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JP2002270485A - 処理装置および温調システム - Google Patents

処理装置および温調システム

Info

Publication number
JP2002270485A
JP2002270485A JP2001065441A JP2001065441A JP2002270485A JP 2002270485 A JP2002270485 A JP 2002270485A JP 2001065441 A JP2001065441 A JP 2001065441A JP 2001065441 A JP2001065441 A JP 2001065441A JP 2002270485 A JP2002270485 A JP 2002270485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature control
temperature
medium
processing
circulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001065441A
Other languages
English (en)
Inventor
Takamitsu Yamaguchi
恭満 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001065441A priority Critical patent/JP2002270485A/ja
Priority to KR1020020011848A priority patent/KR20020072199A/ko
Publication of JP2002270485A publication Critical patent/JP2002270485A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • H10P76/00—

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
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  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配管数や配線数を低減して構造を簡単なもの
とし、また、操作性や管理性を改善した処理装置を提供
する。 【解決手段】 本発明の処理装置の一実施形態であるレ
ジスト塗布・現像処理システム１００は、現像ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃと現像処理後の基板Ｇを熱処
理後に冷却する冷却ユニット（ＣＯＬ）を有し、現像ユ
ニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃおよび冷却ユニット
（ＣＯＬ）との間で温調水を循環させ、かつ、チラー５
２との間で温調水を循環させる温調ヘッド５３ａ〜５３
ｃを具備する。温調ヘッド５３ａ〜５３ｃの制御とチラ
ー５２の制御とをそれぞれ独立して行うことで、制御用
配線と温調水の送液配管数を低減し、組立性、制御性を
向上させた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置（ＬＣＤ）用ガラス基板等に洗浄処理やレジスト塗
布処理または現像処理等の所定の液処理を施し、このよ
うな液処理が行われた後の基板に所定の熱的処理を施す
処理装置と処理装置に用いられる温調システムに関す
る。
【従来の技術】
【０００２】例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製
造においては、ガラス製の矩形基板にフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンに
てレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィ技術により所定の回路パター
ンが形成される。
【０００３】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質が行われた後、洗浄ユニットにおいてブラシ洗
浄および超音波水洗浄等の洗浄処理が施される。その
後、基板はレジストの安定性を高めるために、アドヒー
ジョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）さ
れる。この疎水化処理は加熱処理であるため、次にレジ
スト塗布ユニットにて基板にレジスト塗布を行う前に、
基板は、一旦、冷却ユニットにおいて所定温度まで冷却
される。この冷却された基板にレジスト膜を塗布して加
熱ユニットにおいてプリベーク処理を施し、所定温度に
冷却して露光装置に基板を搬送する。露光装置において
所定の回路パターンが露光された基板は、現像ユニット
において現像処理された後に加熱ユニットにおいてポス
トベーク処理され、次いで所定温度に冷却される。こう
して基板に所定の回路パターンが形成される。
【０００４】このように、洗浄処理やレジスト塗布処
理、現像処理といった所定の液処理の後には、基板は所
定の加熱処理と加熱処理後の冷却処理を経た後に、次工
程を行うユニットへと搬送され、処理される。ここで、
例えば、加熱処理後の基板を所定温度に冷却する冷却ユ
ニットとしては、基板を載置する冷却プレート内部に所
定の温度に調節された冷却水を循環させる水冷ジャケッ
ト構造とすることで、冷却プレートの温度を所定温度に
保持する構造のものが用いられる。また、レジスト塗布
処理等に用いられる各種の処理液は、所定の温度に保持
された状態で基板へ供給されることが好ましく、このた
め、例えば、処理液を吐出する吐出ヘッド等をジャケッ
ト構造として吐出ヘッドに所定温度に調節された水（以
下「温調水」という）を供給して循環させ、処理液の温
度を所定温度に保持するものが用いられている。
【０００５】このような冷却ユニットや吐出ヘッド等に
供給される温調水を調整するための温調システムの構成
例を図４の説明図に示す。この温調システム８０は、循
環させる水の温度を所定の低温に調節するチラー（一次
温調部）８１と、冷却プレート８３や吐出ヘッド８４等
に送液する水を所定温度に調節する複数の温調ヘッド
（温調循環装置；二次温調部）８２とを有している。
【０００６】チラー８１においては、所定の低温の温調
水（一次温調水）が調製され、温調ヘッド８２では一次
温調水よりも温度の高い温調水（二次温調水）が調整さ
れる。具体的には、チラー８１は所定量の一次温調水を
温調ヘッド８２へ送液して、温調ヘッド８２から同量の
二次温調水を回収するように温調水の循環を行うが、こ
の一次温調水は、温調ヘッド８２から戻された二次温調
水を冷却することによって調製される。また、温調ヘッ
ド８２は冷却プレート８３等との間で所定量の二次温調
水の循環を行うが、この二次温調水は、チラー８１から
送液された温度の低い一次温調水と冷却プレート８３等
から戻された温められた二次温調水とを混合し、内蔵す
るヒータ等を用いてこの混合水を加熱することで調製さ
れる。ここで、チラー８１と温調ヘッド８２における一
次温調水と二次温調水の温度制御と流量制御は、チラー
８１に備えられた制御装置８５により行われていた。ま
た、温調ヘッド８２の動作電源として、チラー８１に備
えられた電源８６を用いていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、温調シ
ステム８０のように、一体のチラー８１に複数の温調ヘ
ッド８２を接続した場合には、一次温調水を循環させる
ための配管数や温調ヘッド８２の制御のための配線数、
電源ケーブルの配線数が多くなって装置構造が煩雑化
し、多くの配管スペースを必要とするといった問題があ
った。また、この場合には、装置の組立やメンテナンス
時の作業性が悪くなり、配線を間違って接続する等の事
故が発生するおそれもあった。さらに、温調ヘッド８２
は個々に構造や仕様が異なる場合があり、このような複
数の温調ヘッド８２の制御をチラー８１に備えられた制
御装置８５で行う場合には、制御装置８５の管理工数が
多くなり、また、管理ミスを誘発しかねない問題があっ
た。
