と対向面とを連絡する半割りの
スルーホール、または基体の側面に形成されて素子取付
面の溝と連絡する側面溝に対応して第3凸部を有するス
タンパが構成され、このスタンパを用いて、基体の射出
成形が行われる。こうして基体に形成されたスルーホー
ルまたは側面溝に対応する凹所を、打ち抜き加工によっ
て、または小形のドリルまたはレーザドリルを用いて穿
孔し、または有底孔を形成する。According to the present invention, a through-hole which is a through hole connecting the element mounting surface of the base and the opposing surface, and a half through hole formed in the side surface of the base and connecting the element mounting surface and the opposing surface. Alternatively, a stamper having a third protrusion corresponding to a side groove formed on the side surface of the base and communicating with the groove of the element mounting surface is formed, and the base is injection-molded using this stamper. The recess corresponding to the through hole or the side groove thus formed in the base body is perforated by punching or using a small drill or a laser drill, or a bottomed hole is formed.
【0036】[0036]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の一形態の
製造工程の途中における未完成のパッケージ14の断面
図である。図2は、本発明の製造されたパッケージ15
の断面図である。図3は、図2に示されるパッケージ1
5の実装状態を示す断面図である。パッケージ15の素
子取付面6には、受光素子11が異方性導電ペースト
(例えば、東芝ケミカル社製XAPシリーズ)、または
異方性電導膜(例えば、ソニーケミカル社製FP232
2D)によって接続される。FIG. 1 is a cross-sectional view of an unfinished package 14 during a manufacturing process according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 illustrates the package 15 of the present invention.
FIG. FIG. 3 shows the package 1 shown in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mounting state of No. 5; On the element mounting surface 6 of the package 15, the light receiving element 11 is made of an anisotropic conductive paste (for example, XAP series manufactured by Toshiba Chemical Co., Ltd.) or an anisotropic conductive film (for example, FP232 manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.)
2D).
【0037】図4は本発明の実施の一形態のパッケージ
15の図2における上方から見た斜視図であり、図5は
パッケージ15の図2における下方から見た斜視図であ
る。図2〜図5に示されるパッケージ15の製造方法
を、図6〜図19および前述の図1を参照して説明す
る。本発明のパッケージ15の製造のために用いられる
一方のスタンパ17は、図6〜図13に示されるフォト
リソグラフィ法によって製造される。先ず、図6を参照
して、ガラス基板18の平坦な表面上にフォトレジスト
層19を、たとえば厚み25μmで均一に塗布する。次
に図7に示されるように、フォトマスク20を用い、こ
のフォトマスク20に形成された透孔領域21,22を
介して露光用光源からの光23が照射され、フォトレジ
スト層19が選択的に露光される。次に図8に示される
ようにフォトレジスト層19の前記透孔領域21,22
に対応する露光部分が現像除去されて透孔24,25が
形成される。また、レジスト工程をくり返すことで複雑
な形状を得ることも可能である。FIG. 4 is a perspective view of the package 15 according to one embodiment of the present invention as viewed from above in FIG. 2, and FIG. 5 is a perspective view of the package 15 as viewed from below in FIG. A method of manufacturing the package 15 shown in FIGS. 2 to 5 will be described with reference to FIGS. 6 to 19 and FIG. One stamper 17 used for manufacturing the package 15 of the present invention is manufactured by the photolithography method shown in FIGS. First, referring to FIG. 6, a photoresist layer 19 having a thickness of, for example, 25 μm is uniformly applied on a flat surface of glass substrate 18. Next, as shown in FIG. 7, using a photomask 20, light 23 from an exposure light source is irradiated through through-hole regions 21 and 22 formed in the photomask 20, and the photoresist layer 19 is selected. Exposure. Next, as shown in FIG. 8, the through-hole regions 21 and 22 of the photoresist layer 19 are formed.
Are exposed and removed to form through holes 24 and 25. Further, a complicated shape can be obtained by repeating the resist process.
【0038】次に図9に示されるように現像後のフォト
レジスト層19上に金属メッキを施すために、導電膜2
6が形成される。この導電膜26は、たとえばNiスパ
ッタ膜(図9中+印で示される)によって形成され、そ
の厚みは、たとえば600〜2000Åであってもよ
い。次に図10に示されるようにフォトレジスト層19
と、前記透孔24,25から露出した基板18との上
に、導電膜26を介してNiなどの金属メッキを施し、
金属メッキ層27を形成する。金属メッキ層27は、透
孔24,25をメッキ金属Niによって塞ぐ厚みd1を
有する。この厚みd1は、たとえば0.1〜0.3mm
であってもよい。また表面平滑性を出すための研磨工程
も用いられる。Next, as shown in FIG. 9, in order to apply metal plating on the developed photoresist layer 19, the conductive film 2 is formed.
6 are formed. This conductive film 26 is formed of, for example, a Ni sputter film (indicated by + in FIG. 9), and its thickness may be, for example, 600 to 2000 °. Next, as shown in FIG.
And the substrate 18 exposed from the through holes 24 and 25 are plated with metal such as Ni through a conductive film 26.
A metal plating layer 27 is formed. The metal plating layer 27 has a thickness d1 for closing the through holes 24 and 25 with the plating metal Ni. This thickness d1 is, for example, 0.1 to 0.3 mm.
It may be. In addition, a polishing step for obtaining surface smoothness is also used.
【0039】こうして得られた金属メッキ層27を、図
11に示されるようにガラス基板18から剥離する。金
属メッキ層27に残存しているフォトレジスト層19の
一部分を除去する。また、この後、Niスパッタ膜を除
去する工程を入れる場合もある。こうしてフォトレジス
ト層19の一部分19aが除去されて清浄となった金属
メッキ層27が、図12に示されるように得られる。こ
の金属メッキ層27は、前述の透孔領域21,22に対
応する第1凸部28,29を有する。この後、Niスパ
ッタ膜を除去することが、割れ、ハガレ防止のために好
ましい。The metal plating layer 27 thus obtained is peeled from the glass substrate 18 as shown in FIG. A part of the photoresist layer 19 remaining on the metal plating layer 27 is removed. After that, a step of removing the Ni sputtered film may be inserted. In this manner, the metal plating layer 27 in which the part 19a of the photoresist layer 19 has been removed and thus cleaned is obtained as shown in FIG. The metal plating layer 27 has first convex portions 28 and 29 corresponding to the above-described through-hole regions 21 and 22. Thereafter, it is preferable to remove the Ni sputtered film in order to prevent cracking and peeling.
【0040】図12のようにして得られた金属メッキ層
27を、図13に示されるように深絞り加工して第2凸
部31を形成する。この第2凸部31は、平坦な頂部3
2と、その頂部32の周縁に連なり、第1凸部28,2
9が形成された平坦な支持部33に連なる傾斜部34と
を有する。こうして図13に示される金属メッキ層27
の鍛造塑性加工によって、一方のスタンパ17が製造さ
れる。The metal plating layer 27 obtained as shown in FIG. 12 is subjected to deep drawing as shown in FIG. The second convex portion 31 has a flat top 3
2 and the periphery of the top portion 32, and the first convex portions 28, 2
9 has an inclined portion 34 connected to a flat support portion 33 on which is formed. Thus, the metal plating layer 27 shown in FIG.
The one stamper 17 is manufactured by the forging plastic working of.
【0041】図14は、他方のスタンパ37を示す断面
図である。このスタンパ37は、前述のスタンパ17と
同様にフォトリソグラフィ法、メッキの手法によって製
造することができる。スタンパ37にも、第1凸部3
8,39が形成される。本発明の実施の他の形態では、
このスタンパ37にはまた、深絞り加工などの鍛造塑性
加工によって、さらに大きな凸部が形成されるようにし
てもよい。FIG. 14 is a sectional view showing the other stamper 37. The stamper 37 can be manufactured by a photolithography method or a plating method in the same manner as the stamper 17 described above. The first protrusion 3 is also provided on the stamper 37.
8, 39 are formed. In another embodiment of the present invention,
The stamper 37 may be formed with a larger convex portion by forging plastic working such as deep drawing.
【0042】図13に示される一方のスタンパ17と、
図14に示される他方のスタンパ37とを用いて、射出
成形を行う。One stamper 17 shown in FIG.
Injection molding is performed using the other stamper 37 shown in FIG.
【0043】図15は、一対のスタンパ17,37を用
いて射出成形を行う金型装置41の断面図である。一方
のスタンパ17は、一方の金型本体42に支持され、他
方のスタンパ37は、他方の金型本体43に支持され、
これらの金型本体42,43間には、射出成形空間44
を形成するもう1つの金型本体45が介在される。スタ
ンパ17に形成された前記第2凸部31は、溶融された
樹脂が射出される射出成形空間44に向かって、すなわ
ち図15の下方に向かって先細となるように傾斜して四
角錐台状に形成される。射出成形に用いられる樹脂は、
たとえば熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂であって、そ
の一例を挙げると、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、A
BS樹脂、ポリメチルペンテンなどがある。樹脂として
はCuメッキの密着度の高い樹脂が好ましい。FIG. 15 is a sectional view of a mold apparatus 41 for performing injection molding using a pair of stampers 17 and 37. One stamper 17 is supported by one mold body 42, the other stamper 37 is supported by the other mold body 43,
Injection molding space 44 is provided between these mold bodies 42 and 43.
Another mold body 45 is formed. The second convex portion 31 formed on the stamper 17 is inclined so as to be tapered toward the injection molding space 44 into which the molten resin is injected, that is, downwardly in FIG. Formed. The resin used for injection molding is
For example, thermosetting resins and thermoplastic resins, epoxy resin, polyimide resin, A
Examples include BS resin and polymethylpentene. As the resin, a resin having high adhesion of Cu plating is preferable.
【0044】こうして図16に示されるように、射出成
形された基体1が得られる。基体1は、一方のスタンパ
17に形成された第1凸部28,29に対応して微細な
溝47,48が形成されるとともに、第2凸部31に対
応する比較的大きい寸法形状を有する凹所49を有す
る。基体1はまた、他方のスタンパ37の第1凸部3
8,39に対応する微細な溝51,52を有する。Thus, as shown in FIG. 16, an injection molded base 1 is obtained. The base 1 has fine grooves 47 and 48 formed corresponding to the first protrusions 28 and 29 formed on the one stamper 17, and has a relatively large dimensional shape corresponding to the second protrusion 31. It has a recess 49. The base 1 also includes the first convex portion 3 of the other stamper 37.
It has fine grooves 51 and 52 corresponding to 8,39.
【0045】図16に示される基体1には、レーザ光を
用いて、または小形のドリルを用いて、図17に示され
るようにスルーホール53,54を穿設する。スルーホ
ール53,54は、素子取付面6と対向面6aとを連絡
する。In the base 1 shown in FIG. 16, through holes 53 and 54 are formed by using a laser beam or a small drill as shown in FIG. The through holes 53 and 54 connect the element mounting surface 6 and the opposing surface 6a.
【0046】要約すると、例えば、ガラス基板18にフ
ォトレジスト19を塗布し、その後フォトリソグラフィ
法を用いて作成したスタンパマスタにNiメッキ27を
施し、Niを剥離させて射出成形用のスタンパ17を形
成する。このスタンパ17を金型に取り付け、加熱され
た樹脂を注入、冷却することで、基体1の表面に微細な
凹溝47,48;51,52の加工およびテーパを有す
る凹所49の形成を行う。こうした射出成形法を用いる
ことで、樹脂表面を滑らかに仕上げることが可能で、樹
脂表面からの発塵を抑えることにも容易である。In summary, for example, a photoresist 19 is applied to a glass substrate 18, and then a Ni plating 27 is applied to a stamper master formed by using a photolithography method, and Ni is peeled off to form a stamper 17 for injection molding. I do. The stamper 17 is attached to a mold, heated resin is injected and cooled, whereby fine concave grooves 47, 48; 51, 52 are formed on the surface of the base 1 and a concave portion 49 having a taper is formed. . By using such an injection molding method, it is possible to finish the resin surface smoothly, and it is easy to suppress dust generation from the resin surface.
【0047】樹脂として、熱膨張係数α=10〜20p
pm程度の低い熱膨張係数を有する熱硬化性樹脂を用い
ることで、光学センサ用途向けなど高い寸法精度を要す
る基体を形成することができる。As the resin, thermal expansion coefficient α = 10 to 20 p
By using a thermosetting resin having a low thermal expansion coefficient of about pm, a substrate requiring high dimensional accuracy, such as for an optical sensor, can be formed.
【0048】前述の図17の基体1には、図18に示さ
れるように素子取付面6および対向面6aにわたって導
電材料である金属メッキを施してメッキ層56を形成す
る。凹所49には、メッキ層56が形成されないように
するために、合成樹脂から成るレジスト層57を、メッ
キに先立ち、設けておく。このメッキ層56は、微細な
溝47,48;51,52とスルーホール53,54を
埋める。図18に示される基体1は、複数個の基体1が
行列状に隣接して連なって前述の図15と同様にして射
出成形され、次に、図16および図17に示されるよう
に金属メッキ層56が形成され、その後、個別的な単一
個の基体毎に分断された、いわゆる多面個取りされた基
体である。As shown in FIG. 18, the base 1 shown in FIG. 17 is plated with metal as a conductive material over the element mounting surface 6 and the opposing surface 6a to form a plating layer 56. In order to prevent the plating layer 56 from being formed in the recess 49, a resist layer 57 made of a synthetic resin is provided before plating. The plating layer 56 fills the fine grooves 47 and 48; 51 and 52 and the through holes 53 and 54. The base 1 shown in FIG. 18 is formed by injection molding in the same manner as in FIG. 15 described above, in which a plurality of bases 1 are arranged adjacent to each other in a matrix, and then, as shown in FIGS. The so-called multi-piece substrate is obtained in which the layer 56 is formed and then divided into individual single substrates.
【0049】次に図19に示されるように対向面6a上
のメッキ層56を平坦に研磨し、溝47,48内のメッ
キ金属が露出して対向面6aで各溝47,48毎に区分
して分離するように、研磨作業を行う。また基体1の側
面59が平坦面となるように、メッキ層56を除去す
る。凹所49からは、図18に示されるレジスト層57
を除去する。Next, as shown in FIG. 19, the plating layer 56 on the opposing surface 6a is polished flat so that the plating metal in the grooves 47 and 48 is exposed, and the opposing surface 6a separates the grooves 47 and 48 into respective grooves. Polishing work is performed to separate them. The plating layer 56 is removed so that the side surface 59 of the base 1 becomes a flat surface. From the recess 49, the resist layer 57 shown in FIG.
Is removed.
【0050】その後、基体1の素子取付面6において溝
51,52に埋められたメッキ金属が素子取付面に露出
して区分されて離間するように、対向面6の研磨を行
い、図19に示されるメッキ層56を除去する。こうし
て前述の図1に示される未完成のパッケージ14を得
る。図17〜図19において参照符53,54で示され
るスルーホール内壁には、金属がメッキされ、図1では
参照符3で示される。また図16〜図19に示される対
向面6aにおける溝47,48に埋められたメッキ金属
は、図1では接続パッド4で示される。さらに図16〜
図19に示される素子取付面6に形成された溝51,5
2に埋められたメッキ金属は、図1において金属配線2
で示される。Thereafter, the opposing surface 6 is polished so that the plating metal filled in the grooves 51 and 52 on the element mounting surface 6 of the base 1 is exposed and separated from the element mounting surface and is separated. The illustrated plating layer 56 is removed. Thus, the unfinished package 14 shown in FIG. 1 is obtained. Metals are plated on the inner walls of the through holes indicated by reference numerals 53 and 54 in FIGS. 17 to 19 and are indicated by reference numeral 3 in FIG. The plating metal buried in the grooves 47 and 48 in the facing surface 6a shown in FIGS. 16 to 19 is indicated by the connection pad 4 in FIG. Further, FIG.
Grooves 51, 5 formed in element mounting surface 6 shown in FIG.