【０００８】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、配管数や配線数を低減して
構造を簡単なものとした処理装置を提供することを目的
とする。また本発明は、制御系を見直すことで操作性や
管理性を改善した処理装置を提供することを目的とす
る。さらに、本発明は、これらの処理装置に適用される
温調システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は第１
発明として、複数の処理ユニットを備えた処理装置であ
って、前記複数の処理ユニットに温調媒体を供給して各
処理ユニットに対して所定の温調を行う温調システムを
具備し、前記温調システムは、前記複数の処理ユニット
へ送液する温調媒体を所定温度に調節し、前記複数の処
理ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環する第１の
温調循環装置と、前記第１の温調循環装置へ送液する温
調媒体を一定温度に調節し、前記第１の温調循環装置と
の間で所定量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置
と、前記第１の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う第１の制御装置と、前記第２の
温調循環装置における温調媒体の温度制御および流量制
御を行う前記第１の制御装置とは別体で設けられた第２
の制御装置と、を有することを特徴とする処理装置、を
提供する。
【００１０】本発明は第２発明として、被処理体に対し
て液処理と液処理後の熱的処理を行う処理装置であっ
て、被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニッ
トと、被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行
うことで被処理体に所定の熱的処理を施す熱的処理ユニ
ットと、前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環させる温調媒体循環装置と、を具備し、前記温
調媒体循環装置は、前記熱的処理ユニットへ送液する温
調媒体を所定温度に調節し、前記熱的処理ユニットとの
間で所定量の温調媒体を循環する第１の温調循環装置
と、前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定
温度に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定量
の温調媒体を循環する第２の温調循環装置と、前記第１
の温調循環装置における温調媒体の温度制御および流量
制御を行う第１の制御装置と、前記第２の温調循環装置
における温調媒体の温度制御および流量制御を行う前記
第１の制御装置とは別体で設けられた第２の制御装置
と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１１】本発明は第３発明として、被処理体に対し
て所定の液処理を行う処理装置であって、被処理体に対
して所定の液処理を施す液処理ユニットと、前記液処理
ユニットにおいて用いられる処理液との間での熱交換を
温調媒体によって行うことで処理液を所定温度に保持す
る処理液温調装置と、前記処理液温調装置との間で所定
量の温調媒体を循環させる温調媒体循環装置と、を具備
し、前記温調媒体循環装置は、前記処理液温調装置へ送
液する温調媒体を所定温度に調節し、前記処理液温調装
置との間で所定量の温調媒体を循環する第１の温調循環
装置と、前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を
一定温度に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所
定量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置と、前記
第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う第１の制御装置と、前記第２の温調循環
装置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う
前記第１の制御装置とは別体で設けられた第２の制御装
置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供す
る。
【００１２】本発明は第４発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温
度に調節された処理液を用いて被処理体に対して所定の
液処理を施す液処理ユニットと、液処理後の被処理体に
所定の加熱処理を施す加熱ユニットと、加熱処理後の被
処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
被処理体を冷却する冷却ユニットと、前記液処理ユニッ
トに送液する温調媒体を所定温度に調節し、前記液処理
ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環させる第１の
温調循環装置と、前記冷却ユニットに送液する温調媒体
を所定温度に調節し、前記冷却ユニットとの間で所定量
の温調媒体を循環させる第２の温調循環装置と、前記第
１の温調循環装置および第２の温調循環装置に送液する
温調媒体を一定温度に調節し、前記第１の温調循環装置
および第２の温調循環装置との間で所定量の温調媒体を
循環させる第３の温調循環装置と、前記第１の温調循環
装置および第２の温調循環装置におけるそれぞれの温調
媒体の温度制御および流量制御を行う第１の制御装置
と、前記第３の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で
設けられた第２の制御装置と、を具備することを特徴と
する処理装置、を提供する。
【００１３】本発明は第５発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニ
ットと、前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施
された被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行
うことで被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処
理ユニットと、前記複数の熱的処理ユニットの個々に対
して設けられ、対応する熱的処理ユニットへ送液する温
調媒体を所定温度に調節して熱的処理ユニットとの間で
所定量の温調媒体を循環する複数の第１の温調循環装置
と、前記複数の第１の温調循環装置へ送液する温調媒体
を一定温度に調節し、前記複数の第１の温調循環装置と
の間で所定量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置
と、前記複数の第１の温調循環装置における温調媒体の
温度制御および流量制御を行う第１の制御装置と、前記
第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設けられ
た第２の制御装置と、を具備することを特徴とする処理
装置、を提供する。
【００１４】本発明は第６発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温
度に調節された処理液を用いて被処理体に対して所定の
液処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニットに
おいて所定の液処理が施された被処理体との間での熱交
換を温調媒体によって行うことで被処理体に所定の熱的
処理を施す複数の熱的処理ユニットと、前記液処理ユニ
ットおよび前記複数の熱的処理ユニットの個々に対して
設けられ、対応する液処理ユニットまたは熱的処理ユニ
ットへ送液する温調媒体を所定温度に調節して液処理ユ
ニットまたは熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環する複数の第１の温調循環装置と、前記複数の
第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う第１の制御装置と、を有する複数の温度