2 are metal wirings 2 shown in FIG.
Indicated by
【0051】要約すると、図17に続いて、基体1表面
に形成された凹溝47,48;51,52が埋まるほど
の厚みになるように金属(たとえば金、銀、銅、ニッケ
ル等)および合金メッキを行う。さらに基体1表面を研
磨し、凹溝以外の基体表面の金属を除去することによっ
て、凹溝中の金属が個別に区分され、所望の厚さおよび
幅を有する配線パターンが得られる。多面個取りの場
合、金型を用いて四辺を整形した後、電解Ni/Auメ
ッキを行う。チップマウントを行った後、個片化するこ
とでハンドリングに優れる構成となる。こうした方法に
よって、従来のような露光法を用いずに済むため、工程
を簡略化でき、製造時間(タクトタイム)を短縮でき、
コストの大幅な低減が可能となる。In summary, following FIG. 17, metal (for example, gold, silver, copper, nickel, etc.) and metal (for example, gold, silver, copper, nickel, etc.) are formed so that the concave grooves 47, 48; Perform alloy plating. Further, the surface of the substrate 1 is polished to remove the metal on the surface of the substrate other than the groove, whereby the metal in the groove is individually divided, and a wiring pattern having a desired thickness and width can be obtained. In the case of multi-face individual production, after forming four sides using a mold, electrolytic Ni / Au plating is performed. After chip mounting, individualization results in a configuration excellent in handling. With such a method, it is not necessary to use a conventional exposure method, so that the process can be simplified, the manufacturing time (tact time) can be reduced,
The cost can be significantly reduced.
【0052】また、基体1の表裏はほぼ平行に研磨する
ことが可能であることから、片面に受光素子11等のチ
ップ、その反対面にカバーガラス8を接着固定した場合
において、チップ11とカバーガラス8との平行度を十
分に保つことが容易である。Further, since the front and back surfaces of the base 1 can be polished almost in parallel, when the chip such as the light receiving element 11 is adhered to one side and the cover glass 8 is adhered and fixed to the opposite side, the chip 11 and the cover It is easy to keep the parallelism with the glass 8 sufficiently.
【0053】また、基体1の表面および裏面を連絡する
スルーホール53,54を形成し、スルーホール53,
54の内面に配線導体を形成することで、外部接続端子
の配置の設計自由度が高くなる。またスルーホール5
3,54は、射出成形時に形成してもよく、射出成形後
にドリル等で追加工してもよい。Further, through holes 53 and 54 connecting the front and back surfaces of the base 1 are formed.
By forming the wiring conductor on the inner surface of the wiring 54, the degree of freedom in designing the arrangement of the external connection terminals is increased. Also 5 through holes
3, 54 may be formed at the time of injection molding, or may be additionally processed with a drill or the like after injection molding.
【0054】また、受光素子11等のチップを基体に接
続する方法として、フリップチップ接続法を用いること
が可能である。As a method for connecting the chip such as the light receiving element 11 to the base, a flip chip connection method can be used.
【0055】このように基体1の表面や内部に配線パタ
ーンを形成する場合、精密射出成形、メッキ、研磨、ド
リル形成、金型加工などの簡素な工程だけで所望の形状
を有するパッケージ15が得られる。さらに複数個分の
基体1を、1工程の射出成形によって一斉に製造し、各
基体1を個別的に打ち抜く製造方法であるいわゆる多面
取りによる一括加工が容易であるため、量産性に優れ、
高い寸法精度、低発塵性、低コストで光電素子用パッケ
ージを製造できる。When a wiring pattern is formed on the surface or inside of the base 1 as described above, a package 15 having a desired shape can be obtained only by simple steps such as precision injection molding, plating, polishing, drilling, and die processing. Can be Further, since a plurality of bases 1 are simultaneously manufactured by one-step injection molding, and batch processing by so-called multi-cavity, which is a manufacturing method in which each base 1 is individually punched, is easy, mass productivity is excellent.
A package for a photoelectric device can be manufactured with high dimensional accuracy, low dust generation, and low cost.
【0056】パッケージ15の製造工程をさらに述べる
と、次のとおりとなる。まず、フォトリソグラフィ法を
用いて作製したスタンパマスタ19にニッケルメッキを
施し、射出成形用のスタンパ17,37を形成する。こ
のスタンパ17,37を金型に取り付け、加熱された樹
脂を注入、冷却することで、基体表面にピッチ10μm
〜1mmの微細な凹加工を行う。The manufacturing process of the package 15 is further described as follows. First, the stamper master 19 manufactured by using the photolithography method is plated with nickel to form the stampers 17 and 37 for injection molding. The stampers 17 and 37 are attached to a mold, and heated resin is injected and cooled, so that a pitch of 10 μm
A fine concave processing of about 1 mm is performed.
【0057】また、素子が搭載される周囲には、凹所4
9によって素子取付面6を基準として10°〜80°の
テーパ角度θ1を有する光導入貫通孔61が形成され
る。こうしたテーパ形状の光導入貫通孔61の内面では
光の乱反射が少なくなり、特に受光素子を搭載した場
合、迷光の低減に寄与する。A recess 4 is provided around the device.
9 forms a light introducing through-hole 61 having a taper angle θ1 of 10 ° to 80 ° with respect to the element mounting surface 6. Irregular reflection of light is reduced on the inner surface of the light introducing through hole 61 having such a tapered shape, which contributes to reduction of stray light especially when a light receiving element is mounted.
【0058】基体1を構成する樹脂として、α=10〜
20ppm程度の低熱膨張係数かつ、低発塵性の熱硬化
性樹脂(たとえば、三井化学製エポキシ樹脂(メッキグ
レード))を用いることで、高寸法精度を有する光学用
途向け基体を形成することができる。低発塵性とは3μ
φ程度のダストの発生量が10個/cm2以下であるこ
とをいう。また、ポリエーテルスルフォン(PES)、
熱可塑性ポリイミド樹脂、ABS樹脂といった、高ガラ
ス転移温度を有する熱可塑性樹脂も耐熱性の基体1の材
料として使用することができる。As the resin constituting the base 1, α = 10
By using a thermosetting resin having a low coefficient of thermal expansion of about 20 ppm and a low dusting property (for example, an epoxy resin (plating grade) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), a substrate for optical use having high dimensional accuracy can be formed. . 3μ with low dust generation
It means that the amount of dust of about φ is 10 particles / cm 2 or less. Also, polyether sulfone (PES),
A thermoplastic resin having a high glass transition temperature, such as a thermoplastic polyimide resin or an ABS resin, can also be used as the material of the heat-resistant base 1.
【0059】基体1の厚みは特に制限はないが、たとえ
ば厚さ1mm以下という薄い基体にも本発明は適用でき
る。The thickness of the substrate 1 is not particularly limited, but the present invention can be applied to a substrate as thin as 1 mm or less.
【0060】凹溝47,48;51,52の断面形状
は、たとえば矩形、半円などに形成可能であり、溝加工
の寸法公差は1μmという高い精度で実現可能である。The cross-sectional shapes of the concave grooves 47, 48; 51, 52 can be formed into, for example, rectangles, semicircles, etc., and the dimensional tolerance of the groove processing can be realized with a high precision of 1 μm.
【0061】また、レーザ加工やドリル加工を用いて、
基体1にスルーホール53,54を形成し、その内面に
配線導体を設けることによって、基体1の表裏同士の電
気接続が可能になる。そのため、配線パターンや外部接
続端子の配置自由度が高くなり、デジタルカメラ等の装
置設計の自由度に寄与する。Further, using laser processing and drill processing,
By forming through holes 53 and 54 in the base 1 and providing wiring conductors on the inner surfaces thereof, electrical connection between the front and back of the base 1 becomes possible. Therefore, the degree of freedom in arranging the wiring patterns and the external connection terminals increases, which contributes to the degree of freedom in designing a device such as a digital camera.