制御ブロック、および、前記複数の温度制御ブロックに
おける第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温
度に調節して前記複数の第１の温調循環装置との間で所
定量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置、ならび
に、前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で
設けられた第２の制御装置、を具備することを特徴とす
る処理装置、を提供する。
【００１５】本発明は第７発明として、被処理体に対し
て洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の
処理を行う処理装置であって、被処理体の洗浄処理を行
う洗浄ユニットと、被処理体に所定のレジスト液を塗布
するレジスト塗布ユニットと、露光後の被処理体に所定
の現像処理を施す現像ユニットと、前記洗浄ユニットも
しくは前記レジスト塗布ユニットまたは前記現像ユニッ
トにおいて処理された被処理体に対して所定の加熱処理
を施す複数の加熱ユニットと、前記複数の加熱ユニット
において処理された被処理体に対して、被処理体との間
での熱交換を温調媒体によって行うことで被処理体を所
定温度に冷却する複数の冷却ユニットと、前記複数の冷
却ユニットの個々に対して、送液する温調媒体を所定温
度に調節して対応する冷却ユニットとの間で所定量の温
調媒体を循環する複数の第１の温調循環装置と、前記洗
浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットまたは前
記現像ユニットにおいて用いられる複数の処理液の個々
に対して、処理液との間での熱交換を温調媒体によって
行うことで処理液を所定温度に保持する複数の第２の温
調循環装置と、前記複数の第１の温調循環装置と第２の
温調循環装置の内で被処理体の洗浄処理に関係するもの
に用いられる温調媒体の温度制御および流量制御を行う
第１の制御装置と、前記複数の第１の温調循環装置と第
２の温調循環装置の内で被処理体のレジスト塗布処理に
関係するものに用いられる温調媒体の温度制御および流
量制御を行う第２の制御装置と、前記複数の第１の温調
循環装置と第２の温調循環装置の内で被処理体の現像処
理に関係するものに用いられる温調媒体の温度制御およ
び流量制御を行う第３の制御装置と、前記複数の第１の
温調循環装置および第２の温調循環装置へ送液する温調
媒体を一定温度に調節し、前記複数の第１の温調循環装
置および第２の温調循環装置との間で所定量の温調媒体
を循環する第３の温調循環装置と、前記第３の温調循環
装置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う
前記第１の制御装置とは別体で設けられた第４の制御装
置と、を具備することを特徴とする処理装置、を提供す
る。
【００１６】本発明は上記処理装置に適用される温調シ
ステムを提供する。すなわち、本発明は第８発明とし
て、複数の処理ユニットを備えた処理装置において各処
理ユニットに温調媒体を供給して所定の温調を行う温調
システムであって、前記複数の処理ユニットへ送液する
温調媒体を所定温度に調節し、前記複数の処理ユニット
との間で所定量の温調媒体を循環する第１の温調循環装
置と、前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一
定温度に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定
量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置と、前記第
１の温調循環装置における温調媒体の温度制御および流
量制御を行う第１の制御装置と、前記第２の温調循環装
置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う前
記第１の制御装置とは別体で設けられた第２の制御装置
と、を具備することを特徴とする温調システム、を提供
する。
【００１７】このような本発明の処理装置および温調シ
ステムにおいては、温調水の配管数および温調循環装置
の制御ケーブルの長さを減じて装置構造を簡単なものと
することができ、これによって処理装置の組立やメンテ
ナンスが容易となり、また、誤配線を防止することが可
能となる。さらに、温調循環装置の制御装置を個別に設
けることで、操作性や管理性が改善される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の処理装置および温調システムの実施の形態につい
て説明する。ここでは、本発明を液晶表示装置（ＬＣ
Ｄ）用のガラス基板に、洗浄、レジスト塗布、現像処理
という一連の処理を行うレジスト塗布・現像処理システ
ムに適用した場合について説明することとする。
【００１９】図１はレジスト塗布・現像処理システム１
００の平面図であり、このレジスト塗布・現像処理シス
テム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載
置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス
部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセッ
トステーション１およびインターフェイス部３が配置さ
れている。
【００２０】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。
【００２１】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、搬送路１２・１３間お
よび搬送路１３・１４間には、それぞれ中継部１５・１
６が設けられている。
【００２２】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配
置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニ
ット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ね
られた温度制御ブロック２５、加熱ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる温度制御ブロック２６および冷却
ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる温度制御ブ
ロック２７が配置されている。
【００２３】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側にはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２が設けら
れている。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２の隣には
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２においてレジスト膜
が形成された後の基板Ｇの周縁部のレジストを除去する
周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が設けられてい
る。
【００２４】搬送路１３の他方側には加熱ユニット（Ｈ
Ｐ）が２段に重ねられてなる温度制御ブロック２８、加
熱ユニット（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に
重ねられてなる温度制御ブロック２９、およびアドヒー
ジョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）
とが上下に重ねられてなる温度制御ブロック３０が配置
されている。
【００２５】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には３つの現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２
４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側に
は加熱ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる温度制