【0062】たとえば、基体の両面を導通させるスルー
ホール53,54を直径0.3mmドリルを用いて孔加
工した後、この基体表面の凹溝47,48;51,52
が埋まるほどの厚み10〜100μmの銅メッキを行
い、基体1表面を研磨することで凹溝以外の金属を除去
することで所定の幅および厚みを有する配線パターンが
得られる。For example, through holes 53 and 54 for conducting both surfaces of the substrate are formed by using a 0.3 mm diameter drill, and then concave grooves 47 and 48; 51 and 52 on the surface of the substrate.
Then, a copper pattern having a predetermined width and thickness can be obtained by removing the metal other than the concave grooves by performing copper plating with a thickness of 10 to 100 μm so as to fill the gap and polishing the surface of the substrate 1.
【0063】さらに、金型を用いた抜き加工を施すこと
によって、光学系取付ガイドとして直径0.3〜3mm
の孔や受光素子取付部として一辺3〜15mm程度の矩
形状窓62を形成できる。このとき抜き加工の面内位置
ずれは、50μm以内の高精度を達成できる。Further, by performing a punching process using a mold, a diameter of 0.3 to 3 mm is provided as an optical system mounting guide.
A rectangular window 62 having a side of about 3 to 15 mm can be formed as a hole or a light receiving element mounting portion. At this time, in-plane positional deviation of the punching process can achieve high accuracy within 50 μm.
【0064】その後、凹溝47,48;51,52以外
の部分に形成された余分な金属56を銅エッチング液と
砥粉をまぜたスラリを用いたバッド回転研磨法で除去す
ると、凹溝中の金属が区分されて、基体1の平担面6,
6aに、たとえば幅5〜500μm、幅公差1μm、厚
み5〜95μm程度の配線パターン2,4を得ることが
できる。After that, the excess metal 56 formed in portions other than the grooves 47, 48; 51, 52 is removed by a bad rotary polishing method using a slurry containing a copper etching solution and abrasive powder. The metal is divided and the flat surface 6 of the base 1
For example, the wiring patterns 2 and 4 having a width of 5 to 500 μm, a width tolerance of 1 μm, and a thickness of about 5 to 95 μm can be obtained in 6a.
【0065】また、図18のレジスト層57を用いず
に、光導入貫通孔61の内面に形成された金属メッキ
は、素子の性能が悪影響を受けない場合にはそのまま残
してもよく、研磨後も電気的な接続を残すことで、金属
メッキの上に金やニッケル等のメッキを重ねて形成する
ことも可能である。また、光導入貫通孔のテーパー部に
微細な溝を形成しておけば、金属メッキによって配線導
体を形成することができる。溝部以外のメッキ層を研磨
除去することにより、同様にして配線パターンが形成さ
れる。The metal plating formed on the inner surface of the light introducing through-hole 61 without using the resist layer 57 shown in FIG. 18 may be left as it is if the performance of the element is not adversely affected. By leaving the electrical connection, it is also possible to form a layer of gold or nickel on the metal plating. If a fine groove is formed in the tapered portion of the light introduction through hole, the wiring conductor can be formed by metal plating. By polishing and removing the plating layer other than the groove, a wiring pattern is formed in the same manner.
【0066】スタンパ17,37を用いるメリットとし
て、スタンパ17,37により回路となる部分の断面構
造を矩形に設計しておき、さらに凹溝47,48;5
1,52に埋め込まれる金属メッキを銅メッキにするこ
とで、断面がほぼ矩形の低抵抗な配線パターンを形成す
ることができる。さらに、スタンパ方式によって銅配線
幅の加工公差を1μm程度とすることは容易であり、こ
の結果、高密度配線かつ特性インピーダンス公差が小さ
い銅配線を得ることができる。As an advantage of using the stampers 17 and 37, the cross-sectional structure of a portion to be a circuit by the stampers 17 and 37 is designed to be rectangular, and the grooves 47, 48;
By using copper plating for the metal plating embedded in the first and the second wiring 52, a low-resistance wiring pattern having a substantially rectangular cross section can be formed. Further, it is easy to set the processing tolerance of the copper wiring width to about 1 μm by the stamper method. As a result, it is possible to obtain a copper wiring having a high density wiring and a small characteristic impedance tolerance.
【0067】また、凹溝に埋め込む金属メッキの代わり
に、ペーストやゾルゲル材料からできる樹脂、または光
学的に透明な樹脂を埋め込むことも可能であり、半導体
電子部品、光学製品、磁気製品、記録媒体等の高密度、
高集積化手法としても適用可能である。Instead of the metal plating embedded in the concave groove, it is also possible to embed a resin made of a paste or a sol-gel material or an optically transparent resin. High density, etc.
It is also applicable as a high integration method.
【0068】また、金属が凹溝に埋め込まれた基体1の
表裏の面6,6aはほぼ平行に研磨することができるた
め、片面6に受光素子11等のチップ、その反対面にカ
バーガラスを接着固定した場合、チップ11とカバーガ
ラス8の平行度を充分高く保つことが容易である。Since the front and back surfaces 6, 6a of the base 1 in which the metal is embedded in the concave grooves can be polished almost in parallel, a chip such as the light receiving element 11 is provided on one surface 6 and a cover glass is provided on the opposite surface. When fixed by bonding, it is easy to keep the parallelism between the chip 11 and the cover glass 8 sufficiently high.
【0069】また、素子取付面6に受光素子11を設け
た場合、基体1からの発塵があると、受光面12に付着
して、ダークスポットを生成する可能性がある。その対
策として、物理的加工等に対してバリやフレークが発生
しにくい樹脂を選択したり、あるいは仮にバリやフレー
クが発生したとしても過マンガン酸カリウム等のデスミ
ヤ処理で容易に取除ける樹脂を選択することが重要であ
る。この点でエポキシ樹脂が好ましく、また樹脂にフィ
ラーを混入する場合は、発塵しにくいように密着度等を
考慮する。When the light receiving element 11 is provided on the element mounting surface 6, if dust is generated from the base 1, it may adhere to the light receiving surface 12 and generate a dark spot. As a countermeasure, select a resin that does not easily generate burrs or flakes due to physical processing, etc., or select a resin that can be easily removed by desmear treatment such as potassium permanganate even if burrs or flakes are generated It is important to. In this regard, an epoxy resin is preferable. When a filler is mixed into the resin, the degree of adhesion and the like are taken into consideration so that dust is not easily generated.
【0070】受光素子11等のチップを基体1にマウン
トする方法として、ワイヤボンディング法やフリップチ
ップ接続法が適用可能である。フリップチップ接続法で
は、バンプ接合が用いられる。バンプ接合の種類として
は、Sn−Pb系ハンダ接合やAu−Sn接合が好まし
く、特に高信頼性を要求される場合、Au−Au接合が
好ましい。As a method for mounting a chip such as the light receiving element 11 on the base 1, a wire bonding method or a flip chip connection method can be applied. In the flip chip connection method, bump bonding is used. As a type of the bump bonding, an Sn-Pb-based solder bonding or an Au-Sn bonding is preferable, and particularly when high reliability is required, an Au-Au bonding is preferable.
【0071】また、チップ11の接合強度を高めるた
め、接合部にエポキシ樹脂などのアンダーフィルを含浸
させたり、耐湿性を持たせるため樹脂コーティングを行
うことで素子の信頼性が向上する。In order to increase the bonding strength of the chip 11, the reliability of the element is improved by impregnating the bonding portion with an underfill such as an epoxy resin or by performing a resin coating to provide moisture resistance.
【0072】また、基体1を装置本体の回路基板に取付
ける場合、ハンダ接続やバンプ接続法を用いることが可
能である。When the base 1 is mounted on the circuit board of the apparatus main body, a solder connection or a bump connection method can be used.
【0073】このように基体1の表面や内部に配線パタ
ーンを形成する場合、精密射出成形、メッキ、研磨、ド
リル形成、金型加工などの簡素な工程だけで所望の形状
を有するパッケージ15が得られる。さらに多面取りに
よる一括加工が容易であるため、量産性に優れ、高い寸
法精度、低発塵性、低コストで光電素子用パッケージを
製造できる。As described above, when forming a wiring pattern on the surface or inside of the base 1, a package 15 having a desired shape can be obtained only by simple steps such as precision injection molding, plating, polishing, drilling, and die processing. Can be In addition, since batch processing by multi-cavity is easy, it is possible to manufacture a photoelectric element package with excellent mass productivity, high dimensional accuracy, low dust generation, and low cost.
【0074】(図1〜図19の実施例1)基体1の原型
となるスタンパマスタ19をたとえばガラス基板にフォ
トレジストを塗布し、その後フォトリソグラフィ法を用
いて作製した。(Embodiment 1 of FIGS. 1 to 19) A stamper master 19 serving as a prototype of the base 1 was prepared by applying a photoresist to a glass substrate, for example, and then using photolithography.
【0075】このスタンパマスクにニッケルメッキ27
を施して、射出成形用のスタンパ17,37を形成し
た。A nickel plating 27 is formed on the stamper mask.
To form stampers 17 and 37 for injection molding.
【0076】このスタンパを金型42,43,45に取
付る。金型は、図1に示すように、基体1の素子取付面
6、素子取付面6に対向する対向面6a、対向面6aか
ら素子取付面6へ向かって細くなるテーパ部7、および
素子取付面6や対向面6aの配線パターンに対応した凸
部28,29;38,39:31などを型取った形状を
有する。また、素子取付面6のうちテーパ部7の底部に
相当する部分5は、射出成形時に残しておいて、後工程
のプレス抜き加工またはレーザ加工によって受光素子の
開口62とする。素子取付面6に相当する金型の位置に
スタンパ37が設置される。シリンダ内で80℃に加熱
された樹脂を温度180℃に加熱されたスタンパに注入
した。硬化時間は3分とした。樹脂には、線膨張α〜2
0ppmの三井化学(株)製EPOX(メッキグレー
ド)を用いた。This stamper is mounted on the dies 42, 43, 45. As shown in FIG. 1, the mold includes an element mounting surface 6 of the base 1, an opposing surface 6 a facing the element mounting surface 6, a tapered portion 7 tapering from the opposing surface 6 a toward the element mounting surface 6, and an element mounting surface. The projections 28, 29; 38, 39:31, etc. corresponding to the wiring patterns on the surface 6 and the opposing surface 6a are shaped. A portion 5 of the element mounting surface 6 corresponding to the bottom of the tapered portion 7 is left at the time of injection molding, and is formed into an opening 62 of the light receiving element by press punching or laser processing in a later step. A stamper 37 is installed at a position of a mold corresponding to the element mounting surface 6. The resin heated to 80 ° C. in the cylinder was injected into a stamper heated to 180 ° C. The curing time was 3 minutes. The resin has a linear expansion α ~ 2
0 ppm of EPOX (plating grade) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. was used.
【0077】射出成形によって、基体1表面には溝幅約
0.1mm、ピッチ約0.5mmの微細な凹溝47,4
8;51,52が形成された。溝47,48;51,5
2の断面形状はほぼ矩形であり、溝47,48;51,
52の深さは0.03mmとなった。基体の厚みは約1
mmである。By the injection molding, fine concave grooves 47 and 4 having a groove width of about 0.1 mm and a pitch of about 0.5 mm are formed on the surface of the base 1.
8; 51, 52 were formed. Grooves 47, 48; 51, 5
2 has a substantially rectangular cross section, and grooves 47, 48;
52 had a depth of 0.03 mm. The thickness of the substrate is about 1
mm.
【0078】テーパ部7のテーパ角度θ1は、素子取付
面を基準として10°〜80°の範囲が好ましく、より
好ましくは10°<θ<50°である。図ではたとえば
45°に形成した。The taper angle θ1 of the tapered portion 7 is preferably in the range of 10 ° to 80 ° with reference to the element mounting surface, and more preferably 10 ° <θ <50 °. In the figure, it is formed at 45 °, for example.
【0079】さらに、基体1にドリル加工を施して、基
体1の厚み方向に沿って直径0.3mmのスルーホール
を形成し、素子取付面6と対向面6aとを連絡させた。
続いて、基体1の表面の凹溝47,48;51,52が
埋まるように厚み0.075mmの銅メッキを行い、凹
溝47,48;51,52およびスルーホール53,5
4を含む基体1表面全体に導体56を形成した。Further, the substrate 1 was drilled to form a through-hole having a diameter of 0.3 mm along the thickness direction of the substrate 1, and the element mounting surface 6 and the opposing surface 6a were connected.
Subsequently, copper plating having a thickness of 0.075 mm is performed so as to fill the concave grooves 47, 48; 51, 52 on the surface of the base 1, and the concave grooves 47, 48; 51, 52 and the through holes 53, 5 are formed.
The conductor 56 was formed on the entire surface of the substrate 1 including the substrate 4.
【0080】次に、素子取付面6を砥石に接触させて、
スラリーを用いた研磨法により凹溝47,48;51,
52以外の素子取付面6に存在するメッキを除去した。
すると凹溝47,48;51,52中の導体が個々に区
分されて、溝平面形状に対応した配線パターン2が得ら
れた。基体1の対向面6aおよび側面も同様に、スラリ
ー研磨法を用いて除去した。すると凹溝47,48;5
1,52中の導体が個々に区分されて、溝47,48;
51,52平面形状に対応した配線パターンが得られ
た。続いて、銅メッキの腐食防止のために、基体1露出
表面全体に厚み約5μmのニッケルを電解メッキで形成
し、さらに厚み約0.5μmの金を電解メッキで形成し
た。Next, the element mounting surface 6 is brought into contact with a grindstone,
The grooves 47, 48; 51,
The plating existing on the element mounting surface 6 other than 52 was removed.
Then, the conductors in the concave grooves 47 and 48; 51 and 52 were individually divided, and the wiring pattern 2 corresponding to the groove plane shape was obtained. Similarly, the opposing surface 6a and the side surface of the base 1 were also removed by the slurry polishing method. Then, the concave grooves 47, 48;
1, 52, the conductors are individually segmented into grooves 47, 48;
Wiring patterns corresponding to the 51 and 52 plane shapes were obtained. Subsequently, in order to prevent corrosion of copper plating, nickel having a thickness of about 5 μm was formed on the entire exposed surface of the substrate 1 by electrolytic plating, and gold having a thickness of about 0.5 μm was formed by electrolytic plating.
【0081】こうして図1に示すように、素子取付面6
の溝に金属配線2が形成され、対向面6aの溝に接続パ
ッド4が形成され、スルーホール3の内面に導体が形成
された。Thus, as shown in FIG.
The metal wiring 2 was formed in the groove, the connection pad 4 was formed in the groove on the facing surface 6a, and the conductor was formed on the inner surface of the through hole 3.
【0082】次に、テーパ部7の底部に相当する部分5
にプレス抜き加工を施して、図2に示すように、受光素
子11の開口62を形成する。こうして光電素子用パッ
ケージ15が完成する。Next, the portion 5 corresponding to the bottom of the tapered portion 7
Then, an opening 62 of the light receiving element 11 is formed as shown in FIG. Thus, the photoelectric device package 15 is completed.
【0083】図2のパッケージ15の実装状態を示す図
3を参照して、受光素子11は、外部からの光を受ける
受光部12と、受光部12の周囲に設けられた金属接続
パッド10などを有し、基体1の素子取付面6に搭載さ
れる。金属接続パッド10と金属配線2との間に異方性
導電ペースト9が介在し、圧着した後、熱硬化処理によ
って両者の電気接続の固定が行われる。Referring to FIG. 3 showing the mounting state of package 15 in FIG. 2, light receiving element 11 includes light receiving section 12 for receiving light from the outside, metal connection pad 10 provided around light receiving section 12, and the like. And mounted on the element mounting surface 6 of the base 1. After the anisotropic conductive paste 9 is interposed between the metal connection pad 10 and the metal wiring 2 and pressed, the electrical connection between them is fixed by a thermosetting treatment.