御ブロック３１、およびともに加熱ユニット（ＨＰ）と
冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる温度制
御ブロック３２・３３が配置されている。
【００２６】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布
ユニット（ＣＴ）２２、現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ
のようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方
の側に加熱ユニットや冷却ユニット等の熱系処理ユニッ
トのみを配置する構造となっている。また、中継部１５
・１６のスピナー系ユニット配置側の部分には薬液供給
ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメ
ンテナンスを行うためのスペース３５が設けられてい
る。
【００２７】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。
【００２８】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２９】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６およびバッファステージ３７の
配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能
な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処
理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３０】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【００３１】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが処理
部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａの温度
制御ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂで
スクラバー洗浄が施され、温度制御ブロック２６のいず
れかの加熱ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、温度
制御ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）
で冷却される。
【００３２】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、温度制御ブロック３
０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎
水化処理（ＨＭＤＳ処理）された後、下段の冷却ユニッ
ト（ＣＯＬ）で冷却される。次いで、レジスト塗布ユニ
ット（ＣＴ）２２において、基板Ｇにレジストが塗布さ
れる。
【００３３】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Ｇに供給する前に、基板Ｇを回転させなが
らシンナー等の処理液を供給して基板Ｇの表面のレジス
ト液に対する濡れ性を向上させて、その後に基板Ｇを一
旦静止させ、レジスト液を基板Ｇに供給してから再び基
板Ｇを回転させて基板Ｇの全面にレジスト液を拡げるよ
うにして、レジスト膜が形成される。
【００３４】このようなレジスト塗布ユニット（ＣＴ）
２２での処理の終了後に、基板Ｇは周縁レジスト除去ユ
ニット（ＥＲ）２３へ搬送され、基板Ｇの周縁部のレジ
ストの除去（以下、このような処理を「エッジリムー
ブ」という）が行われる。エッジリムーブは、基板Ｇの
レジスト膜が形成された面の周縁部のレジストの除去
と、基板Ｇの側面ならびに基板Ｇの裏面に付着したレジ
ストの除去と、を行う処理をいう。
【００３５】その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱
ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、温度制
御ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。次いで、基板Ｇは中継部１６から主
搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装
置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そ
して、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入
され、必要に応じて後段部２ｃの温度制御ブロック３１
・３２・３３のいずれかの加熱ユニット（ＨＰ）でポス
トエクスポージャーベーク処理を施した後、現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。
【００３６】現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのい
ずれかの加熱ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が
施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷
却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機構１
０によってカセットステーション１上の所定のカセット
に収容される。
【００３７】次に、レジスト塗布・現像処理システム１
００における温調システムの実施の形態について説明す
る。図２は温調システム５０の説明図であり、温調シス
テム５０は、３箇所の温度制御ブロック５１ａ・５１ｂ
・５１ｃと、チラー（冷却循環装置；一次温調部）５２
とを有している。ここで、温度制御ブロック５１ａは後
段部２ｃの、温度制御ブロック５１ｂは中段部２ｂの、
温度制御ブロック５１ｃは前段部２ａにおいて必要とさ
れる温度制御をそれぞれ担う。
【００３８】温度制御ブロック５１ａは、例えば、３つ
の温調ヘッド（温調循環装置；二次温調部）５３ａ〜５
３ｃと、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃの動作用の電源５６
ａと、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃの制御装置５４ａと、
温調ヘッド５３ａ〜５３ｃに異常等が生じた際にその信
号をチラー５２へ送るときの中継パネル５５ａとを有し
ている。制御装置５４ａは、後段部２ｃに配設された各
種ユニットの図示しない制御装置とともに所定の場所に
配置され、後段部２ｃに配設された各種ユニットの制御
装置と連携しながら制御される。なお、後に詳細に説明
するように、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃにおいては、所
定温度の水（二次温調水）が調製される。またチラー５
２では、二次温調水よりも低い温度の水（一次温調水）
が調製される。
【００３９】温調ヘッド５３ａ〜５３ｃとチラー５２と
の間には、所定量の水を循環させるための配管６１ａ・
６１ｂが設けられている。配管６１ａは、その途中に設
けられた分岐部材５８ａによって３方向に分岐される構
造となっており、チラー５２から温調ヘッド５３ａ〜５
３ｃのそれぞれへ所定量の一次温調水が送液される。ま
た、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃからチラー５２へは二次
温調水が配管６１ｂを用いて戻される。このため、配管
６１ｂは、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃのそれぞれに設け
られた配管が合流部材５７ａによって一本化される構造
を有している。
【００４０】温調ヘッド５３ａと温度制御ブロック３３
に配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）との間には、所定