【0084】基体1の対向面6aには、テーパ部7の開
口を覆うようにガラス板8が接着剤等で固定される。対
向面6aに形成された接続パッド4には、異方性導電ペ
ースト9が塗布され、配線板64の導体65との電気接
続が行われる。A glass plate 8 is fixed to the facing surface 6a of the base 1 with an adhesive or the like so as to cover the opening of the tapered portion 7. Anisotropic conductive paste 9 is applied to connection pads 4 formed on opposing surface 6a, and electrical connection with conductor 65 of wiring board 64 is performed.
【0085】外部からの光は、ガラス板8、テーパ部7
の内部空間を通過して受光部12に到達する。このとき
テーパ部7のテーパ角度θ1を10°〜80°の範囲に
設定することによって、光導入貫通孔61の内面におけ
る光の乱反射が少なくなり、迷光を低減できる。Light from the outside is transmitted through the glass plate 8 and the tapered portion 7.
And reaches the light receiving section 12. At this time, by setting the taper angle θ1 of the tapered portion 7 in the range of 10 ° to 80 °, irregular reflection of light on the inner surface of the light introduction through hole 61 is reduced, and stray light can be reduced.
【0086】図20は本発明の実施の他の形態のパッケ
ージ15aの断面図であり、図21は図20に示される
パッケージ15aの実装状態を示す断面図である。図2
0および図21に示されるパッケージ15は、前述の図
1〜図19に関連して前述した実施の形態に類似し、対
応する部分には同一の参照符を付す。この実施の形態で
は、光導入貫通孔61は、前述の実施の形態のテーパ部
7とは逆向きであるテーパ部7aを有する。このような
テーパ部7aによってもまた、受光部20に不所望に入
射される光を防止することができる。FIG. 20 is a sectional view of a package 15a according to another embodiment of the present invention, and FIG. 21 is a sectional view showing a mounted state of the package 15a shown in FIG. FIG.
The package 15 shown in FIGS. 0 and 21 is similar to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 19, and the corresponding parts are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, the light introduction through-hole 61 has a tapered portion 7a that is opposite to the tapered portion 7 of the above-described embodiment. Such a tapered portion 7a can also prevent light that is undesirably incident on the light receiving portion 20.
【0087】図21に示されるように金属配線2には、
フレキシブル配線基板67の電気絶縁性合成樹脂製基材
68上に形成された導体69が、異方性導電ペースト7
1によって接続される。また接着剤72によって金属製
放熱部材73が受光素子11に固定される。As shown in FIG. 21, the metal wiring 2 has
The conductor 69 formed on the electrically insulating synthetic resin base material 68 of the flexible wiring board 67
1 connected. Further, the metal heat radiating member 73 is fixed to the light receiving element 11 by the adhesive 72.
【0088】図22は本発明の実施のさらに他の形態の
パッケージ15bの断面図であり、図23は図22に示
されるパッケージ15bの一部の平面図である。パッケ
ージ15bは、前述の図1から図19の実施の形態に類
似し、対応する部分には同一の参照符を付す。前述の実
施の形態では、スルーホール3を基体1の内部を貫通す
るように形成したが、スルーホール3bは基体1の側面
59に沿って半割り状に形成する。FIG. 22 is a sectional view of a package 15b according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 23 is a plan view of a part of the package 15b shown in FIG. The package 15b is similar to the embodiment of FIGS. 1 to 19 described above, and corresponding parts are denoted by the same reference numerals. In the above-described embodiment, the through hole 3 is formed so as to penetrate the inside of the base 1, but the through hole 3 b is formed in a half-split shape along the side surface 59 of the base 1.
【0089】図24は、図22および図23に示される
パッケージ15bの製造工程を説明するための一部の簡
略化した平面図である。前述の射出成形によって得られ
た基体1b1,1b2は、溝47b1,47b2を有
し、レーザ光またはドリルなどによって断面円形の透孔
74を形成する。その後、各基体1b1,1b2を切断
部75で切断し、各基体1b1,1b2を分断して製造
する。この透孔74は、その断面が半円形であり、溝4
7b1,47b2にそれぞれ連なる。前述の図18およ
び図19の工程と同様にして、これらの溝47b1,4
7b2と、透孔74の半割り状の溝とに、Cuなどのメ
ッキを施し、前述の研磨によって各金属配線2を形成す
るとともに、半割りスルーホール3bにメッキ金属を形
成して研磨によって区分する。FIG. 24 is a partially simplified plan view for describing a manufacturing process of the package 15b shown in FIGS. 22 and 23. The substrates 1b1 and 1b2 obtained by the above-described injection molding have grooves 47b1 and 47b2, and form a through-hole 74 having a circular cross section by a laser beam or a drill. Thereafter, the bases 1b1 and 1b2 are cut at the cutting section 75, and the bases 1b1 and 1b2 are cut and manufactured. The through hole 74 has a semicircular cross section,
7b1 and 47b2. In the same manner as in the steps shown in FIGS.
7b2 and the half-groove groove of the through hole 74 are plated with Cu or the like, and the respective metal wirings 2 are formed by the above-mentioned polishing, and the plating metal is formed in the half-through hole 3b and divided by polishing. I do.
【0090】図25は、図22〜図24に示されるパッ
ケージ15bの実装状態を示す断面図である。スルーホ
ール3bには、配線基板76の導体77が、たとえばハ
ンダ78などによって接続される。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a mounted state of package 15b shown in FIGS. The conductor 77 of the wiring board 76 is connected to the through hole 3b by, for example, solder 78 or the like.
【0091】図26は本発明に係るパッケージ14cの
他の例を示す断面図であり、図27はその側面図であ
る。ここでは、素子取付面6の溝2と連絡するように、
基体1の側面59に溝79を形成し、両溝79の中に金
属メッキ等で導体を形成することによって、素子取付面
6の溝に金属配線2を形成し、基体側面の溝に接続パッ
ド4を形成している。FIG. 26 is a sectional view showing another example of the package 14c according to the present invention, and FIG. 27 is a side view thereof. Here, to be in contact with the groove 2 of the element mounting surface 6,
A groove 79 is formed in the side surface 59 of the base 1 and a conductor is formed in both grooves 79 by metal plating or the like, so that the metal wiring 2 is formed in the groove of the element mounting surface 6 and a connection pad is formed in the groove on the side of the base. 4 are formed.
【0092】接続パッド4を基体側面に配置することに
よって、配線板の設計自由度が高くなる。By arranging the connection pads 4 on the side of the base, the degree of freedom in designing the wiring board is increased.
【0093】また、側面溝79の深さを素子取付面6の
溝2の深さの2〜10倍の範囲に設定することによっ
て、側面79の配線導体2を十分な厚さに形成できるた
め、ハンダ等による外部接続強度を格段に向上できる。
そのため配線板との接続処理が安定し、接続強度も向上
する。Further, by setting the depth of the side groove 79 to a range of 2 to 10 times the depth of the groove 2 of the element mounting surface 6, the wiring conductor 2 on the side surface 79 can be formed to a sufficient thickness. In addition, the strength of external connection by solder or the like can be remarkably improved.
Therefore, the connection process with the wiring board is stabilized, and the connection strength is improved.
【0094】図28は、図26および図27に示される
未完成のパッケージ14cの製造工程を説明するための
一部の斜視図である。基体1c1,1c2には、溝47
b1,47b2が射出成形によって形成され、レーザ光
またはドリルによって断面円形の有底溝79が形成され
る。その後、前述の図18および図19などに示される
ように、各溝47b1,47b2および半割り状の有底
溝79の側面にCuメッキ層が形成されて研磨によって
区分される。その後、切断部75で、各基体1c1,1
c2が分断される。図26〜図28の実施の形態におけ
るその他の構成と製造工程は、前述の実施の形態と同様
である。FIG. 28 is a partial perspective view for explaining a manufacturing process of the unfinished package 14c shown in FIGS. 26 and 27. Grooves 47 are formed in the bases 1c1 and 1c2.
b1 and 47b2 are formed by injection molding, and a bottomed groove 79 having a circular cross section is formed by a laser beam or a drill. Thereafter, as shown in FIGS. 18 and 19 and the like, a Cu plating layer is formed on the side surfaces of each of the grooves 47b1 and 47b2 and the half-shaped bottomed groove 79, and is separated by polishing. Then, in the cutting part 75, each base 1c1, 1
c2 is split. Other configurations and manufacturing steps in the embodiment of FIGS. 26 to 28 are the same as those of the above-described embodiment.