量の二次温調水を循環させるための配管６２ａ・６２ｂ
が設けられており、同様に、温調ヘッド５３ｂと温度制
御ブロック３２に配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）と
の間には配管６３ａ・６３ｂが設けられ、温調ヘッド５
３ｃと現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃとの間に
は配管６４ａ・６４ｂが設けられている。
【００４１】温度制御ブロック５１ａと同様に、温度制
御ブロック５１ｂは、３つの温調ヘッド（二次温調部）
５３ｄ〜５３ｆと、温調ヘッド５３ｄ〜５３ｆの動作用
の電源５６ｂと、温調ヘッド５３ｄ〜５３ｆの制御装置
５４ｂと、温調ヘッド５３ｄ〜５３ｆに異常等が生じた
際にその信号をチラー５２へ送るときの中継パネル５５
ｂとを有している。ここで、制御装置５４ｂは、中段部
２ｂに配設された各種ユニットの図示しない制御装置と
ともに所定の場所に配置され、中段部２ｂに配設された
各種ユニットの制御装置と連携しながら制御される。
【００４２】温調ヘッド５３ｄ〜５３ｆとチラー５２と
の間には、所定量の水を循環させるための配管６５ａ・
６５ｂが設けられている。配管６５ａ・６５ｂの途中に
はそれぞれ分岐部材５８ｂと合流部材５７ｂが配設され
ており、配管６１ａ・６１ｂと同様の構造となってい
る。また、温調ヘッド５３ｄと温度制御ブロック３０に
配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）との間には、所定量
の二次温調水を循環させるための配管６６ａ・６６ｂが
設けられており、同様に、温調ヘッド５３ｅと温度制御
ブロック２９に配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）との
間には配管６７ａ・６７ｂが設けられ、温調ヘッド５３
ｆとレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２との間には配管
６８ａ・６８ｂが設けられている。
【００４３】温度制御ブロック５１ｃは、２つの温調ヘ
ッド（二次温調部）５３ｇ・５３ｈと、温調ヘッド５３
ｇ・５３ｈの動作用の電源５６ｃと、温調ヘッド５３ｇ
・５３ｈの制御装置５４ｃと、温調ヘッド５３ｇ・５３
ｈに異常等が生じた際にその信号をチラー５２へ送ると
きの中継パネル５５ｃとを有している。中継パネル５５
ｃはチラー５２の制御部へ接続され、温調ヘッド５３ａ
〜５３ｈに異常等が生じた場合に、チラー５２の運転を
停止等する。なお、温調ヘッド５３ａ〜５３ｈにはそれ
ぞれ異常が発生した場合のアラームが設けられており、
チラー５２の運転が停止した際の原因となった温調ヘッ
ドを容易に特定することができるようになっている。ま
た、制御装置５４ｃは、前段部２ａに配設された各種ユ
ニットの図示しない制御装置とともに所定の場所に配置
され、前段部２ａに配設された各種ユニットの制御装置
と連携しながら制御される。
【００４４】温調ヘッド５３ｇ・５３ｈとチラー５２と
の間には、所定量の一次温調水を循環させるための配管
６９ａ・６９ｂが設けられている。配管６９ａ・６９ｂ
の途中にはそれぞれ分岐部材５８ｃと合流部材５７ｃが
配設されており、配管６１ａ・６１ｂと同様の構造とな
っている。温調ヘッド５３ｇと温度制御ブロック２７に
配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）との間には、所定量
の二次温調水を循環させるための配管７８ａ・７８ｂが
設けられており、同様に、温調ヘッド５３ｈと温度制御
ブロック２５に配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）との
間には配管７９ａ・７９ｂが設けられている。
【００４５】温度制御ブロック５１ａ〜５１ｃは同様の
構造を有することから、以下、温度制御ブロック５１ａ
を例にその構成を詳細に説明する。
【００４６】図３は温調ヘッド５３ａの概略構造を示し
た説明図であり、温調ヘッド５３ｂ・５３ｃもまた温調
ヘッド５３ａと同様の構造を有する。温調ヘッド５３ａ
はタンク７１を有し、チラー５２から送液された所定量
の温度の低い一次温調水および温度制御ブロック３３に
配設された冷却ユニット（ＣＯＬ）から戻された温めら
れた二次温調水がこのタンク７１へ流入して混合され
る。
【００４７】温調ヘッド５３ａは温度センサ７４および
ヒータ７２を有しており、温度センサ７４の測定温度に
基づいてヒータ７２をオン／オフ動作させ、タンク７１
内の水の温度を所定温度に加熱し、二次温調水を調製す
る。こうして、調製された二次温調水は、タンク７１か
ら所定量ほど冷却ユニット（ＣＯＬ）へ送液され、チラ
ー５２へも所定量の二次温調水が戻される。このような
温調ヘッド５３ａから冷却ユニット（ＣＯＬ）への二次
温調水の送液はポンプ７３により行われ、温度センサ７
４によるタンク７１内の温度測定とこの温度測定結果に
基づくヒータ７２のオン／オフ動作、ポンプ７３の駆動
制御は１台の制御装置５４ａによって行われるようにな
っている。
【００４８】なお、温調システム５０において、このよ
うに一次温調水と二次温調水という２種類の温度の水を
用いるのは、例えば、冷却ユニット（ＣＯＬ）に配置さ
れた冷却プレートを一定温度に保持して基板Ｇを冷却す
るためには、冷却ユニットに送液する水の流量を多くす
る必要があり、チラーを直接に冷却ユニット（ＣＯＬ）
に取り付けるとチラーの負担が大きくなり、大型のチラ
ーが必要となることから、これを防止するためである。
また、二次温調水を調製する温調ヘッドを温調が必要な
処理部（温調ヘッド５３ａの場合には冷却ユニット（Ｃ
ＯＬ））の近くに配置することで、温調ヘッドから処理
部までの配管等を短くすることができ、これによって二
次温調水に対する外乱、例えば、配管途中での二次温調
水に対する熱の吸収や拡散等が減少し、より高精度に処
理部を温調することが可能となる。
【００４９】図３において、温度センサ７４は冷却ユニ
ット（ＣＯＬ）から戻された二次温調水の温度を測定す
る位置に配置されている。これは以下のような理由によ
る。つまり、冷却ユニット（ＣＯＬ）は、温調ヘッド５
３ａから送液される二次温調水によって所定の温度に保
持される冷却プレートを有しており、この冷却プレート
上に加熱処理された基板Ｇが載置されると、基板Ｇの熱
が冷却プレートを伝って二次温調水を温めるような熱交
換が起き、こうして温められた二次温調水が温調ヘッド
５３ａのタンク７１へ戻される。
【００５０】つまり、冷却ユニット（ＣＯＬ）から戻さ
れる二次温調水の温度は、冷却ユニット（ＣＯＬ）に基
板Ｇが搬入されているかどうか、および基板Ｇの冷却処
理時間の経過に従って変化することから、温度センサ７
４をこのような温度変化に追従させることで、ヒータ７
２への負荷を低減して二次温調水を調製を行うことが可
能となる。
【００５１】上述した温度制御ブロック５１ａにおいて
は、分岐部材５８ａおよび合流部材５７ａと温調ヘッド
５３ａ〜５３ｃとの距離を短くすることが可能であり、
また、分岐部材５８ａや合流部材５７ａは大型の装置で
はなく、分岐バルブ等の小型機器を用いることができる
ために、分岐部材５８ａと合流部材５７ａを設けること
により、チラー５２と温調ヘッド５３ａ〜５３ｃとの間
で個別に送液配管を設ける場合に比べて、配管数を減ら
して省スペース化し、また、装置構造を簡単なものとし
て、装置の製造やメンテナンス時の作業を容易なものと
することができる。
【００５２】また、温調システム５０を前述した図４に
示す従来の温調システム８０と比較すると、温調システ
ム８０においては、チラー８１に設けられた制御装置８
５および電源８６と温調ヘッド８２とを接続していたた
めに、制御用ケーブルや電源ケーブルの配線が長く、し
かも多くの温調ヘッド８２の配線がチラー８１の制御装
置８５や電源８６に集中するために配線ミスが起こる可
能性も大きかった。しかし、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃ
の制御装置５４ａは温調ヘッド５３ａ〜５３ｃに近い位
置に配設することができるため配線を短くすることがで
き、しかも配線数も少ないことから、温度制御ブロック
５１ａの作製も容易となり、配線ミスを防止することが
できる。さらに、温調ヘッド５３ａ〜５３ｃはチラー５
２とは独立して運転することが可能であるから、動作確
認等を容易に行うことができる。温度制御ブロック５１
ａについて得られるこれらの効果は、温度制御ブロック
５１ｂ・５１ｃについても同様に得ることができる。
【００５３】なお、温調システム８０においては、チラ
ー８１に設けられた制御装置８５および電源８６と温調
ヘッド８２とを接続していたために、チラー８１に取り
付ける温調ヘッド８２の数を変更する際に、制御装置８
５や電源８６が不足したり、逆に余ったりする場合があ
り、その都度、チラー８１を作製または交換する必要が
あったが、温調システム５０においては、一種類のチラ
ー５２を準備しておけば、必要な数の温調ヘッドを接続
することによって様々な温調システムを構築することが
可能である。
【００５４】次に、温度制御ブロック５１ａにおける動
作形態について説明する。前述したように、温度制御ブ
ロック３３の冷却ユニット（ＣＯＬ）は、温調ヘッド５
３ａから送液される二次温調水によって所定の温度に保
持される冷却プレートを有しており、この冷却プレート
上に加熱処理された基板Ｇが載置されると、基板Ｇの熱
が冷却プレートを伝って二次温調水を温めるような熱交
換が起き、こうして温められた二次温調水が温調ヘッド
５３ａのタンク７１へ戻される。
【００５５】チラー５２においては、冷却ユニット（Ｃ
ＯＬ）から温調ヘッド５３ａに流入するこのような温め
られた二次温調水との熱的バランスをとるために、温調
ヘッド５３ａから冷却ユニット（ＣＯＬ）へ送液する二
次温調水の温度よりも低い温度の一次温調水を調製して
温調ヘッド５３ａへ送液する。そして、温調ヘッド５３
ａにおいては、冷却ユニット（ＣＯＬ）へ所定温度に調
製された二次温調水を送液することができるように、温
度センサ７４による温度測定結果に基づいて、また、チ
ラー５２から流入する温度の低い一次温調水の流量およ
び冷却ユニット（ＣＯＬ）から流入する温度の高い二次
温調水の流量、ならびに冷却ユニット（ＣＯＬ）および
チラー５２へ流出する二次温調水の温度と流量のバラン
スを考慮して、ヒータ７２をオン／オフ動作させる。な
お、チラー５２から温調ヘッド５３ａ〜５３ｃへの一次
温調水の送液はチラー５２に設けられた図２には図示し
ないポンプによって行われる。
【００５６】温調ヘッド５３ｂについても、温調ヘッド
５３ａと同様に制御することができ、温度制御ブロック
３２の冷却ユニット（ＣＯＬ）における冷却プレートの
設定温度によって、チラー５２から温調ヘッド５３ｂへ
供給される一次温調水の量を増減し、または、ヒータ７
２の動作時間を調節することにより、温調ヘッド５３ｂ
から温度制御ブロック３２の冷却ユニット（ＣＯＬ）へ
所定温度の二次温調水を送液することが可能である。
【００５７】温調ヘッド５３ｃから現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４ａ〜２４ｃへ送液される二次温調水は、より具
体的には、現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃにお
いて用いられる現像液の温度調節に用いられ、これによ
って現像特性を一定の品質に保つことが可能となる。例
えば、現像液を貯留するタンクや、現像液を基板Ｇに向
けて吐出するノズル、タンクとノズルとを接続する配管
等を、二次温調水が循環可能なジャケット構造として一
定の温度に保持することができるようにしておき、温調
ヘッド５３ｃから所定温度に保持された二次温調水をこ
れらの部材に送液することで現像液の温度を一定に保つ
ことが可能となる。
【００５８】温度制御ブロック５１ｂ・５１ｃの構成と
動作形態は上述した温度制御ブロック５１ａに準ずる。
すなわち、温度制御ブロック３３に配置された冷却ユニ
ット（ＣＯＬ）と温調ヘッド５３ａとの間の制御形態
は、温度制御ブロック３０・２９・２７・２５にぞれぞ
れ配置された冷却ユニット（ＣＯＬ）とこれらの冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）対応する温調ヘッド５３ｄ・５３ｅ・
５３ｇ・５３ｈとの間での制御形態に適用される。
【００５９】また、温調ヘッド５３ｆとレジスト塗布ユ
ニット（ＣＴ）２２との間の制御形態は、温調ヘッド５
３ｃと現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃとの間の
制御形態に準ずる。つまり、レジスト液を貯留するタン
クや、レジスト液を基板Ｇに向けて吐出するノズル、タ
ンクとノズルとを接続する配管等を二次温調水が循環可
能なジャケット構造として一定の温度に保持することが
できるようにしておき、温調ヘッド５３ｆから所定温度
に保持された二次温調水をこれらの部材に送液すること
で、レジスト液の温度を一定に保つことが可能となる。
こうして、例えば、レジスト液を基板Ｇに塗布した際に
形成される膜厚が基板Ｇごとに異なるといった問題の発
生を防止して、基板Ｇごとの品質のばらつきを低減する
ことが可能となる。
【００６０】なお、チラー５２から温調ヘッド５３ａ〜
５３ｈに供給される一次温調水の温度はほぼ同じ温度で
あるのに対し、温調ヘッド５３ａ〜５３ｈにおける二次
温調水の設定温度は異なる場合がある。このため、チラ
ー５２における一次温調水の設定温度は、温調ヘッド５
３ａ〜５３ｈにおける二次温調水の設定温度の最も低い
温度よりもさらに低い温度とすることが好ましい。
【００６１】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、温度制御ブロック５１ａ〜５１ｃのそ
れぞれに配設することができる温調ヘッドは２台または
３台に限定されず、それ以上であってもよい。温度制御
ブロックも温度制御ブロック５１ａ〜５１ｃのように３
ブロックに限定されるものではない。
【００６２】また、上述した温調システム５０において
は、温調ヘッド５３ａ〜５３ｈに異常が生じた場合に
は、中継パネル５５ａ〜５５ｃを介してチラー５２の運
転を停止する構成としたが、例えば、チラー５２を止め
ずに、異常の生じた温調ヘッドのみの運転を停止させ、
レジスト塗布・現像処理システム１００の運転状況を確
認にして、レジスト塗布・現像処理システム１００に設
けられた各ユニットにおける処理が中途半端に終わらな
いように、処理中の基板Ｇについては処理が完結するま
で運転を継続して、その後にチラー５２を停止するよう
な構成とすることも好ましい。
【００６３】さらに、温調ヘッド５３ａ〜５３ｈを用い
た温度制御の対象となるものは、冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）やレジスト液、現像液に限定されず、その他の処理
液、例えば、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂで
用いられる洗浄液、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）
２３においてレジスト塗布後に基板周縁のレジスト膜を
除去するために用いられるシンナー等の溶剤、さらに、
現像ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃにおいて現像処
理時間経過後に基板Ｇに供給されるリンス液について
も、温調ヘッドによる温度調節の対象とすることができ
る。
【００６４】さらにまた、温調ヘッド５３ａ〜５３ｈに
おいて、温度センサ７４は、冷却ユニット（ＣＯＬ）等
から戻された二次温調水の温度を測定するための位置に
配設しなければならないものではなく、調製した二次温
調水を送液する配管側に設けることもできる。例えば、
現像液やレジスト液のように温度調節を行う対象物の温
度変化が小さい場合には、温度センサ７４を現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃまたはレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＴ）２２へ送液する配管６４ａ・６８ａ側に設け
ることにより、常に一定温度の二次温調水をこれらのユ
ニットへ送液して、現像液やレジスト液の温度を一定に
保持することが可能となる。
【００６５】また、制御装置５４ａ〜５４ｃのそれぞれ
が並行して３台の温調ヘッドを制御可能である場合にお
いて、制御装置５４ｃのように２台の温調ヘッド５３ｇ
・５３ｈしか制御しないときには、例えば、温度制御ブ