【0095】図29は、本発明の実施のさらに他の形態
のスタンパ17dを示す断面図である。この実施の形態
は、前述の実施の形態に類似し、対応する部分には同一
の参照符を付す。特にこの実施の形態では、第1凸部2
9および第2凸部31のほかに、スルーホール53,5
4または有底溝79に対応して深さ形状の異なる第3凸
部81が形成される。これによってスルーホール53,
54および有底溝79のレーザ光またはドリルによる加
工が容易になる。FIG. 29 is a sectional view showing a stamper 17d according to still another embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the above-described embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals. In particular, in this embodiment, the first protrusion 2
9 and the second convex portion 31, and through holes 53, 5
Third projections 81 having different depth shapes are formed corresponding to the fourth or bottomed grooves 79. Thereby, the through hole 53,
The processing of the groove 54 and the bottomed groove 79 with a laser beam or a drill becomes easy.
【0096】図30は、図26〜図28に示されるパッ
ケージ14cの実装状態を示す断面図である。パッケー
ジ14cには、受光素子11が接続され、その構成は、
前述の実施の形態と同様である。配線基板76の導体7
7は、ハンダ82によって接続パッド4に接続される。FIG. 30 is a sectional view showing a mounted state of the package 14c shown in FIGS. The light receiving element 11 is connected to the package 14c.
This is the same as the above-described embodiment. Conductor 7 of wiring board 76
7 is connected to the connection pad 4 by solder 82.
【0097】図31は、本発明の実施の他の形態の実装
状態を示す断面図である。パッケージ14の金属配線2
または接続パッド4には、可撓性配線基板76が接続さ
れる。この配線基板76にはまた、配線基板83の導体
84が接続される。導体84には、異方性導電ペースト
85によって、たとえばコンピュータまたはメモリなど
の電子回路装置86が接続される。また配線基板83と
パッケージ14を一体化し配線基板76を省略すること
も有用な応用例となる。FIG. 31 is a sectional view showing a mounting state of another embodiment of the present invention. Metal wiring 2 of package 14
Alternatively, a flexible wiring board 76 is connected to the connection pad 4. The conductor 84 of the wiring board 83 is also connected to the wiring board 76. An electronic circuit device 86 such as a computer or a memory is connected to the conductor 84 by an anisotropic conductive paste 85. It is also a useful application to integrate the wiring board 83 and the package 14 and omit the wiring board 76.
【0098】パッケージ14cに形成された受光素子1
1は、配線基板76に形成された取付孔87に、受光素
子11が配置され、この配線基板76に、パッケージ1
4cが固定される。Light receiving element 1 formed on package 14c
Reference numeral 1 denotes a light receiving element 11 arranged in a mounting hole 87 formed in a wiring board 76.
4c is fixed.
【0099】[0099]
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、基
体の表面や内部に配線パターンを形成する場合、精密射
出成形、メッキ、研磨、ドリル加工、金型加工などの簡
素な工程だけで所望の形状を有するパッケージが得られ
る。さらに多面取りによる一括加工が容易であるため、
量産性に優れ、高い寸法精度、低コストで光電素子用パ
ッケージを製造できる。特に本発明によれば、電気絶縁
性合成樹脂などの材料から成る基体には、配線パターン
に対応した微細な溝と、その溝とは深さなどの寸法形状
が異なる光導入貫通孔を形成するための凹所とを、同一
のスタンパを用いて、そのスタンパに形成された第1お
よび第2凸部を用いて射出成形して製造することができ
るようになる。As described in detail above, according to the present invention, when forming a wiring pattern on the surface or inside of a substrate, only simple steps such as precision injection molding, plating, polishing, drilling, and die processing are performed. A package having a desired shape is obtained. In addition, since batch processing by multi-cavity is easy,
It is excellent in mass productivity, and can manufacture a package for a photoelectric device with high dimensional accuracy and low cost. In particular, according to the present invention, a fine groove corresponding to a wiring pattern and a light introducing through hole having a different dimension and shape such as depth from the groove are formed in a base made of a material such as an electrically insulating synthetic resin. Can be manufactured by injection molding using the same stamper and the first and second projections formed on the stamper.
【図1】本発明に係る未完成のパッケージ14の一例を
示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of an unfinished package 14 according to the present invention.
【図2】図1に示したパッケージのプレス抜き加工後の
完成したパッケージ15の形状を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the shape of a completed package 15 after press-cutting the package shown in FIG.
【図3】図2に示されるパッケージ15の実装状態を示
す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting state of the package 15 shown in FIG.
【図4】本発明の実施の一形態のパッケージ15の図2
における上方から見た斜視図である。FIG. 4 shows a package 15 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view as viewed from above.
【図5】パッケージ15の図2における下方から見た斜
視図である。FIG. 5 is a perspective view of the package 15 viewed from below in FIG. 2;
【図6】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造す
るための工程を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図7】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造す
るための工程を説明するための断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造す
るための工程を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図9】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造す
るための工程を説明するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図10】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造
するための工程を説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図11】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造
するための工程を説明するための断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図12】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造
するための工程を説明するための断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図13】本発明の実施の一形態のスタンパ17を製造
するための工程を説明するための断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step for manufacturing the stamper 17 according to one embodiment of the present invention.
【図14】本発明の実施の一形態におけるスタンパ37
を示す断面図である。FIG. 14 shows a stamper 37 according to an embodiment of the present invention.
FIG.
【図15】基体1を射出成形するための工程を説明する
ための断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a step for injection-molding the base 1.
【図16】基体1の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of the base 1.
【図17】基体1にスルーホール53,54が形成され
た状態を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a state in which through holes 53 and 54 are formed in the base 1;
【図18】多面個取りの場合における基体1にメッキ層
56を形成する工程を説明するための断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view for explaining a step of forming a plating layer 56 on the base 1 in the case of multiple-piece production.
【図19】基体1のメッキ層56を研磨する工程を説明
するための断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining a step of polishing the plating layer 56 of the base 1.
【図20】本発明の実施の他の形態のパッケージ15a
の断面図である。FIG. 20 shows a package 15a according to another embodiment of the present invention.
FIG.
【図21】図20に示されるパッケージ15aの実装状
態を示す断面図である。21 is a cross-sectional view showing a mounting state of the package 15a shown in FIG.
【図22】本発明の実施のさらに他の形態のパッケージ
15bの断面図である。FIG. 22 is a sectional view of a package 15b according to still another embodiment of the present invention.
【図23】図22に示されるパッケージ15bの一部の
平面図である。FIG. 23 is a plan view of a part of the package 15b shown in FIG.
【図24】図22および図23に示されるパッケージ1
5bの製造工程を説明するための一部の簡略化した平面
図である。FIG. 24 is a package 1 shown in FIGS. 22 and 23.
FIG. 5B is a partial simplified plan view for explaining the manufacturing process of FIG. 5B.
【図25】図22〜図24に示されるパッケージ15b
の実装状態を示す断面図である。FIG. 25 is a package 15b shown in FIGS. 22 to 24;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting state of the device.
【図26】本発明に係る未完成のパッケージ14cを示
す断面図である。FIG. 26 is a sectional view showing an unfinished package 14c according to the present invention.
【図27】本発明に係る図26のパッケージ14cを示
す側面図である。FIG. 27 is a side view showing the package 14c of FIG. 26 according to the present invention.
【図28】図26および図27に示される未完成のパッ
ケージ14cの製造工程を説明するための一部の斜視図
である。FIG. 28 is a partial perspective view for illustrating a manufacturing step of the unfinished package 14c shown in FIGS. 26 and 27.
【図29】本発明の実施のさらに他の形態のスタンパ1
7dを示す断面図である。FIG. 29 is a stamper 1 according to still another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows 7d.
【図30】図26〜図28に示されるパッケージ14c
の実装状態を示す断面図である。FIG. 30 is a package 14c shown in FIGS. 26 to 28;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting state of the device.