ロック２６に配設された加熱ユニット（ＨＰ）の温度制
御を、制御装置５４ｃの残りの制御系統を利用して行う
ことができる。この場合には、加熱ユニット（ＨＰ）の
温度制御装置を別途設ける必要がなく、部品点数の低減
が可能となり、装置の信頼性が向上する。なお、制御装
置５４ａ〜５４ｃがそれぞれが並行して制御可能な温調
ヘッドおよびその他の機器の数は３台に限定されるもの
ではない。
【００６６】温調システム５０に用いられる温調媒体
は、水に限定されるものではなく、その他の液体、例え
ば、オイル等を用いることも可能であり、水を用いた場
合には所定量の防錆剤等を添加することも、各種装置の
保守上、好ましい。また、上記実施の形態においては、
被処理体としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半
導体ウエハ、ＣＤ基板、等の他の基板であっても構わ
ず、被処理体はこのような基板状の形状を有するものに
限定されるものではない。
【００６７】
【発明の効果】上述の通り、本発明の処理装置および温
調システムによれば、複数の温度制御ブロックにおいて
温調水による温度調節が必要な複数のユニットに対する
制御を温度制御ブロックごとに行うことができ、これに
よって温調水の配管数および温調循環装置の制御ケーブ
ルの長さを減じて装置構造を簡単なものとすることがで
きるという効果が得られる。また、この場合において
は、処理装置の組立やメンテナンスが容易となり、ま
た、誤配線を防止することが可能となるという効果が得
られる。さらに、温調循環装置の制御装置を個別に設け
ることで、操作性や管理性が改善されるという効果が得
られる。なお、本発明の処理装置をレジスト塗布・現像
処理システムに適用してレジスト液を温度調節した場合
には、基板に形成されるレジスト膜の厚みが基板ごとに
異なるといった問題の発生を防止することができ、ま
た、現像液を温度調節した場合には、現像特性が一定し
て基板ごとに品質差が生ずることを防止することができ
るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】レジスト塗布・現像処理システムの温調システ
ムの構成を示す説明図。
【図３】温調システムに用いられる温調ヘッドの構成を
示す説明図。
【図４】レジスト塗布・現像処理システムの従来の温調
システムの構成を示す説明図。
【符号の説明】
２１ａ・２１ｂ；洗浄ユニット（ＳＣＲ） ２２；レジスト塗布ユニット（ＣＴ） ２４ａ〜２４ｃ；現像ユニット（ＤＥＶ） ５０；温調システム ５１ａ〜５１ｃ；温度制御ブロック ５２；チラー ５３ａ〜５３ｈ；温調ヘッド ５４ａ〜５４ｃ；制御装置 ５５ａ〜５５ｃ；中継パネル ５６ａ〜５６ｃ；電源 ５７ａ〜５７ｃ；合流部材 ５８ａ〜５８ｃ；分岐部材 ６１ａ〜６９ａ・７８ａ・７９ａ；配管 ６１ｂ〜６９ｂ・７８ｂ・７９ｂ；配管 ７１；タンク ７２；ヒータ ７３；ポンプ ７４；温度センサ １００；レジスト塗布・現像処理システム ＣＯＬ；冷却ユニット Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の処理ユニットを備えた処理装置で
    あって、 前記複数の処理ユニットに温調媒体を供給して各処理ユ
    ニットに対して所定の温調を行う温調システムを具備
    し、 前記温調システムは、 前記複数の処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度
    に調節し、前記複数の処理ユニットとの間で所定量の温
    調媒体を循環する第１の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
    に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定量の温
    調媒体を循環する第２の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う第１の制御装置と、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体に対して液処理と液処理後の熱
    的処理を行う処理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
    と、 被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うこと
    で被処理体に所定の熱的処理を施す熱的処理ユニット
    と、 前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環
    させる温調媒体循環装置と、 を具備し、 前記温調媒体循環装置は、 前記熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度に
    調節し、前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
    体を循環する第１の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
    に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定量の温
    調媒体を循環する第２の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う第１の制御装置と、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体に対して所定の液処理を行う処
    理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
    と、 前記液処理ユニットにおいて用いられる処理液との間で
    の熱交換を温調媒体によって行うことで処理液を所定温
    度に保持する処理液温調装置と、 前記処理液温調装置との間で所定量の温調媒体を循環さ
    せる温調媒体循環装置と、 を具備し、 前記温調媒体循環装置は、 前記処理液温調装置へ送液する温調媒体を所定温度に調
    節し、前記処理液温調装置との間で所定量の温調媒体を
    循環する第１の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
    に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定量の温
    調媒体を循環する第２の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う第１の制御装置と、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 被処理体に対して液処理および液処理後
    の熱的処理を行う処理装置であって、 温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温度に調
    節された処理液を用いて被処理体に対して所定の液処理
    を施す液処理ユニットと、 液処理後の被処理体に所定の加熱処理を施す加熱ユニッ
    トと、 加熱処理後の被処理体との間での熱交換を温調媒体によ
    って行うことで被処理体を冷却する冷却ユニットと、 前記液処理ユニットに送液する温調媒体を所定温度に調
    節し、前記液処理ユニットとの間で所定量の温調媒体を
    循環させる第１の温調循環装置と、 前記冷却ユニットに送液する温調媒体を所定温度に調節
    し、前記冷却ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環
    させる第２の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置および第２の温調循環装置に送
    液する温調媒体を一定温度に調節し、前記第１の温調循
    環装置および第２の温調循環装置との間で所定量の温調
    媒体を循環させる第３の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置および第２の温調循環装置にお
    けるそれぞれの温調媒体の温度制御および流量制御を行
    う第１の制御装置と、 前記第３の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項５】 被処理体に対して液処理および液処理後
    の熱的処理を行う処理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
    と、 前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施された被
    処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
    被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニッ
    トと、 前記複数の熱的処理ユニットの個々に対して設けられ、
    対応する熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温
    度に調節して熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
    体を循環する複数の第１の温調循環装置と、 前記複数の第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一
    定温度に調節し、前記複数の第１の温調循環装置との間
    で所定量の温調媒体を循環する第２の温調循環装置と、 前記複数の第１の温調循環装置における温調媒体の温度
    制御および流量制御を行う第１の制御装置と、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項６】 被処理体に対して液処理および液処理後
    の熱的処理を行う処理装置であって、 温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温度に調
    節された処理液を用いて被処理体に対して所定の液処理
    を施す液処理ユニットと、 前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施された被
    処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
    被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニッ
    トと、 前記液処理ユニットおよび前記複数の熱的処理ユニット
    の個々に対して設けられ、対応する液処理ユニットまた
    は熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度に調
    節して液処理ユニットまたは熱的処理ユニットとの間で
    所定量の温調媒体を循環する複数の第１の温調循環装置
    と、 前記複数の第１の温調循環装置における温調媒体の温度
    制御および流量制御を行う第１の制御装置と、 を有する複数の温度制御ブロック、および、 前記複数の温度制御ブロックにおける第１の温調循環装
    置へ送液する温調媒体を一定温度に調節して前記複数の
    第１の温調循環装置との間で所定量の温調媒体を循環す
    る第２の温調循環装置、ならびに、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置、 を具備することを特徴とする処理装置。
  7. 【請求項７】 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布お
    よび露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であ
    って、 被処理体の洗浄処理を行う洗浄ユニットと、 被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユ
    ニットと、 露光後の被処理体に所定の現像処理を施す現像ユニット
    と、 前記洗浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットま
    たは前記現像ユニットにおいて処理された被処理体に対
    して所定の加熱処理を施す複数の加熱ユニットと、 前記複数の加熱ユニットにおいて処理された被処理体に
    対して、被処理体との間での熱交換を温調媒体によって
    行うことで被処理体を所定温度に冷却する複数の冷却ユ
    ニットと、 前記複数の冷却ユニットの個々に対して、送液する温調
    媒体を所定温度に調節して対応する冷却ユニットとの間
    で所定量の温調媒体を循環する複数の第１の温調循環装
    置と、 前記洗浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットま
    たは前記現像ユニットにおいて用いられる複数の処理液
    の個々に対して、処理液との間での熱交換を温調媒体に
    よって行うことで処理液を所定温度に保持する複数の第
    ２の温調循環装置と、 前記複数の第１の温調循環装置と第２の温調循環装置の
    内で被処理体の洗浄処理に関係するものに用いられる温
    調媒体の温度制御および流量制御を行う第１の制御装置
    と、 前記複数の第１の温調循環装置と第２の温調循環装置の
    内で被処理体のレジスト塗布処理に関係するものに用い
    られる温調媒体の温度制御および流量制御を行う第２の
    制御装置と、 前記複数の第１の温調循環装置と第２の温調循環装置の
    内で被処理体の現像処理に関係するものに用いられる温
    調媒体の温度制御および流量制御を行う第３の制御装置
    と、 前記複数の第１の温調循環装置および第２の温調循環装
    置へ送液する温調媒体を一定温度に調節し、前記複数の
    第１の温調循環装置および第２の温調循環装置との間で
    所定量の温調媒体を循環する第３の温調循環装置と、 前記第３の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第４の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  8. 【請求項８】 前記第３の温調循環装置は、温調媒体
    を、前記複数の第１の温調循環装置および第２の温調循
    環装置において調節される温調媒体の温度よりも低い一
    定温度に冷却して前記複数の第１の温調循環装置および
    第２の温調循環装置へ送液することを特徴とする請求項
    ７に記載の処理装置。
  9. 【請求項９】 前記複数の第１の温調循環装置および第
    ２の温調循環装置は、循環させる温調媒体を加熱するた
    めのヒータを具備することを特徴とする請求項７または
    請求項８に記載の処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記温調媒体の主成分が水であること
    を特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記
    載の処理装置。
  11. 【請求項１１】 複数の処理ユニットを備えた処理装置
    において各処理ユニットに温調媒体を供給して所定の温
    調を行う温調システムであって、 前記複数の処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度
    に調節し、前記複数の処理ユニットとの間で所定量の温
    調媒体を循環する第１の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
    に調節し、前記第１の温調循環装置との間で所定量の温
    調媒体を循環する第２の温調循環装置と、 前記第１の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う第１の制御装置と、 前記第２の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
    よび流量制御を行う前記第１の制御装置とは別体で設け
    られた第２の制御装置と、 を具備することを特徴とする温調システム。
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