【図31】本発明の実施の他の形態の実装状態を示す断
面図である。FIG. 31 is a cross-sectional view showing a mounting state according to another embodiment of the present invention.
【符号の説明】 1 基体 2 金属配線 3 スルーホール 4 基板接続パッド 5 プレス抜き部分 6 素子取付面 7 テーパ部 8 ガラス 9 異方性導電ペースト 10 金属接続パッド 11 受光素子 12 受光部 15 パッケージ 17,37 スタンパ 19 フォトレジスト層 27 金属メッキ層 28,29;38,39 第1凸部 31 第2凸部 34 傾斜部 41 金型装置 42,43,45 金型本体 44 射出成形空間 47,48;51,52 溝 49 凹所 53,54 スルーホール 56 メッキ層 61 光導入貫通孔 62 窓 79 溝 81 第3凸部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 Metal wiring 3 Through hole 4 Substrate connection pad 5 Press-out portion 6 Element mounting surface 7 Tapered portion 8 Glass 9 Anisotropic conductive paste 10 Metal connection pad 11 Light receiving element 12 Light receiving section 15 Package 17, 37 Stamper 19 Photoresist layer 27 Metal plating layer 28, 29; 38, 39 First convex portion 31 Second convex portion 34 Inclined portion 41 Mold device 42, 43, 45 Mold body 44 Injection molding space 47, 48; 51 , 52 groove 49 recess 53, 54 through hole 56 plating layer 61 light introduction through hole 62 window 79 groove 81 third convex portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA10 AB01 BA10 BA14 FA06 FA08 HA24 HA26 HA31 HA32 HA33 5F041 AA37 AA42 DA02 DA04 DA09 DA19 DA34 DA35 DA39 5F088 AA01 BA20 JA06 JA10 JA20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M118 AA10 AB01 BA10 BA14 FA06 FA08 HA24 HA26 HA31 HA32 HA33 5F041 AA37 AA42 DA02 DA04 DA09 DA19 DA34 DA35 DA39 5F088 AA01 BA20 JA06 JA10 JA20
Claims (13)
取付面に対向する対向面、および対向面から素子取付面
を貫く光導入貫通孔を有する基体を備え、 素子取付面および/または対向面には、溝が形成され、 溝の中には、配線導体が形成されることを特徴とする光
電素子用パッケージ。An element mounting surface on which a photoelectric element is mounted, a base having an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introducing through hole penetrating the element mounting surface from the opposing surface, the element mounting surface and / or the opposing surface. A package for a photoelectric element, wherein a groove is formed in the surface, and a wiring conductor is formed in the groove.
するスルーホールが形成され、 スルーホールには、配線導体が形成されることを特徴と
する請求項1記載の光電素子用パッケージ。2. The photoelectric device package according to claim 1, wherein a through hole is formed in the base to connect the element mounting surface to the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the through hole. .
を連絡する半割りのスルーホールが形成され、 スルーホールには、配線導体が形成されることを特徴と
する請求項1記載の光電素子用パッケージ。3. The device according to claim 1, wherein a half-divided through hole is formed on a side surface of the base to connect the element mounting surface and the opposing surface, and a wiring conductor is formed in the through hole. Package for photoelectric devices.
する側面溝が形成され、 側面溝の中には、配線導体が形成されることを特徴とす
る請求項1記載の光電素子用パッケージ。4. The photoelectric device according to claim 1, wherein a side groove communicating with the groove of the element mounting surface is formed on a side surface of the base, and a wiring conductor is formed in the side groove. For package.
の2〜10倍の範囲であることを特徴とする請求項4記
載の光電素子用パッケージ。5. The package according to claim 4, wherein the depth of the side groove is in a range of 2 to 10 times the depth of the groove of the element mounting surface.
とを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光電素
子用パッケージ。6. The package for an optoelectronic device according to claim 1, wherein the wiring conductor is formed by metal plating.
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光電
素子用パッケージ。7. The package for an optoelectronic device according to claim 1, wherein the substrate is made of a thermosetting resin having low dust generation.
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光電
素子用パッケージ。8. The package according to claim 1, wherein the base is made of a low-dusting thermoplastic resin.
取付面に対向する対向面、および対向面から素子取付面
を貫く光導入貫通孔を有する基体を備える光電素子用パ
ッケージの製造方法であって、 素子取付面および/または対向面の配線パターンに対応
した第1凸部と、光導入貫通孔を形成するための第2凸
部を有するスタンパを取り付けた金型に、溶融樹脂を射
出して射出成形し、配線パターンに対応した溝および光
導入貫通孔に対応する凹所を持つ基体を形成する工程
と、 基体の素子取付面および/または対向面に導電材料のメ
ッキを施す工程と、 メッキされた素子取付面および/または対向面を研磨し
て、溝中の導電材料を区分する工程と、 光導入貫通孔に対応する凹所の底部を打ち抜いて光導入
貫通孔を形成する工程とを含むことを特徴とする光電素
子用パッケージの製造方法。9. A method for manufacturing a package for a photoelectric element, comprising: a substrate having an element mounting surface on which the photoelectric element is mounted, an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introducing through hole penetrating the element mounting surface from the opposing surface. A molten resin is injected into a mold provided with a stamper having a first protrusion corresponding to a wiring pattern on an element mounting surface and / or a facing surface and a second protrusion for forming a light introduction through-hole. Forming a substrate having a groove corresponding to the wiring pattern and a concave portion corresponding to the light introducing through hole, and plating an element mounting surface and / or a facing surface of the substrate with a conductive material. Polishing the plated element mounting surface and / or the opposing surface to separate the conductive material in the groove; and punching out the bottom of the recess corresponding to the light introducing through hole to form the light introducing through hole. Including Manufacturing method of a photoelectric element package according to claim.
子取付面に対向する対向面、および対向面から素子取付
面を貫く光導入貫通孔を有する基体を備え、 溝の中には、配線導体が形成されることを特徴とする請
求項9記載の製造方法で得られた光電素子用パッケー
ジ。10. A base having an element mounting surface on which a photoelectric element is mounted, an opposing surface facing the element mounting surface, and a light introducing through hole penetrating from the opposing surface to the element mounting surface. 10. A package for a photoelectric element obtained by the manufacturing method according to claim 9, wherein a conductor is formed.
上に、前記第1凸部に対応する透孔を有するフォトレジ
スト層を形成する工程と、 フォトレジスト層と、前記透孔から露出した基板との上
に、金属メッキを施して、前記透孔を、メッキ金属によ
って塞ぐ厚みを有する金属メッキ層を形成する工程と、 この形成された金属メッキ層を、基板から剥離する工程
と、 この剥離した金属メッキ層を、前記第2凸部に対応して
深絞り加工し、射出成形用の前記スタンパを製造する工
程とを含むことを特徴とする請求項9記載の光電素子用
パッケージの製造方法。11. A step of forming a photoresist layer having a hole corresponding to the first convex portion on the substrate by a photolithography method, and forming a photoresist layer and the substrate exposed from the hole on the substrate. Forming a metal plating layer having a thickness that closes the through hole with a plating metal by applying metal plating to the metal plating layer; and removing the formed metal plating layer from a substrate. 10. The method for manufacturing a package for an optoelectronic device according to claim 9, further comprising the step of: deep-drawing the layer corresponding to the second convex portion to manufacture the stamper for injection molding.
出される射出成形空間に向かって先細となるように、傾
斜して形成されることを特徴とする請求項11記載の光
電素子用パッケージの製造方法。12. The photoelectric device according to claim 11, wherein the second convex portion of the stamper is formed to be inclined so as to be tapered toward an injection molding space into which the resin is injected. Package manufacturing method.
臨んで、スルーホールまたは側面溝が形成され、 スタンパは、スルーホールまたは側面溝に対応する第3
凸部を有することを特徴とする請求項11または12記
載の光電素子用パッケージの製造方法。13. The base body has a through hole or a side surface groove facing the element mounting surface or the opposing surface, and the stamper has a third hole corresponding to the through hole or the side surface groove.
The method according to claim 11, further comprising a convex portion.
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